JPWO2006101028A1

JPWO2006101028A1 - 単分子導電性錯体、導電性自己組織化膜、及びこれを用いた金属と半導体からなる電極の接合体

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Publication number: JPWO2006101028A1
Application number: JP2007509238A
Authority: JP
Inventors: 正道藤平; 史衛佐藤; 祐樹高山; 小野　豪; 豪小野
Original assignee: Nissan Chemical Corp; Tokyo Institute of Technology NUC
Current assignee: Nissan Chemical Corp; Tokyo Institute of Technology NUC
Priority date: 2005-03-23
Filing date: 2006-03-17
Publication date: 2008-09-04
Also published as: TW200700355A; US7659416B2; EP1862453A1; EP1862453A4; KR20070112862A; WO2006101028A1; US20090036698A1; CN101163672A

Abstract

式（１）で表されるエンジイン化合物は、非常に構造が簡単で、製造方法も容易であり、しかも、従来提案されている化合物と比較して分子長が短いという特徴を有する。このことから、本発明のエンジイン化合物からなる電極の接合体は、従来作製が困難であったナノ分子配線（ナノ分子ワイヤ）としての応用が大いに期待できる。

Description

本発明は、単分子導電性錯体、導電性自己組織化膜、及びこれを用いた金属と半導体からなる電極の接合体に関し、さらに詳述すれば、エンジイン型構造を有する化合物からなる単分子導電性錯体、導電性自己組織化膜、及び当該化合物と金属、金属酸化物または半導体とが化学結合してなる電極の接合体に関する。

従来、各種基板上での単分子錯体、自己組織化膜として、硫黄原子等のヘテロ原子を含んだ化合物に関する研究開発が活発に行われている。そして、これらの単分子錯体及び自己組織化膜を電子デバイスへ応用すべく、単分子錯体や自己組織化膜に導電性を付与した化合物に関する研究開発も活発に行われている。
また、上記錯体・自己組織化機能を有する化合物や、これらの化合物に導電性を付与した化合物と、金属または半導体からなる電極との接合体についての研究開発も行われている。

例えば、導電性を付与した自己組織化膜用の化合物としては、キノンを電子受容構造として末端に有する２−（１１−メルカプトウンデシル）ハイドロキノンが知られている（非特許文献１参照）。
また、電子受容構造であるテトラシアノキノジメタンを末端に有するビス（１０−（２−（（２，５−シクロヘキサジエン−１，４−ジイリデン）ジマロノニトリル））デシル）ジスルフィドと、電子供与構造であるテトラメチルフェニレンジアミンを末端に有するＮ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−Ｎ−（１０−メルカプト）デシル−１，４−フェニレンジアミンの混合物が知られている（非特許文献２参照）。

さらに、下記式（３）で表される化合物が知られており、具体的な化合物としては、式（３）において、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄がメチル基、２−シアノエチル基、または水素原子である化合物、Ｒ₁₁が水素原子、Ｒ₁₂〜Ｒ₁₄が２−シアノエチル基で表される化合物が知られている（特許文献１参照）。これらの化合物は、製造法が簡便であることから、産業的な応用という点において有利である。

（式中、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよいＣ₁〜Ｃ₆アルキル基、置換基を有してもよいＣ₂〜Ｃ₆アルケニル基、置換基を有してもよいＣ₁〜Ｃ₆アリール基、臭素原子、塩素原子を表す。）

また、下記式（４）で表される、化合物が知られており（特許文献２参照）、この化合物も、製造法が簡便であることから、産業的な応用という点において有利である。

（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は、それぞれ独立に、有機基を表し、少なくとも一つはアリーレン基及びアルキレン基の少なくとも一方を含む二価の連結基、及びその末端に金属表面、金属酸化物表面、または半導体表面と共有結合または配位結合により結合を形成させる結合基を有する有機基を表し、Ｒ⁵〜Ｒ⁸は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₃アルキル基、またはＣ₁〜Ｃ₃アルコキシ基で表す。）

一方、電子デバイスへの応用を考慮した、種々の単分子錯体・自己組織化膜、または導電性を付与した種々の単分子錯体・自己組織化膜を利用した金属と半導体からなる電極の作製・製造方法については、例えば、金属・金属、金属・半導体、半導体・半導体電極間を電気的に接合する、いわゆる分子配線（分子ワイヤ）等が知られている（特許文献３〜７及び非特許文献３〜１６参照）。
上記各文献に示されるように、単分子導電性錯体、導電性自己組織化膜用の化合物として、これまで種々の化合物が報告されてはいるものの、その化学構造はかなり限定されていて多様性に欠ける上、機能的にも十分でないものが多い。さらに、製造方法も複雑で、電子デバイス等への産業的な応用を考えると、実用的なものは皆無である。

国際公開第０１／６８５９５パンフレット特開２００４−１７５７４２号公報特開２００３−１６８７８８号公報特開２００４−０５８２６０号公報特開２００４−１１９６１８号公報特開２００４−１３６３７７号公報特開２００５−０３３１８４号公報 J. Chem. Soc., Faraday Trans., 92, 3813 (1996) Langmuir, 14, 5834 (1998) Science, 278, 10 October, 252 (1997) Science, 286, 19 November, 1550 (1999) Science, 301, 29 August, 1221 (2003) Applied Physics Letters, 82, 19, 3322 (2003) Advanced Materials, 15, 22, 1881 (2003) Angew. Chem. Int. Ed., 2004, 43, 6148 Surface Science, 573, 1 (2004) Chem. Mater., 2004, 16, 4477 Journal of Chemical Physics, 121, 13, 6485 (2004) J. Am. Chem. Soc., 2004, 126, 14182 J. Am. Chem. Soc., 2004, 126, 15897 Phys. Chem. Chem. Phys., 2004, 6, 4330 J. Am. Chem. Soc., 2005, 127, 1384 J. Am. Chem. Soc., 2005, 127, 2386

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、製造法が簡便であるとともに、単分子導電性錯体、導電性自己組織化膜として利用可能なエンジイン化合物、及びこのエンジイン化合物を用いた電極接合体を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、エンイン型、好ましくはエンジイン型のπ共役鎖を有し、かつ、硫黄・セレン等の１６族原子等の金属表面、金属酸化物表面または半導体表面と、共有結合または配位結合を形成し得る結合基を、その分子末端に有するπ共役系化合物が、導電性及び自己組織化膜用化合物として好適であることを見出し、本発明を完成した。
また、このエンジイン化合物からなる単分子導電性錯体、導電性自己組織化膜を用いて、金属・金属電極を作製し、その特性を検討した結果、電子デバイス等への応用も十分可能であることを見出し、本発明を完成した。

すなわち、本発明は、
１．式（１）で表されることを特徴とするエンジイン化合物。

〔式中、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルケニル基、炭素数１〜１０アルキニル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０アルキルチオ基、炭素数１〜１０モノアルキルアミノ基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ基、炭素数１〜１０トリアルキルシリル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル基、炭素数１〜１０アルコキシカルボニル基、炭素数１〜１０アルコキシ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルオキシカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ニトロアルキル基、Ｗで置換されていてもよいアリール基、Ｗで置換されていてもよいアリールアルキル基、Ｗで置換されていてもよいアリールオキシ基、Ｗで置換されていてもよいアリールチオ基、Ｗで置換されていてもよいモノアリールアミノ基、Ｗで置換されていてもよいジアリールアミノ基、Ｗで置換されていてもよい炭素数１〜１０トリアリールシリル基、Ｗで置換されていてもよいアリールカルボニル基またはＷで置換されていてもよいアリールオキシカルボニル基を表し、Ｘ¹及びＸ²は、それぞれ独立して、硫黄原子またはセレン原子を表し、Ｙは、水素原子、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル基、炭素数１〜１０アルコキシカルボニル基、Ｗで置換されていてもよいアリール基、Ｗで置換されていてもよいアリールアルキル基、Ｗで置換されていてもよい炭素数１〜１０アリールカルボニル基またはＷで置換されていてもよい炭素数１〜１０アリールオキシカルボニル基を表し、Ｗは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルケニル基、炭素数１〜１０アルキニル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０アルキルチオ基、炭素数１〜１０モノアルキルアミノ基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ基、炭素数１〜１０トリアルキルシリル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル基、炭素数１〜１０アルコキシカルボニル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基またはＺで置換されていてもよいビフェニル基を表し、Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルケニル基、炭素数１〜１０アルキニル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０アルキルチオ基、炭素数１〜１０モノアルキルアミノ基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ基、炭素数１〜１０トリアルキルシリル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル基または炭素数１〜１０アルコキシカルボニル基を表す。〕
２．前記Ｒ¹及びＲ²が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ基、炭素数１〜１０アルコキシ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルオキシカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ニトロアルキル基またはＷで置換されていてもよいアリール基（Ｗは、前記と同じ意味を表す。）、Ｘ¹及びＸ²が、硫黄原子、Ｙが、水素原子、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル基、炭素数１〜１０アルコキシカルボニル基、Ｗで置換されていてもよいアリール基、Ｗで置換されていてもよいアリールアルキル基、Ｗで置換されていてもよい炭素数１〜１０アリールカルボニル基またはＷで置換されていてもよい炭素数１〜１０アリールオキシカルボニル基（Ｗは、前記と同じ意味を表す。）であることを特徴とする１のエンジイン化合物、
３．前記Ｒ¹及びＲ²が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルコキシ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルオキシカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ニトロアルキル基またはＷで置換されていてもよいアリール基（Ｗは、前記と同じ意味を表す。）、Ｙが、水素原子または炭素数１〜１０アルキルカルボニル基であることを特徴とする２のエンジイン化合物、
４．エンジイン化合物が、その両末端で金属表面、金属酸化物表面、または半導体表面と共有結合または配位結合してなることを特徴とする式（２）で示される電極接合体、

〔式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｘ¹及びＸ²は、上記と同じ意味を表す。Ｍは、前記金属、金属酸化物または半導体に由来する金属原子であって、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｈｇ、ＧａまたはＩｎを表す。〕
５．前記Ｒ¹及びＲ²が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ基、炭素数１〜１０アルコキシ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルオキシカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ニトロアルキル基またはＷで置換されていてもよいアリール基（Ｗは、前記と同じ意味を表す。）、Ｘ¹及びＸ²が、硫黄原子であることを特徴とする４の電極接合体、
６．前記Ｒ¹及びＲ²が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルコキシ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルオキシカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ニトロアルキル基またはＷで置換されていてもよいアリール基（Ｗは、前記と同じ意味を表す。）であることを特徴とする５の電極接合体、
７．前記エンジイン化合物が、その両末端で金属表面または金属酸化物表面と共有結合または配位結合してなり、前記Ｍが、前記金属または金属酸化物に由来する金属原子であって、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｈｇ、ＧａまたはＩｎを表すことを特徴とする６の電極接合体、
８．前記エンジイン化合物が、その両末端で金属表面と共有結合または配位結合してなり、前記Ｍが、前記金属に由来する金属原子であって、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｈｇ、ＧａまたはＩｎを表すことを特徴とする７の電極接合体
を提供する。

本発明のπ共役系を有する上記式（１）で示されるエンジイン化合物は、エンジイン型構造を有し、かつ、硫黄・セレン等の１６族原子等の金属表面、金属酸化物表面または半導体表面と、共有結合または配位結合により結合を形成させる結合基を、その分子末端に有しており、電極である金属表面、金属酸化物表面または半導体表面と、共有結合や配位結合により容易に結合し、上記式（２）で示される電極接合体を与える。
この電極接合体につき、分子配線としての特性を検討した結果、従来の分子配線用化合物のそれよりも優れていることが確認された。
さらに、本発明のエンジイン化合物は、構造が非常に簡単で、製造方法も簡便であり、しかも、従来提案されている化合物と比較して分子長が短いという特徴を有する。このことから、本発明のエンジイン化合物からなる電極接合体は、従来作製が困難であったナノ分子配線（ナノ分子ワイヤ）としての応用が大いに期待でき、産業上の利用価値が高いといえる。

実施例１で得られたエンジイン−ジチオールのコンダクタンスステップを示すグラフである。比較例１の１，６−ヘキサンジチオールのコンダクタンスステップを示すグラフである。

以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
なお、本明細書中、「ｎ」はノルマルを、「ｉ」はイソを、「ｓ」はセカンダリーを、「ｔ」はターシャリーを、「ｃ」はシクロを、「ｏ」はオルトを、「ｍ」はメタを、「ｐ」はパラを意味する。
上記式（１）及び（２）におけるＲ¹及びＲ²は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルケニル基、炭素数１〜１０アルキニル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０アルキルチオ基、炭素数１〜１０モノアルキルアミノ基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ基、炭素数１〜１０トリアルキルシリル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル基、炭素数１〜１０アルコキシカルボニル基、炭素数１〜１０アルコキシ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルオキシカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ニトロアルキル基、Ｗで置換されていてもよいアリール基、Ｗで置換されていてもよいアリールアルキル基、Ｗで置換されていてもよいアリールオキシ基、Ｗで置換されていてもよいアリールチオ基、Ｗで置換されていてもよいモノアリールアミノ基、Ｗで置換されていてもよいジアリールアミノ基、Ｗで置換されていてもよい炭素数１〜１０トリアリールシリル基、Ｗで置換されていてもよいアリールカルボニル基またはＷで置換されていてもよいアリールオキシカルボニル基を表す。

中でも、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ基、炭素数１〜１０アルコキシ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルオキシカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ニトロアルキル基またはＷで置換されていてもよいアリール基（Ｗは、上記と同じ意味を表す。）が好ましく、特に、水素原子、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルコキシ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルオキシカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ニトロアルキル基またはＷで置換されていてもよいアリール基（Ｗは、上記と同じ意味を表す。）が好ましい。

Ｘ¹及びＸ²は、それぞれ独立して硫黄原子またはセレン原子であるが、金属、金属酸化物または半導体表面上で自己組織化膜を形成し易いことから、特に、硫黄原子であることが好ましい。
式（１）におけるＹは、水素原子、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル基、炭素数１〜１０アルコキシカルボニル基、Ｗで置換されていてもよいアリール基、Ｗで置換されていてもよいアリールアルキル基、Ｗで置換されていてもよい炭素数１〜１０アリールカルボニル基またはＷで置換されていてもよい炭素数１〜１０アリールオキシカルボニル基（Ｗは、上記と同じ意味を表す。）を表すが、合成の容易さ、及び金属、金属酸化物または半導体との接合体を形成し易いことから、水素原子または炭素数１〜１０アルキルカルボニル基が好ましく、特に、炭素数１〜１０アルキルカルボニル基が好適である。
なお、Ｗは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルケニル基、炭素数１〜１０アルキニル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０アルキルチオ基、炭素数１〜１０モノアルキルアミノ基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ基、炭素数１〜１０トリアルキルシリル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル基、炭素数１〜１０アルコキシカルボニル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基またはＺで置換されていてもよいビフェニル基を表し、Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルケニル基、炭素数１〜１０アルキニル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０アルキルチオ基、炭素数１〜１０モノアルキルアミノ基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ基、炭素数１〜１０トリアルキルシリル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル基、炭素数１〜１０アルコキシカルボニル基を表す。

式（２）におけるＭは、エンジイン化合物がその両末端で結合している金属、金属酸化物または半導体に由来する金属原子であり、具体的には、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｈｇ、ＧａまたはＩｎを表すが、Ａｕ、Ｃｕ、Ｉｎが好ましい。

次に、式（１）及び（２）で示される化合物の置換基の具体例について、説明する。
炭素数１〜１０アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｃ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｃ−ブチル、ｎ−ペンチル、１−メチル−ｎ−ブチル、２−メチル−ｎ−ブチル、３−メチル−ｎ−ブチル、１，１−ジメチル−ｎ−プロピル、ｃ−ペンチル、２−メチル−ｃ−ブチル、ｎ−ヘキシル、１−メチル−ｎ−ペンチル、２−メチル−ｎ−ペンチル、１，１−ジメチル−ｎ−ブチル、１−エチル−ｎ−ブチル、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロピル、ｃ−ヘキシル、１−メチル−ｃ−ペンチル、１−エチル−ｃ−ブチル、１，２−ジメチル−ｃ−ブチル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル等が挙げられる。

炭素数１〜１０アルケニル基の具体例としては、ＣＨ＝ＣＨ₂、ＣＨ＝ＣＨＭｅ、ＣＨ＝ＣＨＥｔ、ＣＨ＝ＣＭｅ₂、ＣＨ＝ＣＥｔ₂、ＣＭｅ＝ＣＨ₂、ＣＭｅ＝ＣＨＭｅ、ＣＭｅ＝ＣＭｅ₂、ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＭｅ、ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＥｔ、ＣＨ₂ＣＭｅ＝ＣＨ₂、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＭｅ、ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＭｅ₂、ＣＨＭｅＣＨ＝ＣＨ₂、ＣＨ₂ＣＭｅ＝ＣＨＭｅ、ＣＨＭｅＣＨ＝ＣＨＭｅ、ＣＨ₂ＣＭｅ＝ＣＨＥｔ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＭｅ₂、ＣＨ₂ＣＭｅ＝ＣＭｅ₂、ＣＨ＝Ｃ＝ＣＨ₂等が挙げられる。
炭素数１〜１０アルキニル基の具体例としては、Ｃ≡ＣＭｅ、Ｃ≡ＣＥｔ、ＣＨ₂Ｃ≡ＣＨ、ＣＨ₂Ｃ≡ＣＭｅ、ＣＨ₂Ｃ≡ＣＥｔ、ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ≡ＣＨ、ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ≡ＣＭｅ、ＣＨＭｅＣ≡ＣＨ、ＣＨＭｅＣ≡ＣＭｅ等が挙げられる。

炭素数１〜１０ハロアルキル基の具体例としては、ＣＨ₂Ｆ、ＣＨＦ₂、ＣＦ₃、ＣＨ₂ＣＨ₂Ｆ、ＣＨ₂ＣＨＦ₂、ＣＨ₂ＣＦ₃、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｆ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨＦ₂、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＦ₃、ＣＨ₂Ｃｌ、ＣＨＣｌ₂、ＣＣｌ₃、ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃｌ、ＣＨ₂Ｂｒ、ＣＨＢｒ₂、ＣＢｒ₃、ＣＨ₂ＣＨ₂Ｂｒ等が挙げられる。
炭素数１〜１０アルコキシ基の具体例としては、ＯＭｅ、ＯＥｔ、ＯＰｒ−ｎ、ＯＰｒ−ｉ、ＯＢｕ−ｎ、ＯＢｕ−ｉ、ＯＢｕ−ｓ、ＯＢｕ−ｔ、ＯＰｅｎ−ｎ、ＯＣＨＥｔ₂、ＯＨｅｘ−ｎ、ＯＣＨＭｅ（Ｐｒ−ｎ）、ＯＣＨＭｅ（Ｂｕ−ｎ）、ＯＣＨＥｔ（Ｐｒ−ｎ）、ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨＭｅ₂等が挙げられる。

炭素数１〜１０アルキルチオ基の具体例としては、ＳＭｅ、ＳＥｔ、ＳＰｒ−ｎ、ＳＰｒ−ｉ、ＳＢｕ−ｎ、ＳＢｕ−ｉ、ＳＢｕ−ｓ、ＳＢｕ−ｔ、ＳＰｅｎ−ｎ、ＳＣＨＥｔ₂、ＳＨｅｘ−ｎ、ＳＣＨＭｅ（Ｐｒ−ｎ）、ＳＣＨＭｅ（Ｂｕ−ｎ）、ＳＣＨＥｔ（Ｐｒ−ｎ）、ＳＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨＭｅ₂等が挙げられる。
炭素数１〜１０モノアルキルアミノ基の具体例としては、ＮＨＭｅ、ＮＨＥｔ、ＮＨＰｒ−ｎ、ＮＨＰｒ−ｉ、ＮＨＢｕ−ｎ、ＮＨＢｕ−ｉ、ＮＨＢｕ−ｓ、ＮＨＢｕ−ｔ、ＮＨＰｅｎ−ｎ、ＮＨＣＨＥｔ₂、ＮＨＨｅｘ−ｎ等が挙げられる。

炭素数１〜１０ジアルキルアミノ基の具体例としては、ＮＭｅ₂、ＮＥｔ₂、Ｎ（Ｐｒ−ｎ）₂、Ｎ（Ｐｒ−ｉ）₂、Ｎ（Ｂｕ−ｎ）₂、Ｎ（Ｂｕ−ｉ）₂、Ｎ（Ｂｕ−ｓ）₂、Ｎ（Ｂｕ−ｔ）₂、Ｎ（Ｐｅｎ−ｎ）₂、Ｎ（ＣＨＥｔ₂）₂、Ｎ（Ｈｅｘ−ｎ）₂等が挙げられる。
炭素数１〜１０トリアルキルシリル基の具体例としては、ＳｉＭｅ₃、ＳｉＥｔ₃、Ｓｉ（Ｐｒ−ｎ）₃、Ｓｉ（Ｐｒ−ｉ）₃、Ｓｉ（Ｂｕ−ｎ）₃、Ｓｉ（Ｂｕ−ｉ）₃、Ｓｉ（Ｂｕ−ｓ）₃、Ｓｉ（Ｂｕ−ｔ）₃等が挙げられる。

炭素数１〜１０アルキルカルボニル基の具体例としては、Ｃ（Ｏ）Ｍｅ、Ｃ（Ｏ）Ｅｔ、Ｃ（Ｏ）Ｐｒ−ｎ、Ｃ（Ｏ）Ｐｒ−ｉ、Ｃ（Ｏ）Ｂｕ−ｎ、Ｃ（Ｏ）Ｂｕ−ｉ、Ｃ（Ｏ）Ｂｕ−ｓ、Ｃ（Ｏ）Ｂｕ−ｔ、Ｃ（Ｏ）Ｐｅｎ−ｎ、Ｃ（Ｏ）ＣＨＥｔ₂、Ｃ（Ｏ）Ｈｅｘ−ｎ等が挙げられる。
炭素数１〜１０アルコキシカルボニル基の具体例としては、ＯＣ（Ｏ）Ｍｅ、ＯＣ（Ｏ）Ｅｔ、ＯＣ（Ｏ）Ｐｒ−ｎ、ＯＣ（Ｏ）Ｐｒ−ｉ、ＯＣ（Ｏ）Ｂｕ−ｎ、ＯＣ（Ｏ）Ｂｕ−ｉ、ＯＣ（Ｏ）Ｂｕ−ｓ、ＯＣ（Ｏ）Ｂｕ−ｔ、ＯＣ（Ｏ）Ｐｅｎ−ｎ、ＯＣ（Ｏ）ＣＨＥｔ₂、ＯＣ（Ｏ）Ｈｅｘ−ｎ等が挙げられる。

炭素数１〜１０アルコキシ（炭素数１〜１０）アルキル基の具体例としては、ＣＨ₂ＯＭｅ、ＣＨ₂ＯＥｔ、ＣＨ₂ＯＰｒ−ｎ、ＣＨ₂ＯＰｒ−ｉ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＭｅ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＥｔ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＰｒ−ｎ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＰｒ−ｉ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＭｅ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＥｔ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＰｒ−ｎ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＰｒ−ｉ等が挙げられる。
炭素数１〜１０アルキルカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基の具体例としては、ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）Ｍｅ、ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）Ｅｔ、ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）Ｐｒ−ｎ、ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）Ｐｒ−ｉ、ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）Ｍｅ、ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）Ｅｔ、ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）Ｐｒ−ｎ、ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）Ｐｒ−ｉ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）Ｍｅ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）Ｅｔ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）Ｐｒ−ｎ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）Ｐｒ−ｉ等が挙げられる。

炭素数１〜１０アルキルオキシカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基の具体例としては、ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）ＯＭｅ、ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）ＯＥｔ、ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）ＯＰｒ−ｎ、ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）ＯＰｒ−ｉ、ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）ＯＭｅ、ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）ＯＥｔ、ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）ＯＰｒ−ｎ、ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）ＯＰｒ−ｉ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）ＯＭｅ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）ＯＥｔ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）ＯＰｒ−ｎ、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｃ（Ｏ）ＯＰｒ−ｉ等が挙げられる。

炭素数１〜１０ジアルキルアミノ（炭素数１〜１０）アルキル基の具体例としては、ＣＨ₂ＮＭｅ₂、ＣＨ₂ＮＥｔ₂、ＣＨ₂Ｎ（Ｐｒ−ｎ）₂、ＣＨ₂Ｎ（Ｐｒ−ｉ）₂、ＣＨ₂ＣＨ₂ＮＭｅ₂、ＣＨ₂ＣＨ₂ＮＥｔ₂、ＣＨ₂ＣＨ₂Ｎ（Ｐｒ−ｎ）₂、ＣＨ₂ＣＨ₂Ｎ（Ｐｒ−ｉ）₂、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＮＭｅ₂、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＮＥｔ₂、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｎ（Ｐｒ−ｎ）₂、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂Ｎ（Ｐｒ−ｉ）₂等が挙げられる。
炭素数１〜１０ニトロアルキル基の具体例としては、ＣＨ₂ＮＯ₂、ＣＨ₂ＣＨ₂ＮＯ₂、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＮＯ₂等が挙げられる。
なお、以上の説明において、「Ｍｅ」はメチル基、「Ｅｔ」はエチル基、「Ｐｒ」はプロピル基、「Ｂｕ」はブチル基を意味する。

Ｗで置換されていてもよいアリール基の具体例としては、フェニル、ｏ−メチルフェニル、ｍ−メチルフェニル、ｐ−メチルフェニル、ｏ−トリフルオロメチルフェニル、ｍ−トリフルオロメチルフェニル、ｐ−トリフルオロメチルフェニル、ｐ−エチルフェニル、ｐ−ｉ−プロピルフェニル、ｐ−ｔ−ブチルフェニル、ｏ−クロルフェニル、ｍ−クロルフェニル、ｐ−クロルフェニル、ｏ−ブロモフェニル、ｍ−ブロモフェニル、ｐ−ブロモフェニル、ｏ−フルオロフェニル、ｐ−フルオロフェニル、ｏ−メトキシフェニル、ｍ−メトキシフェニル、ｐ−メトキシフェニル、ｏ−トリフルオロメトキシフェニル、ｐ−トリフルオロメトキシフェニル、ｏ−ニトロフェニル、ｍ−ニトロフェニル、ｐ−ニトロフェニル、ｏ−ジメチルアミノフェニル、ｍ−ジメチルアミノフェニル、ｐ−ジメチルアミノフェニル、ｐ−シアノフェニル、３，５−ジメチルフェニル、３，５−ビストリフルオロメチルフェニル、３，５−ジメトキシフェニル、３，５−ビストリフルオロメトキシフェニル、３，５−ジエチルフェニル、３，５−ジ−ｉ−プロピルフェニル、３，５−ジクロルフェニル、３，５−ジブロモフェニル、３，５−ジフルオロフェニル、３，５−ジニトロフェニル、３，５−ジシアノフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２，４，６−トリストリフルオロメチルフェニル、２，４，６−トリメトキシフェニル、２，４，６−トリストリフルオロメトキシフェニル、２，４，６−トリクロルフェニル、２，４，６−トリブロモフェニル、２，４，６−トリフルオロフェニル、α−ナフチル、β−ナフチル、ｏ−ビフェニリル、ｍ−ビフェニリル、ｐ−ビフェニリル、チオフェン−２−イル、チオフェン−３−イル、フラン−２−イル、フラン−３−イル、ピロール−１−イル、ピロール−２−イル、ピロール−３−イル等が挙げられる。

Ｗで置換されていてもよいアリールアルキル基の具体例としては、フェニルメチル、ｏ−メチルフェニルメチル、ｍ−メチルフェニルメチル、ｐ−メチルフェニルメチル、ｏ−トリフルオロメチルフェニルメチル、ｍ−トリフルオロメチルフェニルメチル、ｐ−トリフルオロメチルフェニルメチル、ｐ−エチルフェニルメチル、ｐ−ｉ−プロピルフェニルメチル、ｐ−ｔ−ブチルフェニルメチル、ｏ−クロルフェニルメチル、ｍ−クロルフェニルメチル、ｐ−クロルフェニルメチル、ｏ−ブロモフェニルメチル、ｍ−ブロモフェニルメチル、ｐ−ブロモフェニルメチル、ｏ−フルオロフェニルメチル、ｐ−フルオロフェニルメチル、ｏ−メトキシフェニルメチル、ｍ−メトキシフェニルメチル、ｐ−メトキシフェニルメチル、ｏ−トリフルオロメトキシフェニルメチル、ｐ−トリフルオロメトキシフェニルメチル、ｏ−ニトロフェニルメチル、ｍ−ニトロフェニルメチル、ｐ−ニトロフェニルメチル、ｏ−ジメチルアミノフェニルメチル、ｍ−ジメチルアミノフェニルメチル、ｐ−ジメチルアミノフェニルメチル、ｐ−シアノフェニルメチル、３，５−ジメチルフェニルメチル、３，５−ビストリフルオロメチルフェニルメチル、３，５−ジメトキシフェニルメチル、３，５−ビストリフルオロメトキシフェニルメチル、３，５−ジエチルフェニルメチル、３，５−ジ−ｉ−プロピルフェニルメチル、３，５−ジクロルフェニルメチル、３，５−ジブロモフェニルメチル、３，５−ジフルオロフェニルメチル、３，５−ジニトロフェニルメチル、３，５−ジシアノフェニルメチル、２，４，６−トリメチルフェニルメチル、２，４，６−トリストリフルオロメチルフェニルメチル、２，４，６−トリメトキシフェニルメチル、２，４，６−トリストリフルオロメトキシフェニルメチル、２，４，６−トリクロルフェニルメチル、２，４，６−トリブロモフェニルメチル、２，４，６−トリフルオロフェニルメチル、α−ナフチルメチル、β−ナフチルメチル、ｏ−ビフェニリルメチル、ｍ−ビフェニリルメチル、ｐ−ビフェニリルメチル、チオフェン−２−イルメチル、チオフェン−３−イルメチル、フラン−２−イルメチル、フラン−３−イルメチル、ピロール−１−イルメチル、ピロール−２−イルメチル、ピロール−３−イルメチル等が挙げられる。

Ｗで置換されていてもよいアリールオキシ基の具体例としては、フェニルオキシ、ｏ−メチルフェニルオキシ、ｍ−メチルフェニルオキシ、ｐ−メチルフェニルオキシ、ｏ−トリフルオロメチルフェニルオキシ、ｍ−トリフルオロメチルフェニルオキシ、ｐ−トリフルオロメチルフェニルオキシ、ｐ−エチルフェニルオキシ、ｐ−ｉ−プロピルフェニルオキシ、ｐ−ｔ−ブチルフェニルオキシ、ｏ−クロルフェニルオキシ、ｍ−クロルフェニルオキシ、ｐ−クロルフェニルオキシ、ｏ−ブロモフェニルオキシ、ｍ−ブロモフェニルオキシ、ｐ−ブロモフェニルオキシ、ｏ−フルオロフェニルオキシ、ｐ−フルオロフェニルオキシ、ｏ−メトキシフェニルオキシ、ｍ−メトキシフェニルオキシ、ｐ−メトキシフェニルオキシ、ｏ−トリフルオロメトキシフェニルオキシ、ｐ−トリフルオロメトキシフェニルオキシ、ｏ−ニトロフェニルオキシ、ｍ−ニトロフェニルオキシ、ｐ−ニトロフェニルオキシ、ｏ−ジメチルアミノフェニルオキシ、ｍ−ジメチルアミノフェニルオキシ、ｐ−ジメチルアミノフェニルオキシ、ｐ−シアノフェニルオキシ、３，５−ジメチルフェニルオキシ、３，５−ビストリフルオロメチルフェニルオキシ、３，５−ジメトキシフェニルオキシ、３，５−ビストリフルオロメトキシフェニルオキシ、３，５−ジエチルフェニルオキシ、３，５−ジ−ｉ−プロピルフェニルオキシ、３，５−ジクロルフェニルオキシ、３，５−ジブロモフェニルオキシ、３，５−ジフルオロフェニルオキシ、３，５−ジニトロフェニルオキシ、３，５−ジシアノフェニルオキシ、２，４，６−トリメチルフェニルオキシ、２，４，６−トリストリフルオロメチルフェニルオキシ、２，４，６−トリメトキシフェニルオキシ、２，４，６−トリストリフルオロメトキシフェニルオキシ、２，４，６−トリクロルフェニルオキシ、２，４，６−トリブロモフェニルオキシ、２，４，６−トリフルオロフェニルオキシ、α−ナフチルオキシ、β−ナフチルオキシ、ｏ−ビフェニリルオキシ、ｍ−ビフェニリルオキシ、ｐ−ビフェニリルオキシ、チオフェン−２−イルオキシ、チオフェン−３−イルオキシ、フラン−２−イルオキシ、フラン−３−イルオキシ、ピロール−１−イルオキシ、ピロール−２−イルオキシ、ピロール−３−イルオキシ等が挙げられる。

Ｗで置換されていてもよいアリールチオ基の具体例としては、フェニルチオ、ｏ−メチルフェニルチオ、ｍ−メチルフェニルチオ、ｐ−メチルフェニルチオ、ｏ−トリフルオロメチルフェニルチオ、ｍ−トリフルオロメチルフェニルチオ、ｐ−トリフルオロメチルフェニルチオ、ｐ−エチルフェニルチオ、ｐ−ｉ−プロピルフェニルチオ、ｐ−ｔ−ブチルフェニルチオ、ｏ−クロルフェニルチオ、ｍ−クロルフェニルチオ、ｐ−クロルフェニルチオ、ｏ−ブロモフェニルチオ、ｍ−ブロモフェニルチオ、ｐ−ブロモフェニルチオ、ｏ−フルオロフェニルチオ、ｐ−フルオロフェニルチオ、ｏ−メトキシフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ、ｐ−メトキシフェニルチオ、ｏ−トリフルオロメトキシフェニルチオ、ｐ−トリフルオロメトキシフェニルチオ、ｏ−ニトロフェニルチオ、ｍ−ニトロフェニルチオ、ｐ−ニトロフェニルチオ、ｏ−ジメチルアミノフェニルチオ、ｍ−ジメチルアミノフェニルチオ、ｐ−ジメチルアミノフェニルチオ、ｐ−シアノフェニルチオ、３，５−ジメチルフェニルチオ、３，５−ビストリフルオロメチルフェニルチオ、３，５−ジメトキシフェニルチオ、３，５−ビストリフルオロメトキシフェニルチオ、３，５−ジエチルフェニルチオ、３，５−ジ−ｉ−プロピルフェニルチオ、３，５−ジクロルフェニルチオ、３，５−ジブロモフェニルチオ、３，５−ジフルオロフェニルチオ、３，５−ジニトロフェニルチオ、３，５−ジシアノフェニルチオ、２，４，６−トリメチルフェニルチオ、２，４，６−トリストリフルオロメチルフェニルチオ、２，４，６−トリメトキシフェニルチオ、２，４，６−トリストリフルオロメトキシフェニルチオ、２，４，６−トリクロルフェニルチオ、２，４，６−トリブロモフェニルチオ、２，４，６−トリフルオロフェニルチオ、α−ナフチルチオ、β−ナフチルチオ、ｏ−ビフェニリルチオ、ｍ−ビフェニリルチオ、ｐ−ビフェニリルチオ、チオフェン−２−イルチオ、チオフェン−３−イルチオ、フラン−２−イルチオ、フラン−３−イルチオ、ピロール−１−イルチオ、ピロール−２−イルチオ、ピロール−３−イルチオ等が挙げられる。

Ｗで置換されていてもよいモノアリールアミノ基の具体例としては、フェニルアミノ、ｏ−メチルフェニルアミノ、ｍ−メチルフェニルアミノ、ｐ−メチルフェニルアミノ、ｏ−トリフルオロメチルフェニルアミノ、ｍ−トリフルオロメチルフェニルアミノ、ｐ−トリフルオロメチルフェニルアミノ、ｐ−エチルフェニルアミノ、ｐ−ｉ−プロピルフェニルアミノ、ｐ−ｔ−ブチルフェニルアミノ、ｏ−クロルフェニルアミノ、ｍ−クロルフェニルアミノ、ｐ−クロルフェニルアミノ、ｏ−ブロモフェニルアミノ、ｍ−ブロモフェニルアミノ、ｐ−ブロモフェニルアミノ、ｏ−フルオロフェニルアミノ、ｐ−フルオロフェニルアミノ、ｏ−メトキシフェニルアミノ、ｍ−メトキシフェニルアミノ、ｐ−メトキシフェニルアミノ、ｏ−トリフルオロメトキシフェニルアミノ、ｐ−トリフルオロメトキシフェニルアミノ、ｏ−ニトロフェニルアミノ、ｍ−ニトロフェニルアミノ、ｐ−ニトロフェニルアミノ、ｏ−ジメチルアミノフェニルアミノ、ｍ−ジメチルアミノフェニルアミノ、ｐ−ジメチルアミノフェニルアミノ、ｐ−シアノフェニルアミノ、３，５−ジメチルフェニルアミノ、３，５−ビストリフルオロメチルフェニルアミノ、３，５−ジメトキシフェニルアミノ、３，５−ビストリフルオロメトキシフェニルアミノ、３，５−ジエチルフェニルアミノ、３，５−ジ−ｉ−プロピルフェニルアミノ、３，５−ジクロルフェニルアミノ、３，５−ジブロモフェニルアミノ、３，５−ジフルオロフェニルアミノ、３，５−ジニトロフェニルアミノ、３，５−ジシアノフェニルアミノ、２，４，６−トリメチルフェニルアミノ、２，４，６−トリストリフルオロメチルフェニルアミノ、２，４，６−トリメトキシフェニルアミノ、２，４，６−トリストリフルオロメトキシフェニルアミノ、２，４，６−トリクロルフェニルアミノ、２，４，６−トリブロモフェニルアミノ、２，４，６−トリフルオロフェニルアミノ、α−ナフチルアミノ、β−ナフチルアミノ、ｏ−ビフェニリルアミノ、ｍ−ビフェニリルアミノ、ｐ−ビフェニリルアミノ、チオフェン−２−イルアミノ、チオフェン−３−イルアミノ、フラン−２−イルアミノ、フラン−３−イルアミノ、ピロール−１−イルアミノ、ピロール−２−イルアミノ、ピロール−３−イルアミノ等が挙げられる。

Ｗで置換されていてもよいジアリールアミノ基の具体例としては、ジフェニルアミノ、ビス（ｏ−メチルフェニル）アミノ、ビス（ｍ−メチルフェニル）アミノ、ビス（ｐ−メチルフェニル）アミノ、ビス（ｏ−トリフルオロメチルフェニル）アミノ、ビス（ｍ−トリフルオロメチルフェニル）アミノ、ビス（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）アミノ、ビス（ｐ−エチルフェニル）アミノ、ビス（ｐ−ｉ−プロピルフェニル）アミノ、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）アミノ、ビス（ｏ−クロルフェニル）アミノ、ビス（ｍ−クロルフェニル）アミノ、ビス（ｐ−クロルフェニル）アミノ、ビス（ｏ−ブロモフェニル）アミノ、ビス（ｍ−ブロモフェニル）アミノ、ビス（ｐ−ブロモフェニル）アミノ、ビス（ｏ−フルオロフェニル）アミノ、ビス（ｐ−フルオロフェニル）アミノ、ビス（ｏ−メトキシフェニル）アミノ、ビス（ｍ−メトキシフェニル）アミノ、ビス（ｐ−メトキシフェニル）アミノ、ビス（ｏ−トリフルオロメトキシフェニル）アミノ、ビス（ｐ−トリフルオロメトキシフェニル）アミノ、ビス（ｏ−ニトロフェニル）アミノ、ビス（ｍ−ニトロフェニル）アミノ、ビス（ｐ−ニトロフェニル）アミノ、ビス（ｏ−ジメチルアミノフェニル）アミノ、ビス（ｍ−ジメチルアミノフェニル）アミノ、ビス（ｐ−ジメチルアミノフェニル）アミノ、ビス（ｐ−シアノフェニル）アミノ、ビス（３，５−ジメチルフェニル）アミノ、ビス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）アミノ、ビス（３，５−ジメトキシフェニル）アミノ、ビス（３，５−ビストリフルオロメトキシフェニル）アミノ、ビス（３，５−ジエチルフェニル）アミノ、ビス（３，５−ジ−ｉ−プロピルフェニル）アミノ、ビス（３，５−ジクロルフェニル）アミノ、ビス（３，５−ジブロモフェニル）アミノ、ビス（３，５−ジフルオロフェニル）アミノ、ビス（３，５−ジニトロフェニル）アミノ、ビス（３，５−ジシアノフェニル）アミノ、ビス（２，４，６−トリメチルフェニル）アミノ、ビス（２，４，６−トリストリフルオロメチルフェニル）アミノ、ビス（２，４，６−トリメトキシフェニル）アミノ、ビス（２，４，６−トリストリフルオロメトキシフェニル）アミノ、ビス（２，４，６−トリクロルフェニル）アミノ、ビス（２，４，６−トリブロモフェニル）アミノ、ビス（２，４，６−トリフルオロフェニル）アミノ、ビス（α−ナフチル）アミノ、ビス（β−ナフチル）アミノ、ビス（ｏ−ビフェニリル）アミノ、ビス（ｍ−ビフェニリル）アミノ、ビス（ｐ−ビフェニリル）アミノ、ビス（チオフェン−２−イル）アミノ、ビス（チオフェン−３−イル）アミノ、ビス（フラン−２−イル）アミノ、ビス（フラン−３−イル）アミノ、ビス（ピロール−１−イル）アミノ、ビス（ピロール−２−イル）アミノ、ビス（ピロール−３−イル）アミノ等が挙げられる。

Ｗで置換されていてもよい炭素数１〜１０トリアリールシリル基の具体例としては、トリフェニルシリル、トリス（ｏ−メチルフェニル）シリル、トリス（ｍ−メチルフェニル）シリル、トリス（ｐ−メチルフェニル）シリル、トリス（ｏ−トリフルオロメチルフェニル）シリル、トリス（ｍ−トリフルオロメチルフェニル）シリル、トリス（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）シリル、トリス（ｐ−エチルフェニル）シリル、トリス（ｐ−ｉ−プロピルフェニル）シリル、トリス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）シリル、トリス（ｏ−クロルフェニル）シリル等が挙げられる。

Ｗで置換されていてもよいアリールカルボニル基の具体例としては、フェニルカルボニル、ｏ−メチルフェニルカルボニル、ｍ−メチルフェニルカルボニル、ｐ−メチルフェニルカルボニル、ｏ−トリフルオロメチルフェニルカルボニル、ｍ−トリフルオロメチルフェニルカルボニル、ｐ−トリフルオロメチルフェニルカルボニル、ｐ−エチルフェニルカルボニル、ｐ−ｉ−プロピルフェニルカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェニルカルボニル、ｏ−クロルフェニルカルボニル、ｍ−クロルフェニルカルボニル、ｐ−クロルフェニルカルボニル、ｏ−ブロモフェニルカルボニル、ｍ−ブロモフェニルカルボニル、ｐ−ブロモフェニルカルボニル、ｏ−フルオロフェニルカルボニル、ｐ−フルオロフェニルカルボニル、ｏ−メトキシフェニルカルボニル、ｍ−メトキシフェニルカルボニル、ｐ−メトキシフェニルカルボニル、ｏ−トリフルオロメトキシフェニルカルボニル、ｐ−トリフルオロメトキシフェニルカルボニル、ｏ−ニトロフェニルカルボニル、ｍ−ニトロフェニルカルボニル、ｐ−ニトロフェニルカルボニル、ｏ−ジメチルアミノフェニルカルボニル、ｍ−ジメチルアミノフェニルカルボニル、ｐ−ジメチルアミノフェニルカルボニル、ｐ−シアノフェニルカルボニル、３，５−ジメチルフェニルカルボニル、３，５−ビストリフルオロメチルフェニルカルボニル、３，５−ジメトキシフェニルカルボニル、３，５−ビストリフルオロメトキシフェニルカルボニル、３，５−ジエチルフェニルカルボニル、３，５−ジ−ｉ−プロピルフェニルカルボニル、３，５−ジクロルフェニルカルボニル、３，５−ジブロモフェニルカルボニル、３，５−ジフルオロフェニルカルボニル、３，５−ジニトロフェニルカルボニル、３，５−ジシアノフェニルカルボニル、２，４，６−トリメチルフェニルカルボニル、２，４，６−トリストリフルオロメチルフェニルカルボニル、２，４，６−トリメトキシフェニルカルボニル、２，４，６−トリストリフルオロメトキシフェニルカルボニル、２，４，６−トリクロルフェニルカルボニル、２，４，６−トリブロモフェニルカルボニル、２，４，６−トリフルオロフェニルカルボニル、α−ナフチルカルボニル、β−ナフチルカルボニル、ｏ−ビフェニリルカルボニル、ｍ−ビフェニリルカルボニル、ｐ−ビフェニリルカルボニル、チオフェン−２−イルカルボニル、チオフェン−３−イルカルボニル、フラン−２−イルカルボニル、フラン−３−イルカルボニル、ピロール−１−イルカルボニル、ピロール−２−イルカルボニル、ピロール−３−イルカルボニル等が挙げられる。

Ｗで置換されていてもよいアリールオキシカルボニル基の具体例としては、フェニルオキシカルボニル、ｏ−メチルフェニルオキシカルボニル、ｍ−メチルフェニルオキシカルボニル、ｐ−メチルフェニルオキシカルボニル、ｏ−トリフルオロメチルフェニルオキシカルボニル、ｍ−トリフルオロメチルフェニルオキシカルボニル、ｐ−トリフルオロメチルフェニルオキシカルボニル、ｐ−エチルフェニルオキシカルボニル、ｐ−ｉ−プロピルフェニルオキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェニルオキシカルボニル、ｏ−クロルフェニルオキシカルボニル、ｍ−クロルフェニルオキシカルボニル、ｐ−クロルフェニルオキシカルボニル、ｏ−ブロモフェニルオキシカルボニル、ｍ−ブロモフェニルオキシカルボニル、ｐ−ブロモフェニルオキシカルボニル、ｏ−フルオロフェニルオキシカルボニル、ｐ−フルオロフェニルオキシカルボニル、ｏ−メトキシフェニルオキシカルボニル、ｍ−メトキシフェニルオキシカルボニル、ｐ−メトキシフェニルオキシカルボニル、ｏ−トリフルオロメトキシフェニルオキシカルボニル、ｐ−トリフルオロメトキシフェニルオキシカルボニル、ｏ−ニトロフェニルオキシカルボニル、ｍ−ニトロフェニルオキシカルボニル、ｐ−ニトロフェニルオキシカルボニル、ｏ−ジメチルアミノフェニルオキシカルボニル、ｍ−ジメチルアミノフェニルオキシカルボニル、ｐ−ジメチルアミノフェニルオキシカルボニル、ｐ−シアノフェニルオキシカルボニル、３，５−ジメチルフェニルオキシカルボニル、３，５−ビストリフルオロメチルフェニルオキシカルボニル、３，５−ジメトキシフェニルオキシカルボニル、３，５−ビストリフルオロメトキシフェニルオキシカルボニル、３，５−ジエチルフェニルオキシカルボニル、３，５−ジ−ｉ−プロピルフェニルオキシカルボニル、３，５−ジクロルフェニルオキシカルボニル、３，５−ジブロモフェニルオキシカルボニル、３，５−ジフルオロフェニルオキシカルボニル、３，５−ジニトロフェニルオキシカルボニル、３，５−ジシアノフェニルオキシカルボニル、２，４，６−トリメチルフェニルオキシカルボニル、２，４，６−トリストリフルオロメチルフェニルオキシカルボニル、２，４，６−トリメトキシフェニルオキシカルボニル、２，４，６−トリストリフルオロメトキシフェニルオキシカルボニル、２，４，６−トリクロルフェニルオキシカルボニル、２，４，６−トリブロモフェニルオキシカルボニル、２，４，６−トリフルオロフェニルオキシカルボニル、α−ナフチルオキシカルボニル、β−ナフチルオキシカルボニル、ｏ−ビフェニリルオキシカルボニル、ｍ−ビフェニリルオキシカルボニル、ｐ−ビフェニリルオキシカルボニル、チオフェン−２−イルオキシカルボニル、チオフェン−３−イルオキシカルボニル、フラン−２−イルオキシカルボニル、フラン−３−イルオキシカルボニル、ピロール−１−イルオキシカルボニル、ピロール−２−イルオキシカルボニル、ピロール−３−イルオキシカルボニル等が挙げられる。

本発明のエンジイン化合物の好適なものとしては、下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

（１）エンジイン化合物の製造方法
単分子導電性錯体及び導電性自己組織化膜に用いられる下記式（５）で示されるエンジイン化合物は、例えば、以下の方法で合成できる。

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、及びＸは上記と同じ。Ｒ³は炭素数１〜６アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ⁴は炭素数１〜１０アルキル基またはアリール基を表す。Ｚは塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子を表す。）

すなわち、ハロゲン化エンイン誘導体（Ａ）と、シリル化アセチレン（Ｂ）とをパラジウム触媒存在下、薗頭反応を行うことにより、中間体（Ｃ）を合成し、その後、対応する脱シリル化体（Ｄ）に変換する。そして、この末端アセチレン化合物（Ｄ）を用いて、目的とする化合物（５）を得ることができる。

ここで、パラジウム触媒としては、種々の構造のものを用いることができるが、いわゆる低原子価のパラジウム錯体を用いることが好ましく、特に３級ホスフィンや３級ホスファイトを配位子とするゼロ価錯体が好ましい。また、反応系中で容易にゼロ価錯体に変換される適当な前駆体を用いることもできる。さらに、反応系中で、３級ホスフィンや３級ホスファイトを配位子として含まない錯体と、３級ホスフィンや３級ホスファイトとを混合し、３級ホスフィンや３級ホスファイトを配位子とする低原子価錯体を発生させることもできる。

配位子である３級ホスフィンまたは３級ホスファイトとしては、例えば、トリフェニルホスフィン、ジフェニルメチルホスフィン、フェニルジメチルホスフィン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，１′−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリフェニルホスファイト等が挙げられる。また、これらの配位子の２種以上を混合して含む錯体も好適に用いられる。

触媒として、３級ホスフィンや３級ホスファイトを含まないパラジウム錯体及び／または３級ホスフィンや３級ホスファイトを含むパラジウム錯体と、上述の配位子と、を組み合わせて用いることも好ましい態様である。
上記配位子に組み合わせて用いられる、３級ホスフィンや３級ホスファイトを含まない錯体としては、ビス（ベンジリデンアセトン）パラジウム、酢酸パラジウム等が挙げられる。一方、３級ホスフィンや３級ホスファイトを既に配位子として含む錯体としては、ジメチルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジメチルビス（ジフェニルメチルホスフィン）パラジウム、（エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

これらパラジウム触媒の使用量は、いわゆる触媒量で良く、一般的には、基質（Ｂ）に対して２０モル％以下で十分であり、通常、５モル％以下である。
上記製造法に用いられる反応溶媒としては、当該反応条件下において安定であり、かつ不活性で反応を妨げないものであれば、特に限定されるものではない。例えば、水、アルコール類（例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、オクタノール等）、セロソルブ類（例えばメトキシエタノール、エトキシエタノール等）、非プロトン性極性有機溶媒類（例えばジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミド、テトラメチルウレア、スルホラン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン等）、エーテル類（例えばジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等）、脂肪族炭化水素類（例えばペンタン、ヘキサン、ｃ−ヘキサン、オクタン、デカン、デカリン、石油エーテル等）、芳香族炭化水素類（ベンゼン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ニトロベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン等）、ハロゲン化炭化水素類（例えばクロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン等）、低級脂肪族酸エステル（例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル等）、アルコキシアルカン類（例えばジメトキシエタン、ジエトキシエタン等）、ニトリル類（例えばアセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等）等の溶媒が挙げられる。

これらの溶媒は、反応の起こり易さ等を考慮して適宜選択することができる。また、上記溶媒は、一種単独でまたは二種以上混合して用いることができる。なお、上記各溶媒は、必要に応じて、適当な脱水剤や乾燥剤を用いて非水溶媒として用いることもできる。
反応温度は、通常、−１００℃から使用する溶媒の沸点まで可能であるが、好ましくは−５０〜５０℃の範囲で行うのがよい。反応時間は、通常、０．１〜１０００時間である。
反応終了後は、適当な溶媒により目的物を抽出し、溶媒を減圧濃縮して粗物を得ることができる。
さらに、蒸留、再結晶、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等の常法による精製を行うことで、純粋な目的物（５）を単離することができる。

なお、上記製法において、出発物質として用いられている中間体（Ａ）は、以下の方法で合成できる。

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、及びＺは上記と同じ。Ｍｅはメチル基を、Ｂｕはブチル基を表す。）

すなわち、２価チタン反応剤Ｔｉ（Ｏｉ−Ｐｒ）₄／２ｉ−ＰｒＭｇＣｌによる内部アセチレン（Ｅ）と、末端アセチレン（Ｂ）との選択的なクロスカップリング反応により得られたチタナシクロペンタジエン中間体（Ｆ）を、ヨウ素または臭素で処理し、１，４−ジハロ−１，３−ジエン誘導体（Ｇ）を得る（J. Org. Chem., 63, 10060 (1998)、J. Am. Chem. Soc., 121, 7342 (1999) 参照）。
１，４−ジハロ−１，３−ジエン誘導体（Ｇ）に塩基を作用させ、脱ハロゲン化水素反応を行って中間体（Ｈ）に変換する。中間体（Ｈ）をアルキル化してエンイン化合物（Ｉ）に誘導した後、シリル基をハロゲン置換することにより目的とする中間体（Ａ）を製造することができる（J. Org. Chem., 63, 10060 (1998) 参照）。

（２）エンジイン化合物を用いた電極の接合体の作製方法

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｘ、Ｍ、及びｎは上記と同じ。）

上記で得られたエンジイン化合物（５）を加水分解後、金属基板に浸して自己組織化膜を作成する。次に、超真空下でチップを用いてブリッジングさせ、目的とする電極の接合体（単分子導電性錯体）（２）を得ることができる。
単一分子と金属との接合は、例えば、走査トンネル顕微鏡（以下、ＳＴＭという）ブレイクジャンクション法によって作製することができる。

ここで、ＳＴＭブレイクジャンクション法とは、上記で作成した導電性自己組織化膜を有する金属基板に対し、金属チップを押し込み、その後、約４ｎｍ／ｓｅｃでチップを基板から離していき、金属基板−分子−金属チップのように、金属基板、金属チップをそれぞれ電極とし、分子を２電極間に挟み込む方法である。すなわち、ＳＴＭブレイクジャンクション法によって得られた電極の接合体において、一方の電極は、その表面に分子の片側もしくは両端が化学的に結合した金属基板であり、他方の電極は、ＳＴＭチップである。

なお、上記金属チップの形態としては、特に限定されるものではなく、例えば、機械的切断または電解研磨などによって先端を尖らせる等の加工を施した金属ワイヤなどを用いることができる。なお、測定には清浄なチップの作製が必須であることから、超高真空化でのベーキングやアルゴンイオンスパッタなどの処理を探針に施す必要がある。

以下、実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
なお、実施例にて採用した分析装置及び分析条件は、下記のとおりである。
¹H NMR (300 MHz) 及び ¹³C NMR (75 MHz) 測定条件；
装置：Varian Gemini-2000
測定溶媒：CDCl₃
基準物質：テトラメチルシラン (TMS) (δ 0.0 ppm for ¹H)
CDCl₃ (δ 77.0 ppm for ¹³C)
IR測定装置；JASCO A-230
元素分析装置；Elementar Vario-EL

［実施例１］
［１］トランス−エンジニルジチオ酢酸エステル化合物１４の合成
（１）１，４−ジヨード−１，３−ジエン化合物８の合成

（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）

１−トリメチルシリル−１−プロピン６（５．６１ｇ，５０．０ｍｍｏｌ）のエーテル（５００ｍＬ）溶液に、テトラ−ｉ−プロポキシチタン（１８．５ｍＬ，６２．５ｍｍｏｌ）を加えた後、−７８℃に冷却し、ｉ−プロピルマグネシウムクロライド（２．２３ｍｏｌ／Ｌエーテル溶液、５６．１ｍＬ，１２５ｍｍｏｌ）をゆっくり加えた。３０分かけて−５０℃に昇温し、その温度で２時間撹拌した。トリメチルシリルアセチレン７（８．２０ｍＬ，５８．０ｍｍｏｌ）を加え、−５０℃で３時間撹拌した。
ヨウ素（３１．８ｇ，１２５ｍｍｏｌ）を加えて室温で２時間撹拌した。０℃で反応溶液に水を加えた後、セライトろ過をした。
エーテルと飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液とを加えて、過剰のヨウ素がなくなるのを確認した後、分液し、さらに飽和食塩水で洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、ろ液を減圧下濃縮して得られた粗生成物は、ＮＭＲを確認し、そのまま次の反応に用いた。

（２）シス−シリル化ハロエンイン化合物９の合成

（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）

上記で得られた１，４−ジヨード−１，３−ジエン化合物８の粗物のＴＨＦ（２５０ｍＬ）溶液にピロリジン（２０．８ｍＬ，２５０ｍｍｏｌ）を０℃で加え、室温下で１２時間撹拌した。反応溶液に、水を０℃で加えてクエンチした。水層からエーテルで抽出し、飽和食塩水で洗浄した後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、ろ液を減圧下濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、シス−ハロエンイン化合物９を２工程で収率３２％（５．３９ｇ）で得た。

¹H NMR (300 MHz, CDCl₃) δ 2.04 (s, 3H), 0.29 (s, 9H), 0.23 (s, 9H).
¹³C NMR (75 MHz, CDCl₃) δ 138.38, 116.46, 110.69, 98.97, 23.19, 1.47, -0.32.
IR (neat) 2959, 2898, 2153, 1544, 1408, 1251, 1201, 842, 759, 696 cm^-1.
Anal. Calcd for C₁₁H₂₁ISi₂: C, 39.28; H, 6.29. Found: C, 39.10; H, 6.31.

（３）ビスシリル化エンイン化合物１０の合成

（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）

実施例１［１］（２）で得られたシス−シリル化ハロエンイン化合物９（２．１３ｇ，６．３４ｍｍｏｌ）をエーテル（２１ｍＬ）に溶解し、−７８℃に冷却した。
ｔ−ブチルリチウム（１．６Ｍ／ペンタン溶液、９．８９ｍＬ，１５．９ｍｍｏｌ）を加えて、そのまま１時間撹拌した。ヨードメタン（１．５８ｍＬ，２５．４ｍｍｏｌ）を滴下し、室温に昇温した後、６時間撹拌した。反応溶液に水を０℃で加えてクエンチした。
水層からエーテルで抽出し、飽和食塩水で洗浄した後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、ろ液を減圧下濃縮して得られた粗生成物は、ＮＭＲを確認し、そのまま次の反応に使用した。

（４）トランス−ハロエンイン化合物１１の合成

（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）

上記で得られたビスシリル化エンイン化合物１０の粗物をジクロロメタン（３２ｍＬ）に溶解し、Ｎ−ヨードコハク酸イミド（２．８０ｇ，１２．７ｍｍｏｌ）を加え、反応容器をアルミ箔で遮光し、室温下で２時間撹拌した。０℃で反応溶液に飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えてクエンチした。水層からジクロロメタンで抽出し、飽和食塩水で洗浄した後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、ろ液を減圧下濃縮して得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、トランス−ハロエンイン化合物１１を２工程で収率６８％（１．１９ｇ）で得た。

¹H NMR (300 MHz, CDCl₃) δ 2.78-2.72 (m, 3H), 2.05-1.95 (m, 3H), 0.20 (s, 9H).
¹³C NMR (75 MHz, CDCl₃) δ 123.73, 110.05, 101.87, 99.30, 32.56, 28.27, -0.18.
IR (neat) 2959, 2140, 1251, 1072, 864, 760 cm^-1.
Anal. Calcd for C₉H₁₅ISi: C, 38.85; H, 5.43. Found: C, 39.02; H, 5.07.

（５）トランス−ビスシリル化エンジイン化合物１２の合成

（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）

実施例１［１］（４）で得られたトランス−ハロエンイン化合物１１（１５０ｍｇ，０．５４０ｍｍｏｌ）の脱気したトリエチルアミン（１．３ｍＬ）溶液に、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（３１．２ｍｇ，０．０２７０ｍｍｏｌ）及びヨウ化第一銅（１０．２ｍｇ，０．０５３９ｍｍｏｌ）を室温下で加えた後、トリメチルシリルアセチレン７（０．１５２ｍＬ，１．０８ｍｍｏｌ）の脱気したＴＨＦ（５．４ｍＬ）溶液を滴下した。反応溶液をそのまま室温下で１２時間撹拌した。反応溶液に水を０℃で加えてクエンチした。水層からエーテルで抽出し、飽和食塩水で洗浄した後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、ろ液を減圧下濃縮して得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、トランス−ビスシリル化エンジイン化合物１２を収率９８％（１１０ｍｇ）で得た。

¹H NMR (300 MHz, CDCl₃) δ 2.01 (s, 6H), 0.20 (s, 18H).
¹³C NMR (75 MHz, CDCl₃) δ 125.62, 105.16, 103.73, 21.12, -0.12.
IR (neat) 2960, 2140, 1251, 1194, 939, 842, 760, 699 cm^-1.
Anal. Calcd for C₁₄H₂₄Si₂: C, 67.66; H, 9.73. Found: C, 67.47; H, 9.64.

（６）トランス−ジメチルエンジイン１３の合成

（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）

実施例１［１］（５）で得られたトランス−ビスシリル化エンジイン化合物１２（０．２７３ｇ，１．１０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（２．２ｍＬ）に溶解し、０℃に冷却した後、テトラブチルアンモニウムフルオリド（１．０Ｍ／ＴＨＦ溶液、３．３１ｍＬ，３．３１ｍｍｏｌ）を加え、そのまま１時間撹拌した。反応溶液に、水を加えてクエンチした。水層から少量のヘキサンで抽出した後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。少量のシリカゲルを用いてろ過し、そのろ液は濃縮せずに、そのまま次の反応に使用した。

（７）トランス−エンジニルジチオ酢酸エステル化合物１４の合成

（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）

上記で得られたトランス−ジメチルエンジイン１３を含むろ液を、−５０℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウム（１．５９Ｍ／ヘキサン溶液、１．５２ｍＬ，２．４２ｍｍｏｌ）を滴下した。反応溶液は、−５０℃で１時間撹拌した。反応溶液を−３０℃に昇温した後、硫黄（０．１０６ｇ，３．３１ｍｍｏｌ）を加えた。反応溶液を室温に昇温した後、２時間撹拌し、再度、−５０℃に冷却した。反応溶液に、塩化アセチル（０．２７４ｍＬ，３．８６ｍｍｏｌ）を加え、室温に昇温した後、１２時間撹拌した。反応溶液に水を０℃で加えてクエンチした。水層からエーテルで抽出し、飽和食塩水で洗浄した後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、ろ液を減圧下濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／エーテル）で精製し、トランス−エンジニルジチオ酢酸エステル化合物１４を２工程で収率１０％（０．０２９１ｇ）で得た。

¹H NMR (300 MHz, CDCl₃) δ 2.48 (s, 6H), 2.13 (s, 6H).
¹³C NMR (75 MHz, CDCl₃) δ 191.77, 125.02, 103.29, 80.44, 29.58, 20.88.
IR (neat) 2925, 2855, 1739, 1461, 1251, 1110, 946, 841 cm^-1.
Anal. Calcd for C₁₂H₁₂O₂S₂: C, 57.11; H, 4.79. Found: C, 57.39; H, 4.50.

［２］エンジイン−ジチオール：金錯体の合成
実施例１［１］で得られたトランス−エンジニルジチオ酢酸エステル化合物１４をモル濃度２ｍｍｏｌ／Ｌになるようにトルエンに溶解し、加水分解を行うため、その溶液に１滴の３０％アンモニア水を滴下し、１時間放置した後、金（１１１）面の基板を１分間浸し、エンジイン−ジチオール：金錯体を作製した。ここで、エンジイン−ジチオール：金錯体の確認は、下記特性評価前に、真空ギャップを介して、メカニカルカットした金ワイヤーをベーク、スパッタ処理を施したチップで、表面を走査することで行った。

［３］エンジイン−ジチオール：金錯体の特性評価
メカニカルカットした金ワイヤーをベーク、スパッタ処理を施し、それをチップとして用い、上記で作製した基板に対して、チップを押し込み、約４ｎｍ／秒で基板から離していく際の、チップと金基板との間の距離を横軸に、電流値の変化を縦軸にとり、グラフ化し、そのような操作を繰り返し観察した。
その結果、図１に示されるような階段状に電流値が変化する様子を観察することができた。この階段状の水平方向にフラットな部分において、最も低い値を基底値とすると、その電流値の付近にステップが集中し、さらにその２倍、３倍の値の付近にもステップが集中した。これらの量子化したコンダクタンスのステップはそれぞれ１分子、２分子、３分子のコンダクタンスに相当していると考えることができる。このことから、その電流の基底値から算出できるコンダクタンス値を、その分子の持つ固有のコンダクタンス値であると決定した。具体的な基底値は、０．１Ｖで約８．４ｎＡとなり、エンジイン−ジチオールのコンダクタンス値は、１．１×１０^-3Ｇ₀と算出された。

［比較例１］
［１］１，６−ヘキサンジチオール：金錯体の合成
１，６−ヘキサンジチオールの分子については、その１ｍｍｏｌ／Ｌエタノール溶液に１分間浸し、金錯体を作製した。その金錯体の確認は、実施例１［２］と同様の方法で行った。
［２］１，６−ヘキサンジチオール：金錯体の特性評価
１，６−ヘキサンジチオールの存在下で実施例１［３］と同様の操作を行うと、図２のようなグラフが得られた。その基底値は、０．１Ｖで約０．７３ｎＡとなり、１，６−ヘキサンジチオールのコンダクタンス値は、９．４×１０^-5Ｇ₀と算出された。
以上のように、上記実施例１［１］で得られたπ共役系を有するトランス−エンジニルジチオ酢酸エステル化合物１４の分子は、飽和炭化水素からなる１，６−ヘキサンジチオールよりも、１０倍以上も高い導電性を持つことが確認された。

Claims

式（１）で表されることを特徴とするエンジイン化合物。

〔式中、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルケニル基、炭素数１〜１０アルキニル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０アルキルチオ基、炭素数１〜１０モノアルキルアミノ基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ基、炭素数１〜１０トリアルキルシリル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル基、炭素数１〜１０アルコキシカルボニル基、炭素数１〜１０アルコキシ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルオキシカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ニトロアルキル基、Ｗで置換されていてもよいアリール基、Ｗで置換されていてもよいアリールアルキル基、Ｗで置換されていてもよいアリールオキシ基、Ｗで置換されていてもよいアリールチオ基、Ｗで置換されていてもよいモノアリールアミノ基、Ｗで置換されていてもよいジアリールアミノ基、Ｗで置換されていてもよい炭素数１〜１０トリアリールシリル基、Ｗで置換されていてもよいアリールカルボニル基またはＷで置換されていてもよいアリールオキシカルボニル基を表し、
Ｘ¹及びＸ²は、それぞれ独立して、硫黄原子またはセレン原子を表し、
Ｙは、水素原子、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル基、炭素数１〜１０アルコキシカルボニル基、Ｗで置換されていてもよいアリール基、Ｗで置換されていてもよいアリールアルキル基、Ｗで置換されていてもよい炭素数１〜１０アリールカルボニル基またはＷで置換されていてもよい炭素数１〜１０アリールオキシカルボニル基を表し、
Ｗは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルケニル基、炭素数１〜１０アルキニル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０アルキルチオ基、炭素数１〜１０モノアルキルアミノ基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ基、炭素数１〜１０トリアルキルシリル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル基、炭素数１〜１０アルコキシカルボニル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基またはＺで置換されていてもよいビフェニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルケニル基、炭素数１〜１０アルキニル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０アルキルチオ基、炭素数１〜１０モノアルキルアミノ基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ基、炭素数１〜１０トリアルキルシリル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル基または炭素数１〜１０アルコキシカルボニル基を表す。〕
前記Ｒ¹及びＲ²が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ基、炭素数１〜１０アルコキシ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルオキシカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ニトロアルキル基またはＷで置換されていてもよいアリール基（Ｗは、前記と同じ意味を表す。）、
Ｘ¹及びＸ²が、硫黄原子、
Ｙが、水素原子、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル基、炭素数１〜１０アルコキシカルボニル基、Ｗで置換されていてもよいアリール基、Ｗで置換されていてもよいアリールアルキル基、Ｗで置換されていてもよい炭素数１〜１０アリールカルボニル基またはＷで置換されていてもよい炭素数１〜１０アリールオキシカルボニル基（Ｗは、前記と同じ意味を表す。）であることを特徴とする請求項１記載のエンジイン化合物。
前記Ｒ¹及びＲ²が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルコキシ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルオキシカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ニトロアルキル基またはＷで置換されていてもよいアリール基（Ｗは、前記と同じ意味を表す。）、
Ｙが、水素原子または炭素数１〜１０アルキルカルボニル基であることを特徴とする請求項２記載のエンジイン化合物。
エンジイン化合物が、その両末端で金属表面、金属酸化物表面、または半導体表面と共有結合または配位結合してなることを特徴とする式（２）で示される電極接合体。

〔式中、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルケニル基、炭素数１〜１０アルキニル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０アルキルチオ基、炭素数１〜１０モノアルキルアミノ基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ基、炭素数１〜１０トリアルキルシリル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル基、炭素数１〜１０アルコキシカルボニル基、炭素数１〜１０アルコキシ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルオキシカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ニトロアルキル基、Ｗで置換されていてもよいアリール基、Ｗで置換されていてもよいアリールアルキル基、Ｗで置換されていてもよいアリールオキシ基、Ｗで置換されていてもよいアリールチオ基、Ｗで置換されていてもよいモノアリールアミノ基、Ｗで置換されていてもよいジアリールアミノ基、Ｗで置換されていてもよい炭素数１〜１０トリアリールシリル基、Ｗで置換されていてもよいアリールカルボニル基またはＷで置換されていてもよいアリールオキシカルボニル基を表し、
Ｘ¹及びＸ²は、それぞれ独立して、硫黄原子またはセレン原子を表し、
Ｗは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルケニル基、炭素数１〜１０アルキニル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０アルキルチオ基、炭素数１〜１０モノアルキルアミノ基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ基、炭素数１〜１０トリアルキルシリル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル基、炭素数１〜１０アルコキシカルボニル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基またはＺで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルケニル基、炭素数１〜１０アルキニル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０アルキルチオ基、炭素数１〜１０モノアルキルアミノ基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ基、炭素数１〜１０トリアルキルシリル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル基または炭素数１〜１０アルコキシカルボニル基を表す。）
Ｍは、前記金属、金属酸化物または半導体に由来する金属原子であって、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｈｇ、ＧａまたはＩｎを表す。〕
前記Ｒ¹及びＲ²が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルコキシ基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ基、炭素数１〜１０アルコキシ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルオキシカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ニトロアルキル基またはＷで置換されていてもよいアリール基（Ｗは、前記と同じ意味を表す。）、
Ｘ¹及びＸ²が、硫黄原子であることを特徴とする請求項４記載の電極接合体。
前記Ｒ¹及びＲ²が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１０アルキル基、炭素数１〜１０ハロアルキル基、炭素数１〜１０アルコキシ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０アルキルオキシカルボニル（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ジアルキルアミノ（炭素数１〜１０）アルキル基、炭素数１〜１０ニトロアルキル基またはＷで置換されていてもよいアリール基（Ｗは、前記と同じ意味を表す。）であることを特徴とする請求項５記載の電極接合体。
前記エンジイン化合物が、その両末端で金属表面または金属酸化物表面と共有結合または配位結合してなり、
前記Ｍが、前記金属または金属酸化物に由来する金属原子であって、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｈｇ、ＧａまたはＩｎを表すことを特徴とする請求項６記載の電極接合体。
前記エンジイン化合物が、その両末端で金属表面と共有結合または配位結合してなり、
前記Ｍが、前記金属に由来する金属原子であって、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｈｇ、ＧａまたはＩｎを表すことを特徴とする請求項７記載の電極接合体。