TW201439352A - 蒸鍍裝置及蒸鍍方法 - Google Patents

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Katsuhiro Kikuchi
Masahiro Ichihara
Eiichi Matsumoto
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Abstract

蒸鍍裝置(50)包括Y軸及X軸方向上之長度較被成膜基板(200)短之複數個蒸鍍遮罩(80)，Y軸方向上相鄰之蒸鍍遮罩(80)於X軸方向上錯開配置，Y軸方向上相鄰之各遮罩開口群區域(82)於X軸方向上重疊之重疊區域(83)，在俯視下Y軸方向之開口長度朝向各遮罩開口群區域(82)之外側逐漸變短。

Description

蒸鍍裝置及蒸鍍方法
本發明係關於一種用於掃描蒸鍍之蒸鍍裝置及蒸鍍方法。
近年來，於各種商品或領域中應用平板顯示器，謀求平板顯示器之進一步之大型化、高畫質化、低耗電化。
此種狀況下，具備利用有機材料之電致發光(electroluminescence；以下記作「EL」)之有機EL元件的有機EL顯示裝置，作為全固體型且在低電壓驅動、高速回應性、自發光性等方面優異之平板顯示器，而受到高度關注。
有機EL顯示裝置例如於主動矩陣方式之情形時，具有如下構成：於設置有TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)之由玻璃基板等構成之基板上，設置有電性連接於TFT之薄膜狀有機EL元件。
於全彩有機EL顯示裝置中，一般而言，紅(R)、綠(G)、藍(B)之各種顏色之有機EL元件作為次(sub)像素而排列形成於基板上，使用TFT使該等有機EL元件選擇性地以所期望之亮度發光，藉此進行圖像顯示。
因此，為了製造此種有機EL顯示裝置，至少需要於每個有機EL元件以特定圖案形成包含以各種顏色發光之有機發光材料之發光層。
作為以特定圖案形成此種發光層之方法，例如已知有真空蒸鍍法、噴墨法、雷射轉印法等。例如，低分子型有機EL顯示裝置(OLED(有機發光二極體，Organic light-Emitting Diode))中，真空蒸鍍 法主要用於發光層之圖案化。
真空蒸鍍法中，使用形成有特定圖案之開口之蒸鍍遮罩(deposition mask)(亦稱為陰影遮罩(shadow mask))。而且，藉由使來自蒸鍍源之蒸鍍粒子(蒸鍍材料、成膜材料)通過蒸鍍遮罩之開口而蒸鍍於被蒸鍍面，而形成特定圖案之薄膜。此時，蒸鍍係針對發光層之每種顏色而進行(將其稱為「分塗蒸鍍」)。
真空蒸鍍法大致分為：藉由使被成膜基板與蒸鍍遮罩固定或依序移動而密接從而成膜之方法、及使被成膜基板與蒸鍍用遮罩隔開而一面掃描一面成膜之掃描蒸鍍法。
前者之方法中，使用與被成膜基板同等大小之蒸鍍遮罩。然而，若使用與被成膜基板同等大小之蒸鍍遮罩，則伴隨著基板之大型化，蒸鍍遮罩亦大型化。因此，若被成膜基板變大，則隨之因蒸鍍遮罩之自重撓曲(self-weight deflection)或伸長，而容易於被成膜基板與蒸鍍遮罩之間產生間隙。因此，若為大型基板，則難以進行高精度之圖案化，產生蒸鍍位置之偏移或混色，難以實現高精細化。
又，若被成膜基板變大，則不僅蒸鍍遮罩變得巨大，保持蒸鍍遮罩等之框架等亦變得巨大，其重量亦增加。因此，若被成膜基板變大，則難以操作蒸鍍遮罩或框架等，有對生產性或安全性造成障礙之虞。又，蒸鍍裝置本身或附隨其之裝置亦同樣地巨大化、複雜化，因此裝置設計變難，設置成本亦變高。
又，大型蒸鍍遮罩除存在撓曲或重量、成本之問題以外，亦存在未配備蒸鍍遮罩之材料之加工、或圖案化、框架貼附等遮罩生產環境之較大之問題。
因此，近年來，使用小於被成膜基板之蒸鍍遮罩一面掃描一面進行蒸鍍之掃描蒸鍍法受到關注(例如專利文獻1、2等)。
此種掃描蒸鍍法中，例如使用帶狀之蒸鍍遮罩，使蒸鍍遮罩與 蒸鍍源一體化等，一面使被成膜基板與蒸鍍遮罩及蒸鍍源中之至少一者相對移動一面於被成膜基板之整個面蒸鍍蒸鍍粒子。
因此，於掃描蒸鍍法中，無需使用與被成膜基板同等大小之蒸鍍遮罩，可使蒸鍍遮罩小型化。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本公開專利公報「日本專利特開2011-47035號公報(2011年3月10日公開)」
[專利文獻2]國際公開第2012/124512號說明書(2012年9月20日國際公開)
[專利文獻3]日本公開專利公報「日本專利特開2007-23358號公報(2007年2月1日公開)」
於掃描蒸鍍法中，可使如基板搬送方向之掃描方向之蒸鍍遮罩之長度變短。
然而，如專利文獻1、2所示，與掃描方向正交之方向之蒸鍍遮罩之長度形成為與被成膜基板同等以上之大小。
即，若一面使蒸鍍遮罩之掃描方向及與掃描方向垂直之方向上之長度較被成膜基板200之掃描方向及與掃描方向垂直之方向上之長度短的小型遮罩，沿掃描方向及與掃描方向垂直之方向移動，一面形成蒸鍍膜，則成膜耗費時間並且難以將與掃描方向垂直之方向上之蒸鍍膜之膜厚控制為固定。
因此，與蒸鍍遮罩之掃描方向正交之方向上之蒸鍍遮罩之長度形成為與被成膜基板同等以上之大小。
再者，作為將蒸鍍遮罩小型化之方法，於專利文獻3中揭示有將 被稱為遮罩晶片(mask chip)之微小之複數個蒸鍍遮罩接合在一起而形成大型蒸鍍遮罩之技術。
然而，專利文獻3為形成對應於大型被成膜基板之蒸鍍遮罩之方法，並非將掃描蒸鍍作為對象。
又，上述專利文獻3係於鄰接之遮罩晶片之相互對向之側面中之至少一側面設置切口部，藉由於鄰接之遮罩晶片之接頭部形成包含上述切口部且包含對應於形成之圖案之開口部之間隙部，而將X軸方向上鄰接之遮罩晶片於對應於形成之蒸鍍膜之圖案之開口部內(即子像素內)沿X軸方向連結。因此，專利文獻3具有難以進行利用連結部之間隙部之圖案控制之問題。
又，若如此使用複數個小型蒸鍍遮罩進行掃描蒸鍍，則無法於蒸鍍遮罩之邊界部形成均勻之蒸鍍膜，而產生蒸鍍膜分離成塊(block)狀之塊分離。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種可使蒸鍍遮罩較先前小型化並且不產生塊分離而形成均勻之蒸鍍膜之蒸鍍裝置及蒸鍍方法。
為了解決上述問題，本發明之一態樣之蒸鍍裝置係於用於顯示裝置之被成膜基板上針對上述顯示裝置之每個子像素形成特定圖案之蒸鍍膜者，包括：蒸鍍單元，其包含蒸鍍源及複數個蒸鍍遮罩；及移動裝置，其使上述蒸鍍單元及被成膜基板中之一者相對於另一者相對移動；上述各蒸鍍遮罩之於作為上述移動裝置之移動方向之第1方向及與該第1方向垂直之第2方向上之長度較各個方向上之上述被成膜基板之蒸鍍區域之長度短；上述蒸鍍遮罩至少於上述第1方向配置有複數個；上述各蒸鍍遮罩於上述第2方向上具有1個遮罩開口群區域或隔著至少1像素之遮蔽區域而具有複數個遮罩開口群區域；上述遮罩開 口群區域分別至少包含排列於上述第2方向上之複數個遮罩開口，且分別與上述蒸鍍源之蒸鍍粒子之射出口成對；上述第1方向上相鄰之蒸鍍遮罩以如下方式於上述第2方向上錯開位置而配置，即，各個蒸鍍遮罩之各遮罩開口群區域之上述第2方向之端部中的與另一蒸鍍遮罩之遮罩開口群區域對向之側之端部之複數個遮罩開口，沿上述第1方向觀察時於上述第2方向上分別重疊，並且藉由該端部之上述第1方向上相鄰之遮罩開口而形成之蒸鍍膜沿上述第1方向位於同一直線上；上述第2方向上之上述蒸鍍遮罩之合計長度較上述第2方向上之上述被成膜基板之蒸鍍區域之長度長；上述各遮罩開口對應於上述各子像素而設置；於上述各蒸鍍遮罩之各遮罩開口群區域中之沿上述第1方向觀察時於上述第2方向上分別重疊之區域，自與上述蒸鍍遮罩之主面垂直之方向觀察時之上述第1方向之開口長度朝向上述各遮罩開口群區域之外側而逐漸變短。
又，本發明之一態樣之蒸鍍方法係於用於顯示裝置之被成膜基板上針對上述顯示裝置之每個子像素形成特定圖案之蒸鍍膜者，且使包含蒸鍍源與複數個蒸鍍遮罩之蒸鍍單元及上述被成膜基板中之一者相對於另一者沿第1方向相對移動，並且使用如下蒸鍍單元作為上述蒸鍍單元，即，(a)上述各蒸鍍遮罩之上述第1方向及與該第1方向垂直之第2方向上之長度較各個方向上之上述被成膜基板之蒸鍍區域之長度短；(b)上述蒸鍍遮罩至少於上述第1方向配置有複數個；(c)上述各蒸鍍遮罩於上述第2方向上具有1個遮罩開口群區域或隔著至少1像素之遮蔽區域具有複數個遮罩開口群區域；(d)上述遮罩開口群區域分別至少包含排列於上述第2方向上之複數個遮罩開口，且分別與上述蒸鍍源之蒸鍍粒子之射出口成對；(e)上述第1方向上相鄰之蒸鍍遮罩以如下方式於上述第2方向上錯開位置而配置，即，各個蒸鍍遮罩之各遮罩開口群區域之上述第2方向之端部中的與另一蒸鍍遮罩之遮 罩開口群區域對向之側之端部之複數個遮罩開口，沿上述第1方向觀察時於上述第2方向上分別重疊，並且藉由該端部之上述第1方向上相鄰之遮罩開口而形成之蒸鍍膜沿上述第1方向位於同一直線上；(f)上述第2方向上之上述蒸鍍遮罩之合計長度較上述第2方向上之上述被成膜基板之蒸鍍區域之長度長；(g)於上述各蒸鍍遮罩之各遮罩開口群區域中之沿上述第1方向觀察時於上述第2方向上分別重疊之區域，自與上述蒸鍍遮罩之主面垂直之方向觀察時之上述第1方向之開口長度朝向上述各遮罩開口群區域之外側而逐漸變短。
再者，此處所謂「自與蒸鍍遮罩之主面垂直之方向觀察時之上述第1方向之開口長度」，並非表示蒸鍍遮罩之遮罩開口本身之上述第1方向上之長度，而表示自與蒸鍍遮罩之主面垂直之方向觀察時實際開口之蒸鍍遮罩之實質之上述第1方向之開口長度(即，蒸鍍粒子可通過之開口區域之上述第1方向上之長度)。即，自與蒸鍍遮罩之主面垂直之方向觀察時，蒸鍍遮罩之遮罩開口之一部分由例如遮蔽板堵住之情形時，所謂自與蒸鍍遮罩之主面垂直之方向觀察時之上述第1方向之開口長度，係表示自與蒸鍍遮罩之主面垂直之方向觀察時實際開口之遮罩開口之第1方向上之長度(即，未由上述遮蔽板堵住之遮罩開口之第1方向上之長度)。
根據本發明之一態樣，將與被成膜基板之上述第2方向之各子像素對應之遮罩開口進行分割，可實現使用較先前小型之蒸鍍遮罩之掃描蒸鍍，因此可使蒸鍍遮罩較先前輕量化，可抑制因蒸鍍遮罩之撓曲所致之蒸鍍位置偏移。因此，可抑制因蒸鍍遮罩之撓曲所致之蒸鍍模糊(blurring)。
又，根據本發明之一態樣，將上述第1方向上相鄰之蒸鍍遮罩於上述第2方向上錯開配置，於沿上述第1方向觀察時各個蒸鍍遮罩之遮 罩開口群區域在上述第2方向上重疊之區域，使自與上述蒸鍍遮罩之主面垂直之方向觀察時之上述第1方向之開口長度朝向各遮罩開口群區域之外側而逐漸變短，藉此，可於成為連結複數個蒸鍍遮罩之遮罩接合部分之上述第1方向上相鄰之蒸鍍遮罩之各遮罩開口群區域之邊界部使開口長度逐漸變化。
因此，如上所述，即便於將與被成膜基板之上述第2方向之各子像素對應之遮罩開口分割，使用較先前小型之蒸鍍遮罩進行掃描蒸鍍之情形時，亦可進行不產生上述遮罩開口群區域之邊界部之塊分離之均勻之蒸鍍。
又，根據本發明之一態樣，於子像素內不沿X軸方向連結蒸鍍遮罩，因此易於進行圖案控制。
又，根據本發明之一態樣，各遮罩開口群區域與蒸鍍源之射出口成對，藉此可限定向各個遮罩開口飛來之蒸鍍粒子之飛來源頭(射出口)，因此可設定最適於該飛來角度之遮罩開口之位置。因此，可防止蒸鍍模糊，並且可使蒸鍍效率提高。
又，於上述第2方向上相鄰之遮罩開口群區域之邊界部，容易混入自各遮罩開口群區域之2個射出口飛來之蒸鍍粒子。然而，如上所述，上述第2方向上相鄰之遮罩開口群區域隔著至少1像素之遮蔽區域而設置，藉此可防止蒸鍍模糊、尤其上述第2方向上相鄰之遮罩開口群區域之邊界部之蒸鍍模糊。
1‧‧‧有機EL顯示裝置(顯示裝置)
2‧‧‧像素
2R、2G、2B‧‧‧子像素
10‧‧‧TFT基板
11‧‧‧絕緣基板
12‧‧‧TFT
13‧‧‧層間膜
13a‧‧‧接觸孔
14‧‧‧配線
15‧‧‧邊緣罩
15R、15G、15B‧‧‧開口部
20‧‧‧有機EL元件
21‧‧‧第1電極
22‧‧‧電洞注入層兼電洞輸送層
23R、23G、23B‧‧‧發光層
24‧‧‧電子輸送層
25‧‧‧電子注入層
26‧‧‧第2電極
30‧‧‧接著層
40‧‧‧密封基板
50‧‧‧蒸鍍裝置
51‧‧‧真空室
52‧‧‧基板保持器
53‧‧‧基板移動裝置
54‧‧‧蒸鍍單元
55‧‧‧蒸鍍單元移動裝置(移動裝置)
60、60A、60B‧‧‧蒸鍍源
61、61A、61B‧‧‧射出口
70‧‧‧限制板單元
71‧‧‧支持部
72、72A、72B‧‧‧限制板行
73、73A、73B‧‧‧限制板
74、74A、74B‧‧‧限制板開口
75‧‧‧限制板
80、80A、80B‧‧‧蒸鍍遮罩
81、81A、81B‧‧‧遮罩開口
82、82A、82B‧‧‧遮罩開口群區域
83‧‧‧重疊區域
84‧‧‧非重疊區域
85‧‧‧遮蔽區域
90‧‧‧保持器
91‧‧‧遮罩保持器
91a‧‧‧開口部
92‧‧‧遮罩托盤
92a‧‧‧開口部
93‧‧‧支持構件
101‧‧‧蒸鍍塊
111‧‧‧遮蔽板
112‧‧‧開口區域
200‧‧‧被成膜基板
201‧‧‧被蒸鍍面
211‧‧‧蒸鍍粒子
221、221A、221B‧‧‧蒸鍍膜
d1‧‧‧開口長度
d2‧‧‧寬度
d3‧‧‧間距
d4‧‧‧寬度
d5‧‧‧寬度
圖1係將實施形態1之用作有機EL裝置之製造裝置之蒸鍍裝置中使用之蒸鍍單元之主要部分之構成與被成膜基板200一併表示之俯視圖。
圖2係模式性地表示實施形態1之蒸鍍裝置之主要部分之概略構成之剖面圖。
圖3(a)係模式性地表示實施形態1之蒸鍍裝置之真空室內之主要構成要素之剖面圖，(b)係模式性地表示對(a)所示之蒸鍍裝置中之Y軸方向上相鄰之蒸鍍遮罩自與該等蒸鍍遮罩之主面垂直之方向觀察時之各個遮罩開口彼此之位置關係、及該等遮罩開口與由該等遮罩開口形成之蒸鍍膜之位置關係的說明圖。
圖4係表示實施形態1中使用之蒸鍍遮罩中之遮罩開口群之開口圖案之俯視圖。
圖5係表示實施形態1之蒸鍍遮罩之遮罩圖案之一例之俯視圖。
圖6(a)、(b)係依序作為比較例1、2，表示與圖1同樣地配置有具有包含相同形狀之遮罩開口之遮罩開口群區域之蒸鍍遮罩之示例的俯視圖。
圖7係表示使用圖1所示之蒸鍍遮罩進行蒸鍍時之利用第I行蒸鍍遮罩之蒸鍍區域及利用第II行蒸鍍遮罩之蒸鍍區域之蒸鍍膜之構成的俯視圖。
圖8係表示實施形態1之RGB全彩顯示之有機EL顯示裝置之概略構成之剖面圖。
圖9係表示構成圖8所示之有機EL顯示裝置之各子像素之構成之俯視圖。
圖10係圖9所示之有機EL顯示裝置中之TFT基板之W-W線箭視剖面圖。
圖11係按步驟順序表示實施形態1之有機EL顯示裝置之製造步驟之一例之流程圖。
圖12(a)~(d)係表示實施形態1之蒸鍍遮罩之遮罩開口群區域之圖案形狀之另一例的主要部分俯視圖。
圖13係模式性地表示實施形態1之蒸鍍裝置之主要部分之概略構成之另一例的剖面圖。
圖14(a)係表示自實施形態2之蒸鍍遮罩之背面側觀察被成膜基板時之實施形態2之蒸鍍單元之主要部分之概略構成的立體圖，(b)係表示對(a)所示之構成要素自其側面觀察時之概略構成之側視圖，(c)係表示(a)所示之蒸鍍遮罩之概略構成之俯視圖。
圖15(a)係表示自實施形態3之蒸鍍遮罩之背面側觀察被成膜基板時之實施形態3之蒸鍍單元之主要部分之概略構成的立體圖，(b)係表示對(a)所示之構成要素自其側面觀察時之概略構成之側視圖，(c)係表示(a)所示之蒸鍍遮罩之概略構成之俯視圖，(d)係表示(a)所示之遮蔽板之概略構成之俯視圖。
圖16(a)、(b)係模式性地表示蒸鍍源與被成膜基板之間之距離相對較長之情形時與相對較短之情形時之蒸鍍膜之膜厚分佈之不同的圖，(a)表示蒸鍍源與被成膜基板之間之距離相對較長之情形，(b)表示蒸鍍源與被成膜基板之間之距離相對較短之情形。
圖17(a)、(b)係表示實施形態4之蒸鍍遮罩之遮罩開口群之開口圖案之一例的俯視圖。
圖18(a)係表示於第I行之蒸鍍遮罩之蒸鍍區域無蒸鍍遮罩之情形時之、圖5所示之成膜區間L之X軸方向上之各位置之蒸鍍膜之膜厚分佈與膜厚修正係數之關係的曲線圖，(b)係表示上述成膜區間L之蒸鍍遮罩之膜厚修正前後之遮罩開口比率之變化與膜厚修正係數之關係的曲線圖，(c)係表示X軸方向上之各位置之開口長度修正前之設置於Y軸方向上之各蒸鍍遮罩之遮罩開口比率的表。
圖19(a)係表示於第II行之蒸鍍遮罩之蒸鍍區域使用使開口長度於X軸方向上一致之蒸鍍遮罩之情形時之、圖5所示之成膜區間L之X軸方向上之各位置之蒸鍍膜之膜厚分佈與膜厚修正係數之關係的曲線圖，(b)係表示上述成膜區間L之蒸鍍遮罩之膜厚修正前及修正後之遮罩開口比率之變化與膜厚修正係數之關係的曲線圖。
圖20(a)係表示圖5所示之成膜區間L之X軸方向上之各位置之膜厚修正後之蒸鍍遮罩之遮罩開口比率之變化、與藉由膜厚修正後之設置於Y軸方向上之各蒸鍍遮罩合成膜厚所得之合成膜厚之關係的曲線圖，(b)係表示膜厚修正前後之主要部分之遮罩開口比率之變化的曲線圖。
以下，對本發明之實施形態進行詳細說明。
[實施形態1]
若基於圖1~圖13對本發明之實施之一形態進行說明，則為如下。
以下，於本實施形態中，作為使用本實施形態之蒸鍍裝置之顯示裝置之製造方法，列舉具有對應於子像素而配置之有機EL元件(發光元件)之有機EL顯示裝置之製造方法為例進行說明。
<有機EL顯示裝置之整體構成>
首先，作為藉由本實施形態之蒸鍍裝置製造之有機EL顯示裝置之一例，以下對自TFT基板側擷取光之底部發光(bottom emission)型且RGB全彩顯示之有機EL顯示裝置之構成進行說明。
圖8係表示RGB全彩顯示之有機EL顯示裝置1之概略構成之剖面圖。又，圖9係表示構成圖8所示之有機EL顯示裝置1之各子像素2R、2G、2B之構成之俯視圖，圖10係圖9所示之有機EL顯示裝置1中之TFT基板10之W-W線箭視剖面圖。
如圖8所示，由本實施形態製造之有機EL顯示裝置1具有如下構成：於設置有TFT12(參照圖10)之TFT基板10上依序設置有連接於TFT12之有機EL元件20(發光元件)、接著層30、密封基板40。
有機EL元件20係藉由使用接著層30將積層有該有機EL元件20之TFT基板10與密封基板40貼合，而封入於該等一對基板(TFT基板10、 密封基板40)間。
如圖10所示，TFT基板10例如具有玻璃基板等透明之絕緣基板11作為支持基板。如圖9所示，於絕緣基板11上設置有複數個配線14，該複數個配線14包含鋪設於水平方向之複數個閘極線與鋪設於垂直方向且與閘極線交叉之複數個信號線。於閘極線連接有驅動閘極線之未圖示之閘極線驅動電路，於信號線連接有驅動信號線之未圖示之信號線驅動電路。
有機EL顯示裝置1為全彩主動矩陣型之有機EL顯示裝置，於絕緣基板11上，於由該等配線14包圍之區域，分別包含紅(R)、綠(G)、藍(B)之各種顏色之有機EL元件20之各種顏色之子像素2R、2G、2B排列為矩陣狀。由該等配線14包圍之區域為1個子像素(點)，對應於各子像素而配置有有機EL元件20。藉此，於每個子像素劃分形成有R、G、B之發光區域。
像素2(即1像素)包括使紅色光透過之紅色子像素2R、使綠色光透過之綠色子像素2G、使藍色光透過之藍色子像素2B之3個子像素2R、2G、2B。
於各子像素2R、2G、2B，作為各子像素2R、2G、2B之承擔發光之各種顏色之發光區域，分別設置有由條紋狀之各種顏色之發光層23R、23G、23B覆蓋之開口部15R、15G、15B。該等發光層23R、23G、23B以各種顏色藉由蒸鍍形成圖案。
又，於該等子像素2R、2G、2B分別設置有連接於有機EL元件20中之第1電極21之TFT12。各子像素2R、2G、2B之發光強度係由利用配線14及TFT12之掃描及選擇而決定。如此，有機EL顯示裝置1藉由使用TFT12使有機EL元件20選擇性地以所期望之亮度發光而實現圖像顯示。
<TFT基板10之構成>
如圖10所示，TFT基板10具有如下構成：於玻璃基板等透明之絕緣基板11上依序形成有TFT12(開關元件)及配線14、層間膜13(層間絕緣膜、平坦化膜)、邊緣罩(edge cover)15。
於上述絕緣基板11上設置有配線14，並且對應於各子像素2R、2G、2B分別設置有TFT12。再者，TFT之構成先前已被熟知。因此，省略TFT12之各層之圖示及說明。
層間膜13以覆蓋各TFT12及配線14之方式於上述絕緣基板11上遍及上述絕緣基板11之整個區域而積層。
於層間膜13上形成有有機EL元件20中之第1電極21。
又，於層間膜13設置有接觸孔13a，該接觸孔13a用以將有機EL元件20中之第1電極21電性連接於TFT12。藉此，TFT12經由上述接觸孔13a而電性連接於有機EL元件20。
又，為了防止有機EL元件20中之第1電極21與第2電極26之短路，於層間膜13上以被覆第1電極21之圖案端部之方式形成有邊緣罩15。於邊緣罩15，針對每個子像素2R、2G、2B設置有開口部15R、15G、15B。該邊緣罩15之開口部15R、15G、15B成為各子像素2R、2G、2B之發光區域。
<有機EL元件20之構成>
有機EL元件20係可進行利用低電壓直流驅動之高亮度發光之發光元件，依序積層有第1電極21、有機EL層、第2電極26。
第1電極21係具有對上述有機EL層注入(供給)電洞之功能之層。第1電極21如上所述般經由接觸孔13a而與TFT12連接。
於第1電極21與第2電極26之間，自第1電極21側依序形成有例如電洞注入層兼電洞輸送層22、發光層23R、23G、23B、電子輸送層24、電子注入層25作為有機EL層。再者，上述積層順序係將第1電極21設為陽極、將第2電極26設為陰極者，於將第1電極21設 為陰極，將第2電極26設為陽極之情形時，有機EL層之積層順序顛倒。
又，本實施形態中，列舉設置有將電洞注入層與電洞輸送層一體化而成之電洞注入層兼電洞輸送層22作為電洞注入層及電洞輸送層之情形為例進行了圖示，但本實施形態並不限定於此。電洞注入層與電洞輸送層亦可作為相互獨立之層而形成。又，上述有機EL顯示裝置1亦可代替電子輸送層24及電子注入層25而包含電子輸送層兼電子注入層。
再者，構成有機EL層之該等層之功能及材料如由本案申請人等提出申請之專利文獻2所示般先前公知，因此此處省略其說明。
再者，作為有機EL元件20之構成，並不限定於上述構成，可根據要求之有機EL元件20之特性，採用先前公知之各種層構成。
<有機EL顯示裝置之製造方法>
又，圖11係按步驟順序表示上述有機EL顯示裝置1之製造步驟之一例之流程圖。
如圖11所示，本實施形態之有機EL顯示裝置1之製造方法例如包括：TFT基板、第1電極製作步驟(S1)，電洞注入層、電洞輸送層蒸鍍步驟(S2)，發光層蒸鍍步驟(S3)，電子輸送層蒸鍍步驟(S4)，電子注入層蒸鍍步驟(S5)，第2電極蒸鍍步驟(S6)，及密封步驟(S7)。
其中，上述積層順序係將第1電極21設為陽極、將第2電極26設為陰極者，反之於將第1電極21設為陰極、將第2電極26設為陽極之情形時，有機EL層之積層順序顛倒。又，構成第1電極21及第2電極26之材料亦顛倒。
首先，如圖10所示，利用公知技術於形成有TFT12及配線14等之絕緣基板11上塗佈感光性樹脂，利用光微影技術進行圖案化，藉此於絕緣基板11上形成層間膜13。
其次，於層間膜13形成用以將第1電極21電性連接於TFT12之接觸孔13a。其次，於層間膜13上形成第1電極21。第1電極21使用例如包含ITO(Indium Tin Oxide：銦錫氧化物)等透明電極材料之導電膜(電極膜)、或者包含金(Au)等金屬材料之透明或半透明薄膜。
第1電極21例如可藉由將濺鍍法、CVD(chemical vapor deposition，化學蒸鍍)法、印刷法等公知之成膜方法或使用顯示區域整個面開口之開口遮罩之真空蒸鍍方法與使用光微影技術之圖案化方法加以組合而形成。
其次，形成特定圖案之邊緣罩15。邊緣罩15之形成可使用與層間膜13相同之方法及材料。
藉由以上步驟，製作TFT基板10及第1電極21(S1)。
其次，對經過如上所述之步驟之TFT基板10，實施用以脫水之減壓烘烤及作為第1電極21之表面清洗之氧電漿處理。
繼而，藉由使用顯示區域整個面開口之開口遮罩之真空蒸鍍法，於上述TFT基板10上將電洞注入層及電洞輸送層(本實施形態中為電洞注入層兼電洞輸送層22)蒸鍍於上述TFT基板10之顯示區域整個面(S2)。再者，此處，所謂於顯示區域整個面之蒸鍍，係指跨越鄰接之顏色不同之子像素間而不中斷地蒸鍍。
其次，於上述電洞注入層兼電洞輸送層22上，以覆蓋邊緣罩15之開口部15R、15G、15B之方式，對應於子像素2R、2G、2B而分別分塗形成(圖案形成)發光層23R、23G、23B(S3)。
上述分塗蒸鍍係使用利用本實施形態之蒸鍍裝置之真空蒸鍍法。使用本實施形態之蒸鍍裝置之蒸鍍方法可尤其較佳地用於此種發光層23R、23G、23B之分塗形成(圖案形成)。
其次，藉由與上述電洞注入層、電洞輸送層蒸鍍步驟(S2)相同之方法，以覆蓋上述電洞注入層兼電洞輸送層22及發光層23R、23G、 23B之方式將電子輸送層24蒸鍍於上述TFT基板10之顯示區域整個面(S4)。
繼而，藉由與上述電洞注入層、電洞輸送層蒸鍍步驟(S2)相同之方法，以覆蓋上述電子輸送層24之方式將電子注入層25蒸鍍於上述TFT基板10之顯示區域整個面(S5)。
其次，藉由與上述電洞注入層、電洞輸送層蒸鍍步驟(S2)相同之方法，以覆蓋上述電子注入層25之方式將第2電極26蒸鍍於上述TFT基板10之顯示區域整個面(S6)。
作為第2電極26之材料(電極材料)，較佳為使用鎂合金(MgAg)等功函數較小之金屬等。藉此，於TFT基板10上形成包含上述有機EL層、第1電極21、及第2電極26之有機EL元件20。
再者，有機EL元件20之各層之材料可使用與先前相同之材料，其等之厚度及大小亦可設定為與先前相同。例如，可設為與專利文獻2相同之材料及尺寸。
繼而，如圖8所示，利用接著層30將形成有有機EL元件20之上述TFT基板10與密封基板40貼合，進行有機EL元件20之封入。作為密封基板40，使用玻璃基板或塑膠基板等絕緣基板。藉由上述步驟，有機EL顯示裝置1完成。
<蒸鍍方式>
如上所述，於有機EL顯示裝置1之製造中，發光層23R、23G、23B等包含有機材料之有機膜之蒸鍍等對應於子像素2R、2G、2B之層(被膜)之形成係使用利用本實施形態之蒸鍍裝置之掃描蒸鍍。
於本實施形態中，於在本實施形態之蒸鍍裝置中之蒸鍍單元與被成膜基板之間設置有固定空隙之狀態下，使被成膜基板與上述蒸鍍單元中之至少一者相對移動而進行掃描，藉此使用具有較被成膜基板之蒸鍍區域小之尺寸之開口區域(遮罩開口部群形成區域)之蒸鍍遮罩 形成蒸鍍膜。
<蒸鍍裝置>
其次，使用本實施形態之蒸鍍裝置作為有機EL顯示裝置1之製造裝置，對圖案形成蒸鍍膜221之方法進行詳細敍述。
再者，作為於被成膜基板200之蒸鍍膜221之圖案形成，於進行TFT基板10中之發光層23R、23G、23B之分塗形成之情形時，蒸鍍遮罩80之遮罩開口81係與該等發光層23R、23G、23B之相同顏色之行之尺寸及間距保持一致而形成。又，如此，於蒸鍍材料為有機EL顯示裝置1之發光層23R、23G、23B之材料之情形時，有機EL蒸鍍製程中之發光層23R、23G、23B之蒸鍍針對發光層23R、23G、23B之每種顏色而進行。
圖1係將本實施形態之用作有機EL裝置之製造裝置之蒸鍍裝置50中所使用之蒸鍍單元54之主要部分之構成與被成膜基板200一併表示之俯視圖。
又，圖2係模式性地表示本實施形態之蒸鍍裝置50之主要部分之概略構成之剖面圖。又，圖3(a)係模式性地表示本實施形態之蒸鍍裝置50中之真空室51內之主要構成要素之剖面圖，圖3(b)係表示對圖3(a)所示之蒸鍍裝置50中之Y軸方向上相鄰之蒸鍍遮罩80A、80B自與該等蒸鍍遮罩80A、80B之主面垂直之方向觀察時之各個遮罩開口81A、81B彼此之位置關係、及該等遮罩開口81A、81B與由該等遮罩開口81A、81B形成之蒸鍍膜221之位置關係的模式圖。再者，圖2表示平行於掃描方向而切斷本實施形態之蒸鍍裝置50時之剖面，圖3(a)表示平行於與掃描方向垂直之方向而切斷本實施形態之蒸鍍裝置50時之剖面。
再者，為簡化圖示，圖1~圖3(a)、(b)省略地表示蒸鍍遮罩80之數量、或蒸鍍源60中之射出口61之數量、遮罩開口81之數量、限制板 73之數量。
又，以下，為方便說明，將沿被成膜基板200之掃描方向之水平方向軸設為Y軸，將沿垂直於被成膜基板200之掃描方向之方向之水平方向軸設為X軸，將被成膜基板200之被蒸鍍面之法線方向且與該被蒸鍍面正交之蒸鍍軸線所延伸之方向即垂直於X軸及Y軸之垂直方向軸(上下方向軸)設為Z軸進行說明。又，為方便說明，若未特別言及，則將Z軸方向之箭頭側(圖1之紙面之上側)作為「上側」進行說明。
如圖2所示，本實施形態之蒸鍍裝置50包括真空室51(成膜室)、基板保持器52(基板保持構件)、基板移動裝置53、蒸鍍單元54、蒸鍍單元移動裝置55、影像感測器等未圖示之對準觀測設備、及用以驅動控制蒸鍍裝置50之未圖示之控制電路等。又，如圖1~圖3(a)所示，蒸鍍單元54包括蒸鍍源60、限制板單元70、複數個蒸鍍遮罩80、保持器90、及未圖示之擋板等。
其中，基板保持器52、基板移動裝置53、蒸鍍單元54、蒸鍍單元移動裝置55設置於真空室51內。
再者，於真空室51中，為了於蒸鍍時將該真空室51內保持為真空狀態，而設置有經由設置於該真空室51之未圖示之排氣口對真空室51內進行真空排氣之未圖示之真空泵。
(基板保持器52)
基板保持器52係保持被成膜基板200之基板保持構件。基板保持器52將包含TFT基板等之被成膜基板200以其被蒸鍍面201(被成膜面)面向蒸鍍單元54之蒸鍍遮罩80之方式保持。
被成膜基板200與蒸鍍遮罩80隔開固定距離而對向配置，於被成膜基板200與蒸鍍遮罩80之間設置有固定高度之空隙。
於基板保持器52較佳為使用例如靜電吸盤等。藉由以靜電吸盤 等方法將被成膜基板200固定於基板保持器52，被成膜基板200以無因自重所致之撓曲之狀態保持於基板保持器52。
<基板移動裝置53及蒸鍍單元移動裝置55>
本實施形態中，藉由基板移動裝置53及蒸鍍單元移動裝置55中之至少一者，以Y軸方向(第1方向)成為掃描方向(基板移動裝置53或蒸鍍單元移動裝置55之移動方向)之方式，使被成膜基板200與蒸鍍單元54相對移動，而進行掃描蒸鍍。
基板移動裝置53例如具備未圖示之馬達，利用未圖示之馬達驅動控制部使馬達驅動，藉此使保持於基板保持器52之被成膜基板200移動。
又，蒸鍍單元移動裝置55例如具備未圖示之馬達，利用未圖示之馬達驅動控制部使馬達驅動，藉此使蒸鍍單元54相對於被成膜基板200相對移動。
又，該等基板移動裝置53及蒸鍍單元移動裝置55藉由使例如未圖示之馬達驅動，而利用設置於蒸鍍遮罩80之非開口區域之未圖示之對準標記及設置於被成膜基板200之非蒸鍍區域之未圖示之對準標記，以消除蒸鍍遮罩80與被成膜基板200之位置偏移之方式進行位置修正。
該等基板移動裝置53及蒸鍍單元移動裝置55例如可為輥式之移動裝置，亦可為油壓式之移動裝置。
該等基板移動裝置53及蒸鍍單元移動裝置55例如亦可包括：由步進馬達(脈衝馬達)等馬達(XYθ驅動馬達)、滾子及齒輪等構成之驅動部，以及馬達驅動控制部等驅動控制部，利用驅動控制部使驅動部驅動，藉此使被成膜基板200或蒸鍍單元54移動。又，該等基板移動裝置53及蒸鍍單元移動裝置55亦可包括包含XYZ平台等之驅動部，且於X軸方向、Y軸方向、Z軸方向中之任一方向上均移動自如地設置。
但，被成膜基板200及蒸鍍單元54只要其中至少一者設置為能夠相對移動即可。換言之，關於基板移動裝置53及蒸鍍單元移動裝置55，只要設置其中至少一者即可。
例如可移動地設置有被成膜基板200之情形時，蒸鍍單元54亦可固定於真空室51之內壁。反之，可移動地設置有蒸鍍單元54之情形時，基板保持器52亦可固定於真空室51之內壁。
(蒸鍍單元54)
如圖1~圖3(a)所示，蒸鍍單元54包括蒸鍍源60、限制板單元70、蒸鍍遮罩80、保持器90、及未圖示之擋板等。
(蒸鍍源60)
蒸鍍源60例如為將蒸鍍材料收容於內部之容器。蒸鍍源60可為將蒸鍍材料直接收容於容器內部之容器，亦可形成為具有加載互鎖(load lock)式配管，並自外部供給蒸鍍材料。
蒸鍍源60形成為例如矩形狀。蒸鍍源60於其上表面(即，與限制板單元70之對向面)具有使蒸鍍粒子211射出之複數個射出口61(貫通口、噴嘴)。
蒸鍍源60係藉由加熱蒸鍍材料使其蒸發(蒸鍍材料為液體材料之情形)或昇華(蒸鍍材料為固體材料之情形)，而產生氣體狀之蒸鍍粒子211。蒸鍍源60將以此方式成為氣體之蒸鍍材料作為蒸鍍粒子211自射出口61朝向限制板單元70射出。
射出口61例如於Y軸方向上設置有2行。以下，為方便說明，將蒸鍍源60中之設置於由Y軸所示之掃描方向(被成膜基板200之移動方向)之上游側之第I行射出口61記作射出口61A，將設置於該掃描方向之後流側之第II行射出口61記作射出口61B。
如圖1所示，射出口61A與射出口61B配置為鋸齒狀。即，如圖2所示，於Y軸方向之上游側之第I行，複數個射出口61A於與X軸平行 之方向上以等間距配置，於Y軸方向之下游側之第II行，複數個射出口61B於與X軸平行之方向上以等間距配置。
再者，於第I行與第II行，射出口61A、61B之X軸方向(第2方向)之間距相同。但，如圖3(a)所示，自Y軸方向之上游側觀察XZ平面時，於X軸方向上交替地配置有第I行射出口61A與第II行射出口61B。
(蒸鍍遮罩80)
蒸鍍遮罩80係作為其主面(面積最大之面)之遮罩面與XY平面平行之板狀物。
於各蒸鍍遮罩80之主面設置有蒸鍍時用以使蒸鍍粒子211通過之複數個遮罩開口81(開口部、貫通口)。遮罩開口81以於被成膜基板200之除目標之子像素以外之區域不附著蒸鍍粒子211之方式，對應於上述蒸鍍區域之子像素而設置。
即，上述各遮罩開口81對應於有機EL顯示裝置1之各子像素而設置，僅有通過遮罩開口81之蒸鍍粒子211到達被成膜基板200。藉此，於被成膜基板200，對應於遮罩開口81而形成與各子像素對應之特定圖案之蒸鍍膜221(參照圖3(a)、(b))。
於各蒸鍍遮罩80，排列於X軸方向之複數個遮罩開口81彙集而設置之2個遮罩開口群區域82作為開口區域分別設置於X軸方向上之不同位置。
如圖1所示，各遮罩開口群區域82以與蒸鍍源60之射出口61一對一地對應之方式配置。射出口61之X軸方向位置例如位於各遮罩開口群區域82之X軸方向之中央位置。藉此，可使蒸鍍效率提高。又，藉由如此使各遮罩開口群區域82與蒸鍍源60之射出口61成對，可限定飛至各個遮罩開口81之蒸鍍粒子211之飛來源頭(射出口61)。因此，根據上述構成，可設定最適於飛至各個遮罩開口81之蒸鍍粒子211之飛來角度之遮罩開口81之位置。因此，可防止蒸鍍模糊，並且可使蒸鍍 效率提高。
因此，蒸鍍遮罩80對應於蒸鍍源60A、60B而於Y軸方向上配置有2行。因此，以下為方便說明，將對應於設置於掃描方向上游側之第I行蒸鍍源60A而設置之第I行蒸鍍遮罩80記作蒸鍍遮罩80A，將對應於設置於掃描方向下游側之第II行蒸鍍源60B而設置之第II行蒸鍍遮罩80記作蒸鍍遮罩80B。又，將蒸鍍遮罩80A之各遮罩開口81及遮罩開口群區域82分別記作遮罩開口81A及遮罩開口群區域82A，將蒸鍍遮罩80B之各遮罩開口81及遮罩開口群區域82分別記作遮罩開口81B及遮罩開口群區域82B。
如圖1及圖3(b)所示，關於蒸鍍遮罩80A與蒸鍍遮罩80B，以如下方式將遮罩開口81A與遮罩開口81B於X軸方向上錯開位置而配置，即，沿Y軸方向觀察時，Y軸方向上相鄰之遮罩開口群區域82A與遮罩開口群區域82B於相互對向之側之端部在X軸方向上分別重疊，並且藉由該端部之Y軸方向上相鄰之遮罩開口81A、81B而形成之蒸鍍膜221沿上述第1方向位於同一直線上。
藉此，蒸鍍遮罩80A、80B於上述端部藉由相互對向之遮罩開口81A、81B形成同一子像素中之蒸鍍膜221。
即，如圖1及圖3(b)所示，通常，不同蒸鍍塊101(參照圖3)間之遮罩開口81之位置本身不在同一直線上，而成為錯開之位置。
其理由如下。一般而言，遮罩開口81相對於子像素而略微錯開地配置於對應之射出口61側。其原因在於，自蒸鍍源60飛來之蒸鍍粒子211於通過遮罩開口81而附著於隔開之被成膜基板200之前向X軸方向移動，遮罩開口81之位置係考慮該位置偏移量而配置。該位置偏移之產生原因在於：蒸鍍粒子211之行進方向相對於Z軸具有角度、及蒸鍍遮罩80與被成膜基板200隔開。因此，遮罩開口81相對於對應之子像素需要配置於射出口61側。因此，不同蒸鍍塊101間之遮罩開口81 之位置一般於X軸方向上相互錯開。
又，於本實施形態中，於各蒸鍍遮罩80之各遮罩開口群區域82中之沿Y軸方向觀察時遮罩開口群區域82A與遮罩開口群區域82B於X軸方向上重疊之區域(以下稱為「重疊區域83」)，形成為對應於各子像素之各蒸鍍膜221之厚度相互相等，且自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時之Y軸方向之開口長度朝向各遮罩開口群區域82之外側而逐漸變短。
再者，此處所謂「自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時之Y軸方向之開口長度」，並非表示蒸鍍遮罩80之遮罩開口81本身之Y軸方向上之長度，而表示自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時實際開口之蒸鍍遮罩80之實質之Y軸方向之開口長度(即，蒸鍍粒子211可通過之開口區域之Y軸方向上之長度)。但，於本實施形態中，自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時之Y軸方向之開口長度與形成於蒸鍍遮罩80之遮罩開口81之Y軸方向上之長度相等。
圖4係表示蒸鍍遮罩80之遮罩開口群區域82之開口圖案之俯視圖。
如圖4所示，各遮罩開口群區域82之遮罩開口81分別於X軸方向上以相同間距相互平行地形成。另一方面，各遮罩開口群區域82之遮罩開口81於上述重疊區域83以各蒸鍍遮罩80之Y軸方向之開口長度d1逐漸變短之方式形成。
於本實施形態中，以如下方式形成有遮罩開口群區域82，即，於上述重疊區域83，圖4中，自A1至A2，開口長度d1以固定變化率自285mm變化為15mm，並且Y軸方向之蒸鍍遮罩80A與蒸鍍遮罩80B之合計開口長度始終為300mm。
又，圖5係表示本實施形態之蒸鍍遮罩80之遮罩圖案之一例之俯視圖。
於本實施形態中，作為一例，圖5中設為d1=300mm、d2=d4=d5=50mm、d3=100mm。再者，此處所示之d1之長度為各蒸鍍遮罩80之遮罩開口群區域82之Y軸方向之最大開口長度，且與各遮罩開口群區域82之於沿Y軸方向之同一直線上不存在其他蒸鍍遮罩80之遮罩開口81之區域(以下稱為「非重疊區域84」)之Y軸方向之開口長度、以及Y軸方向之蒸鍍遮罩80A與蒸鍍遮罩80B之合計開口長度分別相等。再者，各遮罩開口群區域82之重疊區域83之遮罩開口81之開口長度如使用圖4所說明般。又，d2為上述重疊區域83之X軸方向之寬度，表示遮罩開口群區域82A與遮罩開口群區域82B之X軸方向之重疊寬度。d3表示相鄰之遮罩開口群區域82A與遮罩開口群區域82B之間之X軸方向之間距，d3=(d4/2)+d2+(d5/2)。d4表示各遮罩開口群區域82之於沿Y軸方向之同一直線上不存在其他蒸鍍遮罩80之遮罩開口81之非重疊區域84之X軸方向之寬度。又，d5表示X軸方向上相鄰之遮罩開口群區域82間之遮蔽區域85之X軸方向之寬度。但，該等數值均為一設計例，並不僅限定於上述數值。
就防止蒸鍍模糊之觀點而言，X軸方向上相鄰之遮罩開口群區域82隔著至少1像素之遮蔽區域85而相互隔開地形成，具體而言，例如隔開5mm以上而形成。
於X軸方向上相鄰之遮罩開口群區域82之邊界部，容易混入自各遮罩開口群區域82之2個射出口61飛來之蒸鍍粒子211。然而，藉由以此方式將相鄰之遮罩開口群區域82隔著至少1像素之遮蔽區域85而設置，可防止蒸鍍模糊、尤其如上所述般於X軸方向上相鄰之遮罩開口群區域82之邊界部之蒸鍍模糊。
再者，於圖5中，列舉如下情形為例進行了圖示，即，在X軸方向上設置有2片、在Y軸方向設置有2片蒸鍍遮罩80，該蒸鍍遮罩80係於1片蒸鍍遮罩80上，沿X軸方向設置2個具有圖4所示之開口圖案之 遮罩開口群區域82所得者。
但，圖5僅僅表示於X軸方向及Y軸方向上設置有複數片蒸鍍遮罩80之情況，X軸方向及Y軸方向之蒸鍍遮罩80之數量並不限定於上述片數。於使用大型基板之情形時，為了使蒸鍍遮罩80小型化，於X軸方向設置多片蒸鍍遮罩80。
即，蒸鍍單元54中之蒸鍍遮罩80之數量係由被成膜基板200之尺寸及形成於1片蒸鍍遮罩80之遮罩開口群區域82之數量適當決定。此時，以配置於Y軸方向之蒸鍍遮罩80之Y軸方向之合計長度較Y軸方向之被成膜基板200之蒸鍍區域之長度短之方式，決定蒸鍍單元54中之蒸鍍遮罩80之數量。又，以X軸方向之蒸鍍遮罩80之合計長度(縱長)較X軸方向之被成膜基板200之蒸鍍區域之長度長之方式，決定蒸鍍單元54中之蒸鍍遮罩80之數量。藉此，可遍及X軸方向上之被成膜基板200之蒸鍍區域之整個區域地設置遮罩開口81。
再者，為了將不同行之蒸鍍遮罩80於各個蒸鍍遮罩80之遮罩開口群區域82之端部以由各個蒸鍍遮罩80之遮罩開口81形成之蒸鍍膜221位於同一直線上之方式進行位置對準，較理想為將各個蒸鍍遮罩80於Y軸方向儘可能地相互接近而配置。又，若Y軸方向之蒸鍍遮罩80之片數增加，則射出口61之數量或後述限制板73、75之數量等蒸鍍遮罩80以外之零件數量隨之增加。因此，較理想為，各行蒸鍍遮罩80以不成為無齒圖案之方式於X軸方向連續地配置，藉此將Y軸方向之蒸鍍遮罩80之數量(行數)抑制為2片。
但，本實施形態並不限定於此，配置於Y軸方向之蒸鍍遮罩80之Y軸方向之合計長度亦可超過Y軸方向之被成膜基板200之蒸鍍區域之長度。
掃描蒸鍍法中之蒸鍍膜221之膜厚可藉由下式 膜厚[Å]=蒸鍍速率[Å/s]×蒸鍍遮罩80之Y軸方向之開口長度 [mm]/搬送速度[mm/s]
而求出。
因此，例如如於線內製造有機EL顯示裝置1之情形般，於線內之裝置構成中，進行掃描蒸鍍時，需要使被成膜基板200之搬送速度與前後之步驟一致等，於提高搬送速度而欲獲得相同膜厚之蒸鍍膜221之情形時，需要提高蒸鍍速率、或使蒸鍍遮罩80之Y軸方向之開口長度變長。因材料之劣化或由輻射熱引起之基板過熱等而導致難以使蒸鍍速率高於現狀之情形時，需要使蒸鍍遮罩80之Y軸方向之開口長度變長。因此，例如於無法使蒸鍍速率高於現狀以上之狀況下欲提高搬送速度之情形、或根據狀況需要於非常低速率之製程中進行掃描蒸鍍之情形、或需要成膜厚度非常厚之蒸鍍膜221之情形等時，亦可根據狀況，使用配置於Y軸方向之蒸鍍遮罩80之Y軸方向之合計長度超過基板長之蒸鍍單元54。
(限制板單元70)
限制板單元70於蒸鍍源60與蒸鍍遮罩80之間分別與該等蒸鍍源60與蒸鍍遮罩80隔開而設置。
如圖1及圖3(a)所示，限制板單元70包括沿X軸方向配置於X軸方向上之不同位置之複數個限制板73(第1限制板)。該等限制板73分別由相同尺寸之板狀構件形成。
限制板73自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時，分別與Y軸平行地延伸設置，以相同間距於X軸方向上相互平行地排列有複數個。藉此，自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向(即，與Z軸平行之方向)觀察時，於X軸方向上相鄰之限制板73間分別形成有1個限制板開口74作為開口區域。
再者，此處，亦將限制板單元70中之設置於掃描方向上游側之第I行限制板73記作限制板73A，將設置於掃描方向後流側之第II行限 制板73記作限制板73B。又，將相鄰之限制板73A間之限制板開口74記作限制板開口74A，將相鄰之限制板73B間之限制板開口74記作限制板開口74B，將第I行限制板行72記作限制板行72A，將第II行限制板行72記作限制板行72B。
如圖1所示，限制板73A以分別於X軸方向上隔著第I行射出口61A之方式沿X軸方向配置於X軸方向上之不同位置。又，限制板73B以分別於X軸方向上隔著第II行射出口61B之方式沿X軸方向配置於X軸方向上之不同位置。
因此，自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時，限制板73A及限制板73B與射出口61同樣地配置為鋸齒狀。
X軸方向上相鄰之一對限制板73、配置於一對限制板73之間之1個射出口61、及包含配置於一對限制板73之間之複數個遮罩開口81之1個遮罩開口群區域82構成1個蒸鍍塊101。因此，本實施形態中，自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時，複數個蒸鍍塊101排列成三角形，第I行蒸鍍塊101與第II行蒸鍍塊101於X軸方向上偏移1/2間距(具體而言，以X軸方向上相鄰之限制板73之間距計為1/2間距)而配置。
如此，限制板73以蒸鍍源60之射出口61與各限制板開口74一對一地對應之方式配置。射出口61之X軸方向位置位於相鄰之限制板73之X軸方向之中央位置。限制板開口74之間距以與各遮罩開口群區域82一對一地對應之方式配置，形成為大於遮罩開口81之間距。因此，自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時，於X軸方向上相鄰之限制板73間配置有複數個遮罩開口81。
又，限制板73分別以YZ平面為主面，且分別以相對於蒸鍍遮罩80之主面而垂直之方式配置。
再者，較理想為，於第I行限制板73A與第II行限制板73B之間， 沿X軸方向設置有成為第2限制板之限制板75或間隔件。
圖1~圖3(a)係列舉於限制板73A與限制板73B之間平行於X軸而設置有限制板75之情形為例而進行圖示。
限制板73A之第II行側之端面與限制板73B之第I行側之端面連接於限制板75。再者，限制板75之Z軸方向上之長度並無特別限定，較理想為具有與限制板73A、73B同等以上之長度，且較理想為，限制板75之Z軸方向之上側端緣較各限制板73A、73B之Z軸方向之上側端緣向蒸鍍遮罩80側突出，限制板75之Z軸方向之下側端緣較各限制板73A、73B之Z軸方向之下側端緣向蒸鍍源60側突出。
限制板75作為各限制板73A、73B之支持構件發揮功能，並且防止入射至該限制板單元70之蒸鍍粒子211入射至不同行之蒸鍍塊101。
自蒸鍍源60射出之蒸鍍粒子211通過限制板73間後，通過形成於蒸鍍遮罩80之遮罩開口81，而蒸鍍於被成膜基板200。
限制板單元70對入射至該限制板單元70之蒸鍍粒子211根據其入射角度而選擇性地捕捉。限制板單元70藉由捕捉與限制板73、75碰撞之蒸鍍粒子211之至少一部分，而對自蒸鍍源60射出之蒸鍍粒子211限制蒸鍍粒子211向限制板73、75之配設方向之移動。
藉此，限制板單元70將入射至蒸鍍遮罩80之遮罩開口81之蒸鍍粒子211之入射角限制於固定範圍內，防止來自傾斜方向之蒸鍍粒子211對被成膜基板200之附著。
再者，為了截斷傾斜之蒸鍍成分，限制板73、75未進行加熱、或藉由未圖示之熱交換器得以冷卻。因此，限制板73、75成為低於蒸鍍源60之射出口61之溫度(更嚴格而言，低於蒸鍍材料成為氣體之蒸鍍粒子產生溫度之溫度)。
因此，視需要亦可於限制板單元70設置冷卻限制板73、75之未圖示之冷卻機構。藉此，藉由利用限制板73、75將所期望之角度以外 之無用之蒸鍍粒子211冷卻而使其固化，而可進行捕捉(截斷)。
(保持器90)
保持器90係保持蒸鍍源60、限制板單元70、蒸鍍遮罩80之保持構件。
保持器90作為蒸鍍遮罩保持構件，包括遮罩保持器91(遮罩框架)、遮罩托盤92、及未圖示之遮罩保持器固定構件。
如圖1、圖2、圖5所示，蒸鍍遮罩80載置於配置於遮罩保持器91上之遮罩托盤92上。遮罩保持器91藉由保持直接保持蒸鍍遮罩80之遮罩托盤92，而保持蒸鍍遮罩80。又，於蒸鍍遮罩80之下方配置有蒸鍍源60。
遮罩保持器91藉由未圖示之遮罩保持器固定構件而保持、固定。再者，遮罩保持器91及遮罩托盤92之形狀並無特別限定，只要可將蒸鍍遮罩80自蒸鍍源60及限制板單元70隔開固定距離而保持、固定即可。
如圖1及圖5所示，遮罩保持器91例如具有中央開口之框架形狀。又，遮罩托盤92例如具有中央開口之框架形狀。
於遮罩托盤92之面向蒸鍍遮罩80之部分設置有開口部92a，遮罩托盤92於該蒸鍍遮罩80之外緣部保持蒸鍍遮罩80。
又，於遮罩保持器91之面向蒸鍍遮罩80之各遮罩開口群區域82之部分設置有開口部91a，遮罩保持器91於該遮罩托盤92之外緣部保持載置有蒸鍍遮罩80之遮罩托盤92。
但，本實施形態並不限定於此，亦可由遮罩保持器91直接保持蒸鍍遮罩80。例如，遮罩保持器91藉由具有如下構成，即便不使用遮罩托盤92亦可保持蒸鍍遮罩80，上述構成係形成遮罩保持器91之外緣部(外框)之框架部及於該框架部之內側之開口部內設置有保持各蒸鍍遮罩80之樑部。另一方面，藉由使用遮罩托盤92，可進行相對於每個 遮罩托盤92之蒸鍍遮罩80之卸除、更換等，可容易地進行維護。
又，為了支持限制板單元70，於保持器90設有支持構件93或未圖示之一對滑動裝置等。
支持構件93例如分別對向於保持器90之X軸方向兩端部而配設。再者，於設置滑動裝置之情形時，滑動裝置分別對向於保持器90之X軸方向兩端部而配設，支持構件93設置於各滑動裝置之對向面側。藉由設置滑動裝置，支持構件93可於相互對向之狀態下沿Z軸方向或X軸方向滑動位移。支持構件93藉由與滑動裝置或未圖示之限制板控制裝置之協動，而控制其動作。
限制板單元70例如包括未圖示之框狀保持體，於該框狀保持體之X軸方向之兩端部，分別設置有可裝卸地設置於支持構件93之支持部71。藉此，限制板單元70可自保持器90進行裝卸，可定期地回收堆積於該限制板單元70之蒸鍍材料。
蒸鍍源60、限制板單元70及蒸鍍遮罩80由保持器90一體地保持，該等蒸鍍源60、限制板單元70及蒸鍍遮罩80相互相對地固定位置。
但，於使被成膜基板200相對於蒸鍍單元54相對移動之情形時，該等蒸鍍源60、限制板單元70及蒸鍍遮罩80相互相對地固定位置即可，無需保持於相同之保持器90，未必需要一體化。
該等蒸鍍源60、限制板單元70及蒸鍍遮罩80自蒸鍍源60側依序相互隔開固定距離而對向配置。再者，該等蒸鍍源60、限制板單元70、蒸鍍遮罩80之間之空隙可任意地設定，並無特別限定。
(擋板)
於不使蒸鍍粒子211向被成膜基板200之方向飛來時，較理想為使用未圖示之擋板控制蒸鍍粒子211到達蒸鍍遮罩80。
因此，例如於蒸鍍源60與限制板單元70之間，為了控制蒸鍍粒 子211到達蒸鍍遮罩80，亦可視需要，基於蒸鍍OFF(關)信號或蒸鍍ON(開)信號而可進退(可插拔)地設置未圖示之擋板。
藉由將擋板適當插入至蒸鍍源60與限制板單元70之間，可防止於不進行蒸鍍之非蒸鍍區域之蒸鍍。再者，擋板可與蒸鍍源60一體地設置，亦可與蒸鍍源60分開設置。
<效果>
如上所述，於本實施形態中，例如如圖1及圖5所示，第I行蒸鍍遮罩80A與第II行蒸鍍遮罩80B以於各個蒸鍍遮罩80A、80B之遮罩開口群區域82A與遮罩開口群區域82B相互對向之側之端部，沿Y軸方向觀察時於X軸方向上分別重疊之方式於X軸方向上錯開位置而配置。又，以如下方式形成有遮罩開口群區域82，即，於沿Y軸方向觀察時遮罩開口群區域82A與遮罩開口群區域82B於X軸方向上重疊之重疊區域83，自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時之Y軸方向之開口長度d1朝向各遮罩開口群區域82之外側而逐漸變短，並且無論X軸方向之遮罩開口81之位置如何，Y軸方向之蒸鍍遮罩80A與蒸鍍遮罩80B之合計開口長度均始終相等。
另一方面，圖6(a)、(b)係依序作為比較例1、2，表示代替圖1所示之蒸鍍遮罩80而將具有包含相同形狀之遮罩開口81之遮罩開口群區域82的蒸鍍遮罩80與圖1同樣地配置之例的俯視圖。又，圖7係表示使用圖1所示之蒸鍍遮罩80進行蒸鍍時之第I行蒸鍍遮罩80A之蒸鍍區域及第II行蒸鍍遮罩80B之蒸鍍區域之蒸鍍膜221之構成的俯視圖。
於圖7中，蒸鍍膜221A為由蒸鍍遮罩80A形成之蒸鍍膜221，蒸鍍膜221B為由蒸鍍遮罩80B形成之蒸鍍膜221。
圖6(a)中表示比較例1之蒸鍍遮罩80。於重疊區域83、即第I行蒸鍍遮罩80A之蒸鍍區域與第II行蒸鍍遮罩80B之蒸鍍區域重疊之區域，與非重疊區域84相比，遮罩開口81A與遮罩開口81B之Y軸方向之合計 開口長度成為約2倍，形成之蒸鍍膜221之膜厚亦成為約2倍。由此，藉由比較例1之蒸鍍遮罩進行重疊並不合適。
圖6(b)中表示比較例2之蒸鍍遮罩80。於重疊區域83，與比較例1相比，合計開口長度相等，因此重疊區域83之膜厚變得均勻，但會產生以下問題。例如，因某種不良情況，與遮罩開口群區域82A對應之蒸鍍源60A之蒸鍍速率自設定值提高5%之情形時，對應於重疊區域83之蒸鍍膜221之膜厚增厚2.5%。由該蒸鍍遮罩80A與蒸鍍遮罩80B形成之膜厚之急遽變化容易被人之眼睛察覺，該重疊區域83於顯示器中成為條紋狀而被察覺，成為缺陷不良。
相對於此，根據本實施形態，於X軸方向之任意地點，合計開口長度均相等，重疊區域83之膜厚均變得均勻。進而，重疊區域83之遮罩開口81A、81B成為朝向遮罩開口群區域82之外側而逐漸變短之構成，因此，即便例如對應於遮罩開口群區域82A之蒸鍍源60A之蒸鍍速率自設定值提高5%之情形時，對應於重疊區域83之蒸鍍膜221之膜厚亦形成為朝向遮罩開口群區域82之外側而其膜厚偏差逐漸變小(此處為5%~0%)。因此，該膜厚偏差不易被人之眼睛察覺，重疊區域83於顯示器中成為條紋狀而不被察覺。如此，根據本實施形態，即便產生膜厚偏差亦不易被察覺，可形成膜厚均勻且高精細之蒸鍍膜圖案。
又，根據本實施形態，如上所述，將與被成膜基板200之X軸方向之各子像素對應之遮罩開口81分割，可實現使用較先前小型之蒸鍍遮罩80之掃描蒸鍍，因此可使蒸鍍遮罩80較先前輕量化，可抑制因蒸鍍遮罩80之撓曲所致之蒸鍍位置偏移。因此，可抑制因蒸鍍遮罩80之撓曲所致之蒸鍍模糊，因此可實現無混色之有機EL顯示裝置1。
又，根據本實施形態，如上所述，將Y軸方向上相鄰之蒸鍍遮罩80A與蒸鍍遮罩80B於X軸方向上錯開配置，於重疊區域83，使自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時之Y軸方向之開口長度d1朝向各遮 罩開口群區域82之外側(即，圖4中，自A1朝向A2)逐漸變短，藉此於成為遮罩接合部分之遮罩開口群區域82A與遮罩開口群區域82B之邊界部，可使開口長度d1逐漸變化。
因此，如上所述，即便於將與被成膜基板200之X軸方向之各子像素對應之遮罩開口81分割，使用較先前小型之蒸鍍遮罩80進行掃描蒸鍍之情形時，亦可進行不產生遮罩開口群區域82A與遮罩開口群區域82B之邊界部之塊分離之均勻之蒸鍍。
又，此時，於上述端部，Y軸方向上相鄰之遮罩開口群區域82A與遮罩開口群區域82B以重疊1像素以上之方式於X軸方向上錯開位置而配置，藉此可確實地防止邊界部之塊分離，並且可進行更均勻之蒸鍍。
再者，該等遮罩開口群區域82A、82B之遮罩開口81A、81B之數量有限，因此，當然，遮罩開口群區域82A與遮罩開口群區域82B之重疊寬度之上限根據遮罩開口群區域82A、82B之遮罩開口81A、81B之數量而自然地受到限制。
<蒸鍍遮罩80之變化例>
於圖1、圖4、圖5中，列舉蒸鍍遮罩80之遮罩開口群區域82為大致六邊形狀之情形為例進行了圖示。
然而，上述遮罩開口群區域82只要形成為自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時之Y軸方向之開口長度d1朝向各遮罩開口群區域82之外側而逐漸變短，並且無論X軸方向上之遮罩開口81之位置如何，Y軸方向上相鄰之蒸鍍遮罩80之合計開口長度均始終相等，則不限定於上述形狀。
圖12(a)~(d)係表示本實施形態之蒸鍍遮罩80之遮罩開口群區域82之圖案形狀之另一例的主要部分俯視圖。
各遮罩開口群區域82例如亦可如圖12(a)所示般形成為梯形狀。 又，各遮罩開口群區域82例如可如圖12(b)所示般具有於重疊區域83間斷地形成有開口長度不同之複數個遮罩開口81之形狀，亦可如圖12(c)所示般具有於重疊區域83遮罩開口群區域82之外緣部形成為鋸齒狀之形狀。
又，重疊區域83之開口長度之變化率亦可不固定。即，於重疊區域83，開口長度無需以朝向遮罩開口群區域82之外側(即，自A1朝向A2)而開口長度連續地逐漸變短之方式變化。例如，如圖12(d)所示，遮罩開口群區域82可於重疊區域83形成為階段狀，亦可於重疊區域83，以開口長度階段性地變短之方式變化。如此，遮罩開口群區域82之形狀可根據遮罩設計或製造方法等而適當變更。
再者，本實施形態中，列舉於1片蒸鍍遮罩80設置有2個遮罩開口群區域82之情形為例進行了說明，但本實施形態並不限定於此。於蒸鍍遮罩80設置至少1個遮罩開口群區域82即可，亦可設置1個或3個以上。
於任一情形時，根據本實施形態之蒸鍍裝置50，並非如專利文獻3般將X軸方向上鄰接之遮罩晶片於對應於形成之蒸鍍膜之圖案之開口部內連結，因此均可於X軸方向形成膜厚均勻且高精細之蒸鍍膜圖案。
<蒸鍍單元54之變化例>
於圖2中，列舉蒸鍍源60之射出口61二維狀地鋸齒配置之情形為例進行了說明，但本實施形態並不限定於此。
圖13係模式性地表示本實施形態之蒸鍍裝置50之主要部分之概略構成之另一例之剖面圖。
例如如圖13所示，本實施形態之蒸鍍裝置50亦可代替圖2所示之蒸鍍源60，而使用2個射出口61排列為一維狀(即線狀)之蒸鍍源60，自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時，於掃描方向上游側之蒸鍍 源60與掃描方向下游側之蒸鍍源60，以各個射出口61成為鋸齒狀之方式，將X軸方向上之位置錯開配置。
又，於圖2中，列舉掃描方向上游側之蒸鍍遮罩80A與掃描方向下游側之蒸鍍遮罩80B保持於相同之保持器90之情形為例進行了說明，但亦可如圖13所示，掃描方向上游側之蒸鍍遮罩80A與掃描方向下游側之蒸鍍遮罩80B分別保持於不同之保持器90。
<其他變化例>
再者，於本實施形態中，列舉使用蒸鍍裝置50作為有機EL顯示裝置1之製造裝置，而圖案形成蒸鍍膜221之情形為例進行了說明。然而，本實施形態並不限定於此，作為用以形成對應於顯示裝置之子像素之蒸鍍膜圖案之裝置，可廣泛應用。
[實施形態2]
若基於圖14(a)~(c)對本實施形態進行說明，則如下。
再者，於本實施形態中，對與實施形態1之不同點進行說明，對具有與實施形態1中使用之構成要素相同之功能之構成要素標附相同編號，省略其說明。
圖14(a)係表示自蒸鍍遮罩80之背面側觀察被成膜基板200時之本實施形態之蒸鍍單元54之主要部分之概略構成的立體圖，圖14(b)係表示對圖14(a)所示之構成要素自其側面觀察時之概略構成之側視圖，圖14(c)係表示圖14(a)所示之蒸鍍遮罩80之概略構成之俯視圖。
於實施形態1中，列舉各蒸鍍遮罩80之各遮罩開口81對應於各遮罩開口81之X軸方向之位置而形成為Y軸方向上不同之長度之情形為例進行了說明。
於本實施形態中，於如下方面與實施形態1不同，即，如圖14(c)所示，形成於各蒸鍍遮罩80之各遮罩開口81均為相同形狀，如圖14(a)、(b)所示，於蒸鍍遮罩80之正下方，於每個遮罩開口群區域82 分別設置有覆蓋各遮罩開口群區域82之重疊區域83之一部分之遮蔽板111。
如此，本實施形態之蒸鍍裝置50藉由遮蔽板111分別覆蓋各蒸鍍遮罩80之各遮罩開口81中沿Y軸方向觀察時遮罩開口群區域82於X軸方向上分別重疊之區域(即重疊區域83)之遮罩開口81之一部分，藉此變更該遮罩開口81之自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時之Y軸方向之開口長度。
如此，蒸鍍遮罩80之開口長度除如實施形態1般變更於蒸鍍遮罩80實際形成之遮罩開口81本身之長度以外，亦可藉由另外插入之遮蔽板111而與實施形態1同樣地變更實質之開口長度。
於如實施形態1般變更於蒸鍍遮罩80實際形成之遮罩開口81本身之長度之情形時，由於無需遮蔽板111，故可削減零件數量。
另一方面，根據本實施形態，可使蒸鍍遮罩80之遮罩開口81為相同形狀，可於製造蒸鍍遮罩80後容易地變更沿Y軸方向觀察時之遮罩開口群區域82A與遮罩開口群區域82B之X軸方向之重疊寬度(即，重疊區域83之X軸方向之寬度)。因此，可提高蒸鍍遮罩80之佈局之自由度。
又，於變更蒸鍍遮罩80之遮罩開口81自身之形狀之情形時，於1片蒸鍍遮罩80上一次性形成遮罩開口81，因此可易於獲得精度，另一方面，於膜厚分佈因製程條件或材料之種類之變更及經時等而變化之情形時，需要重新製作蒸鍍遮罩80，於費用、繳納期之方面靈活性欠佳。另一方面，於如本實施形態般藉由遮蔽板111進行遮罩開口81之開口長度之調節之情形時，根據蒸鍍膜221之膜厚之多樣之分佈特性而個別地調整遮蔽板111之位置或形狀，藉此可靈活應對。
遮蔽板111例如為鋁或不鏽鋼等材質而具有相應之加工精度(例如±0.1mm等)即可，大小與蒸鍍遮罩80相比亦較小，因此於費用、繳納 期之方面優點較大。
再者，上述遮蔽板111之大小及形狀以重疊區域83之遮罩開口群區域82之形狀獲得與實施形態1之重疊區域83之遮罩開口群區域82之形狀相同之形狀之方式適當設定即可，並無特別限定。
又，遮蔽板111之材料亦無特別限定。但，遮蔽板111可防止設置有該遮蔽板111之區域之蒸鍍粒子211相對於遮罩開口81之通過即可，只要能以不產生撓曲之方式保持，則為了輕量化，較理想為儘可能地為較輕之素材且厚度較薄地形成。
[實施形態3]
若基於圖15(a)~(d)對本實施形態進行說明，則如下。
再者，本實施形態中，主要對與實施形態2之不同點進行說明，對具有與實施形態1、2中使用之構成要素相同之功能之構成要素標附相同之編號，省略其說明。
圖15(a)係表示自蒸鍍遮罩80之背面側觀察被成膜基板200時之本實施形態之蒸鍍單元54之主要部分之概略構成的立體圖，圖15(b)係表示對圖15(a)所示之構成要素自其側面觀察時之概略構成之側視圖，圖15(c)係表示圖15(a)所示之蒸鍍遮罩80之概略構成之俯視圖，圖15(d)係表示圖15(a)所示之遮蔽板111之概略構成之俯視圖。
於實施形態3中，列舉於各蒸鍍遮罩80之各遮罩開口群區域82，在每個重疊區域83設置有遮蔽板111之情形為例進行了圖示。因此，於實施形態2中，於各遮罩開口群區域82，分別各設置有2片遮蔽板111。
於本實施形態中，列舉藉由將實施形態2所示之遮蔽板111一體化，而於複數個遮罩開口群區域82共同地設置有1片遮蔽板111之情形為例進行說明。
於本實施形態中，如圖15所示，於複數個蒸鍍遮罩80之正下方 設置有1片遮蔽板111。於遮蔽板111設置有使各遮罩開口群區域82之一部分露出之開口區域112。
再者，開口區域112之形狀以重疊區域83之遮罩開口群區域82之形狀獲得與實施形態1中之重疊區域83之遮罩開口群區域82之形狀相同之形狀之方式適當設定。
於本實施形態中，亦與實施形態2同樣地，可使蒸鍍遮罩80之遮罩開口81為相同形狀，可於製造蒸鍍遮罩80後容易地變更沿Y軸方向觀察時之遮罩開口群區域82A與遮罩開口群區域82B之X軸方向之重疊寬度(即重疊區域83之X軸方向之寬度)。因此，可提高蒸鍍遮罩80之佈局之自由度。又，於本實施形態中，藉由於複數個遮罩開口群區域82共同地設置有1片遮蔽板111，可容易地進行遮蔽板111與蒸鍍遮罩80之位置對準。進而，於本實施形態中，在一片遮蔽板111上一次性形成開口區域112，因此容易獲得精度。又，於上述開口區域112無需如蒸鍍遮罩80之高精細圖案。因此，與根據各遮罩開口81之X軸方向之位置而變更蒸鍍遮罩80之遮罩開口81之形狀(Y軸方向上之長度)之情形相比，於費用、繳納期之方面有利。
[實施形態4]
若主要基於圖16(a)、(b)~圖20(a)、(b)對本實施形態進行說明，則如下。
再者，於本實施形態中，主要對與實施形態1~3之不同點進行說明，對具有與實施形態1~3中使用之構成要素相同之功能之構成要素標附相同之編號，省略其說明。
圖16(a)、(b)係模式性地表示蒸鍍源60與被成膜基板200之間之距離(靶長)相對較長之情形與相對較短之情形時之蒸鍍膜221之膜厚分佈之不同之圖，圖16(a)表示靶長相對較長之情形，圖16(b)表示靶長相對較短之情形。
於靶長較長之情形時，具有如圖16(a)所示般膜厚分佈良好之優點，另一方面，具有蒸鍍速率較低之缺點。另一方面，若靶長較短，則具有蒸鍍速率較高，工站時間較快之優點，另一方面，具有如圖16(b)所示般膜厚分佈較大之缺點。因此，較理想為分開使用根據靶長使用之蒸鍍遮罩80。於靶長較長、膜厚分佈如可忽略之程度般較小之情形時，即便為實施形態1~3之遮罩開口81之圖案形狀，亦可形成均勻之蒸鍍膜。然而，為了增加工站時間(tact)而進行縮短靶長之設計之情形時，無法忽略該膜厚分佈，需要考慮膜厚分佈而設計遮罩開口81之圖案形狀。
圖17(a)、(b)係分別表示本實施形態之蒸鍍遮罩80之遮罩開口群區域82之開口圖案之一例之俯視圖。
具有圖17(a)所示之開口圖案之蒸鍍遮罩80例如用於如圖16(a)所示般靶長相對較長但無法忽略膜厚分佈之情形。於如圖16(b)所示般靶長較短之情形時，例如使用具有圖17(b)所示之開口圖案之蒸鍍遮罩80。
關於真空中之蒸鍍，自圖16(a)、(b)所示之膜厚分佈可知，射出口61之X軸方向之位置位於各遮罩開口群區域82之X軸方向之中央位置，因此根據餘弦定律，於與蒸鍍源60之射出口61垂直之部分、即對各蒸鍍塊101(蒸鍍空間)之中心部分放射最多之蒸鍍粒子211，越接近限制板73側，放射之蒸鍍粒子211之量越少。
因此，遮罩開口81之Y軸方向上之長度雖亦取決於遮罩開口群區域82之大小、換言之蒸鍍塊101之X軸方向之大小，但位於射出口61正上方之遮罩開口81之Y軸方向上之長度最短，越是位於在X軸方向上遠離射出口61之X軸方向位置的遮罩開口81，則其Y軸方向上之長度越長，藉此可形成相同厚度之條紋狀之蒸鍍膜221。
因此，較佳為，如圖17(a)、(b)所示，自蒸鍍源中心至A1，使蒸 鍍遮罩80之開口長度(於圖17(a)、(b)中，與遮罩開口81之Y軸方向上之長度相等)反映膜厚分佈而逐漸變長，自A1至A2，與實施形態1~3同樣地，朝向遮罩開口群區域82之外側而使蒸鍍遮罩80之開口長度逐漸變短。
即，較佳為，自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時，各遮罩開口群區域82之於沿Y軸方向之同一直線上不存在其他蒸鍍遮罩80之遮罩開口81之非重疊區域84之遮罩開口81，係以隨著距X軸方向之射出口61正上方之距離變得越長，而Y軸方向之開口長度變得越長之方式設定開口長度。
例如，關於圖17(a)、(b)所示之蒸鍍遮罩80之各遮罩開口81之開口長度可作為膜厚修正後遮罩開口長度，而如式(1)所示，使用根據遮罩開口群區域82內之蒸鍍膜221之膜厚分佈算出之膜厚修正係數而算出。
膜厚修正後遮罩開口長度=基準遮罩開口長度×膜厚修正係數…(1)
此處，膜厚修正係數以如下方式求出。即，使用如圖6(a)、(b)之於X軸方向上使開口長度一致之蒸鍍遮罩80，僅藉由行I進行蒸鍍，測定與各遮罩開口81對應之蒸鍍膜221之膜厚。如此，求出與X軸方向之各遮罩開口81對應之蒸鍍膜221之膜厚、及最少膜厚值(與遮罩開口群區域82之最靠端部之遮罩開口81對應)，藉由下式(2)求出膜厚修正係數。又，關於行II，亦同樣地求出膜厚修正係數。
膜厚修正係數=1/(與X軸方向之各遮罩開口81對應之蒸鍍膜221之膜厚/最少膜厚值)…(2)
再者，此處，所謂膜厚修正後遮罩開口長度，表示已如上所述般使用蒸鍍膜221之膜厚分佈修正之各遮罩開口81之修正後之開口長度。又，所謂基準遮罩開口長度，係指如實施形態1~3之不考慮膜厚 分佈之遮罩開口81之開口長度。又，X軸方向上之各位置上之藉由開口長度變更前之各遮罩開口81獲得之膜厚具有如圖16(a)、(b)所示般之膜厚分佈。
以下，列舉圖5所示之成膜區間L之成膜為例，對圖17(a)、(b)所示之蒸鍍遮罩80之開口長度之變更方法進行說明。
圖18(a)係表示於第I行之蒸鍍遮罩80A之蒸鍍區域使用如圖6(a)、(b)所示般於X軸方向上使開口長度一致之蒸鍍遮罩80之情形時之、成膜區間L之X軸方向上之各位置之蒸鍍膜221之膜厚分佈與膜厚修正係數之關係的曲線圖。又，圖18(b)係表示上述成膜區間L之蒸鍍遮罩80A之遮罩開口比率(將膜厚修正前之非重疊區域84之遮罩開口81之開口長度、即非重疊區域84之基準遮罩開口長度設為100%時之比率)之膜厚修正前後之變化與膜厚修正係數之關係的曲線圖，圖18(c)係表示X軸方向上之各位置之膜厚修正前之蒸鍍遮罩80A與蒸鍍遮罩80B之遮罩開口比率之表。
又，圖19(a)係表示於第II行之蒸鍍遮罩80B之蒸鍍區域使用如圖6(a)、(b)般於X軸方向上使開口長度一致之蒸鍍遮罩80之情形時之、成膜區間L之X軸方向上之各位置之蒸鍍膜221之膜厚分佈與膜厚修正係數之關係的曲線圖。又，圖19(b)係表示上述成膜區間L之蒸鍍遮罩80B之膜厚修正前及修正後之遮罩開口比率之變化與膜厚修正係數之關係的曲線圖。
又，圖20(a)係表示成膜區間L之X軸方向上之各位置之膜厚修正後之蒸鍍遮罩80A、80B之遮罩開口比率之變化、與藉由膜厚修正後之蒸鍍遮罩80A、80B形成之蒸鍍膜221之膜厚(藉由膜厚修正後之蒸鍍遮罩80A、80B合成膜厚所得之合成膜厚)之關係的曲線圖，(b)係表示膜厚修正前後之主要部分之遮罩開口比率之變化的曲線圖。
再者，圖18(a)、(b)~圖20(a)、(b)中，A2、A2'表示與圖5所示之 成膜區間L之蒸鍍遮罩80A之遮罩開口81之X軸方向之兩端部之位置相當之位置。又，圖18(a)、(b)~圖20(a)、(b)中，位置「0」表示上述成膜區間L之蒸鍍遮罩80A之X軸方向之蒸鍍區域中心。又，圖18(a)、(b)~圖20(a)、(b)之縱軸表示將各圖中記載之值基準化(規一化)時之相對於基準值之比率。具體而言，於膜厚分佈及合成膜厚之情形時，表示將膜厚分佈之最大膜厚設為100%時之X軸方向上之各位置之蒸鍍膜221之膜厚之比率，膜厚修正係數表示將膜厚修正係數之最大值設為100%時之膜厚修正係數之比率，開口比率表示X軸方向上之各位置之各蒸鍍遮罩80A、80B之遮罩開口長度相對於非重疊區域84之基準遮罩開口長度之比率(遮罩開口比率)。
具有圖17(b)所示之開口圖案之蒸鍍遮罩80A、80B之膜厚修正後之遮罩開口比率(即，圖18(b)、圖19(b)及圖20所示之膜厚修正後之蒸鍍遮罩80A、80B之遮罩開口比率)分別可藉由下式(3)而算出。再者，於下式(3)中，所謂膜厚修正前之遮罩開口比率係指基準遮罩開口長度之開口比率。
膜厚修正後之遮罩開口比率=膜厚修正前之遮罩開口比率×膜厚修正係數…(3)
自圖17(b)、圖18(b)、圖19(b)、圖20(b)可知，根據本實施形態，於膜厚分佈較大之情形時，藉由基於膜厚修正後遮罩開口長度而決定、變更各遮罩開口81之開口長度，膜厚修正後之遮罩開口群區域82之形狀成為如下形狀：於重疊區域83，連結遮罩開口群區域82之各頂點之線之中間部較直線地連結各頂點之情形時略微凸起。
再者，藉由膜厚修正後遮罩開口長度形成之蒸鍍膜221之膜厚與最少膜厚值相等。於圖18(a)所示之例中，修正後之膜厚成為與修正前之膜厚相比約82%之膜厚。如此，於使膜厚變小之方向進行修正之原因在於，就提高蒸鍍材料之利用效率之觀點而言，遮罩開口長度初 期形成為最長，於自該長度變短之方向修正遮罩開口長度。如此，雖然修正後之膜厚變小，但例如藉由提高蒸鍍源60之蒸鍍溫度，提昇蒸鍍速率，而進行使修正後之膜厚與修正前之膜厚一致之調整。以此方式，可消除膜厚分佈，以所期望之膜厚形成均勻之蒸鍍膜。
如上所述，根據本實施形態，自藉由各遮罩開口81實際形成之蒸鍍膜221之膜厚算出各遮罩開口81之膜厚修正後遮罩開口長度，藉此，如圖20(a)所示，無論X軸方向之遮罩開口81之位置如何，均可形成相等膜厚之蒸鍍膜221。
藉此，可形成不僅考慮到1個蒸鍍塊101之膜厚、亦考慮到Y軸方向上相鄰之蒸鍍塊101中之利用遮罩開口81之蒸鍍膜221之重疊的相同厚度之條紋狀之蒸鍍膜221。
再者，於本實施形態中，列舉如實施形態1所示般將蒸鍍遮罩80之遮罩開口81之Y軸方向上之長度對應於該遮罩開口81之X軸方向之位置而進行變更之情形為例而進行了例示，當然，亦可如實施形態2、3所示般使用遮蔽板111變更蒸鍍遮罩80之實質之開口長度。
又，於本實施形態中，作為靶長較短之情形時使用之蒸鍍遮罩80，列舉具有圖17(b)所示之開口圖案之蒸鍍遮罩80為例進行了說明，但本實施形態並不限定於此。例如，即便靶長較短，例如藉由使用限制板(控制板)遮蔽遮罩開口群區域82之重疊區域83之一部分膜厚分佈較差之區域，於使用具有圖17(a)所示之開口圖案之蒸鍍遮罩80之情形時，亦無論X軸方向之遮罩開口81之位置如何，均可形成相等膜厚之蒸鍍膜221。同樣地，藉由遮蔽遮罩開口群區域82之重疊區域83之一部分膜厚分佈較差之區域，於使用具有實施形態1~3所示之開口圖案之蒸鍍遮罩80之情形時，亦無論X軸方向之遮罩開口81之位置如何，均可形成相等膜厚之蒸鍍膜221。
[總結]
本發明之態樣1之蒸鍍裝置50係於用於顯示裝置(例如有機EL顯示裝置1)之被成膜基板200上針對上述顯示裝置之每個子像素(子像素2R、2G、2B)形成特定圖案之蒸鍍膜221者；且包括：蒸鍍單元54，其包含蒸鍍源60及複數個蒸鍍遮罩80；及移動裝置(基板移動裝置103或蒸鍍單元移動裝置104)，其使上述蒸鍍單元54及被成膜基板200中之一者相對於另一者相對移動；上述各蒸鍍遮罩80之作為上述移動裝置之移動方向(掃描方向)之第1方向(Y軸方向)及與該第1方向垂直之第2方向(X軸方向)上之長度較各個方向之上述被成膜基板200之蒸鍍區域之長度短；上述蒸鍍遮罩80至少於上述第1方向配置有複數個；上述各蒸鍍遮罩80於上述第2方向上具有1個遮罩開口群區域82、或隔著至少1像素之遮蔽區域85具有複數個遮罩開口群區域82；上述遮罩開口群區域82分別至少包含排列於上述第2方向上之複數個遮罩開口81，且分別與上述蒸鍍源60之蒸鍍粒子211之射出口61成對；上述第1方向上相鄰之蒸鍍遮罩80以如下方式於上述第2方向上錯開位置而配置，即，各個蒸鍍遮罩80之各遮罩開口群區域82之上述第2方向之端部中的與另一蒸鍍遮罩80之遮罩開口群區域82對向之側之端部之複數個遮罩開口81，沿上述第1方向觀察時於上述第2方向上分別重疊，並且藉由該端部之上述第1方向上相鄰之遮罩開口81形成之蒸鍍膜221沿上述第1方向位於同一直線上；上述第2方向上之上述蒸鍍遮罩80之合計長度(縱長)較上述第2方向上之上述被成膜基板200之蒸鍍區域之長度長；上述各遮罩開口81對應於上述各子像素而設置；於上述各蒸鍍遮罩80之各遮罩開口群區域82之沿上述第1方向觀察時於上述第2方向上分別重疊之區域(重疊區域83)，自與上述蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時之上述第1方向之開口長度朝向上述各遮罩開口群區域82之外側而逐漸變短。
再者，此處所謂「自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時之 上述第1方向之開口長度」，並非表示蒸鍍遮罩80之遮罩開口81本身之上述第1方向上之長度，而表示自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時實際開口之蒸鍍遮罩80之實質之上述第1方向之開口長度(即，蒸鍍粒子211可通過之開口區域之上述第1方向上之長度)。即，自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時，蒸鍍遮罩80之遮罩開口81之一部分例如由遮蔽板111堵住之情形時，所謂自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時之上述第1方向之開口長度，表示自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時實際開口之遮罩開口81之第1方向上之長度(即，未由上述遮蔽板111堵住之遮罩開口81之第1方向上之長度)。
根據上述構成，將與被成膜基板200之上述第2方向之各子像素對應之遮罩開口81分割，可實現使用較先前小型之蒸鍍遮罩80之掃描蒸鍍，因此可使蒸鍍遮罩80較先前輕量化，可抑制因蒸鍍遮罩80之撓曲所致之蒸鍍位置偏移。因此，可抑制因蒸鍍遮罩80之撓曲所致之蒸鍍模糊。
又，根據上述構成，如上所述，將上述第1方向上相鄰之蒸鍍遮罩80A與蒸鍍遮罩80B於上述第2方向上錯開配置，於沿上述第1方向觀察時各個蒸鍍遮罩80之遮罩開口群區域82於上述第2方向上重疊之重疊區域83，使自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時之上述第1方向之開口長度朝向各遮罩開口群區域82之外側而逐漸變短，藉此，於成為連結複數個蒸鍍遮罩80之遮罩接合部分之上述第1方向上相鄰之蒸鍍遮罩80之各遮罩開口群區域82之邊界部，可使開口長度逐漸變化。
因此，如上所述，即便於將與被成膜基板200之上述第2方向之各子像素對應之遮罩開口81分割，使用較先前小型之蒸鍍遮罩80進行掃描蒸鍍之情形時，亦可進行不產生上述遮罩開口群區域之邊界部之塊分離之均勻之蒸鍍。
又，根據上述構成，於子像素內不沿X軸方向連結蒸鍍遮罩80，因此易於進行圖案控制。
又，根據上述構成，各遮罩開口群區域82與蒸鍍源60之射出口61成對，藉此可限定向各個遮罩開口81飛來之蒸鍍粒子211之飛來源頭(射出口61)，因此可設定最適於該飛來角度之遮罩開口81之位置。因此，可防止蒸鍍模糊，並且可使蒸鍍效率提高。
又，於上述第2方向上相鄰之遮罩開口群區域82之邊界部，容易混入自各遮罩開口群區域82之2個射出口61飛來之蒸鍍粒子211。然而，如上所述，上述第2方向上相鄰之遮罩開口群區域82隔著至少1像素之遮蔽區域85而設置，藉此可防止蒸鍍模糊、尤其上述第2方向上相鄰之遮罩開口群區域之邊界部之蒸鍍模糊。
又，根據本發明之一態樣，各遮罩開口群區域與蒸鍍源之射出口成對，藉此可限定向各個遮罩開口飛來之蒸鍍粒子之飛來源頭(射出口)，因此可設定最適於該飛來角度之遮罩開口位置。因此，可防止蒸鍍模糊，並且可使蒸鍍效率提高。
又，於上述第2方向上相鄰之遮罩開口群區域之邊界部，容易混入自與各遮罩開口群區域對應之2個射出口飛來之蒸鍍粒子。然而，如上所述，上述第2方向上相鄰之遮罩開口群區域隔著至少1像素之遮蔽區域而設置，藉此可防止蒸鍍模糊、尤其上述第2方向上相鄰之遮罩開口群區域之邊界部之蒸鍍模糊。
本發明之態樣2之蒸鍍裝置50較佳為，於上述態樣1中，於上述第1及第2方向上分別配置有複數個上述蒸鍍遮罩80。
藉此，可使蒸鍍遮罩80更小型化。
本發明之態樣3之蒸鍍裝置50較佳為，於上述態樣1或2中，上述第1方向上相鄰之蒸鍍遮罩80於上述各蒸鍍遮罩80之各遮罩開口群區域82之上述端部，以1像素以上於上述第2方向上錯開位置而配置。
根據上述構成，可確實地防止上述邊界部之塊分離，並且可進行更均勻之蒸鍍。
本發明之態樣4之蒸鍍裝置50較佳為，於上述態樣1至3之任一項中，自與上述蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時，於上述各蒸鍍遮罩80之各遮罩開口群區域82之沿上述第1方向觀察時於上述第2方向上分別重疊之區域(重疊區域83)，與各子像素對應之配置於上述第1方向之蒸鍍遮罩80之遮罩開口81的上述第1方向之合計開口長度分別相等。
又，本發明之態樣5之蒸鍍裝置50較佳為，於上述態樣1至4之任一項中，自與上述蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時，無論上述第2方向上之遮罩開口81之位置如何，與各子像素對應之配置於上述第1方向之蒸鍍遮罩80之遮罩開口81的上述第1方向之合計開口長度均分別相等。
根據上述態樣5及態樣6之各構成，於上述第2方向(X軸方向)上相鄰之遮罩開口81間，蒸鍍量不會產生偏差，可均勻地進行蒸鍍。因此，可形成膜厚均勻且高精細之蒸鍍膜圖案。
本發明之態樣6之蒸鍍裝置50較佳為，於上述態樣1至4之任一項中，自與上述蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時，上述各遮罩開口群區域82之於沿上述第1方向之同一直線上不存在其他蒸鍍遮罩80之遮罩開口81之區域的遮罩開口81係隨著上述第2方向上之距上述射出口61正上方之距離變長，使上述第1方向之開口長度變長。
關於真空中之蒸鍍，根據餘弦定律，向與蒸鍍源60之射出口61垂直之部分、即於各蒸鍍塊101(蒸鍍空間)之中心部分放射最多之蒸鍍粒子211，越接近限制板73側，放射之蒸鍍粒子211之量越少。
因此，遮罩開口81之Y軸方向上之長度雖亦取決於遮罩開口群區域82之大小、換言之蒸鍍塊101之X軸方向之大小，但位於射出口61 正上方之遮罩開口81之Y軸方向上之長度最短，越是位於在X軸方向上遠離射出口61之X軸方向位置的遮罩開口81，則其Y軸方向上之長度越長，藉此可形成相同厚度之條紋狀之蒸鍍膜221。
因此，如上所述，較佳為，自與上述蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時，上述各遮罩開口群區域82之於沿上述第1方向之同一直線上不存在其他蒸鍍遮罩80之遮罩開口81的區域之遮罩開口81係隨著上述第2方向上之距上述射出口61正上方之距離變長，使上述第1方向之開口長度變長。
本發明之態樣7之蒸鍍裝置50較佳為，於上述態樣6中，若將使上述各蒸鍍遮罩80之上述第1方向之開口長度一致時之開口長度變更前的上述第1方向之開口長度設為基準遮罩開口長度，則自與上述蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時，與各子像素對應之配置於上述第1方向之蒸鍍遮罩80之遮罩開口81之上述第1方向之合計開口長度(膜厚修正後遮罩開口長度)滿足下式 上述第1方向之合計開口長度(膜厚修正後遮罩開口長度)=基準遮罩開口長度×膜厚修正係數
膜厚修正係數=1/(與上述第2方向之上述各遮罩開口81對應之蒸鍍膜221之膜厚/最少膜厚值)。
根據上述構成，無論上述第2方向上之遮罩開口81之位置如何，均可形成相等膜厚之蒸鍍膜221。
本發明之態樣8之蒸鍍裝置50較佳為，於上述態樣6中，若將使上述各蒸鍍遮罩80之上述第1方向之開口長度一致時之開口長度變更前的上述第1方向之開口長度設為基準遮罩開口長度，將該基準遮罩開口長度之開口比率設為遮罩開口比率100%，則自與上述蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時，與各子像素對應之配置於上述第1方向之蒸鍍遮罩80之遮罩開口81的上述第1方向之遮罩開口比率滿足下式 上述第1方向之遮罩開口比率=基準遮罩開口長度之開口比率×膜厚修正係數
膜厚修正係數=1/(與上述第2方向之上述各遮罩開口81對應之蒸鍍膜221之膜厚/最少膜厚值)。
根據上述構成，可形成亦考慮到上述第1方向上相鄰之蒸鍍遮罩80中之利用遮罩開口81之蒸鍍膜221之重疊的相同厚度之條紋狀之蒸鍍膜221。
本發明之態樣9之蒸鍍裝置50較佳為，於上述態樣1至8之任一項中，上述各蒸鍍遮罩80之各遮罩開口81對應於該遮罩開口81之上述第2方向之位置，形成為於上述第1方向上不同之長度。
根據上述構成，由於變更實際形成於蒸鍍遮罩80之遮罩開口81本身之長度，故可削減零件數量。又，於如此變更蒸鍍遮罩80之遮罩開口81自身之形狀之情形時，在1片蒸鍍遮罩80上一次性形成遮罩開口81，因此具有容易獲得精度之優點。
本發明之態樣10之蒸鍍裝置50較佳為，於上述態樣1至8之任一項中，形成於上述各蒸鍍遮罩80之各遮罩開口81均為相同形狀，且上述蒸鍍單元54具有遮蔽板111，該遮蔽板111係藉由分別覆蓋上述各蒸鍍遮罩80之各遮罩開口81中於沿上述第1方向之同一直線上設置有其他蒸鍍遮罩80之遮罩開口81的遮罩開口81之一部分，而變更該遮罩開口81之自與上述蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時之上述第1方向之開口長度。
又，本發明之態樣11之蒸鍍裝置50較佳為，於上述態樣10中，於上述各蒸鍍遮罩80之上述各遮罩開口群區域82分別設置有上述遮蔽板111。
又，本發明之態樣12之蒸鍍裝置50較佳為，於上述態樣10中，上述遮蔽板111具有使上述各遮罩開口群區域82之一部分露出之開口 區域112，且共同地設置於複數個遮罩開口群區域82。
根據上述態樣8至10之各構成，可使蒸鍍遮罩80之遮罩開口81為相同形狀，可於製造蒸鍍遮罩80後容易地變更沿上述第1方向觀察時之Y軸方向上相鄰之蒸鍍遮罩80之遮罩開口群區域82之上述第2方向上之重疊寬度(即，重疊區域83之X軸方向之寬度)。因此，可提高蒸鍍遮罩80之佈局之自由度。
於變更蒸鍍遮罩80之遮罩開口81自身之形狀之情形時，在1片蒸鍍遮罩80上一次性形成遮罩開口81，因此容易獲得精度，另一方面，於膜厚分佈因製程條件或材料種類之變更及經時等而變化之情形時，需要重新製作蒸鍍遮罩80，於費用、繳納期之方面靈活性欠佳。然而，於如上所述般藉由遮蔽板111進行遮罩開口81之開口長度之調節之情形時，根據蒸鍍膜221之膜厚之多樣之分佈特性而個別地調整遮蔽板111之位置或形狀，藉此可靈活應對。又，遮蔽板111例如為鋁或不鏽鋼等材質而具有相應之加工精度即可，大小亦小於蒸鍍遮罩80，因此於費用、繳納期之方面優點較大。
又，根據上述態樣10，於複數個遮罩開口群區域82共同地設置有1片遮蔽板111，藉此除發揮上述效果以外，進一步發揮可易於進行遮蔽板111與蒸鍍遮罩80之位置對準之效果。又，根據上述態樣10，在一片遮蔽板111上一次性形成開口區域112，因此容易獲得精度。又，於上述開口區域112無需如蒸鍍遮罩80之高精細圖案。因此，與將蒸鍍遮罩80之遮罩開口81之形狀(上述第1方向上之長度)對應於各遮罩開口81之上述第2方向之位置而進行變更之情形相比，於費用、繳納期之方面有利。
又，本發明之態樣13之蒸鍍方法係於用於顯示裝置(例如有機EL顯示裝置1)之被成膜基板200上針對上述顯示裝置之每個子像素(子像素2R、2G、2B)形成特定圖案之蒸鍍膜221者，使具有蒸鍍源60與複 數個蒸鍍遮罩80之蒸鍍單元54及上述被成膜基板200中之一者相對於另一者沿第1方向(掃描方向)相對移動，並且使用如下蒸鍍單元作為上述蒸鍍單元，即，(a)上述各蒸鍍遮罩80之上述第1方向(Y軸方向)及與該第1方向垂直之第2方向(X軸方向)上之長度較各個方向上之上述被成膜基板200之蒸鍍區域之長度短；(b)上述蒸鍍遮罩80至少於上述第1方向配置有複數個；(c)上述各蒸鍍遮罩80於上述第2方向上具有1個遮罩開口群區域82或隔著至少1像素之遮蔽區域85具有複數個遮罩開口群區域82；(d)上述遮罩開口群區域82分別至少包含排列於上述第2方向上之複數個遮罩開口81，且分別與上述蒸鍍源60之蒸鍍粒子211之射出口61成對；(e)上述第1方向上相鄰之蒸鍍遮罩80以如下方式於上述第2方向上錯開位置而配置，即，各個蒸鍍遮罩80之各遮罩開口群區域82之上述第2方向之端部中的與另一蒸鍍遮罩80之遮罩開口群區域82對向之側之端部之複數個遮罩開口81，沿上述第1方向觀察時於上述第2方向上分別重疊，並且藉由該端部之上述第1方向上相鄰之遮罩開口81而形成之蒸鍍膜221沿上述第1方向位於同一直線上；(f)上述第2方向上之上述蒸鍍遮罩80之合計長度(縱長)較上述第2方向上之上述被成膜基板200之蒸鍍區域之長度長；(g)於上述各蒸鍍遮罩80之各遮罩開口群區域82之沿上述第1方向觀察時於上述第2方向上分別重疊之區域(重疊區域83)，自與上述蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時之上述第1方向之開口長度朝向上述各遮罩開口群區域82之外側而逐漸變短。
再者，上述態樣13中之「自與蒸鍍遮罩80之主面垂直之方向觀察時之上述第1方向之開口長度」與上述態樣1相同。根據上述態樣13，可獲得與上述態樣1相同之效果。
本發明並不限定於上述各實施形態，可於申請專利範圍內進行各種變更，適當組合不同之實施形態中分別揭示之技術手段而獲得之 實施形態亦包含於本發明之技術範圍內。進而，藉由組合各實施形態中分別揭示之技術手段，可形成新的技術特徵。
[產業上之可利用性]
本發明可較佳地用於如下之蒸鍍裝置及蒸鍍方法，即，一面使被成膜基板與蒸鍍單元相對移動並掃描一面進行蒸鍍且用於使用掃描方式之掃描蒸鍍中。尤其，本發明之蒸鍍裝置例如可較佳地用於有機EL顯示裝置中之有機層之分塗形成等成膜製程中所使用之有機EL顯示裝置之製造裝置及製造方法等中。又，本發明之蒸鍍方法例如可較佳地用於有機EL顯示裝置中之有機層之分塗形成等成膜製程中。
61、61A、61B‧‧‧射出口
72、72A、72B‧‧‧限制板行
73、73B‧‧‧限制板
75‧‧‧限制板
80、80A、80B‧‧‧蒸鍍遮罩
81、81A、81B‧‧‧遮罩開口
82、82A、82B‧‧‧遮罩開口群區域
83‧‧‧重疊區域
85‧‧‧遮蔽區域
91a‧‧‧開口部
92‧‧‧遮罩托盤
92a‧‧‧開口部
101‧‧‧蒸鍍塊
200‧‧‧被成膜基板

Claims (13)

  1. 一種蒸鍍裝置，其特徵在於：其係於用於顯示裝置之被成膜基板上針對上述顯示裝置之每個子像素形成特定圖案之蒸鍍膜者，且包括：蒸鍍單元，其包含蒸鍍源及複數個蒸鍍遮罩；及移動裝置，其使上述蒸鍍單元及被成膜基板中之一者相對於另一者相對移動；上述各蒸鍍遮罩之於作為上述移動裝置之移動方向之第1方向及與該第1方向垂直之第2方向上之長度較各個方向上之上述被成膜基板之蒸鍍區域之長度短；上述蒸鍍遮罩至少於上述第1方向配置有複數個；上述各蒸鍍遮罩於上述第2方向上具有1個遮罩開口群區域或隔著至少1像素之遮蔽區域具有複數個遮罩開口群區域；上述遮罩開口群區域分別至少包含排列於上述第2方向上之複數個遮罩開口，且分別與上述蒸鍍源之蒸鍍粒子之射出口成對；上述第1方向上相鄰之蒸鍍遮罩係以如下方式於上述第2方向上錯開位置而配置，即，各個蒸鍍遮罩之各遮罩開口群區域之上述第2方向之端部中的與另一蒸鍍遮罩之遮罩開口群區域對向之側之端部之複數個遮罩開口，沿上述第1方向觀察時於上述第2方向上分別重疊，並且藉由該端部之上述第1方向上相鄰之遮罩開口而形成之蒸鍍膜沿上述第1方向位於同一直線上；上述第2方向上之上述蒸鍍遮罩之合計長度較上述第2方向上之上述被成膜基板之蒸鍍區域之長度長；上述各遮罩開口對應於上述各子像素而設置； 於上述各蒸鍍遮罩之各遮罩開口群區域中之沿上述第1方向觀察時於上述第2方向上分別重疊之區域，自與上述蒸鍍遮罩之主面垂直之方向觀察時之上述第1方向之開口長度朝向上述各遮罩開口群區域之外側逐漸變短。
  2. 如請求項1之蒸鍍裝置，其中上述蒸鍍遮罩於上述第1及第2方向上分別配置有複數個。
  3. 如請求項1或2之蒸鍍裝置，其中上述第1方向上相鄰之蒸鍍遮罩於上述各蒸鍍遮罩之各遮罩開口群區域之上述端部，以1像素以上於上述第2方向上錯開位置而配置。
  4. 如請求項1至3中任一項之蒸鍍裝置，其中自與上述蒸鍍遮罩之主面垂直之方向觀察時，於上述各蒸鍍遮罩之各遮罩開口群區域中之沿上述第1方向觀察時於上述第2方向上分別重疊之區域，對應於各子像素之配置於上述第1方向之蒸鍍遮罩之遮罩開口的上述第1方向之合計開口長度分別相等。
  5. 如請求項1至4中任一項之蒸鍍裝置，其中自與上述蒸鍍遮罩之主面垂直之方向觀察時，無論上述第2方向上之遮罩開口之位置如何，對應於各子像素之配置於上述第1方向之蒸鍍遮罩之遮罩開口的上述第1方向之合計開口長度均分別相等。
  6. 如請求項1至4中任一項之蒸鍍裝置，其中自與上述蒸鍍遮罩之主面垂直之方向觀察時，上述各遮罩開口群區域中之於沿上述第1方向之同一直線上不存在其他蒸鍍遮罩之遮罩開口之區域的遮罩開口係隨著上述第2方向上之距上述射出口正上方之距離變長，而使上述第1方向之開口長度變長。
  7. 如請求項6之蒸鍍裝置，其中若將使上述各蒸鍍遮罩之上述第1方向之開口長度一致時之開口長度變更前之上述第1方向之開口長度設為基準遮罩開口長度，則自與上述蒸鍍遮罩之主面垂直 之方向觀察時，對應於各子像素之配置於上述第1方向之蒸鍍遮罩之遮罩開口的上述第1方向之合計開口長度滿足下式上述第1方向之合計開口長度=基準遮罩開口長度×膜厚修正係數 膜厚修正係數=1/(與上述第2方向之上述各遮罩開口對應之蒸鍍膜之膜厚/最少膜厚值)。
  8. 如請求項6之蒸鍍裝置，其中若將使上述各蒸鍍遮罩之上述第1方向之開口長度一致時之開口長度變更前之上述第1方向之開口長度設為基準遮罩開口長度，將該基準遮罩開口長度之開口比率設為遮罩開口比率100%，則自與上述蒸鍍遮罩之主面垂直之方向觀察時，對應於各子像素之配置於上述第1方向之蒸鍍遮罩之遮罩開口的上述第1方向之遮罩開口比率滿足下式上述第1方向之遮罩開口比率=基準遮罩開口長度之開口比率×膜厚修正係數 膜厚修正係數=1/(與上述第2方向之上述各遮罩開口對應之蒸鍍膜之膜厚/最少膜厚值)。
  9. 如請求項1至8中任一項之蒸鍍裝置，其中上述各蒸鍍遮罩之各遮罩開口對應於該遮罩開口之上述第2方向之位置，形成為於上述第1方向上不同之長度。
  10. 如請求項1至8中任一項之蒸鍍裝置，其中形成於上述各蒸鍍遮罩之各遮罩開口均為相同形狀，上述蒸鍍單元包含遮蔽板，該遮蔽板係藉由分別覆蓋上述各蒸鍍遮罩之各遮罩開口中於沿上述第1方向之同一直線上設置有其他蒸鍍遮罩之遮罩開口的遮罩開口之一部分，而變更該遮罩開口之自與上述蒸鍍遮罩之主面垂直之方向觀察時之上述第1方向之開口長度。
  11. 如請求項10之蒸鍍裝置，其中於上述各蒸鍍遮罩之上述各遮罩開口群區域分別設置有上述遮蔽板。
  12. 如請求項10之蒸鍍裝置，其中上述遮蔽板具有使上述各遮罩開口群區域之一部分露出之開口區域，且共同地設置於複數個遮罩開口群區域。
  13. 一種蒸鍍方法，其特徵在於：其係於用於顯示裝置之被成膜基板上針對上述顯示裝置之每個子像素形成特定圖案之蒸鍍膜者，且使包含蒸鍍源與複數個蒸鍍遮罩之蒸鍍單元及上述被成膜基板中之一者相對於另一者沿第1方向相對移動，並且使用如下蒸鍍單元作為上述蒸鍍單元，即上述各蒸鍍遮罩之上述第1方向及與該第1方向垂直之第2方向上之長度較各個方向上之上述被成膜基板之蒸鍍區域之長度短，上述蒸鍍遮罩至少於上述第1方向配置有複數個，上述各蒸鍍遮罩於上述第2方向上具有1個遮罩開口群區域或隔著至少1像素之遮蔽區域具有複數個遮罩開口群區域，上述遮罩開口群區域分別至少包含排列於上述第2方向上之複數個遮罩開口，且分別與上述蒸鍍源之蒸鍍粒子之射出口成對，上述第1方向上相鄰之蒸鍍遮罩係以如下方式於上述第2方向上錯開位置而配置，即，各個蒸鍍遮罩之各遮罩開口群區域之上述第2方向之端部中的與另一蒸鍍遮罩之遮罩開口群區域對向之側之端部之複數個遮罩開口，沿上述第1方向觀察時於上述第2方向上分別重疊，並且藉由該端部之上述第1方向上相鄰之遮罩開口而形成之蒸鍍膜沿上述第1方向位於同一直線上， 上述第2方向上之上述蒸鍍遮罩之合計長度較上述第2方向上之上述被成膜基板之蒸鍍區域之長度長，於上述各蒸鍍遮罩之各遮罩開口群區域中之沿上述第1方向觀察時於上述第2方向上分別重疊之區域，自與上述蒸鍍遮罩之主面垂直之方向觀察時之上述第1方向之開口長度朝向上述各遮罩開口群區域之外側逐漸變短。
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