JPWO2013047246A1 - CdTe太陽電池用ガラス基板およびそれを用いた太陽電池 - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 215
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 147
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 104
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 claims abstract description 27
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 37
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 21
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 20
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 20
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 20
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 11
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 9
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 6
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007545 Vickers hardness test Methods 0.000 description 3
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003280 down draw process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000006025 fining agent Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical class O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C3/00—Glass compositions
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- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
- C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
- C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
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- C03C3/093—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium containing zinc or zirconium
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- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
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Abstract
高い透過率と高いガラス転移点温度、所定の平均熱膨張係数、高いガラス強度、低いガラス密度、板ガラス生産時の溶解性、成形性、失透防止の特性をバランスよく満
すCdTe太陽電池用ガラス基板およびそれを用いた太陽電池を提供する。本発明は、下記酸化物基準のモル百分率表示で、SiO2を60〜75%、Al2O3を1〜7.5%、B2O3を0〜1%、MgOを8.5〜12.5%、CaOを1〜6.5%、SrOを0〜3%、BaOを0〜3%、ZrO2を0〜3%、Na2Oを1〜8%、K2Oを2〜12%、MgO+CaO+SrO+BaOを10〜24%、Na2O+K2Oを5〜15%含有し、MgO/Al2O3が1.3以上、(2Na2O+K2O+SrO+BaO)/(Al2O3+ZrO2)が3.3以下であり、Na2O/K2Oが0.2〜2.0であり、Al2O3≧−0.94MgO+11であり、CaO≧−0.48、MgO+6.5であり、ガラス転移点温度が640℃以上、50〜350℃における平均熱膨張係数が70×10−7〜90×10−7/℃、粘度が104dPa・sとなる温度(T4)が1230℃以下、粘度が102dPa・sとなる温度(T2)が1650℃以下、前記T4と失透温度(TL)との関係がT4−TL≧−30℃、密度が2.7g/cm3以下であるCdTe太陽電池用ガラス基板に関する。
すCdTe太陽電池用ガラス基板およびそれを用いた太陽電池を提供する。本発明は、下記酸化物基準のモル百分率表示で、SiO2を60〜75%、Al2O3を1〜7.5%、B2O3を0〜1%、MgOを8.5〜12.5%、CaOを1〜6.5%、SrOを0〜3%、BaOを0〜3%、ZrO2を0〜3%、Na2Oを1〜8%、K2Oを2〜12%、MgO+CaO+SrO+BaOを10〜24%、Na2O+K2Oを5〜15%含有し、MgO/Al2O3が1.3以上、(2Na2O+K2O+SrO+BaO)/(Al2O3+ZrO2)が3.3以下であり、Na2O/K2Oが0.2〜2.0であり、Al2O3≧−0.94MgO+11であり、CaO≧−0.48、MgO+6.5であり、ガラス転移点温度が640℃以上、50〜350℃における平均熱膨張係数が70×10−7〜90×10−7/℃、粘度が104dPa・sとなる温度(T4)が1230℃以下、粘度が102dPa・sとなる温度(T2)が1650℃以下、前記T4と失透温度(TL)との関係がT4−TL≧−30℃、密度が2.7g/cm3以下であるCdTe太陽電池用ガラス基板に関する。
Description
本発明は、ガラス基板の間に光電変換層が形成されている太陽電池用ガラス基板およびそれを用いた太陽電池に関する。より詳しくは、典型的にはガラス基板と裏板ガラスとを有し、該ガラス基板と裏板ガラスとの間に、立方晶系または六方晶系の12−16族化合物半導体を主成分とした光電変換層が形成されているCdTe太陽電池用ガラス基板およびそれを用いた太陽電池に関するものである。
カルコパイライト結晶構造を持つ11−13族、11−16族化合物半導体や立方晶系あるいは六方晶系の12−16族化合物半導体は、可視から近赤外の波長範囲の光に対して大きな吸収係数を有している。そのために、高効率薄膜太陽電池の材料として期待されている。代表的な例としてCu(In,Ga)Se2(以下、「CIGS」または「Cu−In−Ga−Se」と記述する。)やCdTeが挙げられる。
CdTe薄膜太陽電池(以下、「CdTe太陽電池」ともいう)では、安価であることと平均熱膨張係数が裏板ガラスのそれに近いことから、ソーダライムガラスが基板として用いられ、太陽電池が得られている。
CdTe太陽電池は、CdTe光電変換層(以下、「CdTe層」ともいう)を形成する際、高温でのCdTe層の成膜を行うことにより、高い効率を得ることが知られている(例えば、非特許文献1参照)。
また、効率の良い太陽電池を得るため、CdTe太陽電池およびCIGS太陽電池用のガラス基板として、高温の熱処理温度に耐えうるガラス材料の提案もされている(例えば、特許文献1参照)。
CdTe太陽電池は、CdTe光電変換層(以下、「CdTe層」ともいう)を形成する際、高温でのCdTe層の成膜を行うことにより、高い効率を得ることが知られている(例えば、非特許文献1参照)。
また、効率の良い太陽電池を得るため、CdTe太陽電池およびCIGS太陽電池用のガラス基板として、高温の熱処理温度に耐えうるガラス材料の提案もされている(例えば、特許文献1参照)。
T.Okamoto Jpn. J.Appl.Phys. Vol.39(2000),pp.2587−2588)
しかし、現在CdTe太陽電池に利用されている最も一般的な基板であるソーダライムガラスを太陽電池用ガラス基板として用い、非特許文献1に記載の方法を適用した場合、ソーダライムガラスでは耐熱性が不十分であり、より耐熱性の高い基板が求められる。
特許文献1に記載のガラス材料は、高温の熱処理温度に耐えうるガラス材料であるが、比重が大きく、強度が小さいと推察され、さらなる物性の向上が求められている。
また、高い発電効率を得るためには、ガラス基板の透過率が高いことが求められる。しかし、特許文献1のガラス材料は、アルカリ土類酸化物の総量に対してMgOが少ないことから、透過率が低くなると予想される。
また、高い発電効率を得るためには、ガラス基板の透過率が高いことが求められる。しかし、特許文献1のガラス材料は、アルカリ土類酸化物の総量に対してMgOが少ないことから、透過率が低くなると予想される。
一方で、ガラス基板上のCdTe層の成膜中または成膜後の剥離を防止するために、また、裏板ガラスとの貼り合わせる工程および貼り合わせ後の温度変化に対し変形しないために、ガラス基板は、所定の平均熱膨張係数を有することが求められる。
さらに、CdTe太陽電池の製造および使用の観点から、ガラス基板の強度向上および軽量化、また板ガラス生産時に溶解性、成形性が良好なこと、失透しないことが求められる。
このようにCdTe太陽電池に使用されるガラス基板において、高い透過率、高いガラス転移点温度、所定の平均熱膨張係数、高いガラス強度、低いガラス密度、板ガラス生産時の溶解性、成形性、失透防止の特性をバランスよく有することは困難であった。
さらに、CdTe太陽電池の製造および使用の観点から、ガラス基板の強度向上および軽量化、また板ガラス生産時に溶解性、成形性が良好なこと、失透しないことが求められる。
このようにCdTe太陽電池に使用されるガラス基板において、高い透過率、高いガラス転移点温度、所定の平均熱膨張係数、高いガラス強度、低いガラス密度、板ガラス生産時の溶解性、成形性、失透防止の特性をバランスよく有することは困難であった。
本発明は、高い透過率、高いガラス転移点温度、所定の平均熱膨張係数、高いガラス強度、低いガラス密度、板ガラス生産時の溶解性、成形性、失透防止の特性をバランスよく有するCdTe太陽電池用ガラス基板およびそれを用いた太陽電池を提供することを目的とする。
本発明は、以下のCdTe太陽電池用ガラス基板および太陽電池を提供する。
(1)SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO、ZrO2、Na2OおよびK2Oを母組成として含むCdTe太陽電池用ガラス基板であって、
下記酸化物基準のモル百分率表示で、
SiO2を60〜75%、
Al2O3を1〜7.5%、
B2O3を0〜1%、
MgOを8.5〜12.5%、
CaOを1〜6.5%、
SrOを0〜3%、
BaOを0〜3%、
ZrO2を0〜3%、
Na2Oを1〜8%、
K2Oを2〜12%含有し、
MgO+CaO+SrO+BaOが10〜24%、
Na2O+K2Oが5〜15%、
MgO/Al2O3が1.3以上、
(2Na2O+K2O+SrO+BaO)/(Al2O3+ZrO2)が3.3以下、
Na2O/K2Oが0.2〜2.0、
Al2O3≧−0.94MgO+11、
CaO≧−0.48MgO+6.5であり、
ガラス転移点温度が640℃以上、50〜350℃における平均熱膨張係数が70×10−7〜90×10−7/℃、粘度が104dPa・sとなる温度(T4)が1230℃以下、粘度が102dPa・sとなる温度(T2)が1650℃以下、前記T4と失透温度(TL)との関係がT4−TL≧−30℃、密度が2.7g/cm3以下であるCdTe太陽電池用ガラス基板。
(2)SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO、ZrO2、Na2OおよびK2Oを母組成として含むCdTe太陽電池用ガラス基板であって、
下記酸化物基準のモル百分率表示で、
SiO2を62〜73%、
Al2O3を1.5〜7%、
B2O3を0〜1%、
MgOを9〜12.5%、
CaOを1.5〜6.5%、
SrOを0〜2.5%、
BaOを0〜2%、
ZrO2を0.5〜3%、
Na2Oを1〜7.5%、
K2Oを2〜10%含有し、
MgO+CaO+SrO+BaOが11〜22%、
Na2O+K2Oが6〜13%、
MgO/Al2O3が1.4以上、
(2Na2O+K2O+SrO+BaO)/(Al2O3+ZrO2)が0.5〜3、
Na2O/K2Oが0.4〜1.5、
Al2O3≧−0.94MgO+12、
CaO≧−0.48MgO+7であり、
ガラス転移点温度が645℃以上、50〜350℃における平均熱膨張係数が70×10−7〜85×10−7/℃、粘度が104dPa・sとなる温度(T4)が1220℃以下、粘度が102dPa・sとなる温度(T2)が1630℃以下、前記T4と失透温度(TL)との関係がT4−TL≧−20℃、密度が2.6g/cm3以下である(1)に記載のCdTe太陽電池用ガラス基板。
(3)前記母組成100質量部に対して鉄酸化物が、Fe2O3換算で0.06質量部以下含有されている(1)または(2)に記載のCdTe太陽電池用ガラス基板。
(4)前記母組成中のMgO、CaO、SrO、BaOが、酸化物基準のモル百分率表示で、MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO)が0.4以上、
である(1)〜(3)のいずれか一つに記載のCdTe太陽電池用ガラス基板。
(5)ガラス基板と、裏板ガラスと、前記ガラス基板と前記裏板ガラスとの間に配置されるCdTeの光電変換層と、を有し、
前記ガラス基板と前記裏板ガラスのうち少なくとも前記ガラス基板が、(1)〜(4)のいずれか一つに記載のCdTe太陽電池用ガラス基板である太陽電池。
(1)SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO、ZrO2、Na2OおよびK2Oを母組成として含むCdTe太陽電池用ガラス基板であって、
下記酸化物基準のモル百分率表示で、
SiO2を60〜75%、
Al2O3を1〜7.5%、
B2O3を0〜1%、
MgOを8.5〜12.5%、
CaOを1〜6.5%、
SrOを0〜3%、
BaOを0〜3%、
ZrO2を0〜3%、
Na2Oを1〜8%、
K2Oを2〜12%含有し、
MgO+CaO+SrO+BaOが10〜24%、
Na2O+K2Oが5〜15%、
MgO/Al2O3が1.3以上、
(2Na2O+K2O+SrO+BaO)/(Al2O3+ZrO2)が3.3以下、
Na2O/K2Oが0.2〜2.0、
Al2O3≧−0.94MgO+11、
CaO≧−0.48MgO+6.5であり、
ガラス転移点温度が640℃以上、50〜350℃における平均熱膨張係数が70×10−7〜90×10−7/℃、粘度が104dPa・sとなる温度(T4)が1230℃以下、粘度が102dPa・sとなる温度(T2)が1650℃以下、前記T4と失透温度(TL)との関係がT4−TL≧−30℃、密度が2.7g/cm3以下であるCdTe太陽電池用ガラス基板。
(2)SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO、ZrO2、Na2OおよびK2Oを母組成として含むCdTe太陽電池用ガラス基板であって、
下記酸化物基準のモル百分率表示で、
SiO2を62〜73%、
Al2O3を1.5〜7%、
B2O3を0〜1%、
MgOを9〜12.5%、
CaOを1.5〜6.5%、
SrOを0〜2.5%、
BaOを0〜2%、
ZrO2を0.5〜3%、
Na2Oを1〜7.5%、
K2Oを2〜10%含有し、
MgO+CaO+SrO+BaOが11〜22%、
Na2O+K2Oが6〜13%、
MgO/Al2O3が1.4以上、
(2Na2O+K2O+SrO+BaO)/(Al2O3+ZrO2)が0.5〜3、
Na2O/K2Oが0.4〜1.5、
Al2O3≧−0.94MgO+12、
CaO≧−0.48MgO+7であり、
ガラス転移点温度が645℃以上、50〜350℃における平均熱膨張係数が70×10−7〜85×10−7/℃、粘度が104dPa・sとなる温度(T4)が1220℃以下、粘度が102dPa・sとなる温度(T2)が1630℃以下、前記T4と失透温度(TL)との関係がT4−TL≧−20℃、密度が2.6g/cm3以下である(1)に記載のCdTe太陽電池用ガラス基板。
(3)前記母組成100質量部に対して鉄酸化物が、Fe2O3換算で0.06質量部以下含有されている(1)または(2)に記載のCdTe太陽電池用ガラス基板。
(4)前記母組成中のMgO、CaO、SrO、BaOが、酸化物基準のモル百分率表示で、MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO)が0.4以上、
である(1)〜(3)のいずれか一つに記載のCdTe太陽電池用ガラス基板。
(5)ガラス基板と、裏板ガラスと、前記ガラス基板と前記裏板ガラスとの間に配置されるCdTeの光電変換層と、を有し、
前記ガラス基板と前記裏板ガラスのうち少なくとも前記ガラス基板が、(1)〜(4)のいずれか一つに記載のCdTe太陽電池用ガラス基板である太陽電池。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、高い透過率、高いガラス転移点温度、所定の平均熱膨張係数、高いガラス強度、低いガラス密度、板ガラス生産時の溶解性、成形性、失透防止の特性をバランスよく有することができ、本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板を用いることで発電効率の高い太陽電池を提供できる。
<本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板>
以下、本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板について説明する。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO、ZrO2、Na2OおよびK2Oを母組成として含むCdTe太陽電池用ガラス基板であって、下記酸化物基準のモル百分率表示で、
SiO2を60〜75%、
Al2O3を1〜7.5%、
B2O3を0〜1%、
MgOを8.5〜12.5%、
CaOを1〜6.5%、
SrOを0〜3%、
BaOを0〜3%、
ZrO2を0〜3%、
Na2Oを1〜8%、
K2Oを2〜12%含有し、
MgO+CaO+SrO+BaOが10〜24%、
Na2O+K2Oが5〜15%、
MgO/Al2O3が1.3以上、
(2Na2O+K2O+SrO+BaO)/(Al2O3+ZrO2)が3.3以下、
Na2O/K2Oが0.2〜2.0、
Al2O3≧−0.94MgO+11、
CaO≧−0.48MgO+6.5であり、
ガラス転移点温度が640℃以上、50〜350℃における平均熱膨張係数が70×10−7〜90×10−7/℃、粘度が104dPa・sとなる温度(T4)が1230℃以下、粘度が102dPa・sとなる温度(T2)が1650℃以下、上記T4と失透温度(TL)との関係がT4−TL≧−30℃、密度が2.7g/cm3以下であるCdTe太陽電池用ガラス基板である。
以下、本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板について説明する。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO、ZrO2、Na2OおよびK2Oを母組成として含むCdTe太陽電池用ガラス基板であって、下記酸化物基準のモル百分率表示で、
SiO2を60〜75%、
Al2O3を1〜7.5%、
B2O3を0〜1%、
MgOを8.5〜12.5%、
CaOを1〜6.5%、
SrOを0〜3%、
BaOを0〜3%、
ZrO2を0〜3%、
Na2Oを1〜8%、
K2Oを2〜12%含有し、
MgO+CaO+SrO+BaOが10〜24%、
Na2O+K2Oが5〜15%、
MgO/Al2O3が1.3以上、
(2Na2O+K2O+SrO+BaO)/(Al2O3+ZrO2)が3.3以下、
Na2O/K2Oが0.2〜2.0、
Al2O3≧−0.94MgO+11、
CaO≧−0.48MgO+6.5であり、
ガラス転移点温度が640℃以上、50〜350℃における平均熱膨張係数が70×10−7〜90×10−7/℃、粘度が104dPa・sとなる温度(T4)が1230℃以下、粘度が102dPa・sとなる温度(T2)が1650℃以下、上記T4と失透温度(TL)との関係がT4−TL≧−30℃、密度が2.7g/cm3以下であるCdTe太陽電池用ガラス基板である。
なお、本発明において「母組成」とは、ガラス基板の主な組成原料としてのSiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO、ZrO2、Na2O、K2OおよびTiO2からなる組成を示す。ガラス基板用の組成原料には、これら以外の原料成分を含んでもよい。本発明では、母組成とそれ以外の原料成分を合わせて、「ガラス基板用組成」ともいう。ただし、TiO2を意図的に入れない場合は、TiO2は母組成に含めない。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板のガラス転移点温度(Tg)は640℃以上であり、ソーダライムガラスのガラス転移点温度より高い。ガラス転移点温度(Tg)は、高温におけるCdTe層の形成を担保するため645℃以上であるのが好ましく、650℃以上がより好ましく、655℃以上がさらに好ましい。溶解時の粘性を上げ過ぎないようにするために750℃以下とするのが好ましい。より好ましくは720℃以下、さらに好ましくは690℃以下である。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板の50〜350℃における平均熱膨張係数は、70×10−7〜90×10−7/℃である。裏板ガラスとして、ソーダライムガラス板または平均膨張係数が80〜90×10−7/℃のガラス板を使う場合、ガラス基板の50〜350℃における平均熱膨張係数が70×10−7/℃未満では、裏板ガラスとの膨張差が大きくなりすぎて、モジュール化するときのガラス基板と裏板ガラスの貼り合わせ工程時または太陽電池設置後の温度変化により、モジュールが反ってしまう恐れがある。または90×10−7/℃超ではCdTe層との熱膨張差が大きくなりすぎ、剥がれ等の欠点が生じやすくなる。好ましくは85×10−7/℃以下である。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、粘度が104dPa・sとなる温度(T4)と失透温度(TL)との関係がT4−TL≧−30℃である。T4−TLが−30℃未満では、板ガラス成形時に失透が生じやすく、ガラス板の成形が困難になるおそれがある。T4−TLは好ましくは−20℃以上、より好ましくは−10℃以上、さらに好ましくは0℃以上、特に好ましくは10℃以上である。
ここで、失透温度とは、ガラスを特定の温度で17時間保持するときに、ガラス表面および内部に結晶が生成しない最大温度を指す。
ガラス板の成形性、即ち、平坦性向上、生産性向上を考慮すると、T4は1230℃以下である。また、T4は1220℃以下が好ましく、1210℃以下がより好ましい。
ここで、失透温度とは、ガラスを特定の温度で17時間保持するときに、ガラス表面および内部に結晶が生成しない最大温度を指す。
ガラス板の成形性、即ち、平坦性向上、生産性向上を考慮すると、T4は1230℃以下である。また、T4は1220℃以下が好ましく、1210℃以下がより好ましい。
また、本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、ガラスの溶解性、即ち、均質性向上、生産性向上を考慮して、粘度が102dPa・sとなる温度(T2)を1650℃以下とする。T2は1630℃以下が好ましく、1620℃以下がより好ましい。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板では、ヤング率が75GPa以上が好ましい。ヤング率が75GPaより小さいと、一定応力下でのひずみ量が大きくなり、製造工程での反りが発生し不具合を生じ正常に成膜できないおそれがある。また、製品での反りが大きくなり好ましくない。より好ましくは76GPa以上、さらに好ましくは77GPa以上である。ヤング率は、フロート法やフュージョン法等の通常の方法でガラス基板を製造する場合に、容易に製造できるようなガラス組成範囲とすることを考慮すると、通常90GPa以下である。
また、ヤング率(以下、「E」ともいう)を密度(以下、「d」ともいう)で割った比弾性率(E/d)は、28GPa・cm3/g以上が好ましい。比弾性率が28GPa・cm3/gより小さいと、ローラー搬送中、もしくは部分的な支持の場合に自重で撓んでしまい製造工程で正常に流動させられないおそれがある。より好ましくは29GPa・cm3/g以上、さらに好ましくは30GPa・cm3/g以上である。比弾性率は、フロート法やフュージョン法等の通常の方法でガラス基板を製造する場合に、容易に製造できるようなガラス組成範囲とすることを考慮すると、通常37.5GPa・cm3/g以下である。なお、比弾性率(E/d)を28GPa・cm3/g以上とするには、ヤング率と密度を本願で特定する範囲とすればよい。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、密度が2.7g/cm3以下が好ましい。密度が2.7g/cm3を超えると、製品質量が重くなり好ましくない。密度はより好ましくは2.65g/cm3以下、さらに好ましくは2.6g/cm3以下である。密度は、フロート法やフュージョン法等の通常の方法でガラス基板を製造する場合に、容易に製造できるようなガラス組成範囲とすることを考慮すると、通常2.4g/cm3以上である。
本発明のガラス基板をCdTe太陽電池のガラス基板に用いる場合、発電効率を考慮すると、波長500〜800nmにおけるガラス基板の平均透過率(以下、「Tave」ともいう)は、2mm厚み換算で90.3%以上であると好ましい。より好ましくは90.4%以上、さらに好ましくは90.5%以上である。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、脆さ指標値が7000m−1/2未満であるのが好ましい。脆さ指標値が7000m−1/2以上であると、太陽電池の製造工程でガラス基板が割れやすくなり好ましくない。6900m−1/2以下であることがより好ましく、さらに好ましくは6800m−1/2以下である。脆さ指標値は、フロート法やフュージョン法等の通常の方法でガラス基板を製造する場合に、容易に製造できるようなガラス組成範囲とすることを考慮すると、通常5000m−1/2以上である。
本発明において、ガラス基板の脆さ指標値は、下式(1)により定義される「B」として得られるものである(J.Sehgal, et al.,J.Mat.Sci.Lett.,14,167(1995))。
c/a=0.0056B2/3P1/6 (1)
ここで、Pはビッカース圧子の押し込み荷重であり、a、cはそれぞれ、ビッカース圧痕の対角長および四隅から発生するクラックの長さ(圧子を含む対称な2つのクラックの全長)である。各種ガラス基板の表面に打ち込んだビッカース圧痕の寸法と式(1)を用いて、脆さ指標値Bを算出することとする。
本発明において、ガラス基板の脆さ指標値は、下式(1)により定義される「B」として得られるものである(J.Sehgal, et al.,J.Mat.Sci.Lett.,14,167(1995))。
c/a=0.0056B2/3P1/6 (1)
ここで、Pはビッカース圧子の押し込み荷重であり、a、cはそれぞれ、ビッカース圧痕の対角長および四隅から発生するクラックの長さ(圧子を含む対称な2つのクラックの全長)である。各種ガラス基板の表面に打ち込んだビッカース圧痕の寸法と式(1)を用いて、脆さ指標値Bを算出することとする。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板におけるガラス基板用組成について、以下に説明する。また、上記母組成およびその他の成分の含有量を限定する理由は以下のとおりである。
SiO2:ガラスの骨格を形成する成分で、60モル%(以下、単に「%」と記載する)未満では、ガラス基板の耐熱性および化学的耐久性が低下し、50〜350℃における平均熱膨張係数が増大するおそれがある。好ましくは62%以上であり、より好ましくは63%以上であり、さらに好ましくは64%以上である。
しかし、75%超ではガラスの高温粘度が上昇し、溶解性が悪化する問題が生じるおそれがある。好ましくは73%以下であり、より好ましくは70%以下であり、さらに好ましくは69%以下である。
SiO2:ガラスの骨格を形成する成分で、60モル%(以下、単に「%」と記載する)未満では、ガラス基板の耐熱性および化学的耐久性が低下し、50〜350℃における平均熱膨張係数が増大するおそれがある。好ましくは62%以上であり、より好ましくは63%以上であり、さらに好ましくは64%以上である。
しかし、75%超ではガラスの高温粘度が上昇し、溶解性が悪化する問題が生じるおそれがある。好ましくは73%以下であり、より好ましくは70%以下であり、さらに好ましくは69%以下である。
Al2O3:ガラス転移点温度を上げ、耐候性(ソラリゼーション)、耐熱性および化学的耐久性を向上し、ヤング率を上げる。その含有量が1%未満だとガラス転移点温度が低下するおそれがある。また50〜350℃における平均熱膨張係数が増大するおそれがある。好ましくは1.5%以上であり、より好ましくは2%以上である。
しかし、7.5%超では、ガラスの高温粘度が上昇し、溶解性が悪くなるおそれがある。また、失透温度が上昇し、成形性が悪くなるおそれがある。好ましくは7%以下である。
しかし、7.5%超では、ガラスの高温粘度が上昇し、溶解性が悪くなるおそれがある。また、失透温度が上昇し、成形性が悪くなるおそれがある。好ましくは7%以下である。
B2O3は、溶解性を向上させる等のために1%まで含有してもよい。含有量が1%を超えるとガラス転移点温度が下がり、CdTe層を形成するプロセスにとって好ましくない。また、失透温度が上昇して失透しやすくなり、板ガラス成形が難しくなる。また、光電変換層としてのCdTe層形成時にこれらの層に硼素イオンが拡散し、発電効率の低下を招くおそれがある。また、ガラス溶解時にB2O3の揮散量が多くなり、設備負荷が増すおそれがある。好ましくは含有量が0.5%以下である。実質的に含有しないことがより好ましい。
なお、「実質的に含有しない」とは、原料等から混入する不可避的不純物以外には含有しないこと、すなわち、意図的に含有させないことを意味する。
なお、「実質的に含有しない」とは、原料等から混入する不可避的不純物以外には含有しないこと、すなわち、意図的に含有させないことを意味する。
MgO:ガラスの溶解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有させるが、8.5%未満だとガラスの高温粘度が上昇し、溶解性が悪化するおそれがある。好ましくは9%以上であり、より好ましくは9.5%以上であり、さらに好ましくは10%以上である。
しかし、12.5%超では、50〜350℃における平均熱膨張係数が増大するおそれがある。また失透温度が上昇するおそれがある。好ましくは12%以下である。
しかし、12.5%超では、50〜350℃における平均熱膨張係数が増大するおそれがある。また失透温度が上昇するおそれがある。好ましくは12%以下である。
CaO:ガラスの溶解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有させることができる。好ましくは1%以上、より好ましくは1.5%以上、さらに好ましくは2%以上である。しかし、6.5%超ではガラス基板の50〜350℃における平均熱膨張係数が増大するおそれがある。好ましくは6%以下である。
SrO:ガラスの溶解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有させることができる。好ましくは0.5%以上である。しかし、3%超含有するとガラス基板の50〜350℃における平均熱膨張係数が増大、密度が増大、後述する脆さ指標値が増加するおそれがある。2.5%以下が好ましく、2%以下であることがより好ましい。
BaO:ガラスの溶解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有させることができる。しかし、3%超含有すると発電効率が低下し、またガラス基板の50〜350℃における平均熱膨張係数が増大、密度が増大、脆さ指標値が増加するおそれがある。また、ヤング率が低下するおそれがある。2%以下が好ましく、1.5%以下であることがより好ましく、1.0%以下であることがさらに好ましい。実質的に含有しないことが特に好ましい。
なお、「実質的に含有しない」とは、原料等から混入する不可避的不純物以外には含有しないこと、すなわち、意図的に含有させないことを意味する。
なお、「実質的に含有しない」とは、原料等から混入する不可避的不純物以外には含有しないこと、すなわち、意図的に含有させないことを意味する。
ZrO2:ガラスの溶解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有させることができる。しかし、3%超含有すると発電効率が低下し、また失透温度が上昇して失透しやすくなり板ガラス成形が難しくなる。2.5%以下が好ましい。また、好ましくは0.5%以上であり、より好ましくは1%以上である。
MgO、CaO、SrOおよびBaO:MgO、CaO、SrOおよびBaOは、ガラスの溶解時の粘性を下げ、溶解を促進させる点から合量で10%以上含有する。しかし、合量で24%超では失透温度が上昇し、成形性が悪くなるおそれがある。11%以上が好ましく、12%以上がより好まく、13%以上がさらに好ましい。また、22%以下が好ましく、20%以下がより好ましく、19%以下がさらに好ましい。
また、MgO、CaO、SrO、BaOに関し、下記式(2)の値は、Fe2O3含有に由来する光吸収を低くするために0.4以上とする。
MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO) (2)
MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO) (2)
本発明者等は、Mgが他のアルカリ土類金属元素に比べて多いと、Fe2O3に由来する光吸収が低く抑えられることを見出した。これは、ガラス中のFeイオンの周囲の環境がMgの割合によって変化するためであると考えられる。そのため、本発明では、前述のMgOの範囲に加え、アルカリ土類金属酸化物に占めるMgOの割合を規定した上記式(2)が0.4以上であることが好ましい。より好ましくは0.5以上、さらに好ましくは0.55以上、特に好ましくは0.6以上である。本発明のガラスは、密度を増大しすぎないようにするため、SrOおよびBaOは3%以下である。MgO、CaO、SrO、BaOの中で最も軽い成分であるMgOの比率を高めることにより、CdTe太陽電池用途に適した低密度を実現している。
Na2O:Na2Oは、ガラス溶解温度での粘性を下げ、溶解しやすくする効果があるので1〜8%含有させる。含有量が1%未満では50〜350℃における平均熱膨張係数が小さくなりすぎるため好ましくない。含有量が1.5%以上であると好ましく、含有量が2%以上であるとより好ましい。
Na2O含有量が8%を超えると50〜350℃における平均熱膨張係数が大きくなり、ガラス転移点温度が低下する傾向がある。または化学的耐久性が劣化する。または、ヤング率が低下するおそれがある。さらに、NaのCdTe層への拡散が多くなりすぎて発電効率が低下するおそれがある。含有量が7.5%以下であると好ましく、7%以下であるとより好ましい。
Na2O含有量が8%を超えると50〜350℃における平均熱膨張係数が大きくなり、ガラス転移点温度が低下する傾向がある。または化学的耐久性が劣化する。または、ヤング率が低下するおそれがある。さらに、NaのCdTe層への拡散が多くなりすぎて発電効率が低下するおそれがある。含有量が7.5%以下であると好ましく、7%以下であるとより好ましい。
K2O:Na2Oと同様の効果があるため、2〜12%含有させる。しかし、12%超では、KがCdTe層に拡散が多くなりすぎて発電効率が低下するおそれがある。また、ガラス転移点温度が低下し、50〜350℃における平均熱膨張係数が大きくなるおそれがある。または、ヤング率が低下するおそれがある。含有する場合は2%以上であるのが好ましく、3%以上であるのがより好ましく、3.5%以上であるのがさらに好ましい。また、10%以下が好ましく、9%以下であることがより好ましく、8.5%以下であるのがさらに好ましい。
Na2OおよびK2O:ガラス溶解温度での粘性を十分に下げるために、また、50〜350℃における平均熱膨張係数を適正な値とするために、Na2OおよびK2Oの合量は5〜15%である。好ましくは6%以上であり、より好ましくは7%以上である。しかし、15%超ではガラス転移点温度が下がりすぎるおそれがある。13%以下が好ましく、12.5%以下であることがより好ましい。
また、Na2OとK2Oの比Na2O/K2Oは0.2以上である。Na2O量が、K2O量に対して少ないと、溶解時の粘性が高くなりすぎてガラス製造が困難となるおそれがある。好ましくは0.4以上、より好ましくは0.5以上、さらに好ましくは0.6以上である。しかし、2.0超ではガラス転移点温度が下がりすぎるおそれがある。1.5以下が好ましく、1.4以下であることがより好ましく、1.3以下であることがさらに好ましい。
Al2O3およびMgO:失透温度の上昇を抑制するために、MgO/Al2O3の比を1.3以上とする。1.3未満では失透温度が上昇するおそれがある。好ましくは1.4以上、より好ましくは1.5以上である。また、耐候性、化学的耐久性を考慮すると5以下が好ましく、より好ましくは4以下、さらに好ましくは3以下である。
また、Al2O3≧−0.94MgO+11とする。この場合に、本発明においてTgを容易に640℃以上にすることができることを本発明者等は見出した。これは、Al2O3とMgOは他の元素に比べ、Tgを上昇させる効果が大きいためと考えられる。係数0.94は、MgOのTgを上昇させる効果がAl2O3より若干劣っていることを意味する。好ましくはAl2O3≧−0.94MgO+12、より好ましくはAl2O3≧−0.94MgO+13、さらに好ましくはAl2O3≧−0.94MgO+13.5、特に好ましくはAl2O3≧−0.94MgO+14である。
CaOおよびMgO:CaO≧−0.48MgO+6.5とする。この場合に、本発明においてT4を容易に1230℃以下にすることができることを本発明者等は見出した。これは、CaOとMgOは他の元素に比べ、Tgを維持しつつT4を下げる効果が大きいためと考えられる。係数0.48は、MgOの寄与がCaOの約1/2であることを意味する。好ましくはCaO≧−0.48MgO+7、より好ましくはCaO≧−0.48MgO+7.5、さらに好ましくはCaO≧−0.48MgO+8である。
Na2O、K2O、SrO、BaO、Al2O3およびZrO2:ガラス転移点温度を十分に高く保つため、さらに、耐候性を向上させるため、下記式(3)の値を3.3以下とする。
(2Na2O+K2O+SrO+BaO)/(Al2O3+ZrO2) (3)
本発明者等は、実験および試行錯誤の結果から、上記の各成分が本願の範囲を満たし、且つ、上記式(3)で得られる値が3.3以下となる場合に、ガラス転移点温度を十分に高く保つことができることを見出した。
3.3を超えると、ガラス転移点温度が低くなる、もしくは耐候性が悪化するおそれがある。また、数値が低くなりすぎると高温での粘性が高くなり、溶解性や成形性が低下する傾向があるため好ましくは0.5以上であり、より好ましくは1以上である。
なお、Na2Oに2の係数が付いているのは、Tgを低くする効果が他の成分より高いためである。
(2Na2O+K2O+SrO+BaO)/(Al2O3+ZrO2) (3)
本発明者等は、実験および試行錯誤の結果から、上記の各成分が本願の範囲を満たし、且つ、上記式(3)で得られる値が3.3以下となる場合に、ガラス転移点温度を十分に高く保つことができることを見出した。
3.3を超えると、ガラス転移点温度が低くなる、もしくは耐候性が悪化するおそれがある。また、数値が低くなりすぎると高温での粘性が高くなり、溶解性や成形性が低下する傾向があるため好ましくは0.5以上であり、より好ましくは1以上である。
なお、Na2Oに2の係数が付いているのは、Tgを低くする効果が他の成分より高いためである。
TiO2:本発明のガラス基板は、通常のソーダライムガラスに比べてアルカリ土類金属酸化物、特にMgOの含有量が多いため、溶融ガラス表面に泡層が生成しやすい。泡層が生成すると、溶融ガラスの温度が上がらず、清澄しづらくなり、生産性が悪化する傾向がある。溶融ガラス表面に生成した泡層を薄化ないし消失させるために消泡剤としてチタン化合物が、溶融ガラス表面に生成した泡層に供給されることがある。チタン化合物は、溶融ガラス中に取り込まれ、TiO2として存在する。チタン化合物は、無機チタン化合物(四塩化チタン、酸化チタン等)であってもよく、有機チタン化合物であってもよい。有機チタン化合物としては、チタン酸エステルまたはその誘導体、チタンキレートまたはその誘導体、チタンアシレートまたはその誘導体、シュウ酸チタネート等が挙げられる。 またTiO2は、不純物としてガラス中に含有することがある。あるいは、TiO2は溶解性の向上等のために添加してもよい。含有量が多くなると350〜550nmの波長における透過率が低下する傾向があるが、CdTe太陽電池の変換効率に寄与する500〜800nmでの平均透過率に対しての影響は小さいため、3%まで含有させることができる。好ましくは2.5%以下であり、より好ましくは2%以下であり、さらに好ましくは1.5%以下である。
意図的にTiO2を含有させない場合、前記消泡剤あるいは工業原料等からの不純物としてガラス中に含有するTiO2は、ガラス基板の母組成(SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO、ZrO2、Na2OおよびK2O)100質量部に対して、TiO2は0.0001〜0.2質量部の含有量で含まれることが好ましい。より好ましくは0.001〜0.15質量部、さらに好ましくは0.001〜0.1質量部である。
意図的にTiO2を含有させない場合、前記消泡剤あるいは工業原料等からの不純物としてガラス中に含有するTiO2は、ガラス基板の母組成(SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO、ZrO2、Na2OおよびK2O)100質量部に対して、TiO2は0.0001〜0.2質量部の含有量で含まれることが好ましい。より好ましくは0.001〜0.15質量部、さらに好ましくは0.001〜0.1質量部である。
鉄酸化物:本発明のガラス基板には、透過率を確保し発電効率を高くするために、上記母組成(SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO、ZrO2、Na2OおよびK2O)100質量部に対して、鉄酸化物が、Fe2O3換算で0.06質量部以下の含有量で含まれることが好ましい。より好ましくは0.055質量部以下、さらに好ましくは0.05質量部以下、特に好ましくは0.045質量部以下である。
また、鉄酸化物の含有量が0.01質量部以上であると、鉄酸化物成分の混入が不可避である工業原料を使用できるため、工業的な生産が容易となり好ましい。また、鉄酸化物の含有量が0.01質量部以上であると、溶解時に輻射の吸収が著しく大きくなるために、ガラスの温度が上がりやすくなり製造に支障をきたすことがない。より好ましくは0.015質量部以上、さらに好ましくは0.02質量部以上である。
なお、本発明において鉄酸化物としては、弁柄、酸化鉄粉等が挙げられる。
また、鉄酸化物の含有量が0.01質量部以上であると、鉄酸化物成分の混入が不可避である工業原料を使用できるため、工業的な生産が容易となり好ましい。また、鉄酸化物の含有量が0.01質量部以上であると、溶解時に輻射の吸収が著しく大きくなるために、ガラスの温度が上がりやすくなり製造に支障をきたすことがない。より好ましくは0.015質量部以上、さらに好ましくは0.02質量部以上である。
なお、本発明において鉄酸化物としては、弁柄、酸化鉄粉等が挙げられる。
SnO2:ガラス基板の透過率を確保するため、SnO2の含有量は、上記母組成(SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO、ZrO2、Na2OおよびK2O)100質量部に対して好ましくは0.30質量部以下、より好ましくは0.25質量部以下、さらに好ましくは0.20質量部以下である。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO、ZrO2、Na2OおよびK2Oを母組成として含み、
下記酸化物基準のモル百分率表示で、
SiO2を62〜73%、
Al2O3を1.5〜7%、
B2O3を0〜1%、
MgOを9〜12.5%、
CaOを1.5〜6.5%、
SrOを0〜2.5%、
BaOを0〜2%、
ZrO2を0.5〜3%、
Na2Oを1〜7.5%、
K2Oを2〜10%含有し、
MgO+CaO+SrO+BaOが11〜22%、
Na2O+K2Oが6〜13%、
MgO/Al2O3が1.4以上、
(2Na2O+K2O+SrO+BaO)/(Al2O3+ZrO2)が0.5〜3、
Na2O/K2Oが0.4〜1.5、
Al2O3≧−0.94MgO+12、
CaO≧−0.48MgO+7であり、
ガラス転移点温度が645℃以上、50〜350℃における平均熱膨張係数が70×10−7〜85×10−7/℃、粘度が104dPa・sとなる温度(T4)が1220℃以下、粘度が102dPa・sとなる温度(T2)が1630℃以下、上記T4と失透温度(TL)との関係がT4−TL≧−20℃、密度が2.6g/cm3以下であることが好ましい。
下記酸化物基準のモル百分率表示で、
SiO2を62〜73%、
Al2O3を1.5〜7%、
B2O3を0〜1%、
MgOを9〜12.5%、
CaOを1.5〜6.5%、
SrOを0〜2.5%、
BaOを0〜2%、
ZrO2を0.5〜3%、
Na2Oを1〜7.5%、
K2Oを2〜10%含有し、
MgO+CaO+SrO+BaOが11〜22%、
Na2O+K2Oが6〜13%、
MgO/Al2O3が1.4以上、
(2Na2O+K2O+SrO+BaO)/(Al2O3+ZrO2)が0.5〜3、
Na2O/K2Oが0.4〜1.5、
Al2O3≧−0.94MgO+12、
CaO≧−0.48MgO+7であり、
ガラス転移点温度が645℃以上、50〜350℃における平均熱膨張係数が70×10−7〜85×10−7/℃、粘度が104dPa・sとなる温度(T4)が1220℃以下、粘度が102dPa・sとなる温度(T2)が1630℃以下、上記T4と失透温度(TL)との関係がT4−TL≧−20℃、密度が2.6g/cm3以下であることが好ましい。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO、ZrO2、Na2OおよびK2Oの成分を母組成として上記含有量で含有し、上記母組成100質量部に対してFe2O3換算で0.06質量部以下の鉄酸化物を不純物あるいは添加成分として含有することが好ましい。それにより、透過率が高くなり、本発明のガラス基板を用いたCdTe太陽電池は発電効率が高くなる。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は本質的に上記母組成からなるが、本発明の目的を損なわない範囲でその他の成分を上記母組成100質量部に対して、それぞれ1質量部以下、合計で5質量部以下含有してもよい。たとえば、耐候性、溶解性、失透性、紫外線遮蔽、屈折率等の改善を目的に、ZnO、Li2O、WO3、Nb2O5、V2O5、Bi2O3、MoO3、TlO2、P2O5等を含有してもよい場合がある。
また、ガラスの溶解性、清澄性を改善するため、ガラス中にSO3、F、Clを上記母組成100質量部に対して、それぞれ1質量部以下、合量で2質量部以下含有するように、これらの原料を上記母組成原料に添加してもよい。
また、ガラス基板の化学的耐久性向上のため、ガラス中にY2O3、La2O3を合量で上記母組成100質量部に対して2質量部以下含有させてもよい。
また、ガラス基板の化学的耐久性向上のため、ガラス中にY2O3、La2O3を合量で上記母組成100質量部に対して2質量部以下含有させてもよい。
また、ガラス基板の色調を調整するため、ガラス中にCeO2等の着色剤を含有してもよい。このような着色剤の含有量は、上記母組成100質量部に対して合量で0.2質量部以下が好ましい。
また、本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、環境負荷を考慮すると、As2O3、Sb2O3を実質的に含有しないことが好ましい。また、安定してフロート成形することを考慮すると、ZnOを実質的に含有しないことが好ましい。しかし、本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、フロート法による成形に限らず、フュージョン法による成形により製造してもよい。
なお、「実質的に含有しない」とは、上述した通り、原料等から混入する不可避的不純物以外には含有しないこと、すなわち、意図的に含有させないことを意味する。
また、本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、環境負荷を考慮すると、As2O3、Sb2O3を実質的に含有しないことが好ましい。また、安定してフロート成形することを考慮すると、ZnOを実質的に含有しないことが好ましい。しかし、本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、フロート法による成形に限らず、フュージョン法による成形により製造してもよい。
なお、「実質的に含有しない」とは、上述した通り、原料等から混入する不可避的不純物以外には含有しないこと、すなわち、意図的に含有させないことを意味する。
<本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板の製造方法>
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板の製造方法について説明する。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板を製造する場合、従来の太陽電池用ガラス基板を製造する際と同様に、溶解・清澄工程および成形工程を実施する。なお、本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、アルカリ金属酸化物(Na2O、K2O)を含有するアルカリガラス基板であるため、清澄剤としてSO3を効果的に用いることができ、成形方法としてフロート法およびフュージョン法(ダウンドロー法)に適している。
太陽電池用のガラス基板の製造工程において、ガラスを板状に成形する方法としては、太陽電池の大型化に伴い、大面積のガラス基板を容易に、安定して成形できるフロート法を用いることが好ましい。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板の製造方法について説明する。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板を製造する場合、従来の太陽電池用ガラス基板を製造する際と同様に、溶解・清澄工程および成形工程を実施する。なお、本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、アルカリ金属酸化物(Na2O、K2O)を含有するアルカリガラス基板であるため、清澄剤としてSO3を効果的に用いることができ、成形方法としてフロート法およびフュージョン法(ダウンドロー法)に適している。
太陽電池用のガラス基板の製造工程において、ガラスを板状に成形する方法としては、太陽電池の大型化に伴い、大面積のガラス基板を容易に、安定して成形できるフロート法を用いることが好ましい。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板の製造方法の好ましい態様について説明する。 初めに、原料を溶解して得た溶融ガラスを板状に成形する。例えば、得られるガラス基板が上記組成となるように原料を調製し、上記原料を溶解炉に連続的に投入し、1550〜1700℃に加熱して溶融ガラスを得る。そしてこの溶融ガラスを、例えばフロート法を適用してリボン状のガラス板に成形する。
次に、リボン状のガラス板をフロート成形炉から引出した後に、冷却手段によって室温状態まで冷却し、切断後、CdTe太陽電池用ガラス基板を得る。
次に、リボン状のガラス板をフロート成形炉から引出した後に、冷却手段によって室温状態まで冷却し、切断後、CdTe太陽電池用ガラス基板を得る。
<本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板の用途>
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、CdTe太陽電池用のガラス基板、また裏板ガラスとしても好適である。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板をガラス基板に適用する場合、ガラス基板の厚さは3mm以下とするのが好ましく、より好ましくは2mm以下、さらに好ましくは1.5mm以下である。また、ガラス基板にCdTe層を付与する方法は特に制限されない。CdTe層を形成する際の加熱温度を500〜700℃、好ましくは550〜700℃、より好ましくは600〜700℃、さらに好ましくは640〜700℃とすることができる。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板をガラス基板のみに使用する場合、裏板ガラス等は特に制限されないが、本発明のガラス基板と平均膨張係数が近いほうが好ましい。裏板ガラスの組成の他の例は、ソーダライムガラス等が挙げられる。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、CdTe太陽電池用のガラス基板、また裏板ガラスとしても好適である。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板をガラス基板に適用する場合、ガラス基板の厚さは3mm以下とするのが好ましく、より好ましくは2mm以下、さらに好ましくは1.5mm以下である。また、ガラス基板にCdTe層を付与する方法は特に制限されない。CdTe層を形成する際の加熱温度を500〜700℃、好ましくは550〜700℃、より好ましくは600〜700℃、さらに好ましくは640〜700℃とすることができる。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板をガラス基板のみに使用する場合、裏板ガラス等は特に制限されないが、本発明のガラス基板と平均膨張係数が近いほうが好ましい。裏板ガラスの組成の他の例は、ソーダライムガラス等が挙げられる。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板を裏板ガラスとして使用する場合、裏板ガラスの厚さは3mm以下とするのが好ましく、より好ましくは2mm以下、さらに好ましくは1.5mm以下である。またCdTe層を有するガラス基板に裏板ガラスを組立てる方法は特に制限されない。加熱して組立てる場合、その加熱温度を500〜700℃、好ましくは600〜700℃とすることができる。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板を、CdTe太陽電池用のガラス基板および裏板ガラスに併用すると、50〜350℃における平均熱膨張係数が同等であるため太陽電池組立時の熱変形等が発生せず、また太陽電池設置後の温度変化による反りも少なくすることができて好ましい。
<本発明のCdTe太陽電池>
次に、本発明の太陽電池について説明する。
本発明の太陽電池は、ガラス基板と、裏板ガラスと、上記ガラス基板と上記裏板ガラスとの間に配置されるCdTeの光電変換層(CdTe層)とを有し、上記ガラス基板と上記裏板ガラスのうち少なくとも上記ガラス基板が本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板である。
もしくは、上記太陽電池の構成において、裏板ガラスの代わりに、耐水性、耐酸素透過性をもつバックフィルムを用いた太陽電池でもよい。
次に、本発明の太陽電池について説明する。
本発明の太陽電池は、ガラス基板と、裏板ガラスと、上記ガラス基板と上記裏板ガラスとの間に配置されるCdTeの光電変換層(CdTe層)とを有し、上記ガラス基板と上記裏板ガラスのうち少なくとも上記ガラス基板が本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板である。
もしくは、上記太陽電池の構成において、裏板ガラスの代わりに、耐水性、耐酸素透過性をもつバックフィルムを用いた太陽電池でもよい。
以下添付の図面を用いて本発明における太陽電池を詳細に説明する。なお本発明は添付の図面に限定されない。
図1は、本発明のCdTe太陽電池の実施形態の一例を模式的に表す断面図である。
図1において、本発明における太陽電池(CdTe太陽電池)1は、厚さ1〜3mmのガラス基板2、厚さ1〜3mmの裏板ガラス7、およびガラス基板2と裏板ガラス7との間に厚さ3〜15μmのCdTe層5を有する。ガラス基板2は上記で説明した本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板からなるのが好ましい。
図1は、本発明のCdTe太陽電池の実施形態の一例を模式的に表す断面図である。
図1において、本発明における太陽電池(CdTe太陽電池)1は、厚さ1〜3mmのガラス基板2、厚さ1〜3mmの裏板ガラス7、およびガラス基板2と裏板ガラス7との間に厚さ3〜15μmのCdTe層5を有する。ガラス基板2は上記で説明した本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板からなるのが好ましい。
太陽電池1は、ガラス基板2上に厚さ100〜1000nmの透明導電膜3を有する。透明導電膜3としては、例えばSnをドープしたIn2O3やFをドープしたIn2O3が挙げられる。透明導電膜3上には、厚さ50〜300nmのバッファ層4(例えば、CdS層)を有し、そのバッファ層4の上にCdTe層5を有する。さらにCdTe層5上には100〜1000nmの裏面電極6(例えばCuをドープしたカーボン電極やMo電極)を有し、裏面電極6上に裏板ガラス7を有する。裏面電極6と裏板ガラス7の間は、樹脂封止するか、接着用の樹脂で接着されることが好ましい。裏板ガラス7は本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板を用いてもよい。
本発明において、CdTe層の端部または太陽電池の端部は封止されていてもよい。封止するための材料としては、例えば本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板と同じ組成を有する材料、その他のガラス、樹脂が挙げられる。
なお、添付の図面に示す太陽電池の各層の厚さは図面に限定されない。
なお、添付の図面に示す太陽電池の各層の厚さは図面に限定されない。
以下、実施例および製造例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例および製造例に限定されない。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板の実施例(例1〜28)および比較例(例29〜34)を示す。なお表1〜6中のかっこ内に記された数値は、計算値である。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板の実施例(例1〜28)および比較例(例29〜34)を示す。なお表1〜6中のかっこ内に記された数値は、計算値である。
表1〜6で表示した組成になるように各成分の原料を調合し、該ガラス基板用成分の原料100質量部に対し、硫酸塩をSO3換算で0.1質量部原料に添加し、白金坩堝を用いて1600℃の温度で3時間加熱し溶解した。溶解にあたっては、白金スターラーを挿入し1時間攪拌しガラスの均質化を行った。次いで溶融ガラスを流し出し、板状に成形後冷却し、ガラス板を得た。
こうして得られたガラス板の50〜350℃における平均熱膨張係数(単位:×10−7/℃)、ガラス転移点温度Tg(単位:℃)、粘度が104dPa・sとなる温度(T4)(単位:℃)、粘度が102dPa・sとなる温度(T2)(単位:℃)、失透温度(TL)(単位:℃)、密度(単位:g/cm3)、脆さ指標値(単位:m−1/2)、ヤング率、平均透過率(単位:%)を測定し、表1〜3に示した。以下に各物性の測定方法を示す。
なお、実施例では、ガラス板について物性を測定しているが、各物性は、ガラス板とガラス基板とで同じ値である。得られたガラス板を加工、研磨を施すことで、ガラス基板とすることができる。
こうして得られたガラス板の50〜350℃における平均熱膨張係数(単位:×10−7/℃)、ガラス転移点温度Tg(単位:℃)、粘度が104dPa・sとなる温度(T4)(単位:℃)、粘度が102dPa・sとなる温度(T2)(単位:℃)、失透温度(TL)(単位:℃)、密度(単位:g/cm3)、脆さ指標値(単位:m−1/2)、ヤング率、平均透過率(単位:%)を測定し、表1〜3に示した。以下に各物性の測定方法を示す。
なお、実施例では、ガラス板について物性を測定しているが、各物性は、ガラス板とガラス基板とで同じ値である。得られたガラス板を加工、研磨を施すことで、ガラス基板とすることができる。
(1)Tg:Tgは示差熱膨張計(TMA)を用いて測定した値であり、JIS R3103−3(2001年度)により求めた。
(2)50〜350℃における平均熱膨張係数:TMAを用いて測定し、JIS R3102(1995年度)より求めた。
(3)粘度:回転粘度計を用いて測定し、粘度ηが102dPa・sとなるときの温度T2(溶解性の基準温度)と、粘度ηが104dPa・sとなるときの温度T4(成形性の基準温度)を測定した。
(2)50〜350℃における平均熱膨張係数:TMAを用いて測定し、JIS R3102(1995年度)より求めた。
(3)粘度:回転粘度計を用いて測定し、粘度ηが102dPa・sとなるときの温度T2(溶解性の基準温度)と、粘度ηが104dPa・sとなるときの温度T4(成形性の基準温度)を測定した。
(4)失透温度(TL):ガラス板から切り出したガラス塊5gを白金皿に置き、所定温度で17時間電気炉中で保持した。ガラス塊表面および内部に結晶が析出しない温度の最大値を失透温度とした。
(5)密度:泡を含まない約20gのガラス塊をアルキメデス法によって測定した。
(6)脆さ指標値:前述の各種ガラス板の表面に打ち込んだビッカース圧痕の寸法と式(1)を用いて、脆さ指標値Bを算出する。
(7)ヤング率:厚み7〜10mmのガラス板について、超音波パルス法により測定した。
(5)密度:泡を含まない約20gのガラス塊をアルキメデス法によって測定した。
(6)脆さ指標値:前述の各種ガラス板の表面に打ち込んだビッカース圧痕の寸法と式(1)を用いて、脆さ指標値Bを算出する。
(7)ヤング率:厚み7〜10mmのガラス板について、超音波パルス法により測定した。
(8)平均透過率Tave:大きさ3cm×3cm、厚み1〜2mmのガラス板の両面を酸化セリウムで鏡面研磨したサンプルを作製し、波長300〜2000nmの透過率を測定し、ガラス基板の厚みを2mmに換算した際の500〜800nmにおける平均透過率Tave(単位:%)を下記式(4)により算出した。Tは実測した500〜800nmにおける平均透過率、tはサンプルの厚みである。ただし、サンプルの反射率は8%と仮定している。
Tave=92(T/92)2/t (4)
Tave=92(T/92)2/t (4)
ガラス中のSO3残存量は100〜500ppmであった。
表1〜6より明らかなように、実施例(例1〜28)のガラス基板は、T4-TLが−30℃以上であり、ガラス転移点温度Tgが640℃以上と高く、50〜350℃における平均熱膨張係数が70×10-7〜90×10-7/℃であり、密度が2.7g/cm3以下と太陽電池用ガラス基板の特性をバランスよく有している。そのため、CdTe層がガラス基板から剥離することなく、さらに太陽電池を組立てる際(具体的にはガラス基板と裏板ガラスとをこれらの間に、CdTe層等の光電変換層が挟持されるように加熱してはりあわせる際)にもガラス基板が変形しにくい。
また、高いガラス転移点温度、所定の平均熱膨張係数、高いガラス強度、低いガラス密度、板ガラス生産時の失透防止を両立させることができる。また、T2が1650℃以下、T4が1230℃以下のため、板ガラス生産時の溶解性、成形性に優れる。
また、高いガラス転移点温度、所定の平均熱膨張係数、高いガラス強度、低いガラス密度、板ガラス生産時の失透防止を両立させることができる。また、T2が1650℃以下、T4が1230℃以下のため、板ガラス生産時の溶解性、成形性に優れる。
さらに、実施例(例1〜28)のガラス基板は、式(2)の値が0.4以上であることから、比較例(例32〜34)に対し、透過率も高い傾向にあり、CdTe太陽電池用途に適した低密度を実現している。
一方、表6が示すように、比較例(例29〜31)のガラス基板はT4−TLが−30℃より低く失透しやすいため、フロートでの成形が難しい。また比較例(例32〜34)はTgが低く、600℃以上での成膜時にガラス基板が変形しやすい。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、CdTeの太陽電池用のガラス基板、カバーガラスとして好適であるが、他の太陽電池用基板やカバーガラスに使用することもできる。
本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
本出願は、2011年9月30日出願の日本特許出願2011−216990に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
本出願は、2011年9月30日出願の日本特許出願2011−216990に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板は、高い透過率、高いガラス転移点温度、所定の平均熱膨張係数、高いガラス強度、低いガラス密度、板ガラス生産時の溶解性、成形性、失透防止の特性をバランスよく有することができ、本発明のCdTe太陽電池用ガラス基板を用いることで発電効率の高い太陽電池を提供できる。
1 太陽電池
2 ガラス基板
3 透明導電膜
4 バッファ層
5 CdTe層
6 裏面電極
7 裏板ガラス
2 ガラス基板
3 透明導電膜
4 バッファ層
5 CdTe層
6 裏面電極
7 裏板ガラス
Claims (5)
- SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO、ZrO2、Na2OおよびK2Oを母組成として含むCdTe太陽電池用ガラス基板であって、
下記酸化物基準のモル百分率表示で、
SiO2を60〜75%、
Al2O3を1〜7.5%、
B2O3を0〜1%、
MgOを8.5〜12.5%、
CaOを1〜6.5%、
SrOを0〜3%、
BaOを0〜3%、
ZrO2を0〜3%、
Na2Oを1〜8%、
K2Oを2〜12%含有し、
MgO+CaO+SrO+BaOが10〜24%、
Na2O+K2Oが5〜15%、
MgO/Al2O3が1.3以上、
(2Na2O+K2O+SrO+BaO)/(Al2O3+ZrO2)が3.3以下、
Na2O/K2Oが0.2〜2.0、
Al2O3≧−0.94MgO+11、
CaO≧−0.48MgO+6.5であり、
ガラス転移点温度が640℃以上、50〜350℃における平均熱膨張係数が70×10−7〜90×10−7/℃、粘度が104dPa・sとなる温度(T4)が1230℃以下、粘度が102dPa・sとなる温度(T2)が1650℃以下、前記T4と失透温度(TL)との関係がT4−TL≧−30℃、密度が2.7g/cm3以下であるCdTe太陽電池用ガラス基板。 - SiO2、Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO、ZrO2、Na2OおよびK2Oを母組成として含むCdTe太陽電池用ガラス基板であって、
下記酸化物基準のモル百分率表示で、
SiO2を62〜73%、
Al2O3を1.5〜7%、
B2O3を0〜1%、
MgOを9〜12.5%、
CaOを1.5〜6.5%、
SrOを0〜2.5%、
BaOを0〜2%、
ZrO2を0.5〜3%、
Na2Oを1〜7.5%、
K2Oを2〜10%含有し、
MgO+CaO+SrO+BaOが11〜22%、
Na2O+K2Oが6〜13%、
MgO/Al2O3が1.4以上、
(2Na2O+K2O+SrO+BaO)/(Al2O3+ZrO2)が0.5〜3、
Na2O/K2Oが0.4〜1.5、
Al2O3≧−0.94MgO+12、
CaO≧−0.48MgO+7であり、
ガラス転移点温度が645℃以上、50〜350℃における平均熱膨張係数が70×10−7〜85×10−7/℃、粘度が104dPa・sとなる温度(T4)が1220℃以下、粘度が102dPa・sとなる温度(T2)が1630℃以下、前記T4と失透温度(TL)との関係がT4−TL≧−20℃、密度が2.6g/cm3以下である請求項1に記載のCdTe太陽電池用ガラス基板。 - 前記母組成100質量部に対して鉄酸化物が、Fe2O3換算で0.06質量部以下含有されている請求項1または2に記載のCdTe太陽電池用ガラス基板。
- 前記母組成中のMgO、CaO、SrO、BaOが、酸化物基準のモル百分率表示で、MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO)が0.4以上、
である請求項1〜3のいずれか一項に記載のCdTe太陽電池用ガラス基板。 - ガラス基板と、裏板ガラスと、前記ガラス基板と前記裏板ガラスとの間に配置されるCdTeの光電変換層と、を有し、
前記ガラス基板と前記裏板ガラスのうち少なくとも前記ガラス基板が、請求項1〜4のいずれか一項に記載のCdTe太陽電池用ガラス基板である太陽電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013536178A JPWO2013047246A1 (ja) | 2011-09-30 | 2012-09-14 | CdTe太陽電池用ガラス基板およびそれを用いた太陽電池 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011216990 | 2011-09-30 | ||
JP2011216990 | 2011-09-30 | ||
JP2013536178A JPWO2013047246A1 (ja) | 2011-09-30 | 2012-09-14 | CdTe太陽電池用ガラス基板およびそれを用いた太陽電池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013047246A1 true JPWO2013047246A1 (ja) | 2015-03-26 |
Family
ID=47995279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013536178A Pending JPWO2013047246A1 (ja) | 2011-09-30 | 2012-09-14 | CdTe太陽電池用ガラス基板およびそれを用いた太陽電池 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140209169A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2013047246A1 (ja) |
WO (1) | WO2013047246A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6428344B2 (ja) * | 2015-02-13 | 2018-11-28 | Agc株式会社 | ガラス基板 |
GB201505091D0 (en) | 2015-03-26 | 2015-05-06 | Pilkington Group Ltd | Glass |
RU2609495C1 (ru) * | 2016-02-09 | 2017-02-02 | Юлия Алексеевна Щепочкина | Стекло |
JP6959566B2 (ja) * | 2017-04-17 | 2021-11-02 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス板 |
US11951713B2 (en) | 2020-12-10 | 2024-04-09 | Corning Incorporated | Glass with unique fracture behavior for vehicle windshield |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006206336A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Central Glass Co Ltd | ディスプレイ装置用基板ガラス |
JP5396859B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2014-01-22 | 旭硝子株式会社 | 情報記録媒体基板用ガラス |
CN102007079A (zh) * | 2008-04-21 | 2011-04-06 | 旭硝子株式会社 | 显示面板用玻璃板、其制造方法及tft面板的制造方法 |
DE102009050988B3 (de) * | 2009-05-12 | 2010-11-04 | Schott Ag | Dünnschichtsolarzelle |
JP5177087B2 (ja) * | 2009-07-09 | 2013-04-03 | 旭硝子株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法、磁気記録媒体 |
JP5761025B2 (ja) * | 2009-10-19 | 2015-08-12 | 旭硝子株式会社 | 基板用ガラス板、その製造方法およびtftパネルの製造方法 |
-
2012
- 2012-09-14 JP JP2013536178A patent/JPWO2013047246A1/ja active Pending
- 2012-09-14 WO PCT/JP2012/073685 patent/WO2013047246A1/ja active Application Filing
-
2014
- 2014-03-28 US US14/228,353 patent/US20140209169A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140209169A1 (en) | 2014-07-31 |
WO2013047246A1 (ja) | 2013-04-04 |
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