JPWO2013058160A1 - 化合物 - Google Patents

Abstract

本発明は、極性の高い溶媒に対する溶解性が高く、極性の高い溶媒を用いた塗布方法に有用に使用できる化合物であって、発光効率の高い電界発光素子を作製することができる化合物を提供する。具体的には、本発明は、下記式（１）で表される構造を含む化合物を提供する。
【化１】

［式中、
Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３およびＡｒ^４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい２価の芳香族基を表し、
Ａｒ^５は、置換基を有していてもよい１価の芳香族基を表し、
ｐおよびｑは、それぞれ独立に、０以上の整数を表し、
Ｒ^１は、所定の１価の基を表す。］

Description

本発明は、化合物などに関する。

非特許文献１には、トリアリールアミン構造を有する下記式で表される化合物が、電界発光素子の作製において用いられることが記載されている。しかし、下記式で表される化合物は、極性の高い溶媒に対する溶解性が極めて悪いため、極性の高い溶媒を用いた塗布方法（例えば、極性の高い溶媒に溶解しない化合物から成る層の上に、下記式で表される化合物と極性の高い溶媒を含む溶液を塗布することで、積層構造体を作製する方法）に適用することが困難であった。

Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，２００５，１２７，３１７２−３１８３

そこで本発明は、極性の高い溶媒に対する溶解性が高く、極性の高い溶媒を用いた塗布方法に有用に使用できる化合物であって、発光効率の高い電界発光素子を作製することができる化合物を提供することを目的とする。

本発明は第一に、式（１）で表される構造を含む化合物を提供する。
式（１）で表される構造を含む化合物。

［式中、
Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３およびＡｒ^４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい２価の芳香族基を表し、互いに結合して環を形成してもよく、Ａｒ^２が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、Ａｒ^４が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、
Ａｒ^５は、置換基を有していてもよい１価の芳香族基を表し、Ａｒ^５が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、
ｐおよびｑは、それぞれ独立に、０以上の整数を表し、
Ｒ^１は、式（２）で表される１価の基を表し、Ｒ^１が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

［式中、
Ｒ^２は、置換基を有していてもよい（１＋ｎ^１＋ｎ^４）価の芳香族基を表し、
Ｒ^３は、置換基を有していてもよい２価の有機基を表し、
Ｒ^４は、カチオンとキレートで相互作用できる構造を含む２価の有機基を表し、Ｒ^４が複数個存在する場合、互いに結合して環を形成してもよく、
Ｒ^５は、カチオンとキレートで相互作用できる構造を含む１価の有機基を表し、Ｒ^５が複数個存在する場合、互いに結合して環を形成してもよく、
Ｙ¹は、アニオンを含む１価の基を表し、
ｎ^１は０以上の整数を表し、ｎ^２は０または１を表し、ｎ^３は０以上の整数を表し、ｎ^４は１以上の整数を表し、ｎ^１＋ｎ^３≧１である。
Ｒ^３が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^４が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^５が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、Ｙ¹が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Ｍ^１は、カチオンを表し、
Ｚ¹は、アニオンを表す。
ａは１以上の整数を表し、ｂは０以上の整数を表す。ただし、ａおよびｂは、式（１）で表される構造の電荷が０となるように選択される。
Ｍ^１が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、Ｚ¹が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。］］

本発明は第二に、前記式（１）で表される構造を構成単位として含む高分子化合物を提供する。

本発明は第三に、前記式（１）で表される構造を含む低分子化合物を提供する。

本発明は第四に、前記式（１）で表される構造を含む化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料を含有する組成物を提供する。

本発明は第五に、前記式（１）で表される構造を含む化合物または前記組成物を含む積層構造体、電界発光素子および光電変換素子を提供する。

本発明は第六に、後述する式（５）で表される構造を含む化合物を提供する。

本発明は第七に、後述する式（７）で表される構造を含む化合物を提供する。

本発明によれば、極性の高い溶媒に対する溶解性が高く、極性の高い溶媒を用いた塗布方法に有用に使用できる化合物であって、発光効率の高い電界発光素子を作製することができる化合物を提供することができる。また、該化合物を含む積層構造体を用いた、電界発光素子および光電変換素子を提供することができる。

本明細書において、「極性の高い溶媒」とは、溶解度パラメーターが９．３以上の溶媒のことを意味する。ここで、溶解度パラメーターとしては、例えば、浅原照三著「溶剤ハンドブック」（１４版、講談社、１９９６年発行）に記載の値を用いることができる。該溶媒の例（各括弧内の値は、各溶媒の溶解度パラメーターの値を表す）としては、水（２１）、メタノール（１２．９）、エタノール（１１．２）、２−プロパノール（１１．５）、１−ブタノール（９．９）、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール（１０．５）、アセトニトリル（１１．８）、１，２−エタンジオール（１４．７）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１１．５）、ジメチルスルホキシド（１２．８）、酢酸（１２．４）、ニトロベンゼン（１１．１）、ニトロメタン（１１．０）、１，２−ジクロロエタン（９．７）、ジクロロメタン（９．６）、クロロベンゼン（９．６）、ブロモベンゼン（９．９）、ジオキサン（９．８）、炭酸プロピレン（１３．３）、ピリジン（１０．４）、二硫化炭素（１０．０）およびこれらの混合溶媒等が挙げられる。溶媒１と溶媒２との混合溶媒の場合の溶解度パラメーター（δ_ｍ）は、「δ_ｍ＝δ_１×φ_１＋δ_２×φ_２」により求めることが可能である（δ_１は溶媒１の溶解度パラメーター、φ_１は溶媒１の体積分率、δ_２は溶媒２の溶解度パラメーター、φ_２は溶媒２の体積分率を示す）。
極性の高い溶媒としては、極性の高い溶媒に溶解しない化合物からなる層の上に、本発明の化合物と極性の高い溶媒を含む溶液を塗布することにより積層構造体を作製する観点から、水、メタノール、エタノール、２−プロパノール、アセトニトリル、１，２−エタンジオール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドが好ましく、メタノール、エタノール、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドが更に好ましく、メタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが特に好ましい。

本明細書において、「置換基を有していてもよい」とは、その直後に記載された基を構成する水素原子が、無置換の場合および水素原子の一部または全部が置換基によって置換されている場合の双方を含み、該置換基としては、ヒドロキシル基、ニトロ基、フッ素原子、炭素原子数１〜６０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜６０のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数１〜６０のヒドロカルビルアミノ基および架橋基等の置換基が挙げられる。これらの置換基の中でも、本発明の化合物が簡便に合成できるので、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルオキシ基または架橋基が好ましく、炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基または炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基がより好ましく、炭素原子数１〜８のヒドロカルビル基または炭素原子数１〜８のヒドロカルビルオキシ基が更に好ましい。

前記ヒドロカルビル基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
ヒドロカルビル基としては、例えば、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ノルボルニル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−シアノフェニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ターフェニリル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基、９−フェナントリル基、1-ピレニル基、クリセニル基、テトラセニル基およびコロニル基が挙げられ、
本発明の化合物が簡便に合成できるので、好ましくはメチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−シアノフェニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ターフェニリル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基または９−フェナントリル基であり、
より好ましくはメチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基またはフェニル基であり、
更に好ましくはメチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基またはオクチル基である。

前記ヒドロカルビルオキシ基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
ヒドロカルビルオキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、シクロプロパノキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基、ノルボルニルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ベンジロキシ基、α，α-ジメチルベンジロキシ基、２−フェネチルオキシ基、１−フェネチルオキシ基、フェノキシ基、アルコキシフェノキシ基、アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基およびペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられ、
本発明の化合物が簡便に合成できるので、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基または３，７−ジメチルオクチルオキシ基であり、
より好ましくはメトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基またはオクチルオキシ基である。

前記ヒドロカルビルアミノ基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
ヒドロカルビルアミノ基としては、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、１−プロピルアミノ基、２−プロピルアミノ基、１−ブチルアミノ基、２−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、オクチルアミノ基、デシルアミノ基、ドデシルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、シクロプロピルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、１−アダマンチルアミノ基、２−アダマンチルアミノ基、ノルボルニルアミノ基、トリフルオロメチルアミノ基、ベンジルアミノ基、α，α-ジメチルベンジルアミノ基、２−フェネチルアミノ基、１−フェネチルアミノ基、フェニルアミノ基、アルコキシフェニルアミノ基、アルキルフェニルアミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基およびペンタフルオロフェニルアミノ基が挙げられ、
本発明の化合物が簡便に合成できるので、好ましくはメチルアミノ基、エチルアミノ基、１−プロピルアミノ基、２−プロピルアミノ基、１−ブチルアミノ基、２−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基またはオクチルアミノ基であり、
より好ましくはメチルアミノ基、エチルアミノ基、１−プロピルアミノ基、２−プロピルアミノ基、１−ブチルアミノ基または２−ブチルアミノ基である。

前記架橋基とは、熱、光、熱重合開始剤または光重合開始剤の作用で重合反応を起こすことにより、２分子以上の分子間で結合を形成することができる置換基を表す。
架橋基としては、例えば、ビニル基、エチニル基、ブテニル基、アクリロイル基、アクリラート基、アクリルアミジル基、メタクリル基、メタクリラート基、メタクリルアミド基、エテニルオキシ基、エテニルアミノ基、ヒドロキシシリル基、小員環（例えばシクロプロパン、シクロブタン、ベンゾシクロブテン、エポキシド、オキセタン、ジケテン、チイラン、ラクトン、ラクタム等）の構造を有する官能基、シロキサン誘導体の構造を有する官能基が挙げられる。
また、上記の架橋基の他に、エステル結合またはアミド結合を形成可能な基の組み合わせなども利用できる。エステル結合またはアミド結合を形成可能な基の組み合わせとしては、例えば、エステル基とアミノ基の組み合わせ、エステル基とヒドロキシル基の組み合わせが挙げられる。

本明細書において、「芳香族基」とは、芳香族炭化水素の環に接合する水素原子の１個以上を除いた原子団、芳香族複素環式化合物の環に接合する水素原子の１個以上を除いた原子団、および、芳香族炭化水素および芳香族複素環式化合物から選ばれる２個以上の化合物が直接または−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−を介して結合した化合物における環に接合する水素原子の１個以上を除いた原子団を表す。

本明細書において、「有機基」とは、炭素原子および水素原子を含む基を示し、例えば、上記の炭素原子数１〜６０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜６０のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数１〜６０のヒドロカルビルアミノ基が挙げられる。

本明細書において、「カチオンとキレートで相互作用できる構造」とは、酸素原子、窒素原子、リン原子および硫黄原子のうちから選ばれる２個以上の原子（１種類の原子であっても、２種類以上の原子であってもよい。）が、置換基を有してもよいカチオンと配位結合や静電相互作用を形成することができる構造を意味し、該カチオンとしては、例えば、金属カチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、スルホニウムカチオン、スルホキソニウムカチオンおよびヨードニウムカチオンが挙げられる。

本明細書において「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味し、「繰り返し単位」（即ち、高分子化合物中に２個以上存在する単位）として高分子化合物中に存在していることが好ましい。

本明細書において「低分子化合物」とは分子量２０００未満の化合物を意味し、また、「高分子化合物」とは分子量２０００以上の化合物を意味する。ここで、分子量は、化合物が多分散の場合は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレン換算によって算出される重量平均分子量を意味する。

本発明の「第一の化合物」は、前記式（１）で表される構造を含む化合物である。該化合物には、式（１）で表される構造を構成単位として含む高分子化合物、および、式（１）で表される構造を含む低分子化合物の双方が含まれる。また、後述する式（３）および式（４）で表される構造を含む化合物は、式（１）で表される構造を含む化合物の形態に含まれるものである。

本発明の「第二の化合物」は、後述する式（５）で表される構造を含む化合物である。該化合物には、式（５）で表される構造を構成単位として含む高分子化合物、および、式（５）で表される構造を含む低分子化合物の双方が含まれる。

本発明の「第三の化合物」とは、後述する式（７）で表される構造を含む化合物である。

＜第一の化合物＞
本発明の第一の化合物は、前記式（１）の構造を含む。式（１）の構造は、２価の構造を示す。以下、式（１）について説明する。

前記Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３およびＡｒ^４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい２価の芳香族基であり、互いに結合して環を形成してもよい。Ａｒ²が複数個ある場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、Ａｒ^４が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

環を形成しない場合の前記Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３およびＡｒ^４としては、式１−１〜１−４７で表される分子の環に接合する水素原子２個を除いた原子団が好ましい。
これらの中でも、Ａｒ^１およびＡｒ^２としては、本発明の化合物を用いた電界発光素子の発光効率がより優れるので、式１−１、１−２、１−１０、１−１２、１−１６、１−２０、１−２２、１−２３、１−２６、１−２７、１−２８、１−３５、１−４２、１−４３、１−４４、１−４５および１−４６で表される分子からなる群から選ばれる分子の環に接合する水素原子２個を除いた原子団がより好ましく、
式１−１、１−１０、１−２２、１−２３、１−２６、１−２７、１−２８、１−３５および１−４４で表される分子からなる群から選ばれる分子の環に接合する水素原子２個を除いた原子団が更に好ましく、
式１−１または１−１０で表される分子の環に接合する水素原子２個を除いた原子団が特に好ましい。

環を形成する場合、前記Ａｒ^１と前記Ａｒ^２、Ａｒ^１と前記Ａｒ^３、Ａｒ^１と前記Ａｒ^４、Ａｒ^２とＡｒ^３、Ａｒ^２とＡｒ^４、Ａｒ^３とＡｒ^４が互いに結合して環を形成することが挙げられ、Ａｒ^１とＡｒ^２、Ａｒ^１とＡｒ^３、Ａｒ^２とＡｒ^３が互いに結合して環を形成することが好ましい。
環を形成する場合のＡｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３およびＡｒ^４としては、本発明の化合物を用いた電界発光素子の発光効率がより優れるので、前記式１−１〜１−１５で表される分子の環に接合する水素原子２個を除いた原子団が好ましく、式１−１、１−２または１−６〜１−１５で表される分子の環に接合する水素原子２個を除いた原子団がより好ましく、式１−１、１−２または１−１０で表される分子の環に接合する水素原子２個を除いた原子団が更に好ましい。

前記Ａｒ^５は置換基を有していてもよい１価の芳香族基であり、Ａｒ^５が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

前記Ａｒ^５としては、前記式１−１〜１−４７で表される分子の環に接合する水素原子１個を除いた原子団が好ましい。これらの中でも、Ａｒ^５としては、本発明の化合物を用いた電界発光素子の発光効率がより優れるので、式１−１、１−２、１−１０、１−１２、１−１６、１−２０、１−２２、１−２３、１−２６、１−２７、１−２８、１−３５、１−４２、１−４３、１−４４、１−４５または１−４６で表される分子の環に接合する水素原子１個を除いた原子団がより好ましく、式１−１、１−１０、１−２２、１−２３、１−２６、１−２７、１−２８、１−３５または１−４４で表される分子の環に接合する水素原子１個を除いた原子団が更に好ましく、式１−１または１−１０で表される分子の環に接合する水素原子１個を除いた原子団が特に好ましい。

前記ｐおよび前記ｑは、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。

前記ｐは、０〜４であることが好ましく、０〜２であることがより好ましく、０または１が更に好ましい。本発明の化合物を用いた電界発光素子の発光効率がより優れるためである。

前記ｑは、０〜４であることが好ましく、０〜２であることがより好ましく、０または１が更に好ましい。本発明の化合物を用いた電界発光素子の発光効率がより優れるためである。

前記Ｒ^１は、前記式（２）で表される１価の基を表し、Ｒ^１が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

前記Ｒ^２は、置換基を有していてもよい（１＋ｎ^１＋ｎ^４）価の芳香族基である。

前記Ｒ^２としては、前記式１−１〜１−４７で表される分子の環に接合する水素原子（１＋ｎ^１＋ｎ^４）個を除いた原子団が好ましい。これらの中でも、Ｒ^２としては、本発明の化合物を用いた電界発光素子の発光効率がより優れるので、式１−１、１−２、１−１０、１−１２、１−１６、１−２０、１−２２、１−２３、１−２６、１−２７、１−２８、１−３５、１−４２、１−４３、１−４４、１−４５または１−４６で表される分子の環に接合する水素原子（１＋ｎ^１＋ｎ^４）個を除いた原子団がより好ましく、式１−１、１−１０、１−２２、１−２３、１−２６、１−２７、１−２８、１−３５または１−４４で表される分子の環に接合する水素原子（１＋ｎ^１＋ｎ^４）個を除いた原子団が更に好ましく、式１−１または１−１０で表される分子の環に接合する水素原子（１＋ｎ^１＋ｎ^４）個を除いた原子団が特に好ましい。

前記Ｒ^３は置換基を有していてもよい２価の有機基を表す。Ｒ^３が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

前記Ｒ^３としては、例えば、置換基を有していてもよいヒドロカルビレン基が挙げられ、炭素原子数は、１〜６０の範囲であることが好ましい（該炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない）。ヒドロカルビレン基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
Ｒ^３としては、本発明の化合物の合成の簡便さの観点から、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、α，α−ジメチレンベンジル基、１−フェネチレン基、２−フェネチレン基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、オレイレン基、フェニレン基、トリレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、３，５−ジフェニルフェニレン基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基およびフェナントリレン基が好ましく、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、フェニレン基、トリレン基およびビフェニレン基がより好ましく、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、ビニレン基、フェニレン基が更に好ましく、
エチレン基、プロピレン基、ブチレン基およびフェニレン基が特に好ましい。

前記Ｒ^４は、カチオンとキレートで相互作用できる構造を含む２価の有機基を表し、Ｒ^４が複数個存在する場合、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^４が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

前記Ｒ^４としては、式（８）で表される構造を含むことが好ましい。式（８）で表される構造は、２価の構造を示す。

［式中、
Ｅは、２価の有機基を表し、
Ａは、酸素原子、窒素原子、リン原子または硫黄原子を表し、
ｎ¹¹は１以上の整数を表す。
Ｅが複数個存在する場合、それらは互いに同一であっても異なっていていてもよく、Ａが複数個存在する場合、それらは互いに同一であっても異なっていていてもよい。］

前記Ｅとしては、例えば、置換基を有していてもよいヒドロカルビレン基が挙げられ、炭素原子数は、１〜６０の範囲であることが好ましい（該炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない）。ヒドロカルビレン基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
Ｅとしては、本発明の化合物の合成の簡便さの観点から、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、α，α−ジメチレンベンジル基、１−フェネチレン基、２−フェネチレン基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、オレイレン基、フェニレン基、トリレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、３，５−ジフェニルフェニレン基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基およびフェナントリレン基が好ましく、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、フェニレン基、トリレン基およびビフェニレン基がより好ましく、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、ビニレン基およびフェニレン基が更に好ましく、
エチレン基、プロピレン基およびブチレン基が特に好ましい。

前記Ａは、酸素原子、窒素原子、リン原子または硫黄原子であり、本発明の化合物の安定性（特に、大気中での安定性）の観点から、酸素原子または窒素原子が好ましく、酸素原子がより好ましい。

前記ｎ^１１は、１以上の整数を表し、本発明の化合物の合成の観点から、２〜８であることが好ましく、２〜６であることがより好ましく、２〜４であることが更に好ましく、３または４が特に好ましい。

前記Ｒ^４としては、本発明の化合物の合成および安定性（特に、大気中での安定性）の観点から、酸素原子を２個以上有する２価の有機基であることが好ましく、例えば、式２−１〜２−２７で表される化合物から水素原子２個を除いた有機基が挙げられる。これらの中でも、本発明の化合物の合成の観点から、式２−１〜２−８で表される化合物から水素原子２個を除いた有機基であることがより好ましく、式２−１〜２−４または２−６で表される化合物から水素原子２個を除いた有機基であることが更に好ましく、式２−３または２−４で表される化合物から水素原子２個を除いた有機基であることが特に好ましい。なお、式２−１〜２−２７で表される化合物から水素原子２個を除いた有機基は、置換基を有していてもよい。

前記Ｒ^５は、カチオンとキレートで相互作用できる構造を含む１価の有機基を表し、Ｒ^５が複数存在する場合、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^５が複数個ある場合、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。

前記Ｒ^５としては、式（８’）で表される構造であることが好ましい。

［式中、
Ｅ’は、２価の有機基を表し、
Ａ’は、酸素原子、窒素原子、リン原子または硫黄原子を表し、
Ｂ’は、水素原子または１価の有機基を表し、
ｎ¹¹’は１以上の整数を表す。
Ｅ’が複数個存在する場合、それらは互いに同一であっても異なっていていてもよく、Ａ’が複数個存在する場合、それらは互いに同一であっても異なっていていてもよい。］

前記Ｅ’としては、例えば、置換基を有していてもよいヒドロカルビレン基が挙げられ、炭素原子数は、１〜６０の範囲であることが好ましい（該炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない）。ヒドロカルビレン基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
Ｅ’としては、本発明の化合物の合成の簡便さの観点から、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、α，α−ジメチレンベンジル基、１−フェネチレン基、２−フェネチレン基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、オレイレン基、フェニレン基、トリレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、３，５−ジフェニルフェニレン基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基およびフェナントリレン基が好ましく、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、フェニレン基、トリレン基およびビフェニレン基がより好ましく、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、ビニレン基およびフェニレン基が更に好ましく、
エチレン基、プロピレン基およびブチレン基が特に好ましい。

前記Ａ’は、酸素原子、窒素原子、リン原子または硫黄原子であり、本発明の化合物の安定性（特に、大気中での安定性）の観点から、酸素原子または窒素原子が好ましく、酸素原子がより好ましい。

前記Ｂ’は、例えば、水素原子あるいは置換基を有していてもよいヒドロカルビル基が挙げられ、炭素原子数は、１〜６０の範囲であることが好ましい（該炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない）。ヒドロカルビル基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよい。
Ｂ’としては、本発明の化合物の合成の簡便さの観点から、水素原子、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジフェニルフェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基または９−フェナントリル基であることが好ましく、
水素原子、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基または４−ビフェニル基であることがより好ましく、
水素原子、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基またはフェニル基であることが更に好ましく、
水素原子またはメチル基であることが特に好ましい。

前記ｎ^１１’は、１以上の整数を表し、本発明の化合物の合成の観点から、２〜８であることが好ましく、２〜６であることがより好ましく、２〜４であることが更に好ましく、３または４が特に好ましい。

前記Ｒ^５としては、本発明の化合物の合成および安定性（特に、大気中での安定性）の観点から、酸素原子を２個以上有する１価の有機基であることが好ましく、例えば、式３−１〜３−２７で表される化合物から水素原子１個を除いた有機基が挙げられる。これらの中でも、本発明の化合物の合成の観点から、式３−１〜３−８で表される化合物から水素原子１個を除いた有機基であることがより好ましく、式３−１〜３−４または３−６で表される化合物から水素原子１個を除いた有機基であることが更に好ましく、式３−３または３−４で表される化合物から水素原子１個を除いた有機基であることが特に好ましい。なお、式３−１〜３−２７で表される化合物から水素原子１個を除いた有機基は、置換基を有していてもよい。

前記Ｙ^１で表されるアニオンを含む１価の基としては、例えば、−ＣＯ₂ ^-、−ＳＯ₂ ^-、−ＳＯ₃ ^-、−Ｏ^-、−ＰＯ₃ ^2-および−ＢＲ^ａ _３ ^-が挙げられる。Ｙ^１が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。これらの中でも、本発明の化合物の合成の観点から、−ＣＯ₂ ^-または−ＳＯ₃ ^-であることが好ましく、−ＣＯ₂ ^-であることがより好ましい。

前記Ｒ^aは、水素原子または１価の有機基を表し、複数個存在するＲ^aは互いに同一であっても異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。

前記Ｒ^aが環を形成しない場合、Ｒ^aとしては、例えば、水素原子および置換基を有していてもよいヒドロカルビル基が挙げられ、ヒドロカルビル基の炭素原子数は、１〜６０の範囲であることが好ましい（該炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。）。

前記Ｒ^aが環を形成しない場合、本発明の化合物の合成の観点から、水素原子、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジフェニルフェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基または９−フェナントリル基であることが好ましく、
メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基または４−ビフェニル基であることがより好ましく、
メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基またはフェニル基が更に好ましく、
メチル基またはフェニル基であることが特に好ましい。

前記Ｒ^aが環を形成する場合、例えば、２つのＲ^ａが置換基を有していてもよいヒドロカルビレン基を形成することが挙げられ、ヒドロカルビレン基の炭素原子数は、３〜６０の範囲であることが好ましい（該炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。）。
２つのＲ^ａが環を形成したものとしては、本発明の化合物の合成の観点から、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基またはα，α−ジメチレンベンジル基であることが好ましく、
プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基または３，７−ジメチルオクチレン基であることがより好ましく、
プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基またはオクチレン基であることが更に好ましく、
プロピレン基またはブチレン基であることが特に好ましい。

前記ｎ^１は０以上の整数（例、０〜４）を表す。ｎ^１は１または２であることが好ましい。

前記ｎ^２は０または１を表す。ｎ^２は０であることが好ましい。

前記ｎ^３は０以上の整数（例、０〜４）を表す。ｎ^３は０または１であることが好ましい。

前記ｎ^１および前記ｎ^３に関して、ｎ^１＋ｎ^３≧１であり、ｎ^１が０のとき、ｎ^３は１であることが好ましく、ｎ^１が１のとき、ｎ^３は０であることが好ましい。

前記Ｍ^１で表されるカチオンとしては、例えば、金属カチオン、置換基を有していてもよいアンモニウムカチオン、置換基を有するホスホニウムカチオン、置換基を有するスルホニウムカチオン、置換基を有するスルホキソニウムカチオンおよび置換基を有するヨードニウムカチオンが挙げられる。Ｍ^１が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

前記Ｍ^１としては、本発明の化合物の電荷注入性または電荷輸送性が優れるので、Ｌｉ⁺、Ｎａ⁺、Ｋ⁺、Ｒｂ⁺、Ｃｓ⁺、（Ｒ^ｂ）₄Ｎ⁺、Ｂｅ²⁺、Ｍｇ²⁺、Ｃａ²⁺、Ｓｒ²⁺またはＢａ²⁺であることが好ましく、Ｌｉ⁺、Ｎａ⁺、Ｋ⁺、Ｒｂ⁺，Ｃｓ⁺、（Ｒ^ｂ）₄Ｎ⁺、Ｍｇ²⁺またはＣａ²⁺であることがより好ましく、Ｌｉ⁺、Ｎａ⁺、Ｋ⁺、Ｒｂ⁺、Ｃｓ⁺または（Ｒ^ｂ）₄Ｎ⁺であることが更に好ましく、Ｌｉ⁺、Ｎａ⁺、Ｋ⁺またはＣｓ⁺であることが特に好ましい。

前記Ｒ^ｂは、水素原子または１価の有機基を表す。Ｒ^ｂは互いに同一であっても異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。

前記Ｒ^bが環を形成しない場合、Ｒ^bとしては、例えば、水素原子および置換基を有していてもよいヒドロカルビル基が挙げられ、ヒドロカルビル基の炭素原子数は、１〜６０の範囲であることが好ましい（該炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。）。

前記Ｒ^bが環を形成しない場合、本発明の化合物の合成の観点から、水素原子、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジフェニルフェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基または９−フェナントリル基であることが好ましく、
メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基または４−ビフェニル基であることがより好ましく、
メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基またはフェニル基であることが更に好ましく、
メチル基または１−ブチル基であることが特に好ましい。

前記Ｒ^ｂが環を形成する場合、例えば、２つのＲ^ｂが置換基を有していてもよいヒドロカルビレン基を形成することが挙げられ、ヒドロカルビレン基の炭素原子数は、３〜６０の範囲であることが好ましい（該炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。）。
２つのＲ^ｂが環を形成したものとしては、本発明の化合物の合成の観点から、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基、３，７−ジメチルオクチレン基またはα，α−ジメチレンベンジル基であることが好ましく、
プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基、デシレン基、ドデシレン基、２−エチルヘキシレン基または３，７−ジメチルオクチレン基であることがより好ましく、
プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基またはオクチレン基であることが更に好ましく、
プロピレン基またはブチレン基であることが特に好ましい。

前記Ｚ^１はアニオン、特にカウンターアニオンを表す。Ｚ^１が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

前記Ｚ^１としては、例えば、Ｆ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＯＨ^-、ＣＨ_３ＳＯ₃ ^-、Ｃ_６Ｈ_５ＳＯ₃ ^-、ｐ−Ｈ_３ＣＣ_６Ｈ_４ＳＯ₃ ^-、ｐ−ＢｒＣ_６Ｈ_４ＳＯ₃ ^-、ｏ−Ｏ_２ＮＣ_６Ｈ_４ＳＯ₃ ^-、ｐ−Ｏ_２ＮＣ_６Ｈ_４ＳＯ₃ ^-、Ｃ_４Ｈ_９ＳＯ₃ ^-、Ｃ_６Ｈ_５ＣＨ_２ＳＯ₃ ^-、ＣＨ_３ＣＯ₂ ^-、Ｃ_６Ｈ_５ＣＯ₂ ^-、ｐ−Ｏ_２ＮＣ_６Ｈ_４ＣＯ₂ ^-、Ｃ_４Ｈ_９ＣＯ₂ ^-、Ｃ_６Ｈ_５ＣＨ_２ＣＯ₂ ^-、ＣＦ₃ＳＯ₃ ^-、ＣＦ₃ＣＯ₂ ^-、ＣｌＯ^-、ＣｌＯ₂ ^-、ＣｌＯ₃ ^-、ＣｌＯ₄ ^-、ＳＣＮ^-、ＣＮ^-、ＮＯ₃ ^-、ＳＯ₄ ^2-、ＨＳＯ₄ ^-、ＰＯ₄ ^3-、ＨＰＯ₄ ^2-、Ｈ₂ＰＯ₄ ^-、ＢＰｈ₄ ^-、Ｂ［３，５−（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３］₄ ^-、Ｂ［Ｎ−Ｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ］₄ ^-、ＢＦ₄ ^-およびＰＦ₆ ^-が挙げられる。
これらの中でも、本発明の化合物の合成の観点から、ＣＦ₃ＳＯ₃ ^-、ＣＦ₃ＣＯ₂ ^-、ＢＰｈ₄ ^-、Ｂ［３，５−（ＣＦ₃）₂Ｃ₆Ｈ₃］₄ ^-、Ｂ［Ｎ−Ｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ］₄ ^-、ＢＦ₄ ^-またはＰＦ₆ ^-が好ましく、
Ｂ［３，５−（ＣＦ₃）₂Ｃ₆Ｈ₃］₄ ^-、Ｂ［Ｎ−Ｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ］₄ ^-、ＢＦ₄ ^-またはＰＦ₆ ^-であることがより好ましく、
Ｂ［Ｎ−Ｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ］₄ ^-であることが更に好ましい。

前記ａは１以上の整数を表し、本発明の化合物の合成の観点から、１以上３以下であることが好ましい。

前記ｂは０以上の整数を表し、本発明の化合物の合成の観点から、０以上２以下であることが好ましい。

本発明の第一の化合物である、前記式（１）で表される構造を含む化合物であって低分子化合物であるものについて説明する。該低分子化合物としては、例えば、式４−１〜４−３６で表される化合物が挙げられる。これらの中でも、本発明の低分子化合物の合成の観点から、式４−１、４−４、４−５、４−８、４−９、４−１２、４−１３、４−１６、４−１７、４−２０、４−２１、４−２４、４−２５、４−２８、４−２９、４−３２４−３３または４−３６で表される化合物であることが好ましく、式４−１、４−４、４−９、４−１２、４−１７、４−２０、４−２１、４−２４、４−２５または４−２８で表される化合物であることがより好ましく、式４−１、４−４、４−９または４−１２で表される化合物であることが更に好ましく、式４−９または４−１２で表される化合物であることが特に好ましい。なお、式４−１〜４−３６で表される化合物は置換基を有していてもよい。

本発明の第一の化合物である、前記式（１）で表される構造を含む化合物としては、式（３）で表される構造を含む化合物であることが好ましい。積層構造体を用いた電界発光素子がより高性能になるため（特に、発光効率がより優れるため）である。式（３）で表される構造は、２価の構造を示す。

［式中、
ｐおよびＭ^１は、前記と同じ意味を表し、
ｎ^５およびｎ^８は、それぞれ独立に、１以上の整数を表し、
ｎ^６、ｎ^７、ｎ^９およびｎ^１０は、それぞれ独立に、１〜４の整数を表し、ｎ^６＋ｎ^７≦５かつｎ^９＋ｎ^１０≦５である。］

前記ｎ^５およびｎ^８は、３または４であることが好ましい。積層構造体を用いた電界発光素子がより高性能になるため（特に、発光効率がより優れるため）である。
前記ｎ^６、ｎ^７、ｎ^９およびｎ^１０は、１または２であることが好ましい。積層構造体を用いた電界発光素子がより高性能になるため（特に、発光効率がより優れるため）である。

本発明の第一の化合物である、前記式（３）で表される構造を含む化合物としては、本発明の化合物を用いた電界発光素子の発光効率がより優れるため、式（４）で表される構造を含む化合物であることが好ましい。式（４）で表される構造は、２価の構造を示す。

［式中、Ｍ^１およびｎ^５は、前記と同じ意味を表す。］

本発明の第一の化合物である、前記式（４）で表される構造を含む化合物としては、本発明の化合物を用いた電界発光素子の発光効率がより優れるため、式（４’）で表される構造を含む化合物であることが好ましい。式（４’）で表される構造は、２価の構造を示す。

本発明の第一の化合物であって高分子化合物であるものは、前記式（１）、（３）、（４）および（４’）で表される構造からなる群から選ばれる１つ以上の構造を構成単位として含んでいればよく、これら以外の他の構成単位を含んでいてもよい。該他の構成単位の構造としては、式（９）で表される構造が挙げられる。式（９）で表される構造は、２価の構造を示す。

前記Ｒ^７は、置換基を有していてもよい２価の有機基（前記式（１）、（３）、（４）および（４’）で表される構成単位とは異なる。）であり、例えば、式７−１〜７−１２４で表される分子の環に接合する水素原子２個を除いた原子団が挙げられる。
これらの中でも、本発明の化合物の合成の観点から、式７−１、７−２、７−３、７−１０、７−１２、７−２０、７−３２、７−３４、７−３５、７−３６、７−３７、７−３８、７−５０、７−５３、７−５４、７−５７、７−５８、７−６１、７−６６、７−６９、７−７０、７−７３、７−７６、７−７７、７−８０、７−８１、７−８４、７−８５、７−８８、７−８９、７−９２、７−９３、７−９６、７−９７、７−１００、７−１０１、７−１０４、７−１０５、７−１０８、７−１０９、７−１１２、７−１１３、７−１１６、７−１１７、７−１２０、７−１２１または７−１２４で表される分子の環に接合する水素原子２個を除いた原子団であることが好ましく、
式７−１、７−２、７−１０、７−３２、７−３５、７−３８、７−５８、７−６１、７−７６、７−８５、７−８８、７−９７，７−１００、７−１０９、７−１１２、７−１２１または７−１２４で表される分子の環に接合する水素原子２個を除いた原子団であることがより好ましく、
式７−１、７−１０、７−３２、７−３５、７−５８、７−６１、７−７６、７−８５、７−８８、７−１０９または７−１１２で表される分子の環に接合する水素原子２個を除いた原子団であることが更に好ましく、
式７−５８、７−６１、７−７６、７−８５または７−８８で表される分子の環に接合する水素原子２個を除いた原子団が特に好ましい。なお、下記式において、Ｍ^１は前記と同じ意味を表す。

本発明の第一の化合物であって高分子化合物であるものは、前記式（１）、（３）、（４）および（４’）で表される構造の構成単位の合計の、高分子化合物に含まれる全構成単位に対する割合は、通常０．１モル％以上１００モル％以下の範囲であり、有機溶媒に対する溶解性の向上の観点から、０．１モル％以上８０モル％以下の範囲であることが好ましく、０．１モル％以上６５モル％以下の範囲であることがより好ましく、０．１モル％以上５０モル％以下の範囲であることが更に好ましい。
本発明の第一の化合物であって高分子化合物であるものにおける、前記式（１）、（３）、（４）および（４’）で表される構造の構成単位以外の構成単位としては、前記式（９）で表される構成単位であることが好ましいが、それ以外の構成単位を含んでいてもよい。

本発明の第一の化合物であって高分子化合物であるものの分子量は、有機溶媒に対する溶解性と成膜性が良好となるので、４×１０³以上２×１０⁶以下であることが好ましく、１×１０^４以上１×１０^６以下であることがより好ましく、１．５×１０^４以上４×１０⁵以下であることが更に好ましい。ここで、本発明の第一の化合物の分子量は、その前駆物質である後述の本発明の第二の化合物の分子量と第二の化合物から第一の化合物への製造方法を勘案して、算出することができる。

＜第二の化合物＞
本発明の「第二の化合物」は、式（５）で表される構造を含む化合物である。式（５）で表される構造は、２価の構造を示す。該化合物には、式（５）で表される構造を構成単位として含む高分子化合物、および、式（５）で表される構造を含む低分子化合物の双方が含まれる。以下、式（５）で表される構造について説明する。

［式中、
ｎ^５は、１以上の整数を表し、Ｒ^６は、１価の有機基を表す。］

前記Ｒ^６としては、例えば、置換基を有してもよいヒドロカルビル基が挙げられ、ヒドロカルビル基の炭素原子数は、１〜６０の範囲であることが好ましい（該炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。）。ヒドロカルビル基は、直鎖、分岐鎖および環状のいずれであってもよく、本発明の化合物が簡便に合成できるので、
メチル基、エチル基、ネオペンチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジフェニルフェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基または９−フェナントリル基であることが好ましく、
メチル基、エチル基、ネオペンチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基または４−ビフェニル基であることがより好ましく、
メチル基、エチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基またはフェニル基であることが更に好ましく、
エチル基であることが特に好ましい。

本発明の第二の化合物である、前記式（５）で表される構造を含む化合物としては、本発明の化合物の合成の観点から、式（５’）で表される構造を含む化合物であることが好ましい。式（５’）で表される構造は、２価の構造を示す。

本発明の第二の化合物である、前記式（５’）で表される構造を含む化合物としては、本発明の化合物の合成の観点から、式（５’’）で表される構造を含む化合物であることが好ましい。式（５’’）で表される構造は、２価の構造を示す。

また、本発明の第二の化合物であって高分子化合物であるものは、前記式（５）、（５’）および（５’’）で表される構造からなる群から選ばれる１つ以上の構造を構成単位として含んでいればよく、これら以外の他の構成単位を含んでいてもよい。該他の構成単位としては、式（１０）で表される構造が挙げられる。式（１０）で表される構造は、２価の構造を示す。

前記Ｒ^８は、置換基を有していてもよい２価の有機基（前記式（５）、（５’）および（５’’）で表される構成単位とは異なる。）であり、例えば、式８−１〜８−１２４で表される分子の環に接合する水素原子２個を除いた原子団が挙げられる。
これらの中でも、前駆体である本発明の第二の化合物から得られる第一の化合物を用いた電界発光素子の発光効率がより優れるため、式８−１、８−２、８−３、８−１０、８−１２、８−２０、８−３２、８−３４、８−３５、８−３６、８−３７、８−３８、８−５１、８−５５、８−５９、８−７１、８−７６、８−７８、８−８２、８−８６、８−１０２、８−１０６または８−１１０で表される分子の環に接合する水素原子２個を除いた原子団であることが好ましく、
式８−１、８−１０、８−３５、８−３８、８−５９、８−７６、８−８６または８−１１０で表される分子の環に接合する水素原子２個を除いた原子団であることがより好ましく、
式８−１、８−１０、８−５９、８−７６、８−８６または８−１１０で表される分子の環に接合する水素原子２個を除いた原子団であることが更に好ましく、
式８−１、８−１０、８−５９、８−８６または８−１１０で表される分子の環に接合する水素原子２個を除いた原子団が特に好ましい。

本発明の第二の化合物であって高分子化合物であるものは、前記式（５）、（５’）および（５’’）で表される構造の構成単位の合計の、高分子化合物に含まれる全構成単位に対する割合は、通常０．１モル％以上１００モル％以下の範囲であり、有機溶媒に対する溶解性の向上の観点から、０．１モル％以上８０モル％以下の範囲であることが好ましく、０．１モル％以上６５モル％以下の範囲であることがより好ましく、０．１モル％以上５０モル％以下の範囲であることが更に特に好ましい。
本発明の第二の化合物における、前記式（５）、（５’）および（５’’）で表される構造の構成単位以外の構成単位としては、前記式（１０）で表される構成単位であることが好ましいが、それ以外の構成単位を含んでいてもよい。

本発明の第二の化合物であって高分子化合物の場合であるものの分子量は、有機溶媒に対する溶解性と成膜性が良好となるので、４×１０³以上４×１０⁶以下であることが好ましく、１×１０^４以上１×１０^６以下であることがより好ましく、１．５×１０^４以上４×１０⁵以下であることが更に好ましい。ここで、第二の化合物の分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレン換算によって算出される重量平均分子量を意味する。

本発明の第二の化合物である式（６）で表される化合物は、前記式（５）、（５’）および（５’’）で表される構造を構成単位として含む高分子化合物の原料として、特に有用である。以下、式（６）で表される化合物について説明する。

［式中、
ｎ^５およびＲ^６は、前記と同じ意味を表し、
Ｘは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、パラトルエンスルホナート基、トリフルオロメタンスルホナート基、メタンスルホナート基、ジヒドロキシボリル基またはジアルコキシボリル基を表し、２個存在するＸは、互いに同一であっても異なっていてもよい。］

前記Ｘとしては、本発明の第二の化合物であって高分子化合物であるものの合成の観点から、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子であることが好ましく、臭素原子またはヨウ素原子がより好ましく、臭素原子が更に好ましい。

前記Ｘとしては、前記式（６）で表される化合物が簡便に合成できるので、ジヒドロキシボリル基またはジアルコキシボリル基も好ましい。ジアルコキシボリル基とは、ジヒドロキシボリル基の２つのヒドロキシル基とアルキル基が酸素原子を介することでホウ酸のエステル結合を形成した基を意味する。ジアルコキシボリル基としては、ピナコラートボリル基、１，３−プロパンジオレートボリル基またはジメトキシボリル基であることが好ましい。前記式（６）で表される化合物が熱力学的に安定となるためである。

前記式（６）で表される化合物としては、本発明の化合物の合成の観点から、式（６’）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、Ｘは、前記と同じ意味を表す。］

前記式（６’）で表される化合物としては、本発明の化合物の合成の観点から、式（６’’）で表される化合物であることが好ましい。

本発明の第二の化合物である、前記式（５）で表される構造を含む化合物であって低分子化合物であるものとしては、例えば、式９−１〜９−１４で表される化合物が挙げられる。
これらの中でも、前駆体である本発明の第二の化合物から得られる第一の化合物を用いた電界発光素子の発光効率がより優れるため、式９−１、９−２、９−３、９−４、９−７、９−１０、９−１１、９−１２または９−１３で表される化合物であることが好ましく、式９−３、９−４、９−１０、９−１１または９−１２で表される化合物であることがより好ましく、式９−３または９−１２で表される化合物であることが更に好ましい。なお、式９−１〜９−１４で表される化合物は置換基を有していてもよい。

＜第三の化合物＞
本発明の第三の化合物である、式（７）で表される化合物は、前記式（６）、（６’）および（６’’）で表される本発明の第二の化合物であって高分子化合物であるものの原料として、特に有用である。以下、式（７）で表される化合物について説明する。

［式中、
Ｒ^６は、１価の有機基を表し、
Ｘは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、パラトルエンスルホナート基、トリフルオロメタンスルホナート基、メタンスルホナート基、ジヒドロキシボリル基またはジアルコキシボリル基を表し、２個存在するＸは互いに同一であっても異なっていてもよい。］
Ｒ^６で表される１価の有機基は、前記と同じである。

前記式（７）で表される化合物としては、本発明の化合物の合成の観点から、式（７’）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、Ｘは、前記と同じ意味を表す。］

前記式（７’）で表される化合物としては、本発明の化合物の合成の観点から、式（７’’）で表される化合物であることが好ましい。

＜本発明の化合物の製造方法＞
次に、本発明の第一の化合物、第二の化合物および第三の化合物の製造方法について、以下に一例を挙げて説明する。

まずは、本発明の第二の化合物の前駆物質として、本発明の第三の化合物を製造する。第三の化合物は、例えば、以下のようにして製造することができる。
まず、芳香環上にアルコキシ基とエステル基を併せて有する芳香族化合物にアミノ基を導入する。その後、アミノ基に対して、アリール基を導入した後、該アリール基に前記Ｘを導入する。その後、芳香環上のアルコキシ基をヒドロキシル基に、またエステル基をカルボキシル基に変換する。その後、該カルボキシル基をエステル化することで、第三の化合物を製造できる。

次に、本発明の第一の化合物の前駆物質として、本発明の第二の化合物を製造する。
第二の化合物が、高分子化合物の場合、第三の化合物から一般的な有機合成反応（例えば、公知の縮合反応、求核置換反応、転位反応、Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応、芳香族求電子置換反応等）を用いて製造したものと、脱離基を複数個有する化合物とを公知の縮合反応を用いて連結される方法、または、上記の第三の化合物から一般的な有機合成反応を用いて製造したもの同士を公知の縮合反応を用いて連結させる方法等によって製造することができる。
第二の化合物が、低分子化合物の場合、第三の化合物から一般的な有機合成反応に用いられている反応を用いて製造することができる。例えば、公知の縮合反応、求核置換反応、転位反応、Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応、芳香族求電子置換反応等を用いることができる。

本発明の第二の化合物であって高分子化合物であるものの製造は、上記の第三の化合物から一般的な有機合成反応（例えば、公知の縮合反応、求核置換反応、転位反応、Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応、芳香族求電子置換反応等）を用いて製造したものと、脱離基を複数個有する化合物とを公知の縮合反応を用いて連結される方法であることが好ましい。該縮合方法として、パラジウム触媒（Ｐｄ触媒）によるＳｕｚｕｋｉカップリング反応により縮合する方法が挙げられる。他の縮合方法としては、例えば、Ｎｉ触媒存在下でＧｒｉｇｎａｒｄ試薬およびアリールハライドをＫｕｍａｄａ−Ｔａｍａｏカップリング反応により縮合する方法、０価ニッケル錯体（Ｎｉ（０）錯体）により縮合する方法、ＦｅＣｌ₃等の酸化剤により縮合する方法および電気化学的に酸化的に縮合する方法等が挙げられる。

前記Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に用いる有機溶媒としては、用いる化合物によって異なるが、一般には、パラジウム触媒の劣化を抑制するために、十分に脱酸素処理を施したものを用いることが好ましく、不活性ガス雰囲気下で反応を進行させることが好ましい。

最後に、本発明の第一の化合物を、前記第二の化合物より製造する。本発明の第一の化合物は、高分子化合物の場合と低分子化合物の場合のいずれの場合でも、その前駆物質である本発明の第二の化合物を加水分解することで製造できる。

本発明の第一の化合物の製造は、例えば、金属水酸化物、アルキルアンモニウムヒドロキシド等を用いる加水分解反応が挙げられ、金属水酸化物を用いる加水分解反応を用いることが好ましい。加水分解反応が円滑に進行するためである。

＜組成物＞
本発明の組成物は、本発明の第一の化合物と、それ以外の成分である正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料とを含有するものである。該正孔輸送材料、該電子輸送材料および該発光材料としては、後述する本発明の第一の化合物以外の正孔輸送層を構成する材料、本発明の第一の化合物以外の電子輸送層を構成する材料、および、本発明の第一の化合物以外の発光層を構成する材料を好適に用いることができる。なお、本発明の組成物において、該正孔輸送材料、該電子輸送材料および該発光材料は、各々、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

本発明の組成物中における本発明の第一の化合物の含有量は、本発明の第一の化合物、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料の合計重量を１００重量部としたときに、通常、０．０００１〜９５重量部であり、成膜性の観点からは、０．０００１〜５０重量部が好ましい。

本発明の組成物は、本発明の第一の化合物と後述の溶媒とを含有するもの、本発明の第一の化合物とそれ以外の成分である正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料および後述の溶媒とを含有するものも含まれる。
本発明の組成物中における溶媒の含有量は、特に限定されず、溶媒の種類、本発明の第一の化合物の成膜方法、および本発明の第一の化合物の分子量等に応じて決定してよいが、例えば、塗布法によって成膜を行う場合は、本発明の組成物中における溶媒の含有量は、溶媒以外の合計重量を１００重量部としたとき、成膜性の観点から、１０００〜１００００００重量部であることが好ましい。

＜積層構造体＞
本発明は、本発明の第一の化合物またはその組成物を含む積層構造体を提供する。

本発明の積層構造体は、第一の電極および第二の電極と、該第一の電極と該第二の電極の間に設けられた発光層若しくは電荷分離層を有する。本発明の第一の化合物またはその組成物は、該発光層若しくは該電荷分離層に含まれるか、該発光層若しくは該電荷分離層と該第一の電極との間に設けられた層に含まれるか、または、該発光層若しくは該電荷分離層と該第二の電極との間に設けられた層に含まれる。

前記積層構造体は、電界発光素子および光電変換素子等に用いることができる。積層構造体が電界発光素子に用いられる場合は、該積層構造体には発光層が設置されており、また、積層構造体が光電変換素子に用いられる場合は、該積層構造体には電荷分離層が設置されている。

本発明に用いられる化合物は電荷の注入性または輸送性に優れるため、該化合物を含む層を電界発光素子に用いた場合、発光効率が高い素子が得られる。また、該化合物を含む層を光電変換素子に用いた場合、変換効率が高い素子が得られる。

＜電界発光素子＞
本発明の積層構造体を用いた電界発光素子は、陽極、陰極、および、該陽極と該陰極との間に設置された発光層を有しており、さらに任意の層（陽極と発光層の間に設けられた層、および／または、陰極と発光層の間に設けられた層）を有していてもよい。本発明の第一の化合物は、該発光層若しくは該任意の層に含まれるか、または、該発光層および該任意の層の双方に含まれる。なお、該電界発光素子は、通常、基板を有している。

本発明の電界発光素子の一態様としては、基板上に陽極が設けられ、その上に発光層が積層され、さらにその上に陰極が積層されたものが挙げられる。他の一態様としては、陰極を基板上に設け、その上に発光層が積層され、さらに上に陽極が積層されたものが挙げられる。該電界発光素子は、任意の保護膜、バッファー膜、反射層などの他の機能を有する層が設けられていてもよく、封止膜または封止基板が覆い被せられることで、外気と遮断された態様であることが好ましい。また、本発明の電界発光素子は、基板側から採光する所謂ボトムエミッションタイプ、基板と反対側から採光する所謂トップエミッションタイプ、または両面採光型のいずれのタイプであってもよい。

本発明の第一の化合物を含む層は、前述の通り、電界発光素子における発光層、陽極と発光層の間の層、陰極と発光層の間の層等に用いることができ、該層は、発光層、電荷注入層、電荷輸送層等として機能させることができる。

本発明の第一の化合物を含む層を形成する方法としては、例えば、本発明の第一の化合物のほかに溶媒を含む組成物（以下、溶液）を用いて成膜する方法が挙げられる。

このような溶液からの成膜に用いる溶媒としては、前記溶解度パラメーターが９．３以上の「極性の高い溶媒」であることが好ましい。これは該溶媒に溶解しない化合物から成る層の上に、該化合物と該溶媒を含む溶液を塗布することで、積層構造体を作製する方法できるためである。極性の高い溶媒としては、具体的には、水、メタノール、エタノール、２−プロパノール、１−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、アセトニトリル、１，２−エタンジオール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、酢酸、ニトロベンゼン、ニトロメタン、１，２−ジクロロエタン、ジクロロメタン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ジオキサン、炭酸プロピレン、ピリジン、二硫化炭素およびこれらの混合溶媒等が挙げられ、これらの中でも、水、メタノール、エタノール、２−プロパノール、アセトニトリル、１，２−エタンジオール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドまたはこれらの混合溶媒が好ましく、メタノール、エタノール、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドまたはこれらの混合溶媒が更に好ましく、メタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドまたはこれらの混合溶媒が特に好ましい。

溶液からの成膜方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ノズルコート法等の塗布法が挙げられる。

本発明の第一の化合物を含む層の膜厚としては、用いる化合物によって最適値が異なるため、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜選択すればよく、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であることが好ましい。電界発光素子の駆動電圧を低くする観点からは、１ｎｍ〜１μｍであることが好ましく、２ｎｍ〜５００ｎｍであることがより好ましく、２ｎｍ〜２００ｎｍであることがさらに好ましい。

本発明の電界発光素子は、陽極、陰極および発光層を有するが、前述のように、さらに任意の層を有していてもよい。例えば、陽極と発光層との間には正孔注入層、正孔輸送層のうちの１層以上を有することができる。正孔注入層が存在する場合は、発光層と正孔注入層との間に正孔輸送層を有することができる。
一方、陰極と発光層との間には電子注入層、電子輸送層のうちの１層以上を有することができる。電子注入層が存在する場合は、発光層と電子注入層との間に電子輸送層を有することができる。本発明の第一の化合物を含む層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層に用いることができる。

ここで、陽極とは、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等に正孔を供給するものであり、陰極とは、電子注入層、電子輸送層、発光層等に電子を供給するものである。
発光層とは、電界を印加した際に、陽極側で発光層と隣接する層より正孔を受け取る機能、陰極側で発光層と隣接する層より電子を受け取る機能、受け取った電荷（正孔および電子）を電界の力で移動させる機能、および、正孔と電子の再結合を発光につなげる機能を有する層をいう。
正孔注入層および正孔輸送層とは、陽極から正孔を受け取る機能、正孔を輸送する機能、発光層へ正孔を供給する機能、陰極から注入された電子をブロックする機能のいずれかを有する層をいう。電子注入層および電子輸送層とは、陰極から電子を受け取る機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔をブロックする機能のいずれかを有する層をいう。なお、電子輸送層と正孔輸送層は、総称して電荷輸送層と呼ばれる。また、電子注入層と正孔注入層は、総称して電荷注入層と呼ばれる。

即ち、本発明の電界発光素子は、例えば、下記の層構成（ａ）を有することができ、または、層構成（ａ）から、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層の１層以上を省略した層構成を有することができる。なお、符号「−」は各層が隣接して積層されていることを表す。
（ａ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極
該層構成（ａ）において、本発明の第一の化合物を含む層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層からなる群から選ばれる１つ以上の層として用いることができる。

前記層構成（ａ）において、本発明の第一の化合物を含む層を発光層として用いた場合のみ、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層の全てを省略した層構成（ａ’）を有することもできる。
（ａ’）陽極−発光層−陰極

本発明の電界発光素子の層構成の好ましい具体例としては、下記のものが挙げられる。下記層構成において、本発明の第一の化合物を含む層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層および電子輸送層からなる群から選ばれる１つ以上の層として用いることができる。
（ｂ）陽極−正孔輸送層−発光層−陰極
（ｃ）陽極−発光層−電子輸送層−陰極
（ｄ）陽極−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−陰極

本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた電界発光素子としては、陰極に隣接して電子注入層を設けた電界発光素子、陽極に隣接して正孔注入層を設けた電界発光素子が挙げられる。具体的には、例えば、以下の（ｅ）〜（ｐ）の構造が例示される。
（ｅ）陽極−正孔注入層−発光層−陰極
（ｆ）陽極−発光層−電子注入層−陰極
（ｇ）陽極−正孔注入層−発光層−電子注入層−陰極
（ｈ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−陰極
（ｉ）陽極−正孔輸送層−発光層−電子注入層−陰極
（ｊ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−電子注入層−陰極
（ｋ）陽極−正孔注入層−発光層−電子輸送層−陰極
（ｌ）陽極−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極
（ｍ）陽極−正孔注入層−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極
（ｎ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−陰極
（ｏ）陽極−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極
（ｐ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極

本発明の第一の化合物を含む層は、電子注入層および／または電子輸送層、であることが好ましい。

本発明の電界発光素子は、さらに電極との密着性向上や電極からの電荷（即ち正孔または電子）の注入の改善のために、電極に隣接して絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層（正孔輸送層および電子輸送層）または発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。積層する層の順番や数、および、各層の厚さについては、電界発光素子の発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。

次に、本発明の電界発光素子を構成する各層の材料および作製方法について、より具体的に説明する。

＜基板＞
本発明の電界発光素子を構成する基板は、通常電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、金属フィルム、シリコン基板、これらを積層したものなどが用いられる。該基板としては、市販のものが入手可能であり、または公知の方法により製造することができる。
本発明の電界発光素子がディスプレイ装置の画素を構成する場合には、当該基板上に画素駆動用の回路が設けられていてもよいし、当該駆動回路上に平坦化膜が設けられていてもよい。平坦化膜が設けられる場合には、該平坦化膜の中心線平均粗さ（Ｒａ）が「Ｒａ＜１０ｎｍ」を満たすことが好ましい。Ｒａは、日本工業規格ＪＩＳのＪＩＳ−Ｂ０６０１−２００１に基づいて、ＪＩＳ−Ｂ０６５１からＪＩＳ−Ｂ０６５６およびＪＩＳ−Ｂ０６７１−１等を参考に計測できる。

＜陽極＞
本発明の電界発光素子を構成する陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等で用いられる有機半導体材料への正孔供給の観点から、かかる陽極の発光層側表面の仕事関数が４．０ｅＶ以上であることが好ましい。陽極の材料には、金属、合金、金属酸化物、金属硫化物などの電気伝導性化合物、または、これらの混合物等を用いる事ができる。具体的には、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化モリブデン等の導電性金属酸化物、または、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの導電性金属酸化物と金属との混合物等が挙げられる。
該陽極は、これら材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。多層構造である場合は、仕事関数が４．０ｅＶ以上である材料を発光層側の最表面層に用いることがより好ましい。

前記陽極の作製方法としては、特に限定されず公知の方法が利用でき、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。

前記陽極の膜厚は、通常１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは４０ｎｍ〜５００ｎｍである。また、短絡等の電気的接続の不良を防止する観点から、陽極の発光層側表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）は「Ｒａ＜１０ｎｍ」を満たす事が望ましく、より好ましくは「Ｒａ＜５ｎｍ」である。

前記陽極は、前記方法にて作製された後に、ＵＶオゾン、シランカップリング剤、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタンなどの電子受容性化合物を含む溶液などで表面処理を施される場合がある。表面処理によって該陽極に接する有機層との電気的接続が改善されるためである。

本発明の電界発光素子において、陽極を光反射電極として用いる場合には、かかる陽極が、高光反射性金属からなる光反射層と４．０ｅＶ以上の仕事関数を有する材料を含む高仕事関数材料層を組み合わせた多層構造であることが好ましい。
該陽極の具体的な構成例としては、以下が例示される。十分な光反射率を得る為に、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金、Ｃｒ合金等の高光反射性金属層の膜厚は５０ｎｍ以上である事が好ましく、より好ましくは８０ｎｍ以上である。ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＭｏＯ_３などの高仕事関数材料層の膜厚は通常、５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲である。
（ｉ） Ａｇ−ＭｏＯ₃
（ｉｉ） （Ａｇ-Ｐｄ-Ｃｕ合金）−（ＩＴＯおよび／またはＩＺＯ）
（ｉｉｉ） （Ａｌ-Ｎｄ合金）−（ＩＴＯおよび／またはＩＺＯ）
（ｉＶ） （Ｍｏ-Ｃｒ合金）−（ＩＴＯおよび／またはＩＺＯ）
（Ｖ） （Ａｇ-Ｐｄ-Ｃｕ合金）−（ＩＴＯおよび／またはＩＺＯ）−ＭｏＯ₃

＜正孔注入層＞
本発明の電界発光素子において、本発明に用いられる化合物以外の正孔注入層を構成する材料としては、例えば、カルバゾール誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、スターバースト型アミン、フタロシアニン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、および、これらを含む重合体が挙げられる。
また、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の導電性金属酸化物、ポリアニリン、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子およびオリゴマー、ポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン）・ポリスチレンスルフォン酸、ポリピロール等の有機導電性材料およびこれらを含む重合体、アモルファスカーボンを挙げることができる。
さらに、テトラシアノキノジメタン誘導体（例えば２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン）、１，４−ナフトキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ポリニトロ化合物等のアクセプター性有機化合物、オクタデシルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤等も好適に使用できる。
前記材料は、単一の成分であっても複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記正孔注入層は、前記材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

正孔注入層の作製方法としては、公知の種々の方法が利用できる。無機化合物材料の場合は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等が挙げられ、低分子有機材料の場合は、真空蒸着法、レーザー転写や熱転写等の転写法、溶液からの成膜による方法（後述の高分子バインダーとの混合溶液を用いてもよい）等が挙げられる。また、高分子有機材料では、溶液からの成膜による方法が挙げられる。

正孔注入材料が、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の低分子化合物の場合には、真空蒸着法を用いて正孔注入層を作製する事ができる。

また、前記低分子正孔注入材料と高分子化合物バインダーとを分散させた混合溶液を用いて正孔注入層を成膜する事もできる。混合する高分子化合物バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。具体的には、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が挙げられる。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、前記正孔注入材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒としては、例えば、水、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の含塩素溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル溶媒等が挙げられる。

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などのコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェット印刷法等の印刷法等の塗布法を用いることができる。パターン形成が容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェット印刷法等の印刷法またはノズルコート法が好ましい。

正孔注入層に続いて、正孔輸送層、発光層などの化合物層を作製する場合、特に、両方の層を塗布法によって作製する場合には、先に塗布した層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解して積層構造を作製できない場合がある。この場合には、下層を溶媒不溶にする方法を用いることができる。溶媒不溶にする方法としては、高分子化合物に架橋基を付け、架橋させて不溶化する方法、芳香族ビスアジドに代表される芳香環を有する架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合し、架橋させて不溶化する方法、アクリレート基に代表される芳香環を有しない架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合し、架橋させて不溶化する方法、下層を紫外光に感光させて架橋させ、上層の製造に用いる有機溶媒に対して不溶化する方法、下層を加熱して架橋させ、上層の製造に用いる有機溶媒に対して不溶化する方法などが挙げられる。下層を加熱する場合の加熱の温度は通常１００℃〜３００℃程度であり、時間は通常１分〜１時間程度である。
また、架橋以外で下層を溶解させずに積層するその他の方法として、隣り合った層の製造に異なる極性の溶液を用いる方法があり、例えば、下層に、水、アルコール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロジノンに代表される親水性溶媒には可溶であり、かつ、キシレン、トルエンなどの親油性溶媒には不溶な高分子化合物を用い、上層に親油性溶媒に可溶の高分子化合物を用いて、塗布しても下層が溶解しないようにする方法などがある。

正孔注入層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、電界発光素子の駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、厚すぎると、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍである。

＜正孔輸送層＞
本発明の電界発光素子において、本発明の第一の化合物以外の正孔輸送層を構成する材料としては、例えば、カルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（N−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、およびこれらの構造を含む重合体が挙げられる。また、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子およびオリゴマー、ポリピロール等の有機導電性材料も挙げることができる。
前記材料は、単一の成分であっても複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記正孔輸送層は、前記材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、特開昭６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、特開平２−１３５３６１号公報、特開平２−２０９９８８号公報、特開平３−３７９９２号公報、特開平３−１５２１８４号公報、特開平５−２６３０７３号公報、特開平６−１９７２号公報、ＷＯ２００５／５２０２７、特開２００６−２９５２０３号公報等に開示される化合物が正孔輸送層の材料として使用できる。中でも、繰り返し単位として２価の芳香族アミン残基を含む重合体が、好適に用いられる。

繰り返し単位として２価の芳香族アミンを含む重合体は、さらに他の繰り返し単位を有していてもよい。他の繰り返し単位としては、フェニレン基、フルオレンジイル基等のアリーレン基等が挙げられる。また、該重合体としては、架橋基を繰り返し単位として含んでいるものがより好ましい。

正孔輸送層の作製方法としては、正孔注入層の作製と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、前述のスピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法および印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法等が挙げられる。溶液からの成膜に用いる溶媒の例としては、前述の正孔注入層の成膜方法で例示したものと同様の溶媒が挙げられる。

正孔輸送層に続いて、発光層などの化合物層を塗布法にて作製する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、前述の正孔注入層の成膜方法で例示したものと同様の方法が挙げられる。

正孔輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、電界発光素子の駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、厚すぎると、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。

＜発光層＞
本発明の電界発光素子における発光層が、高分子化合物を含む場合、該高分子化合物材料としては、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール、ポリアルキルチオフェン等の共役高分子化合物を好適に用いることができる。

本発明の電界発光素子における発光層は、非共役高分子化合物と前記有機色素や前記金属錯体などの発光性化合物との組成物から構成されてもよい。非共役高分子化合物としては、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。前記の非共役高分子化合物は、側鎖に、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン化合物、ポルフィリン化合物および有機シラン誘導体からなる群から選ばれる１つ以上の誘導体もしくは化合物で表される構造を有していてもよい。

本発明の電界発光素子における発光層が、低分子化合物を含む場合、該低分子化合物としては、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、カルバゾール、キナクリドン等の低分子色素化合物、ナフタレン誘導体、アントラセン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系、インジゴ系などの色素類、８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、フタロシアニン若しくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン若しくはその誘導体、または、テトラフェニルブタジエン若しくはその誘導体等が挙げられる。

本発明の電界発光素子における発光層が燐光を発光する金属錯体を含む場合、該金属錯体としては、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、チエニルピリジン配位子含有イリジウム錯体、フェニルキノリン配位子含有イリジウム錯体、トリアザシクロノナン骨格含有テルビウム錯体等が挙げられる。

前記発光層に用いられる高分子化合物の具体例としては、例えば、ＷＯ９７／０９３９４、ＷＯ９８／２７１３６、ＷＯ９９／５４３８５、ＷＯ００／２２０２７、ＷＯ０１／１９８３４、ＧＢ２３４０３０４Ａ、ＧＢ２３４８３１６、ＵＳ５７３６３６、ＵＳ５７４１９２１、ＵＳ５７７７０７０、ＥＰ０７０７０２０、特開平９−１１１２３３号公報、特開平１０−３２４８７０号公報、特開平２０００−８０１６７号公報、特開２００１−１２３１５６号公報、特開２００４−１６８９９９号公報、特開２００７−１６２００９号公報、「有機ＥＬ素子の開発と構成材料（シーエムシー出版、２００６年発行）」等に開示されているポリフルオレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体および共重合体、芳香族アミン、その誘導体および共重合体が挙げられる。また、前記発光層に用いられる低分子化合物の具体例としては、例えば、特開昭５７−５１７８１号公報、「有機薄膜仕事関数データ集［第２版］（シーエムシー出版、２００６年発行）」、「有機ＥＬ素子の開発と構成材料（シーエムシー出版、２００６年発行）」等に記載されている化合物が挙げられる。
高分子化合物および低分子化合物は、単成分であっても複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記発光層は、高分子化合物および低分子化合物の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

前記発光層の成膜方法としては、正孔注入層の成膜と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法等の前記塗布法および印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法などが挙げられる。溶液からの成膜に用いる溶媒の例としては、正孔注入層の成膜方法で列記した溶媒が挙げられる。

前記発光層に続いて、電子輸送層などの化合物層を塗布法にて成膜する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、正孔注入層の成膜方法での例示と同様の方法で下層を溶媒不溶にすることができる。

前記発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、電界発光素子の駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、また、厚すぎると素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、発光層の膜厚としては、例えば５ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは３０ｎｍ〜２００ｎｍである。

＜電子輸送層＞
本発明の電界発光素子において、本発明の第一の化合物以外の電子輸送層を構成する材料としては、公知のものが使用でき、例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、８−キノリノール誘導体の金属錯体、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などが挙げられる。
これらのうち、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、８−ヒドロキシキノリン誘導体若しくはその金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましい。
前記材料は、単一成分であっても複数の成分からなる組成物であってもよい。また、電子輸送層は、前記材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

電子輸送層の作製方法としては、正孔注入層の作製と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法等の前記塗布法および印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法などが挙げられる。
溶液からの成膜に用いる溶媒の例としては、前述の正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒と同様のものが挙げられる。

電子輸送層に続いて、電子注入層などの化合物層を塗布法にて作製する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、前述の正孔注入層の成膜方法で例示したものと同様の方法が挙げられる。

電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、電界発光素子の駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発しないような厚さが必要であり、厚すぎると、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。

＜電子注入層＞
本発明の電界発光素子において、本発明の第一の化合物以外の電子注入層を構成する材料としては、公知のものが使用でき、例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、８−キノリノール誘導体の金属錯体、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体などが挙げられる。
前記材料は、単成分であっても複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記電子注入層は、前記材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

電子注入層の作製方法に制限はなく、正孔注入層の作製方法と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法および印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法などが挙げられる。
溶液からの成膜に用いる溶媒の例としては、前述の正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒と同様のものが挙げられる。

電子注入層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、電界発光素子の駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発しないような厚さが必要であり、厚すぎると、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。

＜陰極＞
本発明の電界発光素子において、陰極は、発光層、電子輸送層または電子注入層に隣接して、これらの層へ電子を供給する機能を有するものである。該陰極は、単一の材料または複数の材料からなる単層構造であってもよいし、複数層からなる多層構造であってもよい。多層構造である場合、第１陰極層およびカバー陰極層の２層構造、または、第１陰極層、第２陰極層およびカバー陰極層の３層構造が好ましい。ここで、第１陰極層は、陰極の中で最も発光層側にある層をいい、カバー陰極層は２層構造の場合は第１陰極層を、３層構造の場合は第１陰極層と第２陰極層を覆う層をいう。電子供給能の観点からは、第１陰極層の材料の仕事関数が３．５ｅＶ以下であることが好ましい。また、仕事関数が３．５ｅＶ以下の金属の酸化物、フッ化物、炭酸化物、複合酸化物等も第１陰極層材料として好適に用いることができる。カバー陰極層の材料には、抵抗率が低く、水分への耐腐食性が高い金属、金属酸化物等が好適に用いられる。

前記第１陰極層材料の具体例としては、アルカリ金属およびアルカリ土類金属、前記金属を１種類以上含む合金、前記金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、複合酸化物およびこれらの混合物からなる群より選択される１つ以上の材料等が挙げられる。
アルカリ金属の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム等が挙げられる。アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物および複合酸化物の例としては、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化ルビジウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウム、モリブデン酸カリウム、チタン酸カリウム、タングステン酸カリウム、モリブデン酸セシウム等が挙げられる。
アルカリ土類金属の例としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等が挙げられる。アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、複合酸化物の例としては、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、炭酸化バリウム、モリブデン酸バリウム、タングステン酸バリウム等が挙げられる。
アルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群より選択される金属を１種類以上含む合金の例としては、Ｌｉ−Ａｌ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ａｌ−Ｂａ合金、Ｍｇ−Ｂａ合金、Ｂａ−Ａｇ合金、Ｃａ−Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｎ合金等が挙げられる。
第２陰極層の材料としては、第１陰極層の材料と同様の材料が例示される。なお、第１陰極層材料として例示した材料と前記電子注入層を構成する材料として例示した材料との組成物も、第１陰極層として使用することができる。

前記カバー陰極層材料の具体例としては、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、スズ、鉛、ニッケル、チタン等の低抵抗金属、および、これらを含む合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化モリブデン等の導電性金属酸化物が挙げられ、さらに、該導電性金属酸化物と金属との混合物、グラフェン、フラーレン、カーボンナノチューブ等の導電性炭素等も挙げられる。

陰極が多層構造である場合の具体例としては、Ｍｇ／Ａｌ、Ｃａ／Ａｌ、Ｂａ／Ａｌ、ＮａＦ／Ａｌ、ＫＦ／Ａｌ、ＲｂＦ／Ａｌ、ＣｓＦ／Ａｌ、Ｎａ_２ＣＯ_３／Ａｌ、Ｋ_２ＣＯ_３／Ａｌ、Ｃｓ_２ＣＯ_３／Ａｌ等の２層構造（第１陰極層／カバー陰極層）、ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＮａＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＫＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＲｂＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＣｓＦ／Ｃａ／Ａｌ、Ｂａ／Ａｌ／Ａｇ、ＫＦ／Ａｌ／Ａｇ、ＫＦ／Ｃａ／Ａｇ、Ｋ_２ＣＯ_３／Ｃａ／Ａｇ等の３層構造（第１陰極層／第２陰極層／カバー陰極層）が挙げられる。ここで、符号「／」は各層が隣接している事を表す。なお、第２陰極層の材料が第１陰極層の材料に対して還元作用を有することが好ましい。
ここで、材料間の還元作用の有無および程度は、例えば、化合物間の結合解離エネルギー（Ｄ_０）から見積もることができる。即ち、第２陰極層を構成する材料による、第１陰極層を構成する材料に対する還元反応において、結合解離エネルギーが正であるような組み合わせである場合、第２陰極層の材料が第１陰極層の材料に対して還元作用を有する。結合解離エネルギーは、「電気化学便覧第５版（丸善、２０００年発行）」、「熱力学データベースＭＡＬＴ（科学技術社、１９９２年発行）」等で参照できる。

陰極の作製方法は、公知の種々の方法が利用でき、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等が挙げられる。
金属、金属の酸化物、フッ化物、炭酸化物を陰極として用いる場合は、真空蒸着法が多用され、高沸点の金属酸化物、金属複合酸化物、インジウムスズ（ＩＴＯ）に代表される導電性金属酸化物等を陰極として用いる場合は、スパッタリング法、イオンプレーティング法が多用される。
異種材料との組成物を成膜する場合には、共蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等が多用される。特に、低分子有機物、および、金属、金属の酸化物、フッ化物若しくは炭酸化物との組成物を成膜する場合には、共蒸着法が好ましい。

陰極の膜厚は用いる材料、層構造によって最適値が異なり、電界発光素子の駆動電圧、発光効率、素子寿命が適度な値となるよう選択すればよい。通常、第１陰極層の膜厚は０．５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であり、カバー陰極層の膜厚は１０ｎｍ〜１μｍの範囲である。例えば、第１陰極層にＢａまたはＣａを、カバー陰極層にＡｌを用いる場合、ＢａまたはＣａの膜厚は２ｎｍ〜１０ｎｍであり、Ａｌの膜厚は１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、第１陰極層にＮａＦまたはＫＦ、カバー陰極層にＡｌを用いる場合、ＮａＦまたはＫＦの膜厚は１ｎｍ〜８ｎｍであり、Ａｌの膜厚は１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。

本発明の電界発光素子において、陰極を光透過性電極として用いる場合、カバー陰極層の可視光透過率は４０％以上であることが好ましく、５０％以上であることがより好ましい。該可視光透過率は、カバー陰極層材料として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化モリブデン等の透明導電性金属酸化物を用いることで達成される。また、該可視光透過率は、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、スズ、鉛等の低抵抗金属およびこれらを含む合金を用いたカバー陰極層の膜厚を３０ｎｍ以下にすることでも達成される。例えば、第１陰極層にＢａを５ｎｍ、カバー陰極層にＡｇを１５ｎｍ、とした陰極構造では、５０％以上の可視光透過率が達成される。

また、前記可視光透過率を向上させる事を目的として、前記カバー陰極層上に反射防止層を設ける事もできる。該反射防止層に用いることができる材料としては、屈折率が１．８〜３．０程度であることが好ましく、例えば、ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＷＯ_３等が挙げられる。反射防止層の膜厚は材料の組み合せによって異なるが、通常１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲である。例えば、陰極として、第１陰極層としてＢａを５ｎｍ、カバー陰極層としてＡｇを１５ｎｍとした陰極構造に、さらに反射防止層としてＷＯ_３を２１ｎｍ積層させると、可視光透過率は１０％程度改善される。

＜絶縁層＞
本発明の電界発光素子が、任意に有しうる膜厚５ｎｍ以下の絶縁層は、電極との密着性向上、電極からの電荷（即ち正孔または電子）注入改善、隣接層との混合防止などの機能を有するものである。絶縁層の材料としては、例えば、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料（ポリメチルメタクリレート等）が挙げられる。膜厚５ｎｍ以下の絶縁層が設けられた電界発光素子としては、陰極に隣接して膜厚５ｎｍ以下の絶縁層を設けたもの、および、陽極に隣接して膜厚５ｎｍ以下の絶縁層を設けたものが挙げられる。

本発明の電界発光素子は、例えば、基板上に各層を順次積層することによる製造することができる。具体的には、基板上に陽極を設け、その上に正孔注入層、正孔輸送層等の層を必要に応じて設け、その上に発光層を設け、その上に電子輸送層、電子注入層等の層を必要に応じて設け、さらにその上に、陰極を積層することにより製造することができる。

本発明の電界発光素子を用いてディスプレイ装置を製造することができる。該ディスプレイ装置は、電界発光素子を１画素単位として備える。画素単位の配列の態様は、特に限定されず、テレビ等のディスプレイ装置で通常採られる配列とすることができ、多数の画素が共通の基板上に配列された態様とすることができる。本発明の装置において、基板上に配列される画素は、必要に応じて、バンクで規定される画素領域内に形成することができる。

前記装置はさらに、必要に応じて、発光層等を挟んで基板と反対側に、封止部材を有していてもよい。また、必要に応じて、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルター等のフィルター、画素の駆動に必要な回路および配線等、ディスプレイ装置を構成するための任意の構成要素を有していてもよい。

＜光電変換素子＞
本発明の積層構造体を用いた光電変換素子は、陰極、陽極、および、該陰極と該陽極との間に設置された電荷分離層を有しており、さらに任意の層（陰極と電荷分離層の間に設けられた層、および／または、陽極と電荷分離層の間に設けられた層）を有していてもよい。
発明の第一の化合物は、該電荷分離層若しくは該任意の層に含まれるか、または、該電荷分離層および該任意の層の双方に含まれる。

本発明の光電変換素子の電荷分離層には、電子供与性化合物と電子受容性化合物とが含まれている。電子供与性化合物としては、共役高分子化合物があげられ、具体的には、チオフェンジイル基を含む高分子化合物、フルオレンジイル基を含む高分子化合物等があげられる。また、電子受容性化合物としては、フラーレンおよびフラーレン誘導体等があげられる。

本発明の光電変換素子は、通常支持基板上に作製される。該支持基板としては有機光電変換素子としての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。

本発明の光電変換素子は、公知の方法、例えば、「Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．，１０２，９８２（１９９９）」に記載の方法や「Ｓｃｉｅｎｃｅ，２７０，１７８９（１９９５）」に記載の方法により製造することができる。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

合成した化合物の構造分析はＶａｒｉａｎ社製、３００ＭＨｚＮＭＲスペクトロメータ−を用いて^１Ｈ−ＮＭＲ解析にて行った。この際、試料を可溶な重溶媒に溶解させて行った。

＜合成例１＞化合物（Ａ−１）の合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、２，７−ジブロモ−９−フルオレノン（９２．０ｇ、２７２ｍｍｏｌ）およびジエチルエーテル（３．７Ｌ）を混合して０℃に冷却し、１ｍｏｌ／Ｌのヨウ化メチルマグネシウム・ジエチルエーテル溶液（０．５４５Ｌ、５４５ｍｍｏｌ）を滴下し、３時間撹拌した。得られた反応混合物に塩化アンモニウム水溶液を加えて水層を除去し、得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥して減圧濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的とする化合物（Ａ−１）（９２．８１ｇ、２６２ｍｍｏｌ、収率９６％）を得た。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝１．７１（１Ｈ），２．０２（３Ｈ），７．４５−７．６８（４Ｈ），７．６８（２Ｈ）．

＜合成例２＞化合物（Ｂ−１）の合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物（Ａ−１）（８３．０ｇ、２３４ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物（４．４９ｇ、２３．６ｍｍｏｌ）およびクロロホルム（２．５Ｌ）を混合して１時間還流し、得られた反応混合物に塩化アンモニウム水溶液を加えて水層を除去した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥して減圧濃縮し、目的とする化合物（Ｂ−１）（７３．６ｇ、２１９ｍｍｏｌ、収率９３％）を得た。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝６．１０（２Ｈ），７．４８−７．５３（４Ｈ），７．８３（２Ｈ）．

＜合成例３＞化合物（Ｃ−１）の合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物（Ｂ−１）（７０．０ｇ、２０８ｍｍｏｌ）、サリチル酸エチル（１０４ｇ、６２５ｍｍｏｌ）、メルカプト酢酸（４．２０ｇ、４５．６ｍｍｏｌ）およびメタンスルホン酸（１２１４ｇ）を混合して７０℃で８時間撹拌し、得られた反応混合物を氷水に滴下して析出した固体をろ過で回収し、メタノールで洗浄した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的とする化合物（Ｃ−１）（５２．１４ｇ、１０４ｍｍｏｌ、収率５０％）を得た。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝１．４４（３Ｈ），１．８４（１Ｈ），４．４４（２Ｈ），６．７６（２Ｈ），７．２９（２Ｈ），７．４８（２Ｈ），７．６０（２Ｈ），７．８８（１Ｈ），１０．８（１Ｈ）．

＜合成例４＞化合物（Ｄ−１）の合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物（Ｃ−１）（４１．２ｇ、８２．０ｍｍｏｌ）、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］−エチル−ｐ−トルエンスルホネート（７５．８ｇ、２３８ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド（２１４ｇ）、炭酸カリウム（５４．４ｇ、３９４ｍｍｏｌ）および１，４，７，１０，１３，１６−ヘキサオキサシクロオクタデカン（「１８−クラウン−６」と呼ばれることがある。）（４．６８ｇ、１８ｍｍｏｌ）を混合して１０５℃で２時間撹拌し、得られた反応混合物を水に加え酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的とする化合物（Ｄ−１）（４０．２ｇ、６２．０ｍｍｏｌ、収率７６％）を得た。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝１．３７（３Ｈ），１．８４（３Ｈ），３．３６（３Ｈ），３．５３（２Ｈ），３．５８−３．７９（６Ｈ），３．７３（２Ｈ），４．１２（２Ｈ），４．３４（２Ｈ），６．８０（１Ｈ），６．９０（１Ｈ），７．２８（２Ｈ），７．４８（２Ｈ），７．５８（２Ｈ），７．７０（１Ｈ）．

＜合成例５＞化合物（Ｅ−１）の合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物（Ｄ−１）（２８．４ｇ、４３．８ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（２４．３０ｇ、９５．７ｍｏｌ）、１分子のジクロロメタンを伴う［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．３５ｇ、０．４ｍｍｏｌ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０．２４ｇ、０．４ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（２５．６０ｇ、２６０ｍｍｏｌ）および１，４−ジオキサン（４８０ｍＬ）を混合して１２０℃で１７時間撹拌し、得られた反応混合物をろ過して酢酸エチルで洗浄した。得られたろ液を減圧濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、次いで、再結晶で精製して目的とする化合物（Ｅ−１）（１８．２２ｇ、２４．５ｍｍｏｌ、収率５６％）を得た。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝１．３０−１．４７（２７Ｈ），１．８８（３Ｈ），３．３５（３Ｈ），３．５３（２Ｈ），３．６０−３．６９（４Ｈ），３．７３（２Ｈ），３．８４（２Ｈ），４．１０（２Ｈ），４．３４（２Ｈ），６．７４（１Ｈ），６．８７（１Ｈ），７．５８（２Ｈ），７．７２−７．８９（５Ｈ）．

＜合成例６＞化合物（Ａ−２）の合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、２，７−ジブロモ−９−フルオレノン（８２．３ｇ、２４４ｍｍｏｌ）およびテトラヒドロフラン（３．８Ｌ）を混合して０℃に冷却し、１ｍｏｌ／Ｌの臭化イソブチルマグネシウム・テトラヒドロフラン溶液（０．４７５Ｌ、４７５ｍｍｏｌ）を滴下して１時間撹拌した。得られた反応混合物に塩化アンモニウム水溶液を加えて水層を除去し、得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥して減圧濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的とする化合物（Ａ−２）（５１．９ｇ、１３１ｍｍｏｌ、収率５４％）を得た。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝０．６０（６Ｈ），１．１７（１Ｈ），２．０４（１Ｈ），２．０９（２Ｈ），７．４３−７．５１（４Ｈ），７．６２（２Ｈ）．

＜合成例７＞化合物（Ｂ−２）の合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物（Ａ−２）（４９．６ｇ、１２５ｍｍｏｌ）、メタントルエンスルホン酸（９９．１ｇ、１０３２ｍｍｏｌ）およびクロロホルム（０．５１Ｌ）を混合して１時間還流し、得られた反応混合物に塩化アンモニウム水溶液を加えて水層を除去した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥して減圧濃縮し、目的とする化合物（Ｂ−２）（３６．４ｇ、９６．３ｍｍｏｌ、収率７７％）を得た。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝１．２７（６Ｈ），３．４１（１Ｈ），６．６０（１Ｈ），７．４５−７．６０（４Ｈ），７．８０（１Ｈ），７．９７（１Ｈ）．

＜合成例８＞化合物（Ｃ−２）の合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物（Ｂ−２）（３６．４ｇ、９６．３ｍｍｏｌ）、サリチル酸エチル（３２．０ｇ、１９３ｍｍｏｌ）、メルカプト酢酸（１．８６ｇ、２０．２ｍｍｏｌ）およびメタンスルホン酸（４６５ｇ）を混合して７０℃で６時間撹拌し、得られた反応混合物を氷水に滴下して析出した固体をろ過で回収し、メタノールで洗浄した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的とする化合物（Ｃ−２）（３９．６ｇ、７２．８ｍｍｏｌ、収率７５．６％）を得た。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝０．５３（６Ｈ），０．９８（１Ｈ），１．４４（３Ｈ），２．４１（２Ｈ），４．４４（２Ｈ），６．７４（１Ｈ），６．８０（１Ｈ），７．３０（２Ｈ），７．４７（２Ｈ），７．６０（２Ｈ），７．８４（１Ｈ），１０．８（１Ｈ）．

＜合成例９＞化合物（Ｄ−２）の合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物（Ｃ−２）（３９．６ｇ、７２．８ｍｍｏｌ）、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］−エチル−ｐ−トルエンスルホネート（６７．１ｇ、２１０ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド（１９８ｇ）、炭酸カリウム（４８．２ｇ、３４９ｍｍｏｌ）および１，４，７，１０，１３，１６−ヘキサオキサシクロオクタデカン（「１８−クラウン−６」と呼ばれることがある。）（３．８２ｇ、１４．５ｍｍｏｌ）を混合して１０５℃で１時間撹拌し、得られた反応混合物を水に加え酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的とする化合物（Ｄ−２）（４７．４ｇ、６８．６ｍｍｏｌ、収率９４％）を得た。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝０．５１（２Ｈ），１．００（１Ｈ），１．３８（３Ｈ），２．４４（２Ｈ），３．３６（３Ｈ），３．５３（２Ｈ），３．５８−３．７３（６Ｈ），３．７２（２Ｈ），４．１３（２Ｈ），４．３４（２Ｈ），６．７５（１Ｈ），６．８５（１Ｈ），７．３２（２Ｈ），７．４８（２Ｈ），７．５８（２Ｈ），７．７０（１Ｈ）．

＜合成例１０＞化合物（Ｅ−２）の合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物（Ｄ−２）（１８．０ｇ、２６．１ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（１４．７ｇ、５７．４ｍｏｌ）、１分子のジクロロメタンを伴う［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．２１ｇ、０．２６ｍｍｏｌ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０．１４ｇ、０．２６ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（１５．４ｇ、１５６ｍｍｏｌ）および１，４−ジオキサン（２９０ｍＬ）を混合して１２０℃で２４時間撹拌し、得られた反応混合物をろ過して酢酸エチルで洗浄した。得られたろ液を減圧濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、次いで、再結晶で精製して目的とする化合物（Ｅ−２）（１１．６ｇ、１４．８ｍｍｏｌ、収率５７％）を得た。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝０．４４（６Ｈ），０．９９（１Ｈ），１．３０−１．４３（２７Ｈ），２．５５（２Ｈ），３．３５（３Ｈ），３．５３（２Ｈ），３．６０−３．６９（４Ｈ），３．７４（２Ｈ），３．８５（２Ｈ），４．０８（２Ｈ），４．３４（２Ｈ），６．７０（１Ｈ），６．７９（１Ｈ），７．５６（２Ｈ），７．７５−７．８３（５Ｈ）．

＜合成例１１＞化合物（Ｆ）の合成
化合物（Ｆ）を、「Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ、２００８、６４、２７７２−２７８２」に記載の方法に従って合成した。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝３．４５（２Ｈ），３．８３（３Ｈ），３．８９（３Ｈ），６．８２（２Ｈ），７．１６（１Ｈ）．

＜合成例１２＞化合物（Ｇ）の合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物（Ｆ）（１４．２ｇ、７８．３ｍｍｏｌ）、ブロモベンゼン（３６．９ｇ、２３．５ｍｏｌ）、パラジウムジアセテート（０．８７８ｇ、３．９１ｍｍｏｌ）、トリターシャリーブチルフォスフィン（２．３８ｇ、１１．７ｍｍｏｌ）、酢酸セシウム（６３．７ｇ、１９６ｍｍｏｌ）およびトルエン（１４２ｍＬ）を混合して４８時間還流しつつ撹拌し、得られた反応混合物をジクロロメタンで希釈し、ろ過し、洗浄した。得られたろ液を減圧濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、次いで、再結晶で精製して目的とする化合物（Ｇ）（１８．７ｇ、５６．１ｍｍｏｌ、収率７２％）を得た。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝３．８３（３Ｈ），３．９０（３Ｈ），６．８５（１Ｈ），７．０２−７．０４（６Ｈ），７．２１−７．２５（５Ｈ），７．５７（１Ｈ）．

＜合成例１３＞化合物（Ｈ）の合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物（Ｇ）（８．８１ｇ、２６．４ｍｍｏｌ）、Ｎ-ブロモスクシンイミド（９．５４ｇ、５３．６ｍｏｌ）およびクロロホルム（３４０ｍＬ）を混合して１時間室温下で撹拌し、得られた反応混合物に５ｗｔ％チオ硫酸ナトリウム水溶液（４０ｍＬ）を添加した。分液洗浄した後、硫酸ナトリウムを用いて乾燥し、減圧濃縮して化合物（Ｈ）（１３．９ｇ）を粗生成物として得た。
また同様に、反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物（Ｇ）（９．４９ｇ、２８．５ｍｍｏｌ）、Ｎ-ブロモスクシンイミド（１０．３ｇ、５８．１ｍｏｌ）およびクロロホルム（３９０ｍＬ）を混合して１時間室温下で撹拌し、得られた反応混合物に５ｗｔ％チオ硫酸ナトリウム水溶液（４０ｍＬ）を添加した。分液洗浄した後、硫酸ナトリウムを用いて乾燥し、減圧濃縮して化合物（Ｈ）（１５．０ｇ）を粗生成物として得た。
得られた粗生成物（合計２８．９ｇ）を、ヘキサン（６００ｍＬ）に分散させ撹拌ろ過したところ、目的とする化合物（Ｈ）（２６．０ｇ、５２．９ｍｍｏｌ、収率９４％）を得た。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝３．８４（３Ｈ），３．９０（３Ｈ），６．８７−７．５２（１１Ｈ）．

＜合成例１４＞化合物（Ｉ）の合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物（Ｈ）（２４．３ｇ、４９．５ｍｍｏｌ）、ボロントリブロマイド１ｍｏｌ／Ｌジクロロメタン溶液（１４９ｍｌ）およびクロロホルム（３６６ｍＬ）を混合して２４時間室温下で撹拌し、得られた反応混合物を水で希釈し、分液洗浄した後、硫酸ナトリウムを用いて乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、目的とする化合物（Ｉ）（１１．５ｇ、２４．８ｍｍｏｌ、収率４９％）を得た。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝６．８８−７．６１（１２Ｈ），１０．３（１Ｈ）．

＜実施例１＞化合物（Ｊ）の合成
化合物（Ｉ）（１０．２ｇ、２２．０ｍｍｏｌ）、エタノール（１５００ｍＬ）および濃硫酸（１２．７ｍＬ）を混合して、４Åモレキュラーシーブ存在下で７２時間、１００℃で撹拌し、得られた反応混合物に硫酸ナトリウム（５００ｇ）添加した後、ろ過し、洗浄した。その後、約２００ｍＬまで減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、目的とする化合物（Ｊ）（９．２０ｇ、１８．７ｍｍｏｌ、収率８５％）を得た。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝１．３６（３Ｈ），４．３８（２Ｈ），６．８７（４Ｈ），６．９２（１Ｈ），７．２０−７．３３（５Ｈ），７．５８（１Ｈ），１０．８（１Ｈ）．

＜実施例２＞化合物（Ｋ）の合成
化合物（Ｊ）（９．２０ｇ、１８．７ｍｍｏｌ）、３，６，９−トリオキサデシルｐ−トルエンスルホナート（８．９５ｇ、２８．１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（５．１８ｇ、３７．５ｍｍｏｌ）およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１８４ｇ）を混合して２４時間、８０℃で撹拌し、得られた反応混合物を酢酸エチルで希釈した後、分液洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた。得られた溶液をろ過した後、得られたろ液を減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、目的とする化合物（Ｋ）（１１．５ｇ、１８．０ｍｍｏｌ、収率９６％）を得た。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝１．３４（３Ｈ），３．３８（３Ｈ），３．５５（２Ｈ），３．６５（４Ｈ），３．６９（２Ｈ），３．７６（２Ｈ），４．１８（２Ｈ），４．３０（２Ｈ），６．８９（５Ｈ），７．１１（１Ｈ），７．３１（４Ｈ），７．４８（１Ｈ）．

＜実施例３＞高分子化合物（Ｌ−１）の合成
化合物（Ｄ−１）（３３１ｍｇ、０．５１０ｍｍｏｌ）、化合物（Ｅ−１）（３６２ｍｇ、０．４８８ｍｍｏｌ）、化合物（Ｋ）（２０．８ｍｇ、０．０３２７ｍｍｏｌ）、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕｏｔ３３６）（５．５０ｍｇ、０．０１３６ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（１．３０ｍｇ、１．８５μｍｏｌ）、１７．５ｗｔ％炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ）およびトルエン（２０ｍＬ）をフラスコに入れて、１０５℃で７時間半攪拌した。
その後、そこに、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（１．３０ｍｇ、１．８５μｍｏｌ）、１７．５ｗｔ％炭酸ナトリウム水溶液（１．５ｍＬ）およびフェニルボロン酸（３９．９ｍｇ、０．３２６ｍｍｏｌ）を加えて６時間攪拌した。その後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．４９０ｇ）および水（１０ｍＬ）を添加して、８０℃で２時間攪拌し、得られた混合物をメタノールに滴下し析出物をろ過で回収して乾燥した。得られた固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナおよびシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、溶出液を濃縮・乾燥させた。得られた濃縮物をトルエンに溶解させて、メタノールに滴下し析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物（Ｌ−１）を３４２ｍｇ得た。高分子化合物（Ｌ−１）のポリスチレン換算の重量平均分子量は３．３×１０^４であった。高分子化合物（Ｌ−１）は、単量体の仕込み比から、以下の構成単位およびモル比率を有する高分子化合物と推定される。

＜実施例４＞高分子化合物（Ｍ−１）の合成
高分子化合物（Ｌ−１）（１５０ｍｇ）、水酸化セシウム１水和物（１０３ｍｇ、０．６１２ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）、メタノール（１０ｍＬ）および水（１．２ｍＬ）をフラスコに入れて、６５℃で攪拌した。２時間後、メタノール（２０ｍＬ）を追加して更に２時間攪拌した。得られた溶液を濃縮し、乾燥した後、メタノールに溶解させて２−プロパノールに滴下し析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物（Ｍ−１）を１４２ｍｇ得た。高分子化合物（Ｍ−１）は、以下の構成単位およびモル比率を有する高分子化合物と推定される。

＜実施例５＞高分子化合物（Ｌ−２）の合成
化合物（Ｄ−２）（４３９ｍｇ、０．５６０ｍｍｏｌ）、化合物（Ｅ−２）（４８４ｍｇ、０．７０４ｍｍｏｌ）、化合物（Ｋ）（６１．２ｍｇ、０．０９６０ｍｍｏｌ）、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕｏｔ３３６）（８．１０ｍｇ、０．０２００ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（１．６８ｍｇ、２．３９μｍｏｌ）、１７．５ｗｔ％炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ）およびトルエン（２０ｍＬ）をフラスコに入れて、１０５℃で攪拌した。２時間後に化合物（Ｅ−２）（５５ｍｇ）を加え、更に２時間攪拌後に化合物（Ｅ−２）（５０ｍｇ）を加え、更に１時間攪拌後に化合物（Ｅ−２）（２０ｍｇ）を加え、更に１時間攪拌後に化合物（Ｅ−２）（１５ｍｇ）を加えて、１時間攪拌した。
その後、そこに、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（１．６８ｍｇ、２．３９μｍｏｌ）、１７．５ｗｔ％炭酸ナトリウム水溶液（２．３ｍＬ）およびフェニルボロン酸（３９．０ｍｇ、０．３２０ｍｍｏｌ）を加えて６時間攪拌した。その後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．７２０ｇ）および水（１４ｍＬ）を添加して、８０℃で２時間攪拌し、得られた混合物をメタノールに滴下し析出物をろ過で回収して乾燥した。得られた固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナおよびシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、溶出液を濃縮・乾燥させた。得られた濃縮物をトルエンに溶解させて、メタノールに滴下し析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物（Ｌ−２）を３９２ｍｇ得た。高分子化合物（Ｌ−２）のポリスチレン換算の重量平均分子量は３．９×１０^４であった。高分子化合物（Ｌ−２）は、単量体の仕込み比から、以下の構成単位およびモル比率を有する高分子化合物と推定される。

＜実施例６＞高分子化合物（Ｍ−２）の合成
高分子化合物（Ｌ−２）（２００ｍｇ）、水酸化セシウム１水和物（１２６ｍｇ、０．７５１ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（４．０ｍＬ）、メタノール（６．０ｍＬ）および水（０．３ｍＬ）をフラスコに入れて、６５℃で攪拌した。４時間後、得られた溶液を濃縮し、次いで、水洗し、高分子化合物（Ｍ−２）を２１１ｍｇ得た。高分子化合物（Ｍ−２）は、以下の構成単位およびモル比率を有する高分子化合物と推定される。

＜実施例７＞高分子化合物（Ｍ−３）の合成
高分子化合物（Ｌ−２）（１５０ｍｇ）、水酸化リチウム１水和物（５９．１ｍｇ、０．７５１ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１０ｍＬ）、メタノール（１０ｍＬ）および水（０．３ｍＬ）をフラスコに入れて、６５℃で攪拌した。４時間後、得られた溶液を濃縮し、乾燥した後、メタノールに溶解させて２−プロパノールに滴下し析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物（Ｍ−３）を１３６ｍｇ得た。高分子化合物（Ｍ−３）は、以下の構成単位およびモル比率を有する高分子化合物と推定される。

＜実施例８＞
高分子化合物（Ｍ−１）を、０．３２ｗｔ％メタノール溶液になるようにメタノールを加え撹拌したところ、高分子化合物（Ｍ−１）は完全に溶解した。

＜実施例９＞
高分子化合物（Ｍ−２）を、０．３２ｗｔ％メタノール溶液になるようにメタノールを加え撹拌したところ、高分子化合物（Ｍ−２）は完全に溶解した。

＜実施例１０＞
高分子化合物（Ｍ−３）を、０．３２ｗｔ％メタノール溶液になるようにメタノールを加え撹拌したところ、高分子化合物（Ｍ−３）は完全に溶解した。

＜実施例１１＞化合物（Ｎ）の合成
反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、化合物（Ｋ）（６３８ｍｇ）、メタノール（２０ｍＬ）、水酸化セシウム一水和物（１６８ｍｇ）および水（１．２０ｍＬ）を混合して６９℃で２時間撹拌した。得られた反応混合物を濃縮して乾燥し、化合物（Ｎ）を６２４ｍｇ得た。

^１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤ_３ＯＤ，ｒｔ）：δ（ｐｐｍ）＝３．３５（３Ｈ），３．５２−３．５７（２Ｈ），３．５９−３．６７（４Ｈ），３．６８−３．７３（２Ｈ），３．８０−３．８７（２Ｈ），４．１２−４．２１（２Ｈ），６．８８−６．９４（４Ｈ），６．９６−７．０２（２Ｈ），７．１０（１Ｈ），７．３０−７．３８（４Ｈ）．

＜実施例１２＞
化合物（Ｎ）を、０．３２ｗｔ％メタノール溶液になるようにメタノールを加え撹拌したところ、化合物（Ｎ）は完全に溶解した。結果を表１に示す。

＜比較例１＞
化合物（Ｏ）を、「非特許文献１」に記載の方法に従って合成した。化合物（Ｏ）を、０．３２ｗｔ％メタノール溶液になるようにメタノールを加え撹拌したところ、化合物（Ｏ）は完全に溶解しなかった。結果を表１に示す。

表１より、化合物（Ｎ）のメタノールへの溶解度は、化合物（Ｏ）のそれよりも高いことが分かった。

よって、本発明の第一の化合物は、極性の高い溶媒であるメタノールに対する溶解度が高い。

＜実施例１３＞電界発光素子１の作製
ガラス基板表面に成膜パターニングされたＩＴＯ陽極（膜厚：４５ｎｍ）上に、正孔注入材料溶液を塗布し、スピンコート法によって膜厚が６０ｎｍになるように正孔注入層を成膜した。

正孔注入層を成膜した基板を窒素ガス雰囲気下で、２００℃で１０分加熱した後、室温まで自然冷却させ、正孔注入層が形成された基板を得た。

ここで正孔注入材料溶液としては、スタルクヴイテック（株）製、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）・ポリスチレンスルホン酸、製品名：Ｂａｙｔｒｏｎ）を用いた。

次に、正孔輸送性高分子材料とキシレンとを混合し、０．７重量％の正孔輸送性高分子材料を含む正孔輸送層形成用組成物を得た。

ここで、正孔輸送性高分子材料は、以下の方法で合成した。

反応容器内を不活性ガス雰囲気下とした後、２，７−ジブロモ−９，９−ジ（オクチル）フルオレン（１．４ｇ）、２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ（オクチル）フルオレン（６．４ｇ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ’，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン（４．１ｇ）、ビス（４−ブロモフェニル）ベンゾシクロブテンアミン（０．６ｇ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（１．７ｇ）、酢酸パラジウム（４．５ｍｇ）、トリ（２−メトキシフェニル）ホスフィン（０．０３ｇ）およびトルエン（１００ｍＬ）を混合し、得られた混合物を、１００℃で２時間加熱攪拌した。その後、そこにフェニルボロン酸（０．０６ｇ）を添加し、得られた混合物を１０時間撹拌した。その後、放冷し、水層を除去し、そこにジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を添加し攪拌した後、水層を除去し、得られた有機層を水、酢酸水で洗浄した。得られた有機層をメタノールに注いで固体を沈殿させた後、沈殿した固体を濾取し、再度トルエンに溶解させ、シリカゲルおよびアルミナのカラムに通液した。その後、固体を含む溶出トルエン溶液を回収し、それをメタノールに注いで固体を沈殿させた。沈殿した固体を濾取後、５０℃で真空乾燥し、正孔輸送性高分子材料１２．１ｇを得た。正孔輸送性高分子材料のポリスチレン換算の重量平均分子量は３．０×１０^５であった。

正孔輸送性高分子材料は、下記式：

で表される構造単位と、下記式：

で表される構造単位と、下記式：

で表される構造単位を６２．５：３０：７．５のモル比（原料の仕込量からの理論値）を有する共重合体である。

上記で得た正孔注入層が形成された基板の正孔注入層の上に、正孔輸送層形成用組成物を塗布し、スピンコート法によって膜厚が２０ｎｍになるように正孔輸送層を成膜した。この正孔輸送層を成膜した基板を窒素ガス雰囲気下で、１８０℃で６０分間加熱することで正孔輸送層を不溶化させた後、室温まで自然冷却させ、正孔輸送層が形成された基板を得た。

次に、発光高分子材料とキシレンとを混合し、１．４重量％の発光高分子材料を含む発光層形成用組成物を得た。

ここで、発光高分子材料は、以下の方法で合成した。
反応容器内を不活性ガス雰囲気下とした後、２，７−ジブロモ−９，９−ジ（オクチル）フルオレン（９．０ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）１，４−フェニレンジアミン（１．３ｇ）、２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ（４−ヘキシルフェニル）フルオレン（１３．４ｇ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（４３．０ｇ）、酢酸パラジウム（８ｍｇ）、トリ（２−メトキシフェニル）ホスフィン（０．０５ｇ）およびトルエン（２００ｍＬ）を混合し、得られた混合物を、９０℃で８時間加熱攪拌した。その後、そこにフェニルボロン酸（０．２２ｇ）を添加し、得られた混合物を１４時間撹拌した。その後、放冷し、水層を除去し、そこにジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を添加し撹拌した後、水層を除去し、得られた有機層を水、酢酸水で洗浄した。得られた有機層をメタノールに注いで固体を沈殿させた後、沈殿した固体を濾取し、再度トルエンに溶解させ、シリカゲルおよびアルミナのカラムに通液した。その後、固体を含む溶出トルエン溶液を回収し、それをメタノールに注いで固体を沈殿させた。沈殿した固体を濾取後、５０℃で真空乾燥し、発光高分子材料（１２．５ｇ）を得た。発光高分子材料のポリスチレン換算の重量平均分子量は３．１×１０^５であった。

発光高分子材料は、下記式：

で表される構造単位と、下記式：

で表される構造単位と、下記式：

で表される構造単位と、を５０：４５：５のモル比（原料の仕込量からの理論値）を有する共重合体である。

上記で得た正孔輸送層が形成された基板の正孔輸送層の上に、発光層形成用組成物を塗布し、スピンコート法によって膜厚が８０ｎｍになるように発光層を成膜した。この発光層を成膜した基板を窒素ガス雰囲気下で、１３０℃で１０分間加熱し、室温まで自然冷却させ、発光層が形成された基板を得た。

メタノールと化合物（Ｍ−１）とを混合し、化合物（Ｍ−１）の含有割合が０．２５重量％の組成物を得た。

上記で得た発光層が形成された基板の発光層の上に、前記組成物を塗布し、スピンコート法によって膜厚１０ｎｍになるように電子注入層を成膜した。この電子注入層を成膜した基板を窒素ガス雰囲気下で、１３０℃で１５分間加熱し、室温まで自然冷却させ、電子注入層が形成された基板を得た。

上記で得た電子注入層が形成された基板を真空装置内に挿入し、真空蒸着法によってＡｌを８０ｎｍ成膜することで陰極を形成し、積層構造体１を作製した。

上記で得た積層構造体１を真空装置より取り出し、窒素ガス雰囲気下で、封止ガラスと２液混合型エポキシ樹脂にて封止し、電界発光素子１を作製した。

＜実施例１４＞電界発光素子２の作製
化合物（Ｍ−１）の代わりに、化合物（Ｍ−２）を用いたこと以外は、実施例１３と同様にして、電界発光素子２を作製した。

＜実施例１５＞電界発光素子３の作製
化合物（Ｍ−１）の代わりに、化合物（Ｍ−３）を用いたこと以外は、実施例１３と同様にして、電界発光素子３を作製した。

＜比較例２＞電界発光素子４の作製
化合物（Ｍ−１）を含む層を形成しなかったこと以外は、実施例１３と同様にして、電界発光素子４を作製した。

上記で得られた電界発光素子１〜４に、１０Ｖの順方向電圧を印加し、発光輝度と発光効率を測定した。結果を表１に示す。

表２より、本発明の化合物を含む電界発光素子は、本発明の化合物を含まない電界発光素子に比べ、発光効率が顕著に優れる。

Claims (20)

1. 式（１）で表される構造を含む化合物。
   

   

   ［式中、
   Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３およびＡｒ^４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい２価の芳香族基を表し、互いに結合して環を形成してもよく、Ａｒ^２が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、Ａｒ^４が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、
   Ａｒ^５は、置換基を有していてもよい１価の芳香族基を表し、Ａｒ^５が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、
   ｐおよびｑは、それぞれ独立に、０以上の整数を表し、
   Ｒ^１は、式（２）で表される１価の基を表し、Ｒ^１が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
   

   

   ［式中、
   Ｒ^２は、置換基を有していてもよい（１＋ｎ^１＋ｎ^４）価の芳香族基を表し、
   Ｒ^３は、置換基を有していてもよい２価の有機基を表し、
   Ｒ^４は、カチオンとキレートで相互作用できる構造を含む２価の有機基を表し、Ｒ^４が複数個存在する場合、互いに結合して環を形成してもよく、
   Ｒ^５は、カチオンとキレートで相互作用できる構造を含む１価の有機基を表し、Ｒ^５が複数個存在する場合、互いに結合して環を形成してもよく、
   Ｙ¹は、アニオンを含む１価の基を表し、
   ｎ^１は０以上の整数を表し、ｎ^２は０または１を表し、ｎ^３は０以上の整数を表し、ｎ^４は１以上の整数を表し、ｎ^１＋ｎ^３≧１である。
   Ｒ^３が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^４が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^５が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、Ｙ¹が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
   Ｍ^１は、カチオンを表し、
   Ｚ¹は、アニオンを表す。
   ａは１以上の整数を表し、ｂは０以上の整数を表す。ただし、ａおよびｂは、式（１）で表される構造の電荷が０となるように選択される。
   Ｍ^１が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、Ｚ¹が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。］］
2. 前記化合物が、前記式（１）で表される構造を構成単位として含む高分子化合物である、請求項１に記載の化合物。
3. 前記化合物が、低分子化合物である、請求項１に記載の化合物。
4. 前記Ｙ¹で表される基が、下記のうちから選ばれる基である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物。
   −ＣＯ₂ ^-、−ＳＯ₂ ^-、−ＳＯ₃ ^-、−Ｏ^-、−ＰＯ₃ ^2-または−ＢＲ^ａ _３ ^-
   ［式中、
   Ｒ^ａは、水素原子または１価の有機基を表し、複数個存在するＲ^ａは互いに同一であっても異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。］
5. 前記Ｙ¹で表される基が、−ＣＯ₂ ^-で表される基である、請求項４に記載の化合物。
6. 前記Ｍ^１が、下記のうちから選ばれるカチオンである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物。
   Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｒｂ^＋、Ｃｓ^＋、（Ｒ^ｂ）_４Ｎ^＋
   ［式中、
   Ｒ^ｂは、水素原子または１価の有機基を表し、複数個存在するＲ^ｂは互いに同一であっても異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。］
7. 前記Ｒ^４で表される基が、酸素原子を２個以上有する２価の有機基である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の化合物。
8. 前記Ｒ^５で表される基が、酸素原子を２個以上有する１価の有機基である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の化合物。
9. 前記Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３およびＡｒ^４で表される基が、置換基を有していてもよいフェニレン基である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物。
10. 前記Ｒ^２で表される基が、置換基を有していてもよいベンゼン環から、環に接合する（１＋ｎ^１＋ｎ^４）個の水素原子を取り除いた、置換基を有していてもよい（１＋ｎ^１＋ｎ^４）価の基である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の化合物。
11. 前記ｑが０である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の化合物。
12. 式（３）で表される構造を含む、請求項１１に記載の化合物。
    

    

    ［式中、
    ｐおよびＭ^１は、前記と同じ意味を表し、
    ｎ^５およびｎ^８は、それぞれ独立に、１以上の整数を表し、
    ｎ^６、ｎ^７、ｎ^９およびｎ^１０は、それぞれ独立に、１〜４の整数を表し、ｎ^６＋ｎ^７≦５かつｎ^９＋ｎ^１０≦５である。］
13. 式（４）で表される構造を含む、請求項１２に記載の化合物。
    

    

    ［式中、Ｍ^１およびｎ^５は、前記と同じ意味を表す。］
14. 請求項１〜１３のいずれか一項に記載の化合物と、
    正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料を含有する組成物。
15. 請求項１〜１３のいずれか一項に記載の化合物または請求項１４に記載の組成物を含む、積層構造体。
16. 電界発光素子である、請求項１５に記載の積層構造体。
17. 光電変換素子である、請求項１５に記載の積層構造体。
18. 式（５）で表される構造を含む化合物。
    

    

    ［式中、
    ｎ^５は、１以上の整数を表す。Ｒ^６は１価の有機基を表す。］
19. 式（６）で表される、請求項１８に記載の化合物。
    

    

    ［式中、
    ｎ^５およびＲ^６は、前記と同じ意味を表し、
    Ｘは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、パラトルエンスルホナート基、トリフルオロメタンスルホナート基、メタンスルホナート基、ジヒドロキシボリル基またはジアルコキシボリル基を表し、２個存在するＸは、互いに同一であっても異なっていてもよい。］
20. 式（７）で表される化合物。
    

    

    ［式中、
    Ｒ^６は、１価の有機基を表し、
    Ｘは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、パラトルエンスルホナート基、トリフルオロメタンスルホナート基、メタンスルホナート基、ジヒドロキシボリル基またはジアルコキシボリル基を表し、２個存在するＸは、互いに同一であっても異なっていてもよい。］