JPWO2013179793A1 - 非可逆回路素子 - Google Patents
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Abstract
非可逆回路素子において、他に悪影響を及ぼすことなく第2中心電極のインダクタンスを低下させ、高周波帯域で動作可能とすること。永久磁石と、該永久磁石により直流磁界が印加されるマイクロ波用磁性体32と、マイクロ波用磁性体32に巻き回されており、一端が入力ポートP1に接続され、他端が出力ポートP2に接続された第1中心電極35と、マイクロ波用磁性体32に第1中心電極35と絶縁状態で交差して巻き回されており、一端が出力ポートP2に接続され、他端がグランドポートP3に接続された第2中心電極36と、入力ポートP1と出力ポートP2との間に第1中心電極35と並列に接続された第1整合容量C1と、入力ポートP1と出力ポートP2との間に第1中心電極35と並列に接続された終端抵抗Rと、出力ポートP2とグランドポートP3との間に接続された第2整合容量C2と、を備えた非可逆回路素子。第2中心電極36はその一部に副中心電極37が並列に接続されている。
Description
本発明は、非可逆回路素子、特に、マイクロ波帯で使用されるアイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子に関する。
従来より、アイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子は、予め定められた特定方向にのみ信号を伝送し、逆方向には伝送しない特性を有している。この特性を利用して、例えば、アイソレータは、携帯電話などの移動体通信機器の送信回路部に使用されている。
この種の非可逆回路素子として、特許文献1には、永久磁石と、該永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、該フェライトに互いに電気的に絶縁状態で交差して配置された第1中心電極及び第2中心電極などで構成された2ポート型アイソレータが記載されている。
前記アイソレータでは、第1及び第2中心電極のインダクタンスを所望の値に設計する場合、第1及び第2中心電極のフェライトへの巻回数、線幅、接続用のスルーホールの形状(深さ)及びフェライトの厚みをパラメータとしている。しかし、アイソレータの小型化に伴ってフェライトのサイズを小さくする必要があり、前記各種パラメータの設計自由度が低くなってきており、所望のインダクタンスに適合させることが困難になっている。
中心電極のインダクタンスを小さくするには、巻回数を少なくする、線幅を太くする、スルーホールの深さを大きくする、フェライトの厚みを薄くすることで可能である。しかしながら、巻回数を少なくすると、インダクタンスが急激に低下してしまう。即ち、インダクタンスは巻回数の2乗に比例するために、例えば、3ターンから2ターンに少なくすると、約55%も低下してしまう。また、第1及び第2中心電極の結合度も低下するので、挿入損失特性が劣化する。
一方、中心電極の線幅を太くすると、又は、スルーホールの深さを大きくすると、電極間でショートする確率が高くなり信頼性に問題が生じる。さらに、フェライトの厚みを薄くすると、フェライトの強度が弱くなり、研磨工程や中心電極の形成工程でフェライト基板に割れやクラックが生じる確率が増加するという問題点を有している。
近年では、非可逆回路素子の動作周波数が2GHz以上の高周波帯域に移行している。その場合、中心電極の最適なインダクタンスは小さいので、前記問題点が顕著に現われてくる。また、中心電極には線間浮遊容量が不可避的に発生し、中心電極は一定の周波数で自己共振することになり、自己共振周波数以上の周波数帯域で動作する非可逆回路素子は実現できない。それゆえ、動作周波数の高い非可逆回路素子を実現するには、中心電極のインダクタンスを小さくして自己共振周波数を高めることが必要である。
そこで、本発明の目的は、他に悪影響を及ぼすことなく第2中心電極のインダクタンスを低下させ、高周波帯域で動作可能な非可逆回路素子を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明の一形態である非可逆回路素子は、
永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるマイクロ波用磁性体と、
前記マイクロ波用磁性体に巻き回されており、一端が入力ポートに接続され、他端が出力ポートに接続された第1中心電極と、
前記マイクロ波用磁性体に第1中心電極と絶縁状態で交差して巻き回されており、一端が出力ポートに接続され、他端がグランドポートに接続された第2中心電極と、
前記入力ポートと前記出力ポートとの間に第1中心電極と並列に接続された第1整合容量と、
前記入力ポートと前記出力ポートとの間に第1中心電極と並列に接続された終端抵抗と、
前記出力ポートと前記グランドポートとの間に接続された第2整合容量と、
を備え、
第2中心電極はその一部に副中心電極が並列に接続されていること、
を特徴とする。
永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるマイクロ波用磁性体と、
前記マイクロ波用磁性体に巻き回されており、一端が入力ポートに接続され、他端が出力ポートに接続された第1中心電極と、
前記マイクロ波用磁性体に第1中心電極と絶縁状態で交差して巻き回されており、一端が出力ポートに接続され、他端がグランドポートに接続された第2中心電極と、
前記入力ポートと前記出力ポートとの間に第1中心電極と並列に接続された第1整合容量と、
前記入力ポートと前記出力ポートとの間に第1中心電極と並列に接続された終端抵抗と、
前記出力ポートと前記グランドポートとの間に接続された第2整合容量と、
を備え、
第2中心電極はその一部に副中心電極が並列に接続されていること、
を特徴とする。
前記非可逆回路素子においては、第2中心電極の一部に副中心電極が並列に接続されているため、第2中心電極の合成インダクタンスが小さくなる。即ち、副中心電極のインダクタンスを適宜な値に設定することにより、第2中心電極のインダクタンスを微調整でき、巻回数を少なくするような急激なインダクタンスの低下を回避して所望のインダクタンスを得ることができる。これにて、第1及び第2中心電極の結合度の低下を回避して挿入損失特性の劣化を防止できる。また、第2中心電極の線幅を太くしたり、スルーホールの深さを大きくしたり、フェライトをことさら薄くする必要もなく、電極間でのショートの危険性、フェライト基板の割れやクラックの発生を回避できる。
本発明によれば、他に悪影響を及ぼすことなく第2中心電極のインダクタンスを低下させることができ、高周波数帯域で動作させることが可能になる。
以下、本発明に係る非可逆回路素子の実施例について添付図面を参照して説明する。なお、各図において同じ部材、部分には共通する符号を付し、重複する説明は省略する。
(第1実施例、図1〜図3、図5参照)
第1実施例である2ポート型アイソレータは図1に示す等価回路にて構成されている。即ち、図示しない永久磁石により直流磁界が印加されるマイクロ波用磁性体(以下、フェライト32と記す)と、該フェライト32に互いに電気的に絶縁状態で交差して配置された第1中心電極35(インダクタンスL1)及び第2中心電極36(インダクタンスL2)とを備えている。第1中心電極35は、一端が入力ポートP1に接続され、他端が出力ポートP2に接続されている。第2中心電極36は、一端が出力ポートP2に接続され、他端がグランドポートP3に接続されている。入力ポートP1と出力ポートP2との間に終端抵抗Rが第1中心電極35と並列に接続され、入力ポートP1と出力ポートP2との間に整合用コンデンサC1が接続され、出力ポートP2とグランドポートP3との間に整合用コンデンサC2が接続されている。
第1実施例である2ポート型アイソレータは図1に示す等価回路にて構成されている。即ち、図示しない永久磁石により直流磁界が印加されるマイクロ波用磁性体(以下、フェライト32と記す)と、該フェライト32に互いに電気的に絶縁状態で交差して配置された第1中心電極35(インダクタンスL1)及び第2中心電極36(インダクタンスL2)とを備えている。第1中心電極35は、一端が入力ポートP1に接続され、他端が出力ポートP2に接続されている。第2中心電極36は、一端が出力ポートP2に接続され、他端がグランドポートP3に接続されている。入力ポートP1と出力ポートP2との間に終端抵抗Rが第1中心電極35と並列に接続され、入力ポートP1と出力ポートP2との間に整合用コンデンサC1が接続され、出力ポートP2とグランドポートP3との間に整合用コンデンサC2が接続されている。
さらに、入力端子INと出力ポートP2との間に結合用コンデンサCjが接続され、入力端子INと入力ポートP1との間に入力インピーダンスを整合させるコンデンサCs1が接続され、出力端子OUTと出力ポートP2との間に出力インピーダンスを整合させるコンデンサCs2が接続されている。
また、第2中心電極36にはその一部に副中心電極37が並列に接続されている。つまり、第2中心電極36は副中心電極37のインダクタンスL2xと、該インダクタンスL2xと並列に存在するインダクタンスL21と、インダクタンスL21,L2xとは直列に存在するインダクタンスL22とによって形成されている。
以上の等価回路からなる集中定数型のアイソレータにおいては、高周波電流が入力端子INに入力されると(順方向入力)、第2中心電極36に大きな電流が流れ、出力端子OUTへ伝送される。この伝送周波数は第2中心電極36のインダクタンスL2とコンデンサC2とで形成される並列共振回路によって決定される。このとき、終端抵抗RやコンデンサC1にはほとんど高周波電流が流れないため、挿入損失は小さい。また、順方向伝送時において、中心電極35,36間での磁気結合の作用で伝送される信号と、コンデンサCjを介して伝送される信号とが強め合い、伝送信号としては大きくなる。一方、高周波電流が出力端子OUTに入力されると(逆方向入力)、第1中心電極35のインダクタンスL1とコンデンサC1とで形成される並列共振回路及び終端抵抗Rによって減衰(アイソレーション)される。
この2ポート型アイソレータは、具体的には、図2に示すように、概略、回路基板20と、フェライト32と一対の永久磁石41とからなるフェライト・磁石素子30と、ヨーク10とで構成されている。
フェライト32には、図3に示すように、表裏の主面32a,32bに、絶縁材34A,34Bにて互いに電気的に絶縁された第1中心電極35及び第2中心電極36が形成されている。フェライト32は互いに平行な第1主面32a及び第2主面32bを有する直方体形状をなしている。
また、永久磁石41はフェライト32に対して磁界を主面32a,32bに垂直方向に印加するように主面32a,32bに対向して、例えば、エポキシ系の接着剤42(図2参照)を介して接着され、フェライト・磁石素子30を形成している。永久磁石41の主面はフェライト32の主面32a,32bと同一寸法であり、互いの外形が一致するように主面どうしを対向させて配置されている。
第1中心電極35は導体膜にて形成されている。即ち、図3に示すように、この第1中心電極35は、フェライト32の下面に形成された接続用電極35aに接続された状態で第1主面32aにおいて左下から立ち上がってほぼ水平方向に形成され、右上方に立ち上がって上面の中継用電極35bを介して第2主面32bに回り込む。第2主面32bにおいて、第1中心電極35は、第1主面32aと透視状態でほぼ重なるように形成され、その端部は下面に形成された接続用電極35cに接続されている。このように、第1中心電極35はフェライト32に1ターン巻回されている。そして、第1中心電極35と第2中心電極36、副中心電極37とは、間に絶縁材34A,34Bが形成されて互いに絶縁された状態で交差している。中心電極35,36の交差角は必要に応じて設定され、入力インピーダンスや挿入損失が調整されることになる。
第2中心電極36は導体膜にて形成されている。この第2中心電極36は、まず、0.5ターン目の電極36aがフェライト32の下面に形成された接続用電極35cと接続された状態で第2主面32b側において第1中心電極35と斜めに交差する状態で立ち上がり、上面の中継用電極36bを介して第1主面32a側に回り込み、1ターン目の電極36cが第1主面32a側において第1中心電極35と直交する状態で形成されている。1ターン目の電極36cの下端部は下面の中継用電極36dを介して第2主面32b側に回り込み、1.5ターン目の電極36eが第2主面32b側において立ち上がり、上面の中継用電極36fを介して第1主面32a側に回り込んでいる。以下同様に、2ターン目の電極36g、中継用電極36h、2.5ターン目の電極36i、中継用電極36j、3ターン目の電極36kがフェライト32の表面に沿ってそれぞれ形成されている。3ターン目の電極36kの下端部はフェライト32の下面に形成した接続用電極36lに接続されている。
副中心電極37は、前記0.5ターン目の電極36aの下部から上方に分岐し、フェライトの上面に形成された接続用電極37aを介して第1主面32a側に回り込み、1ターン目の電極36cの下部に接続されている。つまり、副中心電極37は第2中心電極36の端部巻回部分に並列に接続されてフェライト32に1ターン弱巻回されている。
前記接続用電極35a,35c,36lや中継用電極35b,36b,36d,36f,36h,36j,37aは、フェライト32の上下面に形成された凹部に電極用導体を塗布又は充填して形成されている。この種の電極は、マザーフェライト基板に予めスルーホールを形成し、このスルーホールを電極用導体で充填した後、スルーホールを分断する位置でカットすることによって形成される。なお、各種電極はスルーホールに導体膜として形成したものであってもよい。また、多数個取りの手法で製作される場合、マザーフェライト基板に接着剤を介して永久磁石をも積層した状態でカットされることもある。
回路基板20は、複数枚の誘電体シート上に所定の内部電極や層間接続用のビアホール導体を形成して積層、焼結した多層基板である。回路基板20の内部には、図1に示した整合用コンデンサC2,Cs1,Cs2,Cjが内蔵されている。回路基板20の上面には各種配線導体21,22,23,24が形成されている。入力ポートP1(電極35a)は配線導体21の一部21aに接続され、出力ポートP2(電極35c)は配線導体22の一部22aに接続され、グランドポートP3(電極36l)は配線導体23に接続されている。整合用コンデンサC1は配線導体21,22の一端21b,22b間に接続され、終端抵抗Rは配線導体22の一端22cと配線導体24との間に接続されている。
そして、各配線導体21,22,23,24は回路基板20の内部で図1に示した等価回路を構成するように接続されている。さらに、回路基板20の下面には、入力端子IN、出力端子OUT及びグランド端子GNDが形成されている。
前記アイソレータにおいては、第2中心電極36の一部(L21)に副中心電極37(L2x)が並列に接続されているため、第2中心電極36の合成インダクタンス(L2)が小さくなる。即ち、副中心電極37の線幅や長さを任意に設計してそのインダクタンス(L2x)を適宜な値に設定することにより、第2中心電極36のインダクタンス(L2)を微調整することができる。第2中心電極36において、インダクタンスL21は電極36a,36cにて形成され、インダクタンスL22は電極36e,36g,36i,36kにて形成される。この場合、合成インダクタンスL2は以下の式で表わされる。
L2=(L21・L2x)/(L21+L2x)+L22
L2=(L21・L2x)/(L21+L2x)+L22
第2中心電極36の巻回数を減少させることはないので、第2中心電極36のインダクタンスL2が急激に低下することはなく、また、第1及び第2中心電極35,36の結合度も低下することはない。つまり、第2中心電極36に副中心電極37を付加しても挿入損失特性はほとんど劣化しない。本第1実施例における挿入損失特性を図5の曲線Aに示す。この場合、インダクタンスL21は1.0nH、インダクタンスL2xは0.8nH、インダクタンスL22は3.0nHに設定した。合成インダクタンスL2は3.4nHである。また、自己共振周波数は3.3GHzになる。非可逆回路素子では自己共振周波数以上で動作させることはできないが、本第1実施例では、第2中心電極36のインダクタンスL2を小さくすることで自己共振周波数が3.3GHzと高くなり、高周波帯域で動作させることが可能になる。
副中心電極37のインダクタンスL2xは、第2中心電極36の並列部分のインダクタンスL21よりも大きくても、小さくても、あるいは、同等であってもよい。本第1実施例では、インダクタンスL2xはインダクタンスL21よりも若干小さく設定されている。
また、第2中心電極36の線幅を太くすることはないので、第2中心電極36のそれぞれの電極間がショートするおそれの増大はない。スルーホールの深さ(接続用電極の厚み)を大きくすることもないので、これらの接続用電極と第1中心電極35とがショートするおそれが増大することもない。フェライト32をことさら薄くする必要もなく、フェライト基板の割れやクラックの発生を回避できる。
さらに、副中心電極37は、フォトリソ法やスクリーン印刷法などの工法によって第2中心電極36と同時に形成可能であり、副中心電極37を形成するための追加的な工程は不要であり、コストアップを招来することはない。本第1実施例において、副中心電極37は第2中心電極36の端部巻回部分に形成しており、この部分はもともとデッドスペースであり、フェライト32のサイズを大きくする必要はない。なお、副中心電極37は電極36i,36kに並列に接続するように形成してもよい。あるいは、中間に配置した電極36e,36gに並列に接続するように形成してもよい。
(第2実施例、図4及び図5参照)
第2実施例である2ポート型アイソレータは、図4に示すように、第2中心電極36の電極36a,36cに並列に接続した副中心電極37の線路長を前記第1実施例における副中心電極37よりも若干長く形成したものである。他の構成は第1実施例と同様である。
第2実施例である2ポート型アイソレータは、図4に示すように、第2中心電極36の電極36a,36cに並列に接続した副中心電極37の線路長を前記第1実施例における副中心電極37よりも若干長く形成したものである。他の構成は第1実施例と同様である。
本第2実施例においては、副中心電極37の線路長を長くすることにより、副中心電極37のインダクタンスL2xを第2中心電極36の並列部分のインダクタンスL21よりも若干大きく設定している。具体的には、インダクタンスL21は1.0nH、インダクタンスL2xは2.0nH、インダクタンスL22は3.0nHに設定した。合成インダクタンスL2は3.7nHである。また、自己共振周波数は2.8GHzになる。本第2実施例における挿入損失特性を図5の曲線Bに示す。第1中心電極35との結合に寄与する第2中心電極36のインダクタンスL21が、第1中心電極35との結合に寄与しない副中心電極37のインダクタンスL2xよりも小さいので、挿入損失特性の劣化が抑制され、その特性曲線Bは前記第1実施例の特性曲線Aよりも良好な結果を生じている。第2実施例の他の作用効果は第1実施例と同様である。
(第3実施例、図6参照)
第3実施例である2ポート型アイソレータは、図6に示すように、フェライト132をシート132a〜132eを順次積層、焼結した積層体で構成したもので、第1及び第2中心電極135,136、副中心電極137がフェライト132の表裏面及び内部に形成されている。
第3実施例である2ポート型アイソレータは、図6に示すように、フェライト132をシート132a〜132eを順次積層、焼結した積層体で構成したもので、第1及び第2中心電極135,136、副中心電極137がフェライト132の表裏面及び内部に形成されている。
詳しくは、第1中心電極135は、電極135aがビアホール導体135bを介して電極135cの一端に接続され、該電極135cの他端がビアホール導体135dを介して電極135eの一端に接続され、該電極135eの他端がビアホール導体135fを介して電極135gの一端に接続され、該電極135gの他端がビアホール導体135hを介して電極135iに接続されることにより、形成されている。電極135aはビアホール導体135jを介して電極135k(入力ポートP1)に接続されている。電極135iはビアホール導体135lを介して電極135m(出力ポートP2)に接続されている。
第2中心電極136は、電極136aの一端がビアホール導体136bを介して電極136cの一端に接続され、該電極136cの他端がビアホール導体136dを介して電極136eの一端に接続されることにより、形成されている。該電極136eの他端はビアホール導体136fを介して電極136g(グランドポートP3)に接続されている。電極136aの他端はビアホール導体136hを介して電極136i(出力ポートP2)に接続されている。副中心電極137は電極136aの他端部にループを描くように形成されている。
本第3実施例の等価回路は図1に示したとおりであり、他の構成は第1実施例と同様である。第2中心電極136はその一部に副中心電極137が並列に接続されている。それゆえ、第3実施例の作用効果は基本的には第1実施例と同様である。
(他の実施例)
なお、本発明に係る非可逆回路素子は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
なお、本発明に係る非可逆回路素子は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
例えば、永久磁石のN極とS極を反転させれば、入力ポートと出力ポートが入れ替わる。また、第1中心電極、第2中心電極及び副中心電極の構成や形状、ターン数などは任意である。あるいは、前記各実施例で回路基板20に内蔵した整合用コンデンサはチップタイプとして回路基板20上に実装してもよい。
以上のように、本発明は、非可逆回路素子に有用であり、特に、他に悪影響を及ぼすことなく第2中心電極のインダクタンスを低下させ、高周波帯域で動作可能である点で優れている。
30…フェライト・磁石素子
32,132…フェライト
35,135…第1中心電極
36,136…第2中心電極
37,137…副中心電極
41…永久磁石
P1…入力ポート
P2…出力ポート
P3…グランドポート
R…終端抵抗
C1,C2…コンデンサ
32,132…フェライト
35,135…第1中心電極
36,136…第2中心電極
37,137…副中心電極
41…永久磁石
P1…入力ポート
P2…出力ポート
P3…グランドポート
R…終端抵抗
C1,C2…コンデンサ
Claims (4)
- 永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるマイクロ波用磁性体と、
前記マイクロ波用磁性体に巻き回されており、一端が入力ポートに接続され、他端が出力ポートに接続された第1中心電極と、
前記マイクロ波用磁性体に第1中心電極と絶縁状態で交差して巻き回されており、一端が出力ポートに接続され、他端がグランドポートに接続された第2中心電極と、
前記入力ポートと前記出力ポートとの間に第1中心電極と並列に接続された第1整合容量と、
前記入力ポートと前記出力ポートとの間に第1中心電極と並列に接続された終端抵抗と、
前記出力ポートと前記グランドポートとの間に接続された第2整合容量と、
を備え、
第2中心電極はその一部に副中心電極が並列に接続されていること、
を特徴とする非可逆回路素子。 - 前記副中心電極のインダクタンスが第2中心電極の並列部分のインダクタンスよりも大きいこと、を特徴とする請求項1に記載の非可逆回路素子。
- 前記副中心電極のインダクタンスが第2中心電極の並列部分のインダクタンスと同等以下であること、を特徴とする請求項1に記載の非可逆回路素子。
- 第2中心電極は前記マイクロ波用磁性体に複数回巻き回されており、前記副中心電極は該第2中心電極の端部巻回部分に接続されていること、を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の非可逆回路素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014518335A JP5672413B2 (ja) | 2012-05-28 | 2013-04-17 | 非可逆回路素子 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012120355 | 2012-05-28 | ||
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