JPWO2008029519A1

JPWO2008029519A1 - 電子機器

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Publication number: JPWO2008029519A1
Application number: JP2008533045A
Authority: JP
Inventors: 雅洋五十嵐; 一成瀬下
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2006-09-07
Filing date: 2007-02-07
Publication date: 2010-01-21
Also published as: US7288934B1; WO2008029519A1

Abstract

【課題】特に、第１本体と第２本体との開閉検知、及び前記第２本体の反転検知を２個の磁気抵抗効果素子と１個の磁石で検知可能とした電子機器を提供することを目的としている。【解決手段】表示筐体（第２本体）２と操作筐体（第１本体）３とが連結部材４を介して連結されており、前記連結部材４を構成する中間部１０の内部に１個の磁石１１が配置され、前記操作筐体３の内部に第１磁気抵抗効果素子１２、前記表示筐体２の内部に第２磁気抵抗効果素子１３が配置される。前記磁気抵抗効果素子１２，１３及び磁石１１を図に示す配置とすることで、水平磁場を検知する磁気抵抗効果素子１２，１３により、表示筐体２と操作筐体３との開閉、及び前記表示筐体２の表裏面の反転の双方を適切に検知できる。【選択図】図１

Description

本発明は、連結部材を介して連結された第１本体と第２本体との開閉、及び前記第２本体の表裏面の反転を検知可能な電子機器に関する。

下記特許文献１及び特許文献２に示すように、ヒンジ部を介して連結された表示筐体と操作筐体を有して成る折畳み式携帯電話では、前記表示筐体及び操作筐体を開いて電話やメール等をする通常の使用状態と、前記表示筐体の表裏面を反転させて例えばデジタルカメラを起動させる使用状態とがある。

かかる場合、表示筐体と操作筐体との開閉検知と、前記表示筐体の反転検知とを磁気センサによって検知することが必要であった。
特開２００６−２０２７２号公報特開２００６−１２８９８２号公報

磁気センサとして従来では、ホール素子が一般的に用いられていた。例えば特許文献１では磁気センサ及び磁石を夫々２個設け、前記表示筐体と操作筐体との開閉検知と、前記表示筐体の反転検知とを行っている。

しかしながら、携帯電話の小型化や多機能による機能素子の増加等により、さらに磁気センサや磁石の数を減らしたいが、各特許文献には、更なる設置数の減少、及び、その際の磁気センサ及び磁石の配置状態等について記載されていない。

そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、第１本体と第２本体との開閉検知、及び前記第２本体の反転検知を２個の磁気抵抗効果素子と１個の磁石で検知可能とした電子機器を提供することを目的としている。

本発明は、第１本体と、第２本体と、前記第１本体及び第２本体の間に位置して前記第１本体と前記第２本体とを折り畳み可能に連結し、前記第２本体の表裏面を反転可能に支持する連結部材と、を有する電子機器であって、
前記連結部材の内部に、１個の磁石が設けられ、前記第１本体の内部には、外部磁場に対して電気抵抗が変動する磁気抵抗効果を利用した第１磁気抵抗効果素子が設けられ、前記第１磁気抵抗効果素子は、前記第１本体と前記第２本体とを折り畳んだときに、前記磁石との距離が近づいて、前記磁石から発せられる外部磁場を検知可能な位置に配置され、
前記第２本体の内部には、外部磁場に対して電気抵抗が変動する磁気抵抗効果を利用した第２磁気抵抗効果素子が設けられ、前記第２磁気抵抗効果素子は、前記第２本体の表裏面を反転させたとき、あるいは前記反転させた状態から前記第２本体を元の状態に戻したときに、前記磁石との距離が近づいて、前記磁石から発せられる外部磁場を検知可能な位置に配置されており、
前記磁石は、前記第１本体と前記第２本体とを折り畳んだとき、及び、前記第２本体の表裏面を反転させたとき、あるいは前記反転させた状態から前記第２本体を元の状態に戻したときに、前記第１磁気抵抗効果素子と前記第２磁気抵抗効果素子の夫々に対し膜面と平行な方向の水平磁場が及ぶように配置されていることを特徴とするとするものである。

上記のように本発明では１個の磁石と２個の磁気抵抗効果素子とで、第１本体と第２本体との開閉、及び前記第２本体の反転の双方を検知可能としており、よって従来に比べて磁石の数を減らすことができ、電子機器の小型化等に適切に対応できる。

例えば従来から磁気センサとして一般的に用いられるホール素子は、素子表面の垂直磁場成分を検知するもので、磁石の磁極近傍に配置することが必要であることから、第１本体と第２本体との開閉、及び前記第２本体の反転の双方を検知するには特許文献１のように２個のホール素子と２個の磁石とを必要とした。

一方、本発明で用いられる磁気抵抗効果素子は膜面と平行な方向の水平磁場を検知するものであり、また磁気抵抗効果素子は、微弱な外部磁場を検知できるものであるから、電子機器の内部において、第１磁気抵抗効果素子、第２磁気抵抗効果素子及び磁石の夫々を上記のように配置することで、２個の磁気抵抗効果素子と１個の磁石だけで、第１本体と第２本体との開閉、及び前記第２本体の反転の双方が検知可能となる。

本発明では、前記第１本体と前記第２本体とを前記連結部材を介して開いた状態で、前記第１本体と第２本体とを縦方向に沿って配置したとき、
前記磁石は、前記縦方向と直交する横方向の中心から左右どちらかに片寄った位置に配置され、前記第１磁気抵抗効果素子は、前記磁石と同じ側に片寄った位置に配置され、前記第２磁気抵抗効果素子は、前記第２本体を反転させない状態において、前記磁石と同じ側、あるいは前記磁石の配置とは逆側に片寄った位置に配置されていることが、適切に、第１本体と第２本体との開閉、及び前記第２本体の反転の双方を検知できて好ましい。

また本発明では、前記連結部材は、第１本体に固定されたヒンジ部と、前記ヒンジ部の横方向に延びる第１回転軸に支持され、前記第２本体と共に前記第１回転軸を中心として開閉方向に回動し、さらに前記第１回転軸と直交して設けられ前記第２本体の表裏面を反転させるための第２回転軸を備えた中間部と、を有し、
前記磁石は前記中間部の内部に配置されていることが、適切に、第１本体と第２本体との開閉、及び前記第１本体の反転の双方を検知できて好ましい。

また本発明では、前記第１磁気抵抗効果素子及び前記第２磁気抵抗効果素子は、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ素子であることが好ましい。

また本発明では、前記第１本体を反転させない状態において、前記第１本体と第２本体とを折畳んだときに、前記第２本体の前記第１本体と対向する面を第１の面、前記第１の面との逆面を第２の面とし、
前記第１の面及び前記第１本体の対向面を内側に向けて、前記第１本体と前記第２本体とを閉じた第１の状態、前記第１の状態から前記第１本体と前記第２本体とを開いて前記第１本体の対向面と前記第２本体の第１の面とを同じ外側に向ける第２の状態、前記第２の状態にて前記第２本体の表裏面を反転させて前記第２の面を前記第１本体との対向面と同じ外側に向ける第３の状態、前記第３の状態から、前記第２の面及び前記第１本体の対向面を内側に向けて、前記第１本体と第２本体とを閉じた第４の状態のいずれの状態も検知可能である。

また本発明では、前記第２本体の第１の面に表示画面が設けられ、前記第１本体の対向面が操作面となっている形態、具体的には、折畳み式携帯電話に適用可能である。

本発明の電子機器によれば、１個の磁石と２個の磁気抵抗効果素子とで、第１本体と第２本体との開閉、及び前記第２本体の反転の双方を検知できる。

図１は折畳み式携帯電話を開いた状態（第２の状態）の平面図、図２は図１に示す折畳み式携帯電話の斜視図、図３は、折畳み式携帯電話の閉じた状態（第１の状態）を横から見た側面図、図４は、図３の折畳み式携帯電話を閉じた状態から図１の開いた状態へ移行する途中の状態を示す折畳み式携帯電話の側面図、図５は、図３に示す閉じた状態の折畳み式携帯電話をＡ−Ａ線から切断し矢印方向から見た部分断面図、図６は、図２の状態から第２本体（表示筐体）を反転させる途中状態を示す折畳み式携帯電話の斜視図、図７は、前記第２本体（表示筐体）の表裏面を反転させた状態（第３の状態）を示す折畳み式携帯電話の平面図、図８は本実施形態に使用される磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）の部分断面図、である。

各図で用いられる図示Ｘ１、Ｘ２方向は横方向、図示Ｙ方向は縦方向、図示Ｚ方向は高さ方向を示し、各方向は残り２つの方向と直交する関係にある。

また以下では、折り畳み式携帯電話１の４つの状態を「第１の状態」「第２の状態」「第３の状態」及び「第４の状態」と呼ぶ。「第１の状態」とは、図３及び図５に示すように、本形態の折り畳み式携帯電話１を折畳んだ状態、「第２の状態」とは、図１に示すように折り畳み式携帯電話１を開いた状態、「第３の状態」とは、表示筐体２の表裏面を図６のように反転させ、１８０度反転させた図７の状態、「第４の状態」とは、図７の状態から折り畳み式携帯電話１を折畳んだ状態、を指す。

図１，図２に示す本実施形態の折畳み式携帯電話１は、表示筐体（第２本体）２と操作筐体（第１本体）３と、前記表示筐体２と操作筐体３とを連結する連結部材４とを有して構成される。

図１のように折り畳み式携帯電話１を開いた状態では、前記表示筐体２の液晶ディスプレイ等の表示画面５が設けられた表示面（第１の面）２ａと、前記操作筐体３の各種の操作釦６が配置された操作面（対向面）３ａとが同じ外側を向いた状態となる。

また前記表示筐体２の前記表示面２ａにはスピーカ２３が設けられ、前記操作筐体３の操作面３ａにはマイク７が設けられている。

図１，図２に示すように、前記連結部材４は、前記操作筐体３に固定されたヒンジ部８と前記ヒンジ部８の横方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）に延びる第１回転軸９に接続され、前記表示筐体２とともに、前記第１回転軸９を中心として開閉方向に回動する中間部１０とで構成される。

また前記中間部１０には、前記第１回転軸９に対して直交する方向（図示Ｙ方向）であって、前記中間部１０の横方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）の中央に第２回転軸２１が設けられ、前記表示筐体２は第２回転軸２１に接続されている。前記表示筐体２は前記第２回転軸２１を中心として反転可能に支持されている。よって本形態の折り畳み式携帯電話１では図１の「第２の状態」から表示筐体２の表裏面を反転させて図７に示す「第３の状態」に移行することができる。

図１に示すように、開いた状態での前記折畳み携帯電話１の長手方向を縦方向（図示Ｙ方向）と平行な方向に配置したとき、前記折畳み携帯電話１の横方向（図示Ｘ方向）の中心であって、前記縦方向（図示Ｙ方向）に延びる中心線Ｂ−Ｂの左側領域の中間部１０の内部に１個の磁石１１が配置されている。

前記磁石１１は、図１に示すようにＮ極とＳ極とが横方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）に向くように配置されている。

また前記中心線Ｂ−Ｂの右側領域の表示筐体（第２本体）２の内部に第２磁気抵抗効果素子１３が設けられ、前記中心線Ｂ−Ｂの左側領域の操作筐体（第１本体）３の内部に第１磁気抵抗効果素子１２が配置されている。

本形態では、前記第１磁気抵抗効果素子１２は図５に示す「第１の状態」では、磁石１１と高さ方向（図示Ｚ方向）にて対向する位置に配置される。このとき前記磁石１１の中心と前記第１磁気抵抗効果素子１２の中心とが高さ方向に一致していなくてもよく、前記第１磁気抵抗効果素子１２は前記磁石１１からの水平磁場を検知できればよいため、例えば、前記第１磁気抵抗効果素子１２は図示Ｘ１−Ｘ２方向に多少ずれて配置されてもかまわない。また、前記第２磁気抵抗効果素子１３は図７に示す「第３の状態」では、磁石１１と縦方向（図示Ｙ方向）にて対向する位置に配置される。このとき、前記磁石１１の中心と前記第２磁気抵抗効果素子１３の中心とが縦方向に一致していなくてもよく、前記第２磁気抵抗効果素子１３は前記磁石１１からの水平磁場を検知できればよいため、例えば、前記第２磁気抵抗効果素子１３は図示Ｘ１−Ｘ２方向に多少ずれて配置されてもかまわない。

前記第１磁気抵抗効果素子１２、及び、第２磁気抵抗効果素子１３は、いずれも、図８に示すように設置面２０上に下から順に、ＩｒＭｎやＰｔＭｎ等で形成された反強磁性層１９、ＮｉＦｅやＣｏＦｅ等の強磁性材料で形成された固定磁性層１４、Ｃｕ等で形成された非磁性材料層１５及びＮｉＦｅやＣｏＦｅ等の強磁性材料で形成されたフリー磁性層１６の積層構造で形成される。図８の示す形態では、前記反強磁性層１３の下に結晶配向を整えるためのＮｉＦｅＣｒあるいはＣｒで形成されたシード層１７が設けられているが、前記シード層１７の形成は必須ではない。
また前記フリー磁性層１６の上にはＴａ等で形成された保護層１８が形成されている。

前記磁気抵抗効果素子１２，１３では、前記反強磁性層１９と前記固定磁性層１４とが接して形成されているため磁場中熱処理を施すことにより前記反強磁性層１３と前記固定磁性層１４との界面に交換結合磁界（Ｈｅｘ）が生じ、前記固定磁性層１４の磁化方向１４ａは一方向に固定される。図８では前記磁化方向１４ａは図示Ｘ１方向に固定される。

一方、前記フリー磁性層１６の磁化方向１６ａは、例えば図８の形態では、固定磁性層１４の磁化方向１４ａと反平行に揃えられている。すなわち前記磁化方向１６ａは図示Ｘ２方向に向けられる。前記フリー磁性層１６は固定磁性層１４のように磁化固定されておらず外部磁場により磁化方向は変動する。

前記磁石１１から発せられる外部磁場のうち、抵抗効果素子１２，１３を構成する各層の膜面と平行な方向に向く水平磁場Ｈが図８のように図示Ｘ１方向に作用すると、前記フリー磁性層１６の磁化方向１６ａが変動し、前記固定磁性層１４の磁化方向１４ａと前記フリー磁性層１６の磁化方向１６ａの関係で電気抵抗が変化する。これは巨大磁気抵抗（Giant magneto resistive: GMR）効果と呼ばれ、巨大磁気抵抗効果を発現させるには上記した反強磁性層１９、固定磁性層１４、非磁性材料層１５及びフリー磁性層１６の４層構造が基本膜構成である。

巨大磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）１２，１３では、図８のように固定磁性層１４とフリー磁性層１６との磁化方向１４ａ，１６ａが向けられているとき、水平磁場Ｈの方向が反転すると、すなわち前記水平磁場Ｈが図示Ｘ２方向に向くと、フリー磁性層１６の磁化方向１６ａと水平磁場Ｈの方向とが一致するので、水平磁場Ｈが磁気抵抗効果素子１２，１３に作用しても電気抵抗は変化しない。

巨大磁気抵抗効果と同じように、膜面と平行な方向の水平磁場Ｈが作用したとき、磁気抵抗効果を発揮するものに異方性磁気抵抗効果（anisotropic magneto resistive：AMR）を利用したＡＭＲ素子がある。本形態では前記ＡＭＲ素子を前記第１磁気抵抗効果素子１２、及び、第２磁気抵抗効果素子１３として使用することを除外しないが、ＧＭＲ素子と異なって、ＡＭＲ素子では水平磁場Ｈが図８に示すＸ１方向でもＸ２方向でもどちらの方向から作用しても検知できる（磁石１１の双極検知が可能である）。しかしながら、かかる場合、スピーカ等から発せられる外部磁場の影響を受けてＡＭＲ素子が電気抵抗変化して誤作動を引き起こす可能性があるため、片極（単極）を検知できるＧＭＲ素子を第１磁気抵抗効果素子１２及び前記第２磁気抵抗効果素子１３として用いることが好適である。

なお図８に示す第２磁気抵抗効果素子１３の磁化状態は、表示筐体２を反転させて、図７の第３の状態にしたときに、図示Ｘ１方向の水平磁場Ｈを検知できる状態を示しており、図１のように表示筐体２を反転させない「第２状態」や「第１状態」では、前記第２磁気抵抗効果素子１３の固定磁性層１４の磁化方向１４ａ及びフリー磁性層１６の磁化方向１６ａは図８とは反対方向を向いている。そして前記表示筐体２を反転させると、前記第２磁気抵抗効果素子１３の固定磁性層１４の磁化方向１４ａ及びフリー磁性層１６の磁化方向１６ａが図８に示す方向を向き、図示Ｘ１方向の水平磁場Ｈを検知できるようになっている。

前記第１磁気抵抗効果素子１２と前記第２磁気抵抗効果素子１３とを異なる層構造で形成してもよいが、第１磁気抵抗効果素子１２及び前記第２磁気抵抗効果素子１３は共に図示Ｘ１方向の水平磁場Ｈを検知するもので特に層構造を変える必要がないことから、前記第１磁気抵抗効果素子１２及び前記第２磁気抵抗効果素子１３を同じ層構造で形成したほうが製造工程を簡単にでき好適である。

なお本実施形態では、前記第１磁気抵抗効果素子１２及び前記第２磁気抵抗効果素子１３は、前記非磁性材料層１５をＡｌ−ＯやＴｉ−Ｏの絶縁材料で形成したトンネル効果を利用したトンネル型磁気抵抗効果素子であってもよい。トンネル型磁気抵抗効果素子も水平磁場Ｈを検知するものである。

第１磁気抵抗効果素子１２及び第２磁気抵抗効果素子１３には共通の、あるいは別々の検出回路が接続されている。当然、共通の検出回路を用いたほうが小さい回路構成を実現でき、携帯電話１の小型化には有利である。前記検出回路には、参照抵抗、オペアンプ、コンパレータ、ラッチ回路、入力端子、アース端子、出力端子等が設けられている。

前記第１磁気抵抗効果素子１２は前記検出回路の第１出力端子に接続され、前記第１磁気抵抗効果素子１２が電気抵抗変化すると、前記第１出力端子からはＯＮ信号が出力され、電気抵抗変化がない場合、ＯＦＦ信号が出力されるように制御されている。

同様に、前記第２磁気抵抗効果素子１３は前記検出回路の第２出力端子に接続され、前記第２磁気抵抗効果素子１３が電気抵抗変化すると、前記第２出力端子からはＯＮ信号が出力され、電気抵抗変化がない場合、ＯＦＦ信号が出力されるように制御されている。

次に「第１の状態」「第２の状態」「第３の状態」及び「第４の状態」の各検知原理について以下に説明する。

表１は、上記４つの状態での第１出力端子、第２出力端子から出力される信号を示している。

まず、図３、図５に示す表示面２ａと操作面３ａとを内側に向けて前記表示筐体２と操作筐体３とを閉じた「第１の状態」について説明すると、図５に示すように、前記第１磁気抵抗効果素子１２は磁石１１に最接近した状態にあり、前記磁石１１からの水平磁場Ｈを前記第１磁気抵抗効果素子１２が受けてフリー磁性層１６の磁化方向１６ａが変動し、その結果、前記第１磁気抵抗効果素子１２の電気抵抗が変化する。よって表１に示すように、「第１の状態」では、前記第１磁気抵抗効果素子１２の電気抵抗変化に基づいて、前記第１出力端子からはＯＮ信号が出力される。一方、前記第２磁気抵抗効果素子１３は、前記磁石１１から遠い位置にあり、前記磁石１１からの水平磁場Ｈを受けないため電気抵抗は変化せず、よって、前記第２出力端子からはＯＦＦ信号が出力される。

前記「第１の状態」から前記表示筐体２と操作筐体３とを開くと、図４に示すように、第１磁気抵抗効果素子１２は磁石１１から遠ざかっていき、前記第１磁気抵抗効果素子１２に作用する磁石１１からの水平磁場Ｈが徐々に弱まる。図１、図２に示す折り畳み式携帯電話１を開いた「第２の状態」では、前記第１磁気抵抗効果素子１２に磁石１１からの水平磁場Ｈが及ばなくなり、前記第１磁気抵抗効果素子１２は電気抵抗が変化しなくなるため、表１に示すように第１出力端子からはＯＦＦ信号が出力される。一方、「第２の状態」では「第１の状態」と同様に、前記第２磁気抵抗効果素子１３は、前記磁石１１から遠い位置にあり、前記磁石１１からの水平磁場Ｈを受けないため電気抵抗は変化せず、前記第２出力端子からはＯＦＦ信号が出力される。

このように「第２の状態」では、第２磁気抵抗効果素子１３及び第１磁気抵抗効果素子１２の双方の電気抵抗は変化せず、よって、第１出力端子及び第２出力端子からは共にＯＦＦ信号が出力される。

次に「第２の状態」から図６のように前記表示筐体２を１８０度反転させ、図７に示すように、前記表示筐体２の前記表示面２ａと逆面のカバー面（第２の面）２ｂを前記操作筐体３の操作面３ａと同じ外側に向けた「第３の状態」では、前記表示筐体２の内部に設けられた第２磁気抵抗効果素子１３が、前記磁石１１に最接近する。このとき、前記第２磁気抵抗効果素子１３の固定磁性層１４及びフリー磁性層１６の磁化方向１４ａ，１６ａは図８に示す状態にあり、前記磁石１１からの図示Ｘ１方向の水平磁場Ｈを受けて、前記フリー磁性層１６の磁化方向１６ａが変動するため電気抵抗が変化し、表１に示すように、前記第２磁気抵抗効果素子１３の電気抵抗変化に基づいて第２出力端子からはＯＮ信号が出力される。一方、図７の状態では前記第１磁気抵抗効果素子１２と前記磁石１１との距離は離れており、前記第１磁気抵抗効果素子１２は前記磁石１１からの水平磁場Ｈを受けないため電気抵抗変化せず、第２出力端子からはＯＦＦ信号が出力される。

次に、「第３の状態」から、前記表示筐体２のカバー面２ｂ及び前記操作筐体３の操作面３ａを内側に向けて前記表示筐体２と前記操作筐体３とを折畳む「第４の状態」に移行すると、前記第２磁気抵抗効果素子１３と前記磁石１１とは図７の状態を維持するため、第１出力端子からは常にＯＮ信号が出力されている。一方、第１磁気抵抗効果素子１２は図３、図５に示す状態と同様に、磁石１１と第１磁気抵抗効果素子１２とが最接近し、前記第１磁気抵抗効果素子１２が前記磁石１１から図示Ｘ１方向の水平磁場Ｈを受けるから図８で説明したように前記第１磁気抵抗効果素子１２のフリー磁性層１６の磁化方向１６ａは図示Ｘ１方向の前記水平磁場Ｈを受けて変動し、これにより前記第１磁気抵抗効果素子１２の電気抵抗は変動する。したがって前記第１磁気抵抗効果素子１２の電気抵抗変化に基づいて、第１出力端子からはＯＮ信号が出力される。

このように「第４の状態」では、第１出力端子及び第２出力端子からは共にＯＮ信号が出力される。

表１に示すように、４つの状態での信号の組み合わせが、夫々異なっているため、前記第１出力端子及び前記第２出力端子からのＯＮ信号・ＯＦＦ信号を検知することで、今、折畳み携帯電話１がどの状態にあるかを識別することが可能になっている。

「第１の状態」であることが、前記第１出力端子及び前記第２出力端子からの信号により認識されると、待機モードとなって省電力状態となり、「第１の状態」から「第２の状態」へ移行したことが、前記第１端子及び前記第２出力端子からの信号より認識されると、「通話モード」「メールモード」等に切り換わったとして、例えば、バックライト機能を起動させ、前記表示画面５や操作釦６等を光らせる。また「第３の状態」や「第４の状態」へ移行したことが、前記第１出力端子及び前記第２出力端子からの信号により認識されると、例えば、デジタルカメラ機能や、テレビ機能、オーディオ機能を起動させたりする。

本実施形態では、上記したように、水平磁場Ｈを検知し、しかも弱い磁場の検知が可能な磁気抵抗効果素子１２，１３を使用したこと、さらに図１等に示す磁気抵抗効果素子１２，１３及び磁石１１の配置によって、１個の磁石１１と２個の磁気抵抗効果素子１２，１３だけで、表示筐体２と操作筐体３との開閉、及び表示筐体２の反転の双方を検知できる。

したがって折畳み携帯電話１の小型化、さらには多機能化による前記磁気抵抗効果素子及び磁石の配置スペースが狭くなっても特に特許文献１のように前記磁石１１を２個必要とせず１個で済むので、前記磁気抵抗効果素子及び磁石の配置スペースを従来より小さくできる。

図１に示すように磁石１１はＮ極及びＳ極が横方向（図示Ｘ方向）に向くように配置されているが、前記Ｎ極及びＳ極を縦方向（図示Ｙ方向）に向けて配置してもよい。

また、図１の「第２の状態」において、前記第２磁気抵抗効果素子１３を前記磁石１１と同じ側に片寄った位置に配置してもよい。かかる場合、表１では、「第１の状態」、「第２の状態」の第２出力端子がＯＮ信号を出力し、「第３の状態」「第４の状態」での第２出力端子がＯＦＦ信号を出力する。

上記では折畳み携帯電話１を実施形態として説明したが、折畳み携帯電話１以外、例えばゲーム機等、第１本体と、第２本体と、前記第１本体と前記第２本体とを折り畳み可能に連結し、前記第２本体の表裏面を反転可能に支持する連結部材と、を有する電子機器であれば本実施形態を適用できる。

折畳み式携帯電話を開いた状態（第２の状態）の平面図、図１に示す折畳み式携帯電話の斜視図、折畳み式携帯電話の閉じた状態（第１の状態）を横から見た側面図、図３の折畳み式携帯電話を閉じた状態から図１の開いた状態へ移行する途中の状態を示す折畳み式携帯電話の側面図、図３に示す閉じた状態の折畳み式携帯電話をＡ−Ａ線から切断し矢印方向から見た部分断面図、図２の状態から第２本体（表示筐体）を反転させる途中状態を示す折畳み式携帯電話の斜視図、前記第２本体（表示筐体）の表裏面を反転させた状態（第３の状態）を示す折畳み式携帯電話の平面図、本実施形態に使用される磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）の部分断面図、

符号の説明

１折り畳み式携帯電話
２表示筐体
３操作筐体
４連結部材
５表示画面
６操作釦
８ヒンジ部
９第１回転軸
１０中間部
１１磁石
１２第１磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）
１３第２磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）
１４固定磁性層
１５非磁性材料層
１６フリー磁性層
１９反強磁性層

Claims

第１本体と、第２本体と、前記第１本体及び第２本体の間に位置して前記第１本体と前記第２本体とを折り畳み可能に連結し、前記第２本体の表裏面を反転可能に支持する連結部材と、を有する電子機器であって、
前記連結部材の内部に、１個の磁石が設けられ、前記第１本体の内部には、外部磁場に対して電気抵抗が変動する磁気抵抗効果を利用した第１磁気抵抗効果素子が設けられ、前記第１磁気抵抗効果素子は、前記第１本体と前記第２本体とを折り畳んだときに、前記磁石との距離が近づいて、前記磁石から発せられる外部磁場を検知可能な位置に配置され、
前記第２本体の内部には、外部磁場に対して電気抵抗が変動する磁気抵抗効果を利用した第２磁気抵抗効果素子が設けられ、前記第２磁気抵抗効果素子は、前記第２本体の表裏面を反転させたとき、あるいは前記反転させた状態から前記第２本体を元の状態に戻したときに、前記磁石との距離が近づいて、前記磁石から発せられる外部磁場を検知可能な位置に配置されており、
前記磁石は、前記第１本体と前記第２本体とを折り畳んだとき、及び、前記第２本体の表裏面を反転させたとき、あるいは前記反転させた状態から前記第２本体を元の状態に戻したときに、前記第１磁気抵抗効果素子と前記第２磁気抵抗効果素子の夫々に対し膜面と平行な方向の水平磁場が及ぶように配置されていることを特徴とする電子機器。
前記第１本体と前記第２本体とを前記連結部材を介して開いた状態で、前記第１本体と第２本体とを縦方向に沿って配置したとき、
前記磁石は、前記縦方向と直交する横方向の中心から左右どちらかに片寄った位置に配置され、前記第１磁気抵抗効果素子は、前記磁石と同じ側に片寄った位置に配置され、前記第２磁気抵抗効果素子は、前記第２本体を反転させない状態において、前記磁石と同じ側、あるいは前記磁石の配置とは逆側に片寄った位置に配置されている請求項１記載の電子機器。
前記連結部材は、第１本体に固定されたヒンジ部と、前記ヒンジ部の横方向に延びる第１回転軸に支持され、前記第２本体と共に前記第１回転軸を中心として開閉方向に回動し、さらに前記第１回転軸と直交して設けられ前記第２本体の表裏面を反転させるための第２回転軸を備えた中間部と、を有し、
前記磁石は前記中間部の内部に配置されている請求項１又は２に記載の電子機器。
前記第１磁気抵抗効果素子及び前記第２磁気抵抗効果素子は、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ素子である請求項１ないし３のいずれかに記載の電子機器。
前記第１本体を反転させない状態において、前記第１本体と第２本体とを折畳んだときに、前記第２本体の前記第１本体と対向する面を第１の面、前記第１の面との逆面を第２の面とし、
前記第１の面及び前記第１本体の対向面を内側に向けて、前記第１本体と前記第２本体とを閉じた第１の状態、前記第１の状態から前記第１本体と前記第２本体とを開いて前記第１本体の対向面と前記第２本体の第１の面とを同じ外側に向ける第２の状態、前記第２の状態にて前記第２本体の表裏面を反転させて前記第２の面を前記第１本体との対向面と同じ外側に向ける第３の状態、前記第３の状態から、前記第２の面及び前記第１本体の対向面を内側に向けて、前記第１本体と第２本体とを閉じた第４の状態のいずれの状態も検知可能とされている請求項１ないし４のいずれかに記載の電子機器。
前記第２本体の第１の面には、表示画面が設けられ、前記第１本体の対向面は操作面となっている請求項５記載の電子機器。
前記電子機器は、折畳み式携帯電話である請求項６記載の電子機器。