KR20070112862A - 단분자 도전성 착체, 도전성 자기조직화 막, 및 이것을사용한 금속과 반도체로 이루어지는 전극의 접합체 - Google Patents

단분자 도전성 착체, 도전성 자기조직화 막, 및 이것을사용한 금속과 반도체로 이루어지는 전극의 접합체 Download PDF

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마사미치 후지히라
후미에 사토
유우키 다카야마
고 오노
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토쿄고교 다이가꾸
닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
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Abstract

화학식 1로 표시되는 엔다이인 화합물은 대단히 구조가 간단하고, 제조방법도 용이하며, 게다가, 종래 제안된 화합물과 비교하여 분자 길이가 짧다고 하는 특징을 갖는다. 이 점에서, 본 발명의 엔다이인 화합물로 이루어지는 전극의 접합체는 종래 제작이 곤란했던 나노 분자 배선(나노 분자 와이어)으로서의 응용을 크게 기대할 수 있다.
(화학식 1)
Figure 112007074222312-PCT00023
엔다이인, 단분자, 도전성, 착체, 자기조직화 막, 전극 접합체, 금속, 반도체

Description

단분자 도전성 착체, 도전성 자기조직화 막, 및 이것을 사용한 금속과 반도체로 이루어지는 전극의 접합체{MONOMOLECULAR CONDUCTIVE COMPLEX, CONDUCTIVE SELF-ASSEMBLED FILM AND ASSEMBLY OF ELECTRODE COMPOSED OF METAL AND SEMICONDUCTOR MAKING USE OF THE SAME}
본 발명은 단분자 도전성 착체, 도전성 자기조직화 막, 및 이것을 사용한 금속과 반도체로 이루어지는 전극의 접합체에 관한 것으로, 더욱 상세히 기술하면, 엔다이인(enediyne)형 구조를 갖는 화합물로 이루어지는 단분자 도전성 착체, 도전성 자기조직화 막, 및 당해 화합물과 금속, 금속 산화물 또는 반도체가 화학결합하여 이루어지는 전극의 접합체에 관한 것이다.
종래, 각종 기판 상에서의 단분자 착체, 자기조직화 막으로서, 황 원자 등의 헤테로 원자를 포함한 화합물에 관한 연구개발이 활발하게 행해지고 있다. 그리고, 이들 단분자 착체 및 자기조직화 막을 전자 디바이스에 응용하기 위해, 단분자 착체나 자기조직화 막에 도전성을 부여한 화합물에 관한 연구개발도 활발하게 행해지고 있다.
또, 상기 착체·자기조직화 기능을 갖는 화합물이나, 이들 화합물에 도전성을 부여한 화합물과 금속 또는 반도체로 이루어지는 전극과의 접합체에 대한 연구 개발도 행해지고 있다.
예를 들면, 도전성을 부여한 자기조직화 막용의 화합물로서는, 퀴논을 전자수용 구조로서 말단에 갖는 2-(11-메르캅토운데실)히드로퀴논이 알려져 있다(비특허문헌 1 참조).
또한, 전자수용 구조인 테트라시아노퀴노디메탄을 말단에 갖는 비스(10-(2-((2,5-시클로헥사디엔-1,4-디일리덴)디말로노니트릴))데실)디술피드와 전자공여 구조인 테트라메틸페닐렌디아민을 말단에 갖는 N,N,N-트리메틸-N-(10-메르캅토)데실-1,4-페닐렌디아민의 혼합물이 알려져 있다(비특허문헌 2 참조).
또한, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물이 알려져 있으며, 구체적인 화합물로서는, 화학식 3에서, R11∼R14가 메틸기, 2-시아노에틸기 또는 수소 원자인 화합물, R11이 수소 원자, R12∼R14가 2-시아노에틸기로 표시되는 화합물이 알려져 있다(특허문헌 1 참조). 이들 화합물은 제조법이 간편하므로, 산업적인 응용이라고 하는 점에서 유리하다.
Figure 112007074222312-PCT00001
(식 중, R11∼R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환기를 가질 수도 있는 C1 ∼C6 알킬기, 치환기를 가질수도 있는 C2∼C6 알케닐기, 치환기를 가질수도 있는 C1∼C6 아릴기, 브롬 원자, 염소 원자를 나타낸다.)
또, 하기 화학식 4로 표시되는 화합물이 알려져 있고(특허문헌 2 참조), 이 화합물도 제조법이 간편하므로, 산업적인 응용이라고 하는 점에서 유리하다.
Figure 112007074222312-PCT00002
(식 중, R1∼R4는 각각 독립적으로 유기기를 나타내고, 적어도 하나는 아릴렌기 및 알킬렌기 중 적어도 하나를 포함하는 2가의 연결기, 및 그 말단에 금속 표면, 금속산화물 표면, 또는 반도체 표면과 공유결합 또는 배위결합에 의해 결합을 형성하는 결합기를 갖는 유기기를 나타내고, R5∼R8은 각각 독립적으로 할로겐 원자, C1∼C3 알킬기, 또는 C1∼C3 알콕시기를 나타낸다.)
한편, 전자 디바이스에의 응용을 고려한 여러 단분자 착체·자기조직화 막, 또는 도전성을 부여한 여러 단분자 착체·자기조직화 막을 이용한 금속과 반도체로 이루어지는 전극의 제작·제조방법에 대해서는, 예를 들면, 금속·금속, 금속·반도체, 반도체·반도체 전극 사이를 전기적으로 접합하는, 소위 분자 배선(분자 와 이어) 등이 알려져 있다(특허문헌 3∼7 및 비특허문헌 3∼16 참조).
상기 각 문헌에 개시되어 있는 바와 같이, 단분자 도전성 착체, 도전성 자기조직화 막용의 화합물로서, 지금까지 여러 화합물이 보고되었지만, 그 화학구조는 상당히 한정되어 있어서 다양성이 결여되는데다 기능적으로도 충분하지 않은 것이 많다. 또한, 제조방법도 복잡하여 전자 디바이스 등에의 산업적인 응용을 생각하면 실용적인 것은 전무하다.
특허문헌 1: 국제공개 제01/68595 팸플릿
특허문헌 2: 일본 특개 2004-175742호 공보
특허문헌 3: 일본 특개 2003-168788호 공보
특허문헌 4: 일본 특개 2004-058260호 공보
특허문헌 5: 일본 특개 2004-119618호 공보
특허문헌 6: 일본 특개 2004-136377호 공보
특허문헌 7: 일본 특개 2005-033184호 공보
비특허문헌 1: J. Chem. Soc., Faraday Trans., 92, 3813(1996)
비특허문헌 2: Langmuir, 14, 5834(1998)
비특허문헌 3: Science, 278, 10 October, 252(1997)
비특허문헌 4: Science, 286, 19 November, 1550(1999)
비특허문헌 5: Science, 301, 29 August, 1221(2003)
비특허문헌 6: Applied Physics Letters, 82, 19, 3322(2003)
비특허문헌 7: Advanced Materials, 15, 22, 1881(2003)
비특허문헌 8: Angew. Chem. Int. Ed., 2004, 43, 6148
비특허문헌 9: Surface Science, 573, 1(2004)
비특허문헌 10: Chem. Mater., 2004, 16, 4477
비특허문헌 11: Journal of Chemical Physics, 121, 13, 6485(2004)
비특허문헌 12: J. Am. Chem. Soc., 2004, 126, 14182
비특허문헌 13: J. Am. Chem. Soc., 2004, 126, 15897
비특허문헌 14: Phys, Chem. Chem. Phys., 2004, 6, 4330
비특허문헌 15: J. Am. Chem. Soc., 2005, 127, 1384
비특허문헌 16: J. Am. Chem. Soc., 2005, 127, 2386
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
본 발명은 이러한 사정을 고려하여 이루어진 것으로, 제조법이 간편함과 아울러, 단분자 도전성 착체, 도전성 자기조직화 막으로서 이용가능한 엔다이인 화합물, 그리고 이 엔다이인 화합물을 사용한 전극 접합체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
발명을 해결하기 위한 수단
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토를 거듭한 결과, 엔인(enyne)형, 바람직하게는 엔다이인형의 π 공액쇄를 갖고, 또한, 황·셀렌 등의 16족 원자 등의 금속 표면, 금속산화물 표면 또는 반도체 표면과 공유결합 또는 배위결합을 형성할 수 있는 결합기를 그 분자 말단에 갖는 π 공액계 화합물이 도전 성 및 자기조직화 막용 화합물로서 적합한 것을 발견하고 본 발명을 완성했다.
또, 이 엔다이인 화합물로 이루어지는 단분자 도전성 착체, 도전성 자기조직화 막을 사용하여, 금속·금속 전극을 제작하고 그 특성을 검토한 결과, 전자 디바이스 등으로의 응용도 충분히 가능한 것을 발견하고 본 발명을 완성했다.
즉, 본 발명은,
1. 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 엔다이인 화합물
Figure 112007074222312-PCT00003
[식 중, R1 및 R2는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 히드록실기, 메르캅토기, 아미노기, 포르밀기, 카르복실기, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알케닐기, 탄소수 1∼10 알키닐기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 알킬티오기, 탄소수 1∼10 모노알킬아미노기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노기, 탄소수 1∼10 트리알킬실릴기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기, 탄소수 1∼10 알콕시카르보닐기, 탄소수 1∼10 알콕시(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬옥시카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 니트로알킬기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기, W로 치환되 어 있을 수도 있는 아릴알킬기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴옥시기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴티오기, W로 치환되어 있을 수도 있는 모노아릴아미노기, W로 치환되어 있을 수도 있는 디아릴아미노기, W로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1∼10 트리아릴실릴기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴카르보닐기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴옥시카르보닐기를 나타내고, X1 및 X2는 각각 독립하여 황 원자 또는 셀렌 원자를 나타내고, Y는 수소 원자, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기, 탄소수 1∼10 알콕시카르보닐기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴알킬기, W로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1∼10 아릴카르보닐기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1∼10 아릴옥시카르보닐기를 나타내고, W는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 히드록실기, 메르캅토기, 아미노기, 포르밀기, 카르복실기, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알케닐기, 탄소수 1∼10 알키닐기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 알킬티오기, 탄소수 1∼10 모노알킬아미노기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노기, 탄소수 1∼10 트리알킬실릴기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기, 탄소수 1∼10 알콕시카르보닐기, Z로 치환되어 있을 수도 있는 페닐기, Z로 치환되어 있을 수도 있는 나프틸기 또는 Z로 치환되어 있을 수도 있는 비페닐기를 나타내고, Z는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 히드록실기, 메르캅토기, 아미노기, 포르밀기, 카르복실기, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알케닐기, 탄소수 1∼10 알키닐기, 탄소수 1∼ 10 알콕시기, 탄소수 1∼10 알킬티오기, 탄소수 1∼10 모노알킬아미노기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노기, 탄소수 1∼10 트리알킬실릴기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기 또는 탄소수 1∼10 알콕시카르보닐기를 나타낸다.]
2. 상기 R1 및 R2가 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노기, 탄소수 1∼10 알콕시(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬옥시카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 니트로알킬기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기(W는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.), X1 및 X2가 황 원자, Y가 수소 원자, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기, 탄소수 1∼10 알콕시카르보닐기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴알킬기, W로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1∼10 아릴카르보닐기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1∼10 아릴옥시카르보닐기(W는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)인 것을 특징으로 하는 1의 엔다이인 화합물
3. 상기 R1 및 R2가 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알콕시(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬옥시카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 니트로알킬기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기(W는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.), Y가 수소 원자 또는 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기인 것을 특징으로 하는 2의 엔다이인 화합물
4. 엔다이인 화합물이 그 양 말단에서 금속 표면, 금속산화물 표면, 또는 반도체 표면과 공유결합 또는 배위결합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학식 2로 표시되는 전극 접합체
Figure 112007074222312-PCT00004
[식 중, R1, R2, X1 및 X2는 상기와 동일한 의미를 나타낸다. M은 상기 금속, 금속산화물 또는 반도체에 유래하는 금속 원자로서, Au, Ag, Cu, Pd, Fe, Hg, Ga 또는 In을 나타낸다.]
5. 상기 R1 및 R2가 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노기, 탄소수 1∼10 알콕시(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬옥시카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 니트로알킬기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기(W는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.), X1 및 X2가 황 원자인 것을 특징으로 하는 4의 전극 접합체
6. 상기 R1 및 R2가 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알콕시(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬옥시카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 니트로알킬기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기(W는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)인 것을 특징으로 하는 5의 전극 접합체
7. 상기 엔다이인 화합물이 그 양 말단에서 금속 표면 또는 금속산화물 표면과 공유결합 또는 배위결합하여 이루어지고, 상기 M이 상기 금속 또는 금속산화물에 유래하는 금속 원자이며, Au, Ag, Cu, Pd, Fe, Hg, Ga 또는 In을 나타내는 것을 특징으로 하는 6의 전극 접합체
8. 상기 엔다이인 화합물이 그 양 말단에서 금속 표면과 공유결합 또는 배위결합하여 이루어지고, 상기 M이 상기 금속에 유래하는 금속 원자이며, Au, Ag, Cu, Pd, Fe, Hg, Ga 또는 In을 나타내는 것을 특징으로 하는 7의 전극 접합체
를 제공한다.
발명의 효과
본 발명의 π 공액계를 갖는 상기 화학식 1로 표시되는 엔다이인 화합물은 엔다이인형 구조를 갖고, 또한, 황·셀렌 등의 16족 원자 등의 금속 표면, 금속산화물 표면 또는 반도체 표면과 공유결합 또는 배위결합에 의해 결합을 형성하는 결합기를 그 분자 말단에 갖고, 전극인 금속 표면, 금속산화물 표면 또는 반도체 표면과 공유결합이나 배위결합에 의해 용이하게 결합하여, 상기 화학식 2로 표시되는 전극 접합체를 제공한다.
이 전극 접합체에 대하여 분자 배선으로서의 특성을 검토한 결과, 종래의 분자 배선용 화합물의 그것보다도 우수한 것이 확인되었다.
또한, 본 발명의 엔다이인 화합물은 구조가 대단히 간단하고, 제조방법도 간편하며, 게다가, 종래 제안되어 있는 화합물과 비교하여 분자 길이가 짧다고 하는 특징을 갖는다. 이것으로부터, 본 발명의 엔다이인 화합물로 이루어지는 전극 접합체는 종래 제작이 곤란했던 나노 분자 배선(나노 분자 와이어)으로서의 응용을 크게 기대할 수 있어, 산업상의 이용 가치가 높다고 할 수 있다.
도 1은 실시예 1에서 얻어진 엔다이인-디티올의 컨덕턴스 스텝을 나타내는 그래프이다.
도 2는 비교예 1의 1,6-헥산디티올의 컨덕턴스 스텝을 나타내는 그래프이다.
발명을 실시하기 위한 최량의 형태
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
또한, 본 명세서 중, 「n」은 노르말을, 「i」는 이소를, 「s」는 세컨더리를, 「t」는 터셔리를, 「c」는 시클로를, 「o」는 오르토를, 「m」은 메타를, 「p」은 파라를 의미한다.
상기 화학식 1 및 2에서의 R1 및 R2는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 히드록실기, 메르캅토기, 아미노기, 포르밀기, 카르복실기, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알케닐기, 탄소수 1∼10 알키닐기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 알킬티오기, 탄소수 1∼10 모노알킬아미노기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노기, 탄소수 1∼10 트리알킬실릴기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기, 탄소수 1∼10 알콕시카르보닐기, 탄소수 1∼10 알콕시(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬옥시카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 니트로알킬기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴알킬기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴옥시기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴티오기, W로 치환되어 있을 수도 있는 모노아릴아미노기, W로 치환되어 있을 수도 있는 디아릴아미노기, W로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1∼10 트리아릴실릴기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴카르보닐기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴옥시카르보닐기를 나타낸다.
그 중에서도 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노기, 탄소수 1∼10 알콕시(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬옥시카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 니트로알킬기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기(W는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)가 바람직하고, 특히, 수소 원자, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알콕시(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬옥시카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 니트로알킬기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기(W는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)가 바람직하다.
X1 및 X2는 각각 독립하여 황 원자 또는 셀렌 원자이지만, 금속, 금속산화물 또는 반도체 표면 상에서 자기조직화 막을 형성하기 쉬운 점에서, 특히, 황 원자인 것이 바람직하다.
화학식 1에서의 Y는 수소 원자, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기, 탄소수 1∼10 알콕시카르보닐기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴알킬기, W로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1∼10 아릴카르보닐기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1∼10 아릴옥시카르보닐기(W는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)를 나타내는데, 합성의 용이함과 금속, 금속산화물 또는 반도체와의 접합체를 형성하기 쉬운 점에서, 수소 원자 또는 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기가 바람직하고, 특히, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기가 적합하다.
또한, W는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 히드록실기, 메르캅토기, 아미노기, 포르밀기, 카르복실기, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알케닐기, 탄소수 1∼10 알키닐기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 알킬티오기, 탄소수 1∼10 모노알킬아미노기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노기, 탄소수 1∼10 트리알킬실릴기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기, 탄소수 1∼10 알콕시카르보닐기, Z로 치환되어 있을 수도 있는 페닐기, Z로 치환되어 있을 수도 있는 나프틸기 또는 Z로 치환되어 있을 수도 있는 비페닐기를 나타내고, Z는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 히드록실기, 메르캅토기, 아미노기, 포르밀기, 카르복실기, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알케닐기, 탄소수 1∼10 알키닐기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 알킬티오기, 탄소수 1∼10 모노알킬아미노기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노기, 탄소수 1∼10 트리알킬실릴기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기, 탄소수 1∼10 알콕시카르보닐기를 나타낸다.
화학식 2에서의 M은 엔다이인 화합물이 그 양 말단에서 결합하고 있는 금속, 금속산화물 또는 반도체에 유래하는 금속 원자이며, 구체적으로는, Au, Ag, Cu, Pd, Fe, Hg, Ga 또는 In을 나타내지만, Au, Cu, In이 바람직하다.
다음에, 화학식 1 및 2로 표시되는 화합물의 치환기의 구체예에 대하여 설명한다. 탄소수 1∼10 알킬기의 구체예로서는, 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, c-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, c-부틸, n-펜틸, 1-메틸-n-부틸, 2-메틸-n-부틸, 3-메틸-n-부틸, 1,1-디메틸-n-프로필, c-펜틸, 2-메틸-c-부틸, n-헥실, 1-메틸-n-펜틸, 2-메틸-n-펜틸, 1,1-디메틸-n-부틸, 1-에틸-n-부틸, 1,1,2-트리메틸-n-프로필, c-헥실, 1-메틸-c-펜틸, 1-에틸-c-부틸, 1,2-디메틸-c-부틸, n-헵틸, n-옥틸, n-노닐, n-데실 등을 들 수 있다.
탄소수 1∼10 알케닐기의 구체예로서는, CH=CH2, CH=CHMe, CH=CHEt, CH=CMe2, CH=CEt2, CMe=CH2, CMe=CHMe, CMe=CMe2, CH2CH=CH2, CH2CH=CHMe, CH2CH=CHEt, CH2CMe=CH2, CH2CH2CH=CH2, CH2CH2CH=CHMe, CH2CH=CMe2, CHMeCH=CH2, CH2CMe=CHMe, CHMeCH=CHMe, CH2CMe=CHEt, CH2CH2CH=CMe2, CH2CMe=CMe2, CH=C=CH2 등을 들 수 있다.
탄소수 1∼10 알키닐기의 구체예로서는, C≡CMe, C≡CEt, CH2C≡CH, CH2C≡CMe, CH2C≡CEt, CH2CH2C≡CH, CH2CH2C≡CMe, CHMeC≡CH, CHMeC≡CMe 을 들 수 있다.
탄소수 1∼10 할로알킬기의 구체예로서는, CH2F, CHF2, CF3, CH2CH2F, CH2CHF2, CH2CF3, CH2CH2CH2F, CH2CH2CHF2, CH2CH2CF3, CH2Cl, CHCl2, CCl3, CH2CH2Cl, CH2Br, CHBr2, CBr3, CH2CH2Br 등을 들 수 있다.
탄소수 1∼10 알콕시기의 구체예로서는, OMe, OEt, OPr-n, OPr-i, OBu-n, OBu-i, OBu-s, OBu-t, OPen-n, OCHEt2, OHex-n, OCHMe(Pr-n), OCHMe(Bu-n), OCHEt(Pr-n), OCH2CH2CHMe2 등을 들 수 있다.
탄소수 1∼10 알킬티오기의 구체예로서는, SMe, SEt, SPr-n, SPr-i, SBu-n, SBu-i, SBu-s, SBu-t, SPen-n, SCHEt2, SHex-n, SCHMe(Pr-n), SCHMe(Bu-n), SCHEt(Pr-n), SCH2CH2CHMe2 등을 들 수 있다.
탄소수 1∼10 모노알킬아미노기의 구체예로서는, NHMe, NHEt, NHPr-n, NHPr-i, NHBu-n, NHBu-i, NHBu-s, NHBu-t, NHPen-n, NHCHEt2, NHHex-n 등을 들 수 있다.
탄소수 1∼10 디알킬아미노기의 구체예로서는, NMe2, NEt2, N(Pr-n)2, N(Pr-i)2, N(Bu-n)2, N(Bu-i)2, N(Bu-s)2, N(Bu-t)2, N(Pen-n)2, N(CHEt2)2, N(Hex-n)2 등을 들 수 있다.
탄소수 1∼10 트리알킬실릴기의 구체예로서는, SiMe3, SiEt3, Si(Pr-n)3, Si(Pr-i)3, Si(Bu-n)3, Si(Bu-i)3, Si(Bu-s)3, Si(Bu-t)3 등을 들 수 있다.
탄소수 1∼10 알킬카르보닐기의 구체예로서는, C(O)Me, C(O)Et, C(O)Pr-n, C(O)Pr-i, C(O)Bu-n, C(O)Bu-i, C(O)Bu-s, C(O)Bu-t, C(O)Pen-n, C(O)CHEt2, C(O)Hex-n 등을 들 수 있다.
탄소수 1∼10 알콕시카르보닐기의 구체예로서는, OC(O)Me, OC(O)Et, OC(O)Pr-n, OC(O)Pr-i, OC(O)Bu-n, OC(O)Bu-i, OC(O)Bu-s, OC(O)Bu-t, OC(O)Pen-n, OC(O)CHEt2, OC(O)Hex-n 등을 들 수 있다.
탄소수 1∼10 알콕시(탄소수 1∼10)알킬기의 구체예로서는, CH2OMe, CH2OEt, CH2OPr-n, CH2OPr-i, CH2CH2OMe, CH2CH2OEt, CH2CH2OPr-n, CH2CH2OPr-i, CH2CH2CH2OMe, CH2CH2CH2OEt, CH2CH2CH2OPr-n, CH2CH2CH2OPr-i 등을 들 수 있다.
탄소수 1∼10 알킬카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기의 구체예로서는, CH2C(O)Me, CH2C(O)Et, CH2C(O)Pr-n, CH2C(O)Pr-i, CH2CH2C(O)Me, CH2CH2C(O)Et, CH2CH2C(O)Pr-n, CH2CH2C(O)Pr-i, CH2CH2CH2C(O)Me, CH2CH2CH2C(O)Et, CH2CH2CH2C(O)Pr-n, CH2CH2CH2C(O)Pr-i 등을 들 수 있다.
탄소수 1∼10 알킬옥시카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기의 구체예로서는, CH2C(O)OMe, CH2C(O)OEt, CH2C(O)OPr-n, CH2C(O)OPr-i、 CH2CH2C(O)OMe, CH2CH2C(O)OEt, CH2CH2C(O)OPr-n, CH2CH2C(O)OPr-i, CH2CH2CH2C(O)OMe, CH2CH2CH2C(O)OEt, CH2CH2CH2C(O)OPr-n, CH2CH2CH2C(O)OPr-i 등을 들 수 있다.
탄소수 1∼10 디알킬아미노(탄소수 1∼10)알킬기의 구체예로서는, CH2NMe2, CH2NEt2, CH2N(Pr-n)2, CH2N(Pr-i)2, CH2CH2NMe2, CH2CH2NEt2, CH2CH2N(Pr-n)2, CH2CH2N(Pr-i)2, CH2CH2CH2NMe2, CH2CH2CH2NEt2, CH2CH2CH2N(Pr-n)2, CH2CH2CH2N(Pr-i)2 등을 들 수 있다.
탄소수 1∼10 니트로알킬기의 구체예로서는, CH2NO2, CH2CH2NO2, CH2CH2CH2NO2 등을 들 수 있다.
또한, 이상의 설명에서, 「Me」는 메틸기, 「Et」는 에틸기, 「Pr」은 프로필기, 「Bu」는 부틸기를 의미한다.
W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기의 구체예로서는, 페닐, o-메틸페닐, m-메틸페닐, p-메틸페닐, o-트리플루오로메틸페닐, m-트리플루오로메틸페닐, p-트리플루오로메틸페닐, p-에틸페닐, p-i-프로필페닐, p-t-부틸페닐, o-클로로페닐, m-클로로페닐, p-클로로페닐, o-브로모페닐, m-브로모페닐, p-브로모페닐, o-플루오로페닐, p-플루오로페닐, o-메톡시페닐, m-메톡시페닐, p-메톡시페닐, o-트리플루오로메톡시페닐, p-트리플루오로메톡시페닐, o-니트로페닐, m-니트로페닐, p-니트로페닐, o-디메틸아미노페닐, m-디메틸아미노페닐, p-디메틸아미노페닐, p-시아노페닐, 3,5-디메틸페닐, 3,5-비스트리플루오로메틸페닐, 3,5-디메톡시페닐, 3,5-비스트리플루오로메톡시페닐, 3,5-디에틸페닐, 3,5-디-i-프로필페닐, 3,5-디클로로페닐, 3,5-디브로모페닐, 3,5-디플루오로페닐, 3,5-디니트로페닐, 3,5-디시아노페닐, 2,4,6-트리메틸페닐, 2,4,6-트리스트리플루오로메틸페닐, 2,4,6-트리메톡시페닐, 2,4,6-트리스트리플루오로메톡시페닐, 2,4,6-트리클로로페닐, 2,4,6-트리브로모페닐, 2,4,6-트리플루오로페닐, α-나프틸, β-나프틸, o-비페닐릴, m-비페닐릴, p-비페닐릴, 티오펜-2-일, 티오펜-3-일, 푸란-2-일, 푸란-3-일, 피롤-1-일, 피롤-2-일, 피롤-3-일 등을 들 수 있다.
W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴알킬기의 구체예로서는, 페닐메틸, o-메틸페닐메틸, m-메틸페닐메틸, p-메틸페닐메틸, o-트리플루오로메틸페닐메틸, m-트리플루오로메틸페닐메틸, p-트리플루오로메틸페닐메틸, p-에틸페닐메틸, p-i-프로필페닐메틸, p-t-부틸페닐메틸, o-클로로페닐메틸, m-클로로페닐메틸, p-클로로페닐메틸, o-브로모페닐메틸, m-브로모페닐메틸, p-브로모페닐메틸, o-플루오로페닐메틸, p-플루오로페닐메틸, o-메톡시페닐메틸, m-메톡시페닐메틸, p-메톡시페닐메틸, o-트리플루오로메톡시페닐메틸, p-트리플루오로메톡시페닐메틸, o-니트로페닐메틸, m-니트로페닐메틸, p-니트로페닐메틸, o-디메틸아미노페닐메틸, m-디메틸아미노페닐메틸, p-디메틸아미노페닐메틸, p-시아노페닐메틸, 3,5-디메틸페닐메틸, 3,5-비스트리플루오로메틸페닐메틸, 3,5-디메톡시페닐메틸, 3,5-비스트리플루오로메톡시페닐메틸, 3,5-디에틸페닐메틸, 3,5-디-i-프로필페닐메틸, 3,5-디클로로페닐메틸, 3,5-디브로모페닐메틸, 3,5-디플루오로페닐메틸, 3,5-디니트로페닐메틸, 3,5-디시아노페닐메틸, 2,4,6-트리메틸페닐메틸, 2,4,6-트리스트리플루오로메틸페닐메틸, 2,4,6-트리메톡시페닐메틸, 2,4,6-트리스트리플루오로메톡시페닐메틸, 2,4,6-트리클로로페닐메틸, 2,4,6-트리브로모페닐메틸, 2,4,6-트리플루오로페닐메틸, α-나프틸메틸, β-나프틸메틸, o-비페닐릴메틸, m-비페닐릴메틸, p-비페닐릴메틸, 티오펜-2-일메틸, 티오펜-3-일메틸, 푸란-2-일메틸, 푸란-3-일메틸, 피롤-1-일메틸, 피롤-2-일메틸, 피롤-3-일메틸 등을 들 수 있다.
W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴옥시기의 구체예로서는, 페닐옥시, o-메틸페닐옥시, m-메틸페닐옥시, p-메틸페닐옥시, o-트리플루오로메틸페닐옥시, m-트리플루오로메틸페닐옥시, p-트리플루오로메틸페닐옥시, p-에틸페닐옥시, p-i-프로필페닐옥시, p-t-부틸페닐옥시, o-클로로페닐옥시, m-클로로페닐옥시, p-클로로페닐옥시, o-브로모페닐옥시, m-브로모페닐옥시, p-브로모페닐옥시, o-플루오로페닐옥시, p-플루오로페닐옥시, o-메톡시페닐옥시, m-메톡시페닐옥시, p-메톡시페닐옥시, o-트리플루오로메톡시페닐옥시, p-트리플루오로메톡시페닐옥시, o-니트로페닐옥시, m-니트로페닐옥시, p-니트로페닐옥시, o-디메틸아미노페닐옥시, m-디메틸아미노페닐옥시, p-디메틸아미노페닐옥시, p-시아노페닐옥시, 3,5-디메틸페닐옥시, 3,5-비스트리플루오로메틸페닐옥시, 3,5-디메톡시페닐옥시, 3,5-비스트리플루오로메톡시페닐옥시, 3,5-디에틸페닐옥시, 3,5-디-i-프로필페닐옥시, 3,5-디클로로페닐옥시, 3,5-디브로모페닐옥시, 3,5-디플루오로페닐옥시, 3,5-디니트로페닐옥시, 3,5-디시아노페닐옥시, 2,4,6-트리메틸페닐옥시, 2,4,6-트리스트리플루오로메틸페닐옥시, 2,4,6-트리메톡시페닐옥시, 2,4,6-트리스트리플루오로메톡시페닐옥시, 2,4,6-트리클로로페닐옥시, 2,4,6-트리브로모페닐옥시, 2,4,6-트리플루오로페닐옥시, α-나프틸옥시, β-나프틸옥시, o-비페닐릴옥시, m-비페닐릴옥시, p-비페닐릴옥시, 티오펜-2-일옥시, 티오펜-3-일옥시, 푸란-2-일옥시, 푸란-3-일옥시, 피롤-1-일옥시, 피롤-2-일옥시, 피롤-3-일옥시 등을 들 수 있다.
W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴티오기의 구체예로서는, 페닐티오, o-메틸페닐티오, m-메틸페닐티오, p-메틸페닐티오, o-트리플루오로메틸페닐티오, m-트리플루오로메틸페닐티오, p-트리플루오로메틸페닐티오, p-에틸페닐티오, p-i-프로필페닐티오, p-t-부틸페닐티오, o-클로로페닐티오, m-클로로페닐티오, p-클로로페닐티오, o-브로모페닐티오, m-브로모페닐티오, p-브로모페닐티오, o-플루오로페닐티오, p-플루오로페닐티오, o-메톡시페닐티오, m-메톡시페닐티오, p-메톡시페닐티오, o-트리플루오로메톡시페닐티오, p-트리플루오로메톡시페닐티오, o-니트로페닐티오, m-니트로페닐티오, p-니트로페닐티오, o-디메틸아미노페닐티오, m-디메틸아미노페닐티오, p-디메틸아미노페닐티오, p-시아노페닐티오, 3,5-디메틸페닐티오, 3,5-비스트리플루오로메틸페닐티오, 3,5-디메톡시페닐티오, 3,5-비스트리플루오로메톡시페닐티오, 3,5-디에틸페닐티오, 3,5-디-i-프로필페닐티오, 3,5-디클로로페닐티오, 3,5-디브로모페닐티오, 3,5-디플루오로페닐티오, 3,5-디니트로페닐티오, 3,5-디시아노페닐티오, 2,4,6-트리메틸페닐티오, 2,4,6-트리스트리플루오로메틸페닐티오, 2,4,6-트리메톡시페닐티오, 2,4,6-트리스트리플루오로메톡시페닐티오, 2,4,6-트리클로로페닐티오, 2,4,6-트리브로모페닐티오, 2,4,6-트리플루오로페닐티오, α-나프틸티오, β-나프틸티오, o-비페닐릴티오, m-비페닐릴티오, p-비페닐릴티오, 티오펜-2-일티오, 티오펜-3-일티오, 푸란-2-일티오, 푸란-3-일티오, 피롤-1-일티오, 피롤-2-일티오, 피롤-3-일티오 등을 들 수 있다.
W로 치환되어 있을 수도 있는 모노아릴아미노기의 구체예로서는, 페닐아미노, o-메틸페닐아미노, m-메틸페닐아미노, p-메틸페닐아미노, o-트리플루오로메틸페닐아미노, m-트리플루오로메틸페닐아미노, p-트리플루오로메틸페닐아미노, p-에틸페닐아미노, p-i-프로필페닐아미노, p-t-부틸페닐아미노, o-클로로페닐아미노, m-클로로페닐아미노, p-클로로페닐아미노, o-브로모페닐아미노, m-브로모페닐아미노, p-브로모페닐아미노, o-플루오로페닐아미노, p-플루오로페닐아미노, o-메톡시페닐아미노, m-메톡시페닐아미노, p-메톡시페닐아미노, o-트리플루오로메톡시페닐아미노, p-트리플루오로메톡시페닐아미노, o-니트로페닐아미노, m-니트로페닐아미노, p-니트로페닐아미노, o-디메틸아미노페닐아미노, m-디메틸아미노페닐아미노, p-디메틸아미노페닐아미노, p-시아노페닐아미노, 3,5-디메틸페닐아미노, 3,5-비스트리플루오로메틸페닐아미노, 3,5-디메톡시페닐아미노, 3,5-비스트리플루오로메톡시페닐아미노, 3,5-디에틸페닐아미노, 3,5-디-i-프로필페닐아미노, 3,5-디클로로페닐아미노, 3,5-디브로모페닐아미노, 3,5-디플루오로페닐아미노, 3,5-디니트로페닐아미노, 3,5-디시아노페닐아미노, 2,4,6-트리메틸페닐아미노, 2,4,6-트리스트리플루오로메틸페닐아미노, 2,4,6-트리메톡시페닐아미노, 2,4,6-트리스트리플루오로메톡시페닐아미노, 2,4,6-트리클로로페닐아미노, 2,4,6-트리브로모페닐아미노, 2,4,6-트리플루오로페닐아미노, α-나프틸아미노, β-나프틸아미노, o-비페닐릴아미노, m-비페닐릴아미노, p-비페닐릴아미노, 티오펜-2-일아미노, 티오펜-3-일아미노, 푸란-2-일아미노, 푸란-3-일아미노, 피롤-1-일아미노, 피롤-2-일아미노, 피롤-3-일아미노 등을 들 수 있다.
W로 치환되어 있을 수도 있는 디아릴아미노기의 구체예로서는, 디페닐아미노, 비스(o-메틸페닐)아미노, 비스(m-메틸페닐)아미노, 비스(p-메틸페닐)아미노, 비스(o-트리플루오로메틸페닐)아미노, 비스(m-트리플루오로메틸페닐)아미노, 비스(p-트리플루오로메틸페닐)아미노, 비스(p-에틸페닐)아미노, 비스(p-i-프로필페닐)아미노, 비스(p-t-부틸페닐)아미노, 비스(o-클로로페닐)아미노, 비스(m-클로로페닐)아미노, 비스(p-클로로페닐)아미노, 비스(o-브로모페닐)아미노, 비스(m-브로모페닐)아미노, 비스(p-브로모페닐)아미노, 비스(o-플루오로페닐)아미노, 비스(p-플루오로페닐)아미노, 비스(o-메톡시페닐)아미노, 비스(m-메톡시페닐)아미노, 비스(p-메톡시페닐)아미노, 비스(o-트리플루오로메톡시페닐)아미노, 비스(p-트리플루오로메톡시페닐)아미노, 비스(o-니트로페닐)아미노, 비스(m-니트로페닐)아미노, 비스(p-니트로페닐)아미노, 비스(o-디메틸아미노페닐)아미노, 비스(m-디메틸아미노페닐)아미노, 비스(p-디메틸아미노페닐)아미노, 비스(p-시아노페닐)아미노, 비스(3,5-디메틸페닐)아미노, 비스(3,5-비스트리플루오로메틸페닐)아미노, 비스(3,5-디메톡시페닐)아미노, 비스(3,5-비스트리플루오로메톡시페닐)아미노, 비스(3,5-디에틸페닐)아미노, 비스(3,5-디-i-프로필페닐)아미노, 비스(3,5-디클로로페닐)아미노, 비스(3,5-디브로모페닐)아미노, 비스(3,5-디플루오로페닐)아미노, 비스(3,5-디니트로페닐)아미노, 비스(3,5-디시아노페닐)아미노, 비스(2,4,6-트리메틸페닐)아미노, 비스(2,4,6-트리스트리플루오로메틸페닐)아미노, 비스(2,4,6-트리메톡시페닐)아미노, 비스(2,4,6-트리스트리플루오로메톡시페닐)아미노, 비스(2,4,6-트리클로로페닐)아미노, 비스(2,4,6-트리브로모페닐)아미노, 비스(2,4,6-트리플루오로페닐)아미노, 비스(α-나프틸)아미노, 비스(β-나프틸)아미노, 비스(o-비페닐릴)아미노, 비스(m-비페닐릴)아미노, 비스(p-비페닐릴)아미노, 비스(티오펜-2-일)아미노, 비스(티오펜-3-일)아미노, 비스(푸란-2-일)아미노, 비스(푸란-3-일)아미노, 비스(피롤-1-일)아미노, 비스(피롤-2-일)아미노, 비스(피롤-3-일)아미노 등을 들 수 있다.
W로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1∼10 트리아릴실릴기의 구체예로서는, 트리페닐실릴, 트리스(o-메틸페닐)실릴, 트리스(m-메틸페닐)실릴, 트리스(p-메틸페닐)실릴, 트리스(o-트리플루오로메틸페닐)실릴, 트리스(m-트리플루오로메틸페닐)실릴, 트리스(p-트리플루오로메틸페닐)실릴, 트리스(p-에틸페닐)실릴, 트리스(p-i-프로필페닐)실릴, 트리스(p-t-부틸페닐)실릴, 트리스(o-클로로페닐)실릴 등을 들 수 있다.
W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴카르보닐기의 구체예로서는, 페닐카르보닐, o-메틸페닐카르보닐, m-메틸페닐카르보닐, p-메틸페닐카르보닐, o-트리플루오로메틸페닐카르보닐, m-트리플루오로메틸페닐카르보닐, p-트리플루오로메틸페닐카르보닐, p-에틸페닐카르보닐, p-i-프로필페닐카르보닐, p-t-부틸페닐카르보닐, o-클로로페닐카르보닐, m-클로로페닐카르보닐, p-클로로페닐카르보닐, o-브로모페닐카르보닐, m-브로모페닐카르보닐, p-브로모페닐카르보닐, o-플루오로페닐카르보닐, p-플루오로페닐카르보닐, o-메톡시페닐카르보닐, m-메톡시페닐카르보닐, p-메톡시페닐카르보닐, o-트리플루오로메톡시페닐카르보닐, p-트리플루오로메톡시페닐카르보닐, o-니트로페닐카르보닐, m-니트로페닐카르보닐, p-니트로페닐카르보닐, o-디메틸아미노페닐카르보닐, m-디메틸아미노페닐카르보닐, p-디메틸아미노페닐카르보닐, p-시아노페닐카르보닐, 3,5-디메틸페닐카르보닐, 3,5-비스트리플루오로메틸페닐카르보닐, 3,5-디메톡시페닐카르보닐, 3,5-비스트리플루오로메톡시페닐카르보닐, 3,5-디에틸페닐카르보닐, 3,5-디-i-프로필페닐카르보닐, 3,5-디클로로페닐카르보닐, 3,5-디브로모페닐카르보닐, 3,5-디플루오로페닐카르보닐, 3,5-디니트로페닐카르보닐, 3,5-디시아노페닐카르보닐, 2,4,6-트리메틸페닐카르보닐, 2,4,6-트리스트리플루오로메틸페닐카르보닐, 2,4,6-트리메톡시페닐카르보닐, 2,4,6-트리스트리플루오로메톡시페닐카르보닐, 2,4,6-트리클로로페닐카르보닐, 2,4,6-트리브로모페닐카르보닐, 2,4,6-트리플루오로페닐카르보닐, α-나프틸카르보닐, β-나프틸카르보닐, o-비페닐릴카르보닐, m-비페닐릴카르보닐, p-비페닐릴카르보닐, 티오펜-2-일카르보닐, 티오펜-3-일카르보닐, 푸란-2-일카르보닐, 푸란-3-일카르보닐, 피롤-1-일카르보닐, 피롤-2-일카르보닐, 피롤-3-일카르보닐 등을 들 수 있다.
W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴옥시카르보닐기의 구체예로서는, 페닐옥시카르보닐, o-메틸페닐옥시카르보닐, m-메틸페닐옥시카르보닐, p-메틸페닐옥시카르보닐, o-트리플루오로메틸페닐옥시카르보닐, m-트리플루오로메틸페닐옥시카르보닐, p-트리플루오로메틸페닐옥시카르보닐, p-에틸페닐옥시카르보닐, p-i-프로필페닐옥시카르보닐, p-t-부틸페닐옥시카르보닐, o-클로로페닐옥시카르보닐, m-클로로페닐옥시카르보닐, p-클로로페닐옥시카르보닐, o-브로모페닐옥시카르보닐, m-브로모페닐옥시카르보닐, p-브로모페닐옥시카르보닐, o-플루오로페닐옥시카르보닐, p-플루오로페닐옥시카르보닐, o-메톡시페닐옥시카르보닐, m-메톡시페닐옥시카르보닐, p-메톡시페닐옥시카르보닐, o-트리플루오로메톡시페닐옥시카르보닐, p-트리플루오로메톡시페닐옥시카르보닐, o-니트로페닐옥시카르보닐, m-니트로페닐옥시카르보닐, p-니트로페닐옥시카르보닐, o-디메틸아미노페닐옥시카르보닐, m-디메틸아미노페닐옥시카르보닐, p-디메틸아미노페닐옥시카르보닐, p-시아노페닐옥시카르보닐, 3,5-디메틸페닐옥시카르보닐, 3,5-비스트리플루오로메틸페닐옥시카르보닐, 3,5-디메톡시페닐옥시카르보닐, 3,5-비스트리플루오로메톡시페닐옥시카르보닐, 3,5-디에틸페닐옥시카르보닐, 3,5-디-i-프로필페닐옥시카르보닐, 3,5-디클로로페닐옥시카르보닐, 3,5-디브로모페닐옥시카르보닐, 3,5-디플루오로페닐옥시카르보닐, 3,5-디니트로페닐옥시카르보닐, 3,5-디시아노페닐옥시카르보닐, 2,4,6-트리메틸페닐옥시카르보닐, 2,4,6-트리스트리플루오로메틸페닐옥시카르보닐, 2,4,6-트리메톡시페닐옥시카르보닐, 2,4,6-트리스트리플루오로메톡시페닐옥시카르보닐, 2,4,6-트리클로로페닐옥시카르보닐, 2,4,6-트리브로모페닐옥시카르보닐, 2,4,6-트리플루오로페닐옥시카르보닐, α-나프틸옥시카르보닐, β-나프틸옥시카르보닐, o-비페닐릴옥시카르보닐, m-비페닐릴옥시카르보닐, p-비페닐릴옥시카르보닐, 티오펜-2-일옥시카르보닐, 티오펜-3-일옥시카르보닐, 푸란-2-일옥시카르보닐, 푸란-3-일옥시카르보닐, 피롤-1-일옥시카르보닐, 피롤-2-일옥시카르보닐, 피롤-3-일옥시카르보닐 등을 들 수 있다.
본 발명의 엔다이인 화합물의 바람직한 것으로서는 하기의 것을 들 수 있지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112007074222312-PCT00005
(1) 엔다이인 화합물의 제조방법
단분자 도전성 착체 및 도전성 자기조직화 막에 사용되는 하기 화학식 5로 표시되는 엔다이인 화합물은, 예를 들면 이하의 방법으로 합성할 수 있다.
Figure 112007074222312-PCT00006
Figure 112007074222312-PCT00007
(식 중, R1, R2, 및 X는 상기와 동일하다. R3은 탄소수 1∼6 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. R4은 탄소수 1∼10 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. Z는 염소 원자, 브롬 원자, 또는 요오드 원자를 나타낸다.)
즉, 할로겐화 엔인 유도체 (A)와 실릴화 아세틸렌 (B)를 팔라듐 촉매 존재하에 소노가시라(Sonogashira) 반응을 행함으로써 중간체 (C)를 합성하고, 그 후에 대응하는 탈실릴화체 (D)로 변환한다. 그리고, 말단 아세틸렌 화합물 (D)를 사용 하여 목적으로 하는 화합물 (5)를 얻을 수 있다.
여기에서, 팔라듐 촉매로서는 여러 구조의 것을 사용할 수 있는데, 소위 저원자가의 팔라듐 착체를 사용하는 것이 바람직하고, 특히 3차 포스핀이나 3차 포스파이트를 배위자로 하는 제로(0)-가 착체가 바람직하다. 또, 반응계 중에서 용이하게 제로-가 착체로 변환되는 적당한 전구체를 사용할 수도 있다. 또한, 반응계 중에서, 3차 포스핀이나 3차 포스파이트를 배위자로서 포함하지 않는 착체와 3차 포스핀이나 3차 포스파이트를 혼합하여, 3차 포스핀이나 3차 포스파이트를 배위자로 하는 저원자가 착체를 발생시킬 수도 있다.
배위자인 3차 포스핀 또는 3차 포스파이트로서는, 예를 들면 트리페닐포스핀, 디페닐메틸포스핀, 페닐디메틸포스핀, 1,2-비스(디페닐포스피노)에탄, 1,3-비스(디페닐포스피노)프로판, 1,4-비스(디페닐포스피노)부탄, 1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센, 트리메틸포스파이트, 트리에틸포스파이트, 트리페닐포스파이트 등을 들 수 있다. 또, 이들 배위자의 2종 이상을 혼합하여 포함하는 착체도 적합하게 사용할 수 있다.
촉매로서, 3차 포스핀이나 3차 포스파이트를 포함하지 않는 팔라듐 착체 및/또는 3차 포스핀이나 3차 포스파이트를 포함하는 팔라듐 착체와 상술한 배위자를 조합시켜서 사용하는 것도 바람직한 태양이다.
상기 배위자에 조합시켜서 사용되는, 3차 포스핀이나 3차 포스파이트를 포함하지 않는 착체로서는, 비스(벤질리덴아세톤)팔라듐, 아세트산 팔라듐 등을 들 수 있다. 한편, 3차 포스핀이나 3차 포스파이트를 이미 배위자로서 포함하는 착체로 서는 디메틸비스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디메틸비스(디페닐메틸포스핀)팔라듐, (에틸렌)비스(트리페닐포스핀)팔라듐, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다.
이들 팔라듐 촉매의 사용량은 소위 촉매량이어도 되고, 일반적으로는, 기질 (B)에 대하여 20몰% 이하로 충분하며, 통상, 5몰% 이하이다.
상기 제조법에 사용되는 반응용매로서는, 당해 반응조건하에서 안정하며, 또한 불활성이고 반응을 방해하지 않는 것이면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 물, 알코올류(예를 들면, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 옥탄올 등), 셀로솔브류(예를 들면, 메톡시에탄올, 에톡시에탄올 등), 비프로톤성 극성 유기용매류(예를 들면, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, 디메틸아세트아미드, 테트라메틸유레아, 술포란, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸이미다졸리디논 등), 에테르류(예를 들면, 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, t-부틸메틸에테르, 테트라히드로푸란, 디옥산 등), 지방족 탄화수소류(예를 들면, 펜탄, 헥산, c-헥산, 옥탄, 데칸, 데칼린, 석유 에테르 등), 방향족 탄화수소류(벤젠, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠, 니트로벤젠, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 테트랄린 등), 할로겐화 탄화수소류(예를 들면, 클로로포름, 디클로로메탄, 디클로로에탄, 사염화탄소 등), 케톤류(아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸부틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등), 저급 지방족 산 에스테르(예를 들면, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 프로피온산 메틸 등), 알콕시 알칸류(예를 들면, 디메톡시 에탄, 디에톡시 에탄 등), 니트릴류(예를 들면, 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 부티로니트릴 등) 등의 용매를 들 수 있다.
이들 용매는 반응이 일어나기 쉬운지 등을 고려하여 적당하게 선택할 수 있다. 또, 상기 용매는 1종 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 상기 각 용매는 필요에 따라 적당한 탈수제나 건조제를 사용하여 비수용매로서 사용할 수도 있다.
반응온도는 통상 -100℃부터 사용하는 용매의 비점까지 가능하지만, 바람직하게는 -50∼50℃의 범위에서 행하는 것이 좋다. 반응시간은 통상 0.1∼1000시간이다. 반응종료 후에 적당한 용매에 의해 목적물을 추출하고, 용매를 감압 농축하여 미정제물을 얻을 수 있다.
더욱이, 증류, 재결정, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피 등의 상법에 의한 정제를 행함으로써 순수한 목적물 (5)를 단리할 수 있다.
또한, 상기 제법에서, 출발물질로서 사용되고 있는 중간체 (A)는 이하의 방법으로 합성할 수 있다.
Figure 112007074222312-PCT00008
(식 중, R1, R2, R3, 및 Z는 상기와 동일하다. Me는 메틸기를 Bu는 부틸기를 나타낸다.)
즉, 2가 티탄 반응제 Ti(Oi-Pr)4/2i-PrMgCl에 의한 내부 아세틸렌 (E)와 말단 아세틸렌 (B)의 선택적인 크로스 커플링 반응에 의해 얻어진 티탄에이시클로펜타디엔 중간체 (F)를 요오드 또는 브롬으로 처리하여, 1,4-디할로-1,3-디엔 유도체 (G)를 얻었다(J. Org. Chem., 63, 10060(1998), J. Am. Chem. Soc., 121, 7342(1999) 참조).
1,4-디할로-1,3-디엔 유도체 (G)에 염기를 작용시켜, 탈할로겐화 수소반응을 행하여 중간체 (H)로 변환한다. 중간체 (H)를 알킬화하여 엔인 화합물 (I)로 유도한 후, 실릴기를 할로겐 치환함으로써 목적으로 하는 중간체 (A)를 제조할 수 있다(J. Org. Chem., 63, 10060(1998) 참조).
(2) 엔다이인 화합물을 사용한 전극의 접합체의 제작방법
Figure 112007074222312-PCT00009
(식 중, R1, R2, R4, X, M, 및 n은 상기와 동일하다.)
상기에서 얻어진 엔다이인 화합물 (5)를 가수분해한 후, 금속 기판을 침지시켜 자기조직화 막을 작성한다. 다음에, 초진공 하에서 칩을 사용하여 브리징시켜, 목적으로 하는 전극의 접합체(단분자 도전성 착체) (2)를 얻을 수 있다.
단일 분자와 금속과의 접합은, 예를 들면 주사 터널 현미경(이하, STM이라고 함) 브레이크 정션법에 의해 제작할 수 있다.
여기에서, STM 브레이크 정션법이란, 상기에서 작성한 도전성 자기조직화 막을 갖는 금속 기판에 대하여 금속 칩을 압입하고, 그 후에 약 4nm/초로 칩을 기판으로부터 떼어내어, 금속 기판-분자-금속 칩과 같이, 금속 기판, 금속 칩을 각각 전극으로 하여, 분자를 2개 전극 사이에 끼워넣는 방법이다. 즉, STM 브레이크 정션법에 의해 얻어진 전극의 접합체에서, 한쪽의 전극은 그 표면에 분자의 한쪽 혹은 양단이 화학적으로 결합된 금속 기판이며, 다른 쪽의 전극은 STM 칩이다.
또한, 상기 금속 칩의 형태로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 기계적 절단 또는 전해연마 등에 의해 선단을 뾰족하게 하는 등의 가공을 한 금속 와이어 등을 사용할 수 있다. 또한, 측정에는 청정한 칩의 제작이 필수적이므로, 초고진공 하에서의 베이킹이나 아르곤 이온 스퍼터 등의 처리를 탐침에 행할 필요가 있다.
이하, 실시예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
또한, 실시예에서 채용한 분석장치 및 분석조건은 이하와 같다.
1H NMR(300MHz) 및 13C NMR(75MHz) 측정조건;
장치: Varian Gemini-2000
측정용매: CDCl3
기준물질: 테트라메틸실란(TMS)(1H에 대하여 δ0.0ppm)
CDCl3(13C에 대하여 δ77.0ppm)
IR 측정장치; JASCO A-230
원소분석장치; Elementar Vario-EL
[실시예 1]
[1] 트랜스-엔다이이닐 디티오아세트산 에스테르 화합물 14의 합성
(1) 1,4-디요오도-1,3-디엔 화합물 8의 합성
Figure 112007074222312-PCT00010
(식 중, Me는 메틸기를 나타낸다.)
1-트리메틸실릴-1-프로핀 6(5.61g, 50.0mmol)의 에테르(500mL) 용액에 테트라-i-프로폭시티탄(18.5mL, 62.5mmol)을 가한 후, -78℃로 냉각하고, i-프로필마그네슘클로라이드(2.23mol/L 에테르 용액, 56.1mL, 125mmol)를 천천히 가했다. 30분에 걸쳐서 -50℃로 승온하고, 그 온도에서 2시간 교반했다. 트리메틸실릴아세틸렌 7(8.20mL, 58.0mmol)을 가하고, -50℃에서 3시간 교반했다.
요오드(31.8g, 125mmol)를 가하고 실온에서 2시간 교반했다. 0℃에서 반응 용액에 물을 가한 후, 셀라이트 여과를 했다.
에테르와 포화 티오황산 나트륨 수용액을 가하고, 과잉의 요오드가 없어지는 것을 확인한 후, 분액하고, 또한 포화 식염수로 세정하고, 유기층을 무수 황산 마그네슘으로 건조했다. 여과 후, 여과액을 감압하에 농축하여 얻어진 미정제 생성물을 NMR로 확인하고, 그대로 다음 반응에 사용했다.
(2) 시스-실릴화 할로엔인 화합물 9의 합성
Figure 112007074222312-PCT00011
(식 중, Me는 메틸기를 나타낸다.)
상기에서 얻어진 1,4-디요오도-1,3-디엔 화합물 8의 미정제물의 THF(250mL) 용액에 피롤리딘(20.8mL, 250mmol)을 0℃에서 가하고, 실온에서 12시간 교반했다. 반응용액에 물을 0℃에서 가하여 급랭했다. 수층으로부터 에테르로 추출하고, 포화 식염수로 세정한 후, 유기층을 무수 황산 마그네슘으로 건조했다. 여과 후, 여과액을 감압하에 농축하여 얻어진 미정제 생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(헥산)로 정제하여, 시스-할로엔인 화합물 9를 2 공정에서 수율 32%(5.39g)로 얻었다.
Figure 112007074222312-PCT00012
C11H21ISi2에 대한 이론 분석값: C, 39.28: H, 6.29. 실측값: C, 39.10: H, 6.31
(3) 비스실릴화 엔인 화합물 10의 합성
Figure 112007074222312-PCT00013
(식 중, Me는 메틸기를 나타낸다.)
실시예 1[1](2)에서 얻은 시스-실릴화 할로엔인 화합물 9(2.13g, 6.34mmol)를 에테르(21mL)에 용해하고, -78℃로 냉각했다.
t-부틸리튬(1.6M/펜탄 용액, 9.89mL, 15.9mmol)을 가하고, 그대로 1시간 교반했다. 요오드메탄(1.58mL, 25.4mmol)을 적하하고, 실온으로 승온한 후, 6시간 교반했다. 반응용액에 물을 0℃에서 가하여 급랭했다.
수층으로부터 에테르로 추출하고, 포화 식염수로 세정한 후, 유기층을 무수 황산 마그네슘으로 건조했다. 여과 후, 여과액을 감압하에 농축하여 얻어진 미정제 생성물을 NMR로 확인하고, 그대로 다음 반응에 사용했다.
(4) 트랜스-할로엔인 화합물 11의 합성
Figure 112007074222312-PCT00014
(식 중, Me는 메틸기를 나타낸다.)
상기에서 얻어진 비스-실릴화 엔인 화합물 10의 미정제물을 디클로로메탄(32mL)에 용해하고, N-요오도숙신산이미드(2.80g, 12.7mmol)를 가하고, 반응용기를 알루미늄 박으로 차광하고, 실온에서 2시간 교반했다. 0℃에서 반응용액에 포화 티오황산나트륨 수용액을 가하여 급랭했다. 수층으로부터 디클로로메탄으로 추출하고, 포화 식염수로 세정한 후, 유기층을 무수 황산 마그네슘으로 건조했다. 여과 후, 여과액을 감압하에 농축하여 얻어진 미정제 생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(헥산)로 정제하고, 트랜스-할로엔인 화합물 11을 2 공정에서 수율 68%(1.19g)로 얻었다.
Figure 112007074222312-PCT00015
C9H15ISi에 대한 이론 분석값: C, 38.85; H, 5.43. 실측값: C, 39.02; H, 5.07.
(5) 트랜스-비스실릴화 엔다이인 화합물 12의 합성
Figure 112007074222312-PCT00016
(식 중, Me는 메틸기를 나타낸다.)
실시예 1[1](4)에서 얻어진 트랜스-할로엔인 화합물 11(150mg, 0.540mmol)의 탈기한 트리에틸아민(1.3mL) 용액에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(31.2mg, 0.0270mmol) 및 요오드화 제1구리(10.2mg, 0.0539mmol)를 실온에서 가한 후, 트리메틸실릴아세틸렌 7(0.152mL, 1.08mmol)의 탈기한 THF(5.4mL) 용액을 적하했다. 반응용액을 그대로 실온에서 12시간 교반했다. 반응용액에 물을 0℃에서 가하여 급랭했다. 수층으로부터 에테르로 추출하고, 포화 식염수로 세정한 후, 유기층을 무수 황산 마그네슘으로 건조했다. 여과 후, 여과액을 감압하에 농축하여 얻어진 미정제 생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(헥산)로 정제하고, 트랜스-비스실릴화 엔다이인 화합물 12를 수율 98%(110mg)로 얻었다.
Figure 112007074222312-PCT00017
C14H24Si2에 대한 이론 분석값: C, 67.66; H, 9.73. 실측값: C, 67.47; H, 9.64.
(6) 트랜스-디메틸엔다이인 13의 합성
Figure 112007074222312-PCT00018
(식 중, Me는 메틸기를 나타낸다.)
실시예 1[1](5)에서 얻어진 트랜스-비스실릴화 엔다이인 화합물 12(0.273g, 1.10mmol)를 THF(2.2mL)에 용해하고, 0℃로 냉각한 후, 테트라부틸암모늄플루오라이드(1.0M/THF 용액, 3.31mL, 3.31mmol)를 가하고, 그대로 1시간 교반했다. 반응용액에 물을 가하여 급랭했다. 수층으로부터 소량의 헥산으로 추출한 후, 유기층을 무수 황산 마그네슘으로 건조했다. 소량의 실리카겔을 사용하여 여과하고, 그 여과액은 농축하지 않고 그대로 다음 반응에 사용했다.
(7) 트랜스-엔다이이닐 디티오아세트산 에스테르 화합물 14의 합성
Figure 112007074222312-PCT00019
(식 중, Me는 메틸기를 나타낸다.)
상기에서 얻어진 트랜스-디메틸엔다이인 13을 포함하는 여과액을 -50℃로 냉각하고, n-부틸리튬(1.59M/헥산 용액, 1.52mL, 2.42mmoI)을 적하했다. 반응용액을 -50℃에서 1시간 교반했다. 반응용액을 -30℃로 승온한 후, 황(0.106g, 3.31mmol)을 가했다. 반응용액을 실온으로 승온한 후, 2시간 교반하고, 다시 -50 ℃로 냉각했다. 반응용액에 염화아세틸(0.274mL, 3.86mmol)을 가하고, 실온으로 승온한 후, 12시간 교반했다. 반응용액에 물을 0℃에서 가하여 급랭했다. 수층으로부터 에테르로 추출하고, 포화 식염수로 세정한 후, 유기층을 무수 황산 마그네슘으로 건조했다. 여과 후, 여과액을 감압하에 농축하여 얻어진 미정제 생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(헥산/에테르)로 정제하여, 트랜스-엔다이이닐 디티오아세트산 에스테르 화합물 14를 2 공정에서 수율 10%(0.0291g)로 얻었다.
Figure 112007074222312-PCT00020
C12H12O2S2에 대한 이론 분석값: C, 57.11; H, 4.79. 실측값: C, 57.39; H, 4.50.
[2] 엔다이인-디티올:금 착체의 합성
실시예 1[1]에서 얻어진 트랜스-엔다이이닐 디티오아세트산 에스테르 화합물 14를 몰 농도 2mmol/L이 되도록 톨루엔에 용해하고, 가수분해를 행하기 위해서, 그 용액에 한 방울의 30% 암모니아수를 적하하고, 1시간 방치한 후, 금 (111) 면의 기판을 1분간 담그고, 엔다이인-디티올:금 착체를 제작했다. 여기에서, 엔다이인-디티올:금 착체의 확인은 하기 특성 평가 전에 진공 갭을 통하여 기계적으로 자른 금 와이어를 베이크, 스퍼터 처리를 한 칩에서 표면을 주사함으로써 행했다.
[3] 엔다이인-디티올:금 착체의 특성 평가
기계적으로 자른 금 와이어를 베이크, 스퍼터 처리를 하고, 그것을 칩으로서 사용하여, 상기에서 제작한 기판에 대하여 칩을 압입하고, 약 4nm/초로 기판으로부터 떼어내었을 때, 칩과 금 기판 사이의 거리를 횡축에, 전류값의 변화를 종축에 잡아 그래프화하고, 그러한 조작을 반복하여 관찰했다.
그 결과, 도 1에 도시되는 바와 같은 계단 형상으로 전류값이 변화되는 모습을 관찰할 수 있었다. 이 계단 형상의 수평방향으로 편평한 부분에서 가장 낮은 값을 기저값으로 하면, 그 전류값의 부근에 스텝이 집중되고, 또한 그 2배, 3배의 값의 부근에도 스텝이 집중했다. 이들 양자화된 컨덕턴스의 스텝은 각각 1분자, 2분자, 3분자의 컨덕턴스에 상당하고 있다고 생각할 수 있다. 이것으로부터, 그 전류의 기저값으로부터 산출할 수 있는 컨덕턴스 값을 그 분자가 갖는 고유의 컨덕턴스 값이라고 결정했다. 구체적인 기저값은 0.1V에서 약 8.4nA가 되고, 엔다이인-디티올의 컨덕턴스 값은 1.1×10-3G0이 산출되었다.
[비교예 1]
[1] 1,6-헥산디티올:금 착체의 합성
1,6-헥산디티올의 분자에 대해서는, 그 1mmol/L 에탄올 용액에 1분간 담그고, 금 착체를 제작했다. 금 착체의 확인은 실시예 1[2]와 동일한 방법으로 행했다.
[2] 1,6-헥산디티올:금 착체의 특성 평가
1,6-헥산디티올의 존재하에서 실시예 1[3]과 동일한 조작을 행하면 도 2와 같은 그래프가 얻어졌다. 그 기저값은 0.1V에서 약 0.73nA가 되고, 1,6-헥산디티 올의 컨덕턴스 값은 9.4×10-5G0이 산출되었다.
이상과 같이, 상기 실시예 1[1]에서 얻어진 π공액계를 갖는 트랜스-엔다이이닐 디티오아세트산 에스테르 화합물 14의 분자는 포화 탄화수소로 이루어지는 1,6-헥산디티올보다도 10배 이상이나 높은 도전성을 갖는 것이 확인되었다.

Claims (8)

  1. 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 엔다이인 화합물.
    (화학식 1)
    Figure 112007074222312-PCT00021
    [식 중, R1 및 R2는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 히드록실기, 메르캅토기, 아미노기, 포르밀기, 카르복실기, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알케닐기, 탄소수 1∼10 알키닐기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 알킬티오기, 탄소수 1∼10 모노알킬아미노기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노기, 탄소수 1∼10 트리알킬실릴기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기, 탄소수 1∼10 알콕시카르보닐기, 탄소수 1∼10 알콕시(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬옥시카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 니트로알킬기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴알킬기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴옥시기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴티오기, W로 치환되어 있을 수도 있는 모노아릴아미노기, W로 치환되어 있을 수도 있는 디아릴아미노기, W로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1∼10 트리아릴실릴기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴카르보닐기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴옥시카르보닐기를 나타내고,
    X1 및 X2는 각각 독립하여 황 원자 또는 셀렌 원자를 나타내고,
    Y는 수소 원자, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기, 탄소수 1∼10 알콕시카르보닐기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴알킬기, W로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1∼10 아릴카르보닐기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1∼10 아릴옥시카르보닐기를 나타내고,
    W는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 히드록실기, 메르캅토기, 아미노기, 포르밀기, 카르복실기, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알케닐기, 탄소수 1∼10 알키닐기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 알킬티오기, 탄소수 1∼10 모노알킬아미노기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노기, 탄소수 1∼10 트리알킬실릴기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기, 탄소수 1∼10 알콕시카르보닐기, Z로 치환되어 있을 수도 있는 페닐기, Z로 치환되어 있을 수도 있는 나프틸기 또는 Z로 치환되어 있을 수도 있는 비페닐기를 나타내고,
    Z는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 히드록실기, 메르캅토기, 아미노기, 포르밀기, 카르복실기, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알케닐기, 탄소수 1∼10 알키닐기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 알킬티오기, 탄소수 1∼10 모노알킬아미노기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노기, 탄소수 1∼10 트리알킬실릴기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기 또는 탄소수 1∼10 알콕시카르보닐기를 나타낸다.]
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 R1 및 R2가 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노기, 탄소수 1∼10 알콕시(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬옥시카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 니트로알킬기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기(W는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.),
    X1 및 X2가 황 원자,
    Y가 수소 원자, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기, 탄소수 1∼10 알콕시카르보닐기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴알킬기, W로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1∼10 아릴카르보닐기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1∼10 아릴옥시카르보닐기(W는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)인 것을 특징으로 하는 엔다이인 화합물.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 R1 및 R2가 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼ 10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알콕시(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬옥시카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 니트로알킬기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기(W는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.),
    Y가 수소 원자 또는 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기인 것을 특징으로 하는 엔다이인 화합물.
  4. 엔다이인 화합물이 그 양 말단에서 금속 표면, 금속산화물 표면, 또는 반도체 표면과 공유결합 또는 배위결합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학식 2로 표시되는 전극 접합체.
    (화학식 2)
    Figure 112007074222312-PCT00022
    [식 중, R1 및 R2는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 히드록실기, 메르캅토기, 아미노기, 포르밀기, 카르복실기, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알케닐기, 탄소수 1∼10 알키닐기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 알킬티오기, 탄소수 1∼10 모노알킬아미노기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노기, 탄소수 1∼10 트리알킬실릴기, 탄소수 1∼10 알 킬카르보닐기, 탄소수 1∼10 알콕시카르보닐기, 탄소수 1∼10 알콕시(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬옥시카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 니트로알킬기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴알킬기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴옥시기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴티오기, W로 치환되어 있을 수도 있는 모노아릴아미노기, W로 치환되어 있을 수도 있는 디아릴아미노기, W로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1∼10 트리아릴실릴기, W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴카르보닐기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴옥시카르보닐기를 나타내고,
    X1 및 X2는 각각 독립하여 황 원자 또는 셀렌 원자를 나타내고,
    W는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 히드록실기, 메르캅토기, 아미노기, 포르밀기, 카르복실기, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알케닐기, 탄소수 1∼10 알키닐기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 알킬티오기, 탄소수 1∼10 모노알킬아미노기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노기, 탄소수 1∼10 트리알킬실릴기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기, 탄소수 1∼10 알콕시카르보닐기, Z로 치환되어 있을 수도 있는 페닐기, Z로 치환되어 있을 수도 있는 나프틸기 또는 Z로 치환되어 있을 수도 있는 비페닐기를 나타내고,
    Z는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 히드록실기, 메르캅토기, 아미노기, 포르밀기, 카르복실기, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1 ∼10 알케닐기, 탄소수 1∼10 알키닐기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 알킬티오기, 탄소수 1∼10 모노알킬아미노기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노기, 탄소수 1∼10 트리알킬실릴기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐기 또는 탄소수 1∼10 알콕시카르보닐기를 나타낸다.)
    M은 상기 금속, 금속산화물 또는 반도체에 유래하는 금속 원자이며, Au, Ag, Cu, Pd, Fe, Hg, Ga 또는 In을 나타낸다.]
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 R1 및 R2가 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알콕시기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노기, 탄소수 1∼10 알콕시(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬옥시카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 니트로알킬기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기(W는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.),
    X1 및 X2가 황 원자인 것을 특징으로 전극 접합체.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 R1 및 R2가 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼10 알킬기, 탄소수 1∼10 할로알킬기, 탄소수 1∼10 알콕시(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 알킬옥시카르보닐(탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 디알킬아미노 (탄소수 1∼10)알킬기, 탄소수 1∼10 니트로알킬기 또는 W로 치환되어 있을 수도 있는 아릴기(W는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)인 것을 특징으로 하는 전극 접합체.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 엔다이인 화합물이 그 양 말단에서 금속 표면 또는 금속산화물 표면과 공유결합 또는 배위결합하여 이루어지고,
    상기 M이 상기 금속 또는 금속산화물에 유래하는 금속 원자이며, Au, Ag, Cu, Pd, Fe, Hg, Ga 또는 In을 나타내는 것을 특징으로 하는 전극 접합체.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 엔다이인 화합물이 그 양 말단에서 금속 표면과 공유결합 또는 배위결합하여 이루어지고,
    상기 M이 상기 금속에 유래하는 금속 원자이며, Au, Ag, Cu, Pd, Fe, Hg, Ga 또는 In을 나타내는 것을 특징으로 하는 전극 접합체.
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