JP2007081341A - 処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】広範囲のラジカルフラックスを容易に制御することができる処理装置を提供する。
【解決手段】第１の処理室１０１ａは、ラジカル生成手段１０８が設けられ、ラジカルをラジカル発生領域１１１にて発生する室、第２の処理室１０１ｂは第１の処理室１０１ａに連通路１２０を介して連通され、連通路１２０をラジカルが通過して導入され、被処理基体１０２を収容しラジカル処理する室である。ガス導入手段１０５から第１の処理室１０１ａに導入され、連通路１２０を通過して第２の処理室１０１ｂに導入された処理用ガスは支持手段１０３表面近傍を通過する。ラジカルの運動エネルギー制御手段１０９はラジカルが導入される連通路１２０に設けられる
【選択図】図１
【解決手段】第１の処理室１０１ａは、ラジカル生成手段１０８が設けられ、ラジカルをラジカル発生領域１１１にて発生する室、第２の処理室１０１ｂは第１の処理室１０１ａに連通路１２０を介して連通され、連通路１２０をラジカルが通過して導入され、被処理基体１０２を収容しラジカル処理する室である。ガス導入手段１０５から第１の処理室１０１ａに導入され、連通路１２０を通過して第２の処理室１０１ｂに導入された処理用ガスは支持手段１０３表面近傍を通過する。ラジカルの運動エネルギー制御手段１０９はラジカルが導入される連通路１２０に設けられる
【選択図】図１
Description
本発明は、半導体素子のゲート絶縁膜形成するために好適な処理装置に関する。
従来、半導体素子製造工程において、ラジカルを処理に用いたものが知られており、例えばエッチング、アッシング、成膜処理等幅広いプロセスにおいて利用されている。
また、近年では半導体素子の微細化の要求に応えるべく極薄のゲート絶縁膜形成や表面改質にラジカル処理が用いられるようになっている。
このような極薄膜形成、表面改質プロセスにおいては、形成する膜厚や改質度合いを制御するため被処理基体へ入射させるラジカルフラックスを精密に制御する必要がある。
ここで、被処理基体への入射フラックスを制御する従来のプラズマ励起処理装置を図６を参照して説明する。
この従来のプラズマ励起処理装置は、処理室６０１、被処理基体６０２、ラジカル発生領域６１１との距離が可変な被処理基体６０２を支持する被処理基体支持体６０３とを有する。
さらに、被処理基体６０２の温度調整手段６０４、処理室６０１の排気を行う排気手段６０６を有する。
この排気手段６０６には、コンダクタンスバルブ６１５が接続され、このコンダクタンスバルブ６１５には排気用ポンプ６１６が接続される。さらに、コンダクタンスバルブ６１５は制御装置６１７に接続される。
さらに、プラズマ処理用ガスのガス導入手段６０５、電力を処理室６０１に導入する電力導入手段６０８、表面に複数の貫通孔を有する平板状のフラックス制御手段６０９を有する。
また、近年では半導体素子の微細化の要求に応えるべく極薄のゲート絶縁膜形成や表面改質にラジカル処理が用いられるようになっている。
このような極薄膜形成、表面改質プロセスにおいては、形成する膜厚や改質度合いを制御するため被処理基体へ入射させるラジカルフラックスを精密に制御する必要がある。
ここで、被処理基体への入射フラックスを制御する従来のプラズマ励起処理装置を図６を参照して説明する。
この従来のプラズマ励起処理装置は、処理室６０１、被処理基体６０２、ラジカル発生領域６１１との距離が可変な被処理基体６０２を支持する被処理基体支持体６０３とを有する。
さらに、被処理基体６０２の温度調整手段６０４、処理室６０１の排気を行う排気手段６０６を有する。
この排気手段６０６には、コンダクタンスバルブ６１５が接続され、このコンダクタンスバルブ６１５には排気用ポンプ６１６が接続される。さらに、コンダクタンスバルブ６１５は制御装置６１７に接続される。
さらに、プラズマ処理用ガスのガス導入手段６０５、電力を処理室６０１に導入する電力導入手段６０８、表面に複数の貫通孔を有する平板状のフラックス制御手段６０９を有する。
被処理基体６０２のプラズマ処理は、まず排気手段６０６により処理室６０１内を真空状態に排気する。
続いて処理用ガスを処理室６０１の下部に設けられたガス導入手段６０５を介して所定の流量で導入する。
次に排気手段６０６に設けられたコンダクタンスバルブ６１５を調整し、処理室６０１内を所定の圧力に保持する。
電力導入手段６０８を介し所望の電力を処理室６０１に導入し、プラズマを発生させる。
導入された処理用ガスは、発生したプラズマにより励起・イオン化・反応してラジカル発生領域６１１にてラジカルが生成され、被処理基体支持体６０３上に載置された被処理基体６０２の表面を処理する。
このとき被処理基体６０２へのラジカルフラックスは以下の方法により制御することができる。即ち、
（ａ）ラジカル発生領域６１１と被処理基体６０２との物理的な距離を被処理基体支持台６０３により変化させる。
それにより、ラジカル発生領域６１１から被処理基体６０２に導入される間に生じるラジカルの失活に基づいてフラックスを制御する。
（ｂ）ラジカル発生領域６１１と被処理基体６０２を有する処理室６０１との間に設置されたラジカルの通過を制御する。
例えば複数の貫通孔を有する板状のコンダクタンス制御手段６０９のコンダクタンスを変化させることでラジカルフラックスを制御する。
（ｃ）ラジカル生成のための電力導入手段６０８への投入電力を変化させることで、生成されるラジカル密度を変化させフラックスを制御する。
（ｄ）処理室６０１内の圧力を変化させることにより、処理室６０１内のラジカル密度を変化させフラックスを制御する。
しかし、上記のラジカルフラックス制御方法においてはいくつかの弊害がある。
例えば（ａ）の方法では、広範囲のラジカルフラックスを制御しようとした場合、ラジカル発生領域６１１との距離を十分とる必要があり、装置の大型化を招く。
また（ｂ）の方法ではフラックス制御の為にはその都度コンダクタンスの異なる制御板への交換が必要となる。
また（ｃ）、（ｄ）の方法ではプラズマの生成条件と、ラジカルのフラックスを独立に制御することができない。
さらに上記（ａ）〜（ｄ）全ての方法において被処理基体表面の数分子層程度の処理を行うような極低フラックスに制御することが非常に困難であるという問題点を有していた。
また、マイクロ波プラズマにより励起したラジカルの被処理基体への微小入射フラックスを精密制御するプラズマ処理装置及び方法が、例えば、特開２００５−１４２２３４号公報（特許文献１）で提案されている。
特開２００５−１４２２３４号公報
続いて処理用ガスを処理室６０１の下部に設けられたガス導入手段６０５を介して所定の流量で導入する。
次に排気手段６０６に設けられたコンダクタンスバルブ６１５を調整し、処理室６０１内を所定の圧力に保持する。
電力導入手段６０８を介し所望の電力を処理室６０１に導入し、プラズマを発生させる。
導入された処理用ガスは、発生したプラズマにより励起・イオン化・反応してラジカル発生領域６１１にてラジカルが生成され、被処理基体支持体６０３上に載置された被処理基体６０２の表面を処理する。
このとき被処理基体６０２へのラジカルフラックスは以下の方法により制御することができる。即ち、
（ａ）ラジカル発生領域６１１と被処理基体６０２との物理的な距離を被処理基体支持台６０３により変化させる。
それにより、ラジカル発生領域６１１から被処理基体６０２に導入される間に生じるラジカルの失活に基づいてフラックスを制御する。
（ｂ）ラジカル発生領域６１１と被処理基体６０２を有する処理室６０１との間に設置されたラジカルの通過を制御する。
例えば複数の貫通孔を有する板状のコンダクタンス制御手段６０９のコンダクタンスを変化させることでラジカルフラックスを制御する。
（ｃ）ラジカル生成のための電力導入手段６０８への投入電力を変化させることで、生成されるラジカル密度を変化させフラックスを制御する。
（ｄ）処理室６０１内の圧力を変化させることにより、処理室６０１内のラジカル密度を変化させフラックスを制御する。
しかし、上記のラジカルフラックス制御方法においてはいくつかの弊害がある。
例えば（ａ）の方法では、広範囲のラジカルフラックスを制御しようとした場合、ラジカル発生領域６１１との距離を十分とる必要があり、装置の大型化を招く。
また（ｂ）の方法ではフラックス制御の為にはその都度コンダクタンスの異なる制御板への交換が必要となる。
また（ｃ）、（ｄ）の方法ではプラズマの生成条件と、ラジカルのフラックスを独立に制御することができない。
さらに上記（ａ）〜（ｄ）全ての方法において被処理基体表面の数分子層程度の処理を行うような極低フラックスに制御することが非常に困難であるという問題点を有していた。
また、マイクロ波プラズマにより励起したラジカルの被処理基体への微小入射フラックスを精密制御するプラズマ処理装置及び方法が、例えば、特開２００５−１４２２３４号公報（特許文献１）で提案されている。
そこで、本発明は、広範囲のラジカルフラックスを容易に制御することができる処理装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために本発明に係る処理装置は、ラジカルを生成するラジカル生成手段と、
前記ラジカル生成手段が設けられ、前記ラジカルをラジカル発生領域にて発生する第１の処理室と、
前記第１の処理室に連通路を介して連通され、前記連通路を前記ラジカルが通過して導入され、被処理基体を収容しラジカル処理する第２の処理室と、
前記第２の処理室内で前記被処理基体を支持する支持手段と、
前記第１の処理室に処理用ガスを導入するガス導入手段と、
前記第２の処理室から前記処理用ガスの排気を行う排気手段と、を有する処理装置において、
前記連通路に前記ラジカルの運動エネルギーを制御する手段を有することを特徴とする。
さらに、本発明に係る処理装置は、前記ラジカルの運動エネルギーを制御する手段は、前記連通路の壁面を加熱或いは冷却保持する温調手段であることを特徴とする。
さらに、本発明に係る処理装置は、前記ラジカルの運動エネルギーを制御する手段は、前記処理用ガスを直接に加熱可能な赤外光を放射することを特徴とする。
さらに、本発明に係る処理装置は、前記赤外光は、前記温調手段により加熱保持された前記連通路の前記壁面からの放射光であって、前記壁面の材質が赤外放射率の高いグラファイトから成ることを特徴とする。
さらに、本発明に係る処理装置は、前記グラファイト素材から成り赤外放射を行う前記壁面の表面を、赤外放射が透過する石英で覆ったことを特徴とする。
さらに、本発明に係る処理装置は、前記赤外光は、赤外ランプからの放射光であることを特徴とする。
さらに、本発明に係る処理装置は、前記ラジカル生成手段は紫外光励起源であることを特徴とする。
さらに、本発明に係る処理装置は、前記ラジカル生成手段は高周波プラズマ励起源であることを特徴とする。
前記ラジカル生成手段が設けられ、前記ラジカルをラジカル発生領域にて発生する第１の処理室と、
前記第１の処理室に連通路を介して連通され、前記連通路を前記ラジカルが通過して導入され、被処理基体を収容しラジカル処理する第２の処理室と、
前記第２の処理室内で前記被処理基体を支持する支持手段と、
前記第１の処理室に処理用ガスを導入するガス導入手段と、
前記第２の処理室から前記処理用ガスの排気を行う排気手段と、を有する処理装置において、
前記連通路に前記ラジカルの運動エネルギーを制御する手段を有することを特徴とする。
さらに、本発明に係る処理装置は、前記ラジカルの運動エネルギーを制御する手段は、前記連通路の壁面を加熱或いは冷却保持する温調手段であることを特徴とする。
さらに、本発明に係る処理装置は、前記ラジカルの運動エネルギーを制御する手段は、前記処理用ガスを直接に加熱可能な赤外光を放射することを特徴とする。
さらに、本発明に係る処理装置は、前記赤外光は、前記温調手段により加熱保持された前記連通路の前記壁面からの放射光であって、前記壁面の材質が赤外放射率の高いグラファイトから成ることを特徴とする。
さらに、本発明に係る処理装置は、前記グラファイト素材から成り赤外放射を行う前記壁面の表面を、赤外放射が透過する石英で覆ったことを特徴とする。
さらに、本発明に係る処理装置は、前記赤外光は、赤外ランプからの放射光であることを特徴とする。
さらに、本発明に係る処理装置は、前記ラジカル生成手段は紫外光励起源であることを特徴とする。
さらに、本発明に係る処理装置は、前記ラジカル生成手段は高周波プラズマ励起源であることを特徴とする。
本発明に係る処理装置によれば、ラジカル生成手段が設けられ、ラジカルをラジカル発生領域にて発生する第１の処理室と、前記第１の処理室に連通路を介して連通され、前記連通路を前記ラジカルが通過して導入され、被処理基体を収容しラジカル処理する第２の処理室と、を有する。
さらに、前記連通路に前記ラジカルの運動エネルギーを制御する手段を有するため、ラジカルのフラックスを制御する効果が得られ、広範囲のラジカルフラックスを制御することが可能となる。
さらに、前記連通路に前記ラジカルの運動エネルギーを制御する手段を有するため、ラジカルのフラックスを制御する効果が得られ、広範囲のラジカルフラックスを制御することが可能となる。
以下、本発明を、その実施例に基づいて、図面を参照して説明する。
図１を参照して本発明の実施例１の処理装置につい説明する。
ラジカル生成手段１０８は、ラジカルを生成する手段である。
第１の処理室１０１ａは、ラジカル生成手段１０８が設けられ、ラジカルをラジカル発生領域１１１にて発生する室である。
さらに、第２の処理室１０１ｂは第１の処理室１０１ａに連通路１２０を介して連通され、連通路１２０をラジカルが通過して導入され、被処理基体１０２を収容しラジカル処理する室である。
支持手段１０３は第２の処理室１０１ｂ内で被処理基体１０２を載置して支持する手段である。
温度調整手段１０４は、支持手段１０３上に載置された被処理基体１０２の温度を調整する手段である。
ガス導入手段１０５は、第１の処理室１０１ａに処理用ガスを導入する手段である。
ガス導入手段１０５から第１の処理室１０１ａに導入され、連通路１２０を通過して第２の処理室１０１ｂに導入された処理用ガスは支持手段１０３表面近傍を通過する。
さらに、ガス排気手段１０６は処理用ガスが第２の処理室１０１ｂの下部から排気されるように設けられる。
このガス排気手段１０６には、コンダクタンスバルブ１１５が接続される。
このコンダクタンスバルブ１１５には排気用ポンプ１１６が接続される。
さらに、コンダクタンスバルブ１１５は制御装置１１７に接続される。
ラジカルの運動エネルギー制御手段１０９はラジカルが導入される連通路１２０の壁面に設けられる
ラジカル生成手段１０８は、ラジカルを生成する手段である。
第１の処理室１０１ａは、ラジカル生成手段１０８が設けられ、ラジカルをラジカル発生領域１１１にて発生する室である。
さらに、第２の処理室１０１ｂは第１の処理室１０１ａに連通路１２０を介して連通され、連通路１２０をラジカルが通過して導入され、被処理基体１０２を収容しラジカル処理する室である。
支持手段１０３は第２の処理室１０１ｂ内で被処理基体１０２を載置して支持する手段である。
温度調整手段１０４は、支持手段１０３上に載置された被処理基体１０２の温度を調整する手段である。
ガス導入手段１０５は、第１の処理室１０１ａに処理用ガスを導入する手段である。
ガス導入手段１０５から第１の処理室１０１ａに導入され、連通路１２０を通過して第２の処理室１０１ｂに導入された処理用ガスは支持手段１０３表面近傍を通過する。
さらに、ガス排気手段１０６は処理用ガスが第２の処理室１０１ｂの下部から排気されるように設けられる。
このガス排気手段１０６には、コンダクタンスバルブ１１５が接続される。
このコンダクタンスバルブ１１５には排気用ポンプ１１６が接続される。
さらに、コンダクタンスバルブ１１５は制御装置１１７に接続される。
ラジカルの運動エネルギー制御手段１０９はラジカルが導入される連通路１２０の壁面に設けられる
ラジカル処理は以下のようにして行う。
まず、制御装置１１７によりコンダクタンスバルブ１１５を制御し、排気手段１０６、排気用ポンプ１１６を介して第１の処理室１０１ａ、第２の処理室１０１ｂ内を真空状態に排気する。
続いて処理用ガスを第１の処理室１０１ａの周辺に設けられたガス導入手段１０５を介して所定の流量で第１の処理室１０１ａ、第２の処理室１０１ｂ内に導入する。
次に排気手段１０６に接続されたコンダクタンスバルブ１１５を調整し、第１の処理室１０１ａ、第２の処理室１０１ｂ内を所定の圧力に保持する。
次にラジカル発生手段１０８に所望の電力投入し、第１の処理室１０１ａに導入した処理用ガスを解離・励起してラジカル発生領域１１１にてラジカルを発生させる。
このとき発生したラジカルは導入ガスと共に連通路１２０を通過して、被処理基体１０２が収容される第２の処理室１０１ｂへと拡散によって導入される。
この導入中、連通路１２０の壁面に設けられたラジカルの運動エネルギーを制御する手段１０９により、ラジカルの運動エネルギーは制御される。
その結果、活性なラジカル同士の再結合等により失活する反応速度が変化し、第２の処理室１０１ｂ内にまで到達するラジカルのフラックスを制御することが可能となる。
ラジカルの運動エネルギーを制御する手段１０９としては、ラジカルを導入中の連通路１２０の壁面を加熱或いは冷却保持する温調手段が適用可能である。
例えば、加熱の場合、壁内部にセラミックヒーター等を埋設したものや、外部からの高周波加熱等のいかなる加熱手段を用いることが可能である。
処理用ガスにＨ２Ｏ、ＣＯ２、ＣＯ、ＮＯ、ＮＨ３等の赤外活性気体が少なくとも一種類以上含まれる場合には赤外光によって処理用ガスを加熱することによっても同様の効果を得ることが可能である。
例えば、壁面を赤外放射率の高いグラファイト等で構成し、壁面を加熱することにより赤外光を放射させて加熱する方法や、赤外光を発光可能な赤外ランプを配設し、その発光により加熱する方法等が可能である。
また、ＭＯＳ−ＦＥＴのゲート酸化／窒化等の処理中の汚染が問題になる場合には、赤外放射を透過する石英製のライナーで壁面を覆うのが好ましい。
また壁面を冷却する場合、外部冷凍機により室温或いは室温以下に冷却された純水や冷媒を壁内部に循環させ所定の温度に保持するのが好ましい。
本実施例１の処理装置に用いられるラジカル発生手段１０８は高周波プラズマ励起、紫外光励起のいずれの励起手段を用いることが可能であり、それらを併用することも可能である。
高周波プラズマ励起としてはＣＣＰ、ＩＣＰ、ヘリコン、ＥＣＲ、マイクロ波、表面波、表面波干渉型プラズマ源等のいかなるプラズマ励起手段について適用可能である。
また紫外光励起手段としては所望のラジカル状態に励起可能なエネルギーを有する光が放射可能なものであればいずれの光源も適用可能であり、例えば、キセノンショートアークランプ、キセノンフラッシュランプが用いられる。
さらに、ショートアーク型超高圧水銀ランプ、キャピラリーランプ、ロングアークランプ、低圧水銀ランプ、Ｄｅｅｐ ＵＶランプ、メタルハライドランプ、エキシマランプ、窒素レーザー、エキシマレーザ等の光源が用いられる。
エキシマランプを用いた場合Ｆ2、Ｃｌ2、Ｂｒ2、Ｉ2、ＡｒＢｒ、ＫｒＢｒ，ＸｅＢｒ、ＡｒＣｌ、ＫｒＣｌ、ＸｅＣｌ、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＦ、ＸｅＩ等封止ガスによって発光中心波長が異なる。
それらの中から所望のラジカルの生成に最も適した波長の光を効率よく発光させることができるものを選ぶのが好ましい。
まず、制御装置１１７によりコンダクタンスバルブ１１５を制御し、排気手段１０６、排気用ポンプ１１６を介して第１の処理室１０１ａ、第２の処理室１０１ｂ内を真空状態に排気する。
続いて処理用ガスを第１の処理室１０１ａの周辺に設けられたガス導入手段１０５を介して所定の流量で第１の処理室１０１ａ、第２の処理室１０１ｂ内に導入する。
次に排気手段１０６に接続されたコンダクタンスバルブ１１５を調整し、第１の処理室１０１ａ、第２の処理室１０１ｂ内を所定の圧力に保持する。
次にラジカル発生手段１０８に所望の電力投入し、第１の処理室１０１ａに導入した処理用ガスを解離・励起してラジカル発生領域１１１にてラジカルを発生させる。
このとき発生したラジカルは導入ガスと共に連通路１２０を通過して、被処理基体１０２が収容される第２の処理室１０１ｂへと拡散によって導入される。
この導入中、連通路１２０の壁面に設けられたラジカルの運動エネルギーを制御する手段１０９により、ラジカルの運動エネルギーは制御される。
その結果、活性なラジカル同士の再結合等により失活する反応速度が変化し、第２の処理室１０１ｂ内にまで到達するラジカルのフラックスを制御することが可能となる。
ラジカルの運動エネルギーを制御する手段１０９としては、ラジカルを導入中の連通路１２０の壁面を加熱或いは冷却保持する温調手段が適用可能である。
例えば、加熱の場合、壁内部にセラミックヒーター等を埋設したものや、外部からの高周波加熱等のいかなる加熱手段を用いることが可能である。
処理用ガスにＨ２Ｏ、ＣＯ２、ＣＯ、ＮＯ、ＮＨ３等の赤外活性気体が少なくとも一種類以上含まれる場合には赤外光によって処理用ガスを加熱することによっても同様の効果を得ることが可能である。
例えば、壁面を赤外放射率の高いグラファイト等で構成し、壁面を加熱することにより赤外光を放射させて加熱する方法や、赤外光を発光可能な赤外ランプを配設し、その発光により加熱する方法等が可能である。
また、ＭＯＳ−ＦＥＴのゲート酸化／窒化等の処理中の汚染が問題になる場合には、赤外放射を透過する石英製のライナーで壁面を覆うのが好ましい。
また壁面を冷却する場合、外部冷凍機により室温或いは室温以下に冷却された純水や冷媒を壁内部に循環させ所定の温度に保持するのが好ましい。
本実施例１の処理装置に用いられるラジカル発生手段１０８は高周波プラズマ励起、紫外光励起のいずれの励起手段を用いることが可能であり、それらを併用することも可能である。
高周波プラズマ励起としてはＣＣＰ、ＩＣＰ、ヘリコン、ＥＣＲ、マイクロ波、表面波、表面波干渉型プラズマ源等のいかなるプラズマ励起手段について適用可能である。
また紫外光励起手段としては所望のラジカル状態に励起可能なエネルギーを有する光が放射可能なものであればいずれの光源も適用可能であり、例えば、キセノンショートアークランプ、キセノンフラッシュランプが用いられる。
さらに、ショートアーク型超高圧水銀ランプ、キャピラリーランプ、ロングアークランプ、低圧水銀ランプ、Ｄｅｅｐ ＵＶランプ、メタルハライドランプ、エキシマランプ、窒素レーザー、エキシマレーザ等の光源が用いられる。
エキシマランプを用いた場合Ｆ2、Ｃｌ2、Ｂｒ2、Ｉ2、ＡｒＢｒ、ＫｒＢｒ，ＸｅＢｒ、ＡｒＣｌ、ＫｒＣｌ、ＸｅＣｌ、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＦ、ＸｅＩ等封止ガスによって発光中心波長が異なる。
それらの中から所望のラジカルの生成に最も適した波長の光を効率よく発光させることができるものを選ぶのが好ましい。
本実施例１を用いたラジカル処理方法により処理する被処理基体１０２は、半導体であっても、導電性のものであっても、あるいは電気絶縁性のものであってもよい。
導電性基体としては、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｂ等の金属またはこれらの合金、例えば真鍮、ステンレス鋼等が挙げられる。
絶縁性基体としては、ＳｉＯ２系の石英や各種ガラス、Ｓｉ３Ｎ４，ＮａＣｌ，ＫＣｌ，ＬｉＦ，ＣａＦ２，ＢａＦ２，Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，ＭｇＯ等の無機物が用いられる。
さらに、ポリエチレン，ポリエステル，ポリカーボネート，セルロースアセテート，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド等の有機物のフィルム、窓等が用いられる。
本実施例１の処理装置を表面改質に適用する場合、使用するガスを適宜選択する。
例えば、被処理基体１０２もしくは表面層としてＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｔａ等を使用して、これら被処理基体１０２もしくは表面層の酸化処理あるいは窒化処理さらにはＢ、Ａｓ、Ｐ等のドーピング処理等が可能である。
更に本実施例１において採用する成膜技術はクリーニング方法にも適用できる。
その場合酸化物あるいは有機物や重金属等のクリーニングに使用することもできる。
被処理基体１０２を酸化表面処理する場合の処理用ガス導入手段１０５を介して導入する酸化性ガスとしては、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２等が挙げられる。
また、被処理基体１０２を窒化表面処理する場合の処理用ガス導入手段１０５を介して導入する窒化性ガスとしては、Ｎ２、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等が挙げられる。
被処理基体１０２の表面の有機物をクリーニングする場合、または、フォトレジスト等基体表面上の有機成分をアッシング除去する場合の処理用ガス導入手段１０５から導入するクリーニング／アッシング用ガスとしては、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｈ２等が挙げられる。
また、被処理基体１０２の表面の無機物をクリーニングする場合の処理用ガス導入手段１０５から導入するクリーニング用ガスとしては、Ｆ２、ＣＦ４、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＦ２Ｃｌ２、ＳＦ６、ＮＦ３等が挙げられる。
導電性基体としては、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｂ等の金属またはこれらの合金、例えば真鍮、ステンレス鋼等が挙げられる。
絶縁性基体としては、ＳｉＯ２系の石英や各種ガラス、Ｓｉ３Ｎ４，ＮａＣｌ，ＫＣｌ，ＬｉＦ，ＣａＦ２，ＢａＦ２，Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，ＭｇＯ等の無機物が用いられる。
さらに、ポリエチレン，ポリエステル，ポリカーボネート，セルロースアセテート，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド等の有機物のフィルム、窓等が用いられる。
本実施例１の処理装置を表面改質に適用する場合、使用するガスを適宜選択する。
例えば、被処理基体１０２もしくは表面層としてＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｔａ等を使用して、これら被処理基体１０２もしくは表面層の酸化処理あるいは窒化処理さらにはＢ、Ａｓ、Ｐ等のドーピング処理等が可能である。
更に本実施例１において採用する成膜技術はクリーニング方法にも適用できる。
その場合酸化物あるいは有機物や重金属等のクリーニングに使用することもできる。
被処理基体１０２を酸化表面処理する場合の処理用ガス導入手段１０５を介して導入する酸化性ガスとしては、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２等が挙げられる。
また、被処理基体１０２を窒化表面処理する場合の処理用ガス導入手段１０５を介して導入する窒化性ガスとしては、Ｎ２、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等が挙げられる。
被処理基体１０２の表面の有機物をクリーニングする場合、または、フォトレジスト等基体表面上の有機成分をアッシング除去する場合の処理用ガス導入手段１０５から導入するクリーニング／アッシング用ガスとしては、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｈ２等が挙げられる。
また、被処理基体１０２の表面の無機物をクリーニングする場合の処理用ガス導入手段１０５から導入するクリーニング用ガスとしては、Ｆ２、ＣＦ４、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＦ２Ｃｌ２、ＳＦ６、ＮＦ３等が挙げられる。
本実施例１の処理装置を用いるラジカル処理方法による堆積膜の形成は、使用するガスを適宜選択する必要がある。
このガスの選択によりＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、ＳｉＯＦ，Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＦ２等の絶縁膜、ａ−Ｓｉ、poly−Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ等の半導体膜を効率よく形成することが可能である。
さらに、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ等の金属膜等、各種の堆積膜を効率よく形成することが可能である。
ＣＶＤ法により基板上に薄膜を形成する場合に用いられるガスとしては、一般に公知のガスが使用できる。
ａ−Ｓｉ、poly−Ｓｉ、ＳｉＣ等のＳｉ系半導体薄膜を形成する場合の処理用ガス導入手段１０５を介して処理室１０１へ導入するＳｉ原子を含有する原料ガスとしては、以下のものが用いられる。
ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６等の無機シラン類，テトラエチルシラン（ＴＥＳ），テトラメチルシラン（ＴＭＳ），ジメチルシラン（ＤＭＳ），ジメチルジフルオロシラン（ＤＭＤＦＳ），ジメチルジクロルシラン（ＤＭＤＣＳ）等の有機シラン類が用いられる。
さらに、ＳｉＦ４，Ｓｉ２Ｆ６，Ｓｉ３Ｆ８，ＳｉＨＦ３，ＳｉＨ２Ｆ２，ＳｉＣｌ４，Ｓｉ２Ｃｌ６，ＳｉＨＣｌ３，ＳｉＨ２Ｃｌ２，ＳｉＨ３Ｃｌ，ＳｉＣｌ２Ｆ２等のハロゲン化シラン類等、常温常圧でガス状態であるものまたは容易にガス化し得るものが挙げられる。
また、この場合のＳｉ原料ガスと混合して導入してもよい添加ガスまたはキャリアガスとしては、Ｈ２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎが挙げられる。
このガスの選択によりＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、ＳｉＯＦ，Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＭｇＦ２等の絶縁膜、ａ−Ｓｉ、poly−Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ等の半導体膜を効率よく形成することが可能である。
さらに、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ等の金属膜等、各種の堆積膜を効率よく形成することが可能である。
ＣＶＤ法により基板上に薄膜を形成する場合に用いられるガスとしては、一般に公知のガスが使用できる。
ａ−Ｓｉ、poly−Ｓｉ、ＳｉＣ等のＳｉ系半導体薄膜を形成する場合の処理用ガス導入手段１０５を介して処理室１０１へ導入するＳｉ原子を含有する原料ガスとしては、以下のものが用いられる。
ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６等の無機シラン類，テトラエチルシラン（ＴＥＳ），テトラメチルシラン（ＴＭＳ），ジメチルシラン（ＤＭＳ），ジメチルジフルオロシラン（ＤＭＤＦＳ），ジメチルジクロルシラン（ＤＭＤＣＳ）等の有機シラン類が用いられる。
さらに、ＳｉＦ４，Ｓｉ２Ｆ６，Ｓｉ３Ｆ８，ＳｉＨＦ３，ＳｉＨ２Ｆ２，ＳｉＣｌ４，Ｓｉ２Ｃｌ６，ＳｉＨＣｌ３，ＳｉＨ２Ｃｌ２，ＳｉＨ３Ｃｌ，ＳｉＣｌ２Ｆ２等のハロゲン化シラン類等、常温常圧でガス状態であるものまたは容易にガス化し得るものが挙げられる。
また、この場合のＳｉ原料ガスと混合して導入してもよい添加ガスまたはキャリアガスとしては、Ｈ２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎが挙げられる。
Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＯ２ 等のＳｉ化合物系薄膜を形成する場合の処理用ガス導入手段１０５を介して導入するＳｉ原子を含有する原料としては、以下のものが用いられる。
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６等の無機シラン類，テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ），テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ），オクタメチルシクロテトラシラン（ＯＭＣＴＳ），ジメチルジフルオロシラン（ＤＭＤＦＳ），ジメチルジクロルシラン（ＤＭＤＣＳ）等の有機シラン類が用いられる。
さらに、ＳｉＦ４，Ｓｉ２Ｆ６，Ｓｉ３Ｆ８，ＳｉＨＦ３，ＳｉＨ２Ｆ２，ＳｉＣｌ４，Ｓｉ２Ｃｌ６，ＳｉＨＣｌ３，ＳｉＨ２Ｃｌ２，ＳｉＨ３Ｃｌ，ＳｉＣｌ２Ｆ２等のハロゲン化シラン類等、常温常圧でガス状態であるものまたは容易にガス化し得るものが挙げられる。
また、この場合の同時に導入する窒素原料ガスまたは酸素原料ガスとしては、Ｎ２、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２等が挙げられる。
Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ等の金属薄膜を形成する場合の処理用ガス導入手段１０５を介して導入する金属原子を含有する原料としては、以下のものが用いられる。
トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡｌ）、ジメチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡｌＨ）、タングステンカルボニル（Ｗ(ＣＯ)６）、モリブデンカルボニル（Ｍｏ(ＣＯ)６）、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）等の有機金属、ＡｌＣｌ３、ＷＦ６、ＴｉＣｌ３、ＴａＣｌ５等のハロゲン化金属等が挙げられる。
また、この場合のＳｉ原料ガスと混合して導入してもよい添加ガスまたはキャリアガスとしては、Ｈ２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎが挙げられる。
Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、ＷＯ３等の金属化合物薄膜を形成する場合の処理用ガス導入手段１０５を介して導入する金属原子を含有する原料としては、以下のものが用いられる。
トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡｌ）、ジメチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡｌＨ）、タングステンカルボニル（Ｗ(ＣＯ)６）、モリブデンカルボニル（Ｍｏ(ＣＯ)６）、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）等の有機金属、ＡｌＣｌ３、ＷＦ６、ＴｉＣｌ３、ＴａＣｌ５等のハロゲン化金属等が挙げられる。
また、この場合の同時に導入する酸素原料ガスまたは窒素原料ガスとしては、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｎ２、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等が挙げられる。
被処理基体１０２の表面をエッチングする場合の処理用ガス導入手段１０５から導入するエッチング用ガスとしては、Ｆ２、ＣＦ４、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、ＣＦ２Ｃｌ２、ＳＦ６、ＮＦ３、Ｃｌ２、ＣＣｌ４、ＣＨ２Ｃｌ２、Ｃ２Ｃｌ６等が挙げられる。
フォトレジスト等の被処理基体１０２の表面上の有機成分をアッシング除去する場合の処理用ガス導入手段１０５から導入するアッシング用ガスとしては、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｈ２等が挙げられる。
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６等の無機シラン類，テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ），テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ），オクタメチルシクロテトラシラン（ＯＭＣＴＳ），ジメチルジフルオロシラン（ＤＭＤＦＳ），ジメチルジクロルシラン（ＤＭＤＣＳ）等の有機シラン類が用いられる。
さらに、ＳｉＦ４，Ｓｉ２Ｆ６，Ｓｉ３Ｆ８，ＳｉＨＦ３，ＳｉＨ２Ｆ２，ＳｉＣｌ４，Ｓｉ２Ｃｌ６，ＳｉＨＣｌ３，ＳｉＨ２Ｃｌ２，ＳｉＨ３Ｃｌ，ＳｉＣｌ２Ｆ２等のハロゲン化シラン類等、常温常圧でガス状態であるものまたは容易にガス化し得るものが挙げられる。
また、この場合の同時に導入する窒素原料ガスまたは酸素原料ガスとしては、Ｎ２、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２等が挙げられる。
Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ等の金属薄膜を形成する場合の処理用ガス導入手段１０５を介して導入する金属原子を含有する原料としては、以下のものが用いられる。
トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡｌ）、ジメチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡｌＨ）、タングステンカルボニル（Ｗ(ＣＯ)６）、モリブデンカルボニル（Ｍｏ(ＣＯ)６）、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）等の有機金属、ＡｌＣｌ３、ＷＦ６、ＴｉＣｌ３、ＴａＣｌ５等のハロゲン化金属等が挙げられる。
また、この場合のＳｉ原料ガスと混合して導入してもよい添加ガスまたはキャリアガスとしては、Ｈ２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎが挙げられる。
Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、ＷＯ３等の金属化合物薄膜を形成する場合の処理用ガス導入手段１０５を介して導入する金属原子を含有する原料としては、以下のものが用いられる。
トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡｌ）、ジメチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡｌＨ）、タングステンカルボニル（Ｗ(ＣＯ)６）、モリブデンカルボニル（Ｍｏ(ＣＯ)６）、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）等の有機金属、ＡｌＣｌ３、ＷＦ６、ＴｉＣｌ３、ＴａＣｌ５等のハロゲン化金属等が挙げられる。
また、この場合の同時に導入する酸素原料ガスまたは窒素原料ガスとしては、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｎ２、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等が挙げられる。
被処理基体１０２の表面をエッチングする場合の処理用ガス導入手段１０５から導入するエッチング用ガスとしては、Ｆ２、ＣＦ４、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、ＣＦ２Ｃｌ２、ＳＦ６、ＮＦ３、Ｃｌ２、ＣＣｌ４、ＣＨ２Ｃｌ２、Ｃ２Ｃｌ６等が挙げられる。
フォトレジスト等の被処理基体１０２の表面上の有機成分をアッシング除去する場合の処理用ガス導入手段１０５から導入するアッシング用ガスとしては、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｈ２等が挙げられる。
次に、図２を参照して本発明の実施例２の処理装置であるスロット付無終端環状導波管を用いたマイクロ波励起表面波干渉型プラズマ装置について説明する。
ラジカル生成手段２０８は、ラジカルを生成する手段で、誘電体窓２０７を透してマイクロ波を第１の処理室２０１ａに導入するためのスロット付無終端環状導波管である。
第１の処理室２０１ａは、ラジカル生成手段２０８が誘電体窓２０７を介して設けられ、ラジカルをラジカル発生領域２１１にて発生する室である。
さらに、第２の処理室２０１ｂは第１の処理室２０１ａに連通路２２０を介して連通され、連通路２２０をラジカルが通過して導入され、被処理基体２０２を収容しラジカル処理する室である。
支持手段２０３は第２の処理室２０１ｂ内で被処理基体２０２を載置して支持する手段である。
温度調整手段２０４は、支持手段２０３上に載置された被処理基体２０２の温度を調整する手段である。
ガス導入手段２０５は、第１の処理室２０１ａに処理用ガスを導入する手段である。
ガス導入手段２０５から第１の処理室２０１ａに導入され、連通路２２０を通過して第２の処理室２０１ｂに導入された処理用ガスは支持手段２０３表面近傍を通過する。
さらに、ガス排気手段２０６は処理用ガスが第２の処理室２０１ｂの下部から排気されるように設けられる。
このガス排気手段２０６には、コンダクタンスバルブ２１５が接続される。
このコンダクタンスバルブ２１５には排気用ポンプ２１６が接続される。
さらに、コンダクタンスバルブ２１５は制御装置２１７に接続される。
ラジカルの運動エネルギーを制御する手段２０９はラジカルが導入される連通路２２０である導入チューブ２２０の壁面に設けられる温調手段である。
ラジカルの運動エネルギーを制御する温調手段２０９は、プラズマ発生部から処理室へとラジカルが導入されるチューブ壁内部に埋設された抵抗発熱体と、電力投入手段と、温度検知手段及び制御手段（共に不図示）から成る。
このジカルの運動エネルギーを制御する温調手段２０９により所望の温度に調節可能である。
ラジカル生成手段２０８であるスロット付無終端環状導波管２０８は、ＴＥ１０モードで、内壁断面の寸法が２７ｍｍ×９６ｍｍ（管内波長１５８．８ｍｍ）、導波管の中心径が１５１．６ｍｍ（一周長は管内波長の３倍）のものを用いた。
スロット付無終端環状導波管２０８の材質は、マイクロ波の伝搬損失を抑えるため、すべてＡｌ合金を用いている。
スロット付無終端環状導波管２０８のＨ面には、マイクロ波を処理室２０１へ導入するためのスロットが形成されている。
スロットは、長さ４０ｍｍ，幅４ｍｍの矩形で、中心直径が１５１．６ｍｍの位置に、放射状に６０°間隔で６本形成されている。
スロット付無終端環状導波管２０８には、４Ｅチューナ、方向性結合器、アイソレータ、２．４５ＧＨｚの周波数を持つマイクロ波電源（不図示）が順に接続されている。
ラジカル生成手段２０８は、ラジカルを生成する手段で、誘電体窓２０７を透してマイクロ波を第１の処理室２０１ａに導入するためのスロット付無終端環状導波管である。
第１の処理室２０１ａは、ラジカル生成手段２０８が誘電体窓２０７を介して設けられ、ラジカルをラジカル発生領域２１１にて発生する室である。
さらに、第２の処理室２０１ｂは第１の処理室２０１ａに連通路２２０を介して連通され、連通路２２０をラジカルが通過して導入され、被処理基体２０２を収容しラジカル処理する室である。
支持手段２０３は第２の処理室２０１ｂ内で被処理基体２０２を載置して支持する手段である。
温度調整手段２０４は、支持手段２０３上に載置された被処理基体２０２の温度を調整する手段である。
ガス導入手段２０５は、第１の処理室２０１ａに処理用ガスを導入する手段である。
ガス導入手段２０５から第１の処理室２０１ａに導入され、連通路２２０を通過して第２の処理室２０１ｂに導入された処理用ガスは支持手段２０３表面近傍を通過する。
さらに、ガス排気手段２０６は処理用ガスが第２の処理室２０１ｂの下部から排気されるように設けられる。
このガス排気手段２０６には、コンダクタンスバルブ２１５が接続される。
このコンダクタンスバルブ２１５には排気用ポンプ２１６が接続される。
さらに、コンダクタンスバルブ２１５は制御装置２１７に接続される。
ラジカルの運動エネルギーを制御する手段２０９はラジカルが導入される連通路２２０である導入チューブ２２０の壁面に設けられる温調手段である。
ラジカルの運動エネルギーを制御する温調手段２０９は、プラズマ発生部から処理室へとラジカルが導入されるチューブ壁内部に埋設された抵抗発熱体と、電力投入手段と、温度検知手段及び制御手段（共に不図示）から成る。
このジカルの運動エネルギーを制御する温調手段２０９により所望の温度に調節可能である。
ラジカル生成手段２０８であるスロット付無終端環状導波管２０８は、ＴＥ１０モードで、内壁断面の寸法が２７ｍｍ×９６ｍｍ（管内波長１５８．８ｍｍ）、導波管の中心径が１５１．６ｍｍ（一周長は管内波長の３倍）のものを用いた。
スロット付無終端環状導波管２０８の材質は、マイクロ波の伝搬損失を抑えるため、すべてＡｌ合金を用いている。
スロット付無終端環状導波管２０８のＨ面には、マイクロ波を処理室２０１へ導入するためのスロットが形成されている。
スロットは、長さ４０ｍｍ，幅４ｍｍの矩形で、中心直径が１５１．６ｍｍの位置に、放射状に６０°間隔で６本形成されている。
スロット付無終端環状導波管２０８には、４Ｅチューナ、方向性結合器、アイソレータ、２．４５ＧＨｚの周波数を持つマイクロ波電源（不図示）が順に接続されている。
ラジカル処理は以下のようにして行う。
まず、制御装置２１７によりコンダクタンスバルブ２１５を制御し、排気手段２０６、排気用ポンプ２１６を介して第１の処理室２０１ａ、第２の処理室２０１ｂ内を真空状態に排気する。
続いて処理用ガスを第１の処理室２０１ａの周辺に設けられたガス導入手段２０５を介して所定の流量で第１の処理室２０１ａ、第２の処理室２０１ｂ内に導入する。
次に排気手段２０６に接続されたコンダクタンスバルブ２１５を調整し、第１の処理室２０１ａ、第２の処理室２０１ｂ内を所定の圧力に保持する。
次に、マイクロ波電源（不図示）より所望の電力をラジカル発生手段２０８であるスロット付無終端環状導波管２０８を介し誘電体窓２０７を透過して第１の処理室２０１ａ内に供給する。
第１の処理室２０１ａに導入した処理用ガスは解離・励起してラジカル発生領域２１１にてラジカルを発生する。
このとき励起された活性な発生したラジカルは導入ガスと共に連通路２２０である導入チューブ２２０を通過して、被処理基体２０２が収容される第２の処理室２０１ｂへと拡散によって導入される。
これにより支持体２０３上に載置された被処理基体２０２の表面を処理する。
この際、連通路２２０である導入チューブ２２０を覆うように設けられたラジカルの運動エネルギーを制御する手段２０９により、導入チューブ２２０の壁面が加熱保持される。
さらに、導入チューブ２２０の壁面からの加熱を受けたラジカルの運動エネルーは制御され、ガス流の中に存在する他のラジカル等との再結合による反応速度が変化し、その結果ラジカルのフラックスを制御することが可能となる。
まず、制御装置２１７によりコンダクタンスバルブ２１５を制御し、排気手段２０６、排気用ポンプ２１６を介して第１の処理室２０１ａ、第２の処理室２０１ｂ内を真空状態に排気する。
続いて処理用ガスを第１の処理室２０１ａの周辺に設けられたガス導入手段２０５を介して所定の流量で第１の処理室２０１ａ、第２の処理室２０１ｂ内に導入する。
次に排気手段２０６に接続されたコンダクタンスバルブ２１５を調整し、第１の処理室２０１ａ、第２の処理室２０１ｂ内を所定の圧力に保持する。
次に、マイクロ波電源（不図示）より所望の電力をラジカル発生手段２０８であるスロット付無終端環状導波管２０８を介し誘電体窓２０７を透過して第１の処理室２０１ａ内に供給する。
第１の処理室２０１ａに導入した処理用ガスは解離・励起してラジカル発生領域２１１にてラジカルを発生する。
このとき励起された活性な発生したラジカルは導入ガスと共に連通路２２０である導入チューブ２２０を通過して、被処理基体２０２が収容される第２の処理室２０１ｂへと拡散によって導入される。
これにより支持体２０３上に載置された被処理基体２０２の表面を処理する。
この際、連通路２２０である導入チューブ２２０を覆うように設けられたラジカルの運動エネルギーを制御する手段２０９により、導入チューブ２２０の壁面が加熱保持される。
さらに、導入チューブ２２０の壁面からの加熱を受けたラジカルの運動エネルーは制御され、ガス流の中に存在する他のラジカル等との再結合による反応速度が変化し、その結果ラジカルのフラックスを制御することが可能となる。
ここで、図２にされる本発明の実施例２のマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、半導体素子の極薄ゲート酸化膜形成を行った。
被処理基体２０２としては、洗浄により表面の自然酸化膜を除去したφ８”Ｐ型単結晶シリコン基板（面方位〈１００〉，抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。
まず、被処理基体２０２であるシリコン基板２０２を支持手段２０３上に設置した。
その後、排気用ポンプ２１６を介して第１の処理室２０１ａ、第２の処理室２０１ｂ内を真空排気し、１０−2Ｐａの値まで減圧させた。
続いてヒータ２０４に通電し、被処理基体２０２であるシリコン基板２０２を２８０℃に加熱し、被処理基体２０２をこの温度に保持した。
さらに、ラジカルを第１の処理室２０１ａから第２の処理室２０１ｂに導入する連通路２２０である導入チューブ２２０の壁面を加熱するラジカルの運動エネルギーを制御する手段２０９であるヒータ２０９により連通路２２０である導入チューブ２２０の壁面を２００℃に加熱した。
さらにプラズマ処理用ガス導入手段２０５を介して酸素ガスを１００ｓｃｃｍの流量で第１の処理室２０１ａ内に導入した。
ついで、排気手段２０６に設けられたコンダクタンスバルブ２１５を調整し、第１の処理室２０１ａ、第２の処理室２０１ｂ内を４００Ｐａに保持した。
ついで、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より１．５ｋＷの電力をラジカル発生手段２０８であるスロット付無終端環状導波管２０８を介して供給し、プラズマを発生させ６０秒間処理を行った。
この際、プラズマ処理用ガス導入手段２０５を介して導入された酸素ガスは励起、分解されてＯ＋イオンやＯラジカル等の活性種となり、被処理基体２０２であるシリコン基板２０２が収容される第２の処理室２０１ｂへ導入されシリコン基板２０２の表面のラジカル処理を行った。
処理後、酸化膜厚をエリプソメーターにより測定したところ酸化膜厚は２.８nm，膜厚均一性は±３．５％であった。
また同様の処理においてラジカルを導入する連通路２２０である導入チューブ２２０の壁面の温度を４００℃に加熱保持した場合酸化膜厚は２.２nmとなり、また他の温度条件についても壁面温度に応じて膜厚が変化することを確認した。
被処理基体２０２としては、洗浄により表面の自然酸化膜を除去したφ８”Ｐ型単結晶シリコン基板（面方位〈１００〉，抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。
まず、被処理基体２０２であるシリコン基板２０２を支持手段２０３上に設置した。
その後、排気用ポンプ２１６を介して第１の処理室２０１ａ、第２の処理室２０１ｂ内を真空排気し、１０−2Ｐａの値まで減圧させた。
続いてヒータ２０４に通電し、被処理基体２０２であるシリコン基板２０２を２８０℃に加熱し、被処理基体２０２をこの温度に保持した。
さらに、ラジカルを第１の処理室２０１ａから第２の処理室２０１ｂに導入する連通路２２０である導入チューブ２２０の壁面を加熱するラジカルの運動エネルギーを制御する手段２０９であるヒータ２０９により連通路２２０である導入チューブ２２０の壁面を２００℃に加熱した。
さらにプラズマ処理用ガス導入手段２０５を介して酸素ガスを１００ｓｃｃｍの流量で第１の処理室２０１ａ内に導入した。
ついで、排気手段２０６に設けられたコンダクタンスバルブ２１５を調整し、第１の処理室２０１ａ、第２の処理室２０１ｂ内を４００Ｐａに保持した。
ついで、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より１．５ｋＷの電力をラジカル発生手段２０８であるスロット付無終端環状導波管２０８を介して供給し、プラズマを発生させ６０秒間処理を行った。
この際、プラズマ処理用ガス導入手段２０５を介して導入された酸素ガスは励起、分解されてＯ＋イオンやＯラジカル等の活性種となり、被処理基体２０２であるシリコン基板２０２が収容される第２の処理室２０１ｂへ導入されシリコン基板２０２の表面のラジカル処理を行った。
処理後、酸化膜厚をエリプソメーターにより測定したところ酸化膜厚は２.８nm，膜厚均一性は±３．５％であった。
また同様の処理においてラジカルを導入する連通路２２０である導入チューブ２２０の壁面の温度を４００℃に加熱保持した場合酸化膜厚は２.２nmとなり、また他の温度条件についても壁面温度に応じて膜厚が変化することを確認した。
次に、図３を参照して本発明の実施例３の処理装置である紫外光励起処理装置を説明する。
ラジカル生成手段３０８は、ラジカルを生成する手段で、反射板３０７を有する紫外光光源である。
第１の処理室３０１ａは、ラジカル生成手段３０８が設けられ、ラジカルをラジカル発生領域３１１にて発生する室である。
さらに、第２の処理室３０１ｂは第１の処理室３０１ａに連通路３２０を介して連通され、連通路３２０をラジカルが通過して導入され、被処理基体３０２を収容しラジカル処理する室である。
支持手段３０３は第２の処理室３０１ｂ内で被処理基体３０２を載置して支持する手段である。
温度調整手段３０４は、支持手段３０３上に載置された被処理基体３０２の温度を調整する手段である。
ガス導入手段３０５は、第１の処理室３０１ａに処理用ガスを導入する手段である。
ガス導入手段３０５から第１の処理室３０１ａに導入され、連通路３２０を通過して第２の処理室３０１ｂに導入された処理用ガスは支持手段３０３表面近傍を通過する。
さらに、ガス排気手段３０６は処理用ガスが第２の処理室３０１ｂの下部から排気されるように設けられる。
このガス排気手段３０６には、コンダクタンスバルブ３１５が接続される。
このコンダクタンスバルブ３１５には排気用ポンプ３１６が接続される。
さらに、コンダクタンスバルブ３１５は制御装置３１７に接続される。
ラジカルの運動エネルギーを制御する手段３０９としては、ラジカルを導入中の連通路３２０の壁面を加熱或いは冷却保持する温調手段が適用可能である。
例えば、加熱の場合、壁内部にセラミックヒーター等を埋設したものや、外部からの高周波加熱等のいかなる加熱手段を用いることが可能である。
ラジカル生成手段３０８は、ラジカルを生成する手段で、反射板３０７を有する紫外光光源である。
第１の処理室３０１ａは、ラジカル生成手段３０８が設けられ、ラジカルをラジカル発生領域３１１にて発生する室である。
さらに、第２の処理室３０１ｂは第１の処理室３０１ａに連通路３２０を介して連通され、連通路３２０をラジカルが通過して導入され、被処理基体３０２を収容しラジカル処理する室である。
支持手段３０３は第２の処理室３０１ｂ内で被処理基体３０２を載置して支持する手段である。
温度調整手段３０４は、支持手段３０３上に載置された被処理基体３０２の温度を調整する手段である。
ガス導入手段３０５は、第１の処理室３０１ａに処理用ガスを導入する手段である。
ガス導入手段３０５から第１の処理室３０１ａに導入され、連通路３２０を通過して第２の処理室３０１ｂに導入された処理用ガスは支持手段３０３表面近傍を通過する。
さらに、ガス排気手段３０６は処理用ガスが第２の処理室３０１ｂの下部から排気されるように設けられる。
このガス排気手段３０６には、コンダクタンスバルブ３１５が接続される。
このコンダクタンスバルブ３１５には排気用ポンプ３１６が接続される。
さらに、コンダクタンスバルブ３１５は制御装置３１７に接続される。
ラジカルの運動エネルギーを制御する手段３０９としては、ラジカルを導入中の連通路３２０の壁面を加熱或いは冷却保持する温調手段が適用可能である。
例えば、加熱の場合、壁内部にセラミックヒーター等を埋設したものや、外部からの高周波加熱等のいかなる加熱手段を用いることが可能である。
ラジカル処理は以下のようにして行う。
まず、制御装置３１７によりコンダクタンスバルブ３１５を制御し、排気手段３０６、排気用ポンプ３１６を介して第１の処理室３０１ａ、第２の処理室３０１ｂ内を真空状態に排気する。
続いて処理用ガスを第１の処理室３０１ａの周辺に設けられたガス導入手段３０５を介して所定の流量で第１の処理室３０１ａ、第２の処理室３０１ｂ内に導入する。
次に排気手段３０６に接続されたコンダクタンスバルブ３１５を調整し、第１の処理室３０１ａ、第２の処理室３０１ｂ内を所定の圧力に保持する。
次に、所望の電力をラジカル生成手段３０８である紫外光光源３０８に投入し紫外光を放射させる。
第１の処理室３０１ａに導入した処理用ガスは、放射された紫外光により励起し活性なラジカルとなる。
このとき励起された活性な発生したラジカルは導入ガスと共に連通路３２０である導入チューブ３２０を通過して、被処理基体３０２が収容される第２の処理室３０１ｂへと拡散によって導入される。
これにより支持手段３０３上に載置された被処理基体３０２の表面を処理する。
この際、連通路３２０である導入チューブ３２０を覆うように設けられたラジカルの運動エネルギーを制御する手段３０９により、導入チューブ３２０の壁面が加熱保持される。
さらに、導入チューブ３２０の壁面からの加熱を受けたラジカルの運動エネルーは制御され、ガス流の中に存在する他のラジカル等との再結合による反応速度が変化し、その結果ラジカルのフラックスを制御することが可能となる。
まず、制御装置３１７によりコンダクタンスバルブ３１５を制御し、排気手段３０６、排気用ポンプ３１６を介して第１の処理室３０１ａ、第２の処理室３０１ｂ内を真空状態に排気する。
続いて処理用ガスを第１の処理室３０１ａの周辺に設けられたガス導入手段３０５を介して所定の流量で第１の処理室３０１ａ、第２の処理室３０１ｂ内に導入する。
次に排気手段３０６に接続されたコンダクタンスバルブ３１５を調整し、第１の処理室３０１ａ、第２の処理室３０１ｂ内を所定の圧力に保持する。
次に、所望の電力をラジカル生成手段３０８である紫外光光源３０８に投入し紫外光を放射させる。
第１の処理室３０１ａに導入した処理用ガスは、放射された紫外光により励起し活性なラジカルとなる。
このとき励起された活性な発生したラジカルは導入ガスと共に連通路３２０である導入チューブ３２０を通過して、被処理基体３０２が収容される第２の処理室３０１ｂへと拡散によって導入される。
これにより支持手段３０３上に載置された被処理基体３０２の表面を処理する。
この際、連通路３２０である導入チューブ３２０を覆うように設けられたラジカルの運動エネルギーを制御する手段３０９により、導入チューブ３２０の壁面が加熱保持される。
さらに、導入チューブ３２０の壁面からの加熱を受けたラジカルの運動エネルーは制御され、ガス流の中に存在する他のラジカル等との再結合による反応速度が変化し、その結果ラジカルのフラックスを制御することが可能となる。
図３に示される本発明の実施例３の紫外光励起処理装置を使用し、半導体素子の極薄ゲート酸化膜形成を行った。
被処理基体３０２としては、φ８”Ｐ型単結晶シリコン基板（面方位〈１００〉，抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。
まず、被処理基体３０２であるシリコン基板３０２を支持手段３０３上に設置した。
排気手段３０６、コンダクタンスバルブ３１５、排気用ポンプ３１６を介して第１の処理室３０１ａ、第２の処理室３０１ｂ内を真空排気し、１０−2Ｐａの値まで減圧させた。
続いて温度調整手段３０４であるヒータ３０４に通電し、シリコン基板３０２を２８０℃に加熱し、シリコン基板３０２をこの温度に保持した。
さらに、ラジカルを第１の処理室３０１ａから第２の処理室３０１ｂに導入する連通路３２０である導入チューブ３２０の壁面を冷却するラジカルの運動エネルギーを制御する手段３０９であるチラー３０９により壁面を０℃に保持した。
さらにラジカル処理用ガス導入手段３０５を介して酸素ガスを５０ｓｃｃｍの流量で、第１の処理室３０１ａに導入した。
ついで、排気手段３０６に接続されたコンダクタンスバルブ３１５を調整し、第１の処理室３０１ａ、第２の処理室３０１ｂ内を１３３Ｐａに保持した。
ついで、ラジカル生成手段３０８である低圧水銀ランプ３０８に３００Ｗの電力を供給し紫外光を発光させた。
水銀ランプ３０８から放射された紫外光のうち１８５ｎｍの光は酸素ガスを解離して活性な一重項酸素原子へと解離することができる。
かくして、原子状酸素ラジカルを第１の処理室３０１ａ内に発生させ、第２の処理室３０１ｂに導入し、被処理基板３０２に６０秒間ラジカルを曝して酸化を行った。
処理後、酸化膜厚をエリプソメーターにより測定したところ酸化膜厚は１.３nm，膜厚均一性は±２．９％であった。
被処理基体３０２としては、φ８”Ｐ型単結晶シリコン基板（面方位〈１００〉，抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。
まず、被処理基体３０２であるシリコン基板３０２を支持手段３０３上に設置した。
排気手段３０６、コンダクタンスバルブ３１５、排気用ポンプ３１６を介して第１の処理室３０１ａ、第２の処理室３０１ｂ内を真空排気し、１０−2Ｐａの値まで減圧させた。
続いて温度調整手段３０４であるヒータ３０４に通電し、シリコン基板３０２を２８０℃に加熱し、シリコン基板３０２をこの温度に保持した。
さらに、ラジカルを第１の処理室３０１ａから第２の処理室３０１ｂに導入する連通路３２０である導入チューブ３２０の壁面を冷却するラジカルの運動エネルギーを制御する手段３０９であるチラー３０９により壁面を０℃に保持した。
さらにラジカル処理用ガス導入手段３０５を介して酸素ガスを５０ｓｃｃｍの流量で、第１の処理室３０１ａに導入した。
ついで、排気手段３０６に接続されたコンダクタンスバルブ３１５を調整し、第１の処理室３０１ａ、第２の処理室３０１ｂ内を１３３Ｐａに保持した。
ついで、ラジカル生成手段３０８である低圧水銀ランプ３０８に３００Ｗの電力を供給し紫外光を発光させた。
水銀ランプ３０８から放射された紫外光のうち１８５ｎｍの光は酸素ガスを解離して活性な一重項酸素原子へと解離することができる。
かくして、原子状酸素ラジカルを第１の処理室３０１ａ内に発生させ、第２の処理室３０１ｂに導入し、被処理基板３０２に６０秒間ラジカルを曝して酸化を行った。
処理後、酸化膜厚をエリプソメーターにより測定したところ酸化膜厚は１.３nm，膜厚均一性は±２．９％であった。
次に、図４ａを参照して本発明の実施例４の処理装置であるラジカルの導入路中の壁に赤外放射率の高いグラファイト材を用いた装置について説明する。
ラジカル生成手段４０８は、ラジカルを生成する手段で、マイクロ波透過手段４０７を透してマイクロ波を第１の処理室４０１ａに導入するためのスロット付無終端環状導波管である。
第１の処理室４０１ａは、ラジカル生成手段４０８が設けられ、ラジカルをラジカル発生領域４１１にて発生する室である。
さらに、第２の処理室４０１ｂは第１の処理室４０１ａに連通路４２０を介して連通され、連通路４２０をラジカルが通過して導入され、被処理基体４０２を収容しラジカル処理する室である。
支持手段４０３は第２の処理室４０１ｂ内で被処理基体４０２を載置して支持する手段である。
温度調整手段４０４は、支持手段４０３上に載置された被処理基体４０２の温度を調整する手段である。
ガス導入手段４０５は、第１の処理室４０１ａに処理用ガスを導入する手段である。
ガス導入手段４０５から第１の処理室４０１ａに導入され、連通路４２０を通過して第２の処理室４０１ｂに導入された処理用ガスは支持手段４０３表面近傍を通過する。
さらに、ガス排気手段４０６は処理用ガスが第２の処理室４０１ｂの下部から排気されるように設けられる。
このガス排気手段４０６には、コンダクタンスバルブ４１５が接続される。
このコンダクタンスバルブ４１５には排気用ポンプ４１６が接続される。
さらに、コンダクタンスバルブ４１５は制御装置４１７に接続される。
このラジカルの運動エネルギーを制御する制御手段４０９は、複数の貫通孔が形成された平板であり、図４ｂに示されるように加熱手段４１０を赤外放射率の高いグラファイト材４１３で覆い、さらにその表面が石英製のカバー４１２で覆われた構造を有する。
ラジカル生成手段４０８は、ラジカルを生成する手段で、マイクロ波透過手段４０７を透してマイクロ波を第１の処理室４０１ａに導入するためのスロット付無終端環状導波管である。
第１の処理室４０１ａは、ラジカル生成手段４０８が設けられ、ラジカルをラジカル発生領域４１１にて発生する室である。
さらに、第２の処理室４０１ｂは第１の処理室４０１ａに連通路４２０を介して連通され、連通路４２０をラジカルが通過して導入され、被処理基体４０２を収容しラジカル処理する室である。
支持手段４０３は第２の処理室４０１ｂ内で被処理基体４０２を載置して支持する手段である。
温度調整手段４０４は、支持手段４０３上に載置された被処理基体４０２の温度を調整する手段である。
ガス導入手段４０５は、第１の処理室４０１ａに処理用ガスを導入する手段である。
ガス導入手段４０５から第１の処理室４０１ａに導入され、連通路４２０を通過して第２の処理室４０１ｂに導入された処理用ガスは支持手段４０３表面近傍を通過する。
さらに、ガス排気手段４０６は処理用ガスが第２の処理室４０１ｂの下部から排気されるように設けられる。
このガス排気手段４０６には、コンダクタンスバルブ４１５が接続される。
このコンダクタンスバルブ４１５には排気用ポンプ４１６が接続される。
さらに、コンダクタンスバルブ４１５は制御装置４１７に接続される。
このラジカルの運動エネルギーを制御する制御手段４０９は、複数の貫通孔が形成された平板であり、図４ｂに示されるように加熱手段４１０を赤外放射率の高いグラファイト材４１３で覆い、さらにその表面が石英製のカバー４１２で覆われた構造を有する。
プラズマ処理は以下のようにして行う。
まず、制御装置４１７によりコンダクタンスバルブ４１５を制御し、排気手段４０６、排気用ポンプ４１６を介して第１の処理室４０１ａ、第２の処理室４０１ｂ内を真空状態に排気する。
続いて処理用ガスを第１の処理室４０１ａの周辺に設けられたガス導入手段４０５を介して所定の流量で第１の処理室４０１ａ、第２の処理室４０１ｂ内に導入する。
次に排気手段４０６に接続されたコンダクタンスバルブ４１５を調整し、第１の処理室４０１ａ、第２の処理室４０１ｂ内を所定の圧力に保持する。
マイクロ波電源（不図示）より所望の電力を、ラジカル生成手段４０８であるスロット付無終端環状導波管４０８を介しマイクロ波透過手段４０７を透過して第１の処理室４０１ａ内に供給する。
周辺から導入された処理用ガスは、発生したプラズマにより解離・励起されラジカル等が発生する。
このようにして励起された活性なラジカルは連通路４２０である導入チューブ４２０を経由して第２の処理室４０１ｂへと導入され、支持体４０３上に載置された被処理基体４０２の表面をラジカル処理する。
このとき加熱手段４１０により加熱されたグラファイト材４１３から赤外光が放射され、赤外光を吸収可能な処理用ガスを用いた場合、処理用ガスは赤外光を吸収し加熱される。
また加熱された処理用ガスとの衝突を介してラジカルにも運動エネルギーを与えることができ、再結合による反応速度が変化し、その結果ラジカルのフラックスを制御することが可能となる。
まず、制御装置４１７によりコンダクタンスバルブ４１５を制御し、排気手段４０６、排気用ポンプ４１６を介して第１の処理室４０１ａ、第２の処理室４０１ｂ内を真空状態に排気する。
続いて処理用ガスを第１の処理室４０１ａの周辺に設けられたガス導入手段４０５を介して所定の流量で第１の処理室４０１ａ、第２の処理室４０１ｂ内に導入する。
次に排気手段４０６に接続されたコンダクタンスバルブ４１５を調整し、第１の処理室４０１ａ、第２の処理室４０１ｂ内を所定の圧力に保持する。
マイクロ波電源（不図示）より所望の電力を、ラジカル生成手段４０８であるスロット付無終端環状導波管４０８を介しマイクロ波透過手段４０７を透過して第１の処理室４０１ａ内に供給する。
周辺から導入された処理用ガスは、発生したプラズマにより解離・励起されラジカル等が発生する。
このようにして励起された活性なラジカルは連通路４２０である導入チューブ４２０を経由して第２の処理室４０１ｂへと導入され、支持体４０３上に載置された被処理基体４０２の表面をラジカル処理する。
このとき加熱手段４１０により加熱されたグラファイト材４１３から赤外光が放射され、赤外光を吸収可能な処理用ガスを用いた場合、処理用ガスは赤外光を吸収し加熱される。
また加熱された処理用ガスとの衝突を介してラジカルにも運動エネルギーを与えることができ、再結合による反応速度が変化し、その結果ラジカルのフラックスを制御することが可能となる。
図４に示される本発明の実施例４のマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、半導体素子のアッシングを行った。
被処理基体４０２としては、表面にフォトレジストが塗布されたφ８”Ｐ型単結晶シリコン基板（面方位〈１００〉，抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。
まず、被処理基体４０２であるシリコン基板４０２を支持手段４０３上に設置した。
排気手段４０６、排気用ポンプ４１６を介して第１の処理室４０１ａ、第２の処理室４０１ｂ内を真空排気し、１０−2Ｐａの値まで減圧させた。
続いて温度調整手段４０４であるヒータ４０４に通電し、シリコン基板４０２を２００℃に加熱し、シリコン基板４０２をこの温度に保持した。
ガス導入手段４０５を介してバブリングにより気化されたＨ２Ｏガスを５００ｓｃｃｍの流量で第１の処理室４０１ａ内に導入した。
さらにラジカルを第１の処理室４０１ａから第２の処理室４０１ｂに導入する連通路４２０である導入チューブに設けられたφ５ｍｍの貫通孔がラジカルの運動エネルギーを制御する制御手段４０９である加熱平板４０９を加熱し、その表面からの輻射により導入ガスの加熱を行った。
ついで、排気手段４０６に設けられたコンダクタンスバルブ４１５を調整し、第１の処理室４０１ａ、第２の処理室４０１ｂ内を１３３Ｐａに保持した。
ついで、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源より３．０ｋＷの電力をラジカル生成手段４０８であるスロット付無終端環状導波管４０８を介して第１の処理室４０１ａ内に供給した。
かくして、第１の処理室４０１ａ内のラジカル発生領域４１１にてプラズマを発生させ処理を行った。
この際、処理用ガス導入手段４０５を介して導入されたＨ２Ｏガスは励起、分解されてＯラジカル、ＯＨラジカル等の活性種となり、シリコン基板４０２のある第２の処理室４０１ｂへ導入されシリコン基板４０２表面のフォトレジストのアッシング処理を行った。
処理後、アッシングレートを計測したところ約１．６ｕｍ／ｍｉｎ、均一性は５．８％であった。
また同様の処理においてラジカルを第１の処理室４０１ａから第２の処理室４０１ｂに導入する連通路４２０である導入チューブの壁面の温度を振ることによりアッシングレートが約０．４ｕｍ変動することを確認した。
被処理基体４０２としては、表面にフォトレジストが塗布されたφ８”Ｐ型単結晶シリコン基板（面方位〈１００〉，抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。
まず、被処理基体４０２であるシリコン基板４０２を支持手段４０３上に設置した。
排気手段４０６、排気用ポンプ４１６を介して第１の処理室４０１ａ、第２の処理室４０１ｂ内を真空排気し、１０−2Ｐａの値まで減圧させた。
続いて温度調整手段４０４であるヒータ４０４に通電し、シリコン基板４０２を２００℃に加熱し、シリコン基板４０２をこの温度に保持した。
ガス導入手段４０５を介してバブリングにより気化されたＨ２Ｏガスを５００ｓｃｃｍの流量で第１の処理室４０１ａ内に導入した。
さらにラジカルを第１の処理室４０１ａから第２の処理室４０１ｂに導入する連通路４２０である導入チューブに設けられたφ５ｍｍの貫通孔がラジカルの運動エネルギーを制御する制御手段４０９である加熱平板４０９を加熱し、その表面からの輻射により導入ガスの加熱を行った。
ついで、排気手段４０６に設けられたコンダクタンスバルブ４１５を調整し、第１の処理室４０１ａ、第２の処理室４０１ｂ内を１３３Ｐａに保持した。
ついで、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源より３．０ｋＷの電力をラジカル生成手段４０８であるスロット付無終端環状導波管４０８を介して第１の処理室４０１ａ内に供給した。
かくして、第１の処理室４０１ａ内のラジカル発生領域４１１にてプラズマを発生させ処理を行った。
この際、処理用ガス導入手段４０５を介して導入されたＨ２Ｏガスは励起、分解されてＯラジカル、ＯＨラジカル等の活性種となり、シリコン基板４０２のある第２の処理室４０１ｂへ導入されシリコン基板４０２表面のフォトレジストのアッシング処理を行った。
処理後、アッシングレートを計測したところ約１．６ｕｍ／ｍｉｎ、均一性は５．８％であった。
また同様の処理においてラジカルを第１の処理室４０１ａから第２の処理室４０１ｂに導入する連通路４２０である導入チューブの壁面の温度を振ることによりアッシングレートが約０．４ｕｍ変動することを確認した。
次に、図５を参照して本発明の実施例５の処理装置であるラジカルの導入路中に赤外光を放射する赤外ランプを配設した装置を説明する。
ラジカル生成手段５０８は、ラジカルを生成する手段で、マイクロ波透過手段５０７を透してマイクロ波を第１の処理室５０１ａに導入するためのスロット付無終端環状導波管である。
第１の処理室５０１ａは、ラジカル生成手段５０８が設けられ、ラジカルをラジカル発生領域５１１にて発生する室である。
さらに、第２の処理室５０１ｂは第１の処理室５０１ａに連通路５２０を介して連通され、連通路５２０をラジカルが通過して導入され、被処理基体５０２を収容しラジカル処理する室である。
支持手段５０３は第２の処理室５０１ｂ内で被処理基体５０２を載置して支持する手段である。
温度調整手段５０４は、支持手段５０３上に載置された被処理基体５０２の温度を調整する手段である。
ガス導入手段５０５は、第１の処理室５０１ａに処理用ガスを導入する手段である。
ガス導入手段５０５から第１の処理室５０１ａに導入され、連通路５２０を通過して第２の処理室５０１ｂに導入された処理用ガスは支持手段５０３表面近傍を通過する。
さらに、ガス排気手段５０６は処理用ガスが第２の処理室５０１ｂの下部から排気されるように設けられる。
このガス排気手段５０６には、コンダクタンスバルブ５１５が接続される。
このコンダクタンスバルブ５１５には排気用ポンプ５１６が接続される。
さらに、コンダクタンスバルブ５１５は制御装置５１７に接続される。
このラジカルの運動エネルギーを制御する制御手段５０９は、赤外光放射手段であり例えばハロゲンランプ等が用いられる。
ラジカル生成手段５０８は、ラジカルを生成する手段で、マイクロ波透過手段５０７を透してマイクロ波を第１の処理室５０１ａに導入するためのスロット付無終端環状導波管である。
第１の処理室５０１ａは、ラジカル生成手段５０８が設けられ、ラジカルをラジカル発生領域５１１にて発生する室である。
さらに、第２の処理室５０１ｂは第１の処理室５０１ａに連通路５２０を介して連通され、連通路５２０をラジカルが通過して導入され、被処理基体５０２を収容しラジカル処理する室である。
支持手段５０３は第２の処理室５０１ｂ内で被処理基体５０２を載置して支持する手段である。
温度調整手段５０４は、支持手段５０３上に載置された被処理基体５０２の温度を調整する手段である。
ガス導入手段５０５は、第１の処理室５０１ａに処理用ガスを導入する手段である。
ガス導入手段５０５から第１の処理室５０１ａに導入され、連通路５２０を通過して第２の処理室５０１ｂに導入された処理用ガスは支持手段５０３表面近傍を通過する。
さらに、ガス排気手段５０６は処理用ガスが第２の処理室５０１ｂの下部から排気されるように設けられる。
このガス排気手段５０６には、コンダクタンスバルブ５１５が接続される。
このコンダクタンスバルブ５１５には排気用ポンプ５１６が接続される。
さらに、コンダクタンスバルブ５１５は制御装置５１７に接続される。
このラジカルの運動エネルギーを制御する制御手段５０９は、赤外光放射手段であり例えばハロゲンランプ等が用いられる。
ラジカル処理は以下のようにして行う。
まず、制御装置５１７によりコンダクタンスバルブ５１５を制御し、排気手段５０６、排気用ポンプ５１６を介して第１の処理室５０１ａ、第２の処理室５０１ｂ内を真空状態に排気する。
続いて処理用ガスを第１の処理室５０１ａの周辺に設けられたガス導入手段５０５を介して所定の流量で第１の処理室５０１ａ、第２の処理室５０１ｂ内に導入する。
次に排気手段５０６に接続されたコンダクタンスバルブ５１５を調整し、第１の処理室５０１ａ、第２の処理室５０１ｂ内を所定の圧力に保持するすると共に第１の処理室５０１ａ、第２の処理室５０１ｂ内に発生するガスの流れを制御する。
マイクロ波電源（不図示）より所望の電力を、ラジカル生成手段５０８であるスロット付無終端環状導波管５０８を介しマイクロ波透過手段５０７を透過して第１の処理室５０１ａ内に供給する。
周辺から導入された処理用ガスは、発生したプラズマにより解離・励起されラジカル等が発生する。
このようにして励起された活性なラジカルは連通路５２０を経由して第２の処理室５０１ｂへと導入され、支持体５０３上に載置された被処理基体５０２の表面をラジカル処理する。
このときラジカルの運動エネルギーを制御する制御手段５０９である赤外放射手段５０９より赤外光が放射され、赤外光を吸収可能な処理用ガスを用いた場合、処理用ガスは赤外光を吸収し加熱される。
また加熱された処理用ガスとの衝突を介してラジカルにも運動エネルギーを与えることができ、再結合による反応速度が変化し、その結果ラジカルのフラックスを制御することが可能となる。
まず、制御装置５１７によりコンダクタンスバルブ５１５を制御し、排気手段５０６、排気用ポンプ５１６を介して第１の処理室５０１ａ、第２の処理室５０１ｂ内を真空状態に排気する。
続いて処理用ガスを第１の処理室５０１ａの周辺に設けられたガス導入手段５０５を介して所定の流量で第１の処理室５０１ａ、第２の処理室５０１ｂ内に導入する。
次に排気手段５０６に接続されたコンダクタンスバルブ５１５を調整し、第１の処理室５０１ａ、第２の処理室５０１ｂ内を所定の圧力に保持するすると共に第１の処理室５０１ａ、第２の処理室５０１ｂ内に発生するガスの流れを制御する。
マイクロ波電源（不図示）より所望の電力を、ラジカル生成手段５０８であるスロット付無終端環状導波管５０８を介しマイクロ波透過手段５０７を透過して第１の処理室５０１ａ内に供給する。
周辺から導入された処理用ガスは、発生したプラズマにより解離・励起されラジカル等が発生する。
このようにして励起された活性なラジカルは連通路５２０を経由して第２の処理室５０１ｂへと導入され、支持体５０３上に載置された被処理基体５０２の表面をラジカル処理する。
このときラジカルの運動エネルギーを制御する制御手段５０９である赤外放射手段５０９より赤外光が放射され、赤外光を吸収可能な処理用ガスを用いた場合、処理用ガスは赤外光を吸収し加熱される。
また加熱された処理用ガスとの衝突を介してラジカルにも運動エネルギーを与えることができ、再結合による反応速度が変化し、その結果ラジカルのフラックスを制御することが可能となる。
図５に示される本発明の実施例５のマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、半導体素子の極薄ゲート酸窒化膜形成を行った。
被処理基体５０２としては、洗浄により表面の自然酸化膜を除去した後、表面に２ｎｍの膜厚の熱酸化膜を成長させたφ８”Ｐ型単結晶シリコン基板（面方位〈１００〉，抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。
まず、被処理基体５０２であるシリコン基板５０２を基体支持台５０３上に設置した後、排気系（不図示）を介して第１の処理室５０１ａ、第２の処理室５０１ｂ内を真空排気し、１０−2Ｐａの値まで減圧させた。
続いて温度調整手段５０４であるヒータ５０４に通電し、シリコン基板５０２を２００℃に加熱し保持した。
プラズマ処理用ガス導入手段５０５を介してＮＨ３ガスを２５０ｓｃｃｍの流量で第１の処理室５０１ａ内に導入した。
さらにラジカルを第２の処理室５０１ｂに導入する連通路５２０に設けられたラジカルの運動エネルギーを制御する制御手段５０９であるハロゲンランプ４０９からの赤外放射光により導入ガスの加熱を行った。
ついで、排気手段５０６に設けられたコンダクタンスバルブ５１５を調整し、第１の処理室５０１ａ、第２の処理室５０１ｂ内を６６Ｐａに保持した。
ついで、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）３ｋＷの電力をラジカル生成手段５０８であるスロット付無終端環状導波管５０８を介して供給した。
かくして、第１の処理室５０１ａ内のラジカル発生領域５１１にプラズマを発生させ処理を行った。
プラズマにより励起、分解されて発生したＮＨラジカル等の活性種は、シリコン基板５０２表面に到達し、その表面に形成されている酸化膜層を窒化した。
窒化後、酸化膜中の窒素濃度についてＸＰＳにより評価した結果、ランプ加熱を行わない場合ピーク濃度は約１２％、ランプ加熱を行った場合ピーク濃度は約１０％であった。
被処理基体５０２としては、洗浄により表面の自然酸化膜を除去した後、表面に２ｎｍの膜厚の熱酸化膜を成長させたφ８”Ｐ型単結晶シリコン基板（面方位〈１００〉，抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。
まず、被処理基体５０２であるシリコン基板５０２を基体支持台５０３上に設置した後、排気系（不図示）を介して第１の処理室５０１ａ、第２の処理室５０１ｂ内を真空排気し、１０−2Ｐａの値まで減圧させた。
続いて温度調整手段５０４であるヒータ５０４に通電し、シリコン基板５０２を２００℃に加熱し保持した。
プラズマ処理用ガス導入手段５０５を介してＮＨ３ガスを２５０ｓｃｃｍの流量で第１の処理室５０１ａ内に導入した。
さらにラジカルを第２の処理室５０１ｂに導入する連通路５２０に設けられたラジカルの運動エネルギーを制御する制御手段５０９であるハロゲンランプ４０９からの赤外放射光により導入ガスの加熱を行った。
ついで、排気手段５０６に設けられたコンダクタンスバルブ５１５を調整し、第１の処理室５０１ａ、第２の処理室５０１ｂ内を６６Ｐａに保持した。
ついで、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）３ｋＷの電力をラジカル生成手段５０８であるスロット付無終端環状導波管５０８を介して供給した。
かくして、第１の処理室５０１ａ内のラジカル発生領域５１１にプラズマを発生させ処理を行った。
プラズマにより励起、分解されて発生したＮＨラジカル等の活性種は、シリコン基板５０２表面に到達し、その表面に形成されている酸化膜層を窒化した。
窒化後、酸化膜中の窒素濃度についてＸＰＳにより評価した結果、ランプ加熱を行わない場合ピーク濃度は約１２％、ランプ加熱を行った場合ピーク濃度は約１０％であった。
１０１ａ、２０１ａ、３０１ａ、４０１ａ、５０１ａ、６０１ａ 第１の処理室
１０１ｂ、２０１ｂ、３０１ｂ、４０１ｂ、５０１ｂ、６０１ｂ 第２の処理室
１２０、２２０、３２０、４２０、５２０ 連通路
１０２、２０２、３０２、４０２、５０２、６０２ 被処理基体
・ ２０３、３０３、４０３、５０３、６０３ 支持体
１０４、２０４、３０４、４０４、５０４、６０４ 基体温度調整手段
１０５、２０５、３０５、４０５、５０５、６０５ 処理用ガス導入手段
１０６、２０６、３０６、４０６、５０６、６０６ 排気手段
２０７、４０７、５０７ 誘電体窓
・ ２０８、３０８、４０８、５０８、６０８ ラジカル発生手段
１０９、２０９、３０９、４０９，５０９ ラジカルの運動エネルギー制御手段
１０１ｂ、２０１ｂ、３０１ｂ、４０１ｂ、５０１ｂ、６０１ｂ 第２の処理室
１２０、２２０、３２０、４２０、５２０ 連通路
１０２、２０２、３０２、４０２、５０２、６０２ 被処理基体
・ ２０３、３０３、４０３、５０３、６０３ 支持体
１０４、２０４、３０４、４０４、５０４、６０４ 基体温度調整手段
１０５、２０５、３０５、４０５、５０５、６０５ 処理用ガス導入手段
１０６、２０６、３０６、４０６、５０６、６０６ 排気手段
２０７、４０７、５０７ 誘電体窓
・ ２０８、３０８、４０８、５０８、６０８ ラジカル発生手段
１０９、２０９、３０９、４０９，５０９ ラジカルの運動エネルギー制御手段
Claims (8)
- ラジカルを生成するラジカル生成手段と、
前記ラジカル生成手段が設けられ、前記ラジカルをラジカル発生領域にて発生する第１の処理室と、
前記第１の処理室に連通路を介して連通され、前記連通路を前記ラジカルが通過して導入され、被処理基体を収容しラジカル処理する第２の処理室と、
前記第２の処理室内で前記被処理基体を支持する支持手段と、
前記第１の処理室に処理用ガスを導入するガス導入手段と、
前記第２の処理室から前記処理用ガスの排気を行う排気手段と、を有する処理装置において、
前記連通路に前記ラジカルの運動エネルギーを制御する手段を有することを特徴とする処理装置。 - 前記ラジカルの運動エネルギーを制御する手段は、前記連通路の壁面を加熱或いは冷却保持する温調手段であることを特徴とする請求項１記載の処理装置。
- 前記ラジカルの運動エネルギーを制御する手段は、前記処理用ガスを直接に加熱可能な赤外光を放射することを特徴とする請求項1または２記載の処理装置。
- 前記赤外光は、前記温調手段により加熱保持された前記連通路の前記壁面からの放射光であって、前記壁面の材質が赤外放射率の高いグラファイトから成ることを特徴とする請求項３記載の処理装置。
- 前記グラファイト素材から成り赤外放射を行う前記壁面の表面を、赤外放射が透過する石英で覆ったことを特徴とする請求項４記載の処理装置。
- 前記赤外光は、赤外ランプからの放射光であることを特徴とする請求項３記載の処理装置。
- 前記ラジカル生成手段は紫外光励起源であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の処理装置。
- 前記ラジカル生成手段は高周波プラズマ励起源であることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の処理装置。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011064616A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 電極表面に多数のナノサイズの針状凸部を有するカーボン酵素電極、及び、その作製方法 |
| JP5830468B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2015-12-09 | スタンレー電気株式会社 | 発電装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01123411A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-16 | Hitachi Ltd | 気相成長方法および装置 |
| JPH02207525A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-17 | Hitachi Ltd | 基板処理方法及び装置 |
| JPH06140368A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Fujitsu Ltd | 水素プラズマダウンフロー処理方法及び水素プラズマダウンフロー処理装置 |
| JPH11168094A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Nec Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2003209074A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Shibaura Mechatronics Corp | エッチング装置及びエッチング方法 |
| JP2004186285A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Casio Comput Co Ltd | 酸化シリコン膜の形成方法およびその装置 |
-
2005
- 2005-09-16 JP JP2005270879A patent/JP2007081341A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01123411A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-16 | Hitachi Ltd | 気相成長方法および装置 |
| JPH02207525A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-17 | Hitachi Ltd | 基板処理方法及び装置 |
| JPH06140368A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Fujitsu Ltd | 水素プラズマダウンフロー処理方法及び水素プラズマダウンフロー処理装置 |
| JPH11168094A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Nec Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2003209074A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Shibaura Mechatronics Corp | エッチング装置及びエッチング方法 |
| JP2004186285A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Casio Comput Co Ltd | 酸化シリコン膜の形成方法およびその装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011064616A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 電極表面に多数のナノサイズの針状凸部を有するカーボン酵素電極、及び、その作製方法 |
| JP5830468B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2015-12-09 | スタンレー電気株式会社 | 発電装置 |
| US9467088B2 (en) | 2010-10-29 | 2016-10-11 | Stanley Electric Co., Ltd. | Power generation device, thermal power generation method and solar power generation method |
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