WO2004100621A1 - レーザープラズマ発生方法及び装置 - Google Patents

レーザープラズマ発生方法及び装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2004100621A1
WO2004100621A1 PCT/JP2004/004031 JP2004004031W WO2004100621A1 WO 2004100621 A1 WO2004100621 A1 WO 2004100621A1 JP 2004004031 W JP2004004031 W JP 2004004031W WO 2004100621 A1 WO2004100621 A1 WO 2004100621A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
laser
plasma
plasma generation
generation method
fine particles
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/004031
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Toshihisa Tomie
Original Assignee
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology filed Critical National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
Priority to EP04723018A priority Critical patent/EP1615482B1/en
Priority to US10/550,413 priority patent/US7576343B2/en
Publication of WO2004100621A1 publication Critical patent/WO2004100621A1/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/005X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component

Definitions

  • the present invention relates to a laser plasma generation method and apparatus for generating radiation from plasma obtained by irradiating a material with a laser.
  • An object of the present invention is to provide a method capable of continuously supplying an element existing as a solid at room temperature as a material for laser plasma for a long time and a radiation light source using the same.
  • High-temperature, high-density plasma generated by irradiating a short pulse laser is a high-intensity light source that generates radiation from the EUV region to the X-ray region.
  • the emitted spectrum differs greatly depending on the laser irradiation conditions and the types of elements that make up the plasma, and it is necessary to optimize the materials to be plasma and the laser irradiation conditions depending on the application.
  • EUVL extreme ultraviolet light
  • EUVL extreme ultraviolet light
  • the multilayer reflector used in EUVL is Mo / Si, and its reflection spectrum has a peak wavelength of 13 nm to 14 nm and a bandwidth of 2-3%, so the light source also needs a spectrum suitable for it. It is.
  • Non-Patent Document 1 When plasma is used as a light source with a bandwidth of several percent, it is best to use the 4d-4f band emission in the early 1970s by Sugar (see Non-Patent Document 1) and in the 1980s It was revealed by a study of Sugar and 0, Sullivan.
  • the peak wavelength of the 4d-4f band emission is determined by the atomic number of the element, and it is clear that tin having an atomic number of 50 has a peak at 13 nm (see Non-Patent Document 2). Therefore, it is well known that tin may be the best light source for EUVL, which requires 13 light sources.
  • Non-Patent Document 3 Xe, which is a gas at room temperature, is used, it will not adhere even if it reaches the surface of the optical element, and there is an expectation that contamination will be minimal, and R & D has been conducted. In fact, no contamination due to the deposition of Xe has been observed.
  • Non-Patent Document 4 In the electron temperature is 30- 50 eV, diameter 500 ⁇ m before and after the electron density is required uniform and 10 2Q / cm 3 or more. In the case of tin, which is the best light source for 13nm, the ionization number is around 8, so the required mass is
  • Matsui et al. have proposed that tin particles, which are a solid material, are made into fine particles, mixed with Xe gas, and ejected, to increase the 13 mn light intensity.
  • this proposal has two problems. One is that particles are scattered during transport by gas and most are not supplied to the plasma generation area, but are scattered to the environment. When the plasma is generated, the pressure reaches 10,000 atmospheres, and the scattering of fine particles is amplified by blowing off the mixed Xe gas at that pressure. This pollutes the environment and damages surrounding materials. The other is that the diffusion of fine particles is large, the density of fine particles that can be supplied to the plasma generation region is low, and high-luminance plasma cannot be generated. In other words, in the method of ejecting Xe gas in which tin is mixed with fine particles, it is difficult to debris-free because the fine particles are scattered and dispersed, and the density of the fine particles that can be supplied is low.
  • Non-Patent Document 8 a liquid jet made by dissolving a copper nitrate solution in ethylene glycol is formed into droplets, and 1 kHz repetition of 5-20 keV X-rays has been realized. It is well known that tin is optimal for 13nm light generation, so it is easy to come up with a droplet using tin nitrate or tin sulfate solution.
  • Figure 1 shows the results of a numerical simulation calculation of the time variation of the density distribution when a solid plate is irradiated with a laser with a wavelength of 1 m using a one-dimensional fluid code.
  • the substance heated to a high temperature by absorbing the laser beam blows out into a vacuum, and as shown in Fig. 1, the solid gate is cut at a speed of the order of tens of nm / ns (abbreviation).
  • the size of the region near the EUV emission intensity strong 3x10- 3 g / cm 3 hardly changed. In other words, when the diameter of a solid sunset is several tens of meters or more, as shown in Fig.
  • the degree of vacuum in the light source chamber must be about 0.1 Pa or less in the case of oxygen.
  • the droplet diameter is 500 im and the solvent that occupies most of the mass is water, it is vaporized by laser irradiation and 5 liters of 0.1 Pa oxygen is produced.
  • the EUVL light source is required to operate at about 10 kHz, and this means that 50,000 litters of O.lPa nitrogen will be produced in 1 second, or 10,000 shots. Exhausting this is a considerable burden on the vacuum pump, and it is necessary to reduce the amount of gas to be exhausted to 1/50 or less. If possible, the amount of generated gas should be as small as 1/1000. That is, it is desirable that the diameter of the droplet is as follows.
  • the present inventor As a debris-free plasma, the present inventor has proposed a method of making the evening gate into a cavity structure (see Patent Document 2), and has reported the experimental result that it is actually debris-free.
  • the problem is that it is not easy to increase the conversion efficiency because it is not easy to increase the plasma density, and the cleaning is insufficient because the distance between the plasma and the solid is not easy to increase. is there.
  • Matsui proposed that tin be made into fine particles and mixed with Xe gas for jetting, but most of the fine particles conveyed were scattered in the chamber, extremely polluting the environment, and could be supplied to the plasma generation area. Plasma with high brightness due to low density of fine particles cannot be generated.
  • the present invention overcomes the problems of these conventional proposals, and supplies solid material to a place sufficiently separated from surrounding solids at a sufficiently high density without dispersing debris to the environment.
  • the purpose is to provide.
  • the laser plasma generation method and apparatus according to the present invention are obtained by irradiating a substance with a laser. Radiation is generated from the generated plasma.
  • This substance is a particle aggregate in which a large number of ultrafine particles are aggregated, and is characterized by using a material that aggregates by intermolecular force or electrification or vaporizes below the melting point of the ultrafine particles as an aggregating agent.
  • the laser-plasma generating method and apparatus of the present invention generate radiation from plasma obtained by irradiating a substance with a laser.
  • Ultra-fine particles are generated by irradiation of a solid or liquid target with a short pulse laser in a gas-flowing environment, and the ultra-fine particles are transported to the plasma generation area using the gas flow to supply the plasma-generating substance. It is characterized by doing. BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
  • FIG. 1 is a diagram showing a time change of a density profile when a spherical target having a diameter is irradiated with a laser beam.
  • FIG. 2 is a diagram showing a temporal change of a density profile when a spherical target having a diameter of 20 zm is irradiated with a laser.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating the formation of droplets of a solution containing ultrafine particles.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining that the solvent of the droplets is evaporated and the concentration of the fine particles is concentrated to produce a fine particle aggregate.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating generation of a large-diameter plasma.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating that the aggregate of fine particles is charged and its trajectory is controlled by an electromagnetic method.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating the formation of droplets of a solution containing ultrafine particles.
  • a solution containing tin fine particles 3 having a diameter of several tens of nil is jetted out of a nozzle 2 as a jet 4 having a diameter of 500 m to um from a nozzle 2.
  • a forced vibration having a frequency equal to or higher than the number of repetitions of light source generation is given to the nozzle 2, and the continuous jet 4 is divided into droplets 5.
  • the amplitude of vibration of the nozzle due to the vacuum pump and other factors is suppressed as much as possible, and the amplitude of forced vibration applied to the nozzle is sufficiently larger than the amplitude of vibration due to disturbance acting on the nozzle. I do.
  • the uniformity of the ultrafine particle concentration in the solution is increased by means such as adjusting the hydrogen ion index of the solution in the storage tank and stirring.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining that a solvent of droplets is evaporated to produce a fine particle aggregate having a high concentration of fine particles.
  • the droplets 5 are heated by the laser 16 to evaporate the solvent 7 in order to supply the particle aggregate 8 having the increased particle concentration to the plasma generation vacuum container 9.
  • the diameter of the fine particle aggregate 8 after high concentration is several tens of m.
  • the vacuum vessel 1 for generating droplets has a low vacuum exceeding several Pa due to a large amount of evaporation of the solvent.
  • the vacuum chamber 9 for plasma generation needs a degree of vacuum of O.lPa or less. For this reason, the two vacuum vessels are connected with a small-diameter aperture to provide a structure that allows sufficient differential pumping.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining increasing the uniformity of the density when generating a large-diameter plasma.
  • a laser 10 for splitting a particle aggregate 10 into a particle aggregate 8 having a diameter of several tens of Irradiate before the formation of plasma, as shown in Fig. 5, a laser 10 for splitting a particle aggregate 10 into a particle aggregate 8 having a diameter of several tens of Irradiate.
  • the irradiation of the fission laser 10 dissolves and coalesces the fine particles that make up the aggregate, so the meaning of the fine particle aggregate is lost, so the ultrashort pulse laser is used for the fission laser 10.
  • the particles that have absorbed the light of the ultrashort pulse laser expand in temperature and expand, and the center of gravity moves by ⁇ .
  • the irradiation energy density has an upper limit. It is acceptable that several layers of fine particles on the surface coalesce, as long as the whole fine particle aggregate does not form a lump.
  • the ultrafine particles 3 are diffused 11 into a region having a diameter of several hundreds / zrn in diameter.
  • a pulsed laser beam 12 is irradiated to generate a plasma EUV light source.
  • the plasma diameter should be about 500 ⁇ 111 and the plasma temperature should be 30-50eV. It is better to adjust the mass of the fine particle aggregate so that the electron density is l (P / cm 3) .
  • the pulse laser 12 has a wavelength of l ⁇ m, a pulse width of about 10 ns, and a pulse energy of several It is good to increase from 10 mJ to several hundred mJ.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating that the aggregate of fine particles is charged and its trajectory is controlled by an electromagnetic method.
  • the charged particles 14 are imparted to the particle aggregate 8 by an electron gun 13 or an ion gun and charged.
  • the trajectory is controlled by the electrode 15.
  • the occurrence time and speed of the particle aggregate 8 may slightly fluctuate.
  • the detector 17 detects the time at which the particle aggregate 8 crosses the beam path 16 of the CW laser for one monitor. Then, the pulse is supplied to a plasma control pulse laser control circuit 12 and synchronized.
  • the present invention provides a means for supplying a target material having a total weight similar to that of a single sphere having a diameter of several tens of zm as a group of a large number of ultrafine particles.
  • ultrafine particles with a diameter of 10 ZI1 or less are vaporized by laser irradiation for several nanoseconds without leaving solid density nuclei.
  • a plasma having a uniform density of several hundreds of m can be generated.
  • Diameter 10 PC haze 04031 An aggregate of 27 fine particles of zm may be aggregated.However, in order to increase the uniformity when diffusing the fine particles before plasma conversion, it is preferable that the number of fine particles to be aggregated is large. . When ultrafine particles with a diameter of 1 zm are agglomerated, 20,000 particles will be formed into one fine particle aggregate to equal the weight of a single sphere of diameter.
  • ultrafine particles To supply a mass equivalent to a single sphere with a diameter of 30 m in a group of ultrafine particles with a diameter of 0.1 / m, 3E7 ultrafine particles are required. Since ultrafine particles have a small mass and a low thermal kinetic velocity, the ultrafine particles have a diffusion angle that is not small. When flying over long distances, they scatter in a wide space.
  • the present invention provides means for aggregating ultrafine particles using an intermolecular force and an aggregating force due to charging or an aggregating agent.
  • a coagulant liquid nitrogen, water or an organic solvent, which becomes a gas or liquid at room temperature as a medium, does not create a new source of debris and pollutants.
  • the liquid When the liquid is ejected from the nozzle, it is a continuous jet immediately after ejection, but after a certain distance, it breaks up.
  • the distance at which droplet break-off begins depends on the nozzle diameter, jet velocity, and liquid viscosity. Droplet breakup in continuous jets is due to instability of the fluid, which usually has large fluctuations and cannot produce stable droplets.
  • the present invention provides means for imparting vibration to the ejected liquid in a liquid ejecting direction or an arbitrary direction by a nozzle or other means for stable droplet generation.
  • FIG. 3 shows an example in which the droplet generation is stabilized by the forced vibration.
  • the droplet diameter may be 500 zm. Not in translation.
  • the chamber is used to avoid EUV light absorption.
  • the diameter of the solvent droplet is desirably the following.
  • the density of the solute ultrafine particles must be sufficiently low for stable droplet generation. Therefore, the droplet diameter must be sufficiently large.
  • the diameter of the droplet is about twice the diameter of the liquid jet, and the ratio between the interval between successive droplets and the diameter of the droplet is about four times.
  • the ratio between the droplet interval and the droplet diameter cannot be arbitrarily large.
  • the present invention uses a solvent, as shown in FIG. 4, to generate a large droplet from the nozzle for stable generation of the droplet, and to sufficiently reduce the diameter of the aggregate of fine particles during generation of the plasma light source.
  • the present invention provides a means for increasing the concentration of ultrafine particles in a droplet by evaporating the droplet to reduce the droplet diameter.
  • the concentration is performed by evaporation or sublimation of the medium from the droplets, but the degree of concentration is controlled by controlling the temperature and flight distance of the droplets.
  • the temperature of the droplet can be controlled by heating the droplet with infrared rays, weak laser irradiation, or other heating means. Separate space is provided for concentration in order to prevent pressure increase in the plasma generation vacuum vessel.
  • the present invention provides means for charging the droplet by exposure to an electron shower or other methods and means for electrically controlling the movement of the charged droplet.
  • the present invention In order to increase the uniformity of the density of the generated plasma, it is effective to disperse the ultrafine particles in the aggregate in advance before irradiating the plasma generation pulse laser. As shown in FIG. 5, the present invention also provides a means for dispersing the ultrafine particles in the fine particle aggregate in a space of a required size.
  • the dropletizing solvent that acts as an aggregating agent in the fine particle aggregate is a fluid that is a gas or a liquid at room temperature
  • heating the flocculant of the fine particle aggregate with infrared or weak laser irradiation or other heating means causes the droplet medium to evaporate and diffuse
  • the ultrafine particles, which are solutes, also start dispersing. If necessary, the ultrafine particles themselves may be turned into weak plasma.
  • solute Since the solute is turned into plasma after being turned into plasma in the plasma generation space, it is desirable to use nitrogen, which has a small effect on the environment.
  • Liquid nitrogen is a suitable solute, but water that generates oxygen is also suitable.
  • an organic solvent containing carbon and other solvents may be used depending on various conditions such as easy dissolution of fine particles and easy formation of droplets. (Ultra-fine particle generation by evaporation)
  • the diameter of the ultrafine particles that are dissolved in a liquid to form droplets should be small enough to eliminate solid nuclei by laser irradiation for plasma generation.
  • the size varies depending on the laser and irradiation conditions, but is less than about 10 / m for a single pulse. In other words, if the diameter is about 10 ⁇ m, the density of the generated plasma will be uniform to some extent. In some cases, it may be desirable to reduce the thickness from about nm to several hundred nm.
  • ultrafine particles As a method for producing ultrafine particles having a diameter of several tens nm to several hundreds of nm, means for aggregating the vapor of the ultrafine particles material can be adopted.
  • the ultrafine particles can be mixed with the solvent, but it is also possible to send the vapor of the ultrafine particle material into the solvent and make it ultrafine in the solvent.
  • the ultrafine particles used in the present invention can be generated by thermal shock due to pulsed laser irradiation.
  • pulsed laser irradiation or other pulsed heating means can be used.
  • the thermal kinetic effect decreases, and when the distance to be conveyed is not so large, aggregation by droplet formation to suppress the diffusion of the fine particle group is not always necessary. . But not used environment In order to suppress the number of fine particles to be scattered, it is desirable that the supply of the fine particles be performed not continuously but in a pulsed manner.
  • the present invention provides a means for generating ultrafine particles having a diameter of about 0.1 m or more and about 1 m by utilizing the abrasion by a pulse laser, and conveying the group by airflow. I will provide a.
  • Irradiation of a solid flat plate with a pulsed laser has been observed to generate fine particles with a particle diameter of 0.2 ⁇ m as a peak.
  • the fine particles can be carried in the airflow, and can be guided through a thin tube to a vacuum region for plasma generation.
  • gases such as nitrogen gas, helium gas, and air can be used as the transfer gas.
  • a solid material is supplied at a sufficiently distant place from surrounding solids at a sufficiently high density without dispersing debris to the environment by supplying the target material in the form of a fine particle aggregate. be able to.
  • the present invention provides a high-repetition supply exceeding kHz by forming droplets of a solution in which ultrafine particles are dissolved, thereafter evaporating the solvent and concentrating the solution to form fine particle aggregates, and a plasma generation region.
  • the present invention can prevent deterioration of the degree of vacuum in the plasma generation vacuum container by evaporating the solvent of the droplets containing the ultrafine particles before introducing the particle aggregate into the plasma generation vacuum container. it can.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

 本発明は、周囲の固体から十分に離れた場所に、十分に高い密度で、デブリを環境にまき散らさないで、固体材料を供給する手法を提供する。本発明は、レーザーを物質に照射して得られるプラズマから輻射線を発生させる。この物質は、多数の超微粒子が凝集した粒子集合体であり、超微粒子の融点以下で気化する材料を凝集剤としている。微粒子濃度を高めた微粒子集合体8を、プラズマ発生用真空容器9に供給するために、レーザー6で液滴5を加熱し、溶媒7を蒸発させる。液滴を安定に生成するための大量の溶媒を予め蒸発させた上でプラズマ発生用真空容器9に供給することで、真空容器9の真空度の低下が抑制できる。高濃縮化後の微粒子集合体8の直径は数十μmになる。

Description

明細書 レ一ザ一ブラズマ発生方法及び装置 技術分野
本発明は、 レ一ザ一を物質に照射して得られるプラズマから輻射線を発生させ るレーザープラズマ発生方法及び装置に関する。 背景技術
本発明は、 室温で固体で存在する元素も、 長時間連続でレーザープラズマの材 料として供給できる方法およびそれを用いた輻射光源を提供することを目的とす る
短パルスレーザーを照射して生成される高温高密度プラズマは EUV領域から X 線領域に亘る輻射を発生する高輝度光源である。 輻射されるスペクトルは、 レー ザ一照射条件とプラズマを構成する元素の種類で大きく異なり、 用途によってプ ラズマ化する材料及びレーザー照射条件の最適化が必要である。
例えば、 45nm世代以降のリソグラフィ一技術として、 波長 13nmの極端紫外光 (EUV)を用いる EUVリソグラフィ一(EUVL)が最有望視され、 その光源としては、 プ ラズマ光源しかない。 EUVLで用いられる多層膜反射鏡は Mo/Siであり、その反射ス ぺクトルはピーク波長が 13nmから 14nmであり、 バンド幅は 2-3%であるので、 光源 も、 それに適したスペクトルが必要である。
プラズマを数%のバンド幅の光源として用いる場合には、 4d-4fバンド発光を利 用するのが最適であることは、 1970年代初めに Sugar (非特許文献 1参照)が始め、 1980年代に行われた Sugar と 0, Sullivanの研究によって明らかにされている。 4d- 4fバンド発光のピーク波長は元素の原子番号で決まっており、 13nmにピークを 持つのが原子番号が 50である錫であることも明らかになつている (非特許文献 2 参照)。従って、 13皿光が必要な EUVL用の光源として、錫を用いるのが最適であろ うことは周知である。
ところが、 欧米で行われている EUVL用光源の開発では、 もっぱら Xeが用いられ てきた。 原子番号が 54である Xeプラズマの場合は、 4d- 4fバンド発光のピークは llnmにあり、 13nmでの発光強度はそれほど強くないにも係わらず、 Xeが用いられ ている理由は、 リソグラフィ一に於いては、 プラズマ光源からの EUV光を捕集する 集光鏡の寿命は 1年以上、 ショット数にして 1012ショット程度以上、 が要求され るので、 プラズマ光源には超クリーン性が求められるからである。 固体平板にプ ラズマを生成する場合には、夥しい量のデブリと称される zm程度の微粒子が発生 し、 周辺の光学素子の汚染が甚だしいことが周知である。 90年代半ばに、 ガスフ ローや夕ーゲットのテ一プ化などの幾つかのデブリ低減手段が試みられたが、
EUVL用光源にはなり得ないと判断された (非特許文献 3参照)。一方、 室温で気体 である Xeを用いれば、 光学素子の表面に達しても付着せず、 汚染が軽微に止まる だろうとの期待があり、 研究開発が行われてきた。 実際に、 Xeの付着による汚染 は観測されていない。
このように、 Xeプラズマの技術がもっぱら開発されてきたが、 ここに来て、 錫 を使わざるを得ない状況が出てきた。 それは、 必要とされる EUVパワーが、 数年前 は数 Wであつたが、種々の理由で、現在は 100Wに大きく引き上げられたからである。 投入するレーザーエネルギーと得られる 13nm光のエネルギーの比である変換効率 が低い Xeを用いると、 大きなパヮ一を得るためには、 相当のパワーの励起レーザ
—が必要になり、 コストが膨大化する問題がある。 さらに、 プラズマ光源を発生 させる真空空間の冷却が技術的ネックになりつつある。
変換効率の向上を期待して錫を用いようとしても、 デブリ問題が解決できなけ れば、 リソグラフィ一用光源にはなり得ない。 10年弱前に一旦、 デブリ問題は解 決不能であると判断された訳であるから、 新発想が必要である。
(必要な質量)
先ず、 供給すべき質量を知っておく必要がある。 EUVL用光源としてのプラズマ に関しては、 本発明者が詳細な理論的考察を行っている (非特許文献 4参照) 。 それに依れば、 電子温度が 30- 50eVで、 直径は 500 ^ m前後、 電子密度は一様で 102Q/cm3以上が必要である。 13nm用光源として最適な錫の場合、 電離数は 8前後で あるので、 必要な質量は
1χ1020χ( 1/8 )χ100χ( 1/2) /203χ1/(6χ1023 )= 1 · 2χ10—7 g 、 つまり、 0. 1〃g程度にな り、 比重 7の固体密度では、 直径 の球と同程度である。
このことから、 一様な電子密度 lt /cm3で直径が数百〃 mのプラズマを生成する ために、直径数十 mの単一球と同程度の総重量を有する夕一ゲット材料を供給す ることが必要である。
(Xeガスへの混合)
固体材料である錫を微粒子にして Xeガスに混合させて噴出させれば、 13mn光強 度が增大するだろうとの提案が Matsuiら (特許文献 1参照) によって行われた。 しかし、 この提案には、 二つの問題がある。 一つは、 微粒子はガスで搬送中に拡 散し大半がブラズマ生成領域に供給されず、 環境にまき散らされることである。 プラズマが生成されると、 その圧力は 10,000気圧にも達し、 その圧力で微粒子混 合 Xeガス吹き飛ばされることでも、 微粒子の撒き散らしが増幅される。 これによ り環境が汚染され、 また周辺物質が破損される。 もう一つは、 微粒子の拡散が大 きく、 プラズマ発生領域に供給できる微粒子の密度が低くなり、 輝度の高いブラ ズマが生成できないことである。 つまり、 錫を微粒子を混合した Xeガスを噴出さ せる方法では、 微粒子撒き散らしのためデブリフリー化が困難で、 しかも、 供給 できる微粒子密度が低いので、 13皿光強度の増大効果は大きくない。
(液滴)
液滴を利用することも考えられた。 噴出材料が気体だと、 粒子間の衝突で直ぐ に拡散してしまって、 吹き出し口近傍でしか大きな密度が得られないので、 Xeジ ェヅ卜の場合も、 断熱膨張冷却の利用あるいは液化 Xeを噴出させるなどの改良が 進められてきた。 しかし、 噴出物を液体に変えても、 流体の不安定性の成長によ り、吹き出し口からの距離が大きくなると多数の液滴に分裂し、 1cm以上の長い距 離に亘つての連続ジエツトの形成は困難である。 雑音が成長して多数の液滴に分 裂すると、 その分裂はランダムであり、 制御不能になるが、 強制振動を与えて強 制的に一つの液滴にする手法がある。 一旦液滴化すれば、 後は安定して飛行する ので、 安定なターゲット材料供給が可能になる。 プラズマ生成用に液滴を用いる 試みは古く 1973年から行われている。 1960年代からレーザ一核融合用の夕ーゲヅ ト供給として、 固体ペレツトで夕ーゲット供給をすることが検討されていたが、 その代替手段として、 Schwennと Sigel (非特許文献 5参照)が、 液体ジヱヅトを生 成する実験を報告している。従って、デブリを減らすために液滴を用いることは、 レーザ一プラズマの専門家であれば思いつくことである。 1990年代半ばには、 Herz ら (例えば、 非特許文献 6参照) が液滴をターゲットとする X線発生の実験を行 つている。
X線の波長は元素によって大きく異なり、 3.37nmを発生させるには炭素を用い、 2.2nmの発生には酸素を用いることは専門家の常識であるので、必要な波長によつ て、 液滴の材料として、 酸素を主成分とする水を用いたり、 炭素を含むアルコー ルを用いることになる。 電子密度、 プラズマ温度の評価を目的に、 LiClあるいは NaClを含む水液滴をプラズマ化する実験が、 Eickmansら (非特許文献 7参照) に よって報告されており、 X線源として Na, Mgなどが必要な場合に、 それらの元素 を含む化合物が溶液に含有させることが可能であれば、 それを液滴化することも 容易に思いつくことである。 実際、 X線発生に適した Cuを用いるために、 ェチレ ングリコールに硝酸銅溶液を溶かした液体ジヱッ トの液滴化が行われ、 5- 20keV X線の 1kHz繰り返し発生が実現されている (非特許文献 8参照)。 13nm用光発生に は錫が最適であることは周知であるので、 硝酸錫、 硫酸錫溶液を用いた液滴を夕 —ゲットとすることも、 容易に思いつくことである。
しかし、 錫を含む溶液を単純に液滴化することには、 二つの問題がある。 一つ は、均一プラズマの生成ができないこと。二つ目に、高真空化が容易でないこと。 である。 単一の微粒子をターゲットにしても、 大きな直径の均一なプラズマは生 成されない。
第 1図に、波長 1 mのレーザーを固体平板に照射した場合の密度分布の時間変 化を、 一次元流体コードで数値シミュレーション計算した結果を示す。 レーザ一 を吸収して高温化された物質が真空中に吹き出し、 第 1図に見られるように、 数 十 nm/nsのオーダーの速度で固体夕ーゲヅトは削られる (アブレ一シヨン) が、 第 2図に見られるように、 EUV発光強度の強い 3x10— 3 g/cm3の近傍の領域の大きさは 殆ど変わっていない。つまり、 固体夕ーゲッ卜の直径が数十 m以上の場合、第 1 図に見られるように、 夕ーゲット表面が削られ照射時間とともに夕ーゲットは細 つていくが、固体密度の領域は常に存在し、一様な密度のプラズマは生成されず、 発光強度の高い臨界密度近傍の密度のプラズマの領域は広がらず、 3xl0_3 g/cm3 の近傍の発光領域は、 第 2図に見られるように殆ど初期径のままである。
すると、 直径 500 mの高輝度の光源を生成しょうとすると、 直径 500 ^mの液滴 が必要になる。 プラズマとして利用するのは表面の 1 m程度でしかないので、 百 倍も余分な物質を光源チェンバー内に放出することになる。 これは、 汚染物質を 増大させることであり、 望ましくない。 周囲の光学系を汚染するだけではなく、 EUV光の減衰も引き起こす。
EUV光の透過率を 90%以上にするには、 光源チェンバ一内の真空度は、 酸素の場 合、 0.1 Pa程度以下が必要である。 液滴直径が 500 imの時、 その大半の質量を占 める溶媒が水であれば、 レーザ一照射で気化されて、 0.1 Paの酸素が 5 リヅトル 作られる。 EUVL光源は 10kHz程度で運転することが求められるが、 すると、 O.lPa の窒素が 1秒、 つまり 10, 000ショットで、 50,000 リヅトル作られることになる。 これを排気するのは真空ポンプにとってかなりの負担であり、 排気すべき気体量 を 1/50以下に減らすことが必要である。できれば、発生気体量が 1/1, 000程度に少 ないことが望ましい。 つまり、 液滴の直径は 以下であることが望ましい。
【特許文献 1】
米国特許第 5,991,360号明細書
【特許文献 2】
特許第 2897005号公報
【非特許文献 1】
Sugar, Phys. Rev. B5 (1972)1785
【非特許文献 2】
G. 0, Sullivanand and P.K.Carrol, J.Opt.Soc.Am. 71 (1981) 227
【非特許文献 3】
H. A. Bender, D. 0, Connnel, W.T.Silfvast, Appl.0pt.34 (1995 ) 6513
【非特許文献 4】
富江: "EUVリソグラフィ一用プラズマ光源に関する技術的考察"、 産総研技術報 告 AIST01— A00007, (2002年 1月)
【非特許文献 5】
Schwennと Sigel,J.Phys. E: Sci. Instrum. 7 (1974) 715 JP2004/004031
【非特許文献 6】
Herz et al ., Opt. Commun. 103 (1993) 105
【非特許文献 7】
Eickmans et alつ Appl . Opt. 26 ( 1987) 3721
〖非特許文献 8】
R. J. Tomkins et al . , Rev. Sci. Insturum. 69 ( 1998) 3113 発明の開示
上に述べたように、プラズマから発光する EUV光の変換効率を大きくするために、 プラズマ生成の材料には、 波長毎に最適な材料を利用する必要がある。 それが室 温で固体である場合には、 デブリが発生しない方法で夕一ゲット材料を供給する 必要があり、 これまで幾つかの提案があるが、 それぞれ問題点があり、 解にはな らない。
デブリフリーなプラズマとして、 本発明者は、 夕一ゲヅトをキヤビティ構造に する方式を提案し ' (特許文献 2参照) 、 実際にデブリフリーになると言う実験結 果を報告しているが、 得られるプラズマ密度を高くするのが容易でないために変 換効率を高くするのが容易でないことと、 プラズマと固体の距離を大きくするの が容易でないためにクリ一ン化が不十分であるという問題がある。
錫を微粒子にして Xeガスに混合させて噴出させる提案が Matsuiによって行われ たが、 搬送される微粒子の大半がチェンバー内にまき散らされ環境を極度に汚染 する上に、 プラズマ発生領域に供給できる微粒子の密度が低くて輝度の高いブラ ズマが生成できない。
必要な元素を含む物質を溶解した溶液を液滴化する方式の提案については、 均 一プラズマの生成ができない、 必要な元素の密度を高くするのが容易でない、 光 源チェンバー内の高真空化が容易でない、 という問題がある。
本発明は、 これらの従来の提案の問題点を克服して、 周囲の固体から十分に離 れた場所に、 十分に高い密度で、 デブリを環境にまき散らさないで、 固体材料を 供給する手法を提供することを目的とする。
本発明のレーザープラズマ発生方法及び装置は、 レーザーを物質に照射して得 られるプラズマから輻射線を発生させる。 この物質は、 多数の超微粒子が凝集し た粒子集合体であり、 分子間力や帯電による凝集あるいは超微粒子の融点以下で 気化する材料を凝集剤とすることを特徴としている。
また、 本発明のレーザ一プラズマ発生方法及び装置は、 レーザーを物質に照射 して得られるプラズマから輻射線を発生させる。 固体あるいは液体ターゲッ トの 短パルスレ一ザ一照射による超微粒子の発生を、 気体の流れる環境で行い、 気体 流を利用して超微粒子群をプラズマ発生領域へ搬送して、 プラズマ生成用物質を 供給することを特徴としている。 図面の簡単な説明
第 1図は、 直径 の球夕ーゲットがレ一ザ一照射されたときの密度プロファ ィルの時間変化を示す図である。
第 2図は、直径 20 zmの球ターゲットがレ一ザ一照射されたときの密度プロファ ィルの時間変化を示す図である。
第 3図は、 超微粒子を含む溶液の液滴化を説明する図である。
第 4図は、 液滴の溶媒を蒸発させ、 微粒子濃度を濃縮し、 微粒子集合体を生成 することを説明する図である。
第 5図は、 大きな径のプラズマ生成を説明する図である。
第 6図は、 微粒子集合体を帯電させ、 電磁気的手法で、 その軌跡を制御するこ とを説明する図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 例示に基づき、 本発明を説明する。 但し、 ここで説明する溶媒、 溶質、 液滴生成条件、 濃縮方法その他全て一例に過ぎず、 専門家なら思いつく全てのバ リエ一シヨンの採用が可能である。
第 3図は、超微粒子を含む溶液の液滴化を説明する図である。図示したように、 液滴生成用真空容器に、 ノズル 2から、直径数十 nilの錫微粒子 3を含む溶液を 500 mから umの直径のジヱヅト 4として噴出させる。 その際、 光源発生の繰り返し 数以上の振動数の強制振動をノズル 2に与え、 連続ジエツト 4を液滴 5に分裂さ せる。 液滴化の安定度を高くするために、 真空ポンプその他の要因によるノズル の振動の振幅を極力抑制し、 ノズルに与える強制振動の振幅は、 ノズルに働く外 乱による振動の振幅より十分に大きくする。 液滴中に含まれる超微粒子数の安定 度を高めるため、 貯蔵夕ンク内の溶液の水素イオン指数の調整ゃ攙拌するなどの 手段で、 溶液中の超微粒子濃度の均一性を高める。
第 4図は、 液滴の溶媒を蒸発させ、 微粒子濃度を濃縮した微粒子集合体を生成 することについて説明する図である。 微粒子濃度を高めた微粒子集合体 8を、 プ ラズマ発生用真空容器 9に供給するために、 第 4図に示すように、 レーザ一 6で 液滴 5を加熱し、 溶媒 7を蒸発させる。 液滴を安定に生成するための大量の溶媒 を予め蒸発させた上でプラズマ発生用真空容器 9に供給することで、 真空容器 9 の真空度の低下が抑制できる。高濃縮化後の微粒子集合体 8の直径は数十 ^mにな る。 凝集剤としての溶媒を、 ほぼ蒸発させることで、 真空容器 9の排気ポンプの 負担を小さくできる。 微粒子集合体 8は、 溶媒が完全に蒸発した後も、 分子間力 及び帯電による凝集力で凝集させられる。
液滴発生用真空容器 1は、溶媒の大量の蒸発により数 Paを越える低真空になる。 一方、 プラズマ発生用真空容器 9では、 O . lPa以下の真空度が必要である。 このた め、 両真空容器間は微小径のアパーチャ一で結合して、 十分な差動排気が行える 構造にする。
第 5図は、 大きな径のプラズマ生成の際、 密度の一様性を上げることについて 説明する図である。 一様な密度のプラズマ生成の支援のために、 プラズマ化の前 に、第 5図に示すように、数十/ zm径になっている微粒子集合体 8に微粒子集合体 分裂用レーザ一 10を照射する。 分裂用レ一ザ一 10の照射により、 集合体を構成す る微粒子が溶解して合体すると、 微粒子集合体にした意味がなくなるので、 分裂 用レーザ一 10には、 極短パルスレ一ザ一を用いるのがよい。 極短パルスレーザ一 光を吸収した微粒子は、 温度が上昇し膨張し、 重心が ίだけ移動する。 短い時間 ί で重心移動がなされると、 大きな加速度"が発生することになり、 凝集体に力 が加わることになる。微粒子の質量を と置けば、 F二 m であり、 a=L/t2であるの で、温度上昇時間 £が極めて短ければ、極めて大きな衝撃を集合体に与えることが 出来る。 つまり、 分裂用レーザ一 10としては、 ピコ秒パルスゃフヱムト秒パルス を用いると、 効果が大きい。例えば、 100フエムト秒のレーザーを lJ/cm2程度のェ ネルギー密度で照射すれば、 100皿以上の直径の微粒子は、分子間力による凝集力 に打ち勝って、 分離する程度の加速度が得られる。 照射エネルギー密度を上げれ ば、 それに比例して大きな加速度を貰うことになり、 その反作用として微粒子集 合体に大きな衝撃を与えられるが、 温度上昇が大きすぎると溶解して微粒子の合 体が始まるので、 照射エネルギー密度には上限がある。 微粒子集合体全体がひと かたまりにならなければ良いので、 表面の何層かの微粒子が合体することは許容 できる。
分裂用レーザー 10の照射後数百 nsから数 sで、 超微粒子 3は、 直径数百/ zrnの 直径の領域に拡散された状態 11になる。 この状態になつてからパルスレーザ一 12 を照射して、 プラズマ EUV光源を生成する。 強力な 13nm光を発生させる場合には、 プラズマの直径は 500〃111程度で、 プラズマ温度は 30- 50eVにするのが良い。電子密 度は l(P/cm3程度になるように、微粒子集合体の質量は調整しておくのが良い。パ ルスレーザ一 12は波長 l〃m、 パルス幅 10ns程度とし、 パルスエネルギーは数十 mJ から数百 mJにするのが良い。
第 6図は、 微粒子集合体を帯電させ、 電磁気的手法で、 その軌跡を制御するこ とについて説明する図である。 微粒子集合体 8が供給される空間位置の精度を上 げるために、 第 6図に示すように、 電子銃 13あるいはイオン銃によって、 荷電粒 子 14を微粒子集合体 8に付与し、 帯電させ、 電極 15でその軌道を制御する。
微粒子集合体 8の発生時刻及び速度に若干の変動が生じる可能性があるが、 そ れは、 モニタ一用 CWレーザ一のビーム光路 16を微粒子集合体 8が横切る時刻を検 出器 17で検出して、 プラズマ生成用パルスレーザ一 12の夕ィミング制御回路に与 えて、 同期を取る。
(超微粒子の集合体化)
本発明は、 直径数十 zmの単一球と同程度の総重量を有するターゲット材料を、 多数の超微粒子群として供給する手段を提供する。 第 1図に見えるように、 直径 10 ZI1以下の超微粒子は、数ナノ秒レーザ一の照射で、固体密度の核を残すことな く気化される。超微粒子群を、直径数百/ mの空間に一様に分散させたのちレーザ 一照射をすることで、直径数百〃 mの一様な密度のプラズマが生成できる。直径 10 PC霞画 04031 zmの微粒子を 27個凝集させた集合体でも良いが、プラズマ化の前に微粒子を拡散 させる際の一様性を増すためには、 凝集される微粒子の数は多い方が好ましい。 直径 1 zmの超微粒子を凝集させる場合には、 直径 の単一球の重量と等しく するには、 20, 000個を一つの微粒子集合体にすることになる。
(凝集剤)
直径 30 mの単一球と等しい質量を、 直径 0.1 / mの超微粒子群で供給するには 3E7個の超微粒子が必要である。超微粒子は質量が小さく熱運動速度が小さくない ため、 超微粒子群は小さくない拡散角度を持っており、 長距離を飛行させると、 広い空間に飛散してしまう。
このことから、 本発明では、 分子間力及び帯電による凝集力あるいは凝集剤を 用いて、 超微粒子を凝集する手段を提供する。 凝集剤としては、 液体窒素、 水あ るいは有機溶媒室温において気体あるいは液体になる流体を媒質として用いるこ とで、 新たなデブリ及び汚染物質発生源を作らない。 その溶媒流体中に、 プラズ マ材料になる超微粒子を混合分散させ、 その混合流体を液滴化することで、 必要 な質量の超微粒子集合体を連続的に作成できる。 液滴毎の超微粒子の重量の変動 を小さくするために、 攪拌その他の手法を用いて、 流体中で溶解している微粒子 を一様に分散させる。
(振動)
ノズルから液体を噴出させると、 噴出直後は連続ジェットであるが、 ある一定 距離飛行した後、液滴分裂する。液滴分裂が始まる距離は、 ノズル径、噴出速度、 液体の粘性により異なる。 連続ジエツ卜の液滴分裂は、 流体の不安定性によりも のであり、 通常は揺らぎが大きく、 安定した液滴生成はできない。
本発明は、 安定な液滴生成のために、 ノズルあるいはその他の手段で噴出液体 に、 液体噴出方向あるいは、 任意の方向への振動を与える手段を提供する。
この強制振動による液滴生成の安定化を行った例を第 3図に示す。
(濃縮化)
その中に比重 7の固体密度で直径 50〃mの単一球の重量である 0.1〃g程度にな る超微粒子が含まれてさえいれば、 液滴の直径が直径 500 zmでも良い、 という訳 ではない。従来技術の説明で述べたように、 EUV光の吸収を避けるためにチェンバ 一の圧力を十分低く保つには、溶媒液滴の直径は 以下であることが望ましい。 一方で、 安定した液滴生成のためには、 溶質超微粒子の密度は、 十分低い必要が ある。 従って、 液滴径は十分大きい必要がある。 また、 液体ジェットによる液滴 生成に於いては、 液滴の径は液体ジェットの径の 2倍程度であり、 連続で発生す る液滴の間隔と液滴径の比は 4倍程度であり、 液滴間隔と液滴径の比は任意の大 きな値にすることができない。
本発明は、液滴の安定生成のためにノズルからは大きな液滴を発生させながら、 プラズマ光源生成時の微粒子集合体の直径を十分小さくするために、 第 4図に示 すように、 溶媒を蒸発させて液滴中の超微粒子の含有濃度を高くして、 液滴径を 小さくする手段を提供する。
濃縮は、 液滴からの媒質の蒸発あるいは昇華によって行われるが、 濃縮の程度 は、 液滴の温度、 飛行距離の制御によって、 制御する。 液滴の温度制御は、.赤外 線あるいは微弱なレーザ一照射その他の加熱手段で液滴を加熱することよって可 能である。 プラズマ発生用真空容器の圧力上昇を防ぐため、 別空間を設けて濃縮 を行う。
(集合体の誘導)
液滴中の超微粒子群濃度を濃縮したりその他いろいろな要請で、 液滴生成地点 からプラズマ生成地点までの距離が大きくなる。 すると、 パルスレーザ一が集光 される場所を液滴が通過しないことも懸念される。 このため本発明は、 第 6図に 示すように、 電子シャワーの暴露その他の方法により液滴を帯電させる手段と帯 電した液滴の運動を電気的に制御する手段とを提供する。
(超微粒子の分散)
生成されるプラズマの密度の一様性を高めるには、 プラズマ生成用のパルスレ 一ザ一を照射する前に、 集合体内の超微粒子を予め分散させておくことが有効で ある。 本発明は、 第 5図に示すように、 微粒子集合体中の超微粒子群を必要な広 さの空間に分散させる手段も提供する。
微粒子集合体中の凝集剤として作用する液滴化の溶媒が、 室温において気体あ るいは液体である流体なので、 赤外線あるいは微弱なレーザー照射その他の加熱 手段で微粒子集合体の凝集剤を加熱することで液滴媒質は蒸発拡散し、 それに伴 つて溶質である超微粒子も分散運動を開始する。 必要に応じて、 超微粒子そのも のの弱いプラズマ化を行っても良い。 超微粒子群が、 必要な広さの空間に分散し た後に強力パルスレーザーの照射を行うことで、 均一な密度分布の光源プラズマ が生成できる。
溶質は、 プラズマ発生空間でプラズマ化され後にガス化するので、 環境への影 響が小さな窒素を用いるのが望ましく、 液体窒素が適当な溶質であるが、 酸素を 発生する水も適当である。 さらには、 微粒子の溶解の容易さや、 液滴化の容易さ その他種々の条件により、 炭素を含む有機溶媒、 その他の溶媒も用いられる。 (蒸発での超微粒子生成)
液体に溶かして液滴化する超微粒子の径は、 プラズマ生成用のレーザー照射で 固体核がなくなる程度に小さければ良い。 その大きさは、 レ一ザ一照射条件で異 なるが、 単一パルスの場合、 10/ m程度以下である。 つまり 10〃m程度であれば、 生成されるプラズマの密度はある程度一様になるが、 その一様性を高めるには、 微粒子集合体を構成する超微粒子の数は大きいことが望ましく、 数十 nm程度から 数百 nmにすることが望ましい場合もある。
数十 nmから数百 nmに径の超微粒子を作成する方法としては、 その超微粒子材料 の蒸気を凝集させる手段が採用可能である。 超微粒子を溶媒に混合させることが 可能であるが、 超微粒子材料の蒸気を溶媒に送りこんで、 溶媒中で超微粒子化す ることも可能である。
(アブレ一シヨンでの超微粒子生成)
また、 本発明で用いる超微粒子は、 パルスレーザー照射による熱衝撃で発生す ることも可能である。 この場合、 固体錫にパルスレーザ一を照射して溶融化と超 微粒子飛散を同時に行うことが可能であり、 あるいは、 溶融させた液体錫を用意 し、 その表面から超微粒子を飛散させるための熱衝撃発生用に、 パルスレーザー 照射その他のパルス加熱手段を用いることが可能である。
(気流での搬送)
用いる超微粒子の径がある程度以上大きくなると、 熱運動効果が小さくなり、 また搬送すべき距離がそれほど大きくない場合は、 微粒子群の拡散を抑制するた めの液滴化による凝集は必ずしも必要でなくなる。 しかし、 利用されないで環境 にまき散らされる微粒子の数を抑制するためには、 微粒子群の供給は、 連続的で はなくパルス的に行うことが望ましい。
このことから、 本発明は、 パルスレ一ザ一によるアブレーシヨンを利用して、 直径が 0. 1 / B1以上でおよそ 1 m前後である超微粒子群を発生させ、その集団を気 流で搬送する手段を提供する。
固体平板をパルスレーザ一照射することで、 0.2〃mをピークとする粒径の微粒 子が発生することが観測されており、 このレーザーブレーションを気流中でおこ なうことで、 発生された微粒子群を気流に乗せることができ、 細管を通して、 プ ラズマ発生用の真空領域に導くことができる。 搬送用のガスには、 窒素ガス、 へ リウムガス、 空気など、 種々のガスの利用が可能である。
気流での搬送では、 微粒子群の拡散が避け得ないので、 拡散させないで搬送で きる距離にはある程度の限界はある、 しかし、 一方で、 液滴の場合は、 溶媒の蒸 発によって光源発生用真空容器の圧力低下が避けがたい状況も起こりえるが、 気 流による搬送の場合は、 この問題が軽減される利点がある。
本発明は、 ターゲット材料を微粒子集合体の形状で供給することで、 周囲の固 体から十分に離れた場所に、 十分に高い密度で、 デブリを環境にまき散らさない で、 固体材料を供給することができる。
また、 本発明は、 超微粒子を溶解した溶液を液滴化し、 のちに、 溶媒を蒸発さ せて濃縮化して、微粒子集合体を生成することで、 kHzを越える高繰り返し供給と、 プラズマ生成領域への高精度のガイディングが可能になる。
また、 本発明は、 微粒子集合体をプラズマ発生用真空容器に導く前に、 超微粒 子を含む液滴の溶媒を蒸発させることで、 プラズマ発生用真空容器内の真空度の 劣化を防ぐことができる。

Claims

請求の範囲
1 . レーザ一を物質に照射して得られるプラズマから輻射線を発生させるレ 一ザ一プラズマ発生方法において、
上記物質は、多数の超微粒子が凝集した粒子集合体であり、分子間力や帯電によ る凝集あるいは超微粒子の融点以下で気化する材料を凝集剤とすることを特徴と するレーザープラズマ発生方法。
2 . 請求の範囲第 1項に記載のレーザープラズマ発生方法において、 レ一ザ一照射による加熱あるいは荷電粒子の照射あるいはその他の熱的、 電気 的、 機械的衝撃を与えて、 粒子集合体の構成微粒子を分裂拡散させたのちに、 プ ラズマ生成の主パルスを照射することを特徴とするレ一ザ一プラズマ発生方法。
3 . 請求の範囲第 1項又は第 2項に記載のレーザープラズマ発生方法におい て、
室温において液体である材料あるいは冷却によって液化する流体中に、 粒子集 合体を構成する超微粒子を混ぜ、 その微粒子混合流体を噴流させて液滴化し、 凝 集剤としての流体を蒸発させて濃縮して粒子集合体を作成することを特徴とする レ—ザ一プラズマ発生方法。
4 . 請求の範囲第 1項〜第 3項のいずれかに記載のレーザ一プラズマ発生方 法において、
微粒子混合流体の媒質となる流体として、 液体窒素、 水あるいは有機溶媒を用 いることを特徴とするレーザ一プラズマ発生方法。
5 . 請求の範囲第 3項又は第 4項に記載のレーザープラズマ発生方法におい て、
粒子集合体の超微粒子の数の変動を小さくするために、 微粒子混合流体は、 水 素イオン指数の調整や攪拌その他の手法で、 流体中で溶解している超微粒子を一 様に分散させたことを特徴とするレーザ一プラズマ発生方法。
6 . 請求の範囲第 3項〜第 5項のいずれかに記載のレーザーブラズマ発生方 法において、
噴出させるノズルあるいはアパーチャ一に規則的振動を与えて微粒子混合流体 を液滴化することを特徴とするレーザ一プラズマ発生方法。
7 . 請求の範囲第 6項に記載のレーザープラズマ発生方法において、 ノズルあるいはアパーチャ一に与える振動の周波数は、 100Hz以上、 1MHz以下で あることを特徴とするレーザープラズマ発生方法。
8 . 請求の範囲第 6項又は第 7項に記載のレーザープラズマ発生方法におい て、
ノズルあるいはアパーチャ一に与える振動の振幅は、 1 zm以上であることを特 徴とするレーザープラズマ発生方法。
9 . 請求の範囲第 3項〜第 8項のいずれかに記載のレーザープラズマ発生方 法において、
液滴化した微粒子混合流体をプラズマ発生空間に供給する前に、 液滴中の媒質 である流体の蒸発あるいは昇華を行う空間を設けることを特徴とするレーザ一プ ラズマ発生方法。
1 0 . 請求の範囲第 9項に記載のレーザープラズマ発生方法において、 液滴化した微粒子混合流体中の媒質流体の蒸発あるいは昇華を促すために、 レ 一ザ一照射その他の加熱を行うことを特徴とするレーザープラズマ発生方法。
1 1 . 請求の範囲第 1項〜第 1 0項のいずれかに記載のレーザープラズマ発 生方法において、 ― 粒子集合体を帯電する手段と帯電した粒子集合体の軌道を電磁気的に制御する 手段とを備えたことを特徴とするレーザ一プラズマ発生方法。
1 2 . 請求の範囲第 1項〜第 1 1項のいずれかに記載のレーザ一プラズマ発 生方法において、
粒子集合体を構成する超微粒子の直径は 1 zm以下であることを特徴とするレ 一ザ一プラズマ発生方法。
1 3 · 請求の範囲第 1項〜第 1 2項のいずれかに記載のレーザープラズマ発 生方法において、
粒子集合体を構成する微粒子は、 錫あるいは酸化錫あるいはその他の錫を含む 物質であることを特徴とするレ一ザ一プラズマ発生方法。
1 4 . 請求の範囲第 1項〜第 1 3項のいずれかに記載のレーザープラズマ発 生方法において、 粒子集合体の総質量は、直径 5 zmの固体密度の単一微粒子の質量以上であるこ とを特徴とするレーザープラズマ発生方法。
1 5 . 請求の範囲第 1項〜第 1 4項のいずれかに記載のレーザープラズマ発 生方法において、
粒子集合体の総質は、 直径 の固体密度単一微粒子の質量以下であること を特徴とするレーザ一プラズマ発生方法。
1 6 . 請求の範囲第 1項〜第 1 5項のいずれかに記載のレーザープラズマ発 生方法において、
粒子集合体を構成する微粒子として、 短パルスレーザーを、 微粒子を形成すベ き元素を含む固体あるいは液体夕一ゲットに照射して剥離される物質を利用する ことを特徴とするレーザープラズマ発生方法。
1 7 . レーザーを物質に照射して得られるプラズマから輻射線を発生させる レーザープラズマ発生方法において、
固体あるいは液体夕ーゲットの短パルスレーザー照射による超微粒子の発生を、 気体の流れる環境で行い、 気体流を利用して超微粒子群をプラズマ発生領域へ搬 送して、 プラズマ生成用物質を供給することを特徴とするレーザープラズマ発生 方法。
1 8 . レーザ一を物質に照射して得られるプラズマから輻射線を発生させる レーザープラズマ発生装置において、
上記物質は、 多数の超微粒子が凝集した粒子集合体であり、 分子間力や帯電に よる凝集あるいは超微粒子の融点以下で気化する材料を凝集剤とすることを特徴 とするレーザープラズマ発生装置。
1 9 . 請求の範囲第 1 8項に記載のレーザ一プラズマ発生装置において、 レーザー照射による加熱あるいは荷電粒子の照射あるいはその他の熱的、 電気 的、 機械的衝撃を与えて、 粒子集合体の構成微粒子を分裂拡散させたのちに、 プ ラズマ生成の主パルスを照射することを特徴とするレーザープラズマ発生装置。
2 0 . 請求の範囲第 1 8項又は第 1 9項に記載のレーザ一プラズマ発生装置 において、
室温において液体である材料あるいは冷却によって液化する流体中に、 粒子集 合体を構成する超微粒子を混ぜ、 その微粒子混合流体を噴流させて液滴化し、 凝 集剤としての流体を蒸発させて濃縮して粒子集合体を作成することを特徴とする レーザ一プラズマ発生装置。
2 1 . 請求の範囲第 1 8項〜第 2 0項のいずれかに記載のレーザープラズマ 発生装置において、
微粒子混合流体の媒質となる流体として、 液体窒素、 水あるいは有機溶媒を用 いることを特徴とするレーザ一プラズマ発生装置。
2 2 . 請求の範囲第 2 0項又は 2 1項に記載のレーザープラズマ発生装置に おいて、
粒子集合体の超微粒子の数の変動を小さくするために、 微粒子混合流体は、 水 素イオン指数の調整や攪拌その他の手法で、 流体中で溶解している超微粒子を一 様に分散させたことを特徴とするレーザ一プラズマ発生装置。
2 3 . 請求の範囲第 2 0項〜第 2 2項ののいずれかに記載のレーザ一プラズ マ発生装置において、
噴出させるノズルあるいはアパーチャ一に規則的振動を与えて微粒子混合流体 を液滴化することを特徴とするレーザープラズマ発生装置。
2 4 . 請求の範囲第 2 3項に記載のレーザープラズマ発生装置において、 ノズルあるいはアパーチャ一に与える振動の周波数は、 100Hz以上、 1MHz以下で あることを特徴とするレーザープラズマ発生装置。
2 5 . 請求の範囲第 2 3項又は 2 4項に記載のレーザープラズマ発生装置に おいて、
ノズルあるいはアパーチャ一に与える振動の振幅は、 1 zm以上であることを特 徴とするレーザ一プラズマ発生装置。
2 6 . 請求の範囲第 2 0項〜第 2 5項のいずれかに記載のレーザープラズマ 発生装置において、
液滴化した微粒子混合流体をプラズマ発生空間に供給する前に、 液滴中の媒質 である流体の蒸発あるいは昇華を行う空間を設けることを特徴とするレーザ一プ ラズマ発生装置。
2 7 . 請求の範囲第 2 6項に記載のレーザープラズマ発生装置において、 液滴化した微粒子混合流体中の媒質流体の蒸発あるいは昇華を促すために、 レ 一ザ一照射その他の加熱を行うことを特徴とするレーザーブラズマ発生装置。
2 8 . 請求の範囲第 1 8項〜第 2 7項のいずれかに記載のレーザープラズマ 発生装置において、
粒子集合体を帯電する手段と帯電した粒子集合体の軌道を電磁気的に制御する 手段とを備えたことを特徴とするレーザープラズマ発生装置。
2 9 . 請求の範囲第 1 8項〜第 2 8項のいずれかに記載のレーザ一プラズマ 発生装置において、
粒子集合体を構成する超微粒子の直径は 1 ffl以下であることを特徴とするレ —ザ一プラズマ発生装置。
3 0 . 請求の範囲第 1 8項〜第 2 9項のいずれかに記載のレーザ一プラズマ 発生装置において、
粒子集合体を構成する微粒子は、 錫あるいは酸化錫あるいはその他の錫を含む 物質であることを特徴とするレーザープラズマ発生装置。
3 1 . 請求の範囲第 1 8項〜第 3 0項のいずれかに記載のレーザ一プラズマ 発生装置において、
粒子集合体の総質量は、直径 5 /mの固体密度の単一微粒子の質量以上であるこ とを特徴とするレーザープラズマ発生装置。
3 2 . 請求の範囲第 1 8項〜第 3 1項のいずれかに記載のレーザ一プラズマ 発生装置において、
粒子集合体の総質は、 直径 200 zmの固体密度単一微粒子の質量以下であること を特徴とするレーザ一プラズマ発生装置。
3 3 . 請求の範囲第 1 8項〜第 3 2項のいずれかに記載のレーザ一プラズマ 発生装置において、
粒子集合体を構成する微粒子として、 短パルスレーザ一を、 微粒子を形成すベ き元素を含む固体あるいは液体夕ーゲットに照射して剥離される物質を利用する ことを特徴とするレ一ザ一ブラズマ発生装置。
3 4 . レーザーを物質に照射して得られるプラズマから輻射線を発生させる レーザープラズマ発生装置において、 固体あるいは液体夕一ゲットの短パルスレーザー照射による超微粒子の発生を、 気体の流れる環境で行い、 気体流を利用して超微粒子群をプラズマ発生領域へ搬 送して、 プラズマ生成用物質を供給することを特徴とするレーザ一プラズマ発生
PCT/JP2004/004031 2003-03-24 2004-03-24 レーザープラズマ発生方法及び装置 WO2004100621A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP04723018A EP1615482B1 (en) 2003-03-24 2004-03-24 Laser plasma producing method and device
US10/550,413 US7576343B2 (en) 2003-03-24 2004-03-24 Method and apparatus for generating laser produced plasma

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003080378A JP4264505B2 (ja) 2003-03-24 2003-03-24 レーザープラズマ発生方法及び装置
JP2003-080378 2003-03-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004100621A1 true WO2004100621A1 (ja) 2004-11-18

Family

ID=33294254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/004031 WO2004100621A1 (ja) 2003-03-24 2004-03-24 レーザープラズマ発生方法及び装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7576343B2 (ja)
EP (1) EP1615482B1 (ja)
JP (1) JP4264505B2 (ja)
WO (1) WO2004100621A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7608846B2 (en) * 2006-01-24 2009-10-27 Komatsu Ltd. Extreme ultra violet light source device

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7405416B2 (en) * 2005-02-25 2008-07-29 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery
JP4555679B2 (ja) * 2002-05-13 2010-10-06 ジェテック・アクチエボラーグ X線または極紫外線を生じさせる方法およびそれを利用する方法
WO2004086467A1 (ja) * 2003-03-26 2004-10-07 Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd. 極端紫外光源及び極端紫外光源用ターゲット
DE10326279A1 (de) * 2003-06-11 2005-01-05 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Plasma-basierte Erzeugung von Röntgenstrahlung mit einem schichtförmigen Targetmaterial
JP4337648B2 (ja) 2004-06-24 2009-09-30 株式会社ニコン Euv光源、euv露光装置、及び半導体デバイスの製造方法
US7741616B2 (en) 2004-06-24 2010-06-22 Nikon Corporation EUV light source, EUV exposure equipment, and semiconductor device manufacturing method
JP2006128313A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Univ Of Miyazaki 光源装置
JP4496355B2 (ja) * 2005-01-27 2010-07-07 独立行政法人産業技術総合研究所 液滴供給方法および装置
DE102005007884A1 (de) * 2005-02-15 2006-08-24 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von extrem ultravioletter (EUV-) Strahlung
JP4512747B2 (ja) * 2005-03-02 2010-07-28 独立行政法人産業技術総合研究所 レーザープラズマから輻射光を発生させる方法、該方法を用いたレーザープラズマ輻射光発生装置
JP4807560B2 (ja) * 2005-11-04 2011-11-02 国立大学法人 宮崎大学 極端紫外光発生方法および極端紫外光発生装置
DE102006017904B4 (de) * 2006-04-13 2008-07-03 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung aus einem energiestrahlerzeugten Plasma mit hoher Konversionseffizienz und minimaler Kontamination
EP1976344B1 (en) * 2007-03-28 2011-04-20 Tokyo Institute Of Technology Extreme ultraviolet light source device and extreme ultraviolet radiation generating method
JP5386799B2 (ja) * 2007-07-06 2014-01-15 株式会社ニコン Euv光源、euv露光装置、euv光放射方法、euv露光方法および電子デバイスの製造方法
JP5458243B2 (ja) * 2007-10-25 2014-04-02 国立大学法人大阪大学 Euv光の放射方法、および前記euv光を用いた感応基板の露光方法
JP5280066B2 (ja) * 2008-02-28 2013-09-04 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
EP2159638B1 (en) 2008-08-26 2015-06-17 ASML Netherlands BV Radiation source and lithographic apparatus
US9265136B2 (en) 2010-02-19 2016-02-16 Gigaphoton Inc. System and method for generating extreme ultraviolet light
US9113540B2 (en) 2010-02-19 2015-08-18 Gigaphoton Inc. System and method for generating extreme ultraviolet light
US8263953B2 (en) * 2010-04-09 2012-09-11 Cymer, Inc. Systems and methods for target material delivery protection in a laser produced plasma EUV light source
US9335637B2 (en) * 2011-09-08 2016-05-10 Kla-Tencor Corporation Laser-produced plasma EUV source with reduced debris generation utilizing predetermined non-thermal laser ablation
JP6121414B2 (ja) * 2012-06-22 2017-04-26 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成システム
JP6364002B2 (ja) * 2013-05-31 2018-07-25 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成システム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000091095A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Nikon Corp X線発生装置
JP2000215998A (ja) * 1999-01-26 2000-08-04 Nikon Corp X線発生装置及びx線装置
WO2002046839A2 (en) 2000-10-20 2002-06-13 University Of Central Florida Laser plasma from metals and nano-size particles

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE510133C2 (sv) * 1996-04-25 1999-04-19 Jettec Ab Laser-plasma röntgenkälla utnyttjande vätskor som strålmål
JP2897005B1 (ja) 1998-02-27 1999-05-31 工業技術院長 レーザプラズマ光源及びこれを用いた輻射線発生方法
JP2001023795A (ja) * 1999-07-05 2001-01-26 Toyota Macs Inc X線発生装置
JP2001108799A (ja) 1999-10-08 2001-04-20 Nikon Corp X線発生装置、x線露光装置及び半導体デバイスの製造方法
JP2002008891A (ja) 2000-06-22 2002-01-11 Nikon Corp 電磁波発生装置、これを用いた半導体製造装置並びに半導体デバイスの製造方法
JP3836326B2 (ja) 2001-02-14 2006-10-25 松下電器産業株式会社 高純度標準粒子作製装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000091095A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Nikon Corp X線発生装置
JP2000215998A (ja) * 1999-01-26 2000-08-04 Nikon Corp X線発生装置及びx線装置
WO2002046839A2 (en) 2000-10-20 2002-06-13 University Of Central Florida Laser plasma from metals and nano-size particles

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
EICKMANS, APPL.OPT., vol. 26, 1987, pages 3721
R.J.TOMKINS, REV.SCI.INSTRUM., vol. 69, 1998, pages 3113
See also references of EP1615482A4 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7608846B2 (en) * 2006-01-24 2009-10-27 Komatsu Ltd. Extreme ultra violet light source device

Also Published As

Publication number Publication date
EP1615482B1 (en) 2012-02-15
EP1615482A1 (en) 2006-01-11
JP2004288517A (ja) 2004-10-14
JP4264505B2 (ja) 2009-05-20
US7576343B2 (en) 2009-08-18
US20070158577A1 (en) 2007-07-12
EP1615482A4 (en) 2009-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4264505B2 (ja) レーザープラズマ発生方法及び装置
JP5901210B2 (ja) 放射線発生装置及び放射線発生方法
JP5073146B2 (ja) X線発生方法および装置
EP0895706B2 (en) Method and apparatus for generating x-ray or euv radiation
US7067832B2 (en) Extreme ultraviolet light source
US6647088B1 (en) Production of a dense mist of micrometric droplets in particular for extreme UV lithography
EP1367441A2 (en) Gasdynamically-controlled droplets as the target in a laser-plasma extreme ultraviolet light source
US8569721B2 (en) Extreme ultra violet light source apparatus
JP4512747B2 (ja) レーザープラズマから輻射光を発生させる方法、該方法を用いたレーザープラズマ輻射光発生装置
JP2019082483A (ja) 組成分析システムのためのレーザアブレーションセル及びトーチシステム
JP2006314900A (ja) 微粒子発生方法及び装置
JP2006210157A (ja) レーザ生成プラズマ方式極端紫外光光源
US20080142738A1 (en) Generator for flux specific bursts on nano-particles
JP4496355B2 (ja) 液滴供給方法および装置
RU2412108C2 (ru) Способ получения наночастиц и устройство для его осуществления
Endo Extendibility evaluation of industrial EUV source technologies for kW average power and 6. x nm wavelength operation
JP2007059373A (ja) 液滴供給方法及び装置
JP5234448B2 (ja) 放射線源用ターゲット、その製造方法及び放射線発生装置
JP2008031529A (ja) ナノ粒子の堆積方法及びナノ粒子堆積装置
JP2005256017A (ja) 粒子配置装置及び粒子の配置方法
JP2005251601A (ja) X線発生用ターゲット物質供給方法およびその装置
TWI812635B (zh) 用於捕獲於材料路徑上行進之材料之容器
Jabbar et al. Quasi-Mono-Energetic Electron Beams From An Argon Clustered Gas Target Driven By A Laser For Radiation Therapy.
TW202319830A (zh) 產生在極紫外線光源中之目標材料的小滴之設備及方法
TW202209933A (zh) 在euv源之液滴產生器中加速液滴之方法及其設備

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004723018

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2004723018

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007158577

Country of ref document: US

Ref document number: 10550413

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10550413

Country of ref document: US