JPWO2012165380A1 - 電子増倍部及びそれを含む光電子増倍管 - Google Patents
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- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 36
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 56
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 11
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 41
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 20
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/22—Dynodes consisting of electron-permeable material, e.g. foil, grid, tube, venetian blind
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- H—ELECTRICITY
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- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
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Abstract
Description
Claims (8)
- 所定の設置面上の第1方向に沿って前記設置面上に順次配置され、前記第1方向と平行な方向に沿って進行する電子をカスケード増倍する複数段のダイノードを備えた電子増倍部であって、
前記複数段のダイノードそれぞれは、前記設置面上で前記第1方向と直交する第2方向に沿って伸びた共通の台座部と、それぞれが前記設置面に垂直な第3方向に沿って伸び、それぞれが物理的に分離された外周面で規定される側壁形状を有し、かつ、それぞれが所定距離離間した状態で前記共通の台座部上に配置された複数の柱状部と、を備え、
前記複数段のダイノードそれぞれにおいて、前記複数の柱状部のうち少なくともいずれかの柱状部は、前記第3方向に直交する断面の面積又は外周長が、当該柱状部における外周面のいずれかの位置で最小になるよう加工された形状を有する電子増倍部。 - 前記複数段のダイノードそれぞれにおいて、前記複数の柱状部のうち少なくともいずれかの柱状部の外周面のうち単一の二次電子放出面が形成される領域の表面形状は、前記第1及び第3方向の双方を含む平面によって規定される断面において、当該柱状部の内部に向かって突出した1又はそれ以上の窪み形状を含む線分により規定されていることを特徴とする請求項1に記載の電子増倍部。
- 前記複数段のダイノードそれぞれにおいて、前記複数の柱状部のうち少なくともいずれかの柱状部は、前記第1及び第3方向の双方を含む平面によって規定される断面において、前記第1方向に沿った長さで規定される当該柱状部の幅が当該柱状部における外周面のいずれかの位置で最小になるよう加工された断面形状を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の電子増倍部。
- 前記複数段のダイノードそれぞれにおいて、前記複数の柱状部のうち少なくともいずれかの柱状部の外周面のうち単一の二次電子放出面が形成される領域の表面形状は、1又はそれ以上の曲面、1又はそれ以上の平面、又はこれらの組み合わせにより構成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に項記載の電子増倍部。
- 内部が減圧状態に維持された外囲器であって、少なくともその一部が、設置面を有する絶縁性材料からなる基板により構成された外囲器と、
前記外囲器の内部空間に収納された光電面であって、前記外囲器を介して取り込まれた光に応じて光電子を前記外囲器の内部に放出する光電面と、
前記外囲器の内部空間に収納された状態で前記設置面上に配置された、請求項1〜4のいずれか一項に記載の電子増倍部と、そして、
前記外囲器の内部空間に収納された状態で前記設置面上に配置された陽極であって、前記電子増倍部でカスケード増倍された電子のうち到達した電子を信号として取り出すための陽極とを備えた光電子増倍管。 - 隣接するダイノード間における互いに対面する領域の関係として、一方のダイノードにおける柱状部の外周面のうち単一の二次電子放出面が形成される領域と、他方のダイノードにおける柱状部の外周面のうち単一の二次電子放出面が形成される領域とは、前記第1及び第3方向の双方を含む平面によって規定される断面において互いに遠ざかる方向に窪んだ表面形状を有することを特徴とする請求項5に記載の光電子増倍管。
- 前記外囲器は、前記設置面を有する少なくとも一部が絶縁材料からなる下側フレームと、前記下側フレームに対向するよう配置された上側フレームであって前記下側フレームの設置面に対面する面を有する少なくとも一部が絶縁材料からなる上側フレームと、前記上側フレーム及び下側フレームの間に設けられ、前記電子増倍部及び前記陽極を取り囲む形状を有する側壁フレームとを備え、
前記電子増倍部と前記陽極は、互いに所定距離だけ離間した状態で前記設置面上に配置されていることを特徴とする請求項5又は6に記載の光電子増倍管。 - 前記設置面上に所定距離だけ離間した状態で配置された複数の窪み部であって、それぞれが、前記設置面上の第2方向に沿って伸びた複数の窪み部を備え、
前記複数段のダイノードそれぞれは、その台座部が前記複数の窪み部の間に位置するよう前記設置面上に配置されていることを特徴とする請求項5〜7のいずれか一項に記載の光電子増倍管。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161492857P | 2011-06-03 | 2011-06-03 | |
US61/492857 | 2011-06-03 | ||
PCT/JP2012/063645 WO2012165380A1 (ja) | 2011-06-03 | 2012-05-28 | 電子増倍部及びそれを含む光電子増倍管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5154717B2 JP5154717B2 (ja) | 2013-02-27 |
JPWO2012165380A1 true JPWO2012165380A1 (ja) | 2015-02-23 |
Family
ID=47259236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012547375A Active JP5154717B2 (ja) | 2011-06-03 | 2012-05-28 | 電子増倍部及びそれを含む光電子増倍管 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9293309B2 (ja) |
EP (1) | EP2557589B1 (ja) |
JP (1) | JP5154717B2 (ja) |
KR (1) | KR101357364B1 (ja) |
CN (1) | CN102918624B (ja) |
WO (1) | WO2012165380A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10026583B2 (en) * | 2016-06-03 | 2018-07-17 | Harris Corporation | Discrete dynode electron multiplier fabrication method |
US11848180B2 (en) * | 2018-03-23 | 2023-12-19 | Adaptas Solutions Pty Ltd | Particle detector having improved performance and service life |
EP4328633A1 (en) | 2022-08-23 | 2024-02-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Concentrating lens, photodetector with concentrating lens, concentrating lens unit technical field |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1434053A (en) | 1973-04-06 | 1976-04-28 | Mullard Ltd | Electron multipliers |
US4149106A (en) * | 1977-08-08 | 1979-04-10 | Rca Corporation | Electron multiplier output electron optics |
US4147929A (en) | 1977-08-31 | 1979-04-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Optical photoemissive detector and photomultiplier |
GB2080016A (en) * | 1980-07-09 | 1982-01-27 | Philips Electronic Associated | Channel plate electron multiplier |
GB2154053A (en) * | 1984-02-08 | 1985-08-29 | Philips Electronic Associated | High resolution channel multiplier dynodes |
NL8801657A (nl) * | 1988-06-30 | 1990-01-16 | Philips Nv | Elektronenbuis. |
US5264693A (en) | 1992-07-01 | 1993-11-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Microelectronic photomultiplier device with integrated circuitry |
JP3466712B2 (ja) * | 1994-06-28 | 2003-11-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子管 |
US5568013A (en) | 1994-07-29 | 1996-10-22 | Center For Advanced Fiberoptic Applications | Micro-fabricated electron multipliers |
JPH09131569A (ja) * | 1995-11-09 | 1997-05-20 | Daishinku Co | ボルト締めランジュバン型振動子用梱包具 |
JPH10116582A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マイクロ光電子増倍管アレイおよびマイクロ光電子増倍管アレイ用金属プレート |
JP4146529B2 (ja) * | 1997-06-11 | 2008-09-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍管 |
US5880458A (en) * | 1997-10-21 | 1999-03-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube with focusing electrode plate having frame |
JP4108905B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2008-06-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | ダイノードの製造方法及び構造 |
US6876802B2 (en) * | 2002-11-26 | 2005-04-05 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Microchannel plate having microchannels with deep funneled and/or step funneled openings and method of manufacturing same |
US7049747B1 (en) | 2003-06-26 | 2006-05-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Fully-integrated in-plane micro-photomultiplier |
GB2409927B (en) | 2004-01-09 | 2006-09-27 | Microsaic Systems Ltd | Micro-engineered electron multipliers |
JP4708118B2 (ja) * | 2005-08-10 | 2011-06-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
JP4819437B2 (ja) * | 2005-08-12 | 2011-11-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
US7659666B2 (en) * | 2006-10-16 | 2010-02-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier |
JP5290804B2 (ja) * | 2009-02-25 | 2013-09-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
JP5290805B2 (ja) | 2009-02-25 | 2013-09-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
JP5497331B2 (ja) * | 2009-05-01 | 2014-05-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
JP5518364B2 (ja) * | 2009-05-01 | 2014-06-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
JP5330083B2 (ja) * | 2009-05-12 | 2013-10-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
US8492694B2 (en) | 2010-10-14 | 2013-07-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube having a plurality of stages of dynodes with recessed surfaces |
US8354791B2 (en) | 2010-10-14 | 2013-01-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube |
US8587196B2 (en) | 2010-10-14 | 2013-11-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube |
-
2012
- 2012-05-28 CN CN201280001327XA patent/CN102918624B/zh active Active
- 2012-05-28 EP EP12780069.6A patent/EP2557589B1/en active Active
- 2012-05-28 KR KR1020127029093A patent/KR101357364B1/ko active IP Right Grant
- 2012-05-28 WO PCT/JP2012/063645 patent/WO2012165380A1/ja active Application Filing
- 2012-05-28 JP JP2012547375A patent/JP5154717B2/ja active Active
- 2012-05-31 US US13/484,663 patent/US9293309B2/en active Active
-
2016
- 2016-02-12 US US15/043,263 patent/US9589774B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012165380A1 (ja) | 2012-12-06 |
EP2557589A4 (en) | 2013-08-21 |
JP5154717B2 (ja) | 2013-02-27 |
US9293309B2 (en) | 2016-03-22 |
KR20130026437A (ko) | 2013-03-13 |
US20130033175A1 (en) | 2013-02-07 |
EP2557589B1 (en) | 2014-05-14 |
CN102918624A (zh) | 2013-02-06 |
CN102918624B (zh) | 2013-11-06 |
US9589774B2 (en) | 2017-03-07 |
US20160172169A1 (en) | 2016-06-16 |
KR101357364B1 (ko) | 2014-02-03 |
EP2557589A1 (en) | 2013-02-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20121120 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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