JPWO2008029816A1 - 感光性樹脂組成物、屈折率制御方法、およびそれを用いた光導波路並びに光学部品 - Google Patents

感光性樹脂組成物、屈折率制御方法、およびそれを用いた光導波路並びに光学部品 Download PDF

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Abstract

伝送損失が低く高い熱安定性を示し、また導波路パターンを形状精度が良くかつ低コストで作製可能な光導波路形成用樹脂組成物、光導波路、光導波路形成方法およびそれを用いた光素子を提供する。一般式(I)で表されるポリアミド酸またはポリアミド酸エステル(A)と、エポキシ基を持つ化合物(B)、および露光により酸を発生する化合物(C)を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物を用いることで、かかる課題を解決できる。

Description

本発明は、光通信、光情報処理分野などにおいて用いられる、光素子、光インターコネクション、光配線基板、光・電気混載回路基板等に利用される光導波路と、それを作製するための光導波路形成用の感光性樹脂組成物、光導波路形成方法、およびそれらを用いた光素子等の光学部品に関する。
近年、インターネット、デジタル家電が急速に普及し、通信システムやコンピュータにおける情報処理の大容量化および高速化が求められ、大容量のデータを高周波信号で高速伝送することが検討されている。
しかし、大容量の信号を高周波信号で伝送するには、従来の電気配線では伝送損失が大きいため、光による伝送システムが盛んに検討され、コンピュータ間、装置内、ボード内通信の配線等に用いられようとしている。この光による伝送システムを実現する要素のうち、光導波路は、光素子、光インターコネクション、光配線基板、光・電気混載回路基板等における基本となる構成要素となるため、光導波路に対しては、高性能かつ低コストであることが求められている。
光導波路は基板上に形成した光配線であり、ガラス導波路とポリマー導波路がある。光インターコネクション、光配線版などの素子に導波路を適用するためには、従来の電気配線技術と同程度のコストで導波路を形成する必要がある。しかし既に製品化されているガラス導波路は、シリカガラスのクラッド層とシリカガラスにゲルマニウムを添加したコア層からなり、これらの各層全ては気相成長法により形成され、火炎堆積法による1000℃以上の加熱プロセスを経る。
すなわち製造コストが高く、また高加熱プロセスを要する等プリント基板等との製造プロセスにおけるマッチングが困難であると考えられる。さらにはまた大面積の導波路の作製が困難であるなど、工業化においては製造プロセスおよびコストの点で多くの課題がある。
一方、ポリマー材料は、石英ガラスなどの従来の光学材料に比べてコスト、加工性、分子設計の容易さ等において優れていると考えられる。すなわち、ポリマーなどの有機材料を用いた導波路形成においては、スピンコート(回転塗布)によって所望の膜が形成できるため低温プロセス化が可能である。またあらゆる基板,例えば、半導体基板、銅ポリイミド配線板、ポリマー基板等、上に容易に製膜でき、低コスト、高歩留まり化はもとより高性能化、多品種化への可能性をも秘めている。実際にはこれまで、ポリメチルメタクリレート(PMMA)やエポキシ樹脂、ポリシロキサン誘導体、フッ素化ポリイミド等のポリマー材料を用いたものが検討されてきた。
例えば、特開平10−170738号公報(特許文献1)および特開平11−337752号公報(特許文献2)には、エポキシ化合物を用いたポリマー導波路が開示されている。また、特開平9−124793号公報(特許文献3)には、ポリシロキサン誘導体を用いた導波路が開示されている。
しかし一般的には、有機化合物である樹脂組成物からなる導波路は耐熱性が低く、また光通信で用いられる波長600〜1600nmの領域おいて伝送損失が大きい等の問題が指摘されている。この問題を解決するため、例えばポリマーを重水素化やフッ素化する等の化学修飾によって伝送損失を低減したり、耐熱性を有するポリイミド誘導体を用いる等の検討がなされている。例えば、特開2005−29652号公報(特許文献4)にはポリエーテルケトン誘導体を用いた導波路が記載されている。しかし、重水素化PMMAは耐熱性が低く、またフッ素化ポリイミドは耐熱性に優れるものの、導波路パターンを形成するには、石英導波路と同様にドライエッチング工程を必要とするため、製造コストが高くなる欠点を有する。
一方、光導波路ではないが、特開2002−277662号公報(特許文献5)には、光導波路カプラーの2種のコア材として、感光性のポリアミド酸から作製されるか、又はエポキシ系またはアクリル系またはシリコーン系オリゴマーもしくはモノマーから作製されたものが開示されている。
そのため、感光性樹脂を用いた光導波路を形成するにあたって、伝送損失が低く、また導波路パターンを形状精度よく、かつ低コストで作製可能な光導波路形成用感光性樹脂組成物、光導波路、及び光導波路パターンの形成方法が求められている。
そこで、本発明の技術的課題は、伝送損失が低く、また導波路パターンを形状精度よく、かつ低コストで作製可能な光導波路形成用感光性樹脂組成物、光導波路、及び光導波路パターンの形成方法を提供することにある。
本発明者らは、上記課題を解決するために検討した結果、ポリイミド構造をもつ樹脂を光導波路のコア層とクラッド層のいずれか一つまたは両方を形成するための樹脂組成物における主要構成材料として用いることによって、各層に好適な屈折率を付与し、導波路の伝送損失が低く、しかも導波路のパターン形状を精度良く形成できることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明の第1の態様による感光性樹脂組成物は、一般式(I)で表されるポリアミド酸(A)と、エポキシ基を持つ化合物(B)、および露光により酸を発生する化合物(C)を含有することを特徴としている。
Figure 2008029816
(一般式(I)のうちR1は4価の有機官能基で、ビスアルキルベンゼン、及びビスパーフルオロアルキルベンゼンの4価の有機官能基を含まず、R2は2価の有機の官能基、R3およびR4は夫々独立に水素、あるいは酸により分解する官能基を表わす。)
また、本発明の第2の態様による屈折率制御方法は、感光性樹脂組成物に活性光線を照射し、引き続き加熱することで、当該活性光線に対する露光部と未露光部における屈折率差を生じさせる屈折率制御方法であって、前記感光性樹脂組成物は、下記化2式の一般式(I)で表されるポリアミド酸(A)と、エポキシ基を持つ化合物(B)、および露光により酸を発生する化合物(C)を含有することを特徴とする。
Figure 2008029816
(一般式(I)のうちR1は4価の有機官能基で、ビスアルキルベンゼン、及びビスパーフルオロアルキルベンゼンの4価の有機官能基を含まず、R2は2価の有機の官能基、R3およびR4は夫々独立に水素、あるいは酸により分解する官能基を表わす。)
ここで、本発明の第2の態様において、活性光線を照射し、引き続き加熱することで、露光部と未露光部における屈折率差が生じることが好ましい。
また、本発明の第3の態様による光導波路によれば、前記屈折率制御法により得られた、より屈折率が高い部位をコアとし、より屈折率が低い部位をクラッドとして用いたことを特徴とする。
本発明の第4の態様によれば、コア層と、該コア層に積層して形成されるクラッド層を有する光導波路であって、該コア層および該クラッド層のいずれかまたは両方に、感光性樹脂組成物を用い、前記感光性樹脂組成物は、下記化3式の一般式(I)で表されるポリアミド酸(A)と、エポキシ基を持つ化合物(B)、および露光により酸を発生する化合物(C)を含有することを特徴とする。
Figure 2008029816
(一般式(I)のうちR1は4価の有機官能基で、ビスアルキルベンゼン、及びビスパーフルオロアルキルベンゼンの4価の有機官能基を含まず、R2は2価の有機の官能基、R3およびR4は夫々独立に水素、あるいは酸により分解する官能基を表わす。)
また、本発明の第5の態様による光導波路パターンの形成方法は、基板上に第1クラッド層を形成する工程と、感光性樹脂組成物を上記第1クラッド層上に塗布する工程と、プリベークを行う工程と、上記感光性樹脂組成物層にマスクを介してコアもしくはコア以外となる領域のどちらか一方に活性光線を照射する工程と、上記形成されたコア及び第1クラッド層の上に第2クラッド層を形成する工程を少なくとも含み、前記感光性樹脂組成物は、下記化4学式の一般式(I)で表されるポリアミド酸(A)と、エポキシ基を持つ化合物(B)、および露光により酸を発生する化合物(C)を含有することを特徴とする。
Figure 2008029816
(一般式(I)のうちR1は4価の有機官能基で、ビスアルキルベンゼン、及びビスパーフルオロアルキルベンゼンの4価の有機官能基を含まず、R2は2価の有機の官能基、R3およびR4は夫々独立に水素、あるいは酸により分解する官能基を表わす。)
また、本発明の第6の態様による光学部品は、光素子又はデバイスからなる光学部品において、前記導波路パターンの形成方法により形成した光導波路を用いたことを特徴とする。
本発明の光導波路形成用感光性樹脂組成物は、導波路パターンを精度よく形成でき、また溶媒を用いた現像プロセスを必要とせずパターンが形成できる。さらに形成した光導波路は優れた伝送特性、即ち、低い伝播損失を有し、またポリイミド骨格に由来する高い熱安定性を有するため、光素子、デバイス用途の光導波路として好適に用いることができる。
図1は、本発明による感光性樹脂組成物によるポリマー導波路の製造工程を示す一例であり、(a)〜(f)はそれぞれ概略断面図である。
図2は、本発明による感光性樹脂組成物によるポリマー導波路の製造工程を示す一例であり、(a)〜(d)はそれぞれ概略断面図である。
図3は、本発明による感光性樹脂組成物によるポリマー導波路の製造工程を示すもう一つの一例であり、(a)〜(f)はそれぞれ概略断面図である。
図4は、本発明による感光性樹脂組成物によるポリマー導波路の製造工程を示すもう一つの一例であり、(a)〜(d)はそれぞれ概略断面図である。
符号の説明
1 基板
2a,2b 下部クラッド層
3a,3b,3c 紫外線
4a,4b,4c 本発明の光導波路用感光性樹脂組成物にて形成したコア層
5a,5b フォトマスク
6a,6b 形成されたコア部
7a,7b,7c,7d 本発明の光導波路用感光性樹脂組成物にて形成した上部クラッド層
以下、本発明の光導波路形成用感光性樹脂組成物及び光導波路形成方法について具体的に説明する。
(光導波路形成用樹脂組成物)
本発明の光導波路形成用樹脂組成物(以下、樹脂組成物という)は、少なくとも下記化2の一般式(I)で表されるポリアミド酸またはポリアミド酸エステル(A)と、エポキシ基を持つ化合物(B)、および露光により酸を発生する化合物(C)を含有することで得られる。
Figure 2008029816
本発明の一般式(I)で表される繰り返し構造単位は基本的にテトラカルボン酸二無水物とジアミンとから得られるポリアミド酸またはポリアミド酸エステル構造である。すなわちR1は、テトラカルボン酸のカルボキシル基を除いた残基であり、芳香環を含む基であることが好ましく、炭素原子を6ないし40であるものがより好適である。芳香環を含む基としては、一個の芳香環または二個以上の芳香環が単結合、エーテル結合、メチレン結合、エチレン結合、2,2−ヘキサフルオロプロピリデン結合、スルホン結合、スルホキシド結合、チオエーテル結合およびカルボニル結合を介して結合した化学構造を有する四価の有機基が好適である。
前記テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、R1がベンゼン、アルキルベンゼン、又はパーフルオロアルキルベンゼンの4価の有機基である:ピロメリット酸二無水物(トリフルオロメチル)ピロメリット酸二無水物、ジ(トリフルオロメチル)ピロメリット酸二無水物を挙げることができる。また、R1が2個以上のベンゼン環を備えた芳香族炭化水素、そのエーテル、それらのケトン、及びそれらの1以上のパーフルオロアルキルの置換体の内のいずれかの四価の有機基である:ビス{3,5−ジ(トリフルオロメチル)フェノキシ}ピロメリット酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−テトラカルボキシジフェニルエーテル二無水物、2,3’,3,4’−テトラカルボキシジフェニルエーテル二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−テトラカルボキシナフタレン二無水物、1,4,5,7−テトラカルボキシナフタレン二無水物、1,4,5,6−テトラカルボキシナフタレン二無水物、3,3’,4,4’−テトラカルボキシジフェニルメタン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、5,5’−ビス(トリフルオロメチル)−3,3’,4,4’−テトラカルボキシビフェニル二無水物、2,2’,5,5’−テトラキス(トリフルオロメチル)−3,3’,4,4’−テトラカルボキシビフェニル二無水物、5,5’−ビス(トリフルオロメチル)−3,3’,4,4’−テトラカルボキシジフェニルエーテル二無水物、5,5’−ビス(トリフルオロメチル)−3,3’,4,4’−テトラカルボキシベンゾフェノン二無水物、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ベンゼン二無水物、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノキシ}(トリフルオロメチル)ベンゼン二無水物、ビス(ジカルボキシフェノキシ)(トリフルオロメチル)ベンゼン二無水物、ビス(ジカルボキシフェノキシ)ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン二無水物、ビス(ジカルボキシフェノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼン二無水物、3,4,9,10−テトラカルボキシペリレン二無水物、2,2−ビス{4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル}プロパン二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス{4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン二無水物、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ビフェニル二無水物、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル二無水物、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ジフェニルエーテル二無水物、ビス(ジカルボキシフェノキシ)ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル二無水物、ビス(3、4−ジカルボキシフェニル)ジメチルシラン二無水物、1、3−ビス(3、4−ジカルボキシフェニル)テトラメチルジシロキサン二無水物、ジフルオロピロメリット酸二無水物、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシトリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン二無水物、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシトリフルオロフェノキシ)オクタフルオロビフェニル二無水物、4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物、などを挙げることができる。また、これらの酸二無水物の芳香環に含まれる一部あるいはすべての炭素を、水素添加処理等により芳香族性を有しない飽和炭素に置き換えた構造を有する酸二無水物も原料として使用することができるが、これらに限定されるものではない。
なお、Rとして、ビスアルキルベンゼン、ビスパーフルオロアルキルベンゼンの4価基を含まないことが好ましい。
また、一般式(I)で表される繰り返し単位におけるR2は、テトラカルボン酸やその誘導体と反応してポリイミド前駆体をなすことができるジアミン化合物のアミノ基を除いた残基であることが好ましい。そのなかでもベンゼン環を一つ持つ2価の有機官能基であることが好ましく、フェニレン基、フルオロフェニレン基又はフルオロアルキルフェニレン、アルキルフェニレン基を形成するものが好ましく、ベンゼン環を2個以上有する2価の有機官能基も好ましい。さらに、Siを含む2価の有機官能基も好ましい。
ベンゼン環を一つ有するフェニレン基を形成するジアミン化合物としては、m−フェニレンジアミンを例示することができる。
また、フルオロフェニレン基又はフルオロアルキルフェニレン基を形成するジアミン化合物としては、1,3−ジアミノテトラフルオロベンゼン、1,4−ジアミノテトラフルオロベンゼン、2,5−ジアミノベンゾトリフルオライド、ビス(トリフルオロメチル)フェニレンジアミン、ジアミノテトラ(トリフルオロメチル)ベンゼン、ジアミノ(ペンタフルオロエチル)ベンゼンを例示することができるが、パーフルオロフェニレン以外の、1,3−ジアミノテトラフルオロベンゼン、1,4−ジアミノテトラフルオロベンゼン、2,5−ジアミノベンゾトリフルオライド、ビス(トリフルオロメチル)フェニレンジアミンが好ましい。
また、アルキルフェニレン基を形成するジアミン化合物としては、2,4−ジアミノトルエン、2,4−ジアミノキシレン、2,4−ジアミノデュレン、p−フェニレンジアミン、2,5−ジアミノトルエン、2,3,5,6−テトラメチル−p−フェニレンジアミンを例示することができる。
また、ベンゼン環を2個以上有する2価の有機官能基を形成するジアミン化合物の例としては、ベンジジン、2,2’−ジメチルベンジジン、3,3’−ジメチルベンジジン、3,3’−ジメトキシベンジジン、2,2’−ジメトキシベンジジン、3,3’,5,5’−テトラメチルベンジジン、3,3’−ジアセチルベンジジン、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル、オクタフルオロベンジジン、3,3’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビス(p−アミノフェニル)プロパン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’’−ジアミノ−p−テルフェニル、1,4−ビス(p−アミノフェニル)ベンゼン、p−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ベンゼン、4,4’’’−ジアミノ−p−クオーターフェニル、4,4’−ビス(p−アミノフェノキシ)ビフェニル、2,2−ビス{4−(p−アミノフェノキシ)フェニル}プロパン、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシフェニル)ジフェニルスルホン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス{4−(3−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス{4−(2−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)−3,5−ジメチルフェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)−3,5−ジトリフルオロメチルフェニル}ヘキサフルオロプロパン、4,4’−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(4−アミノ−3−トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、2,2−ビス{4−(4−アミノ−3−トリフルオロメチルフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、ビス{(トリフルオロメチル)アミノフェノキシ}ビフェニル、ビス[{(トリフルオロメチル)アミノフェノキシ}フェニル]ヘキサフルオロプロパン、ジアミノアントラキノン、1,5−ジアミノナフタレン、2,6−ジアミノナフタレン、ビス[{2−(アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロイソプロピル]ベンゼン、ビス(2,3,5,6)−テトラフルオロ−4−アミノフェニル)エーテルを例示することができる。
さらに、Siを含む2価の有機官能基を形成する有機シリコンジアミン化合物の例としては、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,4−ビス(3−アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン、ビス(4−アミノフェニル)ジエチルシラン、4,4’−ビス(テトラフルオロアミノフェノキシ)オクタフルオロビフェニルなどを例示することもできる。
また、これらのジアミン化合物の芳香環に含まれる一部あるいはすべての炭素を、水素添加処理等により芳香族性を有しない飽和炭素に置き換えた構造を有するジアミン化合物も原料として使用することができるが、これらに限定されるものではない。
一般式(I)で表される繰り返し構造単位においてR3およびR4は水素原子および酸により分解する置換基を表す。R3およびR4としては例えば、t−ブチル基、t−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、エトキシエチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、トリメチルシリル基、トリメチルシリルエーテル基などが挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
また、得られる重合体の重量平均分子量(Mw)は、1,000以上が好ましく、4,000以上がより好ましい。また、1,000,000以下が好ましく、500,000以下がより好ましい。
また、本発明の感光性樹脂組成物に用いる光酸発生剤としては、活性光線の照射によって酸を発生する光酸発生剤であることが望ましく、本発明における重合体などとの混合物が有機溶媒に十分に溶解し、かつその溶液を用いて、スピンコートなどの製膜法で均一な塗布膜が形成可能なものであれば特に制限されない。また、単独でも、2種以上を混合して用いてもよい。
使用可能な光酸発生剤の例としては、例えばトリアリールスルホニウム塩誘導体、ジアリールヨードニウム塩誘導体、ジアルキルフェナシルスルホニウム塩誘導体、ニトロベンジルスルホナート誘導体、N−ヒドロキシナフタルイミドのスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシイミドのスルホン酸エステル誘導体等が挙げられるが、これらだけに限定されるものではない。
光酸発生剤の含有率は、感光性樹脂組成物の十分な感度を実現し、良好なパターン形成を可能とする観点から、重合体、エポキシ化合物、光酸発生剤の総和、あるいはさらにオキセタン化合物を含む場合における総和に対して0.1質量%以上が好ましく、0.5質量%以上がより好ましい。一方、均一な塗布膜の形成を実現し、導波路の特性を損なわない観点から、15質量%以下が好ましく、7質量%以下がより好ましい。
また本発明の感光性樹脂組成物は、上記重合体と光酸発生剤に加えエポキシ化合物を含む。エポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールAジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールAジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、1,2−シクロヘキサンカルボン酸ジグリシジルエステル、3,4−エポキシシクロヘキサンカルボン酸3,4−エポキシシクロヘキシルメチル、トリスエポキシプロピルイソシアヌレート、2−エポキシエチルビシクロ[2,2,1]ヘプチルグリシジルエーテル、エチレングリコールビス(2−エポキシエチルビシクロ[2,2,1]ヘプチル)エーテル、ビス(2−エポキシエチルビシクロ[2,2,1]ヘプチル)エーテル等が挙げられるが、もちろんこれらだけに限定されるものではない。
またこれらエポキシ化合物の含有率は、それ自身を含む全構成分に対して通常0.5〜80質量%、好ましくは1〜70質量%である。また、単独でも、2種以上を混合して用いてもよい。
また本発明の感光性樹脂組成物は、上記重合体と感光剤、エポキシ化合物に加えさらにオキセタン化合物を含んでいても良い。オキセタン化合物としては、例えば、3−エチル−3−ヒドロキシメチルオキセタン、1,4−ビス{[(3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ]メチル}ベンゼン、3−エチル−3−(フェノキシメチル)オキセタン、ジ[1−エチル(3−オキセタニル)]メチルエーテル、3−エチル−3−(2−エチルヘキシロキシメチル)オキセタン、3−エチル−3−{[3−(トリエトキシシリル)プロポキシ]メチル}オキセタン等が挙げられるが、これらだけに限定されるものではない。
またこれらオキセタン化合物を加える場合、その含有率は、それ自身を含む全構成分に対して通常0.5〜80質量%、好ましくは1〜70質量%である。また、単独でも、2種以上を混合して用いてもよい。
また本発明の樹脂組成物および感光性樹脂組成物は、上記重合体、光酸発生剤、エポキシ化合物、オキセタン化合物に加え、光導波路としての特性を損なわない範囲で種々の無機微粒子を添加剤として加えてもよい。そのような添加剤としては、例えばアルミナ、シリカ、ガラス繊維、ガラスビーズ、シリコーン、酸化チタンなどの金属酸化物等が挙げられる。これらの添加剤を加えることで、耐クラック性、耐熱性を向上したり、低弾性率化を図ったり、導波路の反りを改善できる。
さらに本発明の樹脂組成物および感光性樹脂組成物においては、必要に応じて本発明の効果を損なわない範囲において、密着性向上剤、レベリング剤、塗布性改良剤、濡れ性改良剤、界面活性剤、光増感剤、脱水剤、重合禁止剤、重合開始助剤、紫外線吸収剤、可塑剤、酸化防止剤、帯電防止剤、などといった成分を添加して、本発明の樹脂組成物および感光性樹脂組成物を調製することもできる。
なお、上記樹脂組成物、および感光性樹脂組成物を調製する際に、必要に応じて、適当な溶剤を用いる。溶剤としては、感光性樹脂組成物が充分に溶解でき、その溶液をスピンコート法などの方法で均一に塗布できる有機溶媒等であれば特に制限されない。具体的には、γ−ブチロラクトン、N,Nジメチルアセトアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、2−ヘプタノン、酢酸2−メトキシブチル、酢酸2−エトキシエチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、N−メチル−2−ピロリドン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルイソブチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等を使用することができる。これらは、単独でも2種類以上を混合して用いてもよい。
(導波路パターンの形成方法)
本発明によるポリマー光導波路の製造について説明する。ポリマー光導波路は屈折率の高いコアと屈折率の低いクラッドからなるものであり、コアをクラッドで取り巻く形状に形成されるが、少なくとも以下の工程を含む導波路パターンの形成方法により得られる。
(1)適宜の基板上に下部クラッド層を形成する工程と、
(2)本発明の感光性樹脂組成物を上記下部クラッド層上に塗布する工程と、
(3)光照射前熱処理(プリベーク)を行う工程と、
(4)上記感光性樹脂組成物層にマスクを介してコアとなるべき領域に、あるいはコアとなるべき領域以外に、紫外線などの活性光線を照射する工程と、
(5)露光後加熱(ポストベーク)を行い、コア層を形成する工程と、
(6)上記形成されたコア層及び下部クラッド層の上に上部クラッド層を形成する工程を少なくとも含む。また上記下部クラッドと中間及び上部クラッドの何れか一方又は両方を本発明の感光性樹脂組成物を用いて同様に化学線を照射して形成してもよいが、その場合、コア層よりも屈折率が低くなる組成を選択して使用する。
以下に、本発明によるポリマー光導波路の製造方法の一例を図1及び図2を参照しながら詳細に説明する。
まず、図1(d)に示すように、適宜の基板1上に下部クラッド層(第1クラッド層)2bを形成する。この下部クラッド層2bは、例えば、図1(a)に示すように基板1上に、図1(b)に示すように、本発明の樹脂組成物および感光性樹脂組成物2aをこの基板1上に塗布し、プリベークすることで上記樹脂組成物層2aを形成する。次に図1(c)に示すように、活性光線3aを全面露光し、熱処理(ベーク)工程を行うことでこの樹脂層2aを低屈折率化することで下部クラッド層2bを形成する(図1(d))。この下部クラッド層2bは、その屈折率と同等の屈折率になる他の任意の硬化性樹脂組成物を用い、活性光線または熱処理によって得られるものであってもよい。
本発明において、上記基板1としては、例えば、シリコン基板、ガラス基板、石英基板、ガラスエポキシ基板、金属基板、セラミック基板、高分子フィルム、または各種基板上に高分子フィルムが形成された基板等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
次に、図1(e)に示すように、上記下部クラッド層3の上に本発明の感光性樹脂組成物を塗布し、プリベークすることで、感光性樹脂組成物層4aを形成する。感光性樹脂組成物層4aの形成には、下部クラッド層2bの屈折率より高屈折率となる組成を選択して使用する。感光性樹脂組成物を塗布する方法は、特に限定されるものではなく、例えば、スピンコータを用いた回転塗布、スプレーコータを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等を用いることができる。また、プリベーク工程は、塗布した樹脂組成物および感光性樹脂組成物を乾燥して組成物中の溶剤を除去し、塗布した樹脂組成物を樹脂組成物層4aとして定着させるための工程である。プリベーク工程は、通常、60〜160℃で行われる。
次いで、図1(f)に示すように、上記感光性樹脂組成物層4aにフォトマスク5aを介して、コア層6aに対応する領域に化学線3bを照射し、さらに露光後加熱処理を行いし、次いで有機溶剤で現像を行い、未露光部を除去した後、さらにポストベークすることで、図2(a)に示すように下部クラッド層2a上に屈折率の高いコア層6aが形成される。
露光工程は、フォトマスク5aを介して感光性樹脂組成物層4aを選択的に露光し、フォトマスク5上の導波路パターンを感光性樹脂組成物層4aに転写する工程である。前記及び後述の全面露光及び当該パターン露光に用いる活性光線3bとしては、高圧水銀灯、重水素ランプ、紫外線、可視光線、エキシマレーザ、電子線、X線等が使用できるが、180〜500nmの波長の活性光線が好ましい。
また、露光後加熱処理工程は、空気中又は不活性ガス雰囲気下、通常100〜160℃で行われる。
またポストベーク工程は、空気中又は不活性ガス雰囲気下、通常100〜200℃で行われる。またポストベーク工程は一段階で行ってもよいし多段階で行ってもよい。
さらに、コア層6aが形成された上に本発明の感光性樹脂組成物7aを、図2(b)に示すように塗布し、図2(c)に示すように、活性光線3cを全面露光し、熱処理することで低屈折率化し、図2(d)のように中間クラッド及び上部クラッド(中間クラッド層7d及び上部クラッド層7c:第2クラッド層)を一括して形成する。この中間及び上部クラッド層7d及び7cは、その屈折率と同等の屈折率になる他の任意の感光性樹脂組成物を用い、紫外線または熱処理によって得られるものであってもよい。このようにして、高屈折率のコア層6aを、低屈折率の下部クラッド層3、中間及び上部クラッド層7d,7cで囲んで形成されるポリマー光導波路を作製することができる。さらに、この後、前記基板1をエッチング等の方法によって除去することで、ポリマー光導波路を得ることができる。又、基板1として可撓性の高分子フィルムなどを採用すれば、フレキシブルなポリマー光導波路を得ることができる。
次に、本発明によるポリマー光導波路の製造方法のもう一つの例を図3及び図4を参照しながら詳細に説明する。
まず、図3(d)に示すように、適宜の基板1上に下部クラッド層(第1クラッド層)2bを形成する。この下部クラッド層2bは、例えば、図3(a)に示すように基板1上に、図3(b)に示すように、本発明の樹脂組成物および感光性樹脂組成物2aをこの基板1上に塗布し、プリベークすることで上記樹脂組成物層2aを形成する。次に図3(c)に示すように、活性光線3aを全面露光し、熱処理(ベーク)工程を行うことでこの樹脂層2aを低屈折率化することで下部クラッド層2bを形成する(図3(d))。この下部クラッド層2bは、その屈折率と同等の屈折率になる他の任意の硬化性樹脂組成物を用い、活性光線または熱処理によって得られるものであってもよい。
本発明において、上記基板1としては、上記の例と同様に例えば、シリコン基板、ガラス基板、石英基板、ガラスエポキシ基板、金属基板、セラミック基板、高分子フィルム、または各種基板上に高分子フィルムが形成された基板等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
次に、図3(e)に示すように、上記下部クラッド層3の上に本発明の感光性樹脂組成物を塗布し、プリベークすることで、感光性樹脂組成物層4aを形成する。感光性樹脂組成物層4aの形成には、下部クラッド層2bの屈折率より高屈折率となる組成を選択して使用する。感光性樹脂組成物を塗布する方法は、特に限定されるものではなく、例えば、スピンコータを用いた回転塗布、スプレーコータを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等を用いることができる。また、プリベーク工程は、塗布した樹脂組成物および感光性樹脂組成物を乾燥して組成物中の溶剤を除去し、塗布した樹脂組成物を樹脂組成物層4aとして定着させるための工程である。プリベーク工程は、通常、60〜160℃で行われる。
次いで、図3(f)に示すように、上記感光性樹脂組成物層4aにフォトマスク5aを介して、コア層6aに対応する領域以外に化学線3bを照射し、さらに露光後加熱処理を行いし、次いで有機溶剤で現像を行い、露光部を除去した後、さらにポストベークすることで、図4(a)に示すように下部クラッド層2a上に屈折率の高いコア層6bが形成される。
露光工程は、フォトマスク5aを介して感光性樹脂組成物層4aを選択的に露光し、フォトマスク5上の導波路パターンを感光性樹脂組成物層4aに転写する工程である。前記及び後述の全面露光及び当該パターン露光に用いる活性光線3bとしては、高圧水銀灯、重水素ランプ、紫外線、可視光線、エキシマレーザ、電子線、X線等が使用できるが、180〜500nmの波長の活性光線が好ましい。
また、露光後加熱処理工程は、空気中又は不活性ガス雰囲気下、通常100〜160℃で行われる。
またポストベーク工程は、空気中又は不活性ガス雰囲気下、通常100〜200℃で行われる。またポストベーク工程は一段階で行ってもよいし多段階で行ってもよい。
さらに、コア層6bが形成された上に本発明の感光性樹脂組成物7aを、図4(b)に示すように塗布し、図4(c)に示すように、活性光線3cを全面露光し、熱処理することで低屈折率化し、図4(d)のように中間クラッド及び上部クラッド(中間クラッド層7d及び上部クラッド層7c:第2クラッド層)を一括して形成する。この中間及び上部クラッド層7d及び7cは、その屈折率と同等の屈折率になる他の任意の感光性樹脂組成物を用い、紫外線または熱処理によって得られるものであってもよい。このようにして、高屈折率のコア層6bを、低屈折率の下部クラッド層3、中間及び上部クラッド層7d,7cで囲んで形成されるポリマー光導波路を作製することができる。さらに、この後、前記基板1をエッチング等の方法によって除去することで、ポリマー光導波路を得ることができる。又、基板1として可撓性の高分子フィルムなどを採用すれば、フレキシブルなポリマー光導波路を得ることができる。
(感光性樹脂組成物の露光による屈折率差発現機構)
本発明において、感光性樹脂組成物の露光により、露光部と未露光部で屈折率差を発現する理由について説明する。本発明における露光部と未露光で、ポストベーク中に生成した反応は、それぞれ下記化6の反応式(1)および下記化7の反応式(2)で表される。露光部ではUV光により光酸発生剤から酸が放出され,それが感光性樹脂中を拡散する。この酸はポリアミド酸の側鎖R3、R4部の加水分解反応を促進する。この加水分解により生成したカルボキシル基はエポキシ基と分子間反応を生ずることにより,ポリアミド酸側鎖とエポキシとの共有結合が形成される。この分子間反応により生じた新たな構造は,アミド酸の脱水閉環(熱イミド化)温度(通常200°C以下)では脱水閉環・イミド化しない。一方,未露光箇所では,まずポリアミド酸のアミド酸部が200°C以下で脱水閉環し、通常の熱イミド化反応が進行する。また、未露光部のエポキシ化合物のほとんどはエポキシ同士で反応し架橋構造を作るが、その一部は分解あるいは蒸発して系外に出る。結果として,露光部のイミド化率は未露光部に比べて顕著に低いものとなる。これが屈折率差の主要な発現要因となっている。
A) 露光箇所のポストキュア後に生ずる反応(アミド酸とエポキシの分子間反応:熱イミドしづらく、屈折率の上昇が小さい)
Figure 2008029816
B) 未露光箇所のポストキュア後に生ずる反応(通常の熱イミド化反応が進行し、屈折率が顕著に上昇する.エポキシ化合物のほとんどはエポキシ同士で反応し架橋構造を作るが、一部は分解あるいは蒸発して系外に排出される)
Figure 2008029816
以下に、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。
(実施例1)
まず、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)7.77gをジメチルアセトアミド100gに溶解させ、室温でよく攪拌した後、N,O−ビス(トリメチルシリル)−トリフルオロアセトアミド(BSTFA)10.48gを添加し、窒素雰囲気下、室温で30分攪拌した。その後、4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物(6FDA)17.23gを加え、窒素雰囲気下室温で一日攪拌して、溶質濃度20wt%のポリアミド酸溶液(1)を合成した。
このようにして得られた20wt%のポリアミド酸溶液(1)、エポキシ化合物である3,4−エポキシシクロヘキサンカルボン酸−3’,4’−エポキシシクロヘキシルメチルと光酸発生剤4−チオフェノキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキアフルオロアンチモネートを、表1に示す組成にて混合し室温で2時間攪拌して混合溶液を得た。
以上の混合物を0.45μmのテフロン(登録商標)製フィルターを用いてろ過し、感光性樹脂組成物を調製した。4インチ径のシリコン基板上に、上記感光性樹脂をスピンコート塗布し、70℃で20分間熱処理し、塗布膜を形成した。次に、高圧水銀灯(250W)による紫外光を用いて全面露光(露光量1 J/cm)した。その後、露光試料と未露光試料を窒素気流下120℃で20分後熱処理した後、さらに150℃と210℃にてそれぞれ1時間の熱イミド化を行った。得られた露光試料と未露光試料について、メトリコン社のプリズムカプラ−PC−2000を用いて波長1320nmにおける屈折率を測定した。その測定結果を下記表1に示す。
Figure 2008029816
組成4の混合液を用いて上記と同様の条件で作られたフィルムを、自記分光光度計を用いて光透過性を測定したところ、可視〜近赤外域において85%以上の高い透明性を示した。
(実施例2)
ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン(DCHM)8.76gをγ−プチロラクトン100gに仕込み、室温でよく攪拌した後、N,O−ビス(トリメチルシリル)−トリフルオロアセトアミド(BSTFA)20.74gを添加し、窒素雰囲気下、室温で30分攪拌した。その後、4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物(6FDA)34.09gを加え、窒素雰囲気下室温で一日攪拌して、溶質濃度30wt%のポリアミド酸溶液(2)を合成した。このようにして得られた30wt%のポリアミド酸溶液(2)、エポキシ化合物と光酸発生剤4−チオフェノキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキアフルオロアンチモネートを、表2に示す組成にて混合し室温で2時間攪拌して混合溶液を得た。
以上の混合物を0.45μmのテフロン(登録商標)製フィルターを用いてろ過し、感光性樹脂組成物を調製した。4インチ径のシリコン基板上に、上記感光性樹脂をスピンコート塗布し、70℃で20分間熱処理し、塗布膜を形成した。次に、高圧水銀灯(250W)による紫外光を用いて全面露光(露光量1 J/cm)した。その後、露光試料と未露光試料を窒素気流下120℃で20分後熱処理し、さらに150℃と200℃にてそれぞれ1時間の熱イミド化を行った。次に露光試料と未露光試料について、メトリコン社のプリズムカプラを用いて波長1320nmにおける屈折率を測定した。その測定結果を下記表2に示す。
Figure 2008029816
組成4の混合液で上記と同様の条件で作られたフィルムを、自記分光光度計を用いて光り透過性を測定したところ、可視〜近赤外域において80%以上の高い透明性を示した。得られたフィルムについて、熱機械分析装置(TMA)を用いてガラス転移温度を測定したところ200℃となり、熱重量測定装置(島津製作所製、DTG−60)を用いて熱分解開始温度を測定したところ約230℃から熱分解が始まり、5% 重量減少温度(T )は275°Cであると高い耐熱性を示した。
(実施例3)
実施例2の中に示す組成4を0.45μmのテフロン(登録商標)製フィルターを用いてろ過し、導波路作製用の感光性樹脂組成物を調製した。次に4インチ径のシリコン基板上に、上記クラッド形成用感光性樹脂を回転塗布(スピンコート)し、70℃で20分間熱処理し、膜厚10μm塗布膜を形成した。次に、高圧水銀灯(250W)による紫外光を用いて全面露光(露光量1J/cm)し、露光後窒素気流下120℃で20分後熱処理し、さらに150℃と200℃にてそれぞれ1時間の熱イミド化することで下部クラッド層を形成した。次に、上記感光性樹脂を回転塗布し、70℃で20分間熱処理し、膜厚20μm塗布膜を形成した。次に、フォトマスクを介して高圧水銀灯(250W)による紫外線を1J/cm照射し、次いで窒素気流下120℃で20分間後熱処理した。次に、150℃と200℃にてそれぞれ1時間のキュア処理でコア層のパターンが得られた。次いで、上記感光性樹脂をスピンコート塗布し、70℃で20分間熱処理し、膜厚10μmの膜を形成した。次に、高圧水銀灯(250W)による紫外光を用いて全面露光(露光量1J/cm)し、露光後窒素気流下120℃で20分後熱処理し、さらに150℃と200℃にてそれぞれ1時間の熱イミド化することで上部クラッド層を形成して、ポリマー光導波路を得た。得られた導波路を基板から剥離したところ、膜質は良好であり、高い柔軟性を有していた。
以上の説明から明らかなように、本発明のポリマー光導波路形成用感光性樹脂組成物を用いることで、導波路パターンを精度よく形成でき、かつ形成した光導波路は優れた伝送特性、即ち、低い伝播損失を有するため、光導波路形成用材料として好適である。
この出願は、2006年9月4日に出願された日本出願特願2006−238847号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
本発明は、光通信、光情報処理分野などにおいて用いられる、光素子、光インターコネクション、光配線基板、光・電気混載回路基板等に利用される光導波路と、それを作製するための光導波路形成用の感光性樹脂組成物、光導波路形成方法、およびそれらを用いた光素子等の光学部品に関する。
近年、インターネット、デジタル家電が急速に普及し、通信システムやコンピュータにおける情報処理の大容量化および高速化が求められ、大容量のデータを高周波信号で高速伝送することが検討されている。
しかし、大容量の信号を高周波信号で伝送するには、従来の電気配線では伝送損失が大きいため、光による伝送システムが盛んに検討され、コンピュータ間、装置内、ボード内通信の配線等に用いられようとしている。この光による伝送システムを実現する要素のうち、光導波路は、光素子、光インターコネクション、光配線基板、光・電気混載回路基板等における基本となる構成要素となるため、光導波路に対しては、高性能かつ低コストであることが求められている。
光導波路は基板上に形成した光配線であり、ガラス導波路とポリマー導波路がある。光インターコネクション、光配線版などの素子に導波路を適用するためには、従来の電気配線技術と同程度のコストで導波路を形成する必要がある。しかし既に製品化されているガラス導波路は、シリカガラスのクラッド層とシリカガラスにゲルマニウムを添加したコア層からなり、これらの各層全ては気相成長法により形成され、火炎堆積法による1000℃以上の加熱プロセスを経る。
すなわち製造コストが高く、また高加熱プロセスを要する等プリント基板等との製造プロセスにおけるマッチングが困難であると考えられる。さらにはまた大面積の導波路の作製が困難であるなど、工業化においては製造プロセスおよびコストの点で多くの課題がある。
一方、ポリマー材料は、石英ガラスなどの従来の光学材料に比べてコスト、加工性、分子設計の容易さ等において優れていると考えられる。すなわち、ポリマーなどの有機材料を用いた導波路形成においては、スピンコート(回転塗布)によって所望の膜が形成できるため低温プロセス化が可能である。またあらゆる基板,例えば、半導体基板、銅ポリイミド配線板、ポリマー基板等、上に容易に製膜でき、低コスト、高歩留まり化はもとより高性能化、多品種化への可能性をも秘めている。実際にはこれまで、ポリメチルメタクリレート(PMMA)やエポキシ樹脂、ポリシロキサン誘導体、フッ素化ポリイミド等のポリマー材料を用いたものが検討されてきた。
例えば、特許文献1おび特許文献2には、エポキシ化合物を用いたポリマー導波路が開示されている。また、特許文献3には、ポリシロキサン誘導体を用いた導波路が開示されている。
しかし一般的には、有機化合物である樹脂組成物からなる導波路は耐熱性が低く、また光通信で用いられる波長600〜1600nmの領域おいて伝送損失が大きい等の問題が指摘されている。この問題を解決するため、例えばポリマーを重水素化やフッ素化する等の化学修飾によって伝送損失を低減したり、耐熱性を有するポリイミド誘導体を用いる等の検討がなされている。例えば、特開2005−29652号公報(特許文献4)にはポリエーテルケトン誘導体を用いた導波路が記載されている。しかし、重水素化PMMAは耐熱性が低く、またフッ素化ポリイミドは耐熱性に優れるものの、導波路パターンを形成するには、石英導波路と同様にドライエッチング工程を必要とするため、製造コストが高くなる欠点を有する。
一方、光導波路ではないが、特許文献5には、光導波路カプラーの2種のコア材として、感光性のポリアミド酸から作製されるか、又はエポキシ系またはアクリル系またはシリコーン系オリゴマーもしくはモノマーから作製されたものが開示されている。
特開平10−170738号公報 特開平11−337752号公報 特開平9−124793号公報 特開2005−29652号公報 特開2002−277662号公報
そのため、感光性樹脂を用いた光導波路を形成するにあたって、伝送損失が低く、また導波路パターンを形状精度よく、かつ低コストで作製可能な光導波路形成用感光性樹脂組成物、光導波路、及び光導波路パターンの形成方法が求められている。
そこで、本発明の技術的課題は、伝送損失が低く、また導波路パターンを形状精度よく、かつ低コストで作製可能な光導波路形成用感光性樹脂組成物、光導波路、及び光導波路パターンの形成方法を提供することにある。
本発明者らは、上記課題を解決するために検討した結果、ポリイミド構造をもつ樹脂を光導波路のコア層とクラッド層のいずれか一つまたは両方を形成するための樹脂組成物における主要構成材料として用いることによって、各層に好適な屈折率を付与し、導波路の伝送損失が低く、しかも導波路のパターン形状を精度良く形成できることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明の第1の態様による感光性樹脂組成物は、下記化1式で示す一般式(I)で表されるポリアミド酸(A)と、エポキシ基を持つ化合物(B)、および露光により酸を発生する化合物(C)を含有することを特徴としている。
Figure 2008029816
(一般式(I)のうちR1は4価の有機官能基で、ビスアルキルベンゼン、及びビスパーフルオロアルキルベンゼンの4価の有機官能基を含まず、R2は2価の有機の官能基、R3およびR4は夫々水素であるか、あるいは酸により分解する官能基を表わす。)
また、本発明の第2の態様による屈折率制御方法は、感光性樹脂組成物に活性光線を照射し、引き続き加熱することで、当該活性光線に対する露光部と未露光部における屈折率差を生じさせる屈折率制御方法であって、前記感光性樹脂組成物は、下記化2式の一般式(I)で表されるポリアミド酸(A)と、エポキシ基を持つ化合物(B)、および露光により酸を発生する化合物(C)を含有することを特徴とする。
Figure 2008029816
(一般式(I)のうちR1は4価の有機官能基で、ビスアルキルベンゼン、及びビスパーフルオロアルキルベンゼンの4価の有機官能基を含まず、R2は2価の有機の官能基、R3およびR4は夫々水素であるか、あるいは酸により分解する官能基を表わす。)
ここで、本発明の第2の態様において、活性光線を照射し、引き続き加熱することで、露光部と未露光部における屈折率差が生じることが好ましい。
また、本発明の第3の態様による光導波路によれば、前記屈折率制御法により得られた、より屈折率が高い部位をコアとし、より屈折率が低い部位をクラッドとして用いたことを特徴とする。
本発明の第4の態様によれば、コア層と、該コア層に積層して形成されるクラッド層を有する光導波路であって、該コア層および該クラッド層のいずれかまたは両方に、感光性樹脂組成物を用い、前記感光性樹脂組成物は、下記化3式の一般式(I)で表されるポリアミド酸(A)と、エポキシ基を持つ化合物(B)、および露光により酸を発生する化合物(C)を含有することを特徴とする。
Figure 2008029816
(一般式(I)のうちR1は4価の有機官能基で、ビスアルキルベンゼン、及びビスパーフルオロアルキルベンゼンの4価の有機官能基を含まず、R2は2価の有機の官能基、R3およびR4は夫々水素であるか、あるいは酸により分解する官能基を表わす。)
また、本発明の第5の態様による光導波路パターンの形成方法は、基板上に第1クラッド層を形成する工程と、感光性樹脂組成物を上記第1クラッド層上に塗布する工程と、プリベークを行う工程と、上記感光性樹脂組成物層にマスクを介してコアもしくはコア以外となる領域のどちらか一方に活性光線を照射する工程と、上記形成されたコア及び第1クラッド層の上に第2クラッド層を形成する工程を少なくとも含み、前記感光性樹脂組成物は、下記化4式の一般式(I)で表されるポリアミド酸(A)と、エポキシ基を持つ化合物(B)、および露光により酸を発生する化合物(C)を含有することを特徴とする。
Figure 2008029816
(一般式(I)のうちR1は4価の有機官能基で、ビスアルキルベンゼン、及びビスパーフルオロアルキルベンゼンの4価の有機官能基を含まず、R2は2価の有機の官能基、R3およびR4は夫々水素であるか、あるいは酸により分解する官能基を表わす。)
また、本発明の第6の態様による光学部品は、光素子又はデバイスからなる光学部品において、前記導波路パターンの形成方法により形成した光導波路を用いたことを特徴とする。
本発明の光導波路形成用感光性樹脂組成物は、導波路パターンを精度よく形成でき、また溶媒を用いた現像プロセスを必要とせずパターンが形成できる。さらに形成した光導波路は優れた伝送特性、即ち、低い伝播損失を有し、またポリイミド骨格に由来する高い熱安定性を有するため、光素子、デバイス用途の光導波路として好適に用いることができる。
以下、本発明の光導波路形成用感光性樹脂組成物及び光導波路形成方法について具体的に説明する。
(光導波路形成用樹脂組成物)
本発明の光導波路形成用樹脂組成物(以下、樹脂組成物という)は、少なくとも下記化5の一般式(I)で表されるポリアミド酸またはポリアミド酸エステル(A)と、エポキシ基を持つ化合物(B)、および露光により酸を発生する化合物(C)を含有することで得られる。
Figure 2008029816
本発明の一般式(I)で表される繰り返し構造単位は基本的にテトラカルボン酸二無水物とジアミンとから得られるポリアミド酸またはポリアミド酸エステル構造である。すなわちR1は、テトラカルボン酸のカルボキシル基を除いた残基であり、芳香環を含む基であることが好ましく、炭素原子を6ないし40であるものがより好適である。芳香環を含む基としては、一個の芳香環または二個以上の芳香環が単結合、エーテル結合、メチレン結合、エチレン結合、2,2−ヘキサフルオロプロピリデン結合、スルホン結合、スルホキシド結合、チオエーテル結合およびカルボニル結合を介して結合した化学構造を有する四価の有機基が好適である。
前記テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、R1がベンゼン、アルキルベンゼン、又はパーフルオロアルキルベンゼンの4価の有機基である:ピロメリット酸二無水物(トリフルオロメチル)ピロメリット酸二無水物、ジ(トリフルオロメチル)ピロメリット酸二無水物を挙げることができる。
また、R1が2個以上のベンゼン環を備えた芳香族炭化水素、そのエーテル、それらのケトン、及びそれらの1以上のパーフルオロアルキルの置換体の内のいずれかの四価の有機基である:ビス{3,5−ジ(トリフルオロメチル)フェノキシ}ピロメリット酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−テトラカルボキシジフェニルエーテル二無水物、2,3’,3,4’−テトラカルボキシジフェニルエーテル二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−テトラカルボキシナフタレン二無水物、1,4,5,7−テトラカルボキシナフタレン二無水物、1,4,5,6−テトラカルボキシナフタレン二無水物、3,3’,4,4’−テトラカルボキシジフェニルメタン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、5,5’−ビス(トリフルオロメチル)−3,3’,4,4’−テトラカルボキシビフェニル二無水物、2,2’,5,5’−テトラキス(トリフルオロメチル)−3,3’,4,4’−テトラカルボキシビフェニル二無水物、5,5’−ビス(トリフルオロメチル)−3,3’,4,4’−テトラカルボキシジフェニルエーテル二無水物、5,5’−ビス(トリフルオロメチル)−3,3’,4,4’−テトラカルボキシベンゾフェノン二無水物、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ベンゼン二無水物、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノキシ}(トリフルオロメチル)ベンゼン二無水物、ビス(ジカルボキシフェノキシ)(トリフルオロメチル)ベンゼン二無水物、ビス(ジカルボキシフェノキシ)ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン二無水物、ビス(ジカルボキシフェノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼン二無水物、3,4,9,10−テトラカルボキシペリレン二無水物、2,2−ビス{4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル}プロパン二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス{4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン二無水物、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ビフェニル二無水物、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル二無水物、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ジフェニルエーテル二無水物、ビス(ジカルボキシフェノキシ)ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル二無水物、ビス(3、4−ジカルボキシフェニル)ジメチルシラン二無水物、1、3−ビス(3、4−ジカルボキシフェニル)テトラメチルジシロキサン二無水物、ジフルオロピロメリット酸二無水物、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシトリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン二無水物、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシトリフルオロフェノキシ)オクタフルオロビフェニル二無水物、4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物、などを挙げることができる。また、これらの酸二無水物の芳香環に含まれる一部あるいはすべての炭素を、水素添加処理等により芳香族性を有しない飽和炭素に置き換えた構造を有する酸二無水物も原料として使用することができるが、これらに限定されるものではない。
なお、Rとして、ビスアルキルベンゼン、ビスパーフルオロアルキルベンゼンの4価基を含まないことが好ましい。
また、一般式(I)で表される繰り返し単位におけるR2は、テトラカルボン酸やその誘導体と反応してポリイミド前駆体をなすことができるジアミン化合物のアミノ基を除いた残基であることが好ましい。そのなかでもベンゼン環を一つ持つ2価の有機官能基であることが好ましく、フェニレン基、フルオロフェニレン基又はフルオロアルキルフェニレン、アルキルフェニレン基を形成するものが好ましく、ベンゼン環を2個以上有する2価の有機官能基も好ましい。さらに、Siを含む2価の有機官能基も好ましい。
ベンゼン環を一つ有するフェニレン基を形成するジアミン化合物としては、m−フェニレンジアミンを例示することができる。
また、フルオロフェニレン基又はフルオロアルキルフェニレン基を形成するジアミン化合物としては、1,3−ジアミノテトラフルオロベンゼン、1,4−ジアミノテトラフルオロベンゼン、2,5−ジアミノベンゾトリフルオライド、ビス(トリフルオロメチル)フェニレンジアミン、ジアミノテトラ(トリフルオロメチル)ベンゼン、ジアミノ(ペンタフルオロエチル)ベンゼンを例示することができるが、パーフルオロフェニレン以外の、1,3−ジアミノテトラフルオロベンゼン、1,4−ジアミノテトラフルオロベンゼン、2,5−ジアミノベンゾトリフルオライド、ビス(トリフルオロメチル)フェニレンジアミンが好ましい。
また、アルキルフェニレン基を形成するジアミン化合物としては、2,4−ジアミノトルエン、2,4−ジアミノキシレン、2,4−ジアミノデュレン、p−フェニレンジアミン、2,5−ジアミノトルエン、2,3,5,6−テトラメチル−p−フェニレンジアミンを例示することができる。
また、ベンゼン環を2個以上有する2価の有機官能基を形成するジアミン化合物の例としては、ベンジジン、2,2’−ジメチルベンジジン、3,3’−ジメチルベンジジン、3,3’−ジメトキシベンジジン、2,2’−ジメトキシベンジジン、3,3’,5,5’−テトラメチルベンジジン、3,3’−ジアセチルベンジジン、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル、オクタフルオロベンジジン、3,3’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビス(p−アミノフェニル)プロパン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’’−ジアミノ−p−テルフェニル、1,4−ビス(p−アミノフェニル)ベンゼン、p−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ベンゼン、4,4’’’−ジアミノ−p−クオーターフェニル、4,4’−ビス(p−アミノフェノキシ)ビフェニル、2,2−ビス{4−(p−アミノフェノキシ)フェニル}プロパン、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシフェニル)ジフェニルスルホン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス{4−(3−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス{4−(2−アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)−3,5−ジメチルフェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)−3,5−ジトリフルオロメチルフェニル}ヘキサフルオロプロパン、4,4’−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(4−アミノ−3−トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、2,2−ビス{4−(4−アミノ−3−トリフルオロメチルフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、ビス{(トリフルオロメチル)アミノフェノキシ}ビフェニル、ビス[{(トリフルオロメチル)アミノフェノキシ}フェニル]ヘキサフルオロプロパン、ジアミノアントラキノン、1,5−ジアミノナフタレン、2,6−ジアミノナフタレン、ビス[{2−(アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロイソプロピル]ベンゼン、ビス(2,3,5,6)−テトラフルオロ−4−アミノフェニル)エーテルを例示することができる。
さらに、Siを含む2価の有機官能基を形成する有機シリコンジアミン化合物の例としては、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,4−ビス(3−アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン、ビス(4−アミノフェニル)ジエチルシラン、4,4’−ビス(テトラフルオロアミノフェノキシ)オクタフルオロビフェニルなどを例示することもできる。
また、これらのジアミン化合物の芳香環に含まれる一部あるいはすべての炭素を、水素添加処理等により芳香族性を有しない飽和炭素に置き換えた構造を有するジアミン化合物も原料として使用することができるが、これらに限定されるものではない。
一般式(I)で表される繰り返し構造単位においてR3およびR4は水素原子および酸により分解する置換基を表す。R3およびR4としては例えば、t−ブチル基、t−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、エトキシエチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、トリメチルシリル基、トリメチルシリルエーテル基などが挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
また、得られる重合体の重量平均分子量(Mw)は、1,000以上が好ましく、4,000以上がより好ましい。また、1,000,000以下が好ましく、500,000以下がより好ましい。
また、本発明の感光性樹脂組成物に用いる光酸発生剤としては、活性光線の照射によって酸を発生する光酸発生剤であることが望ましく、本発明における重合体などとの混合物が有機溶媒に十分に溶解し、かつその溶液を用いて、スピンコ−トなどの製膜法で均一な塗布膜が形成可能なものであれば特に制限されない。また、単独でも、2種以上を混合して用いてもよい。
使用可能な光酸発生剤の例としては、例えばトリアリールスルホニウム塩誘導体、ジアリールヨ−ドニウム塩誘導体、ジアルキルフェナシルスルホニウム塩誘導体、ニトロベンジルスルホナート誘導体、N−ヒドロキシナフタルイミドのスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシイミドのスルホン酸エステル誘導体等が挙げられるが、これらだけに限定されるものではない。
光酸発生剤の含有率は、感光性樹脂組成物の十分な感度を実現し、良好なパターン形成を可能とする観点から、重合体、エポキシ化合物、光酸発生剤の総和、あるいはさらにオキセタン化合物を含む場合における総和に対して0.1質量%以上が好ましく、0.5質量%以上がより好ましい。一方、均一な塗布膜の形成を実現し、導波路の特性を損なわない観点から、15質量%以下が好ましく、7質量%以下がより好ましい。
また本発明の感光性樹脂組成物は、上記重合体と光酸発生剤に加えエポキシ化合物を含む。エポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールAジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールAジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、1,2−シクロヘキサンカルボン酸ジグリシジルエステル、3,4−エポキシシクロヘキサンカルボン酸3,4−エポキシシクロヘキシルメチル、トリスエポキシプロピルイソシアヌレート、2−エポキシエチルビシクロ[2,2,1]ヘプチルグリシジルエーテル、エチレングリコールビス(2−エポキシエチルビシクロ[2,2,1]ヘプチル)エーテル、ビス(2−エポキシエチルビシクロ[2,2,1]ヘプチル)エーテル等が挙げられるが、もちろんこれらだけに限定されるものではない。
またこれらエポキシ化合物の含有率は、それ自身を含む全構成分に対して通常0.5〜80質量%、好ましくは1〜70質量%である。また、単独でも、2種以上を混合して用いてもよい。
また本発明の感光性樹脂組成物は、上記重合体と感光剤、エポキシ化合物に加えさらにオキセタン化合物を含んでいても良い。オキセタン化合物としては、例えば、3−エチル−3−ヒドロキシメチルオキセタン、1,4−ビス{[(3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ]メチル}ベンゼン、3−エチル−3−(フェノキシメチル)オキセタン、ジ[1−エチル(3−オキセタニル)]メチルエーテル、3−エチル−3−(2−エチルヘキシロキシメチル)オキセタン、3−エチル−3−{[3−(トリエトキシシリル)プロポキシ]メチル}オキセタン等が挙げられるが、これらだけに限定されるものではない。
またこれらオキセタン化合物を加える場合、その含有率は、それ自身を含む全構成分に対して通常0.5〜80質量%、好ましくは1〜70質量%である。また、単独でも、2種以上を混合して用いてもよい。
また、本発明の樹脂組成物は、感光性樹脂組成物を含み、上記重合体、光酸発生剤、エポキシ化合物、オキセタン化合物に加え、光導波路としての特性を損なわない範囲で種々の無機微粒子を添加剤として加えてもよい。そのような添加剤としては、例えばアルミナ、シリカ、ガラス繊維、ガラスビーズ、シリコーン、酸化チタンなどの金属酸化物等が挙げられる。これらの添加剤を加えることで、耐クラック性、耐熱性を向上したり、低弾性率化を図ったり、導波路の反りを改善できる。
さらに本発明の樹脂組成物は、感光性樹脂組成物を含み、必要に応じて本発明の効果を損なわない範囲において、密着性向上剤、レベリング剤、塗布性改良剤、濡れ性改良剤、界面活性剤、光増感剤、脱水剤、重合禁止剤、重合開始助剤、紫外線吸収剤、可塑剤、酸化防止剤、帯電防止剤、などといった成分を添加して、本発明の樹脂組成物および感光性樹脂組成物を調製することもできる。
なお、上記樹脂組成物もしくは、感光性樹脂組成物を調製する際に、必要に応じて、適当な溶剤を用いる。溶剤としては、感光性樹脂組成物が充分に溶解でき、その溶液をスピンコート法などの方法で均一に塗布できる有機溶媒等であれば特に制限されない。具体的には、γ−ブチロラクトン、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、2−ヘプタノン、酢酸2−メトキシブチル、酢酸2−エトキシエチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、N−メチル−2−ピロリドン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルイソブチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等を使用することができる。これらは、単独でも2種類以上を混合して用いてもよい。
(導波路パターンの形成方法)
本発明によるポリマー光導波路の製造について説明する。ポリマー光導波路は屈折率の高いコアと屈折率の低いクラッドからなるものであり、コアをクラッドで取り巻く形状に形成されるが、少なくとも以下の工程を含む導波路パターンの形成方法により得られる。
(1)適宜の基板上に下部クラッド層を形成する工程と、
(2)本発明の感光性樹脂組成物を上記下部クラッド層上に塗布する工程と、
(3)光照射前熱処理(プリベーク)を行う工程と、
(4)上記感光性樹脂組成物層にマスクを介してコアとなるべき領域に、あるいはコアとなるべき領域以外に、紫外線などの活性光線を照射する工程と、
(5)露光後加熱(ポストベーク)を行い、コア層を形成する工程と、
(6)上記形成されたコア層及び下部クラッド層の上に上部クラッド層を形成する工程を少なくとも含む。また上記下部クラッドと中間及び上部クラッドの何れか一方又は両方を本発明の感光性樹脂組成物を用いて同様に化学線を照射して形成してもよいが、その場合、コア層よりも屈折率が低くなる組成を選択して使用する。
以下に、本発明によるポリマー光導波路の製造方法の一例を図1及び図2を参照しながら詳細に説明する。
まず、図1(d)に示すように、適宜の基板1上に下部クラッド層(第1クラッド層)2bを形成する。この下部クラッド層2bは、例えば、図1(a)に示すように基板1上に、図1(b)に示すように、本発明の樹脂組成物および感光性樹脂組成物2aをこの基板1上に塗布し、プリベークすることで上記樹脂組成物層2aを形成する。次に図1(c)に示すように、活性光線3aを全面露光し、熱処理(ベーク)工程を行うことでこの樹脂層2aを低屈折率化することで下部クラッド層2bを形成する(図1(d))。この下部クラッド層2bは、その屈折率と同等の屈折率になる他の任意の硬化性樹脂組成物を用い、活性光線または熱処理によって得られるものであってもよい。
本発明において、上記基板1としては、例えば、シリコン基板、ガラス基板、石英基板、ガラスエポキシ基板、金属基板、セラミック基板、高分子フィルム、または各種基板上に高分子フィルムが形成された基板等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
次に、図1(e)に示すように、上記下部クラッド層2bの上に本発明の感光性樹脂組成物を塗布し、プリベークすることで、感光性樹脂組成物層4aを形成する。感光性樹脂組成物層4aの形成には、下部クラッド層2bの屈折率より高屈折率となる組成を選択して使用する。感光性樹脂組成物4aを塗布する方法は、特に限定されるものではなく、例えば、スピンコータを用いた回転塗布、スプレーコータを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等を用いることができる。また、プリベーク工程は、塗布した樹脂組成物および感光性樹脂組成物を乾燥して組成物中の溶剤を除去し、塗布した樹脂組成物を樹脂組成物層4aとして定着させるための工程である。プリベーク工程は、通常、60〜160℃で行われる。
次いで、図1(f)に示すように、上記感光性樹脂組成物層4aにフォトマスク5aを介して、コア層6aに対応する領域に化学線3bを照射し、さらに露光後加熱処理を行いし、次いで有機溶剤で現像を行い、未露光部を除去した後、さらにポストベークすることで、図2(a)に示すように下部クラッド層2b上に屈折率の高いコア層6aが形成される。
露光工程は、フォトマスク5aを介して感光性樹脂組成物層4aを選択的に露光し、フォトマスク5a上の導波路パターンを感光性樹脂組成物層4aに転写する工程である。前記及び後述の全面露光及び当該パターン露光に用いる活性光線3bとしては、高圧水銀灯、重水素ランプ、紫外線、可視光線、エキシマレーザ、電子線、X線等が使用できるが、180〜500nmの波長の活性光線が好ましい。
また、露光後加熱処理工程は、空気中又は不活性ガス雰囲気下、通常100〜160℃で行われる。
またポストベーク工程は、空気中又は不活性ガス雰囲気下、通常100〜200℃で行われる。またポストベーク工程は一段階で行ってもよいし多段階で行ってもよい。
さらに、コア層6aが形成された上に本発明の感光性樹脂組成物7aを、図2(b)に示すように塗布し、図2(c)に示すように、活性光線3cを全面露光し、熱処理することで低屈折率化し、図2(d)のように中間クラッド及び上部クラッド(中間クラッド層7d及び上部クラッド層7c:第2クラッド層)を一括して形成する。この中間及び上部クラッド層7d及び7cは、その屈折率と同等の屈折率になる他の任意の感光性樹脂組成物を用い、紫外線または熱処理によって得られるものであってもよい。このようにして、高屈折率のコア層6aを、低屈折率の下部クラッド層2b、中間及び上部クラッド層7d,7cで囲んで形成されるポリマー光導波路を作製することができる。さらに、この後、前記基板1をエッチング等の方法によって除去することで、ポリマー光導波路を得ることができる。又、基板1として可撓性の高分子フィルムなどを採用すれば、フレキシブルなポリマー光導波路を得ることができる。
次に、本発明によるポリマー光導波路の製造方法のもう一つの例を図3及び図4を参照しながら詳細に説明する。
まず、図3(d)に示すように、適宜の基板1上に下部クラッド層(第1クラッド層)2bを形成する。この下部クラッド層2bは、例えば、図3(a)に示すように基板1上に、図3(b)に示すように、本発明の樹脂組成物および感光性樹脂組成物2aをこの基板1上に塗布し、プリベークすることで上記樹脂組成物層2aを形成する。次に図3(c)に示すように、活性光線3aを全面露光し、熱処理(ベーク)工程を行うことでこの樹脂層2aを低屈折率化することで下部クラッド層2bを形成する(図3(d))。この下部クラッド層2bは、その屈折率と同等の屈折率になる他の任意の硬化性樹脂組成物を用い、活性光線または熱処理によって得られるものであってもよい。
本発明において、上記基板1としては、上記の例と同様に例えば、シリコン基板、ガラス基板、石英基板、ガラスエポキシ基板、金属基板、セラミック基板、高分子フィルム、または各種基板上に高分子フィルムが形成された基板等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
次に、図3(e)に示すように、上記下部クラッド層2bの上に本発明の感光性樹脂組成物を塗布し、プリベークすることで、感光性樹脂組成物層4aを形成する。感光性樹脂組成物層4aの形成には、下部クラッド層2bの屈折率より高屈折率となる組成を選択して使用する。感光性樹脂組成物を塗布する方法は、特に限定されるものではなく、例えば、スピンコータを用いた回転塗布、スプレーコータを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等を用いることができる。また、プリベーク工程は、塗布した樹脂組成物および感光性樹脂組成物を乾燥して組成物中の溶剤を除去し、塗布した樹脂組成物を樹脂組成物層4aとして定着させるための工程である。プリベーク工程は、通常、60〜160℃で行われる。
次いで、図3(f)に示すように、上記感光性樹脂組成物層4aにフォトマスク5aを介して、コア層6aに対応する領域以外に化学線3bを照射し、さらに露光後加熱処理を行いし、次いで有機溶剤で現像を行い、露光部を除去した後、さらにポストベークすることで、図4(a)に示すように下部クラッド層2b上に屈折率の高いコア層6bが形成される。
露光工程は、フォトマスク5bを介して感光性樹脂組成物層4aを選択的に露光し、フォトマスク5上の導波路パターンを感光性樹脂組成物層4aに転写する工程である。前記及び後述の全面露光及び当該パターン露光に用いる活性光線3bとしては、高圧水銀灯、重水素ランプ、紫外線、可視光線、エキシマレーザ、電子線、X線等が使用できるが、180〜500nmの波長の活性光線が好ましい。
また、露光後加熱処理工程は、空気中又は不活性ガス雰囲気下、通常100〜160℃で行われる。
またポストベーク工程は、空気中又は不活性ガス雰囲気下、通常100〜200℃で行われる。またポストベーク工程は一段階で行ってもよいし多段階で行ってもよい。
さらに、コア層6bが形成された上に本発明の感光性樹脂組成物7aを、図4(b)に示すように塗布し、図4(c)に示すように、活性光線3cを全面露光し、熱処理することで低屈折率化し、図4(d)のように中間クラッド及び上部クラッド(中間クラッド層7d及び上部クラッド層7c:第2クラッド層)を一括して形成する。この中間及び上部クラッド層7d及び7cは、その屈折率と同等の屈折率になる他の任意の感光性樹脂組成物を用い、紫外線または熱処理によって得られるものであってもよい。このようにして、高屈折率のコア層6bを、低屈折率の下部クラッド層2b、中間及び上部クラッド層7d,7cで囲んで形成されるポリマー光導波路を作製することができる。さらに、この後、前記基板1をエッチング等の方法によって除去することで、ポリマー光導波路を得ることができる。又、基板1として可撓性の高分子フィルムなどを採用すれば、フレキシブルなポリマー光導波路を得ることができる。
(感光性樹脂組成物の露光による屈折率差発現機構)
本発明において、感光性樹脂組成物の露光により、露光部と未露光部で屈折率差を発現する理由について説明する。本発明における露光部と未露光で、ポストベーク中に生成した反応は、それぞれ下記化6の反応式(1)および下記化7の反応式(2)で表される。露光部ではUV光により光酸発生剤から酸が放出され,それが感光性樹脂中を拡散する。この酸はポリアミド酸の側鎖R3、R4部の加水分解反応を促進する。この加水分解により生成したカルボキシル基はエポキシ基と分子間反応を生ずることにより,ポリアミド酸側鎖とエポキシとの共有結合が形成される。この分子間反応により生じた新たな構造は,アミド酸の脱水閉環(熱イミド化)温度(通常200°C以下)では脱水閉環・イミド化しない。一方,未露光箇所では,まずポリアミド酸のアミド酸部が200°C以下で脱水閉環し、通常の熱イミド化反応が進行する。また、未露光部のエポキシ化合物のほとんどはエポキシ同士で反応し架橋構造を作るが、その一部は分解あるいは蒸発して系外に出る。結果として,露光部のイミド化率は未露光部に比べて顕著に低いものとなる。これが屈折率差の主要な発現要因となっている。
A) 露光箇所のポストキュア後に生ずる反応(アミド酸とエポキシの分子間反応:熱イミドしづらく、屈折率の上昇が小さい)
Figure 2008029816
B) 未露光箇所のポストキュア後に生ずる反応(通常の熱イミド化反応が進行し、屈折率が顕著に上昇する.エポキシ化合物のほとんどはエポキシ同士で反応し架橋構造を作るが、一部は分解あるいは蒸発して系外に排出される)
Figure 2008029816
以下に、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。
(実施例1)
まず、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)7.77gをジメチルアセトアミド100gに溶解させ、室温でよく攪拌した後、N,O−ビス(トリメチルシリル)―トリフルオロアセトアミド(BSTFA)10.48gを添加し、窒素雰囲気下、室温で30分攪拌した。その後、4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物(6FDA)17.23gを加え、窒素雰囲気下室温で一日攪拌して、溶質濃度20wt%のポリアミド酸溶液(1)を合成した。
このようにして得られた20wt%のポリアミド酸溶液(1)、エポキシ化合物である3,4−エポキシシクロヘキサンカルボン酸−3’,4’−エポキシシクロヘキシルメチルと光酸発生剤4−チオフェノキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキアフルオロアンチモネートを、表1に示す組成にて混合し室温で2時間攪拌して混合溶液を得た。
以上の混合物を0.45μmのテフロン(登録商標)製フィルターを用いてろ過し、感光性樹脂組成物を調製した。4インチ径のシリコン基板上に、上記感光性樹脂をスピンコート塗布し、70℃で20分間熱処理し、塗布膜を形成した。次に、高圧水銀灯(250W)による紫外光を用いて全面露光(露光量1 J/cm)した。その後、露光試料と未露光試料を窒素気流下120℃で20分後熱処理した後、さらに150℃と210℃にてそれぞれ1時間の熱イミド化を行った。得られた露光試料と未露光試料について、メトリコン社のプリズムカプラ−PC−2000を用いて波長1320nmにおける屈折率を測定した。その測定結果を下記表1に示す。
Figure 2008029816
組成4の混合液を用いて上記と同様の条件で作られたフィルムを、自記分光光度計を用いて光透過性を測定したところ、可視〜近赤外域において85%以上の高い透明性を示した。
(実施例2)
ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン(DCHM)8.76gをγ―チロラクトン100gに仕込み、室温でよく攪拌した後、N,O−ビス(トリメチルシリル)―トリフルオロアセトアミド(BSTFA)20.74gを添加し、窒素雰囲気下、室温で30分攪拌した。その後、4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物(6FDA)34.09gを加え、窒素雰囲気下室温で一日攪拌して、溶質濃度30wt%のポリアミド酸溶液(2)を合成した。このようにして得られた30wt%のポリアミド酸溶液(2)、エポキシ化合物と光酸発生剤4−チオフェノキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキアフルオロアンチモネートを、表2に示す組成にて混合し室温で2時間攪拌して混合溶液を得た。
以上の混合物を0.45μmのテフロン(登録商標)製フィルターを用いてろ過し、感光性樹脂組成物を調製した。4インチ径のシリコン基板上に、上記感光性樹脂をスピンコート塗布し、70℃で20分間熱処理し、塗布膜を形成した。次に、高圧水銀灯(250W)による紫外光を用いて全面露光(露光量1 J/cm)した。その後、露光試料と未露光試料を窒素気流下120℃で20分後熱処理し、さらに150℃と200℃にてそれぞれ1時間の熱イミド化を行った。次に露光試料と未露光試料について、メトリコン社のプリズムカプラを用いて波長1320nmにおける屈折率を測定した。その測定結果を下記表2に示す。
Figure 2008029816
組成4の混合液で上記と同様の条件で作られたフィルムを、自記分光光度計を用いて光り透過性を測定したところ、可視〜近赤外域において80%以上の高い透明性を示した。得られたフィルムについて、熱機械分析装置(TMA)を用いてガラス転移温度を測定したところ200℃となり、熱重量測定装置(島津製作所製、DTG−60)を用いて熱分解開始温度を測定したところ約230℃から熱分解が始まり、5% 重量減少温度(T )は275°Cであると高い耐熱性を示した。
(実施例3)
実施例2の中に示す組成4を0.45μmのテフロン(登録商標)製フィルターを用いてろ過し、導波路作製用の感光性樹脂組成物を調製した。次に4インチ径のシリコン基板上に、上記クラッド形成用感光性樹脂を回転塗布(スピンコート)し、70℃で20分間熱処理し、膜厚10μm塗布膜を形成した。次に、高圧水銀灯(250W)による紫外光を用いて全面露光(露光量1J/cm)し、露光後窒素気流下120℃で20分後熱処理し、さらに150℃と200℃にてそれぞれ1時間の熱イミド化することで下部クラッド層を形成した。次に、上記感光性樹脂を回転塗布し、70℃で20分間熱処理し、膜厚20μm塗布膜を形成した。次に、フォトマスクを介して高圧水銀灯(250W)による紫外線を1J/cm照射し、次いで窒素気流下120℃で20分間後熱処理した。次に、150℃と200℃にてそれぞれ1時間のキュア処理でコア層のパタ−ンが得られた。次いで、上記感光性樹脂をスピンコート塗布し、70℃で20分間熱処理し、膜厚10μmの膜を形成した。次に、高圧水銀灯(250W)による紫外光を用いて全面露光(露光量1J/cm)し、露光後窒素気流下120℃で20分後熱処理し、さらに150℃と200℃にてそれぞれ1時間の熱イミド化することで上部クラッド層を形成して、ポリマー光導波路を得た。得られた導波路を基板から剥離したところ、膜質は良好であり、高い柔軟性を有していた。
以上の説明から明らかなように、本発明のポリマー光導波路形成用感光性樹脂組成物を用いることで、導波路パターンを精度よく形成でき、かつ形成した光導波路は優れた伝送特性、即ち、低い伝播損失を有するため、光導波路形成用材料として好適である。
この出願は、2006年9月4日に出願された日本出願特願2006−238847号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
本発明による感光性樹脂組成物によるポリマー導波路の製造工程を示す一例であり、(a)〜(f)はそれぞれ概略断面図である。 本発明による感光性樹脂組成物によるポリマー導波路の製造工程を示す一例であり、(a)〜(d)はそれぞれ概略断面図である。 本発明による感光性樹脂組成物によるポリマー導波路の製造工程を示すもう一つの一例であり、(a)〜(f)はそれぞれ概略断面図である。 本発明による感光性樹脂組成物によるポリマー導波路の製造工程を示すもう一つの一例であり、(a)〜(d)はそれぞれ概略断面図である。
1 基板
2a,2b 下部クラッド層
3a,3b,3c 紫外線
4a,4b,4c 本発明の光導波路用感光性樹脂組成物にて形成したコア層
5a,5b フォトマスク
6a,6b 形成されたコア部
7a,7b,7c,7d 本発明の光導波路用感光性樹脂組成物にて形成した上部クラッド層

Claims (41)

  1. 一般式(I)で表されるポリアミド酸(A)と、エポキシ基を持つ化合物(B)、および露光により酸を発生する化合物(C)を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
    Figure 2008029816
    (一般式(I)のうちR1は4価の有機官能基で、ビスアルキルベンゼン、及びビスパーフルオロアルキルベンゼンの4価の有機官能基を含まず、R2は2価の有機の官能基、R3およびR4は夫々独立に水素、あるいは酸により分解する官能基を表わす。)
  2. 請求項1に記載の感光性樹脂組成物において、前記R1は、ベンゼン、モノアルキルベンゼン、モノパーフルオロアルキルベンゼンと、2個以上のベンゼン環を備えた芳香族炭化水素、それらのエーテル、それらのケトン、それらの1以上のパーフルオロアルキルの置換体、及びそれらの芳香環に含まれる一部あるいはすべての炭素を、水素添加処理等により芳香族性を有しない飽和炭素に置き換えた構造を有する4価の有機官能基とを含む群から選択された少なくとも一種の4価の有機官能基を有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
  3. 請求項1に記載の感光性樹脂組成物において、前記R2はテトラカルボン酸及びその誘導体のいずれかと反応してポリイミド前駆体動をなすことができるジアミン化合物のアミノ基を除いた残基であることを特徴とする感光性樹脂組成物。
  4. 請求項3に記載の感光性樹脂組成物において、前記R2はベンゼン環を一つ有する、フェニレン基、パーフルオロアルキルフェニレン基、フルオロフェニレン基、アルキルフェニレン基、ベンゼン環を2つ以上有する2価の有機官能基、Siを含む2価の有機官能基、及びそれらの芳香環に含まれる一部あるいはすべての炭素を、水素添加処理等により芳香族性を有しない飽和炭素に置き換えた構造を有する2価の有機官能基の内の少なくとも1種であることを特徴とする感光性樹脂組成物。
  5. 請求項4に記載の感光性樹脂組成物において、前記R2はベンゼン環を一つ有する2価の有機官能基は、アルキルフェニレン基と、パーフルオロフェニレン基を含まないことを特徴とする感光性樹脂組成物。
  6. 請求項1に記載の感光性樹脂組成物において、前記ポリアミド酸(A)を5〜90質量%、前記化合物(B)を0.5〜80質量%、前記化合物(C)を0.5〜15質量%含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。
  7. 請求項1に記載の感光性樹脂組成物において、更に、オキセタン化合物を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。
  8. 請求項1に記載の感光性樹脂組成物において、更に、アルミナ、シリカ、ガラス繊維、ガラスビーズ、シリコーン、酸化チタン、金属酸化物からなる群より選択される少なくとも一つの添加剤をさらに含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。
  9. 請求項1に記載の感光性樹脂組成物において、活性光線を照射し、引き続き加熱することで、露光部と未露光部における屈折率差が生じることを特徴とする感光性樹脂組成物。
  10. 感光性樹脂組成物に活性光線を照射し、引き続き加熱することで、当該活性光線に対する露光部と未露光部における屈折率差を生じさせる屈折率制御方法であって、前記感光性樹脂組成物は、下記化2式の一般式(I)で表されるポリアミド酸(A)と、エポキシ基を持つ化合物(B)、および露光により酸を発生する化合物(C)を含有することを特徴とする屈折率制御方法。
    Figure 2008029816
    (一般式(I)のうちR1は4価の有機官能基で、ビスアルキルベンゼン、及びビスパーフルオロアルキルベンゼンの4価の有機官能基を含まず、R2は2価の有機の官能基、R3およびR4は夫々独立に水素、あるいは酸により分解する官能基を表わす。)
  11. 請求項10に記載の屈折率制御方法において、前記感光性樹脂組成物の前記R1は、ベンゼン、モノアルキルベンゼン、モノパーフルオロアルキルベンゼンと、2個以上のベンゼン環を備えた芳香族炭化水素、それらのエーテル、それらのケトン、それらの1以上のパーフルオロアルキルの置換体、及びそれらの芳香環に含まれる一部あるいはすべての炭素を、水素添加処理等により芳香族性を有しない飽和炭素に置き換えた構造を有する4価の有機官能基とを含む群から選択された少なくとも一種の4価の有機官能基を有することを特徴とする屈折率制御方法。
  12. 請求項10に記載の屈折率制御方法において、前記R2はテトラカルボン酸及びその誘導体のいずれかと反応してポリイミド前駆体動をなすことができるジアミン化合物のアミノ基を除いた残基であることを特徴とする屈折率制御方法。
  13. 請求項12に記載の屈折率制御方法において、前記R2はベンゼン環を一つ有する、フェニレン基、パーフルオロアルキルフェニレン基、フルオロフェニレン基、アルキルフェニレン基、ベンゼン環を2つ以上有する2価の有機官能基、Siを含む2価の有機官能基、及びそれらの芳香環に含まれる一部あるいはすべての炭素を、水素添加処理等により芳香族性を有しない飽和炭素に置き換えた構造を有する2価の有機官能基の内の少なくとも1種であることを特徴とする屈折率制御方法。
  14. 請求項13に記載の屈折率制御方法において、前記R2はベンゼン環を一つ有する2価の有機官能基は、アルキルフェニレン基と、パーフルオロフェニレン基を含まないことを特徴とする屈折率制御方法。
  15. 請求項10に記載の屈折率制御方法において、前記感光性樹脂組成物は、前記ポリアミド酸(A)を5〜90質量%、前記化合物(B)を0.5〜80質量%、前記化合物(C)を0.5〜15質量%含むことを特徴とする屈折率制御方法。
  16. 請求項10に記載の屈折率制御方法において、前記感光性樹脂組成物は、更に、オキセタン化合物を含むことを特徴とする屈折率制御方法。
  17. 請求項10に記載の屈折率制御方法において、前記感光性樹脂組成物は、更に、アルミナ、シリカ、ガラス繊維、ガラスビーズ、シリコーン、酸化チタン、金属酸化物からなる群より選択される少なくとも一つの添加剤をさらに含むことを特徴とする屈折率制御方法。
  18. 請求項10に記載の屈折率制御方法において、活性光線を照射し、引き続き加熱することで、露光部と未露光部における屈折率差が生じることを特徴とする屈折率制御方法。
  19. 請求項18に記載の屈折率制御法により得られた、より屈折率が高い部位をコアとし、より屈折率が低い部位をクラッドとして用いたことを特徴とする光導波路。
  20. コア層と、該コア層に積層して形成されるクラッド層を有する光導波路であって、該コア層および該クラッド層のいずれかまたは両方に、感光性樹脂組成物を用い、前記感光性樹脂組成物は、下記化3式の一般式(I)で表されるポリアミド酸(A)と、エポキシ基を持つ化合物(B)、および露光により酸を発生する化合物(C)を含有することを特徴とする光導波路。
    Figure 2008029816
    (一般式(I)のうちR1は4価の有機官能基で、ビスアルキルベンゼン、及びビスパーフルオロアルキルベンゼンの4価の有機官能基を含まず、R2は2価の有機の官能基、R3およびR4は夫々独立に水素、あるいは酸により分解する官能基を表わす。)
  21. 請求項20に記載の光導波路において、前記R1は、ベンゼン、モノアルキルベンゼン、モノパーフルオロアルキルベンゼンと、2個以上のベンゼン環を備えた芳香族炭化水素、それらのエーテル、それらのケトン、それらの1以上のパーフルオロアルキルの置換体、及びそれらの芳香環に含まれる一部あるいはすべての炭素を、水素添加処理等により芳香族性を有しない飽和炭素に置き換えた構造を有する4価の有機官能基とを含む群から選択された少なくとも一種の4価の有機官能基を有することを特徴とする光導波路。
  22. 請求項21に記載の光導波路において、前記R2はテトラカルボン酸及びその誘導体のいずれかと反応してポリイミド前駆体動をなすことができるジアミン化合物のアミノ基を除いた残基であることを特徴とする光導波路。
  23. 請求項22に記載の光導波路において、前記R2はベンゼン環を一つ有する、フェニレン基、パーフルオロアルキルフェニレン基、フルオロフェニレン基、アルキルフェニレン基、ベンゼン環を2つ以上有する2価の有機官能基、Siを含む2価の有機官能基、及びそれらの芳香環に含まれる一部あるいはすべての炭素を、水素添加処理等により芳香族性を有しない飽和炭素に置き換えた構造を有する2価の有機官能基の内の少なくとも1種であることを特徴とする光導波路。
  24. 請求項23に記載の光導波路において、前記R2はベンゼン環を一つ有する2価の有機官能基は、アルキルフェニレン基と、パーフルオロフェニレン基を含まないことを特徴とする光導波路。
  25. 請求項20に記載の光導波路において、前記ポリアミド酸(A)を5〜90質量%、前記化合物(B)を0.5〜80質量%、前記化合物(C)を0.5〜15質量%含むことを特徴とする光導波路。
  26. 請求項20に記載の光導波路において、前記感光性樹脂組成物は、更に、オキセタン化合物を含むことを特徴とする光導波路。
  27. 請求項20に記載の光導波路において、前記感光性樹脂組成物は、更に、アルミナ、シリカ、ガラス繊維、ガラスビーズ、シリコーン、酸化チタン、金属酸化物からなる群より選択される少なくとも一つの添加剤をさらに含むことを特徴とする光導波路。
  28. 請求項20に記載の光導波路において、前記感光性脂組成物に活性光線を照射し、引き続き加熱することで、露光部と未露光部における屈折率差が生じることを特徴とする光導波路。
  29. 請求項28記載の光導波路において、前記露光部及び未露光部の内で、より屈折率が高い部位をコアとし、より屈折率が低い部位をクラッドとして用いたことを特徴とする光導波路。
  30. 基板上に第1クラッド層を形成する工程と、感光性樹脂組成物を上記第1クラッド層上に塗布する工程と、
    プリベークを行う工程と、
    上記感光性樹脂組成物層にマスクを介してコアもしくはコア以外となる領域のどちらか一方に活性光線を照射する工程と、
    上記形成されたコア及び第1クラッド層の上に第2クラッド層を形成する工程を少なくとも含み、
    前記感光性樹脂組成物は、下記化4学式の一般式(I)で表されるポリアミド酸(A)と、エポキシ基を持つ化合物(B)、および露光により酸を発生する化合物(C)を含有することを特徴とする光導波路パターンの形成方法。
    Figure 2008029816
    (一般式(I)のうちR1は4価の有機官能基で、ビスアルキルベンゼン、及びビスパーフルオロアルキルベンゼンの4価の有機官能基を含まず、R2は2価の有機の官能基、R3およびR4は夫々独立に水素、あるいは酸により分解する官能基を表わす。)
  31. 請求項30に記載の光導波路パターンの形成方法において、前記R1は、ベンゼン、モノアルキルベンゼン、モノパーフルオロアルキルベンゼンと、2個以上のベンゼン環を備えた芳香族炭化水素、それらのエーテル、それらのケトン、それらの1以上のパーフルオロアルキルの置換体、及びそれらの芳香環に含まれる一部あるいはすべての炭素を、水素添加処理等により芳香族性を有しない飽和炭素に置き換えた構造を有する4価の有機官能基とを含む群から選択された少なくとも一種の4価の有機官能基を有することを特徴とする光導波路パターンの形成方法。
  32. 請求項30に記載の光導波路パターンの形成方法において、前記R2はテトラカルボン酸及びその誘導体のいずれかと反応してポリイミド前駆体動をなすことができるジアミン化合物のアミノ基を除いた残基であることを特徴とする光導波路パターンの形成方法。
  33. 請求項32に記載の光導波路パターンの形成方法において、前記R2はベンゼン環を一つ有する、フェニレン基、パーフルオロアルキルフェニレン基、フルオロフェニレン基、アルキルフェニレン基、ベンゼン環を2つ以上有する2価の有機官能基、Siを含む2価の有機官能基、及びそれらの芳香環に含まれる一部あるいはすべての炭素を、水素添加処理等により芳香族性を有しない飽和炭素に置き換えた構造を有する2価の有機官能基の内の少なくとも1種であることを特徴とする光導波路パターンの形成方法。
  34. 請求項33に記載の光導波路パターンの形成方法において、前記R2はベンゼン環を一つ有する2価の有機官能基は、アルキルフェニレン基と、パーフルオロフェニレン基を含まないことを特徴とする光導波路パターンの形成方法。
  35. 請求項30に記載の光導波路パターンの形成方法において、前記感光性樹脂組成物は、前記ポリアミド酸(A)を5〜90質量%、前記化合物(B)を0.5〜80質量%、前記化合物(C)を0.5〜15質量%含むことを特徴とする光導波路パターンの形成方法。
  36. 請求項30に記載の光導波路パターンの形成方法において、前記感光性樹脂組成物は、更に、オキセタン化合物を含むことを特徴とする光導波路パターンの形成方法。
  37. 請求項30に記載の光導波路パターンの形成方法において、前記感光性樹脂組成物は、更に、アルミナ、シリカ、ガラス繊維、ガラスビーズ、シリコーン、酸化チタン、金属酸化物からなる群より選択される少なくとも一つの添加剤をさらに含むことを特徴とする光導波路パターンの形成方法。
  38. 請求項30に記載の光導波路パターンの形成方法において、前記感光性樹脂組成物に活性光線を照射し、引き続き加熱することで、露光部と未露光部における屈折率差を生じさせることを特徴とする光導波路パターンの形成方法。
  39. 請求項38に記載の光導波路パターンの形成方法において、第1クラッド層の上に前記感光性樹脂組成物を出発原料として層を塗布形成し、その後活性光線を照射することをきっかけとして照射した部分が低屈折率となるように形成することを特徴とする光導波路パターンの形成方法。
  40. 請求項38に記載の光導波路パターンの形成方法において、第1クラッド層の上に前記感光性樹脂組成物を出発原料として層を塗布形成し、その後活性光線を照射することをきっかけとして照射した部分が高屈折率となるように形成することを特徴とする光導波路パターンの形成方法。
  41. 光素子又はデバイスからなる光学部品において、請求項30に記載の導波路パターンの形成方法により形成した光導波路を用いたことを特徴とする光学部品。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7907677B2 (en) * 2007-08-10 2011-03-15 Intel Corporation Open loop MU-MIMO
JP2014102348A (ja) * 2012-11-19 2014-06-05 Nitto Denko Corp 光導波路形成用樹脂組成物およびそれを用いた光導波路ならびに光伝送用フレキシブルプリント基板、およびその光導波路の製法
KR101685520B1 (ko) * 2014-12-10 2016-12-12 고오 가가쿠고교 가부시키가이샤 액상 솔더 레지스트 조성물 및 피복 프린트 배선판
JP6637871B2 (ja) * 2016-10-27 2020-01-29 信越化学工業株式会社 テトラカルボン酸ジエステル化合物、ポリイミド前駆体の重合体及びその製造方法、ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、及び硬化被膜形成方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3324250B2 (ja) * 1993-02-25 2002-09-17 チッソ株式会社 感光性樹脂組成物
JPH06308730A (ja) * 1993-04-26 1994-11-04 Chisso Corp 感光性ポリイミド前駆体組成物
JP3324200B2 (ja) * 1993-06-04 2002-09-17 チッソ株式会社 感光性樹脂組成物
JP3451701B2 (ja) * 1994-02-15 2003-09-29 チッソ株式会社 感光性樹脂組成物
JPH11241022A (ja) * 1998-02-26 1999-09-07 Hitachi Chem Co Ltd 感光性ポリイミド前駆体組成物及びこれを用いた半導体素子
JP4154086B2 (ja) * 1999-07-29 2008-09-24 日立化成工業株式会社 感光性重合体組成物、パターンの製造法及び電子部品
JP2002037885A (ja) * 2000-07-27 2002-02-06 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポジ型含フッ素ポリイミド前駆体およびポジ型感光性含フッ素ポリイミド前駆体組成物
JP2002169286A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd 感光性重合体組成物、パターンの製造法及び電子部品
JP4717268B2 (ja) * 2001-01-12 2011-07-06 富士通株式会社 絶縁樹脂組成物及びそれから形成した絶縁層を含む多層回路基板
JP2004198992A (ja) * 2002-12-20 2004-07-15 Hitachi Chem Co Ltd 液晶表示装置用基板の表面凹凸形状を有する有機物層に用いられる感エネルギー性ネガ型樹脂組成物及び感光性エレメント
JP2004185000A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 導波路を形成する方法及びそれから形成される導波路
WO2006008995A1 (ja) * 2004-07-15 2006-01-26 Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. 光硬化性・熱硬化性樹脂組成物及びその硬化物
JP4417198B2 (ja) * 2004-08-02 2010-02-17 日東電工株式会社 光導波路の製造方法

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