JPWO2009144949A1 - 光電変換素子モジュール、及び、光電変換素子モジュールの製造方法 - Google Patents

光電変換素子モジュール、及び、光電変換素子モジュールの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2009144949A1
JPWO2009144949A1 JP2010514380A JP2010514380A JPWO2009144949A1 JP WO2009144949 A1 JPWO2009144949 A1 JP WO2009144949A1 JP 2010514380 A JP2010514380 A JP 2010514380A JP 2010514380 A JP2010514380 A JP 2010514380A JP WO2009144949 A1 JPWO2009144949 A1 JP WO2009144949A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
photoelectric conversion
conversion element
element module
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010514380A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5346932B2 (ja
Inventor
北村 隆之
隆之 北村
臼井 弘紀
弘紀 臼井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikura Ltd filed Critical Fujikura Ltd
Priority to JP2010514380A priority Critical patent/JP5346932B2/ja
Publication of JPWO2009144949A1 publication Critical patent/JPWO2009144949A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5346932B2 publication Critical patent/JP5346932B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01MPROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M14/00Electrochemical current or voltage generators not provided for in groups H01M6/00 - H01M12/00; Manufacture thereof
    • H01M14/005Photoelectrochemical storage cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2068Panels or arrays of photoelectrochemical cells, e.g. photovoltaic modules based on photoelectrochemical cells
    • H01G9/2081Serial interconnection of cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2027Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H01G9/2031Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2059Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542Dye sensitized solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Connection Of Batteries Or Terminals (AREA)

Abstract

【課題】 光電変換素子同士の電気的接続の信頼性を高くすることができる光電変換素子モジュール、及び、光電変換素子モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】 互いに対向する第1電極15及び第2電極25とを有する複数の光電変換素子10と、複数の光電変換素子10同士を電気的に接続する導電部材30とを備え、複数の光電変換素子10が、第1電極15から第2電極25に向かう方向が同じ方向になるように平面状に並べられる光電変換素子モジュール1であって、第1電極15及び第2電極25は、封止部材17の外周により包囲される領域の外側に延出する延出部15a、25aを有し、導電部材30は、互いに隣り合う光電変換素子10A、10Bにおいて、一方の光電変換素子10Aの延出部15aと、他方の光電変換素子10Bの延出部25aとを接続し、延出部25aは可撓性を有する。【選択図】 図1

Description

本発明は、色素増感型の光電変換素子モジュール、及び、光電変換素子モジュールの製造方法に関する。
現在、環境問題、資源問題などを背景に、クリーンエネルギーとしての太陽電池が注目を集めている。太陽電池の一つとして、シリコン系太陽電池が知られており、シリコン系太陽電池としては、単結晶、多結晶、或いはアモルファスのシリコン等を用いたものがある。しかし、シリコン系太陽電池は、一般に製造コストが高く、また、原料供給が不充分である等の課題が残されており、大幅な普及には至っていない。
また、Cu−In−Se系(CIS系とも呼ぶ)などの化合物系の太陽電池が開発されており、極めて高い光電変換効率を示すなど優れた特徴を有しているが、製造コストや環境負荷などの問題があり、やはり大幅な普及には至っていない。
これらの太陽電池に対して、色素増感型太陽電池は、スイスのグレッツェルらのグループなどにより提案されたもので、安価で高い光電変換効率を得られる光電変換素子として着目されている。
太陽電池を大面積化するには、光電変換素子内部、あるいは外部回路の抵抗により生じる電圧の低下を抑制するため、発生する電流を極力減らして電圧を高くすればよい。このためには、直列配線型のモジュール構造を適用することが効果的である。色素増感型太陽電池では、電流の経路形状から名付けられたいわゆるW型とZ型といわれる直列配線型モジュール構造が提案されている(特許文献1を参照)。
図12、図13は、このような従来の光電変換素子の断面における構造を示す図である。図12及び図13にそれぞれ示すように、W型、Z型と呼ばれる光電変換素子モジュールは、作用極(窓側電極)108が基材101と、透明導電層102と、半導体層103とから構成され、光が作用極から入射する。一方、対極109は、基材101と、透明導電層102と、触媒層104とから構成される。そして、モジュールの各光電変換素子は、この作用極108と対極109とにより電解質層(電解液もしくは電解質ゲル)105を挟み込んだ構造をしている。
そして、W型の光電変換素子モジュール100Aは、図12に示すように、隔壁106で分割された各光電変換素子110a,100b,100c・・・を、隣接する各光電変換素子同士で、作用極108と対極109とが交互になるように配置することで、光が裏面から入射可能とされる。さらに、光電変換素子モジュール100Aは、隣り合う一対の光電変換素子110a,110b(110b,110c)の作用極108と対極109とが同一基材101上に設けられて、互いに接続される構造をしている。
一方、Z型の光電変換素子モジュール100Bにおいては、図13に示すように、作用極108が光電変換素子モジュール100Bの一方側に配され、対極109が他方側に配されるように、隔壁106により分割された各光電変換素子110a,100b,100c・・・が配置される。そして、隣接する各光電変換素子110a,100b,100c・・・の作用極108と対極109とが接続部材107により繋ぎ合わせて電気的に接続される構造をしている。
しかしながら、W型の光電変換素子モジュール100Aにおいては、隣り合う光電変換素子同士が互いに表裏交互に並んだ構造をしており、構造は非常に単純だが、半分のセルが裏面側から光を受けるため、変換効率の向上が困難である。
一方、Z型の光電変換素子モジュール100Bにおいては、全ての光電変換素子が同じ方向を向いた構造であるが、隣接する光電変換素子間の対向する電極(あるセルの作用極と隣接セルの対極)へ配線する必要があり、光電変換素子モジュールの製造が煩雑になる傾向にある。しかも電極間距離の制御を大面積の素子で均一に行わなければならず、高度な工作精度が要求される。
下記特許文献2には、このようなZ型の光電変換素子モジュールが記載されている。特許文献2に記載の光電変換素子モジュールにおいては、作用極が各光電変換素子で共通に用いられる基材上に設けられると共に、対極が各光電変換素子により共通に用いられる基材上に設けられる。そして、作用極と対極とが対向するようにして、作用極が設けられた基材と、対極が設けられた基材とが所定の間隔をあけて貼り合わされる。このとき、隣り合う光電変換素子の作用極と対極との電気的な接続を導電性ペーストにより行い、各光電変換素子同士が電気的に接続された光電変換素子モジュールとしている。
特開平8−306399号公報 特開2007−220606号公報
しかし、上記特許文献2に記載の光電変換素子モジュールにおいては、それぞれ基材に設けられた作用極と対極とが導電性ペーストにより接続されている。そのため導電性ペーストが硬化する際に、導電性ペーストのひけ等が起きると、作用極と対極とが近づく方向に応力が生じる場合がある。この場合、この応力によって導電性ペースト内にクラックが生じたり、導電性ペーストと作用極または対極との間にクラックが生じたりする場合がある。さらに、光電変換素子モジュールに外部から力が加わり、これによる応力が導電性ペーストと作用極または対極との間に生じる場合に、導電性ペースト内にクラックが生じたり、導電性ペーストと作用極または対極との間にクラックが生じたりする場合がある。これらの場合には、光電変換素子同士の電気的な接続に不具合が生じることがある。
そこで、本発明は、光電変換素子同士の電気的接続の信頼性を高くすることができる光電変換素子モジュール、及び、光電変換素子モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の光電変換素子モジュールは、互いに対向する第1電極及び第2電極と、前記第1電極及び前記第2電極と接続される封止部材と、を有する複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子同士を電気的に接続する導電部材と、を備え、前記複数の光電変換素子が、前記第1電極から前記第2電極に向かう方向が同じ方向になるように平面状に並べられる光電変換素子モジュールであって、前記第1電極及び前記第2電極は、前記第1電極と前記第2電極とを結ぶ方向に沿って前記第1電極及び前記第2電極を見る場合に、前記封止部材の外周により包囲される領域の外側に延出する延出部を有し、前記導電部材は、互いに隣り合う光電変換素子において、一方の光電変換素子の前記第1電極における延出部と、他方の光電変換素子の前記第2電極における延出部とを接続し、前記第1電極における前記延出部、及び、前記第2電極における前記延出部の少なくとも一方は、可撓性を有することを特徴とするものである。
このような光電変換素子モジュールによれば、互いに隣り合う光電変換素子において、一方の光電変換素子の第1電極における延出部と、他方の光電変換素子の第2電極における延出部とが導電部材により接続され、この互いに接続される第1電極の延出部と第2電極の延出部の少なくとも一方は、可撓性を有する。従って、外部から力が加わり導電部材と第1電極あるいは第2電極との間に応力が加わる場合や、導電部材が経時的に変形して導電部材と第1電極あるいは第2電極との間に応力が加わる場合おいても、可撓性を有する延出部が湾曲することにより、この応力を吸収する。このように可撓性を有する延出部により応力が吸収されることにより、導電部材と第1電極あるいは第2電極との断線等が抑制される。従って、光電変換素子同士の電気的な接続の信頼性を高くすることができる。
また、上記光電変換素子モジュールにおいて、前記第1電極及び前記第2電極のうち、一方の電極における延出部が可撓性を有すると共に、他方の電極は、前記一方の電極側と反対側に絶縁性の基材を有し、前記複数の光電変換素子のそれぞれにおける前記基材同士は、一体とされることが好ましい。
このような光電変換素子モジュールによれば、複数の光電変換素子同士が基材を介して一体とされる。従って、隣り合う光電変換素子同士の相対的な位置が変化することが抑制される。このため第1電極及び第2電極と導電部材との間に応力が加わることが抑制され、より光電変換素子同士の接続の信頼性を高くすることができる。
また、上記光電変換素子モジュールにおいて、前記一方の電極における前記延出部は、他方の電極側に湾曲していることが好ましい。
このような光電変換素子モジュールによれば、一方の電極の延出部は、他方の電極側に湾曲して導電部材と接続されるため、導電部材が、一方の電極の延出部において他方の電極側と反対側にはみ出た状態で接続される場合においても、光電変換素子モジュールの厚さを抑制することができる。さらに、一方の電極の延出部が他方の電極側に湾曲しているため、一方の電極には他方の電極側に押し付けられる応力が付与される。従って、一方の電極と封止部材とがより強固に接続され、光電変換素子モジュールは、優れた耐久性を有することができる。
また、上記光電変換素子モジュールにおいて、前記第1電極は、透明導電膜と、前記封止部材により包囲される領域から前記延出部にかけて前記透明導電膜上に設けられる集電配線と、を有し、前記導電部材は、前記第1電極の前記延出部において前記集電配線と接続されることが好ましい。
このような光電変換素子モジュールによれば、集電配線により第1電極の抵抗を低減することができる。さらに、導電部材と集電配線とが接続されることで、導電部材と第1電極との接続抵抗を低減することができる。従って、光電変換素子モジュールの効率を高めることができる。
また、上記光電変換素子モジュールにおいて、前記導電部材は、導電性ペースト、または、はんだであることが好ましい。
さらに、上記光電変換素子モジュールにおいて、前記導電部材は導電性ペーストであって、前記集電配線と前記導電性ペーストは、同じ材料を含有することが好ましい。
このような光電変換素子モジュールによれば、集電配線と導電部材との接続性に優れるため、より光電変換素子同士の電気的な接続に優れる。
また、本発明の光電変換素子モジュールの製造方法は、互いに対向する第1電極及び第2電極と、前記第1電極及び前記第2電極と接続される封止部材と、を有する複数の光電変換素子を前記第1電極から前記第2電極に向かう方向が同じ方向になるように平面状に並べて準備する、準備工程と、前記複数の光電変換素子同士を導電部材により電気的に接続する、接続工程と、を備える光電変換素子モジュールの製造方法であって、前記第1電極及び前記第2電極は、前記第1電極と前記第2電極とを結ぶ方向に沿って前記第1電極及び前記第2電極を見る場合に、前記封止部材の外周で包囲される領域の外側に延出する延出部を有し、前記接続工程においては、互いに隣り合う光電変換素子において、一方の光電変換素子の前記第1電極における延出部と、他方の光電変換素子の前記第2電極における延出部とを前記導電部材により接続し、前記第1電極における前記延出部、及び、前記第2電極における前記延出部の少なくとも一方は、可撓性を有することを特徴とするものである。
このような光電変換素子モジュールの製造方法によれば、接続工程において、互いに隣り合う光電変換素子における一方の光電変換素子の第1電極の延出部と、他方の光電変換素子の第2電極の延出部とが導電部材により接続される。このとき、この第1電極の延出部と第2電極の延出部の少なくとも一方は、可撓性を有するため、可撓性を有する延出部が湾曲することができる。従って、接続工程において、導電部材が変形する場合においても、導電部材の変形に追従するように可撓性を有する延出部が湾曲し、導電部材の変形を可撓性を有する延出部が吸収することができる。このようにして適切に導電部材と電極とを接続することができ、光電変換素子同士の電気的な接続信頼性が高い光電変換素子モジュールを製造することができる。
さらに、上記光電変換素子もモジュールの製造方法において、前記接続工程において、第1電極の延出部と第2電極の延出部とが近づくように、可撓性を有する延出部に力を加えながら、前記第1電極の延出部及び前記第2電極の延出部と前記導電部材とを接続することが好ましい。
このような光電変換素子モジュールの製造方法によれば、導電部材が変形するような場合であっても、第1電極の延出部と第2電極の延出部とが近づくように加えられる力によって、可撓性を有する延出部が導電部材の変形に対して適切に追従することができる。従って、光電変換素子同士の電気的接続の信頼性がより高い光電変換素子モジュールを製造することができる。
本発明によれば、光電変換素子同士の電気的接続を良好とすることができる光電変換素子モジュール、及び、光電変換素子モジュールの製造方法が提供される。
本発明の第1実施形態に係る光電変換素子モジュールの断面における構造を示す断面図である。 光電変換素子モジュールの製造方法の準備工程における断面の様子を示す断面図である。 光電変換素子モジュールの製造方法の準備工程における断面の様子を示す断面図である。 光電変換素子モジュールの製造方法の準備工程における断面の様子を示す断面図である。 光電変換素子モジュールの製造方法の準備工程における断面の様子を示す断面図である。 光電変換素子モジュールの製造方法の接続工程における断面の様子を示す断面図である。 光電変換素子モジュールの製造方法の準備工程における断面の様子を示す断面図である。 光電変換素子モジュールの製造方法の接続工程における断面の様子を示す断面図である。 本発明の第2実施形態に係る光電変換素子モジュールの断面における構造を示す断面図である。 本発明の第3実施形態に係る光電変換素子モジュールの断面における構造を示す断面図である。 本発明の第4実施形態に係る光電変換素子モジュールの断面における構造を示す断面図である。 従来の光電変換素子の断面における構造を示す断面図である。 従来の光電変換素子の断面における構造を示す断面図である。
以下、本発明に係る光電変換素子モジュールの好適な実施形態について図面に基づいて詳細に説明する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る光電変換素子モジュールの断面における構造を示す断面図である。
図1に示すように光電変換素子モジュール1は、平面状に並べられる複数の光電変換素子10(10A,10B…)と、これら複数の光電変換素子10(10A,10B…)同士を電気的に接続する導電部材30とを主な構成として備える。
まず、複数の光電変換素子10(10A、10B…)は、それぞれ同様の構成であるため、一つの光電変換素子10について説明をする。
光電変換素子10は、作用極14と、作用極14に対向して配置される対極24と、作用極14と対極24との間に配置される電解質18と、電解質18を包囲して封止する封止部材17とを主な構成とする。
(作用極)
作用極14は、絶縁性の透明な板状の基材11と、基材11の一方の表面上に設けられる透明導電膜12とから構成される第1電極15、及び、透明導電膜12の基材11側とは反対側の表面上に設けられ、少なくとも一部に光増感色素を担持する多孔質酸化物半導体層13から構成されている。なお、本実施形態において、作用極14は、光透過性を有していれば、可撓性を有していても、可撓性を有していなくても良い。
板状の基材11は、平面状に並べられる複数の光電変換素子10(10A,10B…)同士で一体とされている。
基材11は、透明な材料から構成されている。このような透明な材料としては、光透過性の材料であれば特に制限されるものではないが、例えば、ガラス、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホンなど、通常、光電変換素子10の透明な基材として用いられるものであればいかなるものでも用いることができる。基材11は、これらの中から電解液への耐性などを考慮して適宜選択される。また、基材11は、できる限り光透過性に優れる材料から構成されることが好ましく、透過率が90%以上の材料から構成されることがより好ましい。
透明導電膜12は、基材11の一方の表面上において形成される薄膜から構成される。また、透明導電膜12は、それぞれの光電変換素子10(10A,10B…)毎において、透明導電膜12同士が分離するように形成されている。
また、透明導電膜12は、透明性、及び、導電性を著しく損なわない構造とするために、導電性の金属酸化物からなる薄膜であることが好ましい。このような透明導電膜12を形成する導電性の金属酸化物としては、特に制限されるものではないが、例えば、スズ添加酸化インジウム(ITO)、フッ素添加酸化スズ(FTO)、酸化スズ(SnO)等が挙げられる。中でもFTOのみからなる単層の膜、または、ITOからなる膜にFTOからなる膜が積層されてなる積層膜に構成されることが、可視域における光の吸収量が少なく、導電率が高く、耐熱性に優れるため好ましい。
多孔質酸化物半導体層13は、透明導電膜12の基材11側とは反対側の表面上に設けられており、その表面には光増感色素が担持されている。多孔質酸化物半導体層13を形成する酸化物半導体としては特に限定はされないが、通常、光電変換素子用の多孔質酸化物半導体層を形成するのに用いられる酸化物半導体であれば、いかなるものでも用いることができる。このような酸化物半導体としては、例えば、酸化チタン(TiO)、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニオブ(Nb)、酸化タングステン(WO)等が挙げられ、これらの2種類以上により構成されても良い。
これら酸化物半導体の粒子の平均粒径は1〜1000nmであることが、光増感色素で覆われる酸化物半導体の表面積が大きくなり、即ち光電変換を行う場が広くなり、より多くの電子を生成することができることから好ましい。また、多孔質酸化物半導体層13は、粒度分布の異なる酸化物半導体粒子を積層させて構成されることが好ましい。この場合、半導体層内で繰り返し光の反射を起こさせることが可能となり、多孔質酸化物半導体層13の外部へ逃がす入射光を少なくして、効率よく光を電子に変換することができる。多孔質酸化物半導体層13の厚さは、例えば0.5〜50μmとすればよい。なお、多孔質酸化物半導体層13は、異なる材料からなる複数の酸化物半導体の積層体で構成することもできる。
多孔質酸化物半導体層13を形成する方法としては、例えば、市販の酸化物半導体の微粒子を所望の分散媒に分散させた分散液、あるいは、ゾル−ゲル法により調製できるコロイド溶液を、必要に応じて所望の添加剤を添加した後、スクリーンプリント法、インクジェットプリント法、ロールコート法、ドクターブレード法、スプレー塗布法など公知の塗布方法により塗布した後、焼結することで得られる。
光増感色素としては、ビピリジン構造、ターピリジン構造などを配位子に含むルテニウム錯体、ポルフィリン、フタロシアニンなどの含金属錯体をはじめ、エオシン、ローダミン、メロシアニンなどの有機色素などを適用することができ、これらの中から用途、使用半導体に適した励起挙動をとるものを適宜選択すれば良い。
(電解質)
電解質18は、作用極14と対極24との間において多孔質酸化物半導体層13の周囲に配置される。電解質18は、多孔質酸化物半導体層13内に電解液を含浸させてなるものか、または、多孔質酸化物半導体層13内に電解液を含浸させた後に、この電解液を適当なゲル化剤を用いてゲル化(擬固体化)して、多孔質酸化物半導体層13と一体に形成されてなるもの、あるいは、イオン液体、酸化物半導体粒子および導電性粒子を含むゲル状の電解質が用いられる。
上記電解液としては、ヨウ素、ヨウ化物イオン、ターシャリ−ブチルピリジンなどの電解質成分が、エチレンカーボネートやメトキシアセトニトリルなどの有機溶媒やイオン液体に溶解されてなるものが用いられる。この電解液をゲル化する際に用いられるゲル化剤としては、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレンオキサイド誘導体、アミノ酸誘導体などが挙げられる。
上記イオン液体としては、特に限定されるものではないが、室温で液体であり、例えば、四級化された窒素原子を有する化合物をカチオンとした常温溶融塩が挙げられる。常温溶融塩のカチオンとしては、四級化イミダゾリウム誘導体、四級化ピリジニウム誘導体、四級化アンモニウム誘導体などが挙げられる。常温溶融塩のアニオンとしては、BF 、PF 、(HF) 、ビストリフルオロメチルスルホニルイミド[N(CFSO ]、ヨウ化物イオンなどが挙げられる。イオン液体の具体例としては、四級化イミダゾリウム系カチオンとヨウ化物イオンまたはビストリフルオロメチルスルホニルイミドイオンなどからなる塩類を挙げることができる。
上記の酸化物半導体粒子としては、物質の種類や粒子サイズなどが特に限定されないが、イオン液体を主体とする電解液との混和性に優れ、この電解液をゲル化させるようなものが挙げられる。また、酸化物半導体粒子は、電解質の半導電性を低下させることがなく、電解質に含まれる他の共存成分に対する化学的安定性に優れることが好ましい。特に、電解質がヨウ素/ヨウ化物イオンや、臭素/臭化物イオンなどの酸化還元対を含む場合であっても、酸化物半導体粒子は、酸化反応による劣化を生じないものが好ましい。
このような酸化物半導体粒子としては、TiO、SnO、SiO、ZnO、Nb、In、ZrO、Al、WO、SrTiO、Ta、La、Y、Ho、Bi、CeOからなる群から選択される1種または2種以上の混合物が挙げられ、TiO、SiOが特に好ましい。また、このTiO、SiOの平均粒径は、2nm〜1000nm程度であることが好ましい。
また、上記の導電性微粒子としては、導電体や半導体など、導電性を有する粒子が用いられる。この導電性粒子の比抵抗の範囲は、好ましくは1.0×10−2Ω・cm以下であり、より好ましくは、1.0×10−3Ω・cm以下である。また、導電性粒子の種類や粒子サイズなどは特に限定されないが、イオン液体を主体とする電解液との混和性に優れ、この電解液をゲル化するようなものが好ましい。さらに、電解質に含まれる他の共存成分に対する化学的安定性に優れることが好ましい。特に、電解質がヨウ素/ヨウ化物イオンや、臭素/臭化物イオンなどの酸化還元対を含む場合でも、酸化反応による劣化を生じないものが好ましい。
このような導電性微粒子としては、カーボンを主体とする物質からなるものが挙げられ、具体的には、カーボンナノチューブ、カーボンファイバ、カーボンブラックなどの粒子が挙げられる。これらの物質の製造方法はいずれも公知であり、また、市販品を用いることができる。
(対極)
対極24は、作用極14と対向して設けられ、薄い導電板21及び触媒層22から構成される。なお、本実施形態においては、対極24が第2電極25とされる。
また、対極24は、全体的に可撓性を有している。なお、本実施形態においては、対極24は、可撓性を有していれば、光透過性を有していても、光透過性を有していなくても良い。
このような対極24の導電板21の材料としては、可撓性を有する導電物であれば光透過性の有無にかかわらず、特に制限はされないが、対極24が特に光透過性を有さない場合には、例えば、チタン、ニッケル、白金などの金属や、ITO、FTO等の酸化物導電体、カーボン等が挙げられる。この場合、酸化物導電体は、着色されていても良い。また、導電板21は、酸化物導電体やカーボン等の薄膜が、樹脂やガラス等の表面に設けられる構成であっても良い。また、対極24が光透過性を有する場合には、例えば、導電板21は、絶縁性の透明な基材と、この基材の作用極側の表面上に透明導電膜が設けられる構成とされる。この場合、特に制限はされないが、対極24の絶縁性の透明な基材は、例えば作用極14の基材11と同様の材料により構成され、対極24の透明導電膜は、例えば作用極14の透明導電膜12と同様の構成とされる。
また、触媒層22は、例えば炭素や白金等により構成される。なお、導電板21が白金である場合には、触媒層22は設けられなくても良い。
(封止部材)
封止部材17は、作用極14の第1電極15及び対極24である第2電極25と接続され、電解質18を包囲して封止している。このような封止部材17としては、作用極14及び対極24に対する接着性に優れるものであり、密封性に優れる材料から構成されることが好ましい。このような材料としては、例えばアイオノマー、エチレン−ビニル酢酸無水物共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、紫外線硬化樹脂、及び、ビニルアルコール重合体が挙げられる。このような樹脂としては、例えば、分子鎖中にカルボン酸基を有する熱可塑性樹脂からなる接着剤などが挙げられ、ハイミラン(三井デュポンポリケミカル社製)、バイネル(デュポン社製)、アロンアルファ(東亞合成社製)などの他に、UV硬化可能な材料[例えば、31X−101(スリーボンド社製)]などが挙げられる。なお、封止部材17は樹脂のみで構成されてもよいし、樹脂と無機フィラーとで構成されていてもよい。
また、この封止部材17は、作用極14と対極24とを結ぶ方向に沿って作用極14及び対極24を見る場合に、封止部材17の外周により包囲される領域から、作用極14の第1電極15及び対極24としての第2電極25が延出するように設けられている。従って、作用極14の第1電極15は、封止部材17により包囲される領域から外側に延出される延出部15aを有し、対極24としての第2電極25は、封止部材17により包囲される領域から外側に延出される延出部25aを有する。なお、対極24が可撓性を有するため、延出部25aは可撓性を有している。この可撓性を有する延出部25aの幅としては、特に制限されるものではないが、封止部材17の厚さよりも大きいことが好ましい。そして、延出部25aの可撓性の程度としては、特に限定されるものではないが、例えば、延出部25aが作用極14の第1電極15の表面に到達する寸前程度まで湾曲することが好ましい。
次に、各光電変換素子モジュール1(10A、10B・・・)同士の電気的な接続について説明する。
上述のように作用極14の第1電極15は、対極24側と反対側に基材11を有しており、複数の光電変換素子10(10A、10B・・・)のそれぞれにおける基材11同士が一体とされている。このため、複数の光電変換素子10(10A,10B・・・)は、作用極14から対極24に向う方向が同じ方向となるように平面状に並べられている。また、互いに隣り合う光電変換素子10A、10Bは、一方の光電変換素子10Aの作用極14と、他方の光電変換素子10Bの対極24とが、作用極14と対極24とを結ぶ方向に沿って作用極14及び対極24を見る場合に、重なるように配置されている。
そして、互いに隣り合う光電変換素子10A、10Bにおいて、一方の光電変換素子10Aの作用極14と、他方の光電変換素子10Bの対極24とが、導電部材30により電気的に接続されている。具体的には、導電部材30は、光電変換素子10Aの作用極14の第1電極における延出部15a、及び、光電変換素子10Bの対極24としての第2電極25における延出部25aと接続されている。このようにして互いに隣り合う光電変換素子10A、10Bが、直列に接続されている。なお、第2電極25の延出部25aは、第1電極15側に湾曲した状態で導電部材30と接続されている。
導電部材30としては、特に限定されるものではないが、例えば、導電性ペーストやはんだが挙げられる。
導電性ペーストとしては、導電物とバインダ樹脂との混合物からなるペーストが挙げられる。導電物としては、金、白金、スズ、銀、ニッケル、カーボン、銅のうち1または2以上を含むものが挙げられる。なお、導電物は粒子状であることが好ましい。バインダとしては、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂のうち1または2以上を用いるものが挙げられる。また、バインダの使用量は、導電物100重量部に対して0.2〜10重量部、好ましくは0.5〜5重量部であることが好適である。このような導電性ペーストは適切に変形し、隣接する光電変換素子10A、10Bの接続部において、光電変換素子10Bの第2電極25の延出部25aを光電変換素子10Aの第1電極15側に意図的に湾曲させた状態で、光電変換素子10Bの第2電極25を導電部材30と接続させることができる。これにより、第1電極15及び第2電極25と導電部材30との密着が容易になり、かつ、接続信頼性を向上させることができる。
また、はんだとしては、特に制限はされないが、高融点はんだや低融点はんだが挙げられる。高融点はんだとしては、融点が200℃以上(例えば210℃以上)であるものを用いることが好適である。このような高融点はんだとしては、Sn−Cu系、Sn−Ag系、Sn−Ag−Cu系、Sn−Au系、Sn−Sb系、Sn−Pb系(Pb含有量は例えば85質量%超)などを挙げることができ、これらのうち1つを単独で使用してもよいし、2以上を併用してもよい。このような高融点はんだを用いることにより、第2電極25の導電板21がチタンの様なはんだ付けがしづらい金属である場合においても、容易に接続することができる。一方、低融点はんだとしては、例えば融点が200℃未満であるものを用いるのが好適である。この様なはんだとしては、共晶タイプ(例えばSn−Pb等)や、鉛フリータイプ(例えばSn−Ag、Sn−Cu、Sn−Ag−Cu、Sn−Zn、Sn−Zn―B等)などが挙げられる。低融点はんだを使用することによって、光電変換素子10(10A、10B・・・)同士の電気的な接続を行う際、多孔質酸化物半導体層13に担持される光増感色素や、電解質18が高温になることを抑制することができ、これにより光増感色素や電解質18が劣化することを抑制することができる。
本実施形態による光電変換素子モジュール1によれば、互いに隣り合う光電変換素子10A、10Bにおいて、一方の光電変換素子10Aの第1電極15における延出部15aと、他方の光電変換素子10Bの第2電極25における延出部25aとが導電部材30により接続される。そして、第2電極25の延出部25aは、可撓性を有する。従って、外部から力が加わり導電部材30と第1電極15あるいは第2電極25との間に応力が加わる場合や、導電部材30が経時的に変形して導電部材30と第1電極15あるいは第2電極25との間に応力が加わる場合おいても、可撓性を有する第2電極25の延出部25aが湾曲することにより、この応力を吸収する。このように可撓性を有する延出部25aにより応力が吸収されることにより、導電部材30と第1電極15あるいは第2電極25との断線等が抑制される。従って、光電変換素子10(10A、10B・・・)同士の電気的接続の信頼性を高くすることができる。
また、光電変換素子モジュール1は、複数の光電変換素子10(10A、10B・・・)が、基材11を介して一体とされる。従って、隣り合う光電変換素子10A、10B同士の相対的な位置が変化することが抑制される。このため作用極14及び対極24と導電部材30との間に応力が加わることが抑制され、より光電変換素子10(10A、10B・・・)同士の接続信頼性を高くすることができる。
さらに、光電変換素子モジュール1は、第2電極25における延出部25aは、第1電極15側に湾曲して導電部材30と接続されるため、導電部材30が、第2電極25の延出部25aにおいて、第1電極15側と反対側にはみ出た状態で接続される場合においても、光電変換素子モジュール1の厚さを抑制することができる。さらに、第2電極25の延出部25aが第1電極15側に湾曲しているため、第2電極25には第1電極15側に押し付けられる応力が付与される。従って、対極24と封止部材17とがより強固に接続され、光電変換素子モジュール1は、優れた耐久性を有することができる。
次に、本発明の光電変換素子モジュール1の製造方法について説明する。
光電変換素子モジュール1の製造方法は、図1に示す複数の光電変換素子10(10A、10B・・・)を第1電極15から第2電極25に向かう方向が同じ方向になるように平面状に並べて準備する、準備工程と、複数の光電変換素子10(10A、10B・・・)同士を導電部材30により電気的に接続する、接続工程と、から構成される。
まず、図1に示す光電変換素子モジュール1において、導電部材30として導電性ペーストが用いられる場合の光電変換素子モジュール1を製造する製造方法について説明する。
図2〜図5は、光電変換素子モジュールの製造方法の準備工程における断面の様子を示す断面図であり、図6は、接続工程における断面の様子を示す断面図である。
(準備工程)
各光電変換素子10(10A、10B・・・)は、作用極14及び対極24を準備し、封止部材17により作用極14と対極24との間に電解質18が封止されるように作用極14と対極24とを張り合わせることにより得ることができる。
作用極14は、次の工程により得ることができる。
まず、透明な基材11の一方の面の全域を覆うように透明導電膜12を形成し、透明導電性基板を作製する。次に図2に示すように、レーザースクライブなどを用いて、透明導電膜12を所望の箇所において切断する。こうして第1電極15を得る。
透明導電膜12を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、スパッタリング法、CVD(化学気相成長)法、スプレー熱分解法(SPD法)、蒸着法などの薄膜形成法が挙げられる。
その中でも、前記透明導電膜12は、スプレー熱分解法により形成されたものであることが好ましい。透明導電膜12をスプレー熱分解法により形成することで、容易にヘーズ率を制御することができる。また、スプレー熱分解法は、減圧システムが不要なため、製造工程の簡素化低コスト化を図ることができるので好適である。
次に、第1電極15の透明導電膜12上の所定位置に、多孔質酸化物半導体層13を形成する。この多孔質酸化物半導体層13の形成は、主に塗布工程と乾燥・焼成工程からなる。
塗布工程においては、例えばTiO粉末と界面活性剤を所定の比率で混ぜ合わせてなるTiOコロイドのペーストを、親水性化を図った透明導電膜12の表面に塗布する。塗布の方法としては、スクリーンプリント法、インクジェットプリント法、ロールコート法、ドクターブレード法、スプレー塗布法など公知の塗布法を用いればよい。
乾燥・焼成工程においては、例えば、大気雰囲気中におよそ30分間、室温にて放置することで塗布されたコロイドを乾燥させた後、電気炉を用いおよそ30分間、350〜550℃の温度にて焼成する。
次に、この塗布工程と乾燥・焼成工程により形成された多孔質酸化物半導体層13に対して光増感色素の担持を行う。
光増感色素の担持用の色素溶液は、例えばアセトニトリルとt−ブタノールを容積比で1:1とした溶媒に対して、極微量のN719粉末を加えて調整したものを予め準備する。
次に、シャーレ状の容器内に入れた色素用液に、別途電気炉にて120〜150℃程度に加熱処理した多孔質酸化物半導体層13を浸した状態とし、暗所にて一昼夜(およそ20時間)浸漬する。その後、色素溶液から取り出した多孔質酸化物半導体層13をアセトニトリルとt−ブタノールからなる混合溶液を用い洗浄する。
こうして光増感色素担持した多孔質酸化物半導体層13が透明導電膜12上に形成された作用極14を得る。
一方、対極24は、次の工程により得ることができる。
まず、薄い導電板21を準備する。導電板21がチタンやニッケル等の金属板やITO、FTO等の酸化物導電体、カーボン等である場合には、金属板や酸化物導電体、カーボン等がそのまま導電板21となり、導電性酸化物やカーボン等の薄膜が樹脂やガラス等の表面に設けられる場合には、樹脂やガラス等を準備し、この表面に導電性酸化物やカーボンの薄膜を形成すればよい。この導電性酸化物やカーボンは、スパッタリング法等により、樹脂やガラス等の表面に形成すればよい。また、導電板21が、絶縁性の透明な基材上に透明導電膜が設けられる構成である場合には、絶縁性の透明な基材を準備して、この表面上に透明導電膜を設けることにより導電板21と得る。透明導電膜と設ける工程は、作用極14の透明導電膜12を設ける工程と同様の方法で行えば良い。
そして、準備した導電板21の表面上に白金などからなる触媒層22を形成する。触媒層22の形成は、スパッタリング法などにより形成する。これにより導電板21と触媒層22とを有する第2電極25を得る。そして、この第2電極25がそのまま対極24となる。なお、導電板21が白金である場合には、触媒層22は設けられなくても良い。
こうして対極24を得る。
次に、図3に示すように、作用極14の第1電極15上に、封止部材17となるための樹脂17sまたはその前駆体を形成する。このとき樹脂17sまたはその前駆体は、作用極14の多孔質酸化物半導体層13を包囲する様に形成する。樹脂17sが熱可塑性樹脂である場合は、溶融させた樹脂を作用極14上に塗布した後に室温で自然冷却するか、フィルム状の樹脂を作用極14に接触させ、外部の熱源によって樹脂を加熱溶融させた後に室温で自然冷却することにより樹脂17sを得ることができる。熱可塑性の樹脂としては、例えばアイオノマーやエチレン−メタクリル酸共重合体が用いられる。樹脂17sが紫外線硬化樹脂である場合は、樹脂17sの前駆体である紫外線硬化性樹脂を作用極14上に塗布する。樹脂17sが水溶性樹脂である場合は、樹脂を含む水溶液を作用極14上に塗布する。水溶性の樹脂として、例えばビニルアルコール重合体が用いられる。
次に、図4に示すように、作用極14上であって封止部材17となるための樹脂17sまたはその前駆体の外側に導電性ペースト31を配置する。導電性ペースト31を配置する方法としては、例えば、スクリーンプリント法、インクジェットプリント法、ロールコート法、ドクターブレード法、スプレー塗布法などが挙げられる。
次に、図5に示すように、電解質18を注入して、作用極14と対極24とを貼り合わせ、各光電変換素子10(10A、10B・・・)とする。具体的には、作用極14上の樹脂17sまたはその前駆体で包囲された領域に電解質を充填して、作用極14と対極24とを対向させ、作用極14上の樹脂17sを対極24と接触させる。その後、減圧環境下において、樹脂17sが熱可塑性樹脂である場合は、樹脂を加熱溶融させ、作用極14と対極24とを接着させる。こうして封止部材17が得られる。樹脂17sが紫外線硬化樹脂である場合は、作用極14上の樹脂17sを対極24と接触させた後に紫外線により、紫外線硬化性樹脂を硬化させ、封止部材17が得られる。樹脂17sが水溶性樹脂である場合は、作用極14上の樹脂17sを対極24と接触させた後に室温にて乾燥させた後、低湿環境下で乾燥させ、封止部材17が得られる。
こうして、作用極14から対極24に向かう方向が同じ方向になるように平面状に並べられた複数の光電変換素子10(10A、10B)を得ることができる。
なお、電解質が液体である場合には、作用極14と対極24とを貼り合わせる前に電解質を注入せずに貼り合わせても良い。この場合には、例えば、事前に対極24に、その厚さ方向に貫通する穴を少なくとも2ヶ所設ける。そして、一方の穴から作用極14と対極24と封止部材17とにより囲まれた空間内に、電解質を注入して電解質18とし、その後これらの穴を封止する。
(接続工程)
次に、複数の光電変換素子10(10A、10B・・・)同士を導電性ペースト31により電気的に接続する。
複数の光電変換素子10(10A、10B・・・)同士を導電性ペースト31により電気的に接続するには、図6に示すように、作用極14が図示しない作業台上に配置された状態で、対極24である第2電極25の延出部25aが作用極14の第1電極15における延出部15aに近づくように、延出部25aに力を加えて、延出部25aを延出部15a側に湾曲させる。こうして対極24と導電性ペースト31、及び、作用極14と導電性ペースト31とを接触させる。その後、対極24と導電性ペースト31、及び、作用極14と導電性ペースト31とが接触した状態で、導電性ペースト31が硬化し、導電部材30として、作用極14と対極24とを電気的に接続する。
対極24が作用極14に近づくように、対極24の延出部25aに力を加えるには、例えば、図6に示すように、対極24をスポンジ状の弾性体35で覆い、対極24側から作用極14側に向かって所定の圧力を印加する。これにより可撓性を有する対極の延出部25aは、作用極14側に湾曲すると共に、導電性ペースト31と密着する。
こうして、図1に示す光電変換素子モジュール1を得る。
次に、図1に示す光電変換素子モジュール1において、導電部材30としてはんだが用いられる場合の光電変換素子モジュール1を製造する製造方法について説明する。
図7は、光電変換素子モジュール1の製造方法の準備工程における断面の様子を示す断面図であり、図8は、光電変換素子モジュール1の製造方法の接続工程における断面の様子を示す断面図である。
(準備工程)
まず、図2、図3を用いて説明した工程と同様にして、作用極14と対極24とを準備し、作用極14上、及び、対極24上に封止部材17となるための樹脂またはその前駆体を形成する。
次に、図7に示すように、作用極14と対極24との間において、封止部材17により電解質18が封止されるように、作用極14と対極24とを貼り合わせる。電解質18が封止部材17により封止されるように、作用極14と対極24とを貼り合わせる工程は、導電部材30として導電性ペーストを用いた場合の、作用極14と対極24とを張り合わせる工程と同様に行えばよい。
こうして、作用極14から対極24に向かう方向が同じ方向になるように平面状に並べられた複数の光電変換素子10(10A、10B)を得ることができる。
(接続工程)
次に、図8に示すように、複数の光電変換素子10(10A、10B・・・)同士をはんだにより電気的に接続する。
まず、熱せられたはんだこてのこて先33、はんだ32と第2電極25における延出部25aとを接触するようにする。このとき、延出部25aは、延出部25aが作用極14に近づくように、こて先33から力が加えられる。こうして延出部25aは、作用極14側に湾曲される。そして、こて先33の熱により、はんだ32が溶融し、溶融したはんだ32は、作用極14の延出部15aの透明導電膜12と対極24の延出部25aとの間に入り込む。その後、こて先33を対極24の延出部25aから離すことによりはんだ32が硬化して、はんだ32は導電部材30として、作用極14と対極24とを電気的に接続する。
なお、はんだ32と延出部25a、及び、はんだ32と延出部15aとを接続する際、こて先33は、超音波を発生する様に振動することが好ましい。このようにこて先が32が振動することにより、はんだ32の濡れ性が向上し、対極24の延出部25aや作用極14の延出部15aにおける透明導電膜12とはんだ32との接続性が向上する。そして、こて先の振動周波数は、10〜200kHzであることが好ましく、20〜100kHzであることが、対極24や作用極14の透明導電膜12に傷をつけることを防止する観点からより好ましい。
こうして、図1に示す光電変換素子モジュール1を得る。
本実施形態における光電変換素子モジュール1の製造方法によれば、複数の光電変換素子10(10A、10B・・・)のそれぞれにおいて、作用極14及び対極24は、封止部材17の外周で包囲される領域の外側に延出される延出部15a、16aを有する。そして、接続工程において、互いに隣り合う光電変換素子10A、10Bにおける一方の光電変換素子10Aの作用極14の延出部15aと、他方の光電変換素子10Bの対極24の延出部25aとが導電部材31、32により接続される。このとき、対極24の延出部25aは可撓性を有するため、延出部25aは湾曲することができる。従って、接続工程において、導電部材31、32が変形する場合においても、導電部材31、32の変形に追従するように延出部25aが湾曲し、導電部材31、32の変形を延出部25aが吸収することができる。このようにして適切に導電部材31、32と作用極14及び対極24の延出部15a、16aとを接続することができ、光電変換素子10A、10B同士の電気的な接続信頼性が高い光電変換素子モジュール1を製造することができる。
また、光電変換素子モジュール1の製造方法においては、作用極14の延出部15aと対極24の延出部25aとが近づくように対極24の延出部25aに力が加えられる。従って、導電部材31、32が変形するような場合であっても、延出部25aが、導電部材31、32の変形に対して適切に追従することができる。従って、光電変換素子10A、10B同士の電気的な接続信頼性がより高い光電変換素子モジュール1を製造することができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について図9を参照して詳細に説明する。なお、第1実施形態と同一又は同等の構成要素については、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。図9は、本発明の第2実施形態に係る光電変換素子モジュールの断面における構造を示す断面図である。
図9に示すように、本実施形態の光電変換素子モジュール2は、作用極14及び対極24が第1実施形態における光電変換素子モジュール1と異なる。
本実施形態における作用極14は、透明導電膜12が、複数の光電変換素子10(10A、10B・・・)毎に個別に設けられる透明な基材41上に設けられる点で第1実施形態における光電変換素子モジュール1の作用極14と異なる。
作用極14は、全体的に光透過性及び可撓性を有しており、封止部材17の外周で包囲される領域から延出する延出部15aを有している。従って、この延出部15aは可撓性を有する。この可撓性を有する延出部15aの幅としては、特に制限されるものではないが、封止部材17の厚さよりも大きいことが好ましい。そして、延出部15aの可撓性の程度としては、特に限定されるものではないが、例えば、延出部15aが対極24の表面に到達する寸前程度まで湾曲することが好ましい。
このような作用極14の基材41を構成する材料としては、透明で可撓性を有する材料であれば、特に制限されるものではないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホンなどが挙げられる。基材41は、これらの中から電解液への耐性などを考慮して適宜選択される。また、基材41は、できる限り光透過性に優れる材料から構成されることが好ましく、透過率が90%以上の材料から構成されることがより好ましい。
一方、本実施形態の対極24は、複数の光電変換素子10(10A,10B・・・)同士で一体とされる基材40と、基材40上において、それぞれの光電変換素子10(10C,10D・・・)毎に設けられる導電板21と、導電板21の表面上に設けられる触媒層22とを有する点で第1実施形態の光電変換素子モジュール1の対極24と異なる。なお、本実施形態において、対極24は、可撓性を有していても、可撓性を有していなくても良く、光透過性であっても、光透過性でなくても良い。
基材40は、対極24が、対極24が特に光透過性を有さない場合は、対極24の材料は特に制限されるものではないが、例えば、絶縁性の材料により構成されたり、導電板21と間に図示しない絶縁体が形成される金属板により構成されたりする。このような絶縁性の材料としては、特に制限されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレート、アクリル、フッ素樹脂、塩化ビニル等の樹脂、アルミナ等のセラミック、ガラスなどが挙げられる。また、基材40に用いられる絶縁体が形成される金属板としては、特に制限されないが、例えば、ニッケル板、ステンレススチール板(SUS)、鉄板等を挙げることができる。また、対極24が光透過性を有する場合には、基材40は、例えば、第1実施形態における基材11と同様の材料により構成される。
導電板21の材料としては、導電物であれば光透過性の有無にかかわらず、特に制限はされないが、対極24が特に光透過性を有さない場合には、例えば、チタン、ニッケル、白金などの金属や、ITO、FTO等の酸化物導電体、カーボン等が挙げられる。この場合、酸化物導電体は、着色されていても良い。また、酸化物導電体やカーボン等は、樹脂やガラス等の表面に設けられる薄膜であっても良い。また、対極24が光透過性を有する場合には、導電板21は、例えば、作用極14の透明導電膜12と同様の材料により構成される。
そして、互いに隣り合う光電変換素子10A、10Bにおいて、一方の光電変換素子10Aの作用極14と、他方の光電変換素子10Bの対極24とが、導電部材30により接続されている。具体的には、導電部材30は、光電変換素子10Aの作用極14の延出部15a、及び、光電変換素子10Bの対極24の延出部25aと接続されている。このようにして、互いに隣り合う光電変換素子10A,10Bが、直列に接続されている。なお、作用極14の延出部15aは、対極24側に湾曲した状態で導電部材30と接続されている。
対極24の基材40が、導電板21との間に絶縁体が形成される金属板により構成される場合には、基材40が樹脂等により構成される場合と比べて、基材40は剛性が高いため基材40を薄くすることができる。
次に、光電変換素子モジュール2の製造方法について説明する。
(準備工程)
まず、光電変換素子10(10A、10B・・・)毎に基材41を用意する。そして、この基材41の一方の表面上に透明導電膜12を形成する。透明導電膜12の形成は、第1実施形態における透明導電膜12と同様の方法により形成すればよい。そして、第1実施形態と同様にして、透明導電膜12上に多孔質酸化物半導体層13を形成し、多孔質酸化物半導体層13に光増感色素と担持させて、作用極14を得る。
一方、対極24は、導電板21が金属や酸化物導電他、カーボン等により構成される場合には、基材40を準備して、基材40上に導電板21を接着剤等により貼着する。また、導電板21が、作用極14の透明導電膜12と同様の材料により構成される場合には、準備した透明な基材40の一方の面上に導電板21としての透明導電膜を形成する。透明導電膜の形成は、第1実施形態における透明導電膜12と同様の方法により形成すればよい。
その後、第1実施形態と同様にして封止部材17を用いて封止を行なう。
(接続工程)
導電部材30が導電性ペーストである場合には、対極24が図示しない作業台上に配置された状態で、作用極14の延出部15aが対極24の延出部25aに近づくように、作用極14の延出部15aに力を加えて、作用極14の延出部15aを、対極24側に湾曲させる。こうして作用極14と導電性ペースト、及び、対極24と導電性ペーストとを接触させる。その後、対極24と導電性ペースト、及び、作用極14と導電性ペーストとが接触した状態で、導電性ペーストが硬化し、導電部材30として、作用極14と対極24とが電気的に接続される。
作用極14の延出部15aが対極24の延出部25aに近づくように、作用極14の延出部15aに力を加えるには、作用極14をスポンジ状の弾性体で覆い、対極24に向かって所定の圧力を印加する。これにより可撓性を有する作用極14の延出部15aは、対極24側に湾曲すると共に、導電性ペーストと密着する。
こうして、図9に示す光電変換素子モジュール2を得る。
また、導電部材30がはんだである場合には、まず、熱せられたはんだこてのこて先が、はんだ及び作用極14の延出部15aと接触するようにする。このとき、延出部15aは、作用極14の延出部15aが対極24の延出部25aに近づくように、こて先により力が加えられる。こうして延出部15aは、対極24側に湾曲される。そして、こて先の熱により、はんだが溶融し、溶融したはんだは、作用極14の延出部15aと対極24の延出部25aとの間に入り込む。その後、こて先を延出部15aから離すことによりはんだが硬化して、はんだは導電部材30として、作用極14と対極24とを電気的に接続する。
こうして、図9に示す光電変換素子モジュール2を得る。
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態について図10を参照して詳細に説明する。なお、第1実施形態と同一又は同等の構成要素については、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。図10は、本発明の第2実施形態に係る光電変換素子モジュールの断面における構造を示す断面図である。
図10に示すように、本実施形態の光電変換素子モジュール3は、第1電極15が透明導電膜12上に設けられる集電配線16を有し、導電部材30は、作用極14における集電配線16と接続される点において、第1実施形態における光電変換素子モジュール1と異なる。
集電配線16は、封止部材17により包囲される領域から作用極14の延出部15aにかけて設けられている。また、集電配線16は、封止部材17により包囲される領域においては、配線保護層19によって全体を覆われ、電解質18と集電配線16との接触が防止されている。
集電配線16を構成する材料は、透明導電膜12よりも低い抵抗を有する材料であればよく、このような材料としては、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、チタン及びニッケルなどの金属が挙げられる。中でも、導電部材30の導電物と同じの材料であることが好ましい。このように集電配線16を構成する材料と、導電部材30を構成する材料とが同じ材料である場合、集電配線16と導電部材との接触抵抗を抑制することができる。
配線保護層19を構成する材料としては、例えば非鉛系の透明な低融点ガラスフリットなどの無機絶縁材料が挙げられる。
配線保護層19は、より長期間に渡って電解質18と集電配線16との接触を防止するため、また、電解質18が配線保護層19と接触した場合の配線保護層19の溶解成分の発生を防ぐために、ポリイミド、フッ素樹脂、アイオノマー、エチレン−ビニル酢酸無水物共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、紫外線硬化樹脂、及び、ビニルアルコール重合体等の図示しない耐薬品性樹脂で被覆されていることが好ましい。
本実施形態における光電変換素子モジュール3によれば、集電配線16により作用極の抵抗を低減することができる。さらに、導電部材30と集電配線16とが接続されることで、導電部材30と透明導電膜12とが直接接続される場合よりも、導電部材30と作用極14との接続抵抗を低減することができる。従って、光電変換素子モジュール3の効率を高めることができる。
次に光電変換素子モジュール3の製造方法について説明する。
(準備工程)
まず、各光電変換素子10(10A、10B・・・)の作用極14を準備する。作用極14の準備は、第1実施形態と同様の方法により、基材11上に透明導電膜12と形成し、透明導電膜12上に多孔質酸化物半導体層13を設ける。
次に透明導電膜12上に集電配線16を設ける。集電配線16は、多孔質酸化物半導体層13を形成した後、後に封止部材17により包囲される領域となる領域から延出部15aとなる領域にかけて集電配線16を構成する金属の粒子を塗膜し、加熱して焼成することによって得ることができる。
配線保護層19を設けるには、例えば、上述した低融点ガラスフリットなどの無機絶縁材料に、必要に応じて増粘剤、結合剤、分散剤、溶剤などを配合してなるペーストを、スクリーン印刷法などにより集電配線16における封止部材17により包囲される領域の全体を被覆するように塗布し、加熱し焼成することによって得ることができる。
なお、配線保護層19が、上述した耐薬品性の樹脂で被覆される場合は、溶融させた耐薬品性樹脂を配線保護層19に塗布した後に室温で自然冷却するか、フィルム状の耐薬品性樹脂を配線保護層19に接触させ、外部の熱源によってフィルム状の耐薬品性樹脂を加熱溶融させた後に室温で自然冷却することによって耐薬品性樹脂を得ることができる。熱可塑性の耐薬品性樹脂としては、例えばアイオノマーやエチレン−メタクリル酸共重合体が用いられる。耐薬品性樹脂が紫外線硬化樹脂である場合は、耐薬品性樹脂の前駆体である紫外線硬化性樹脂を配線保護層19に塗布した後、紫外線により、上述した紫外線硬化性樹脂を硬化させることにより耐薬品性樹脂を得ることができる。耐薬品性樹脂が水溶性樹脂である場合は、耐薬品性樹脂を含む水溶液を配線保護層19上に塗布することにより耐薬品性樹脂を得ることができる。
準備工程における他の工程は、第1実施形態の準備工程と同様である。
(接続工程)
次に、導電部材30と作用極14の集電配線16、及び、導電部材30と対極24の延出部25aとを接続する。接続工程において、導電部材30と作用極14の集電配線16は、導電部材30が作用極14の透明導電膜12ではなく集電配線16と接触すること以外は、第1実施形態の接続工程と同様の方法で接続すればよい。
こうして、図10に示す光電変換素子モジュール3を得る。
(第4実施形態)
本発明の第4実施形態について図11を参照して詳細に説明する。なお、第1実施形態と同一又は同等の構成要素については、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。図11は、本発明の第4実施形態に係る光電変換素子モジュールの断面における構造を示す断面図である。
図11に示すように、本実施形態の光電変換素子モジュール4は、それぞれの光電変換素子10(10A、10B・・・)のおいて、対極54が、透明な基材11と、基材11上に形成される透明導電膜12と、透明導電膜12上に形成される図示しない触媒層から構成され、作用極44が、第2電極25としての導電板21と、導電板21上に設けられる光増感色素を坦持した多孔質酸化物半導体層13とから構成される点で、第1実施形態の光電変換素子モジュール1と異なる。
本実施形態における光電変換素子モジュール4によれば、透明導電膜12上に多孔質酸化物半導体13が形成されないため、透明な基材11を熱に弱い材料から構成することができ、基材11の材料の選択肢が広がる。
光電変換素子モジュール4の製造は、次のように行われる。
(準備工程)
まず、作用極44を準備する。作用極44の準備は、導電板21から構成される第2電極25を準備する。導電板21の準備は、第1実施形態の導電板21と同様の方法で準備すればよい。次に第2電極25上に多孔質酸化物半導体層13を形成する。多孔質酸化物半導体層13を形成する方法は、第1実施形態において多孔質酸化物半導体層13を形成する工程と同様にして行えば良い。次に多孔質酸化物半導体層13に光増感色素を担持させる。光増感色素の担持は、第1実施形態において、多孔質酸化物半導体層13に光増感色素を担持させる工程と同様にして行えば良い。こうして、第2電極25上に多孔質酸化物半導体層13が形成された作用極44を得る。
次に、対極54を準備する。対極54の準備は、透明な基材11上に透明導電膜12を形成し、透明導電膜12上に図示しない触媒層を形成して第1電極15とする。透明導電膜12を形成する方法は、第1実施形態において、基材11上に透明導電膜12を形成する法と同様にして行えば良い。透明導電膜12上に触媒層を形成するには、第1実施形態において、導電板21上に触媒層22を形成する方法と同様にして行えば良い。こうして得られる第1電極15が対極54となる。
次に多孔質酸化物半導体層13の周囲に電解質18を配置して、封止部材17で封止を行う。封止の方法は、第1実施形態において封止部材17により封止を行う工程と同様にして行えば良い。このとき、封止部材17により、作用極44の第2電極25に延出部25aが形成され、対極54の第1電極15に延出部15aが形成される。
準備工程における、その他の工程は、第1実施形態と同様である。
(接続工程)
次に、導電部材30と対極54の延出部15a、及び、導電部材30と作用極44の延出部25aとを接続する。接続工程において、導電部材30と延出部15a、及び、導電部材30と延出部25aとを接続方法は、第1実施形態における接続工程と同様の方法により行えばよい。
こうして、光電変換素子モジュール4を得る。
以上、本発明にかかる光電変換素子モジュール、及び、光電変換素子モジュールの製造方法について第1〜第4実施形態を例に説明してきたが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、必要に応じて適宜変更が可能である。
例えば、第2、第3実施形態において、多孔質酸化物半導体層13は、第1電極15上に形成され、第1電極15と多孔質酸化物半導体層13とにより作用極14が構成されたが、本発明はこれに限らない。例えば、第2、第3実施形態において、第2電極25上に多孔質酸化物半導体層13が形成され、第2電極25と多孔質酸化物半導体層13とにより作用極が形成され、第1電極15により対極が形成される構成とされても良い。
また、第1〜第4実施形態において、第2電極25の導電板21がチタンにより構成される場合には、第2電極25における導電部材30と接続される位置に、高融点はんだや、銅、ニッケル等からなる端子を形成することが好適である。この場合、第2電極と導電部材30との接続が強固なものとなり、より光電変換素子同士の電気的な接続の信頼性を高くすることができる。
また、第1実施形態において、導電部材30が導電性ペーストにより形成される場合、導電性ペースト31の配置は、封止部材17により封止が行われる前に行ったが、本発明は、これに限らない。例えば、導電部材30が導電性ペーストにより形成される場合においても、図7に示すように、導電性ペーストが配置されない状態で、複数の光電変換素子10(10A、10B・・・)を準備し、接続工程において導電性ペースト31を作用極14の延出部15aの透明導電膜12と対極24の延出部25aとの間に配置して、その後、図6に示すように対極24の延出部25aを延出部15a側に湾曲させて、対極24と導電性ペースト31、及び、作用極14と導電性ペースト31とを接触させても良い。
本発明によれば、光電変換素子同士の電気的接続を良好とすることができる光電変換素子モジュール、及び、光電変換素子モジュールの製造方法が提供される。
1、2、3、4・・・光電変換素子モジュール
10、10A、10B・・・光電変換素子
11・・・基材
12・・・透明導電膜
13・・・多孔質酸化物半導体層
14、44・・・作用極
15・・・第1電極
15a・・・延出部
17・・・封止部材
18・・・電解質
21・・・導電板
24・・・対極
25・・・第2電極
25a・・・延出部
30・・・導電部材
40、41・・・基材

Claims (8)

  1. 互いに対向する第1電極及び第2電極と、
    前記第1電極及び前記第2電極と接続される封止部材と、
    を有する複数の光電変換素子と、
    前記複数の光電変換素子同士を電気的に接続する導電部材と、
    を備え、
    前記複数の光電変換素子が、前記第1電極から前記第2電極に向かう方向が同じ方向になるように平面状に並べられる光電変換素子モジュールであって、
    前記第1電極及び前記第2電極は、前記第1電極と前記第2電極とを結ぶ方向に沿って前記第1電極及び前記第2電極を見る場合に、前記封止部材の外周により包囲される領域の外側に延出する延出部を有し、
    前記導電部材は、互いに隣り合う光電変換素子において、一方の光電変換素子の前記第1電極における延出部と、他方の光電変換素子の前記第2電極における延出部とを接続し、
    前記第1電極における前記延出部、及び、前記第2電極における前記延出部の少なくとも一方は、可撓性を有する
    ことを特徴とする光電変換素子モジュール。
  2. 前記第1電極及び前記第2電極のうち、一方の電極における延出部が可撓性を有すると共に、他方の電極は、前記一方の電極側と反対側に絶縁性の基材を有し、
    前記複数の光電変換素子のそれぞれにおける前記基材同士は、一体とされる
    ことを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子モジュール。
  3. 前記一方の電極における前記延出部は、他方の電極側に湾曲している
    ことを特徴とする請求項2に記載の光電変換素子モジュール。
  4. 前記第1電極は、透明導電膜と、前記封止部材により包囲される領域から前記延出部にかけて前記透明導電膜上に設けられる集電配線と、を有し、
    前記導電部材は、前記第1電極の前記延出部において前記集電配線と接続される
    ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1に記載の光電変換素子モジュール。
    が好ましい。
  5. 前記導電部材は、導電性ペースト、または、はんだである
    ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の光電変換素子モジュール。
    が好ましい。
  6. 前記導電部材は導電性ペーストであって、前記集電配線と前記導電性ペーストは、同じ材料を含有する
    ことを特徴とする請求項5に記載の光電変換素子モジュール。
  7. 互いに対向する第1電極及び第2電極と、
    前記第1電極及び前記第2電極と接続される封止部材と、
    を有する複数の光電変換素子を前記第1電極から前記第2電極に向かう方向が同じ方向になるように平面状に並べて準備する、準備工程と、
    前記複数の光電変換素子同士を導電部材により電気的に接続する、接続工程と、
    を備える光電変換素子モジュールの製造方法であって、
    前記第1電極及び前記第2電極は、前記第1電極と前記第2電極とを結ぶ方向に沿って前記第1電極及び前記第2電極を見る場合に、前記封止部材の外周で包囲される領域の外側に延出する延出部を有し、
    前記接続工程においては、互いに隣り合う光電変換素子において、一方の光電変換素子の前記第1電極における延出部と、他方の光電変換素子の前記第2電極における延出部とを前記導電部材により接続し、
    前記第1電極における前記延出部、及び、前記第2電極における前記延出部の少なくとも一方は、可撓性を有する
    ことを特徴とする光電変換素子モジュールの製造方法。
  8. 前記接続工程において、第1電極の延出部と第2電極の延出部とが近づくように、可撓性を有する延出部に力を加えながら、前記第1電極の延出部及び前記第2電極の延出部と前記導電部材とを接続する
    ことを特徴とする請求項7に記載の光電変換素子モジュールの製造方法。
JP2010514380A 2008-05-30 2009-05-29 光電変換素子モジュール、及び、光電変換素子モジュールの製造方法 Expired - Fee Related JP5346932B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010514380A JP5346932B2 (ja) 2008-05-30 2009-05-29 光電変換素子モジュール、及び、光電変換素子モジュールの製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008143712 2008-05-30
JP2008143712 2008-05-30
JP2010514380A JP5346932B2 (ja) 2008-05-30 2009-05-29 光電変換素子モジュール、及び、光電変換素子モジュールの製造方法
PCT/JP2009/002378 WO2009144949A1 (ja) 2008-05-30 2009-05-29 光電変換素子モジュール、及び、光電変換素子モジュールの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2009144949A1 true JPWO2009144949A1 (ja) 2011-10-06
JP5346932B2 JP5346932B2 (ja) 2013-11-20

Family

ID=41376838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010514380A Expired - Fee Related JP5346932B2 (ja) 2008-05-30 2009-05-29 光電変換素子モジュール、及び、光電変換素子モジュールの製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8957307B2 (ja)
EP (1) EP2287961B1 (ja)
JP (1) JP5346932B2 (ja)
KR (1) KR20110009184A (ja)
CN (1) CN102106032B (ja)
AU (1) AU2009252603A1 (ja)
TW (1) TW201017904A (ja)
WO (1) WO2009144949A1 (ja)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4697183B2 (ja) * 2007-05-23 2011-06-08 トヨタ自動車株式会社 内燃機関の制御装置
JP5351553B2 (ja) * 2008-04-28 2013-11-27 株式会社フジクラ 光電変換素子モジュール
JP4504456B1 (ja) * 2009-07-28 2010-07-14 株式会社フジクラ 色素増感型太陽電池の製造方法
JP2011066045A (ja) * 2009-09-15 2011-03-31 Seiko Epson Corp 太陽電池の製造方法
EP2683021B1 (en) 2011-03-02 2017-06-07 Fujikura Ltd. Dye-sensitized solar cell module and process of manufacturing same
JP5680996B2 (ja) * 2011-03-02 2015-03-04 株式会社フジクラ 色素増感太陽電池モジュール及びその製造方法
JP5699374B2 (ja) * 2011-04-07 2015-04-08 大日本印刷株式会社 有機系太陽電池素子モジュールの製造方法
JP5267608B2 (ja) * 2011-04-07 2013-08-21 大日本印刷株式会社 色素増感型太陽電池素子モジュール
DE102011051024A1 (de) * 2011-05-17 2012-11-22 Schott Solar Ag Verfahren zum stoffschlüssigen Verbinden von Elementen
KR20130053081A (ko) * 2011-11-15 2013-05-23 현대자동차주식회사 자동차용 태양전지 선루프
KR101219330B1 (ko) * 2011-11-30 2013-01-22 현대자동차주식회사 박판 유리 기판을 이용한 염료감응 태양전지 모듈 및 그 제조방법
KR20130085225A (ko) * 2012-01-19 2013-07-29 한국전자통신연구원 염료감응형 태양전지의 제조 방법 및 이를 위한 태양전지 조립 장치
CN108512508B (zh) * 2012-06-04 2020-12-01 夏普株式会社 太阳能电池模块
JP5969841B2 (ja) * 2012-07-03 2016-08-17 株式会社フジクラ 色素増感太陽電池モジュール
JP5991092B2 (ja) * 2012-09-04 2016-09-14 大日本印刷株式会社 有機系太陽電池素子モジュールの製造方法
JP5267715B2 (ja) * 2012-09-18 2013-08-21 大日本印刷株式会社 色素増感型太陽電池素子モジュール
JP5817783B2 (ja) * 2013-05-09 2015-11-18 大日本印刷株式会社 色素増感型太陽電池素子モジュール
EP3018722A4 (en) * 2013-07-01 2017-03-15 Konica Minolta, Inc. Photoelectric conversion element module and method for manufacturing same
US20160204303A1 (en) * 2013-08-21 2016-07-14 Gtat Corporation Using an active solder to couple a metallic article to a photovoltaic cell
WO2015130588A1 (en) * 2014-02-28 2015-09-03 Corning Incorporated Flexible display device packages and methods of manufacturing
CN107615425B (zh) * 2015-08-06 2019-12-17 株式会社藤仓 光电转换元件
WO2018025821A1 (ja) * 2016-08-02 2018-02-08 日本ゼオン株式会社 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法
US20220254574A1 (en) * 2019-08-02 2022-08-11 Zeon Corporation Photoelectric conversion device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002324590A (ja) * 2001-04-09 2002-11-08 Korea Electronics Telecommun ナノ粒子酸化物太陽電池及びその製造方法とそれを利用した太陽電池モジュール及び透明電池ウィンドウ
JP2006134870A (ja) * 2004-10-08 2006-05-25 Sharp Corp 色素増感太陽電池およびその製造方法ならびに色素増感太陽電池モジュール
JP2006244954A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Fujimori Kogyo Co Ltd 色素増感型太陽電池セルの配線接続構造および色素増感型太陽電池モジュール
JP2006294423A (ja) * 2005-04-11 2006-10-26 Ngk Spark Plug Co Ltd 色素増感型太陽電池
JP2007095567A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Fujimori Kogyo Co Ltd 色素増感型太陽電池セルおよび色素増感型太陽電池モジュール
JP2007157394A (ja) * 2005-12-01 2007-06-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 色素増感型太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP2007299545A (ja) * 2006-04-27 2007-11-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 色素増感型太陽電池

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04276665A (ja) * 1991-03-04 1992-10-01 Canon Inc 集積型太陽電池
DE19514156A1 (de) 1995-04-15 1996-10-24 Heidelberger Druckmasch Ag Photochemische Zelle
US5735966A (en) * 1995-05-15 1998-04-07 Luch; Daniel Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US6479745B2 (en) * 2000-01-26 2002-11-12 Sharp Kabushiki Kaisha Dye-sensitized solar cell and method of manufacturing the same
US20040118444A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 General Electric Company Large-area photovoltaic devices and methods of making same
WO2005093855A1 (ja) * 2004-03-29 2005-10-06 Kyocera Corporation 太陽電池モジュール及びこれを用いた太陽光発電装置
KR20070044981A (ko) * 2005-10-26 2007-05-02 삼성전자주식회사 태양전지 구동형 표시소자 및 그의 제조방법
JP4523549B2 (ja) * 2006-01-18 2010-08-11 シャープ株式会社 色素増感太陽電池および色素増感太陽電池モジュール
JP5098185B2 (ja) 2006-02-20 2012-12-12 大日本印刷株式会社 色素増感型太陽電池モジュール
JP2007280906A (ja) 2006-04-12 2007-10-25 Sony Corp 機能デバイス及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002324590A (ja) * 2001-04-09 2002-11-08 Korea Electronics Telecommun ナノ粒子酸化物太陽電池及びその製造方法とそれを利用した太陽電池モジュール及び透明電池ウィンドウ
JP2006134870A (ja) * 2004-10-08 2006-05-25 Sharp Corp 色素増感太陽電池およびその製造方法ならびに色素増感太陽電池モジュール
JP2006244954A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Fujimori Kogyo Co Ltd 色素増感型太陽電池セルの配線接続構造および色素増感型太陽電池モジュール
JP2006294423A (ja) * 2005-04-11 2006-10-26 Ngk Spark Plug Co Ltd 色素増感型太陽電池
JP2007095567A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Fujimori Kogyo Co Ltd 色素増感型太陽電池セルおよび色素増感型太陽電池モジュール
JP2007157394A (ja) * 2005-12-01 2007-06-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 色素増感型太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP2007299545A (ja) * 2006-04-27 2007-11-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 色素増感型太陽電池

Also Published As

Publication number Publication date
AU2009252603A1 (en) 2009-12-03
CN102106032B (zh) 2014-09-03
WO2009144949A1 (ja) 2009-12-03
JP5346932B2 (ja) 2013-11-20
EP2287961A1 (en) 2011-02-23
US8957307B2 (en) 2015-02-17
KR20110009184A (ko) 2011-01-27
EP2287961B1 (en) 2016-05-25
CN102106032A (zh) 2011-06-22
EP2287961A4 (en) 2012-10-17
TW201017904A (en) 2010-05-01
US20110126879A1 (en) 2011-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5346932B2 (ja) 光電変換素子モジュール、及び、光電変換素子モジュールの製造方法
JP5230481B2 (ja) 光電変換素子
JP5430970B2 (ja) 光電変換素子の製造方法、及び、光電変換素子モジュールの製造方法
JP5430971B2 (ja) 光電変換素子の製造方法、及び、光電変換素子モジュールの製造方法
JP5351553B2 (ja) 光電変換素子モジュール
US9330854B2 (en) Dye-sensitized solar cell and process of manufacturing same, dye-sensitized solar cell module and process of manufacturing same
JP5451106B2 (ja) 光電変換素子モジュール
JP5412136B2 (ja) 光電変換素子
JP5706786B2 (ja) 色素増感太陽電池の製造方法
JP2010198834A (ja) 光電変換素子モジュールの製造方法
JP5762053B2 (ja) 色素増感太陽電池、その製造方法、色素増感太陽電池モジュール及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101115

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130405

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130604

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130702

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130819

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5346932

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees