JPWO2014030685A1 - 色素増感型太陽電池用ペースト、多孔質絶縁層、及び色素増感型太陽電池 - Google Patents
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Abstract
Description
前記多孔質半導体層に色素を吸着させる方法として、特許文献1には、透明電極上に酸化チタン粒子を含有する多孔質半導体層と、酸化ジルコニウムを含有する多孔質絶縁層とを順に積層した後、この積層体を色素溶液に浸漬させる方法が開示されている。
また、特許文献2には、透明電極上に酸化チタン粒子を含む多孔質半導体層を形成し、この層上に、アルキル基を有するシリカ重合体と無機粒子とを含むペーストを用いて多孔質絶縁層を形成した後、この積層体を色素溶液に浸漬させる方法が開示されている。
また、特許文献2においては、バインダー成分として使用しているシリカ重合体(アルコキシシラン縮合物)が多孔質半導体層の細孔に浸透して酸化チタン等の粒子表面に付着し、色素の吸着を妨げる場合がある。
[1]疎水性粒子を含有し、多孔質半導体層上に塗布される色素増感型太陽電池用ペーストであり、前記疎水性粒子の平均粒径が前記多孔質半導体層の平均細孔径よりも大きい色素増感型太陽電池用ペースト。
[2]前記疎水性粒子が、核粒子の表面に疎水性官能基を導入したものである、[1]に記載の色素増感型太陽電池用ペースト。
[4]前記アルキルシリル基が、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、tert−ブチルジメチルシリル基、及びトリイソプロピルシリル基から選ばれる1種である、[3]に記載の色素増感型太陽電池用ペースト。
[6]前記疎水性粒子よりも平均粒径が小さいバインダー粒子を含有し、前記疎水性粒子と前記バインダー粒子との合計含有量に対するバインダー粒子の含有量が1質量%以上50質量%未満である、[1]〜[5]のいずれか1項に記載の色素増感型太陽電池用ペースト。
[8][7]に記載の多孔質絶縁層を、色素を吸着してなる多孔質半導体層と導電層との間に有する色素増感型太陽電池。
本発明の色素増感型太陽電池用ペーストは、疎水性粒子を含有し、多孔質半導体層上に塗布される色素増感型太陽電池用ペーストであり、前記疎水性粒子の平均粒径が前記多孔質半導体層の平均細孔径よりも大きいものである。
なお、本明細書において「疎水性」とは、25℃のイオン交換水100gに対して前記疎水性粒子10gを投入した場合の沈降量が1g未満であることをいう。
前記疎水性粒子は、前記多孔質半導体層の平均細孔径よりも大きい平均粒径を有するものであるため、疎水性粒子自体が多孔質半導体層の孔内に入り込みにくく、多孔質半導体層を構成する粒子に対する色素の吸着を阻害しにくくなる。
前記疎水性粒子は、疎水性の材料により構成される粒子、金属酸化物粒子及び金属複合酸化物粒子等の核粒子を疎水化処理したものを用いることができるが、入手容易性の観点から、金属酸化物粒子及び金属複合酸化物粒子等の核粒子を疎水化処理したものが好ましく、前記核粒子の表面に疎水性官能基を導入したものがより好ましい。
これらの中では、官能基の導入容易性の観点及び疎水性を向上させる観点から、トリメチルシリル基が好ましい。
後述の核粒子を疎水化処理する方法としては、ミキサーなどで撹拌された核粒子に、前述の疎水性官能基を有する疎水化剤を噴霧する方法を挙げることができる。
前記核粒子としては、金属酸化物粒子、及び金属複合酸化物粒子が好ましく、中でもシリコン、ジルコニウム、アルミニウム、マグネシウム、チタン、スズ、亜鉛、タンタル、ニオブ、インジウム、アルミニウム、及びカルシウムから選ばれる1種又は2種以上の酸化物又は複合酸化物が挙げられる。
これらの中では、シリコン、ジルコニウム、アルミニウム、マグネシウム、及びチタンの酸化物又は複合酸化物が好ましく、ケイ素の酸化物(シリカ)からなる粒子がより好ましい。
前記核粒子の表面にケイ素化合物を含有する被膜を形成する処理の方法としては、例えば、前記粒子、エタノール、及びテトラエトキシシランを撹拌し、この溶液に対して、水及びアンモニア水の混合液を1〜100ml/分の速度で滴下し、50〜70℃で1〜5時間加熱する処理方法を挙げることができる。なお、前記被膜の厚さとしては、絶縁性を確保する観点から、3〜25nmが好ましく、5〜20nmがより好ましく、8〜15nmが更に好ましい。
前記被膜は絶縁性の他に疎水性の性質を有していることが好ましく、疎水性でない場合には、絶縁性被膜を形成するための処理を行った後、疎水化処理を行うことが好ましい。
なお、疎水性粒子の平均粒径は、測定装置としてレーザー回折型粒径測定機((株)堀場製作所製、型番「LA−750」)を使用し、エタノール中に疎水性粒子を分散させて測定した値である。
前記色素増感型太陽電池用ペースト中の疎水性粒子の含有量は、成膜性を向上させる観点から、5〜30質量%が好ましく、10〜27質量%がより好ましく、15〜24質量%が更に好ましい。
なお、バインダー粒子の平均粒径は、多孔質半導体層の平均細孔径よりも大きい方が、色素の吸着に関しては好ましい。一方、バインダー性を向上させるためには、バインダー粒子の平均粒径は小さい方が好ましい。
したがって、所望の色素吸着性とバインダー性とを得るためには、バインダー粒子の平均粒径とペーストへの添加量とを適宜調整して実施すればよい。
バインダー粒子としては、シリカ、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム及び酸化カルシウムを挙げることができる。
前記疎水性粒子と前記バインダー粒子との合計に対するバインダー粒子の含有量は、膜強度を向上させる観点から、1質量%以上50質量%未満が好ましく、5〜30質量%がより好ましく、8〜20質量%が更に好ましい。
色素増感型太陽電池用ペーストの製造方法について特に制限はないが、例えば、以下の製造方法により製造することができる。
すなわち、疎水性粒子、バインダー粒子、ヘキシレングリコール、テルピネオール等の高沸点有機溶剤、及びセルロース系樹脂やアクリル系樹脂等を混合することにより目的とするペーストを得ることができる。
本発明の多孔質絶縁層は、本発明の色素増感型太陽電池用ペーストを焼成してなるものである。
前記多孔質絶縁層を焼成する方法に特に制限はないが、前記色素増感型太陽電池用ペーストを公知の方法で多孔質半導体層上に塗布した後、焼成することが好ましい。
前記色素増感型太陽電池用ペーストを多孔質半導体層上に塗布する方法としては、スクリーン印刷法、インクジェット法等の方法が挙げられる。これらの中では、厚膜化の容易性や製造コストを抑える観点から、スクリーン印刷法が好ましい。
焼成は、大気下又は不活性ガス雰囲気下、50〜800℃、10秒〜4時間行うことが好ましい。焼成は、単一の温度で1回のみ行ってもよく、温度を変化させて2回以上行ってもよい。なお、色素増感型太陽電池用ペーストを塗布した後、乾燥させてから焼成することが好ましい。
前記多孔質絶縁層の抵抗値は、絶縁層として使用する観点から、1kΩ以上が好ましく、100kΩ以上がより好ましく、10MΩ以上が更に好ましい。
なお、本発明の多孔質絶縁層は色素を吸着しにくいため、多孔質半導体層上に設けられることが好ましい。多孔質半導体層上に設けることにより、多孔質半導体層に色素を効率的に吸着させることができる。
本発明の色素増感型太陽電池は、前記多孔質絶縁層を、色素を吸着してなる多孔質半導体層と導電層との間に有する色素増感型太陽電池である。
なお、多孔質絶縁層6と導電層5との間には、触媒層(図示せず)を設けてもよい。
<多孔質半導体層>
多孔質半導体層7は半導体で構成され、その形態は粒子状、膜状等の形態を採用することができるが、膜状の形態であることが好ましい。多孔質半導体層7を構成する半導体粒子としては、酸化チタン、酸化亜鉛等の公知の半導体粒子を1種類又は2種類以上組み合わせて用いることができる。これらの中では、光電変換効率、安定性、安全性の点から酸化チタンが好ましい。
膜状の多孔質半導体層7を基板上に形成する方法としては、公知の方法を採用することができる。具体的には、スクリーン印刷法、インクジェット法等の基板上に半導体粒子を含有するペーストを塗布し、その後焼成する方法が挙げられる。
前記色素増感型太陽電池における多孔質半導体層の平均細孔径は、1〜100nmが好ましく、10〜80nmがより好ましく、15〜50nmが更に好ましい。
前述の半導体粒子としては、市販されているもののうち適当な平均粒径、例えば1nm〜500nmの平均粒径を有する単一又は化合物半導体の粒子等が挙げられる。
前述の多孔質半導体層7の乾燥及び焼成は、使用する基板や半導体粒子の種類により、温度、時間、雰囲気等の条件を適宜調整して行われる。そのような条件として、例えば、大気下又は不活性ガス雰囲気下、50〜800℃の範囲内で、10秒〜4時間程度が挙げられる。
多孔質半導体層7に吸着して光増感剤として機能する色素としては、種々の可視光領域及び/又は赤外光領域に吸収をもつものが挙げられ、多孔質半導体層7に色素を強固に吸着させるためには、色素分子中にカルボン酸基、カルボン酸無水基、スルホン酸基等のインターロック基(吸着官能基)を有することが好ましい。なお、インターロック基(吸着官能基)は、励起状態の色素と多孔質半導体層の伝導帯との間の電子移動を容易にする電気的結合を提供するものである。
これらインターロック基(吸着官能基)を含有する色素として、例えば、ルテニウムビピリジン系色素、アゾ系色素、キノン系色素、キノンイミン系色素、スクアリリウム系色素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、ポリフィリン系色素、フタロシアニン系色素、インジゴ系色素、ナフタロシアニン系色素等が挙げられる。
溶液中の色素濃度は、使用する色素及び溶媒の種類により適宜調整することができるが、吸着機能を向上させるためにはできるだけ高濃度である方が好ましく、例えば、1×10-5mol/L以上が好ましい。
導電層5は、電解質の酸化体を還元する能力と導電性を有していれば特に限定されず、グラファイト等の炭素、白金等の金属、スズ(Sn)がドープされた酸化インジウム(In2O3)、フッ素(F)がドープされた酸化スズ(SnO2)、アンチモン(Sb)がドープされた酸化スズ(SnO2)、アルミニウム(Al)がドープされた酸化亜鉛(ZnO)、ガリウム(Ga)がドープされた酸化亜鉛(ZnO)、亜鉛(Zn)がドープされた酸化インジウム(In2O3)、ニオブ(Nb)がドープされた酸化チタン(TiO2)、タンタル(Ta)がドープされた酸化チタン(TiO2)等の透明導電性金属酸化物により好適に形成することができる。導電層5についても前述の塗布方法で形成することができる。
電解質4の具体例としては、ヨウ素系電解質、臭素系電解質、セレン系電解質、硫黄系電解質等各種の電解質を用いることが可能であり、このような電解質4を、I2、LiI、ジメチルプロピルイミダゾリウムヨージド等をアセトニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピレンカーボネート、エチレンカボネート等の有機溶媒に溶かした電解液等が好適に用いられる。
なお、本発明の色素増感型太陽電池10において、前記本発明の多孔質絶縁層以外の構成要素に特に制限はなく、一般的な色素増感型太陽電池に使用される構成要素を適宜使用することができる。
実施例及び比較例で使用した材料は以下のとおりである。
・ガラス基板 :日本板硝子(株)製、3cm×3cm(フッ素
ドープ酸化錫膜付き、シート抵抗10Ω/□)
・酸化チタン粒子(I):住友大阪セメント(株)製、平均粒径20nm
なお、酸化チタン粒子(I)10gを25℃のイ
オン交換水100gに投入したところ、その全量
が沈降したことを目視で確認した。
・酸化チタン粒子(II):住友大阪セメント(株)製、平均粒径400nm
なお、酸化チタン粒子(II)10gを25℃のイ
オン交換水100gに投入したところ、その全量
が沈降したことを目視で確認した。
・疎水化処理シリカ粒子:ヘキサメチルジシラザンによる表面処理(疎水化
処理)により表面官能基としてメチル基が導入さ
れたシリカ粒子(電気化学工業(株)製、平均粒径
100nm)
この疎水化処理シリカ粒子10gをコック付きロ
ートへ25℃のイオン交換水100gと共に投入
したところ、一部が沈降したことを目視で確認し
た。次いで、コックを開き水50gと沈降分とを
採取し、ホットプレート上にて水分を蒸発させた
後、沈降分の質量を測定したところ、沈降量は0
.2gであった。
・未処理シリカ粒子(I):疎水化処理を行っていないシリカ粒子
(電気化学工業(株)製、平均粒径100nm)
なお、未処理シリカ粒子(I)10gを25℃のイ
オン交換水100gに投入したところ、その全量
が沈降したことを目視で確認した。
・未処理シリカ粒子(II):疎水化処理を行っていないシリカ粒子
なお、未処理シリカ粒子(II)はシリカ分12質
量%のアルコール分散液の状態で用いた。
(扶桑化学工業(株)製、平均粒径が10nm)
なお、未処理シリカ粒子(II)10gを25℃のイ
オン交換水100gに投入したところ、その全量
が沈降したことを目視で確認した。
・エチルセルロース :日新化成(株)製
・α−テルピネオール :ヤスハラケミカル(株)製
・色素 :ダイソルジャパン(株)製、型番「Black D
ye」
酸化チタン粒子(I)の水分散液(酸化チタンとして20質量部)をエバポレータでエタノールに溶媒置換したものに、α−テルピネオールを72質量部、エチルセルロース8重量部を投入して混合した。次いでエバポレータで混合物からエタノールを除去して多孔質半導体層形成ペーストを作製した。
ガラス基板に対して、酸化チタン粒子を含有する多孔質半導体層形成ペーストを1cm×1cmとなるように塗布し、500℃で1時間焼成することにより多孔質半導体層付き基板を得た。
なお、前記多孔質半導体層形成ペースト5gを磁性ルツボ中100℃で加熱、乾燥させた後、電気炉中で焼成(500℃、1時間)することにより得られた焼成体の平均細孔径を多孔質半導体層の平均細孔径として、窒素ガス吸着法で測定したところ20nmであった。
多孔質半導体層の厚さについては、後述の方法で測定を行ったところ、20μmであった。
(1)色素増感型太陽電池用ペースト(多孔質絶縁層形成ペースト)の調製
フラスコに疎水化処理シリカ粒子18質量部、未処理シリカ粒子(II)17質量部(シリカ分2質量部)、エチルセルロース8質量部、α−テルピネオール72質量部を配合して混合した後、エバポレータでアルコール分を除去することにより多孔質絶縁層形成ペースト(P1)を得た。
前記(1)で得られた多孔質絶縁層形成ペースト(P1)をガラス基板上に1cm×1cmとなるように塗布し、500℃で1時間焼成することにより多孔質絶縁層付き基板(S1)を得た。
前記多孔質半導体層付き基板上に多孔質絶縁層形成ペースト(P1)を塗布して同様に焼成することで、積層基板(D1)を得た。
多孔質絶縁層付き基板(S1)、積層基板(D1)に形成した膜の厚さを、触針式表面形状測定器(ケーエルエー・テンコール(株)製、型番「P−10」)で測定したところ、多孔質絶縁層の厚さは7μmであり、積層基板の各層の合計の厚さは27μmであった。これらの値より多孔質半導体層の厚さは20μmであることがわかる。
作製した各基板をそれぞれ3×10-4mol/lのルテニウム金属錯体色素(Black Dye色素)溶液10ml中に24時間浸漬して色素を吸着させた。これら基板を、水酸化ナトリウム溶液(水酸化ナトリウム1質量部、水40質量部及びエタノール40質量部を混合した溶液)4質量部に24時間浸漬させることにより各層に吸着した色素を溶出させ、この溶液の吸光度を測定し、多孔質絶縁層の色素吸着量、及び積層基板における多孔質半導体層の色素吸着量を算出した。結果を表1に示す。
未処理シリカ粒子(I)18質量部、未処理シリカ粒子(II)のアルコール分散液を17質量部(シリカ分2質量部)、エチルセルロース8質量部、α−テルピネオール72質量部を配合したこと以外は実施例1と同様にして多孔質絶縁層付き基板(S2)及び積層基板(D2)を得た。これらの各基板について、実施例1と同様に色素吸着量を測定した。結果を表1に示す。
なお、多孔質絶縁層の厚さ及び多孔質半導体層の厚さはそれぞれ7μm、20μであり、実施例1と同じであった。
未処理シリカ粒子(II)のアルコール分散液をシリカ分が20質量部となるように配合し、更にエチルセルロース8質量部、α−テルピネオール72質量部を配合したこと以外は実施例1と同様にして多孔質絶縁層付き基板(S3)及び積層基板(D3)を得た。これらの各基板について、実施例1と同様に色素吸着量を測定した。結果を表1に示す。
なお、多孔質絶縁層の厚さ及び多孔質半導体層の厚さはそれぞれ7μm、20μmであり、実施例1と同じであった。
(1)疎水性シリカ重合体の合成
テトラメトキシシラン12.67質量%、エタノール50質量%を氷冷下で混合撹拌し、別に氷冷しておいた1規定硝酸4.16質量%と純水24.5質量%との混合液を氷冷下で10分間撹拌した後、60℃にて2.5時間撹拌し、シリカ重合体を合成した。
このシリカ重合体の分子量を、ゲル浸透クロマトグラフ(GPC)を用いて測定したところ、ポリスチレン換算重量平均分子量で1,000〜4,000であった。前記シリカ重合体は、その大きさが10nm以下であり多孔質半導体層の平均細孔径よりも小さいため、多孔質半導体層の細孔内に浸透する。
次いで、この重合体が溶解する溶液にトリメチルメトキシシランを8.67質量%添加して10分間加熱撹拌し、シリカ重合体の表面にトリメチルシリル基を導入した。過度に置換するとバインダーとしての機能が損なわれるため、室温まで放冷し低温条件で12時間反応を行い、部分的にトリメチルシリル基を導入したシリカ重合体を得た。
次いで、塗布性に悪影響を与える未反応トリメチルメトキシシラン及びその2量体等をエバポレータを用いて除去した。
その後、この反応物に純水を加えて固液分離操作を繰り返した。この操作により親水性であるトリメチルシリル基が十分に導入されていないシリカ重合体及び硝酸と、疎水性であるトリメチルシリル基が十分に導入されたシリカ重合体とを分離することができる。
前記操作により得られたトリメチルシリル基を導入したシリカ重合体をシリカ(SiO2)換算で1質量%、酸化チタン粒子(I)を17.5質量%、酸化チタン粒子(II)17.5質量%、エチルセルロースを5質量%及びα−テルピネオールを59質量%の割合で配合し、多孔質絶縁層形成ペースト(P2)を作製した。
この多孔質絶縁層形成ペースト用いたこと以外は実施例1と同様にして多孔質絶縁層付き基板(S4)及び積層基板(D4)を得た。これらの各基板について、実施例1と同様に色素吸着量を測定した。
なお、多孔質絶縁層の厚さ及び多孔質半導体層の厚さはそれぞれ7μm、20μmであり、実施例1と同じであった。結果を表1に示す。
作成した各電池セルの光電変換特性を太陽電池特性測定装置(山下電装(株)製:YSS−100AAH)を用いて測定した。結果を表2に示す。
2 透明導電膜
3 封止剤
4 電解質
5 導電層(対向電極)
6 多孔質絶縁層
7 多孔質半導体層
10 色素増感型太陽電池
Claims (8)
- 疎水性粒子を含有し、多孔質半導体層上に塗布される色素増感型太陽電池用ペーストであり、前記疎水性粒子の平均粒径が前記多孔質半導体層の平均細孔径よりも大きい色素増感型太陽電池用ペースト。
- 前記疎水性粒子が、核粒子の表面に疎水性官能基を導入したものである、請求項1に記載の色素増感型太陽電池用ペースト。
- 前記疎水性官能基がアルキルシリル基である、請求項2に記載の色素増感型太陽電池用ペースト。
- 前記アルキルシリル基が、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、tert−ブチルジメチルシリル基、及びトリイソプロピルシリル基から選ばれる1種である、請求項3に記載の色素増感型太陽電池用ペースト。
- 前記核粒子が、シリコン、ジルコニウム、アルミニウム、マグネシウム、及びチタンから選ばれる1種又は2種以上の酸化物又は複合酸化物である、請求項2〜4のいずれか1項に記載の色素増感型太陽電池用ペースト。
- 前記疎水性粒子よりも平均粒径が小さいバインダー粒子を含有し、前記疎水性粒子と前記バインダー粒子との合計含有量に対するバインダー粒子の含有量が1質量%以上50質量%未満である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の色素増感型太陽電池用ペースト。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の色素増感型太陽電池用ペーストを焼成してなる多孔質絶縁層。
- 請求項7に記載の多孔質絶縁層を、色素を吸着してなる多孔質半導体層と導電層との間に有する色素増感型太陽電池。
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