JPWO2007017945A1 - ヒートシンクおよびその製造方法 - Google Patents
ヒートシンクおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2007017945A1 JPWO2007017945A1 JP2007529442A JP2007529442A JPWO2007017945A1 JP WO2007017945 A1 JPWO2007017945 A1 JP WO2007017945A1 JP 2007529442 A JP2007529442 A JP 2007529442A JP 2007529442 A JP2007529442 A JP 2007529442A JP WO2007017945 A1 JPWO2007017945 A1 JP WO2007017945A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- fins
- base
- porous member
- side wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 39
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 13
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 5
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 claims 1
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 abstract description 15
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 abstract description 15
- 235000006510 Nelumbo pentapetala Nutrition 0.000 abstract description 15
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 22
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 5
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 5
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002528 anti-freeze Effects 0.000 description 1
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
- H01L21/4878—Mechanical treatment, e.g. deforming
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3733—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
Description
図1(a)〜(c)は、全体が2で示される、本実施の形態1にかかるヒートシンクである。このヒートシンク2は、図示しない発熱体が載置される(発熱体と熱的に接続される)平坦面(第1の面)4aを有する板状のベース4と、互いに平行に間隔をあけて平坦面4aと反対側の平坦面(第2の面)4bを介してベース4に支持された、ベース4と略垂直な複数(図の例では、4つ)の板状のフィン6(6a、6b、6c、6d)とを備える。以下の説明では、ベース4はXY平面と平行に位置し、フィン6a〜6dの配列方向をY方向とし、各フィン6はXZ平面と平行に位置するものとする。
なお、ヒートシンク2は、例えばパソコンや大型コンピュータのCPUやMPUを冷却するために用いられる(以下の実施の形態においても同じ)。
図5は、全体が2Aで示される、本実施の形態2にかかるヒートシンクである。本実施形態に係るヒートシンク2Aでは、ベース4のフィン6を支持する側と反対側の第1の面4aにさらに熱伝導性の良好な板(第2のベース)40が接合されている。発熱体はベース40上に載置されている(ベース4の第1の面4aは発熱体と熱的に接続されている。)。
図6は、本発明に係るヒートシンクの実施の形態3を示す。本実施形態に係るヒートシンク2Bでは、フィン6Bの貫通した孔8Bは、Y方向(フィン6Bの配列方向)と平行ではなく斜めに延びている。したがって、フィン6Bは、同一の厚みを有する実施の形態1のフィン6と比べて伝熱面積Sが大きく、その結果、ヒートシンク2Bの冷却能力を向上させることができる。
図7(a)、(b)は、全体が2Cで示される、本実施の形態4にかかるヒートシンクである。上記実施形態では、多孔質部材からベースの厚み分を残すように溝を形成しており、したがってフィン同士がベースを介して接続されていた。これに対し、本実施形態に係るヒートシンク2Cでは、多孔質部材10のZ方向上面から下面に抜ける貫通溝41が形成され、複数のフィン6Cは、X方向に関して一側面に形成された側壁42により支持されている。すなわち、フィン6Cと側壁42は多孔質材料で一体的に形成してなる。フィン6CのZ方向下面には熱伝導性の良好な板(ベース)40が接合されている。発熱体はベース40上に載置される。ヒートシンク2Cの動作時、ベース40は、冷媒通路とフィン6Cの下面とが孔8を介して連通されている場合に冷媒が漏れるのを防止するためのシールとしても機能する。また、側壁42は、冷媒流路を構成する壁としても機能するため、ヒートシンク2Cを備えた冷却装置を製造する際に、配管の製作に要する手間を省ける利点を有する。
図10は、全体が2Fで示される、本実施の形態5にかかるヒートシンクである。
実施の形態1〜3では、隣り合うフィン同士がベースを介して接続され、実施の形態4では、隣り合うフィン同士が側壁を介して接続されていた。隣り合うフィン同士を、ベースおよび側壁両方を介して接続するようにしてもよい。例えば、図10のヒートシンク2Fのように、一方向のみ外部に開いた溝41Fを設けてもよいし(すなわち、各溝41Fは、側壁42R、42L、隣り合うフィン6F、およびベース4Fにより境界が形成される。)、図11のヒートシンク2Gのように、隣り合う二方向のみ外部に開いた溝41Gを設けてもよい(すなわち、各溝41Gは、側壁42、隣り合うフィン6G、およびベース4Gにより境界が形成される。)。
図12は、全体が2Hで示される、本実施の形態6にかかるヒートシンクである。(a)は斜視図、(b)はX方向から見た場合の断面図、(c)はZ方向から見た場合の断面図である。
図13は、全体が2Iで示される、本実施の形態7にかかるヒートシンクである。
ヒートシンク2Iに使用したロータス型ポーラス部材は、軸方向(Y方向)に垂直な断面の形状が円形な孔8だけでなく、非円形な孔8’も含む。
図14は、全体が2Jで示される、本実施の形態8にかかるヒートシンクであり、(a)に斜視図、(b)にZ方向に見た場合の断面図を示す。
図15は、全体が2Kで示される、本実施の形態9にかかるヒートシンクである。
(a)に示すヒートシンク2Kでは、側壁42L、42Rとベース4が残るように、溝41が形成されている。溝41は、XZ平面と略平行になるように、ロータス型ポーラス部材の両側から交互に切り込むことにより形成されている。すなわち、Z方向に対して、千鳥配列になるように溝41が設けられている。
図16は、全体が2Lで示される、本実施の形態10にかかるヒートシンクである。(a)は斜視図、(b)、(c)はX方向から見た場合の断面図である。
また、かかるヒートシンク2Lを熱伝導性の良好なベース板に接合すれば、複数のフィン6が一度にベース板に接合できるため、製造工程の簡略化、製造コストの低減が可能となる。
図17は、全体が2Mで示される、本実施の形態11にかかるヒートシンクである。(a)は斜視図、(b)はX方向から見た場合の断面図である。
かかる構造でも、一度に複数のフィン6を支持台71に接合できるため、製造工程の簡略化、製造コストの低減が可能となる。
図19は、全体が2Nで示される、本実施の形態12にかかるヒートシンクである。(a)は斜視図、(b)はZ方向から見た場合の断面図である。
図20は、全体が2O、2O’で示される、本実施の形態13にかかるヒートシンクである。(a)は斜視図、(b)、(c)はX方向から見た場合の断面図である。
また、(c)に示すヒートシンク2O’は、図15(a)に示す、実施の形態9にかかるヒートシンク2Kを熱伝導性の良好な支持台71、および側壁板72L、72Rに接合に接合した構造となっている。
図21は、ヒートシンク2がダクト80に組み込まれる態様を示す。ダクト80は、底板81、側板82、83、84、85、上板86からなる。側板82、83には、配管87、88が設けられ、冷却媒体が矢印21の方向に流れるようになっている。
図22は、ヒートシンク2がダクト80に組み込まれる他の態様を示す。ダクト80は、底板81、側板82、83、84、85、上板86からなるが、側板84、85と上板86は、予め接合されている。他は、上述の実施の形態15の態様と同じである。
Claims (15)
- 発熱体と熱的に接続される第1の面を有するベースと、
ベースの上記第1の面と反対側の第2の面に支持され所定の方向に沿って並んだ複数のフィンであって、それぞれ複数の貫通孔を有するフィンとを備え、
ベースと複数のフィンは多孔質材料で一体的に形成してなることを特徴とするヒートシンク。 - ベースの第1の面に接合された第2のベースをさらに備えた請求項1に記載のヒートシンク。
- 発熱体と熱的に接続される第1の面を有するベースと、
ベースの上記第1の面と反対側の第2の面に接合され所定の方向に沿って並んだ複数のフィンであって、それぞれ複数の貫通孔を有するフィンと、
ベースとの接合面と隣接する各フィンの側面を介して複数のフィンを支持する側壁とを備え、
側壁と複数のフィンは多孔質材料で一体的に形成してなることを特徴とするヒートシンク。 - 発熱体と熱的に接続された外部のベースに接合され所定の方向に沿って並んだ複数のフィンであって、それぞれ複数の貫通孔を有するフィンと、
外部のベースとの接合面と隣接する各フィンの側面を介して複数のフィンを支持する側壁とを備え、
側壁と複数のフィンは多孔質材料で一体的に形成してなることを特徴とするヒートシンク。 - 所定の形状を有する多孔質部材を用意し、
多孔質部材に対し一つまたはそれ以上の溝を切削加工することにより、ベースまたは側壁と複数のフィンとが加工形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のヒートシンク。 - 上記多孔質部材は、所定の方向に伸びる管状の孔を複数備え、
上記一つまたはそれ以上の溝は、管状の孔と交差するように切削加工されることを特徴とする請求項5に記載のヒートシンク。 - 上記一つまたはそれ以上の溝は、管状の孔の伸張方向とフィンの配列方向が鋭角をなすように形成されることを特徴とする請求項6に記載のヒートシンク。
- 上記多孔質部材は、
等圧ガス雰囲気下における金属−ガス系状態図が共晶点を有する金属とガスとを用意し、等圧ガス雰囲気下で金属を溶融した後、溶融金属を所定の方向に沿って温度勾配を有するモールド内で凝固させ、その後、凝固した金属を所定の形状に加工する、
ことにより用意されることを特徴とする請求項6または7に記載のヒートシンク。 - 隣接するフィンの間に設けられた溝の間隔が、1mm以上であることを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。
- 隣接するフィンの間に設けられた溝の間隔が、0.5mm以下であることを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。
- 上記ヒートシンクの幅(W)が、略10mm以下であることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載のヒートシンク。
- 上記側壁に接合された側壁板をさらに備えた請求項3または4に記載のヒートシンク。
- 略平行に伸びる複数の管状の孔を有する多孔質部材を準備し、多孔質部材の一部を略一直線に延びたワイヤで切り取り、フィンに挟まれた溝を形成するヒートシンクの製造方法において、
ワイヤが延びた方向に略垂直な面上でのワイヤの移動経路が、略コの字になることを特徴とする製造方法。 - 略平行に伸びる複数の管状の孔を有する多孔質部材を準備し、多孔質部材の一部を略一直線に延びたワイヤで切り込み、フィンに挟まれた溝を形成するヒートシンクの製造方法において、
ワイヤが延びた方向に略垂直な面上でのワイヤの移動経路が、略一直線になることを特徴とする製造方法。 - 略平行に伸びる複数の管状の孔を有する多孔質部材を準備し、多孔質部材の一部をエンドミルで削り、フィンに挟まれた溝を形成するヒートシンクの製造方法において、
エンドミルを略一定方向に移動させて溝を削ることを特徴とする製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2005/014731 WO2007017945A1 (ja) | 2005-08-11 | 2005-08-11 | ヒートシンクおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007017945A1 true JPWO2007017945A1 (ja) | 2009-02-19 |
JP4721193B2 JP4721193B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=37727141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007529442A Active JP4721193B2 (ja) | 2005-08-11 | 2005-08-11 | ヒートシンク |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8371367B2 (ja) |
EP (1) | EP1923914A4 (ja) |
JP (1) | JP4721193B2 (ja) |
WO (1) | WO2007017945A1 (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008251652A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Mitsubishi Electric Corp | ヒートシンク |
JP5278656B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-09-04 | 日本精機株式会社 | 表示装置 |
JP5227640B2 (ja) * | 2008-04-07 | 2013-07-03 | セイコーエプソン株式会社 | ヒートシンクの製造方法 |
JP2011058754A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | 熱交換媒体および熱交換器 |
CN103188912A (zh) * | 2011-12-27 | 2013-07-03 | 刘源 | 使用液态金属工质的藕状规则多孔金属微通道热沉 |
JP5548722B2 (ja) | 2012-03-30 | 2014-07-16 | 三菱マテリアル株式会社 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板、及び、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
TWI494051B (zh) * | 2012-11-19 | 2015-07-21 | Acer Inc | 流體熱交換裝置 |
TWI503072B (zh) * | 2013-06-17 | 2015-10-01 | Nat Univ Tainan | 含有多孔性材料之微通道散熱座之通道最佳尺寸設計方法 |
US9997494B2 (en) * | 2013-09-27 | 2018-06-12 | Gerald Ho Kim | Three-dimensional silicon structure for integrated circuits and cooling thereof |
CN103796489B (zh) * | 2014-01-14 | 2016-09-21 | 清华大学 | 使用多孔微通道模块的热收集端及散热装置 |
CN103796492B (zh) * | 2014-01-25 | 2017-01-18 | 清华大学 | 使用藕状多孔材料微通道模块的热收集端 |
JP6497192B2 (ja) * | 2015-04-24 | 2019-04-10 | 日立化成株式会社 | 多孔質金属を用いた放熱フィンおよびそれを搭載したヒートシンク、モジュール |
US10096596B2 (en) | 2015-12-15 | 2018-10-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device structure having a plurality of gate structures |
DE102016222376B3 (de) * | 2016-11-15 | 2018-02-15 | Zf Friedrichshafen Ag | Elektronikmodul und Verfahren zum Herstellen desselben |
CN107517571A (zh) * | 2017-09-06 | 2017-12-26 | 合肥同诺文化科技有限公司 | 机柜换热片及其机柜 |
JP7139684B2 (ja) * | 2018-05-18 | 2022-09-21 | 富士通株式会社 | 冷却装置、及び電子機器 |
US20190360759A1 (en) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | Purdue Research Foundation | Permeable membrane microchannel heat sinks and methods of making |
DE102018217652A1 (de) * | 2018-10-15 | 2020-04-16 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Strömungsverteiler zum Kühlen einer elektrischen Baugruppe, ein Halbleitermodul mit einem derartigen Strömungsverteiler und ein Verfahren zu dessen Herstellung |
JP7356323B2 (ja) | 2019-10-31 | 2023-10-04 | エスペック株式会社 | 環境試験装置 |
TWM600070U (zh) * | 2020-05-05 | 2020-08-11 | 王東茂 | 散熱結構改良 |
KR20230002948A (ko) * | 2020-05-29 | 2023-01-05 | 가부시키가이샤 도모에가와 세이시쇼 | 온도 조절 유닛 및 온도 조절 유닛의 제조 방법 |
EP4160672A4 (en) * | 2020-05-29 | 2023-11-22 | Tomoegawa Co., Ltd. | TEMPERATURE ADJUSTMENT UNIT |
TW202206260A (zh) * | 2020-07-09 | 2022-02-16 | 美商3M新設資產公司 | 經由3d列印製作之冷板 |
JP2022178467A (ja) * | 2021-05-20 | 2022-12-02 | 株式会社ロータス・サーマル・ソリューション | ヒートシンク構造 |
US20230200022A1 (en) * | 2021-12-20 | 2023-06-22 | Amulaire Thermal Technology, Inc. | Two-phase immersion type heat dissipation substrate |
KR20230117902A (ko) * | 2022-02-03 | 2023-08-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전모듈 |
US20230262931A1 (en) * | 2022-02-11 | 2023-08-17 | Amulaire Thermal Technology, Inc. | Two-phase immersion-type heat dissipation substrate structure |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0661387A (ja) * | 1992-08-12 | 1994-03-04 | Ibiden Co Ltd | 半導体装置用放熱基板 |
JPH1088254A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-07 | Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan | ポーラス金属の製造方法 |
JP2001358270A (ja) * | 2000-06-14 | 2001-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 冷却装置 |
JP2003309385A (ja) * | 2002-04-16 | 2003-10-31 | Sony Corp | 放熱装置および電子機器 |
JP2004022914A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Hitachi Ltd | 絶縁回路基板とその冷却構造及ぴパワー半導体装置とその冷却構造 |
JP4458872B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2010-04-28 | 三菱電機株式会社 | ヒートシンク |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1238428A (en) * | 1987-08-21 | 1988-06-21 | John J. Kost | Thermally enhanced integrated circuit carrier package |
JP2912732B2 (ja) | 1991-06-27 | 1999-06-28 | 京セラ株式会社 | セラミック製放熱体の製造方法 |
DE69305667T2 (de) * | 1992-03-09 | 1997-05-28 | Sumitomo Metal Ind | Wärmesenke mit guten wärmezerstreuenden Eigenschaften und Herstellungsverfahren |
US5814536A (en) | 1995-12-27 | 1998-09-29 | Lsi Logic Corporation | Method of manufacturing powdered metal heat sinks having increased surface area |
US6018459A (en) | 1997-11-17 | 2000-01-25 | Cray Research, Inc. | Porous metal heat sink |
US6269003B1 (en) * | 1999-12-27 | 2001-07-31 | Wei Wen-Chen | Heat dissipater structure |
US6503626B1 (en) * | 2000-02-25 | 2003-01-07 | Graftech Inc. | Graphite-based heat sink |
JP2002110874A (ja) | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Edl:Kk | ヒートシンクとその製造方法 |
CN2484146Y (zh) | 2001-07-27 | 2002-04-03 | 戴礼冬 | 散热板 |
US20030136545A1 (en) * | 2002-01-18 | 2003-07-24 | Lin Yu-Sen | Heat sink for heat-susceptible electronic devices |
US20030150597A1 (en) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Fu-Hsiung Lin | Continuous heat sink for an electronic device |
US6888720B2 (en) * | 2002-06-18 | 2005-05-03 | Sun Microsystems, Inc. | Distributed graphitic foam heat exchanger system |
US20040000392A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-01-01 | Jiunn-Liang Chen | Radiator device |
US7000684B2 (en) * | 2002-11-01 | 2006-02-21 | Cooligy, Inc. | Method and apparatus for efficient vertical fluid delivery for cooling a heat producing device |
CN100390976C (zh) | 2002-12-31 | 2008-05-28 | 千如电机工业股份有限公司 | 一种孔洞化结构陶瓷散热片及其制备方法 |
US7198094B2 (en) * | 2003-06-20 | 2007-04-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Finned device for removing heat from an electronic component |
-
2005
- 2005-08-11 WO PCT/JP2005/014731 patent/WO2007017945A1/ja active Application Filing
- 2005-08-11 US US12/063,495 patent/US8371367B2/en active Active
- 2005-08-11 EP EP05770808A patent/EP1923914A4/en not_active Withdrawn
- 2005-08-11 JP JP2007529442A patent/JP4721193B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0661387A (ja) * | 1992-08-12 | 1994-03-04 | Ibiden Co Ltd | 半導体装置用放熱基板 |
JPH1088254A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-07 | Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan | ポーラス金属の製造方法 |
JP2001358270A (ja) * | 2000-06-14 | 2001-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 冷却装置 |
JP2003309385A (ja) * | 2002-04-16 | 2003-10-31 | Sony Corp | 放熱装置および電子機器 |
JP2004022914A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Hitachi Ltd | 絶縁回路基板とその冷却構造及ぴパワー半導体装置とその冷却構造 |
JP4458872B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2010-04-28 | 三菱電機株式会社 | ヒートシンク |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007017945A1 (ja) | 2007-02-15 |
EP1923914A4 (en) | 2010-01-27 |
US20100139904A1 (en) | 2010-06-10 |
JP4721193B2 (ja) | 2011-07-13 |
US8371367B2 (en) | 2013-02-12 |
EP1923914A1 (en) | 2008-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4721193B2 (ja) | ヒートシンク | |
CN101238575B (zh) | 散热器及其制造方法 | |
US8397796B2 (en) | Porous media cold plate | |
EP2289098B1 (en) | Liquid cooler and method of its manufacture | |
EP1585173B1 (en) | Aluminium bonding member and method for producing same | |
US8938880B2 (en) | Method of manufacturing an integrated cold plate for electronics | |
JP2013506996A (ja) | ピン付きコールドプレート | |
JP4458872B2 (ja) | ヒートシンク | |
KR101798272B1 (ko) | 금속-세라믹스 접합 기판 및 그 제조 방법 | |
JP5114323B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2010123881A (ja) | コールドプレート | |
JPWO2018179314A1 (ja) | 冷却装置および車両用電力変換装置 | |
JP2008282969A (ja) | 冷却器及び電子機器 | |
JP2009239043A (ja) | 微細流路を備えた冷却装置、その製造方法 | |
JP2008226916A (ja) | 放熱部品、その製造方法および放熱構造体 | |
JP2005123496A (ja) | 熱交換器 | |
JP2006313038A (ja) | ヒートパイプ回路基板の製造方法とヒートパイプ回路基板 | |
JP2008294281A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2019113227A (ja) | 冷却モジュール | |
JP2008251652A (ja) | ヒートシンク | |
US20210125894A1 (en) | Two-phase heat transfer device for heat dissipation | |
JP2010016295A (ja) | 半導体装置 | |
JP2007294983A (ja) | 熱交換器 | |
JP4469674B2 (ja) | 流路構造体の製造方法 | |
JP2013219125A (ja) | 熱交換器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100921 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101119 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110222 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110301 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110322 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110329 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4721193 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S201 | Request for registration of exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |