JPH10116582A - マイクロ光電子増倍管アレイおよびマイクロ光電子増倍管アレイ用金属プレート - Google Patents

マイクロ光電子増倍管アレイおよびマイクロ光電子増倍管アレイ用金属プレート

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JPH10116582A
JPH10116582A JP26847996A JP26847996A JPH10116582A JP H10116582 A JPH10116582 A JP H10116582A JP 26847996 A JP26847996 A JP 26847996A JP 26847996 A JP26847996 A JP 26847996A JP H10116582 A JPH10116582 A JP H10116582A
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JP
Japan
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micro
photomultiplier tube
array
tube array
positioning
Prior art date
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Pending
Application number
JP26847996A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiyuki Numazawa
稔之 沼澤
Jun Kawarabayashi
順 河原林
Eiji Takada
英治 高田
Masaharu Nakazawa
正治 中澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 より分解能が向上されたマイクロ光電子増倍
管アレイを提供する。 【解決手段】 複数の金属プレート100を積層してな
るマイクロ光電子増倍管アレイであって、金属プレート
100の各々は、同一方向に所定の角度の傾斜を有する
複数の断面が正方形のチャンネル用小孔11が形成さ
れ、チャンネル用小孔11の傾斜が互い違いとなり、か
つ、各チャンネル用小孔11の位置が小孔の1辺の長さ
に対して0〜50%の割合の所定のずれを持って一致す
るように積層されてなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ光電子
増倍管アレイに関するものであり、特に、微弱で、か
つ、S/N比の悪い放射線信号を、高位置分解能で、か
つ大出力電流で検出するためのマイクロ光電子増倍管ア
レイに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、マイクロ光電子増倍管アレイとし
ては、たとえば、特開昭60−208040号公報に開
示されるように、積層された金属板からなる積層マルチ
チャンネル構造を有するものがある。この従来例によれ
ば、積層された金属板には、同一方向に傾斜した格子状
空間が形成されている。
【0003】一方、実開昭62−55186号公報に
は、金属板を積層してなる荷電粒子検出器が開示されて
いる。この従来例によれば、各金属プレートには、傾斜
を持つ多数の小孔が形成され、これらは、各小孔の傾斜
が互い違いとなり、かつ、各小孔の位置が上下で一致す
るように積層されて構成されている。
【0004】このように、傾斜を互い違いとすることに
より、増倍電子の発散が抑制され、確実に各段のプレー
トで増倍されるようになる。さらに、最終プレートに到
達する各電子の時間差がなくなる。その結果、この従来
例による荷電粒子検出器は、増倍率が増加し、分解能に
優れている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の従来のマイクロ光電子増倍管アレイにおいては、その
分解能において、さらに改良の余地が残されていた。
【0006】この発明の目的は、より分解能が向上され
たマイクロ光電子増倍管アレイを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明によるマイクロ
光電子増倍管アレイは、複数の金属プレートを積層して
なるマイクロ光電子増倍管アレイであって、金属プレー
トの各々は、同一方向に所定の角度の傾斜を有する複数
の断面が正方形のチャンネル用小孔が形成され、チャン
ネル用小孔の傾斜が互い違いとなり、かつ、各チャンネ
ル用小孔の位置が小孔の1辺の長さに対して0〜50%
の割合の所定のずれを持って一致するように積層されて
構成されている。
【0008】この発明によるマイクロ光電子増倍管アレ
イは、金属プレートの積層構造であるため、高位置分解
能、かつ、大出力電流の検出器が実現できる。
【0009】また、この発明によるマイクロ光電子増倍
管アレイは、チャンネル用小孔の傾斜が互い違いとなる
ように各金属プレートが積層されているため、高い増倍
率が得られる。
【0010】さらに、本願発明者らは、実験により、よ
り増倍率を高めるためには、チャンネル用小孔の位置
が、所定のずれを持って一致するように金属プレートを
積層することが有効であることを見出した。そのため、
この発明によるマイクロ光電子増倍管アレイは、小孔の
1辺の長さに対して0〜50%の割合のずれを持って、
各金属プレートが積層されている。その結果、この発明
によるマイクロ光電子増倍管アレイは、より分解能が向
上し、たとえば、SR光の強力なX線成分を用いた蛋白
質の結晶回析や、医療用イメージング等への利用も可能
となる。
【0011】一方、チャンネル間でのクロストークの発
生を防止し、かつ、各チャンネル用小孔が前述した所定
のずれを持って一致するように、各金属プレートを積層
するためには、位置合わせが必要となる。
【0012】そこで、この発明によるマイクロ光電子増
倍管アレイ用金属プレートは、複数積層されてマイクロ
光電子増倍管アレイを構成する金属プレートであって、
プレート面に対して同一方向に所定の角度の傾斜を有す
る複数のチャンネル用小孔が形成された光電子増倍部
と、複数の位置合わせ用小孔が形成された位置合わせ部
とを備えている。
【0013】積層する際には、位置合わせ用小孔に、た
とえばピンまたはファイバを通すことにより、位置合わ
せを行なうことができる。
【0014】
【発明の実施の形態】図1は、この発明によるマイクロ
光電子増倍管アレイ用金属プレートの一例を示す平面図
である。
【0015】図1を参照して、この金属プレート100
は、光電子増倍部1と、その左右に位置する位置合わせ
部2X,2Yとからなる。
【0016】光電子増倍部1には、1辺が100μmの
断面が正方形形状のチャンネル用小孔11が、100個
×100個の合計10000個形成されている。
【0017】また、位置合わせ部2X,2Yにはそれぞ
れ、1辺が125μmの断面が正方形形状の7個の位置
合わせ用小孔21a〜21gが形成されている。この位
置合わせ用小孔21a〜21gは、各金属プレート10
0を積層する際に、所定のずれを持たせることができる
ように、10μmずつずらした位置に形成されている。
【0018】図2は、図1に示すII−II線断面図で
あり、図3は、図2に示すチャンネル用小孔11の1つ
を拡大して示す断面図である。
【0019】図2および図3を参照して、チャンネル用
小孔11は、金属プレート表面100aとのなす角度が
θの傾斜を有している。さらに、この実施例において
は、位置合わせ用小孔21a〜21gも、チャンネル用
小孔11と同一角度の傾斜を有している。
【0020】なお、この傾斜の角度θは、30°〜80
°が好ましく、より好ましくは、45°〜60°である
とよい。
【0021】このように構成される金属プレート100
を、図4に示すように、傾斜が互い違いとなるように積
層した。
【0022】積層する際には、所定のずれを持たせるた
め、適当な位置合わせ用ピンにファイバを通して留める
ことを行なった。具体的には、たとえば10μmずらせ
たいときは1段目の金属プレート100の位置合わせ部
2Yに形成された位置合わせ用小孔21dと、2段目の
位置合わせ部2Xに形成された位置合わせ用小孔21e
とをファイバを通して留めるようにするとよい。
【0023】同様に、たとえば20μmずらせたいとき
は、1段目の金属プレート100の位置合わせ部2Yに
形成された位置合わせ用小孔21dと、2段目の位置合
わせ部2Xに形成された位置合わせ用小孔21cとをフ
ァイバを通して留めるようにするとよい。
【0024】図5は、2枚の金属プレート100を積層
したもののチャンネル用小孔11部分を拡大して示す断
面図である。
【0025】図5を参照して、2枚の金属プレート10
0は、傾斜が互い違いとなり、かつ、チャンネル用小孔
11の位置が所定の長さLのずれを持って積層されてい
る。このずれの長さLは、チャンネル用小孔11の1辺
の長さWに対して、0〜50%であることが好ましい。
【0026】このようにして金属プレート100を16
段積層することにより、マイクロ光電子増倍管アレイを
作製した。
【0027】図6は、このようにして得られたマイクロ
光電子増倍管アレイの一例の電子増倍部を模式的に示す
斜視図である。
【0028】図6を参照して、このマイクロ光電子増倍
管アレイは、図1に示す金属プレート100を16段積
層して構成されたマイクロ光電子増倍管アレイであっ
て、同一の方向に同一角度の傾斜を有する複数のチャン
ネル用小孔11が形成された金属プレート100の各々
は、該傾斜が互い違いとなり、かつ、各チャンネル用小
孔11の位置が所定のずれを持って一致するように積層
されて構成されている。
【0029】
【実施例】Si基板上に厚さ1μmのTiをスパッタ
し、導電性基板を作製した。この導電性基板上でレジス
トを直接重合し、150μm厚のレジスト膜を形成し
た。この上に、ギャップ間隔をあけマスクを設置し、3
0°傾斜したステージ上に載せ、SR光を照射した。照
射後、現像しレジストパターンを形成し、パターン空隙
にニッケルめっきを施した。このようにして、傾斜チャ
ンネル構造を有した金属構造体が得られた。これを研磨
し、厚さ100μmにした後、チャンネル内壁に、一次
電子発生数の大きいBeOまたはMgOをコートした。
【0030】このようにして、図1に示すように、1辺
が100μmの断面が正方形形状のチャンネル用小孔1
1が形成された電子増倍部と、位置合わせ用小孔が形成
された位置合わせ部とを備える、電子増倍管アレイ用金
属プレートが得られた。
【0031】次に、このようにして得られた金属プレー
トを6段積層することにより、マイクロ光電子増倍管ア
レイを作製した。
【0032】積層する際には、チャンネル用小孔の傾斜
が互い違いとなり、かつ、各チャンネル用小孔の位置
が、0,10,20,30,40,50,60μmのそ
れぞれのずれを持って一致するようにした。
【0033】なお、位置合わせは、位置合わせ部に形成
された位置合わせ用小孔に、ファイバを通して留めるこ
とで行なった。また、各層間の電気絶縁は、高分子フィ
ルムで各層間のギャップを取ることで行なった。
【0034】このようにして得られた6種のマイクロ光
電子増倍管アレイについて、増倍率の測定を行なった。
その結果を図7に示す。図7において、横軸は段間電圧
(V)を示し、縦軸は増倍率を示している。
【0035】図7より明らかなように、ずれが40μm
のときに、増倍率が最大となることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明によるマイクロ光電子増倍管アレイ用
金属プレートの一例を示す平面図である。
【図2】図1に示す金属プレートのII−II線断面図
である。
【図3】図2に示すチャンネル用小孔の1つを拡大して
示す断面図である。
【図4】本発明により金属プレートを積層する方法を説
明するための斜視図である。
【図5】本発明による2枚の金属プレートを積層したも
ののチャンネル用小孔部分を拡大して示す断面図であ
る。
【図6】本発明によるマイクロ光電子増倍管アレイの一
例の電子増倍部を模式的に示す斜視図である。
【図7】段間電圧と増倍率との関係を示す図である。
【符号の説明】 1 電子増倍部 2X,2Y 位置合わせ部 11 チャンネル用小孔 21a〜21g 位置合わせ用小孔 100 マイクロ光電子増倍管アレイ用金属プレート

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の金属プレートを積層してなるマイ
    クロ光電子増倍管アレイであって、 前記金属プレートの各々は、 同一方向に所定の角度の傾斜を有する複数の断面が正方
    形のチャンネル用小孔が形成され、 前記チャンネル用小孔の前記傾斜が互い違いとなり、か
    つ、各チャンネル用小孔の位置が前記小孔の1辺の長さ
    に対して0〜50%の割合の所定のずれをもって一致す
    るように積層されてなる、マイクロ光電子増倍管アレ
    イ。
  2. 【請求項2】 複数積層されてマイクロ光電子増倍管ア
    レイを構成する金属プレートであって、 プレート面に対して同一方向に所定の角度の傾斜を有す
    る複数のチャンネル用小孔が形成された光電子増倍部
    と、 複数の位置合わせ用小孔が形成された位置合わせ部とを
    備える、マイクロ光電子増倍管アレイ用金属プレート。
JP26847996A 1996-10-09 1996-10-09 マイクロ光電子増倍管アレイおよびマイクロ光電子増倍管アレイ用金属プレート Pending JPH10116582A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998057353A1 (fr) * 1997-06-11 1998-12-17 Hamamatsu Photonics K.K. Multiplicateur d'electrons et photomultiplicateur
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