JPWO2009041479A1 - プロトン伝導膜およびプロトン伝導膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
S.M.Haile et al. Nature 410, 910(2001) M. Nagao, et al., J. Electrochem. Soc.,153,A16004(2006)
(1)金属酸化物中の酸素原子と、−B(O)3−、−S(=O)2(O)2−、−P(=O)(O)3−、−C(=O)(O)2−および−N(O)3−の少なくとも1種の酸素酸由来の基とが酸素原子を介して結合したセラミック構造体(但し、金属酸化物中の酸素原子と酸素酸由来の基の酸素原子の一部は兼ねる構成である)を主成分とするプロトン伝導膜。
(2)酸素酸またはその前駆体と、金属酸化物前駆体とをゾルゲル反応させた後、加熱させてなる、プロトン伝導膜。
(3)前記酸素酸またはその前駆体は、ホウ酸、硫酸、リン酸、炭酸および硝酸、ならびにこれらの前駆体である、(2)に記載のプロトン伝導膜。
(4)ゾルゲル反応をさせた後、100〜600℃で加熱させてなる、(2)または(3)に記載のプロトン伝導膜。
(5)前記金属酸化物前駆体は、金属アルコキシドである、(2)〜(4)のいずれか1項に記載のプロトン伝導膜。
(6)前記金属酸化物前駆体は、金属成分の主成分として4価の金属イオンを含む、(2)〜(5)のいずれか1項に記載のプロトン伝導膜。
(7)前記4価の金属イオンが、ハフニウムイオン、チタンイオン、ジルコニウムイオンおよびスズイオンから選択される少なくとも1種である、(6)に記載のプロトン伝導膜。
(8)前記金属酸化物前駆体は、金属成分として、さらに、3価の金属イオンを含む、(6)または(7)に記載のプロトン伝導膜。
(9)前記3価の金属イオンが、イットリウムイオン、アルミニウムイオン、インジウムイオン、スカンジウムイオン、および、ランタノイドイオン群(ランタンイオンを含む)から選択される少なくとも1種である、(8)に記載のプロトン伝導膜。
(10)前記3価の金属イオンが、4価の金属イオン1モルに対し、0.03〜0.20モルの割合で含まれる、(8)または(9)に記載のプロトン伝導膜。
(11)前記プロトン伝導膜は、アモルファスである、(1)〜(10)のいずれか1項に記載のプロトン伝導膜。
(12)酸素酸またはその前駆体と、金属酸化物前駆体とをゾルゲル反応させた後、熱処理することを含む、プロトン伝導膜の製造方法。
(13)前記熱処理は、100〜600℃の温度範囲で行う、(12)に記載のプロトン伝導膜の製造方法。
(14)前記プロトン伝導膜が、(1)〜(11)のいずれか1項に記載のプロトン伝導膜である、(12)または(13)に記載のプロトン伝導膜の製造方法。
本発明における酸素酸とは、特に定めるものではないが、ホウ酸、硫酸、リン酸、炭酸および硝酸が好ましく、リン酸が好ましい。酸素酸およびその前駆体は、1種類のみを用いてもよいし、2種類以上を用いてもよい。また、酸素酸の前駆体とは、ゾルゲル反応において、実質的に酸素酸と同様の働きをするものをいい、例えば、P2O5、ポリリン酸、SO3などが挙げられる。
本発明における金属酸化物前駆体としては、ゾルゲル反応により、金属酸化物を生成しうる全ての化合物が挙げられる。具体的には、金属アルコキシド、イソシアネート金属化合物、ハロゲン化物、キレート錯体、有機金属錯体等が挙げられ、金属アルコキシドが好ましい。
次に、本発明のプロトン伝導膜の製造方法について説明する。本発明のプロトン伝導膜は、酸素酸またはその前駆体と、金属酸化物前駆体を、ゾルゲル反応させた後、熱処理させて製造する。通常は、金属酸化物前駆体と酸素酸またはその前駆体を含む溶液(原料溶液)を基板上に層状に塗布し、該状態のものをゾルゲル反応させた後、熱処理する方法が挙げられる。
(ITO基板の前処理)
ITO電極をコートしたガラス基板(Aldrich製、ITOの厚さ30nm、2.5×4cm)(ITO基板)は、エタノールで2分間超音波洗浄した後、窒素ガスに接触させて乾燥した。
20mlの2−メトキシエタノールに、0.50gのハフニウムテトラ n−ブトキシド(Gelest社製)を添加し、室温で5分間混合した。次に、30mlの2−メトキシエタノールに、0.21gの5酸化2リン(P2O5)を添加し溶液が透明になるまで超音波処理を行った。これらの溶液を混合し、室温で10分間撹拌した。これに、水を添加して、最終的に、金属酸化物前駆体濃度が、18mmol/Lとなるように、調整した。
上記塗布溶液をITO基板上に、3000rpm、20秒間スピンコートしてゲル層を作製し、乾燥させた。この作業を15回繰り返した後、400℃で1時間、焼成(anneal)した。さらに、ゲル層を作製し、乾燥させる工程を15回繰り返した後、1時間焼成(anneal)して、薄膜を得た。焼成温度は、400℃、450℃、500℃としたものの、3種類を作製した。
上記により得られた薄膜の走査電子顕微鏡(SEM)観察を行った。観察は、電界放出走査電子顕微鏡(日立製作所製、S−5200)を用いて行った。
(X線光電子分光法(XPS)による測定)
上記により得られた薄膜の組成は、VGサイエンス社製、ESCALAB250を用いて測定した。
薄膜の基材フィルムとして、プラチナでコーティングしたシリコンウェハを用い、この上に、上記と同様の方法で、薄膜を作製した。薄膜を、250℃で2時間真空に保ち、室温まで冷却した後、ピリジン蒸気下に置き、ピリジン吸収のFTIRスペクトルを測定した。
上記により得られた薄膜のプロトン伝導性は、ACインピーダンス法により測定した。具体的には、プラチナ電極(100nm厚、直径1mm)の上に、上記により得られた薄膜を設け、その上に、ITO電極を設けた。プラチナ電極およびITO電極に金属線を配線し、周波数10〜107Hz、20mVで、インピーダンス分光分析を行った。
図1は、HfP3−400、HfP3−450およびHfP3−500のFTIRスペクトルを測定した結果を示す。図1から明らかなとおり、波長1272cm−1にP−O−H由来のピークが、1003cm−1にHf−O−P由来のピークが、753cm−1にP−O−P由来のピークがそれぞれ認められた。
Z=(|Z’|2+|Z”|2)1/2
で表される。
(ITO基板の前処理)
実施例1と同様の手法で、ITO基板の前処理を行った。
20mlの2−メトキシエタノールに、ジルコニウム−n−テトラブトキシド(関東化学製)を添加し、溶液が透明になるまで超音波処理を行った。20mlの2−メトキシエタノールに、イットリウムメトキシエトキシド(Gelest社製)を添加し、溶液が透明になるまで超音波処理を行った。それぞれの溶液に、30mlの2−メトキシエタノールに溶解したP2O5を添加し、該溶液が透明になるまで、約6分間、超音波処理した。これらの溶液を混合し、室温で10分間撹拌し、最終的に得られた塗布溶液の金属濃度が、20mmol/Lとなるように調整した。尚、塗布液におけるジルコニア、イットリウム、リンのモル比が、下記表の値となるように、ジルコニウム−n−テトラブトキシド、イットリウムメトキシエトキシドおよびP2O5の添加量を調整した。
実施例1と同様の手法で、薄膜の作製を行った。焼成温度は、120℃と、400℃とで行った。
得られた薄膜について、以下の評価を行った。特に述べない限り、実施例1と同様の方法で測定した。
(ITO基板の前処理)
実施例1と同様の手法で、ITO基板の前処理を行った。
20mlの2−メトキシエタノールに、ジルコニウム−n−テトラブトキシド(関東化学製)を添加し、室温で1時間撹拌し、さらに、70℃で30分撹拌した。20mlの2−メトキシエタノールに、イットリウムメトキシエトキシド(Gelest社製)を添加し、室温で1時間撹拌し、さらに、70℃で30分撹拌した。これらの溶液を室温まで冷やした。それぞれの溶液に、96%硫酸およびエチレンジアミンを添加し、該溶液が透明になるまで、約2分間、超音波処理した。これらの溶液を混合し、室温で10分間撹拌し、最終的に得られる塗布溶液の金属濃度が、20mmol/Lとなるように調整した。
実施例1と同様の手法で、薄膜の作製を行った。焼成温度は、400℃とした。
得られた薄膜について、以下の評価を行った。特に述べない限り、実施例1と同様の方法で測定した。
(ITO基板の前処理)
実施例1と同様の手法で、ITO基板の前処理を行った。
20mlの2−メトキシエタノールに、ジルコニウム−n−テトラブトキシド(関東化学製)を添加し、室温で1時間撹拌し、さらに、70℃で30分撹拌した。20mlの2−メトキシエタノールに、イットリウムメトキシエトキシド(Gelest社製)を添加し、室温で1時間撹拌し、さらに、70℃で30分撹拌した。これらの溶液を室温まで冷やした。これらの溶液を混合し、室温で10分間撹拌した。ホウ酸に、20mlの2−メトキシエタノールを添加し、該溶液が透明になるまで、約15分間、超音波処理した。これらの溶液を混合し、室温で2分間撹拌し、最終的に得られる塗布溶液の金属濃度が、20mmol/Lとなるように調整した。
実施例1と同様の手法で、薄膜の作製を行った。焼成温度は、400℃とした。
得られた薄膜について、以下の評価を行った。特に述べない限り、実施例1と同様の方法で測定した。
Claims (9)
- 金属酸化物中の酸素原子と、−B(O)3−、−S(=O)2(O)2−、−P(=O)(O)3−、−C(=O)(O)2−および−N(O)3−の少なくとも1種の酸素酸由来の基とが酸素原子を介して結合したセラミック構造体(但し、金属酸化物中の酸素原子と酸素酸由来の基の酸素原子の一部は兼ねる構成である)を主成分とし、
酸素酸またはその前駆体と、金属酸化物前駆体とをゾルゲル反応させた後、加熱させてなるものであり、
前記酸素酸またはその前駆体は、ホウ酸、硫酸、リン酸、炭酸および硝酸、ならびにこれらの前駆体であり、
ゾルゲル反応をさせた後、100〜600℃で加熱させてなるものである、
プロトン伝導膜。 - 前記金属酸化物前駆体は、金属アルコキシドである、請求の範囲第1項に記載のプロトン伝導膜。
- 前記金属酸化物前駆体は、金属成分の主成分として4価の金属イオンを含む、請求の範囲第1項または第2項に記載のプロトン伝導膜。
- 前記4価の金属イオンが、ハフニウムイオン、チタンイオン、ジルコニウムイオンおよびスズイオンから選択される少なくとも1種である、請求の範囲第3項に記載のプロトン伝導膜。
- 前記金属酸化物前駆体は、金属成分として、さらに、3価の金属イオンを含む、請求の範囲第3項または第4項に記載のプロトン伝導膜。
- 前記3価の金属イオンが、イットリウムイオン、アルミニウムイオン、インジウムイオン、スカンジウムイオン、および、ランタノイドイオン群(ランタンイオンを含む)から選択される少なくとも1種である、請求の範囲第5項に記載のプロトン伝導膜。
- 前記3価の金属イオンが、4価の金属イオン1モルに対し、0.03〜0.20モルの割合で含まれる、請求の範囲第5項または第6項に記載のプロトン伝導膜。
- 前記プロトン伝導膜は、アモルファスである、請求の範囲第1項〜第7項のいずれか1項に記載のプロトン伝導膜。
- 酸素酸またはその前駆体と、金属酸化物前駆体とをゾルゲル反応させた後、熱処理することを含み、
前記熱処理は、100〜600℃の温度範囲で行う、
前記金属酸化物前駆体から生成された金属酸化物中の酸素原子と、−B(O)3−、−S(=O)2(O)2−、−P(=O)(O)3−、−C(=O)(O)2−および−N(O)3−の少なくとも1種の前記酸素酸由来の基とが酸素原子を介して結合したセラミック構造体(但し、金属酸化物中の酸素原子と酸素酸由来の基の酸素原子の一部は兼ねる構成である)を主成分とする、プロトン伝導膜の製造方法。
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