JPWO2007049417A1 - 回路モジュールの製造方法および回路モジュール - Google Patents

回路モジュールの製造方法および回路モジュール Download PDF

Info

Publication number
JPWO2007049417A1
JPWO2007049417A1 JP2007542274A JP2007542274A JPWO2007049417A1 JP WO2007049417 A1 JPWO2007049417 A1 JP WO2007049417A1 JP 2007542274 A JP2007542274 A JP 2007542274A JP 2007542274 A JP2007542274 A JP 2007542274A JP WO2007049417 A1 JPWO2007049417 A1 JP WO2007049417A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin material
wiring board
resin
circuit module
board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007542274A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4702370B2 (ja
Inventor
伸明 小川
伸明 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2007542274A priority Critical patent/JP4702370B2/ja
Publication of JPWO2007049417A1 publication Critical patent/JPWO2007049417A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4702370B2 publication Critical patent/JP4702370B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165Containers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0183Dielectric layers
    • H05K2201/0187Dielectric layers with regions of different dielectrics in the same layer, e.g. in a printed capacitor for locally changing the dielectric properties
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10378Interposers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10954Other details of electrical connections
    • H05K2201/10977Encapsulated connections
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2018Presence of a frame in a printed circuit or printed circuit assembly
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1147Sealing or impregnating, e.g. of pores

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

【課題】配線基板と端子板とで構成されるキャビティに樹脂を充填する場合に、樹脂が外部へ流れ出すのを防止できる回路モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】配線基板1の接続電極6と枠状端子板10の接続電極12とをそれぞれ導電性接合材20により接合し、端子板10の内側面と配線基板1の表面とで構成されるキャビティ11内に回路部品8を搭載する。端子板10の内側面と配線基板1の表面との間に両者の隙間を埋める高粘度の第1の樹脂材料21を塗布した後、回路部品8を覆うように低粘度の第2の樹脂材料22をキャビティ11に充填する。第1の樹脂材料21によって第2の樹脂材料22が接合材20の隙間を通って外部へ流れ出すのを防止できる。【選択図】 図1

Description

本発明は、平板状の配線基板と枠状の端子板とを接合した回路モジュールの製造方法およびその製造方法により製造された回路モジュールに関するものである。
従来、実装密度を高めて小型化できる回路モジュールとして、特許文献1〜4に記載のものがある。この回路モジュールは、平板状の配線基板の表面に複数の接続電極を形成するとともに、枠状の端子板の表面に前記複数の接続電極に対応する複数の接続電極を形成し、配線基板の表面に端子板の表面を対向させて、配線基板の接続電極と端子板の接続電極とをはんだなどの接合材を用いて接合したものである。端子板の内側の配線基板の表面には、半導体素子のような回路部品が搭載され、この回路部品を覆うように、端子板の内側面と配線基板の表面とで構成されるキャビティに樹脂が充填される。
キャビティに樹脂を充填するのは、配線基板上に搭載された回路部品の保護(回路部品がワイヤボンディングで配線基板に接続される場合には、ワイヤーよれによる短絡防止、ベアチップやフリップチップの場合には微細端子間への異物混入による短絡等の防止)と機械的強度向上とを目的としている。そのため、樹脂に求められる特性は、ワイヤや微細端子間の隙間に入り込む流動性や、基板との良好な密着性などが不可欠である。よって、樹脂は塗布時の粘度が低く、基板にぬれ広がり易いことが好ましい。
ところが、前記のように配線基板の接続電極と端子板の接続電極とをはんだなどの導電性接合材を用いて接合した場合、隣合う接合材間には必ず隙間が発生するので、粘度の低い樹脂はこの隙間を通り抜けてしまう。隙間を通り抜けた樹脂は、以下のような問題を引き起こす。すなわち、配線基板が子基板状態のときに樹脂を塗布する場合には、樹脂が基板の外周からはみ出し、そのはみ出しによる寸法不良や外観不良、外形寸法バラツキの増大による品質低下を引き起こす。さらに、基板の裏面側へ樹脂が回り込むことで、表面実装用の端子電極を覆ってしまい、配線基板を別の実装基板に実装する際に接続不良を引き起こす可能性がある。また、配線基板が集合基板状態のときに樹脂を塗布する場合には、集合基板を子基板に分割(ブレイク)するためのブレイク溝を、外周へはみ出た樹脂が埋めてしまうことがある。そのため、ブレイク強度が上がってしまい、ブレイク不良による生産性の低下を引き起こす。
特開平6−216314号公報 特開平7−50357号公報 特開2000−101348号公報 特開2001−339137号公報
そこで、本発明の好ましい実施形態の目的は、配線基板と端子板とで構成されるキャビティに樹脂を充填する場合に、樹脂が外部へ流れ出すのを防止できる回路モジュールの製造方法および回路モジュールを提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明の好ましい実施形態に係る回路モジュールの製造方法は、表面に配置された複数の接続電極を有する平板状の配線基板と、前記複数の接続電極に対応する複数の接続電極を有する枠状の端子板とを準備する工程と、前記配線基板の複数の接続電極と前記端子板の複数の接続電極とをそれぞれ個別に導電性接合材を介して接合する工程と、前記端子板の内側面と前記配線基板の表面とで構成されるキャビティ内に、回路部品を搭載する工程と、前記端子板の内側面と前記配線基板の表面との間に、両者の隙間を埋める第1の樹脂材料を塗布する工程と、前記第1の樹脂材料を塗布した後、前記回路部品を覆うように、第2の樹脂材料を前記キャビティに充填する工程と、を有するものである。
本発明では、まず平板状の配線基板と枠状の端子板とを準備する。配線基板の表面には複数の接続電極が設けられ、端子板には配線基板の接続電極に対応する複数の接続電極が形成されている。これら対応する接続電極同士を半田や導電性接着剤などの導電性接合材で接合する。接合によって、隣合う導電性接合材間には隙間が形成される。次に、端子板より内側の配線基板の表面に、回路部品を搭載する。なお、回路部品の搭載は、配線基板に端子板を接合する前、後、さらには同時でもよい。回路部品は、配線基板に対して半田などを用いて表面実装してもよいし、フェースアップで搭載した後、ワイヤーボンディングしてもよく、あるいはバンプを用いてフェースダウン実装してもよい。次に、端子板の内側面と配線基板の表面とで構成されるキャビティに封止用樹脂(第2の樹脂材料)を充填するのであるが、封止用樹脂の充填の前に、端子板の内側面と配線基板の表面との間に、両者の隙間を埋める第1の樹脂材料を環状に塗布する。第1の樹脂材料は、封止用樹脂を充填した時、封止用樹脂がその流動性によって接合材間の隙間を通って外部へ流れ出るのを防止するためのシーリング材としての役割を持つものである。第1の樹脂材料は少なくとも端子板と配線基板との隙間を埋めるものであればよく、必ずしも接合材間の隙間に入り込む必要はない。なお、第1の樹脂材料の塗布は、回路部品を搭載する後であることが好ましいが、回路部品を搭載する前でもよい。第1の樹脂材料によって端子板と配線基板との隙間を埋めた後、キャビティに封止用樹脂である第2の樹脂材料を充填する。第2の樹脂材料はレベリング性のよい任意の材料を用いることができるので、充填後の樹脂表面を平坦にすることができ、回路部品の周囲にも容易に回り込むことができ、しかも充填時間を短縮できる。端子板と配線基板との隙間が第1の樹脂材料によって埋められているので、第2の樹脂材料が接合材間の隙間を通って外部へ流れ出すのを確実に防止できる。
第1の樹脂材料と第2の樹脂材料とは異なる成分組成を有するものであることが望ましいが、異なる成分組成とは、異なる樹脂で構成される場合のほか、母材となる樹脂は同じで、添加物の量や種類が異なる場合も含む。配線基板の接続電極および端子板の接続電極は、枠状(4辺)に配置されたもののほか、2辺に配置されたものでもよく、さらには3辺に配置されたものでもよい。接続電極が4辺に配置されている場合には、第1の樹脂材料が接合材間の隙間を通って外部へ流出しないような粘度以上に設定すればよいが、2辺または3辺に接続電極が配置されている場合には、少なくとも1辺は接合材(接続電極)が設けられていないため、端子板と配線基板との間で流動が停止するように第1の樹脂材料の粘度を設定する必要がある。
第1の樹脂材料は、第2の樹脂材料に比べて、硬化前における同一温度・同一雰囲気下での粘度が高く、かつ導電性接合材間の隙間を通って外部へ流れ出すのを防止できる程度の粘度を有するのがよい。第1の樹脂材料の粘度が高いので、何らの追加的処理を行うことなく外部への流れ出しを防止できる。第1の樹脂材料の粘度が高いといっても、ある程度の流動性を有するため、端子板と配線基板との隙間を通り、導電性接合部材間の隙間に入り込む可能性があるが、第1の樹脂材料の表面張力により接合部材の間で流動を止めることができる程度がよい。ここで、高い粘度とは、配線基板と端子板の隙間に若干入りこむ程度であってもよいし、導電性接合材間の隙間に入り込む程度であってもよく、100Pa・s以上、好ましくは200Pa・s以上(25℃、5rpm)がよい。なお、硬化前の粘度が高い樹脂材料とは、常温時(塗布時)だけでなく、流動性のよくなる高温域においても、同様に粘度が高いことが必要である。
第2の樹脂材料として粘度の高い樹脂を使用すると、レベリング性が悪くなり、キャビティに充填した際に表面が塗布時の波うった形状を維持してしまい、平坦にならないことがある。また、粘度の高い樹脂は塗布時間が長くかかるという工法上の問題のほか、基板との密着性が悪く、安定した封止性が得られないこともある。したがって、第2の樹脂材料としては、粘度が低い(レベリング性のよい)樹脂材料を用いるのがよく、好ましくは100Pa・s以下(25℃、5rpm)がよい。
第1の樹脂材料を第2の樹脂材料より高い粘度とした場合に、第1の樹脂材料と第2の樹脂材料を共に熱硬化型樹脂材料とし、第1の樹脂材料と第2の樹脂材料とを同時に熱硬化させる工程をさらに有するのがよい。この場合には、第1の樹脂材料を塗布し、第2の樹脂材料を充填した後で、第1,第2の樹脂材料を同時に熱硬化させることができる。つまり、硬化処理は1回で済むので、処理工数を減らすことができ、回路部品などへの熱影響を少なくすることができる。
第1の樹脂材料と第2の樹脂材料を熱硬化型樹脂と無機フィラーとの混合樹脂組成物とし、第1の樹脂材料に含まれる無機フィラーの含有率を第2の樹脂材料に含まれる無機フィラーの含有率より高くしてもよい。この場合には、無機フィラーの含有率によって粘度を自由に調整することができる。なお、第1と第2の樹脂材料の母材となる熱硬化性樹脂を同系統とした場合には、同一温度で熱硬化させることができるとともに、硬化状態での両者の接合性がよく、剥離等の発生を防止できる。
第1の樹脂材料として放射線硬化型または放射線硬化・熱硬化両用型樹脂材料を使用し、第2の樹脂材料として熱硬化型樹脂材料を使用し、第1の樹脂材料を塗布する工程と第2の樹脂材料を充填する工程との間に、第1の樹脂材料に放射線を照射して硬化させる工程を設けてもよい。第1の樹脂材料として放射線硬化型または放射線硬化・熱硬化両用型樹脂材料を使用した場合には、粘性の低い樹脂を使用しても、その流動を放射線を照射することで停止させることができるため、第1の樹脂材料が接合材間の隙間を通って外部へ流れ出てしまうのを防止できる。この場合には、塗布作業の時間を短縮でき、かつ基板との密着性もよい。放射線としては、紫外線、電子線、可視光線、赤外線、遠赤外線などあらゆる放射線を含む。特に、紫外線、電子線、可視光線は、短時間で樹脂の外表面を硬化させることができる点で望ましい。なお、第1の樹脂材料として放射線硬化型または放射線硬化・熱硬化両用型樹脂材料のいずれを使用してもよいが、第2の樹脂材料が熱硬化型の場合には、放射線硬化・熱硬化両用型樹脂材料が望ましい。
第1の樹脂材料を、導電性接合材間の隙間を満たし、かつ導電性接合材の周面の少なくとも一部が外部に開放された位置で終端となるように塗布するのがよい。第1の樹脂材料を導電性接合材に到達する前で終端となるように塗布してもよいし、導電性接合材の周囲全周を取り巻く位置で終端となるように塗布してもよいが、後者の場合には、第1の樹脂材料が導電性接合材の周囲全周を取り巻いているため、前者に比べて接合材を補強する効果が高く、かつ接合材間の絶縁性を高めることができる。但し、接合材が半田の場合、半田がマザーボード等への実装時の熱で溶融・膨張すると、半田フラッシュ現象が発生する可能性がある。つまり、樹脂により完全に覆われた半田は、溶融・膨張により樹脂と基板との界面を引き剥がし、その僅かな隙間に溶融した半田が流れ込み、ショート不良を発生させる可能性がある。これに対し、第1の樹脂材料を、導電性接合材間の隙間を満たし、かつ導電性接合材の周面の一部が外部に開放された位置で終端となるように塗布した場合には、接合材の補強効果と絶縁性の向上効果の他に、溶融により膨張した半田を開放部から逃がすことができるので、半田フラッシュ現象を防止できる。
第1の樹脂材料は、塗布後に流動しないようなチキソ性を有するものを使用してもよい。第1の樹脂材料がチキソ性を有する場合には、塗布後の形状を硬化するまで保持できるので、塗布管理が容易であり、第1の樹脂材料が接合材間の隙間を通って外部へ流れ出てしまうのを確実に防止できる。
端子板の裏面に、端子板の厚み方向に延びる導電体を介して接続電極と電気的に接続された端子電極を形成してもよい。この場合には、端子板の端子電極を回路モジュールをマザーボードなどに実装する際の端子電極として用いることができる。端子板の厚み方向に延びる導電体としては、端子板の内部を貫通するビアホール導体であってもよいし、スルーホールでもよく、さらに端子板の外側面または内側面に形成されたパターン電極であってもよい。
配線基板の裏面に、配線基板の表面に搭載した回路部品とは別の回路部品を実装してもよい。このようにすれば、配線基板の両面に電子部品を搭載することができ、実装密度を高めることができる。
配線基板は複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板であり、端子板は樹脂基板であってもよい。配線基板としてセラミック多層基板を用いた場合、配線基板の内部に複雑な回路を構成できるので、回路密度を高めることができる。また、端子板として樹脂基板を用いると、この回路モジュールをマザーボードなどに実装したとき、マザーボードと配線基板との熱膨張差を樹脂基板が吸収できるため、望ましい。
発明の好ましい実施形態の効果
以上のように、本発明によれば、第1の樹脂材料によって端子板と配線基板との隙間を埋めた後、キャビティに第2の樹脂材料を充填するようにしたので、第2の樹脂材料としてレベリング性のよいものを使用でき、充填後の第2の樹脂材料の表面を平坦にすることができ、回路部品の周囲にも容易に回り込ませることができる。また、第2の樹脂材料が接合材間の隙間を通って外部へ流れ出すのを、第1の樹脂材料によって確実に阻止できるため、外観不良や外部との接続不良、ブレイク不良などの発生を防止できる。
本発明にかかる回路モジュールの第1実施形態の断面図である。 図1に示す回路モジュールの底面図である。 図1のIII −III 線断面図である。 図1に示す回路モジュールの分解斜視図である。 図1に示す回路モジュールの製造方法の前半を示す工程図である。 図1に示す回路モジュールの製造方法の後半を示す工程図である。 第1の樹脂材料の塗布方法の他の実施形態を示す図である。 第1の樹脂材料の塗布方法のさらに他の実施形態を示す図である。 端子板の変形例を示す斜視図である。
(第1実施形態)
図1〜図4は本発明にかかる回路モジュールの第1実施形態を示す。この回路モジュールAは、平板状の配線基板1に枠状の端子板10を接合した構造となっている。
配線基板1は、例えばLTCC(Low-Temperature Co-firable Ceramic:低温焼結セラミック)などの複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板であり、一主面には複数のランド電極2が形成され、その上に複数の回路部品3が接続されている。また、配線基板1の表層や内層には銀や銅を主とする電極パターンが設けられており、キャパシタやインダクタのような受動素子パターンや回路部品3と受動素子とを接続するための配線パターンを形成している。この例では、回路部品3はランド電極2にはんだ付けされた例えば積層型セラミックコンデンサ等の表面実装部品と、ランド電極2にバンプを介してフェースダウン実装された例えば半導体デバイス等の表面実装部品との組み合わせであるが、これに限るものではない。ランド電極2は、配線基板1の内部に設けられたビアホール導体4および内部配線5を介して他主面に形成された複数の接続電極6または複数のパッド電極7と接続されている。接続電極6は、図4に示すように配線基板1の外周部近傍に枠状に配置されている。パッド電極7は枠状に配置された接続電極6より内側の領域に形成されており、配線基板1の他主面に搭載された集積回路素子などの回路部品8とボンディングワイヤ9を介して接続されている。この例では、配線基板1の他主面に集積回路素子8を搭載したが、積層型セラミックコンデンサ等の表面実装部品や半導体デバイス等のフェースダウン実装部品などを搭載してもよい。なお、配線基板1は樹脂基板であってもよい。
端子板10は枠状の樹脂基板よりなり、その外形寸法は配線基板1と同一あるいはやや小さく、端子板10を配線基板1の他主面に導電性接合材20を介して接合することによって、キャビティ11が形成される。接合材20を含む端子板10の厚みは、配線基板1の他主面に搭載されたボンディングワイヤ9を含む回路部品8の高さより厚く設定されている。配線基板1の他主面と対向する端子板10の一主面には、配線基板1の接続電極6と対向する複数の接続電極12が枠状に配置されている。また、端子板10の他主面には、接続電極12と対応する複数の端子電極13(図4参照)が形成されており、接続電極12と端子電極13とは、端子板10を厚み方向に貫通するビアホール導体14を介して相互に接続されている。端子電極13は、この回路モジュールAをマザーボード等の実装基板に実装する際、実装基板の電極と接続される。なお、端子板10は枠状のセラミック板であってもよい。なお、層間接続導体が金属薄板を折り曲げ加工した薄板状導体であり、端子板10がこの薄板状導体を樹脂でモールド成型してなるモールド樹脂性の端子板であることが特に好ましい。層間接続導体が金属薄板を折り曲げ加工したものであれば、端子板10に応力が加わったとしても、層間接続導体が断線することなく、接続信頼性を確保できる。
配線基板1の接続電極6と、端子板10の接続電極12とは、それぞれ半田や導電性接着剤などの導電性接合材20を介して電気的に接続され、かつ機械的に接合されている。この例では、接合材20として半田を用いた。
端子板10と配線基板1とで形成されるキャビティ11のうち、端子板10の内周面には環状に第1の樹脂材料21が塗布・硬化されており、端子板10と配線基板1との隙間が第1の樹脂材料21によって埋められている。キャビティ11の残りの領域には第2の樹脂材料22が充填・硬化されており、ボンディングワイヤ9を含む回路部品8の全体が第2の樹脂材料22の中に埋設されている。接合材20を含む端子板10の厚みは、ボンディングワイヤ9を含む回路部品8の高さより厚いので、樹脂材料22が端子板10より突出することはない。
第1の樹脂材料21と第2の樹脂材料22は同系統または同質の熱硬化型樹脂と無機フィラーとの混合樹脂組成物で構成されている。特に、第1の樹脂材料21に含まれる無機フィラーの含有率は第2の樹脂材料22に含まれる無機フィラーの含有率より高く、そのために第1の樹脂材料21の塗布時の粘度は第2の樹脂材料22の充填時の粘度より高く設定されている。特に、第1の樹脂材料21は、第2の樹脂材料22に比べて、硬化前における同一温度・同一雰囲気下での粘度が高く、かつ接合材20間の隙間を通って外部へ流れ出すのを防止できる程度の粘度を有するのがよい。一方、第2の樹脂材料22は、レベリング性がよく、ボンディングワイヤ9の隙間や回路部品8の周囲に容易に回り込むことができる流動性を持つものがよい。なお、図1では、第2樹脂材料22の表面がキャビティ11内の中央部付近で凸状になるように設けられているが、中央部付近で凹状になっていてもよい。
第1,第2の樹脂材料21,22の母材となる熱硬化性樹脂としては、例えば耐熱性、耐湿性に優れたエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂などを用いることができ、無機フィラーとしては、例えばアルミナ、シリカ、チタニアなどを用いることができる。なお、第1,第2の樹脂材料21,22と端子板10を構成する樹脂とが同系統または同質であれば、樹脂材料21,22と端子板10との接合性も良好となる。
ここで、回路モジュールAの製造方法を、図5,図6を参照して説明する。図5の(a)は、配線基板1を準備した状態を示す。ここでは、接続電極6とパッド電極7とが配線基板1の上側を向くように配置されている。図5の(b)は、配線基板1の接続電極6に対して、端子板10の接続電極12を接合材20を介して接続した状態を示す。接合材20として半田を使用した場合には、リフロー半田付けを行うことで、量産性を高めることができる。配線基板1と端子板10との間に配置された各接合材20間には、隙間δ(図3参照)が形成される。図5の(c)は、端子板10で囲まれた配線基板1の上面に回路部品8を搭載するとともに、ボンディングワイヤ9によって回路部品8とパッド電極7とを接続した状態を示す。
図6の(a)は、端子板10と配線基板1とで構成されたキャビティ11内であって、端子板10の内周面に沿って第1の樹脂材料21を塗布した状態を示す。塗布には、ディスペンサなどの自動塗布装置を用いることができる。第1の樹脂材料21は、その塗布時における粘度が高く(例えば100Pa・s以上、好ましくは200Pa・s以上(25℃、5rpm))、そのため樹脂材料21は配線基板1と端子板10との隙間を埋め、接合材20間の隙間δを通って外部へ流れ出すことがない。この例では樹脂材料21が接合材20間の隙間δを満たし、接合材20の周面の一部が外部に開放された位置で終端となるように塗布されている(図3参照)。そのため、樹脂材料21が接合材20を補強して接合強度を高めることができ、かつ樹脂材料21が接合材20間の絶縁性を高めることができる。さらに、接合材20の周面の一部が外部へ露出しているので、回路モジュールAをマザーボード等へ実装する際の熱で接合材(半田)20が溶融・膨張しても、膨張した圧力を開放部から逃がすことができので、半田フラッシュ現象を防止できる。なお、この段階で第1の樹脂材料21を加熱硬化させてもよいが、この例では硬化させない。なお、第1の樹脂材料21は回路部品8およびボンディングワイヤ9に付着しないように塗布するのがよい。
図6の(b)は、第1の樹脂材料21が塗布されたキャビティ11内に第2の樹脂材料22を充填した状態を示す。第2の樹脂材料22は第1の樹脂材料21に比べて粘度が低い樹脂(100Pa・s以下(25℃、5rpm)がよい)であるため、流動性がよく、ワイヤ9の隙間や回路部品8の周囲へ容易に流れ込むことができる。端子板10と配線基板1との隙間は第1の樹脂材料21で既に埋められているので、流動性のよい第2の樹脂材料22であっても、端子板10と配線基板1との隙間を通って外部へ漏れ出ることがない。
その後、第1の樹脂材料21と第2の樹脂材料22を同時に熱硬化させる。両方の樹脂材料21,22が同系統(または同質)の熱硬化型樹脂よりなる場合には、同一温度で硬化するので、熱処理工程が簡易になるとともに、複数回の熱サイクルを回路部品8に与えずに済む。樹脂材料21,22を硬化させることにより、回路部品8を保護する保護層が形成されるが、その保護層は端子板10の端子電極13より外部へ突出することがない。最後に、図6の(c)のように、配線基板1の裏面側にあるランド電極2に回路部品3を接続することによって、回路モジュールAが完成する。
(第2実施形態)
前記実施形態では、図3,図6の(a)に示すように、第1の樹脂材料21が接合材20間の隙間δを満たした位置で終端となるように塗布した例を示したが、図7の(a)に示すように、第1の樹脂材料21が接合材20に到達することなく、端子板10と配線基板1との間で終端となるように塗布してもよい。第1の樹脂材料21としてさらに高粘度の材料あるいはチキソ性を有する材料を使用した場合、樹脂材料21が塗布時の形態を保持するため、上述のように接合材20に到達することなく端子板10と配線基板1との間で終端とさせることができる。また、図7の(b)は、第1の樹脂材料21が接合材20を完全に取り巻くように塗布した例である。これは、第1の樹脂材料21として比較的粘度の低い材料を用いた場合であり、第1の樹脂材料21が必要以上に広がらないように、熱風や熱線を用いて第1の樹脂材料(熱硬化性樹脂の場合)21の流動を止めてもよい。
(第3実施形態)
図8は、第1の樹脂材料21の塗布方法の他の例を示す。この実施形態では、第1の樹脂材料21として、放射線硬化型または放射線硬化・熱硬化両用型樹脂材料を使用したものである。例えば、紫外線照射型樹脂または紫外線・熱硬化両用型樹脂を使用すればよい。なお、第2の樹脂材料は上述と同様に熱硬化型樹脂材料を使用している。
この場合には、第1の樹脂材料21をディスペンサなどで塗布した後、第1の樹脂材料21が接合材20間の隙間を満たした段階で、紫外線などの放射線UVを照射する。図8では、放射線の照射箇所を端子板10の外側としたが、内側であってもよい。外側の場合には、接合材20間の隙間を満たした樹脂材料21が硬化するため、それ以上の流出を防止できる。内側の場合には、樹脂材料21が接合材20間の隙間を満たした段階で、放射線の照射によってキャビティ側に面する樹脂材料21が硬化するので、樹脂材料21がそれ以上流れ出るのを防止できる。放射線の照射は、樹脂材料21の流動を止める程度でよいので、1〜数秒程度の短時間で済み、硬化に時間を要しない。
第1の樹脂材料21として、放射線硬化・熱硬化両用型樹脂材料を使用した場合には、上述のように放射線の照射によって樹脂材料21を仮硬化させた状態で、第2の樹脂材料22を充填し、その後で熱処理することで両方の樹脂材料21,22を同時に本硬化させることができる。放射線硬化型または放射線硬化・熱硬化両用型樹脂材料は、塗布時の粘度が比較的低いので、塗布時間を短縮できる。
(第4実施形態)
図9は、枠状の端子板として種々の変形例を示したものである。図9の(a)は、端子板10Aの表面の接続電極12と裏面の端子電極(図示せず)とを側面に形成した接続用パターン電極15によって接続した例である。接続用パターン電極15は、端子板10Aの外側面または内側面のいずれに形成してもよい。図9の(b)は、端子板10Bの表面の接続電極12と裏面の端子電極13とをスルーホール16によって接続した例である。スルーホール16は、端子板10Bを厚み方向に貫通する穴の内面に電極を形成したものである。図9の(c)は、端子板10Cの表面の接続電極12と裏面の端子電極(図示せず)とを側面に形成した接続用パターン電極17によって接続した例であるが、接続用パターン電極17が凹溝の内面に形成されたものである。図9の(d)は、端子板10Dの表面の接続電極12と裏面の端子電極(図示せず)とを、ビアホール導体(図示せず)と、側面に形成した凹溝構造の接続用パターン電極18とで接続した例である。特に、グランド電極などのはんだ量の多い電極(ランドの大きい電極)12aに接続用パターン電極18を適用した例である。グランド電極などの広い面積の電極は、はんだ溶融による熱膨張の影響を最も受けやすいからである。
前記各実施形態では、子基板状態の配線基板1を準備し、この配線基板1に端子板10を接合する例について説明したが、集合基板状態の配線基板1を準備し、その配線基板1に複数の端子板10を接合し、回路部品8の搭載、樹脂材料21,22の塗布・充填後、子基板に分割する方法を用いてもよい。集合基板を子基板にチョコレートブレイクで分割する場合、樹脂材料21,22が分割線(ブレイク溝)まではみ出ないので、ブレイク不良を防止できる。本発明の配線基板は平板状であるが、平板状とはその表面が完全に平面である場合だけでなく、浅い凹凸部が形成されたものでもよい。例えば、特許文献1に示されるように配線基板に浅い凹部を形成し、その中に回路部品を搭載するようにしてもよい。前記各実施形態では、配線基板の接続電極および端子板の接続電極を、共に枠状すなわち4辺すべてに配置したが、2辺あるいは3辺に接続電極を配置してもよい。この場合も、第1の樹脂材料21によって配線基板1と端子板10との隙間を埋めることができるので、第2の樹脂材料22が外部へ流れ出すのを防止できる。

Claims (11)

  1. 表面に配置された複数の接続電極を有する平板状の配線基板と、前記複数の接続電極に対応する複数の接続電極を有する枠状の端子板とを準備する工程と、
    前記配線基板の複数の接続電極と前記端子板の複数の接続電極とをそれぞれ個別に導電性接合材を介して接合する工程と、
    前記端子板の内側面と前記配線基板の表面とで構成されるキャビティ内に、回路部品を搭載する工程と、
    前記端子板の内側面と前記配線基板の表面との間に、両者の隙間を埋める第1の樹脂材料を塗布する工程と、
    前記第1の樹脂材料を塗布した後、前記回路部品を覆うように、第2の樹脂材料を前記キャビティに充填する工程と、
    を有する回路モジュールの製造方法。
  2. 前記第1の樹脂材料は、前記第2の樹脂材料に比べて、硬化前における同一温度・同一雰囲気下での粘度が高く、かつ前記導電性接合材間の隙間を通って外部へ流れ出すのを防止できる程度の粘度を有することを特徴とする請求項1に記載の回路モジュールの製造方法。
  3. 前記第1の樹脂材料と前記第2の樹脂材料は共に熱硬化型樹脂材料よりなり、前記第1の樹脂材料と前記第2の樹脂材料とを同時に熱硬化させる工程をさらに有することを特徴とする請求項2に記載の回路モジュールの製造方法。
  4. 前記第1の樹脂材料と前記第2の樹脂材料は、熱硬化型樹脂と無機フィラーとの混合樹脂組成物であり、前記第1の樹脂材料に含まれる無機フィラーの含有率は前記第2の樹脂材料に含まれる無機フィラーの含有率より高いことを特徴とする請求項3に記載の回路モジュールの製造方法。
  5. 前記第1の樹脂材料は放射線硬化型または放射線硬化・熱硬化両用型樹脂材料であり、前記第2の樹脂材料は熱硬化型樹脂材料であり、前記第1の樹脂材料を塗布する工程と前記第2の樹脂材料を充填する工程との間に、前記第1の樹脂材料に放射線を照射して硬化させる工程を有することを特徴とする請求項1に記載の回路モジュールの製造方法。
  6. 前記第1の樹脂材料を、前記導電性接合材間の隙間を満たし、かつ前記導電性接合材の周面の少なくとも一部が外部に開放された位置で終端となるように塗布することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の回路モジュールの製造方法。
  7. 前記第1の樹脂材料は、塗布後に流動しないようなチキソ性を有することを特徴とする請求項1に記載の回路モジュールの製造方法。
  8. 前記端子板の裏面には、前記端子板の厚み方向に延びる導電体を介して前記接続電極と電気的に接続された端子電極が形成されていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の回路モジュールの製造方法。
  9. 前記配線基板の裏面には、別の回路部品が実装されていることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項に記載の回路モジュールの製造方法。
  10. 前記配線基板は複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板であり、前記端子板は樹脂基板であることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1項に記載の回路モジュールの製造方法。
  11. 表面に配置された複数の接続電極を有する平板状の配線基板と、前記複数の接続電極に対応する複数の接続電極を有する枠状の端子板とを備え、
    前記配線基板の前記複数の接続電極と前記端子板の前記複数の接続電極とが導電性接合材を介してそれぞれ接続されており、
    前記端子板の内側面と前記配線基板の表面とで構成されるキャビティ内に回路部品が収納されており、
    前記端子板の内側面と前記配線基板の表面との間に、両者の隙間を生める第1の樹脂材料が設けられており、かつ、前記キャビティ内に、前記回路部品を覆うように、第2の樹脂材料が充填されている、
    ことを特徴とする回路モジュール。
JP2007542274A 2005-10-24 2006-09-25 回路モジュールの製造方法 Expired - Fee Related JP4702370B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007542274A JP4702370B2 (ja) 2005-10-24 2006-09-25 回路モジュールの製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005309129 2005-10-24
JP2005309129 2005-10-24
PCT/JP2006/318925 WO2007049417A1 (ja) 2005-10-24 2006-09-25 回路モジュールの製造方法および回路モジュール
JP2007542274A JP4702370B2 (ja) 2005-10-24 2006-09-25 回路モジュールの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2007049417A1 true JPWO2007049417A1 (ja) 2009-04-30
JP4702370B2 JP4702370B2 (ja) 2011-06-15

Family

ID=37967539

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007542274A Expired - Fee Related JP4702370B2 (ja) 2005-10-24 2006-09-25 回路モジュールの製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4702370B2 (ja)
WO (1) WO2007049417A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5543063B2 (ja) * 2007-12-27 2014-07-09 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置の製造方法
JPWO2011077968A1 (ja) * 2009-12-22 2013-05-02 株式会社村田製作所 回路モジュールの製造方法、回路モジュール及び回路モジュールを備える電子機器
WO2015064642A1 (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 京セラ株式会社 配線基板およびこれを用いた実装構造体
WO2017044736A1 (en) * 2015-09-11 2017-03-16 Ahmad Syed Taymur Process for protecting an electronic device by selective deposition of polymer coatings

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10150069A (ja) * 1996-11-21 1998-06-02 Sony Corp 半導体パッケージ及びその製造方法
JPH11121655A (ja) * 1997-10-09 1999-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体実装基板及びその封止方法
JP2004095767A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Murata Mfg Co Ltd セラミック多層基板およびその製造方法
JP2004259714A (ja) * 2003-02-24 2004-09-16 Murata Mfg Co Ltd 多層セラミック基板を備える電子部品およびその製造方法
WO2005076351A1 (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. 部品内蔵モジュールおよびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10150069A (ja) * 1996-11-21 1998-06-02 Sony Corp 半導体パッケージ及びその製造方法
JPH11121655A (ja) * 1997-10-09 1999-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体実装基板及びその封止方法
JP2004095767A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Murata Mfg Co Ltd セラミック多層基板およびその製造方法
JP2004259714A (ja) * 2003-02-24 2004-09-16 Murata Mfg Co Ltd 多層セラミック基板を備える電子部品およびその製造方法
WO2005076351A1 (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. 部品内蔵モジュールおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4702370B2 (ja) 2011-06-15
WO2007049417A1 (ja) 2007-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5018826B2 (ja) 電子デバイスおよびその製造方法
CN101911852B (zh) 多层印刷布线板及利用该布线板的安装体
JP4830120B2 (ja) 電子パッケージ及びその製造方法
JP4655092B2 (ja) 回路モジュールおよびこの回路モジュールを用いた回路装置
JP3820022B2 (ja) ボールグリッドアレーパッケージ用印刷回路基板及びボールグリッドアレーパッケージの製造方法
US7807510B2 (en) Method of manufacturing chip integrated substrate
JPH09199635A (ja) 回路基板形成用多層フィルム並びにこれを用いた多層回路基板および半導体装置用パッケージ
JP4939916B2 (ja) 多層プリント配線板およびその製造方法
JP4725817B2 (ja) 複合基板の製造方法
JP4702370B2 (ja) 回路モジュールの製造方法
US8179686B2 (en) Mounted structural body and method of manufacturing the same
KR100748558B1 (ko) 칩 사이즈 패키지 및 그 제조 방법
JP2009135391A (ja) 電子装置およびその製造方法
TWI770405B (zh) 封裝元件及其製備方法
JP2005123559A (ja) 強化散熱型パッケージ構造及びその形成方法
JP3666576B2 (ja) 多層モジュールおよびその製造方法
JP2012182350A (ja) モジュール部品及びモジュール部品の製造方法
JP2005502187A (ja) 電子部品組立体の熱機械的信頼性を向上するためにパッケージレベルで予め塗布されるアンダーフィル
US20090284941A1 (en) Semiconductor package, mounting circuit board, and mounting structure
KR20030085449A (ko) 개량된 플립 칩 패키지
JP2001068604A (ja) 固定樹脂、異方性導電樹脂、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JPH10256259A (ja) マルチチップモジュールの製造方法
JPH0342860A (ja) フレキシブルプリント配線板
JPH0846084A (ja) 表面実装型半導体パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置
KR20070119790A (ko) 폴리머 범프를 갖는 적층 패키지, 그의 제조 방법 및 모기판 실장 구조

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101116

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110113

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110208

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110221

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4702370

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees