JPWO2011024866A1 - Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method - Google Patents
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Abstract
基板を露光する露光装置であって、前記基板が載置される載置部を有して移動するステージと、前記ステージに設けられ、前記載置部に載置された前記基板のうち該載置部の所定領域に位置する部分を検出する検出部と、前記検出部の検出結果に基づいて前記ステージの駆動制御を行う制御部とを備える。An exposure apparatus that exposes a substrate, the stage having a placement portion on which the substrate is placed, and a stage that moves, and the placement of the substrate that is provided on the stage and placed on the placement portion. A detection unit configured to detect a portion located in a predetermined region of the mounting unit; and a control unit configured to perform drive control of the stage based on a detection result of the detection unit.
Description
本発明は、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法に関する。
本願は、2009年8月26日に出願された特願2009−195686号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a device manufacturing method.
This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2009-195686 for which it applied on August 26, 2009, and uses the content here.
例えばフラットパネルディスプレイ等の電子デバイスの製造工程において、下記特許文献に開示されているような、マスクを介した露光光で基板を露光する露光装置が使用される。露光装置は、マスクを保持して移動可能なマスクステージと、基板を保持して移動可能な基板ステージとを備えている。 For example, in an electronic device manufacturing process such as a flat panel display, an exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a mask as disclosed in the following patent document is used. The exposure apparatus includes a mask stage that can move while holding a mask, and a substrate stage that can move while holding a substrate.
このような露光装置においては、基板ステージに基板を保持させた後、基板のアライメント処理が行われる。アライメント処理では、基板に設けられたアライメントマークを検出し、検出結果に基づいて基板ステージが駆動される。アライメントマークの検出部は、投影光学系との間で位置が固定されている必要がある。例えば検出部が投影光学系に固定された構成とし、アライメントマークの検出時に基板ステージを移動させる技術が知られている。 In such an exposure apparatus, the substrate alignment process is performed after the substrate is held on the substrate stage. In the alignment process, an alignment mark provided on the substrate is detected, and the substrate stage is driven based on the detection result. The position of the alignment mark detection unit needs to be fixed with respect to the projection optical system. For example, a technique is known in which a detection unit is fixed to a projection optical system and a substrate stage is moved when an alignment mark is detected.
しかしながら、上記構成においては、例えば基板の複数個所にアライメントマークが設けられている場合、これらのアライメントマークを検出するため、そのつど基板ステージを移動させる必要がある。アライメント処理を行う度に基板ステージを移動させることになると、アライメント処理に時間が掛かり、スループット向上性の点で不利である。 However, in the above configuration, for example, when alignment marks are provided at a plurality of locations on the substrate, it is necessary to move the substrate stage each time in order to detect these alignment marks. If the substrate stage is moved each time the alignment process is performed, the alignment process takes time, which is disadvantageous in terms of throughput improvement.
本発明の態様は、スループットの向上を図ることができる露光装置、露光方法及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。 An object of an aspect of the present invention is to provide an exposure apparatus, an exposure method, and a device manufacturing method capable of improving throughput.
本発明の第1の態様に従えば、基板を露光する露光装置であって、前記基板が載置される載置部を有して移動するステージと、前記ステージに設けられ、前記載置部に載置された前記基板のうち該載置部の所定領域に位置する部分を検出する検出部と、前記検出部の検出結果に基づいて前記ステージの駆動制御を行う制御部とを備える露光装置が提供される。 According to the first aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus that exposes a substrate, the stage having a mounting unit on which the substrate is mounted, a stage that moves, and the mounting unit that is provided on the stage. An exposure apparatus comprising: a detection unit that detects a portion of the substrate placed on a predetermined region of the placement unit; and a control unit that performs drive control of the stage based on a detection result of the detection unit. Is provided.
本発明の第2の態様に従えば、基板を露光する露光方法であって、前記基板をステージの載置部に載置させる載置ステップと、前記ステージに設けられる検出部を用いて、前記基板のうち前記載置部の所定領域に位置する部分を検出する検出ステップと、前記検出部の検出結果に基づいて前記ステージの駆動制御を行う駆動制御ステップとを含む露光方法が提供される。 According to a second aspect of the present invention, there is provided an exposure method for exposing a substrate, using a placement step for placing the substrate on a placement portion of a stage, and a detection portion provided on the stage, An exposure method is provided that includes a detection step of detecting a portion of the substrate located in a predetermined region of the placement unit, and a drive control step of performing drive control of the stage based on the detection result of the detection unit.
本発明の第3の態様に従えば、上記態様の露光装置を用いて、感光剤が塗布された前記基板の露光を行い、該基板にパターンを転写することと、前記露光によって露光された前記感光剤を現像して、前記パターンに対応する露光パターン層を形成することと、前記露光パターン層を介して前記基板を加工することと、を含むデバイスの製造方法が提供される。 According to the third aspect of the present invention, by using the exposure apparatus of the above aspect, the substrate coated with a photosensitive agent is exposed, a pattern is transferred to the substrate, and the exposure by the exposure is performed. There is provided a device manufacturing method including developing a photosensitive agent to form an exposure pattern layer corresponding to the pattern, and processing the substrate through the exposure pattern layer.
本発明の態様によれば、スループットの向上を図ることができる。 According to an aspect of the present invention, throughput can be improved.
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. A predetermined direction in the horizontal plane is defined as an X-axis direction, a direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is defined as a Y-axis direction, and a direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, a vertical direction) is defined as a Z-axis direction. Further, the rotation (inclination) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態を説明する。
図1は、本実施形態に係る露光装置EXの一例を示す概略構成図、図2は、斜視図である。図1及び図2において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、マスクステージ1を移動する駆動システム3と、基板ステージ2を移動する駆動システム4と、マスクMを露光光ELで照明する照明システムISと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影システムPSと、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置5とを備えている。[First Embodiment]
A first embodiment of the present invention will be described.
FIG. 1 is a schematic block diagram showing an example of an exposure apparatus EX according to this embodiment, and FIG. 2 is a perspective view. 1 and 2, an exposure apparatus EX includes a mask stage 1 that can move while holding a mask M, a
マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。基板Pは、例えばガラスプレート等の基材と、その基材上に形成された感光膜(塗布された感光剤)とを含む。本実施形態において、基板Pは、大型のガラスプレートを含み、その基板Pの一辺のサイズは、例えば500mm以上である。本実施形態においては、基板Pの基材として、一辺が約3000mmの矩形のガラスプレートを用いる。マスクMの−Z側の面には、ベースライン量計測用のマークMaが設けられている(図4参照)。 The mask M includes a reticle on which a device pattern projected onto the substrate P is formed. The substrate P includes, for example, a base material such as a glass plate and a photosensitive film (coated photosensitizer) formed on the base material. In the present embodiment, the substrate P includes a large glass plate, and the size of one side of the substrate P is, for example, 500 mm or more. In the present embodiment, a rectangular glass plate having a side of about 3000 mm is used as the base material of the substrate P. A mark Ma for baseline amount measurement is provided on the surface of the mask M on the −Z side (see FIG. 4).
また、本実施形態の露光装置EXは、マスクステージ1及び基板ステージ2の位置情報を計測する干渉計システム6と、マスクMの表面の位置情報を検出する第1検出システム7と、基板Pの表面の位置情報を検出する第2検出システム8と、基板Pのアライメントマークを表面側から検出する表面アライメントシステム40と、基板Pのアライメントマークを裏面側から検出する裏面アライメントシステム60とを備えている。
Further, the exposure apparatus EX of the present embodiment includes an
また、露光装置EXは、ボディ13を備えている。ボディ13は、例えばクリーンルーム内の支持面(例えば床面)FL上に防振台BLを介して配置されたベースプレート10と、ベースプレート10上に配置された第1コラム11と、第1コラム11上に配置された第2コラム12とを有する。本実施形態において、ボディ13は、投影システムPS、マスクステージ1、及び基板ステージ2のそれぞれを支持する。本実施形態において、投影システムPSは、定盤14を介して、第1コラム11に支持される。マスクステージ1は、第2コラム12に対して移動可能に支持される。基板ステージ2は、ベースプレート10に対して移動可能に支持される。
Further, the exposure apparatus EX includes a
本実施形態において、投影システムPSは、複数の投影光学系を有する。照明システムISは、複数の投影光学系に対応する複数の照明モジュールを有する。また、本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しながら、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する。すなわち、本実施形態の露光装置EXは、所謂、マルチレンズ型スキャン露光装置である。 In the present embodiment, the projection system PS has a plurality of projection optical systems. The illumination system IS has a plurality of illumination modules corresponding to a plurality of projection optical systems. Further, the exposure apparatus EX of the present embodiment projects an image of the pattern of the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P synchronously in a predetermined scanning direction. That is, the exposure apparatus EX of the present embodiment is a so-called multi-lens scan exposure apparatus.
本実施形態において、投影システムPSは、7つの投影光学系PL1〜PL7を有し、照明システムLSは、7つの照明モジュールIL1〜IL7を有する。なお、投影光学系及び照明モジュールの数は7つに限定されず、例えば投影システムPSが、投影光学系を11個有し、照明システムISが、照明モジュールを11個有してもよい。 In the present embodiment, the projection system PS has seven projection optical systems PL1 to PL7, and the illumination system LS has seven illumination modules IL1 to IL7. The number of projection optical systems and illumination modules is not limited to seven. For example, the projection system PS may have 11 projection optical systems, and the illumination system IS may have 11 illumination modules.
照明システムISは、所定の照明領域IR1〜IR7に露光光ELを照射可能である。照明領域IR1〜IR7は、各照明モジュールIL1〜IL7から射出される露光光ELの照射領域に含まれている。本実施形態において、照明システムISは、異なる7つの照明領域IR1〜IR7のそれぞれを露光光ELで照明する。照明システムISは、マスクMのうち照明領域IR1〜IR7に配置された部分を、均一な照度分布の露光光ELで照明する。本実施形態においては、照明システムISから射出される露光光ELとして、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)を用いる。 The illumination system IS can irradiate the predetermined illumination areas IR1 to IR7 with the exposure light EL. The illumination areas IR1 to IR7 are included in the irradiation areas of the exposure light EL emitted from the illumination modules IL1 to IL7. In the present embodiment, the illumination system IS illuminates each of the seven different illumination areas IR1 to IR7 with the exposure light EL. The illumination system IS illuminates portions of the mask M arranged in the illumination areas IR1 to IR7 with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution. In the present embodiment, for example, bright lines (g line, h line, i line) emitted from a mercury lamp are used as the exposure light EL emitted from the illumination system IS.
マスクステージ1は、マスクMを保持した状態で、照明領域IR1〜IR7に対して移動可能である。マスクステージ1は、マスクMを保持可能なマスク保持部15を有する。
The mask stage 1 is movable with respect to the illumination regions IR1 to IR7 while holding the mask M. The mask stage 1 includes a
マスク保持部15は、マスクMを真空吸着可能なチャック機構を含み、マスクMをリリース可能に保持する。本実施形態において、マスク保持部15は、マスクMの下面(パターン形成面)とXY平面とがほぼ平行となるように、マスクMを保持する。駆動システム3は、例えばリニアモータを含み、第2コラム12のガイド面12G上においてマスクステージ1を移動可能である。本実施形態において、マスクステージ1は、駆動システム3の作動により、マスク保持部15でマスクMを保持した状態で、ガイド面12G上を、X軸、Y軸、及びθZ方向の3つの方向に移動可能である。
The
投影システムPSは、所定の投影領域PR1〜PR7に露光光ELを照射可能である。投影領域PR1〜PR7は、各投影光学系PL1〜PL7から射出される露光光ELの照射領域に相当する。本実施形態において、投影システムPSは、異なる7つの投影領域PR1〜PR7のそれぞれにパターンの像を投影する。投影システムPSは、基板Pのうち投影領域PR1〜PR7に配置された部分に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。 The projection system PS can irradiate the exposure light EL to the predetermined projection areas PR1 to PR7. The projection areas PR1 to PR7 correspond to the irradiation areas of the exposure light EL emitted from the projection optical systems PL1 to PL7. In the present embodiment, the projection system PS projects a pattern image on each of seven different projection regions PR1 to PR7. The projection system PS projects an image of the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification onto portions of the substrate P that are disposed in the projection regions PR1 to PR7.
基板ステージ2は、基板Pを保持した状態で、投影領域PR1〜PR7に対して移動可能である。基板ステージ2は、基板Pを保持可能な基板保持部16を有する。基板保持部16は、基板Pを真空吸着可能なチャック機構を含み、基板Pをリリース可能に保持する。本実施形態において、基板保持部16は、基板Pの表面(露光面)とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。駆動システム4は、例えばリニアモータを含み、ベースプレート10のガイド面10G上において基板ステージ2を移動可能である。本実施形態において、基板ステージ2は、駆動システム4の作動により、基板保持部16で基板Pを保持した状態で、ガイド面10G上を、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。
The
図3は、本実施形態に係る照明システムISの一例を示す概略構成図である。図3において、照明システムISは、超高圧水銀ランプからなる光源17と、光源17から射出された光を反射する楕円鏡18と、楕円鏡18からの光の少なくとも一部を反射するダイクロイックミラー19と、ダイクロイックミラー19からの光の進行を遮断可能なシャッタ装置20と、ダイクロイックミラー19からの光が入射するコリメートレンズ21A及び集光レンズ21Bを含むリレー光学系21と、所定波長領域の光のみを通過させる干渉フィルタ22と、リレー光学系21からの光を分岐して、複数の照明モジュールIL1〜IL7のそれぞれに供給するライトガイドユニット23とを備えている。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram illustrating an example of the illumination system IS according to the present embodiment. In FIG. 3, the illumination system IS includes a
なお、図3においては、第1〜第7照明モジュールIL1〜IL7のうち、第1照明モジュールIL1のみが示されている。第2〜第7照明モジュールIL2〜IL7は、第1照明モジュールIL1と同等の構成である。以下の説明においては、第1〜第7照明モジュールIL1〜IL7のうち、第1照明モジュールIL1について主に説明し、第2〜第7照明モジュールIL2〜IL7についての説明は簡略若しくは省略する。 In FIG. 3, only the first illumination module IL1 is shown among the first to seventh illumination modules IL1 to IL7. The second to seventh illumination modules IL2 to IL7 have the same configuration as the first illumination module IL1. In the following description, among the first to seventh illumination modules IL1 to IL7, the first illumination module IL1 will be mainly described, and the description of the second to seventh illumination modules IL2 to IL7 will be simplified or omitted.
リレー光学系21からの光は、ライトガイドユニット23の入射端24に入射し、複数の射出端25A〜25Gから射出される。第1照明モジュールIL1は、射出端25Aからの光の進行を遮断可能なシャッタ装置26と、射出端25Aからの光が供給されるコリメートレンズ27と、コリメートレンズ27からの光が供給されるフライアイインテグレータ28と、フライアイインテグレータ28からの光が供給されるコンデンサレンズ29とを備えている。コンデンサレンズ29から射出された露光光ELは、照明領域IR1に照射される。第1照明モジュールIL1は、照明領域IR1を均一な照度分布の露光光ELで照明する。
The light from the relay
第2〜第7照明モジュールIL2〜IL7は、第1照明モジュールIL1と同等の構成である。第2〜第7照明モジュールIL2〜IL7のそれぞれは、各照明領域IR2〜IR7を均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明システムISは、照明領域IR1〜IR7に配置されたマスクMの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ELで照明する。 The second to seventh illumination modules IL2 to IL7 have the same configuration as the first illumination module IL1. Each of the second to seventh illumination modules IL2 to IL7 illuminates the illumination regions IR2 to IR7 with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution. The illumination system IS illuminates at least a part of the mask M arranged in the illumination areas IR1 to IR7 with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution.
図4は、本実施形態に係る投影システムPS、第1検出システム7、第2検出システム8、表面アライメントシステム40、裏面アライメントシステム60及び投影領域PR1〜PR7に配置された基板ステージ2の一例を示す図である。
FIG. 4 shows an example of the projection system PS, the
まず、第1投影光学系PL1について説明する。図4において、第1投影光学系PL1は、第1照明モジュールIL1により露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する。第1投影光学系PL1は、像面調整部33と、シフト調整部34と、二組の反射屈折型光学系31,32と、視野絞り35と、スケーリング調整部36とを備えている。
First, the first projection optical system PL1 will be described. In FIG. 4, the first projection optical system PL1 projects an image of the pattern of the mask M illuminated with the exposure light EL by the first illumination module IL1 onto the substrate P. The first projection optical system PL1 includes an image
照明領域IR1に照射され、マスクMを透過した露光光ELは、像面調整部33に入射する。像面調整部33は、第1投影光学系PL1の像面の位置(Z軸、θX、及びθY方向に関する位置)を調整可能である。像面調整部33は、マスクM及び基板Pに対して光学的にほぼ共役な位置に配置されている。像面調整部33は、第1光学部材33A及び第2光学部材33Bと、第2光学部材33Bに対して第1光学部材33Aを移動可能な駆動装置(不図示)とを備えている。第1光学部材33Aと第2光学部材33Bとは、気体軸受により、所定のギャップを介して対向する。第1光学部材33A及び第2光学部材33Bは、露光光ELを透過可能なガラス板であり、それぞれくさび形状を有する。制御装置5は、駆動装置を作動して、第1光学部材33Aと第2光学部材33Bとの位置関係を調整することにより、第1投影光学系PL1の像面の位置を調整することができる。像面調整部33を通過した露光光ELは、シフト調整部34に入射する。
The exposure light EL irradiated to the illumination area IR1 and transmitted through the mask M enters the image
シフト調整部34は、基板P上におけるマスクMのパターンの像をX軸方向及びY軸方向にシフトさせることができる。シフト調整部34を透過した露光光ELは、1組目の反射屈折型光学系31に入射する。反射屈折型光学系31は、マスクMのパターンの中間像を形成する。反射屈折型光学系31から射出された露光光ELは、視野絞り35に供給される。
The
視野絞り35は、反射屈折型光学系31により形成されるパターンの中間像の位置に配置されている。視野絞り35は、投影領域PR1を規定する。本実施形態において、視野絞り35は、基板P上における投影領域PR1を台形状に規定する。視野絞り35を通過した露光光ELは、2組目の反射屈折型光学系32に入射する。
The
反射屈折型光学系32は、反射屈折型光学系31と同様に構成されている。反射屈折型光学系32から射出された露光光ELは、スケーリング調整部36に入射する。スケーリング調整部36は、マスクMのパターンの像の倍率(スケーリング)を調整することができる。スケーリング調整部36を介した露光光ELは、基板Pに照射される。本実施形態において、第1投影光学系PL1は、マスクMのパターンの像を、基板P上に、正立等倍で投影する。
The catadioptric
上述の像面調整部33、シフト調整部34、及びスケーリング調整部36により、第1投影光学系PL1の結像特性(光学特性)を調整する結像特性調整装置30が構成される。結像特性調整装置30は、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に関する第1投影光学系PL1の像面の位置を調整可能であり、パターンの像の倍率を調整可能である。
The above-described image
以上、第1投影光学系PL1について説明した。第2〜第7投影光学系PL2〜PL7は、第1投影光学系PL1と同等の構成を有する。第2〜第7投影光学系PL2〜PL7についての説明は省略する。 The first projection optical system PL1 has been described above. The second to seventh projection optical systems PL2 to PL7 have the same configuration as the first projection optical system PL1. Description of the second to seventh projection optical systems PL2 to PL7 is omitted.
図2及び図4に示すように、基板保持部16に対して+X側の基板ステージ2の上面には、基準部材43が配置されている。基準部材43の上面44は、基板保持部16に保持された基板Pの表面とほぼ同一平面内に配置される。また、基準部材43の上面44に、露光光ELを透過可能な透過部45が配置されている。基準部材43の下方には、透過部45を透過した光を受光可能な受光装置46が配置されている。受光装置46は、透過部45を介した光が入射するレンズ系47と、レンズ系47を介した光を受光する光センサ48とを有する。本実施形態において、光センサ48は、撮像素子(CCD)を含む。光センサ48は、受光した光に応じた信号を制御装置5に出力する。
As shown in FIGS. 2 and 4, a
また、基板保持部16に対して−X側の基板ステージ2の上面には、透過部49を有する光学部材50が配置されている。光学部材50の下方には、透過部49を透過した光を受光可能な受光装置51が配置されている。受光装置51は、透過部49を介した光が入射するレンズ系52と、レンズ系52を介した光を受光する光センサ53とを有する。光センサ53は、受光した光に応じた信号を制御装置5に出力する。
An
次に、干渉計システム6、第1,第2検出システム7,8、表面アライメントシステム40及び裏面アライメントシステム60について説明する。図1及び図2において、干渉計システム6は、マスクステージ1の位置情報を計測するレーザ干渉計ユニット6Aと、基板ステージ2の位置情報を計測するレーザ干渉計ユニット6Bとを有する。レーザ干渉計ユニット6Aは、マスクステージ1に配置された計測ミラー1Rを用いて、マスクステージ1の位置情報を計測可能である。
Next, the
レーザ干渉計ユニット6Bは、基板ステージ2に配置された計測ミラー2Rを用いて、基板ステージ2の位置情報を計測可能である。本実施形態において、干渉計システム6は、レーザ干渉計ユニット6A,6Bを用いて、X軸、Y軸、及びθX方向に関するマスクステージ1及び基板ステージ2それぞれの位置情報を計測可能である。
The
第1検出システム7は、マスクMの下面(パターン形成面)のZ軸方向の位置を検出する。第1検出システム7は、所謂、斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムであり、図4に示すように、マスクステージ1に保持されたマスクMの下面と対向配置される複数の検出器7A〜7Fを有する。検出器7A〜7Fのそれぞれは、所定の検出領域に検出光を照射する投射部と、検出領域に配置されたマスクMの下面からの検出光を受光可能な受光部とを有する。
The
第2検出システム8は、基板Pの表面(露光面)のZ軸方向の位置を検出する。第2検出システム8は、所謂、斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムであり、図4に示すように、基板ステージ2に保持された基板Pの表面と対向配置される複数の検出器8A〜8Hを有する。検出器8A〜8Hのそれぞれは、所定の検出領域に検出光を照射する投射部と、当該検出領域に配置された基板Pの表面からの検出光を受光可能な受光部とを有する。
The
表面アライメントシステム40は、基板Pに設けられているアライメントマークm1〜m6(図7等参照)を検出する。表面アライメントシステム40は、所謂、オフアクシス方式のアライメントシステムであり、図4に示すように、基板ステージ2に保持された基板Pの表面と対向配置される複数の顕微鏡40A〜40Fを有する。顕微鏡40A〜40Fのそれぞれは、検出領域AL1〜AL6に検出光を照射する投射部と、検出領域AL1〜AL6に配置されるアライメントマークm1〜m6の光学像を取得可能な受光部とを有する。
The
裏面アライメントシステム60は、基板Pに設けられているアライメントマークm1〜m6(図7等参照)を検出する。裏面アライメントシステム60は、表面アライメントシステム40と同様、所謂、オフアクシス方式のアライメントシステムである。裏面アライメントシステム60は、図4に示すように基板ステージ2のステージ本体2Aに設けられており、基板Pの−Z側の面(裏面)側からアライメントマークm1〜m6を検出可能になっている。また、裏面アライメントシステム60は、ステージ本体2Aに設けられているため、当該基板ステージ2と一体的に移動可能となっている。裏面アライメントシステム60は、基板ステージ2のうち基板保持部16とは異なる位置に設けられていることが好ましい。この構成により、基板保持部16の交換時に裏面アライメントシステム60が基板ステージ2から取り外されることは無く、裏面アライメントシステム60の位置を基板保持部16の交換のつど設定する手間を省くことができる。また、基板保持部16による熱の影響が抑えられることにもなる。
The back
裏面アライメントシステム60は、ステージ本体2Aのうち+X側の端部及び−X側端部に設けられている。ステージ本体2Aの−X側端部には、例えばY方向に沿って複数(例えば4つ)の顕微鏡60A〜60Fが設けられている。ステージ本体2Aの+X側端部には、例えばY方向に沿って複数(例えば4つ)の顕微鏡60G〜60Lが設けられている。
The back
図5は、裏面アライメントシステム60の構成を示す図である。裏面アライメントシステム60は、検出光を射出する光源61、当該光源61からの検出光が入射される送光レンズ系62、当該送光レンズ系62を通過した検出光をマスクMの下面に導くミラー63及び64、当該ミラー63及び64によって導かれた検出光を検出領域(所定領域)AL11〜AL16、AL21〜AL26にフォーカスするレンズ65、検出領域AL11〜AL16、AL21〜AL26で反射した検出光を導くレンズ66、及び、レンズ66によって導かれる検出光を検出する上記の顕微鏡60A〜60F、60G〜60Lを有している。検出領域AL11〜AL16、AL21〜AL26には、例えばアライメントマークm1〜m6が配置される。
FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of the back
図5に示す裏面アライメントシステム60の構成は、例えば上記の表面アライメントシステム40の構成として用いても構わない。このように、裏面アライメントシステム60においては、検出領域AL11〜AL16、AL21〜AL26に検出光を投射し、顕微鏡60A〜60F、60G〜60Lにおいて反射光を受光することにより、当該検出領域AL11〜AL16、AL21〜AL26に配置されるアライメントマークm1〜m6の光学像を取得可能となっている。
The configuration of the back
図6は、照明領域IR1〜IR7とマスクMとの位置関係の一例を示す模式図であり、マスクMの下面を含む平面内の位置関係を示している。図6に示すように、マスクMの下面は、パターンが形成されたパターン領域MAを有する。 FIG. 6 is a schematic diagram illustrating an example of a positional relationship between the illumination regions IR1 to IR7 and the mask M, and illustrates a positional relationship in a plane including the lower surface of the mask M. As shown in FIG. 6, the lower surface of the mask M has a pattern region MA in which a pattern is formed.
本実施形態において、照明領域IR1〜IR7のそれぞれは、XY平面内において台形状になっている。本実施形態において、照明モジュールIL1、IL3、IL5、IL7による照明領域IR1、IR3、IR5、IR7が、Y軸方向にほぼ等間隔で配置され、照明モジュールIL2、IL4、IL6による照明領域IR2、IR4、IR6が、Y軸方向にほぼ等間隔で配置されている。照明領域IR1、IR3、IR5、IR7は、照明領域IR2、IR4、IR6に対して−X側に配置されている。また、Y軸方向に関して、照明領域IR1、IR3、IR5、IR7の間に、照明領域IR2、IR4、IR6が配置される。 In the present embodiment, each of the illumination regions IR1 to IR7 has a trapezoidal shape in the XY plane. In the present embodiment, the illumination areas IR1, IR3, IR5, IR7 by the illumination modules IL1, IL3, IL5, IL7 are arranged at substantially equal intervals in the Y-axis direction, and the illumination areas IR2, IR4 by the illumination modules IL2, IL4, IL6 are arranged. , IR6 are arranged at substantially equal intervals in the Y-axis direction. The illumination areas IR1, IR3, IR5, IR7 are arranged on the −X side with respect to the illumination areas IR2, IR4, IR6. In addition, illumination areas IR2, IR4, and IR6 are arranged between illumination areas IR1, IR3, IR5, and IR7 with respect to the Y-axis direction.
制御装置5は、マスクステージ1をX軸方向に移動して、検出器7A〜7Fの検出領域に対してマスクステージ1に保持されたマスクMの下面をX軸方向に移動して、検出器7A〜7Fの検出領域に、マスクMの下面(パターン領域MA)に設定された複数の検出点を配置して、それら複数の検出点のZ軸方向の位置を検出可能である。制御装置5は、第1検出システム7から出力される、複数の検出点のそれぞれで検出されたマスクMの下面のZ軸方向の位置に基づいて、マスクMの下面(パターン領域MA)のZ軸、θX、及びθY方向に関する位置情報(マップデータ)を取得可能である。
The control device 5 moves the mask stage 1 in the X-axis direction, moves the lower surface of the mask M held on the mask stage 1 with respect to the detection areas of the
図7は、顕微鏡40A〜40Fによる検出領域AL1〜AL6と、顕微鏡60A〜60Lによる検出領域AL11〜AL18と、基板Pのアライメントマークm1〜m6との間の位置関係の一例を示す模式図であり、基板Pの表面を含む平面内の位置関係を示している。
FIG. 7 is a schematic diagram illustrating an example of a positional relationship among the detection areas AL1 to AL6 by the
図7に示すように、本実施形態おいて、基板Pの表面は、マスクMのパターンの像が投影される複数の露光領域(被処理領域)PA1〜PA6を有する。本実施形態において、基板Pの表面は、6つの露光領域PA1〜PA6を有する。露光領域PA1、PA2、PA3が、Y軸方向にほぼ等間隔で離れて配置され、露光領域PA4、PA5、PA6が、Y軸方向にほぼ等間隔で離れて配置されている。露光領域PA1、PA2、PA3は、露光領域PA4、PA5、PA6に対して+X側に配置されている。 As shown in FIG. 7, in the present embodiment, the surface of the substrate P has a plurality of exposure areas (processed areas) PA1 to PA6 onto which an image of the pattern of the mask M is projected. In the present embodiment, the surface of the substrate P has six exposure areas PA1 to PA6. The exposure areas PA1, PA2, and PA3 are arranged at approximately equal intervals in the Y axis direction, and the exposure areas PA4, PA5, and PA6 are arranged at approximately equal intervals in the Y axis direction. The exposure areas PA1, PA2, and PA3 are arranged on the + X side with respect to the exposure areas PA4, PA5, and PA6.
本実施形態において、投影領域PR1〜PR7のそれぞれは、XY平面内において台形である。本実施形態において、投影光学系PL1、PL3、PL5、PL7による投影領域PR1、PR3、PR5、PR7が、Y軸方向にほぼ等間隔で配置され、投影光学系PL2、PL4、PL6による投影領域PR2、PR4、PR6が、Y軸方向にほぼ等間隔で配置されている。投影領域PR1、PR3、PR5、PR7は、投影領域PR2、PR4、PR6に対して−X側に配置されている。また、Y軸方向に関して、投影領域PR1、PR3、PR5、PR7の間に、投影領域PR2、PR4、PR6が配置される。 In the present embodiment, each of the projection regions PR1 to PR7 is a trapezoid in the XY plane. In the present embodiment, projection regions PR1, PR3, PR5, PR7 by the projection optical systems PL1, PL3, PL5, PL7 are arranged at substantially equal intervals in the Y-axis direction, and projection regions PR2 by the projection optical systems PL2, PL4, PL6 are arranged. , PR4, PR6 are arranged at substantially equal intervals in the Y-axis direction. The projection areas PR1, PR3, PR5, and PR7 are arranged on the −X side with respect to the projection areas PR2, PR4, and PR6. Further, the projection areas PR2, PR4, and PR6 are arranged between the projection areas PR1, PR3, PR5, and PR7 with respect to the Y-axis direction.
本実施形態において、顕微鏡40A〜40Fによる検出領域AL1〜AL6は、投影領域PR1〜PR7に対して−X側に配置されている。検出領域AL1〜AL6は、Y軸方向に離れて配置される。複数の検出領域AL1〜AL6のうち、Y軸方向に関して外側2つの検出領域AL1と検出領域AL6との間隔は、複数の露光領域PA1〜PA6のうち、Y軸方向に関して外側2つの露光領域PA1(PA4)の−Y側のエッジと露光領域PA3(PA6)の+Y側のエッジとの間隔とほぼ等しい。
In the present embodiment, the detection areas AL1 to AL6 by the
本実施形態において、顕微鏡60A〜60Fによる検出領域AL11〜AL14及び顕微鏡60G〜60Lは、例えばステージ本体2A上のY方向に沿った直線上にそれぞれ配列されている。検出領域AL11と検出領域AL12との間隔、及び、検出領域AL15と検出領域AL16との間隔は、それぞれ顕微鏡40Aによる検出領域AL1と顕微鏡40Cによる検出領域AL3との間隔に等しくなっている。検出領域AL12と検出領域AL13との間隔、及び、検出領域AL16と検出領域AL17との間隔は、それぞれ上記検出領域AL3と顕微鏡40Dによる検出領域AL4との間隔に等しくなっている。検出領域AL13と検出領域AL14との間隔、及び、検出領域AL17と検出領域AL18との間隔は、上記検出領域AL4と顕微鏡40Fによる検出領域AL6との間隔に等しくなっている。このため、顕微鏡60A〜60Fによる検出領域AL11〜AL14、検出領域AL15〜検出領域AL18は、それぞれ上記の検出領域AL1、AL3、AL4、AL6に重なるようになっている。
In the present embodiment, the detection areas AL11 to AL14 and the
表面アライメントシステム40及び裏面アライメントシステム60は、基板Pに設けられている複数のアライメントマークm1〜m6を検出する。本実施形態において、基板P上にはY軸方向に離れて6つのアライメントマークm1〜m6が配置され、それらアライメントマークm1〜m6のグループが、X軸方向に離れた4箇所に配置されている。アライメントマークm1,m2は、露光領域PA1,PA4の各両端部に隣接して設けられ、アライメントマークm3,m4は、露光領域PA2,PA5の各両端部に隣接して設けられ、アライメントマークm5,m6は、露光領域PA3,PA6の各両端部に隣接して設けられている。
The front
本実施形態においては、基板P上においてY軸方向に離れて配置された6つのアライメントマークm1〜m6に対応して、顕微鏡40A〜40F(検出領域AL1〜AL6)、顕微鏡60A〜60F(検出領域AL11〜AL16)及び顕微鏡60G〜60L(検出領域AL21〜AL26)が配置されている。顕微鏡40A〜40Fの検出領域は、アライメントマークm1〜m6上に同時に配置されるように設けられている。顕微鏡60A〜60F、顕微鏡60G〜60Lの検出領域は、6つのアライメントマークm1〜m6のうち4つのアライメントマークm1、m3、m4、m6上に同時に配置されるようになっている。
In the present embodiment, the
次に、上述の構成を有する露光装置EXを用いて基板Pを露光する方法の一例について、図8のフローチャート及び図9A〜図12の模式図を参照しながら説明する。 Next, an example of a method for exposing the substrate P using the exposure apparatus EX having the above-described configuration will be described with reference to a flowchart of FIG. 8 and schematic diagrams of FIGS. 9A to 12.
まず、制御装置5は、マスクMをマスクステージ1に搬入(ロード)する(ステップS1)。マスクMがマスクステージ1に保持された後、露光レシピに基づいて、マスクMのアライメント処理、各種計測処理、及びキャリブレーション処理を含むセットアップ処理が実行される(ステップS2)。本実施形態において、マスクMのアライメント処理は、マスクMに配置されたアライメントマーク(不図示)の像を投影システムPS及び透過部45を介して受光装置46で受光して、XY平面内におけるマスクMの位置を計測する処理を含む。
First, the control device 5 carries (loads) the mask M onto the mask stage 1 (step S1). After the mask M is held on the mask stage 1, a setup process including an alignment process of the mask M, various measurement processes, and a calibration process is executed based on the exposure recipe (step S2). In the present embodiment, the alignment process of the mask M is performed by receiving an image of an alignment mark (not shown) arranged on the mask M by the
計測処理としては、例えば各投影光学系PL1〜PL7より射出される露光光ELの照度を受光装置51を用いて計測する処理及び各投影光学系PL1〜PL7の結像特性を受光装置46を用いて計測する処理の少なくとも一つを含む。
As the measurement processing, for example, the
また、計測処理においては、表面アライメントシステム40の検出領域AL1〜AL6とマスクMのパターン像の投影位置との位置関係(ベースライン量)を、表面アライメントシステム40、透過部45、及び受光装置46等を用いて計測する処理が行われる。この場合、例えば図9A及び図9Bに示すように、マスクMに設けられたマークMaに露光光を照射し、マークMaを介したパターン像を基準部材43に投影し、基準部材43を基準とするパターン像を受光装置46に検出させる。制御装置5は、受光装置46での検出結果に基づいてベースライン量を測定する。この動作を、図9Aに示すように、まず投影光学系PL1、PL3、PL5及びPL7について行い、その後、図9Bに示すように、投影光学系PL2、PL4、PL6について行う。
In the measurement process, the positional relationship (baseline amount) between the detection regions AL1 to AL6 of the
キャリブレーション処理は、計測処理の結果を用いて、各照明モジュールIL1〜IL7から射出される露光光ELの照度を調整する処理、及び受光装置46を用いて計測した結像特性の計測結果に基づいて、各投影光学系PL1〜PL7の結像特性を結像特性調整装置30を用いて調整する処理の少なくとも一つを含む。
The calibration process is based on the process of adjusting the illuminance of the exposure light EL emitted from each of the illumination modules IL1 to IL7 using the result of the measurement process, and the measurement result of the imaging characteristic measured using the
制御装置5は、上記各処理を完了させた後、所定のタイミングで、基板Pを基板ステージ2に搬入(ロード)する(ステップS3)。基板Pが基板ステージ2に保持された後、露光レシピに基づいて、基板Pのアライメント処理が実行される。アライメント処理では、基板Pに設けられるアライメントマークm1〜m6が検出され(ステップS4)、検出結果に応じて基板ステージ2を駆動させる(ステップS5)。
After completing the above processes, the control device 5 loads (loads) the substrate P onto the
基板Pのアライメント処理の後、各露光領域PA1〜PA6の露光を開始する(ステップS5)。この露光処理では、例えば制御装置5は、パターン領域MAを照明領域IR1〜IR7に移動するとともに、投影領域PR1〜PR7に露光領域PA1〜PA3を移動して、各露光領域PA1〜PA6の露光を開始する。 After the alignment process of the substrate P, the exposure of the exposure areas PA1 to PA6 is started (step S5). In this exposure processing, for example, the control device 5 moves the pattern area MA to the illumination areas IR1 to IR7, and moves the exposure areas PA1 to PA3 to the projection areas PR1 to PR7 to expose each of the exposure areas PA1 to PA6. Start.
以下、同一ロットにおいて、上記のステップS1〜ステップS6の処理が繰り返される。同一ロットは、同一のマスクMを用いて露光される複数の基板Pのグループを含む。少なくとも同一ロットにおいては、同一の露光レシピの下で、露光が実行される。 Thereafter, in the same lot, the processes in steps S1 to S6 are repeated. The same lot includes a group of a plurality of substrates P exposed using the same mask M. At least in the same lot, exposure is performed under the same exposure recipe.
次に、上記動作に含まれる基板Pのアライメントマーク検出処理(ステップS4)について説明する。
本実施形態における基板Pのアライメント処理では、露光処理を行う最初の数枚の基板Pについては、表面アライメントシステム40及び裏面アライメントシステム60の両方を用いてアライメントマークm1〜m6を検出する(ステップS4−1)。Next, the alignment mark detection process (step S4) of the substrate P included in the above operation will be described.
In the alignment process of the substrate P in the present embodiment, the alignment marks m1 to m6 are detected using both the front
制御装置5は、基板Pが基板ステージ2に搬入される際、表面アライメントシステム40の較正処理を行わせる。この較正処理は、図10に示すように、表面アライメントシステム40によって基準部材43を検出させ、検出結果に基づいて表面アライメントシステム40を較正する。この較正処理において、制御装置5は、例えば検出値を較正する。
The control device 5 causes the
較正処理の後、制御装置5は、基板ステージ2を−X側に移動させ、基板Pに設けられた4列のアライメントマークm1〜m6を−X側の列から+X側の列へと順に検出させる。図11Aに示すように、基板Pの最も−X側に配置されたアライメントマークm1〜m6を検出する場合には、表面アライメントシステム40及び裏面アライメントシステム60を用いて検出させる。
After the calibration process, the control device 5 moves the
裏面アライメントシステム60は、ステージ本体2Aに設けられているため、基板ステージ2が移動する場合であっても基板Pとの間の相対位置が変化することは無い。裏面アライメントシステム60による検出は、顕微鏡60A〜60F、60G〜60Lのそれぞれに対応する列の6つのアライメントマークm1〜m6のうち、4つのアライメントマークm1、m3、m4、m6について行われる。
Since the back
制御装置5は、表面アライメントシステム40での検出結果と裏面アライメントシステム60での検出結果とを用いて裏面アライメントシステム60の較正を行わせる。この場合、制御装置5は、表面アライメントシステム40の検出結果を基準として裏面アライメントシステム60の検出結果のズレを算出し、当該算出結果に基づいて裏面アライメントシステム60を較正する。表面アライメントシステム40は基板Pのロード時に計測処理が行われているため、当該表面アライメントシステム40の検出結果を基準値として好適に用いることができる。較正処理において、制御装置5は、例えば裏面アライメントシステム60の検出値を較正する。以下説明する較正処理においても同様であり、この場合、制御装置5が表面アライメントシステム40又は裏面アライメントシステム60の較正部となる。
The control device 5 causes the back
この較正は、例えば裏面アライメントシステム60による検出結果の修正値を求めると共に、次回以降の裏面アライメントシステム60の検出結果に当該修正値が反映されるようにすることを含む。裏面アライメントシステム60の基板ステージ2の駆動制御と、裏面アライメントシステム60の較正とが並行して行われるため、アライメント動作の時間が短縮されることになる。裏面アライメントシステム60の較正結果は、例えば制御装置5の記憶部(不図示)などに記憶させておく。
This calibration includes, for example, obtaining a correction value of the detection result by the back
最も−X側のアライメントマークm1〜m6の検出が完了した後、制御装置5は、基板ステージ2を更に−X側に移動させ、表面アライメントシステム40を単独で用いてアライメントマークm1〜m6の列を−X側から+X側へと順に検出させる。制御装置5は、最も+X側に配置されるアライメントマークm1〜m6を検出させる際には、図11Bに示すように、表面アライメントシステム40と裏面アライメントシステム60との両方を用いて検出させるようにする。この場合、制御装置5は、上記同様に裏面アライメントシステム60の較正も行わせるようにする。
After the detection of the most -X side alignment marks m1 to m6 is completed, the control device 5 further moves the
また、最初の数枚の基板Pを処理した後の基板Pについては、裏面アライメントシステム60のみを用いてアライメントマークm1〜m6を検出する(ステップS4−2)。
この場合、例えば図12に示すように、制御装置5は、基板Pを基板ステージ2にロードするのとほぼ同時に、裏面アライメントシステム60を用いて基板Pの最も−X側に配置されたアライメントマークm1〜m6と、基板Pの最も+X側に配置されたアライメントマークm1〜m6を検出させる。For the substrate P after processing the first few substrates P, the alignment marks m1 to m6 are detected using only the back surface alignment system 60 (step S4-2).
In this case, for example, as shown in FIG. 12, the control device 5 uses the back
最初の数枚の基板Pのアライメントによって、制御装置5の記憶部には裏面アライメントシステム60の較正情報が蓄積されて記憶されている。このため、以降の基板Pのアライメントを行う場合には、制御装置5は、当該蓄積された情報を用いて適宜裏面アライメントシステム60を較正しながら上記の検出を行わせるようにする。
Due to the alignment of the first several substrates P, calibration information of the back
ステップS4−2においては、基板Pを基板ステージ2にロードするのと略同時にアライメントマークm1〜m6が検出されるため、制御装置5は、当該基板ステージ2を基板Pのロード位置から露光位置まで移動させつつ検出結果を演算するようにしても構わない。この場合、基板ステージ2が露光位置に到達する前に制御装置5による演算が行われ、演算結果を反映させた位置に基板ステージ2が配置されることになる。
In step S4-2, since the alignment marks m1 to m6 are detected almost simultaneously with the loading of the substrate P onto the
1つのロットの処理が終了すると、マスクMが交換される。新たなマスクMがマスクステージ1にロードされ、セットアップ処理を行い、基板Pをロードした後、制御装置5は、ステップS4において最初の数枚の基板Pについては上記ステップS4−1を行わせるようにし、その後の基板Pについては上記ステップS4−2を行わせるようにする。 When the processing of one lot is completed, the mask M is exchanged. After a new mask M is loaded on the mask stage 1 and a setup process is performed and the substrate P is loaded, the control device 5 causes step S4-1 to be performed on the first few substrates P in step S4. Then, the subsequent step S4-2 is performed for the subsequent substrate P.
以上のように、本実施形態によれば、基板ステージ2にロードされる基板Pのうち所定の検出領域AL11〜AL16、AL21〜AL26に位置するアライメントマークm1〜m6を検出する裏面アライメントシステム60が基板ステージ2に設けられており、当該裏面アライメントシステム60の検出結果に基づいて基板ステージ2の駆動制御を行う制御装置5が設けられているため、基板ステージ2を移動させること無くアライメントマークm1〜m6を検出することができ、当該検出結果に基づいて基板ステージ2の駆動制御を行うことができる。これにより、アライメントマークm1〜m6の検出及び当該検出結果に基づく基板ステージ2の駆動動作が短時間で行われることになるため、スループットの向上を図ることができる。
As described above, according to the present embodiment, the back
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態を説明する。本実施形態では、照明光学系及び投影光学系の構成が第1実施形態とは異なっており、他の構成は第1実施形態と同一である。以下、本実施形態では、第1実施形態との相違点を中心に説明する。[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the configurations of the illumination optical system and the projection optical system are different from those of the first embodiment, and other configurations are the same as those of the first embodiment. In the following, the present embodiment will be described focusing on the differences from the first embodiment.
図13は、本実施形態に係る露光装置EX2の全体構成を示す図である。
露光装置EX2は、マスクMを露光光ELで照明する照明システムIS2と、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影システムPS2と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージPSTと、露光装置EX2全体の動作を制御する制御装置110とを備えている。FIG. 13 is a view showing the overall arrangement of the exposure apparatus EX2 according to this embodiment.
The exposure apparatus EX2 holds and moves the illumination system IS2 that illuminates the mask M with the exposure light EL, the projection system PS2 that projects an image of the pattern of the mask M illuminated by the exposure light EL onto the substrate P, and the substrate P. A possible substrate stage PST and a control device 110 for controlling the operation of the entire exposure apparatus EX2 are provided.
照明システムIS2は、楕円鏡102、ダイクロイックミラー103、コリメートレンズ104、波長選択フィルタ105、減光フィルタ106、集光レンズ107、ライトガイドファイバ108、照明光学系IL11〜IL14を有している。
The illumination system IS2 includes an
楕円鏡102の第1焦点位置に配置された不図示の光源より射出された光束は、楕円鏡102の反射膜、ダイクロイックミラー103の反射膜によってg線(波長436nm)、h線(波長405nm)及びi線(波長365nm)の光を含む波長域の光が取り出され、コリメートレンズ104に入射されるようになっている。光源像は楕円鏡102の第2焦点位置に形成されるようになっている。楕円鏡102の第2焦点位置に形成された光源像からの発散光束は、コリメートレンズ104によって平行光とされ、所定の露光波長域の光束のみを透過させる波長選択フィルタ105を通過するようになっている。
A light beam emitted from a light source (not shown) arranged at the first focal position of the
波長選択フィルタ105を通過した光束は、減光フィルタ106を通過し、集光レンズ107によりライトガイドファイバ108の入射口108aの入射端に集光される。ここで、ライトガイドファイバ108は、例えば多数のファイバ素線をランダムに束ねて構成されたランダムライトガイドファイバであって、入射口108aと4つの射出口(以下、射出口108b、108c、108d及び108eと表記する)を備えている。ライトガイドファイバ108の入射口に入射した光束は、ライトガイドファイバ108の内部を伝播した後、4つの射出口108b〜108eによって分割されて射出されるようになっている。分割されて射出された光は、マスクMを部分的に照明する4つの部分照明光学系IL11〜IL14に入射されるようになっている。照明光学系IL11〜IL14は、例えばY方向に沿って1列に設けられている。照明光学系IL11〜IL14を透過した光は、それぞれマスクMをほぼ均一に照明するようになっている。
The light beam that has passed through the
マスクMの照明領域からの光は、例えば4つの投影光学系PL11〜PL14に入射するようになっている。投影光学系PL11〜PL14は、照明光学系IL11〜IL14による照明領域に対応するように、例えばY方向に沿って1列に設けられている。投影光学系PL11〜PL14は、マスクMのパターン像を基板P上に結像する。本実施形態では、投影光学系PL11〜PL14として、マスクM上のパターン増を基板P上に拡大して結像する拡大投影光学系を用いている。投影光学系PL11〜PL14は、における視野内の拡大像である一時像を基板Pの像野内に形成する反射屈折投影光学系である。 The light from the illumination area of the mask M is incident on, for example, four projection optical systems PL11 to PL14. The projection optical systems PL11 to PL14 are provided, for example, in one row along the Y direction so as to correspond to the illumination areas by the illumination optical systems IL11 to IL14. The projection optical systems PL11 to PL14 form a pattern image of the mask M on the substrate P. In the present embodiment, as the projection optical systems PL11 to PL14, an enlarged projection optical system that forms an image by enlarging the pattern increase on the mask M on the substrate P is used. The projection optical systems PL11 to PL14 are catadioptric projection optical systems that form a temporary image, which is an enlarged image in the field of view, in the image field of the substrate P.
また、本実施形態の露光装置EX2は、上記実施形態と同様、基板ステージPSTの位置情報を計測する干渉計システム150や、基板Pのアライメントマークを裏面側から検出する裏面アライメントシステム160とを備えている。また、第1実施形態と同様、基板Pのアライメントマークを表面側から検出する表面アライメントシステム(不図示)とを備えている。不図示の表面アライメントシステムや、裏面アライメントシステム160の構成は、例えば第1実施形態の表面アライメントシステム40、裏面アライメントシステム60の構成とそれぞれ同一の構成になっている。
The exposure apparatus EX2 of the present embodiment also includes an
露光装置EX2を用いて基板Pを露光する場合、投影領域にマスクMのパターン像を投影しつつ、基板ステージPSTをX方向に1往復移動させることにより、基板Pの半分の領域が露光される。したがって、基板ステージPSTをX方向に2往復移動させることで、基板Pの全体が露光されることになる。 When the substrate P is exposed using the exposure apparatus EX2, half of the substrate P is exposed by moving the substrate stage PST one reciprocating motion in the X direction while projecting the pattern image of the mask M onto the projection region. . Therefore, the entire substrate P is exposed by reciprocating the substrate stage PST in the X direction twice.
基板Pに形成されるアライメントマーク(不図示)の検出を行う場合、表面アライメントシステムのみを用いて行うと、アライメントマーク検出のために基板ステージPSTを1往復余分に移動させる必要がある。これに対して、本実施形態において裏面アライメントシステム160を用いて基板Pのアライメントマークを検出することで、基板ステージPSTの移動を1往復分省略することができる。これにより、スループットの向上を図ることができる。
When detecting an alignment mark (not shown) formed on the substrate P, using only the surface alignment system, it is necessary to move the substrate stage PST one extra round for detecting the alignment mark. On the other hand, by detecting the alignment mark of the substrate P using the back
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態においては、基板Pの+X側端部及び−X側端部の対向する2辺に沿ったアライメントマークm1〜m6が配置される領域に対応して裏面アライメントシステム60を配置する構成としたが、これに限られることは無い。例えば、図14に示すように、基板PのX方向中央部のアライメントマークm1〜m6が配置される領域に対応する部分に裏面アライメントシステム60を配置する構成としても構わない。The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the embodiment described above, the back
また、上記実施形態においては、基板Pにアライメントマークm1〜m6を設け、当該アライメントマークm1〜m6を裏面アライメントシステム60で検出する構成としたが、これに限られることは無い。例えばアライメントマークm1〜m6の代わりに基板Pの辺部分を検出するようにしても構わない。
Moreover, in the said embodiment, although it was set as the structure which provided the alignment marks m1-m6 in the board | substrate P and detected the said alignment marks m1-m6 with the back
また、上記実施形態においては、表面アライメントシステム40と裏面アライメントシステム60とでアライメントマークm1〜m6を同時に検出することで、裏面アライメントシステム60の較正を行う例を説明したが、これに限られることは無い。例えば図15Aに示すように、裏面アライメントシステム60が光源61とミラー63との間に指標投影用スリット67を有し、当該指標投影用スリット67を介した光が基板ステージ2上に投影される構成としても構わない。
Moreover, in the said embodiment, although the
この場合、図15Bに示すように、制御装置5は、裏面アライメントシステム60から投影される指標を表面アライメントシステム40に検出させ、検出結果に基づいて裏面アライメントシステム60の較正を行わせることができる。これにより、基板Pが基板保持部16に載置される前に裏面アライメントシステム60の較正を行うことができるため、アライメント処理に要する時間をより短縮することができる。
In this case, as illustrated in FIG. 15B, the control device 5 can cause the front
また、裏面アライメントシステム60によるアライメントマークm1〜m6の検出時には基板Pに指標を投影し、当該指標を基準とするアライメントマークm1〜m6を検出することができるため、より高い精度の検出が可能となる。制御装置5は、当該指標を表面アライメントシステム40においても検出させるようにしても構わない。また、指標投影用スリット67と同様の構成を表面アライメントシステム40に設けても構わない。また、この場合に、パターン像のピントを合わせるために基板ステージ2をZ方向に移動させるようにしても構わない。
Further, when the alignment marks m1 to m6 are detected by the back
また、上記実施形態においては、ベースライン量を計測する際に受光装置46を用いる構成としたが、これに限られることは無く、例えば図16に示すように、裏面アライメントシステム60を用いてベースライン量を計測する構成としても構わない。この構成においては、ベースライン量の計測時に、マークMaと顕微鏡60A〜60F又は顕微鏡60G〜60Lとの光軸が一致するように基板ステージ2を移動させ、マークMaを介したパターン像を顕微鏡60A〜60F、60G〜60Lで検出させるようにする。マークMaに照射する光としては、裏面アライメントシステム60に設けられた光源の光であっても構わないし、上記実施形態と同様に露光光であっても構わない。露光光を用いる場合には、当該露光光の波長領域についても検出可能な顕微鏡60A〜60F、60G〜60Lを用いるようにする。また、この場合に、パターン像のピントを合わせるために基板ステージ2をZ方向に移動させるようにしても構わない。
In the above embodiment, the
また、上記実施形態においては、制御装置5が裏面アライメントシステム60の検出結果を用いて基板ステージ2の駆動制御を行わせる例を説明としたが、これに限られることは無く、例えば制御装置5が当該検出結果を用いて例えば投影光学系PL1〜PL7の較正を行わせるようにしても構わない。
In the above embodiment, the example in which the control device 5 performs the drive control of the
また、表面アライメントシステム40の検出領域と裏面アライメントシステム60の検出領域との配置については、上記実施形態に示した例に限られることは無い。例えば、図17の(a)部〜図17の(e)部に示すように、表面アライメントシステム40の検出領域400と裏面アライメントシステム60の検出領域600とは、露光領域PAの配置によって適宜設定することができる。また、検出領域400と検出領域600とを常に一致させる必要は無く、例えば互いの検出領域がずれていたり、検出領域の数が両者の間で異なっていたりしても構わない。
Further, the arrangement of the detection region of the front
図17の(a)部は、6面取りで6回走査を行う場合の例を示す。図17(b)は、8面取りで4回走査を行う場合の例を示す。図17の(c)部は、12面取りで6回走査を行う場合の例を示す。図17の(d)部は、18面取りで6回走査を行う場合の例を示す。図17の(e)部は、15面取りで9回走査を行う場合の例を示す。それぞれの場合において、図示を判別しやすくするため、検出領域400と検出領域600とをずらして示しているが、例えば検出領域400と検出領域600とが重なるようにしても構わない。
FIG. 17 (a) shows an example in which scanning is performed six times with six chamfers. FIG. 17B shows an example in the case of performing four scans with eight chamfers. FIG. 17 (c) shows an example in which scanning is performed 6 times with 12 chamfers. The part (d) of FIG. 17 shows an example when scanning is performed 6 times with 18 chamfers. FIG. 17 (e) shows an example in which scanning is performed nine times with 15 chamfers. In each case, the
また、上記実施形態においては、表面アライメントシステム40や裏面アライメントシステム60を較正する際に、制御装置5がそれぞれのアライメントシステムにおける検出値を較正する例を挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば表面アライメントシステム40、裏面アライメントシステム60に不図示の位置調整用のアクチュエータを取り付けておき、制御装置5が当該アクチュエータを駆動させることによって表面アライメントシステム40及び裏面アライメントシステム60の位置を較正するようにしても構わない。
Moreover, in the said embodiment, when calibrating the front
なお、上述の実施形態の基板Pとしては、ディスプレイデバイス用のガラス基板のみならず、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 As the substrate P in the above-described embodiment, not only a glass substrate for a display device but also a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask (reticle) used in an exposure apparatus ( Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.
なお、露光装置としては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを介した露光光ELで基板Pを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。 As the exposure apparatus, a step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that moves the mask M and the substrate P synchronously to scan and expose the substrate P with the exposure light EL through the pattern of the mask M. In addition, the present invention may be applied to a step-and-repeat projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is collectively exposed while the mask M and the substrate P are stationary, and the substrate P is sequentially moved stepwise. it can.
また、本発明は、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。 The present invention also relates to a twin-stage type exposure having a plurality of substrate stages as disclosed in US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,208,407, US Pat. No. 6,262,796, and the like. It can also be applied to devices.
また、本発明は、米国特許第6897963号明細書、欧州特許出願公開第1713113号明細書等に開示されているような、基板を保持する基板ステージと、基板を保持せずに、基準マークが形成された基準部材及び/又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。 Further, the present invention relates to a substrate stage for holding a substrate as disclosed in US Pat. No. 6,897,963, European Patent Application No. 1713113, etc., and a reference mark without holding the substrate. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that includes a formed reference member and / or a measurement stage on which various photoelectric sensors are mounted. An exposure apparatus including a plurality of substrate stages and measurement stages can be employed.
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。 In the above-described embodiment, a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used. As disclosed in US Pat. No. 6,778,257, a variable shaped mask (also called an electronic mask, an active mask, or an image generator) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed. ) May be used. Further, a pattern forming apparatus including a self-luminous image display element may be provided instead of the variable molding mask including the non-luminous image display element.
上述の実施形態の露光装置は、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。 The exposure apparatus of the above-described embodiment is manufactured by assembling various subsystems including each component so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy.
各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図18に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板(感光剤)を現像することを含む基板処理(露光処理)を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。なお、ステップ204では、感光剤を現像することで、マスクのパターンに対応する露光パターン層(現像された感光剤の層)を形成し、この露光パターン層を介して基板を加工することが含まれる。
As shown in FIG. 18, a microdevice such as a semiconductor device includes a
なお、上述の実施形態及び変形例の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。 Note that the requirements of the above-described embodiments and modifications can be combined as appropriate. Some components may not be used. In addition, as long as it is permitted by law, the disclosure of all published publications and US patents related to the exposure apparatus and the like cited in the above-described embodiments and modifications are incorporated herein by reference.
EX、EX2…露光装置 M…マスク P…基板 1…マスクステージ 2、PST…基板ステージ 5、110…制御装置 40…表面アライメントシステム 43…基準部材 46…受光装置 60、160…裏面アライメントシステム 67…指標投影用スリット
EX, EX2 ... Exposure apparatus M ... Mask P ... Substrate 1 ...
Claims (26)
前記基板が載置される載置部を有して移動するステージと、
前記ステージに設けられ、前記載置部に載置された前記基板のうち該載置部の所定領域に位置する部分を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に基づいて前記ステージの駆動制御を行う制御部と
を備える露光装置。An exposure apparatus for exposing a substrate,
A stage that moves with a placement portion on which the substrate is placed;
A detection unit that is provided on the stage and detects a portion of the substrate placed on the placement unit and located in a predetermined region of the placement unit;
An exposure apparatus comprising: a control unit that performs drive control of the stage based on a detection result of the detection unit.
請求項1に記載の露光装置。The exposure apparatus according to claim 1, wherein the detection unit detects the substrate from the placement unit side with respect to the substrate.
前記載置部は、矩形に設定されており、
前記複数の検出領域の少なくとも一部は、前記載置部の対向する2辺の一方を含む
請求項1又は請求項2に記載の露光装置。The predetermined area includes a plurality of detection areas,
The placement section is set to a rectangle,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein at least a part of the plurality of detection regions includes one of two opposing sides of the placement unit.
請求項3に記載の露光装置。The exposure apparatus according to claim 3, wherein at least a part of the plurality of detection areas is set between the two opposing sides.
前記制御部は、前記検出部による検出結果と前記第2検出部による検出結果とに基づいて前記ステージの駆動制御を行う
請求項1から請求項4のうちいずれか一項に記載の露光装置。A second detection unit that is provided at a position different from the stage and detects the substrate placed on the placement unit;
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the control unit performs drive control of the stage based on a detection result by the detection unit and a detection result by the second detection unit.
前記第2検出部は、前記載置部に載置された前記基板のうち少なくとも前記所定領域に位置する部分を検出する
請求項5に記載の露光装置。A calibration unit that calibrates the detection unit based on a detection result of the second detection unit;
The exposure apparatus according to claim 5, wherein the second detection unit detects at least a portion of the substrate placed on the placement unit that is located in the predetermined area.
前記ステージとは異なる位置に設けられ、前記所定領域に照射された光を検出する光検出部と、
前記光検出部による検出結果に応じて前記検出部を較正する第2較正部と
を更に備える請求項1から請求項6のうちいずれか一項に記載の露光装置。A light irradiation unit for irradiating the predetermined region with light;
A light detection unit that is provided at a position different from the stage and detects light irradiated on the predetermined region;
The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 6, further comprising: a second calibration unit that calibrates the detection unit according to a detection result by the light detection unit.
前記第2検出部は、前記投影光学系に対して所定位置に配置される
請求項5から請求項7のうちいずれか一項に記載の露光装置。A projection optical system for projecting a pattern image onto the substrate placed on the placement unit;
The exposure apparatus according to claim 5, wherein the second detection unit is disposed at a predetermined position with respect to the projection optical system.
前記制御部は、前記検出部、前記第2検出部及び前記第3検出部の各検出結果に基づいて前記ステージの駆動制御を行う
請求項8に記載の露光装置。A third detection unit that is provided on the stage, includes a reference member, and detects the pattern image projected by the projection optical system with reference to the reference member;
The exposure apparatus according to claim 8, wherein the control unit performs drive control of the stage based on detection results of the detection unit, the second detection unit, and the third detection unit.
請求項9に記載の露光装置。The exposure apparatus according to claim 9, further comprising a third calibration unit that calibrates the second detection unit based on a detection result of the third detection unit.
請求項8から請求項10のうちいずれか一項に記載の露光装置。The exposure apparatus according to claim 8, wherein the detection unit detects the pattern image.
請求項8から請求項11のうちいずれか一項に記載の露光装置。The exposure apparatus according to claim 8, further comprising a fourth calibration unit that calibrates the projection optical system based on a detection result of the detection unit.
請求項8から請求項12のうちいずれか一項に記載の露光装置。The exposure apparatus according to any one of claims 8 to 12, wherein the pattern image is an enlarged image.
前記基板をステージの載置部に載置させる載置ステップと、
前記ステージに設けられる検出部を用いて、前記基板のうち前記載置部の所定領域に位置する部分を検出する検出ステップと、
前記検出部の検出結果に基づいて前記ステージの駆動制御を行う駆動制御ステップと
を含む露光方法。An exposure method for exposing a substrate,
A placement step of placing the substrate on a placement portion of a stage;
A detection step of detecting a portion of the substrate located in a predetermined region of the placement unit using a detection unit provided on the stage;
A drive control step of performing drive control of the stage based on a detection result of the detection unit.
請求項14に記載の露光方法。The exposure method according to claim 14, wherein the detecting step includes detecting the substrate from the placement unit side with respect to the substrate.
前記載置部は、矩形に形成されており、
前記複数の検出領域の少なくとも一部は、前記載置部の対向する2辺の一方を含む
請求項14又は請求項15に記載の露光方法。The predetermined area includes a plurality of detection areas,
The above-mentioned placement part is formed in a rectangle,
The exposure method according to claim 14 or 15, wherein at least a part of the plurality of detection regions includes one of two opposing sides of the mounting portion.
請求項14から請求項16のうちいずれか一項に記載の露光方法。The exposure method according to any one of claims 14 to 16, wherein the driving step includes moving the stage to an exposure start position while performing a calculation based on a detection result in the detection step.
前記駆動制御ステップは、前記検出ステップでの検出結果及び前記第2検出ステップでの検出結果に基づいて前記ステージの駆動制御を行う
請求項14から請求項17のうちいずれか一項に記載の露光方法。A second detection step of detecting the substrate placed on the placement unit using a second detection unit provided at a position different from the stage;
The exposure according to any one of claims 14 to 17, wherein the drive control step performs drive control of the stage based on a detection result in the detection step and a detection result in the second detection step. Method.
前記第2検出ステップは、前記載置部に載置された前記基板のうち少なくとも前記所定領域に位置する部分を検出する
請求項18に記載の露光方法。A calibration step of configuring the detection unit based on a detection result in the second detection step;
The exposure method according to claim 18, wherein the second detecting step detects at least a portion of the substrate placed on the placing portion that is located in the predetermined area.
前記ステージとは異なる位置に設けられた光検出部を用いて前記所定領域に照射された光を検出する光検出ステップと、
前記光検出ステップの検出結果に応じて前記検出部を較正する第2較正ステップと
を更に含む請求項14から請求項19のうちいずれか一項に記載の露光方法。A light irradiation step of irradiating the predetermined area with light;
A light detection step of detecting light irradiated to the predetermined region using a light detection unit provided at a position different from the stage;
The exposure method according to any one of claims 14 to 19, further comprising: a second calibration step of calibrating the detection unit according to a detection result of the light detection step.
前記第2検出ステップは、前記第2検出部を前記投影光学系に対して所定位置に配置させた状態で行う
請求項18から請求項20のうちいずれか一項に記載の露光方法。A projection optical system for projecting a pattern image onto the substrate placed on the placement unit;
The exposure method according to any one of claims 18 to 20, wherein the second detection step is performed in a state where the second detection unit is disposed at a predetermined position with respect to the projection optical system.
前記ステージに設けられ、基準部材を含み、前記投影ステップで投影される前記パターン像を前記基準部材を基準として検出する第3検出ステップと
を更に備え、
前記駆動制御ステップは、前記検出ステップ、前記第2検出ステップ及び前記第3検出ステップでの各検出結果に基づいて前記ステージの駆動制御を行う
請求項21に記載の露光方法。A projecting step of projecting the pattern image onto the substrate using the projection optical system;
A third detection step provided on the stage, including a reference member, and detecting the pattern image projected in the projection step with reference to the reference member;
The exposure method according to claim 21, wherein the drive control step performs drive control of the stage based on each detection result in the detection step, the second detection step, and the third detection step.
請求項22に記載の露光方法。The exposure method according to claim 22, further comprising a third calibration step that constitutes the second detection unit based on a detection result in the third detection step.
前記第4検出ステップでの検出結果に応じて前記投影光学系を較正する第4較正ステップと
を更に備える請求項22又は請求項23に記載の露光方法。A fourth detection step of detecting the pattern image using the detection unit;
The exposure method according to claim 22 or 23, further comprising: a fourth calibration step of calibrating the projection optical system according to a detection result in the fourth detection step.
請求項21から請求項24のうちいずれか一項に記載の露光方法。The exposure method according to any one of claims 21 to 24, wherein the pattern image is an enlarged image.
前記露光によって露光された前記感光剤を現像して、前記パターンに対応する露光パターン層を形成することと、
前記露光パターン層を介して前記基板を加工することと、
を含むデバイス製造方法。Using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 13, exposing the substrate coated with a photosensitive agent, and transferring a pattern to the substrate;
Developing the photosensitive agent exposed by the exposure to form an exposure pattern layer corresponding to the pattern;
Processing the substrate through the exposed pattern layer;
A device manufacturing method including:
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