JPWO2012056806A1 - 発電装置、熱発電方法および太陽光発電方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(太陽光発電装置)
以下、本発明の発電装置の原理について説明する。まず、発電装置が、太陽光発電装置である場合の原理について説明する。
(1)式において、P(total)は全入力エネルギー、P(conduction)は基材の支持体等、基材の接触体を経て損失されるエネルギー、P(radiation)は基材が加熱された温度で外部空間に光を放射して損失するエネルギーである。
つぎに、本発明の熱発電装置の原理について説明する。上述の太陽光発電装置は、太陽光により熱光変換素子の赤外放射材料を加熱し、赤外光を放射させる構成であるが、熱発電装置は、赤外放射材料に直接熱を受け渡し、赤外光を放射させる。
以下、実施形態1として、本発明の熱発電装置を図4、図5等を用いて説明する。図4は、熱発電装置50の断面図、図5は斜視図である。図6は、熱発電装置50を熱源51に固定した状態を示す斜視図である。
実施形態2として、本発明の太陽光発電装置の構成を図13を用いて説明する。
実施形態3として、図15の太陽光発電装置について説明する。
実施形態1の熱発電装置および実施形態2,3の太陽光発電装置の熱発電素子2に用いる赤外放射材料層21の具体例について以下説明する。
酸化物もしくは窒化物である誘電体中に、金属もしくは半導体の微粒子を含有した薄膜(いわゆるサーメット膜)を赤外放射材料層21として用いることができる。サーメット膜を構成する誘電体としては、MgO(融点3100K)が、金属としては、W(3700K)、Mo(2900K)、Re(3500K)が、高融点であるため好ましい。
表面に微細な凹凸構造を有するグラファイト化合物基板を赤外放射材料層21として用いることができる。グラファイト化合物の融点は4000Kを越えるので、高温加熱においても劣化しにくい安定な赤外放射材料層21を得ることができる。
赤外放射材料層21としては、所定の階段状の反射特性を有する層であればよく、上記した例1〜3の材料層に限定されるものではない。例えば、以下の(a)〜(d)に示す材料を用いることも可能である。
(b)アルミを陽極酸化することにより得た、表面に多孔質ナノ構造を有する酸化アルミナ。孔径、孔深さ等を制御することにより反射率を制御することができる。(例えば、A.Anderson、et al.J.Appl.Phys.51、754(1980).参照)
(c)CrとCr2O3のサーメット膜の上に、反射防止膜としてCr2O3を積層した構造(例えば、J.C.C.Fan and S.A.Spura、Appl.Phys.ett.30、511(1977).)
(d)Wの表面にマイクロキャビティ構造を作製し反射率を制御した構造(例えば、F.Kusunoki et al.、Jpn.J.Appl.Phys.43、8A、5253(2004).)
(e)金属基材上に、窒化膜and/or酸化膜を形成して反射率を制御した構造(例えば、C.E.Kennedy、NREL/TP-520-31267)
実施形態1の熱発電装置および実施形態2,3の太陽光発電装置の熱光変換素子2に用いる赤外放射材料層21の具体例について以下説明する。
Claims (26)
- 熱を赤外光に変換する熱光変換素子と、前記赤外光を電気エネルギーに変換する半導体発電セルとを有し、
熱光変換素子は、所定の赤外波長よりも長波長側の反射率が短波長側の反射率よりも高い材料を含み、該材料が加熱されることにより前記赤外光を放射することを特徴とする発電装置。 - 請求項1に記載の発電装置において、前記赤外光の波長は、前記材料の放射率の長波長側カットオフ波長以下であることを特徴とする発電装置。
- 請求項2に記載の発電装置において、放射される前記材料の放射率の長波長側カットオフ波長は、その放射時の当該材料の温度における理想的な黒体放射の短波長側のカットオフ波長よりも長波長側に位置することを特徴とする発電装置。
- 請求項3に記載の発電装置において、前記赤外光の波長帯域は、前記黒体放射の短波長側のカットオフ波長以上、前記材料の放射率の長波長側カットオフ波長以下であることを特徴とする発電装置。
- 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の発電装置において、前記熱光変換素子の前記材料の放射する前記赤外光のピーク波長は、その放射時の前記材料の温度における理想的な黒体放射のピーク波長よりも短波長であることを特徴とする発電装置。
- 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の発電装置において、前記熱光変換素子と前記半導体発電セルは、空間を挟んで対向配置され、前記空間は、所定の真空度に減圧されていることを特徴とする発電装置。
- 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の発電装置において、前記熱光変換素子は、前記熱を当該熱光変換素子に受け渡す基板上に固定されていることを特徴とする発電装置。
- 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の発電装置において、前記熱光変換素子を加熱するために、太陽光を前記熱光変換素子に向かって集光する集光光学系をさらに有することを特徴とする発電装置。
- 請求項1ないし6、および、8のいずれか1項に記載の発電装置において、前記所定の赤外波長は、太陽光の長波長側端部であることを特徴とする発電装置。
- 請求項1項に記載の発電装置において、前記所定の赤外波長は、1μm以上5μm以下であることを特徴とする発電装置。
- 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の発電装置において、前記材料は、金属酸化物の積層体であることを特徴とする発電装置。
- 請求項1ないし10のいずれか1項に記載に発電装置において、前記材料の上に反射防止膜を積層したことを特徴とする発電装置。
- 請求項12に記載の発電装置において、前記反射防止膜として、酸化錫層を含む膜が配置されていることを特徴とする発電装置。
- 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の発電装置において、前記材料は、サーメット膜であることを特徴とする発電装置。
- 請求項14に記載の発電装置において、前記赤外光放射材料は、酸化マグネシウムの中に、タングステン微粒子が分散したサーメット膜を含むことを特徴とする発電装置。
- 請求項14または15に記載に発電装置において、前記材料の上には、反射防止膜として、MgF2を含む低屈折率材料の膜が配置されていることを特徴とする発電装置。
- 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の発電装置において、前記赤外光放射材料は、表面に凹凸構造を備えたグラファイト化合物であることを特徴とする発電装置。
- 請求項17に記載の発電装置において、前記グラファイト化合物の凹凸構造は、周期的なマイクロメートルオーダーの凹凸構造と、周期的なナノメートルオーダーの凹凸構造とを含むことを特徴とする発電装置。
- 請求項6に記載の発電装置において、前記熱光変換素子と前記半導体発電セルの外周部を密閉する容器を備えることを特徴とする発電装置。
- 請求項7に記載の発電装置において、前記熱光変換素子は、真空容器内に配置され、
前記真空容器には、前記集光光学系から光を透過するための窓が備えられていることを特徴とする発電装置。 - 請求項20に記載の発電装置において、前記窓は、真空内壁側に、太陽光を透過し、前記熱光変換素子から発生した前記赤外光を反射する光学的フィルターが備えられていることを特徴とする発電装置。
- 請求項20に記載の発電装置において、前記真空容器は、回転楕円体であり、前記熱光変換素子および前記半導体発電セルは、前記回転楕円体の2つの焦点位置にそれぞれ配置され、
前記熱光変換素子は、基材と、当該基材の両面に配置された前記材料の層とを含む構成であることを特徴とする発電装置。 - 請求項20に記載の発電装置において、前記真空容器は、球体であり、前記熱光変換素子および前記半導体発電セルは、前記球体の直径方向に沿って、壁面から直径の1/4、4/4の位置にそれぞれ配置され、
前記熱光変換素子は、基材と、当該基材の片面に配置された前記材料の層とを含む構成であることを特徴とする発電装置。 - 熱源の熱を、所定の赤外波長に反射率のカットオフ波長を有する材料に伝導し、
前記材料から放射された赤外光を半導体発電セルを用いて電気エネルギーに変換することを特徴とする熱発電方法。 - 太陽光を、所定の赤外波長に反射率のカットオフ波長を有する材料に集光し、
前記材料から放射された赤外光を半導体発電セルを用いて電気エネルギーに変換することを特徴とする太陽光発電方法。 - 請求項25に記載の太陽光発電方法において、前記所定の赤外波長は、太陽光の長波長側端部であることを特徴とする太陽光発電方法。
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