JPWO2013014761A1 - 光波測距装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記投光回路は、前記測定用および基準用レーザーダイオード同士並びに前記測定用および基準用デュアルゲートMOSFET同士を、それぞれ同種のものとし、それぞれの同士の温度が近い値となるよう互いに近傍に配置させるとともに、測定用および基準用レーザーダイオードのいずれか一方のモニタ電流により決定された同一の駆動電流を用いて、測定用デュアルゲートMOSFETにより測定用レーザーダイオードを、基準用デュアルゲートMOSFETにより基準用レーザーダイオードを、それぞれ駆動させるものであり、前記距離演算回路は、前記受光回路からの受光信号を二値化する際の二値化しきい値電圧を、反転ロジックゲートを負帰還接続して得られた電圧にて決定するしきい値電圧演算回路と、前記投光回路における投光素子の投光期間と非投光期間との間で、前記二値化しきい値電圧をシフトさせるしきい値電圧シフト回路とを有する二値化しきい値生成回路を備えている。
2:受光回路
3:距離演算回路
5:測定用/基準用切換回路
6:二値化しきい値生成回路
31:二値化生成回路
32:しきい値電圧演算回路
33:しきい値電圧シフト回路
34:遅延パルス生成回路
35:遅延パルス−アナログ電圧変換回路
LD1、LD2:レーザーダイオード
Q1、Q2:デュアルゲートMOSFET
M:測定対象物
Claims (4)
- 測定対象物に対して測定用投光信号を投光する投光素子である測定用レーザーダイオード、これを駆動する駆動素子である測定用デュアルゲートMOSFET、装置内部の光路を通って基準用投光信号を投光する投光素子である基準用レーザーダイオード、およびこれを駆動する駆動素子である基準用デュアルゲートMOSFET、を有する投光回路と、
前記投光回路から投光されて測定対象物に反射された後の測定用投光信号および前記基準用投光信号の両方を受光してそれぞれの受光信号を得る単一の受光回路と、
前記測定用投光信号を測定対象物に反射後に受光した受光信号における測定対象物との距離に応じた、当該測定用投光信号からの第1遅延時間と、前記基準用投光信号を受光した受光信号における当該基準用投光信号からの第2遅延時間とを、各受光信号を二値化したうえで求め、これらの遅延時間の差に基づいて測定対象物までの距離を演算する距離演算回路とを備えた光波測距装置であって、
前記投光回路は、前記測定用および基準用レーザーダイオード同士並びに前記測定用および基準用デュアルゲートMOSFET同士を、それぞれ同種のものとし、それぞれの同士の温度が近い値となるよう互いに近傍に配置させるとともに、測定用および基準用レーザーダイオードのいずれか一方のモニタ電流により決定された同一の駆動電流を用いて、測定用デュアルゲートMOSFETにより測定用レーザーダイオードを、基準用デュアルゲートMOSFETにより基準用レーザーダイオードを、それぞれ駆動させるものであり、
前記距離演算回路は、前記受光回路からの受光信号を二値化する際の二値化しきい値電圧を、反転ロジックゲートを負帰還接続して得られた電圧にて決定するしきい値電圧演算回路と、前記投光回路における投光素子の投光期間と非投光期間との間で、前記二値化しきい値電圧をシフトさせるしきい値電圧シフト回路とを有する二値化しきい値生成回路を備えている、光波測距装置。 - 請求項1において、
前記しきい値電圧シフト回路が、前記投光回路における投光素子の投光期間と非投光期間とで、前記しきい値電圧演算回路により得られた2つの二値化しきい値電圧を選択的に用いるものである、光波測距装置。 - 請求項1において、
前記距離演算回路は、前記測定用と基準用の二値化された受光信号の遅延パルスを積分することによりそれぞれ遅延時間に比例したアナログ電圧を生成する遅延パルス−アナログ電圧変換回路を備え、前記測定用の受光信号の生成されたアナログ電圧から前記基準用の受光信号の生成されたアナログ電圧を減算することで測定対象物までの距離を演算する、光波測距装置。 - 請求項3において、さらに、
前記遅延パルス−アナログ電圧変換回路は、前記投光された基準用投光信号について受光した受光信号のパルス数をカウントし、そのカウント数が当該投光された基準用投光信号のパルス数と同一である場合にのみ、基準用の受光信号を有効とする、光波測距装置。
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