JPWO2008038428A1 - Ｉｃカードおよびｉｃカード用ソケット - Google Patents

Ｉｃカードおよびｉｃカード用ソケット Download PDF

Info

Publication number
JPWO2008038428A1
JPWO2008038428A1 JP2008536285A JP2008536285A JPWO2008038428A1 JP WO2008038428 A1 JPWO2008038428 A1 JP WO2008038428A1 JP 2008536285 A JP2008536285 A JP 2008536285A JP 2008536285 A JP2008536285 A JP 2008536285A JP WO2008038428 A1 JPWO2008038428 A1 JP WO2008038428A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
card
flash memory
memory card
view
adapter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008536285A
Other languages
English (en)
Inventor
裕孝 西沢
裕孝 西沢
大迫　潤一郎
潤一郎 大迫
岩崎　浩典
浩典 岩崎
小池　秀雄
秀雄 小池
和田　環
環 和田
戸塚　隆
隆 戸塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Technology Corp
Original Assignee
Renesas Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Technology Corp filed Critical Renesas Technology Corp
Publication of JPWO2008038428A1 publication Critical patent/JPWO2008038428A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/70—Coupling devices
    • H01R12/71—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/0772—Physical layout of the record carrier
    • G06K19/07732—Physical layout of the record carrier the record carrier having a housing or construction similar to well-known portable memory devices, such as SD cards, USB or memory sticks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07737—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier consisting of two or more mechanically separable parts
    • G06K19/07739—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier consisting of two or more mechanically separable parts comprising a first part capable of functioning as a record carrier on its own and a second part being only functional as a form factor changing part, e.g. SIM cards type ID 0001, removably attached to a regular smart card form factor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50—Fixed connections
    • H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • H01L2225/06562—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking at least one device in the stack being rotated or offset
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Abstract

ＩＣカードにおいて、メモリ容量の拡張性が大きく、利用者の要求に合わせたメモリ容量、コスト負担となることができる技術を提供する。本発明のＩＣカードは、フラッシュメモリを搭載したフラッシュメモリカード３０６であって、フラッシュメモリカード３０６は、セキュアＩＣを搭載したＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａ及び／又はｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂに挿入可能であり、フラッシュメモリカード３０６が、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａ又はｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂに挿入されることにより、拡張メモリ付きＳＩＭ又は拡張メモリ付きｍｉｎｉＵＩＣＣとして動作し、フラッシュメモリカード３０６は、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａ又はｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂから物理的に分離可能であることを特徴とする。

Description

本発明は、ＩＣカードに関し、特に、薄型メモリカードを分離可能に搭載し、互換性を重視したＩＣカードに適用して有効な技術に関する。
本発明者が検討した技術として、例えば、ＩＣカードにおいては、以下の技術が考えられる。
例えば、ＩＣカードの一種にＳＩＭカード（Ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ Ｉｄｅｎｔｉｔｙ Ｍｏｄｕｌｅ Ｃａｒｄ）と呼ばれるものがある。ＳＩＭカードは、携帯電話機に差し込んで利用者の識別に使う、契約者情報を記録したＩＣカードである。異なる方式の電話機であっても共通のＩＣカードを差し替えて使用することで、電話番号や課金情報をそのまま引き継いで使用するとことを可能にするものであり、ＧＳＭカードとしてＧＳＭ携帯電話機で実現されている。ＳＩＭカードの外形寸法は、１５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７６ｍｍのＩＤ−０００フォーマットを使用している。すなわち、平面寸法が１５ｍｍ×２５ｍｍであり、厚さが０．７６ｍｍ程度である。表面にはＩＳＯ／ＩＥＣ７８１６−３の端子位置と機能の規格で定められる外部インターフェイス端子（ＩＳＯ７８１６インターフェイス端子）が配列される。
図１（ａ）は、本発明の前提として検討したｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭ（ＩＤ−０００）のスマートカードの構成を示すブロック図、図１（ｂ）は、ＩＳＯ７８１６での端子割り当てを示す図である。
図１（ａ）に示すように、ＳＩＭカードは、セキュアＩＣチップとして、ＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ，ＥＥＰＲＯＭなどを含むマイクロコンピュータ（ＳＩＣ）を搭載する。なお、ＬＡ，ＬＢのアンテナコイルや非接触インターフェイスはオプションであり、省略可能である。
図１（ｂ）に示すように、ＳＩＭカードの裏側に、ＩＳＯ７８１６インターフェイス端子が、Ｃ１〜Ｃ８の８個の端子が配置されており、ＩＳＯ７８１６端子の割り当ては、Ｃ１がＶＣＣ（＋電源）、Ｃ２がＲＥＳ（リセット）、Ｃ３がＣＬＫ（クロック）、Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８がＲＳＶ（リザーブ）、Ｃ５がＶＳＳ（グランド）、Ｃ７がＩ／Ｏ（入出力）である。ここで、リザーブ端子は、ＵＳＢインターフェイスの実現、ＭＭＣ，シリアルインターフェイスの実現、または、非接触（コンタクトレスカード）機能の実現等の拡張端子として使用することができる。
図２（ａ）は、本発明の前提として検討したＳＩＭカードのＳＩＣチップ搭載側（図１（ｂ）の反対側）から見た構造図である。図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ’の断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ’の断面図である。なお、図２（ａ）では、図１（ｂ）で示したＩＳＯ７８１６インターフェイス端子Ｃ１〜Ｃ８、キャビディの溝、及び、ＳＩＣチップの配置される位置との対応関係を明確にするため、破線で図示している。
図２（ｂ）および図２（ｃ）に示すように、裏面にＩＳＯ７８１６の電極（ＩＳＯ７８１６インターフェイス端子）を有する基板にＳＩＣチップが搭載され、ＳＩＣチップの端子とＩＳＯ７８１６の電極とが基板上の開口部を通り抜けてワイヤボンディングされている。基板上のＳＩＣチップはレジンモールドにより封止され、カードの外形を形成するプラスチックと基板とが両面接着テープで接続されている。なお、ＲＳＶ端子は、図２（ｂ）および図２（ｃ）おいては、ＳＩＣチップの端子と接続していない。
なお、このようなＩＣカードに関する技術としては、例えば、特許文献１に記載される技術などが挙げられる。
特許文献１には、マイクロコンピュータとメモリカードコントローラとフラッシュメモリとを有するＩＣカードモジュールについて記載がある。このＩＣカードモジュールは、カード基板の一表面に、複数の第１の外部接続端子と複数の第２の外部接続端子とを露出し、第１の外部接続端子に接続するマイクロコンピュータ、第２の外部接続端子に接続するメモリカードコントローラ、及びそのメモリカードコントローラに接続するフラッシュメモリを有する。カード基板の形状と第１の外部接続端子の配置はＥＴＳＩ ＴＳ １０２ ２２１ Ｖ４.４.０（２００１−１０）のｐｌｕｇ−ｉｎ ＵＩＣＣ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｃａｒｄ）の規格に準拠され、若しくは互換性を有する。第２の外部接続端子は第１の外部接続端子の前記規格による端子配置の最小範囲の外に配置され、第１及び第２の外部接続端子は信号端子が電気的に分離されている。これにより、ＳＩＭカードとの互換性及び高速メモリアクセスへの対応を実現している。
また、非特許文献１には、一般的なスマートカードに関する技術の記載がある。
特開２００５−３２２１０９号公報 ラウクル・エフィング（W.Raukl & W.Effing）著、「スマート・カード・ハンドブック（Smart Card Handbook）」 、第２版、ウィリー（WILEY）、Ｐ．２７−３１
ところで、前記のようなＩＣカードの技術について、本発明者が検討した結果、以下のようなことが明らかとなった。
例えば、ＳＩＣには、ＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性メモリが搭載されているが、利用の仕方によっては、メモリ容量が不足する。メモリ容量を拡張するため、特許文献１のように拡張メモリとしてフラッシュメモリを搭載することも考えられるが、全ての利用者に対して一律に固定化したメモリ容量のフラッシュメモリを搭載するのは、多大なコスト負担となる。フラッシュメモリ等の不揮発性の拡張メモリとして、メモリ容量の拡張性が大きく、利用者の要求に合わせたメモリ容量、コスト負担となるものであることが望ましい。
また、メモリ領域のセキュリティ機能を強化、改竄防止機能の強化、および、異なる形状のＩＣカードへの移植を可能とすることが望まれる。
そこで、本発明の目的は、ＩＣカードにおいて、メモリ容量の拡張性が大きく、利用者の要求に合わせたメモリ容量、コスト負担、メモリのセキュリティの確保、および、異なるＩＣカードやホストへの移植性の拡大が可能となることができる技術を提供することにある。
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
すなわち、本発明によるＩＣカードは、フラッシュメモリを搭載したＩＣカードであって、前記ＩＣカードは、セキュアＩＣを搭載したｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭ（Ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ Ｉｄｅｎｔｉｔｙ Ｍｏｄｕｌｅ）アダプタ及び／又はｍｉｎｉＵＩＣＣ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｃａｒｄ）アダプタに挿入可能であり、前記ＩＣカードが、前記ＳＩＭアダプタ又は前記ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタに挿入されることにより、前記ＳＩＭアダプタ又は前記ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタと前記ＩＣカードとが一体となって拡張メモリ付きＳＩＭ又は拡張メモリ付きｍｉｎｉＵＩＣＣとして動作し、前記ＩＣカードは、前記ＳＩＭアダプタ又は前記ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタから物理的に分離可能であることを特徴とするものである。
また、ＩＣカードが挿入されない場合は、メモリ増設の無いｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭまたはｍｉｎｉＵＩＣＣの通常ＳＩＭカード（ＧＳＭカード）等として動作してよい。この場合は、変換アダプタの物理的強度を確保するために、ＩＣカードと同形状のプラスチックカードであるブランクカードを挿入する。ブランクカードは、形状はＩＣカードと同等であるが、メモリ容量の無いカードである。
また、本発明によるＩＣカードは、セキュアＩＣを搭載し、ＳＩＭとして動作するＩＣカードであって、前記ＩＣカードは、フラッシュメモリを搭載したフラッシュメモリカードを挿入可能であり、前記フラッシュメモリカードが、前記ＩＣカードに挿入されることにより、前記フラッシュメモリカードと前記ＩＣカードとが一体となって拡張メモリ付きＳＩＭとして動作し、前記フラッシュメモリカードは、前記ＩＣカードから物理的に分離可能であることを特徴とするものである。
また、本発明によるＩＣカードは、セキュアＩＣを搭載し、ｍｉｎｉＵＩＣＣとして動作するＩＣカードであって、前記ＩＣカードは、フラッシュメモリを搭載したフラッシュメモリカードを挿入可能であり、前記フラッシュメモリカードが、前記ＩＣカードに挿入されることにより、前記フラッシュメモリカードと前記ＩＣカードとが一体となって拡張メモリ付きｍｉｎｉＵＩＣＣとして動作し、前記フラッシュメモリカードは、前記ＩＣカードから物理的に分離可能であることを特徴とするものである。
本発明によるＩＣカードは、スマートカード端子の信号と、フラッシュメモリカードに設けられた信号とを配線で直接接続するか、信号間にインターフェイス用半導体を介して接続することによって、ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭまたはｍｉｎｉＵＩＣＣ機能を実現する。配線で直接接続する場合には、フラッシュメモリカード内にセキュア機能を搭載しなければならない。
また、インターフェイス用半導体にセキュアマイコン機能を搭載し、インターフェイス用半導体はセキュアコマンドのプロトコル変換を用い、セキュア機能を省略することが可能である。
また、本発明によるＩＣカードは、ＩＳＯ７８１６用のスマートカードに用いるだけでなく、他のメモリスティックＰＲＯ，ＳＤカード、マルチメディアカード、ＵＳＢメモリ等へ、物理形状のみの変換、または、インターフェイス変換用のコントローラを介しての変換アダプタにより変換できる。
また、本発明によるフラッシュメモリカードは、ＩＣカードが正しく使用してよいか判断するために、機器認証機能を搭載することも可能である。認証されない場合は、ＩＣカードは増設メモリとしてフラッシュメモリカードを使用できない。
また、機器認証のセキュリティレベルにより、低いセキュリティのデータ、または、セキュリティ無しのデータのみを扱う場合と、高いセキュリティデータを扱う場合とを区別してよい。
また、本発明によるフラッシュメモリカードにセキュリティ機能を有する場合は、暗号データのやり取り、暗号データの解読、および、重要な秘密鍵等のやり取りを行うことも可能である。
また、本発明によるＩＣカードは、セキュリティマイコン機能を有するセキュアＩＣチップを搭載し、ＳＩＭとして動作するＩＣカードであって、第１の厚さを有する第１の部分と、前記第１の部分の内側に設けられた前記第１の厚さより厚い第２の部分とを有するものである。
また、本発明によるＩＣカード用ソケットは、第１の厚さを有する第１の部分と、前記第１の部分の内側に設けられた前記第１の厚さより厚い第２の部分とを有する第１のＩＣカードと、前記第１の厚さを有する第３の部分と、前記第３の部分の内側に設けられた前記第１の厚さを有する第４の部分とを有する第２のＩＣカードとを共通に挿入可能なＩＣカード用ソケットであって、前記第１の部分及び前記第３の部分を押さえて前記第１のＩＣカード及び前記第２のＩＣカードを固定することができる高さを有し、かつ、前記第２の部分に接触しない幅を有するカード押さえを有するものである。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
ＩＣカードにおいて、メモリ容量の拡張性が大きく、利用者の要求に合わせたメモリ容量、コスト負担となることが可能である。
（ａ）は本発明の前提として検討したＳＩＭカードの構成を示すブロック図、（ｂ）は端子割り当てを示す図である。 図２（ａ）は、本発明の前提として検討したＳＩＭカードのＳＩＣチップ搭載側（図１（ｂ）の反対側）から見た構造図である。図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ’の断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）のＡ−Ａ’の断面図である。 （ａ）は本発明の前提として検討したＩＣカードの構成を示すブロック図、（ｂ）は本発明の一実施の形態によるＩＣカードの構成を示すブロック図である。 本発明の一実施の形態によるＩＣカードの利用形態を示す説明図である。 本発明の一実施の形態によるフラッシュメモリカードの構造を示す外形図である。図５（ａ）はフラッシュメモリカード３０６の表面の平面図、図５（ｂ）はフラッシュメモリカード３０６の裏面の平面図、図５（ｃ）はフラッシュメモリカード３０６の左側面図、図５（ｄ）はフラッシュメモリカード３０６の右側面図、図５（ｅ）はフラッシュメモリカード３０６の前面図、図５（ｆ）はフラッシュメモリカード３０６の後面図である。また、図５（ｇ）は、フラッシュメモリカード３０６の表面側の外観を示す斜視図であり、図５（ｈ）は、フラッシュメモリカード３０６の裏面側の外観を示す斜視図である。 本発明の一実施の形態によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタの構造を示す外形図である。図６（ａ）はＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａの裏面側の平面図、図６（ｂ）はＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａの表面側の平面図、図６（ｃ）はＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａの側面図、図６（ｄ）は図６（ｂ）のＣ−Ｃ’断面図である。 本発明の一実施の形態によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタにフラッシュメモリカードを挿入した後の外形を示す平面図である。 （ａ），（ｂ）は、本発明の一実施の形態によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタの構造を示す縦断面図である。 本発明の一実施の形態によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタの結線例を示す図である。 本発明の一実施の形態によるｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタの構造を示す外形図である。図１０（ａ）は、ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂの裏面側の平面図、図１０（ｂ）はｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂの表面側の平面図、図１０（ｃ）はｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂの側面図、図１０（ｄ）は図１０（ｂ）のＤ−Ｄ’断面図である。また、図１０（ｅ）は、ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂの裏面側の外観を示す斜視図であり、図１０（ｆ）は、ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂの表面側の外観を示す斜視図である。 本発明の一実施の形態によるｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタにフラッシュメモリカードを挿入した後の外形を示す平面図である。 本発明の一実施の形態によるメモリスティックマイクロアダプタの構造を示す外形図である。図１２（ａ）はメモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃの表面の平面図、図１２（ｂ）はメモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃの裏面の平面図、図１２（ｃ）はメモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃの側面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の一実施の形態によるメモリスティックマイクロアダプタへのフラッシュメモリカードの装着方法を示す外形図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の他の実施の形態によるメモリスティックマイクロアダプタへの他のフラッシュメモリカードの装着方法を示す外形図である。 本発明の他の実施の形態によるフラッシュメモリカードの他の構造例を示す外形図である。図１５（ａ）はフラッシュメモリカード３０８の表面の平面図、図１５（ｂ）はフラッシュメモリカード３０８の裏面の平面図、図１５（ｃ）はフラッシュメモリカード３０８の左側面図、図１５（ｄ）はフラッシュメモリカード３０８の右側面図、図１５（ｅ）はフラッシュメモリカード３０８の前面図、図１５（ｆ）はフラッシュメモリカード３０８の後面図である。また、図１５（ｇ）は、フラッシュメモリカード３０８の表面側の外観を示す斜視図であり、図１５（ｈ）は、フラッシュメモリカード３０８の裏面側の外観を示す斜視図である。 本発明の他の実施の形態によるフラッシュメモリカードの他の構造例を示す外形図である。図１６（ａ）はフラッシュメモリカード３０９の表面の平面図、図１６（ｂ）はフラッシュメモリカード３０９の裏面の平面図、図１６（ｃ）はフラッシュメモリカード３０９の左側面図、図１６（ｄ）はフラッシュメモリカード３０９の右側面図、図１６（ｅ）はフラッシュメモリカード３０９の前面図、図１６（ｆ）はフラッシュメモリカード３０９の後面図である。また、図１６（ｇ）は、フラッシュメモリカード３０９の表面側の外観を示す斜視図であり、図１６（ｈ）は、フラッシュメモリカード３０９の裏面側の外観を示す斜視図である。 本発明の他の実施の形態によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタの他の構造例を示す外形図である。図１７（ａ）はＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ｄの裏面側の平面図、図１７（ｂ）はＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ｄの表面側の平面図、図１７（ｃ）はＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ｄの側面図、図１７（ｄ）は図１７（ｂ）のＥ−Ｅ’断面図である。 本発明の他の実施の形態によるｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタの他の構造例を示す外形図である。図１８（ａ）はｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｅの裏面側の平面図、図１８（ｂ）はｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｅの表面側の平面図、図１８（ｃ）はｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｅの側面図、図１８（ｄ）は図１８（ｂ）のＦ−Ｆ’断面図。また、図１８（ｅ）はｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｅの裏面側の外観を示す斜視図であり、図１８（ｆ）はｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｅの表面側の外観を示す斜視図である。 本発明の他の実施の形態によるフラッシュメモリカードの他の構造例を示す外形図である。図１９（ａ）はフラッシュメモリカード３１０の表面の平面図、図１９（ｂ）はフラッシュメモリカード３１０の裏面の平面図、図１９（ｃ）はフラッシュメモリカード３１０の左側面図、図１９（ｄ）はフラッシュメモリカード３１０の右側面図、図１９（ｅ）はフラッシュメモリカード３１０の前面図、図１９（ｆ）はフラッシュメモリカード３１０の後面図である。また、図１９（ｇ）はフラッシュメモリカード３１０の表面側の外観を示す斜視図であり、図１９（ｈ）はフラッシュメモリカード３１０の裏面側の外観を示す斜視図である。 本発明の他の実施の形態によるフラッシュメモリカードの他の構造例を示す外形図である。図２０（ａ）はフラッシュメモリカード３１１の表面の平面図、図２０（ｂ）はフラッシュメモリカード３１１の裏面の平面図、図２０（ｃ）はフラッシュメモリカード３１１の左側面図、図２０（ｄ）はフラッシュメモリカード３１１の右側面図、図２０（ｅ）はフラッシュメモリカード３１１の前面図、図２０（ｆ）はフラッシュメモリカード３１１の後面図である。また、図２０（ｇ）はフラッシュメモリカード３１１の表面側の外観を示す斜視図であり、図２０（ｈ）はフラッシュメモリカード３１１の裏面側の外観を示す斜視図である。 本発明の他の実施の形態によるフラッシュメモリカードの他の構造例を示す外形図である。図２１（ａ）はフラッシュメモリカード３１２の表面の平面図、図２１（ｂ）はフラッシュメモリカード３１２の裏面の平面図、図２１（ｃ）はフラッシュメモリカード３１２の左側面図、図２１（ｄ）はフラッシュメモリカード３１２の右側面図、図２１（ｅ）はフラッシュメモリカード３１２の前面図、図２１（ｆ）はフラッシュメモリカード３１２の後面図である。また、図２１（ｇ）はフラッシュメモリカード３１２の表面側の外観を示す斜視図であり、図２１（ｈ）はフラッシュメモリカード３１２の裏面側の外観を示す斜視図である。 本発明の他の実施の形態によるフラッシュメモリカードの他の構造例を示す外形図である。図２２（ａ）はフラッシュメモリカード３１３の表面の平面図、図２２（ｂ）はフラッシュメモリカード３１３の裏面の平面図、図２２（ｃ）はフラッシュメモリカード３１３の左側面図、図２２（ｄ）はフラッシュメモリカード３１３の右側面図、図２２（ｅ）はフラッシュメモリカード３１３の前面図、図２２（ｆ）はフラッシュメモリカード３１３の後面図である。また、図２２（ｇ）はフラッシュメモリカード３１３の表面側の外観を示す斜視図であり、図２２（ｈ）はフラッシュメモリカード３１３の裏面側の外観を示す斜視図である。 本発明の他の実施の形態によるフラッシュメモリカードの他の構造例を示す外形図である。図２３（ａ）はフラッシュメモリカード３１４の表面の平面図、図２３（ｂ）はフラッシュメモリカード３１４の裏面の平面図、図２３（ｃ）はフラッシュメモリカード３１４の左側面図、図２３（ｄ）はフラッシュメモリカード３１４の右側面図、図２３（ｅ）はフラッシュメモリカード３１４の前面図、図２３（ｆ）はフラッシュメモリカード３１４の後面図である。また、図２３（ｇ）はフラッシュメモリカード３１４の表面側の外観を示す斜視図であり、図２３（ｈ）はフラッシュメモリカード３１４の裏面側の外観を示す斜視図である。 本発明の他の実施の形態によるフラッシュメモリカードの他の構造例を示す外形図である。図２４（ａ）はフラッシュメモリカード３１５の表面の平面図、図２４（ｂ）はフラッシュメモリカード３１５の裏面の平面図、図２４（ｃ）はフラッシュメモリカード３１５の左側面図、図２４（ｄ）はフラッシュメモリカード３１５の右側面図、図２４（ｅ）はフラッシュメモリカード３１５の前面図、図２４（ｆ）はフラッシュメモリカード３１５の後面図である。また、図２４（ｇ）はフラッシュメモリカード３１５の表面側の外観を示す斜視図であり、図２４（ｈ）はフラッシュメモリカード３１５の裏面側の外観を示す斜視図である。 本発明の他の実施の形態によるフラッシュメモリカードの他の構造例を示す外形図である。図２５（ａ）はフラッシュメモリカード３１６の表面の平面図、図２５（ｂ）はフラッシュメモリカード３１６の裏面の平面図、図２５（ｃ）はフラッシュメモリカード３１６の左側面図、図２５（ｄ）はフラッシュメモリカード３１６の右側面図、図２５（ｅ）はフラッシュメモリカード３１６の前面図、図２５（ｆ）はフラッシュメモリカード３１６の後面図である。また、図２５（ｇ）はフラッシュメモリカード３１６の表面側の外観を示す斜視図であり、図２５（ｈ）はフラッシュメモリカード３１６の裏面側の外観を示す斜視図である。 本発明の他の実施の形態によるフラッシュメモリカードの他の構造例を示す外形図である。図２６（ａ）はフラッシュメモリカード３１７の表面の平面図、図２６（ｂ）はフラッシュメモリカード３１７の裏面の平面図、図２６（ｃ）はフラッシュメモリカード３１７の左側面図、図２６（ｄ）はフラッシュメモリカード３１７の右側面図、図２６（ｅ）はフラッシュメモリカード３１７の前面図、図２６（ｆ）はフラッシュメモリカード３１７の後面図である。また、図２６（ｇ）はフラッシュメモリカード３１７の表面側の外観を示す斜視図であり、図２６（ｈ）はフラッシュメモリカード３１７の裏面側の外観を示す斜視図である。 本発明の他の実施の形態によるフラッシュメモリカードの他の構造例を示す外形図である。図２７（ａ）はフラッシュメモリカード３１８の表面の平面図、図２７（ｂ）はフラッシュメモリカード３１８の裏面の平面図、図２７（ｃ）はフラッシュメモリカード３１８の左側面図、図２７（ｄ）はフラッシュメモリカード３１８の右側面図、図２７（ｅ）はフラッシュメモリカード３１８の前面図、図２７（ｆ）はフラッシュメモリカード３１８の後面図である。また、図２７（ｇ）はフラッシュメモリカード３１８の表面側の外観を示す斜視図であり、図２７（ｈ）はフラッシュメモリカード３１８の裏面側の外観を示す斜視図である。 本発明の他の実施の形態によるフラッシュメモリカードの他の構造例を示す外形図である。図２８（ａ）はフラッシュメモリカード３１９の表面の平面図、図２８（ｂ）はフラッシュメモリカード３１９の裏面の平面図、図２８（ｃ）はフラッシュメモリカード３１９の左側面図、図２８（ｄ）はフラッシュメモリカード３１９の右側面図、図２８（ｅ）はフラッシュメモリカード３１７の前面図、図２８（ｆ）はフラッシュメモリカード３１９の後面図である。また、図２８（ｇ）はフラッシュメモリカード３１９の表面側の外観を示す斜視図であり、図２８（ｈ）はフラッシュメモリカード３１９の裏面側の外観を示す斜視図である。 本発明の他の実施の形態によるスマートカード変換アダプタの構造を示す外形図である。図２９（ａ）はスマートカード（ＩＤ−１）変換アダプタ３０５ｆの表面の平面図、図２９（ｂ）はスマートカード（ＩＤ−１）変換アダプタ３０５ｆの側面図、図２９（ｃ）は図２９（ａ）のＧ−Ｇ’断面図である。 本発明の他の実施の形態によるＩＣカードのシステム構成例を示すブロック図である。 本発明の他の実施の形態によるフラッシュメモリカードのメモリマップを示す図である。 本発明の一実施の形態によるフラッシュメモリカードのコネクタ端子の機能を記した概略図である。 本発明の他の実施の形態によるフラッシュメモリカードのコネクタ端子の機能を記した概略図である。 本発明の他の実施の形態によるフラッシュメモリカードのコネクタ端子の機能を記した概略図である。 従来のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードの構造を示す外形図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は右側面図、（ｄ）は正面図である。 本発明の実施の形態１７によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードの概略構造を示す外形図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は右側面図、（ｄ）は正面図である。 本発明の実施の形態１７によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードの概略構造を示す断面図である。 本発明の実施の形態１７によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードの概略構造を示す断面図である。 本発明の実施の形態１８による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタの概略構造を示す外形図であり、（ａ）は背面図、（ｂ）は左側面図、（ｃ）は平面図、（ｄ）は右側面図、（ｅ）は底面図、（ｆ）は正面図である。 本発明の実施の形態１８による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタの概略構成を示す断面図（メモリカードが挿入される前）である。 本発明の実施の形態１８による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタの概略構成を示す断面図（メモリカードが挿入された後）である。 本発明の実施の形態１９による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ（マイクロＳＤ対応）の構造を示す外形図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は右側面図、（ｄ）は正面図である。 本発明の実施の形態１９による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ（マイクロＳＤ対応）の上押さえ蓋を除いた構造を示す外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）は正面図である。 本発明の実施の形態１９による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ（マイクロＳＤ対応）にマイクロＳＤカードを挿入する状態（挿入前）を示す斜視図である。 本発明の実施の形態１９による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ（マイクロＳＤ対応）にマイクロＳＤカードを挿入する状態（挿入する途中）を示す斜視図である。 本発明の実施の形態１９による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ（マイクロＳＤ対応）にマイクロＳＤカードを挿入する状態（挿入した後）を示す斜視図である。 通常のＭ２メモリカードの外形を示す図であり、（ａ）は左側面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は右側面図、（ｄ）は正面図である。 本発明の実施の形態２０によるＭ２メモリカードの外形を示す図であり、（ａ）は左側面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は右側面図、（ｄ）は正面図である。 本発明の実施の形態２１による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ（Ｍ２対応）の構造を示す外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）は正面図である。 本発明の実施の形態２１による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタに通常のＭ２メモリカードを挿入した後の状態を示す外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）は正面図である。 本発明の実施の形態２１による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタに前記実施の形態２０によるＭ２メモリカードを挿入した後の状態を示す外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）正面図、（ｄ）は比較のための通常のＭ２メモリカードを挿入した後の右側面図である。 本発明の実施の形態２２によるＩＣカード用ソケットの外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）は正面図である。 本発明の実施の形態２２によるＩＣカード用ソケットに一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ（又はカード）を挿入した後の状態を示す外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）は正面図である。 本発明の実施の形態２２によるＩＣカード用ソケットに厚さ０．７６ｍｍのＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ（又はカード）を挿入した後の状態を示す外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）は正面図である。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
本発明の特徴を分かり易くするために、本発明の前提技術と比較して説明する。
（実施の形態１）
図３（ａ）は、本発明の前提として検討したＩＣカードの構成を示すブロック図である。
図３（ａ）に示すＩＣカードは、前述の特許文献１に記した従来の一体型ＳＩＭメモリ３０１である。このＳＩＭメモリ３０１は、セキュアＩＣ／フラッシュメモリコントローラ３０２を搭載したＩＣチップと、フラッシュメモリ３０３のＩＣチップとから構成される。また、ＳＩＭメモリ３０１は、ＩＳＯ／ＩＥＣ７８１６−３の規格に準拠するＩＳＯ７８１６インターフェイス端子Ｃ１〜Ｃ８を介して、ＩＳＯ７８１６Ｉ／Ｆ（インターフェイス）を有しており、外部機器と接続される。
図３（ｂ）は、本発明の一実施の形態によるＩＣカードの構成を示すブロック図である。
図３（ｂ）に示すＩＣカードは、セキュアＩＣ／フラッシュメモリコントローラ３０２のＩＣチップを含むＳＩＭメモリアダプタ３０５である。ＳＩＭメモリアダプタ３０５は、前述の従来の一体型ＳＩＭメモリ３０１と同様に、ＩＳＯ／ＩＥＣ７８１６−３の規格に準拠するＩＳＯ７８１６インターフェイス端子Ｃ１〜Ｃ８を介して、ＩＳＯ７８１６Ｉ／Ｆ３０４を有しており、外部機器と接続可能である。また、ＳＩＭメモリアダプタ３０５は、フラッシュカードＩ／Ｆ３０７を介して、フラッシュメモリを含むフラッシュメモリカード３０６に、カードを保持するスロットと電気的に信号を接続するコネクタ端子を介して接続可能となっている。すなわち、フラッシュメモリはフラッシュメモリカード３０６に含まれており、このフラッシュメモリカード３０６はＳＩＭカードと物理的に分離可能となっており、ＳＩＭメモリアダプタ３０５により接続・分離が可能である。ＩＳＯ７８１６Ｉ／Ｆ３０４とフラッシュカードＩ／Ｆ３０７は、スマートカードＩ／Ｆに準拠することも可能である。
また、後述に詳細に述べるが、フラッシュカードＩ／Ｆは既存のメモリカードＩ／Ｆとして用いることも可能である。既存のメモリカードＩ／Ｆとしては、例えば、メモリスティックＰＲＯ、ＳＤカード、マルチメディアカード、ＵＳＢ、ＴＣＰ／ＩＰ、Ｉ２Ｃ、シリアルインターフェイスコミュニケーション（ＳＣＩ）等のシリアルインターフェイスが挙げられる。
図３（ｂ）に示す本実施の形態によるＩＣカードの特徴は、以下のとおりである。
（１）フラッシュメモリカード３０６とＳＩＭメモリアダプタ３０５は物理的に分離できる。すなわち、コネクタ機構を介して、分離または結合を繰り返し行うことが可能である。つまり、フラッシュメモリカード３０６とＳＩＭメモリアダプタ３０５はリムーバブルである。
（２）フラッシュカードＩ／Ｆ３０７は、ＩＳＯ７８１６ Ｉ／Ｆ３０４と、必ずしも同一でなくてよい。例えば、上述のメモリカードＩ／ＦやシリアルＩ／Ｆを用いることができる。
（３）ＳＩＭメモリアダプタ３０５（Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭサイズ）の内部にフラッシュメモリカード３０６が包含できる。
（４）ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ（ｍｉｎｉＵＩＣＣサイズ）の内部にフラッシュメモリカード３０６が包含できる。
（５）既存メモリカードの変換アダプタに装着し、既存のメモリカードとして使用できる。既存のメモリカードとしては、上述のメモリスティックマイクロ、メモリスティックＤｕｏ、メモリスティックが挙げられる。
（６）既存メモリカードの変換アダプタにインターフェイス変換回路を搭載させることで、ＳＤ（Secure Digital）カード（ＳＤカード協会で規格化された規格がある）、miniＳＤ、ＭＭＣ（Multi Media Card、Infine on Technolgies AGの登録商標である）、ＲＳ−ＭＭＣ、ＵＳＢ等の既存のメモリカードとして使用できる。
（７）ＳＩＭメモリアダプタ３０５に挿入されるフラッシュメモリカード３０６は、トラスティドデバイスとして認証される。フラッシュメモリカード３０６とＳＩＭメモリアダプタ３０５を相互に機器認証して適合した場合のみ動作する。認証しない場合は、非適合として使用できないか、拒否・シャットダウンされる。
（８）ＳＩＭメモリアダプタ３０５に挿入されるフラッシュメモリカード３０６は、ＳＩＣ（セキュアＩＣ）を搭載し、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭ、 ｍｉｎｉＵＩＣＣとして機能してもよい。フラッシュメモリカード３０６を挿入しない場合でも、ＳＩＭメモリアダプタ３０５は、通常のＳＩＭとして動作する。この場合は、ＳＩＭアダプタにセキュアマイコンが搭載される。また、挿入しない場合は、電気的に動作しないブランクカードが挿入される。ブランクカードについては、後述に詳細に述べる。
（９）ＳＩＭメモリアダプタ３０５に搭載される半導体チップは、ＳＩＭの外形からフラッシュメモリカード３０６の領域を除いた領域内に搭載される。これはｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタの場合も同様である。
フラッシュカードＩ／Ｆ３０７を使う利点は、以下のとおりである。
（１）フラッシュメモリカード３０６にフラッシュメモリ制御用のコントローラチップが含まれる場合には、メモリ管理が容易である。ＮＡＮＤメモリなどのフラッシュメモリＩ／Ｆをそのまま使う場合、書き換え回数管理、不良領域管理、バット管理等が必要であり、メモリ信頼度を確保できる。
（２）ユーザのニーズに合わせたメモリ容量を選択することができる。メモリ容量の拡張性が大きく、メモリ容量の変更も可能である。また、リムーバブルなので、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭからｍｉｎｉＵＩＣＣへの移行なども容易になる。
（３）標準化からの切り離しができる。ＩＳＯインターフェイスの次世代機能の組み込みができる。すなわち、ＥＴＳＩの次世代機能追加が追加されたインターフェイスと、フラッシュメモリを分離しているので、新しいインターフェイスアダプタに挿入することで、アップデートが可能である。また、インターフェイスデフェクトスタンダード化も容易である。
（４）フラッシュメモリカード３０６はＳＩＭ用のＩ／Ｆと既存のメモリカード用Ｉ／Ｆとの両方を有していても良い。機器認証を使うことで、目的に適合するフラッシュメモリカードのみを使用し、その他の適合不良に伴う未知の不具合、セキュリティ性の崩壊が防止できる。機器認証にはフラッシュカードのセキュア機能等を用いても良い。
図４は、本発明の一実施の形態によるＩＣカードの利用形態を示す説明図である。
図４に示すように、フラッシュメモリカード３０６は、従来のスマートカードよりも薄い超薄型のメモリカードであり、フラッシュメモリチップおよびフラッシュメモリチップを制御するためのコントローラチップを有する。
また、このフラッシュメモリカード３０６はＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａに挿入することができる。フラッシュメモリカード３０６をＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａに挿入した場合は、拡張メモリ付きＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭとして動作する。このような拡張メモリ付きＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭの機能としては、セキュリティ処理を実行可能な、いわゆるＩＣカードとしての機能と、ＩＣカードよりも大容量で高い機能を持つ、いわゆるメモリカードとしての機能とを合わせ持つ機能性の高い加入者識別モジュールである。すなわち、拡張メモリ付きＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭは、例えば電話番号や電話帳のような情報が記憶された携帯電話用カードとして使用できる。また、拡張メモリ付きＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭは、例えばクレジットカード、キャッシュカード、ＥＴＣ（Electronic Toll Collection System）システム用カード、定期券または認証カード等、金融、交通、通信、流通および認証等のように、高いセキュリティ性が要求される様々な分野で使用できる。その上、拡張メモリ付きＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭは、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯型音楽プレーヤー、携帯電話等のような可搬性が要求される携帯型情報機器の記録メディアとしても使用可能な構成になっている。
Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａの外形寸法は、例えば、ＳＩＭカードと同じく、ＥＴＳＩ ＴＳ １０２ ２２１ Ｖ４.４.０（２００１−１０）のｐｌｕｇ−ｉｎ ＵＩＣＣ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｃａｒｄ）の規格に準拠しており、１５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７６ｍｍである。すなわち、平面寸法が１５ｍｍ×２５ｍｍであり、厚さが０．７６ｍｍ程度である。厚さについては、０．７６ｍｍ±０．０８ｍｍの範囲で許容されており、０．８４ｍｍ以下の厚さとすることができる。フラッシュメモリカード３０６の外形寸法は、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａよりも小さく、厚さは、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａの０．７６ｍｍよりも薄い。
フラッシュメモリカード３０６をＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａに挿入しない場合には、ブランクカード４０１を挿入し、従来のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭとして動作させることができる。ブランクカード４０１は、例えば、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリカーボネート、ポリオレフィン（ポリプロピレン等）、ポリエチレンテレフタレート（poly ethylene terephthalate：ＰＥＴ）、ポリエチレンテレフタレート・グリコール（ＰＥＴ−Ｇ）またはＡＢＳ（アクリルニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂）等のような材料を含むプラスチックにより形成されている。また、上述のフラッシュメモリカード３０６とは異なり、フラッシュメモリチップおよびコントローラチップ等のＩＣチップは含まれていない。外形寸法はフラッシュメモリカード３０６と同様に形成されている。本実施の形態のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａを、メモリ拡張機能の無い従来のＳＩＭカードとして使用する場合には、このようなブランクカード４０１を挿入しておくことによって、何も挿入しない場合と比較して、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａの強度を確保することができる。この時、このブランクカード４０１は必須ではなく、ブランクカード４０１を用いなくても、本実施の形態のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａを、メモリ拡張機能の無い従来のＳＩＭカードとして使用することは可能であるが、上記のような強度の確保を考慮すると、ブランクカード４０１を使用した方がより望ましい。
また、ブランクカード４０１内にコントローラチップを内蔵し、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａに動作許可を与えることも可能である。
また、フラッシュメモリカード３０６は、ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂにも挿入することができる。フラッシュメモリカード３０６をｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂに挿入した場合は、拡張メモリ付きｍｉｎｉＵＩＣＣとして動作する。ここで、ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂは、ｍｉｍｉＵＩＣＣカードの外形規格に準拠しており、その外形寸法は、１５ｍｍ×１２ｍｍ×０．７６ｍｍ程度である。すなわち、平面寸法が１５ｍｍ×１２ｍｍであり、厚さが０．７６ｍｍ程度である。
また、フラッシュメモリカード３０６をＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａに挿入しない場合と同様に、フラッシュメモリカード３０６をｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂに挿入しない場合、ブランクカード４０１を挿入することで、従来のｍｉｎｉＵＩＣＣとして動作させることが可能となる。ブランクカード４０１の構成と機能については、上述のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａの例と同様である。また、ブランクカード４０１内にコントローラチップを内蔵し、ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂに動作許可を与えることも可能である。
さらに、フラッシュメモリカード３０６は、異種メモリカードＩ／Ｆへのアダプタ、例えば、メモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃにも挿入することができる。フラッシュメモリカード３０６をメモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃに挿入した場合は、メモリスティックマイクロとして動作する。この場合のアダプタは、物理的寸法を変換するだけのものが可能である。ここで、物理的寸法変換とは、インターフェイス用コントローラを有していないことを意味する。異種メモリカードＩ／Ｆとしては、ＵＳＢ、スマートカード、ＳＤカード、ＭＭＣカード等のＩ／Ｆでも可能である。インターフェイスのプロトコルおよび方式が異なる場合は、コントローラを搭載したアダプタが必要である。
図５は、本実施の形態の超薄型のメモリカードであるフラッシュメモリカード３０６の構造を示す外形図である。図５（ａ）はフラッシュメモリカード３０６の表面の平面図、図５（ｂ）はフラッシュメモリカード３０６の裏面の平面図、図５（ｃ）はフラッシュメモリカード３０６の左側面図、図５（ｄ）はフラッシュメモリカード３０６の右側面図、図５（ｅ）はフラッシュメモリカード３０６の前面図、図５（ｆ）はフラッシュメモリカード３０６の後面図である。また、図５（ｇ）は、フラッシュメモリカード３０６の表面側の外観を示す斜視図であり、図５（ｈ）は、フラッシュメモリカード３０６の裏面側の外観を示す斜視図である。
フラッシュメモリカード３０６は超薄型のメモリカードであり、基板５０１（配線基板５０１）の表面上に複数のＩＣチップが搭載されている。ＩＣチップとしては、例えば、フラッシュメモリチップおよびフラッシュメモリチップを制御するためのコントローラチップが搭載されている。これらのＩＣチップは、それぞれワイヤボンディングによって基板５０１上のコネクタパッドと接続されており、コネクタパッドは基板５０１に形成されたスルーホールを介して、基板５０１の裏面に配置されたコネクタ端子５０３（外部接続端子５０３）と電気的に接続されている。これらのフラッシュメモリチップ、コントローラチップ、ワイヤボンディングおよびコネクタパッドは封止樹脂５０２（モールド５０２）によって覆われている。
封止樹脂５０２は、例えばエポキシ系樹脂や紫外線（ＵＶ）硬化樹脂等のような樹脂によって、射出形成によって形成されている。封止樹脂５０２は基板５０１の表面に形成され、基板５０１と封止樹脂５０２との間には段差ができるように、両側面の切り欠き５０４（ノッチ溝５０４）が露出するように設けられている。
両側面に形成されている切り欠き５０４は、フラッシュメモリカード３０６を上述のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａ、ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂ、または、異種メモリカードＩ／Ｆへのアダプタに挿入した際に、フラッシュメモリカード３０６を固定するためのものである。また、フラッシュメモリカード３０６を単独で使用する際にも、外部装置のスロット内で固定させるために設けられている。
コネクタ端子５０３は、フラッシュメモリカード３０６の前面側における基板５０１の裏面に複数設けられている。各端子の機能については、図３２に示すように、Ｎｏ．１がＢＳ、Ｎｏ．２がＤＩＯ１（入出力）、Ｎｏ．３がＤＩＯ０（入出力）、Ｎｏ．４がＤＩＯ２（入出力）、Ｎｏ．５がＩＮＳ、Ｎｏ．６がＤＩＯ３（入出力）、Ｎｏ．７がＳＣＬＫ（クロック）、Ｎｏ．８がＶＣＣ（電源）、Ｎｏ．９がＶＳＳ（グランド）、Ｎｏ．１０およびＮｏ．１１がＲｅｓｅｒｖｅｒｄ（リザーブ）である。ここで、リザーブ端子は、ＵＳＢインターフェイスの実現、ＭＭＣ，または、シリアルインターフェイスの実現等の拡張端子として使用することができる。
また、特に図示はしないが、基板５０１の裏面には、上記のコネクタ端子５０３の後面側に、テスト端子が複数個形成されている。このテスト端子は、コントローラチップが静電破壊等によってメモリコントロール動作不可能にされたとき、外部からテスト端子を介しフラッシュメモリチップを直接アクセス制御することができる。これにより、コントローラチップが破壊されても、フラッシュメモリチップにデータが残っていれば、これを容易に回復することができる。通常は、このテスト端子は、絶縁性のシールや、ソルダレジストによって覆われており、使用できないようにされている。
図６（ａ）〜（ｄ）は、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａの構造を示す外形図である。図６（ａ）はＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａの裏面側の平面図、図６（ｂ）はＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａの表面側の平面図、図６（ｃ）はＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａの側面図、図６（ｄ）は図６（ｂ）のＣ−Ｃ’断面図である。
Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａは、基板６０１の上に、セキュアＩＣ／フラッシュメモリコントローラ３０２等を搭載したモジュール領域６０２があり、その上を金属板６０３が覆っている。基板６０１と金属板６０３の間には、フラッシュメモリカード３０６を挿入するための空間すなわちスロット６０４がある。基板６０１の表面には、ＩＳＯ７８１６Ｉ／Ｆ３０４用の複数のＩＳＯ７８１６電極６０５が配置されている。スロット６０４内には、基板６０１上にフラッシュカードＩ／Ｆ３０７用の複数のコネクタ端子６０６が配置されている。コネクタ端子６０６は、接触確実性を担保するため、一端子につき複数のコンタクトを持つマルチコンタクトであってもよい。また、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａの四隅の内の一つに、面取り部６１０があり、スロット６０４は面取り部６１０の反対側に、セキュアＩＣ／フラッシュメモリコントローラ３０２等は面取り部６１０側に配置されている。
金属板６０３の先端部６０７は絶縁処理がされている。このような絶縁処理がなされていると、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａをホスト機器へ挿入した際に、ホスト機器への電気的ショートが防止できる。金属板６０３は、モジュール領域６０２全体を覆ってもよい。基板６０１は、金属フレームガイド６０８と結合しており、機械的に保持している。封止樹脂によるモールド一体形成の場合は、基板境界６０９との段差を無くし、実用上、平坦化している。金属フレームガイド６０８及び金属板６０３の四隅（コーナ）は、ホスト機器への挿抜ダメージを低減するため、ラウンド化や面取りがなされている。そのときの曲率半径（Ｒ）は任意の値でよい。
図７は、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａにフラッシュメモリカード３０６を挿入した後の外形を示す平面図である。
点線の部分が、フラッシュメモリカード３０６挿入時の位置である。なお、フラッシュメモリカード３０６のコネクタ端子５０３とＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａのコネクタ端子６０６も破線で記している。Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａには、フラッシュメモリカード３０６の切り欠き５０４の凸凹を用いたメカニカルラッチ、抜け防止かカード検出用のプレズンスディテクトＳＷがあってもよい。図中では、フラッシュメモリカード３０６の保持は基板５０１によって行い、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａのスロット部にガイドされることで挿入される。このとき、封止樹脂５０２は金属板６０３の開口部から露出されている。フラッシュメモリカード３０６のコネクタ端子５０３は、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａのコネクタ端子６０６と接触し、電気的導通が確保されている。
図８は、図６（ｂ）におけるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａのＣ−Ｃ’断面図を詳細に記した断面図である。図８（ａ）はフラッシュメモリカード３０６が挿入される前の図、図８（ｂ）はフラッシュメモリカード３０６が挿入された後の図である。
配線層や配線基板等の基板６０１上に、セキュアＩＣ／フラッシュメモリコントローラ３０２等のＩＣチップや受動素子・能動素子等のチップ部品８０１が搭載されたモジュール領域６０２と、半田付け又は溶接等により接着されたコネクタ端子６０６とがある。図では半田６１１として示している。コネクタ端子６０６は、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａの前面側のモジュール領域６０２と、後面側に設けられた段差部６１３との間に設けられている。この段差部６１３は封止樹脂で形成されており、封止樹脂５０２と同時に形成される。また、この段差部６１３は、基板５０１に段差をつけて設けてもよいし、テープ等の絶縁材料を用いて形成することもできる。
コネクタ端子６０６の先端と基板６０１の間には、端子逃げスペース６１２（開口６１２）がある。このようなスペース６１２が設けられていることで、図１２（ｂ）に示すように、フラッシュメモリカード３０６が挿入された場合に、フラッシュメモリカード３０６のコネクタ端子５０３によってＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａのコネクタ端子６０６が押し出されても、その領域を確保することができる。すなわち、段差部６１３とモジュール領域６０２との距離が、コネクタ端子の長さよりも長くなるように設計されている。
基板６０１の表面には、複数のＩＳＯ７８１６電極６０５が配置されている。モジュール領域６０２の上には、金属板６０３等がある。この金属板６０３の表面は、前述の先端部６０７と同様に絶縁樹脂をコーティングしても良い。その場合、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａをホスト機器へ挿入した際に、ホスト機器への電気的ショートが防止できる。
図８（ｂ）に示すように、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａにフラッシュメモリカード３０６が挿入された後は、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａのコネクタ端子６０６がフラッシュメモリカード３０６のコネクタ端子５０３と接触し、コネクタ端子６０６が基板６０１側へ曲がり、電気的な接触確実性を確保している。
図９は、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａの結線例を示す図である。
Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａ内には、セキュアＩＣ／フラッシュメモリコントローラ３０２等のＩＣチップや容量・抵抗・コイル等の受動素子または能動素子等のチップ部品８０１が搭載されている。なお、セキュアＩＣ／フラッシュメモリコントローラ３０２等のＩＣチップは、１チップ又は複数チップでもよい。また、これらのＩＣチップ３０２やチップ部品８０１は、封止樹脂によって封止されており、その形状と強度を確保している。
セキュアＩＣ／フラッシュメモリコントローラは、必ずしもセキュアマイコン機能を有さず、プロトコル変換用のコントローラだけでも可能な場合がある。また、メモリカードにセキュアＩＣ機能を搭載する場合は、コントローラ無しの配線接続変換のみの場合も可能である。すなわち、端子変換アダプタになることを意味する。
Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａ内において、ＩＳＯ７８１６Ｉ／Ｆ３０４用の複数のＩＳＯ７８１６電極６０５と、フラッシュカードＩ／Ｆ３０７用の複数のコネクタ端子６０６とが、セキュアＩＣ／フラッシュメモリコントローラ３０２等のＩＣチップやチップ部品８０１と結線されている。なお、チップ部品８０１の配線は、省略している。図９では、２層配線の例を示しているが、３層以上の配線であってもよい。また、配線は、金属フレームまたはプレスによる金属配線リードフレームで形成してもよい。この金属配線フレームは絶縁樹脂でインサートモールド等で形成されている。
ＩＳＯ７８１６電極６０５において、ＶＣＣはＶＣＣ電源端子、ＲＥＳはリセット端子、ＣＬＫはクロック端子、ＲＳＶはリザーブ端子、ＶＳＳはグランド端子、Ｉ／Ｏは入出力端子である。コネクタ端子６０６において、ＢＳはバスステート端子、ＤＩＯ０，ＤＩＯ１，ＤＩＯ２，ＤＩＯ３はデータ入出力端子、ＩＮＳは挿入（インサート）検出端子、ＳＣＬＫはシステムクロック端子、ＶＤＤはＶＤＤ電源端子、ＶＳＳはグランド端子、ＲＳＶはリザーブ端子であり、基本的にメモリスティックＰＲＯと互換性がある。また、リザーブ端子は、ＥＴＳＩ等の機能拡張端子として、所望の目的に応じて使用することが出来る。
なお、セキュアＩＣ／フラッシュメモリコントローラ３０２の実装は、ワイヤボンディング、フリップチップ、基板埋め込み等で接続可能である。また、拡張端子付きＩＳＯパッドに対応してもよい。
また、コネクタ端子６０５の表面は、金メッキ等で電気的接触性を確保することが望ましい。
図１０は、ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂの構造を示す外形図である。
図１０（ａ）は、ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂの裏面側の平面図、図１０（ｂ）はｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂの表面側の平面図、図１０（ｃ）はｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂの側面図、図１０（ｄ）は図１０（ｂ）のＤ−Ｄ’断面図である。また、図１０（ｅ）は、ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂの裏面側の外観を示す斜視図であり、図１０（ｆ）は、ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂの表面側の外観を示す斜視図である。
ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂは、基板１００１内に、セキュアＩＣ／フラッシュメモリコントローラ３０２等を内蔵し、その上を、金属フレームガイド１００２が覆っている。基板１００１と金属フレームガイド１００２の間には、フラッシュメモリカード３０６を挿入するための空間すなわちスロット１００３がある。基板１００１の表面には、ＩＳＯ７８１６Ｉ／Ｆ３０４用の複数のＩＳＯ７８１６電極１００４が配置されている。スロット１００３内には、基板１００１上にフラッシュカードＩ／Ｆ３０７用の複数のコネクタ端子１００５が配置されている。コネクタ端子１００５は、接触確実性を担保するため、金メッキ処理や、一端子につき複数のコンタクトを持つマルチコンタクトであってもよい。
また、セキュアＩＣ／フラッシュメモリコントローラ３０２は、基板内部に埋め込んだり、基板上にモールドしたりするサンドイッチ状構造が可能である。図中では、破線でカード端子５０３とコネクタ端子１００５の接触が示されている。また、フラッシュメモリカード３０６の側面の厚さが薄い部分（ここでは基板５０１）が、スロットのガイドに挿入され、保持されている。このとき、封止樹脂５０２は金属版６０３の開口部から露出している。
また、金属フレームガイド１００２の先端は、前述のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａの場合と同様に、ホスト機器への不用意な電気的ショートを防止するため、絶縁性の樹脂で覆っていてもよい。また、この金属フレームガイド１００２や前述の金属板６０３は、強度を確保するため、金属板を基本として構成されているが、これを強度の高いプラスチック樹脂で置き換えて形成することも可能である。
図１１は、ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂにフラッシュメモリカード３０６を挿入した後の外形を示す平面図である。
点線の部分が、フラッシュメモリカード３０６挿入時の位置である。ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂには、前述のフラッシュメモリカード３０６の切り欠き５０４を用いたメカニカルラッチを設けたり、抜け防止かプレズンスディテクトＳＷを設けても良い。
図１２は、メモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃの構造を示す外形図である。図１２（ａ）はメモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃの表面の平面図、図１２（ｂ）はメモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃの裏面の平面図、図１２（ｃ）はメモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃの側面図である。
メモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃには、フラッシュメモリカード３０６を挿入するための薄型カード挿入部１２０１や切り欠き１２０２などがある。メモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃは全体が金属フレームによって構成されている。この金属フレームは、表面を絶縁樹脂によってコーティングして形成することもできる。また、金属フレームに代えて、強度の高いプラスチック樹脂で形成しても良い。また、フラッシュメモリカード３０６の表面や側面を保持するための薄い部分を金属フレームで構成し、先端部や厚い部分のみをプラスチックモールドするインサート成形で形成してもよい。
図１３は、メモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃへのフラッシュメモリカード３０６の装着方法を示す外形図である。図１３（ａ）はフラッシュメモリカード３０６の装着前、図１３（ｂ）はフラッシュメモリカード３０６の装着後を示す。
基板５０１は、メモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃの側面のコの字型の部分でガイドならびに保持される。封止樹脂５０２は、カード挿入部１２０１内に納められている。すなわち、このメモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃは、物理的な幾何学寸法の変換のみを行う。
また、挿入方向の側面でフラッシュメモリカード３０６はガイドされるが、切り欠き５０４に対応する部分がメモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃの側面側にも形成されている。
また、このメモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃの側面側に、フラッシュメモリカード３０６の切り欠き５０４に対応する部分を設け無い場合には、フラッシュメモリカード３０６の切り欠き５０４はメモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃの金属フレームに塞がれ、露出しない。
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で示したフラッシュメモリカード３０６に、コネクタ端子１４０１を増設したフラッシュメモリカード３０７の例を示す。その他の構成および効果については、前述の実施の形態１と同様なので、その説明を省略する。
図１４は、メモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃへの他のフラッシュメモリカードの装着方法を示す外形図である。図１４（ａ）はフラッシュメモリカード３０７の装着前、図１４（ｂ）はフラッシュメモリカード３０７の装着後を示す。
メモリスティックマイクロアダプタ３０５ｃに装着されるフラッシュメモリカード３０７は、コネクタ端子１４０１が増設されたものである。すなわち、フラッシュメモリカード３０７の後面側に２列目のコネクタ端子１４０１が配置されている。この２列目のコネクタ端子１４０１は、８ビットのデータ幅の拡張用の端子として用いても良いし、ＳＤカードのＩ／Ｆ、ＭＭＣカードのＩ／ＦまたはセキュアＩＣカードのＩ／Ｆに用いても良い。
各端子の機能については、例えば、図３３および図３４に示すことができる。
図３３に示す例では、１列目の端子Ｎｏ．１〜１１をメモリスティックのＩ／Ｆに対応した端子配置とし、２列目の端子Ｎｏ．１２〜２０をＳＤカードのＩ／Ｆに対応した端子配置としている。すなわち、１列目の端子は、Ｎｏ．１がＢＳ、Ｎｏ．２がＤＩＯ１（データ入出力）、Ｎｏ．３がＤＩＯ０（データ入出力）、Ｎｏ．４がＤＩＯ２（データ入出力）、Ｎｏ．５がＩＮＳ、Ｎｏ．６がＤＩＯ３（データ入出力）、Ｎｏ．７がＳＣＬＫ（クロック）、Ｎｏ．８がＶＣＣ（電源）、Ｎｏ．９がＶＳＳ（グランド）、Ｎｏ．１０およびＮｏ．１１がＲｅｓｅｒｖｅｒｄ（リザーブ）である。また、２列目の端子は、Ｎｏ．１２がＲｅｓｅｒｖｅｒｄ（リザーブ）、Ｎｏ．１３がＤＩＯ２（データ入出力）、Ｎｏ．１４がＤＩＯ３（データ入出力）、Ｎｏ．１５がＣＭＤ（コマンド）、Ｎｏ．１６がＶＣＣ（電源）、Ｎｏ．１７がＣＬＫ（クロック）、Ｎｏ．１８がＶＳＳ（グランド）、Ｎｏ．１９がＤＩＯ０（データ入出力）、Ｎｏ．２０がＤＩＯ１（データ入出力）となっている。
また、図３４に示す例では、８ｂｉｔ対応のメモリスティックのＩ／Ｆに対応した端子配置となっている。ずなわち、Ｎｏ．１がＢＳ、Ｎｏ．２がＤＩＯ１（データ入出力）、Ｎｏ．３がＤＩＯ０（データ入出力）、Ｎｏ．４がＤＩＯ２（データ入出力）、Ｎｏ．５がＩＮＳ、Ｎｏ．６がＤＩＯ３（データ入出力）、Ｎｏ．７がＳＣＬＫ（クロック）、Ｎｏ．８がＶＣＣ（電源）、Ｎｏ．９がＶＳＳ（グランド）、Ｎｏ．１０〜１２がＲｅｓｅｒｖｅｒｄ（リザーブ）、Ｎｏ．１３がＤＩＯａ（データ入出力）、Ｎｏ．１４がＤＩＯｂ（データ入出力）、Ｎｏ．１５〜１８がＲｅｓｅｒｖｅｒｄ（リザーブ）、Ｎｏ．１９がＤＩＯｃ（データ入出力）、Ｎｏ．２０がＤＩＯｄ（データ入出力）となっている。
ここで、リザーブ端子は、前述の実施の形態１の図３２で示したコネクタ端子と同様に、ＵＳＢインターフェイスの実現、ＭＭＣ，または、シリアルインターフェイスの実現等の拡張端子として使用することができる。
また、特に図示はしないが、本実施の形態においても前述の実施の形態１と同様に、テスト端子を設けても良い。テスト端子の機能については、前述の実施の形態と同様である。テスト端子の配置位置については、１列目の端子と２列目の端子の間の領域に設けられる。これらのテスト端子は、前述の実施の形態１と同様に、通常は絶縁性のシールやソルダレジストによって覆われており、使用できないようにされている。
（実施の形態３）
図１５は、前述の実施の形態１のフラッシュメモリカード３０６の他の構造例であるフラッシュメモリカード３０８を示す外形図である。
図１５（ａ）はフラッシュメモリカード３０８の表面の平面図、図１５（ｂ）はフラッシュメモリカード３０８の裏面の平面図、図１５（ｃ）はフラッシュメモリカード３０８の左側面図、図１５（ｄ）はフラッシュメモリカード３０８の右側面図、図１５（ｅ）はフラッシュメモリカード３０８の前面図、図１５（ｆ）はフラッシュメモリカード３０８の後面図である。また、図１５（ｇ）は、フラッシュメモリカード３０８の表面側の外観を示す斜視図であり、図１５（ｈ）は、フラッシュメモリカード３０８の裏面側の外観を示す斜視図である。
図１５のフラッシュメモリカード３０８は、図５のフラッシュメモリカード３０６に対して、カードの表面における前面側のモールド５０２の領域を少し狭くして、基板５０１が露出するように基板５０１との段差を設け、モールド５０２側の基板５０１上にＳＩＭ用のコネクタ端子１５０１を増設したものである。
このフラッシュメモリカード３０８と、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタおよびｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタとの接続については、後述の実施の形態４において、図１７の説明で詳細に述べる。
その他の構成および効果については、前述の実施の形態１と同様なので、その説明を省略する。
（実施の形態４）
図１６は、前述の実施の形態３のフラッシュメモリカード３０８の他の構造例フラッシュメモリカード３０９を示す外形図である。
図１６（ａ）はフラッシュメモリカード３０９の表面の平面図、図１６（ｂ）はフラッシュメモリカード３０９の裏面の平面図、図１６（ｃ）はフラッシュメモリカード３０９の左側面図、図１６（ｄ）はフラッシュメモリカード３０９の右側面図、図１６（ｅ）はフラッシュメモリカード３０９の前面図、図１６（ｆ）はフラッシュメモリカード３０９の後面図である。また、図１６（ｇ）は、フラッシュメモリカード３０９の表面側の外観を示す斜視図であり、図１６（ｈ）は、フラッシュメモリカード３０９の裏面側の外観を示す斜視図である。
図１６のフラッシュメモリカード３０９は、図１５のフラッシュメモリカード３０８に対して、基板５０１の表面側に、コネクタ端子１６０１を増設したものである。すなわち、フラッシュメモリカード３０９の後面側に２列目のコネクタ端子１６０１が配置されている。この２列目のコネクタ端子１６０１は、８ビットのデータ幅の拡張用の端子として用いても良いし、ＳＤカードのＩ／Ｆ、ＭＭＣカードのＩ／ＦまたはセキュアＩＣカードのＩ／Ｆに用いても良い。また、各端子の機能については、前述の実施の形態２で説明したものと同様であり、同様の効果を得ることができる。また、その他の構成および効果については、前述の実施の形態１と同様なので、その説明を省略する。
図１７は、前述の実施の形態１で示したＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａの他の構造例であるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ｄを示す外形図である。
図１７（ａ）はＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ｄの裏面側の平面図、図１７（ｂ）はＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ｄの表面側の平面図、図１７（ｃ）はＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ｄの側面図、図１７（ｄ）は図１７（ｂ）のＥ−Ｅ’断面図である。
図１７のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ｄは、図１５及び図１６のフラッシュメモリカード３０８、３０９のように両面にコネクタ端子を有するカードに対応するものである。図１７のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ｃは、図６のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａに対して、コネクタ端子６０６をコネクタ端子１７０１に変更したものである。コネクタ端子１７０１は、フラッシュメモリカード３０８、３０９挿入時にフラッシュメモリカード３０８、３０９のコネクタ端子１５０１と接触するようになっている。このコネクタ端子は、図６のコネクタ端子６０６の形状とは異なり、その一端がモジュール領域６０２内の封止樹脂に覆われて固定されており、厚さ方向において、他端がＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ｄの中心よりも高い位置（裏面側に近い位置）に設けられている。
また、金属板６０３には穴１７０２が開いている。この穴１７０２は、フラッシュメモリカード３０８，３０９を挿入した時に、コネクタ端子１７０１が厚さ方向に動くため、金属板６０３とコネクタ端子１７０１とが接触し、電気的にショートする恐れがある。従って、金属板６０３とコネクタ端子１７０１とが接触しないように、金属板６０３の一部に開口部が設けられている。
また、金属板６０３は、前述の実施の形態１と同様に、その表面を絶縁樹脂でコーティングすることもできる。その場合、金属板６０３とコネクタ端子１７０１とが接触したとしても、電気的ショートを防ぐことができる。
図１８は、前述の実施の形態１で示したｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂの他の構造例であるｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｅを示す外形図である。
図１８（ａ）はｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｅの裏面側の平面図、図１８（ｂ）はｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｅの表面側の平面図、図１８（ｃ）はｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｅの側面図、図１８（ｄ）は図１８（ｂ）のＦ−Ｆ’断面図。また、図１８（ｅ）はｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｅの裏面側の外観を示す斜視図であり、図１８（ｆ）はｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｅの表面側の外観を示す斜視図である。
図１８のｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｅは、図１５及び図１６のフラッシュメモリカード３０８、３０９のように両面にコネクタ端子を有するカードに対応するものである。図１８のｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｅは、図１０のｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂに対して、コネクタ端子１００５をコネクタ端子１８０１に変更したものである。コネクタ端子１８０１は、フラッシュメモリカード３０８、３０９挿入時にフラッシュメモリカード３０８、３０９のコネクタ端子１５０１と接触するようになっている。また、金属フレームガイド１００２には、穴１８０２が開いている。この穴１８０２の機能については、前述の穴１７０２と同様である。また、このｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｅのフレームガイド１００２については、前述の金属版６０３と同様に、その表面に絶縁樹脂でコーティングをすることができ、同様の効果を得ることが出来る。
（実施の形態５）
図１９は、前述の実施の形態１のフラッシュメモリカード３０６の他の構造例であるフラッシュメモリカード３１０を示す外形図である。
図１９（ａ）はフラッシュメモリカード３１０の表面の平面図、図１９（ｂ）はフラッシュメモリカード３１０の裏面の平面図、図１９（ｃ）はフラッシュメモリカード３１０の左側面図、図１９（ｄ）はフラッシュメモリカード３１０の右側面図、図１９（ｅ）はフラッシュメモリカード３１０の前面図、図１９（ｆ）はフラッシュメモリカード３１０の後面図である。また、図１９（ｇ）はフラッシュメモリカード３１０の表面側の外観を示す斜視図であり、図１９（ｈ）はフラッシュメモリカード３１０の裏面側の外観を示す斜視図である。
図１９のフラッシュメモリカード３１０は、図５のフラッシュメモリカード３０６に対して、モールド５０２の領域を広げて基板５０１との段差を無くし、モールド１９０１と基板５０１とを同サイズにしたものである。この構造は、例えば、複数のカードを一括にシート状にモールドし、その後ウォータージェットやレーザ等で切断することで複数のカードを個片化することで、フラッシュメモリカード３１０が得られる。この時、平面状のキャビティによりモールド成型できるので、製造工程が容易である。
また、モールド１９０１を封止樹脂で形成せずに、配線基板で形成することも可能である。この時は、セキュアＩＣおよびフラッシュメモリのコントローラチップは、この配線基板内部に埋め込まれた構造となる。
その他の構成および効果については、前述の実施の形態１と同様なので、その説明を省略する。
（実施の形態６）
図２０は、前述の実施の形態５のフラッシュメモリカード３１０の他の構造例であるフラッシュメモリカード３１１を示す外形図である。
図２０（ａ）はフラッシュメモリカード３１１の表面の平面図、図２０（ｂ）はフラッシュメモリカード３１１の裏面の平面図、図２０（ｃ）はフラッシュメモリカード３１１の左側面図、図２０（ｄ）はフラッシュメモリカード３１１の右側面図、図２０（ｅ）はフラッシュメモリカード３１１の前面図、図２０（ｆ）はフラッシュメモリカード３１１の後面図である。また、図２０（ｇ）はフラッシュメモリカード３１１の表面側の外観を示す斜視図であり、図２０（ｈ）はフラッシュメモリカード３１１の裏面側の外観を示す斜視図である。
図２０のフラッシュメモリカード３１１は、図１９のフラッシュメモリカード３１０に対して、基板５０１の表面側に、コネクタ端子１６０１を増設したものである。すなわち、フラッシュメモリカード３１１の後面側に２列目のコネクタ端子１６０１が配置されている。各端子の機能については、前述の実施の形態２で説明したものと同様であり、同様の効果を得ることができる。また、その他の構成および効果については、前述の実施の形態５と同様なので、その説明を省略する。
（実施の形態７）
図２１は、前述の実施の形態１のフラッシュメモリカード３０６の他の構造例であるフラッシュメモリカード３１２を示す外形図である。
図２１（ａ）はフラッシュメモリカード３１２の表面の平面図、図２１（ｂ）はフラッシュメモリカード３１２の裏面の平面図、図２１（ｃ）はフラッシュメモリカード３１２の左側面図、図２１（ｄ）はフラッシュメモリカード３１２の右側面図、図２１（ｅ）はフラッシュメモリカード３１２の前面図、図２１（ｆ）はフラッシュメモリカード３１２の後面図である。また、図２１（ｇ）はフラッシュメモリカード３１２の表面側の外観を示す斜視図であり、図２１（ｈ）はフラッシュメモリカード３１２の裏面側の外観を示す斜視図である。
図２１のフラッシュメモリカード３１２は、図５のフラッシュメモリカード３０６に対して、カードの表面における前面側のモールド５０２に段差を設けて、モールド２１０１としている。モールド２１０１の段差は、コネクタ端子５０３の裏側部分に設ける。これにより、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタおよびｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタのコネクタ端子６０６に人間の指が触れることを防止することができる。
本実施の形態のフラッシュメモリカード３１２のように、カードの表面における前面側の封止樹脂の厚さを薄くしたカードや、前述の実施の形態３および４のような、カードの表面における前面側に封止樹脂を形成しないカードでは、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタまたはｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタに挿入した際に、その前面側を金属フレームで覆うことができるという特徴がある。この覆われた部分の直下にＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタまたはｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタのコネクタ端子を形成すれば、このコネクタ端子の一部または全てをカバーすることができる。これにより、フラッシュメモリカード挿入時等で指の爪による破損、または、落下時の障害物からコネクタ端子を保護することができる。例えば、本実施の形態のフラッシュメモリカード３１２用のアダプタとして図１８のｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｅを用意した場合、ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｅのコネクタ端子１８０１は、穴１８０２を除いた金属フレーム１００２で覆うことができる。また、本実施の形態のフラッシュメモリカード３１２用のアダプタとして図１０のｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタ３０５ｂを用意した場合、フラッシュメモリカード３１２の表面における前面側には段差が設けられているので、金属フレーム１００２を後面側に延長して、コネクタ端子１００５が覆われる位置まで延長することができる。
また、その他の構成および効果については、前述の実施の形態１と同様なので、その説明を省略する。
（実施の形態８）
図２２は、前述の実施の形態７のフラッシュメモリカード３１２の他の構造例であるフラッシュメモリカード３１３を示す外形図である。
図２２（ａ）はフラッシュメモリカード３１３の表面の平面図、図２２（ｂ）はフラッシュメモリカード３１３の裏面の平面図、図２２（ｃ）はフラッシュメモリカード３１３の左側面図、図２２（ｄ）はフラッシュメモリカード３１３の右側面図、図２２（ｅ）はフラッシュメモリカード３１３の前面図、図２２（ｆ）はフラッシュメモリカード３１３の後面図である。また、図２２（ｇ）はフラッシュメモリカード３１３の表面側の外観を示す斜視図であり、図２２（ｈ）はフラッシュメモリカード３１３の裏面側の外観を示す斜視図である。
図２２のフラッシュメモリカード３１３は、図２１のフラッシュメモリカード３１２に対して、基板５０１の表面側に、コネクタ端子１６０１を増設したものである。すなわち、フラッシュメモリカード３１３の後面側に２列目のコネクタ端子１６０１が配置されている。各端子の機能については、前述の実施の形態２で説明したものと同様であり、同様の効果を得ることができる。また、その他の構成および効果については、前述の実施の形態７と同様なので、その説明を省略する。
（実施の形態９）
図２３は、前述の実施の形態１のフラッシュメモリカード３０６の他の構造例であるフラッシュメモリカード３１４を示す外形図である。
図２３（ａ）はフラッシュメモリカード３１４の表面の平面図、図２３（ｂ）はフラッシュメモリカード３１４の裏面の平面図、図２３（ｃ）はフラッシュメモリカード３１４の左側面図、図２３（ｄ）はフラッシュメモリカード３１４の右側面図、図２３（ｅ）はフラッシュメモリカード３１４の前面図、図２３（ｆ）はフラッシュメモリカード３１４の後面図である。また、図２３（ｇ）はフラッシュメモリカード３１４の表面側の外観を示す斜視図であり、図２３（ｈ）はフラッシュメモリカード３１４の裏面側の外観を示す斜視図である。
図２３のフラッシュメモリカード３１４は、図５のフラッシュメモリカード３０６に対して、カードの表面における右側面側および左側面側のモールド５０２に段差を設けて、モールド２３０１としている。
ここで、フラッシュメモリカード３０６の容量を多くしたい場合には、フラッシュメモリチップを積層する等の工夫が考えられる。また、フラッシュメモリチップとコントローラチップを積層させることで、フラッシュメモリチップの面積を大きくすることも考えられる。しかし、その場合には物理的にカード全体の厚さが厚くなるため、基板５０１を薄くしなければならない。従って、本実施の形態のように、カードの表面における右側面側および左側面側のモールドに段差を設けることで、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタおよびｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタに挿入する際に、フラッシュメモリカード３１４の両側面の強度を保つことができる。
その他の構成および効果については、前述の実施の形態１と同様なので、その説明を省略する。
（実施の形態１０）
図２４は、前述の実施の形態９のフラッシュメモリカード３１４の他の構造例であるフラッシュメモリカード３１５を示す外形図である。
図２４（ａ）はフラッシュメモリカード３１５の表面の平面図、図２４（ｂ）はフラッシュメモリカード３１５の裏面の平面図、図２４（ｃ）はフラッシュメモリカード３１５の左側面図、図２４（ｄ）はフラッシュメモリカード３１５の右側面図、図２４（ｅ）はフラッシュメモリカード３１５の前面図、図２４（ｆ）はフラッシュメモリカード３１５の後面図である。また、図２４（ｇ）はフラッシュメモリカード３１５の表面側の外観を示す斜視図であり、図２４（ｈ）はフラッシュメモリカード３１５の裏面側の外観を示す斜視図である。
図２４のフラッシュメモリカード３１５は、図２３のフラッシュメモリカード３１４に対して、基板５０１の表面側に、コネクタ端子１６０１を増設したものである。すなわち、フラッシュメモリカード３１５の後面側に２列目のコネクタ端子１６０１が配置されている。各端子の機能については、前述の実施の形態２で説明したものと同様であり、同様の効果を得ることができる。また、その他の構成および効果については、前述の実施の形態９と同様なので、その説明を省略する。
（実施の形態１１）
図２５は、前述の実施の形態９のフラッシュメモリカード３１４の他の構造例であるフラッシュメモリカード３１６を示す外形図である。
図２５（ａ）はフラッシュメモリカード３１６の表面の平面図、図２５（ｂ）はフラッシュメモリカード３１６の裏面の平面図、図２５（ｃ）はフラッシュメモリカード３１６の左側面図、図２５（ｄ）はフラッシュメモリカード３１６の右側面図、図２５（ｅ）はフラッシュメモリカード３１６の前面図、図２５（ｆ）はフラッシュメモリカード３１６の後面図である。また、図２５（ｇ）はフラッシュメモリカード３１６の表面側の外観を示す斜視図であり、図２５（ｈ）はフラッシュメモリカード３１６の裏面側の外観を示す斜視図である。
図２５のフラッシュメモリカード３１６は、図２３のフラッシュメモリカード３０６に対して、カードの表面における前面側のモールド２３０１に段差を設けて、モールド２５０１としている。このモールド２３０１の段差に対しての目的は、前述の実施の形態７で示したモールド２１０１の段差の説明と同様であり、同様の効果を得ることが出来る。
その他の構成および効果については、前述の実施の形態９と同様なので、その説明を省略する。
（実施の形態１２）
図２６は、前述の実施の形態１１のフラッシュメモリカード３１６の他の構造例であるフラッシュメモリカード３１７を示す外形図である。
図２６（ａ）はフラッシュメモリカード３１７の表面の平面図、図２６（ｂ）はフラッシュメモリカード３１７の裏面の平面図、図２６（ｃ）はフラッシュメモリカード３１７の左側面図、図２６（ｄ）はフラッシュメモリカード３１７の右側面図、図２６（ｅ）はフラッシュメモリカード３１７の前面図、図２６（ｆ）はフラッシュメモリカード３１７の後面図である。また、図２６（ｇ）はフラッシュメモリカード３１７の表面側の外観を示す斜視図であり、図２６（ｈ）はフラッシュメモリカード３１７の裏面側の外観を示す斜視図である。
図２６のフラッシュメモリカード３１７は、図２５のフラッシュメモリカード３１６に対して、基板５０１の表面側に、コネクタ端子１６０１を増設したものである。すなわち、フラッシュメモリカード３１７の後面側に２列目のコネクタ端子１６０１が配置されている。各端子の機能については、前述の実施の形態２で説明したものと同様であり、同様の効果を得ることができる。また、その他の構成および効果については、前述の実施の形態１１と同様なので、その説明を省略する。
（実施の形態１３）
図２７は、前述の実施の形態１のフラッシュメモリカード３０６の他の構造例であるフラッシュメモリカード３１８を示す外形図である。
図２７（ａ）はフラッシュメモリカード３１８の表面の平面図、図２７（ｂ）はフラッシュメモリカード３１８の裏面の平面図、図２７（ｃ）はフラッシュメモリカード３１８の左側面図、図２７（ｄ）はフラッシュメモリカード３１８の右側面図、図２７（ｅ）はフラッシュメモリカード３１８の前面図、図２７（ｆ）はフラッシュメモリカード３１８の後面図である。また、図２７（ｇ）はフラッシュメモリカード３１８の表面側の外観を示す斜視図であり、図２７（ｈ）はフラッシュメモリカード３１８の裏面側の外観を示す斜視図である。
図２７のフラッシュメモリカード３１８は、図５のフラッシュメモリカード３０６に対して、カードの表面における前面側のモールド５０２の領域を後面側に後退させたモールド２７０１を形成している。すなわち、基板５０１が露出するように、モールド２７０１と基板５０１との段差を設けている。この段差に対しての目的は、前述の実施の形態７で示したモールド２１０１の段差の説明と同様であり、同様の効果を得ることが出来る。
その他の構成および効果については、前述の実施の形態１と同様なので、その説明を省略する。
（実施の形態１４）
図２８は、前述の実施の形態１３のフラッシュメモリカード３１８の他の構造例であるフラッシュメモリカード３１９を示す外形図である。
図２８（ａ）はフラッシュメモリカード３１９の表面の平面図、図２８（ｂ）はフラッシュメモリカード３１９の裏面の平面図、図２８（ｃ）はフラッシュメモリカード３１９の左側面図、図２８（ｄ）はフラッシュメモリカード３１９の右側面図、図２８（ｅ）はフラッシュメモリカード３１７の前面図、図２８（ｆ）はフラッシュメモリカード３１９の後面図である。また、図２８（ｇ）はフラッシュメモリカード３１９の表面側の外観を示す斜視図であり、図２８（ｈ）はフラッシュメモリカード３１９の裏面側の外観を示す斜視図である。
図２８のフラッシュメモリカード３１９は、図２５のフラッシュメモリカード３１７に対して、基板５０１の表面側に、コネクタ端子１６０１を増設したものである。すなわち、フラッシュメモリカード３１９の後面側に２列目のコネクタ端子１６０１が配置されている。各端子の機能については、前述の実施の形態２で説明したものと同様であり、同様の効果を得ることができる。また、その他の構成および効果については、前述の実施の形態１３と同様なので、その説明を省略する。
（実施の形態１５）
図２９は、本願発明の各実施の形態に記されたフラッシュメモリカードを挿入可能な、スマートカード（ＩＤ−１）変換アダプタ３０５ｆの構造を示す外形図である。
図２９（ａ）はスマートカード（ＩＤ−１）変換アダプタ３０５ｆの表面の平面図、図２９（ｂ）はスマートカード（ＩＤ−１）変換アダプタ３０５ｆの側面図、図２９（ｃ）は図２９（ａ）のＧ−Ｇ’断面図である。
図２９のスマートカード（ＩＤ−１）変換アダプタ３０５ｆは、例えばスマートカード用である。図２９のスマートカード（ＩＤ−１）変換アダプタ３０５ｆは、基板６０１の上に、セキュアＩＣ／フラッシュメモリコントローラ３０２やチップ部品８０１等を搭載したモジュール領域６０２があり、その上を金属板６０３が覆っている。基板６０１と金属板６０３の間には、フラッシュメモリカード３０６を挿入するための空間すなわちスロット６０４がある。また、スロット６０４のコネクタ部には、スペース２９０１がある。このスペース２９０１によって、コネクタ端子はカード厚み方向にストロークすることができる。
基板６０１の表面には、ＩＳＯ７８１６Ｉ／Ｆ３０４用の複数のＩＳＯ７８１６電極６０５が配置されている。スロット６０４内には、基板６０１上にフラッシュカードＩ／Ｆ３０７用の複数のコネクタ端子６０６が配置されている。コネクタ端子６０６は、接触確実性を担保するため、Ａｕ（金）メッキしたり、一端子につき複数のコンタクトを持つマルチコンタクトであってもよい。
（実施の形態１６）
次に、本願発明の各実施の形態に記されたＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタおよびｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタのセキュアＩＣ（ＳＩＣ）と各実施の形態に記されたフラッシュメモリカードとの間での、セキュア領域のデータセキュリティ性の確保について説明する。
図３０は、本発明の実施の形態１によるＩＣカードのシステム構成例を示すブロック図である。
ＳＩＣ搭載のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａが、挿入されたフラッシュメモリカード３０６のメモリ領域をセキュアメモリ領域として安全な動作を実現する方法について説明する。
ＳＩＣ３０２ａとフラッシュメモリカード３０６は、コネクタ端子を介してデータやコマンドのやり取りをするので、一般通信回線と同じく傍受等を防ぐセキュリティ通信対策が必須である。
Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａのＳＩＣ３０２ａ内部やフラッシュメモリカード３０６のコントローラ３００１内部には セキュリティ上に必要なＴＲＭ（Ｔａｍｐｅｒ Ｒｅｓｉｓｔａｎｔ Ｍｏｄｕｌｅ）と呼ばれる改ざん防止領域を必要に応じて有している。
このＴＲＭ領域内には、以下の情報がある。
（ａ）セキュリティに必要な各種証明書関係：一般的に通信ルートが正しいことを証明する、認証局（ＣＡ）のルート証明書や暗号の基本となる鍵が正しいことを証明する証明書等を有している。ここではＳＩＣ３０２ａの証明書類をＡと、コントローラ３００１の証明書類をＢとする。
（ｂ）各種セキュア鍵：一般公開されない秘密鍵や公開鍵をＳＩＣ３０２ａ、コントローラ３００１でそれぞれＪ，Ｋとする。これらは必要に応じて複数個を有してもよい。
（ｃ）暗号の種：ＳＩＣ３０２ａやコントローラ３００１は、毎回異なる通信セッションにおいて、テンポラリの暗号コードを発生させるために一般的に暗号の種を各々Ｌ，Ｍを有する。テンポラリのコードは、ＳＩＣ３０２ａやコントローラ３００１にそれぞれ内蔵された暗号と、暗号発生回路（図示せず）によって、常にランダム性を有したテンポラリの暗号が生成される。
（ｄ）暗号演算回路：与えられたコードにより、暗号処理化したり、暗号解読する演算回路をそれぞれＦ，Ｇとする。演算回路はパラメータ領域ではないが、改ざん防止領域に存在させ、外部からの不正解読・解析を防止するのが好ましい。また、これらは、証明書付き公開鍵の正当性をチェックしたり、相互の認証に必要な暗号演算を行う。
次に、セキュア領域の使用例を説明する。
ＳＩＣ３０２ａが必要なプログラムやデータをフラッシュメモリカード３０６のセキュア領域に読み書きする方法について説明する。
（１）ＳＩＣ３０２ａは、フラッシュメモリカード３０６が真に使用してよいか確認する機器認証を行うことが好ましい。これには、ＳＩＣ３０２ａが機器認証コマンドを一般のトラステッドデバイス（Ｔｒｕｓｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）の手法を用いることも可能である。また、メモリスティックＰＲＯの場合は、マジックゲートやそのセキュリティ強化したコマンド体系の使用に準拠してもよい。ＳＤカード、ＭＭＣカードの場合は、セキュアメモリカードの使用に準拠してもよい。さらに、公開鍵暗号法を用いて、証明書と公開鍵を用いて第三者に傍受されずに確認することができる。
また、スマートカードＩＳＯ／ＩＥＣ７８１６に準拠するＡＰＤＵ（Application Protocol Data Unit）を直接、または、カプセル化して間接的に用いてもよい。ここで、カプセル化とは、ＡＰＤＵを使用したいコマンドに包み込んで送受信することを意味する。
（２）その後、ＳＩＣ３０２ａは、フラッシュメモリカード３０６に、暗号化したデータをそのまま、フラッシュメモリカード３０６のセキュアデータを格納するメモリ領域に書き込み、読み出ししてよい。セキュアデータ領域は必ずしも必須でなく、一般のメモリ領域に書き込んでも実現可能であるが、簡単に消去したり、フォーマットされたり、移動・コピーされるのは好ましくないので、それらを制限・制御する意味でセキュアデータ領域と表現した。これはフラッシュメモリカードにセキュア専用のメモリパーティションを形成し、一般コマンドで非対応のメモリマネージメントを行うことでも対応可能である。ただし、コマンドのセッションは、セキュリティ性を確保するように、テンポラリのセッションキーを用いたやり取りが有効である。
（３）この時、コントローラ３００１が、何もＳＩＣ３０２ａのセキュアデータを解読する必要がないときは、そのままセキュア領域に暗号化されたデータを書き込み・読み出しするだけでよい。暗号解読はＳＩＣ３０２ａ内部の暗号演算器で処理される。これは一切、セキュアデータの格納制御以外、コントローラ３００１が関与しない場合である。
（４）もし、ＳＩＣ３０２ａのセキュアデータを他のＳＩＣや他のフラッシュメモリカードで応用する場合は以下の方法で可能である。ＳＩＣはセキュアデータの解読用の鍵をコントローラの公開鍵を用いて暗号化してコントローラに渡す。このときに用いるコントローラの公開鍵は認証局の証明書付きで、ＳＩＣがＴＲＭ等に格納している認証局の公開鍵を用いてコントローラの公開鍵の正統性を検証してから用いるのが安全である。ただし、公開鍵は、ＴＲＭ格納は必須ではない。これにより、ＳＩＣは信用できる機器認証されたフラッシュメモリカードに安全に解読用の鍵を渡すことができる（そうで無い場合は最終受け取り機器の公開鍵で同様の方法で暗号化しコントローラでは解読しないようにできる）。コントローラの公開鍵で暗号化された解読用の秘密鍵はコントローラ内部のＴＲＭ領域に解読して安全に格納する。
（５）他のＳＩＣや他のフラッシュメモリカードが、前記（４）のセキュアデータを必要とした場合は、フラッシュメモリカードはリムーバブルに外され、他のＰｌｕｇ−ｉｎ ＳＩＭアダプタ、ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタやメモリカードアダプタに挿入され、相互に機器認証される。認証後、他のＳＩＣや他のフラッシュメモリカードから渡された公開鍵で、コントローラのＴＲＭ内部で保存されていた解読用の鍵を暗号化して渡す。その秘密鍵で暗号化されたデータを渡す。これにより、他のＳＩＣや他のフラッシュメモリカードは、内部で解読されて渡された自分の秘密鍵で、暗号データを解読することができる。
次に、メモリ領域の制限（セキュア領域の分類）について説明する。
図３１は、フラッシュメモリカード３０６のメモリマップを示す図である。
メモリの割付は、以下の４つのケースに分類される。
（ケース１）Ｂ領域をＳＩＭのみで使用できるとする場合
（ケース２）Ｂ領域はＳＩＭでもフラッシュメモリカードでも共通に使用できる場合
（ケース３）Ｂ領域はＢ’領域とＢ”領域でそれぞれＳＩＭとフラッシュメモリカードが使用する場合
（ケース４）（ケース１）と（ケース２）の合成
メモリ割付は、コントローラが管理するが、（１）カードフォーマットの際に領域を、コントローラの内部条件により割り付ける、（２）出荷時にフォーマットし領域を割り付ける、（３）セキュアコマンドにより特別な条件を満たす時に割り付ける、等の方法がある。メモリカードＩ／Ｆのセキュアコマンドに定められた方法によって、セキュア領域のフォーマット、データ読み出し／書き込み、表示／非表示は、操作の権限を管理する。すなわち、一般ユーザには操作できない仕組みを実装することができる。
セキュアメモリ領域Ｂは、（１）暗号化したデータをそのまま記録する、（２）暗号化したデータと、暗号化キーを記録する、（３）（２）の場合、暗号化キーでデータを復号し、他の機器に対して別の暗号化キーを生成して、暗号化したデータをやり取りする、などのセキュリティのレベルに応じた利用が考えられる。この際、暗号化キーは、コントローラの内部の特別な領域（ＴＲＭ）に記録するなどのセキュリティ対策を行うこともできる。
コントローラはＳＩＭのＳＩＣと機器認証し、信用のある安心した場合にのみ使用を可能にする（不正メモリカードの混入防止）。また、フラッシュメモリカードにＳＩＣを搭載することで、ＳＩＣのもつＳＩＭ機能の置き換えを行うことが可能である。また、セキュア処理機能（認証機能、暗号化プロセッサなど）の専用のセキュア処理をより簡単化・コプロセッサ化してもよい。
（実施の形態１７）
図３５は、従来のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードの構造を示す外形図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は右側面図、（ｄ）は正面図である。図３５に示すように、従来のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードは、縦２５ｍｍ、横１５ｍｍ、厚さ０．７６ｍｍの構造を有し、一方の面にはＩＳＯ７８１６電極３５０１が配置されている。また、四隅の１つには面取り部３５０２がある。
図３６は、本発明の実施の形態１７によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードの概略構造を示す外形図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は右側面図、（ｄ）は正面図である。図３６に示すように、本発明の実施の形態１７によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードの一方の面にはＩＳＯ７８１６電極３６０１が配置されている。また、四隅の１つには面取り部３６０２がある。本実施の形態１７のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードは、縦２５ｍｍ、横１５ｍｍの構造を有し、厚さ０．７６ｍｍの部分と、厚さＴ（Ｔ＞０．７６ｍｍ）の部分３６０３を有している。厚さＴの部分３６０３は、縦Ｌ（Ｌ＜２５ｍｍ）、横Ｍ（Ｍ＜１５ｍｍ）の略長方形で構成され、一面のみがＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードの輪郭線に接している。厚さＴの部分３６０３のうち、横Ｍの部分は、左右両側の輪郭線より内側に位置し、その両側の厚さは０．７６ｍｍとなっている。この両側の厚さ０．７６ｍｍの部分がソケットの押さえ部分に当たるようにすることにより、従来のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードと本実施の形態１７のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードとで、ソケットを共用することができる。また、従来のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードと比較して、本実施の形態１７のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードは、厚い部分と薄い部分とを有し段差があるため、手で容易につかみ易い。また、厚い部分の内部に、厚さが厚いため実装が困難であった部品を実装することが可能となる。
図３７は、本発明の実施の形態１７によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードの概略構造を示す断面図である。図３７は、厚さＴの部分３６０３の内部に、水晶振動子３７０１とＳＩＣチップ３７０２などを実装した例である。
図３７に示すように、本実施の形態１７によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードは、例えば、水晶振動子３７０１、ＳＩＣチップ３７０２、配線基板３７０３、樹脂キャップ３７０４、レジンモールド３７０５、ＩＳＯ７８１６電極３６０１などから構成されている。配線基板３７０３上の厚さＴの部分３６０３内部に、水晶振動子３７０１とＳＩＣチップ３７０２とが搭載されている。水晶振動子３７０１は、配線基板３７０３上の配線パターンとハンダ付け接続されている。ＳＩＣチップ３７０２は、配線基板３７０３上の配線パターンとワイヤボンディング接続され、レジンモールド３７０５で樹脂封止されている。これらの部品は、樹脂キャップ３７０４で覆われている。
図３８は、本発明の実施の形態１７によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードの概略構造を示す断面図である。図３８は、厚さＴの部分３６０３の内部に、積層したメモリチップ３８０１を実装した例である。
図３８に示すように、本実施の形態１７によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードは、例えば、積層したメモリチップ３８０１、ＳＩＣチップ３７０２、配線基板３７０３、樹脂キャップ３７０４、レジンモールド３７０５、ＩＳＯ７８１６電極３６０１などから構成されている。配線基板３７０３上の厚さＴの部分３６０３内部に積層したメモリチップ３８０１が搭載されている。厚さ０．７６ｍｍの部分にＳＩＣチップ３７０２が搭載されている。積層したメモリチップ３８０１とＳＩＣチップ３７０２は、配線基板３７０３上の配線パターンとワイヤボンディング接続され、レジンモールド３７０５で樹脂封止されている。これらの部品は、樹脂キャップ３７０４で覆われている。
従来のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードの厚さ０．７６ｍｍに対し、大容量メモリ搭載のためにメモリチップの積層搭載をする場合、ＵＳＢ−Ｉ／Ｆ対応のために水晶振動子、セラミック発振器の搭載、など、厚みのある部品を搭載する場合に、従来のＳＩＭカード厚さ０．７６ｍｍを超えてしまう場合がある。そこで、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードの厚み方向で、部分的にＳＩＭカードの厚み０．７６ｍｍよりも厚いカードとし、これらの部品を厚い部分に搭載することで、大容量メモリを搭載したＳＩＭや、ＵＳＢ−Ｉ／Ｆに対応したＳＩＭが実現できる。なお、メモリチップは積層しないで単に１枚だけであってもよい。この場合のメリットとしては、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードの一部が厚いのでつかみやすいという利点がある。
（実施の形態１８）
図３９は、本発明の実施の形態１８による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタの概略構造を示す外形図であり、（ａ）は背面図、（ｂ）は左側面図、（ｃ）は平面図、（ｄ）は右側面図、（ｅ）は底面図、（ｆ）は正面図である。図３９（ｅ）に示すように、本発明の実施の形態１８による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタの一方の面（基板３９０６）にはＩＳＯ７８１６電極３９０１が配置されている。また、四隅の１つには面取り部３９０２がある。本実施の形態１８のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタは、前記実施の形態１７によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードとほぼ同じ形状及び寸法を有している。ただし、本実施の形態１８のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタは、メモリカードを収納するためのスロット３９０３を有している。本実施の形態１８のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタは、厚さ０．７６ｍｍの部分３９０４と、厚さＴ（Ｔ＞０．７６ｍｍ）の部分３９０５を有している。厚さＴの部分３９０５は、縦Ｌ（Ｌ＜２５ｍｍ）、横Ｍ（Ｍ＜１５ｍｍ）の略長方形で構成され、一面のみがＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタの輪郭線に接している。厚さＴの部分３９０５のうち、横Ｍの部分は、左右両側の輪郭線より内側に位置し、その両側の厚さは０．７６ｍｍとなっている。この両側の厚さ０．７６ｍｍの部分３９０４がソケットの押さえ部分に当たるようにすることにより、従来のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードと前記実施の形態のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタと前記実施の形態のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードと本実施の形態１８の一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタとで、ソケットを共用することができる。また、前記実施の形態のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードと比較して、本実施の形態１８のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタは、厚い部分と薄い部分とを有し段差があるため、手で容易につかみ易い。
一般に普及している小型メモリカードとして、メモリスティック（商標）マイクロの一種のメモリカードであるＭ２、小型のＳＤメモリカード（商標）の一種であるマイクロＳＤ（ｍｉｃｒｏＳＤ；商標）等がある。これらの小型メモリカードは、カード厚さが、１．２ｍｍ（Ｍ２）、１．０ｍｍ（マイクロＳＤ）程度である。一方、前記実施の形態で説明したＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードの厚さは０．７６ｍｍ 程度である。したがって、前記実施の形態で説明したＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタには、従来のＭ２、マイクロＳＤ等のメモリカードを収納することができない。
そこで、本実施の形態１８で示すように、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタを、ＳＩＭアダプタの厚み方向で、部分的にＳＩＭアダプタの厚み０．７６ｍｍよりも厚いアダプタとすることで、Ｍ２、マイクロＳＤ等のメモリカードを搭載できるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタが実現できる。
このとき、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタにおいて、厚くする部分は、ソケットのＳＩＭカード押さえ、位置決めなどの機構と干渉しないエリアを厚くし、カード押さえ部分は従来のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードと同一の厚さとすることで、従来のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードとソケットを共用することができる。
図４０は、本発明の実施の形態１８による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタの概略構成を示す断面図（メモリカードが挿入される前）、図４１は、本発明の実施の形態１８による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタの概略構成を示す断面図（メモリカードが挿入された後）である。本発明の実施の形態１８による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタは、例えば、基板３９０６、ＩＳＯ７８１６電極３９０１、レジンモールド４００１、上押さえ蓋４００２、ＳＩＣチップ４００３、チップ部品４００４、コネクタ端子４００５などから構成されている。ＳＩＣチップ４００３は、セキュア機能（ＳＩＣ）とメモリカードインタフェース機能を備えたチップであり、ボンディングワイヤ４００６により基板３９０６上の配線とワイヤボンディングされている。チップ部品４００４は、受動素子、能動素子である。上押さえ蓋４００２は金属板などから成り、標準のメモリカードが搭載可能となるような段差を有している。コネクタ端子４００５は基板３９０６上の配線にハンダ付け又は溶接等により接着されている。上押さえ蓋４００２のある厚さの厚い部分のスロット３９０３内にメモリカード４１０１が挿入される。
（実施の形態１９）
図４２は、本発明の実施の形態１９による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ（マイクロＳＤ対応）の構造を示す外形図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は右側面図、（ｄ）は正面図である。図４２は、一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ４２０５にマイクロＳＤカード４２０４を挿入した図を示している。図４２に示すように、本発明の実施の形態１９による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ４２０５の一方の面にはＩＳＯ７８１６電極４２０１が配置されている。また、四隅の１つには面取り部４２０２がある。上押さえ蓋４２０３の部分は厚くなっている。Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ４２０５は、前記実施の形態１８によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタとほぼ同じ形状及び寸法を有している。Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ４２０５の上押さえ蓋４２０３下部のスロット内にマイクロＳＤカード４２０４が挿入される。
図４３は、本発明の実施の形態１９による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ（マイクロＳＤ対応）の上押さえ蓋を除いた構造を示す外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）は正面図である。図４３は、一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ４２０５にマイクロＳＤカード４２０４を挿入した図を示している。Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ４２０５のスロット内のコネクタ端子４３０１がマイクロＳＤカード４２０４の端子と接触することにより、両者は電気的に接続される。
図４４、図４５及び図４６は、本発明の実施の形態１９による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ（マイクロＳＤ対応）にマイクロＳＤカードを挿入する状態を示す斜視図であり、図４４は挿入前、図４５は挿入する途中、図４６は挿入した後を示す。図４４、図４５及び図４６に示すように、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ４２０５の上押さえ蓋４２０３下部のスロット内にマイクロＳＤカード４２０４が挿入される。
（実施の形態２０）
図４７は、通常のＭ２メモリカードの外形を示す図であり、（ａ）は左側面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は右側面図、（ｄ）は正面図である。図４７に示すように、通常のＭ２メモリカードは、厚さ約１．２ｍｍの部分４７０１と、厚さ０．６ｍｍのカード挿入ガイド部分４７０２を有する。
図４８は、本発明の実施の形態２０によるＭ２メモリカードの外形を示す図であり、（ａ）は左側面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は右側面図、（ｄ）は正面図である。図４８に示すように、本実施の形態２０によるＭ２メモリカードは、厚さ０．６ｍｍのカード挿入ガイド部分４８０２と同じ厚さの部分４８０１から構成される。このような構成とすることにより、通常のＭ２と同一のメモリカードソケットを使用することができ、かつ、前記実施の形態によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタに搭載した際のトータル厚みを薄くすることができる。
（実施の形態２１）
図４９は、本発明の実施の形態２１による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ（Ｍ２対応）の構造を示す外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）は正面図である。図４９に示すように、本発明の実施の形態２１による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタの一方の面（図４９（ａ）の裏側）にはＩＳＯ７８１６電極４９０１が配置されている。また、四隅の１つには面取り部４９０２がある。また、Ｍ２メモリカードを収納するためのスロット４９０３内部には、Ｍ２メモリカードの端子と接触して電気的接続をするための複数のコネクタ端子４９０４が配置されている。また、スロット４９０３の両端には、Ｍ２メモリカードを固定するためのメモリカード押さえ４９０５が設けられている。本実施の形態２１のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタは、前記実施の形態１８、１９によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタとほぼ同じ形状及び寸法を有している。
図５０は、本発明の実施の形態２１による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタに通常のＭ２メモリカードを挿入した後の状態を示す外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）は正面図である。図５０に示すように、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタのスロットに図４７で示した通常のＭ２メモリカード５００１が挿入され、メモリカード押さえ４９０５によりカード挿入ガイド部分４７０２が押さえられ、Ｍ２メモリカード５００１が固定される。
図５１は、本発明の実施の形態２１による一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタに前記実施の形態２０によるＭ２メモリカードを挿入した後の状態を示す外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）正面図、（ｄ）は比較のための通常のＭ２メモリカードを挿入した後の右側面図である。図５１に示すように、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタのスロットに図４８で示した前記実施の形態２０によるＭ２メモリカード５１０１が挿入され、メモリカード押さえ４９０５によりカード挿入ガイド部分４８０２が押さえられ、Ｍ２メモリカード５１０１が固定される。Ｍ２メモリカードを挿入した後のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタの厚さは、前記実施の形態２０によるＭ２メモリカード５１０１（厚さ約０．６ｍｍ）を挿入した後は、図５１（ｂ）に示すようにｔ１となり、通常のＭ２メモリカード５００１（厚さ約１．２ｍｍ）を挿入した後は、図５１（ｄ）に示すようにｔ２となる。なお、ｔ１＜ｔ２である。
Ｍ２メモリカード対応のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタに、前記実施の形態２０による厚さ０．６ｍｍのＭ２メモリカード５１０１を挿入する場合、Ｍ２メモリカードのカード挿入ガイド部分４８０２はカード挿入ガイド部分４７０２と同一の厚さであり、通常のＭ２メモリカード５００１と同様に挿入可能である。挿入後のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタの厚さ（ｔ１）は、通常のＭ２メモリカードを挿入したときの厚さ（ｔ２）に対して、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタのカード押さえ部分よりも高い部分がない分、薄くなる。
なお、メモリカード押さえ４９０５は、メモリカード全体を覆う構造であっても良い。
（実施の形態２２）
図５２は、本発明の実施の形態２２によるＩＣカード用ソケットの外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）は正面図である。本実施の形態２２によるＩＣカード用ソケットは、例えば、基板５２０１、基板５２０１の両側に設けられたカード押さえ５２０２、基板の中央の孔の部分に取り付けられた複数のコンタクト５２０３などから構成される。カード押さえ５２０２は、前記実施の形態によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカード、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ等のＩＣカードを押さえて固定するためのものである。コンタクト５２０３は、前記実施の形態によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカード、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ等に設けられたＩＳＯ７８１６電極と接触して電気的接続をするためのものである。
図５３は、本発明の実施の形態２２によるＩＣカード用ソケットに一部厚いＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ（又はカード）を挿入した後の状態を示す外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）は正面図である。図５３では、挿入するＩＣカードの一例として実施の形態１９のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ４２０５を示しているが、実施の形態１７のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカード、実施の形態１８，２１〜２２のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタであってもよい。
図５４は、本発明の実施の形態２２によるＩＣカード用ソケットに厚さ０．７６ｍｍのＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ（又はカード）を挿入した後の状態を示す外形図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）は正面図である。図５４では、挿入するＩＣカードの一例として実施の形態１のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ３０５ａを示しているが、従来のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカード等であってもよい。
マイクロＳＤカード、Ｍ２メモリカード等を搭載するために、Ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ（又はカード）について厚くする部分は、カード押さえ部分と干渉しないエリアを厚くし、カード押さえ部分は従来のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードと同一の厚さ（０．７６ｍｍ）とすることで、従来のＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭカードにも、前記実施の形態によるＰｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ（又はカード）にも使える共通ソケットが実現できる。
なお、前記実施の形態をそれぞれ適宜組み合わせてもよい。
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
本発明は、ＩＣカード、電子機器等の製造業において利用可能である。

Claims (36)

  1. フラッシュメモリチップを搭載したＩＣカードであって、
    前記ＩＣカードは、ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ及び／又はｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタに挿入可能であり、
    前記ＩＣカードが、前記ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ又は前記ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタに挿入されることにより、前記ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ又は前記ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタと前記ＩＣカードとが一体となって拡張メモリ付きＳＩＭ又は拡張メモリ付きｍｉｎｉＵＩＣＣとして動作し、
    前記ＩＣカードは、前記ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ又は前記ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタから物理的に分離可能であることを特徴とするＩＣカード。
  2. 請求項１記載のＩＣカードにおいて、
    前記ＩＣカードは、
    複数のコネクタ端子と、
    前記フラッシュメモリチップと、を有し、
    前記コネクタ端子は、前記ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ又は前記ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタに挿入した際に、前記ＳＩＭアダプタ又は前記ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタと電気的に接続することを特徴とするＩＣカード。
  3. 請求項２記載のＩＣカードにおいて、
    前記ＩＣカードは更に、前記フラッシュメモリチップを制御するためのコントローラチップを有することを特徴とするＩＣカード。
  4. 請求項３記載のＩＣカードにおいて、
    前記ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ及びｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタは、セキュリティマイコン機能を有するセキュアＩＣチップを有することを特徴とするＩＣカード。
  5. 請求項４記載のＩＣカードにおいて、
    前記セキュアＩＣチップは、前記ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタ及びｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタの基板に埋め込まれていることを特徴とするＩＣカード。
  6. 請求項３記載のＩＣカードにおいて、
    前記フラッシュメモリチップおよびコントローラチップは、モールドに覆われていることを特徴とするＩＣカード。
  7. 請求項２記載のＩＣカードにおいて、
    前記ＩＣカードは更に、セキュリティマイコン機能を有するセキュアＩＣチップを有することを特徴とするＩＣカード。
  8. 請求項１記載のＩＣカードにおいて、
    前記ＩＣカードの厚さが、前記ＳＩＭアダプタの厚さよりも薄いことを特徴とするＩＣカード。
  9. 請求項８記載のＩＣカードにおいて、
    前記ＩＣカードの厚さが、０．８４ｍｍ以下であることを特徴とするＩＣカード。
  10. 請求項１記載のＩＣカードにおいて、
    前記ＳＩＭアダプタの平面寸法は１５ｍｍ×２５ｍｍであり、前記ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタの平面寸法は１５ｍｍ×１２ｍｍであることを特徴とするＩＣカード。
  11. 請求項１記載のＩＣカードにおいて、
    前記ＩＣカードは、メモリスティックＰＲＯ、ＳＤカード、マルチメディアカード、ＵＳＢ、ＴＣＰ／ＩＰ、Ｉ２Ｃ、または、シリアルインターフェイスコミュニケーション（ＳＣＩ）のインターフェイスに変換可能であることを特徴とするＩＣカード。
  12. 請求項１記載のＩＣカードにおいて、
    前記ＩＣカードは、複数の第１コネクタ端子と複数の第２コネクタ端子を有し、
    前記第１コネクタ端子は、ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭまたはｍｉｎｉＵＩＣＣとの第１インターフェイスに用いる端子であり、
    前記第２コネクタ端子は、メモリスティックＰＲＯ、ＳＤカード、マルチメディアカード、ＵＳＢ、ＴＣＰ／ＩＰ、Ｉ２Ｃ、または、シリアルインターフェイスコミュニケーション（ＳＣＩ）との第２インターフェイス用いる端子であることを特徴とするＩＣカード。
  13. 請求項１２記載のＩＣカードにおいて、
    前記第１インターフェイスと前記第２インターフェイスのプロトコルは、一部または全部が異なっていることを特徴とするＩＣカード。
  14. 請求項１記載のＩＣカードにおいて、
    前記ＩＣカードと、前記ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭアダプタまたは前記ｍｉｎｉＵＩＣＣアダプタとは、相互の機器認証を行い、認証完了した場合にのみ、ｐｌｕｇ−ｉｎＳＩＭまたはｍｉｎｉＵＩＣＣの増設メモリとして機能することを特徴とするＩＣカード。
  15. 請求項１４記載のＩＣカードにおいて、
    前記ＩＣカードの認証は、メモリスティックＰＲＯ、ＭＭＣ、または、ＳＤカードの使用に準拠することを特徴とするＩＣカード。
  16. 請求項１４記載のＩＣカードにおいて、
    前記ＩＣカードの認証は、スマートカードのＩＳＯ／ＩＥＣ７８１６に準拠するＡＰＤＵが用いられることを特徴とするＩＣカード。
  17. セキュリティマイコン機能を有するセキュアＩＣチップを搭載し、ＳＩＭとして動作するＩＣカードであって、
    前記ＩＣカードは、フラッシュメモリチップを搭載したフラッシュメモリカードを挿入可能であり、
    前記フラッシュメモリカードは、前記ＩＣカードから物理的に分離可能であることを特徴とするＩＣカード。
  18. 請求項１７記載のＩＣカードにおいて、
    前記フラッシュメモリカードが、前記ＩＣカードに挿入されることにより、前記フラッシュメモリカードと前記ＩＣカードとが一体となって拡張メモリ付きＳＩＭとして動作することを特徴とするＩＣカード。
  19. 請求項１７記載のＩＣカードにおいて、
    前記セキュアＩＣチップが搭載された基板と、
    前記基板上の前記セキュアＩＣチップを封止したモジュール領域と、
    前記フラッシュメモリカードを挿入するためのスロットとを有し、
    前記フラッシュメモリカードと電気的に接続するための複数のコネクタ端子が前記スロット内に配置されていることを特徴とするＩＣカード。
  20. 請求項１９記載のＩＣカードにおいて、
    前記セキュアＩＣチップは、前記スロットの位置に対して面取り部寄りに配置されていることを特徴とするＩＣカード。
  21. 請求項１７記載のＩＣカードにおいて、
    前記ＩＣカードの平面寸法は１５ｍｍ×２５ｍｍであることを特徴とするＩＣカード。
  22. 請求項２１記載のＩＣカードにおいて、
    前記ＩＣカードの厚さが、０．８４ｍｍ以下であることを特徴とするＩＣカード。
  23. セキュリティマイコン機能を有するセキュアＩＣチップを搭載し、ｍｉｎｉＵＩＣＣとして動作するＩＣカードであって、
    前記ＩＣカードは、フラッシュメモリチップを搭載したフラッシュメモリカードを挿入可能であり、
    前記フラッシュメモリカードは、前記ＩＣカードから物理的に分離可能であることを特徴とするＩＣカード。
  24. 請求項２３記載のＩＣカードにおいて、
    前記フラッシュメモリカードが、前記ＩＣカードに挿入されることにより、前記フラッシュメモリカードと前記ＩＣカードとが一体となって拡張メモリ付きｍｉｎｉＵＩＣＣとして動作することを特徴とするＩＣカード。
  25. 請求項２４記載のＩＣカードにおいて、
    前記セキュアＩＣチップが内蔵された基板と、
    前記フラッシュメモリカードを挿入するためのスロットとを有し、
    前記フラッシュメモリカードと電気的に接続するための複数のコネクタ端子が前記スロット内に配置されていることを特徴とするＩＣカード。
  26. 請求項２３記載のＩＣカードにおいて、
    前記ＩＣカードの平面寸法は１５ｍｍ×１２ｍｍであることを特徴としたＩＣカード。
  27. 請求項２６記載のＩＣカードにおいて、
    前記ＩＣカードの厚さが、０．８４ｍｍ以下であることを特徴とするＩＣカード。
  28. セキュリティマイコン機能を有するセキュアＩＣチップを搭載し、ＳＩＭとして動作するＩＣカードであって、
    第１の厚さを有する第１の部分と、
    前記第１の部分の内側に設けられた前記第１の厚さより厚い第２の部分とを有することを特徴とするＩＣカード。
  29. 請求項２８記載のＩＣカードにおいて、
    前記第１の厚さは、０．７６ｍｍであることを特徴とするＩＣカード。
  30. 請求項２８記載のＩＣカードにおいて、
    前記第２の部分の内部には、水晶振動子が搭載されていることを特徴とするＩＣカード。
  31. 請求項２８記載のＩＣカードにおいて、
    前記第２の部分の内部には、積層されたメモリチップが搭載されていることを特徴とするＩＣカード。
  32. 請求項２８記載のＩＣカードにおいて、
    前記ＩＣカードは、前記第２の部分の内部にスロットを有し、メモリチップを搭載したメモリカードを前記スロット内に挿入可能であり、
    前記メモリカードは、前記ＩＣカードから物理的に分離可能であることを特徴とするＩＣカード。
  33. 請求項３２記載のＩＣカードにおいて、
    前記メモリカードが、前記ＩＣカードに挿入されることにより、前記メモリカードと前記ＩＣカードとが一体となって拡張メモリ付きＳＩＭとして動作することを特徴とするＩＣカード。
  34. 請求項３３記載のＩＣカードにおいて、
    前記メモリカードは、マイクロＳＤカード又はＭ２メモリカードであること特徴とするＩＣカード。
  35. 第１の厚さを有する第１の部分と、前記第１の部分の内側に設けられた前記第１の厚さより厚い第２の部分とを有する第１のＩＣカードと、
    前記第１の厚さを有する第３の部分と、前記第３の部分の内側に設けられた前記第１の厚さを有する第４の部分とを有する第２のＩＣカードとを共通に挿入可能なＩＣカード用ソケットであって、
    前記第１の部分及び前記第３の部分を押さえて前記第１のＩＣカード及び前記第２のＩＣカードを固定することができる高さを有し、かつ、前記第２の部分に接触しない幅を有するカード押さえを有することを特徴とするＩＣカード用ソケット。
  36. 請求項３５記載のＩＣカード用ソケットにおいて、
    前記第１の厚さは、０．７６ｍｍであることを特徴とするＩＣカード用ソケット。
JP2008536285A 2006-09-27 2007-03-30 Ｉｃカードおよびｉｃカード用ソケット Pending JPWO2008038428A1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006262776 2006-09-27
JP2006262776 2006-09-27
PCT/JP2007/057140 WO2008038428A1 (fr) 2006-09-27 2007-03-30 Carte à circuit intégré et son étui

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2008038428A1 true JPWO2008038428A1 (ja) 2010-01-28

Family

ID=39229871

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008536285A Pending JPWO2008038428A1 (ja) 2006-09-27 2007-03-30 Ｉｃカードおよびｉｃカード用ソケット

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20100025480A1 (ja)
EP (1) EP2060994A4 (ja)
JP (1) JPWO2008038428A1 (ja)
KR (1) KR20090077039A (ja)
CN (1) CN101512559A (ja)
TW (1) TW200816056A (ja)
WO (1) WO2008038428A1 (ja)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4789982B2 (ja) 2008-07-14 2011-10-12 シャープ株式会社 トナーカートリッジおよびそれを用いた画像形成装置
US8472199B2 (en) * 2008-11-13 2013-06-25 Mosaid Technologies Incorporated System including a plurality of encapsulated semiconductor chips
CN101765242A (zh) * 2008-12-25 2010-06-30 深圳富泰宏精密工业有限公司 用户识别卡及其连接器，以及具有该连接器的便携式通信装置
TWI380219B (en) * 2009-01-20 2012-12-21 Phison Electronics Corp Card reader with near field communication functions and near field communication device thereof
JP5506201B2 (ja) * 2009-01-29 2014-05-28 日本電波工業株式会社 水晶発振器を備えた電子カード
US8653939B2 (en) * 2009-10-02 2014-02-18 Martin R. Johnson Coded wireless key card sensor unit
EP2339502A1 (en) * 2009-12-21 2011-06-29 Nxp B.V. Identification card for identifying a user and communication arrangement
WO2011085131A2 (en) * 2010-01-06 2011-07-14 Ching-Hsiang Simon Huang Expandable capacity solid state drive
CN102567751B (zh) * 2010-12-31 2015-08-12 国民技术股份有限公司 一种近距离射频通信系统及方法
US8855715B2 (en) 2011-03-11 2014-10-07 Nokia Corporation Apparatus and method for a removable memory module
CN102254198A (zh) * 2011-04-28 2011-11-23 华为终端有限公司 一种扩展microSD卡数据传输的方法及用户标识模块
US8620271B2 (en) * 2011-04-29 2013-12-31 Apple Inc. Compact form factor integrated circuit card and methods
TW201249005A (en) * 2011-05-27 2012-12-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Storage card with a connector
EP2587412A1 (fr) * 2011-10-31 2013-05-01 Gemalto SA Carte à puce prédécoupée
US8649820B2 (en) * 2011-11-07 2014-02-11 Blackberry Limited Universal integrated circuit card apparatus and related methods
GB2500570A (en) * 2012-02-29 2013-10-02 Control Tech Ltd A smart-card having a memory device connected thereto
USD703208S1 (en) 2012-04-13 2014-04-22 Blackberry Limited UICC apparatus
US8936199B2 (en) 2012-04-13 2015-01-20 Blackberry Limited UICC apparatus and related methods
USD701864S1 (en) 2012-04-23 2014-04-01 Blackberry Limited UICC apparatus
US8607050B2 (en) * 2012-04-30 2013-12-10 Oracle International Corporation Method and system for activation
USD707682S1 (en) * 2012-12-05 2014-06-24 Logomotion, S.R.O. Memory card
US9888283B2 (en) 2013-03-13 2018-02-06 Nagrastar Llc Systems and methods for performing transport I/O
USD759022S1 (en) 2013-03-13 2016-06-14 Nagrastar Llc Smart card interface
USD729808S1 (en) * 2013-03-13 2015-05-19 Nagrastar Llc Smart card interface
US9647997B2 (en) 2013-03-13 2017-05-09 Nagrastar, Llc USB interface for performing transport I/O
USD758372S1 (en) 2013-03-13 2016-06-07 Nagrastar Llc Smart card interface
AP2015008873A0 (en) * 2013-05-29 2015-11-30 Visa Int Service Ass Systems and methods for verification conducted at a secure element
USD780763S1 (en) 2015-03-20 2017-03-07 Nagrastar Llc Smart card interface
USD864968S1 (en) 2015-04-30 2019-10-29 Echostar Technologies L.L.C. Smart card interface
KR102566995B1 (ko) 2016-06-02 2023-08-14 삼성전자주식회사 메모리 카드 어댑터
US10755056B2 (en) * 2017-03-02 2020-08-25 Walmart Apollo, Llc Systems and methods for testing smart card operation
CN107508585A (zh) * 2017-08-22 2017-12-22 广东美的制冷设备有限公司 开关器件封装结构、空调器的电控板以及空调器
CN109193134B (zh) 2018-09-14 2020-10-02 维沃移动通信有限公司 一种终端设备天线
CN109346829B (zh) * 2018-09-28 2020-10-02 维沃移动通信有限公司 一种终端设备
US11157197B2 (en) * 2019-02-19 2021-10-26 Western Digital Technologies, Inc. Socket interconnector for high pad count memory cards
US11023394B2 (en) 2019-02-19 2021-06-01 Western Digital Technologies, Inc. Socket interconnector with compressible ball contacts for high pad count memory cards
WO2020170822A1 (ja) * 2019-02-20 2020-08-27 モレックス エルエルシー カード保持部材及びカード用コネクタセット
US10999929B2 (en) * 2019-05-29 2021-05-04 Quanta Computer Inc. Expansion card interfaces for high-frequency signals and methods of making the same
CN112187303B (zh) * 2020-09-23 2021-09-07 深圳联想懂的通信有限公司 一种sim卡扩展设备、sim卡切换方法及装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06195524A (ja) * 1992-09-14 1994-07-15 Toshiba Corp メモリカード装置
US5887145A (en) * 1993-09-01 1999-03-23 Sandisk Corporation Removable mother/daughter peripheral card
JP2005527049A (ja) * 2002-05-24 2005-09-08 ドコモ コミュニケーションズ ラボラトリーズ ヨーロッパ ゲーエムベーハー 下位互換性がある小型化されたチップカードおよび小型化されたチップカード用アダプタ
JP2006506709A (ja) * 2002-11-13 2006-02-23 サンディスク　コーポレイション メモリコントローラを備える様々な異なる規格のカードとともに用いられる汎用不揮発性メモリカード

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5663901A (en) * 1991-04-11 1997-09-02 Sandisk Corporation Computer memory cards using flash EEPROM integrated circuit chips and memory-controller systems
JP3529394B2 (ja) * 1992-10-19 2004-05-24 株式会社東芝 Ｉｃカード情報処理装置
US6457647B1 (en) * 1993-11-16 2002-10-01 Canon Kabushiki Kaisha Memory card adaptor to facilitate upgrades and the like
US5500517A (en) * 1994-09-02 1996-03-19 Gemplus Card International Apparatus and method for data transfer between stand alone integrated circuit smart card terminal and remote computer of system operator
TW452152U (en) * 1999-11-15 2001-08-21 Kinpo Elect Inc Seat commonly used for dual memory cards
WO2001084490A1 (en) * 2000-04-28 2001-11-08 Hitachi,Ltd Ic card
BR0207501A (pt) * 2001-02-22 2004-03-09 Tele Cd Company As Método para produção de um disco ótico com um módulo destacável
DE20209185U1 (de) * 2002-06-13 2003-10-23 Stocko Contact Gmbh & Co Kg PC-Card Chipkartenleser
US6716066B1 (en) * 2003-03-21 2004-04-06 Jih Vei Electronics Co., Ltd. Multi-memory card connector
TWM250252U (en) * 2003-11-14 2004-11-11 Carry Computer Eng Co Ltd Express card-interfaced adatper for small storage medium
JP2005322109A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Renesas Technology Corp Ｉｃカードモジュール
US7597254B2 (en) * 2004-08-20 2009-10-06 Premark Feg L.L.C. Scale with automatic identification of specials and other price and product changes
US6971918B1 (en) * 2005-01-07 2005-12-06 Cheng Uei Precision Industry Co., Ltd. Card connector
US7325745B2 (en) * 2005-04-25 2008-02-05 Alcor Micro, Corp. Card reader assembly
TWM283368U (en) * 2005-07-01 2005-12-11 Yun-Shiou Li Improved structure of mini SD adapter

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06195524A (ja) * 1992-09-14 1994-07-15 Toshiba Corp メモリカード装置
US5887145A (en) * 1993-09-01 1999-03-23 Sandisk Corporation Removable mother/daughter peripheral card
JP2005527049A (ja) * 2002-05-24 2005-09-08 ドコモ コミュニケーションズ ラボラトリーズ ヨーロッパ ゲーエムベーハー 下位互換性がある小型化されたチップカードおよび小型化されたチップカード用アダプタ
JP2006506709A (ja) * 2002-11-13 2006-02-23 サンディスク　コーポレイション メモリコントローラを備える様々な異なる規格のカードとともに用いられる汎用不揮発性メモリカード

Also Published As

Publication number Publication date
EP2060994A4 (en) 2010-04-21
EP2060994A1 (en) 2009-05-20
TW200816056A (en) 2008-04-01
WO2008038428A1 (fr) 2008-04-03
KR20090077039A (ko) 2009-07-14
US20100025480A1 (en) 2010-02-04
CN101512559A (zh) 2009-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2008038428A1 (ja) Ｉｃカードおよびｉｃカード用ソケット
US7971791B2 (en) Multi-function card device
US7389937B2 (en) Card-shaped memory device incorporating IC card function
JP4261802B2 (ja) Ｉｃカード
JP5069344B2 (ja) メモリコントローラを備える様々な異なる規格のカードとともに用いられる汎用不揮発性メモリカード
EP1513043B1 (en) Memory card
KR101027574B1 (ko) 에스아이엠, 에스아이엠 홀더, 아이씨 모듈, 아이씨 카드및 아이씨 카드 홀더
JPWO2005081181A1 (ja) Ｉｃカードの製造方法およびｉｃカード
US20100267419A1 (en) Sim adapter and sim card
JP4240989B2 (ja) ３種のインターフェースを備えるｉｃモジュール、３ウェイｓｉｍとｓｉｍホルダー、３ウェイｉｃカードとｉｃカードホルダー
JP2007183776A (ja) 半導体装置
WO2009064138A1 (en) Chip card with flash memory for giving digital contents
KR20070025872A (ko) 아이씨 카드와 아이씨 카드 제조 방법
JP2010086550A (ja) 半導体カードデバイス
TWI309386B (ja)
JP4761479B2 (ja) Ｉｃカード
JP2005149360A (ja) Ｓｉｍ用ｉｃカード
WO2010052770A1 (ja) 半導体装置
JP2011175549A (ja) Ｉｃモジュール、及びこのｉｃモジュールを有するｉｃカード
KR101085956B1 (ko) 보안토큰으로 사용할 수 있는 신분증 케이스
KR20070006745A (ko) Ｉｃ 카드의 제조 방법 및 ｉｃ 카드

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20100528

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110920

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111118

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20111220