JPWO2006080337A1 - 半導体装置およびその製造方法と、積層型半導体集積回路 - Google Patents
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- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Abstract
Description
(半導体装置)
図2Aは、本発明の半導体装置の第1の実施の形態を示す断面図である。図2Aに示されるように、本実施形態の半導体装置100においては、シリコン基板1の表面(第1主面:図2Aの下側の面)上には絶縁膜であるシリコン酸化膜5が形成され、シリコン基板1の裏面(第2主面:図2Aの上側の面)は樹脂層(第2主面樹脂層)7により被覆されている。そして、樹脂層7、シリコン基板1、およびシリコン酸化膜5を貫通して、ビアホール2が形成されている。そのビアホール2の内壁には、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜3と、バリアメタル層を兼ねる密着層4が形成されている。ビアホール2の内部は充填金属6により満たされており、密着層4および充填金属6により貫通電極10が形成されている。貫通電極10の一部はシリコン基板1の裏面から突出した突起部10aとなっており、この突起部10aは、この半導体装置100が他の半導体装置と積層される際に、他の半導体装置の電極と接続されるバンプ電極として用いられる。
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図3A〜3Fは、図2Aに示されている第1の実施形態の半導体装置100の製造方法を説明する工程順の断面図である。
以上説明した半導体装置100(図2A参照)の製造方法について、ここで、より詳細で具体的な実施例を示す。
(半導体装置)
図4Aは、本発明の半導体装置の第2の実施形態を示す断面図である。図4Aに示されているように、本実施形態の半導体装置200においては、シリコン基板1の表面に素子分離膜11が形成されている。さらに、素子分離膜11によって区画された領域内には、ゲート電極12およびソース・ドレイン領域13を有するMOS型電界効果トランジスタが形成されている。シリコン基板1上には第1層間絶縁膜14が形成されており、これを貫通してコンタクトプラグ15が形成され、第1層間絶縁膜14上には第1層配線16が形成されている。第1層間絶縁膜14上には第2層間絶縁膜17が形成されており、第2層間絶縁膜17上には、第2層間絶縁膜17に開けられた開口18を介して第1層配線16に接続された第2層配線19が形成されている。また、シリコン基板1の裏面は樹脂層7により被覆されている。そして、第2層間絶縁膜17、第1層間絶縁膜14、素子分離膜11、シリコン基板1、および樹脂層7を貫通して、ビアホール2が形成されている。ビアホール2の内壁には、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜3と、バリアメタル層を兼ねる密着層4が形成されている。ビアホール2の内部は充填金属6により満たされており、密着層4および充填金属6により貫通電極10が構成されている。貫通電極10の表面側端面10bは、第2層配線19に接続されている。貫通電極10の、シリコン基板1の裏面から突出した突起部10aは、この半導体装置200を他の半導体装置と積層する際のバンプ電極として用いられる。
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図5A〜5Fは、図4Aに示されている第2の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する、工程順の断面図である。
(半導体装置)
図6は、本発明の半導体装置の第3の実施形態を示す断面図である。本実施形態の半導体装置300が、図4Aに示されている第2の実施形態の半導体装置200と相違する点は、第1層配線16の一部が貫通電極10に接続されていることと、第2層配線19が形成されていないことと、絶縁膜3がシリコン基板1と樹脂層7の側面のみに形成されている点である。その他の構成については、図4Aに示されている半導体装置200と同じであるので、詳細な説明は省略する。
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図7A〜7Cは、図6に示されている第3の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する、工程順の断面図である。
(積層型半導体集積回路およびその製造方法)
図8Dは、本発明の第4の実施形態の積層型半導体集積回路を示す断面図である。図8A〜8Cは、この積層型半導体集積回路の製造方法を工程順に示す断面図である。
(積層型半導体集積回路)
図9は、本発明の第5の実施形態の積層型半導体集積回路を示す断面図である。本実施形態の積層型半導体集積回路1000は、前記した本発明の第2の実施形態の半導体装置200(図4A参照)が3つ重ねられ、その上に半導体集積回路600が積層されたものである。半導体集積回路600は、集積回路および配線が形成された基体601と、基体601上に形成されたパッド602と、パッド602上に形成されたバンプ603を有するものである。
(積層型半導体集積回路)
図10は、本発明の第6の実施形態の積層型半導体集積回路を示す断面図である。本実施形態の積層型半導体集積回路1000は、半導体集積回路700は、集積回路および配線が形成された基体701と、基体701上に形成されたパッド702と、パッド702上に形成されたバンプ703を有するものである。
Claims (26)
- 第1主面と、該第1主面と平行な第2主面と、前記第1主面上に形成された絶縁膜とを有する半導体基板と、
前記半導体基板および前記絶縁膜を貫通して形成されたビアホール内に埋め込まれた貫通電極と、
前記第2主面から突出している突起電極と、
前記第2主面上に合成樹脂により形成され、前記突起電極の周囲を囲んでいる第2主面樹脂層と
を有する半導体装置。 - 前記突起電極は、前記貫通電極の延長部として該貫通電極と一体的に形成されている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記突起電極の上面は、前記第2主面樹脂層の上面と同一面内に位置している、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第2主面樹脂層は熱可塑性樹脂により形成されている、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第2主面樹脂層は熱硬化性樹脂により形成されている、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、または変性ポリイミド樹脂のいずれかである、請求項5に記載の半導体装置。
- 第1主面と、該第1主面と平行な第2主面と、前記第1主面上に形成された絶縁膜とを有する半導体基板と、
前記半導体基板および前記絶縁膜を貫通して形成されたビアホール内に埋め込まれており、一部が前記第2主面から突出している貫通電極と
を有する半導体装置。 - 前記絶縁膜の内部および/または前記絶縁膜の表面上に配線が形成されている、請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板の前記第1主面側には、前記配線に接続された半導体素子が形成されている、請求項8に記載の半導体装置。
- 前記配線は前記貫通電極に接続されている、請求項8または9に記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜は、合成樹脂により形成された第1主面樹脂層を含んでいる、請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記貫通電極の前記第1主面側の端面には接着金属層が形成されている、請求項1から11のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記接着金属層は半田または金により形成されている、請求項12に記載の半導体装置。
- 請求項1から13のいずれか1項に記載の半導体装置と、
前記半導体装置の前記第2主面側に積層されている、他の種類の半導体装置と
を有する積層型半導体集積回路。 - 請求項1から13のいずれか1項に記載の半導体装置と、
前記半導体装置の前記第1主面側および前記第2主面側にそれぞれ積層されている、他の種類の複数の半導体装置と
を有する積層型半導体集積回路。 - 互いに積層された複数の、請求項1から13のいずれか1項に記載の半導体装置を有し、
積層された前記複数の半導体装置のうち、最外層に位置する2つの半導体装置を除く中間層に位置する半導体装置は、前記第1主面が、隣接する前記半導体装置の前記第2主面と対向し、かつ前記第2主面が、隣接する前記半導体装置の前記第1主面と対向するように配置されている、積層型半導体集積回路。 - 積層された前記複数の半導体装置のうちの前記最外層に位置する2つの半導体装置のうちの一方または両方は、前記第1主面と前記第2主面のうち外側に位置する面上に、異なる種類の半導体装置が積層されている、請求項16に記載の積層型半導体集積回路。
- 前記半導体基板同士の間がアンダーフィルによって充填されている、請求項14から17のいずれか1項に記載の積層型半導体集積回路。
- 前記アンダーフィルは、前記第2主面の樹脂層または前記第1主面の樹脂層によって形成されている、請求項18に記載の積層型半導体集積回路。
- 半導体基板の第1主面側に所定の深さのビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内に金属を埋め込んで貫通電極を形成する工程と、
第2主面側から前記半導体基板をエッチングして、または研磨とエッチングを行って、前記貫通電極を前記半導体基板の第2主面から突出させる工程と、
前記貫通電極の、前記第2主面から突出した部分を覆うように、前記半導体基板の前記第2主面上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層と前記貫通電極を研磨して、前記貫通電極の表面と前記樹脂層の表面を平坦化する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の第1主面側に所定の深さのビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内に金属を埋め込んで貫通電極を形成する工程と、
第2主面側から前記半導体基板をエッチングして、または研磨とエッチングを行って、前記貫通電極を前記半導体基板の第2主面から突出させる工程と、
前記半導体基板の前記第2主面上に絶縁膜を形成する工程と、
前記貫通電極の前記第2主面から突出した部分を覆うように、前記半導体基板の前記第2主面上にもう1つの樹脂層をさらに形成する工程と、
前記両樹脂層と前記貫通電極を研磨して、前記貫通電極の表面と前記樹脂層の表面を平坦化する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板の前記第1主面側に前記ビアホールを形成する工程は、前記半導体基板の前記第1主面上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜にフォトリソグラフィ法により開口を形成する工程と、前記絶縁膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングする工程とを含んでいる、請求項20または21に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ビアホール内に金属を埋め込んで前記貫通電極を形成する工程は、前記密着層を含むめっき下地層を形成する工程と、電解めっきを行う工程と、前記半導体基板の表面上の電解めっき層と、前記密着層を含むめっき下地層とを除去する工程とを含み、
前記電解めっき層と、前記密着層を含むめっき下地層とを除去する際に、前記半導体基板の前記第1主面上に前記絶縁膜を残す、
請求項22に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ビアホール内に金属を埋め込んで前記貫通電極を形成する工程は、前記密着層を含むめっき下地層を形成する工程と、電解めっきを行う工程と、前記半導体基板の表面上の電解めっき層と、前記密着層を含むめっき下地層とを除去する工程とを含む、
請求項20または21に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記密着層を含むめっき下地層を形成する工程は気相法により行われる、請求項23または24に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記貫通電極の表面と前記樹脂層の表面を平坦化する工程が終了した後に、前記樹脂層を除去する、請求項20から25のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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