JPWO2010024050A1 - アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機 - Google Patents

Abstract

１つの画素領域に、第１および第２の画素電極（１７ａ・１７ｂ）を備え、第１の画素電極（１７ａ）は、トランジスタ（１２）を介してデータ信号線（１５）に接続され、第２の画素電極（１７ｂ）は、第１の画素電極（１７ａ）に電気的に接続される結合容量電極（６７）との間に形成される容量を介して第１の画素電極（１７ａ）に接続されるとともに、絶縁膜を介して保持容量配線（１８）と重なっており、上記絶縁膜のうち結合容量電極（６７）とは重ならない部分の少なくとも一部に、薄膜部（５１ａ）が形成されている。

Description

本発明は、１画素領域に複数の画素電極を設けるアクティブマトリクス基板およびこれを用いた液晶表示装置（画素分割方式）に関する。

液晶表示装置のγ特性の視野角依存性を向上させる（例えば、画面の白浮き等を抑制する）ため、１画素に設けた複数の副画素を異なる輝度に制御し、これら副画素の面積階調によって中間調を表示する液晶表示装置（画素分割方式、例えば特許文献１参照）が提案されている。

特許文献１に記載のアクティブマトリクス基板（図２７参照）では、１つの画素領域に、３つの画素電極１２１ａ〜１２１ｃがソースバスライン１１５に沿って並べられ、トランジスタ１１６のソース電極１１６ｓがコンタクト電極１１７ａに繋がり、コンタクト電極１１７ａと制御電極５１１とが引き出し配線を介して接続され、制御電極５１１とコンタクト電極１１７ｂとが引き出し配線を介して接続され、コンタクト電極１１７ａと画素電極１２１ａとがコンタクトホール１２０ａを介して接続され、コンタクト電極１１７ｂと画素電極１２１ｃとがコンタクトホール１２０ｂを介して接続され、電気的にフローティングとされた画素電極１２１ｂが絶縁層を介して制御電極５１１に重なっており、画素電極１２１ｂは、画素電極１２１ａ・１２１ｃそれぞれに対して容量結合されている（容量結合型の画素分割方式）。また、制御電極５１１と行方向（ゲートバスライン１１２の延伸方向）に隣接するように補助容量電極５１２が配され、該補助容量電極５１２はコンタクトホール５１３を介して画素電極１２１ｂに接続されている。ここでは、制御電極５１１と補助容量バスライン１１３との重なり部分に、画素電極１２１ａ・１２１ｃおよび補助容量バスライン１１３間の保持容量が形成され、補助容量電極５１２と補助容量バスライン１１３との重なり部分に、画素電極１２１ｂおよび補助容量バスライン１１３間の保持容量が形成されている。

このアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置では、画素電極１２１ａ・１２１ｃに対応する副画素それぞれを明副画素、画素電極１２１ｂに対応する副画素を暗副画素とすることができ、これら明副画素（２個）・暗副画素（１個）の面積階調によって中間調を表示することができる。

日本国公開特許公報「特開２００６−３９２９０号公報（２００６年２月９日公開）」

しかしながら、上記従来のアクティブマトリクス基板では、制御電極５１１と補助容量電極５１２とが画素領域内で行方向に近接して並ぶため、これら制御電極５１１と補助容量電極５１２との短絡が生じ、アクティブマトリクス基板の歩留まり低下を招くおそれがある。

上記課題に鑑み、本発明では、容量結合型の画素分割方式のアクティブマトリクス基板において、その歩留まりを向上させうる構成を提案する。

本発明のアクティブマトリクス基板は、データ信号線と、走査信号線と、上記データ信号線および上記走査信号線に接続されたトランジスタと、保持容量配線とを備えたアクティブマトリクス基板であって、１つの画素領域内に形成された第１および第２の画素電極を備え、上記第１の画素電極は、上記トランジスタを介して上記データ信号線に接続され、上記第２の画素電極は、上記第１の画素電極に電気的に接続される結合容量電極との間に形成される容量を介して該第１の画素電極に接続されるとともに、絶縁膜を介して上記保持容量配線と重なっており、上記絶縁膜のうち上記結合容量電極とは重ならない部分の少なくとも一部に、薄膜部が形成されていることを特徴とする。

本アクティブマトリクス基板では、第２の画素電極と保持容量配線との間に介在する絶縁膜のうち結合容量電極とは重ならない部分に薄膜部が配されている。したがって、保持容量形成用の電極（補助容量電極）を設けることなく保持容量を形成することができるため、第２の画素電極および保持容量配線間の保持容量の値が小さくなることなく、従来の構成（図２７参照）における、制御電極（結合容量電極）と補助容量電極との短絡を回避することができる。これにより、アクティブマトリクス基板の製造歩留まりを高めることができる。

本アクティブマトリクス基板では、上記絶縁膜は、第１〜第３の領域を有し、上記第１〜第３の領域は、それぞれ、上記保持容量配線および上記第２の画素電極と重なり、上記第１および第３の領域に上記薄膜部が形成され、上記第２の領域に、上記結合容量電極と上記第２の画素電極との重畳部が形成され、上記第１〜第３の領域が、この順に走査信号線の延伸方向に並んで形成されている構成とすることもできる。

本アクティブマトリクス基板では、上記トランジスタの導通電極から引き出された引き出し配線と上記結合容量電極とが同層で接続されるとともに、上記引き出し配線と上記第１の画素電極とがコンタクトホールを介して接続されている構成とすることもできる。

本アクティブマトリクス基板では、上記絶縁膜は、トランジスタのチャネルを覆う層間絶縁膜、およびゲート絶縁膜の少なくともいずれか一方である構成とすることもできる。

本アクティブマトリクス基板では、上記絶縁膜は、上記層間絶縁膜であり、上記層間絶縁膜は、無機絶縁膜と有機絶縁膜とを含み、上記絶縁膜における上記薄膜部は、上記有機絶縁膜が薄くなっているか、あるいは該有機絶縁膜が除去されることにより形成されている構成とすることもできる。

本アクティブマトリクス基板では、上記絶縁膜は、上記層間絶縁膜であり、上記層間絶縁膜は、さらに、上記第２の画素電極および上記結合容量電極と重なる部分の少なくとも一部が薄くなっている構成とすることもできる。

本アクティブマトリクス基板では、上記層間絶縁膜は、無機絶縁膜と有機絶縁膜とを含み、上記第２の画素電極および上記結合容量電極と重なる部分の少なくとも一部では、上記有機絶縁膜が薄くなっているか、あるいは該有機絶縁膜が除去されている構成とすることもできる。

本アクティブマトリクス基板では、上記絶縁膜は、上記ゲート絶縁膜であり、上記ゲート絶縁膜は、無機絶縁膜と有機絶縁膜とを含み、上記絶縁膜における上記薄膜部は、上記有機絶縁膜が薄くなっているか、あるいは該有機絶縁膜が除去されることにより形成されている構成とすることもできる。

本アクティブマトリクス基板では、上記絶縁膜は、上記ゲート絶縁膜であり、上記ゲート絶縁膜は、さらに、上記第２の画素電極および上記結合容量電極と重なる部分の少なくとも一部が薄くなっている構成とすることもできる。

本アクティブマトリクス基板では、上記ゲート絶縁膜は、無機絶縁膜と有機絶縁膜とを含み、上記第２の画素電極および上記結合容量電極と重なる部分の少なくとも一部では、上記有機絶縁膜が薄くなっているか、あるいは該有機絶縁膜が除去されている構成とすることもできる。

本アクティブマトリクス基板では、上記有機絶縁膜には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ノボラック樹脂、およびシロキサン樹脂の少なくとも１つが含まれている構成とすることもできる。

本アクティブマトリクス基板では、上記第１の画素電極と上記走査信号線とが一部重なっている構成とすることもできる。

本アクティブマトリクス基板では、上記保持容量配線から引き出された保持容量延伸部をさらに備え、上記保持容量延伸部は、平面的に視ると、上記保持容量配線から上記データ信号線に沿って延伸し、上記第２の画素電極のエッジと重なるか、あるいは該エッジの外側を通っている構成とすることもできる。

本アクティブマトリクス基板では、上記第１および第２の画素電極の間隙が配向を規制する機能を有する構成とすることもできる。

本アクティブマトリクス基板では、上記画素領域内に形成された第３の画素電極をさらに備え、上記第３の画素電極は、上記第１の画素電極と電気的に接続されている構成とすることもできる。

本アクティブマトリクス基板では、上記第１〜第３の画素電極が、この順にデータ信号線の延伸方向に並べられている構成とすることもできる。

本アクティブマトリクス基板は、走査信号線に接続されたトランジスタと、保持容量配線とを備え、１つの画素領域に、上記トランジスタの一方の導通電極と接続する第１の画素電極と、上記保持容量配線に重なる第２の画素電極と、該保持容量配線および第２の画素電極それぞれに重なる結合容量電極とが設けられ、上記トランジスタの一方または他方の導通電極と上記結合容量電極とが電気的に接続され、上記第２の画素電極が上記保持容量配線とは重なるが上記結合容量電極とは重ならない領域の一部では、上記保持容量配線と上記第２の画素電極との間に配される複数の絶縁膜のうち少なくとも１つが周囲よりも薄く形成されていることを特徴とする。

本液晶パネルは、上記アクティブマトリクス基板とこれに対向する対向基板を備え、上記対向基板の表面は、アクティブマトリクス基板の層間絶縁膜が薄くなっている領域に対向する部分が隆起していることを特徴とする。

本液晶パネルは、上記アクティブマトリクス基板とこれに対向する対向基板を備え、上記対向基板の表面は、アクティブマトリクス基板のゲート絶縁膜が薄くなっている領域に対向する部分が隆起していることを特徴とする。

本液晶パネルでは、上記保持容量配線は行方向に延伸し、対向基板表面の隆起している部分を保持容量配線の形成層に投射した場合に、保持容量配線の行方向に沿う２つのエッジ間に収まる構成とすることもできる。

本液晶パネルは、上記アクティブマトリクス基板を備えることを特徴とする。また、本液晶表示ユニットは、上記液晶パネルとドライバとを備えることを特徴とする。また、本液晶表示装置は、上記液晶表示ユニットと光源装置とを備えることを特徴とする。また、テレビジョン受像機は、上記液晶表示装置と、テレビジョン放送を受信するチューナー部とを備えることを特徴とする。

以上のように、本アクティブマトリクス基板によれば、結合容量電極と補助容量電極との短絡を回避することができ、アクティブマトリクス基板の製造歩留まりを高めることができる。

本液晶パネルの構成（具体例１）を示す平面図である。 図１に示す液晶パネルのＸ−Ｙ矢視断面図である。 図１に示す液晶パネルの他の具体例を示すＸ−Ｙ矢視断面図である。 図１に示す液晶パネルの他の具体例を示すＸ−Ｙ矢視断面図である。 図１に示す液晶パネルの等価回路図である。 図１に示す液晶パネルを備えた液晶表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。 図６の駆動方法を用いた場合のフレーム毎の表示状態を示す模式図である。 図１に示す液晶パネルの他の具体例（具体例２）を示す平面図である。 図８に示す液晶パネルのＸ−Ｙ矢視断面図である。 図１に示す液晶パネルのさらに他の具体例（具体例３）を示す平面図である。 図１０に示す液晶パネルのＸ−Ｙ矢視断面図である。 図１に示す液晶パネルのさらに他の具体例（具体例４）を示す平面図である。 図１に示す液晶パネルのさらに他の具体例（具体例５）を示す平面図である。 図１３に示す液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。 図１に示す液晶パネルのさらに他の具体例（具体例６）を示す平面図である。 本液晶パネルのさらに他の構成（具体例７）を示す平面図である。 図１６に示す液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。 図８に示す液晶パネルの他の具体例（具体例８）を示す平面図である。 図１８に示す液晶パネルのＸ−Ｙ矢視断面図である。 図１０に示す液晶パネルの他の具体例（具体例９）を示す平面図である。 図２０に示す液晶パネルのＸ−Ｙ矢視断面図である。 （ａ）は本液晶表示ユニットの構成を示す模式図であり、（ｂ）は本液晶表示装置の構成を示す模式図である。 本液晶表示装置の全体構成を説明するブロック図である。 本液晶表示装置の機能を説明するブロック図である。 本テレビジョン受像機の機能を説明するブロック図である。 本テレビジョン受像機の構成を示す分解斜視図である。 従来の液晶パネルの構成を示す平面図である。 図１に示す液晶パネルの他の具体例（具体例１０）を示す平面図である。

本発明にかかる実施の形態の例を、図面を用いて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜のため、以下では走査信号線の延伸方向を行方向とする。ただし、本液晶パネル（あるいはこれに用いられるアクティブマトリクス基板）を備えた液晶表示装置の利用（視聴）状態において、その走査信号線が横方向に延伸していても縦方向に延伸していてもよいことはいうまでもない。なお、液晶パネルの各図では配向規制用構造物を適宜省略記載している。

図５は本実施の形態にかかる液晶パネルの一部を示す等価回路図である。図５に示すように、本液晶パネルは、列方向（図中上下方向）に延伸するデータ信号線１５、行方向（図中左右方向）に延伸する走査信号線１６、行および列方向に並べられた画素（１０1〜１０４）、保持容量配線１８、および共通電極（対向電極）ｃｏｍを備え、各画素の構造は同一である。なお、画素１０１・１０２が含まれる画素列と、画素１０３・１０４が含まれる画素列とが隣接し、画素１０１・１０３が含まれる画素行と、画素１０２・１０４が含まれる画素行とが隣接している。

本液晶パネルでは、１つの画素に対応して１本のデータ信号線１５と１本の走査信号線１６と１本の保持容量配線１８とが設けられ、１つの画素に３つの画素電極（１７ａ〜１７ｃ）が設けられ、これら３つの画素電極が列方向に並べられている。

例えば画素１０１では、画素電極１７ａが、走査信号線１６に接続されたトランジスタ１２を介してデータ信号線１５に接続され、画素電極１７ａ・１７ｃが電気的に接続され、画素電極１７ａ・１７ｃと画素電極１７ｂとが結合容量Ｃｃを介して接続され、画素電極１７ａ・１７ｃと保持容量配線１８との間に保持容量Ｃｈ１が形成され、画素電極１７ｂと保持容量配線１８との間に保持容量Ｃｈ２が形成され、画素電極１７ａ・１７ｃと共通電極ｃｏｍとの間に液晶容量Ｃｌ１が形成され、画素電極１７ｂと共通電極ｃｏｍとの間に液晶容量Ｃｌ２が形成されている。

本液晶パネルを備えた液晶表示装置では、走査信号線１６が選択されると、画素電極１７ａがデータ信号線１５に（トランジスタ１２を介して）接続される。ここで、画素電極１７ａ・１７ｃと画素電極１７ｂとが結合容量Ｃｃを介して結合されているため、トランジスタ１２がＯＦＦした後の画素電極１７ａおよび画素電極１７ｃの電位をＶａｃ、トランジスタ１２がＯＦＦした後の画素電極１７ｂの電位をＶｂとすれば、|Ｖａｃ|≧|Ｖｂ|（なお、例えば|Ｖｂ|は、Ｖｂとｃｏｍ電位＝Ｖｃｏｍとの電位差を意味する）となるため、中間調表示時には、画素電極１７ａを含む副画素を明副画素、画素電極１７ｂを含む副画素を暗副画素、画素電極１７ｃを含む副画素を明副画素とし、これら２つの明副画素および１つの暗副画素の面積階調によって表示を行うことができる。これにより、本液晶表示装置の視野角特性を高めることができる。

（液晶パネルの具体例１）
図５の画素１０１の具体例を図１に示す。図１では、その見易さのために、カラーフィルタ基板（対向基板）側の部材を省略してアクティブマトリクス基板の部材のみ記載している。同図に示されるように、データ信号線１５および走査信号線１６の交差部近傍にトランジスタ１２が配され、両信号線（１５・１６）で画される画素領域に、３つの画素電極（第１〜第３の画素電極１７ａ〜１７ｃ）と、データ信号線と同層に形成された結合容量電極６７とが設けられている。第１〜第３の画素電極１７ａ〜１７ｃは、それぞれが長方形形状であり、この順に列方向に並べられている。また、保持容量配線１８が画素中央を横切るように（第２の画素電極１７ｂと重なるように）行方向に延伸している。さらに、第２の画素電極１７ｂは、絶縁膜（ゲート絶縁膜、層間絶縁膜）（図示せず）を介して保持容量配線１８と重なっており、この絶縁膜には、他の部分よりも膜厚が小さい薄膜部５１ａが形成されている。

ここで、結合容量電極６７は、ゲート絶縁膜（図示せず）を介して保持容量配線１８と重なるように設けられ、層間絶縁膜（図示せず）を介して第２の画素電極１７ｂと重なっている。すなわち、結合容量電極６７は第２の画素電極１７ｂ下に配され、隣接する２本のデータ信号線の一方（データ信号線１５）と結合容量電極６７との間に薄膜部５１ａが配されている。また、トランジスタ１２のソース電極８はデータ信号線１５に接続され、ドレイン電極９はドレイン引き出し配線２７を介して引き出し電極２９ａに接続され、引き出し電極２９ａは、中継配線３７を介して結合容量電極６７に接続されるとともに、コンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続されている。さらに、結合容量電極６７は、中継配線４７を介して中継電極２９ｃに接続され、中継電極２９ｃはコンタクトホール１１ｃを介して画素電極１７ｃに接続されている。これにより、トランジスタ１２のドレイン電極９と第１の画素電極１７ａと結合容量電極６７とが電気的に接続され、結合容量電極６７と第２の画素電極１７ｂとの重なり部分に結合容量Ｃｃ（図５参照）が形成される。

さらに、結合容量電極６７と保持容量配線１８との重なり部分に保持容量Ｃｈ１が形成され、薄膜部５１ａに対応する、第２の画素電極１７ｂと保持容量配線１８との重なり部分に保持容量Ｃｈ２が形成される。

図２は図１のＸ−Ｙ矢視断面図である。同図に示すように、本液晶パネルは、アクティブマトリクス基板３と、これに対向するカラーフィルタ基板３０と、両基板（３・３０）間に配される液晶層４０とを備える。アクティブマトリクス基板３では、ガラス基板３１上に走査信号線１６および保持容量配線１８が形成され、これらを覆うように無機ゲート絶縁膜２２が形成されている。無機ゲート絶縁膜２２の上層には、ドレイン引き出し配線２７と、引き出し電極２９ａと、中継配線３７と、結合容量電極６７と、データ信号線１５とが形成されている。なお、断面には含まれないが、無機ゲート絶縁膜２２の上層には、半導体層（ｉ層およびｎ＋層）と、ｎ＋層に接するソース電極およびドレイン電極とが形成されている。さらに、このメタル層を覆うように無機層間絶縁膜２５が形成されている。無機層間絶縁膜２５上には第１および第２の画素電極１７ａ・１７ｂが形成され、さらに、これら画素電極を覆うように配向膜１９が形成されている。なお、コンタクトホール１１ａでは、無機層間絶縁膜２５が刳り貫かれ、これによって、画素電極１７ａと引き出し電極２９ａとが接続されている。また、結合容量電極６７は、無機層間絶縁膜２５を介して画素電極１７ｂと重なっており、これによって、結合容量Ｃｃ（図５参照）が形成される。また、結合容量電極６７は無機ゲート絶縁膜２２を介して保持容量配線１８と重なっており、これによって、保持容量Ｃｈ１（図５参照）が形成され、薄膜部５１ａにおいて、第２の画素電極１７ｂは無機ゲート絶縁膜２２および無機層間絶縁膜２５を介して保持容量配線１８と重なっており、これによって、保持容量Ｃｈ２（図５参照）が形成される。

一方、カラーフィルタ基板３０では、ガラス基板３２上に着色層（カラーフィルタ層）１４が形成され、その上層に共通電極（ｃｏｍ）２８が形成され、さらにこれを覆うように配向膜１９が形成されている。

ここで、薄膜部５１ａは、第２の画素電極１７ｂと保持容量配線１８との間に介在する絶縁膜（無機ゲート絶縁膜２２および無機層間絶縁膜２５）を部分的に薄くすることにより形成される。よって、薄膜部５１ａは、図２に示したように、無機層間絶縁膜２５を薄くすることにより形成されていてもよいし、図３に示すように、無機ゲート絶縁膜２２を薄くすることにより形成されていてもよい。さらに、無機層間絶縁膜２５および無機ゲート絶縁膜２２の両方を薄くすることにより形成されていてもよい。

また、薄膜部５１ａは、図４に示すように、第２の画素電極１７ｂと保持容量配線１８との間に介在する絶縁膜（無機ゲート絶縁膜２２および無機層間絶縁膜２５）のうち、無機層間絶縁膜２５を部分的に除去することにより形成されていてもよい。この場合には、薄膜部５１ａは、第２の画素電極が無機ゲート絶縁膜２２を介して保持容量配線１８と重なることにより構成される。

さらに、薄膜部５１ａは、図１の構成では、走査信号線１６の延伸方向に、結合容量電極６７と並んで配されているが、これに限定されるものではなく、第２の画素電極１７ｂの保持容量Ｃｈ２（図５参照）が形成される領域に配されればよい。したがって、保持容量配線１８の線幅および配置に応じて、例えば、走査信号線１６と結合容量電極６７との間に配されていてもよい。

（駆動方法について）
図６は図１に示す液晶パネルを備えた本液晶表示装置（ノーマリブラックモードの液晶表示装置）の駆動方法を示すタイミングチャートである。なお、ＳｖおよびＳＶは、隣接する２本のデータ信号線それぞれに供給される信号電位を示し、Ｇｐは走査信号線１６に供給されるゲートオンパルス信号、Ｖａ〜Ｖｃはそれぞれ、画素電極１７ａ〜１７ｃの電位を示している。

この駆動方法では、図６に示されるように、走査信号線を順次選択し、データ信号線に供給する信号電位の極性を１水平走査期間（１Ｈ）ごとに反転させるとともに、各フレームにおける同一番目の水平走査期間に供給される信号電位の極性を１フレーム単位で反転させ、かつ同一水平走査期間においては隣接する２本のデータ信号線に逆極性の信号電位を供給する。

具体的には、連続するフレームＦ１・Ｆ２において、Ｆ１では、走査信号線を順次選択し、隣接する２本のデータ信号線の一方には、１番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７ａの書き込み期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間にマイナス極性の信号電位を供給し、上記２本のデータ信号線の他方には、１番目の水平走査期間にマイナス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間にプラス極性の信号電位を供給する。これにより、図６に示すように|Ｖａ|＝|Ｖｃ|≧|Ｖｂ|となり、例えば、画素電極１７ａ（プラス極性）を含む副画素は明副画素（以下、「明」）、画素電極１７ｂ（プラス極性）を含む副画素は暗副画素（以下、「暗」）、画素電極１７ｃ（プラス極性）を含む副画素は「明」となり、全体としては、図７（ａ）のようになる。

また、Ｆ２では、走査信号線を順次選択し、隣接する２本のデータ信号線の一方には、１番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７ａの書き込み期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間にプラス極性の信号電位を供給し、上記２本のデータ信号線の他方には、１番目の水平走査期間にプラス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間にマイナス極性の信号電位を供給する。これにより、図６に示すように|Ｖａ|＝|Ｖｃ|≧|Ｖｂ|となり、例えば、画素電極１７ａ（マイナス極性）を含む副画素は明副画素（以下、「明」）、画素電極１７ｂ（マイナス極性）を含む副画素は暗副画素（以下、「暗」）、画素電極１７ｃ（マイナス極性）を含む副画素は「明」となり、全体としては、図７（ｂ）のようになる。

なお、図１〜図４では配向規制用構造物の記載を省略しているが、例えばＭＶＡ（マルチドメインバーティカルアライメント）方式の液晶パネルでは、各画素電極に配向規制用のスリットが設けられ、カラーフィルタ基板に配向規制用のリブが設けられる。なお、上記のような配向規制用のリブを設ける代わりに、カラーフィルタ基板の共通電極に配向規制用のスリットを設けてもよい。

上述した図１の液晶パネルの構成によれば、結合容量電極６７は第２の画素電極１７ｂ（フローティング画素電極）下に配され、薄膜部５１ａは、第２の画素電極１７ｂおよび保持容量配線１８に重なり、かつ、結合容量電極６７には重ならないように配されている。したがって、保持容量形成用の電極（補助容量電極）を設けることなく保持容量を形成することができるため、第２の画素電極１７ｂおよび保持容量配線１８間の保持容量の値が小さくなることなく、従来の構成（図２７参照）における、制御電極５１１（結合容量電極６７）と補助容量電極５１２との短絡を回避することができる。

ここで、薄膜部５１ａは、無機層間絶縁膜２５のうち、さらに、結合容量電極６７と重なる部分にも配されていてもよい。この構成によれば、所望の結合容量値を得るための結合容量電極６７の面積を小さくすることができるため、データ信号線との距離が大きくなり、結合容量電極６７とデータ信号線１５との短絡のおそれを低減することができるという効果も得られる。

また、この無機層間絶縁膜２５は、トランジスタのチャネル保護膜としても機能するため、薄膜部５１ａが配される部分を除いた領域では、その厚みを厚くしてもよい。これにより、トランジスタの信頼性を向上させることができるという効果も得られる。

このように、無機層間絶縁膜２５は、結合容量電極６７の面積を小さくして所望の容量値を得るという観点からは、その厚みが薄い方が好ましく、トランジスタの信頼性の観点からは、その厚みが厚い方が好ましい。この点、上記の構成では、厚い無機層間絶縁膜２５において、結合容量電極６７と重なる部分に薄い薄膜部５１ａを配することにより、上記双方の効果を得ることができる。

なお、上記効果を得るために、無機層間絶縁膜２５を二層構造とし、上層となる無機層間絶縁膜２５を、結合容量電極６７と第２の画素電極１７ｂとの重なり部分において除去、あるいは薄くする構成としてもよい。

また、薄膜部５１ａを無機ゲート絶縁膜２２に形成する構成においても、上記と同様の効果を得ることができる。すなわち、厚い無機ゲート絶縁膜２２において、結合容量電極６７と重なる部分に薄い薄膜部５１ａを配することにより、走査信号線１６およびデータ信号線１５の交差部での短絡や寄生容量の増加を抑制しつつ、所望の容量値を得ることができる。なお、上記二層構造の無機層間絶縁膜２５と同様、無機ゲート絶縁膜２２を二層構造としてもよい。

（液晶パネルの製造方法について）
次に、本液晶パネルの製造方法について説明する。液晶パネルの製造方法には、アクティブマトリクス基板製造工程と、カラーフィルタ基板製造工程と、両基板を貼り合わせて液晶を充填する組み立て工程とが含まれる。

まず、ガラス、プラスチックなどの基板上に、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタル、タングステン、銅などの金属膜、それらの合金膜、または、それらの積層膜（厚さ１０００Å〜３０００Å）をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィー技術（Photo Engraving Process、以下、「ＰＥＰ技術」と称する）によりパターンニングを行い、走査信号線、トランジスタのゲート電極（走査信号線がゲート電極を兼ねる場合もある）および保持容量配線を形成する。

次いで、走査信号線などが形成された基板全体に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により窒化シリコンや酸化シリコンなどの無機絶縁膜（厚さ３０００Å〜５０００Å程度）を成膜し、ゲート絶縁膜を形成する。

続いて、ゲート絶縁膜上（基板全体）に、ＣＶＤ法により真性アモルファスシリコン膜（厚さ１０００Å〜３０００Å）と、リンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜（厚さ４００Å〜７００Å）とを連続して成膜し、その後、ＰＥＰ技術によってパターニングを行い、ゲート電極上に、真性アモルファスシリコン層とｎ＋アモルファスシリコン層とからなるシリコン積層体を島状に形成する。

続いて、シリコン積層体が形成された基板全体に、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタル、タングステン、銅などの金属膜、それらの合金膜、または、それらの積層膜（厚さ１０００Å〜３０００Å）をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターンニングを行い、データ信号線、トランジスタのソース電極・ドレイン電極、ドレイン引き出し配線、引き出し電極、中継配線、および結合容量電極を形成する。

さらに、ソース電極およびドレイン電極をマスクとして、シリコン積層体を構成するｎ＋アモルファスシリコン層をエッチング除去し、トランジスタのチャネルを形成する。ここで、半導体層は、上記のようにアモルファスシリコン膜により形成させてもよいが、ポリシリコン膜を成膜させてもよく、また、アモルファスシリコン膜およびポリシリコン膜にレーザアニール処理を行って結晶性を向上させてもよい。これにより、半導体層内の電子の移動速度が速くなり、トランジスタ（ＴＦＴ）の特性を向上させることができる。

次いで、データ信号線などが形成された基板全体に、ＣＶＤ法により窒化シリコンや酸化シリコンなどの無機絶縁膜（厚さ２０００Å〜５０００Å）を成膜して、無機層間絶縁膜を形成する。

その後、ＰＥＰ技術により層間絶縁膜をエッチング除去して、コンタクトホールおよび薄膜部５１ａを形成する。なお、薄膜部５１ａにおいて層間絶縁膜が薄く残膜するように、ハーフ露光を行ってもよい。続いて、コンタクトホールおよび薄膜部５１ａが形成された層間絶縁膜上の基板全体に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、酸化亜鉛、酸化スズなどからなる透明導電膜（厚さ１０００Å〜２０００Å）をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターニングし、各画素電極を形成する。

最後に、画素電極上の基板全体に、ポリイミド樹脂を厚さ５００Å〜１０００Åで印刷し、その後、焼成して、回転布にて１方向にラビング処理を行って、配向膜を形成する。以上のようにして、アクティブマトリクス基板製造される。

以下に、カラーフィルタ基板製造工程について説明する。

まず、ガラス、プラスチックなどの基板上（基板全体）に、クロム薄膜、または黒色顔料を含有する樹脂を成膜した後にＰＥＰ技術によってパターンニングを行い、ブラックマトリクスを形成する。次いで、ブラックマトリクスの間隙に、顔料分散法などを用いて、赤、緑および青のカラーフィルタ層（厚さ２μｍ程度）をパターン形成する。

続いて、カラーフィルタ層上の基板全体に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛、酸化スズなどからなる透明導電膜（厚さ１０００Å程度）を成膜し、共通電極（ｃｏｍ）を形成する。

最後に、共通電極上の基板全体に、ポリイミド樹脂を厚さ５００Å〜１０００Åで印刷し、その後、焼成して、回転布にて１方向にラビング処理を行って、配向膜を形成する。上記のようにして、カラーフィルタ基板を製造することができる。

以下に、組み立て工程について、説明する。

まず、アクティブマトリクス基板およびカラーフィルタ基板の一方に、スクリーン印刷により、熱硬化性エポキシ樹脂などからなるシール材料を液晶注入口の部分を欠いた枠状パターンに塗布し、他方の基板に液晶層の厚さに相当する直径を持ち、プラスチックまたはシリカからなる球状のスペーサーを散布する。

次いで、アクティブマトリクス基板とカラーフィルタ基板とを貼り合わせ、シール材料を硬化させる。

最後に、アクティブマトリクス基板およびカラーフィルタ基板並びにシール材料で囲まれる空間に、減圧法により液晶材料を注入した後、液晶注入口にＵＶ硬化樹脂を塗布し、ＵＶ照射によって液晶材料を封止することで液晶層を形成する。以上のようにして、液晶パネルが製造される。

（液晶パネルの具体例２）
図２に戻って、図２の無機層間絶縁膜２５上に、無機層間絶縁膜２５よりも厚い有機層間絶縁膜２６を設け、図９に示すように、層間絶縁膜（チャネル保護膜）を二層（２５・２６）構造とすることもできる。こうすれば、各種寄生容量の低減、配線同士の短絡防止、および平坦化による画素電極の裂け等の低減といった効果が得られる。この場合、図８・９に示すように、有機層間絶縁膜２６については、結合容量電極６７と重なる部分Ｋを刳り貫いておくことが好ましい。こうすれば、結合容量（図５のＣｃ）の容量値を十分に確保しながら、上記の効果を得ることができる。なお、本構成では走査信号線および画素電極間の寄生容量が低減されるため、図８・９のように走査信号線１６と第１の画素電極１７ａとを重ねて開口率を高めることができる。

図９の無機層間絶縁膜２５、有機層間絶縁膜２６、コンタクトホールおよび薄膜部５１ａは例えば、以下のようにして形成することができる。すなわち、トランジスタおよびデータ信号線を形成した後、ＳｉＨ_４ガスとＮＨ_３ガスとＮ_２ガスとの混合ガスを用い、基板全面を覆うように、厚さ約３０００ÅのＳｉＮｘからなる無機層間絶縁膜２５（パッシベーション膜）をＣＶＤにて形成する。その後、厚さ約３μｍのポジ型感光性アクリル樹脂からなる有機層間絶縁膜２６をスピンコートやダイコートにて形成する。続いて、フォトリソグラフィーを行って、有機層間絶縁膜２６の刳り貫き部分および薄膜部５１ａ、並びに各種のコンタクト用パターンを形成し、さらに、パターニングされた有機層間絶縁膜２６をマスクとし、ＣＦ_４ガスとＯ_２ガスとの混合ガスを用いて、無機層間絶縁膜２５をドライエッチングする。具体的には、例えば、有機層間絶縁膜の刳り貫き部分および薄膜部５１ａについてはフォトリソグラフィー工程でハーフ露光とすることで現像完了時に有機層間絶縁膜が薄く残膜するようにしておく一方、コンタクトホール部分については上記フォトリソグラフィー工程でフル露光することで現像完了時に有機層間絶縁膜が残らないようにしておく。ここで、ＣＦ_４ガスとＯ_２ガスとの混合ガスでドライエッチングを行えば、有機層間絶縁膜の刳り貫き部分および薄膜部５１ａについては（有機層間絶縁膜の）残膜が除去され、コンタクトホール部分については有機層間絶縁膜下の無機層間絶縁膜が除去されることになる。なお、有機層間絶縁膜２６は、例えば、ＳＯＧ（スピンオンガラス）材料からなる絶縁膜であってもよく、また、有機層間絶縁膜２６に、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ノボラック樹脂、およびシロキサン樹脂の少なくとも１つが含まれていてもよい。

（液晶パネルの具体例３）
図２に戻って、図２の無機ゲート絶縁膜２２下にこれよりも厚い有機ゲート絶縁膜２１を設け、図１１に示すように、ゲート絶縁膜を二層（２１・２２）構造とすることもできる。こうすれば、各種寄生容量の低減、配線同士の短絡防止、および平坦化によるデータ信号線、ドレイン引き出し配線等の断線率の低減といった効果が得られる。この場合、図１０・１１に示すように、有機ゲート絶縁膜２１については、結合容量電極６７に重なる部分と、第２の画素電極１７ｂおよび保持容量配線１８に重なる部分（薄膜部５１ａ）とを刳り貫いておくことが好ましい（刳り貫き部Ｆ）。こうすれば、保持容量（図５のＣｈ１・Ｃｈ２）の容量値を十分に確保しながら、上記の効果を得ることができる。なお、本構成では走査信号線および画素電極間の寄生容量が低減されるため、図１０・１１に示すように走査信号線１６と第１の画素電極１７ａとを重ねて開口率を高めることができる。

（液晶パネルの具体例４）
図１２は本液晶パネルの他の構成を示す平面図である。図１２に示される液晶パネルでは、保持容量配線１８および第２の画素電極１７ｂと重なる絶縁膜が第１〜第３の領域を有し、各領域がこの順に走査信号線１６の延伸方向に並んで形成されており、第１の領域には薄膜部５１ａが形成され、第２の領域には結合容量電極６７と第２の画素電極１７ｂとの重畳部が形成され、第３の領域には薄膜部５１ｂが形成されている。

この構成によれば、隣接する２本のデータ信号線の一方（データ信号線１５）と結合容量電極６７との間に薄膜部５１ａが配されるとともに、他方のデータ信号線と結合容量電極６７との間に薄膜部５１ｂが配される。これにより、結合容量電極６７と保持容量配線１８との重なり部分に保持容量Ｃｈ１が形成され、薄膜部５１ａ・５１ｂに対応する、第２の画素電極１７ｂと保持容量配線１８との重なり部分に保持容量Ｃｈ２が形成される。よって、第２の画素電極１７ｂおよび保持容量配線１８間の保持容量の値が小さくなることなく、従来の構成（図２７参照）における、制御電極５１１（結合容量電極６７）と補助容量電極５１２との短絡を回避することができる。さらに、結合容量電極６７とデータ信号線１５との間に薄膜部５１ａ・５１ｂが形成されているため、結合容量電極６７とデータ信号線（一方のデータ信号線（１５）および他方のデータ信号線）とが短絡しにくくなるという効果も得られる。

（液晶パネルの具体例５）
図１３は本液晶パネルの他の構成を示す平面図である。図１３に示される液晶パネルでは、保持容量配線１８から、平面的に視てデータ信号線１５に沿うような保持容量配線延伸部１８ｐと、平面的に視てデータ信号線１５の隣のデータ信号線に沿うような保持容量配線延伸部１８ｑが延伸し、保持容量配線延伸部１８ｐが、第２の画素電極１７ｂのデータ信号線に沿う２つのエッジの一方（データ信号線１５側のエッジ）と重なり、保持容量配線延伸部１８ｑが、上記２つのエッジの他方と重なっている。こうすれば、保持容量配線延伸部１８ｐ・１８ｑが、画素電極１７ｂ（フローティング画素電極）のシールド電極として機能するため、画素電極１７ｂへの電荷の飛び込み等をより効果的に抑制することができる。これにより、画素電極１７ｂを含む副画素（暗副画素）の焼き付きを防止することができる。

なお、図１３の液晶パネルにおいて層間絶縁膜（チャネル保護膜）を、無機層間絶縁膜および有機層間絶縁膜の二層構造とすることもできる。こうすれば、各種寄生容量の低減、配線同士の短絡防止、および平坦化による画素電極の裂け等の低減といった効果が得られる。この場合、図１４に示すように、有機層間絶縁膜については、結合容量電極６７と重なる部分Ｋ、並びに保持容量配線延伸部１８ｐ・１８ｑと重なる部分Ｒ１・Ｒ２を刳り貫いておくことが好ましい。こうすれば、結合容量（図５のＣｃ）の容量値を十分に確保するとともに保持容量配線延伸部１８ｐ・１８ｑによるシールド効果を担保しながら、上記の効果を得ることができる。なお、本構成では走査信号線および画素電極間の寄生容量が低減されるため、図１４に示すように走査信号線１６と第１の画素電極１７ａとを重ねて開口率を高めることができる。

（液晶パネルの具体例６）
図１５は本液晶パネルの他の構成を示す平面図である。同図に示されるように、図１の液晶パネルから、第３の画素電極１７ｃ、中継配線４７、中継電極２９ｃ、およびコンタクトホール１１ｃを除いて構成することもできる。図１５の液晶パネルを備えた液晶表示装置では、中間調表示時に、画素電極１７ａを含む副画素を明副画素、画素電極１７ｂを含む副画素を暗副画素とし、これら１つの明副画素および１つの暗副画素の面積階調によって表示を行うことができる。

（液晶パネルの具体例７）
図１６は本液晶パネルの他の構成を示す平面図である。同図に示されるように、データ信号線１５および走査信号線１６で画される画素領域に、行方向に視て台形形状の第２の画素電極１７ｂとこれと嵌め合うような形状の第１の画素電極１７ａとが行方向に並べられ、保持容量配線１８が画素中央を横切るように（第２の画素電極１７ｂと重なるように）行方向に延伸している。

すなわち、第２の画素電極１７ｂの外周は、保持容量配線１８と交差し、行方向に対して略９０°をなす第１辺と、第１辺の一端から行方向に対して略４５°をなして延伸する第２辺と、第１辺の他端から行方向に対して略３１５°をなして延伸する第３辺と、第１辺に平行で保持容量配線１８と交差する第４辺とからなり、第１辺が台形の上底、第４辺が台形の下底をなし、第１および第４辺の中点同士を結ぶ線が保持容量配線１８上を通っている。

また、第１の画素電極１７ａの外周には、データ信号線１５に沿う辺、走査信号線１６に沿う辺、および走査信号線１６の隣の走査信号線に沿う辺に加えて、上記第１〜第３辺に対向する３つの辺が含まれており、第２の画素電極１７ｂの第１辺とこれに対向する第１の画素電極１７ａの外周の一辺との間隙が第１間隙Ｓ１、第２の画素電極１７ｂの第２辺とこれに対向する第１の画素電極１７ａの外周の一辺との間隙が第２間隙Ｓ２、第２の画素電極１７ｂの第３辺とこれに対向する第１の画素電極１７ａの外周の一辺との間隙が第３間隙Ｓ３となっている。

本液晶パネルにおいても、第２の画素電極１７ｂは、絶縁膜（ゲート絶縁膜、層間絶縁膜）（図示せず）を介して保持容量配線１８と重なっており、この絶縁膜には、薄膜部５１ａが形成されている。また、結合容量電極６７は、ゲート絶縁膜（図示せず）を介して保持容量配線１８と重なるように設けられ、層間絶縁膜（図示せず）を介して第２の画素電極１７ｂと重なっている。すなわち、結合容量電極６７は第２の画素電極１７ｂ下に配され、隣接する２本のデータ信号線の一方（データ信号線１５）と結合容量電極６７との間に薄膜部５１ａが配されている。また、トランジスタ１２のソース電極８はデータ信号線１５に接続され、ドレイン電極９はドレイン引き出し配線２７を介して引き出し電極２９ａに接続され、引き出し電極２９ａは、中継配線３７を介して結合容量電極６７に接続されるとともに、コンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続されている。これにより、トランジスタ１２のドレイン電極９と第１の画素電極１７ａと結合容量電極６７とが電気的に接続され、結合容量電極６７と第２の画素電極１７ｂとの重なり部分に結合容量Ｃｃ（図５参照）が形成される。

さらに、結合容量電極６７と保持容量配線１８との重なり部分に保持容量Ｃｈ１が形成され、薄膜部５１ａに対応する、第２の画素電極１７ｂと保持容量配線１８との重なり部分に保持容量Ｃｈ２が形成される。

さらに、保持容量配線１８から、平面的に視てデータ信号線１５に沿うような保持容量配線延伸部１８ｐと、平面的に視てデータ信号線１５の隣のデータ信号線に沿うような保持容量配線延伸部１８ｑが延伸し、保持容量配線延伸部１８ｐが、第２の画素電極１７ｂの外周の第１辺と重なり、保持容量配線延伸部１８ｑが、第２の画素電極１７ｂの外周の第４辺と重なっている。

図１６の液晶パネルでは、従来の構成（図２７参照）における、制御電極５１１（結合容量電極６７）と補助容量電極５１２との短絡を回避することができる。

ここで、図１６の液晶パネルをＭＶＡ方式で用いる場合には、第２間隙Ｓ２あるいは第３間隙Ｓ３を配向規制用構造物として機能させることができる。さらに、保持容量配線延伸部１８ｐ・１８ｑが、第２の画素電極１７ｂ（フローティング画素電極）のシールド電極として機能するため、第２の画素電極１７ｂへの電荷の飛び込み等をより効果的に抑制することができる。これにより、第２の画素電極１７ｂを含む副画素（暗副画素）の焼き付きを防止することができる。

なお、図１６の液晶パネルにおいて層間絶縁膜（チャネル保護膜）を、無機層間絶縁膜および有機層間絶縁膜の二層構造とすることもできる。こうすれば、各種寄生容量の低減、配線同士の短絡防止、および平坦化による画素電極の裂け等の低減といった効果が得られる。この場合、図１７に示すように、有機層間絶縁膜については、結合容量電極６７と重なる部分Ｋ、並びに保持容量配線延伸部１８ｐ・１８ｑと重なる部分Ｗ１・Ｗ２を刳り貫いておくことが好ましい。こうすれば、結合容量（図５のＣｃ）の容量値を十分に確保するとともに保持容量配線延伸部１８ｐ・１８ｑによるシールド効果を担保しながら、上記の効果を得ることができる。なお、本構成では走査信号線および画素電極間の寄生容量が低減されるため、図１７に示すように走査信号線１６と第１の画素電極１７ａとを重ねて開口率を高めることができる。

（液晶パネルの具体例８）
図８・９に示す液晶パネルを図１８・１９のように構成することもできる。図１８・１９に示される液晶パネルのカラーフィルタ基板の表面は、アクティブマトリクス基板３の有機層間絶縁膜２６の刳り貫き部Ｋに対向する部分Ｄが隆起している。こうすれば、刳り貫き部Ｋによるアクティブマトリクス基板表面の凹みを補い、隆起部Ｄ下の液晶層の厚みを周囲と同程度とすることができる。これにより、液晶層の厚みを均一化することができ、液晶の使用量を削減することができる。図１９（ａ）では、対向電極２８上に突起部材ｉを設け、これによってカラーフィルタ基板表面の隆起部Ｄを形成している。よって、刳り貫き部Ｋによるアクティブマトリクス基板表面の凹みに導電性異物が落ち込んでも、対向電極２８と第２の画素電極１７ｂとの短絡を防ぐことができる。なお、ＭＶＡの液晶パネルであれば、突起部材ｉを配向規制用のリブと同工程で形成することができる。また、図１９（ｂ）では、着色層１４上（対向電極２８下）に突起部材ｊを設け、これによってカラーフィルタ基板表面の隆起部Ｄを形成している。突起部材ｊを着色層１４とは別色の着色層とし、これら着色層（例えば、Ｒの着色層とＧの着色層）の重ね合わせによって隆起部Ｄを形成してもよい。図１９（ｂ）の構成では、隆起部Ｄを形成しない構成と比較して、隆起部Ｄ下における第２の画素電極１７ｂおよび対向電極２８間の距離を短くすることができるため、液晶容量を大きくすることができる。

なお、図１８に示すように、カラーフィルタ基板の隆起部Ｄによって液晶分子の配向乱れが視認されないように、隆起部Ｄを保持容量配線１８の形成層に投射した場合に、保持容量配線１８の行方向に沿う２つのエッジ間に収まる構成とすることが望ましい。

（液晶パネルの具体例９）
図１０・１１に示す液晶パネルを図２０・２１のように構成することもできる。図２０・２１に示される液晶パネルのカラーフィルタ基板の表面は、アクティブマトリクス基板３の有機ゲート絶縁膜２１の刳り貫き部Ｆに対向する部分Ｄが隆起している。こうすれば、刳り貫き部Ｆによるアクティブマトリクス基板表面の凹みを補い、隆起部Ｄ下の液晶層の厚みを周囲と同程度とすることができる。これにより、液晶層の厚みを均一化することができ、液晶の使用量を削減することができる。図２１（ａ）では、対向電極２８上に突起部材ｉを設け、これによってカラーフィルタ基板表面の隆起部Ｄを形成している。よって、刳り貫き部Ｆによるアクティブマトリクス基板表面の凹みに導電性異物が落ち込んでも、対向電極２８と第２の画素電極１７ｂとの短絡を防ぐことができる。なお、ＭＶＡの液晶パネルであれば、突起部材ｉを配向規制用のリブと同工程で形成することができる。また、図２１（ｂ）では、着色層１４上（対向電極２８下）に突起部材ｊを設け、これによってカラーフィルタ基板表面の隆起部Ｄを形成している。突起部材ｊを着色層１４とは別色の着色層とし、これら着色層（例えば、Ｒの着色層とＧの着色層）の重ね合わせによって隆起部Ｄを形成してもよい。図２１（ｂ）の構成では、隆起部Ｄを形成しない構成と比較して、隆起部Ｄ下における第２の画素電極１７ｂおよび対向電極２８間の距離を短くすることができるため、液晶容量を大きくすることができる。

なお、図２０に示すように、カラーフィルタ基板の隆起部Ｄによって液晶分子の配向乱れが視認されないように、隆起部Ｄを保持容量配線１８の形成層に投射した場合に、保持容量配線１８の行方向に沿う２つのエッジ間に収まる構成とすることが望ましい。

（液晶パネルの具体例１０）
図２８は、本液晶パネルの他の構成を示す平面図である。図２８の液晶パネルのアクティブマトリクス基板は、走査信号線１６に接続されたトランジスタ１１２・２１２と、走査信号線１６の次段となる走査信号線１１６に接続されたトランジスタ３１２とを備え、１つの画素領域に、画素電極１７ａ・１７ｂと、２つの容量電極２６６・２６７とを備える。ここで、容量電極２６６・２６７は、それぞれがゲート絶縁膜を介して保持容量配線１８と重なるとともに、それぞれがチャネル保護膜を介して画素電極１７ｂと重なり、トランジスタ３１２のソース電極３０８と容量電極２６７とが引き出し電極２２７を介して接続されるとともに、トランジスタ３１２のドレイン電極３０９と画素電極１７ａとがコンタクトホールを介して接続され、画素電極１７ｂが容量電極２６６・２７７とは重ならないが保持容量配線１８とは重なる重畳部２８８では、ゲート絶縁膜およびチャネル保護膜の少なくとも一方が周囲よりも薄く形成されている。

具体的には、重畳部２８８の周囲ではチャネル保護膜が無機絶縁膜とこれよりも厚い有機絶縁膜とで構成されるが、重畳部２８８では、有機絶縁膜が刳り貫かれ、保持容量配線１８と画素電極１７ｂとがゲート絶縁膜および無機絶縁膜のみを介して重なっている。なお、トランジスタ１１２・２１２の共通ソース電極１２８はデータ信号線１５に接続され、トランジスタ１１２のドレイン電極１０９は引き出し電極１２７ｐを介して容量電極２６６に接続され、容量電極２６６はドレイン引き出し電極１２７ｑおよびコンタクトホールを介して画素電極１７ａに接続されている。なお、トランジスタ２１２のドレイン電極２０９はコンタクトホールを介して画素電極１７ｂに接続されている。ここでは、容量電極２６６と保持容量配線１８との重なり部分に画素電極１７ａおよび保持容量配線１８間の保持容量が形成され、重畳部２８８に画素電極１７ｂおよび保持容量配線１８間の保持容量が形成され、容量電極２６７と画素電極１７ｂとの重なり部分に画素電極１７ａおよび画素電極１７ｂの結合容量が形成される。

図２８の液晶パネルを駆動すると、走査信号線１６の走査時に画素電極１７ａ・１７ｂに同一のデータ信号電位が書き込まれるが、走査信号線１１６の（次段の）走査時に、これら画素電極１７ａ・１７ｂが容量を介して接続される。これにより、画素電極１７ａによる暗副画素と、画素電極１７ｂによる明副画素とが形成される。

そして本液晶パネルでは、保持容量配線１８と画素電極１７ｂとがゲート絶縁膜および無機絶縁膜のみを介して重なる重畳部２８８が設けられているため、画素電極１７ｂおよび保持容量配線１８間の保持容量を維持しながら、容量電極２６７とデータ信号線１１５との距離を大きくすることができる。これにより、容量電極２６７およびデータ信号線１１５の短絡の発生を抑制し、液晶パネルの歩留まりを高めることができる。

（本液晶表示ユニットおよび液晶表示装置）
本実施の形態では、以下のようにして、本液晶表示ユニットおよび液晶表示装置を構成する。すなわち、本液晶パネルの両面に、２枚の偏光板Ａ・Ｂを、偏光板Ａの偏光軸と偏光板Ｂの偏光軸とが互いに直交するように貼り付ける。なお、偏光板には必要に応じて、光学補償シート等を積層してもよい。次に、図２２（ａ）に示すように、ドライバ（ゲートドライバ２０２、ソースドライバ２０１）を接続する。ここでは、一例として、ドライバをＴＣＰ方式による接続について説明する。まず、液晶パネルの端子部にＡＣＦを仮圧着する。ついで、ドライバが乗せられたＴＣＰをキャリアテープから打ち抜き、パネル端子電極に位置合わせし、加熱、本圧着を行う。その後、ドライバＴＣＰ同士を連結するための回路基板２０３（ＰＷＢ）とＴＣＰの入力端子とをＡＣＦで接続する。これにより、液晶表示ユニット２００が完成する。その後、図２２（ｂ）に示すように、液晶表示ユニットの各ドライバ（２０１・２０２）に、回路基板２０３を介して表示制御回路２０９を接続し、照明装置（バックライトユニット）２０４と一体化することで、液晶表示装置２１０となる。

図２３は、本液晶表示装置の構成を示すブロック図である。同図に示されるように、本液晶表示装置は、表示部（液晶パネル）と、ソースドライバ（ＳＤ）と、ゲートドライバ（ＧＤ）と、表示制御回路とを備えている。ソースドライバはデータ信号線を駆動し、ゲートドライバは走査信号線を駆動し、表示制御回路は、ソースドライバおよびゲートドライバを制御する。

表示制御回路は、外部の信号源（例えばチューナー）から、表示すべき画像を表すデジタルビデオ信号Ｄｖと、当該デジタルビデオ信号Ｄｖに対応する水平同期信号ＨＳＹおよび垂直同期信号ＶＳＹと、表示動作を制御するための制御信号Ｄｃとを受け取る。また、表示制御回路は、受け取ったこれらの信号Ｄｖ，ＨＳＹ，ＶＳＹ，Ｄｃに基づき、そのデジタルビデオ信号Ｄｖの表す画像を表示部に表示させるための信号として、データスタートパルス信号ＳＳＰと、データクロック信号ＳＣＫと、表示すべき画像を表すデジタル画像信号ＤＡ（ビデオ信号Ｄｖに対応する信号）と、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰと、ゲートクロック信号ＧＣＫと、ゲートドライバ出力制御信号（走査信号出力制御信号）ＧＯＥとを生成し、これらを出力する。

より詳しくは、ビデオ信号Ｄｖを内部メモリで必要に応じてタイミング調整等を行った後に、デジタル画像信号ＤＡとして表示制御回路から出力し、そのデジタル画像信号ＤＡの表す画像の各画素に対応するパルスからなる信号としてデータクロック信号ＳＣＫを生成し、水平同期信号ＨＳＹに基づき１水平走査期間毎に所定期間だけハイレベル（Ｈレベル）となる信号としてデータスタートパルス信号ＳＳＰを生成し、垂直同期信号ＶＳＹに基づき１フレーム期間（１垂直走査期間）毎に所定期間だけＨレベルとなる信号としてゲートスタートパルス信号ＧＳＰを生成し、水平同期信号ＨＳＹに基づきゲートクロック信号ＧＣＫを生成し、水平同期信号ＨＳＹおよび制御信号Ｄｃに基づきゲートドライバ出力制御信号ＧＯＥを生成する。

上記のようにして表示制御回路において生成された信号のうち、デジタル画像信号ＤＡ、信号電位（データ信号電位）の極性を制御する極性反転信号ＰＯＬ、データスタートパルス信号ＳＳＰ、およびデータクロック信号ＳＣＫは、ソースドライバに入力され、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰとゲートクロック信号ＧＣＫとゲートドライバ出力制御信号ＧＯＥとは、ゲートドライバに入力される。

ソースドライバは、デジタル画像信号ＤＡ、データクロック信号ＳＣＫ、データスタートパルス信号ＳＳＰ、および極性反転信号ＰＯＬに基づき、デジタル画像信号ＤＡの表す画像の各走査信号線における画素値に相当するアナログ電位（信号電位）を１水平走査期間毎に順次生成し、これらのデータ信号をデータ信号線に出力する。

ゲートドライバは、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰおよびゲートクロック信号ＧＣＫと、ゲートドライバ出力制御信号ＧＯＥとに基づき、ゲートオンパルス信号を生成し、これらを走査信号線に出力し、これによって走査信号線を選択的に駆動する。

上記のようにソースドライバおよびゲートドライバにより表示部（液晶パネル）のデータ信号線および走査信号線が駆動されることで、選択された走査信号線に接続されたトランジスタ（ＴＦＴ）を介して、データ信号線から画素電極に信号電位が書き込まれる。これにより各副画素の液晶層に電圧が印加され、これによってバックライトからの光の透過量が制御され、デジタルビデオ信号Ｄｖの示す画像が各副画素に表示される。

次に、本液晶表示装置をテレビジョン受信機に適用するときの一構成例について説明する。図２４は、テレビジョン受信機用の液晶表示装置８００の構成を示すブロック図である。液晶表示装置８００は、液晶表示ユニット８４と、Ｙ／Ｃ分離回路８０と、ビデオクロマ回路８１と、Ａ／Ｄコンバータ８２と、液晶コントローラ８３と、バックライト駆動回路８５と、バックライト８６と、マイコン（マイクロコンピュータ）８７と、階調回路８８とを備えている。なお、液晶表示ユニット８４は、液晶パネルと、これを駆動するためのソースドライバおよびゲートドライバとで構成される。

上記構成の液晶表示装置８００では、まず、テレビジョン信号としての複合カラー映像信号Ｓｃｖが外部からＹ／Ｃ分離回路８０に入力され、そこで輝度信号と色信号に分離される。これらの輝度信号と色信号は、ビデオクロマ回路８１にて光の３原色に対応するアナログＲＧＢ信号に変換され、さらに、このアナログＲＧＢ信号はＡ／Ｄコンバータ８２により、デジタルＲＧＢ信号に変換される。このデジタルＲＧＢ信号は液晶コントローラ８３に入力される。また、Ｙ／Ｃ分離回路８０では、外部から入力された複合カラー映像信号Ｓｃｖから水平および垂直同期信号も取り出され、これらの同期信号もマイコン８７を介して液晶コントローラ８３に入力される。

液晶表示ユニット８４には、液晶コントローラ８３からデジタルＲＧＢ信号が、上記同期信号に基づくタイミング信号と共に所定のタイミングで入力される。また、階調回路８８では、カラー表示の３原色Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれの階調電位が生成され、それらの階調電位も液晶表示ユニット８４に供給される。液晶表示ユニット８４では、これらのＲＧＢ信号、タイミング信号および階調電位に基づき内部のソースドライバやゲートドライバ等により駆動用信号（データ信号＝信号電位、走査信号等）が生成され、それらの駆動用信号に基づき、内部の液晶パネルにカラー画像が表示される。なお、この液晶表示ユニット８４によって画像を表示するには、液晶表示ユニット内の液晶パネルの後方から光を照射する必要があり、この液晶表示装置８００では、マイコン８７の制御の下にバックライト駆動回路８５がバックライト８６を駆動することにより、液晶パネルの裏面に光が照射される。上記の処理を含め、システム全体の制御はマイコン８７が行う。なお、外部から入力される映像信号（複合カラー映像信号）としては、テレビジョン放送に基づく映像信号のみならず、カメラにより撮像された映像信号や、インターネット回線を介して供給される映像信号なども使用可能であり、この液晶表示装置８００では、様々な映像信号に基づいた画像表示が可能である。

液晶表示装置８００でテレビジョン放送に基づく画像を表示する場合には、図２５示すように、液晶表示装置８００にチューナー部９０が接続され、これによって本テレビジョン受像機６０１が構成される。このチューナー部９０は、アンテナ（不図示）で受信した受信波（高周波信号）の中から受信すべきチャンネルの信号を抜き出して中間周波信号に変換し、この中間周波信号を検波することによってテレビジョン信号としての複合カラー映像信号Ｓｃｖを取り出す。この複合カラー映像信号Ｓｃｖは、既述のように液晶表示装置８００に入力され、この複合カラー映像信号Ｓｃｖに基づく画像が該液晶表示装置８００によって表示される。

図２６は、本テレビジョン受像機の一構成例を示す分解斜視図である。同図に示すように、本テレビジョン受像機６０１は、その構成要素として、液晶表示装置８００の他に第１筐体８０１および第２筐体８０６を有しており、液晶表示装置８００を第１筐体８０１と第２筐体８０６とで包み込むようにして挟持した構成となっている。第１筐体８０１には、液晶表示装置８００で表示される画像を透過させる開口部８０１ａが形成されている。また、第２筐体８０６は、液晶表示装置８００の背面側を覆うものであり、当該表示装置８００を操作するための操作用回路８０５が設けられると共に、下方に支持用部材８０８が取り付けられている。

本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態を技術常識に基づいて適宜変更したものやそれらを組み合わせて得られるものも本発明の実施の形態に含まれる。

本発明のアクティブマトリクス基板およびこれを備えた液晶パネルは、例えば液晶テレビに好適である。

１０１〜１０４ 画素
１２ トランジスタ
１５ データ信号線
１６ 走査信号線
１７ａ〜１７ｃ 第１〜第３の画素電極
１８ 保持容量配線
２１ 有機ゲート絶縁膜
２２ 無機ゲート絶縁膜
２５ 無機層間絶縁膜
２６ 有機層間絶縁膜
５１ａ、５１ｂ 薄膜部
６７ 結合容量電極
８４ 液晶表示ユニット
６０１ テレビジョン受像機
８００ 液晶表示装置

Claims (24)

1. データ信号線と、走査信号線と、上記データ信号線および上記走査信号線に接続されたトランジスタと、保持容量配線とを備えたアクティブマトリクス基板であって、
   １つの画素領域内に形成された第１および第２の画素電極を備え、
   上記第１の画素電極は、上記トランジスタを介して上記データ信号線に接続され、
   上記第２の画素電極は、上記第１の画素電極に電気的に接続される結合容量電極との間に形成される容量を介して該第１の画素電極に接続されるとともに、絶縁膜を介して上記保持容量配線と重なっており、
   上記絶縁膜のうち上記結合容量電極とは重ならない部分の少なくとも一部に、薄膜部が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
2. 上記絶縁膜は、第１〜第３の領域を有し、
   上記第１〜第３の領域は、それぞれ、上記保持容量配線および上記第２の画素電極と重なり、
   上記第１および第３の領域に上記薄膜部が形成され、上記第２の領域に上記結合容量電極と上記第２の画素電極との重畳部が形成され、
   上記第１〜第３の領域が、この順に走査信号線の延伸方向に並んで形成されていることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
3. 上記トランジスタの導通電極から引き出された引き出し配線と上記結合容量電極とが同層で接続されるとともに、上記引き出し配線と上記第１の画素電極とがコンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載のアクティブマトリクス基板。
4. 上記絶縁膜は、トランジスタのチャネルを覆う層間絶縁膜、およびゲート絶縁膜の少なくともいずれか一方であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
5. 上記絶縁膜は、上記層間絶縁膜であり、
   上記層間絶縁膜は、無機絶縁膜と有機絶縁膜とを含み、
   上記絶縁膜における上記薄膜部は、上記有機絶縁膜が薄くなっているか、あるいは該有機絶縁膜が除去されることにより形成されていることを特徴とする請求項４に記載のアクティブマトリクス基板。
6. 上記絶縁膜は、上記層間絶縁膜であり、
   上記層間絶縁膜は、さらに、上記第２の画素電極および上記結合容量電極と重なる部分の少なくとも一部が薄くなっていることを特徴とする請求項４または５に記載のアクティブマトリクス基板。
7. 上記層間絶縁膜は、無機絶縁膜と有機絶縁膜とを含み、
   上記第２の画素電極および上記結合容量電極と重なる部分の少なくとも一部では、上記有機絶縁膜が薄くなっているか、あるいは該有機絶縁膜が除去されていることを特徴とする請求項６に記載のアクティブマトリクス基板。
8. 上記絶縁膜は、上記ゲート絶縁膜であり、
   上記ゲート絶縁膜は、無機絶縁膜と有機絶縁膜とを含み、
   上記絶縁膜における上記薄膜部は、上記有機絶縁膜が薄くなっているか、あるいは該有機絶縁膜が除去されることにより形成されていることを特徴とする請求項４に記載のアクティブマトリクス基板。
9. 上記絶縁膜は、上記ゲート絶縁膜であり、
   上記ゲート絶縁膜は、さらに、上記第２の画素電極および上記結合容量電極と重なる部分の少なくとも一部が薄くなっていることを特徴とする請求項４または８に記載のアクティブマトリクス基板。
10. 上記ゲート絶縁膜は、無機絶縁膜と有機絶縁膜とを含み、
    上記第２の画素電極および上記結合容量電極と重なる部分の少なくとも一部では、上記有機絶縁膜が薄くなっているか、あるいは該有機絶縁膜が除去されていることを特徴とする請求項９に記載のアクティブマトリクス基板。
11. 上記有機絶縁膜には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ノボラック樹脂、およびシロキサン樹脂の少なくとも１つが含まれていることを特徴とする請求項５，７，８および１０のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
12. 上記第１の画素電極と上記走査信号線とが一部重なっていることを特徴とする請求項５または８に記載のアクティブマトリクス基板。
13. 上記保持容量配線から引き出された保持容量延伸部をさらに備え、
    上記保持容量延伸部は、平面的に視ると、上記保持容量配線から上記データ信号線に沿って延伸し、上記第２の画素電極のエッジと重なるか、あるいは該エッジの外側を通っていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
14. 上記第１および第２の画素電極の間隙が配向を規制する機能を有することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
15. 上記画素領域内に形成された第３の画素電極をさらに備え、
    上記第３の画素電極は、上記第１の画素電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
16. 上記第１〜第３の画素電極が、この順にデータ信号線の延伸方向に並べられていることを特徴とする請求項１５に記載のアクティブマトリクス基板。
17. 走査信号線に接続されたトランジスタと、保持容量配線とを備え、
    １つの画素領域に、上記トランジスタの一方の導通電極と接続する第１の画素電極と、上記保持容量配線に重なる第２の画素電極と、該保持容量配線および第２の画素電極それぞれに重なる結合容量電極とが設けられ、
    上記トランジスタの一方または他方の導通電極と上記結合容量電極とが電気的に接続され、
    上記第２の画素電極が上記保持容量配線とは重なるが上記結合容量電極とは重ならない領域の一部では、上記保持容量配線と上記第２の画素電極との間に配される複数の絶縁膜のうち少なくとも１つが周囲よりも薄く形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
18. 請求項６に記載のアクティブマトリクス基板とこれに対向する対向基板を備え、
    上記対向基板の表面は、上記アクティブマトリクス基板の層間絶縁膜が薄くなっている領域に対向する部分が隆起していることを特徴とする液晶パネル。
19. 請求項９に記載のアクティブマトリクス基板とこれに対向する対向基板を備え、
    上記対向基板の表面は、上記アクティブマトリクス基板のゲート絶縁膜が薄くなっている領域に対向する部分が隆起していることを特徴とする液晶パネル。
20. 上記保持容量配線は行方向に延伸し、
    対向基板表面の隆起している部分を上記保持容量配線の形成層に投射した場合に、上記保持容量配線の行方向に沿う２つのエッジ間に収まることを特徴とする請求項１８または１９に記載の液晶パネル。
21. 請求項１〜１７のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板を備えた液晶パネル。
22. 請求項１８〜２１のいずれか１項に記載の液晶パネルとドライバとを備えることを特徴とする液晶表示ユニット。
23. 請求項２２に記載の液晶表示ユニットと光源装置とを備えることを特徴とする液晶表示装置。
24. 請求項２３に記載の液晶表示装置と、テレビジョン放送を受信するチューナー部とを備えることを特徴とするテレビジョン受像機。

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