JPWO2006064592A1 - 極端紫外光・x線源用ターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ターゲットにレーザ光を照射したときに生成されるプラズマの密度は、ターゲットの初期密度に依存し、密度が高い場合には表面から遠方までプラズマが存在する(分布曲線18)のに対し、密度が低い場合には表面の近傍にしか存在しない(分布曲線19)。レーザ吸収領域11は、次式で規定されるプラズマのいわゆるカットオフ電子密度領域である。すなわち、レーザ光の波長λに対して
c/λ=[(e2ncr)/(ε0me)]1/2 …(1)
(ここで c, e,ε0, me, ncr はそれぞれ、光速、単位電荷量、真空の誘電率、電子質量、電子密度)となる。このカットオフ電子密度領域は、ターゲット初期密度が低いほど表面15に近い方(レーザ光照射側から見て下流領域)に移動する(矢印17)。一方、プラズマが極端紫外光を発光する条件は密度のみならず温度にも依存し、極端紫外光発光領域12は、ターゲット初期密度が低い場合にはそれが高い場合に比べてターゲット面に近い領域になる。レーザ吸収領域11を極端紫外光発光領域12に近づけるためには、ターゲットの密度を小さくすればよい。そこで、特許文献1では、ターゲット内の重金属の密度がその重金属の結晶密度の0.5%〜80%である低密度ターゲットを用いた。
上記課題を解決するために成された本発明に係る極端紫外光・X線源用ターゲットの第1の態様のものは、高分子物質から成るマトリックスに重金属を含有させたものであることを特徴とする。
第1の態様の極端紫外光・X線源用ターゲットの製造方法は、重金属及び高分子物質を溶媒に混合し、溶媒を蒸発させることを特徴とする。
a) 前記重金属又はそれを含む化合物を水性の溶媒に溶解させた重金属溶液と、油性の溶媒に樹脂を溶解させた樹脂溶液と、を作製する溶液作製工程と、
b) 外側管と内側管から成る二重管の先端を水性溶液から成る液滴分散媒中に浸漬し、外側管から前記樹脂溶液を、内側管から前記重金属溶液を、それぞれ所定の流量で流出させることにより、外側が樹脂溶液、内側が前記の量の重金属を有する重金属溶液から成る二層構造の液滴を前記液滴分散媒中に分散させる液滴作製工程と、
c) 液滴の外側の樹脂溶液中の油性溶媒成分を除去する工程と、
d) 所定の温度で乾燥させることにより重金属溶液中の前記水性溶媒を除去する工程と、
e)前記乾燥温度よりも高い所定の温度で加熱することにより前記樹脂を除去する工程と、
を含むことを特徴とする。
a) 前記重金属又はそれを含む化合物を溶媒に溶解させた重金属溶液を作製する溶液作製工程と、
b) 前記重金属溶液を所定の流量で流出させることにより前記の量の重金属を有する液滴を作製する液滴作製工程と、
c) 前記液滴中の溶媒を除去する工程と、
を含むことを特徴とする。
a) 前記重金属又はそれを含む化合物を溶媒に溶解させた重金属溶液を作製する溶液作製工程と、
b) 前記芯材を前記重金属溶液に浸漬し、該重金属溶液から取り出した後に芯材に付着した重金属溶液中の溶媒を除去する被覆形成工程と、
を含むことを特徴とする。
第1の態様のターゲットを用いた極端紫外光・X線発生装置は、
前記ターゲットを側面に巻き付けて保持する筒状のターゲットホルダと、
前記ターゲットホルダの側面にレーザ光を照射する照射装置と、
前記ターゲットホルダを筒の中心軸を中心として回転させる回転手段と、
前記ターゲットホルダと前記レーザ光の相対位置を該中心軸の軸方向に移動させる移動手段と、
を備えることを特徴とする。
前記ターゲットをを表面に載置して保持する筒状のターゲットホルダと、
前記ターゲットホルダの表面にレーザ光を照射する照射装置と、
前記ターゲットホルダを前記表面に垂直な中心軸を中心として回転させる回転手段と、
前記ターゲットホルダと前記レーザ光の相対位置を、前記表面に平行に移動させる移動手段と、
を備えることを特徴とする。
それらのいずれかのターゲットを所定の周期で1個ずつ所定の領域に供給する極端紫外光・X線源用ターゲット供給装置と、
前記所定領域への極端紫外光・X線源用ターゲットの供給に同期して、前記所定出力、前記所定時間のパルス幅及び前記所定周期を有するパルスレーザ光を該所定領域に照射するレーザ光源と、
を備えることを特徴とする。
12…極端紫外光発光領域
13…矢印
14…符号
15…表面
15…符号
17…矢印
18…分布曲線
19…分布曲線
21…塩化スズ-エタノール溶液
22…塩化スズ-エタノール水溶液
23…塩化スズ-エタノール水溶液とヒドロキシプロピルセルロースの混合液
24…基板
25、311、312…極端紫外光源用ターゲット
321…円筒形ターゲットホルダ
322…板状ターゲットホルダ
331、332…中心軸
34、74…パルスレーザ光
351、352…レーザ光の軌跡
41…中空重金属カプセル
41a…酸化スズ
41b…空洞
42…中実重金属ビーズ
43…芯材被覆ターゲット
43a…酸化スズ
43b…芯材
51…スズ溶液
52…ポリスチレンオイル
53…二重管
53a…内側管
53b…外側管
54…液滴分散媒
55…液滴
56…重金属溶液封入樹脂カプセル
56a…樹脂製カプセル
57…重金属ゲル封入樹脂カプセル
57a…酸化スズ
61…スズ溶液
62…管
63…塔
64…液滴
65…スズ溶液
71…第2の態様の極端紫外光源用ターゲット
72…空気銃
73…レーザ光源
75…極端紫外光
76…ターゲット供給源
771、772…電極
まず、第1の態様の極端紫外光・X線源用ターゲットの構成、製造方法及びこのターゲットを使用した極端紫外光・X線発生装置(それに付随した極端紫外光・X線発生方法)、並びにこの極端紫外光・X線源用ターゲットより得られる効果について説明する。
(1-1)構成
このターゲットは高分子物質がマトリックスとなる。その形状はバルク状であってもよいが、薄膜状であることが望ましい。これは、ターゲットとして使用できる範囲がその表面付近のみであることから薄膜状にすることにより使用効率が向上するためと、柔軟性が高いためである。
第1の態様のターゲットは、重金属及び高分子物質を溶媒に混合し、溶媒を蒸発させることにより製造することができる。溶媒には例えば、水、エタノール等のアルコール、あるいは水とアルコールの混合液等を用いることができる。重金属や高分子物質は、溶媒に溶解してもよいし、溶解せずに分散していてもよい。高分子物質が水酸基を有する場合には、重金属と溶媒物質からアルコキシドが生成してそのアルコキシドと高分子の水酸基が化学結合するように、溶媒にはエタノール等のアルコールを含むことが望ましい。
第1の態様のターゲットは高分子物質をマトリックスとするため、所望の形状に容易に変形することができる。そのため、例えば薄膜状にすれば、変形し難い従来のターゲットでは取り付けることが困難であった筒状のターゲットホルダであっても表面に巻き付けて容易に取り付けることができる。そこで極端紫外光・X線発生装置には、このようなターゲットホルダと、ターゲットホルダの側面にレーザ光を照射する照射装置と、筒の略中心を通る軸(中心軸)を中心としてターゲットホルダを回転させる回転手段を設け、更に、ターゲットホルダとレーザ光の相対位置を前記中心軸の軸方向に移動させる移動手段を設けるとよい。この装置を用いて、ターゲットを巻き付けた筒状ターゲットホルダを、中心軸を中心として回転させつつ中心軸に平行に移動させながらレーザ光をターゲットに照射すると、レーザ照射痕の軌跡は螺旋状になる。これにより、ターゲットの表面のほぼ全部を使用することができターゲットの使用効率が高くなると共に、レーザ光照射位置に常に新しい照射面を露出することができ1個のターゲットで連続して運転できる時間を長くすることができる。
(2-1)構成
第2の態様の極端紫外光・X線源用ターゲットでは、1個のターゲットは、レーザ光が所定の出力で所定の時間照射されることにより消費されるだけの量の重金属又は重金属化合物から成る。通常、極端紫外光源では極端紫外光源用ターゲットにパルスレーザ光を照射することにより極端紫外光を生成することから、1パルスのレーザ光の照射により消費されるように、出力とパルス幅(照射時間)に応じて重金属の量を定めるとよい。X線源の場合も同様である。
第2の態様の極端紫外光・X線源用ターゲットの製造方法として、第1〜第3の3つの方法について説明する。
(2-2-1)第1の製造方法
まず、水性の溶媒に、極端紫外光・X線源用ターゲットとなり得る重金属を溶解させ、この重金属を含む溶液(重金属溶液)を作製する。重金属溶液は、例えばその重金属の塩化物等を水性溶媒に溶解させることにより得ることができる。水性溶媒には、水、エタノールあるいはそれらの混合物等を用いることができる。また、フルオロベンゼン等の油性の溶媒に樹脂を溶解させて樹脂溶液を作製する。この油性溶媒には、フルオロベンゼンや、ベンゼンと1,2-ジクロロエタンの混合物等を用いることができる。樹脂にはポリスチレンやポリメチルメタクリレート誘導体等を用いることができる。
溶媒に、極端紫外光・X線源用ターゲットとなり得る重金属を溶解させ、重金属溶液を作製する。溶媒は水性、油性のいずれでもよい。この重金属溶液を管に流し、その先端から分散媒中や真空容器中等に射出させることにより、重金属溶液から成る液滴を生成する。その際、重金属溶液の濃度や流量を調節することにより、液滴中の重金属の量を、極端紫外光・X線源用ターゲットにレーザ光が所定の出力で所定の時間照射されることにより消費されるだけの量に調整する。次に、分散媒を加熱したり、真空容器内を真空引きして液滴を断熱膨張させること等により液滴をゲル化又は固化し、重金属溶液中の溶媒を除去する。これにより、中実重金属ビーズを得ることができる。
溶媒に、極端紫外光・X線源用ターゲットとなり得る重金属を溶解させ、重金属溶液を作製する。溶媒は水性、油性のいずれでもよい。芯材をこの重金属溶液に浸漬した後、取り出す。これにより、芯材の表面に重金属溶液が付着する。この芯材表面の重金属溶液を加熱するか常温で乾燥させることにより溶媒を除去する。これにより、芯材に重金属又は重金属化合物が被覆された極端紫外光・X線源用ターゲット(芯材被覆ターゲット)を得ることができる。
第2の態様のターゲットを用いた極端紫外光・X線発生装置は、パルスレーザ光を発振するレーザ光源と、このレーザ光源がパルスレーザ光を照射する領域に第2の態様のターゲットを所定の周期で1個ずつ供給するターゲット供給装置と、を備える。パルスレーザ光は極端紫外光源用ターゲットの供給に同期するように前記領域に照射する。また、1パルスのレーザ光の照射により1個のターゲットが消費されるように、パルスレーザ光の出力及びパルス幅並びにターゲットの重金属の質量を調整する。ターゲット供給装置には、例えば静電界でターゲットを加速させて前記レーザ光照射領域を通過させる静電界印加手段を用いることができる。また、ターゲットを1個ずつ、しかも連続的に供給することができるという点で、空気圧でターゲットを射出する空気銃をターゲット供給装置に用いることが望ましい。
本発明に係る極端紫外光源・X線源用ターゲットは、第1の態様、第2の態様のいずれのものについても、操作性(ハンドリング)が従来のターゲットよりも向上している。
第1の態様のターゲットは高分子物質をマトリックスとするため、容易に変形することができる。そのため、例えば表面が曲面である筒状のターゲットホルダ等、変形し難いターゲットであれば取り付けることが困難なものにも容易に取り付けることができる。第1の態様のターゲットは筒状に変形したりテープ状に加工したりすることにより、光源の連続運転が可能になる。また、第2の態様のターゲットは、ターゲットの無駄が生じることなく、1回のレーザ光の照射で消費されるだけの量をレーザ光の照射領域に供給することができる点で操作性がよい。
更に、第1の態様のターゲットは重金属と高分子物質を溶媒に混合して乾燥させるだけで容易に製造することができるため、量産することが容易である。
(1-1)第1の態様の極端紫外光源用ターゲットの製造方法の実施例
まず、重金属としてSnを、高分子物質としてヒドロキシプロピルセルロース(hydroxypropyl cellulose, HPC)を含む極端紫外光源用ターゲットの製造方法について、図2を用いて説明する。
上記製造方法の実施例により得られたSnとHPCを含む極端紫外光源用ターゲットの厚さは約100μmである。このターゲットは図3に示すように透明で無色である。透明性が一様であれば、均質なターゲットが得られているといえる。更に、図4に示すように、1辺が20cmの大型のターゲットも得られた。このSnとHPCを含む極端紫外光源用ターゲットの可視領域から近赤外領域にかけての波長帯における透過率を図5に示す。測定した全波長帯においておおむね60%以上の透過率が得られた。
第1の態様の極端紫外光源用ターゲットの使用方法の一実施例を、図9を用いて説明する。薄膜状の極端紫外光源用ターゲット311を円筒形のターゲットホルダ321に巻き付けて保持する(a)。ターゲットホルダ321には例えばアルミニウム製のものを用いることができる。ターゲット311にパルスレーザ光34を繰り返し照射することにより極端紫外光を発生させる。その際、ターゲットホルダ321の中心軸331を中心としてターゲットホルダ321を回転させつつ、ターゲットホルダ321又は/及びパルスレーザ光34を中心軸331方向に移動させる。これにより、パルスレーザ光34はターゲット311の表面に螺旋状の軌跡351を描くように照射される(b)。この結果、ターゲット311はその全体を無駄なく使用することができる。
図11(a)では、予め薄膜状の極端紫外光源用ターゲット311を巻き付けた円筒形のターゲットホルダ321を多数用意し、それらターゲットホルダ321のうちの1つをレーザ光34の照射位置に移送して極端紫外光源用ターゲット311を前述のように使用する。その使用後の極端紫外光源用ターゲット311’をターゲットホルダ321’ごとレーザ光34の照射位置外に移送し、上記多数用意されたターゲットホルダ321のうちの1つをレーザ光34の照射位置に移送する。この動作を繰り返すことにより、極端紫外光源を連続使用することができる。
図11(b)では、薄膜状の極端紫外光源用ターゲット312を多数用意し、それら極端紫外光源用ターゲット312のうちの1つをターゲットホルダ322の表面に移送して載置する。ターゲットホルダ322の表面にレーザ光34を照射し、極端紫外光源用ターゲット312を前述のように使用する。その使用後の極端紫外光源用ターゲット312’をターゲットホルダ322から取り外して除去した後、上記多数用意された極端紫外光源用ターゲット312のうちの1つをターゲットホルダ322の表面にに移送して載置する。この動作を繰り返すことにより、(a)と同様に極端紫外光源を連続使用することができる。
(2-1)第2の態様の極端紫外光源用ターゲットの構成の例
図12の(a)に中空重金属カプセル41の、(b)に中実重金属ビーズ42の、(c)に芯材被覆ターゲット43の、例をそれぞれ示す。これらのターゲットの形状はいずれもほぼ球形である。中空重金属カプセル41は殻状の酸化スズ41aの中心に空洞41bが形成されたものである。中実重金属ビーズ42は酸化スズが中実の球形に成形されたものである。芯材被覆ターゲット43は、ポリスチレンから成る球形の芯材43bの表面に酸化スズ43aを付着させたものである。
中空重金属カプセル41及び中実重金属ビーズ42の極端紫外光源用ターゲットの製造方法の一実施例を、図13及び図14を用いて説明する。ここではまず、図13を用いて中空重金属カプセル41の製造方法を説明し、次に図14を用いて中実重金属ビーズ42の製造方法について中空重金属カプセル41の製造方法との相違点を中心に説明する。
エタノール水溶液に塩化スズを溶解させ、スズ溶液61を作製する(a)。次に、スズ溶液61を冷却しながら管62の先端から、内部を真空にした塔63内に流出させることにより、スズ溶液から成る液滴64を形成する(b)。液滴64は真空中に流出した直後、塔63の底に達するまでの間に凍結する。凍結した液滴64は、そのまま塔63の底、即ち真空中に置くことにより内部の溶媒が昇華して凍結乾燥する。これにより中実重金属ビーズ42が得られる。
エタノール水溶液に塩化スズを溶解させ、スズ溶液65を作製する(a)。次に、スズ溶液中にポリスチレンから成る芯材43bを浸漬させる(b)。芯材43bをスズ溶液65から取り出し、芯材43bに付着したスズ溶液65’中のエタノールを蒸発させる(c)ことにより、芯材被覆ターゲット43が得られる。
図18に、第2の態様の極端紫外光源用ターゲットの使用方法の実施例を示す。図18(a)に示した使用方法では、中空重金属カプセル、中実重金属ビーズ、芯材被覆ターゲットのいずれかから成るターゲット71を空気銃72から射出し、レーザ光源73からパルスレーザ光74を照射する。その際、パルスレーザ光74のパルス周期に合わせて空気銃72からターゲット71を周期的に射出する。これにより極端紫外光75をこのパルス周期と同じ周期で繰り返し発生させることができる。
図18(b)に示した使用方法では、ターゲット71を帯電させたターゲット71’を用いる。2枚の電極771、772間に静電界を印加し、この電極間に、ターゲット供給源76からターゲット71’を供給する。ここで、ターゲット供給源76から電極771、772間へのターゲット71’の供給は、ターゲット71’を落下させることや空気銃で射出すること等により行うことができる。ターゲット71’は電極771、772間で加速されてパルスレーザ光74の照射位置まで移動し、パルスレーザ光74が照射されることにより極端紫外光75を発光する。この方法においても、パルスレーザ光74のパルス周期に合わせてターゲット供給源76からを供給することにより、これにより極端紫外光75をこのパルス周期と同じ周期で繰り返し発生させることができる。
Claims (31)
- 高分子物質から成るマトリックスに重金属を含有させたものであることを特徴とする極端紫外光・X線源用ターゲット。
- 形状が薄膜状であることを特徴とする請求項1に記載の極端紫外・X線源用ターゲット。
- 前記マトリックスが水酸基を有する高分子物質を1種又は2種以上含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の極端紫外光・X線源用ターゲット。
- 前記水酸基を有する高分子物質がヒドロキシプロピルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノールのいずれかであることを特徴とする請求項3に記載の極端紫外光・X線源用ターゲット。
- 1個につき、レーザ光が所定の出力で所定の時間照射されることにより消費されるだけの量の重金属を含むことを特徴とする極端紫外光・X線源用ターゲット。
- 前記の量の重金属又は前記の量の重金属を含む化合物を中空のカプセル状又は中実のビーズ状に成形したものであることを特徴とする請求項5に記載の極端紫外光・X線源用ターゲット。
- 前記の量の重金属又は前記の量の重金属を含む化合物を芯材に被覆させたものであることを特徴とする請求項5に記載の極端紫外光・X線源用ターゲット。
- 前記重金属の密度が該重金属の結晶密度の0.5%〜80%であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の極端紫外光・X線源用ターゲット。
- 前記重金属の密度が該重金属の結晶密度の0.5%〜30%であることを特徴とする請求項8に記載の極端紫外光・X線源用ターゲット。
- 前記重金属がGe、Zr、Mo、Ag、Sn、La、Gd、Wのいずれかであることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の極端紫外光源用ターゲット。
- 前記重金属がSnであることを特徴とする請求項10に記載の極端紫外光源用ターゲット。
- 前記重金属がCu、Moのいずれかであることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のX線源用ターゲット。
- 重金属及び高分子物質を溶媒に混合し、溶媒を蒸発させることを特徴とする極端紫外光・X線源用ターゲット製造方法。
- 前記重金属及び高分子物質を、最終生成物の重金属の密度が該重金属の結晶密度の0.5%〜80%になるように溶媒に混合することを特徴とする請求項13に記載の極端紫外光・X線源用ターゲット製造方法。
- 前記高分子物質が水酸基を有するものであり、前記溶媒がアルコールを含むものであることを特徴とする請求項13又は14に記載の極端紫外光・X線源用ターゲット製造方法。
- 溶媒を蒸発させた後に更に加熱して高分子物質の一部を除去することを特徴とする請求項13〜15のいずれかに記載の極端紫外光・X線源用ターゲット製造方法。
- 請求項6に記載の極端紫外光・X線源用ターゲットを製造する方法であって、
a) 前記重金属又はそれを含む化合物を水性の溶媒に溶解させた重金属溶液と、油性の溶媒に樹脂を溶解させた樹脂溶液と、を作製する溶液作製工程と、
b) 外側管と内側管から成る二重管の先端を水性溶液から成る液滴分散媒中に浸漬し、外側管から前記樹脂溶液を、内側管から前記重金属溶液を、それぞれ所定の流量で流出させることにより、外側が樹脂溶液、内側が前記の量の重金属を有する重金属溶液から成る二層構造の液滴を前記液滴分散媒中に分散させる液滴作製工程と、
c) 液滴の外側の樹脂溶液中の油性溶媒成分を除去する工程と、
d) 所定の温度で乾燥させることにより重金属溶液中の前記水性溶媒を除去する工程と、
e)前記乾燥温度よりも高い所定の温度で加熱することにより前記樹脂を除去する工程と、
を含むことを特徴とする極端紫外光・X線源用ターゲット製造方法。 - 前記樹脂溶液、重金属水溶液、及び液滴分散媒の比重を略一致させることを特徴とする請求項17に記載の極端紫外光・X線源用ターゲット製造方法。
- 請求項6に記載の極端紫外光・X線源用ターゲットを製造する方法であって、
a) 前記重金属又はそれを含む化合物を溶媒に溶解させた重金属溶液を作製する溶液作製工程と、
b) 前記重金属溶液を所定の流量で流出させることにより前記の量の重金属を有する液滴を作製する液滴作製工程と、
c) 前記液滴中の溶媒を除去する工程と、
を含むことを特徴とする極端紫外光・X線源用ターゲット製造方法。 - 前記溶媒を真空中で揮発させることにより除去することを特徴とする請求項19に記載の極端紫外光・X線源用ターゲット製造方法。
- 請求項7に記載の極端紫外光源・X線源用ターゲットを製造する方法であって、
a) 前記重金属又はそれを含む化合物を溶媒に溶解させた重金属溶液を作製する溶液作製工程と、
b) 前記芯材を前記重金属溶液に浸漬し、該重金属溶液から取り出した後に芯材に付着した重金属溶液中の溶媒を除去する被覆形成工程と、
を含むことを特徴とする極端紫外光・X線源用ターゲット製造方法。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の極端紫外光・X線源用ターゲットを側面に巻き付けて保持する筒状のターゲットホルダと、
前記ターゲットホルダの側面にレーザ光を照射する照射装置と、
前記ターゲットホルダを筒の中心軸を中心として回転させる回転手段と、
前記ターゲットホルダと前記レーザ光の相対位置を該中心軸の軸方向に移動させる移動手段と、
を備えることを特徴とする極端紫外光・X線発生装置。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の極端紫外光・X線源用ターゲットを表面に載置して保持するターゲットホルダと、
前記ターゲットホルダの表面にレーザ光を照射する照射装置と、
前記ターゲットホルダを前記表面に垂直な中心軸を中心として回転させる回転手段と、
前記ターゲットホルダと前記レーザ光の相対位置を、前記表面に平行に移動させる移動手段と、
を備えることを特徴とする極端紫外光・X線発生装置。 - 使用前のターゲットを保持したターゲットホルダを前記レーザ光の照射位置に移送し、該ターゲットを使用した後に該ターゲットホルダを該照射位置の外に移送し、新たに使用前のターゲットを保持したターゲットホルダを該照射位置に移送するターゲット交換装置を有することを特徴とする請求項22又は23に記載の極端紫外光・X線発生装置。
- 使用前のターゲットを前記ターゲットホルダに取り付け、該ターゲットを使用した後に該ターゲットを該ターゲットホルダから取り外し、新たに使用前のターゲットを前記ターゲットホルダに取り付けるターゲット交換装置を有することを特徴とする請求項22又は23に記載の極端紫外光・X線発生装置。
- 請求項5〜8のいずれかに記載の極端紫外光・X線源用ターゲットを所定の周期で1個ずつ所定の領域に供給する極端紫外光・X線源用ターゲット供給装置と、
前記所定領域への極端紫外光・X線源用ターゲットの供給に同期して、前記所定出力、前記所定時間のパルス幅及び前記所定周期を有するパルスレーザ光を該所定領域に照射するレーザ光源と、
を備えることを特徴とする極端紫外光・X線発生装置。 - 前記極端紫外光・X線源用ターゲット供給装置が空気圧で極端紫外光・X線源用ターゲットを射出する空気銃であることを特徴とする請求項26に記載の極端紫外光・X線発生装置。
- 前記極端紫外光・X線源用ターゲット供給装置が静電界で極端紫外光・X線源用ターゲットを加速させて前記レーザ光照射領域に移動させる静電界印加手段であることを特徴とする請求項26に記載の極端紫外光・X線発生装置。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の極端紫外光・X線源用ターゲットを筒状のターゲットホルダに巻き付けて保持し、前記ターゲットホルダを筒の中心軸を中心として回転させつつ、前記ターゲットとレーザ光の相対位置を前記中心軸の軸方向に移動させながら前記レーザ光を前記ターゲットに照射することを特徴とする極端紫外光・X線発生方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の極端紫外光・X線源用ターゲットをターゲットホルダの表面に載置して保持し、前記ターゲットホルダを前記表面に垂直な中心軸を中心として回転させつつ、前記ターゲットホルダと前記レーザ光の相対位置を、前記表面に平行に移動させながら前記レーザ光を前記ターゲットに照射することを特徴とする極端紫外光・X線発生方法。
- 請求項5〜8のいずれかに記載の極端紫外光・X線源用ターゲットを所定の周期で1個ずつ供給し、
前記所定出力、前記所定時間のパルス幅及び前記所定周期を有するパルスレーザ光を、1個の極端紫外光・X線源用ターゲットが供給される毎に1パルスずつ照射する、
ことを特徴とする極端紫外光・X線発生方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004366732 | 2004-12-17 | ||
JP2004366732 | 2004-12-17 | ||
JP2005045005 | 2005-02-22 | ||
JP2005045005 | 2005-02-22 | ||
PCT/JP2005/015621 WO2006064592A1 (ja) | 2004-12-17 | 2005-08-29 | 極端紫外光・x線源用ターゲット及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006064592A1 true JPWO2006064592A1 (ja) | 2008-06-12 |
JP4565194B2 JP4565194B2 (ja) | 2010-10-20 |
Family
ID=36587655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006548695A Active JP4565194B2 (ja) | 2004-12-17 | 2005-08-29 | 極端紫外光・x線源用ターゲット及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7885387B2 (ja) |
JP (1) | JP4565194B2 (ja) |
WO (1) | WO2006064592A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007033701A1 (de) * | 2007-07-14 | 2009-01-22 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Reinigung von optischen Oberflächen in plasmabasierten Strahlungsquellen |
JP5234448B2 (ja) * | 2007-08-09 | 2013-07-10 | 国立大学法人東京工業大学 | 放射線源用ターゲット、その製造方法及び放射線発生装置 |
NL1036614A1 (nl) * | 2008-03-21 | 2009-09-22 | Asml Netherlands Bv | A target material, a source, an EUV lithographic apparatus and a device manufacturing method using the same. |
FR2939529A1 (fr) | 2008-12-04 | 2010-06-11 | Ecole Polytech | Dispositif optique de controle de l'orientation et de la position d'une surface en mouvement par mesure interferometrique et source secondaire generee par interaction laser-matiere comprenant un tel dispositif |
US8654344B2 (en) | 2008-12-04 | 2014-02-18 | Ecole Polytechnique | Device for generating a secondary source by laser-material interaction comprising an optical device for controlling the orientation and the position of a surface in movement |
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-
2005
- 2005-08-29 WO PCT/JP2005/015621 patent/WO2006064592A1/ja active Application Filing
- 2005-08-29 JP JP2006548695A patent/JP4565194B2/ja active Active
- 2005-08-29 US US11/792,923 patent/US7885387B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4565194B2 (ja) | 2010-10-20 |
US7885387B2 (en) | 2011-02-08 |
US20080157011A1 (en) | 2008-07-03 |
WO2006064592A1 (ja) | 2006-06-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |