JPWO2012164753A1 - 強誘電体膜の製造方法、強誘電体膜及び圧電素子 - Google Patents

Abstract

強誘電体膜の膜厚が薄くてもヒステリシス曲線が太くて高い圧電特性を得ることを課題とする。本発明の一態様は、Ｎｉ１−ａＷａ膜上にＰＺＴ材料膜を塗布し、酸素雰囲気で熱処理を行うことにより、前記Ｎｉ１−ａＷａ膜中の金属元素をＰＺＴ材料膜に熱拡散させ、且つＰＺＴ材料膜を結晶化することで、ＰＺＴ結晶化膜を形成することを特徴とする強誘電体膜２の製造方法である。ただし、ａは、下記式（１）を満たすものである。１≧ａ＞０ ・・・（１）

Description

本発明は、強誘電体膜の製造方法、強誘電体膜及び圧電素子に関する。

従来の強誘電体膜としてＰｂ（Ｚｒ_５２Ｔｉ_４８）Ｏ_３膜があり、このＰｂ（Ｚｒ_５２Ｔｉ_４８）Ｏ_３膜は、圧電素子に使用した場合に信頼性が高いため、圧電素子に使用されることが多い。しかし、このＰｂ（Ｚｒ_５２Ｔｉ_４８）Ｏ_３膜のヒステリシス曲線は細いため、十分な圧電特性が得られなかった。
一方、高い圧電特性を得る方法として、Ｐｂ（Ｚｒ_５２Ｔｉ_４８）Ｏ_３膜の膜厚を厚くすることが考えられる。膜厚が厚くなれば、厚さに比例してヒステリシス曲線を太くすることができるからである。しかし、Ｐｂ（Ｚｒ_５２Ｔｉ_４８）Ｏ_３膜の膜厚を厚くすると、強誘電体膜を動作させる際に厚さに比例して電圧を高くしなければならないため、膜厚を厚くするのにも限界がある。また、膜厚を厚くすると膜中の応力が大きくなるため、膜剥離や膜破壊が起きやすくなる。
そこで、強誘電体膜の膜厚が薄くてもヒステリシス曲線が太くて高い圧電特性が得られる強誘電体膜が求められている。
また、強誘電体膜としてＰＺＴＮ（登録商標）膜を使用することを考えた場合、強誘電体膜として使用できる程度にＰＺＴＮ（登録商標）膜を厚膜化する必要がある。ＰＺＴＮ（登録商標）膜を成膜する方法としては粘度の低い溶液でＰＺＴＮ（登録商標）を合成するのが一般的であるが、厚膜化するには粘度の高い溶液を用いる必要がある。しかし、溶液の粘度を高くすると、ＮｂＯ_Ｘが生成されやすくなり、添加材としてのＮｂがＰＺＴに入りにくくなる。従って、従来は、ＰＺＴＮ（登録商標）膜を厚膜化することができなかったため、薄い膜で使用可能なＦｅＲＡＭに専用的に用いられている。

特開２００５−２０９７２２号公報

本発明の一態様は、強誘電体膜の膜厚が薄くてもヒステリシス曲線が太くて高い圧電特性を得ることを課題とする。

本発明の一態様は、ＮｉとＷを含む合金膜上にＰＺＴ材料膜を塗布し、
酸素雰囲気で熱処理を行うことにより、前記合金膜中の金属元素をＰＺＴ材料膜に熱拡散させ、且つＰＺＴ材料膜を結晶化することで、ＰＺＴ結晶化膜を形成することを特徴とする強誘電体膜の製造方法である。
また、本発明の一態様において、前記合金膜はＮｉ_１−ａＷ_ａ膜であり、ａは、下記式（１）を満たすことが好ましく、より好ましくは下記式（１’）を満たすことである。
１≧ａ＞０ ・・・（１）
０．９５≧ａ＞０．５ ・・・（１’）
また、本発明の一態様において、前記ＰＺＴ材料膜を塗布する前に、前記Ｎｉ_１−ａＷ_ａ膜を電極膜上に形成するとよい。
また、本発明の一態様において、前記電極膜は、Ｐｔ膜またはＩｒ膜であるとよい。
また、本発明の一態様において、前記熱処理は、３５０〜１４００℃の温度範囲で行うことが好ましく、より好ましくは４５０〜９００℃の温度範囲、さらに好ましくは６００〜９００℃の温度範囲である。
また、本発明の一態様において、前記熱処理は、０．０９９３〜０．９８３０７ＭＰａの圧力範囲（１〜９．９気圧の圧力範囲）で行うことが好ましい。
また、本発明の一態様において、前記熱処理は、１〜６０分間の範囲で行うことが好ましく、より好ましくは１〜４５分間の範囲である。
本発明の一態様は、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＷを含む材料が酸化された酸化膜を有することを特徴とする強誘電体膜である。
本発明の一態様は、（Ｐｂ_１−ａ，Ｎｉ_ａ）（Ｚｒ_ｂ，Ｔｉ_ｃ，Ｗ_ｄ）Ｏ_３を有することを特徴とする強誘電体膜である。
ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄは、下記式（２）〜（４）を満たすものである。
０．０３≦ａ≦０．１５ ・・・（２）
ｂ＋ｃ＝１ ・・・（３）
０．０１≦ｄ≦０．０５ ・・・（４）
本発明の一態様は、電極と、
前記電極上に形成された前述した強誘電体膜と、
を具備することを特徴とする強誘電体素子、又は圧電素子、又は焦電素子、又は高誘電体デバイス、又は高周波デバイスである。
また、本発明の一態様において、前記電極は、Ｐｔ電極、Ｉｒ電極及びＮｉ_１−ａＷ_ａ電極のいずれか一であるとよい。
ただし、ａは、下記式（１）を満たすことが好ましく、より好ましくは下記式（１’）を満たすことである。
１≧ａ＞０ ・・・（１）
０．９５≧ａ＞０．５ ・・・（１’）
また、本発明の一態様において、前記電極は、Ｐｔ膜またはＩｒ膜と、前記Ｐｔ膜またはＩｒ膜の上に形成されたＮｉ_１−ａＷ_ａ膜とを有するとよい。
ただし、ａは、下記式（１）を満たすことが好ましく、より好ましくは下記式（１’）を満たすことである。
１≧ａ＞０ ・・・（１）
好ましくは０．９５≧ａ＞０．５ ・・・（１’）

本発明の一態様によれば、強誘電体膜の膜厚が薄くてもヒステリシス曲線が太くて高い圧電特性を得ることができる。

図１は、本発明の一態様に係る圧電素子を模式的に示す断面図である。
図２は、本発明の一態様に係る圧電素子を模式的に示す断面図である。
図３（Ａ）は、Ｎｉ_０．８Ｗ_０．２膜の膜厚が５０ｎｍのサンプルの評価結果、図３（Ｂ）は、Ｎｉ_０．８Ｗ_０．２膜の膜厚が１００ｎｍのサンプルの評価結果である。
図４は、図３（Ａ）で用いたサンプルの断面を示すＳＥＭ断面写真である。
図５（Ａ）は比較例のサンプルの断面を示すＳＥＭ断面写真、図５（Ｂ）は図５（Ａ）に示すサンプルの強誘電体膜のヒステリシス評価を行った結果を示す図である。

以下では、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図１は、本発明の一態様に係る圧電素子を模式的に示す断面図である。
この圧電素子は第１の電極１を有しており、この第１の電極１の上には強誘電体膜２が形成されている。この強誘電体膜２の上には第２の電極３が形成されている。
強誘電体膜２は、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＷを含む材料が酸化された酸化膜を有するものであり、詳細には、（Ｐｂ_１−ａ，Ｎｉ_ａ）（Ｚｒ_ｂ，Ｔｉ_ｃ，Ｗ_ｄ）Ｏ_３を有するものである。ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄは、下記式（２）〜（４）を満たすものである。
０．０３≦ａ≦０．１５ ・・・（２）
ｂ＋ｃ＝１ ・・・（３）
０．０１≦ｄ≦０．０５ ・・・（４）
第１の電極１及び第２の電極３それぞれは、例えばＰｔ電極、Ｉｒ電極またはＮｉ_１−ａＷ_ａ電極のいずれかを用いても良く、ａは、下記式（１）を満たすことが好ましく、より好ましくは下記式（１’）を満たすことである。
１≧ａ＞０ ・・・（１）
０．９５≧ａ＞０．５ ・・・（１’）
図２は、本発明の一態様に係る圧電素子を模式的に示す断面図であり、図１と同一部分には同一符号を付す。
第１の電極１は、Ｐｔ膜４またはＩｒ膜と、Ｐｔ膜４またはＩｒ膜の上に形成されたＮｉ_１−ａＷ_ａ膜５とを有する積層膜により形成されており、第２の電極３は、Ｎｉ_１−ａＷ_ａ膜６と、Ｎｉ_１−ａＷ_ａ膜６の上に形成されたＰｔ膜７またはＩｒ膜とを有する積層膜により形成されている。ただし、ａは、上記式（１）を満たすことが好ましく、より好ましくは上記式（１’）を満たすことである。
次に、図１に示す圧電素子の製造方法について説明する。
まず、基板（図示せず）の上にＰｔ膜またはＩｒ膜からなる第１の電極１をスパッタリングにより形成する。次いで、第１の電極１の上にＮｉ_１−ａＷ_ａ膜をスパッタリングにより形成し、このＮｉ_１−ａＷ_ａ膜上にＰＺＴ材料膜を塗布する。このＰＺＴ材料膜の塗布は公知の技術を用いる。なお、ａは、前述した範囲と同様である。
この後、ＰＺＴ材料膜及びＮｉ_１−ａＷ_ａ膜に酸素雰囲気で熱処理を行うことにより、Ｎｉ_１−ａＷ_ａ膜中の金属元素をＰＺＴ材料膜に熱拡散させ、且つＰＺＴ材料膜を結晶化することで、第１の電極１上にＰＺＴ結晶化膜である強誘電体膜２が形成される。この際の熱処理条件は、３５０〜１４００℃の温度範囲（好ましくは４５０〜９００℃の温度範囲、より好ましくは６００〜９００℃の温度範囲）、０．０９９３〜０．９８３０７ＭＰａの圧力範囲（１〜９．９気圧の圧力範囲に相当）、１〜６０分間の範囲（好ましくは１〜４５分間の範囲）で行うことが好ましい。
次いで、強誘電体膜２上にＰｔ膜またはＩｒ膜からなる第２の電極３をスパッタリングにより形成する。
図１の圧電素子の製造方法によれば、Ｎｉ_１−ａＷ_ａ膜中の金属元素をＰＺＴ材料膜に熱拡散させ、且つＰＺＴ材料膜を結晶化しているため、膜厚が薄くてもヒステリシス曲線が太くて高い圧電特性が得られる強誘電体膜２を形成することができる。
なお、図１の圧電素子の製造方法では、Ｐｔ膜またはＩｒ膜からなる第１の電極１の上にＮｉ_１−ａＷ_ａ膜をスパッタリングにより形成しているが、Ｎｉ_１−ａＷ_ａ膜中の金属元素をＰＺＴ材料膜に熱拡散させた後にもＮｉ_１−ａＷ_ａ膜が残る程度にＮｉ_１−ａＷ_ａ膜の膜厚を厚く形成し、熱拡散後に残されたＮｉ_１−ａＷ_ａ膜を第１の電極として用いてもよく、この場合は、Ｐｔ膜またはＩｒ膜からなる第１電極を形成しなくてもよい。
次に、図２に示す圧電素子の製造方法について説明する。
まず、基板（図示せず）の上にＰｔ膜４またはＩｒ膜をスパッタリングにより形成し、このＰｔ膜４またはＩｒ膜の上にＮｉ_１−ａＷ_ａ膜５をスパッタリングにより形成する。Ｐｔ膜４またはＩｒ膜、及びＮｉ_１−ａＷ_ａ膜５は第１の電極１を構成する。次いで、Ｎｉ_１−ａＷ_ａ膜５上にＰＺＴ材料膜を塗布する。このＰＺＴ材料膜の塗布は公知の技術を用いる。なお、ａは、前述した範囲と同様である。
次いで、ＰＺＴ材料膜上にＮｉ_１−ａＷ_ａ膜６をスパッタリングにより形成する。なお、ａは、前述した範囲と同様である。次いで、Ｎｉ_１−ａＷ_ａ膜５、ＰＺＴ材料膜及びＮｉ_１−ａＷ_ａ膜６に酸素雰囲気で熱処理を行うことにより、Ｎｉ_１−ａＷ_ａ膜５，６中の金属元素をＰＺＴ材料膜に熱拡散させ、且つＰＺＴ材料膜を結晶化することで、第１の電極１上にＰＺＴ結晶化膜である強誘電体膜２が形成される。この際の熱処理条件の温度、圧力及び時間の範囲は、図１の圧電素子の製造方法の場合と同様である。ただし、Ｎｉ_１−ａＷ_ａ膜５，６の膜厚は、Ｎｉ_１−ａＷ_ａ膜５，６中の金属元素をＰＺＴ材料膜に熱拡散させた後にもＮｉ_１−ａＷ_ａ膜が残る程度とする。
この後、Ｎｉ_１−ａＷ_ａ膜６上にＰｔ膜７またはＩｒ膜をスパッタリングにより形成する。Ｎｉ_１−ａＷ_ａ膜６及びＰｔ膜７またはＩｒ膜は第２の電極３を構成する。
図２の圧電素子の製造方法においても、図１の圧電素子の製造方法と同様の効果を得ることができる。
なお、図２の圧電素子の製造方法では、Ｐｔ膜４またはＩｒ膜、及びＮｉ_１−ａＷ_ａ膜５によって第１の電極１を構成し、Ｎｉ_１−ａＷ_ａ膜６及びＰｔ膜７またはＩｒ膜によって第２の電極３を構成しているが、Ｐｔ膜４またはＩｒ膜及びＰｔ膜７またはＩｒ膜を形成せずに、Ｎｉ_１−ａＷ_ａ膜５によって第１の電極１を構成し、Ｎｉ_１−ａＷ_ａ膜６によって第２の電極３を構成しても良い。
また、本実施の形態では、本発明の一態様として強誘電体膜及び圧電素子について説明しているが、焦電素子、又は高誘電体デバイス、又は高周波デバイスに本発明の一態様を適用することも可能である。

６インチＳｉウエハ上に酸化シリコン膜を介して１０〜３０ｎｍのＴｉ膜をスパッタ法により成膜する。詳細には、ＲＦスパッタリング方法により、形成した。Ｔｉ膜は白金と酸化シリコンの密着層の役割をしている。Ｔｉ膜の成膜条件はアルゴンガス圧０．２Ｐａ、０．１２ｋＷの電源出力で２０分の成膜時間で形成した。基板温度は２００℃で行った。
次に、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）によりＴｉ膜に６５０℃の温度で５分間の熱処理を施す。酸素雰囲気で９．９ａｔｍ、１００℃／ｓｅｃで行った。
次に、Ｔｉ膜上に１００ｎｍの第１のＰｔ膜をスパッタ法により５５０〜６５０℃の温度で成膜する。アルゴンガス圧０．４Ｐａ、ＤＣパワー１００Ｗの電源出力で２５分の成膜時間で形成した。
次に、第１のＰｔ膜上に１００ｎｍの第２のＰｔ膜を蒸着法により常温で成膜する。
３．３×１０^−３Ｔｏｒｒ、１０ｋＶの電源出力で４分の成膜時間で形成した。
次に、ＲＴＡによりＳｉウエハに６５０〜７５０℃の温度で１〜５分間の熱処理を施す。このようにして表面に（１１１）配向させたＰｔ膜を形成した６インチＳｉウエハを用意する。
次に、Ｐｔ膜上にＮｉ_０．８Ｗ_０．２膜をスパッタリングにより形成する。Ｎｉ_０．８Ｗ_０．２膜の膜厚を、５ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍに変えたサンプルを作製した。
次に、各々のサンプルのＮｉ_０．８Ｗ_０．２膜上にゾルゲル溶液をスピンコート法により塗布することにより、このＮｉ_０．８Ｗ_０．２膜上に１層目の塗布膜が形成される。詳細には、５００μＬのゾルゲル溶液を塗布し、０〜５００ｒｐｍまで３ｓｅｃで上昇させ、５００ｒｐｍで３ｓｅｃ保持した後、２５００ｒｐｍで６０ｓｅｃ回転後、停止させた。なお、本発明の一態様が有効な強誘電体材料として確認出来たのは、ＰＺＴを初めとするＡＢＯ_３、ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９を初めとする（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−（式中、ＡはＬｉ^＋、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｐｂ^２＋、Ｃａ^２＋、Ｓｒ^２＋、Ｂａ^２＋、Ｂｉ^３＋、Ｌａ^３＋からなる群から選択される１種又は２種以上のイオン、ＢはＦｅ^３＋、Ｔｉ^４＋、Ｚｒ^４＋、Ｎｂ^５＋、Ｔａ^５＋、Ｗ^６＋及びＭｏ^６＋から成る群から選択される１種又は２種以上のイオン、ｍは１以上の自然数である。）で表されるペロブスカイト構造強誘電体又はビスマス層状構造強誘電体を形成するためのゾルゲル溶液であり、且つ溶質濃度が５〜３０重量％からなる。好ましくは、１５〜２５重量％であることを特徴とする。
次に、ホットプレートにより１層目の塗布膜を１７５℃の温度で１分間加熱し、その後、４５０℃の温度で５分間仮焼成する。これにより、Ｓｉウエハ上に膜厚１００ｎｍの１層目のＰＺＴ材料アモルファス膜が形成される。
次いで、１層目の塗布膜と同様の方法で、１層目のＰＺＴ材料膜上に２層目の塗布膜を形成する。次いで、１層目の塗布膜と同様の方法で、２層目の塗布膜を加熱し、仮焼成する。これにより、１層目のＰＺＴ材料膜上に膜厚１００ｎｍの２層目のＰＺＴ材料膜が形成される。
次いで、１層目の塗布膜と同様の方法で、２層目のＰＺＴ材料膜上に３層目の塗布膜を形成する。次いで、１層目の塗布膜と同様の方法で、３層目の塗布膜を加熱し、仮焼成する。これにより、２層目のＰＺＴ材料膜上に膜厚１００ｎｍの３層目のＰＺＴ材料膜が形成される。
次いで、１層目の塗布膜と同様の方法で、３層目のＰＺＴ材料膜上に４層目の塗布膜を形成する。次いで、１層目の塗布膜と同様の方法で、４層目の塗布膜を加熱し、仮焼成する。これにより、３層目のＰＺＴ材料膜上に膜厚１００ｎｍの４層目のＰＺＴ材料膜が形成される。
次いで、１層目の塗布膜と同様の方法で、４層目のＰＺＴ材料膜上に５層目の塗布膜を形成する。次いで、１層目の塗布膜と同様の方法で、５層目の塗布膜を加熱し、仮焼成する。これにより、４層目のＰＺＴ材料膜上に膜厚１００ｎｍの５層目のＰＺＴ材料膜が形成される。
次いで、１層目の塗布膜と同様の方法で、５層目のＰＺＴ材料膜上に６層目の塗布膜を形成する。次いで、１層目の塗布膜と同様の方法で、６層目の塗布膜を加熱し、仮焼成する。これにより、５層目のＰＺＴ材料膜上に膜厚１００ｎｍの６層目のＰＺＴ材料膜が形成される。
次いで、１層目の塗布膜と同様の方法で、６層目のＰＺＴ材料膜上に７層目の塗布膜を形成する。次いで、１層目の塗布膜と同様の方法で、７層目の塗布膜を加熱し、仮焼成する。これにより、６層目のＰＺＴ材料膜上に膜厚１００ｎｍの７層目のＰＺＴ材料膜が形成される。このようにして７層からなる膜厚７００ｎｍのＰＺＴ材料膜を成膜することができる。
次に、加圧ＲＴＡによりＰＺＴ材料膜に熱処理を施すことにより、ＰＺＴ材料膜を結晶化してＰＺＴ結晶化膜からなる強誘電体膜を形成する。この際の熱処理条件は、酸素分圧９．９ａｔｍで加圧された酸素雰囲気中で、昇温速度１２０℃／ｓｅｃで、温度が７００℃まで瞬時に昇温し、１ｍｉｎ保持することにより結晶化を行ったのである。
本実施例によれば、Ｎｉ_０．８Ｗ_０．２膜の膜厚が５ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍと厚くなるのに比例してヒステリシス曲線を太くすることができ、より高い圧電特性を得られることが確認できた（図３及び図４参照）。
図３は、実施例によるサンプルの強誘電体膜のヒステリシス評価を行った結果（縦軸：残留分極，横軸：印加電圧）を示す図であり、（Ａ）は、Ｎｉ_０．８Ｗ_０．２膜の膜厚が５０ｎｍのサンプルの評価結果であり、（Ｂ）は、Ｎｉ_０．８Ｗ_０．２膜の膜厚が１００ｎｍのサンプルの評価結果である。
図４は、図３（Ａ）で用いたサンプルの断面を示すＳＥＭ断面写真である。
図５（Ａ）は、比較例のサンプルの断面を示すＳＥＭ断面写真であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示すサンプルの強誘電体膜のヒステリシス評価を行った結果（縦軸：残留分極，横軸：印加電圧）を示す図である。
比較例のサンプルは、強誘電体膜の膜厚が１．４μｍであること、Ｎｉ_０．８Ｗ_０．２膜が無いことを除いて、実施例と同様の方法で作製されたものである。
図３（Ａ），（Ｂ）に示すヒステリシス曲線は、図５（Ｂ）に示すヒステリシス曲線に比べて太い。詳細には、ヒステリシス曲線の太さは横軸方向の幅によって示され、図３（Ａ）のヒステリシス曲線では２５Ｖであり、図３（Ｂ）のヒステリシス曲線では５０Ｖであり、図５（Ｂ）のヒステリシス曲線では８Ｖである。
ヒステリシス曲線の太さは、強誘電体膜の膜厚が厚くなれば厚さに比例して太くなるため、ヒステリシス曲線の太さを比較するには強誘電体膜の膜厚を考慮しなければならない。図３（Ａ），（Ｂ）に示すサンプルの強誘電体膜の膜厚は０．７μｍであるのに対し、図５（Ｂ）に示すサンプルの強誘電体膜の膜厚は１．４μｍである。そこで、図５（Ｂ）に示すサンプルの強誘電体膜の膜厚が０．７μｍであった場合は、図５（Ｂ）のヒステリシス曲線の太さは４Ｖになる。従って、本実施例のサンプルでは、比較例に比べてヒステリシス曲線の太さを飛躍的に太くすることができたことが確認された。従って、Ｎｉ_０．８Ｗ_０．２膜中の金属元素をＰＺＴ材料膜に熱拡散させ、且つＰＺＴ材料膜を結晶化することにより、膜厚が薄くてもヒステリシス曲線が太くて高い圧電特性が得られる強誘電体膜を実現できることが確認された。
また、図３（Ａ）のサンプルではＮｉ_０．８Ｗ_０．２膜の膜厚が５０ｎｍであること、図３（Ｂ）のサンプルでは、Ｎｉ_０．８Ｗ_０．２膜の膜厚が１００ｎｍであること、図３（Ａ）のヒステリシス曲線の太さが２５Ｖであること、図３（Ｂ）のヒステリシス曲線の太さが５０Ｖであることから、膜厚を厚くするとそれに比例してヒステリシス曲線の太さを太くできるという結果が得られた。
また、図４に示すように、Ｎｉ_０．８Ｗ_０．２膜中の金属元素がＰＺＴ材料膜に熱拡散され、ＰＺＴ結晶化膜に金属元素の拡散層が形成されることが確認された。

Claims (12)

1. ＮｉとＷを含む合金膜上にＰＺＴ材料膜を塗布し、
   酸素雰囲気で熱処理を行うことにより、前記合金膜中の金属元素をＰＺＴ材料膜に熱拡散させ、且つＰＺＴ材料膜を結晶化することで、ＰＺＴ結晶化膜を形成することを特徴とする強誘電体膜の製造方法。
2. 請求項１において、
   前記合金膜はＮｉ_１−ａＷ_ａ膜であり、ａは、下記式（１）を満たすことを特徴とする強誘電体膜の製造方法。
   １≧ａ＞０ ・・・（１）
3. 請求項２において、
   前記ＰＺＴ材料膜を塗布する前に、前記Ｎｉ_１−ａＷ_ａ膜を電極膜上に形成することを特徴とする強誘電体膜の製造方法。
4. 請求項３において、
   前記電極膜は、Ｐｔ膜またはＩｒ膜であることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記熱処理は、３５０〜１４００℃の温度範囲で行うことを特徴とする強誘電体膜の製造方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記熱処理は、０．０９９３〜０．９８３０７ＭＰａの圧力範囲で行うことを特徴とする強誘電体膜の製造方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
   前記熱処理は、１〜６０分間の範囲で行うことを特徴とする強誘電体膜の製造方法。
8. Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｉ及びＷを含む材料が酸化された酸化膜を有することを特徴とする強誘電体膜。
9. （Ｐｂ_１−ａ，Ｎｉ_ａ）（Ｚｒ_ｂ，Ｔｉ_ｃ，Ｗ_ｄ）Ｏ_３を有することを特徴とする強誘電体膜。
   ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄは、下記式（２）〜（４）を満たすものである。
   ０．０３≦ａ≦０．１５ ・・・（２）
   ｂ＋ｃ＝１ ・・・（３）
   ０．０１≦ｄ≦０．０５ ・・・（４）
10. 電極と、
    前記電極上に形成された請求項８または９に記載の強誘電体膜と、
    を具備することを特徴とする圧電素子。
11. 請求項１０において、
    前記電極は、Ｐｔ電極、Ｉｒ電極及びＮｉ_１−ａＷ_ａ電極のいずれか一であることを特徴とする圧電素子。
    ただし、ａは、下記式（１）を満たすものである。
    １≧ａ＞０ ・・・（１）
12. 請求項１０において、
    前記電極は、Ｐｔ膜またはＩｒ膜と、前記Ｐｔ膜またはＩｒ膜の上に形成されたＮｉ_１−ａＷ_ａ膜とを有することを特徴とする圧電素子。
    ただし、ａは、下記式（１）を満たすものである。
    １≧ａ＞０ ・・・（１）