JPWO2011132744A1 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
本発明の半導体装置の製造方法は、マスキング用インク(24)を半導体基板(10)に塗布してマスク(31)を形成する工程と、拡散層(12,13)を形成する工程とを備え、マスキング用インク(24)の塗布前、塗布中および塗布後の少なくともいずれか1つのタイミングで、マスキング用インク(24)を加熱する工程およびマスキング用インク(24)に光照射する工程の少なくとも一方の工程を含むことを特徴とする。
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
近年、エネルギ資源の枯渇の問題や大気中のCO2の増加のような地球環境問題などからクリーンなエネルギの開発が望まれており、半導体装置の中でも特に太陽電池を用いた太陽光発電が新しいエネルギ源として開発、実用化され、発展の道を歩んでいる。
太陽電池は、従来から、たとえば単結晶または多結晶のシリコン基板の受光面にシリコン基板の導電型と反対の導電型となる不純物を拡散することによってpn接合を形成し、シリコン基板の受光面と受光面の反対側の裏面にそれぞれ電極を形成して製造された両面電極型太陽電池が主流となっている。また、両面電極型太陽電池においては、シリコン基板の裏面にシリコン基板と同じ導電型の不純物を高濃度で拡散することによって、裏面電界効果による高出力化を図ることも一般的となっている。
また、シリコン基板の受光面に電極を形成せず、裏面のみに電極を形成した裏面電極型太陽電池についても研究開発が進められている(たとえば、特許文献1(特開2007−049079号公報)参照)。
特許文献1に記載の裏面電極型太陽電池の特性を向上させるためには、シリコン基板の裏面のp型ドーパント拡散層およびn型ドーパント拡散層はそれぞれ微細な線幅で形成することが好ましい。このような微細な細線を達成するためには、拡散制御用マスクを所望のドーパント拡散領域外において精度良く形成する必要がある。
しかしながら、このようなマスクを溶媒を含むマスキング用インクにより形成する場合、シリコン基板の表面においてマスキング用インクの滲みが発生することがあり、所望の細線よりも線幅が広く形成される場合がある。具体的には、図9に示すように、マスキング用インクをインクジェット方式により塗布する場合には、半導体基板22上をインクジェットヘッド23をたとえば図9中の矢印Aの方向に移動させながら、インク24を半導体基板22上に塗布して細線25を形成するのであるが、半導体基板表面は疎水性であり、インクとの馴染み性により細線25に滲みが発生することがある。また、インクジェットヘッド23から吐出する機構によりこのインク粘度が制限されるため、厚膜のマスクを形成することが難しく、拡散制御能力が不足してしまう場合があった。
このようにp型ドーパント拡散層およびn型ドーパント拡散層の線幅が広く形成されたり、マスクの厚膜化が図れない場合には、所望のドーパント拡散層が形成されず、裏面電極型太陽電池の特性が大きく低下した規格外品となってしまうという問題があった。
この問題は、裏面電極型太陽電池に限られた問題ではなく、細線のドーピング拡散層部分を設ける必要がある他の半導体装置においても共通する問題である。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、半導体装置の特性の低下を安定して抑制することができる半導体装置の製造方法を提供するものである。
すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、マスキング用インクを半導体基板に塗布してマスクを形成する工程と、拡散層を形成する工程とを備え、マスキング用インクの塗布前、塗布中および塗布後の少なくともいずれか1つのタイミングで、マスキング用インクを加熱する工程またはマスキング用インクに光照射する工程のいずれか一方の工程を含むことを特徴とする。
本発明において上記加熱する工程は、半導体基板を加熱することにより行なう態様を含む。
上記半導体基板は、シリコン基板であることが好ましい。また上記マスキング用インクは、SiO2前駆体およびTiO2前駆体のうち少なくとも1つの前駆体を含むことが好ましい。ここで、マスキング用インクは、光硬化性樹脂および熱硬化性樹脂の少なくとも一方の樹脂を含むことが好ましい。
本発明の半導体装置の製造方法には、上記マスキング用インクを加熱する工程後またはマスキング用インクに光照射する工程後に、マスキング用インクを焼成する工程を含む態様が含まれる。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、マスキング用インクの塗布前、塗布中および塗布後の少なくともいずれか1つのタイミングで、マスキング用インクを加熱する工程またはマスキング用インクに光照射する工程のいずれか一方の工程を含むので、半導体基板に精度良く細線のドーピング部分を設けることができ、その結果、該半導体基板を含む半導体装置の特性低下を抑制することができる。
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
<実施の形態1:加熱+拡散>
図1に、本発明の半導体装置の一例である裏面電極型太陽電池の一例の模式的な断面図を示す。ここで、図1に示す裏面電極型太陽電池は、半導体基板10と、半導体基板10の一方の表面に互いに間隔を空けて設けられた第1導電型ドーパント拡散層12および第2導電型ドーパント拡散層13と、半導体基板10の当該表面上および他方の表面であるテクスチャ構造18上にそれぞれ形成されたパッシベーション膜11と、第1導電型ドーパント拡散層12および第2導電型ドーパント拡散層13にそれぞれ電気的に接続する第1導電型用電極14および第2導電型用電極15とを備えている。
図1に、本発明の半導体装置の一例である裏面電極型太陽電池の一例の模式的な断面図を示す。ここで、図1に示す裏面電極型太陽電池は、半導体基板10と、半導体基板10の一方の表面に互いに間隔を空けて設けられた第1導電型ドーパント拡散層12および第2導電型ドーパント拡散層13と、半導体基板10の当該表面上および他方の表面であるテクスチャ構造18上にそれぞれ形成されたパッシベーション膜11と、第1導電型ドーパント拡散層12および第2導電型ドーパント拡散層13にそれぞれ電気的に接続する第1導電型用電極14および第2導電型用電極15とを備えている。
以下に、図2(a)〜図2(i)の模式的な断面図および図3(a)および図3(b)の模式図を参照して、本発明の半導体装置の一例である図1に示す太陽電池の製造方法の一例について説明する。
まず、図2(a)に示すように半導体基板10を用意して、その受光面となる側の面(以下において、単に「受光面」いうことがある)の全面にマスキング用インクを塗布してマスク30を形成する。
上記半導体基板10としては、シリコン基板や、炭化ケイ素、ヒ素ガリウム、窒化ガリウムなどの化合物半導体からなる基板などを例示することができる。半導体基板10としてシリコン基板を用いる場合には、たとえば、シリコンインゴットのスライスにより生じたスライスダメージを除去したシリコン基板を用いてもよい。なお、上記のスライスダメージの除去は、たとえば、スライス後のシリコン基板の表面をフッ化水素水溶液と硝酸との混酸または水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液などでエッチングすることなどによって行なうことができる。
また、半導体基板10の大きさおよび形状は特に限定されず、たとえば厚さを100μm以上300μm以下とし、1辺の長さを100mm以上200mm以下とした四角形状の表面を有するものや、いわゆる電子デバイスに用いられる円形状を有するものとすることができる。
上記マスク30を形成するためのマスキング用インクとしては、公知のマスクを形成する際に用いられるインクを用いることができる。また、受光面全面に塗布することから、塗布方法は特に限定されず、スクリーン印刷やスピンコートによる塗布やスプレーによる塗布などにより行なえばよい。また、受光面側に形成されるマスク30の厚みは、マスク機能を発揮する限り特に限定されず、たとえば200nm〜800nmとすればよい。
マスキング用インクの種類にもよるが、上記マスク30はマスキング用インクを塗布した後に、半導体基板10全体を加熱して乾燥させた後に、マスキング用インクを焼成することで形成される。
次に、図2(b)に示すように半導体基板10のマスク30を形成した受光面側と反対の表面(以下において、単に「裏面」いうことがある)に部分的に開口部16aを設けてマスキング用インクを塗布して乾燥させて拡散制御用のマスク31を形成する。拡散制御用のマスク31とは、ドーパントの拡散を抑制し制御機能を有する膜をいう。半導体基板にマスキング用インクによりマスクが形成されていない部分(以下、単に「ドーピング領域」ということがある)のみにドーパントの拡散が生じる。したがって、マスキング用インクを用いて拡散制御用のマスク31を形成することで、ドーピング領域とドーパントが拡散されない領域とを簡易に製造することが可能であるので、結果として簡易にn型ドーピング領域およびp型ドーピング領域の微細なパターニングを形成することができる。
本発明においては、このように半導体基板10の裏面に設ける拡散制御用のマスク31を形成する工程において、マスキング用インクを半導体基板10に塗布する前、塗布中および塗布した後の少なくともいずれか1つのタイミングにおいて、マスキング用インクを加熱する工程またはマスキング用インクに光照射する工程のいずれか一方の工程を含むことを特徴とする。拡散制御用のマスキング用インクを加熱する工程またはマスキング用インクに光照射する工程のいずれか一方の工程を含むことによって、マスキング用インクにより形成されるマスク31を細線、かつ厚膜に形成することができる。
本発明において、上記マスキング用インクの塗布方法としては、インクジェット方式による塗布、スプレー塗布、ディスペンサ塗布などが例示される。このような塗布方法においては、吐出効率の点から、マスキング用インクの粘度は室温(25℃)において5mPa・s以上25mPa・s以下の範囲に調整することが好ましく、10mPa・s以上20mPa・s以下とすることがより好ましい。
上記マスキング用インクを用いた場合、従来のマスク形成方法では、たとえば500nmの厚みのマスク31を一度の塗布で形成することはできず、複数回の塗布工程が必要となる。このような場合、複数回の塗布を精密に同じ箇所に行なうことは困難であり、マスク31の線幅を一定に保つことは難しかった。
一方、本発明は上記のように拡散制御用のマスク31を形成するためのマスキング用インクを加熱する工程またはマスキング用インクに光照射する工程のいずれか一方の工程を含むので、たとえば、拡散制御用のマスク31の線幅を100μm以下の細い線幅で形成することが可能である。なお、線幅の上限は、100μmを超えるものとすることも可能である。また、拡散制御用のマスク31の厚みは細線の線幅が100μm以下であっても1度の塗布工程で500nm以上とすることができる。また、隣接するマスク31同士の間隔は50μm〜1500μmとすることが好ましく、拡散制御用のマスク31の線幅を100μm以下とする場合は、本発明のインクの滲みの発生しない製造方法の効果が顕著である。なお、特に緻密なパターンが要求されない場合、マスク31同士の間隔は上記効果が顕著である100μmを超えるものや、1500μmを超えるものとすることができる。
本発明においてマスキング用インクを加熱する工程は、マスキング用インクを加熱することによりマスキング用インクの半導体基板10の裏面へのインク滲みを防止する工程である。以下において、インクジェット方式によりマスキング用インクを塗布する場合について図3(a)および図3(b)を用いて説明する。インクジェット方式においては、インクジェットヘッド23に保持され、所定の吐出圧で吐出されたインク24が、半導体基板10上に塗布される。インクジェットヘッド23は図3(a)および図3(b)中の矢印Aの方向に移動して、半導体基板10上に図3(a)および図3(b)に示すように細線25状にマスキング用インクが塗布される。
その際に、図3(a)および図3(b)に示すように半導体基板10を積載したステージ21に備えたヒータなどの加熱装置により半導体基板10を加熱することで、塗布されたマスキング用インク24を間接的に加熱することができる。なお、半導体基板10の全体を加熱してもよいが、半導体基板10からインクジェットヘッド23への熱伝導により、吐出前のマスキング用インク24が加熱されてインク24の粘度が変化し、吐出特性に影響が及ぼされる虞があるので、図3(a)および図3(b)に示すように上記ステージ21は半導体基板10の下方またはインク24の塗布面と反対側に設け、また、半導体基板10の部分的な加熱を行なうことが好ましい。このような加熱は、マスキング用インク24を塗布する前に半導体基板10を加熱するか、マスキング用インク24の塗布中に半導体基板10を加熱するか、または、マスキング用インク24の塗布直後に半導体基板10を加熱することにより行なうことができる。
上記マスキング用インクの加熱は、図3(a)および図(b)に示すようなステージ21による加熱以外にも、たとえば半導体基板10のインク塗布面側の加熱により行なってもよい。このような加熱は、例えば図3(b)に示すように、インクジェットヘッド23に設けられた光照射装置の光照射口26から、マスキング用インク24の塗布された部分への光照射により行なうことができる。ただし、半導体基板10の塗布面側を加熱する場合は、上述のように、熱伝導による吐出前のマスキング用インク24への影響を防止する点から、たとえば、はんだごてのように部分的に加熱が可能である加熱装置や、上記図3(b)に示すような光照射装置をインクジェットヘッド23の先導側に備えて光照射を行なうことにより、マスキング用インク24が塗布される部分を塗布直前に予め加熱するか、または塗布直後にマスキング用インク24が塗布された付近を加熱する態様が好ましい。また、半導体基板またはマスキング用インク24を上記のように直接加熱する態様に限られず、たとえば、マスキング用インク24が吐出された箇所の雰囲気温度を加熱した半田ごてなどにより昇温させることでも、本発明の効果は奏される。
なお、本発明の製造方法において、上記のインクジェット方式などで、吐出時点までのインクの粘度は吐出圧により制約がかかっているので、すでに上記吐出に好適な粘度に調整されたマスキング用インク24を加熱することは有益ではない。
上記加熱する工程は、たとえば、半導体基板10のインク塗布面の温度が40℃〜80℃の範囲となればよく、50℃〜60℃とすることがより好ましい。加熱時間は特に限定されない。
上記拡散制御用のマスク31を形成するためのマスキング用インク24は、SiO2前駆体およびTiO2前駆体のうち少なくとも一方を含むことが好ましい。SiO2前駆体は、通常、塗布前のマスキング用インク24中においてSi(OH)4の形で存在していると考えられ、乾燥工程によりSiO2に変化して、拡散制御用のマスク31としての役割を果たす。SiO2前駆体を形成するものとして、他にTEOS(テトラエチルオルソシリケート)のような一般式:R1 nSi(OR2)4-nで示される物質(R1はメチル基、エチル基またはフェニル基、R2はメチル基、エチル基、n−プロピル基またはイソプロピル基であり、nは0、1または2である)、シロキサン、ポリシロキサンなどが例示される。また、TiO2前駆体を形成するのは、Ti(OH)4のほか、TPT(テトライソプロポキシチタン)のようなR3 nTi(OR4)4-nで示される物質(R3はメチル基、エチル基またはフェニル基、R4はメチル基、エチル基、n−プロピル基またはイソプロピル基であり、nは0、1または2である)、TiCl4、TiF4、TiOSO4などが例示される。
マスキング用インク24により形成される拡散制御用のマスク31は、インクにSiO2前駆体およびTiO2前駆体のうち少なくとも一方を含む場合、その主成分はSiO2および/またはTiO2となる。ここで上記細線でかつ厚膜のマスク31を形成するために、マスキング用インク24におけるSiO2前駆体および/またはTiO2前駆体の濃度は5質量%〜30質量%であることが好ましく、さらに望ましくは10質量%〜20質量%である。
上記拡散制御用のマスク31を形成するマスキング用インク24には、溶剤が含まれる。溶剤としては、公知のアルコール、エーテル、親水性のエステルから上記吐出効率にあわせて用いればよい。具体的には、水、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、などのアルコール、エチレングリコール、メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ、ジエチルセロソルブ、セロソルブアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテル、メトキシメトキシエタノール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールアセテート、トリエチルグリコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコール、液体ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、1−ブトキシエトキシプロパノール、ジプロピルグリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ポリプロピレングリコール、トリメチレングリコール、ブタンジアール、1,5−ペンタンジアール、ヘキシレングリコール、グリセリン、グリセリルアセテート、グリセリンジアセテート、グリセリルトリアセテート、トリメチロールプロピン、1,2,6−ヘキサントリオールまたはそれらの親水性誘導体、などの親水性多価アルコール、1,2−プロパンジオール、1,5−ペンタンジオール、オクタンジオール、などの脂肪族および芳香族多価アルコール、ならびにこれらの脂肪族および芳香族多価アルコールのエステルおよびエーテル、また、1,2−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、そしてジオキサン、トリオキサン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピランなどの親水性エーテル、さらに、メチラール、ジエチルアセタール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、あるいはギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、酢酸メチル、酢酸エチルなどの親水性エステルなどが例示される。これらの溶剤は1種を用いてもよいし、複数の溶剤を混合して用いてもよい。これらのなかでも、溶剤として、ブチルセロソルブまたは、N−メチル−2−ピロリドンまたは双方の混合物を用いるのが望ましい。
また、拡散制御用のマスク31を形成するマスキング用インク24には、増粘剤などの公知の添加剤を含めることができる。増粘剤は粘度を調整するために用いるので、インク24の組成によっては増粘剤を用いない態様でとしてもよい。増粘剤を用いる場合は、たとえば、エチルセルロース、ポリビニルピロリドン、ベントナイト、種々の極性溶剤混合物用の一般に無機のレオロジー添加剤、ニトロセルロースおよびその他のセルロース化合物、デンプン、ゼラチン、アルギン酸、Aerosil(登録商標)などの高分散性非晶質ケイ酸、Mowital(登録商標)などのポリビニルブチラール、ナトリウムカルボキシメチルセルロース、Eurelon(登録商標)などの熱可塑性ポリアミド樹脂、Thixin R(登録商標)などの有機ヒマシ油誘導体、Thixatrol plus(登録商標)などのジアミド・ワックス、Rheolate(登録商標)などの膨潤ポリアクリル酸塩、ポリエーテル尿素−ポリウレタン、ポリエーテル−ポリオールなどを使用することが可能であるが、エチルセルロースまたはポリビニルピロリドンまたはこれらの混合物を用いるのが望ましい。インク24の粘度が小さすぎるとインク24がインクジェットヘッド23から漏れ出す場合があり、一方、粘度が大きすぎるとインク24が半導体基板10に付着しにくくなるため、拡散制御用のマスク31を形成するマスキング用インク24における増粘剤の濃度を5質量%〜15質量%とすることが望ましく、8質量%〜12質量%として、インク24が上記粘度となるように調整することがより望ましい。
所望のパターンにマスキング用インク24を塗布した後、半導体基板10をたとえば400〜1000℃で10分〜60分間加熱しマスキング用インク24に含まれるSiO2を焼結させて、マスク31を形成させる。
次に、図2(c)に示すように上記拡散制御用のマスク31の開口部16aから半導体基板10の裏面に第1導電型のドーパントを拡散させて第1導電型ドーパント拡散層12を形成する。この第1導電型ドーパント拡散層12の形成方法にはたとえば気相拡散とドーパント拡散剤を塗布する塗布拡散などがある。まず、気相拡散によりドーパントを拡散させる方法について説明する。半導体基板10を炉内に設置し、たとえば、800〜1000℃で20分〜100分間、第1導電型のドーパントを拡散させることにより、拡散制御用のマスク31の開口部16aに相当する部分に第1導電型ドーパントが半導体基板10内に拡散して、高濃度ドーピング領域である第1導電型ドーパント拡散層12が形成される。次に塗布拡散について説明する。塗布方法にはたとえば、スピンコート塗布、スプレー塗布、ディスペンサを用いた塗布、インクジェット塗布、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷または平板印刷などを用いることができる。そのいずれかの方法により、開口部16aに相当する部分に第1導電型ドーパントを含む第1導電型ドーパント拡散剤を塗布し、たとえば、800〜1000℃の炉内で20〜100分間設置することで第1ドーパント拡散層12が形成される。
また、第1導電型ドーパント拡散剤としては、第1導電型ドーパント源を含むものを用いることができ、第1導電型ドーパント源としては、第1導電型がn型である場合には、たとえば、リン酸塩、酸化リン、五酸化二リン、リン酸または有機リン化合物のようなリン原子を含む化合物を単独でまたは2種以上併用して用いることができ、第1導電型がp型である場合には、たとえば、酸化ホウ素、ホウ酸、有機ホウ素化合物、ホウ素−アルミニウム化合物、有機アルミニウム化合物またはアルミニウム塩のようなホウ素原子および/またはアルミニウム原子を含む化合物を単独でまたは2種以上併用して用いることができる。
また、第1導電型ドーパント拡散剤の第1導電型ドーパント源以外の成分としては、たとえば、溶媒と、シラン化合物と、増粘剤とを含むものなどを用いることができる。なお、増粘剤は粘度を調整する目的で使用するものであり、ドーパント拡散剤に増粘剤が含まれていなくてもよい。
ここで、溶媒としては、たとえば、水、メタノール、エタノール、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、1,2−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、ジオキサン、トリオキサン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピランメチラール、ジエチルアセタール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、酢酸メチル、酢酸エチル、無水酢酸、N−メチルピロリドンなどが挙げられる。溶媒は1種を単独でまたは2種以上を混合して用いることができる。
また、シラン化合物としては、たとえば、以下の一般式(I)で表わされるものを用いることができる。
R5 nSi(OR6)4-n …(I)
上記の一般式(2)において、R5は、メチル基、エチル基またはフェニル基を示す。また、上記の一般式(I)において、R6は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基などの炭素数1〜4の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を示す。また、上記の一般式(I)において、nは0〜4の整数を示す。
上記の一般式(2)において、R5は、メチル基、エチル基またはフェニル基を示す。また、上記の一般式(I)において、R6は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基などの炭素数1〜4の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を示す。また、上記の一般式(I)において、nは0〜4の整数を示す。
上記の一般式(I)で表わされるシラン化合物としては、たとえば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、それらの塩(テトラエチルオルトケイ酸塩など)が挙げられる。シラン化合物は1種を単独で使用または2種以上を併用することができる。
また、増粘剤としては、たとえば、ヒマシ油、ベントナイト、ニトロセルロース、エチルセルロース、ポリビニルピロリドン、デンプン、ゼラチン、アルギン酸、非晶質ケイ酸、ポリビニルブチラール、ナトリウムカルボキシメチルセルロース、ポリアミド樹脂、有機ヒマシ油誘導体、ジアミド・ワックス、膨潤ポリアクリル酸塩、ポリエーテル尿素−ポリウレタン、ポリエーテル−ポリオールなどが挙げられる。増粘剤は1種を単独で使用または2種以上を併用することができる。
その後、たとえば濃度10%程度の弗化水素酸水溶液に1分間程度浸漬することで拡散制御用のマスク31を除去することができる。
次に、図2(d)に示すように半導体基板10の裏面に部分的に開口部17aを設けてマスキング用インク24を塗布して乾燥させて拡散制御用のマスク32を形成する。このマスク32は、上記第1導電型のドーパントを拡散するために設けた拡散制御用のマスク31(図2(b))と同様の工程および条件により形成することができる。すなわち、拡散制御用のマスク32を形成する工程において、マスキング用インク24を半導体基板10に塗布する前、塗布中および塗布した後の少なくともいずれか1つのタイミングにおいて、マスキング用インク24を加熱する工程を含むことによって、マスキング用インク24により形成されるマスク32を細線、かつ厚膜に形成することができる。
つづいて、図2(e)に示すように、拡散制御用のマスク32の開口部17aから半導体基板10の裏面に第1導電型とは逆の導電型を有する第2導電型のドーパントを拡散させて第2導電型ドーパント拡散層13を形成する。第2導電型ドーパント拡散層13の形成方法は、上記第1導電型ドーパント拡散層12と同様の方法により形成することが出来る。
第1導電型と第2導電型とは、第1導電型をp型とする場合、第2導電型がn型であり、第1導電型をn型とする場合は、第2導電型がn型となる。p型のドーパントとしてはたとえば、ボロンまたはアルミニウム用いることができ、n型のドーパントとしては、たとえば、リンなどを用いることができる。
その後、半導体基板10をたとえば濃度10%程度の弗化水素酸水溶液に1分間程度浸漬することで拡散制御用のマスク32およびマスク30を除去する。
次に、図2(f)に示すように半導体基板10の受光面にたとえばピラミッド状の凹凸などからなるテクスチャ構造18を形成する。テクスチャ構造18は、たとえば、半導体基板10の受光面をエッチングすることにより形成することができる。なお、半導体基板10の受光面のエッチングは、半導体基板10がシリコン基板からなる場合には、たとえば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加した液をたとえば70℃以上80℃以下に加熱したエッチング液を用いて半導体基板10の受光面をエッチングすることにより行なうことができる。
たとえば、半導体基板10を75〜85℃程度に保ち、界面活性剤としてイソプロピルアルコールを水酸化カリウム水溶液などに対して1〜10質量%添加した1〜10質量%の水酸化カリウムまたは水酸化ナトリウムの水溶液を上記のように70℃以上80℃以下に昇温し、この溶液に10〜60分間半導体基板10の受光面を浸漬させることによって、受光面にテクスチャ構造18を形成する。その他、テクスチャ構造18を形成する方法には、ヒドラジン水溶液などを用いる方法など、受光面に入射光反射を抑制するテクスチャ構造18を形成できるものであれば、公知のどのような方法でも用いることができる。
なお、テクスチャ構造18は形成されていなくてもよいが、半導体基板10への太陽光の入射量を多くするためにはテクスチャ構造18は形成されていることが好ましい。
次に、図2(g)に示すように、半導体基板10の第1導電型ドーパント拡散層12および第2導電型ドーパント拡散層13がそれぞれ露出している裏面上、および半導体基板10のテクスチャ構造18が形成されている受光面上にパッシベーション膜11を形成する。なお、受光面上に形成されるパッシベーション膜11は、いわゆる反射防止膜として機能する膜である。
ここで、パッシベーション膜11としては、たとえば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層体などを用いることができる。また、パッシベーション膜11は、たとえば、プラズマCVD法などにより形成することができる。
次に、図2(h)に示すように、半導体基板10の裏面のパッシベーション膜11の一部を除去することによってコンタクトホール16bおよびコンタクトホール17bを形成して、コンタクトホール16bから第1導電型ドーパント拡散層12の表面を露出させるとともに、コンタクトホール17bから第2導電型ドーパント拡散層13の表面を露出させる。
ここで、コンタクトホール16bおよびコンタクトホール17bは、たとえば、フォトリソグラフィ技術を用いてコンタクトホール16bおよびコンタクトホール17bのそれぞれの形成箇所に対応する部分に開口を有するレジストパターンをパッシベーション膜11上に形成した後にレジストパターンの開口からパッシベーション膜11をエッチングなどにより除去する方法、またはコンタクトホール16bおよびコンタクトホール17bのそれぞれの形成箇所に対応するパッシベーション膜11の部分にエッチングペーストを塗布した後に加熱することによってパッシベーション膜11をエッチングして除去する方法などにより形成することができる。
なお、エッチングペーストとしては、たとえば、エッチング成分としてリン酸を含み、エッチング成分以外の成分として水、有機溶媒および増粘剤を含むものなどを用いることができる。有機溶媒としては、たとえば、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレンカーボネートまたはN−メチル−2−ピロリドンなどの少なくとも1種を用いることができる。また、増粘剤としては、たとえばセルロース、エチルセルロース、セルロース誘導体、ナイロン6、またはポリビニルピロリドンなどの少なくとも1種を用いることができる。
次に、図2(i)に示すように、コンタクトホール16bを通して第1導電型ドーパント拡散層12に電気的に接続される第1導電型用電極14を形成するとともに、コンタクトホール17bを通して第2導電型ドーパント拡散層13に電気的に接続される第2導電型用電極15を形成する。
ここで、第1導電型用電極14および第2導電型用電極15としては、たとえば、銀などの金属からなる電極を用いることができる。
以上により、本実施の形態における太陽電池の製造方法によって、裏面電極型太陽電池を作製することができる。
図6に、本発明の製造方法によって作製された裏面電極型太陽電池の裏面の一例の模式的な平面図を示す。
ここで、図6に示すように、裏面電極型太陽電池の裏面においては、複数の帯状の第1導電型用電極14と複数の帯状の第2導電型用電極15がそれぞれ1本ずつ交互に間隔をあけて配列されており、すべての第1導電型用電極14が1本の帯状の第1導電型用集電電極14aに電気的に接続されており、すべての第2導電型用電極15が1本の帯状の第2導電型用集電電極15aに電気的に接続されている。
また、裏面電極型太陽電池の裏面において、複数の帯状の第1導電型用電極14のそれぞれの下方には高濃度第1導電型ドーパント拡散層12が配置され、複数の帯状の第2導電型用電極15のそれぞれの下方には第2導電型ドーパント拡散層13が配置されていることになるが、第1導電型ドーパント拡散層12および第2導電型ドーパント拡散層13の形状および大きさは特に限定されない。たとえば、第1導電型ドーパント拡散層12および第2導電型ドーパント拡散層13は、第1導電型用電極14および第2導電型用電極15のそれぞれに沿って帯状に形成されていてもよく、第1導電型用電極14および第2導電型用電極15のそれぞれの一部に接するドット状に形成されていてもよい。
図7に、本発明の製造方法によって作製された裏面電極型太陽電池の裏面の他の一例の模式的な平面図を示す。ここで、図7に示すように、第1導電型用電極14および第2導電型用電極15はそれぞれ同一方向に伸長(図7の上下方向に伸長)する帯状に形成されており、半導体基板10の裏面において上記の伸長方向と直交する方向にそれぞれ1本ずつ交互に配置されている。
図8に、本発明の製造方法によって作製された裏面電極型太陽電池の裏面のさらに他の一例の模式的な平面図を示す。ここで、図8に示すように、第1導電型用電極14および第2導電型用電極15はそれぞれ点状に形成されており、点状の第1導電型用電極14の列(図8の上下方向または左右方向に伸長)および点状の第2導電型用電極15の列(図8の上下方向または左右方向に伸長)がそれぞれ半導体基板10の裏面において1列ずつ交互に配置されている。
なお、図2(a)〜図2(i)においては、説明の便宜上、半導体基板10に1つの第1導電型ドーパント拡散層12と、1つの第2導電型ドーパント拡散層13のみが形成されるように示されているが、実際には、複数の第1導電型ドーパント拡散層12と、複数の第2導電型ドーパント拡散層13とが形成されてもよいことは言うまでもない。
上記において例示したように、本発明においては、マスキング用インク24をインク24の塗布前、塗布中または塗布後に加熱する工程を含むので、加熱をせずにマスキング用インク24を半導体基板10の裏面に塗布した場合に半導体基板10の裏面においてインク24が滲むのを防止することができる。したがって、本発明においては、半導体基板10に拡散防止用のマスク31,32を所望の位置に正確に形成することができるので、ドーパント拡散層12,13も所望の位置に正確に形成することができ、結果として、太陽電池などの半導体装置の特性の低下を抑制することができる。
<実施の形態2:光照射+気相拡散>
本実施の形態2においては、上記実施の形態1でのマスキング用インク24を基板加熱により細線化する工程の代わりに、上記マスキング用インク24に基板上で光照射する工程を含む場合の半導体装置の製造方法について説明する。上記光照射する工程以外の半導体装置の製造方法の各工程は実施の形態1と同様であるためその説明は省略する。
本実施の形態2においては、上記実施の形態1でのマスキング用インク24を基板加熱により細線化する工程の代わりに、上記マスキング用インク24に基板上で光照射する工程を含む場合の半導体装置の製造方法について説明する。上記光照射する工程以外の半導体装置の製造方法の各工程は実施の形態1と同様であるためその説明は省略する。
マスキング用インク24に光照射する工程を含むことによって、光照射の熱により塗布前後のインク24を加熱することで、半導体基板10上に厚膜の細線を形成することができる。また、上記図3(a)および図3(b)に示すステージ21に備えた加熱装置による加熱では、インクジェットヘッド23への熱の影響を回避するために、より部分的な加熱が可能である光照射による加熱を含むことが好ましい。
本発明において光照射は、レーザー照射またはハロゲンランプ照射等により行なうことができる。このような光照射に用いる装置としては従来公知の装置をインクジェットヘッド23に先導または従動するように備えたり、インクジェットヘッド23とは別個に、半導体基板10裏面を加熱できる位置に備えたりすることができる。
上記光照射する工程を含む場合、拡散制御用のマスク31,32を形成するマスキング用インク24には後述のように熱硬化性樹脂を含めておくことが好ましい。
このような熱硬化性樹脂としては、粘度の点から、たとえば粒径が1μm〜10μmの範囲にある微粒子を用いることが好ましい。
熱硬化性樹脂をマスキング用インク24に含有しておき、インクジェットヘッド23から吐出されたマスキング用インク24を半導体基板10上に塗布される前に、マスキング用インク24に光照射することによって、熱硬化性樹脂が硬化するので、マスキング用インク24の粘度を吐出された際よりも高粘度のものとすることができる。インクジェットヘッド23から吐出されたインク24が半導体基板10上に着弾した際の滲みを低減するためには、熱硬化性樹脂にもよるが、たとえば、マスキング用インク24において熱硬化性樹脂の濃度を1質量%〜20質量%、より好ましくは3質量%〜10質量%とすることが好ましい。また、滲みの無い塗布を行なうためには、上記インク24に対して出力を1000W/cm2〜5000W/cm2としたレーザーを用いて、0.5秒以上5秒以下の時間、インクジェットヘッド23から吐出され半導体基板10に塗布される前のマスキング用インク24、または半導体基板10に塗布された直後のマスキング用インク24に照射することが好ましい(図3(b)参照)。
なお、上記の熱硬化性樹脂に代えて、若しくは熱硬化性樹脂とともに、光硬化性樹脂をマスキング用インク24に含有させてもよい。この場合は、上記のレーザー照射およびハロゲンランプ照射等に代えて、UV照射を行なうことが好ましい。
本実施の形態2において、上記のように拡散制御用のマスキング用インク24を光照射する工程を含むので、たとえば、拡散制御用のマスク31,32の線幅を100μm以下で形成することが可能である。なお、拡散制御用のマスク31,32の線幅の上限は、100μmを超えるものとすることも可能である。また、拡散制御用のマスク31,32の厚みは細線の線幅が100μm以下であっても1度の塗布工程で350nm以上とすることができる。また、隣接するマスク同士の間隔は50μm〜1500μmとすることが好ましく、100μm以下とする場合は、本発明のインク24の滲みの発生しない製造方法の効果が顕著である。
上記において例示したように、本発明においては、マスキング用インク24をインク24の塗布前、塗布中または塗布後に光照射する工程を含むので、光照射や加熱をせずにマスキング用インク24を半導体基板10の裏面に塗布した場合に半導体基板10の裏面においてインク24が滲むのを防止することができる。したがって、本発明においては、半導体基板10に拡散防止用のマスク31,32を所望の位置に正確に形成することができるので、ドーパント拡散層12,13も所望の位置に正確に形成することができ、結果として、太陽電池などの半導体装置の特性の低下を抑制することができる。
なお、本発明における半導体装置として太陽電池が該当する場合、太陽電池の概念には、半導体基板の一方の表面(裏面)のみに第1導電型用電極および第2導電型用電極の双方が形成された構成の裏面電極型太陽電池だけでなく、MWT(Metal Wrap Through)セル(半導体基板に設けられた貫通孔に電極の一部を配置した構成の太陽電池)などのいわゆるバックコンタクト型太陽電池(太陽電池の受光面と反対側の裏面から電流を取り出す構造の太陽電池)および半導体基板の受光面と裏面にそれぞれ電極を形成して製造された両面電極型太陽電池などのあらゆる構成の太陽電池が含まれる。その他、本発明の半導体装置の製造方法は、精度のよい拡散制御用のマスクを形成することができるので、拡散を制御するマスクを形成する工程を含むあらゆる半導体装置の製造方法に有益である。
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例1)
上記実施の形態1に沿って、裏面電極型太陽電池を製造した。まず、1辺が100mmの正方形の表面を有し、厚さが200μm程度のn型シリコンウエハのスライスダメージ層を水酸化ナトリウム溶液で除去することによって疎水性のn型シリコン基板を用意した。
上記実施の形態1に沿って、裏面電極型太陽電池を製造した。まず、1辺が100mmの正方形の表面を有し、厚さが200μm程度のn型シリコンウエハのスライスダメージ層を水酸化ナトリウム溶液で除去することによって疎水性のn型シリコン基板を用意した。
次に、n型シリコン基板の一方の表面にマスクとして厚さ300nmの酸化膜をマスキング用インクを塗布後に焼成して形成した。
上記n型シリコン基板の他方の表面に拡散制御用のマスクを形成するために、インクジェット方式により、組成がTEOS20質量%、水を含む溶媒が80質量%、粘度が25℃において15mPa・sのマスキング用インクを塗布した。インクジェットからのマスキング用インクの吐出条件としては、吐出周波数20kHz、インクジェットヘッドの移動速度を50mm/s、吐出電圧を24Vとした。n型シリコン基板はステージに積載させておき、このステージに備えた加熱装置(ヒータ)によりマスキング用インク塗布直前に、インク塗布箇所のn型シリコン基板の表面を50℃にして、インクジェットヘッドから吐出されたインクが塗布されるように設定した。その後、200℃で10分間マスキング用インクを乾燥させた。
その後、酸素と窒素の混合雰囲気下において500℃〜800℃で30分間マスキング用インクを焼成し、酸化膜からなる線幅1000μm、厚み1μmの拡散制御用のマスクを形成した。
そして、開口部からp型ドーパントを気相拡散させてp型ドーパント拡散層を形成した。その後、一度拡散防止用のマスクを除去して、n型ドーパントを拡散させるために、上記か拡散防止用のマスクの形成方法に従い、マスキング用インクを加熱する工程を含めて拡散防止用のマスクを再度形成した。ついで、開口部からn型ドーパントを気相拡散させてn型ドーパント拡散層を形成した。その後、裏面の拡散防止用のマスクおよび表面のマスクを除去して、表面側にテクスチャ構造を形成した。その後、パッシベーション膜をそれぞれの表面に形成した後、実施の形態1に記載した工程により、裏面にp型ドーパント拡散層およびn型ドーパント拡散層を形成したn型シリコン基板を用いて裏面電極型太陽電池を作製し、その特性を評価したところ、優れた特性を示すことが確認された。
(参考例1および2)
図4(a)に実施例1で用いたマスキング用インクを用いて、実施例1と同様のn型シリコン基板上に上記実施例1の吐出条件および加熱条件でマスキング用インクの塗布および加熱を行ない、その後実施例1と同様の条件でマスキング用インクを焼成した際のマスクの線幅および厚みの結果を示す(参考例1)。また、図4(b)に、上記条件において加熱を行なわなかった場合に形成されたマスクの線幅および厚みの結果を示す(参考例2)。これらの結果から、実施例1のように、n型シリコン基板の加熱を行なう場合はマスクの線幅が細く、十分な厚みのあるマスクが形成できることがわかる。
図4(a)に実施例1で用いたマスキング用インクを用いて、実施例1と同様のn型シリコン基板上に上記実施例1の吐出条件および加熱条件でマスキング用インクの塗布および加熱を行ない、その後実施例1と同様の条件でマスキング用インクを焼成した際のマスクの線幅および厚みの結果を示す(参考例1)。また、図4(b)に、上記条件において加熱を行なわなかった場合に形成されたマスクの線幅および厚みの結果を示す(参考例2)。これらの結果から、実施例1のように、n型シリコン基板の加熱を行なう場合はマスクの線幅が細く、十分な厚みのあるマスクが形成できることがわかる。
(参考例3)
参考例1と吐出条件を変更したこと以外は、参考例1と同様にマスクを形成した。図5(a)にマスクの線幅および厚みの結果を示す。
参考例1と吐出条件を変更したこと以外は、参考例1と同様にマスクを形成した。図5(a)にマスクの線幅および厚みの結果を示す。
なお、吐出条件は、吐出周波数50kHz、インクジェットヘッドの移動速度を50mm/s、吐出電圧を24Vとした。吐出周波数が上昇することは、移動速度が上昇したことと技術的に同義である。
(参考例4)
ステージによる加熱の代わりに、インクジェットによりマスキング用インクが塗布された直後に、塗布されたマスキング用インクをn型シリコン基板の裏面から2mm離れた位置に200℃に加熱した半田ごてを3秒間配置して、間接的にマスキング用インクを加熱したこと以外は、参考例3と同様の条件によりマスクを形成した。図5(b)にマスクの線幅および厚みの結果を示す。
ステージによる加熱の代わりに、インクジェットによりマスキング用インクが塗布された直後に、塗布されたマスキング用インクをn型シリコン基板の裏面から2mm離れた位置に200℃に加熱した半田ごてを3秒間配置して、間接的にマスキング用インクを加熱したこと以外は、参考例3と同様の条件によりマスクを形成した。図5(b)にマスクの線幅および厚みの結果を示す。
(参考例5)
半田ごてによる加熱を行なわない以外は、参考例4と同様にしてマスクを形成した。図5(c)にマスクの線幅および厚みの結果を示す。
半田ごてによる加熱を行なわない以外は、参考例4と同様にしてマスクを形成した。図5(c)にマスクの線幅および厚みの結果を示す。
参考例3〜5の結果を比較すると明らかなように、加熱を行なうことでマスクが細線化され膜厚も増加していることがわかる。
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明によれば、半導体装置の特性の低下を安定して抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することができる。特に、本発明の半導体装置の製造方法は、太陽電池の製造方法として好適に用いることができる。
10 半導体基板、11 パッシベーション膜、12 第1導電型ドーパント拡散層、13 第2導電型ドーパント拡散層、14 第1導電型用電極、14a 第1導電型用集電電極、15 第2導電型用電極、15a 第2導電型用集電電極、16a,17a 開口部、16b,17b コンタクトホール、18 テクスチャ構造、21 ステージ、23 インクジェットヘッド、24 インク、25 細線、26 光照射口、30 マスク、31,32 拡散制御用のマスク。
Claims (6)
- マスキング用インク(24)を半導体基板(10)に塗布してマスク(31,32)を形成する工程と、
拡散層(12,13)を形成する工程とを備え、
前記マスキング用インク(24)の塗布前、塗布中および塗布後の少なくともいずれか1つのタイミングで、前記マスキング用インク(24)を加熱する工程または前記マスキング用インク(24)に光照射する工程のいずれか一方の工程を含む、半導体装置の製造方法。 - 前記加熱する工程は、前記半導体基板(10)を加熱することにより行なう、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板(10)は、シリコン基板である請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記マスキング用インク(24)は、SiO2前駆体およびTiO2前駆体のうち少なくとも1つの前駆体を含む、請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記マスキング用インク(24)は、光硬化性樹脂および熱硬化性樹脂の少なくとも一方の樹脂を含む、請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記マスキング用インク(24)を加熱する工程後またはマスキング用インク(24)に光照射する工程後に、前記マスキング用インク(24)を焼成する工程を含む、請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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