JP6501807B2 - 電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、デジタルカメラやデジタルビデオカメラ等の撮像装置を含む電子機器に関し、特に可動式の表示ユニットを備える電子機器に関する。
デジタルカメラ等の電子機器として、機器本体に対して開閉可能かつ開き状態で回転可能な表示ユニットを有するものがある。このような電子機器では、表示ユニットの開閉状態及び回転状態に応じて表示ユニットの表示面に表示される画像の上下/左右の反転や点灯/消灯の切り替えが行われる。また、表示ユニットの開閉状態及び回転状態の検知には、省スペース化が可能なことや非接触による信頼性向上等の理由により、磁石や磁気センサが用いられることがある。例えば特許文献1では、表示ユニットの開閉状態及び回転状態の検知に磁石の磁場を検出する磁気センサを用い、磁気センサの検知信号に基づき表示面の表示状態の切り替える技術が開示されている。
特開2016−138950号公報
上記特許文献1では、表示ユニットの開閉検知用の磁気センサと回転検知用の磁気センサの両方が同じ磁石からの磁束密度を検知する。そのため、表示ユニットの開閉検知と回転検知を完全に分離した検知の実現が困難である。
上記特許文献1では、表1に示すように、表示ユニットの開閉検知用の磁気センサ(開閉センサ)と回転検知用の磁気センサ(回転センサ)の検知結果と表示ユニットの表示パネル(表示面)の表示制御を対応させている。このため、2つの磁気センサの検知結果によっては、2つの磁気センサが磁場の影響を受けて表示ユニットの開閉/回転状態に対応しない画像が表示パネルに表示される可能性がある。
図10を参照して、詳細に説明する。図10は、上記特許文献1における表示ユニットの回転動作と開閉センサ及び回転センサが検知する磁束密度との関係を示すグラフ図である。
図10から判るように、開閉センサの検知信号は、磁束密度が閾値を超えると、オフとなり、閾値以下の場合にオンとなる。また、回転センサの検知信号は、磁束密度が閾値を超えると、オンとなり、閾値以下の場合にオフとなる。図10では、表示ユニットの回転角度が0°から160°の間で「開閉センサと回転センサの両方がオフ」、160°の付近で「回転センサのみオン」、170°の付近で「開閉センサと回転センサの両方がオン」のように検知結果が切り替わる。この場合、表1を参照すると、表示ユニットを開き状態で0°から180°へ回転動作させたとき、表示パネルに表示される画像は、通常画像→上下左右反転画像→上下反転画像の順に切り替わる。
しかし、上記特許文献1では、画像の上下左右反転は、表示ユニットの開閉動作で発生する表示形態であり、回転動作における表示パネルの表示形態は、上下左右反転画像を挟むことなく、通常画像から上下反転画像に切り替わることが望ましい。
そこで、本発明は、表示ユニットの開閉検知と回転検知を完全に分離した検知の実現を可能にして、機器本体に対する表示ユニットの開閉状態及び回転状態に適した画像を表示面に表示することができる電子機器を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の電子装置は、機器本体に対して表示ユニットが開閉軸を介して開閉可能、かつ開き状態で回転軸を介して回転可能に支持された電子機器であって、磁場発生手段と、前記表示ユニットの開閉検知に用いられる開閉検知手段と、前記表示ユニットの回転検知に用いられる回転検知手段と、前記開閉検知手段および前記回転検知手段による前記磁場発生手段の磁場の検知結果に基づき、前記表示ユニットの表示面の表示を制御する制御手段と、を備え、前記表示ユニットが前記表示面を前記機器本体の背面側に向けた状態で前記機器本体に対して閉じた位置では前記開閉検知手段および前記回転検知手段が前記磁場発生手段の磁場を検知し、前記表示ユニットが前記機器本体に対して前記閉じた位置から所定の角度まで開くと、前記回転検知手段のみが前記磁場発生手段の磁場を検知し、前記所定の角度以上で前記表示ユニットを前記表示面が前記機器本体の背面側を向く方向に回転させた際に、前記開閉検知手段および前記回転検知手段が前記磁場発生手段の磁場を検知しないように、前記開閉検知手段、前記回転検知手段および前記磁場発生手段が配置され、前記表示ユニットの開き状態で前記表示面が前記機器本体の正面側を向いた状態において、前記磁場発生手段は、前記回転軸の上側で前記開閉軸に近接し、かつS極を前記機器本体に対して上側にして前記開閉軸と平行な方向に着磁方向を有するように配置され、前記回転検知手段は、その磁場検知方向と前記磁場発生手段の磁場の方向が同じ方向となるように配置され、前記開閉検知手段は、その磁場検知方向と前記磁場発生手段の磁場の方向が逆方向となるように配置されていることを特徴とする。
本発明によれば、表示ユニットの開閉検知と回転検知を完全に分離した検知の実現を可能にして、機器本体に対する可動式の表示ユニットの開閉状態及び回転状態に適した画像を表示面に表示することができる。
(a)は本発明の電子機器の実施形態の一例であるデジタル一眼レフカメラを背面側から見た斜視図、(b)は(a)に示すデジタル一眼レフカメラの表示ユニットを開いた状態を示す斜視図である。 (a)は図1(b)に示す開き状態の表示ユニットを180°回転させた状態を示す斜視図、(b)は(a)に示す表示ユニットを閉じた状態を示す斜視図である。 (a)は表示パネルに表示される「通常画像」の一例を示す図、(b)は表示パネルに表示される「左右反転画像」の一例を示す図、(c)は表示パネルに表示される「上下左右反転画像」の一例を示す図である。 カメラ本体の制御系の概略を示すブロック図である。 図2(a)に示す状態をカメラ本体の正面側から見た図である。 (a)は図5のS部拡大詳細図、(b)は(a)のA−A線断面図である。 図6(b)のB−B線矢視図である。 表示ユニットを回転動作させた場合に開閉センサ及び回転センサが検知する磁束密度の変化を示すグラフ図である。 表示ユニットを開閉動作させた際に開閉センサ及び回転センサが検知する磁束密度の変化を示すグラフ図である。 従来の表示ユニットの回転動作と開閉センサ及び回転センサが検知する磁束密度との関係を示すグラフ図である。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。
図1(a)は本発明の電子機器の実施形態の一例であるデジタル一眼レフカメラを背面側から見た斜視図、図1(b)は図1(a)に示すデジタル一眼レフカメラの表示ユニットを開いた状態を示す斜視図である。なお、本実施形態では、本発明の電子機器として、撮像装置の一例であるデジタル一眼レフカメラを例示するが、これに限定されない。
本実施形態のデジタル一眼レフカメラ(以下、カメラという)は、カメラ本体201の正面側(被写体側)に不図示のレンズユニットが交換可能に装着される。カメラ本体201の上面部には、レリーズボタン202、モード切り替えスイッチ203、電源スイッチ210、メイン電子ダイアル206、及びポップアップ式のストロボユニット205等が設けられている。カメラ本体201は、本発明の機器本体の一例に相当する。
カメラ本体201の背面部には、LCD等により構成される表示ユニット209が2軸ヒンジ部220の開閉軸221を介してカメラ本体201に対して図1(a)に示す閉じ位置と図1(b)に示す開き位置と間で開閉可能に支持されている。また、表示ユニット209は、図1(b)に示す開き位置で2軸ヒンジ部220の回転軸222を介して回転可能に支持されている。図1(b)に示す開き状態の表示ユニット209は、表示面となる表示パネル219を背面側に向けて配置されている。
図1(a)に示す表示ユニット209の閉じ状態では、表示ユニット209は、表示パネル219をカメラ本体201の正面側(被写体側)に向けた状態でカメラ本体201の背面部に形成された収納凹部223に収納される。収納凹部223の収納面には、弾性部材226が設けられ、収納凹部223に収納された表示ユニット209は、弾性部材226により開き方向に付勢された状態で係止爪225により係止される。
また、図1(a)に示す閉じ状態の表示ユニット209の上方には、ファインダ接眼部217が設けられ、表示ユニット209の右方には、ボタンやダイアル等で構成される各種の操作部材211が設けられている。
ここで、本実施形態では、表示ユニット209の開閉軸221周りの開閉角度の範囲を175°とし、回転軸222周りの回転角度の範囲を図1(b)の+方向に180°、−方向に90°とする。また、図1(a)に示す表示ユニット209の閉じ状態では、表示ユニット209の開閉角度を0°とし、回転角度を0°とする。
図2(a)は図1(b)に示す開き状態の表示ユニット209を回転軸222を介して180°回転させた状態を示す斜視図、図2(b)は図2(a)に示す表示ユニット209を閉じた状態を示す斜視図である。
図2(a)に示す表示ユニット209の開き状態では、表示ユニット209の表示パネル219は、被写体側を向いている。図2(b)に示す表示ユニット209の閉じ状態では、表示パネル219をカメラ本体201の背面側に向けた状態で収納凹部223に収納されている。収納凹部223に収納された表示ユニット209は、図1(a)と同様に、弾性部材226により開き方向に付勢された状態で係止爪225により係止され、このときの表示ユニット209の開閉角度を0°とし、回転角度を+180°とする。
また、図1及び図2に示すように、カメラ本体201の内部には、表示ユニット209の開閉検知用の磁気センサ(以下、開閉センサという。)101及び回転検知用の磁気センサ(以下、回転センサという。)102が設けられている。開閉センサ101は、本発明の開閉検知手段の一例に相当し、回転センサ102は、本発明の回転検知手段の一例に相当する。
開閉センサ101は、表示ユニット209の開閉動作を検知し、回転センサ102は、表示ユニット209の回転動作を検知する。開閉センサ101及び回転センサ102には、単極の巨大磁気抵抗(Giant MagnetoResistance:GMR)素子が用いられる。なお、開閉センサ101及び回転センサ102に双極のGMR素子を用いてもよいが、単極のGMR素子を用いることでコストダウンが可能となる。
また、表示ユニット209の内部には、磁場発生手段の一例としての磁石103が設けられ、磁石103で発生する磁場は、開閉センサ101及び回転センサ102によって検知される。図2(b)では、開閉センサ101及び回転センサ102がともに磁石103の磁場を検知している状態である。本実施形態では、図2(b)の表示パネル219の画像の表示状態を「通常画像」とする。「通常画像」は、本発明の第3の画像の一例に相当する。なお、表示ユニット209の開閉/回転動作と開閉センサ101及び回転センサ102が検知する磁石103の磁束密度との関係については、図8を用いて後述する。
図3(a)は表示パネル219に表示された「通常画像」の一例を示す図であり、図2(b)の表示ユニット209、すなわち表示ユニット209が表示パネル219をカメラ本体201の背面側に向けて収納凹部223に収納された状態に対応している。この状態では、開閉センサ101及び回転センサ102は、ともに磁石103の磁場を検知している。
図2(b)の状態から表示ユニット209が所定の角度まで開くと、回転センサ102のみが磁石103の磁場を検知している状態となる。このとき、表示パネル219の表示は、後述するシステム制御部401(図4)により制御されて、図3(a)の「通常画像」から左右が反転した図3(b)に示す「左右反転画像」に切り替わる。「左右反転画像」の表示は、撮影者が自分撮りをする場合に適した表示である。「左右反転画像」は、本発明の第1の画像の一例に相当する。
さらにユーザが開閉軸221を中心として表示ユニット209を所定の角度以上に開き方向に回動させると、図2(a)の状態となる。図2(a)は、表示ユニット209の開き状態で表示パネル219がカメラ本体201の正面側を向いており、表示ユニット209の開閉角度は175°、回転角度は+180°となる。このとき、開閉センサ101は、磁石103の磁場を検知しない状態となっている。
次に、ユーザが回転軸222を中心として表示パネル219がカメラ本体201の背面側を向くように表示ユニット209を−方向に回転させると、開閉センサ101と回転センサ102の両方が磁石103の磁場を検知しない状態となる。このときの表示パネル219の表示は、システム制御部401により制御されて、図3(b)の「左右反転画像」から上下が反転した表示に切り替わる。
結果として、図3(c)に示すように、図3(a)の「通常画像」に対して、上下左右が反転した「上下左右反転画像」に切り替わる。「上下左右反転画像」の表示は、撮影者が表示ユニット209を開き状態にして撮影する場合に適した表示である。「上下左右反転画像」は、本発明の第2の画像の一例に相当する。
その後、さらにユーザが回転軸222を中心として表示ユニット209を−方向に回転させると、回転角度0°において、図1(b)の状態となる。図1(b)では、表示ユニット209の開き状態で表示パネル219がカメラ本体201の背面側を向いており、表示ユニット209の開閉角度が175°、回転角度が0°となる。
次に、図1(b)の状態から、ユーザが開閉軸221を中心として表示ユニット209を閉じていくと、所定角度において、不図示の閉じセンサにより表示ユニット209の閉じ状態が検知され、システム制御部401の制御により表示パネル219が消灯する。その後、さらにユーザが開閉軸221を中心として表示ユニット209を閉じ方向に回動させると、開閉角度0°において、図1(a)の状態となる。
図1(a)では、表示ユニット209の閉じ状態で表示パネル219がカメラ本体201の正面側を向いており、表示ユニット209の開閉角度が0°、回転角度が0°となる。この状態では、表示ユニット209は、表示パネル219が収納凹部223の収納面と対向して収納されている。また、図1(a)の状態からユーザが開閉軸221を中心として表示ユニット209を開いていくと、所定角度で閉じセンサによる閉じ状態の検知がオフになり、システム制御部401の制御によって表示パネル219が点灯状態となる。
図4は、カメラ本体201の制御系の概略を示すブロック図である。図4において、システム制御部401は、表示パネル219の画像表示や撮像動作などの制御を含むカメラ全体の制御を司る。操作部402は、レリーズボタン202やメイン電子ダイアル206、各種の操作部材211等を含み、ユーザからの操作を受け付ける受け付け手段として機能する。
メモリ403には、システム制御部401が使用する制御プログラムや各種データなどが記憶されている。開閉センサ101及び回転センサ102は、それぞれの検知信号をシステム制御部401に出力する。システム制御部401は、開閉センサ101及び回転センサ102が出力するオンまたはオフの検知信号を取得して、表示パネル219の表示制御を行う。
ここで、開閉センサ101及び回転センサ102の検知状態と表示パネル219の表示形態との対応関係を表2に示す。
前述したように、表2に示す開閉センサ101及び回転センサ102の検知状態と表示パネル219の表示形態との対応関係に基づいて、システム制御部401が表示パネル219の表示を制御する。
次に、図5乃至図7を参照して、開閉センサ101、回転センサ102及び磁石103の配置について説明する。図5は、図2(a)に示す状態をカメラ本体201の正面側から見た図である。
図5において、カメラ本体201の光軸方向をZ方向とした場合、Z方向と直交する矩形状の表示パネル219の長手方向(図の左右方向)をX方向とし、X方向に直交し、かつZ方向に直交するカメラ本体201の高さ方向をY方向とする。図5に示すように、磁石103は、回転軸222の上側で、かつ2軸ヒンジ部220側の表示ユニット209の端部に配置される。また、磁石103は、+Y方向(上側)をS極、−Y方向(下側)をN極としてY方向に着磁方向を有するように配置される。
開閉センサ101及び回転センサ102は、2軸ヒンジ部220の上側に配置され、回転軸222から開閉軸221の軸方向に磁石103と略同じ距離に配置されている。このとき、磁石103は、表示ユニット209のX方向において開閉軸221に近接して配置されるため、表示ユニット209の開閉動作では、開閉センサ101における磁石103による磁束密度の変化が比較的大きくなる。すなわち、開閉センサ101は、磁石103からの磁場をより強く検知するように配置される。
また、磁石103は、表示ユニット209のY方向において回転軸222から最も離れた位置に配置され、表示ユニット209の回転動作では、回転センサ102における磁石103による磁束密度の変化が最も大きくなる。すなわち、回転センサ102は、磁石103からの磁場をより強く検知するように配置される。
図6及び図7を参照して、開閉センサ101及び回転センサ102の配置の詳細に説明する。図6(a)は、図5のS部拡大詳細図である。図6(a)において、左右方向がX方向、上下方向がY方向であり、+Y方向(上方向)を正方向とする。図6(a)に示すように、回転センサ102は、FPC(フレキシブルプリント基板)601に実装され、回転センサ102の実装面は、XY平面に対して平行な面である。
FPC601は、樹脂部材602に不図示の両面テープ等により固定されている。矢印603の方向は、回転センサ102の磁場検知方向であり、回転センサ102は、その実装面に対して平行方向の磁場を検知可能である。すなわち、回転センサ102は、図6(a)の破線矢印で示す磁石103からの磁場と同じ方向の磁場成分を検知するように配置されている。
図6(b)は、図6(a)のA−A線断面図である。図6(b)では、左右方向がX方向、上下方向がZ方向である。図6(b)に示すように、開閉センサ101は、回転センサ102と同様に、FPC601に実装されている。開閉センサ101及び回転センサ102は、XZ平面において、開閉軸221よりもカメラ本体201の内側に配置される。これにより、表示ユニット209の開閉状態/回転状態を所望の開閉角度/回転角度で検知可能にすると共に、カメラ本体201を小型化することが可能である。
また、開閉センサ101の実装面は、XY平面に対して角度θの傾斜角を有して配置されている。角度θは、Y方向から見た場合、XY平面に対して開閉センサ101の実装面及び貼り付け面がなす角度である。角度θを変更することで、開閉センサ101の検知信号がオンとなる表示ユニット209の開閉角度を変更することができる。
例えば、後述する図9で説明する開閉センサ101の検知信号がオンとなる表示ユニット209の開閉角度100°付近より大きい開閉角度に検知角度を変更したい場合は、角度θを大きくなる方向に変更すればよい。この場合、開閉センサ101の検知中心位置は、変更することなく、開閉センサ101の磁場検知方向をXZ面内で変更する。
図7は、図6(b)のB−B線矢視図である。なお、図7では、開閉センサ101と磁石103の位置関係を明示するために、樹脂部材602の図示を省略している。また、図7において、矢印604は、開閉センサ101の磁場検知方向を示しており、開閉センサ101は、その実装面に対して平行方向の磁場を検知可能であり、+Z方向を正方向とする。すなわち、開閉センサ101は、図7の破線矢印で示す磁石103からの磁場の方向と逆方向の磁場成分を検知するように配置されている。開閉センサ101の磁場検知方向を磁石103からの磁場方向と逆方向にすることによる効果については、後述する図8(b)を用いて説明する。
次に、図8及び図9を参照して、表示ユニット209の開閉動作/回転動作と開閉センサ101及び回転センサ102が検知する磁束密度との関係について説明する。図8(a)は、表示ユニット209を図1(b)の状態から図2(a)の状態に回転動作させた場合に開閉センサ101及び回転センサ102が検知する磁束密度の変化を示すグラフ図である。図8(a)において、横軸は表示ユニット209の回転角度(単位:degree)を示し、縦軸は開閉センサ101及び回転センサ102が検知する磁束密度(単位:mT)を示す。
また、図8(a)での表示ユニット209の図1(b)から図2(a)への回転動作においては、開閉角度は175°と固定であり、回転角度が0°から+180°に変化する。図8(a)の破線で示される開閉センサ101及び回転センサ102の閾値(磁束密度3.0[mT])は等しく、磁束密度が閾値を超える場合にオンとなり、閾値以下の場合にオフとなる。前述したように、図1(b)の表示ユニット209の表示パネル219には、図3(c)に示す「上下左右反転画像」が表示されている。
図8(a)においては、表示ユニット209の回転動作において、回転角度が160°の付近で磁石103による磁束密度が回転センサ102の閾値を超え、回転センサ102はオン信号を出力する。また、表示ユニット209が逆方向に回転された場合には、回転角度が160°の付近で磁石103による磁束密度が回転センサ102の閾値未満となり、回転センサ102はオフ信号を出力する。
一方、開閉センサ101が検知する磁石103の磁束密度は、常に閾値未満となるため、開閉センサ101は、常にオフ信号を出力する。これは、磁石103の磁場方向と開閉センサ101の磁場検知方向とが表示ユニット209の回転動作によって変化しないように磁石103及び開閉センサ101が配置されているからである。
ここで、図8(b)を参照して、開閉センサ101の磁場検知方向を磁石103の磁場方向と逆方向にすることによる効果について説明する。図8(b)は、開閉センサ101の磁場検知方向を磁石103からの磁場方向と同じ方向に配置した場合の表示ユニット209の回転動作における、開閉センサ101及び回転センサ102が検知する磁束密度の変化を示すグラフ図である。
開閉センサ101の磁場検知方向が磁石103からの磁場の方向に対して逆方向ではなく同じ方向になるように検知位置を中心として開閉センサ101を180°反転配置すると、開閉センサ101が検知する磁束密度は、見かけ上、極性が逆転する。すなわち、図8(a)における開閉センサ101の磁束密度変化を磁束密度0[mT]を中心として上下に反転したグラフが図8(b)における開閉センサ101の磁束密度の変化に等しい。
図8(b)では、表示ユニット209の回転角度が0°〜160°の間で「開閉センサ101及び回転センサ102がオフ」、160°付近で「回転センサ102のみオン」、170°付近で「開閉センサ101及び回転センサ102がオン」となる。表2を参照すると、表示ユニット209を開き状態で0°から180°に回転させたとき、表示パネル219の画像は、上下左右反転画像→左右反転画像→通常画像の順に切り替わることになる。
これは、図10に示す上記特許文献1の表示パネル219の画像の表示切り替えの順番に等しく、図8(b)では、上記特許文献1と同様に、回転動作の途中で表示ユニット209の回転状態に対応していない「左右反転画像」が表示パネル219に表示される。従って、開閉センサ101の磁場検知方向を磁石103からの磁場の方向と同じ方向とした場合、表示ユニット209の回転状態に適した画像を表示パネル219に表示することができない。
そこで、本実施形態では、開閉センサ101の磁場検知方向を磁石103からの磁場の方向と逆方向としている。これにより、表示ユニット209の開き状態での回転動作については、図8(a)及び表2で説明したように、開閉センサ101及び回転センサ102の検知結果を「開閉センサ101及び回転センサ102がオフ」、「回転センサ102のみオン」の2通りとした。
このとき、表2を参照すると、「開閉センサ101及び回転センサ102がオフ」の検知結果をシステム制御部401が取得して、表示パネル219に「上下左右反転画像」を表示することが可能である。また、「回転センサ102のみオン」の検知結果をシステム制御部401が取得して、表示パネル219に「左右反転画像」を表示することが可能となる。これにより、表示ユニット209の回転動作において、図2(b)の「通常画像」を挟むことなく、図1(b)の「上下左右反転画像」から図2(a)に示す「左右反転画像」へ切り替えることが可能とある。
図9は、図2(b)の状態から図2(a)の状態へ表示ユニット209を開閉動作させた際に開閉センサ101及び回転センサ102が検知する磁束密度の変化を示すグラフ図である。この表示ユニット209の開閉動作においては、回転角度は+180°固定であって、開閉角度が0°から175°へ変化する。図9において、横軸は表示ユニット209の開閉角度(単位:degree)を示し、縦軸は開閉センサ101の検知する磁束密度(単位:mT)を示す。
図9に示すように、表示ユニット209の開閉動作において、開閉角度が100°付近で磁石103による磁束密度が開閉センサ101の閾値未満となるので、開閉センサ101はオフ信号を出力する。表示ユニット209が閉じられる場合は、開閉角度が100°付近で磁石103による磁束密度が開閉センサ101の閾値を超えて、開閉センサ101はオン信号を出力する。
一方、回転センサ102に対する磁石103による磁束密度は、常に閾値を超えるため、回転センサ102は、表示ユニット209の開閉動作において、常にオン信号を出力する。これは、磁石103の着磁方向と回転センサ102の磁場検知方向との関係が表示ユニット209の開閉動作によって変化しないように磁石103及び回転センサ102が配置されているからである。
なお、図1(b)の状態から図1(a)の状態へ表示ユニット209を閉じる場合は、磁石103と開閉センサ101及び回転センサ102とが十分に離れた状態での動作となるため、開閉センサ101及び回転センサ102は閾値を超える磁束密度を検知しない。
また、図2(a)の状態から図2(b)の状態へ表示ユニット209を閉じる場合は、開閉センサ101及び回転センサ102の検知結果は、「開閉センサ101及び回転センサ102がオン」、「回転センサ102のみオン」の2通りとなる。表2を参照すると、「開閉センサ101及び回転センサ102がオン」の検知結果をシステム制御部401が取得して、閉じた状態(図2(b))の表示パネル219に「通常画像」を表示することが可能となる。
以上説明したように、本実施形態では、磁石103の着磁方向と回転センサ102の磁場検知方向とが表示ユニット209の開閉動作によって変化しないように磁石103及び回転センサ102を配置している。また、磁石103の着磁方向と開閉センサ101の磁場検知方向とが表示ユニット209の回転動作によって変化しないように磁石103及び開閉センサ101を配置している。これにより、表示ユニット209の開閉検知と回転検知を完全に分離した検知の実現を可能にして、カメラ本体201に対する表示ユニット209の開閉状態及び回転状態に適した画像を表示パネル219に表示することができる。
なお、本発明の構成は、上記実施形態に例示したものに限定されるものではなく、材質、形状、寸法、形態、数、配置箇所等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
101 開閉センサ
102 回転センサ
103 磁石
201 カメラ本体
209 表示ユニット
219 表示パネル
221 開閉軸
222 回転軸
401 システム制御部

Claims (7)

  1. 機器本体に対して表示ユニットが開閉軸を介して開閉可能、かつ開き状態で回転軸を介して回転可能に支持された電子機器であって、
    磁場発生手段と、
    前記表示ユニットの開閉検知に用いられる開閉検知手段と、
    前記表示ユニットの回転検知に用いられる回転検知手段と、
    前記開閉検知手段および前記回転検知手段による前記磁場発生手段の磁場の検知結果に基づき、前記表示ユニットの表示面の表示を制御する制御手段と、を備え、
    前記表示ユニットが前記表示面を前記機器本体の背面側に向けた状態で前記機器本体に対して閉じた位置では前記開閉検知手段および前記回転検知手段が前記磁場発生手段の磁場を検知し、
    前記表示ユニットが前記機器本体に対して前記閉じた位置から所定の角度まで開くと、前記回転検知手段のみが前記磁場発生手段の磁場を検知し、前記所定の角度以上で前記表示ユニットを前記表示面が前記機器本体の背面側を向く方向に回転させた際に、前記開閉検知手段および前記回転検知手段が前記磁場発生手段の磁場を検知しないように、前記開閉検知手段、前記回転検知手段および前記磁場発生手段が配置され、
    前記表示ユニットの開き状態で前記表示面が前記機器本体の正面側を向いた状態において、
    前記磁場発生手段は、前記回転軸の上側で前記開閉軸に近接し、かつS極を前記機器本体に対して上側にして前記開閉軸と平行な方向に着磁方向を有するように配置され、
    前記回転検知手段は、その磁場検知方向と前記磁場発生手段の磁場の方向が同じ方向となるように配置され、
    前記開閉検知手段は、その磁場検知方向と前記磁場発生手段の磁場の方向が逆方向となるように配置されていることを特徴とする電子機器。
  2. 前記制御手段は、前記回転検知手段のみが前記磁場発生手段の磁場を検知した場合、前記表示ユニットの開き状態で前記表示面が前記機器本体の正面側を向いた状態に対応する第1の画像を前記表示面に表示し、前記開閉検知手段および前記回転検知手段が前記磁場発生手段の磁場を検知しない場合に、前記表示ユニットの開き状態で前記表示面が前記機器本体の背面側を向いた状態に対応する第2の画像を前記表示面に表示することを特徴とする請求項1に記載の電子機器。
  3. 前記開閉検知手段および前記回転検知手段は、それぞれ前記磁場発生手段の磁束密度に対して同じ磁束密度の閾値を超えた場合に、前記磁場を検知することを特徴とする請求項1又は2に記載の電子機器。
  4. 前記磁場発生手段は、前記表示ユニットに設けられ、前記開閉検知手段および前記回転検知手段は、前記機器本体に設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電子機器。
  5. 前記開閉検知手段および前記回転検知手段は、前記回転軸から前記開閉軸の軸方向に前記磁場発生手段と略同じ距離に配置されていると共に、前記開閉軸よりも前記機器本体の内側に配置されていることを特徴とする請求項4に記載の電子機器。
  6. 前記開閉検知手段および前記回転検知手段がともに前記磁場発生手段の磁場を検知した場合、前記制御手段は、前記表示ユニットが前記機器本体に対して閉じた状態で前記表示面を前記機器本体の背面側に向けた状態に対応する第3の画像を前記表示面に表示することを特徴とする請求項1乃至のいずれか一項に記載の電子機器。
  7. 機器本体に対して表示ユニットが開閉軸を介して開閉可能、かつ開き状態で回転軸を介して回転可能に支持された電子機器であって、
    磁場発生手段と、
    前記表示ユニットの開閉検知に用いられる開閉検知手段と、
    前記表示ユニットの回転検知に用いられる回転検知手段と、
    前記開閉検知手段および前記回転検知手段による前記磁場発生手段の磁場の検知結果に基づき、前記表示ユニットの表示面の表示を制御する制御手段と、を備え、
    前記表示ユニットが前記表示面を前記機器本体の背面側に向けた状態で前記機器本体に対して閉じた位置では前記開閉検知手段および前記回転検知手段が前記磁場発生手段の磁場を検知し、
    前記表示ユニットが前記機器本体に対して前記閉じた位置から所定の角度まで開くと、前記回転検知手段のみが前記磁場発生手段の磁場を検知し、前記所定の角度以上で前記表示ユニットを前記表示面が前記機器本体の背面側を向く方向に回転させた際に、前記開閉検知手段および前記回転検知手段が前記磁場発生手段の磁場を検知しないように、前記開閉検知手段、前記回転検知手段および前記磁場発生手段が配置され
    前記開閉検知手段および前記回転検知手段は、単極の磁気センサであることを特徴とする電子機器。
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