JPWO2014069526A1 - 誘導加熱装置、誘導加熱装置の制御方法、及びプログラム - Google Patents

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Abstract

相互誘導環境の共振型インバータの出力位相角が所定範囲に入るように制御する。相互誘導環境の複数の誘導加熱コイル(La,Lb)の各々に給電する共振型インバータ(30a,30b)を複数備える誘導加熱装置(100)において、前記共振型インバータの駆動周波数を共通にして、複数の前記共振型インバータの出力位相角が所定範囲に入るように、前記駆動周波数を共通に制御する制御回路(40)を備える。また、前記位相角が所定範囲に入るよう誘導加熱コイルに流れるコイル電流を個別に制御する。

Description

本発明は、複数の誘導加熱コイルを用いた誘導加熱装置、誘導加熱装置の制御方法、及びプログラムに関する。
ウェハを熱処理する半導体製造装置は、熱ひずみ等の問題からウェハの表面温度差をできるだけ小さく(例えば、±1℃以内に)制御する必要がある。また、所望の高温(例えば、1350℃)まで高速で温度上昇(例えば、100℃/秒)させる必要がある。そこで、誘導加熱コイルを複数に分割して、分割された誘導加熱コイルごとに個別に高周波電源(例えば、インバータ)を接続して電力制御を行う誘導加熱装置が広く知られている。ところが、分割された誘導加熱コイルは互いに近接しているので、相互誘導インダクタンスMが存在し、相互誘導電圧が発生する状態となる。そのため、各インバータが相互誘導インダクタンスを介して並列運転される状態となり、各インバータで電流位相にズレがある場合はインバータ相互間で電力の授受が生じることがある。すなわち、各インバータの電流位相のズレによって、分割された誘導加熱コイル間で磁界に位相差が生じるため、隣接する誘導加熱コイルの境界付近で磁界が弱まり、誘導加熱電力による発熱密度が低下する。その結果、被加熱物(ウェハなど)の表面に温度ムラが生じるおそれがある。
そこで、隣接する誘導加熱コイル間に相互誘導電圧が生じて相互誘導インダクタンスが存在する状況下でも、インバータ相互間に循環電流が流れないようにすると共に、分割された誘導加熱コイルの境界付近で発熱密度が低下しないようにして、誘導加熱電力の適正な制御を行うことが可能な「ゾーンコントロール誘導加熱(ZONE Controlled Induction Heating:ZCIH)」の技術が発明者等によって提案された(例えば、特許文献1参照)。このZCIHの技術によれば、各電源ユニットは、それぞれ、降圧チョッパと電圧型インバータ(以下、単にインバータという)とを備えて構成されている。そして、複数の電力供給ゾーンに分割された各電源ユニットは、分割されたそれぞれの誘導加熱コイルに個別に接続されて電力供給を行っている。
このとき、各電源ユニットにおけるそれぞれのインバータの電流同期制御(つまり、電流位相の同期制御)、すなわち、各インバータに流れる電流位相を同期させることにより、複数のインバータ間に循環電流が流れないようにしている。言い換えると、複数のインバータ間で電流の授受がないようにして、インバータに流れ込む回生電力によって過電圧が発生することのないようにしている。また、インバータの電流同期制御によって、分割されたそれぞれの誘導加熱コイルに流れる電流位相を同期させることにより、各誘導加熱コイルの境界付近で誘導加熱電力による発熱密度が急激に低下しないようにしている。さらに、各降圧チョッパによってそれぞれのインバータの入力電圧を制御することにより、各インバータの電流振幅制御を行い、各誘導加熱コイルへ供給する誘導加熱電力の制御を行っている。
特許文献1は、共振周波数よりも高い周波数から周波数スイープを行い、最初に共振点に到達するユニットを選択し、その共振周波数と同一のスイッチング周波数で、全てのインバータ回路を駆動する技術を記載している。これにより、特許文献1に記載の技術は、全てのインバータ回路のL性駆動を維持している。
特開2011−14331号公報(請求項1、段落0061)
特許文献1に記載の技術は、最も共振周波数が高いインバータを、出力矩形波電圧の立ち上がりタイミングと共振電流のゼロクロスタイミングとの位相差を最小にする最小位相角に設定しているので、この特定のインバータの力率は高い。しかしながら、他のインバータ(ゾーン)の力率については考慮されておらず、定格電力を出力することが不可能であり、位相角を小さくすることにより、スイッチング損失を低減することも不可能である。言い換えれば、特許文献1に記載の技術は、全ゾーンを最適に制御できていない。
なお、特許文献1に記載の技術は、ユニットの共通化、不規則な負荷変動の回避のために(段落0007参照)、周波数スイープを行っている。
そこで、本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、全ての共振型インバータを最適に制御することができる誘導加熱装置、誘導加熱装置の制御方法、及びプログラムを提供することを目的とする。
前記目的を達成するため、本発明は、相互誘導環境の複数の誘導加熱コイルの各々に給電する共振型インバータを複数備える誘導加熱装置において、前記共振型インバータの駆動周波数を共通にして、複数の前記共振型インバータの出力位相角が所定範囲に入るように、前記駆動周波数を共通に制御する制御回路を備えることを特徴とする。
前記誘導加熱コイルとコンデンサとの直列回路に印加される印加電圧の立ち上がりタイミングよりも、前記直列共振回路に流れる電流が負から正にゼロクロスするゼロクロスタイミングの方が遅れるように直流電圧が制御され、共振電流遅れ位相モードで動作する。一方、全ての直列共振回路を遅れ位相モードに設定すると力率が低下する。また、電圧幅が所定値未満の小出力の逆変換装置は、共振電流進み位相モードで動作するが小出力であるので、蓄積損失やサージ電圧も小さくなり、トランジスタの破壊は免れる。このため、制御回路は、駆動周波数を共通に変更して、全ての直列共振回路の位相差(出力位相角)を最適位相角範囲に入れるように制御する。この最適位相角範囲とは、(1)ZVSを確保できる最小の出力位相角20°以上 (2)定格出力(P=V・I・COSΘ)を出力できる出力位相角30°以下 (3)直列共振回路に流れる電流の無効電力成分である無効電流(Isw=Ip×SINΘ)に起因するスイッチング損失を小さくする出力位相角30°以下 の何れかの範囲である。単独運転時に、基準周波数で上記最適位相角範囲に入るように、自己共振回路の自己インダクタンスL、又はキャパシタンスCを調整する。なお、出力位相角20°,30°の数値は、例示である。
なお、相互誘導環境の複数の誘導加熱コイルの各々に給電する共振型インバータを複数備える誘導加熱装置において、前記共振型インバータに接続された共振回路のインピーダンスの位相角と相互誘導で到来する相互誘導電圧の位相角とが略等しくなるように、前記複数の誘導加熱コイルに流れるコイル電流を制御する制御回路を備えることもできる。
これによれば、共振型インバータの出力位相を駆動周波数にかかわらず、同一にすることができるので、最適制御される。
本発明によれば、全ての共振型インバータを最適に制御することができる。
本発明の第1実施形態に係る誘導加熱装置を使用する半導体加熱装置の概略図である。 誘導加熱装置の2つの共振回路の等価回路図である。 本発明の第1実施形態に係る誘導加熱装置に逆結合インダクタを接続した場合の模式図である。 誘導加熱コイルに印加される電圧波形、及び電流波形の状態1を示す図である。 誘導加熱コイルに印加される電圧波形、及び電流波形の状態2を示す図である。 誘導加熱コイルに印加される電圧波形、及び電流波形の状態3を示す図である。 誘導加熱コイルに印加される電圧波形、及び電流波形の状態4を示す図である。 誘導加熱コイルに印加される電圧波形、及び電流波形の状態4の対応を示す図である。 本発明の第1実施形態の誘導加熱装置の回路図である。 位相角一定範囲制御の波形図である。 参考例の電圧型インバータ、及び電流型インバータの等価回路図である。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態(以下、「本実施形態」と称する)につき詳細に説明する。なお、各図は、本発明を十分に理解できる程度に、概略的に示してあるに過ぎない。よって、本発明は、図示例のみに限定されるものではない。また、各図において、共通する構成要素や同様な構成要素については、同一の符号を付し、それらの重複する説明を省略する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る誘導加熱装置を使用する半導体加熱装置の概略図である。
誘導加熱装置としてのRTA(Rapid Thermal Anneal)装置(半導体加熱装置)は、複数の誘導加熱コイルLa,Lbが凹部に埋設された耐熱板と、この耐熱板の表面に設けられた共通の発熱体と、複数(2つ)の逆変換装置としてのインバータ30(30a,30b)とを備え、複数の誘導加熱コイルLa,Lbにより、発熱体を2ゾーンに分割加熱するように構成されている。このRTA装置は、誘導加熱コイルLa,Lbの各々が高周波磁束を発生し、この高周波磁束が、例えばカーボングラファイト(以下、単にグラファイトという。)で形成された発熱体に渦電流を流し、この渦電流がグラファイトの抵抗成分に流れることによって、発熱体が発熱するように構成されている。この発熱体の輻射熱は、被加熱物であるガラス基板やウェハを加熱する。なお、半導体の熱処理においては、この加熱は減圧雰囲気中や不活性雰囲気中(例えば、窒素雰囲気中)で行われる。
図1(b)は、誘導加熱装置の構成図(2)である。2つの誘導加熱コイルLa,Lbは、共通のグラファイトに巻回され、誘導加熱コイルLaの一端にコンデンサCaの一端が接続され、コンデンサCaの他端と誘導加熱コイルLaの他端とがインバータ30aに接続されている。また、誘導加熱コイルLbの一端がコンデンサCbの一端に接続され、コンデンサCbの他端と、誘導加熱コイルLbの他端とがインバータ30bに接続されている。なお、コンデンサCaは、キャパシタンスC11を有し、コンデンサCbは、キャパシタンスC22を有している。また、インバータ30a,30bは、共振コンデンサCa,Cbと共に、誘導加熱コイルLa,Lbを共振させる共振型インバータとして機能する。
ここで、誘導加熱コイルLa,Lbは、共通のグラファイトに巻回されているので、相互誘導インダクタンスMで結合されている。また、図1(b)において、インバータ30aは、電圧Viv1を発生し、電流I1をコンデンサCa、及び誘導加熱コイルLaに流し、インバータ30bは電圧Viv2を発生し、電流I2を流す。相互誘導インダクタンスMは、誘導加熱コイルLbに流れる電流I2によりコイルLaに誘起する無効分誘起電圧を表現したものである。誘導加熱コイルLbに流れる電流I2の時間変化により、誘導加熱コイルLaに誘起する無効分相互誘導電圧と、誘導加熱コイルLaに流れる電流I1の時間変化により誘導加熱コイルLbに誘起する無効分相互誘導電圧とは互いに等しい。なお、無効分相互誘導電圧とは、コイルに誘起する相互誘導電圧の無効電力成分をいう。
図2は、誘導加熱装置の2つの共振回路の等価回路図である。
誘導加熱コイルLa,Lbは、自己インダクタンスL1,L2を有し、グラファイトの渦電流による等価抵抗(等価抵抗値R1,R2)を有している。つまり、誘導加熱コイルLa、及びコンデンサCaの直列回路は、キャパシタンスC1のコンデンサと、自己インダクタンスL1のインダクタと、等価抵抗値R1の抵抗器との直列共振回路で表現される。そして、この直列共振回路は、電圧源Eiv1の電圧Viv1と、誘導加熱コイルLbからの相互誘導電圧Vm21との差分電圧が印加される。また、電圧源Eiv1は、位相角Θiv1の電圧Viv1を発生し、電流Iiv1を流す。前記直列共振回路は、位相角Θs1の電圧降下Vs1を生じる。
また、誘導加熱コイルLb、及びコンデンサCbの直列回路は、キャパシタンスC2のコンデンサと、自己インダクタンスL2のインダクタと、等価抵抗値R2の抵抗器との直列共振回路で表現される。そして、この直列共振回路は、電圧源Eiv2の電圧Viv2と、誘導加熱コイルLaからの相互誘導電圧Vm12との差分電圧が印加される。また、電圧源Eiv2は、位相角Θiv2の電圧Viv2を発生し、電流Iiv2を流す。前記直列共振回路は、位相角Θs2の電圧降下Vs2を生じる。
また、共通のグラファイトに巻回された2つの誘導加熱コイルLa,Lbは、相互誘導インダクタンスMで結合されているが、発明者は相互誘導抵抗Rmも存在すると考えた。相互誘導抵抗Rmは、誘導加熱コイルLbに流れる電流Iiv2により誘導加熱コイルLaに誘起する有効分誘起電圧を表現した抵抗である。また、誘導加熱コイルLbに流れる電流Iiv2により誘導加熱コイルLaに誘起する有効分相互誘導電圧は、誘導加熱コイルLaに流れる電流Iiv1により誘導加熱コイルLbに誘起する有効分相互誘導電圧に等しい。
また、金属のように低抵抗材料を加熱する場合は、共振尖鋭度Q=ωL/R(ωL1/R1,ωL2/R2)が高く、
ωM>>Rm
であるため、相互誘導抵抗Rmを無視することができる。しかしながら、グラファイトのように高抵抗材料を加熱する場合は、共振尖鋭度Q=ωL/Rが低く、
ωM<Rm
となり、相互誘導抵抗Rmを考慮する必要がある。
相互誘導電圧の位相角Θmは、
Θm=tan−1(ωM/Rm)
である。この位相角Θmを自己共振回路の位相角Θs=tan−1{(ωL−1/ωC)/Rs}とほぼ同じにして、Θm≒Θsにする。これにより、ゲートパルスが無制御でも、
Θiv≒Θs≒Θm
になる。金属では、ωM>>Rmであり、グラファイトでは、ωM≒Rmの場合もある。しかしながら、コイルとグラファイトとの間のギャップが大きければ、ωM>>になっていく。
Θiv=20度〜30度の高力率の角度にするので、逆結合インダクタ(−Mc)(図3)を装備し、回路全体の相互誘導インダクタンス(M−Mc)を低減する。なお、この場合は、コンデンサCbをインバータ30bの他方の出力側と誘導加熱コイルLbとの間に設ける。
言い換えれば、誘導加熱コイルLaに流す電流Iiv1によりグラファイトに発生する渦電流は、誘導加熱コイルLaの両端に有効分電圧降下を発生させると同時に、誘導加熱コイルLbにも有効分の相互誘導電圧を誘起させる。誘導加熱コイルLaには、無効分相互誘導電圧も誘起するので、結果的に、相互誘導電圧Vm21として、無効分相互誘導電圧と有効分相互誘導電圧との双方が誘起する。同様に、誘導加熱コイルLbには、相互誘導電圧Vm12として、無効分相互誘導電圧と有効分の相互誘導電圧との双方が誘起する。
このとき、下記の回路方程式が成立する。
つまり、直列共振回路(C1,L1,R1)の電圧降下Vs1は、
Vs1=Iiv1×{R1+jωL1−j/(ωC1・s1)}=Iiv1×|Zs1|×(cosΘs1+jsinΘs1)
となる。
また、誘導加熱コイルLaに誘起する相互誘導電圧Vm21は、
Vm21=Iiv2×(Rm+jωM)=Iiv2×|Zm21|×(cosΘm21+jsinΘm21)
となる。ここで、
|Zs1|=[R1+{ωL1−1/(ω・C1)}−1/2
Θs1=tan−1[{ωL1−1/(ω・C1)}/R1]
|Zm21|={Rm+(ωM)−1/2
Θm21=tan−1{ωM/Rm}
である。
また、電圧源Eiv1の電圧Viv1は、
Viv1=|Vs1|(cosΘs1+jsinΘs1)+|Vm21|(cosΘm21+jsinΘm21)
となる。ここで、
|Vs1|=Iiv1×Zs1
|Vm21|=Iiv2×|Zm21|
である。
前記した回路方程式から、インバータEiv1から見た下記の4つの状態が生じ、その制御対応策を示す。
図4A乃至図4Dは、誘導加熱コイルに印加される電圧波形、及び電流波形の状態1乃至状態4を示す図であり、図4Eは、誘導加熱コイルに印加される電圧波形、及び電流波形の状態4の対応を示す図である。各図共、電圧源Eiv1,Eiv2の電圧Viv1,Viv2は、DUTY1/2の矩形波電圧であり、2つの誘導加熱コイルLa,Lbに流れるコイル電流Iiv1,Iiv2は、位相が一致し、電流同期している。つまり、電圧Viv1,Viv2、及びコイル電流Iiv1,Iiv2の周波数(駆動周波数)は等しい。なお、実線は、矩形波電圧Viv1、及びコイル電流Iiv1を示し、破線は矩形波電圧Viv2、及びコイル電流Iiv2を示す。
また、原則的に、ZVS(Zero Volt Switching)確保のために、電流位相は、電圧位相よりも遅れているが、図4B、及び図4DのIiv1は、位相遅れが絶対値の小さな値で負になっている(特に、スイッチング時の電流Isw=Ip×sinΘが損失に寄与する)。
逆結合インダクタ(逆結合インダクタンス−Mc)(図3)を設けて、回路全体の相互誘導インダクタンス(M−Mc)が、Θm=tan−1(ωM/Rm)=20度〜30度になるようにする。このため、
ωM/Rm=0.36〜0.58
になる。金属でもグラファイトでも同様である。
(状態1)
Iiv1が大きい場合であり、Iiv2が小さく、相互誘導インダクタンスMが大きいときは、
図4Aに示すように、Iiv1の値よりもIiv2の値が小さいので、相互誘導電圧Vm21が小さくなる。このため、誘導加熱コイルLaが高温になることにより自己インダクタンスL1が低下すると位相角Θiv1が小さくなる。
この状態は、制御回路40(図5)は、インバータ30a,30bの駆動周波数を上昇させて位相角Θiv1を大きくして対応する。
(状態2)
Iiv1が大きい場合であり、Iiv2が小さく、相互誘導インダクタンスMが小さいときは、
a)図4Bに示すように、Iiv1の値よりもIiv2の値が小さいので、相互誘導電圧Vm21の値が小さくなる。このため、高温になることにより自己インダクタンスL1が低下すると位相角Θiv1が負になる。
この状態は、制御回路40(図5)は、インバータ30a,30bの駆動周波数を上昇させて位相角Θiv1を大きくして対応する。
b)Eiv2(図2参照)側の位相角Θiv2が小さくなる。ZVS確保のために、インバータ30a,30bの駆動周波数が上昇させられると、位相角Θiv1が大きくなる。
この場合は、スイッチングロス対策のために、制御回路40(図5)は、電流が規定値以上(例えば、50%以上)のときに、インバータ30a,30bの駆動周波数を降下させて位相角Θiv1を小さくする。但し、他のゾーン(ゾーン2)で駆動周波数上昇指令があれば、周波数上昇を優先する。
(状態3)
Iiv1が小さい場合であり、Iiv2が大きく、相互誘導インダクタンスMが大きいときは、
図4Cに示すように、Iiv1の値よりもIiv2の値が大きく、相互誘導インダクタンスMが大きいので、相互誘導電圧Vm21が大きくなる。一方、Iiv1が小さいので、直列共振回路の電圧降下Vs1が小さくなる。その結果、Θiv1≒Θm21となる。Θm21が大きい場合には、Θivも大きくなる。
このときは、電流が規定値以上(例えば、50%以上)の場合には、スイッチングロス対策のために、制御回路40(図5)は、インバータ30a,30bの駆動周波数を降下させて位相角Θiv1を小さくする。但し、他のゾーン(ゾーン2)で駆動周波数上昇指令があれば、周波数上昇を優先する。
(状態4)
Iiv1が小さい場合であり、Iiv2が大きく、相互誘導インダクタンスMが小さいときは、
図4Dに示すように、Iiv1の値よりもIiv2の値が大きいので、相互誘導インダクタンスMよりも、相互誘導抵抗Rmが大きく影響し、相互誘導電圧Vm21が大きくなる。一方、Iiv1が小さいので、直列共振回路の電圧降下Vs1が小さくなる。その結果、Θiv1≒Θm21となる。したがって、相互誘導抵抗Rmが大きく、Θm21が小さくなる場合には、Θiv1が小さくなる。
この場合は、ZVS確保のため、制御回路40(図5)は、電流が規定値未満(15%未満)の場合は、電流値だけを増加させ、電流Iiv1が規定値以上(15%以上)の場合は、インバータ30a,30bの駆動周波数だけを上昇させる。
つまり、制御回路40(図5)は、図4Eに示すように、矩形波電圧Viv1を増加させ、電流値(Iiv1)を増加させることにより、Θiv1が正の値で大きくなる。
位相角範囲を最適にするためには、何れかのゾーンの位相角Θiv1,Θiv2、やコイル電流Iiv1,Iiv2が
(A)位相角20°未満、コイル電流15%未満のとき、例えば、(状態4)は、コイル電流Iivを増加する。
(B)位相角20°未満、コイル電流15%以上のとき、ZVS確保のために、駆動周波数を上昇する。つまり、位相角Θiv1,Θiv2が第1の所定値(20°)未満であり、コイル電流Iiv1,Iiv2の振幅が第2の所定値(15%)以上であるとき、全ての共振型インバータの駆動周波数を上昇する。
(C)位相角20°以上、30°未満のとき、
この条件は、通常状態であるが、温度上昇に伴い、自己インダクタンスL1,L2が小さくなり、位相角Θiv1,Θiv2が小さくなると(例えば、(状態1))、前記した(A)(B)に移行する。
(D)位相角30°以上、コイル電流50%以上のとき(例えば、(状態2)(状態3))、スイッチング損失を少なくするために、全ての共振型インバータの駆動周波数を下降して、位相角を30°未満にする。この30°の値は、定格出力(P=VI×cosΘ)を出力できる位相角である。つまり、出力位相角が第1の所定値(20°)よりも大きい第3の所定値(30°)以上であり、コイル電流の振幅が第2の所定値(15%)よりも大きい第4の所定値(50%)以上であるとき、全ての共振型インバータの駆動周波数を下降する。
(E)位相角30°以上、電流50%未満のとき
パワー半導体素子を適切に選定すれば、連続運転可能である。
以上、位相角範囲を一定にするために周波数を可変する制御(位相角範囲一定制御)について説明したが、最小位相角を制限することにより、周波数を一定にする制御(周波数一定制御)も可能である。
以下、周波数一定制御と位相角範囲一定制御との双方で使用可能な位相角リミッタについて、説明する。
(1)最小位相角リミッタ 18°
a)位相角Θiv1,Θiv2が18°未満、コイル電流Iiv1,Iiv2が15%未満の場合に、電流Iiv1,Iiv2を増加する(最大15%まで)
b)位相角Θiv1,Θiv2が18°未満、コイル電流Iiv1,Iiv2が15%以上の場合には、駆動周波数だけを上げる。
(2)最大位相角リミッタ 45°
a)位相角Θiv1,Θiv2が45°以上、コイル電流Iiv1,Iiv2が50%以上の場合に、駆動周波数を下げる。但し、位相角18°未満、コイル電流15%以上の場合の周波数上昇させて、位相角が45°以上になった場合には、駆動周波数を上げる。
(3)異常領域 (何れかのゾーンが、下記で駆動停止)
a)所定値以上のIivで、位相角が14°以下で瞬時全停止
b)コイル電流Iiv1,Iiv2が50%以上で、位相角Θiv1,Θiv2が45°以上なら15秒経過で全停止
c)コイル電流Iiv1,Iiv2が75%以上で、位相角Θiv1,Θiv2が75°以上なら5秒経過で全停止
本発明の第1実施形態である誘導加熱装置の構成を図5及び図2を用いて説明する。
図5において、誘導加熱装置100は、整流・平滑回路10と、降圧チョッパ20a,20bと、複数の逆変換装置(インバータ)30a,30bと、コンデンサCa,Cb(キャパシタンスC1,C2)、及び誘導加熱コイルLa,Lb(自己インダクタンスL1,L2、等価抵抗値R1,R2の抵抗器)の直列回路と、制御回路40とを備えて構成され、各々の誘導加熱コイルLa,Lbが、高周波磁束を発生することにより、共通の発熱体(例えば、グラファイト)(図2)に渦電流を流し、この発熱体を発熱させるものである。つまり、各々の逆変換装置30a,30bは、共振コンデンサCa,Cbと共に、誘導加熱コイルLa,Lbを共振させる共振型インバータとして機能する。
また、誘導加熱装置100は、隣接する誘導加熱コイルによる相互誘導電圧Vm21,Vm12の影響を低減するように、全ての誘導加熱コイルLa,Lbの電流位相、及び駆動周波数が一致するように制御されている。つまり、誘導加熱装置100は、2つの誘導加熱コイルLa,Lbに流れるコイル電流の位相が一致するように制御され、発生磁界に位相差が生じないので、隣接する誘導加熱コイルの境界付近で磁界が弱まることがなく、誘導加熱電力による発熱密度が低下しない。その結果、被加熱物の表面に温度ムラが生じることがなくなる。また、誘導加熱装置100は、逆変換装置30a,30b間の循環電流が流れない。
さらに、逆変換装置30a,30bは、スイッチングロスを低減するために、誘導加熱コイルLa,Lbの自己インダクタンスL1,L2と、直列接続されたコンデンサCaのキャパシタンスC1,C2との共振周波数よりも、駆動周波数を高くして共振電流位相遅れモードで駆動するようになっている。
誘導加熱装置100は、商用電源AC(3φ)に接続された整流・平滑回路10と、整流・平滑回路10に接続された2つの降圧チョッパ20a,20bと、降圧チョッパ20a,20bに各々接続された逆変換装置30a,30bと、逆変換装置30a,30bに各々接続された直列共振回路La,Ca,Lb,Cbと、逆変換装置30a,30bを制御する制御回路40とを備える。
整流・平滑回路10は、商用電源ACに接続された三相整流回路RECと、三相整流回路RECの出力端+,−に接続された電解コンデンサC00とを備え、三相交流電圧を直流電圧に変換する。降圧チョッパ20a,20bは、トランジスタTrとダイオードD1,D2とコイルDCLと電解コンデンサC01とを備えたDC/DC変換器であり、整流回路10の出力端a,bの直流電圧Vmaxを任意の直流電圧Vdcに降圧する。降圧チョッパ20a,20bは、入力端aにダイオードD1のカソードとコイルDCLの一端とが接続され、ダイオードD1のアノードとトランジスタTrのコレクタとコンデンサC01の負極とが接続され、トランジスタTrのエミッタと入力端bとが接続され、コイルDCLの他端とコンデンサC01の正極とが接続されている。なお、トランジスタTrのコレクタとエミッタとの間には、転流ダイオードD2が接続されている。
降圧チョッパ20a,20bは、トランジスタTrがオンのときに、コンデンサC00の直流電圧とコンデンサC01の直流電圧との差分電圧がコイルDCLに印加される。一方、トランジスタTrがオフのときに、コイルDCLに蓄えられた電磁エネルギがダイオードD1で転流され、コンデンサC01の直流電圧とコイルDCLとが同一電位差となる。このとき、コイルDCLに流れる電流は、連続的であり、トランジスタTrがオンの時間、直線的に増加する。そして、コイルDCLに流れる電流は、トランジスタTrがオフの時間、直線的に減少する。このため、コンデンサC00とコンデンサC01との差分電圧は、直流電圧VmaxとDUTY比とで決まる値に収束する。なお、DUTY比は、降圧チョッパ20a,20bで各々異なり、コンデンサC01の両端の直流電圧Vdcも異なる。
逆変換装置30a,30bは、それぞれ、コンデンサC01の両端の直流電圧Vdc(Vdc1,Vdc2)をスイッチングする複数のトランジスタQ1,Q2,Q3,Q4を備え、直流電圧Vdcから、駆動周波数が共通で、コイル電流が同位相になるように制御されたDUTY1/2の矩形波電圧(高周波電圧)を生成し、コンデンサ、及び誘導加熱コイルの直列回路に給電する駆動回路である。なお、トランジスタQ1,Q2,Q3,Q4は、各アームに逆並列接続された転流ダイオードとを備えている。なお、トランジスタTr,Q1,Q2,Q3,Q4は、例えば、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)が使用される。
ここで、コンデンサCa,Cbは、誘導加熱コイルLa,Lbと共振し、キャパシタンスC1,C2、自己インダクタンスL1,L2としたとき、インバータの駆動周波数fが共振周波数1/(2π√(L1・C1)),1/(2π√(L2・C2))と略一致したとき、その基本波電圧V1,V2を、自己インダクタンスL1,L2、及び等価抵抗値R1,R2の直列インピーダンスで除した値の正弦波電流(コイル電流)が流れる。
図6は、逆変換装置の出力電圧波形、及びコイル電流波形を示す図である。
逆変換装置30a,30bの出力電圧Viv1,Viv2は、トランジスタQ1のエミッタ、及びトランジスタQ2のコレクタの接続点と、トランジスタQ3のエミッタ、及びトランジスタQ4のコレクタの接続点との電位差である。また、コイル電流Iiv1,Iiv2は、誘導加熱コイルLa,Lb、及びコンデンサCa,Cbに流れる電流である。
出力電圧Viv1,Viv2は、DUTY1/2の矩形波電圧であり、周波数が一致し、振幅は、降圧チョッパ20a,20bのために、互いに異なっている。コイル電流Iiv1,Iiv2は、正弦波電流であり、周波数、及び位相が一致している。
自己インダクタンスL1,L2、及び等価抵抗値R1,R2は、誘導負荷であるため、正弦波電流は、基本波電圧よりも位相角Θiv1,Θiv2が遅れている。なお、基本波電圧の周波数が高くなるほど位相遅れが増加するが、高調波電流は、共振状態とならないため、ほとんど流れない。
また、歪波電圧電流の有効電力Peffは、高調波電流が流れないので、基本波電圧V1、基本波電流I1、基本波電圧V1と基本波電流I1との位相角Θ1として、
Peff=V1・I1・cosΘ1
で表現される。したがって、歪波電圧である矩形波電圧でLCRの直列共振回路を駆動したときの有効電力Peffは、基本波の有効電力で表される。
制御回路40は、降圧チョッパ20a,20bのトランジスタTr、及び逆変換装置30a,30bのトランジスタQ1,Q2,Q3,Q4のゲート信号を生成する回路であり、このゲート信号を個別に制御(即ち、直流電圧Vdc1,Vdc2や矩形波電圧位相の個別制御)し、駆動周波数の変更やコイル電流の個別制御により、出力の位相角Θiv1,Θiv2を前記した最適な位相角範囲に制御する。制御回路40は、制御部としてのCPU(Central Processing Unit)等で構成されており、CPUがプログラムを実行することにより機能が実現される。また、制御回路40は、降圧チョッパ20a,20bの直流電圧Vdc(Vdc1,Vdc2)、及び逆変換装置30a,30bの出力電流Iiv1,Iiv2の大きさ、及び位相角Θiv1,Θiv2を出力位相角として測定可能である。
(参考例)
前記実施形態は、トランジスタQ1,Q2,Q3,Q4のゲートパルスの位置を制御して、コイル電流の位相を揃えていたが、一のゾーンの誘導加熱コイルLaに、他のゾーンの誘導加熱コイルLbから到来する相互誘導電圧の位相と、誘導加熱コイルLa、コンデンサCa、及び等価抵抗からなる共振回路の位相とを一致させてもコイル電流の位相を揃えることができる。
図7は、参考例の電圧型インバータ、及び電流型インバータの等価回路図であり、図7(a)は、一のインバータ側の等価回路図であり、図7(b)は、他のインバータ側の等価回路図であり、図7(c)は、電流型インバータの等価回路図である。
図7(a)の等価回路図において、コンデンサCaのインピーダンスは、−jXc1で示され、誘導加熱コイルLaのインピーダンスは、jXl1で示され、等価抵抗は、抵抗値R1で示されている。インバータEiv1に接続される共振回路のインピーダンスZ1は、無効分が(−jXc1+jXl1)であり、有効分がR1である。また、このインピーダンスZ1は、j(|Z1|・sinΘiv1)+|Z1|・cosΘiv1と表現することができる。ここで、
|Z1|={(Xl1−Xc1)+R10.5
である。また、誘導加熱コイルLaに誘起する相互誘導電圧Vm21は、誘導加熱コイルLbに流れる電流をIiv2とし、相互誘導リアクタンスXm=ωMとしたとき、
Vm21=Iiv2・(jXm+Rm)=Iiv2・(jωM+Rm)
=Iiv2・|Zm|・(cosΘm+jsinΘm)
である。ここで、|Zm|=(Rm+Xm0.5
図7(b)の等価回路図において、コンデンサCbのインピーダンスは、−jXc2で示され、誘導加熱コイルLbのインピーダンスは、jXl2で示され、等価抵抗は、抵抗値R2で示されている。インバータEiv2に接続される共振回路のインピーダンスZ2は、無効分が(−jXc2+jXl2)であり、有効分がR2である。また、このインピーダンスZ2は、j(|Z2|・sinΘiv2)+|Z2|・cosΘiv2と表現することができる。ここで、
|Z2|={(Xl2−Xc2)+R20.5
である。また、誘導加熱コイルLbに誘起する相互誘導電圧Vm12は、誘導加熱コイルLaに流れる電流をIiv1とし、相互誘導リアクタンスXm=ωMとしたとき、
Vm12=Iiv1・(jXm+Rm)=Iiv1・(jωM+Rm)
=Iiv1・|Zm|・(cosΘm+jsinΘm)
である。ここで、|Zm|=(Rm+Xm0.5
図7(a)(b)において、Θiv1=Θm=Θiv2になるように制御すれば、誘導加熱コイルLa,LbのリアクタンスXl1,Xl2や自己インダクタンスL1,L2が互いに異なっても、コイル電流Iiv1,Iiv2の位相が一致する。
図7(c)は、電流型インバータの等価回路図である。
電流Iiv1を流す電流源は、両端がインピーダンス−jXc1のコンデンサに接続され、並列接続された一端がインピーダンス(jXl1+R1)と相互誘導電圧Vm21を発生する電圧源の一端とが接続され、並列接続された他端と電圧源の他端とが接続される。なお、Vm21=Iiv2×Zm(cosΘm+jsinΘm)である。
このとき、コンデンサと誘導加熱コイルとのインピーダンス(jXl1−jXc1)は、j(|Z1|・sinΘiv1)で表現され、等価抵抗R1のインピーダンスは、|Z1|・cosΘiv1で表現される。
電流源の電流Iiv1と電圧Viv1との位相位相角(電源位相)Θiv1は、負荷位相Θmと同一になる。
(変形例)
本発明は前記した実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のような種々の変形が可能である。
(1)前記実施形態は、逆変換装置のスイッチング素子としてIGBTを使用したが、FET(Field Effect Transistor)やバイポーラトランジスタ等のトランジスタを使用することもできる。
(2)前記実施形態は、逆変換装置に直流電力を供給するために、直流電圧から電圧を降下させる降圧チョッパ20a,20bを使用したが、商用電源から順変換装置を用いて直流電圧を発生させることもできる。また、商用電源には三相電源のみならず単相電源も使用することができる。
(3)前記実施形態は、全ての誘導加熱コイルLa,Lbに対応する逆変換装置30a,30bには、共通の直流電圧Vdcの電力を供給したが、最大加熱量が必要な誘導加熱コイルと、この誘導加熱コイルに対応する逆変換装置を追加して、追加した逆変換装置に直流電圧Vmaxの電力を供給し、逆変換装置30a,30bに直流電圧Vdcの電力を供給することもできる。
(4)前記実施形態の誘導加熱装置100は、2つの誘導加熱コイルLa,Lb、2つの2つの降圧チョッパ20a,20b、逆変換装置30a,30bを用いていたが、さらに複数の誘導加熱コイル、降圧チョッパや逆変換装置を用いることができる。
10 整流・平滑回路
20,20a,20b 降圧チョッパ(DC/DC変換器)
30,30a,30b 逆変換装置(共振型インバータ)
40 制御回路
100 誘導加熱装置
La,Lb 誘導加熱コイル
Ca,Cb 共振コンデンサ
C1,C2 キャパシタンス
L1,L2 自己インダクタンス
R1,R2 等価抵抗
E1,E2 電圧源
M 相互誘導インダクタンス
−Mc 逆結合インダクタ
Rm 相互誘導抵抗
C00,C01 電解コンデンサ
Tr,Q1,Q2,Q3,Q4 IGBT(スイッチング素子)
D1,D2,D3,D4,D5,D6 転流ダイオード
DCL チョークコイル
Vdc1,Vdc2 直流電圧
Vm21,Vm12 相互誘導電圧

Claims (6)

  1. 相互誘導環境の複数の誘導加熱コイルの各々に給電する共振型インバータを複数備える誘導加熱装置において、
    前記共振型インバータの駆動周波数を共通にして、複数の前記共振型インバータの出力位相角が所定範囲に入るように、前記駆動周波数を共通に制御する制御回路を備えることを特徴とする誘導加熱装置。
  2. 請求の範囲第1項に記載の誘導加熱装置において、
    前記制御回路は、複数の前記共振型インバータの出力位相角が所定範囲に入るように、前記駆動周波数を共通に制御するとともに前記誘導加熱コイルに流れるコイル電流を個別に制御する、又は、コイル電流だけを制御することを特徴とする誘導加熱装置。
  3. 請求の範囲第2項に記載の誘導加熱装置において、
    前記制御回路は、各々の前記コイル電流の位相を一致させることを特徴とする誘導加熱装置。
  4. 相互誘導環境の複数の誘導加熱コイルの各々に給電する共振型インバータを複数備える誘導加熱装置の制御方法において、
    駆動周波数を共通にして、複数の前記共振型インバータの出力位相角が所定範囲に入るように、前記駆動周波数を共通に制御することを特徴とする誘導加熱装置の制御方法。
  5. 相互誘導環境の複数の誘導加熱コイルの各々に給電する共振型インバータを複数備える誘導加熱装置の制御方法において、
    前記制御回路は、複数の前記共振型インバータの出力位相角が所定範囲に入るように、前記駆動周波数を共通に制御するとともに、前記誘導加熱コイルに流れるコイル電流を個別に制御することを特徴とする誘導加熱装置の制御方法。
  6. 請求の範囲第4項又は請求の範囲第5項に記載の誘導加熱装置の制御方法を前記共振型インバータを制御するコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
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