JPWO2009078078A1 - チオピラン誘導体、重合体、及びレジスト組成物、並びに、前記レジスト組成物を用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、本発明は、従来の露光方法よりもパフォーマンスが上回る、液浸露光用レジスト組成物を用いた半導体装置の製造方法に関する。
露光装置の解像度は以下の計算式(1)で表される。
解像度R=係数k×光源波長λ/開口数NA ・・・計算式(1)
上記計算式(1)から分かるように、露光光源の光源波長λが短く、投影レンズの開口数NAが大きいほど解像度Rが向上する(解像度Rの値が小さくなる)。ここで、開口数NAは、NA=n×sinαで表され、nは露光光が通過する媒質の屈折率を表し、αは露光光が形成する角度を表す。通常、露光は大気中で行われるため、屈折率n=1であるが、液浸露光法では、投影レンズとウェハの間に屈折率n=1よりも大きい液体を満たす露光方式である。よって、液浸露光法では、開口数NA=n×sinαにおいて、屈折率が1からn(1より大きな数)に拡大されることになり、同一の露光光の入射角αでは、NAがn倍に拡大されるため、解像度R(最小解像寸法)を1/nに縮小することができる。また、NAの値が同じ場合であっても、nを拡大することによってαを小さくできるために焦点深度をn倍に拡大することができるという利点がある。
即ち、本発明は、レジストに必要な透明性や酸反応性を損なうことなく、レジスト基材樹脂の高屈折率化に有用なチオピラン誘導体、前記チオピラン誘導体を構成成分とする重合体、及び前記重合体を含むレジスト組成物、並びに、前記レジスト組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明のチオピラン誘導体は、下記一般式(1)で表される構造を有することを特徴とする。
前記一般式(1)において、Xは、O及びSのいずれかを表し、R1は、−H基、−CH3基、炭素数2〜4のアルキル基、チオエーテル基、及びケトン基のいずれかを表し、R2は、−H基、−CH3基、及びトリフルオロメチル基のいずれかを表し、R1及びR2は、同一でも異なっていてもよい。
該半導体装置の製造方法では、被加工面上に、前記レジスト組成物からなるレジスト膜が形成される。次いで、前記レジスト膜に対し露光光が照射される。さらに、前記レジスト膜が現像され、前記レジスト膜のパターンが形成される。
また、本発明によると、レジストに必要な透明性や酸反応性を損なうことなく、レジスト基材樹脂の高屈折率化に有用なチオピラン誘導体、前記チオピラン誘導体を構成成分とする重合体、及び前記重合体を含むレジスト組成物、並びに、前記レジスト組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。
さらに、本発明によると、より微細なパターンの描画を可能にする高屈折液浸ArF(フッ化アルゴン)エキシマレーザー露光により、高精細なパターンを形成することができ、もってデバイス製造の量産性に大きく寄与することができるチオピラン誘導体、重合体、及びレジスト組成物、並びに、前記レジスト組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。
本発明のチオピラン誘導体は、下記一般式(1)で表される構造を有する。
前記一般式(1)において、Xは、O及びSのいずれかを表し、R1は、−H基、−CH3基、炭素数2〜4のアルキル基、チオエーテル基、及びケトン基のいずれかを表し、R2は、−H基、−CH3基、及びトリフルオロメチル基のいずれかを表し、R1及びR2は、同一でも異なっていてもよい。
前記一般式(1)において、前記R1における炭素数3及び4のアルキル基は、直鎖、分岐鎖のいずれであっても良く、例えば、各種プロピル基及び各種ブチル基などが好適に挙げられる。また、XがSを表すチオエステル構造も高屈折率化には好適であり、こうした構造もまた好ましい。
なお、これらのチオピラン誘導体は公知の製造方法に準じて合成することが可能であり、非特許文献1などにもあるように、一般的には、酸クロリドとアルコール体、もしくはチオール体のエステル化反応によって得ることができる。さらに詳述すれば、例えば乾燥させた塩化メチレンなどの溶媒にアルコール/チオール体とトリエチルアミンなどの塩基性触媒を等モル仕込んで、0℃〜−20℃に冷却後、例えばアクリル酸クロリドを滴下ロートから攪拌下に滴下し、原料の消失を薄層クロマトグラフィーやガスクロマトグラフィーで確認後、トリエチルアミン塩を除去し、例えばカラムクロマトグラフィーで精製することによって容易に目的化合物を得ることができる。
次に、本発明のチオピラン誘導体を構成成分とする重合体(ポジ型レジスト用樹脂)について説明する。
重合体(ポジ型レジスト用樹脂)中におけるチオピラン誘導体からなる構成成分の含有量であるが、目的とする屈折率と、レジストとして必要な感度、解像性、エッチング耐性の面から十分考慮して決定すると良い。好ましい範囲としては、0.1〜70mol%が挙げられるが、より好ましくは10〜55mol%の範囲である。重合体中におけるチオピラン誘導体の含有量が10mol%よりも小さいと、レジスト基材樹脂の高屈折率化を図ることができず、また、重合体中におけるチオピラン誘導体の含有量が55mol%よりも大きいと、共重合されるその他の構成成分に基づく効果(例えば、アダマンチル基に基づく高光透過性及び高エッチング耐性、ラクトン基に基づく高密着力)を得ることができず、また、紫外線吸収が大きくなり、193nmの透過率が低減してしまう。
前記その他の構成成分(モノマー成分)としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、酸反応性基を有する構成成分(例えば、酸で反応する脂環族基を有する構成成分)が好ましい。ポジ型レジスト用樹脂は、通常それ自体はほぼアルカリ不溶であるが、前記酸反応性部位が反応した後は、樹脂がアルカリ可溶性になる。
前記酸反応性基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、このような酸反応性基としては、t−ブチル基に代表される3級エステル類や、エトキシエチル基に代表されるアセタール基、2−オキソシクロヘキシル基、2−アルキル−2−アダマンチル基、1−アルキル−1−シクロペンチル基、1−アルキル−1−シクロヘキシル基、2−アダマンチルオキシメチル基、1−メチルアダマンチルオキシメチル基などが好適に使用できる。中でも、2−アルキル−2−アダマンチル基、2−アダマンチルオキシメチル基、1−メチルアダマンチルオキシメチル基などの縮合炭化水素基を有する酸反応性基は、レジストに必要なエッチング耐性と193nmでの透明性を兼ね備えているため、より好ましい。
前記ラクトン誘導体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、このようなラクトン誘導体としては、各種γ−ブチロラクトン基、δ−ラクトン基の他、ノルボルナンやシクロヘキサン環と複合した脂環式ラクトンが好ましい。脂環式ラクトンは、エッチング耐性にも寄与できるため、特に好ましい。
前記レジスト組成物としては、前記重合体を含有していれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ポジ型レジストの場合は、前記重合体(樹脂)の他に酸発生剤を含有させることが必要となる。
前記酸発生剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、汎用されるトリフルオロメタンスルホン酸塩やパーフルオロブタンスルホン酸塩、パーフルオロジスルホンイミド塩などを好適に使用できる。酸発生剤の含有量は、感度や解像度との兼ね合いとなるが、重合体(樹脂)100部に対して0.1〜10重量部程度が好ましい。
前記溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、2−ヘプタノン、乳酸エチル、シクロヘキサノンなどが好適に挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、補助溶剤を添加することも可能であり、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、γ−ブチロラクトンなどが好ましい。100℃〜200℃程度の沸点を有し、樹脂の溶解度が良好な有機溶剤が、塗布時の急速な乾燥も抑えられ、塗布に好適であるので、特に好ましい。
前記クエンチャーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、トリ−n−オクチルアミン、2−メチルイミダゾール、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセ−7−エン(DBU)、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネ−5−エン(DBN)、ジフェニルアミン、トリエターノールアミン等に代表される窒素含有化合物が好適に挙げられるが、これらに限定されるものではない。
前記界面活性剤としては、ナトリウム塩、カリウム塩等の金属イオンを含有しない非イオン性のものが好ましく、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン縮合物系、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル系、ポリオキシエチレンアルキルエーテル系、ポリオキシエチレン誘導体系、ソルビタン脂肪酸エステル系、グリセリン脂肪酸エステル系、第1級アルコールエトキシレート系、フェノールエトキシレート系、シリコーン系、フッ素系からなる群から選ばれたものが特に好ましい。また、イオン性界面活性剤であっても、非金属塩系であれば、ここに列挙した以外の種類のものであってもよく、それらに代替しても基本的効果は同様に得られると考えられる。
本発明の半導体装置の製造方法は、レジスト膜形成工程と、露光工程と、現像工程とを少なくとも含み、好ましくは、加熱工程を含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の工程を含む。前記加熱工程は、前記露光工程後に行われるのが好ましい。
前記レジスト膜形成工程は、被加工面上に、本発明の前記レジスト組成物からなるレジスト膜を形成する工程である。
前記レジスト膜は、公知の方法、例えば塗布等により形成することができる。該塗布の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の塗布方法の中から適宜選択することができ、例えば、スピンコート法などが好適に挙げられる。該スピンコート法の場合、その条件としては、例えば、回転数が100〜10,000rpm程度であり、800〜5,000rpmが好ましく、時間が1秒〜10分間程度であり、1秒〜90秒間が好ましい。
前記塗布の際の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記塗布の際乃至その後で、塗布した前記レジスト組成物をプリベーク(加温及び乾燥)するのが好ましく、その条件、方法などとしては、前記レジスト膜を軟化させない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、その温度としては、40〜150℃程度が好ましく、80〜120℃がより好ましく、また、その時間としては、10秒〜5分間程度が好ましく、30秒〜90秒間がより好ましい。
前記低誘電率膜としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、比誘電率が2.7以下のものが好ましい。このような低誘電率膜としては、例えば、多孔質シリカ膜、フッ素化樹脂膜などが好適に挙げられる。
前記多孔質シリカ膜は、例えば、シリカ膜形成用材料を塗布した後、熱処理を行うことにより、溶剤を乾燥させ、焼成させることにより形成することができる。
前記フッ素化樹脂膜は、例えば、該フッ素化樹脂膜が、フルオロカーボン膜である場合、C4F8とC2H2との混合ガス又はC4F8ガスをソースとして用い、これらをRFCVD法(パワー400W)により堆積させることにより形成することができる。
前記露光工程は、前記レジスト膜に対し露光光を選択的に照射する工程である。
前記露光は、公知の露光装置により好適に行うことができ、前記レジスト膜に対し前記露光光が照射されることにより行われる。該露光光の照射により、露光領域における前記レジスト組成物中の光酸発生剤が分解されて酸を発生することにより、レジスト組成物の硬化反応が生じてパターン潜像が形成される。
前記露光光の照射は、前記レジスト膜の一部の領域に対して行われる。当該露光光の照射により、該一部の領域において、樹脂側鎖が酸反応によって脱離することにより極性が高くなり、後述の現像工程において、該高極性化させた一部の領域が除去されてレジストパターンが形成される。
前記露光工程において、露光光の照射を液浸露光で行うことが好ましい。ここで、液浸露光に使用する媒体が、水であってもよいが、193nmの波長の光に対する屈折率が水よりも高い液体であることが好ましい。
前記露光光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、紫外線、X線、電子線、エキシマレーザー線、EUV光、収束イオンビーム等の活性エネルギー線を用いるのが好ましい。
前記紫外線を用いる場合は、波長200nm以下のものがより好ましい。
前記エキシマレーザー線を用いる場合は、KrFエキシマレーザー光(波長248nm)、ArFエキシマレーザー光(波長193nm)、F2エキシマレーザー光(波長157nm)、などが好ましい。
前記加熱工程は、前記露光光が照射されたレジスト膜に対して、加熱処理(ポストエクスポージャーベーク、PEB)を行う工程である。
前記加熱により、前記露光領域でのレジスト樹脂側鎖の脱離反応が促進される。
前記加熱温度としては、50〜200℃が好ましく、70〜180℃がより好ましい。該温度が、50℃未満であると、前記の樹脂側鎖の脱離反応が十分に進行しないことがあり、200℃を超えると、レジスト膜を構成するレジスト組成物の熱分解が生じる。
前記現像工程は、前記露光工程により前記レジスト膜を露光し、該レジスト膜の露光した領域を反応させた後、その領域を除去することにより現像し、前記レジスト膜のパターン(レジストパターン)を形成する工程である。
前記反応領域の除去方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、現像液を用いて除去する方法などが挙げられる。
前記現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、アルカリ水溶液であるのが好ましい。アルカリ水溶液の具体例としては、半導体製造で汎用されるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液や、コリン水溶液などが好適に挙げられる。
前記現像を行うことにより、前記レジスト膜の前記露光光が照射された部分が溶解除去され、レジストパターンが形成(現像)される。
前記その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、パターニング工程等が挙げられる。
前記パターニング工程は、前記レジスト膜のパターン(レジストパターン)をマスクとして用いて(マスクパターンなどとして用いて)、エッチングを行うことにより、前記被加工面をパターニングする工程である。
前記エッチングの方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ドライエッチングが好適に挙げられる。該エッチングの条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
より具体的には、本発明の半導体装置の製造方法により形成したレジストパターンをマスクパターンとして、選択的な蒸着やエッチング等を行うことにより、線幅が一定で極めて狭い、金属、その他の材料からなる微細加工パターンを有する装置を製造することができ、例えば、線間幅が100nm以下の微細配線を有する半導体装置を作製することができる。
(実施例)
−メタクリル酸テトラヒドロ−2H−チオピラン−4−イル(チオピラン誘導体(下記式2))の合成−
4−ヒドロキシテトラヒドロチオピラン(三協化成社製)5.37g、トリエチルアミン5.08gを200mLの3つ口フラスコに入れ50mLの乾燥塩化メチレンを加え、テフロン(登録商標)コーティングされたスターラーバーを入れ、窒素雰囲気下0℃で攪拌した。滴下ロートより、メタクリル酸クロリド5.0gをゆっくり加え、40分間0℃で反応させ、室温に戻し、さらに5時間反応させた。薄層クロマトグラフィー(TLC)で出発物質の消失を確認した後、300mLの分液ロートに反応溶液をあけ、100mLの水、ついで100mLの飽和食塩水(ブライン)で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。得られた溶液からエバポレータで溶剤を留去し、油状の粗生成物を得る。粗生成物を、n−ヘキサン−酢酸エチル混合溶媒を用いてシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、メタクリル酸テトラヒドロ−2H−チオピラン−4−イル(下記式2)を5.18g(収率61.3%)得た。
(2)IR(KBr,cm−1):2920,1716,1635,1292,1163,1018,814
(3)屈折率nD=1.506
−メタクリル酸4−メチル−テトラヒドロ−2H−チオピラン−4−イル(チオピラン誘導体(下記式(3)))の合成−
4−ヒドロキシ−4−メチルテトラヒドロチオピラン(三協化成社製)5.95g、トリエチルアミン5.08gを200mLの3つ口フラスコに入れ50mLの乾燥塩化メチレンを加え、テフロン(登録商標)コーティングされたスターラーバーを入れ、窒素雰囲気下0℃で攪拌した。滴下ロートより、メタクリル酸クロリド5.0gをゆっくり加え、30分間0℃で反応させ、室温に戻しさらに5時間反応させた。TLCで出発物質の消失を確認した後、300mLの分液ロートに反応溶液をあけ、100mLの水、ついで100mLの飽和食塩水(ブライン)で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。得られた溶液からエバポレータで溶剤を留去し、油状の粗生成物を得る。粗生成物を、n−ヘキサン−酢酸エチル混合溶媒を用いてシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、メタクリル酸4−メチル−テトラヒドロ−2H−チオピラン−4−イル(下記式(3))を5.89g(収率59.4%)得た。
(2)IR(KBr,cm−1):2920,1713,1636,1300,1165,1082,920
(3)屈折率nD=1.507
−ポリメタクリル酸テトラヒドロ−2H−チオピラン−4−イル(重合体(下記式(4)))の合成−
メタクリル酸テトラヒドロ−2H−チオピラン−4−イル1.39gを100mLのナス型フラスコに入れ5mLのジオキサンを加え、テフロン(登録商標)コーティングされたスターラーバーを入れ、窒素ガスを15分間バブリングさせ反応系内から酸素を十分に除去した。ラジカル重合開始剤としてAIBN0.37gを加え、リービッヒ冷却管をつけた3つ口フラスコを70℃のオイルバスに入れ5時間反応させた。得られた反応溶液を室温に冷やし、ジオキサンで約7mLに希釈し、250mLのメタノールに攪拌しながら滴下し、白色沈殿を得た。ガラスフィルターで濾別後、得られた樹脂を50℃の真空乾燥炉に入れ、6時間乾燥させた。得られた樹脂を約7mLのTHFに溶解し、再び250mLのメタノールで沈殿させ、濾別、真空乾燥させ、再度上記の操作を行って、目的の重合体(樹脂)(式(4))を得た。収量0.9g、重量平均分子量は12,800(標準ポリスチレン換算)、分散度Mw/Mn=1.88であった。分子量はGPC(HLC−8220 GPC、東ソー社製)により測定した。
−ポリメタクリル酸4−メチル−テトラヒドロ−2H−チオピラン−4−イル(重合体(下記式(5)))の合成−
メタクリル酸4−メチル−テトラヒドロ−2H−チオピラン−4−イル1.3gを100mLのナス型フラスコに入れ4mLのジオキサンを加え、テフロン(登録商標)コーティングされたスターラーバーを入れ、窒素ガスを15分間バブリングさせ反応系内から酸素を十分に除去した。ラジカル重合開始剤としてAIBN0.29gを加え、リービッヒ冷却管をつけた3つ口フラスコを70℃のオイルバスに入れ4.5時間反応させた。得られた反応溶液を室温に冷やし、ジオキサンで約10mLに希釈し、250mLのメタノールに攪拌しながら滴下し、白色沈殿を得た。ガラスフィルターで濾別後、得られた樹脂を50℃の真空乾燥炉に入れ、6時間乾燥させた。得られた樹脂を約10mLのTHFに溶解し、再び250mLのメタノールで沈殿させ、濾別、真空乾燥させ、再度上記の操作を行って、目的の重合体(樹脂)(下記式(5))を得た。収量0.75g、重量平均分子量は7,560(標準ポリスチレン換算)、分散度Mw/Mn=1.48であった。分子量はGPC(HLC−8220 GPC、東ソー社製)により測定した。
−ポリ−(メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル−メタクリル酸テトラヒドロ−2H−チオピラン−4−イル)(重合体(下記式(6)))の合成−
メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル1.31g、メタクリル酸テトラヒドロ−2H−チオピラン−4−イル1.0gを100mLのナス型フラスコに入れ3.6mLのジオキサンを加え、テフロン(登録商標)コーティングされたスターラーバーを入れ、窒素ガスを15分間バブリングさせ反応系内から酸素を十分に除去した。ラジカル重合開始剤としてAIBN0.27gを加え、リービッヒ冷却管をつけた3つ口フラスコを70℃のオイルバスに入れ5時間反応させた。得られた反応溶液を室温に冷やし、ジオキサンで約20mLに希釈し、500mLのメタノールに攪拌しながら滴下し、白色沈殿を得た。ガラスフィルターで濾別後、得られた樹脂を50℃の真空乾燥炉に入れ、6時間乾燥させた。得られた樹脂を約20mLのTHFに溶解し、再び500mLのメタノールで沈殿させ、濾別、真空乾燥させ、再度上記の操作を行って、目的の重合体(樹脂)(下記式(6))を得た。収量1.91g、重量平均分子量は18,300(標準ポリスチレン換算)、分散度Mw/Mn=2.19であった。1H−NMR(JNM−GX500、JEOL社製)により組成比を決定し、分子量はGPC(HLC−8220 GPC、東ソー社製)により測定した。
−ポリ−(メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル−メタクリル酸γ−ブチロラクトン−3−イル−メタクリル酸4−メチル−テトラヒドロ−2H−チオピラン−4−イル)(重合体(下記式(7)))の合成−
メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル1.31g、メタクリル酸γ−ブチロラクトン−3−イル0.57g、メタクリル酸4−メチル−テトラヒドロ−2H−チオピラン−4−イル0.62gを100mLのナス型フラスコに入れ8.2mLのジオキサンを加え、テフロン(登録商標)コーティングされたスターラーバーを入れ、窒素ガスを15分間バブリングさせ反応系内から酸素を十分に除去した。ラジカル重合開始剤としてAIBN0.30gを加え、リービッヒ冷却管をつけた3つ口フラスコを70℃のオイルバスに入れ5時間反応させた。得られた反応溶液を室温に冷やし、ジオキサンで約20mLに希釈し、500mLのメタノールに攪拌しながら滴下し、白色沈殿を得た。ガラスフィルターで濾別後、得られた樹脂を50℃の真空乾燥炉に入れ、6時間乾燥させた。得られた樹脂を約20mLのTHFに溶解し、再び500mLのメタノールで沈殿させ、濾別、真空乾燥させ、再度上記の操作を行って、目的の重合体(樹脂)(下記式(7))を得た。収量1.7g、重量平均分子量は11,500(標準ポリスチレン換算)、分散度Mw/Mn=1.89であった。1H−NMR(JNM−GX500、JEOL社製)により組成比を決定し、分子量はGPC(HLC−8220 GPC、東ソー社製)により測定した。
−吸光度、屈折率計測−
式(4)〜式(6)で表される前記合成例3〜5の樹脂(実施例1〜3)と、下記式(8)の汎用ArFレジスト用樹脂(比較例1)とを用い、それぞれの樹脂100重量部に対しプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)900重量部を加え樹脂溶液を作成した。得られた溶液を0.2μmのテフロン(登録商標)メンブランフィルタで濾過し、パーティクル等を除いた。得られた溶液をシリコンウエハ上にそれぞれ回転塗布し、110℃/60秒間ベークして樹脂膜を形成した。それぞれの樹脂膜について、分光エリプソメータ(GES−5、SOPRA社製)を用いて屈折率を調査した。同様に得られた樹脂膜の193nmにおける吸光度を測定したところ、下記表1の値が得られた。
−レジスト調製−
前記式(6)及び(7)で表される重合体(樹脂)をそれぞれ用い、下記に示す組成で液浸露光用レジストを調製した。酸発生剤は、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート(みどり化学製)を用い、レジスト溶剤にはPGMEAを用いて調製した。
酸発生剤 3重量部
トリ−n−オクチルアミン 0.02重量部
PGMEA 900重量部
下層反射防止膜(BARC、日産化学製ARC−39)を塗布した基板上に、前記レジスト調整で調製したレジストを回転塗布し、110℃/60秒間ベークして膜厚250nmのレジスト膜を形成した。それぞれのレジスト膜について、ArF液浸露光を行い200nmのL/Sパターンで感度を比較した。
−半導体装置の製造−
図1に示すように、シリコン基板11上に層間絶縁膜12を形成し、図2に示すように、層間絶縁膜12上にスパッタリング法によりチタン膜13を形成した。次に、図3に示すように、ArF液浸露光によりレジストパターン14を形成し、これをマスクとして用い、反応性イオンエッチングによりチタン膜13をパターニングして開口部15aを形成した。引き続き、反応性イオンエッチングによりレジストパターン14を除去するととともに、図4に示すように、チタン膜13をマスクにして層間絶縁膜12に開口部15bを形成した。 次に、チタン膜13をウェット処理により除去し、図5に示すように層間絶縁膜12上にTiN膜16をスパッタリング法により形成し、続いて、TiN膜16上にCu膜17を電解めっき法で成膜した。次いで、図6に示すように、CMPにて開口部15b(図4)に相当する溝部のみにバリアメタルとCu膜(第一の金属膜)を残して平坦化し、第一層の配線17aを形成した。 次いで、図7に示すように、第一層の配線17aの上に層間絶縁膜18を形成した後、図1〜図6と同様にして、図8に示すように、第一層の配線17aを、後に形成する上層配線と接続するCuプラグ(第二の金属膜)19及びTiN膜16aを形成した。 上述の各工程を繰り返すことにより、図9に示すように、シリコン基板11上に第一層の配線17a、第二層の配線20、及び第三層の配線21を含む多層配線構造を備えた半導体装置を製造した。なお、図9においては、各層の配線の下層に形成したバリアメタル層は、図示を省略した。
この実施例では、レジストパターン14が、本発明のレジスト組成物を用いて製造したレジストパターンである。また相関絶縁膜12が誘電率2.7以下の低誘電率材料であり、例えば多孔質シリカ膜(セラメート NCS、触媒化成工業製、誘電率2.25)、あるいは、例えばC4F8、C2H2混合ガス、もしくはC4F8ガスをソースとして用いたRFCVD法(パワー400W)によって堆積されたフルオロカーボン膜(誘電率2.4)である。
Claims (16)
- 下記一般式(1)で表される構造を有することを特徴とするチオピラン誘導体。
前記一般式(1)において、Xは、O及びSのいずれかを表し、R1は、−H基、−CH3基、炭素数2〜4のアルキル基、チオエーテル基、及びケトン基のいずれかを表し、R2は、−H基、−CH3基、及びトリフルオロメチル基のいずれかを表し、R1及びR2は、同一でも異なっていてもよい。 - 請求項1に記載のチオピラン誘導体からなる構成成分を含むことを特徴とする重合体。
- 酸反応性基を有する構成成分をさらに含む請求項2に記載の重合体。
- 前記酸反応性基が、2−アルキルアダマンチル基である請求項3に記載の重合体。
- ラクトン誘導体からなる構成成分をさらに含む請求項2乃至4のいずれか1項に記載の重合体。
- 前記チオピラン誘導体からなる構成成分の含有量が、10〜55mol%である請求項2乃至5のいずれか1項に記載の重合体。
- 請求項2乃至6のいずれか1項に記載の重合体を含むことを特徴とするレジスト組成物。
- 波長400nm〜850nmの光に対する屈折率が1.520以上である請求項7に記載のレジスト組成物。
- 前記重合体が、アクリル系樹脂である請求項7または8に記載のレジスト組成物。
- 酸発生剤をさらに含む請求項7乃至9のいずれか1項に記載のレジスト組成物。
- 請求項1に記載のチオピラン誘導体をモノマーとしてさらに含む請求項7乃至10のいずれか1項に記載のレジスト組成物。
- 請求項1に記載のチオピラン誘導体のホモポリマーをさらに含む請求項7乃至11のいずれか1項に記載のレジスト組成物。
- 被加工面上に、請求項7乃至12のいずれか1項に記載のレジスト組成物からなるレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対し露光光を選択的に照射する工程と、前記レジスト膜を現像し、前記レジスト膜のパターンを形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記露光光の照射を液浸露光により行い、前記液浸露光に使用する媒体が、水または193nmの波長の光に対する屈折率が水よりも高い液体である請求項13に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レジスト膜のパターンをマスクとして用いてエッチングを行うことにより、前記被加工面をパターニングする工程を更に含む請求項13または14に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記被加工面が比誘電率2.7以下の絶縁材料からなる請求項15に記載の半導体装置の製造方法。
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JP5655579B2 (ja) * | 2011-01-17 | 2015-01-21 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、重合体及び化合物 |
US8974995B2 (en) * | 2013-04-03 | 2015-03-10 | Xerox Corporation | Carrier resins with improved relative humidity sensitivity |
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US10446210B2 (en) | 2016-09-27 | 2019-10-15 | Spin Memory, Inc. | Memory instruction pipeline with a pre-read stage for a write operation for reducing power consumption in a memory device that uses dynamic redundancy registers |
US10360964B2 (en) | 2016-09-27 | 2019-07-23 | Spin Memory, Inc. | Method of writing contents in memory during a power up sequence using a dynamic redundancy register in a memory device |
US10437491B2 (en) | 2016-09-27 | 2019-10-08 | Spin Memory, Inc. | Method of processing incomplete memory operations in a memory device during a power up sequence and a power down sequence using a dynamic redundancy register |
US10366774B2 (en) | 2016-09-27 | 2019-07-30 | Spin Memory, Inc. | Device with dynamic redundancy registers |
US10546625B2 (en) | 2016-09-27 | 2020-01-28 | Spin Memory, Inc. | Method of optimizing write voltage based on error buffer occupancy |
US10437723B2 (en) | 2016-09-27 | 2019-10-08 | Spin Memory, Inc. | Method of flushing the contents of a dynamic redundancy register to a secure storage area during a power down in a memory device |
US10460781B2 (en) | 2016-09-27 | 2019-10-29 | Spin Memory, Inc. | Memory device with a dual Y-multiplexer structure for performing two simultaneous operations on the same row of a memory bank |
US10818331B2 (en) | 2016-09-27 | 2020-10-27 | Spin Memory, Inc. | Multi-chip module for MRAM devices with levels of dynamic redundancy registers |
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US10529439B2 (en) | 2017-10-24 | 2020-01-07 | Spin Memory, Inc. | On-the-fly bit failure detection and bit redundancy remapping techniques to correct for fixed bit defects |
US10481976B2 (en) | 2017-10-24 | 2019-11-19 | Spin Memory, Inc. | Forcing bits as bad to widen the window between the distributions of acceptable high and low resistive bits thereby lowering the margin and increasing the speed of the sense amplifiers |
US10656994B2 (en) | 2017-10-24 | 2020-05-19 | Spin Memory, Inc. | Over-voltage write operation of tunnel magnet-resistance (“TMR”) memory device and correcting failure bits therefrom by using on-the-fly bit failure detection and bit redundancy remapping techniques |
US10489245B2 (en) | 2017-10-24 | 2019-11-26 | Spin Memory, Inc. | Forcing stuck bits, waterfall bits, shunt bits and low TMR bits to short during testing and using on-the-fly bit failure detection and bit redundancy remapping techniques to correct them |
US10424726B2 (en) | 2017-12-28 | 2019-09-24 | Spin Memory, Inc. | Process for improving photoresist pillar adhesion during MRAM fabrication |
US10891997B2 (en) | 2017-12-28 | 2021-01-12 | Spin Memory, Inc. | Memory array with horizontal source line and a virtual source line |
US10395712B2 (en) | 2017-12-28 | 2019-08-27 | Spin Memory, Inc. | Memory array with horizontal source line and sacrificial bitline per virtual source |
US10360962B1 (en) | 2017-12-28 | 2019-07-23 | Spin Memory, Inc. | Memory array with individually trimmable sense amplifiers |
US10811594B2 (en) | 2017-12-28 | 2020-10-20 | Spin Memory, Inc. | Process for hard mask development for MRAM pillar formation using photolithography |
US10395711B2 (en) | 2017-12-28 | 2019-08-27 | Spin Memory, Inc. | Perpendicular source and bit lines for an MRAM array |
US10784439B2 (en) | 2017-12-29 | 2020-09-22 | Spin Memory, Inc. | Precessional spin current magnetic tunnel junction devices and methods of manufacture |
US10840439B2 (en) | 2017-12-29 | 2020-11-17 | Spin Memory, Inc. | Magnetic tunnel junction (MTJ) fabrication methods and systems |
US10886330B2 (en) | 2017-12-29 | 2021-01-05 | Spin Memory, Inc. | Memory device having overlapping magnetic tunnel junctions in compliance with a reference pitch |
US10840436B2 (en) | 2017-12-29 | 2020-11-17 | Spin Memory, Inc. | Perpendicular magnetic anisotropy interface tunnel junction devices and methods of manufacture |
US10546624B2 (en) | 2017-12-29 | 2020-01-28 | Spin Memory, Inc. | Multi-port random access memory |
US10424723B2 (en) | 2017-12-29 | 2019-09-24 | Spin Memory, Inc. | Magnetic tunnel junction devices including an optimization layer |
US10367139B2 (en) | 2017-12-29 | 2019-07-30 | Spin Memory, Inc. | Methods of manufacturing magnetic tunnel junction devices |
US10438995B2 (en) | 2018-01-08 | 2019-10-08 | Spin Memory, Inc. | Devices including magnetic tunnel junctions integrated with selectors |
US10438996B2 (en) | 2018-01-08 | 2019-10-08 | Spin Memory, Inc. | Methods of fabricating magnetic tunnel junctions integrated with selectors |
US10446744B2 (en) | 2018-03-08 | 2019-10-15 | Spin Memory, Inc. | Magnetic tunnel junction wafer adaptor used in magnetic annealing furnace and method of using the same |
US11107978B2 (en) | 2018-03-23 | 2021-08-31 | Spin Memory, Inc. | Methods of manufacturing three-dimensional arrays with MTJ devices including a free magnetic trench layer and a planar reference magnetic layer |
US11107974B2 (en) | 2018-03-23 | 2021-08-31 | Spin Memory, Inc. | Magnetic tunnel junction devices including a free magnetic trench layer and a planar reference magnetic layer |
US10784437B2 (en) | 2018-03-23 | 2020-09-22 | Spin Memory, Inc. | Three-dimensional arrays with MTJ devices including a free magnetic trench layer and a planar reference magnetic layer |
US10529915B2 (en) | 2018-03-23 | 2020-01-07 | Spin Memory, Inc. | Bit line structures for three-dimensional arrays with magnetic tunnel junction devices including an annular free magnetic layer and a planar reference magnetic layer |
US10411185B1 (en) | 2018-05-30 | 2019-09-10 | Spin Memory, Inc. | Process for creating a high density magnetic tunnel junction array test platform |
US10692569B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-06-23 | Spin Memory, Inc. | Read-out techniques for multi-bit cells |
US10559338B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-02-11 | Spin Memory, Inc. | Multi-bit cell read-out techniques |
US10600478B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-03-24 | Spin Memory, Inc. | Multi-bit cell read-out techniques for MRAM cells with mixed pinned magnetization orientations |
US10593396B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-03-17 | Spin Memory, Inc. | Multi-bit cell read-out techniques for MRAM cells with mixed pinned magnetization orientations |
US10650875B2 (en) | 2018-08-21 | 2020-05-12 | Spin Memory, Inc. | System for a wide temperature range nonvolatile memory |
US10699761B2 (en) | 2018-09-18 | 2020-06-30 | Spin Memory, Inc. | Word line decoder memory architecture |
US10971680B2 (en) | 2018-10-01 | 2021-04-06 | Spin Memory, Inc. | Multi terminal device stack formation methods |
US11621293B2 (en) | 2018-10-01 | 2023-04-04 | Integrated Silicon Solution, (Cayman) Inc. | Multi terminal device stack systems and methods |
US11107979B2 (en) | 2018-12-28 | 2021-08-31 | Spin Memory, Inc. | Patterned silicide structures and methods of manufacture |
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Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH09110790A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-04-28 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 新規な(メタ)アクリル酸エステル |
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