JPWO2014069526A1 - 誘導加熱装置、誘導加熱装置の制御方法、及びプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
なお、特許文献1に記載の技術は、ユニットの共通化、不規則な負荷変動の回避のために(段落0007参照)、周波数スイープを行っている。
図1は、本発明の第1実施形態に係る誘導加熱装置を使用する半導体加熱装置の概略図である。
誘導加熱装置としてのRTA(Rapid Thermal Anneal)装置(半導体加熱装置)は、複数の誘導加熱コイルLa,Lbが凹部に埋設された耐熱板と、この耐熱板の表面に設けられた共通の発熱体と、複数(2つ)の逆変換装置としてのインバータ30(30a,30b)とを備え、複数の誘導加熱コイルLa,Lbにより、発熱体を2ゾーンに分割加熱するように構成されている。このRTA装置は、誘導加熱コイルLa,Lbの各々が高周波磁束を発生し、この高周波磁束が、例えばカーボングラファイト(以下、単にグラファイトという。)で形成された発熱体に渦電流を流し、この渦電流がグラファイトの抵抗成分に流れることによって、発熱体が発熱するように構成されている。この発熱体の輻射熱は、被加熱物であるガラス基板やウェハを加熱する。なお、半導体の熱処理においては、この加熱は減圧雰囲気中や不活性雰囲気中(例えば、窒素雰囲気中)で行われる。
誘導加熱コイルLa,Lbは、自己インダクタンスL1,L2を有し、グラファイトの渦電流による等価抵抗(等価抵抗値R1,R2)を有している。つまり、誘導加熱コイルLa、及びコンデンサCaの直列回路は、キャパシタンスC1のコンデンサと、自己インダクタンスL1のインダクタと、等価抵抗値R1の抵抗器との直列共振回路で表現される。そして、この直列共振回路は、電圧源Eiv1の電圧Viv1と、誘導加熱コイルLbからの相互誘導電圧Vm21との差分電圧が印加される。また、電圧源Eiv1は、位相角Θiv1の電圧Viv1を発生し、電流Iiv1を流す。前記直列共振回路は、位相角Θs1の電圧降下Vs1を生じる。
ωM>>Rm
であるため、相互誘導抵抗Rmを無視することができる。しかしながら、グラファイトのように高抵抗材料を加熱する場合は、共振尖鋭度Q=ωL/Rが低く、
ωM<Rm
となり、相互誘導抵抗Rmを考慮する必要がある。
Θm=tan−1(ωM/Rm)
である。この位相角Θmを自己共振回路の位相角Θs=tan−1{(ωL−1/ωC)/Rs}とほぼ同じにして、Θm≒Θsにする。これにより、ゲートパルスが無制御でも、
Θiv≒Θs≒Θm
になる。金属では、ωM>>Rmであり、グラファイトでは、ωM≒Rmの場合もある。しかしながら、コイルとグラファイトとの間のギャップが大きければ、ωM>>になっていく。
Θiv=20度〜30度の高力率の角度にするので、逆結合インダクタ(−Mc)(図3)を装備し、回路全体の相互誘導インダクタンス(M−Mc)を低減する。なお、この場合は、コンデンサCbをインバータ30bの他方の出力側と誘導加熱コイルLbとの間に設ける。
つまり、直列共振回路(C1,L1,R1)の電圧降下Vs1は、
Vs1=Iiv1×{R1+jωL1−j/(ωC1・s1)}=Iiv1×|Zs1|×(cosΘs1+jsinΘs1)
となる。
Vm21=Iiv2×(Rm+jωM)=Iiv2×|Zm21|×(cosΘm21+jsinΘm21)
となる。ここで、
|Zs1|=[R12+{ωL1−1/(ω・C1)}2]−1/2
Θs1=tan−1[{ωL1−1/(ω・C1)}/R1]
|Zm21|={Rm2+(ωM)2}−1/2
Θm21=tan−1{ωM/Rm}
である。
Viv1=|Vs1|(cosΘs1+jsinΘs1)+|Vm21|(cosΘm21+jsinΘm21)
となる。ここで、
|Vs1|=Iiv1×Zs1
|Vm21|=Iiv2×|Zm21|
である。
図4A乃至図4Dは、誘導加熱コイルに印加される電圧波形、及び電流波形の状態1乃至状態4を示す図であり、図4Eは、誘導加熱コイルに印加される電圧波形、及び電流波形の状態4の対応を示す図である。各図共、電圧源Eiv1,Eiv2の電圧Viv1,Viv2は、DUTY1/2の矩形波電圧であり、2つの誘導加熱コイルLa,Lbに流れるコイル電流Iiv1,Iiv2は、位相が一致し、電流同期している。つまり、電圧Viv1,Viv2、及びコイル電流Iiv1,Iiv2の周波数(駆動周波数)は等しい。なお、実線は、矩形波電圧Viv1、及びコイル電流Iiv1を示し、破線は矩形波電圧Viv2、及びコイル電流Iiv2を示す。
逆結合インダクタ(逆結合インダクタンス−Mc)(図3)を設けて、回路全体の相互誘導インダクタンス(M−Mc)が、Θm=tan−1(ωM/Rm)=20度〜30度になるようにする。このため、
ωM/Rm=0.36〜0.58
になる。金属でもグラファイトでも同様である。
Iiv1が大きい場合であり、Iiv2が小さく、相互誘導インダクタンスMが大きいときは、
図4Aに示すように、Iiv1の値よりもIiv2の値が小さいので、相互誘導電圧Vm21が小さくなる。このため、誘導加熱コイルLaが高温になることにより自己インダクタンスL1が低下すると位相角Θiv1が小さくなる。
この状態は、制御回路40(図5)は、インバータ30a,30bの駆動周波数を上昇させて位相角Θiv1を大きくして対応する。
Iiv1が大きい場合であり、Iiv2が小さく、相互誘導インダクタンスMが小さいときは、
a)図4Bに示すように、Iiv1の値よりもIiv2の値が小さいので、相互誘導電圧Vm21の値が小さくなる。このため、高温になることにより自己インダクタンスL1が低下すると位相角Θiv1が負になる。
この状態は、制御回路40(図5)は、インバータ30a,30bの駆動周波数を上昇させて位相角Θiv1を大きくして対応する。
b)Eiv2(図2参照)側の位相角Θiv2が小さくなる。ZVS確保のために、インバータ30a,30bの駆動周波数が上昇させられると、位相角Θiv1が大きくなる。
この場合は、スイッチングロス対策のために、制御回路40(図5)は、電流が規定値以上(例えば、50%以上)のときに、インバータ30a,30bの駆動周波数を降下させて位相角Θiv1を小さくする。但し、他のゾーン(ゾーン2)で駆動周波数上昇指令があれば、周波数上昇を優先する。
Iiv1が小さい場合であり、Iiv2が大きく、相互誘導インダクタンスMが大きいときは、
図4Cに示すように、Iiv1の値よりもIiv2の値が大きく、相互誘導インダクタンスMが大きいので、相互誘導電圧Vm21が大きくなる。一方、Iiv1が小さいので、直列共振回路の電圧降下Vs1が小さくなる。その結果、Θiv1≒Θm21となる。Θm21が大きい場合には、Θivも大きくなる。
このときは、電流が規定値以上(例えば、50%以上)の場合には、スイッチングロス対策のために、制御回路40(図5)は、インバータ30a,30bの駆動周波数を降下させて位相角Θiv1を小さくする。但し、他のゾーン(ゾーン2)で駆動周波数上昇指令があれば、周波数上昇を優先する。
Iiv1が小さい場合であり、Iiv2が大きく、相互誘導インダクタンスMが小さいときは、
図4Dに示すように、Iiv1の値よりもIiv2の値が大きいので、相互誘導インダクタンスMよりも、相互誘導抵抗Rmが大きく影響し、相互誘導電圧Vm21が大きくなる。一方、Iiv1が小さいので、直列共振回路の電圧降下Vs1が小さくなる。その結果、Θiv1≒Θm21となる。したがって、相互誘導抵抗Rmが大きく、Θm21が小さくなる場合には、Θiv1が小さくなる。
この場合は、ZVS確保のため、制御回路40(図5)は、電流が規定値未満(15%未満)の場合は、電流値だけを増加させ、電流Iiv1が規定値以上(15%以上)の場合は、インバータ30a,30bの駆動周波数だけを上昇させる。
つまり、制御回路40(図5)は、図4Eに示すように、矩形波電圧Viv1を増加させ、電流値(Iiv1)を増加させることにより、Θiv1が正の値で大きくなる。
(A)位相角20°未満、コイル電流15%未満のとき、例えば、(状態4)は、コイル電流Iivを増加する。
(B)位相角20°未満、コイル電流15%以上のとき、ZVS確保のために、駆動周波数を上昇する。つまり、位相角Θiv1,Θiv2が第1の所定値(20°)未満であり、コイル電流Iiv1,Iiv2の振幅が第2の所定値(15%)以上であるとき、全ての共振型インバータの駆動周波数を上昇する。
(C)位相角20°以上、30°未満のとき、
この条件は、通常状態であるが、温度上昇に伴い、自己インダクタンスL1,L2が小さくなり、位相角Θiv1,Θiv2が小さくなると(例えば、(状態1))、前記した(A)(B)に移行する。
(D)位相角30°以上、コイル電流50%以上のとき(例えば、(状態2)(状態3))、スイッチング損失を少なくするために、全ての共振型インバータの駆動周波数を下降して、位相角を30°未満にする。この30°の値は、定格出力(P=VI×cosΘ)を出力できる位相角である。つまり、出力位相角が第1の所定値(20°)よりも大きい第3の所定値(30°)以上であり、コイル電流の振幅が第2の所定値(15%)よりも大きい第4の所定値(50%)以上であるとき、全ての共振型インバータの駆動周波数を下降する。
(E)位相角30°以上、電流50%未満のとき
パワー半導体素子を適切に選定すれば、連続運転可能である。
以下、周波数一定制御と位相角範囲一定制御との双方で使用可能な位相角リミッタについて、説明する。
(1)最小位相角リミッタ 18°
a)位相角Θiv1,Θiv2が18°未満、コイル電流Iiv1,Iiv2が15%未満の場合に、電流Iiv1,Iiv2を増加する(最大15%まで)
b)位相角Θiv1,Θiv2が18°未満、コイル電流Iiv1,Iiv2が15%以上の場合には、駆動周波数だけを上げる。
a)位相角Θiv1,Θiv2が45°以上、コイル電流Iiv1,Iiv2が50%以上の場合に、駆動周波数を下げる。但し、位相角18°未満、コイル電流15%以上の場合の周波数上昇させて、位相角が45°以上になった場合には、駆動周波数を上げる。
(3)異常領域 (何れかのゾーンが、下記で駆動停止)
a)所定値以上のIivで、位相角が14°以下で瞬時全停止
b)コイル電流Iiv1,Iiv2が50%以上で、位相角Θiv1,Θiv2が45°以上なら15秒経過で全停止
c)コイル電流Iiv1,Iiv2が75%以上で、位相角Θiv1,Θiv2が75°以上なら5秒経過で全停止
図5において、誘導加熱装置100は、整流・平滑回路10と、降圧チョッパ20a,20bと、複数の逆変換装置(インバータ)30a,30bと、コンデンサCa,Cb(キャパシタンスC1,C2)、及び誘導加熱コイルLa,Lb(自己インダクタンスL1,L2、等価抵抗値R1,R2の抵抗器)の直列回路と、制御回路40とを備えて構成され、各々の誘導加熱コイルLa,Lbが、高周波磁束を発生することにより、共通の発熱体(例えば、グラファイト)(図2)に渦電流を流し、この発熱体を発熱させるものである。つまり、各々の逆変換装置30a,30bは、共振コンデンサCa,Cbと共に、誘導加熱コイルLa,Lbを共振させる共振型インバータとして機能する。
さらに、逆変換装置30a,30bは、スイッチングロスを低減するために、誘導加熱コイルLa,Lbの自己インダクタンスL1,L2と、直列接続されたコンデンサCaのキャパシタンスC1,C2との共振周波数よりも、駆動周波数を高くして共振電流位相遅れモードで駆動するようになっている。
逆変換装置30a,30bの出力電圧Viv1,Viv2は、トランジスタQ1のエミッタ、及びトランジスタQ2のコレクタの接続点と、トランジスタQ3のエミッタ、及びトランジスタQ4のコレクタの接続点との電位差である。また、コイル電流Iiv1,Iiv2は、誘導加熱コイルLa,Lb、及びコンデンサCa,Cbに流れる電流である。
自己インダクタンスL1,L2、及び等価抵抗値R1,R2は、誘導負荷であるため、正弦波電流は、基本波電圧よりも位相角Θiv1,Θiv2が遅れている。なお、基本波電圧の周波数が高くなるほど位相遅れが増加するが、高調波電流は、共振状態とならないため、ほとんど流れない。
Peff=V1・I1・cosΘ1
で表現される。したがって、歪波電圧である矩形波電圧でLCRの直列共振回路を駆動したときの有効電力Peffは、基本波の有効電力で表される。
前記実施形態は、トランジスタQ1,Q2,Q3,Q4のゲートパルスの位置を制御して、コイル電流の位相を揃えていたが、一のゾーンの誘導加熱コイルLaに、他のゾーンの誘導加熱コイルLbから到来する相互誘導電圧の位相と、誘導加熱コイルLa、コンデンサCa、及び等価抵抗からなる共振回路の位相とを一致させてもコイル電流の位相を揃えることができる。
図7は、参考例の電圧型インバータ、及び電流型インバータの等価回路図であり、図7(a)は、一のインバータ側の等価回路図であり、図7(b)は、他のインバータ側の等価回路図であり、図7(c)は、電流型インバータの等価回路図である。
|Z1|={(Xl1−Xc1)2+R12}0.5
である。また、誘導加熱コイルLaに誘起する相互誘導電圧Vm21は、誘導加熱コイルLbに流れる電流をIiv2とし、相互誘導リアクタンスXm=ωMとしたとき、
Vm21=Iiv2・(jXm+Rm)=Iiv2・(jωM+Rm)
=Iiv2・|Zm|・(cosΘm+jsinΘm)
である。ここで、|Zm|=(Rm2+Xm2)0.5
|Z2|={(Xl2−Xc2)2+R22}0.5
である。また、誘導加熱コイルLbに誘起する相互誘導電圧Vm12は、誘導加熱コイルLaに流れる電流をIiv1とし、相互誘導リアクタンスXm=ωMとしたとき、
Vm12=Iiv1・(jXm+Rm)=Iiv1・(jωM+Rm)
=Iiv1・|Zm|・(cosΘm+jsinΘm)
である。ここで、|Zm|=(Rm2+Xm2)0.5
電流Iiv1を流す電流源は、両端がインピーダンス−jXc1のコンデンサに接続され、並列接続された一端がインピーダンス(jXl1+R1)と相互誘導電圧Vm21を発生する電圧源の一端とが接続され、並列接続された他端と電圧源の他端とが接続される。なお、Vm21=Iiv2×Zm(cosΘm+jsinΘm)である。
このとき、コンデンサと誘導加熱コイルとのインピーダンス(jXl1−jXc1)は、j(|Z1|・sinΘiv1)で表現され、等価抵抗R1のインピーダンスは、|Z1|・cosΘiv1で表現される。
本発明は前記した実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のような種々の変形が可能である。
(1)前記実施形態は、逆変換装置のスイッチング素子としてIGBTを使用したが、FET(Field Effect Transistor)やバイポーラトランジスタ等のトランジスタを使用することもできる。
(2)前記実施形態は、逆変換装置に直流電力を供給するために、直流電圧から電圧を降下させる降圧チョッパ20a,20bを使用したが、商用電源から順変換装置を用いて直流電圧を発生させることもできる。また、商用電源には三相電源のみならず単相電源も使用することができる。
(4)前記実施形態の誘導加熱装置100は、2つの誘導加熱コイルLa,Lb、2つの2つの降圧チョッパ20a,20b、逆変換装置30a,30bを用いていたが、さらに複数の誘導加熱コイル、降圧チョッパや逆変換装置を用いることができる。
20,20a,20b 降圧チョッパ(DC/DC変換器)
30,30a,30b 逆変換装置(共振型インバータ)
40 制御回路
100 誘導加熱装置
La,Lb 誘導加熱コイル
Ca,Cb 共振コンデンサ
C1,C2 キャパシタンス
L1,L2 自己インダクタンス
R1,R2 等価抵抗
E1,E2 電圧源
M 相互誘導インダクタンス
−Mc 逆結合インダクタ
Rm 相互誘導抵抗
C00,C01 電解コンデンサ
Tr,Q1,Q2,Q3,Q4 IGBT(スイッチング素子)
D1,D2,D3,D4,D5,D6 転流ダイオード
DCL チョークコイル
Vdc1,Vdc2 直流電圧
Vm21,Vm12 相互誘導電圧
Claims (6)
- 相互誘導環境の複数の誘導加熱コイルの各々に給電する共振型インバータを複数備える誘導加熱装置において、
前記共振型インバータの駆動周波数を共通にして、複数の前記共振型インバータの出力位相角が所定範囲に入るように、前記駆動周波数を共通に制御する制御回路を備えることを特徴とする誘導加熱装置。 - 請求の範囲第1項に記載の誘導加熱装置において、
前記制御回路は、複数の前記共振型インバータの出力位相角が所定範囲に入るように、前記駆動周波数を共通に制御するとともに前記誘導加熱コイルに流れるコイル電流を個別に制御する、又は、コイル電流だけを制御することを特徴とする誘導加熱装置。 - 請求の範囲第2項に記載の誘導加熱装置において、
前記制御回路は、各々の前記コイル電流の位相を一致させることを特徴とする誘導加熱装置。 - 相互誘導環境の複数の誘導加熱コイルの各々に給電する共振型インバータを複数備える誘導加熱装置の制御方法において、
駆動周波数を共通にして、複数の前記共振型インバータの出力位相角が所定範囲に入るように、前記駆動周波数を共通に制御することを特徴とする誘導加熱装置の制御方法。 - 相互誘導環境の複数の誘導加熱コイルの各々に給電する共振型インバータを複数備える誘導加熱装置の制御方法において、
前記制御回路は、複数の前記共振型インバータの出力位相角が所定範囲に入るように、前記駆動周波数を共通に制御するとともに、前記誘導加熱コイルに流れるコイル電流を個別に制御することを特徴とする誘導加熱装置の制御方法。 - 請求の範囲第4項又は請求の範囲第5項に記載の誘導加熱装置の制御方法を前記共振型インバータを制御するコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
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