JPWO2013137118A1 - アモルファス合金薄帯 - Google Patents
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Abstract
本発明では、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃ、及び不可避的不純物からなり、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０原子％としたときに、Ｓｉの量が８．５原子％〜９．５原子％であり、Ｂの量が１０．０原子％以上１２．０原子％未満であり、前記合計量１００．０原子％に対するＣの量が０．２原子％〜０．６原子％であり、厚さが１０μｍ〜４０μｍであり、幅が１００ｍｍ〜３００ｍｍであるアモルファス合金薄帯が提供される。
Description
本発明は、アモルファス合金薄帯に関する。
アモルファス合金薄帯は、その優れた特性から、多くの用途において工業材料として有望視されている。
中でも、Ｆｅ（鉄）を主成分とするＦｅ系アモルファス合金薄帯（例えば、Ｆｅ（鉄）を主成分とし更にＢ（ホウ素）及びＳｉ（ケイ素）を含むＦｅ−Ｂ−Ｓｉ系アモルファス合金薄帯）は、鉄損が低く飽和磁束密度が高い等の理由から、変圧器の磁心等の材料として用いられている。かかるＦｅ系アモルファス合金薄帯では、一般に、方向性電磁鋼板に比べて占積率が低いので、高い占積率が求められる。占積率が低いと、同じ内外径の磁心を作製した場合、総磁束やインダクタンスも低下するため、その分磁心を大きくしたり、巻線の数を増加しなければならないので、機器の小型化の点やコストの点で問題となる。
Ｆｅ系アモルファス合金薄帯の占積率を向上させるために、これまで種々の検討がなされている。
例えば、単ロール法により、高い占積率を示すＦｅ系アモルファス合金薄帯を製造するための製造方法として、溶湯ノズル先端と冷却ロール表面との距離、冷却ロールの温度、冷却ロールの周速、冷却ロール周囲の雰囲気、溶湯ノズルからの噴出圧力、冷却ロールの表面状態など、製造条件を調整する方法が知られている（例えば、特開２００６−２８１３１７号公報、特開平９−２１６０３６号公報、及び特開２００７−２１７７５７号公報参照）。
中でも、Ｆｅ（鉄）を主成分とするＦｅ系アモルファス合金薄帯（例えば、Ｆｅ（鉄）を主成分とし更にＢ（ホウ素）及びＳｉ（ケイ素）を含むＦｅ−Ｂ−Ｓｉ系アモルファス合金薄帯）は、鉄損が低く飽和磁束密度が高い等の理由から、変圧器の磁心等の材料として用いられている。かかるＦｅ系アモルファス合金薄帯では、一般に、方向性電磁鋼板に比べて占積率が低いので、高い占積率が求められる。占積率が低いと、同じ内外径の磁心を作製した場合、総磁束やインダクタンスも低下するため、その分磁心を大きくしたり、巻線の数を増加しなければならないので、機器の小型化の点やコストの点で問題となる。
Ｆｅ系アモルファス合金薄帯の占積率を向上させるために、これまで種々の検討がなされている。
例えば、単ロール法により、高い占積率を示すＦｅ系アモルファス合金薄帯を製造するための製造方法として、溶湯ノズル先端と冷却ロール表面との距離、冷却ロールの温度、冷却ロールの周速、冷却ロール周囲の雰囲気、溶湯ノズルからの噴出圧力、冷却ロールの表面状態など、製造条件を調整する方法が知られている（例えば、特開２００６−２８１３１７号公報、特開平９−２１６０３６号公報、及び特開２００７−２１７７５７号公報参照）。
しかしながら、上記従来の技術のように製造条件の調整によって薄帯の占積率を向上させる方法では、アモルファス合金薄帯を連続して製造するにあたり、製造条件（例えば冷却ロールの表面状態等）を長時間維持することが困難である場合がある。また、製造条件の調整によって薄帯の占積率を向上させる方法では、磁束密度等の磁気特性が低下する場合がある。
そこで、Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ系アモルファス合金薄帯の占積率を向上させる方法としては、上述の製造条件の調整の他に、Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ系アモルファス合金薄帯の組成自体を調整する方法が考えられる。
そこで、Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ系アモルファス合金薄帯の占積率を向上させる方法としては、上述の製造条件の調整の他に、Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ系アモルファス合金薄帯の組成自体を調整する方法が考えられる。
本発明者の検討により、Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ系アモルファス合金薄帯の組成に、Ｃ（炭素）を加えることで、薄帯の占積率が向上することが明らかとなった。更に検討した結果、Ｓｉの量が比較的多い組成のＦｅ−Ｂ−Ｓｉ系アモルファス合金薄帯に対してＣを多く加えすぎると、薄帯が脆くなる傾向があることが判明した。
また、アモルファス合金薄帯では、高い磁束密度を維持することも重要である。
また、アモルファス合金薄帯では、高い磁束密度を維持することも重要である。
従って、本発明の課題は、占積率に優れ、脆さ（脆性）が抑制され、高い磁束密度が維持されたアモルファス合金薄帯を提供することである。
前記課題を解決するための具体的手段は以下のとおりである。
＜１＞ Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃ、及び不可避的不純物からなり、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０原子％としたときに、Ｓｉの量が８．５原子％〜９．５原子％であり、Ｂの量が１０．０原子％以上１２．０原子％未満であり、前記合計量１００．０原子％に対するＣの量が０．２原子％〜０．６原子％であり、厚さが１０μｍ〜４０μｍであり、幅が１００ｍｍ〜３００ｍｍであるアモルファス合金薄帯である。
＜２＞ 前記Ｃの量が０．３原子％〜０．６原子％である＜１＞に記載のアモルファス合金薄帯である。
＜３＞ 前記Ｂの量が１０．０原子％〜１１．５原子％である＜１＞又は＜２＞に記載のアモルファス合金薄帯である。
＜４＞ 占積率が８８％以上である＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載のアモルファス合金薄帯である。
＜５＞ Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０原子％としたときに、Ｆｅの量が７９．０原子％〜８０．０原子％であり、Ｓｉの量が８．５原子％〜９．５原子％であり、Ｂの量が１０．５原子％〜１１．５原子％である＜１＞〜＜４＞のいずれか１つに記載のアモルファス合金薄帯である。
＜６＞ 単ロール法により製造された＜１＞〜＜５＞のいずれか１つに記載のアモルファス合金薄帯である。
＜１＞ Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃ、及び不可避的不純物からなり、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０原子％としたときに、Ｓｉの量が８．５原子％〜９．５原子％であり、Ｂの量が１０．０原子％以上１２．０原子％未満であり、前記合計量１００．０原子％に対するＣの量が０．２原子％〜０．６原子％であり、厚さが１０μｍ〜４０μｍであり、幅が１００ｍｍ〜３００ｍｍであるアモルファス合金薄帯である。
＜２＞ 前記Ｃの量が０．３原子％〜０．６原子％である＜１＞に記載のアモルファス合金薄帯である。
＜３＞ 前記Ｂの量が１０．０原子％〜１１．５原子％である＜１＞又は＜２＞に記載のアモルファス合金薄帯である。
＜４＞ 占積率が８８％以上である＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載のアモルファス合金薄帯である。
＜５＞ Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０原子％としたときに、Ｆｅの量が７９．０原子％〜８０．０原子％であり、Ｓｉの量が８．５原子％〜９．５原子％であり、Ｂの量が１０．５原子％〜１１．５原子％である＜１＞〜＜４＞のいずれか１つに記載のアモルファス合金薄帯である。
＜６＞ 単ロール法により製造された＜１＞〜＜５＞のいずれか１つに記載のアモルファス合金薄帯である。
本発明によれば、占積率に優れ、脆さ（脆性）が抑制され、高い磁束密度が維持されたアモルファス合金薄帯を提供することができる。
本明細書において、「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。
以下、本発明のアモルファス合金薄帯について詳細に説明する。
本発明のアモルファス合金薄帯（以下、単に「薄帯」ともいう）は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃ、及び不可避的不純物からなり、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０原子％としたときに、Ｓｉの量が８．５原子％〜９．５原子％（即ち、８．５原子％以上９．５原子％以下）であり、Ｂの量が１０．０原子％以上１２．０原子％未満であり、前記合計量１００．０原子％に対するＣの量が０．２原子％〜０．６原子％（即ち、０．２原子％以上０．６原子％以下）であり、厚さが１０μｍ〜４０μｍ（即ち、１０μｍ以上４０μｍ以下）であり、幅が１００ｍｍ〜３００ｍｍ（即ち、１００ｍｍ以上３００ｍｍ以下）である。
以下、本発明のアモルファス合金薄帯について詳細に説明する。
本発明のアモルファス合金薄帯（以下、単に「薄帯」ともいう）は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃ、及び不可避的不純物からなり、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０原子％としたときに、Ｓｉの量が８．５原子％〜９．５原子％（即ち、８．５原子％以上９．５原子％以下）であり、Ｂの量が１０．０原子％以上１２．０原子％未満であり、前記合計量１００．０原子％に対するＣの量が０．２原子％〜０．６原子％（即ち、０．２原子％以上０．６原子％以下）であり、厚さが１０μｍ〜４０μｍ（即ち、１０μｍ以上４０μｍ以下）であり、幅が１００ｍｍ〜３００ｍｍ（即ち、１００ｍｍ以上３００ｍｍ以下）である。
本発明者の検討により、Ｆｅを主成分とし更にＢ及びＳｉを含むＦｅ−Ｂ−Ｓｉ系アモルファス合金薄帯（以下、単に「Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ系アモルファス合金薄帯」ともいう）の組成にＣ（炭素）を加えることで、薄帯の占積率が向上することが明らかとなった。この理由は、Ｃを加えることにより、Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ系アモルファス合金薄帯の原料である合金溶湯の流動性が上がり、その結果、製造される薄帯の表面の平坦性が向上するためと考えられる。
また、本発明者が更に検討した結果、Ｓｉの量が比較的多い（具体的には、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０原子％としたときのＳｉの量が８．５原子％以上である）組成のＦｅ−Ｂ−Ｓｉ系アモルファス合金薄帯に対してＣを多く加えすぎると（具体的には、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量１００．０原子％に対するＣの量が０．６原子％を超えると）薄帯が脆くなることが判明した。
そこで本発明者は、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０原子％としたときのＳｉの量が８．５原子％以上であるＦｅ−Ｂ−Ｓｉ系アモルファス合金薄帯の組成に対し、前記合計量１００．０原子％に対する量が０．２原子％〜０．６原子％となるようにＣを加えることにより、脆さ（脆性）を抑制しながら、占積率を向上させることができ、しかも、高い磁束密度を維持できるとの知見を得、この知見に基づいて本発明を完成させた。
即ち、本発明によれば、占積率に優れ、脆さ（脆性）が抑制され、高い磁束密度が維持されたアモルファス合金薄帯が提供される。
また、本発明によれば、前記Ｃの量を０．６原子％以下としたことにより、Ｃを添加したときに生じることがあるアモルファス合金薄帯の経年劣化を抑制できる。
また、本発明者が更に検討した結果、Ｓｉの量が比較的多い（具体的には、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０原子％としたときのＳｉの量が８．５原子％以上である）組成のＦｅ−Ｂ−Ｓｉ系アモルファス合金薄帯に対してＣを多く加えすぎると（具体的には、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量１００．０原子％に対するＣの量が０．６原子％を超えると）薄帯が脆くなることが判明した。
そこで本発明者は、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０原子％としたときのＳｉの量が８．５原子％以上であるＦｅ−Ｂ−Ｓｉ系アモルファス合金薄帯の組成に対し、前記合計量１００．０原子％に対する量が０．２原子％〜０．６原子％となるようにＣを加えることにより、脆さ（脆性）を抑制しながら、占積率を向上させることができ、しかも、高い磁束密度を維持できるとの知見を得、この知見に基づいて本発明を完成させた。
即ち、本発明によれば、占積率に優れ、脆さ（脆性）が抑制され、高い磁束密度が維持されたアモルファス合金薄帯が提供される。
また、本発明によれば、前記Ｃの量を０．６原子％以下としたことにより、Ｃを添加したときに生じることがあるアモルファス合金薄帯の経年劣化を抑制できる。
上述した通り、本発明のアモルファス合金薄帯は、高い占積率（例えば、占積率８６％以上）を示す。
本発明のアモルファス合金薄帯の占積率は、８８％以上であることが好ましく、８９％以上であることがより好ましい。
本発明において「占積率」は、ＡＳＴＭ Ａ９００／Ａ９００Ｍ−０１（２００６）に準拠して測定された占積率（％）を指す。
尚、前記測定法による占積率８８％のアモルファス合金薄帯を用いて変圧器の磁心を作製した場合、作製時の締め付けにより占積率が若干高くなることがあるため、作製された磁心の占積率は８８〜９０％を示す、ということが経験的に知られている。
本発明のアモルファス合金薄帯の占積率は、８８％以上であることが好ましく、８９％以上であることがより好ましい。
本発明において「占積率」は、ＡＳＴＭ Ａ９００／Ａ９００Ｍ−０１（２００６）に準拠して測定された占積率（％）を指す。
尚、前記測定法による占積率８８％のアモルファス合金薄帯を用いて変圧器の磁心を作製した場合、作製時の締め付けにより占積率が若干高くなることがあるため、作製された磁心の占積率は８８〜９０％を示す、ということが経験的に知られている。
以下、本発明のアモルファス合金薄帯の組成について説明する。
本発明のアモルファス合金薄帯は、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量１００．０原子％に対するＣの量（以下、単に「Ｃの量」ともいう）が０．２原子％〜０．６原子％である。
Ｃの量が０．６原子％を超えると、薄帯が脆くなる。また、Ｃの量が０．６原子％を超えると、アモルファス合金薄帯の経年劣化が促進され、結晶化が起こるまでの期間が短くなる場合がある。
一方、本発明においてＣの量が０．２原子％以上であることは、薄帯にＣが実質的に含まれることを示しており、これにより薄帯の占積率が向上する。
Ｃの量は、薄帯の占積率をより向上させる観点からは、０．３原子％〜０．６原子％であることが好ましい。
Ｃの量が０．６原子％を超えると、薄帯が脆くなる。また、Ｃの量が０．６原子％を超えると、アモルファス合金薄帯の経年劣化が促進され、結晶化が起こるまでの期間が短くなる場合がある。
一方、本発明においてＣの量が０．２原子％以上であることは、薄帯にＣが実質的に含まれることを示しており、これにより薄帯の占積率が向上する。
Ｃの量は、薄帯の占積率をより向上させる観点からは、０．３原子％〜０．６原子％であることが好ましい。
本発明のアモルファス合金薄帯は、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０原子％としたときのＳｉの量（以下、単に「Ｓｉの量」ともいう）が８．５原子％〜９．５原子％である。
本発明のアモルファス合金薄帯は、Ｓｉの量が８．５原子％以上であることにより、薄帯の経年劣化抑制の効果が期待できる。Ｓｉの量は９．０原子％以上であることがより好ましい。
しかし、上述したとおり、Ｓｉの量が８．５原子％以上（特に９．０原子％以上）であるＦｅ−Ｂ−Ｓｉ系アモルファス合金薄帯に対してＣを多く加えすぎると、薄帯が脆くなる傾向があることが判明した。この点に関し、本発明のアモルファス合金薄帯では、Ｃの量を０．６原子％以下としたことにより、薄帯の脆さが顕著に抑制される。
一方、Ｓｉの量が９．５原子％を超えると、相対的にＦｅの量が少なくなることにより、飽和磁束密度が低下する。更に、Ｓｉの量が９．５原子％を超えると、アモルファス形成能が低下する傾向がある。
本発明のアモルファス合金薄帯は、Ｓｉの量が８．５原子％以上であることにより、薄帯の経年劣化抑制の効果が期待できる。Ｓｉの量は９．０原子％以上であることがより好ましい。
しかし、上述したとおり、Ｓｉの量が８．５原子％以上（特に９．０原子％以上）であるＦｅ−Ｂ−Ｓｉ系アモルファス合金薄帯に対してＣを多く加えすぎると、薄帯が脆くなる傾向があることが判明した。この点に関し、本発明のアモルファス合金薄帯では、Ｃの量を０．６原子％以下としたことにより、薄帯の脆さが顕著に抑制される。
一方、Ｓｉの量が９．５原子％を超えると、相対的にＦｅの量が少なくなることにより、飽和磁束密度が低下する。更に、Ｓｉの量が９．５原子％を超えると、アモルファス形成能が低下する傾向がある。
本発明のアモルファス合金薄帯は、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０原子％としたときのＢの量（以下、単に「Ｂの量」ともいう）が１０．０原子％以上１２．０原子％未満（好ましくは１０．０原子％〜１１．５原子％）である。
Ｂの量が１０．０原子％未満であると、結晶化温度が低くなり、アモルファス相の安定性が損なわれる。
一方、Ｂの量が１２．０原子％以上であると、原料コストが増大するため好ましくない。このため、Ｂの量は１２．０原子％未満であるが、１１．５原子％以下であることが好ましい。
また、Ｂの量は、アモルファス形成能をより向上させる観点から、１０．５原子％以上であることが好ましく、１１．０原子％以上であることがより好ましい。
Ｂの量が１０．０原子％未満であると、結晶化温度が低くなり、アモルファス相の安定性が損なわれる。
一方、Ｂの量が１２．０原子％以上であると、原料コストが増大するため好ましくない。このため、Ｂの量は１２．０原子％未満であるが、１１．５原子％以下であることが好ましい。
また、Ｂの量は、アモルファス形成能をより向上させる観点から、１０．５原子％以上であることが好ましく、１１．０原子％以上であることがより好ましい。
本発明のアモルファス合金薄帯は、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０原子％としたときのＦｅの量（以下、単に「Ｆｅの量」ともいう）は、Ｓｉの量が８．５原子％〜９．５原子％であり、かつ、Ｂの量が１０．０原子％以上１２．０原子％未満である限り特に限定はない。
Ｆｅの量は、具体的には７８．５原子％を超えて８１．５原子％以下であるが、好ましくは７９．０原子％〜８１．５原子％であり、より好ましくは７９．０原子％〜８１．０原子％であり、更に好ましくは７９．０原子％〜８０．５原子％であり、特に好ましくは７９．０原子％〜８０．０原子％である。
Ｆｅの量が８１．０原子％以下であると、結晶化温度がより高くなり、熱的安定性がより向上する。
Ｆｅの量は、具体的には７８．５原子％を超えて８１．５原子％以下であるが、好ましくは７９．０原子％〜８１．５原子％であり、より好ましくは７９．０原子％〜８１．０原子％であり、更に好ましくは７９．０原子％〜８０．５原子％であり、特に好ましくは７９．０原子％〜８０．０原子％である。
Ｆｅの量が８１．０原子％以下であると、結晶化温度がより高くなり、熱的安定性がより向上する。
本発明において、Ｆｅの量、Ｓｉの量、及びＢの量の好ましい組み合わせは、Ｆｅの量が７９．０原子％〜８１．５原子％（より好ましくは７９．０原子％〜８１．０原子％、更に好ましくは７９．０原子％〜８０．５原子％）であり、Ｓｉの量が８．５原子％〜９．５原子％であり、Ｂの量が１０．０原子％以上１２．０原子％未満（好ましくは１０．０原子％〜１１．５原子％）である組み合わせであり、より好ましい組み合わせは、Ｆｅの量が７９．０原子％〜８０．０原子％であり、Ｓｉの量が８．５原子％〜９．５原子％であり、Ｂの量が１０．５原子％〜１１．５原子％である組み合わせであり、特に好ましい組み合わせは、Ｆｅの量が７９．０原子％〜８０．０原子％であり、Ｓｉの量が９．０原子％〜９．５原子％であり、Ｂの量が１１．０原子％〜１１．５原子％である組み合わせである。
また、本発明のアモルファス合金薄帯は、上述した元素（Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂ、及びＣ）に加えて不可避的不純物を含む。ここで、不可避的不純物とは、アモルファス合金薄帯又はその原料となる母合金もしくは合金溶湯の製造工程において不可避的に混入する不純物を指す。前記不可避的不純物としては、例えば、Ｍｎ，Ｓ，Ｃｒ，Ｐ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｏ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｃｕ等が挙げられる。
但し、アモルファス合金薄帯の物性を決めるのはＳｉ、Ｂが支配的であり、上記不純物の影響度は小さい。
但し、アモルファス合金薄帯の物性を決めるのはＳｉ、Ｂが支配的であり、上記不純物の影響度は小さい。
また、本発明のアモルファス合金薄帯の厚さ（板厚）は１０μｍ〜４０μｍである。
前記厚さが１０μｍ未満であると、薄帯の機械的強度が不十分となる傾向がある。この観点から、前記厚さは１０μｍ以上であるが、１５μｍ以上が好ましく、２０μｍ以上がより好ましい。
一方、前記厚さが４０μｍを超えると、アモルファス相を安定して得ることが難しくなる傾向がある。この観点から、前記厚さは４０μｍ以下であるが、３５μｍ以下が好ましく、３０μｍ以下がより好ましい。
前記厚さが１０μｍ未満であると、薄帯の機械的強度が不十分となる傾向がある。この観点から、前記厚さは１０μｍ以上であるが、１５μｍ以上が好ましく、２０μｍ以上がより好ましい。
一方、前記厚さが４０μｍを超えると、アモルファス相を安定して得ることが難しくなる傾向がある。この観点から、前記厚さは４０μｍ以下であるが、３５μｍ以下が好ましく、３０μｍ以下がより好ましい。
また、本発明のアモルファス合金薄帯の幅は１００ｍｍ〜３００ｍｍである。
前記幅が１００ｍｍ以上であると、実用的な変圧器を好適に作製できる。この観点から、前記幅は１００ｍｍ以上であるが、１２５ｍｍ以上がより好ましい。
一方、前記幅が３００ｍｍを超えると、幅方向に均一な厚さの薄帯を得ることが困難となり、形状が不均一な為に部分的に脆化したり、磁束密度（Ｂ１）が低下する。これらの観点から、前記幅は３００ｍｍ以下であるが、２７５ｍｍ以下がより好ましい。
前記幅が１００ｍｍ以上であると、実用的な変圧器を好適に作製できる。この観点から、前記幅は１００ｍｍ以上であるが、１２５ｍｍ以上がより好ましい。
一方、前記幅が３００ｍｍを超えると、幅方向に均一な厚さの薄帯を得ることが困難となり、形状が不均一な為に部分的に脆化したり、磁束密度（Ｂ１）が低下する。これらの観点から、前記幅は３００ｍｍ以下であるが、２７５ｍｍ以下がより好ましい。
本発明のアモルファス合金薄帯の製造方法には特に限定はなく、例えば、液体急冷法（単ロール法、双ロール法、遠心法等）等の公知の方法を用いることができる。
中でも、単ロール法は、製造設備が比較的単純で、かつ安定製造が可能な製造法であって、優れた工業生産性を有する。
中でも、単ロール法は、製造設備が比較的単純で、かつ安定製造が可能な製造法であって、優れた工業生産性を有する。
図１は、本発明のアモルファス合金薄帯を製造するために好適なアモルファス合金薄帯製造装置の一実施形態を概念的に示す概略断面図である。
図１に示すアモルファス合金薄帯製造装置１００は、単ロール法によるアモルファス合金薄帯製造装置である。
図１に示すように、アモルファス合金薄帯製造装置１００は、溶湯ノズル１０を備えた坩堝２０と、その表面が溶湯ノズル１０の先端に対向する冷却ロール３０と、を備えている。図１は、アモルファス合金薄帯製造装置１００を、冷却ロール３０の軸方向及びアモルファス合金薄帯２２Ｃの幅方向（これらの２つの方向は同一である）に対して垂直な面で切断したときの断面を示している。
図１に示すアモルファス合金薄帯製造装置１００は、単ロール法によるアモルファス合金薄帯製造装置である。
図１に示すように、アモルファス合金薄帯製造装置１００は、溶湯ノズル１０を備えた坩堝２０と、その表面が溶湯ノズル１０の先端に対向する冷却ロール３０と、を備えている。図１は、アモルファス合金薄帯製造装置１００を、冷却ロール３０の軸方向及びアモルファス合金薄帯２２Ｃの幅方向（これらの２つの方向は同一である）に対して垂直な面で切断したときの断面を示している。
坩堝２０は、アモルファス合金薄帯の原料となる合金溶湯２２Ａを収容しうる内部空間を有しており、この内部空間と溶湯ノズル１０内の溶湯流路とが連通されている。これにより、坩堝２０内に収容された合金溶湯２２Ａを、溶湯ノズル１０によって冷却ロール３０に吐出できるようになっている（図１では、合金溶湯２２Ａの吐出方向及び流通方向を矢印Ｑで示している）。なお、坩堝２０及び溶湯ノズル１０は、一体に構成されたものであってもよいし、別体として構成されたものであってもよい。
坩堝２０の周囲の少なくとも一部には、加熱手段としての高周波コイル４０が配置されている。これにより、アモルファス合金薄帯の母合金が収容された状態の坩堝２０を加熱して坩堝２０内で合金溶湯２２Ａを生成したり、外部から坩堝２０に供給された合金溶湯２２Ａの液体状態を維持できるようになっている。
坩堝２０の周囲の少なくとも一部には、加熱手段としての高周波コイル４０が配置されている。これにより、アモルファス合金薄帯の母合金が収容された状態の坩堝２０を加熱して坩堝２０内で合金溶湯２２Ａを生成したり、外部から坩堝２０に供給された合金溶湯２２Ａの液体状態を維持できるようになっている。
また、溶湯ノズル１０は、合金溶湯を吐出するための開口部（吐出口）を有している。
この開口部は、矩形（スリット形状）の開口部とすることが好適である。
矩形の開口部の長辺の長さは、製造されるアモルファス合金薄帯の幅に対応する長さとなっている。矩形の開口部の長辺の長さとして、具体的には、１００ｍｍ〜３００ｍｍが好ましい。この長辺の長さの下限は１２５ｍｍがより好ましい。また、この長辺の長さの上限は２７５ｍｍがより好ましい。
この開口部は、矩形（スリット形状）の開口部とすることが好適である。
矩形の開口部の長辺の長さは、製造されるアモルファス合金薄帯の幅に対応する長さとなっている。矩形の開口部の長辺の長さとして、具体的には、１００ｍｍ〜３００ｍｍが好ましい。この長辺の長さの下限は１２５ｍｍがより好ましい。また、この長辺の長さの上限は２７５ｍｍがより好ましい。
溶湯ノズル１０の先端と冷却ロール３０の表面との距離は、溶湯ノズル１０によって合金溶湯２２Ａを吐出したときに、合金溶湯２２Ａによる湯溜まり２２Ｂが形成される程度に近接している。
この距離は、単ロール法において通常設定される範囲とすることができるが、５００μｍ以下が好ましく、３００μｍ以下がより好ましい。
また、この距離は、溶湯ノズル１０の先端と冷却ロール３０の表面との接触を抑制する観点からは、５０μｍ以上であることが好ましい。
この距離は、単ロール法において通常設定される範囲とすることができるが、５００μｍ以下が好ましく、３００μｍ以下がより好ましい。
また、この距離は、溶湯ノズル１０の先端と冷却ロール３０の表面との接触を抑制する観点からは、５０μｍ以上であることが好ましい。
冷却ロール３０は矢印Ｐの方向に軸回転できるように構成されている。
冷却ロール３０の内部には水等の冷却媒体が流通されており、これにより、冷却ロール３０の表面に付与（吐出）された合金溶湯２２Ａを冷却しアモルファス合金薄帯２２Ｃを生成できるようになっている。
冷却ロール３０の材質は、Ｃｕ、Ｃｕ合金（Ｃｕ−Ｂｅ合金、Ｃｕ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｚｒ合金、Ｃｕ−Ｚｎ合金、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｔｉ合金等）の熱伝導性の高い材料が好ましい。
冷却ロール３０表面の表面粗さには特に限定はないが、占積率の観点からは、冷却ロール３０表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．５μｍ以下が好ましく、０．３μｍ以下がより好ましい。冷却ロール３０表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、表面粗さ調整の加工性の観点からは、０．１μｍ以上が好ましい。
また、本実施形態では、上述の好ましい表面粗さ（Ｒａ）を維持するために、合金薄帯の製造中にブラシ等で冷却ロール３０の表面を研磨してもよい。
その他、冷却ロール３０としては、単ロール法において通常用いられる冷却ロールを用いることができる。
冷却ロール３０の直径は、冷却能の観点から、２００ｍｍ以上が好ましく、３００ｍｍ以上がより好ましい。一方、この直径は、冷却能の観点から、７００ｍｍ以下がより好ましい。
本明細書中において表面粗さ（前記算術平均粗さＲａ）は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）に準拠して測定された表面粗さを指す。
冷却ロール３０の内部には水等の冷却媒体が流通されており、これにより、冷却ロール３０の表面に付与（吐出）された合金溶湯２２Ａを冷却しアモルファス合金薄帯２２Ｃを生成できるようになっている。
冷却ロール３０の材質は、Ｃｕ、Ｃｕ合金（Ｃｕ−Ｂｅ合金、Ｃｕ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｚｒ合金、Ｃｕ−Ｚｎ合金、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｔｉ合金等）の熱伝導性の高い材料が好ましい。
冷却ロール３０表面の表面粗さには特に限定はないが、占積率の観点からは、冷却ロール３０表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．５μｍ以下が好ましく、０．３μｍ以下がより好ましい。冷却ロール３０表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、表面粗さ調整の加工性の観点からは、０．１μｍ以上が好ましい。
また、本実施形態では、上述の好ましい表面粗さ（Ｒａ）を維持するために、合金薄帯の製造中にブラシ等で冷却ロール３０の表面を研磨してもよい。
その他、冷却ロール３０としては、単ロール法において通常用いられる冷却ロールを用いることができる。
冷却ロール３０の直径は、冷却能の観点から、２００ｍｍ以上が好ましく、３００ｍｍ以上がより好ましい。一方、この直径は、冷却能の観点から、７００ｍｍ以下がより好ましい。
本明細書中において表面粗さ（前記算術平均粗さＲａ）は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）に準拠して測定された表面粗さを指す。
冷却ロール３０の表面の近傍（溶湯ノズル１０よりも冷却ロール３０の回転方向のついての下流側）には、剥離ガスノズル５０が配置されている。これにより、冷却ロール３０の回転方向（矢印Ｐ）とは逆向き（図２中の破線の矢印の方向）に剥離ガス（例えば窒素ガスや圧縮空気等の高圧ガス）を吹きつけることによって、冷却ロール３０からのアモルファス合金薄帯２２Ｃの剥離がより効率よく行われる。
アモルファス合金薄帯製造装置１００は、上述した構成以外のその他の構成（例えば、製造されたアモルファス合金薄帯２２Ｃを巻き取る巻き取りロール、合金溶湯による湯溜まり２２Ｂ又はその近傍にＣＯ２ガスやＮ２ガス等を吹き付けるガスノズル等）を備えていてもよい。
その他、アモルファス合金薄帯製造装置１００の基本的な構成は、従来の単ロール法によるアモルファス合金薄帯製造装置（例えば、特許第３４９４３７１号公報、特許第３５９４１２３号公報、特許第４２４４１２３号公報、特許第４５２９１０６号公報等参照）と同様の構成とすることができる。
その他、アモルファス合金薄帯製造装置１００の基本的な構成は、従来の単ロール法によるアモルファス合金薄帯製造装置（例えば、特許第３４９４３７１号公報、特許第３５９４１２３号公報、特許第４２４４１２３号公報、特許第４５２９１０６号公報等参照）と同様の構成とすることができる。
次に、アモルファス合金薄帯製造装置１００を用いたアモルファス合金薄帯２２Ｃの製造の一例について説明する。
まず、坩堝２０に、本発明のアモルファス合金薄帯の原料となる合金溶湯２２Ａを準備する。
ここで合金溶湯２２Ａは、本発明のアモルファス合金薄帯の組成の母合金を溶解させて得られた合金溶湯であってもよいし、まず本発明のアモルファス合金薄帯の組成からＣ（炭素）を除いた組成の母合金を準備し、この母合金を溶解させた溶湯中にＣ（炭素）を溶解させて得られた合金溶湯であってもよい。
合金溶湯２２Ａの温度には特に限定はないが、合金溶湯２２Ａに起因する析出物が溶湯ノズルの壁面に付着することを抑制する観点から、１２１０℃以上であることが好ましく、１２６０℃以上であることがより好ましい。また、合金溶湯２２Ａの温度は、冷却ロール３０表面との接触面側に発生するエアポケットの生成を抑制する観点から、１４１０℃以下であることが好ましく、１３６０℃以下であることがより好ましい。
まず、坩堝２０に、本発明のアモルファス合金薄帯の原料となる合金溶湯２２Ａを準備する。
ここで合金溶湯２２Ａは、本発明のアモルファス合金薄帯の組成の母合金を溶解させて得られた合金溶湯であってもよいし、まず本発明のアモルファス合金薄帯の組成からＣ（炭素）を除いた組成の母合金を準備し、この母合金を溶解させた溶湯中にＣ（炭素）を溶解させて得られた合金溶湯であってもよい。
合金溶湯２２Ａの温度には特に限定はないが、合金溶湯２２Ａに起因する析出物が溶湯ノズルの壁面に付着することを抑制する観点から、１２１０℃以上であることが好ましく、１２６０℃以上であることがより好ましい。また、合金溶湯２２Ａの温度は、冷却ロール３０表面との接触面側に発生するエアポケットの生成を抑制する観点から、１４１０℃以下であることが好ましく、１３６０℃以下であることがより好ましい。
次に、矢印Ｐの方向に回転する冷却ロール３０表面に、溶湯ノズル１０によって合金溶湯を吐出して湯溜まり２２Ｂを形成しながら前記冷却ロール３０表面に前記合金溶湯による塗膜を形成するとともに、この塗膜を冷却してアモルファス合金薄帯２２Ｃとする。次に、冷却ロール３０の表面に形成されたアモルファス合金薄帯２２Ｃを、剥離ガスノズル５０からの剥離ガスの吹きつけによって冷却ロール３０の表面から剥離し、不図示の巻き取りロールによってロール状に巻き取って回収する。
合金溶湯の吐出からアモルファス合金薄帯の巻き取り（回収）までの操作は連続的に行われ、これにより、例えば長手方向長さが３０００ｍ以上の長尺状のアモルファス合金薄帯が得られる。
合金溶湯の吐出からアモルファス合金薄帯の巻き取り（回収）までの操作は連続的に行われ、これにより、例えば長手方向長さが３０００ｍ以上の長尺状のアモルファス合金薄帯が得られる。
このときの合金溶湯の吐出圧力は、１０ｋＰａ以上が好ましく、１５ｋＰａ以上がより好ましい。一方、この吐出圧力は、３０ｋＰａ以下が好ましく、２５ｋＰａ以下がより好ましい。
吐出圧力が上述の好ましい範囲であると、占積率をより向上させることができる。
吐出圧力が上述の好ましい範囲であると、占積率をより向上させることができる。
また、冷却ロール３０の回転速度は単ロール法において通常設定される範囲とすることができるが、周速４０ｍ／ｓ以下が好ましく、周速３０ｍ／ｓ以下がより好ましい。一方、この回転速度は、周速１０ｍ／ｓ以上が好ましく、周速２０ｍ／ｓ以上がより好ましい。
また、冷却ロール３０表面の温度は、冷却ロール３０表面への合金溶湯の供給が開始されてから５秒以上経過した後において、８０℃以上が好ましく、１００℃以上がより好ましい。一方、この温度は、３００℃以下が好ましく、２５０℃以下がより好ましい。
冷却ロール３０による合金溶湯の冷却速度は、１×１０５℃／ｓ以上が好ましく、１×１０６℃／ｓ以上がより好ましい。
また、冷却ロール３０表面の温度は、冷却ロール３０表面への合金溶湯の供給が開始されてから５秒以上経過した後において、８０℃以上が好ましく、１００℃以上がより好ましい。一方、この温度は、３００℃以下が好ましく、２５０℃以下がより好ましい。
冷却ロール３０による合金溶湯の冷却速度は、１×１０５℃／ｓ以上が好ましく、１×１０６℃／ｓ以上がより好ましい。
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。以下の実施例において、「ａｔ％」は原子％を表す。
〔実施例１〜９、比較例１〜２〕
≪アモルファス合金薄帯の作製≫
図１に示したアモルファス合金薄帯製造装置１００と同様の構成のアモルファス合金薄帯製造装置を準備した。ここで、冷却ロールとしては、以下の冷却ロールを準備した。
≪アモルファス合金薄帯の作製≫
図１に示したアモルファス合金薄帯製造装置１００と同様の構成のアモルファス合金薄帯製造装置を準備した。ここで、冷却ロールとしては、以下の冷却ロールを準備した。
−冷却ロール−
・材質 … Ｃｕ−Ｂｅ合金
・直径 … ４００ｍｍ
・冷却ロール表面の算術平均粗さＲａ … ０．３μｍ
・材質 … Ｃｕ−Ｂｅ合金
・直径 … ４００ｍｍ
・冷却ロール表面の算術平均粗さＲａ … ０．３μｍ
まず、坩堝内で、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃ、及び不可避的不純物からなる合金溶湯（以下、「Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ系合金溶湯」ともいう）を調製した。詳細には、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂ、及び不可避的不純物からなる母合金を溶解し、得られた溶湯に炭素を添加して溶解させ、混合することにより、下記表１に示すアモルファス合金薄帯を製造するための合金溶湯を調製した。
次に、このＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ系合金溶湯を、長辺の長さ１４２ｍｍ×短辺の長さ０．６ｍｍの矩形（スリット形状）の開口部を有する溶湯ノズルの該開口部から、回転する冷却ロール表面に吐出し、急冷凝固させて、幅が１４２ｍｍで厚さが２５μｍのアモルファス合金薄帯を１０００ｋｇ作製した。
次に、このＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ系合金溶湯を、長辺の長さ１４２ｍｍ×短辺の長さ０．６ｍｍの矩形（スリット形状）の開口部を有する溶湯ノズルの該開口部から、回転する冷却ロール表面に吐出し、急冷凝固させて、幅が１４２ｍｍで厚さが２５μｍのアモルファス合金薄帯を１０００ｋｇ作製した。
アモルファス合金薄帯の詳細な作製条件は以下の通りとした。
・合金溶湯の吐出圧力 … ２０ｋＰａ
・冷却ロールの周速 … ２５ｍ／ｓ
・合金溶湯温度 … １３００℃
・溶湯ノズル先端と冷却ロール表面との距離 … ２００μｍ
・冷却温度（冷却ロール表面への合金溶湯の供給が開始されてから５秒以上経過した後の温度） … １７０℃
・合金溶湯の吐出圧力 … ２０ｋＰａ
・冷却ロールの周速 … ２５ｍ／ｓ
・合金溶湯温度 … １３００℃
・溶湯ノズル先端と冷却ロール表面との距離 … ２００μｍ
・冷却温度（冷却ロール表面への合金溶湯の供給が開始されてから５秒以上経過した後の温度） … １７０℃
各実施例及び各比較例のアモルファス合金薄帯における、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂ、及びＣの量は、下記表１に示すとおりである。
下記表１において、Ｆｅの量（ａｔ％）、Ｓｉの量（ａｔ％）、及びＢの量（ａｔ％）は、それぞれ、Ｆｅ、Ｓｉ及びＢの合計量を１００．０ａｔ％としたときの量である。Ｃの量（ａｔ％）は、Ｆｅ、Ｓｉ及びＢの合計量１００．０ａｔ％に対する量（即ち、前記合計量を１００．０ａｔ％としたときのＣの添加量）である。
これらの量は、ＩＣＰ発光分光分析法により測定された量である。
下記表１において、Ｆｅの量（ａｔ％）、Ｓｉの量（ａｔ％）、及びＢの量（ａｔ％）は、それぞれ、Ｆｅ、Ｓｉ及びＢの合計量を１００．０ａｔ％としたときの量である。Ｃの量（ａｔ％）は、Ｆｅ、Ｓｉ及びＢの合計量１００．０ａｔ％に対する量（即ち、前記合計量を１００．０ａｔ％としたときのＣの添加量）である。
これらの量は、ＩＣＰ発光分光分析法により測定された量である。
≪評価≫
各実施例及び各比較例のアモルファス合金薄帯について、以下の評価を行った。
各実施例及び各比較例のアモルファス合金薄帯について、以下の評価を行った。
＜占積率＞
各実施例及び各比較例のアモルファス合金薄帯について、それぞれ、ＡＳＴＭ Ａ９００／Ａ９００Ｍ−０１（２００６）に準拠し、占積率（％）を測定した。
測定結果を下記表１に示す。
各実施例及び各比較例のアモルファス合金薄帯について、それぞれ、ＡＳＴＭ Ａ９００／Ａ９００Ｍ−０１（２００６）に準拠し、占積率（％）を測定した。
測定結果を下記表１に示す。
＜脆さ＞
各実施例及び各比較例のアモルファス合金薄帯について、それぞれ、以下に示す脆さの評価（脆さの数値化）を行った。
上記評価によって得られた脆さの数値を下記表１に示す。
この評価結果は、脆さの数値が小さいほど脆さが抑制されていることを示しており、脆さの数値が大きいほど脆いことを示している。
各実施例及び各比較例のアモルファス合金薄帯について、それぞれ、以下に示す脆さの評価（脆さの数値化）を行った。
上記評価によって得られた脆さの数値を下記表１に示す。
この評価結果は、脆さの数値が小さいほど脆さが抑制されていることを示しており、脆さの数値が大きいほど脆いことを示している。
ここで、脆さの評価について、図２及び図３を参照しながら説明する。
図２は、脆さの評価に用いたサンプルを模式的に示す概念図であり、図３は、脆さの評価における引き裂き後のサンプル片及び引き裂き線を模式的に示す概念図である。
脆さの評価は、図２に示すように、アモルファス合金薄帯から長さ１２５０ｍｍのサンプル（冷却ロール１周分）を切り出し、このサンプルを長手方向について２等分し（図２中の一点鎖線の位置で切断し）、得られた２つのサンプル片を用いて行った。
具体的には、各サンプル片について、サンプル片の長手方向一端に切り込みを入れて引き裂き開始点とし、サンプル片にせん断力が加わるように引き裂く操作を行った（以下、この操作を「引き裂き操作」という）。この引き裂き操作は、サンプル片の長手方向に沿って、長手方向一端から長手方向他端に到るまで行った。図３中では、引き裂き操作における引き裂き方向を矢印Ｒで示した。
次に、引き裂き操作によって実際に生じた引き裂き線（例えば、図３中の引き裂き線Ｔ）を目視で観察し、この引き裂き線において、サンプル片の幅方向に生じた６ｍｍ以上の段差（図３中の寸法ｋが６ｍｍ以上である段差）の数を確認した。
この結果に基づき、下記評価基準に従って、引き裂き線一本当たりの脆さを評価した。
下記評価基準の「１点」は、脆さが最も抑制されていることを示しており、「５点」は最も脆いことを示している。
図２は、脆さの評価に用いたサンプルを模式的に示す概念図であり、図３は、脆さの評価における引き裂き後のサンプル片及び引き裂き線を模式的に示す概念図である。
脆さの評価は、図２に示すように、アモルファス合金薄帯から長さ１２５０ｍｍのサンプル（冷却ロール１周分）を切り出し、このサンプルを長手方向について２等分し（図２中の一点鎖線の位置で切断し）、得られた２つのサンプル片を用いて行った。
具体的には、各サンプル片について、サンプル片の長手方向一端に切り込みを入れて引き裂き開始点とし、サンプル片にせん断力が加わるように引き裂く操作を行った（以下、この操作を「引き裂き操作」という）。この引き裂き操作は、サンプル片の長手方向に沿って、長手方向一端から長手方向他端に到るまで行った。図３中では、引き裂き操作における引き裂き方向を矢印Ｒで示した。
次に、引き裂き操作によって実際に生じた引き裂き線（例えば、図３中の引き裂き線Ｔ）を目視で観察し、この引き裂き線において、サンプル片の幅方向に生じた６ｍｍ以上の段差（図３中の寸法ｋが６ｍｍ以上である段差）の数を確認した。
この結果に基づき、下記評価基準に従って、引き裂き線一本当たりの脆さを評価した。
下記評価基準の「１点」は、脆さが最も抑制されていることを示しており、「５点」は最も脆いことを示している。
−引き裂き線一本当たりの脆さの評価基準−
１点 … 引き裂き線一本当たり、６ｍｍ以上の段差が０個
２点 … 引き裂き線一本当たり、６ｍｍ以上の段差が１〜３個
３点 … 引き裂き線一本当たり、６ｍｍ以上の段差が４〜６個
４点 … 引き裂き線一本当たり、６ｍｍ以上の段差が７〜９個
５点 … 引き裂き線一本当たり、６ｍｍ以上の段差が１０個以上（又は、引き裂き操作によりサンプル片が崩壊し、サンプル片長手方向の引き裂きを実質的に行うことができない）
１点 … 引き裂き線一本当たり、６ｍｍ以上の段差が０個
２点 … 引き裂き線一本当たり、６ｍｍ以上の段差が１〜３個
３点 … 引き裂き線一本当たり、６ｍｍ以上の段差が４〜６個
４点 … 引き裂き線一本当たり、６ｍｍ以上の段差が７〜９個
５点 … 引き裂き線一本当たり、６ｍｍ以上の段差が１０個以上（又は、引き裂き操作によりサンプル片が崩壊し、サンプル片長手方向の引き裂きを実質的に行うことができない）
上記引き裂き線一本当たりの脆さの評価を、図２に示すように、サンプル片の幅方向中央部、サンプル片の幅方向端部から６．４ｍｍの位置（２箇所）、及びサンプル片の幅方向端部から１２．８ｍｍの位置（２箇所）のそれぞれについて行った。図２中では、評価箇所を破線で示した。評価箇所は、２等分されたサンプル片についてそれぞれ５箇所ずつであり、一つのサンプルについて１０箇所である。即ち、一つのサンプル当たり、引き裂き線が１０本生じることになる。
次に、引き裂き線１０本分の評価結果から脆さの平均点を算出し、得られた平均点を、そのサンプルにおける脆さの数値とした。
次に、引き裂き線１０本分の評価結果から脆さの平均点を算出し、得られた平均点を、そのサンプルにおける脆さの数値とした。
＜磁束密度（Ｂ１、６０Ｈｚ）＞
各実施例及び各比較例のアモルファス合金薄帯について、それぞれ、ＡＳＴＭ Ａ９３２／Ａ９３２Ｍ−０１に準拠し、周波数６０Ｈｚ、７９．５５７Ａ／ｍの磁場を印加したときの磁束密度（Ｂ１、６０Ｈｚ）を測定した。
測定結果を下記表１に示す。
各実施例及び各比較例のアモルファス合金薄帯について、それぞれ、ＡＳＴＭ Ａ９３２／Ａ９３２Ｍ−０１に準拠し、周波数６０Ｈｚ、７９．５５７Ａ／ｍの磁場を印加したときの磁束密度（Ｂ１、６０Ｈｚ）を測定した。
測定結果を下記表１に示す。
〜表１の説明〜
・Ｆｅの量（ａｔ％）、Ｓｉの量（ａｔ％）、及びＢの量（ａｔ％）は、それぞれ、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０ａｔ％としたときの量である。
・Ｃの量（ａｔ％）は、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量１００．０ａｔ％に対する量（即ち、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０ａｔ％としたときのＣの添加量）である。
・脆さの数値は、小さい程脆さが抑制されていることを示し、大きい程脆いことを示している。
・Ｆｅの量（ａｔ％）、Ｓｉの量（ａｔ％）、及びＢの量（ａｔ％）は、それぞれ、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０ａｔ％としたときの量である。
・Ｃの量（ａｔ％）は、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量１００．０ａｔ％に対する量（即ち、Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０ａｔ％としたときのＣの添加量）である。
・脆さの数値は、小さい程脆さが抑制されていることを示し、大きい程脆いことを示している。
表１に示すように、Ｃの量が０．２ａｔ％〜０．６ａｔ％である実施例１〜９では、占積率に優れ、脆さ（脆性）が抑制され、高い磁束密度が維持されていた。特に、Ｃの量が０．３ａｔ％〜０．６ａｔ％である実施例２〜９では、占積率が８８％以上であることが確認された。
一方、Ｃの量が０．６ａｔ％を超える比較例１及び２では、脆さ（脆性）が悪化した。
一方、Ｃの量が０．６ａｔ％を超える比較例１及び２では、脆さ（脆性）が悪化した。
日本出願２０１２−０５８７１４の開示はその全体が参照により本明細書に取り込まれる。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
Claims (6)
- Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃ、及び不可避的不純物からなり、
Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０原子％としたときに、Ｓｉの量が８．５原子％〜９．５原子％であり、Ｂの量が１０．０原子％以上１２．０原子％未満であり、
前記合計量１００．０原子％に対するＣの量が０．２原子％〜０．６原子％であり、
厚さが１０μｍ〜４０μｍであり、幅が１００ｍｍ〜３００ｍｍであるアモルファス合金薄帯。 - 前記Ｃの量が０．３原子％〜０．６原子％である請求項１に記載のアモルファス合金薄帯。
- 前記Ｂの量が１０．０原子％〜１１．５原子％である請求項１又は請求項２に記載のアモルファス合金薄帯。
- 占積率が８８％以上である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のアモルファス合金薄帯。
- Ｆｅ、Ｓｉ、及びＢの合計量を１００．０原子％としたときに、Ｆｅの量が７９．０原子％〜８０．０原子％であり、Ｓｉの量が８．５原子％〜９．５原子％であり、Ｂの量が１０．５原子％〜１１．５原子％である請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のアモルファス合金薄帯。
- 単ロール法により製造された請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のアモルファス合金薄帯。
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