JP2014225366A - 誘導加熱装置、誘導加熱装置の制御方法、及びプログラム - Google Patents
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Abstract
【課題】位相同期制御をすることなく各々の誘導加熱コイルに流れる電流の位相を揃える。
【解決手段】相互誘導環境の複数の誘導加熱コイルLa,Lbの各々に給電する共振型インバータ20a,20bを複数備える誘導加熱装置100bにおいて、前記共振型インバータに接続された共振回路L1,C1,R1のインピーダンスの位相角と相互誘導で到来する相互誘導電圧Vm21の位相角とを略等しく設定する。
【選択図】図5
【解決手段】相互誘導環境の複数の誘導加熱コイルLa,Lbの各々に給電する共振型インバータ20a,20bを複数備える誘導加熱装置100bにおいて、前記共振型インバータに接続された共振回路L1,C1,R1のインピーダンスの位相角と相互誘導で到来する相互誘導電圧Vm21の位相角とを略等しく設定する。
【選択図】図5
Description
本発明は、複数の誘導加熱コイルを用いた誘導加熱装置、誘導加熱装置の制御方法、及びプログラムに関する。
金属部品や半導体素子等の被加熱物を熱処理する熱処理装置は、熱ひずみ等の問題から被加熱物の表面温度差をできるだけ小さく制御する必要がある。そこで、誘導加熱コイルを複数に分割して、分割された誘導加熱コイルごとに個別に高周波電源装置(例えば、インバータ)を接続して電力制御を行う誘導加熱装置が広く用いられている。ところが、分割された誘導加熱コイルは、互いに近接しているので、相互誘導電圧が発生する状態となる。そのため、各インバータが相互誘導インダクタンスMを介して並列運転される状態となる。すなわち、各インバータの電流位相のズレによって、分割された誘導加熱コイル間で磁界に位相差が生じるため、隣接する誘導加熱コイルの境界付近での磁界が弱まり、誘導加熱電力による発熱密度が低下する。その結果、被加熱物の表面に温度ムラが生じるおそれがある。
そこで、隣接する誘導加熱コイル間に相互誘導電圧が生じて相互誘導が存在する状況下でも、分割された誘導加熱コイルの境界付近で発熱密度が低下しないようにして、誘導加熱電力の適正な制御を行う「ゾーンコントロール誘導加熱(Zone Controlled Induction Heating:ZCIH)」の技術が発明者等によって提案された(例えば、特許文献1参照)。このZCIHの技術は、複数の電源ユニットを備え、各電源ユニットは、降圧チョッパと電圧形インバータ(以下、単にインバータという)とを備えて構成されている。そして、複数の電力供給ゾーンに分割された各電源ユニットは、分割されたそれぞれの誘導加熱コイルに個別に接続されて電力供給を行っている。
このとき、ZCIHの技術は、各電源ユニットにおけるそれぞれのインバータの電流同期制御(つまり、電流位相の同期制御)によって、各インバータに流れる電流位相を同期させている。また、インバータの電流同期制御は、分割されたそれぞれの誘導加熱コイルに流れる電流位相を同期させることにより、各誘導加熱コイルの境界付近で誘導加熱電力による発熱密度が急激に低下しないようにしている。さらに、ゾーンコントロール誘導加熱制御は、各電源ユニットの降圧チョッパがそれぞれのインバータの入力電圧を制御し、各インバータの電流振幅制御を行い、各誘導加熱コイルへ供給する誘導加熱電力の制御を行っている。
特許文献2に記載の誘導加熱装置は、過熱コイルと直列にコンデンサを接続し、電流共振型逆変換装置を構成すると共に、インバータの出力電流の位相が平均位相より進んでいる場合、基準周波数より低い周波数のゲートパルスを生成して、このゲートパルスを対応するインバータに与え、インバータの出力電流の位相が平均位相より遅れている場合、基準周波数より高い周波数のゲートパルスインバータに与えている。
また、特許文献3に記載の誘導加熱装置は、過熱コイルと直列にコンデンサを接続し、電流共振逆変換装置を構成すると共に、全インバータに対して単一の降圧チョッパを接続することにより、ZVS(Zero Voltage Switching)を実現し、転流ダイオードのリカバリ損失を低減していた。
特許文献1,2の技術は、電力制御のために各インバータの前段に降圧チョッパを備え、特許文献3の技術は、全インバータの前段に単一の降圧チョッパを備えている。この降圧チョッパは、ZVSが困難であるので、発熱や効率が問題となり、結果的に、装置が大がかりになるという問題があった。
また、従来の誘導加熱装置は、駆動周波数を可変したり、位相角を可変したりして相互誘導電圧の位相角が変化するように構成されていた。
また、従来の誘導加熱装置は、駆動周波数を可変したり、位相角を可変したりして相互誘導電圧の位相角が変化するように構成されていた。
そこで、本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、相互誘導電圧の位相角を固定値にした状態で、各々の誘導加熱コイルに流れる電流の位相を揃えることができる誘導加熱装置、誘導加熱装置の制御方法、及びプログラムを提供することを目的とする。
前記目的を達成するため、本発明の手段は、相互誘導環境の複数の誘導加熱コイルの各々に給電する共振型インバータを複数備える誘導加熱装置において、前記共振型インバータに接続された共振回路のインピーダンスの位相角と相互誘導で到来する相互誘導電圧の位相角とを略等しく設定することを特徴とする。
グラファイトのような高抵抗材料を加熱する場合において、共振尖鋭度Q=ωL/Rが低いときは、相互誘導電圧は、相互誘導インダクタンスによる無効分と相互誘導抵抗による有効分との双方が発生する。つまり、相互誘導電圧の位相角は、電流に対してπ/2の整数倍にはならない。また、無効分の相互誘導電圧は、周波数に依存するため、共振型インバータに接続された共振回路のインピーダンスの位相角と相互誘導で到来する相互誘導電圧の位相角とが略等しくなる駆動周波数(特定周波数F0)が存在する。制御回路は、この特定周波数F0に設定し、高力率状態にすることにより、各々の誘導加熱コイルに流れる電流の位相を略一致させることができる。つまり、位相同期制御は、原則的に不要となる。このため、ZVSが困難であり、非効率な降圧チョッパを用いることなく、逆変換回路(インバータ)に印加される直流電圧を共通にした状態で、ON/OFF制御により各々の誘導加熱コイルに供給する有効電力を制御することができる。また、連動運転するときと単独運転するときとで、出力位相角ΔΘが略等しくなり、単独運転時の有効出力電力が大きくなる。このとき、出力位相角ΔΘは、ZVSを確保できる最小位相角(約30°)にすることができ、ON/OFF制御に好都合である。
一方、駆動周波数Fを前記特定周波数F0よりも高めて、低力率運転する場合は、全ての共振型インバータを連動運転するときと、各々の共振型インバータを単独運転するときとで、共振型インバータ相互間の有効出力電力Pを近付けることができる。つまり、駆動周波数を単独運転時電力と連動運転時電力とを近づける方向に移動(変更)することにより、この低力率運転と前記した高力率運転とを切り換えて、運転することもできる。つまり、単独運転時に有効出力電力が大きい高力率運転と共振型インバータ相互間で有効出力電力とを近づけた低力率運転とを切り換えることができるので、各ゾーンの加熱量の自由度が向上する。なお、低力率運転の場合は、出力位相角ΔΘが最小位相角にならないので、位相同期制御することが好ましい。
本発明によれば、相互誘導電圧の位相角を固定値にした状態で、各々の誘導加熱コイルに流れる電流の位相を揃えることができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態(以下、「本実施形態」と称する)につき詳細に説明する。なお、各図は、本発明を十分に理解できる程度に、概略的に示してあるに過ぎない。よって、本発明は、図示例のみに限定されるものではない。また、各図において、共通する構成要素や同様な構成要素については、同一の符号を付し、それらの重複する説明を省略する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る誘導加熱装置の構成図である。
誘導加熱装置100(100a)は、カーボングラファイトからなる円筒状の発熱体と、該発熱体を軸方向の6個のゾーン(1Z,2Z,・・・,6Z)に分割し、各ゾーンに巻回した6個の誘導加熱コイル5a,5b,5c,・・・,5fと、整合手段・逆結合インダクタ(−M)30a,30b,・・・・,30fを介して、各誘導加熱コイルを駆動する逆変換回路20a,20b,・・・,20fと、各逆変換回路(インバータ)に共通の直流電圧Vdcを印加する順変換回路10と、順変換回路10及び各逆変換回路20(20a,20b,・・・,20f)を制御する制御回路40aとを備える。そして、円筒状の発熱体は、被加熱媒体である金属製品等を内部に載置するようになっている。なお、順変換回路10と、複数の逆変換回路20a,20b,・・・,20fとで、誘導加熱用電源装置50を構成し、誘導加熱用電源装置50はZCIHインバータとも称する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る誘導加熱装置の構成図である。
誘導加熱装置100(100a)は、カーボングラファイトからなる円筒状の発熱体と、該発熱体を軸方向の6個のゾーン(1Z,2Z,・・・,6Z)に分割し、各ゾーンに巻回した6個の誘導加熱コイル5a,5b,5c,・・・,5fと、整合手段・逆結合インダクタ(−M)30a,30b,・・・・,30fを介して、各誘導加熱コイルを駆動する逆変換回路20a,20b,・・・,20fと、各逆変換回路(インバータ)に共通の直流電圧Vdcを印加する順変換回路10と、順変換回路10及び各逆変換回路20(20a,20b,・・・,20f)を制御する制御回路40aとを備える。そして、円筒状の発熱体は、被加熱媒体である金属製品等を内部に載置するようになっている。なお、順変換回路10と、複数の逆変換回路20a,20b,・・・,20fとで、誘導加熱用電源装置50を構成し、誘導加熱用電源装置50はZCIHインバータとも称する。
この誘導加熱装置100は、誘導加熱コイル5a,5b,・・・,5fの各々が高周波磁束を発生し、この高周波磁束が、グラファイトで形成された発熱体に渦電流を流し、この渦電流がグラファイト(抵抗成分)に流れることによって、発熱体が発熱するように構成されている。
図2は、誘導加熱コイルが2つの場合の動作原理を説明するための説明図である。
なお、この説明図は、整合手段の基本原理を説明するために、逆結合インダクタ(−M)を省略している。
誘導加熱装置100bは、共通する発熱体に対して、二つのゾーン(1Z,2Z)に分割されて巻回されている誘導加熱コイル5a,5bと、誘導加熱コイル5a,5bに直列接続されたコンデンサ6a,6bと、これらの直列回路を駆動する逆変換回路20a,20bとを備えている。ここで、コンデンサ6a,6bは、双方が同一キャパシタンスC2=C1に予め設定されている。また、誘導加熱コイル5a,5bは、近接配置されており、コイル間相互誘導(相互誘導インダクタンスM)により誘導結合されている。なお、逆変換回路20aは、出力電圧Viv1のとき、誘導加熱コイル5aに出力電流Iiv1を流し、逆変換回路20bは、出力電圧Viv2のとき、誘導加熱コイル5bに出力電流Iiv2を流す。また、逆変換回路20a,20bは、コンデンサ6a,6bと共に、誘導加熱コイル5a,5bを共振させる共振型インバータとして機能する。
なお、この説明図は、整合手段の基本原理を説明するために、逆結合インダクタ(−M)を省略している。
誘導加熱装置100bは、共通する発熱体に対して、二つのゾーン(1Z,2Z)に分割されて巻回されている誘導加熱コイル5a,5bと、誘導加熱コイル5a,5bに直列接続されたコンデンサ6a,6bと、これらの直列回路を駆動する逆変換回路20a,20bとを備えている。ここで、コンデンサ6a,6bは、双方が同一キャパシタンスC2=C1に予め設定されている。また、誘導加熱コイル5a,5bは、近接配置されており、コイル間相互誘導(相互誘導インダクタンスM)により誘導結合されている。なお、逆変換回路20aは、出力電圧Viv1のとき、誘導加熱コイル5aに出力電流Iiv1を流し、逆変換回路20bは、出力電圧Viv2のとき、誘導加熱コイル5bに出力電流Iiv2を流す。また、逆変換回路20a,20bは、コンデンサ6a,6bと共に、誘導加熱コイル5a,5bを共振させる共振型インバータとして機能する。
また、図2において、逆変換回路20aは、電圧Viv1を発生し、電流Iiv1をコンデンサ6a、及び誘導加熱コイル5aに流し、逆変換回路20bは電圧Viv2を発生し、電流Iiv2を流す。コイル間相互誘導(M)は、誘導加熱コイル5bに流れる電流Iiv2により誘導加熱コイル5aに誘起する無効分誘起電圧を表現したものである。なお、誘導加熱コイル5bに流れる電流Iiv2と誘導加熱コイル5aに誘起する無効分相互誘導電圧との比jωM21は、誘導加熱コイル5aに流れる電流Iiv1と誘導加熱コイル5bに誘起する無効分相互誘導電圧との比jωM12に等しい。
図3は、本実施形態の電圧型インバータの共振回路の等価回路図であり、図3(a)は、逆変換回路20a側の等価回路図であり、図3(b)は、逆変換回路20b側の等価回路図である。
誘導加熱コイル5a,5b(図2)は、自己インダクタンスがL1,L2であり、発熱体(グラファイト)の渦電流による等価抵抗(等価抵抗値R1,R2)を有している。つまり、誘導加熱コイル5a、及びコンデンサ6aの直列回路は、キャパシタンスC1のコンデンサと、自己インダクタンスL1のインダクタと、等価抵抗値R1の抵抗器との直列共振回路で表現される。また、誘導加熱コイル5b、及びコンデンサ6bの直列回路は、キャパシタンスC1のコンデンサと、自己インダクタンスL2のインダクタと、等価抵抗値R2の抵抗器との直列共振回路で表現される。つまり、誘導加熱コイル5a、及びコンデンサ6aのインピーダンスZs1は、
Zs1=jωL1+R1+1/jωC1
で表現され、誘導加熱コイル5b、及びコンデンサ6bのインピーダンスZs2は、
Zs2=jωL2+R2+1/jωC1
で表現される。
誘導加熱コイル5a,5b(図2)は、自己インダクタンスがL1,L2であり、発熱体(グラファイト)の渦電流による等価抵抗(等価抵抗値R1,R2)を有している。つまり、誘導加熱コイル5a、及びコンデンサ6aの直列回路は、キャパシタンスC1のコンデンサと、自己インダクタンスL1のインダクタと、等価抵抗値R1の抵抗器との直列共振回路で表現される。また、誘導加熱コイル5b、及びコンデンサ6bの直列回路は、キャパシタンスC1のコンデンサと、自己インダクタンスL2のインダクタと、等価抵抗値R2の抵抗器との直列共振回路で表現される。つまり、誘導加熱コイル5a、及びコンデンサ6aのインピーダンスZs1は、
Zs1=jωL1+R1+1/jωC1
で表現され、誘導加熱コイル5b、及びコンデンサ6bのインピーダンスZs2は、
Zs2=jωL2+R2+1/jωC1
で表現される。
また、2つの誘導加熱コイル5a,5bは、互いに近接配置されているので、コイル間相互誘導(相互誘導インダクタンスM)で結合されているが、共通のグラファイトに巻回されている場合には、本願の筆頭発明者は相互誘導抵抗(相互誘導抵抗値Rm)も存在すると考えた。この相互誘導抵抗は、誘導加熱コイル5bに流れる電流Iiv2により誘導加熱コイル5aに誘起する有効分誘起電圧を表現した抵抗である。
また、金属のように低抵抗材料を加熱する場合は、共振尖鋭度Q=ωL/R(ωL1/R1,ωL2/R2)が高く、
ωM>>Rm
であるため、相互誘導抵抗値Rmを無視することができる。しかしながら、グラファイトのように高抵抗材料を加熱する場合は、共振尖鋭度Q=ωL/Rが低く、
ωM<Rm
であるため、相互誘導抵抗値Rmを考慮する必要がある。
具体的には、Rm≒0.25R1、ωM≒0.25ωL1 となっている。
ωM>>Rm
であるため、相互誘導抵抗値Rmを無視することができる。しかしながら、グラファイトのように高抵抗材料を加熱する場合は、共振尖鋭度Q=ωL/Rが低く、
ωM<Rm
であるため、相互誘導抵抗値Rmを考慮する必要がある。
具体的には、Rm≒0.25R1、ωM≒0.25ωL1 となっている。
言い換えれば、誘導加熱コイル5aに流す電流Iiv1は、誘導加熱コイル5aの両端に有効分電圧降下R1・Iiv1を発生させ、グラファイトに発生する渦電流は、誘導加熱コイル5bにも有効分相互誘導電圧Rm・Iiv1を誘起させる。誘導加熱コイル5aには、無効分相互誘導電圧jωM・Iiv2も誘起するので、結果的に、相互誘導電圧Vm21として、無効分相互誘導電圧jωM・Iiv2と有効分相互誘導電圧Rm・Iiv2との双方が誘起する。同様に、誘導加熱コイル5bには、相互誘導電圧Vm12として、無効分相互誘導電圧jωM・Iiv1と有効分相互誘導電圧Rm・Iiv1との双方が誘起する。
ここで、相互誘導インピーダンスZmを
Zm=jωM+Rm
と定義しておく。
ここで、相互誘導インピーダンスZmを
Zm=jωM+Rm
と定義しておく。
つまり、図2に示す誘導加熱装置100bの等価回路は、逆変換回路20aを表現する電圧源Eiv1と誘導加熱コイル5bからの相互誘導電圧Vm21との差分電圧が、コンデンサ6a(キャパシタンスC1)と誘導加熱コイル5a(自己インダクタンスL1のインダクタと等価抵抗値R1の抵抗器との直列回路)とに印加されるように表現される。
また、逆変換回路20bを表現する電圧源Eiv2と誘導加熱コイル5aからの相互誘導電圧Vm12との差分電圧が、コンデンサ6b(キャパシタンスC1)と誘導加熱コイル5b(自己インダクタンスL2のインダクタと等価抵抗値R2の抵抗器との直列回路)とに印加されるように表現される。
また、逆変換回路20bを表現する電圧源Eiv2と誘導加熱コイル5aからの相互誘導電圧Vm12との差分電圧が、コンデンサ6b(キャパシタンスC1)と誘導加熱コイル5b(自己インダクタンスL2のインダクタと等価抵抗値R2の抵抗器との直列回路)とに印加されるように表現される。
また、電圧源Eiv1は、位相角Θiv1の電圧Viv1を発生し、電流Iiv1を流す。直列共振回路5a,6aは、位相角Θs1の電圧降下Vs1=Iiv1・|Zs1|(cosΘs1+jsinΘs1)を生じる。また、電圧源Eiv2は、位相角Θiv2の電圧Viv2を発生し、電流Iiv2を流す。直列共振回路は、位相角Θs2の電圧降下Vs2=Iiv2・|Zs1|(cosΘs2+jsinΘs2)を生じる。
Viv1=Iiv1・|Zs1|(cosΘs1+jsinΘs1)
+Iiv2・|Zm|(cosΘm+jsinΘm) (1)
Viv2=Iiv2・|Zs1|(cosΘs2+jsinΘs2)
+Iiv1・|Zm|(cosΘm+jsinΘm) (2)
+Iiv2・|Zm|(cosΘm+jsinΘm) (1)
Viv2=Iiv2・|Zs1|(cosΘs2+jsinΘs2)
+Iiv1・|Zm|(cosΘm+jsinΘm) (2)
つまり、図3(a)(b)において、誘導加熱コイル5a、及びコンデンサ6aの自己共振回路の位相Θs1=相互誘導電圧の位相Θm21にし、誘導加熱コイル5b、及びコンデンサ6bの自己共振回路の位相Θs2=相互誘導電圧の位相Θm12にすると、Θm21=Θm12=Θmであるので、Θs1=Θs2となる。言い換えれば、他ゾーンから誘起される相互誘導電圧の位相Θmと自己共振回路の位相Θs1,Θs2との加算値が一致する。つまり、逆変換回路に接続された共振回路のインピーダンスの位相角Θs1と相互誘導で到来する相互誘導電圧の位相角Θm12とを略等しくすることにより、全コイル電流領域で逆変換回路20(図2)の出力位相角Θiv1,Θiv2が一定になり、位相同期制御することなくコイル電流Iiv1,Iiv2の位相が一致する。
図4は、誘導加熱装置に逆結合インダクタを追加した場合の説明図である。
図4において、誘導加熱装置100cは、図2に記載の誘導加熱装置100bに逆結合インダクタを追加したものであり、逆変換回路20aと、逆変換回路20aの出力端に一端が接続されたコンデンサ6aと、コンデンサ6aの他端に一端が接続された誘導加熱コイル5aと、逆変換回路20bと、逆変換回路20bの出力端に一端が接続されたコンデンサ6bと、コンデンサ6bの他端に一端が接続された誘導加熱コイル5bと、誘導加熱コイル5a,5bと逆変換装置20a,20bとを接続する各々の接続線の相互間に接続された逆結合インダクタを備える。
図4において、誘導加熱装置100cは、図2に記載の誘導加熱装置100bに逆結合インダクタを追加したものであり、逆変換回路20aと、逆変換回路20aの出力端に一端が接続されたコンデンサ6aと、コンデンサ6aの他端に一端が接続された誘導加熱コイル5aと、逆変換回路20bと、逆変換回路20bの出力端に一端が接続されたコンデンサ6bと、コンデンサ6bの他端に一端が接続された誘導加熱コイル5bと、誘導加熱コイル5a,5bと逆変換装置20a,20bとを接続する各々の接続線の相互間に接続された逆結合インダクタを備える。
ここで、逆結合インダクタ(逆結合インダクタンス−Mc)の両端電圧をVmc21,Vmc12(図5参照)とすると、図3(a)(b)の相互誘導電圧Vm21,Vm12が調整され、Θs1=Θs2=Θmとすることができる。結果的に、逆結合インダクタ(−Mc)は、誘導加熱コイル5aに、誘導加熱コイル5bから到来する相互誘導電圧の位相と、誘導加熱コイル5a、及びコンデンサ6aからなる直列共振回路の位相とが等しくなるようにインダクタンスが調整される。
図5は、誘導加熱コイルが2つの場合であって、逆結合インダクタが接続されたときの誘導加熱装置の構成図である。つまり、図5は、図4に記載の誘導加熱装置100cを具体化したものである。誘導加熱装置100cは、三相の商用電源ACに接続された順変換回路10と、順変換回路10に接続された逆変換回路20a,20bと、逆変換回路20a,20bに各々接続された直列共振回路と、逆変換回路20a,20bを制御する制御回路40(40a)とを備える。
ここで、図1に示したように、直列共振回路は、整合手段・逆結合インダクタ30a,30bと誘導加熱コイル5a,5bとを備えて構成されている。つまり、整合手段・逆結合インダクタ30a,30bは、コンデンサ6a,6bと逆結合インダクタ(−Mc)とを備えて構成されており、絶縁トランスが介在することがあるものである。つまり、逆変換回路20aに接続される直列共振回路は、コンデンサ6aとコイル5aと相互誘導電圧源VmL21と逆結合インダクタ(−Mc)との直列回路で表現される。また、逆変換回路20bに接続される直列共振回路は、逆結合インダクタ(−Mc)とコンデンサ6bとコイル5bと相互誘導電圧源VmL12との直列回路で表現される。
ここで、逆結合インダクタ(−Mc)の両端電圧をVmc21,Vmc12とすると、図3(a)(b)の相互誘導電圧Vm21,Vm12は、Vm21=(VmL21−Vmc21),Vm12=(VmL12+Vmc12)で表現される。つまり、逆結合インダクタ(−Mc)を調整することにより、図3(a)(b)のVm21,Vm12が調整され、VmL21≠VmL12であっても、Θs1=Θs2=Θmとすることができる。
Θ=Θs1=Θs2=Θmと定義すれば、(1)(2)式より、
Viv1=(Iiv1・|Zs1|+Iiv2・|Zm|)・(cosΘ+jsinΘ)
(3)
Viv2=(Iiv2・|Zs2|+Iiv1・|Zm|)・(cosΘ+jsinΘ)
(4)
が成立する。
Viv1=(Iiv1・|Zs1|+Iiv2・|Zm|)・(cosΘ+jsinΘ)
(3)
Viv2=(Iiv2・|Zs2|+Iiv1・|Zm|)・(cosΘ+jsinΘ)
(4)
が成立する。
この誘導加熱装置100bは、逆変換回路20a,20bがDUTY1/2の周波数、及び振幅が一致する矩形波電圧を発生し、この矩形波電圧が直列共振回路5a,6a,(−Mc)と、直列共振回路5b,6b,(−Mc)とに印加される。ここで、逆結合インダクタ(−Mc)により、直列共振回路の位相Θs1,Θs2=相互誘導電圧の位相Θmに設定されているので、誘導加熱装置100bは、逆変換回路20a,20bに流れる電流Iiv1,Iiv2の位相が一致する。
順変換回路10は、三相ブリッジ回路(D1,D2,D3,D4,D5,D6)と、三相ブリッジ回路の直流出力両端に接続された電解コンデンサ7と、電解コンデンサ7に並列接続された保護ダイオードD0とを備え、三相交流電圧を直流電圧Vdcに変換する。
逆変換回路20a,20bは、それぞれ、電解コンデンサ7の両端に並列接続されたコンデンサ8a,8bと、コンデンサ8a,8bの両端の直流電圧Vdcをスイッチングする複数のトランジスタQ1,Q2,Q3,Q4を備え、直流電圧Vdcから、駆動周波数が共通で、電圧が同位相になるように制御されたDUTY1/2の矩形波電圧(高周波電圧)を生成し、コンデンサ6a,6b、及び誘導加熱コイル5a,5bの直列回路に給電する駆動回路である。なお、トランジスタQ1,Q2,Q3,Q4は、フルブリッジ回路を構成し、各アームに逆並列接続された転流ダイオードとを備えている。なお、スイッチング素子としてのトランジスタQ1,Q2,Q3,Q4は、例えば、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)が使用され、FET(Field Effect Transistor)やバイポーラトランジスタを使用することもできる。
制御回路40aは、逆変換回路20a,20bのトランジスタQ1,Q2,Q3,Q4のゲート信号を生成する回路である。制御回路40aは、相互誘導で到来する相互誘導電圧の位相角と直列共振回路(誘導加熱コイル5a、コンデンサ6a、及び逆結合インダクタの直列回路、誘導加熱コイル5b、コンデンサ6b、及び逆結合インダクタの直列回路)のインピーダンスの位相角とが略等しくなる特定の周波数(特定周波数)に到達するまで、直列共振回路の固有共振点(1/(2π(L1・C1)1/2))より高めの起動時の周波数から低下させるように、逆変換回路20a,20bの駆動周波数を制御する。制御回路40は、制御部としてのCPU(Central Processing Unit)等で構成されており、CPUがプログラムを実行することにより機能が実現される。また、制御回路40aは、順変換回路10の直流電圧Vdc、及び逆変換回路20a,20bの出力電流Iiv1,Iiv2の大きさ、及び位相角Θiv1,Θiv2を、出力位相角として測定可能に構成されている。したがって、誘導加熱装置100は、特定周波数で駆動させ高力率運転とすることにより、連動運転時と単独運転時とで出力位相角ΔΘを略一致させることができ、ZVS(Zero Volt Switching)確保が容易となる。
また、逆変換回路20a,20bは、同一の直流電圧Vdcが印加されるので、(1)(2)式において、
|Viv1|=|Viv2|=|Viv|
が成立する。つまり、
Viv=|Viv1|(cosΘ+jsinΘ)=(Iiv1・|Zs1|+Iiv2・|Zm|)・(cosΘ+jsinΘ) (5)
Viv=|Viv2|(cosΘ+jsinΘ)=(Iiv2・|Zs2|+Iiv1・|Zm|)・(cosΘ+jsinΘ) (6)
が成立する。したがって、
|Viv|=(Iiv1・|Zs1|+Iiv2・|Zm|) (7)
|Viv|=(Iiv2・|Zs2|+Iiv1・|Zm|) (8)
となる。この状態で、制御回路40aは、逆変換回路20a,20bのON/OFF制御を行う。電流が自ずと同期するので、制御回路40aは、電流同期制御を行わなくてもよい。
|Viv1|=|Viv2|=|Viv|
が成立する。つまり、
Viv=|Viv1|(cosΘ+jsinΘ)=(Iiv1・|Zs1|+Iiv2・|Zm|)・(cosΘ+jsinΘ) (5)
Viv=|Viv2|(cosΘ+jsinΘ)=(Iiv2・|Zs2|+Iiv1・|Zm|)・(cosΘ+jsinΘ) (6)
が成立する。したがって、
|Viv|=(Iiv1・|Zs1|+Iiv2・|Zm|) (7)
|Viv|=(Iiv2・|Zs2|+Iiv1・|Zm|) (8)
となる。この状態で、制御回路40aは、逆変換回路20a,20bのON/OFF制御を行う。電流が自ずと同期するので、制御回路40aは、電流同期制御を行わなくてもよい。
逆変換回路20a,20bが連動運転するとき、(7)式より、
Iiv1=|Viv|/|Zs1|−Iiv2・|Zm|/|Zs1| (9)
が成立する。逆変換回路20a,20bが単独運転するとき、
Iiv1=|Viv|/|Zs1| (10)
Iiv2=|Viv|/|Zs2| (11)
となる。つまり、単独運転時の方が連動運転時よりも大きな電流Iiv1が流れ、大電力を投入することができる。しかしながら、電力変化が大きすぎて、温度リップルが発生して、目標温度に整定することが困難になるという問題が発生する。
Iiv1=|Viv|/|Zs1|−Iiv2・|Zm|/|Zs1| (9)
が成立する。逆変換回路20a,20bが単独運転するとき、
Iiv1=|Viv|/|Zs1| (10)
Iiv2=|Viv|/|Zs2| (11)
となる。つまり、単独運転時の方が連動運転時よりも大きな電流Iiv1が流れ、大電力を投入することができる。しかしながら、電力変化が大きすぎて、温度リップルが発生して、目標温度に整定することが困難になるという問題が発生する。
ここで、逆変換回路20a,20bの駆動角周波数ωを高くすることを考える。
|Zs1|={R12+(ωL1−1/ωC1)2}1/2
|Zm|={Rm2+(ωM)2}1/2
を(9)式に代入し、ωの値を特定角周波数よりも大きくすれば、
Iiv1≒|Viv|/|Zs1|−Iiv2・M/L1 (12)
に近似する。ここで、M/L1≒0.25なので、単独運転時よりもIiv1が低減する。つまり、制御回路40aは、駆動角周波数ωを逆変換回路に接続された共振回路のインピーダンスの位相角と相互誘導で到来する相互誘導電圧の位相角とが略等しくなる特定角周波数よりも高めて、低力率駆動する。この状態で、制御回路40aは、誘導加熱コイル5a,5bに投入される有効電力をON/OFF制御することにより、温度リップルによる制御の困難性が低減する。つまり、出力位相角が同一値になる特定周波数と、単独運転時電力と連動運転時電力とを近づける方向に遷移した遷移周波数との間を移動させて(切り換えて)運転することができる。なお、条件を最適化すれば、連動運転時の有効出力電力と単独運転時の有効出力電力とが略等しくなるように、駆動周波数ωを設定することもできる。
|Zs1|={R12+(ωL1−1/ωC1)2}1/2
|Zm|={Rm2+(ωM)2}1/2
を(9)式に代入し、ωの値を特定角周波数よりも大きくすれば、
Iiv1≒|Viv|/|Zs1|−Iiv2・M/L1 (12)
に近似する。ここで、M/L1≒0.25なので、単独運転時よりもIiv1が低減する。つまり、制御回路40aは、駆動角周波数ωを逆変換回路に接続された共振回路のインピーダンスの位相角と相互誘導で到来する相互誘導電圧の位相角とが略等しくなる特定角周波数よりも高めて、低力率駆動する。この状態で、制御回路40aは、誘導加熱コイル5a,5bに投入される有効電力をON/OFF制御することにより、温度リップルによる制御の困難性が低減する。つまり、出力位相角が同一値になる特定周波数と、単独運転時電力と連動運転時電力とを近づける方向に遷移した遷移周波数との間を移動させて(切り換えて)運転することができる。なお、条件を最適化すれば、連動運転時の有効出力電力と単独運転時の有効出力電力とが略等しくなるように、駆動周波数ωを設定することもできる。
なお、駆動角周波数ωが共振角周波数ω0=1/(L1・C1)1/2のとき、
|Zs1|=R1
|Zm|/|Zs1|=(Rm/R1)・{1+(ω0M/Rm)2}
となり、(9)式より、連動運転時には、
Iiv1=|Viv|/R1−Iiv2・(Rm/R1)・{1+(ω0M/Rm)2}
の電流が流れる。
|Zs1|=R1
|Zm|/|Zs1|=(Rm/R1)・{1+(ω0M/Rm)2}
となり、(9)式より、連動運転時には、
Iiv1=|Viv|/R1−Iiv2・(Rm/R1)・{1+(ω0M/Rm)2}
の電流が流れる。
図6は、逆変換回路の出力電圧波形、及びコイル電流波形を示す図であり、誘導加熱コイル5b、及びコンデンサ6bの自己共振回路の位相角Θs2=相互誘導電圧の位相角Θm12にした場合である。
図5に示す逆変換回路20a,20bの出力電圧Viv1,Viv2は、トランジスタQ1のエミッタ、及びトランジスタQ2のコレクタの接続点と、トランジスタQ3のエミッタ、及びトランジスタQ4のコレクタの接続点との電位差である。また、インバータ電流Iiv1,Iiv2は、誘導加熱コイル5a,5b、及びコンデンサ6a,6bに流れるコイル電流である。
図5に示す逆変換回路20a,20bの出力電圧Viv1,Viv2は、トランジスタQ1のエミッタ、及びトランジスタQ2のコレクタの接続点と、トランジスタQ3のエミッタ、及びトランジスタQ4のコレクタの接続点との電位差である。また、インバータ電流Iiv1,Iiv2は、誘導加熱コイル5a,5b、及びコンデンサ6a,6bに流れるコイル電流である。
出力電圧Viv1,Viv2は、DUTY比1/2の矩形波電圧であり、周波数、及び振幅が一致している。インバータ電流Iiv1,Iiv2は、正弦波電流であり、周波数、及び振幅が一致し、位相が略一致している。
誘導加熱コイル(自己インダクタンスL1,L2)、及び等価抵抗(等価抵抗値R1,R2)は、誘導負荷であるため、正弦波電流は、基本波電圧よりも位相角Θiv1,Θiv2が所定の位相角範囲(20°から30°)だけ遅れている。つまり、逆変換回路20a,20bは、スイッチングロスを低減するために、誘導加熱コイル5a,5bの自己インダクタンスL1,L2と、直列接続されたコンデンサ6a,6bのキャパシタンスC1,C1との共振角周波数ω0よりも、駆動角周波数を高くして、矩形波電圧の立ち上がりタイミングよりもコイル電流が負から正にゼロクロスするゼロクロス位置の方が遅れる共振電流位相遅れモードで駆動するようになっている。
なお、基本波電圧の周波数が高くなるほど位相遅れが増加するが、高調波電流は、共振状態とならないため、ほとんど流れない。
誘導加熱コイル(自己インダクタンスL1,L2)、及び等価抵抗(等価抵抗値R1,R2)は、誘導負荷であるため、正弦波電流は、基本波電圧よりも位相角Θiv1,Θiv2が所定の位相角範囲(20°から30°)だけ遅れている。つまり、逆変換回路20a,20bは、スイッチングロスを低減するために、誘導加熱コイル5a,5bの自己インダクタンスL1,L2と、直列接続されたコンデンサ6a,6bのキャパシタンスC1,C1との共振角周波数ω0よりも、駆動角周波数を高くして、矩形波電圧の立ち上がりタイミングよりもコイル電流が負から正にゼロクロスするゼロクロス位置の方が遅れる共振電流位相遅れモードで駆動するようになっている。
なお、基本波電圧の周波数が高くなるほど位相遅れが増加するが、高調波電流は、共振状態とならないため、ほとんど流れない。
図6は、逆変換回路20aを運転し、逆変換回路20bを停止する単独運転の場合と、逆変換回路20a、及び逆変換回路20bを連動運転した場合との電圧電流波形を示している。
出力電圧Viv1,Viv2の波形と出力電流Iiv1,Iiv2の波形との間には位相角Θiv1,Θiv2が存在しており、共振電流位相遅れモードになっている。
出力電圧Viv1,Viv2の波形と出力電流Iiv1,Iiv2の波形との間には位相角Θiv1,Θiv2が存在しており、共振電流位相遅れモードになっている。
図6の右側の連動運転の場合(20a&20b運転)、出力電圧Viv1の波形と出力電圧Viv2の波形とが略一致し、出力電流Iiv1の波形と出力電流Iiv2の波形とが略一致している。つまり、連動運転の場合は、電流波形Iiv1,Iiv2は、振幅、及び位相が略一致している。一方、図6の左側の単独運転の場合は(20a運転、20b停止)、出力電圧Viv2、及び出力電流Iiv2が、ほぼゼロになっている。これは、直流リンクの電圧Vdcが相互誘導電圧V12をブロックし、停止ゾーンに共振電流を流さないためである。
本実施形態の誘導加熱装置100によれば、降圧チョッパにより、直流電圧Vdcを微調整することなく、ON/OFF制御により、供給電力を調整している。
このため、降圧チョッパ用のIGBTや、転流ダイオードに起因する問題が無く、高周波平滑リアクトルの損失も無く、大容量化が可能である。ここで、チョッパ用IGBT,転流ダイオードに起因する問題として、
1)降圧チョッパは、ZVSができないので、ON時の高周波スイッチング損失が大きい。
2)降圧チョッパは、ZVSが不可能なため、スイッチングサージが大きくなり、ゲート抵抗の値を大きくする必要がある。
3)ゲート抵抗の値を大きくすると、電流遮断時の損失が大きくなる。
4)サージ電圧によって、EMI問題が発生する。
ことが挙げられる。
また、降圧チョッパは、高価格であり、サイズが大きく、EMI問題が生じるので、大容量には適用できない問題点がある。
このため、降圧チョッパ用のIGBTや、転流ダイオードに起因する問題が無く、高周波平滑リアクトルの損失も無く、大容量化が可能である。ここで、チョッパ用IGBT,転流ダイオードに起因する問題として、
1)降圧チョッパは、ZVSができないので、ON時の高周波スイッチング損失が大きい。
2)降圧チョッパは、ZVSが不可能なため、スイッチングサージが大きくなり、ゲート抵抗の値を大きくする必要がある。
3)ゲート抵抗の値を大きくすると、電流遮断時の損失が大きくなる。
4)サージ電圧によって、EMI問題が発生する。
ことが挙げられる。
また、降圧チョッパは、高価格であり、サイズが大きく、EMI問題が生じるので、大容量には適用できない問題点がある。
また、特許文献3に記載の誘導加熱装置は、降圧チョッパを1台にして、パルス幅を微調整して直流電圧Vdcを可変するパルス幅制御の技術を用いている。このパルス幅制御の技術は、電圧パルス幅を狭くしたときに、電流波形が歪み、電流値制御ができなくなる、ZVSが確保できなくなる、相互誘導電流が逆変換回路に逆流し、電圧波形が歪む等の問題点が生じる。しかしながら、本実施形態のON/OFF制御は、駆動周波数可変範囲でパルス幅が変化するだけなので、このような問題点がない。
また、逆変換回路の出力位相角Θivは、相互誘導電圧の位相角Θm=tan−1(ωM/Rm)で影響を受けるものである。例えば、相互誘導電圧の位相角Θm=30°、単独運転時出力位相角Θiv=45°の場合、ON/OFF運転のとき、逆変換回路の出力位相角Θivは、最小30°、最大45°になる。つまり、ON/OFF制御時に相互誘導電圧が逆変換回路の出力位相角Θivに与える影響が低減され、ZVSが許容する位相角以下にならない、という効果を奏する。また、回生領域に入る90°以上にならない等の効果も奏する。
また、高力率の場合には、(単独運転時電力/連動運転時電力)の値が極めて大きくなる。ON/OFF制御時には、単独運転/連動運転が繰り返されるので、供給電力変動になる。この供給電力変動は、インバータ用デバイス(IGBT)の過電流、ON/OFF制御における過大な温度脈動の原因になる。
以上説明したように、本実施形態によれば、複数の逆変換回路の出力電圧を共通にした状態で、出力電流の位相角Θivが略一致するので、逆変換回路間で相互誘導による循環電流が流れない。このため、ON/OFF制御により、各誘導加熱コイルに供給される有効出力電力を制御できる。
5,5a,5b,…,5f 誘導加熱コイル
6,6a,6c,…,6f コンデンサ
7 電解コンデンサ
8a,8b コンデンサ
10 順変換回路(順変換装置)
20,20a,・・・,20f 逆変換回路(逆変換装置,共振型インバータ)
30,30a,・・・,30f 整合手段・逆結合インダクタ
40,40a,40b 制御回路
50 誘導加熱用電源装置
100,100a,100b,100c 誘導加熱装置
C1,C2,C3 キャパシタンス
L1,L2,L3 自己インダクタンス
R1,R2,R3 等価抵抗値
Eiv1,Eiv2 電圧源
M 相互誘導インダクタンス
−Mc 逆結合インダクタンス
Rm 相互誘導抵抗値
Q1,Q2,Q3,Q4 IGBT(スイッチング素子)
D0,D1,D2,D3,D5,D6,D7,D8 ダイオード
Vdc 直流電圧
Vm21,Vm12 相互誘導電圧
VmL21,VmL12 相互誘導電圧
Vmc12,Vmc21 逆結合インダクタ両端電圧
6,6a,6c,…,6f コンデンサ
7 電解コンデンサ
8a,8b コンデンサ
10 順変換回路(順変換装置)
20,20a,・・・,20f 逆変換回路(逆変換装置,共振型インバータ)
30,30a,・・・,30f 整合手段・逆結合インダクタ
40,40a,40b 制御回路
50 誘導加熱用電源装置
100,100a,100b,100c 誘導加熱装置
C1,C2,C3 キャパシタンス
L1,L2,L3 自己インダクタンス
R1,R2,R3 等価抵抗値
Eiv1,Eiv2 電圧源
M 相互誘導インダクタンス
−Mc 逆結合インダクタンス
Rm 相互誘導抵抗値
Q1,Q2,Q3,Q4 IGBT(スイッチング素子)
D0,D1,D2,D3,D5,D6,D7,D8 ダイオード
Vdc 直流電圧
Vm21,Vm12 相互誘導電圧
VmL21,VmL12 相互誘導電圧
Vmc12,Vmc21 逆結合インダクタ両端電圧
Claims (10)
- 相互誘導環境の複数の誘導加熱コイルの各々に給電する共振型インバータを複数備える誘導加熱装置において、
前記共振型インバータに接続された共振回路のインピーダンスの位相角と相互誘導で到来する相互誘導電圧の位相角とが略等しく設定されていることを特徴とする誘導加熱装置。 - 前記相互誘導環境は、前記複数の誘導加熱コイルが近接配置されて実現され、
各々の前記共振型インバータは、前記誘導加熱コイルに直列接続されたコンデンサと逆変換装置とを備え、
全ての前記逆変換装置は、共通の直流電圧が印加されていることを特徴とする請求項1に記載の誘導加熱装置。 - 前記共振回路、及び前記相互誘導環境は、前記逆変換装置の出力位相角が同一値になるように設定され、
少なくとも何れか1つの前記逆変換装置の駆動をON/OFF制御することにより、前記誘導加熱コイルに供給する有効電力を制御する制御回路を備えることを特徴とする請求項2に記載の誘導加熱装置。 - 前記共振回路、及び前記相互誘導環境は、前記逆変換装置の出力位相角が同一値になる駆動周波数が予め特定されており、
前記出力位相角が同一値になる特定周波数よりも高い駆動周波数で周波数制御することにより、前記複数の誘導加熱コイルに供給する有効電力が制御されることを特徴とする請求項1に記載の誘導加熱装置。 - 前記共振回路、及び前記相互誘導環境は、前記逆変換装置の出力位相角が同一値になる周波数が予め特定されており、
前記出力位相角が同一値になる特定周波数と、単独運転時電力と連動運転時電力とを近づける方向に遷移した遷移周波数との間を移動させて運転することを特徴とする請求項1に記載の誘導加熱装置。 - 前記出力位相角は、前記逆変換装置の出力電圧と前記コイル電流との位相差であることを特徴とする請求項3乃至請求項5の何れか一項に記載の誘導加熱装置。
- 互いに近接配置されている複数の誘導加熱コイルの各々に直列接続されたコンデンサを介して給電し、共通の直流電圧が印加されている逆変換装置を複数備え、前記逆変換装置に接続された共振回路のインピーダンスの位相角と相互誘導で到来する相互誘導電圧の位相角とが略等しく設定されている誘導加熱装置が実行する制御方法において、
前記誘導加熱コイル、及び前記コンデンサの各々は、前記逆変換装置の出力位相角が同一値になるように設定されており、
少なくとも何れか1つの前記逆変換装置の駆動をON/OFF制御することにより、前記誘導加熱コイルに供給する有効電力を制御することを特徴とする誘導加熱装置の制御方法。 - 互いに近接配置されている複数の誘導加熱コイルの各々に直列接続されたコンデンサを介して給電し、共通の直流電圧が印加されている逆変換装置を複数備え、前記逆変換装置に接続された共振回路のインピーダンスの位相角と相互誘導で到来する相互誘導電圧の位相角とが略等しく設定されている誘導加熱装置が実行する制御方法において、
前記誘導加熱コイル及び前記コンデンサの各々は、前記逆変換装置の出力位相角が同一値になるように予め特定されており、
前記複数の誘導加熱コイルに供給する有効電力が制御されることを目的として、前記出力位相角が同一値になる特定周波数よりも高い駆動周波数で周波数制御することを特徴とする誘導加熱装置の制御方法。 - 互いに近接配置されている複数の誘導加熱コイルの各々に直列接続されたコンデンサを介して給電し、共通の直流電圧が印加されている逆変換装置を複数備え、前記逆変換装置に接続された共振回路のインピーダンスの位相角と相互誘導で到来する相互誘導電圧の位相角とが略等しく設定されている誘導加熱装置が実行する制御方法において、
前記誘導加熱コイル及び前記コンデンサの各々は、前記逆変換装置の出力位相角が同一値になるように予め特定されており、
前記出力位相角が同一値になる特定周波数と、単独運転時電力と連動運転時電力とを近づける方向に遷移した遷移周波数との間を移動させて運転することを特徴とする誘導加熱装置の制御方法。 - 請求項7乃至請求項9の何れか1項に記載の誘導加熱装置の制御方法を前記逆変換装置を制御するコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
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CN114423104A (zh) * | 2022-01-26 | 2022-04-29 | 山西艾德尔电气设备有限公司 | 一种多温区晶体炉感应加热电源 |
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