JPWO2011155078A1 - 電気エネルギー蓄積装置 - Google Patents
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Abstract
この発明は、小型で、かつ、大容量の大きな電気エネルギーを得ることができる電気エネルギー蓄積装置を提供する。この発明の電気エネルギー蓄積装置は、第一電極4、誘電体層6、第二電極7を備えた電気エネルギー蓄積装置1において、第一電極4と誘電体層6との間および第二電極7と誘電体層6との間に、金属あるいは半導体あるいは表面改質したセラミックからなる集電子体の微粒子5aにより構成された集電子体層6を形成することを特徴とする。
Description
この発明は、大容量で大きな電気エネルギーを得ることができる小型の電気エネルギー蓄積装置に関する。
電気エネルギー蓄積装置として大容量のキャパシタを利用する場合は、電解キャパシタや積層セラミックキャパシタなどが一般的に用いられている。近年電気自動車を代表に大容量バッテリーヘのニーズからリチウムイオン電池の大容量化が進むとともに電解キャパシタを機能拡張した電気二重層電池の開発が盛んに行われている。また、積層セラミックキャパシタも薄膜方式での大容量化の研究が開始されている。
しかしながら、積層セラミックキャパシタなどの所謂コンデンサには、総合的な性能を低下させる電流リークの問題があった。また、リチウムイオン電池などの化学変化により電気エネルギーを蓄積する所謂電池は、充電/放電が部分的に行われるとメモリ効果の問題により性能が低下するという問題があった。
このような問題を解決するために、例えば、特許文献1〜3に巨大磁気抵抗効果を利用した電気エネルギー蓄積装置が提案されている。
巨大磁気抵抗効果(GMR:Giant Magneto-resistance Effect)とは、薄い磁性セクションと薄い非磁性セクションとが交互に形成された構造中でみられる量子力学的効果である。外部磁界が印加されると、巨大磁気抵抗効果によりゼロ磁場の高抵抗状態から高磁場の低抵抗状態へと電気抵抗が大幅に変化する。そのため、巨大磁気抵抗効果は、良好な性能を有する絶縁体として利用することができ、巨大磁気抵抗効果を有する装置は、電気エネルギーを蓄積することができる。
特開2008−177535号公報
特開2008−177536号公報
特開2009−049351号公報
特許文献1〜3に記載された電気エネルギー蓄積装置は、磁性セクションが薄膜で形成されているため、容量を増大するためには磁性セクションを2次元方向に拡大して面積を増やすことが考えられるが、その場合、装置の小型化が困難になるという問題があった。
また、電気二重層電池は、使用される材料がカーボンであるために大電圧や大電流を取り出すことが困難であり、大きな電気エネルギーを得ることが困難であった。
そこで、本発明は、小型で、かつ、大容量で大きな電気エネルギーを得ることができる電気エネルギー蓄積装置を提供することを課題とする。
上記課題を解決するためになされた請求項1に記載の発明は、導電性材料で形成された第一の電極と、導電性材料で形成され前記第一の電極と向かい合うように位置付けられている第二の電極と、前記第一の電極と前記第二の電極に挟まれるように形成された誘電体層と、を備えている電気エネルギー蓄積装置において、前記第一の電極と前記誘電体層との間および前記第二の電極と前記誘電体層との間に、金属、半導体物質又は導電的表面改質されたセラミックスの微粒子などにより構成された集電子体(以下「集電子体」という。)により集電子体層が形成されていることを特徴とする電気エネルギー蓄積装置である。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記集電子体層の微粒子が、磁性材料で形成されていることを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、前記集電子体層の微粒子が、着磁されていることを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、前記集電子体層の微粒子が、着磁されていることを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明は、導電性材料で形成された複数の第一の電極と、導電性材料で形成され複数の前記第一の電極とそれぞれ向かい合うように位置付けられている複数の第二の電極と、前記第一の電極と前記第二の電極に挟まれるように形成された複数の誘電体層と、を備えている電気エネルギー蓄積装置において、前記第一の電極と前記第二の電極に挟まれた前記誘電体層が順次積層されており、前記複数の第一の電極同士を接続する配線と、前記複数の第二の電極同士を接続する配線と、を備え、前記第一の電極と前記誘電体層との間および前記第二の電極と前記誘電体層との間には、前記集電子体層が形成されていることを特徴とするものである。
請求項5に記載の発明は、導電性材料で形成された複数の第一の電極と、導電性材料で形成され複数の前記第一の電極とそれぞれ向かい合うように位置付けられている複数の第二の電極と、前記第一の電極と前記第二の電極に挟まれるように形成された複数の誘電体層とを備えている電気エネルギー蓄積装置において、前記第一の電極と前記第二の電極に挟まれた前記誘電体層が順次積層されており、前記複数の第一の電極同士を接続する積層電極接合用縦層電極と、前記複数の第二の電極同士を接続する積層電極接合用縦層電極と、を備え、前記第一の電極と前記誘電体層との間および前記第二の電極と前記誘電体層との間には、金属あるいは半導体あるいは表面改質セラミックにより構成された集電子体層が形成されていることを特徴とするものである。
以上説明したように請求項1に記載の発明によれば、第一の電極と誘電体層との間および第二の電極と誘電体層との間に、集電子体層が形成されているので、第一の電極および第二の電極の表面積を拡大することができ、そのために蓄積できる電気エネルギーを増大させることができる。また、微粒子が金属など非カーボン材料で形成されているので、大電圧や大電流を取り出すことができ、大きな電気エネルギーを得ることができる。また、各電極と誘電体層を薄膜で形成し、集電子体の粒径がナノオーダー付近の微粒子を用いることで装置の小型化を図ることができる。
請求項2に記載の発明によれば、集電子体層の微粒子が、磁性材料で形成されているので、第一の電極と第二の電極との間に電圧を印加した場合に、電界により微粒子の磁性性能による集電率の向上が可能になり、より多くの電気エネルギーを蓄積することができる。
請求項3に記載の発明によれば、集電子体層の微粒子が、予め着磁されているので、後から着磁する必要が無く、そのための回路や装置等も必要なくなる。
請求項3に記載の発明によれば、集電子体層の微粒子が、予め着磁されているので、後から着磁する必要が無く、そのための回路や装置等も必要なくなる。
請求項4に記載の発明によれば、複数の第一の電極と、複数の第二の電極と、複数の誘電体層と、複数の第一の電極同士を接続する配線と、複数の第二の電極同士を接続する配線と、を備え、第一の電極と第二の電極に挟まれた誘電体層が順次積層されているので、それぞれが配線によって並列に接続されるので、単層よりも蓄積できる電気エネルギーを増大させることができる。また、微粒子が金属あるいは半導体あるいは表面改質セラミックで形成されているので、大電圧や大電流を取り出すことができ、大きな電気エネルギーを得ることができる。また、各電極と誘電体層を薄膜で形成し集電子体がナノオーダー付近の微粒子を用いることで装置の小型化を図ることができる。
請求項5に記載の発明によれば、第一電極(集電子体層)と第二電極(集電子体層)に挟まれた誘電体層が複数積層されて、それぞれが第一及び第二の積層電極接合用縦層電極によって並列に接続されるので、単層よりもさらに蓄積できる電気エネルギーを増大させることができる。
1 電気エネルギー蓄積装置
4 第一電極(第一の電極)
5 集電子体層(金属、半導体又は表面改質セラミックからなる集電子体層)
5a 集電子体層の微粒子
6 誘電体層
7 第2電極(第二の電極)
10 第一の積層電極接合用縦層電極(複数の第一の電極同士を接続する電極)
11 第二の積層電極接合用縦層電極(複数の第二の電極同士を接続する電極)
12 積層電極接合用縦層電極で第一の電極と第二の電極が交互に接合される様にマスキングで埋められた誘電体層
4 第一電極(第一の電極)
5 集電子体層(金属、半導体又は表面改質セラミックからなる集電子体層)
5a 集電子体層の微粒子
6 誘電体層
7 第2電極(第二の電極)
10 第一の積層電極接合用縦層電極(複数の第一の電極同士を接続する電極)
11 第二の積層電極接合用縦層電極(複数の第二の電極同士を接続する電極)
12 積層電極接合用縦層電極で第一の電極と第二の電極が交互に接合される様にマスキングで埋められた誘電体層
以下にこの発明の好適な実施の形態について図面を参照しながら説明する。
次に、本発明の実施例1を図1および図2を参照して説明する。図1に示す電気エネルギー蓄積装置1は、支持基板2と、バッファ層3と、第一電極4と、集電子体層5と、誘電体層6と、第二電極7と、端子8、9と、を備えている。
支持基板2は、特に限定しないが、例えば、シリコン単結晶、SiGe単結晶、GaAs単結晶、InP単結晶、SrTiO3単結晶、MgO単結晶、LaAlO3単結晶、ZrO2単結晶、MgAl2O4単結晶、NdGaO3単結晶、NdAIO3単結晶、LaGaO3単結晶あるいはガラス基材などによって、形成することができる。これらの中では、低コストのため、シリコン単結晶が最も好ましい。また、支持基板2の厚さは、電気エネルギー蓄積装置1全体の機械的強度を確保することができれば、とくに限定されるものではなく、例えば、10ないし1000μm程度に設定すればよい。
バッファ層3は、支持基板2の上層に形成され、支持基板2と第一電極4を構成する電極薄膜との反応を防ぐバリア層としての役割を果たす。バッファ層3を形成するための材料は、例えば、ZrO2、ReO2、ReO2−ZrO2(Reはイットリウム(Y)または希土類元素)、MgAlO4、γ一A12O3、SrTiO3、LaAlO3などによって、形成することができる。具体的には、これらの中から、支持基板2との格子整合性に優れ、熱膨張係数が、支持基板2と誘電体層6を構成する薄膜材料の間にある材料を選択して、バッファ層3を形成することが好ましい。また、バッファ層3は単層構造であっても、多層構造であってもよい。そして、バッファ層3の厚さは、支持基板2と第一電極4を構成する電極薄膜との反応を防ぐバリア層としての機能を確保することができれば、特に限定されず、例えば、1ないし1000nm程度に設定すればよい。
なお、バッファ層3は設けなくてもよい。バッファ層3を設けない場合は、支持基板2の表面に、第一電極4を形成する。
第一電極4は、バッファ層3の上層に薄膜に形成され、例えば、白金(Pt)、ルテニゥム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)などの導電性の金属によって、形成することができる。具体的には、これらの材料の中から、支持基板2あるいはバッファ層3との格子整合性に優れた材料を選択して形成することが好ましい。また、第一電極4の電極薄膜の厚さは、薄膜キャパシタの一方の電極として機能することができれば、特に限定されるものではなく、例えば、500〜2000nm程度に設定すればよい。
集電子体層5は、金属、半導体物質又は導電的表面改質されたセラミックスの微粒子などにより構成されるが、本実施例の集電子体層5は、集電子体の微粒子5a(図2を参照)の積層をスパッタリング法などにより、第一電極4の表面(上層)に粒子径を制御しながら成形する。粒子径は200〜2000nm程度で設定され、積層数は5〜20層程度で成形され合わせて1μm〜2μm程度の厚みに複合積層される(図2は2層の例である)。微粒子5aの材料は、磁性材料として、鉄コバルト合金などの軟磁性材料あるいはマンガン酸化物のようにコロッサル効果(超巨大磁気抵抗効果)により磁性抵抗が常温で極めて高い材料を選定する。また、微粒子5aの材料として、第一電極4と同一の材料、即ち磁性材料ではない導電性の金属を用いてもよい。微粒子5aの材料として第一電極4と同一の材料の場合は電極の表面積を100〜1000倍に増大させることができる。また、磁性材料を用いた場合は磁界の集電効果により電気エネルギーの蓄積量をさらに50〜100倍に増大させることができる。
誘電体層6は、第一電極4に積層した集電子体層5の上層に形成される。誘電体層6の材料としては高い誘電率を持つ材料、例えばチタン酸バリウムで形成される。誘電体層6は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法(PLD)、有機金属化学気相成長法(metal-organic chemical vapor deposition:MOCVD)、有機金属分解法(metal-organicdeacomposition:MOD)やゾル・ゲル法などの液相法(CSD法)などの各種薄膜形成法を用いて形成することができる。特に低温で、誘電体層6を形成する必要がある場合には、プラズマCVD、光CVD、レーザーCVD、光CSD、レーザーCSD法を用いることが好ましい。なお、誘電体層6は、図1に示したように各層を薄膜で形成して(集電子体層5は微粒子のまま層を形成して)順次積層するため固体に形成される誘電体を用いる。
誘電体層6の表面(上層〉には、第一電極4と同様に集電子体層5をスパッタリング法などにより粒子径を制御しながら成形する。粒子系は200〜2000nm程度で設定され、積層数は5層程度で成形され合わせて1μm〜2μm程度の厚みに複合積層される。
第二電極7は、誘電体層6の上層に形成した集電子体層5の上層に薄膜に形成されている。第二電極7は、導電性を有していれば特に限定されるものではなく、第一電極4と同様な材料によって形成することができるが、格子整合性を考慮する必要はなく、また、室温で形成することができるから、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)などの卑金属や、WSi、MoSiなどの合金を用いて形成することもできる。また、第二電極7の電極薄膜の厚さは、薄膜キャパシタの他方の電極として機能することができれば、特に限定されるものではなく、例えば、1000〜10000nm程度に設定すればよい。
端子8は、第一電極4から引き出され、図示しない入出力回路等と接続するための一方の端子であり、端子8を引き出すために第一電極4は表出してマスキングで部分露出が行われている。端子9は、第二電極7から引き出され、図示しない入出力回路等と接続するための他方の端子である。
上述したように形成することで、第一電極4と誘電体層6および第2電極7と誘電体層6の間に集電子体層5が形成される。
上述した電気エネルギー蓄積装置1は、図示しない電源装置などに端子8、9を接続することで、電荷(電気エネルギー)を充電(蓄積)する。この際に集電子体層5の微粒子5aが磁性材料で構成されていれば、(超)巨大磁気抵抗効果により電流のリークを防止して誘電体層6により多くの電荷を蓄積することができる。そして、端子8、9を電源装置から図示しない負荷に付け替えることで充電した電荷を放電して負荷に電気エネルギーを供給し動作させることができる。したがって、この電気エネルギー蓄積装置1は、薄膜キャパシタとして動作する。
本実施例によれば、第一電極4と誘電体層6との間および第二電極7と誘電体層6との間に、集電子体の微粒子5aにより構成された集電子体層6が形成されているので、第一電極4および第二電極7の表面積を拡大することができ、そのために蓄積できる電気エネルギーを増大させることができる。また、微粒子5aが非カーボン基材で形成されているので、大電圧や大電流を取り出すことができ、大きな電気エネルギーを得ることができる。
また、集電子体層5の微粒子5aが、磁性材料で形成されているので、第一電極4と第二電極7との間に電圧を印加した場合に、電界により微粒子5aの磁性性能による集電率の向上が可能になり、より多くの電気エネルギーを蓄積することができる。
なお、上述した集電子体層5の微粒子5aを磁性材料で形成する際は、予め着磁された状態で微粒子層を形成してもよいし、電気エネルギー形成装置1として製造して当該電気エネルギー形成装置1使用前に外部から磁界をかけて着磁してもよい。予め着磁すれば、後から着磁する必要が無く、そのための回路や装置等も必要ない。
本発明の実施例2を図3を参照して説明する。なお、前述した実施例1と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
本実施例2は、図3に示すように、支持基板2、バッファ層3の上層に、第一電極4、集電子体層5、誘電体層6、集電子体層5、第二電極7、集電子体層5、誘電体層6、集電子体層5、第一電極4、…、というように第一電極4または第二電極7のいずれかと集電子体層5および誘電体層6さらにその上に形成される集電子体層5が順次交互に奇数層を積層する。
積層にあたり各電極は交互にボンディングされ一対の対極を構成するために、1層おきに交互にボンディングを可能とするようにマスキングにより部分露出を行う。本実施例では積層数(形成される薄膜キャパシタの積層数、つまり誘電体層6の数)を例えば5〜100程度を設定する。
積層にあたり各電極は交互にボンディングされ一対の対極を構成するために、1層おきに交互にボンディングを可能とするようにマスキングにより部分露出を行う。本実施例では積層数(形成される薄膜キャパシタの積層数、つまり誘電体層6の数)を例えば5〜100程度を設定する。
第一電極4と第2電極7は、交互に第一の積層電極接合用縦層電極10、第2の積層電極接合用縦層電極11のボンディング線によりそれぞれ結合されることで、最下位の電極から数えて奇数電極を第一電極4、偶数電極を第2電極7として分離される。即ち、前記ボンディング線が複数の第一の電極同士を接続する配線および複数の第二の電極同士を接続する配線となる。そして、第一電極4、第2電極7それぞれから端子8、9を引き出し、図示しない入出力回路等に接続される。
このようにすることで、複数の第一電極4と複数の第2電極7と複数の誘電体層6とを備え、第一電極4(集電子体層5)と第二電極7(集電子体層5)に挟まれた誘電体層6が順次積層された電気エネルギー蓄積装置1’を構成することができる。
本実施例によれば、第一電極4(集電子体層5)と第二電極7(集電子体層5)に挟まれた誘電体層6が複数積層されて、それぞれが第一の積層電極接合用縦層電極10、第2の積層電極接合用縦層電極11のボンディング線によって並列に接続されるので、単層よりもさらに蓄積できる電気エネルギーを増大させることができる。
本発明の実施例3を図4を参照して説明する。
なお、前述した実施例2と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
なお、前述した実施例2と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
本実施例3は、図4に示すように、支持基板2、バッファ層3の上層に、第一電極4、集電子体層5、誘電体層6、集電子体層5、第二電極7、集電子体層5、誘電体層6、集電子体層5、第一電極4、…、というように第一電極4または第二電極7のいずれかと集電子体層5および誘電体層6さらにその上に形成される集電子体層5が順次交互に奇数層を積層する。
積層にあたり各電極は交互に積層電極接合用縦層電極に接合され一対の対極を構成するために、1層おきに交互に接合を可能とするようにマスキングにより部分露出を行いかつ絶縁誘電体層12を積層する。本実施例では積層数(形成される薄膜キャパシタの積層数、つまり誘電体層6の数)を例えば5〜100程度を設定する。
積層にあたり各電極は交互に積層電極接合用縦層電極に接合され一対の対極を構成するために、1層おきに交互に接合を可能とするようにマスキングにより部分露出を行いかつ絶縁誘電体層12を積層する。本実施例では積層数(形成される薄膜キャパシタの積層数、つまり誘電体層6の数)を例えば5〜100程度を設定する。
第一電極4と第2電極7は、交互に10、11によりそれぞれ結合されることで、最下位の電極から数えて奇数電極を第一電極4、偶数電極を第2電極7として分離される。即ち、第一及び第二の積層電極接合用縦層電極10、11が複数の第一の電極同士を接続する電極および複数の第二の電極同士を接続する電極となる。そして、第一電極4、第2電極7それぞれから端子8、9を引き出し、図示しない入出力回路等に接続される。
このようにすることで、複数の第一電極4と複数の第2電極7と複数の誘電体層6とを備え、第一電極4(集電子体層5)と第二電極7(集電子体層5)に挟まれた誘電体層6が順次積層された電気エネルギー蓄積装置1’を構成することができる。
本実施例によれば、第一電極4(集電子体層5)と第二電極7(集電子体層5)に挟まれた誘電体層6が複数積層されて、それぞれが第一及び第二の積層電極接合用縦層電極10、11によって並列に接続されるので、単層よりもさらに蓄積できる電気エネルギーを増大させることができる。
なお、上述した3つの実施例では、各層は矩形平型の形状で積層していくが、マスキングの方式、薄膜成形方式により自由な形状を選択することが出来る。
また、上述した実施例は本発明の代表的な形態を示したに過ぎず、本発明は、実施例の構成に限定されるものではない。すなわち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
Claims (5)
- 導電性材料で形成された第一の電極と、導電性材料で形成され前記第一の電極と向かい合うように位置付けられている第二の電極と、前記第一の電極と前記第二の電極に挟まれるように形成された誘電体層と、を備えている電気エネルギー蓄積装置において、
前記第一の電極と前記誘電体層との間および前記第二の電極と前記誘電体層との間に、金属の微粒子などにより構成された集電子層が形成されていることを特徴とする電気エネルギー蓄積装置。 - 前記集電子層の金属の微粒子が、磁性材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電気エネルギー蓄積装置。
- 前記金属微粒子層の微粒子が、着磁されていることを特徴とする請求項2に記載の電気エネルギー蓄積装置。
- 導電性材料で形成された複数の第一の電極と、導電性材料で形成され複数の前記第一の電極とそれぞれ向かい合うように位置付けられている複数の第二の電極と、前記第一の電極と前記第二の電極に挟まれるように形成された複数の誘電体層とを備えている電気エネルギー蓄積装置において、
前記第一の電極と前記第二の電極に挟まれた前記誘電体層が順次積層されており、
前記複数の第一の電極同士を接続する配線と、
前記複数の第二の電極同士を接続する配線と、を備え、
前記第一の電極と前記誘電体層との間および前記第二の電極と前記誘電体層との間には、金属あるいは半導体あるいは表面改質セラミックにより構成された集電子体層が形成されていることを特徴とする電気エネルギー蓄積装置。 - 導電性材料で形成された複数の第一の電極と、導電性材料で形成され複数の前記第一の電極とそれぞれ向かい合うように位置付けられている複数の第二の電極と、前記第一の電極と前記第二の電極に挟まれるように形成された複数の誘電体層とを備えている電気エネルギー蓄積装置において、
前記第一の電極と前記第二の電極に挟まれた前記誘電体層が順次積層されており、
前記複数の第一の電極同士を接続する積層電極接合用縦層電極と、
前記複数の第二の電極同士を接続する積層電極接合用縦層電極と、を備え、
前記第一の電極と前記誘電体層との間および前記第二の電極と前記誘電体層との間には、金属あるいは半導体あるいは表面改質セラミックにより構成された集電子体層が形成されていることを特徴とする電気エネルギー蓄積装置。
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JP6745700B2 (ja) * | 2016-10-17 | 2020-08-26 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
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KR102646793B1 (ko) * | 2021-07-23 | 2024-03-13 | 삼성전자주식회사 | 커패시터, 이를 포함하는 전자 소자, 및 이의 제조방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03133114A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-06 | Tdk Corp | 積層型セラミックチップコンデンサおよびその製造方法 |
JPH06188146A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-08 | Taiyo Yuden Co Ltd | 表面非突出導体部具備薄膜体及びその製造方法 |
JPH0969462A (ja) * | 1995-08-31 | 1997-03-11 | Murata Mfg Co Ltd | 積層電子部品 |
JPH0997740A (ja) * | 1995-03-15 | 1997-04-08 | Omron Corp | 薄膜コンデンサおよびその製造方法並びに混成回路基板およびその実装方法 |
JPH10335167A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | グラビア電極インキ及びその製造方法及び積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2007013105A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Alps Electric Co Ltd | キャパシタ |
JP2008103687A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Samsung Electro Mech Co Ltd | キャパシタ及びその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4875136A (en) * | 1987-09-03 | 1989-10-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic capacitor and method of manufacturing the same |
JP4295179B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2009-07-15 | Tdk株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
US20090289289A1 (en) * | 2007-10-05 | 2009-11-26 | Northern Lights Semiconductor Corp. | Dram cell with magnetic capacitor |
US7821771B2 (en) * | 2008-04-11 | 2010-10-26 | Northern Lights Semiconductor Corp. | Apparatus for storing electrical energy |
KR101025523B1 (ko) * | 2008-12-04 | 2011-04-04 | 삼성전기주식회사 | 캐패시터 |
US20100214718A1 (en) * | 2009-02-24 | 2010-08-26 | Chia-Fu Yeh | Magnetic capacitor |
US7911029B2 (en) * | 2009-07-11 | 2011-03-22 | Ji Cui | Multilayer electronic devices for imbedded capacitor |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03133114A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-06 | Tdk Corp | 積層型セラミックチップコンデンサおよびその製造方法 |
JPH06188146A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-08 | Taiyo Yuden Co Ltd | 表面非突出導体部具備薄膜体及びその製造方法 |
JPH0997740A (ja) * | 1995-03-15 | 1997-04-08 | Omron Corp | 薄膜コンデンサおよびその製造方法並びに混成回路基板およびその実装方法 |
JPH0969462A (ja) * | 1995-08-31 | 1997-03-11 | Murata Mfg Co Ltd | 積層電子部品 |
JPH10335167A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | グラビア電極インキ及びその製造方法及び積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2007013105A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Alps Electric Co Ltd | キャパシタ |
JP2008103687A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Samsung Electro Mech Co Ltd | キャパシタ及びその製造方法 |
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