JP2011015150A - 電子機器の開閉・回転検知機構 - Google Patents

Abstract

【課題】 特に、磁気センサの配線の引き回しの自由度が高く、また検知精度を向上させることが可能な電子機器の開閉・回転検知機構を提供することを目的とする。
【解決手段】 回転軸部１６に取り付けられる磁石２０と、ヒンジ部１０に取り付けられる第１磁気センサ２１と、カメラ本体側に設けられる第２磁気センサと、を有する。第１磁気センサ２１及び第２磁気センサは、磁石２０からの外部磁界に対して電気特性が変化する磁気検出素子を備えて構成されている。表示筐体３とカメラ本体間の開閉状態を、第２磁気センサにて前記外部磁界の変化を受けて検知する。また、表示筐体３の回転状態を、第１磁気センサ２１にて前記外部磁界の変化を受けて検知する。表示筐体３の回転検知では、第１磁気センサ２１は固定されたままで磁石２０が回転軸部１６の回転に伴って回転する。
【選択図】図５

Description

本発明は、第１部材と第２部材とをヒンジ部を介して開閉可能に連結するとともに、前記第１部材の表裏面を回転可能に支持する電子機器に係り、特に電子機器の開閉・回転検知機構に関する。

下記特許文献１や特許文献２には、携帯電話等の電子機器における開閉・反転検知機構が開示されている。

特許文献１，２では、表示筐体と操作筐体とが連結部を介して連結されており、連結部の部分に磁石が設けられ、表示筐体内部と操作筐体内部との双方に夫々、磁気センサが設けられている。

これら特許文献に記載された発明では、表示筐体と操作筐体との開閉動作を、操作筐体に設けられた第２磁気センサで検知し、表示筐体の表裏面の回転動作を、表示筐体に設けられた第１磁気センサで検知している。

国際公開第２００８／０２９５１９号 特開２００５−３０３６８８号公報

しかしながら、上記した特許文献に記載された発明では、表示筐体の内部に第１磁気センサが設けられ、しかも表示筐体の表裏面を回転動作させたとき、それに伴って第１磁気センサも回転することになる。

このように磁気センサが固定されず移動してしまうため、第１磁気センサに接続されて引き出された配線の引き回しが難しくなる。例えば、表示筐体の表裏面を回転支持する回転軸部が筒状である場合、回転軸部の貫通空間に前記配線を通して表示筐体の内部から外部へ引き出すことも可能である。しかしながら、表示筐体に設けられた表示部の配線やその他の配線もあり、これら配線を前記回転軸部の貫通空間に全て通し、このとき空間に余裕がなければ、第１磁気センサの配線を別の部分から引き出さなければならなくなる。

そこで本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、磁気センサの配線の引き回しの自由度が高く、また検知精度を向上させることが可能な電子機器の開閉・回転検知機構を提供することを目的とする。

本発明は、第１部材と、第２部材と、前記第１部材及び第２部材の間に位置して前記第１部材と前記第２部材とを折り畳み可能に連結するヒンジ部と、前記第１部材の表裏面を回転可能に支持する回転軸部と、を有する電子機器の開閉・回転検知機構において、
前記開閉・回転検知機構は、前記回転軸部に取り付けられる磁石と、前記ヒンジ部に取り付けられる第１磁気センサと、前記第２部材側に設けられる第２磁気センサと、を有して構成され、前記第１磁気センサ及び前記第２磁気センサは、前記磁石からの外部磁界に対して電気特性が変化する磁気検出素子を備えて構成されており、
前記第１部材と前記第２部材間の開閉状態を、前記第２磁気センサにて前記外部磁界の変化を受けて検知し、前記第１部材の回転状態を、前記第１磁気センサにて前記外部磁界の変化を受けて検知し、前記第１部材の回転検知では、前記第１磁気センサは固定されたままで前記磁石が前記回転軸部の回転に伴って回転することを特徴とするものである。

本発明では、第１磁気センサをヒンジ部に取り付け、磁石を第１部材の表裏面を回転可能に支持する回転軸部に取り付けた。そして、第１部材の回転検知では、第１磁気センサは固定されたまま動かず磁石が回転軸部の回転に伴い回転する。このため第１磁気センサの配線の引き回しの自由度を高めることができ、配線を簡単に引き回すことが出来る。また従来と異なって第１磁気センサを第１部材の内部でなく外側のヒンジ部に取り付けるので、磁石とともに第１磁気センサの取付を簡単に出来る。

本発明では、前記回転軸部の先端面に前記磁石が取り付けられ、前記磁石の側面が着磁面であり、前記回転軸部の回転に伴い前記着磁面が回転することが好ましい。

これにより、磁石は回転軸部と略同心円上を回転し、磁石と第１磁気センサ間の距離は略一定に保たれる。このため、第１磁気センサを構成する磁気検出素子に対して略一定強度の回転磁場を作用させることができ、前記回転磁場により、前記磁気検出素子を磁気飽和させることができる。このため、第１磁気センサからヒステリシスの小さいリニアな出力を得ることができ、検出精度を向上させることができる。

また本発明では、前記ヒンジ部は、両端に設けられた回転部と、前記回転部間を連結する連結部とを有して構成され、前記第１磁気センサは前記連結部に取り付けられることが好ましい。従来のように第１磁気センサを第１部材内部へ取り付けるより、ヒンジ部の連結部に取り付けることで、取付に対する制約が少なく、第１磁気センサに対する取付の自由度を高めることができる。このため第１磁気センサと磁石間の距離を所定値に設定しやすく、検出精度を高めることが出来る。

また本発明では、前記第１部材を反転させない状態において、第１部材と第２部材とを折畳んだ第１モード、前記第１モードから第１部材と第２部材とを開いた第２モード、前記第２モードから前記第１部材の表裏面を反転させた第３モード、及び、前記第３モードから第１部材と第２部材とを折畳んだ第４モードを、前記第１磁気センサ及び前記第２磁気センサの夫々の出力に基づいて検知することが好ましい。本発明の開閉・検知機構を備える電子機器によれば、上記の４モード、あるいはそれ以上のモードを高精度に検知して、各モードにて所定の処理・制御を行うことが可能である。

本発明の電子機器の開閉・回転検知機構によれば、磁気センサの配線の引き回しの自由度が高く、また検知精度を向上させることが可能である。

本実施形態の開閉・回転検知機構が組み込まれた電子機器（ビデオカメラ）を示す斜視図（第１モード）、 本実施形態の開閉・回転検知機構が組み込まれた電子機器（ビデオカメラ）を示す斜視図（第２モード）、 本実施形態の開閉・回転検知機構が組み込まれた電子機器（ビデオカメラ）を示す斜視図（第３モード）、 本実施形態の開閉・回転検知機構が組み込まれた電子機器（ビデオカメラ）を示す斜視図（第４モード）、 表示筐体（第１部材）の回転検知を説明するための正面図、 別の実施形態を説明するための表示筐体（第１部材）の正面図、 カメラ本体（第２部材）と表示筐体との間の開閉検知を説明するための断面図、 磁気検出素子の構成を示す縦断面図、 本実施形態における磁気センサの回路構成図。

図１〜図４は、本実施形態の開閉・回転検知機構が組み込まれた電子機器（ビデオカメラ）を示す斜視図である。図５は、表示筐体（第１部材）の回転検知を説明するための正面図、図７は、カメラ本体（第２部材）と表示筐体との間の開閉検知を説明するための断面図、である。

ビデオカメラ１は、カメラ本体２と表示筐体３とを有して構成される。カメラ本体２の後部にはファインダ４や各種釦（図示しない）等が設けられている。またカメラ本体２の前部にはレンズ部５が設けられる。

図１に示すように、カメラ本体２の側方には開閉式の表示筐体３が連結されている。図１は、表示筐体３がカメラ本体２の側面に閉じた状態を示す。図１の状態を本実施形態では第１モードと称する。表示筐体３は第１モードのとき、カメラ本体２に対向する第１の面３ａと、前記第１の面３ａと反対側であって外側に位置する第２の面３ｂとを備える。

図１の第１モードから表示筐体３を開いた状態が図２である。なお図２の状態を本実施形態では第２モードと称する。

図２に示すように、表示筐体３の第１の面３ａには、液晶ディスプレイ６が設けられる。

図２の第２モードから図２の矢印に示すように、表示筐体３の第１の面３ａ及び第２の面３ｂを１８０度反転させた状態が図３である。図３の状態を本実施形態では第３モードと称する。液晶ディスプレイ６は、第２モードと第３モードとで上下方向が逆転する。

そして図３の第３モードから図３の矢印に示すように、表示筐体３をカメラ本体１に閉じた状態が図４である。図４の状態を本実施形態では第４モードと称する。

図４の第４モードでは図１の第１モードと異なって表示筐体３の第１の面３ａと第２の面３ｂが逆転して、第２の面３ｂがカメラ本体２と対向し、第１の面３ａが外側を向くので、液晶ディスプレイ６を表示筐体３をカメラ本体２に閉じた状態で見ることができる。

本実施形態では、図１の第１モードから図２の第２モード、及び図３の第３モードから図４の第４モードに至る表示筐体３のカメラ本体２に対する開閉検知、及び図２の第２モードから図３の第３モードに至る表示筐体３の回転検知を次の機構を用いて行っている。

図５に示す表示筐体３は、図２及び図３に示す横向きの表示筐体３を９０度縦に起こした状態を示している。

表示筐体３はカメラ本体２に図５に示すヒンジ部１０を介して連結されている。ヒンジ部１０は、両端に設けられた回転部１１と、回転部１１，１１間を連結する連結部１２とを有して構成されている。

回転部１１は、一方に軸受（穴）が設けられた雌型部１３と、軸受に挿入される回転軸を備える雄型部１４とを備える。この実施形態では、雄型部１４がカメラ本体２側に固定支持されている。また両端に設けられた雌型部１３，１３間が連結部１２によって連結されている。

図５に示すようにヒンジ部１０を構成する連結部１２は、表示筐体３と分離して設けられている。よって表示筐体３が図２の第２モードから図３の第３モードに回転しても連結部１２は追従せず固定されたまま動かない。

図５に示すように、表示筐体３には回転軸部１６が回転可能に取り付けられている。回転軸部１６はヒンジ部１０の連結部１２に対して垂直方向に延びて表示筐体３内に接続されている。図５（ａ）に引き出して示した拡大裏面図のように、例えば連結部１２には貫通孔１２ａが設けられ、この貫通孔１２ａに回転軸部１６が挿入される。例えば回転軸部１６が連結部１２から抜けないようにストッパ（図示せず）が設けられ、また連結部１２と一体、あるいは別体として回転軸部１６に対する軸受部（図示せず）が設けられ、この軸受部内に前記回転軸部１６が挿通されている。

ヒンジ部１０は表示筐体３から分離しているが、ヒンジ部１０を構成する連結部１２が表示筐体３に接続される回転軸部１６と接続されており、ヒンジ部１０にて表示筐体３とカメラ本体２とを折畳み可能に連結している。

また、表示筐体３は回転軸部１６により表裏面を回転可能に支持されている。
図５（ａ）に示すように、回転軸部１６の先端面１６ａに磁石２０が取り付けられている。回転軸部１６の先端面１６ａは、表示筐体３の内部に挿入される側でなく、表示筐体３から突出する側の面であることが好適である。これにより磁石２０を回転軸部１６に取り付けやすく、また、磁石２０の配置スペースを比較的広く取ることができる。磁石２０は、その側面が着磁面２０ａである。このため、回転軸部１６が回転すると、磁石２０の着磁面２０ａが回転する。磁石２０の中心は、回転軸部１６の略中心に置かれているため、磁石２０は回転軸部１６と略同心円上にて回転する。

磁石２０の形状は限定されない。図５（ａ）では磁石２０の平面形状が四角形状であるが円形状等であってもよい。また、回転軸部１６が筒状で形成され、回転軸部１６に形成された貫通空間を液晶ディスプレイ６等の配線を通すために利用する場合は、磁石２０が前記配線の引き回しの邪魔にならないように、磁石２０の中心に貫通孔（前記配線を通すための穴）が設けられていることが好適である。

本実施形態では図５（ａ）に示すように、ヒンジ部１０の連結部１２の表面（表示筐体３と対向する側の反対の面）に第１磁気センサ２１が取り付けられる。第１磁気センサ２１と磁石２０とは側方方向にて対向するか、あるいは多少の高低差が存在している。ただし高低差が大きくなりすぎると、第１磁気センサ２１に磁石２０から流入する外部磁界の方向が面内方向成分より高さ方向成分に徐々に強くなり、第１磁気センサ２１の磁気感度が小さくなるので、高低差が大きくなりすぎる場合には、例えば第１磁気センサ２１と連結部１２の間に第１磁気センサ２１の高さを調整する土台を設ける等して、第１磁気センサ２１と磁石２０との高低差が所定範囲内に収まるように調整することが好適である。

また図７は、表示筐体３からカメラ本体２にかけて切断した部分縦断面図を示す。図７に示すようにカメラ本体２側には第２磁気センサ２２が設けられる。

第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２は、外部磁界に対して電気特性が変化する磁気検出素子を備えて構成される。

磁気検出素子Ｓの構成について説明する。図８に示すように、磁気検出素子Ｓは、例えば、基板上に、下から下地層６０、反強磁性層６１、固定磁性層６２、非磁性材料層６３、フリー磁性層６４及び保護層６５の順に積層されて成るＧＭＲ素子（巨大磁気抵抗効果素子）である。下地層６０は例えばＴａ、反強磁性層６１は例えばＩｒＭｎ、固定磁性層６２は例えばＣｏＦｅ、非磁性材料層６３は例えばＣｕ、フリー磁性層６４は例えばＮｉＦｅ、保護層６５は例えばＴａで形成される。また、積層順を逆にしたり、固定磁性層６２を積層フェリ構造で形成する等、図８の積層構造から変更が可能であるが、ＧＭＲ素子を構成する場合、少なくとも固定磁性層６２、非磁性材料層６３、及びフリー磁性層６４の３層構造を有していなければならない。

反強磁性層６１と固定磁性層６２の間には交換結合磁界（Ｈｅｘ）が生じて固定磁性層６２の磁化方向（ＰＩＮ方向）は一方向に固定される。

一方、フリー磁性層６４の磁化方向は固定されず、作用する水平磁場成分の方向に向けられる。

図９は、本実施形態における第１磁気センサ２１の回路構成図である。図９に示すように、第１磁気センサ２１は、センサ部１０１と集積回路（ＩＣ）１０２とを有して構成される。

センサ部１０１には、第１磁気検出素子Ｓ１と固定抵抗素子Ｆ１とが第１出力取り出し部１０５を介して直列接続された第１直列回路１０６、及び、第２磁気検出素子Ｓ２と固定抵抗素子Ｆ２とが第２出力取り出し部１０９を介して直列接続された第２直列回路１１０が設けられる。

集積回路１０２には、固定抵抗素子Ｆ３と固定抵抗素子Ｆ４が第３出力取り出し部１１３を介して直列接続された第３直列回路１１４が設けられる。

第３直列回路１１４は、共通回路として第１直列回路１０６及び第２直列回路１１０と夫々ブリッジ回路を構成している。

図９に示すように集積回路１０２には入力端子（電源）１１９、グランド端子１２０及び２つの外部出力端子１２１，１２２が設けられている。

図９に示すように集積回路１０２内には、１つの差動増幅器１２５が設けられ、差動増幅器１２５の＋入力部、−入力部のどちらかに、第３直列回路１１４の第３出力取り出し部１１３が接続されている。

第１直列回路１０６の第１出力取り出し部１０５及び第２直列回路１１０の第２出力取り出し部１０９は夫々第１スイッチ回路１２６の入力部に接続され、第１スイッチ回路１２６の出力部は差動増幅器１２５の−入力部、＋入力部のどちらか（前記第３出力取り出し部１１３が接続されていない側の入力部）に接続されている。

図９に示すように、差動増幅器１２５の出力部はシュミットトリガー型のコンパレータ１２８に接続され、さらにコンパレータ１２８の出力部は第２スイッチ回路１２９の入力部に接続され、さらに第２スイッチ回路１２９の出力部側は２つのラッチ回路及びＦＥＴ回路を経て第１外部出力端子１２１及び第２外部出力端子１２２に夫々接続される。

さらに図９に示すように、集積回路１０２内には第３スイッチ回路１３０が設けられている。第３スイッチ回路１３０の出力部は、グランド端子１２０に接続され、第３スイッチ回路１３０の入力部には、第１直列回路１０６及び第２直列回路１１０の一端部が接続されている。

さらに図９に示すように、集積回路１０２内には、インターバルスイッチ回路１３１及びクロック回路１３３が設けられている。インターバルスイッチ回路１３１のスイッチがオフされると集積回路１０２内への通電が停止するようになっている。インターバルスイッチ回路１３１のスイッチのオン・オフは、クロック回路１３３からのクロック信号に連動しており、インターバルスイッチ回路１３１は通電状態を間欠的に行う節電機能を有している。

クロック回路１３３からのクロック信号は、第１スイッチ回路１２６、第２スイッチ回路１２９、及び第３スイッチ回路１３０にも出力される。

第１磁気検出素子Ｓ１は、例えば外部磁界（＋Ｘ）の強度変化に基づいて磁気抵抗効果を発揮するＧＭＲ素子であり、一方、第２磁気検出素子Ｓ２は、外部磁界（＋Ｘ）と反対方向の外部磁界（−Ｘ）の磁界強度変化に基づいて磁気抵抗効果を発揮するＧＭＲ素子である。

例えば図５（ａ）に示す磁石２０の配置のとき、第１磁気検出素子Ｓ１の抵抗値は変動するが、第２磁気検出素子Ｓ２の抵抗値は変動せず、図５（ｂ）に示す磁石２０の配置のとき、第２磁気検出素子Ｓ２の抵抗値は変動するが、第１磁気検出素子Ｓ１の抵抗値は変動しないようになっている。

図９に示す回路構成は、「双極２出力型」であり、すなわち第１磁気センサ２１では、異なる磁極に対して夫々、出力を得ることが出来る。第１外部出力端子１２１から出力が得られるとき、例えば磁石２０が図５（ａ）の配置になっていることを検知できる。また、図９の状態から各スイッチ回路１２６，１２９，１３０の接続状態が切り換えられ、第２外部出力端子１２２から出力が得られるとき、例えば磁石２０が図５（ｂ）の配置になっていることを検知できる。

一方、第２磁気センサ２２は、図９と同じ回路構成であってもよいが、双極を検知できれば出力は１つでも足りる。例えば出力取り出し部１０５，１０９を直接、差動増幅器１２５に接続し、さらにコンパレータ１２８をどちらか一方の外部出力端子に接続する回路構成でもよく、かかる場合、図９に示す各スイッチ回路等は必要なくなり、回路構成を図９に比べて簡素化できる。

図１に示す第１モードでは、第１磁気センサ２１と磁石２０との関係が図５（ａ）、及び第２磁気センサ２２と磁石２０との関係が図７（ａ）であるとする。

図５（ａ）に示すように第１磁気センサ２１には磁石２０のＮ極が対向している。磁石２０から第１磁気センサ２１に作用する外部磁界が図９の＋Ｘであれば、第１磁気検出素子Ｓ１が抵抗変化し、第１外部出力端子１２１から出力が得られる（Highレベルの信号が得られる）。

また図７（ａ）に示すように、第２磁気センサ２２と磁石２０とは接近状態にある。このとき、第２磁気センサ２２には、一方向からの外部磁界が作用し、図９に示す第１磁気検出素子Ｓ１か第２磁気検出素子Ｓ２のどちらか一方の磁気検出素子Ｓが抵抗変化する。上記したように第２磁気センサ２２は双極１出力型であるため、どちらか一方の磁気検出素子Ｓが抵抗変化したことで出力が得られる（Highレベルの信号が得られる）。

このように、第１磁気センサ２１の第１外部出力端子１２１及び第２磁気センサ２２から夫々、Highレベルの信号が出力されたことで、表示筐体３がカメラ本体２に対して第１モードにあること検知できる。

続いて、図２に示す第２モードでは、第１磁気センサ２１と磁石２０との関係は変化しない。よって、第１磁気センサ２１の第１外部出力端子１２１からHighレベルの信号が出力される。

一方、第２モードに移行すると、図７（ｂ）に示すように、磁石２０と第２磁気センサ２２間の距離は図７（ａ）よりも離れ、第２磁気センサ２２に作用する外部磁界の強度は小さくなる。そして出力電圧がコンパレータ等で規定される閾値電圧を下回り、第２磁気センサ２２からはLowレベルの信号が出力される。

このように、第１磁気センサ２１の第１外部出力端子１２１から、Highレベルの信号が出力され、第２磁気センサ２２からLowレベルの信号が出力されることで、表示筐体３がカメラ本体２に対して第２モードにあること検知できる。

次に、第３モードに移行するとき、第２磁気センサ２２と磁石２０との関係は変わらない。よって第２磁気センサ２２からLowレベルの信号が出力されたままである。

一方、第２モードから第３モードへ移行するとき、表示筐体３が回転軸部１６の回転により回転して、回転軸部１６の先端面１６ａに設置された磁石２０も回転し、表示筐体３の表裏面を１８０度反転させると、第１磁気センサ２１に対して磁石２０のＳ極が対向した状態になる（図５（ｂ）参照）。

このとき、磁石２０から第１磁気センサ２１に作用する外部磁界が図９の−Ｘとなるため、第２磁気検出素子Ｓ２が抵抗変化し、第２外部出力端子１２２からHighレベルの出力が得られる。

このように、第１磁気センサ２１の第２外部出力端子１２２から、Highレベルの信号が出力され、第２磁気センサ２２からLowレベルの信号が出力されることで、表示筐体３がカメラ本体２に対して第３モードにあること検知できる。

次に、第４モードに移行するとき、第１磁気センサ２１と磁石２０との関係は変わらない。よって第１磁気センサ２１の第２外部出力端子１２２から、Highレベルの信号が出力される。

一方、第３モードから第４モードに移行すると、図７（ｂ）から図７（ａ）の状態に変化し、第２磁気センサ２２と磁石２０とが接近する。このとき、第２磁気センサ２２には、第１モードのときに対して反対方向の外部磁界が作用し、図９に示す第１磁気検出素子Ｓ１か第２磁気検出素子Ｓ２のどちらか一方の磁気抵抗効果素子Ｓが抵抗変化する（第１モードのときに抵抗変化した磁気検出素子とは異なる磁気検出素子が抵抗変化する）。上記したように第２磁気センサ２２は双極１出力型であるため、どちらか一方の磁気検出素子Ｓが抵抗変化したことでHighレベルの出力が得られる。

このように、第１磁気センサ２１の第２外部出力端子１２２から、Highレベルの信号が出力され、第２磁気センサ２２からHighレベルの信号が出力されることで、表示筐体３がカメラ本体２に対して第４モードにあること検知できる。

以上により、図１ないし図４に示す４モード全ての状態を検知できる。本実施形態に示すビデオカメラ１等の電子機器では、いずれのモードも第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２の夫々の出力に基づいて検知し、検知出力に基づいて、各モードに対して所定の処理・制御を行うことが可能である。

例えば、第１モードでは、液晶ディスプレイ６が起動した状態のまま表示筐体３を閉じると、所定時間経過後に液晶ディスプレイ６の電源が落ちるように制御される。第２モードは、通常モードであり、起動した液晶ディスプレイ６にはファインダ４越しに見える風景が映し出される。第３モードでは、例えば自分撮り機能が起動し、レンズ部５に写る自分の姿が液晶ディスプレイ６に映し出される。このとき、第３モードでの液晶ディスプレイ６の上下は、第２モードのときと逆転しているので、表示もそれに合わせて切換え、且つ液晶ディスプレイ６に映し出される風景は鏡像となるように制御される。第４モードでは、再び図２と同じ通常のモードに戻されるか、あるいは別のモードが起動するように制御される。ただし、第４モードでの液晶ディスプレイ６の上下は、第２モードのときと逆転しているので、表示もそれに合わせて切換えることが必要である。

上記では４モードの切換であったが、４モード以上の切換が行われるように制御することも可能である。例えば第２モードと第３モードの途中や、第３モードと第４モードの途中に、別のモードが起動するように制御することも可能である。

本実施形態では、図５に示すように、磁石２０は、回転軸部１６の先端面１６ａに取り付けられている。そして、磁石２０の側面が着磁面２０ａであり、回転軸部１６の回転に伴い前記着磁面が回転する。

これにより、磁石２０は回転軸部１６と略同心円上を回転し、磁石２０と第１磁気センサ２１間の距離は略一定に保たれる。このため、第１磁気センサ２１を構成する磁気検出素子に対して略一定強度の回転磁場を作用させることができ、前記回転磁場により、前記磁気検出素子を磁気飽和させることができる。このため、第１磁気センサ２１からヒステリシスの小さいリニアな出力を得ることができ、検出精度を向上させることができる。また回転磁場の作用により、第１磁気センサ２１にてデジタル信号でなくアナログ信号を取り出すことで磁石２０の回転角度を知ることも可能である。

また上記のように回転磁場の作用により磁石２０の回転角度を検知するには、図６に示すように第１磁気センサ２１を磁石２０と厚さ方向（高さ方向）にて対向する位置に配置することがより好適である。なお図６の実施形態においても第１磁気センサ２１はヒンジ部１０に取り付けられる。

なお第１磁気センサ２１の検出回路構成は双極２出力型として説明したが、単極１出力型としてもよい。すなわち図９に示す第１磁気検出素子Ｓ１及び第２磁気検出素子Ｓ２のどちらか一方のみが設けられ、各スイッチ回路１２６，１２９，１３０は設けられておらず、外部出力端子１２１，１２２も一方のみ設けられる。単極１出力型では、Ｎ極かＳ極のどちらか一方のみしか検知できないが、例えばＮ極を検知してHighレベルの信号が出力されるとき、Lowレベルの信号が出力されれば、Ｓ極を検知しているとみなすことができ、図５（ａ）あるいは図５（ｂ）の２状態を知ることができるので、単極１出力型でも足りる。ただし双極２出力型としたほうが、第２モード−第３モード間のモード切換タイミングの自由度が高く、きめ細かい調整を行うことができ好適である。

また磁気抵抗効果素子ＳはＧＭＲ素子のほか、ＴＭＲ素子、ＡＭＲ素子、ホール素子等であってもよいが、感度に優れたＧＭＲ素子あるいはＴＭＲ素子とすることで、検出精度の向上を図ることが出来る。

また本実施形態における開閉・回転検知機構は、図１〜図４に示すビデオカメラ１以外にデジタルカメラ等にも適用できる。

１ ビデオカメラ
２ カメラ本体
３ 表示筐体
６ 液晶ディスプレイ
１０ ヒンジ部
１１ 回転部
１２ 連結部
１６ 回転軸部
２０ 磁石
２０ａ 着磁面
２１ 第１磁気センサ
２２ 第２磁気センサ
６１ 反強磁性層
６２ 固定磁性層
６３ 非磁性材料層
６４ フリー磁性層
１０１ センサ部
１０２ 集積回路（ＩＣ）
１２１、１２２ 外部出力端子
１２５ 差動増幅器
１２８ コンパレータ
Ｓ１ 第１磁気検出素子
Ｓ２ 第２磁気検出素子

Claims (4)

1. 第１部材と、第２部材と、前記第１部材及び第２部材の間に位置して前記第１部材と前記第２部材とを折り畳み可能に連結するヒンジ部と、前記第１部材の表裏面を回転可能に支持する回転軸部と、を有する電子機器の開閉・回転検知機構において、
   前記開閉・回転検知機構は、前記回転軸部に取り付けられる磁石と、前記ヒンジ部に取り付けられる第１磁気センサと、前記第２部材側に設けられる第２磁気センサと、を有して構成され、前記第１磁気センサ及び前記第２磁気センサは、前記磁石からの外部磁界に対して電気特性が変化する磁気検出素子を備えて構成されており、
   前記第１部材と前記第２部材間の開閉状態を、前記第２磁気センサにて前記外部磁界の変化を受けて検知し、前記第１部材の回転状態を、前記第１磁気センサにて前記外部磁界の変化を受けて検知し、前記第１部材の回転検知では、前記第１磁気センサは固定されたままで前記磁石が前記回転軸部の回転に伴って回転することを特徴とする電子機器の開閉・回転検知機構。
2. 前記回転軸部の先端面に前記磁石が取り付けられ、前記磁石の側面が着磁面であり、前記回転軸部の回転に伴い前記着磁面が回転する請求項１記載の電子機器の開閉・回転検知機構。
3. 前記ヒンジ部は、両端に設けられた回転部と、前記回転部間を連結する連結部とを有して構成され、前記第１磁気センサは前記連結部に取り付けられる請求項１又は２に記載の電子機器の開閉・反転検知機構。
4. 前記第１部材を反転させない状態において、第１部材と第２部材とを折畳んだ第１モード、前記第１モードから第１部材と第２部材とを開いた第２モード、前記第２モードから前記第１部材の表裏面を反転させた第３モード、及び、前記第３モードから第１部材と第２部材とを折畳んだ第４モードを、前記第１磁気センサ及び前記第２磁気センサの夫々の出力に基づいて検知する請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電子機器の開閉・反転検知機構。

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