CN110726736B - 一种无源低功耗的微波检测方法及其装置和制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种无源低功耗的微波检测方法及其装置和制备方法，制备反铁磁拓扑绝缘体层，在微波能量下，反铁磁拓扑绝缘体层中自旋发生进动产生自旋流，由于拓扑表面态自旋动量锁定的特征，自旋流会在表面上自发产生定向的电荷流。通过电极检测该电荷流，实现微波的无源低功耗探测。由于多层的反铁磁拓扑绝缘体层可视为由反铁磁层和拓扑绝缘体层的双层结构的周期性堆垛而成，因此微波检测灵敏度成倍地增加。拓扑表面态表现出强鲁棒性和低耗散的电流传输特性，降低了微波检测的功耗。本发明既充分利用了拓扑表面态表现出强鲁棒性以及独一无二的电学传输特性，又利用了反铁磁层的微波共振，使得这种结构能实现无源的更低功耗的微波检测。

Description

一种无源低功耗的微波检测方法及其装置和制备方法
技术领域
本发明属于自旋电子器件技术领域，特别涉及一种无源低功耗的微波检测方法及其装置和制备方法。
背景技术
自旋电子学不仅利用了电子电荷的相关知识，还利用了电子自旋的一些理论。自旋电子学的优势包括低功耗、更少的能源需求、具有较强竞争力的数据传输能力和较大的存储容量。它已被用于各种信息处理设备、存储器和内存设备—尤其是应用在超高密度硬盘驱动器和非易失性存储器。
早在1940年，人们就意识到了自旋共振的存在。在外磁场上，磁矩会发生进动，就像陀螺一样。这种自旋共振从量子的角度理解，就是在磁场作用下，自旋发生赛曼劈裂，不同的自旋方向，能量不同，对于铁磁体，这个能量的差异正好在微波频段。因此，当微波频率正好与这个能量的差异相同，就会发生共振吸收，从而微波被探测到。
最直接的微波探测方案就是测量一般磁性金属吸收微波后的电阻变化。其基本工作原理是：磁矩在微波交流磁场作用下进动，导致电阻交流变化，它与微波电流发生耦合，由于电流和电阻的频率一样，两者相乘之后就可以得到一个直流电压信号，从而把微波信号转化为直流信号而被检测。这种器件非常简单，而且具有可扩展性，很容易优化。这种最简单结构很明显的缺点就是磁电阻很小。我们知道一般磁性金属的磁电阻经常只有百分之几，灵敏度低。
更大磁电阻的体系这种器件采用三种材料，两个磁性层，一层磁矩是固定的，另外一层磁矩是自由。这种三层膜结构的特点是电阻大小和两层铁磁体磁矩的相对夹角相关。由于这个体系的磁电阻很大，室温下磁电阻可以达到300％，比磁性金属的磁电阻大1万倍，因此检测的效率就可能大大增强。但这里主要采用铁磁金属系统，所以系统的功耗很高。
因此，基于铁磁金属的现有的微波检测方法需要进一步的改进。
发明内容
为了解决现有技术中的问题，本发明提供一种无源低功耗的微波检测方法及其装置和制备方法。该装置反铁磁拓扑绝缘体层或反铁磁层和拓扑绝缘体层的双层结构，既充分利用了拓扑表面态表现出强鲁棒性以及独一无二的电学传输特性，又利用了反铁磁层的微波共振，使得该结构能实现无源的更低功耗的微波检测。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案为：
一种无源低功耗的微波检测方法，利用反铁磁拓扑绝缘体层表面态的自旋动量锁定，由微波能量在反铁磁拓扑绝缘体层中产生的自旋流，被转换为电流，从而实现微波信号的无源检测；或利用反铁磁层在微波能量下产生自旋流，拓扑绝缘体层的拓扑表面态将自旋流自发转化为定向电荷流，通过电极检测表面态中的定向电荷流，实现无源低功耗的微波检测。
一种无源低功耗的微波检测装置，包括至少一层反铁磁拓扑绝缘体层和分为两块设置在位于最上层的反铁磁拓扑绝缘体层上的电极层，或包括至少一组自下至上依次堆叠设置的反铁磁层和拓扑绝缘体层的双层结构，以及两块设置在位于最上层的拓扑绝缘体层上的电极层。
优选地，所述反铁磁拓扑绝缘体层为反铁磁拓扑绝缘体材料的薄膜、纳米片或纳米线，反铁磁拓扑绝缘体层通过脉冲激光沉积、分子束外延、机械转移或化学气相沉积的方法制备。
优选地，所述反铁磁层为反铁磁材料的薄膜、纳米片或纳米线，反铁磁层通过脉冲激光沉积、分子束外延、机械转移或化学气相沉积的方法制备。
优选地，所述拓扑绝缘体层为拓扑绝缘体材料的薄膜、纳米片或纳米线，拓扑绝缘体层通过脉冲激光沉积、分子束外延、机械转移或化学气相沉积的方法制备。
优选地，所述电极层为金、银、铜、铂、镍或铟层。
进一步的，采用反铁磁拓扑绝缘体层进行微波检测，利用反铁磁拓扑绝缘体层表面态的自旋动量锁定，由微波能量在反铁磁拓扑绝缘体层中产生的自旋流，被转换为电压，从而实现微波信号的无源检测。
进一步的，采用反铁磁层和拓扑绝缘体层的双层结构进行微波检测，微波能量在反铁磁层中产生的自旋流，拓扑绝缘体层表面态的自旋动量锁定，将自旋流转换为电压，从而实现微波信号的无源检测。
一种无源低功耗的微波检测方法，包括以下步骤：
S1、选取衬底，依次采用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗；
S2、通过高温熔融法制备反铁磁拓扑绝缘体单晶，将Mn、Bi、Te的粉末按1：2：4的摩尔比放入石英管中，再将石英管垂直放入马弗炉中，通过12h升到950℃，保持该温度12h，再通过3000min降到585℃，保持该温度24h后，降到室温，得到MnBi2Te4块材；
S3、所述步骤S2中得到的MnBi2Te4块材通过机械剥离法得到纳米片，利用胶带解离MnBi2Te4块材，获得薄层反铁磁拓扑绝缘体，并将其至少一次转移到衬底上，得到一层或多层反铁磁拓扑绝缘体层；制备的薄层(单层)反铁磁拓扑绝缘体的厚度为5～10nm，长度为10-50μm，宽度为5-30μm，制备的多层反铁磁拓扑绝缘体的总厚度为10～100nm，长度为10-50μm，宽度为5-30μm。
S4、在步骤S3中得到的位于最上层的反铁磁拓扑绝缘体层上制备电极层；优选地，在步骤S3中得到的位于最上层的反铁磁拓扑绝缘体层上沉积金电极。蒸镀时，腔体真空度10-4Pa，衬底温度20℃，沉积速率
Figure BDA0002238673680000031
制备的金电极厚度50-100nm。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明采用反铁磁拓扑绝缘体层或反铁磁层和拓扑绝缘体层的双层结构，既充分利用了拓扑表面态表现出强鲁棒性以及独一无二的电学传输特性，又利用了反铁磁层的微波共振，使得这种结构能实现无源的更低功耗的微波检测。
附图说明
图1是本发明中具有反铁磁拓扑绝缘体层的侧视图；
图2是本发明中具有单层反铁磁拓扑绝缘体层的检测原理图；
图3是本发明中具有多层反铁磁拓扑绝缘体层的检测原理图；
图4是本发明中堆垛反铁磁层和拓扑绝缘体层的双层结构的侧视图；
其中：1-反铁磁拓扑绝缘体层，2-反铁磁层，3-拓扑绝缘体层，4-电极层，5-微波，6-自旋流，7-电流。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作更进一步的说明。
本发明的原理：利用反铁磁拓扑绝缘体层表面态的自旋动量锁定，由微波能量在反铁磁拓扑绝缘体层中产生的自旋流，被转换为电压，从而实现微波信号的无源检测；利用反铁磁层+拓扑绝缘体层拓扑表面态两者的特性实现无源低功耗的微波检测，反铁磁层具有在微波能量下的产生自旋流的特性，拓扑表面态具有将自旋流自发转化为定向电荷流的特性。此外，拓扑表面态具有强鲁棒性和低耗散的电流传输特性。因此，通过电极检测表面态中的定向电荷流，可以实现无源低功耗的微波检测。
进一步的，反铁磁拓扑绝缘体层或堆垛反铁磁层2和拓扑绝缘体层3的双层结构，结合反铁磁原子层+拓扑绝缘体层3的拓扑表面态两者的特性，在微波作用下反铁磁层中的自旋会发生进动产生自旋流，由于拓扑表面态自旋动量锁定的特征，反铁磁层中自旋流会自发产生定向的电荷流。通过检测这一定向的低耗散电荷流，从而实现微波的无源低功耗探测。反铁磁拓扑绝缘体可以视为由反铁磁层2和拓扑绝缘体层3的双层结构的周期性堆垛而成，因此微波产生的自旋流会成倍累加，大大增加了微波检测的灵敏度。此外拓扑表面态表现出强鲁棒性和低耗散的电流传输特性，进一步降低了微波检测的功耗。
如图1所示，一种无源低功耗的微波检测装置，包括至少一层反铁磁拓扑绝缘体层和分为两块设置在位于最上层的反铁磁拓扑绝缘体层上的电极层，或包括至少一组自下至上依次堆叠设置的反铁磁层和拓扑绝缘体层的双层结构，以及两块设置在位于最上层的拓扑绝缘体层上的电极层。
作为一个优选方案，所述反铁磁拓扑绝缘体层为反铁磁拓扑绝缘体材料的薄膜、纳米片或纳米线，进一步的，反铁磁拓扑绝缘体层通过脉冲激光沉积、分子束外延、机械转移或化学气相沉积的方法制备。
作为一个优选方案，所述反铁磁层为反铁磁材料的薄膜、纳米片或纳米线，进一步的，反铁磁层通过脉冲激光沉积、分子束外延、机械转移或化学气相沉积的方法制备。
作为一个优选方案，所述拓扑绝缘体层为拓扑绝缘体材料的薄膜、纳米片或纳米线，进一步的，拓扑绝缘体层通过脉冲激光沉积、分子束外延、机械转移或化学气相沉积的方法制备。
作为一个优选方案，所述电极层为金、银、铜、铂、镍或铟层。
进一步的，采用反铁磁拓扑绝缘体层进行微波检测，利用反铁磁拓扑绝缘体层表面态的自旋动量锁定，由微波能量在反铁磁拓扑绝缘体层中产生的自旋流，被转换为电压，从而实现微波信号的无源检测。
进一步的，采用反铁磁层和拓扑绝缘体层的双层结构进行微波检测，微波能量在反铁磁层中产生的自旋流，拓扑绝缘体层表面态的自旋动量锁定，将自旋流转换为电压，从而实现微波信号的无源检测。
一组反铁磁层2和拓扑绝缘体层3的双层结构在微波能量下形成定向电荷流I，n组反铁磁层2和拓扑绝缘体层3的双层结构在微波能量下形成定向电荷流n*I，微波检测灵敏度成倍地增加。
在微波5作用下，发生反铁磁自旋共振，形成自旋流6，由于表面态的自旋轨道耦合作用，反铁磁拓扑绝缘体层中自发形成电流7，如图2所示。
在微波5作用下，多层的反铁磁拓扑绝缘体层中每层都会贡献电流7，可以起到检测信号放大的作用，如图3所示。既充分利用了拓扑表面态表现出强鲁棒性以及独一无二的电学传输特性，又利用了反铁磁层的微波共振，使得这种结构能实现无源的更低功耗的微波检测。
下面通过实施例对无源低功耗的微波检测装置的制备方法进行描述，
实施例1
一种无源低功耗的微波检测装置的制备方法，包括以下步骤：
S1、选用单晶硅作为衬底，依次采用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗。
S2、通过高温熔融法制备反铁磁拓扑绝缘体单晶，将Mn、Bi、Te的粉末按1：2：4的摩尔比放入石英管中，再将石英管垂直放入马弗炉中，通过12h升到950℃，保持该温度12h，再通过3000min降到585℃，保持该温度24h后，降到室温，得到MnBi2Te4块材；
S3、所述步骤S2中得到的MnBi2Te4块材通过机械剥离法得到纳米片，利用胶带解离MnBi2Te4块材，获得薄层反铁磁拓扑绝缘体，并将其转移到单晶硅衬底上，制备的薄层反铁磁拓扑绝缘体的厚度为5～10nm，长度为10-50μm，宽度为5-30μm；
S4、在步骤S3中得到的位于最上层的反铁磁拓扑绝缘体层上制备电极层；优选地，在步骤S3中得到的位于最上层的反铁磁拓扑绝缘体层上沉积金电极。蒸镀时，腔体真空度10-4Pa，衬底温度20℃，沉积速率
Figure BDA0002238673680000051
制备的金电极厚度50-100nm。
实施例2
一种无源低功耗的微波检测装置的制备方法，包括以下步骤：
S1、选用单晶硅作为衬底，依次采用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗。
S2、通过高温熔融法制备反铁磁拓扑绝缘体单晶，将Mn、Bi、Te的粉末按1：2：4的摩尔比放入石英管中，再将石英管垂直放入马弗炉中，通过12h升到950℃，保持该温度12h，再通过3000min降到585℃，保持该温度24h后，降到室温，得到MnBi2Te4块材；
S3、所述步骤S2中得到的MnBi2Te4块材通过机械剥离法得到纳米片，利用胶带解离MnBi2Te4块材，获得薄层反铁磁拓扑绝缘体，并将其多次转移到单晶硅衬底上，得到多层反铁磁拓扑绝缘体，制备的多层反铁磁拓扑绝缘体的总厚度为10～10 0nm，长度为10-50μm，宽度为5-30μm。
S4、在步骤S3中得到的位于最上层的反铁磁拓扑绝缘体层上制备电极层；优选地，在步骤S3中得到的位于最上层的反铁磁拓扑绝缘体层上沉积金电极。蒸镀时，腔体真空度10-4Pa，衬底温度20℃，沉积速率
Figure BDA0002238673680000061
制备的金电极厚度50-100nm。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (1)

1.一种无源低功耗的微波检测方法，其特征在于，利用反铁磁拓扑绝缘体层表面态的自旋动量锁定，由微波能量在反铁磁拓扑绝缘体层中产生的自旋流，被转换为电流，从而实现微波信号的无源检测；或利用反铁磁层在微波能量下产生自旋流，拓扑绝缘体层的拓扑表面态将自旋流自发转化为定向电荷流，通过电极检测表面态中的定向电荷流，实现无源低功耗的微波检测；
微波检测方法采用微波检测装置，微波检测装置包括至少一层反铁磁拓扑绝缘体层和分为两块设置在位于最上层的反铁磁拓扑绝缘体层上的电极层，或包括至少一组自下至上依次堆叠设置的反铁磁层和拓扑绝缘体层的双层结构，以及两块设置在位于最上层的拓扑绝缘体层上的电极层；
所述反铁磁拓扑绝缘体层为反铁磁拓扑绝缘体材料的薄膜、纳米片或纳米线；
所述反铁磁层为反铁磁材料的薄膜、纳米片或纳米线；
所述拓扑绝缘体层为拓扑绝缘体材料的薄膜、纳米片或纳米线；
所述电极层为金、银、铜、铂、镍或铟层；
所述反铁磁拓扑绝缘体层或反铁磁层和拓扑绝缘体层的双层结构均通过分子束外延、机械剥离法、高温熔融法、脉冲激光沉积或化学气相沉积的方法形成；
采用反铁磁拓扑绝缘体层进行微波检测，利用反铁磁拓扑绝缘体层表面态的自旋动量锁定，由微波能量在反铁磁拓扑绝缘体层中产生的自旋流，被转换为电压，从而实现微波信号的无源检测；
采用反铁磁层和拓扑绝缘体层的双层结构进行微波检测，微波能量在反铁磁层中产生的自旋流，拓扑绝缘体层表面态的自旋动量锁定，将自旋流转换为电压，从而实现微波信号的无源检测；
无源低功耗的微波检测装置的制备方法，包括以下步骤：
S1、选取衬底，依次采用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗；
S2、通过高温熔融法制备反铁磁拓扑绝缘体单晶，将Mn、Bi、Te的粉末按1：2：4的摩尔比放入石英管中，再将石英管垂直放入马弗炉中，通过12h升到950℃，保持该温度12h，再通过3000min降到585℃，保持该温度24h后，降到室温，得到MnBi2Te4块材；
S3、所述步骤S2中得到的MnBi2Te4块材通过机械剥离法得到纳米片，利用胶带解离MnBi2Te4块材，获得薄层反铁磁拓扑绝缘体，并将其至少一次转移到衬底上，得到一层或多层反铁磁拓扑绝缘体层；
S4、在步骤S3中得到的位于最上层的反铁磁拓扑绝缘体层上制备电极层。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113281574A (zh) * 2020-02-19 2021-08-20 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 微波探测装置
CN111487289A (zh) * 2020-03-26 2020-08-04 南京大学 一种低功耗的氢气检测方法
CN111487475A (zh) * 2020-03-26 2020-08-04 南京大学 一种无源低功耗的微波检测方法
CN112002766B (zh) * 2020-08-28 2023-07-25 河南师范大学 一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度PN结二极管整流器
CN112002782B (zh) * 2020-08-28 2022-03-01 河南师范大学 一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度光电传感器
CN112002760B (zh) * 2020-08-28 2023-05-23 河南师范大学 一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度场效应晶体管
CN112363096A (zh) * 2020-09-28 2021-02-12 南京大学 一种基于磁性拓扑绝缘体薄膜的磁传感器制备方法
CN113540149A (zh) * 2021-07-12 2021-10-22 南方科技大学 可编程的多量子态存储器及制备方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1992104A (zh) * 2005-12-31 2007-07-04 中国科学院物理研究所 一种环状磁性多层膜及其制备方法和用途
CN101058435A (zh) * 2007-02-02 2007-10-24 吉林大学 三重价态钙钛矿型锰氧化物薄膜材料及其制备和应用
CN101154387A (zh) * 2006-09-28 2008-04-02 富士通株式会社 磁头及其制造方法
CN101276878A (zh) * 2007-03-30 2008-10-01 株式会社东芝 磁阻效应元件及其制造方法
CN101359714A (zh) * 2007-07-30 2009-02-04 Tdk株式会社 具有有多个自由层的薄叠层与厚偏磁层的磁场探测元件
CN101901867A (zh) * 2009-05-29 2010-12-01 国际商业机器公司 磁阻存储器器件和集成电路以及形成自旋扭矩结构的方法
CN102637939A (zh) * 2012-04-28 2012-08-15 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种基于垂直磁化自由层的自旋微波振荡器及其制造方法
CN103332933A (zh) * 2013-05-23 2013-10-02 浙江原邦材料科技有限公司 一种LaAgMnO3/Ni2Z型复合吸波材料的制备方法
CN106252503A (zh) * 2015-06-15 2016-12-21 中国科学院物理研究所 基于反铁磁材料的超高频自旋微波振荡器
CN106597102A (zh) * 2016-12-12 2017-04-26 四川大学 磁性薄膜结构以及含有其的磁敏传感器器件、应用方法
CN108242858A (zh) * 2016-12-27 2018-07-03 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种基于电子自旋属性的新型射频微波能量采集装置
CN111979581A (zh) * 2019-05-22 2020-11-24 清华大学 MnBi2Te4块体单晶的制备方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10163399A1 (de) * 2001-12-21 2003-07-10 Sustech Gmbh & Co Kg Nanopartikuläre Zubereitung
US8860156B2 (en) * 2012-09-11 2014-10-14 Headway Technologies, Inc. Minimal thickness synthetic antiferromagnetic (SAF) structure with perpendicular magnetic anisotropy for STT-MRAM
JP6161147B2 (ja) * 2013-01-25 2017-07-12 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ペロブスカイト構造を利用した電場調整可能なトポロジカル絶縁体
CN203536550U (zh) * 2013-10-10 2014-04-09 中国科学院上海技术物理研究所 用于测量深低温强磁场下样品表面态的反射式谐振腔
US9425738B2 (en) * 2014-11-13 2016-08-23 Regents Of The University Of Minnesota Spin current generation with nano-oscillator
US9929338B2 (en) * 2015-10-09 2018-03-27 The Regents Of The University Of California Spin current devices and methods of fabrication thereof
CN106817124A (zh) * 2015-11-30 2017-06-09 中国科学院物理研究所 基于自旋电子学器件的太赫兹信号发生器
US10601371B2 (en) * 2016-05-05 2020-03-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Phase-locked spin torque oscillator array
EP3249705B1 (en) * 2016-05-24 2019-12-18 IMEC vzw Tunable magnonic crystal device and filtering method
US20180106873A1 (en) * 2016-10-19 2018-04-19 National University Of Singapore Method for providing a magnetic sensor with a biasing spin-orbit effective field
CN108075034B (zh) * 2016-11-15 2021-04-23 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种微波探测元件以及微波探测器
US10923651B2 (en) * 2017-08-16 2021-02-16 National University Of Singapore Spin orbit materials for efficient spin current generation
US20190245155A1 (en) * 2018-01-24 2019-08-08 Stephan HEATH Methods, products, and systems relating to making, providing, and using nanocrystalline cellulose superlattice solar cells to produce electricity
CN110197682B (zh) * 2018-02-27 2021-04-13 中电海康集团有限公司 存储单元、存储器以及数据写入方法
CN111487475A (zh) * 2020-03-26 2020-08-04 南京大学 一种无源低功耗的微波检测方法
CN113361223B (zh) * 2021-06-09 2023-06-23 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院) 面向sot-mram相关电路的自旋电子工艺设计系统

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1992104A (zh) * 2005-12-31 2007-07-04 中国科学院物理研究所 一种环状磁性多层膜及其制备方法和用途
CN101154387A (zh) * 2006-09-28 2008-04-02 富士通株式会社 磁头及其制造方法
CN101058435A (zh) * 2007-02-02 2007-10-24 吉林大学 三重价态钙钛矿型锰氧化物薄膜材料及其制备和应用
CN101276878A (zh) * 2007-03-30 2008-10-01 株式会社东芝 磁阻效应元件及其制造方法
CN101359714A (zh) * 2007-07-30 2009-02-04 Tdk株式会社 具有有多个自由层的薄叠层与厚偏磁层的磁场探测元件
CN101901867A (zh) * 2009-05-29 2010-12-01 国际商业机器公司 磁阻存储器器件和集成电路以及形成自旋扭矩结构的方法
CN102637939A (zh) * 2012-04-28 2012-08-15 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种基于垂直磁化自由层的自旋微波振荡器及其制造方法
CN103332933A (zh) * 2013-05-23 2013-10-02 浙江原邦材料科技有限公司 一种LaAgMnO3/Ni2Z型复合吸波材料的制备方法
CN106252503A (zh) * 2015-06-15 2016-12-21 中国科学院物理研究所 基于反铁磁材料的超高频自旋微波振荡器
CN106597102A (zh) * 2016-12-12 2017-04-26 四川大学 磁性薄膜结构以及含有其的磁敏传感器器件、应用方法
CN108242858A (zh) * 2016-12-27 2018-07-03 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种基于电子自旋属性的新型射频微波能量采集装置
CN111979581A (zh) * 2019-05-22 2020-11-24 清华大学 MnBi2Te4块体单晶的制备方法

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