JPWO2014024554A1 - 受光あるいは発光素子、太陽電池、光センサー、発光ダイオード及び面発光レーザ素子 - Google Patents
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Abstract
Description
複数の化合物半導体層が積層されて成る受光あるいは発光層、並びに、
第1面、及び、第1面と対向する第2面を有し、第1面において受光あるいは発光層と接し、透明導電材料から成る電極、
を具備しており、
透明導電材料には、モリブデン、タングステン、クロム、ルテニウム、チタン、ニッケル、亜鉛、鉄及び銅から成る群から選択された少なくとも1種の金属又はその化合物から成る添加物が含まれており、
電極の第1面の界面近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度は、電極の第2面の近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度よりも高い。
複数の化合物半導体層が積層されて成る受光層、並びに、
第1面、及び、第1面と対向する第2面を有し、第1面において受光層と接し、透明導電材料から成る電極、
を具備しており、
透明導電材料には、モリブデン、タングステン、クロム、ルテニウム、チタン、ニッケル、亜鉛、鉄及び銅から成る群から選択された少なくとも1種の金属又はその化合物から成る添加物が含まれており、
電極の第1面の界面近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度は、電極の第2面の近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度よりも高い。
複数の化合物半導体層が積層されて成る発光層、並びに、
第1面、及び、第1面と対向する第2面を有し、第1面において発光層と接し、透明導電材料から成る電極、
を具備しており、
透明導電材料には、モリブデン、タングステン、クロム、ルテニウム、チタン、ニッケル、亜鉛、鉄及び銅から成る群から選択された少なくとも1種の金属又はその化合物から成る添加物が含まれており、
電極の第1面の界面近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度は、電極の第2面の近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度よりも高い。
1.本開示の受光あるいは発光素子、太陽電池、光センサー、発光ダイオード及び面発光レーザ素子、全般に関する説明
2.実施例1(本開示の受光あるいは発光素子、太陽電池及び光センサー)
3.実施例2(実施例1の変形)
4.実施例3(実施例2の変形)
5.実施例4(本開示の発光ダイオード及び面発光レーザ素子)
6.実施例5(実施例1〜実施例4の変形)、その他
本開示の受光あるいは発光素子、太陽電池、光センサー、発光ダイオードあるいは面発光レーザ素子(以下、これらを総称して、単に、『本開示の受光あるいは発光素子等』と呼ぶ場合がある)にあっては、化合物半導体層を構成する化合物半導体として、2元混晶、3元混晶若しくは4元混晶のGaAs系化合物半導体、2元混晶、3元混晶若しくは4元混晶のGaP系化合物半導体、3元混晶若しくは4元混晶のGaInP系化合物半導体、2元混晶、3元混晶若しくは4元混晶のInP系化合物半導体、又は、2元混晶、3元混晶若しくは4元混晶のGaN系化合物半導体を例示することができる。
電極は、受光あるいは発光層側あるいは受光層側あるいは発光層側から、第1層及び第2層の積層構造を有し、
第1層を構成する透明導電材料には添加物が含まれており、
第2層を構成する透明導電材料には添加物が含まれていない構成とすることができる。尚、このような構成の本開示の受光あるいは発光素子、太陽電池、光センサー、発光ダイオードあるいは面発光レーザ素子を、便宜上、『本開示の第1の構成の受光あるいは発光素子等』と呼ぶ。第1層を構成する透明導電材料に含まれる添加物の平均濃度をIc1、第2層を構成する透明導電材料に含まれる添加物の平均濃度をIc2としたとき、
5≦Ic1/Ic2≦10
を満足することが好ましい。透明導電材料に添加物が含まれているか否かは、SIMSを用いて評価することができる。ここで、1種の金属(具体的には、例えばモリブデン)のキャリヤ濃度が1.8×1016cm-3以上である場合には、透明導電材料に添加物が含まれていると判断することができるし、一方、1種の金属(具体的には、例えばモリブデン)のキャリヤ濃度が1.8×1016cm-3未満である場合には、透明導電材料に添加物が含まれていないと判断することができる。
0.4≦R2/R1≦1.0
0.80≦TP2×TP1≦1.0
を満足することが好ましい。更には、これらの好ましい構成を含む本開示の第1の構成の受光あるいは発光素子等において、電極の平均光透過率は95%以上であり、電極の平均電気抵抗率は2×10-6Ω・m(2×10-4Ω・cm)以下であり、電極と受光あるいは発光層(あるいは受光層あるいは発光層)との間の接触抵抗値は、特に、集光型太陽電池にあっては、1×10-8Ω・m2(1×10-4Ω・cm2)以下であることが好ましい。尚、非集光型太陽電池にあっては、電極と受光あるいは発光層(あるいは受光層あるいは発光層)との間の接触抵抗値は、1×10-7Ω・m2(1×10-3Ω・cm2)以下であることが好ましい。また、第1層の厚さをT1、第2層の厚さをT2としたとき、
2≦T2/T1≦70
を満足することが好ましく、この場合、
3≦T1(nm)≦60
10≦T2(nm)≦350
を満足することが一層好ましい。ここで、第1層を構成する透明導電材料に含まれる添加物の平均濃度は、SIMSを用いて測定することができる。また、第1層の電気抵抗率、第2層の電気抵抗率、電極の平均電気抵抗率は、例えば、太陽電池の表面をガラス基板等の支持基板に貼り合わせて、太陽電池の裏面側を剥離した後、残った電極層をホール測定、シート抵抗測定機を用いて測定するといった方法に基づき測定することができるし、電極と受光あるいは発光層(あるいは受光層あるいは発光層)との間の接触抵抗値は、例えば、太陽電池の表面をガラス基板等の支持基板に貼り合わせて、太陽電池の裏面側を剥離する際、コンタクト層(例えば、n−GaAs化合物半導体層から成る)だけを残し、TLMパターンを形成した後、四端子測定方法に基づき測定することができる。更には、第1層の光透過率(光吸収率)、第2層の光透過率(光吸収率)、電極の平均光透過率(光吸収率)は、ガラス基板に貼り合わせて透過及び反射率測定機を用いて測定することができる。また、第1層の厚さ、第2層の厚さは、段差計や、SEMあるいはTEM電子顕微鏡観察に基づき測定することができる。
電極の第2面上には補助電極が形成されており、
受光層と電極の第1面との間にはコンタクト層が形成されており、
露出した電極の第2面上には反射防止膜が形成されている構成とすることができる。コンタクト層に関しては、受光あるいは発光素子において先に説明した各種の規定を適用することができる。反射防止膜を構成する材料として、最上層の化合物半導体層を構成する化合物半導体よりも屈折率が小さい材料を用いることが好ましく、具体的には、例えば、TiO2、Al2O3、ZnS、MgF2、Ta2O5、SiO2、Si3N4から成る層、あるいは、これらの層の積層構造を挙げることができ、例えば、スパッタリング法等の物理的気相成長法(PVD法)に基づき形成することができる。そして、このような構成の太陽電池にあっては、より具体的には、補助電極と補助電極との間に露出した電極の第2面の部分の幅は145μm乃至285μmであり、電極の厚さは10nm乃至30nmであり、反射防止膜は、厚さ17nm乃至36nmの硫化亜鉛層、及び、厚さ85nm乃至93nmのフッ化マグネシウム層の積層構造を有する構成とすることができる。あるいは又、補助電極と補助電極との間に露出した電極の第2面の部分の幅は145μm乃至285μmであり、電極の厚さは10nm乃至30nmであり、反射防止膜は、厚さ18nm乃至32nmの酸化タンタル層、及び、厚さ71nm乃至76nmの酸化シリコン層の積層構造を有する構成とすることができる。あるいは又、補助電極と補助電極との間に露出した電極の第2面の部分の幅は145μm乃至285μmであり、電極の厚さは10nm乃至25nmであり、反射防止膜は、厚さ7nm乃至15nmの酸化チタン層、厚さ14nm乃至34nmの酸化タンタル層、及び、厚さ81nm乃至86nmの酸化シリコン層の積層構造を有する構成とすることができる。あるいは又、
電極の第2面上には補助電極が形成されており、
受光層と電極の第1面との間にはコンタクト層が形成されており、
補助電極と補助電極との間に露出した電極の第2面の部分には凹凸が付されている構成とすることができる。更には、以上に説明した好ましい構成を含む本開示の太陽電池にあっては、光入射側に、例えば、フレネルレンズから成る集光レンズが備えられている形態、即ち、集光型太陽電池とすることができる。
(A)複数の化合物半導体層が積層されて成る受光あるいは発光層(受光層)21、並びに、
(B)第1面30A、及び、第1面30Aと対向する第2面30Bを有し、第1面30Aにおいて受光あるいは発光層(受光層)21と接し、透明導電材料から成る電極(以下、便宜上、『第1電極30』と呼ぶ)、
を具備している。尚、実施例1の太陽電池11は非集光型太陽電池である。
Ic1=1.1×1017cm-3
Ic2=1.8×1016cm-3
R1 =2.5×10-4Ω・cm
R2 =1.5×10-4Ω・cm
TP1=97%
TP2=99%
T1 = 5nm
T2 =25nm
Ic1/Ic2=6.1
R2/R1 =0.6
TP2×TP1=0.96
T2/T1 =5.0
第1電極の平均光吸収率 =0.98%
第1電極の平均電気抵抗率 =2×10-4Ω・cm以下
第1電極と受光あるいは発光層との間の接触抵抗値=2.7×10-5Ω・cm2
Ic1=1.0×1017cm-3
Ic2=2.0×1016cm-3
R1 =7.0×10-4Ω・cm
R2 =6.70×10-4Ω・cm
TP1=97%
TP2=99%
T1 = 5nm
T2 =25nm
Ic1/Ic2=5.0
R2/R1 =0.96
TP2×TP1=0.96
T2/T1 =5.0
第1電極の平均光吸収率 =1.0%
第1電極の平均電気抵抗率 =7.4×10-4Ω・cm以下
第1電極と受光あるいは発光層との間の接触抵抗値=1×10-4Ω・cm2以下
ITO AZO
p−GaAs :Zn (2×1019) 4.5×10-5 1.9×10-3
p−GaP :Zn (2×1019) 1.4×10-3
n−GaInP:Si (2×1019) 5.5×10-4
n−GaAs :Si (5.0×1018) 4.0×10-3
n−GaAs :Si (8.5×1018) 8.0×10-5
n−GaAs :Te (1.7×1019) 2.7×10-5
第1電極の平均光吸収率 =1%
第1電極の平均電気抵抗率 =1.5×10-4Ω・cm
補助電極形成による入射光のロス=5%
補助電極幅 =5.0μm
グリッドスペース =97μm
反射防止膜 =酸化タンタル18nm/酸化シリコン65nm
光反射率 =3.3%
複数の化合物半導体層が積層されて成る発光層121,221、並びに、
第1面30A、及び、第1面30Aと対向する第2面30Bを有し、第1面30Aにおいて発光層121,221と接し、透明導電材料から成る電極(第1電極30)、
を具備しており、
透明導電材料には、モリブデン、タングステン、クロム、ルテニウム、チタン、ニッケル、亜鉛、鉄及び銅から成る群から選択された少なくとも1種の金属又はその化合物から成る添加物が含まれており、
電極(第1電極30)の第1面30Aの界面近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度は、電極(第1電極30)の第2面30Bの近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度よりも高い。
[1]《受光あるいは発光素子》
複数の化合物半導体層が積層されて成る受光あるいは発光層、並びに、
第1面、及び、第1面と対向する第2面を有し、第1面において受光あるいは発光層と接し、透明導電材料から成る電極、
を具備しており、
透明導電材料には、モリブデン、タングステン、クロム、ルテニウム、チタン、ニッケル、亜鉛、鉄及び銅から成る群から選択された少なくとも1種の金属又はその化合物から成る添加物が含まれており、
電極の第1面の界面近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度は、電極の第2面の近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度よりも高い受光あるいは発光素子。
[2]化合物半導体層は、2元混晶、3元混晶若しくは4元混晶のGaAs系化合物半導体、2元混晶、3元混晶若しくは4元混晶のGaP系化合物半導体、3元混晶若しくは4元混晶のGaInP系化合物半導体、2元混晶、3元混晶若しくは4元混晶のInP系化合物半導体、又は、2元混晶、3元混晶若しくは4元混晶のGaN系化合物半導体から成る[1]に記載の受光あるいは発光素子。
[3]透明導電材料は、ITO、IZO、AZO、GZO、AlMgZnO、IGO、IGZO、IFO、ATO、FTO、SnO2、ZnO、BドープのZnO、InSnZnO、又は、ITiOから成る[1]又は[2]に記載の受光あるいは発光素子。
[4]電極の第2面上には補助電極が形成されている[1]乃至[3]のいずれか1項に記載の受光あるいは発光素子。
[5]受光あるいは発光層と電極の第2面との間にコンタクト層が形成されており、
コンタクト層は、受光あるいは発光層を構成する複数の化合物半導体層の少なくとも1層を構成する化合物半導体と同じ化合物半導体から成る[4]に記載の受光あるいは発光素子。
[6]コンタクト層の厚さは、コンタクト層を構成する材料のバンドギャップエネルギーが受光層あるいは発光層のバンドギャップエネルギーよりも小さい場合において、3nm乃至30nmである[5]に記載の受光あるいは発光素子。
[7]コンタクト層のキャリア濃度は1×1019cm-3以上である[5]又は[6]に記載の受光あるいは発光素子。
[8]受光あるいは発光層は、コンタクト層側から、n型化合物半導体層、及び、p型化合物半導体層の積層構造を有し、
コンタクト層は、GaAs、GaInP、GaP、InP、InGaAs、InGaAsP、GaN、InGaNから成る[5]乃至[7]のいずれか1項に記載の受光あるいは発光素子。
[9」電極は、受光あるいは発光層側から、第1層及び第2層の積層構造を有し、
第1層を構成する透明導電材料には添加物が含まれており、
第2層を構成する透明導電材料には添加物が含まれていない[1]乃至[8]のいずれか1項に記載の受光あるいは発光素子。
[10]第1層を構成する透明導電材料に含まれる添加物の平均濃度は、5×1016cm-3乃至1×1018cm-3である[9]に記載の受光あるいは発光素子。
[11]第1層の電気抵抗率をR1、第2層の電気抵抗率をR2、波長400nm乃至900nmにおける第1層の光透過率をTP1、第2層の光透過率をTP2としたとき、
0.4≦R2/R1≦1.0
0.8≦TP2×TP1≦1.0
を満足する[9]又は[10]に記載の受光あるいは発光素子。
[12]電極の平均光透過率は95%以上であり、
電極の平均電気抵抗率は2×10-6Ω・m以下であり、
電極と受光あるいは発光層との間の接触抵抗値は1×10-8Ω・m2以下である[9]乃至[11]のいずれか1項に記載の受光あるいは発光素子。
[13]第1層の厚さをT1、第2層の厚さをT2としたとき、
2≦T2/T1≦70
を満足する[9]乃至[12]のいずれか1項に記載の受光あるいは発光素子。
[14]3≦T1(nm)≦60
10≦T2(nm)≦350
を満足する[13]に記載の受光あるいは発光素子。
[15]電極を構成する透明導電材料に含まれる添加物の濃度は、電極の第1面から第2面に向かって、漸次、低下する[1]乃至[8]のいずれか1項に記載の受光あるいは発光素子。
[16]《太陽電池》
複数の化合物半導体層が積層されて成る受光層、並びに、
第1面、及び、第1面と対向する第2面を有し、第1面において受光層と接し、透明導電材料から成る電極、
を具備しており、
透明導電材料には、モリブデン、タングステン、クロム、ルテニウム、チタン、ニッケル、亜鉛、鉄及び銅から成る群から選択された少なくとも1種の金属又はその化合物から成る添加物が含まれており、
電極の第1面の界面近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度は、電極の第2面の近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度よりも高い太陽電池。
[17]電極の第2面上には補助電極が形成されており、
受光層と電極の第1面との間にはコンタクト層が形成されており、
露出した電極の第2面上には反射防止膜が形成されている[16]に記載の太陽電池。
[18]補助電極と補助電極との間に露出した電極の第2面の部分の幅は145μm乃至285μmであり、
電極の厚さは10nm乃至30nmであり、
反射防止膜は、厚さ17nm乃至36nmの硫化亜鉛層、及び、厚さ85nm乃至93nmのフッ化マグネシウム層の積層構造を有する[17]に記載の太陽電池。
[19]補助電極と補助電極との間に露出した電極の第2面の部分の幅は145μm乃至285μmであり、
電極の厚さは10nm乃至30nmであり、
反射防止膜は、厚さ18nm乃至32nmの酸化タンタル層、及び、厚さ71nm乃至76nmの酸化シリコン層の積層構造を有する[17]に記載の太陽電池。
[20]補助電極と補助電極との間に露出した電極の第2面の部分の幅は145μm乃至285μmであり、
電極の厚さは10nm乃至25nmであり、
反射防止膜は、厚さ7nm乃至15nmの酸化チタン層、厚さ14nm乃至34nmの酸化タンタル層、及び、厚さ81nm乃至86nmの酸化シリコン層の積層構造を有する[17]に記載の太陽電池。
[21]電極の第2面上には補助電極が形成されており、
受光層と電極の第1面との間にはコンタクト層が形成されており、
補助電極と補助電極との間に露出した電極の第2面の部分には凹凸が付されている[16]に記載の太陽電池。
[22]光入射側には、集光レンズが備えられている[16]乃至[21]のいずれか1項に記載の太陽電池。
[23]《光センサー》
複数の化合物半導体層が積層されて成る受光層、並びに、
第1面、及び、第1面と対向する第2面を有し、第1面において受光層と接し、透明導電材料から成る電極、
を具備しており、
透明導電材料には、モリブデン、タングステン、クロム、ルテニウム、チタン、ニッケル、亜鉛、鉄及び銅から成る群から選択された少なくとも1種の金属又はその化合物から成る添加物が含まれており、
電極の第1面の界面近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度は、電極の第2面の近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度よりも高い光センサー。
[24]《発光ダイオード》
複数の化合物半導体層が積層されて成る発光層、並びに、
第1面、及び、第1面と対向する第2面を有し、第1面において発光層と接し、透明導電材料から成る電極、
を具備しており、
透明導電材料には、モリブデン、タングステン、クロム、ルテニウム、チタン、ニッケル、亜鉛、鉄及び銅から成る群から選択された少なくとも1種の金属又はその化合物から成る添加物が含まれており、
電極の第1面の界面近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度は、電極の第2面の近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度よりも高い発光ダイオード。
[25]《面発光レーザ素子》
複数の化合物半導体層が積層されて成る発光層、並びに、
第1面、及び、第1面と対向する第2面を有し、第1面において発光層と接し、透明導電材料から成る電極、
を具備しており、
透明導電材料には、モリブデン、タングステン、クロム、ルテニウム、チタン、ニッケル、亜鉛、鉄及び銅から成る群から選択された少なくとも1種の金属又はその化合物から成る添加物が含まれており、
電極の第1面の界面近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度は、電極の第2面の近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度よりも高い面発光レーザ素子。
Claims (19)
- 複数の化合物半導体層が積層されて成る受光あるいは発光層、並びに、
第1面、及び、第1面と対向する第2面を有し、第1面において受光あるいは発光層と接し、透明導電材料から成る電極、
を具備しており、
透明導電材料には、モリブデン、タングステン、クロム、ルテニウム、チタン、ニッケル、亜鉛、鉄及び銅から成る群から選択された少なくとも1種の金属又はその化合物から成る添加物が含まれており、
電極の第1面の界面近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度は、電極の第2面の近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度よりも高い受光あるいは発光素子。 - 化合物半導体層は、2元混晶、3元混晶若しくは4元混晶のGaAs系化合物半導体、2元混晶、3元混晶若しくは4元混晶のGaP系化合物半導体、3元混晶若しくは4元混晶のGaInP系化合物半導体、2元混晶、3元混晶若しくは4元混晶のInP系化合物半導体、又は、2元混晶、3元混晶若しくは4元混晶のGaN系化合物半導体から成る請求項1に記載の受光あるいは発光素子。
- 透明導電材料は、ITO、IZO、AZO、GZO、AlMgZnO、IGO、IGZO、IFO、ATO、FTO、SnO2、ZnO、BドープのZnO、InSnZnO、又は、ITiOから成る請求項1に記載の受光あるいは発光素子。
- 電極の第2面上には補助電極が形成されている請求項1に記載の受光あるいは発光素子。
- 受光あるいは発光層と電極の第2面との間にコンタクト層が形成されており、
コンタクト層は、受光あるいは発光層を構成する複数の化合物半導体層の少なくとも1層を構成する化合物半導体と同じ化合物半導体から成る請求項4に記載の受光あるいは発光素子。 - コンタクト層の厚さは、コンタクト層を構成する材料のバンドギャップエネルギーが受光層あるいは発光層のバンドギャップエネルギーよりも小さい場合において、3nm乃至30nmである請求項5に記載の受光あるいは発光素子。
- 電極は、受光あるいは発光層側から、第1層及び第2層の積層構造を有し、
第1層を構成する透明導電材料には添加物が含まれており、
第2層を構成する透明導電材料には添加物が含まれていない請求項1に記載の受光あるいは発光素子。 - 第1層を構成する透明導電材料に含まれる添加物の平均濃度は、5×1016cm-3乃至1×1018cm-3である請求項7に記載の受光あるいは発光素子。
- 第1層の電気抵抗率をR1、第2層の電気抵抗率をR2、波長400nm乃至900nmにおける第1層の光透過率をTP1、第2層の光透過率をTP2としたとき、
0.4≦R2/R1≦1.0
0.8≦TP2×TP1≦1.0
を満足する請求項7に記載の受光あるいは発光素子。 - 電極を構成する透明導電材料に含まれる添加物の濃度は、電極の第1面から第2面に向かって、漸次、低下する請求項1に記載の受光あるいは発光素子。
- 複数の化合物半導体層が積層されて成る受光層、並びに、
第1面、及び、第1面と対向する第2面を有し、第1面において受光層と接し、透明導電材料から成る電極、
を具備しており、
透明導電材料には、モリブデン、タングステン、クロム、ルテニウム、チタン、ニッケル、亜鉛、鉄及び銅から成る群から選択された少なくとも1種の金属又はその化合物から成る添加物が含まれており、
電極の第1面の界面近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度は、電極の第2面の近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度よりも高い太陽電池。 - 電極の第2面上には補助電極が形成されており、
受光層と電極の第1面との間にはコンタクト層が形成されており、
露出した電極の第2面上には反射防止膜が形成されている請求項11に記載の太陽電池。 - 補助電極と補助電極との間に露出した電極の第2面の部分の幅は145μm乃至285μmであり、
電極の厚さは10nm乃至30nmであり、
反射防止膜は、厚さ17nm乃至36nmの硫化亜鉛層、及び、厚さ85nm乃至93nmのフッ化マグネシウム層の積層構造を有する請求項12に記載の太陽電池。 - 補助電極と補助電極との間に露出した電極の第2面の部分の幅は145μm乃至285μmであり、
電極の厚さは10nm乃至30nmであり、
反射防止膜は、厚さ18nm乃至32nmの酸化タンタル層、及び、厚さ71nm乃至76nmの酸化シリコン層の積層構造を有する請求項12に記載の太陽電池。 - 補助電極と補助電極との間に露出した電極の第2面の部分の幅は145μm乃至285μmであり、
電極の厚さは10nm乃至25nmであり、
反射防止膜は、厚さ7nm乃至15nmの酸化チタン層、厚さ14nm乃至34nmの酸化タンタル層、及び、厚さ81nm乃至86nmの酸化シリコン層の積層構造を有する請求項12に記載の太陽電池。 - 電極の第2面上には補助電極が形成されており、
受光層と電極の第1面との間にはコンタクト層が形成されており、
補助電極と補助電極との間に露出した電極の第2面の部分には凹凸が付されている請求項11に記載の太陽電池。 - 複数の化合物半導体層が積層されて成る受光層、並びに、
第1面、及び、第1面と対向する第2面を有し、第1面において受光層と接し、透明導電材料から成る電極、
を具備しており、
透明導電材料には、モリブデン、タングステン、クロム、ルテニウム、チタン、ニッケル、亜鉛、鉄及び銅から成る群から選択された少なくとも1種の金属又はその化合物から成る添加物が含まれており、
電極の第1面の界面近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度は、電極の第2面の近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度よりも高い光センサー。 - 複数の化合物半導体層が積層されて成る発光層、並びに、
第1面、及び、第1面と対向する第2面を有し、第1面において発光層と接し、透明導電材料から成る電極、
を具備しており、
透明導電材料には、モリブデン、タングステン、クロム、ルテニウム、チタン、ニッケル、亜鉛、鉄及び銅から成る群から選択された少なくとも1種の金属又はその化合物から成る添加物が含まれており、
電極の第1面の界面近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度は、電極の第2面の近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度よりも高い発光ダイオード。 - 複数の化合物半導体層が積層されて成る発光層、並びに、
第1面、及び、第1面と対向する第2面を有し、第1面において発光層と接し、透明導電材料から成る電極、
を具備しており、
透明導電材料には、モリブデン、タングステン、クロム、ルテニウム、チタン、ニッケル、亜鉛、鉄及び銅から成る群から選択された少なくとも1種の金属又はその化合物から成る添加物が含まれており、
電極の第1面の界面近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度は、電極の第2面の近傍における透明導電材料に含まれる添加物の濃度よりも高い面発光レーザ素子。
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