JPWO2006025273A1 - 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Abstract
クリセン構造を有する特定構造の芳香族アミン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子であり、寿命が長く、高発光効率で、色純度の高い青色発光が得られる有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現する芳香族アミン誘導体を提供する。
Description
本発明は芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、特に、寿命が長く、高発光効率で、色純度の高い青色発光が得られる有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現する芳香族アミン誘導体に関するものである。
有機物質を使用した有機ＥＬ素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般にＥＬ素子は、発光層及び該層を挟んだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。
従来の有機ＥＬ素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。最近の有機ＥＬ素子は徐々に改良されているものの、さらなる高発光効率、長寿命が要求されている。
例えば、単一のモノアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている（特許文献１）。しかしながら、この技術においては、例えば電流密度１６５ｍＡ／ｃｍ2において、１６５０ｃｄ／ｍ2の輝度しか得られておらず、効率は１ｃｄ／Ａであって極めて低く、実用的ではない。また、単一のビスアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている（特許文献２）。しかしながら、この技術においても、効率は１〜３ｃｄ／Ａ程度で低く、実用化のための改良が求められていた。一方、有機発光材料として、ジスチリル化合物を用い、これにスチリルアミンなどを添加したものを用いた長寿命の有機ＥＬ素子が提案されている（特許文献３）。しかしながら、この素子は、寿命が十分ではなく、さらなる改良が求められていた。
また、モノもしくはビスアントラセン化合物とジスチリル化合物を有機発光媒体層として用いた技術が開示されている（特許文献４）。しかしながら、これらの技術においては、スチリル化合物の共役構造により発光スペクトルが長波長化して色純度を悪化させていた。
さらに、特許文献５には、ジアミノクリセン誘導体を用いた青色発光素子が開示されている。しかしながら、この素子は、発光効率に優れるものの、寿命が十分でなく、さらなる改良が求められていた。
従来の有機ＥＬ素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。最近の有機ＥＬ素子は徐々に改良されているものの、さらなる高発光効率、長寿命が要求されている。
例えば、単一のモノアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている（特許文献１）。しかしながら、この技術においては、例えば電流密度１６５ｍＡ／ｃｍ2において、１６５０ｃｄ／ｍ2の輝度しか得られておらず、効率は１ｃｄ／Ａであって極めて低く、実用的ではない。また、単一のビスアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている（特許文献２）。しかしながら、この技術においても、効率は１〜３ｃｄ／Ａ程度で低く、実用化のための改良が求められていた。一方、有機発光材料として、ジスチリル化合物を用い、これにスチリルアミンなどを添加したものを用いた長寿命の有機ＥＬ素子が提案されている（特許文献３）。しかしながら、この素子は、寿命が十分ではなく、さらなる改良が求められていた。
また、モノもしくはビスアントラセン化合物とジスチリル化合物を有機発光媒体層として用いた技術が開示されている（特許文献４）。しかしながら、これらの技術においては、スチリル化合物の共役構造により発光スペクトルが長波長化して色純度を悪化させていた。
さらに、特許文献５には、ジアミノクリセン誘導体を用いた青色発光素子が開示されている。しかしながら、この素子は、発光効率に優れるものの、寿命が十分でなく、さらなる改良が求められていた。
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、寿命が長く、高発光効率で、色純度の高い青色発光が得られる有機ＥＬ素子及びそれを実現する芳香族アミン誘導体を提供することを目的とするものである。
本発明者は、前記の好ましい性質を有する芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機ＥＬ素子を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、アミノ基が置換基を有するクリセン構造に結合した下記一般式（１）又は（２）で表される芳香族アミン誘導体を利用することによりその目的を達成し得ることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち、本発明は、下記一般式（１）又は（２）で表される芳香族アミン誘導体を提供するものである。
（式中、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシリル基、又はハロゲン原子である。
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数であり、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜２０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０の複素環基、又は置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシリル基であり、Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（１）において、Ｒ1〜Ｒ4の全てが水素原子である場合はない。）
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数であり、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜２０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０の複素環基、又は置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシリル基であり、Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（１）において、Ｒ1〜Ｒ4の全てが水素原子である場合はない。）
Ｒ5〜Ｒ8は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜２０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、又は置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０の複素環基であり、Ｒ5とＲ6、Ｒ7とＲ8は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。）
また、本発明は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機ＥＬ素子を提供するものである。
本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は、低い印加電圧で実用上十分な発光輝度が得られ、発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。
本発明の芳香族アミン誘導体は、下記一般式（１）又は（２）で表される化合物である。
まず、一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体について説明する。
まず、一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体について説明する。
一般式（１）において、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数１〜２０）のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基（好ましくは、核炭素数５〜２０）、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基（好ましくは、核炭素数６〜２０）、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０（好ましくは、核炭素数５〜１２）のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数１〜６）のアルコキシル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０（好ましくは、核炭素数５〜１８）のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０（好ましくは、核炭素数５〜１８）のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは、炭素数１〜６）のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０（好ましくは、核炭素数３〜２０）の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０（好ましくは、炭素数３〜２０）のシリル基、又はハロゲン原子である。
Ａ1〜Ａ4の置換もしくは無置換のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基等が挙げられる。
Ａ1〜Ａ4の置換もしくは無置換のアリール基としては、例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、ビフェニル基、４−メチルビフェニル基、４−エチルビフェニル基、４−シクロヘキシルビフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、ナフチル基、５−メチルナフチル基、アントリル基、ピレニル基等が挙げられる。
Ａ1〜Ａ4の置換もしくは無置換のアリール基としては、例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、ビフェニル基、４−メチルビフェニル基、４−エチルビフェニル基、４−シクロヘキシルビフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、ナフチル基、５−メチルナフチル基、アントリル基、ピレニル基等が挙げられる。
Ａ1〜Ａ4の置換もしくは無置換のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、α，α−メチルフェニルベンジル基、トリフェニルメチル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、α−フェノキシベンジル基、α−ベンジルオキシベンジル基、α，α−ジトリフルオロメチルベンジル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。
Ａ1〜Ａ4の置換もしくは無置換のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
Ａ1〜Ａ4の置換もしくは無置換のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、各種ペンチルオキシ基、各種ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
Ａ1〜Ａ4の置換もしくは無置換のアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、トリルオキシ基、ナフチルオキシ基等が挙げられる。
Ａ1〜Ａ4の置換もしくは無置換のアリールアミノ基としては、例えば、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジナフチルアミノ基、ナフチルフェニルアミノ基等が挙げられる。
Ａ1〜Ａ4の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジヘキシルアミノ基等が挙げられる。
Ａ1〜Ａ4の複素環基としては、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ピロール、フラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、オキサジアゾリン、インドリン、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ベンゾキノン、ピラロジン、イミダゾリジン、ピペリジン等の残基が挙げられる。
Ａ1〜Ａ4の置換もしくは無置換のシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
Ａ1〜Ａ4のハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。
Ａ1〜Ａ4の置換もしくは無置換のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、各種ペンチルオキシ基、各種ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
Ａ1〜Ａ4の置換もしくは無置換のアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、トリルオキシ基、ナフチルオキシ基等が挙げられる。
Ａ1〜Ａ4の置換もしくは無置換のアリールアミノ基としては、例えば、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジナフチルアミノ基、ナフチルフェニルアミノ基等が挙げられる。
Ａ1〜Ａ4の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジヘキシルアミノ基等が挙げられる。
Ａ1〜Ａ4の複素環基としては、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ピロール、フラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、オキサジアゾリン、インドリン、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ベンゾキノン、ピラロジン、イミダゾリジン、ピペリジン等の残基が挙げられる。
Ａ1〜Ａ4の置換もしくは無置換のシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
Ａ1〜Ａ4のハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。
一般式（１）において、ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表わし、０〜３であると好ましく、０〜２であるとさらに好ましい。
ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
この環としては、例えば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン等の炭素数４〜１２のシクロアルカン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン等の炭素数４〜１２のシクロアルケン、シクロヘキサジエン、シクロヘプタジエン、シクロオクタジエン等の炭素数６〜１２のシクロアルカジエン、ベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、ピレン、クリセン、アセナフチレン等の炭素数６〜５０の芳香族環などが挙げられる。
ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
この環としては、例えば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン等の炭素数４〜１２のシクロアルカン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン等の炭素数４〜１２のシクロアルケン、シクロヘキサジエン、シクロヘプタジエン、シクロオクタジエン等の炭素数６〜１２のシクロアルカジエン、ベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、ピレン、クリセン、アセナフチレン等の炭素数６〜５０の芳香族環などが挙げられる。
一般式（１）において、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは炭素数１〜２０）のアルキル基（好ましくは１級又は２級のアルキル基）、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０（好ましくは核炭素数５〜２０）のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０（好ましくは核炭素数６〜２０）のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０（好ましくは核炭素数５〜１２）のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜２０（好ましくは核炭素数５〜１２）のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは炭素数１〜１０）のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０（好ましくは核炭素数３〜２０）の複素環基、又は置換もしくは無置換の炭素数３〜５０（好ましくは炭素数３〜２０）のシリル基であり、Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
Ｒ1〜Ｒ4の置換もしくは無置換のアルキル基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基、アリールアミノ基、アルキルアミノ基、複素環基、シリル基及び飽和もしくは不飽和の環の具体例としては、前記Ａ1〜Ａ4と同様のものが挙げられる。
Ｒ2及びＲ4のアルキル基は１級又は２級のものが特に好ましい。
Ｒ1〜Ｒ4の置換もしくは無置換のアルキル基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基、アリールアミノ基、アルキルアミノ基、複素環基、シリル基及び飽和もしくは不飽和の環の具体例としては、前記Ａ1〜Ａ4と同様のものが挙げられる。
Ｒ2及びＲ4のアルキル基は１級又は２級のものが特に好ましい。
さらに、前記Ａ1〜Ａ4及びＲ1〜Ｒ4の置換基としては、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基（好ましくは炭素数５〜２０）、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０）、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０）、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基（好ましくは炭素数６〜２０）、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリールオキシ基（好ましくは炭素数５〜２０）、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリールチオ基（好ましくは炭素数５〜２０）、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数１〜２０）、アミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基等が挙げられる。
前記一般式（１）において、Ｒ1〜Ｒ4の全てが水素原子である場合はない。
また、前記一般式（１）において、Ｒ1及び／又はＲ3が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基であると好ましく、Ｒ1及びＲ3が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基であるとさらに好ましい。
また、前記一般式（１）において、Ｒ1〜Ｒ4が、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数５〜２０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０の複素環基、又は置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシリル基であると好ましい。
さらに、Ｒ1及び／又はＲ3が、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基又はシクロヘキシル基であると好ましい。
さらに、Ｒ2及び／又はＲ4が、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基又はシクロヘキシル基であると好ましい。
また、前記一般式（１）において、Ｒ1及び／又はＲ3が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基であると好ましく、Ｒ1及びＲ3が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基であるとさらに好ましい。
また、前記一般式（１）において、Ｒ1〜Ｒ4が、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数５〜２０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０の複素環基、又は置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシリル基であると好ましい。
さらに、Ｒ1及び／又はＲ3が、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基又はシクロヘキシル基であると好ましい。
さらに、Ｒ2及び／又はＲ4が、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基又はシクロヘキシル基であると好ましい。
次に、一般式（２）で表される芳香族アミン誘導体について説明する。
一般式（２）において、Ａ5〜Ａ8は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは炭素数１〜２０）のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基（好ましくは炭素数５〜２０）、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０（好ましくは核炭素数５〜１２）のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０（好ましくは核炭素数３〜２０）の複素環基である。
一般式（２）において、Ｒ5〜Ｒ8は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは炭素数１〜２０）のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０（好ましくは核炭素数５〜２０）のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０（好ましくは核炭素数６〜２０）のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０（好ましくは核炭素数５〜１２）のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜２０（好ましくは核炭素数５〜１２）のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは炭素数１〜１０）のアルキルアミノ基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０（好ましくは核炭素数３〜２０）の複素環基であり、Ｒ5とＲ6、Ｒ7とＲ8は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
一般式（２）のＡ5〜Ａ8及びＲ5〜Ｒ8の示す各基の具体例、置換基の具体例及び飽和もしくは不飽和の環の具体例としては、前記一般式（１）のＡ1〜Ａ4及びＲ1〜Ｒ4と同様のものが挙げられる。
本発明の一般式（１）又は（２）で表される芳香族アミン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。なお、Ｍｅはメチル基を示す。
一般式（２）において、Ｒ5〜Ｒ8は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは炭素数１〜２０）のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０（好ましくは核炭素数５〜２０）のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０（好ましくは核炭素数６〜２０）のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０（好ましくは核炭素数５〜１２）のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜２０（好ましくは核炭素数５〜１２）のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは炭素数１〜１０）のアルキルアミノ基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０（好ましくは核炭素数３〜２０）の複素環基であり、Ｒ5とＲ6、Ｒ7とＲ8は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
一般式（２）のＡ5〜Ａ8及びＲ5〜Ｒ8の示す各基の具体例、置換基の具体例及び飽和もしくは不飽和の環の具体例としては、前記一般式（１）のＡ1〜Ａ4及びＲ1〜Ｒ4と同様のものが挙げられる。
本発明の一般式（１）又は（２）で表される芳香族アミン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。なお、Ｍｅはメチル基を示す。
本発明の芳香族アミン誘導体は、発光中心であるジアミノクリセン構造に、アリール基（特に、ベンゼン環）、アルキル基、シクロアルキル基又は複素環基が連結していることにより、化合物同士の会合が防止されるため、寿命が長くなる。また、クリセン骨格にかさ高い置換基を結合させることでアミン構造との立体反発が大きくなるため、さらに寿命が向上している。
また、本発明の芳香族アミン誘導体は、固体状態で強い蛍光性を持ち、電場発光性にも優れ、蛍光量子効率が０．３以上である。さらに、金属電極又は有機薄膜層からの優れた正孔注入性及び正孔輸送性、金属電極又は有機薄膜層からの優れた電子注入性及び電子輸送性を持ち合わせているので、有機ＥＬ素子用発光材料、特にドーピング材料として有効に用いられ、さらに他の正孔注入・輸送材料、電子注入・輸送材料又はドーピング材料を使用してもさしつかえない。
また、本発明の芳香族アミン誘導体は、固体状態で強い蛍光性を持ち、電場発光性にも優れ、蛍光量子効率が０．３以上である。さらに、金属電極又は有機薄膜層からの優れた正孔注入性及び正孔輸送性、金属電極又は有機薄膜層からの優れた電子注入性及び電子輸送性を持ち合わせているので、有機ＥＬ素子用発光材料、特にドーピング材料として有効に用いられ、さらに他の正孔注入・輸送材料、電子注入・輸送材料又はドーピング材料を使用してもさしつかえない。
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に一層又は複数層の有機薄膜層を形成した素子である。一層型の場合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した正孔、又は陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるために、正孔注入材料又は電子注入材料を含有しても良い。本発明の芳香族アミン誘導体は、高い発光特性を持ち、優れた正孔注入性、正孔輸送特性及び電子注入性、電子輸送特性を有しているので、発光材料又はドーピング材料として発光層に使用することができる。
本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層が、本発明の芳香族アミン誘導体を含有すると好ましく、含有量としては通常０．１〜２０重量％であり、１〜１０重量％含有するとさらに好ましい。また、本発明の芳香族アミン誘導体は、極めて高い蛍光量子効率、高い正孔輸送能力及び電子輸送能力を併せ持ち、均一な薄膜を形成することができるので、この芳香族アミン誘導体のみで発光層を形成することも可能である。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む二層以上からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、陽極と発光層との間に本発明の芳香族アミン誘導体を主成分とする有機層を有しても好ましい。この有機層としては、正孔注入層、正孔輸送層等が挙げられる。
本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層が、本発明の芳香族アミン誘導体を含有すると好ましく、含有量としては通常０．１〜２０重量％であり、１〜１０重量％含有するとさらに好ましい。また、本発明の芳香族アミン誘導体は、極めて高い蛍光量子効率、高い正孔輸送能力及び電子輸送能力を併せ持ち、均一な薄膜を形成することができるので、この芳香族アミン誘導体のみで発光層を形成することも可能である。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む二層以上からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、陽極と発光層との間に本発明の芳香族アミン誘導体を主成分とする有機層を有しても好ましい。この有機層としては、正孔注入層、正孔輸送層等が挙げられる。
さらに、本発明の芳香族アミン誘導体をドーピング材料として含有する場合、ホスト材料として下記一般式（３）のアントラセン誘導体、（４）のアントラセン誘導体及び（５）のピレン誘導体から選ばれる少なくとも一種を含有すると好ましい。
（一般式（３）中、Ｘ1及びＸ2は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子であり、ｅ、ｆは、それぞれ独立に０〜４の整数である。ｅ、ｆが２以上の場合、Ｘ1、Ｘ2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０の複素環基であり、Ａｒ1及びＡｒ2の少なくとも一方は、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合環含有アリール基である。
ｍは１〜３の整数である。ｍが２以上の場合は、［ ］内の基は、同じでも異なっていてもよい。）
前記Ｘ1及びＸ2並びにＡｒ1及びＡｒ2の各基の具体例や置換基は、前記一般式（１）で説明したものと同様の例が挙げられる。
Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０の複素環基であり、Ａｒ1及びＡｒ2の少なくとも一方は、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合環含有アリール基である。
ｍは１〜３の整数である。ｍが２以上の場合は、［ ］内の基は、同じでも異なっていてもよい。）
前記Ｘ1及びＸ2並びにＡｒ1及びＡｒ2の各基の具体例や置換基は、前記一般式（１）で説明したものと同様の例が挙げられる。
（一般式（４）中、Ｘ1〜Ｘ3は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０の複素環基、又はハロゲン原子であり、ｅ、ｆ及びｇは、それぞれ独立に０〜４の整数である。ｅ、ｆ、ｇが２以上の場合、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ1は、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合環含有アリール基であり、Ａｒ3は、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基である。
ｎは１〜３の整数である。ｎが２以上の場合は、［ ］内の基は、同じでも異なっていてもよい。）
前記Ｘ1〜Ｘ3並びにＡｒ1及びＡｒ3の各基の具体例や置換基は、前記一般式（１）で説明したものと同様の例が挙げられる。
Ａｒ1は、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０の縮合環含有アリール基であり、Ａｒ3は、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基である。
ｎは１〜３の整数である。ｎが２以上の場合は、［ ］内の基は、同じでも異なっていてもよい。）
前記Ｘ1〜Ｘ3並びにＡｒ1及びＡｒ3の各基の具体例や置換基は、前記一般式（１）で説明したものと同様の例が挙げられる。
一般式（３）及び（４）のアントラセン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。
（一般式（５）中、Ａｒ5及びＡｒ6は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基である。
Ｌ1及びＬ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
ｓは０〜２の整数、ｐは１〜４の整数、ｑは０〜２の整数、ｒは０〜４の整数である。
また、Ｌ1又はＡｒ5は、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ2又はＡｒ6は、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。
ただし、ｐ＋ｒが偶数の時、Ａｒ5，Ａｒ6，Ｌ1，Ｌ2は下記(1) 又は(2) を満たす。
(1) Ａｒ5≠Ａｒ6及び／又はＬ1≠Ｌ2（ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。）
(2) Ａｒ5＝Ａｒ6かつＬ1＝Ｌ2の時
(2-1) ｓ≠ｑ及び／又はｐ≠ｒ、又は
(2-2) ｓ＝ｑかつｐ＝ｒの時、
(2-2-1) Ｌ1及びＬ2、又はピレンが、それぞれＡｒ5及びＡｒ6上の異なる結合位置に結合しているか、(2-2-2) Ｌ1及びＬ2、又はピレンが、Ａｒ5及びＡｒ6上の同じ結合位置で結合している場合、Ｌ1及びＬ2又はＡｒ5及びＡｒ6のピレンにおける置換位置が１位と６位、又は２位と７位である場合はない。）
前記Ａｒ5及びＡｒ6並びにＬ1及びＬ2の各基の具体例や置換基は、前記一般式（１）で説明したものと同様の例が挙げられる。
Ｌ1及びＬ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
ｓは０〜２の整数、ｐは１〜４の整数、ｑは０〜２の整数、ｒは０〜４の整数である。
また、Ｌ1又はＡｒ5は、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ2又はＡｒ6は、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。
ただし、ｐ＋ｒが偶数の時、Ａｒ5，Ａｒ6，Ｌ1，Ｌ2は下記(1) 又は(2) を満たす。
(1) Ａｒ5≠Ａｒ6及び／又はＬ1≠Ｌ2（ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。）
(2) Ａｒ5＝Ａｒ6かつＬ1＝Ｌ2の時
(2-1) ｓ≠ｑ及び／又はｐ≠ｒ、又は
(2-2) ｓ＝ｑかつｐ＝ｒの時、
(2-2-1) Ｌ1及びＬ2、又はピレンが、それぞれＡｒ5及びＡｒ6上の異なる結合位置に結合しているか、(2-2-2) Ｌ1及びＬ2、又はピレンが、Ａｒ5及びＡｒ6上の同じ結合位置で結合している場合、Ｌ1及びＬ2又はＡｒ5及びＡｒ6のピレンにおける置換位置が１位と６位、又は２位と７位である場合はない。）
前記Ａｒ5及びＡｒ6並びにＬ1及びＬ2の各基の具体例や置換基は、前記一般式（１）で説明したものと同様の例が挙げられる。
一般式（５）のピレン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。
本発明において、有機薄膜層が複数層型の有機ＥＬ素子としては、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）等の構成で積層したものが挙げられる。
前記複数層には、必要に応じて、本発明の芳香族アミン誘導体に加えてさらなる公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもできる。有機ＥＬ素子は、前記有機薄膜層を複数層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率の向上、赤色や青色の発光を得ることもできる。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良い。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。
前記複数層には、必要に応じて、本発明の芳香族アミン誘導体に加えてさらなる公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもできる。有機ＥＬ素子は、前記有機薄膜層を複数層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率の向上、赤色や青色の発光を得ることもできる。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良い。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。
本発明の芳香族アミン誘導体と共に発光層に使用できる上記一般式（３）〜（５）以外のホスト材料又はドーピング材料としては、例えば、ナフタレン、フェナントレン、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ビス（フェニルエチニル) アントラセン、１，４−ビス（９’−エチニルアントラセニル) ベンゼン等の縮合多量芳香族化合物及びそれらの誘導体、トリス（８−キノリノラート) アルミニウム、ビス−（２−メチル−８−キノリノラート) −４−（フェニルフェノリナート) アルミニウム等の有機金属錯体、トリアリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、スチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層又は電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の有機ＥＬ素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、芳香族三級アミン誘導体及びフタロシアニン誘導体である。
芳香族三級アミン誘導体としては、例えば、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。
芳香族三級アミン誘導体としては、例えば、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。
フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体としては、例えば、Ｈ2Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ2ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体及びナフタロシアニン誘導体があるが、これらに限定されるものではない。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、発光層と陽極との間に、これらの芳香族三級アミン誘導体及び／又はフタロシアニン誘導体を含有する層、例えば、前記正孔輸送層又は正孔注入層を形成してなると好ましい。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、発光層と陽極との間に、これらの芳香族三級アミン誘導体及び／又はフタロシアニン誘導体を含有する層、例えば、前記正孔輸送層又は正孔注入層を形成してなると好ましい。
電子注入材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することにより増感させることもできる。
本発明の有機ＥＬ素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物及び含窒素五員環誘導体である。
前記金属錯体化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
前記含窒素五員誘導体としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、ジメチルＰＯＰＯＰ、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル) １，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル) ］ベンゼン、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル) −４−ｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル) −１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル) ］ベンゼン、２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル) −１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル) ］ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
前記金属錯体化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
前記含窒素五員誘導体としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、ジメチルＰＯＰＯＰ、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル) １，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル) ］ベンゼン、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル) −４−ｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル) −１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル) ］ベンゼン、２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル) −１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル) ］ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層中に、一般式（１）から選ばれる少なくとも一種の芳香族アミン誘導体の他に、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料及び電子注入材料の少なくとも１種が同一層に含有されてもよい。また、本発明により得られた有機ＥＬ素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。
本発明の有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質としては、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。
本発明の有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質としては、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。
本発明の有機ＥＬ素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、ガラス基板及び透明性樹脂フィルムがある。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。
本発明に係わる有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍ〜１０μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍ〜０．２μｍの範囲がさらに好ましい。
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げられる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げられる。
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げられる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げられる。
本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の材料は、有機ＥＬ素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。
次に、実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明する。
合成実施例１（化合物（４）の合成）
（１−１）２−ブロモ−６−メチルナフタレンの合成
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、トリフルオロメタンスルホン酸−６−ブロモ−２−ナフチルエステル３２ｇ（９０ｍｍｏｌ）、ジクロロ（ジフェニルホスフィノフェロセン）パラジウム３．６ｇ（５ｍｏｌ％）、臭化リチウム７．８ｇ（９０ｍｍｏｌ）、乾燥テトラヒドロフラン１００ｍＬを加えた後、−２０℃に冷却した。そこへ、メチルマグネシウムブロミド９０ｍＬ（９０ｍｍｏｌ、１ｍｏｌ／リットル（テトラヒドロフラン））をゆっくりと滴下した後、８０℃で４時間加熱攪拌した。反応終了後、反応液に希塩酸１００ｍＬを加え、有機層を分液し、重曹水、食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去後、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／塩化メチレン＝９０／１０）で精製し、目的とする化合物９．４ｇ（白色結晶）を得た（収率４７％）。
（１−２）２−（６−メチル−２−ナフチル）ベンズアルデヒドの合成
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、２−ブロモ−６−メチルナフタレン６．６ｇ（３０ｍｍｏｌ）、２−ホルミルフェニルボロン酸５．４ｇ（３６ｍｍｏｌ）、（テトラキストリフェニルホスフィン）パラジウム０．７ｇ（０．６ｍｍｏｌ）、２Ｎ炭酸ナトリウム水溶液 ４５ｍＬ、ジメトキシエタン９０ｍＬを加え、８時間加熱還流した。反応終了後、反応液に水１００ｍＬを加え、有機層を分液し、食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去後、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／塩化メチレン＝６０／４０）で精製し、目的とする化合物６．７ｇ（白色結晶）を得た（収率９１％）。
合成実施例１（化合物（４）の合成）
（１−１）２−ブロモ−６−メチルナフタレンの合成
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、トリフルオロメタンスルホン酸−６−ブロモ−２−ナフチルエステル３２ｇ（９０ｍｍｏｌ）、ジクロロ（ジフェニルホスフィノフェロセン）パラジウム３．６ｇ（５ｍｏｌ％）、臭化リチウム７．８ｇ（９０ｍｍｏｌ）、乾燥テトラヒドロフラン１００ｍＬを加えた後、−２０℃に冷却した。そこへ、メチルマグネシウムブロミド９０ｍＬ（９０ｍｍｏｌ、１ｍｏｌ／リットル（テトラヒドロフラン））をゆっくりと滴下した後、８０℃で４時間加熱攪拌した。反応終了後、反応液に希塩酸１００ｍＬを加え、有機層を分液し、重曹水、食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去後、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／塩化メチレン＝９０／１０）で精製し、目的とする化合物９．４ｇ（白色結晶）を得た（収率４７％）。
（１−２）２−（６−メチル−２−ナフチル）ベンズアルデヒドの合成
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、２−ブロモ−６−メチルナフタレン６．６ｇ（３０ｍｍｏｌ）、２−ホルミルフェニルボロン酸５．４ｇ（３６ｍｍｏｌ）、（テトラキストリフェニルホスフィン）パラジウム０．７ｇ（０．６ｍｍｏｌ）、２Ｎ炭酸ナトリウム水溶液 ４５ｍＬ、ジメトキシエタン９０ｍＬを加え、８時間加熱還流した。反応終了後、反応液に水１００ｍＬを加え、有機層を分液し、食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去後、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／塩化メチレン＝６０／４０）で精製し、目的とする化合物６．７ｇ（白色結晶）を得た（収率９１％）。
（１−３）２−（（２−メトキシビニル）フェニル）−６−メチルナフタレンの合成
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、２−（６−メチル−２−ナフチル）ベンズアルデヒド１３．７ｇ（５５ｍｍｏｌ）、（メトキシメチル）トリフェニルホスフォニウムクロリド２１ｇ（６１ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシカリウム７．５ｇ（６７ｍｍｏｌ）、乾燥テトラヒドロフラン２５０ｍＬを加え、室温にて一晩攪拌した。反応終了後、反応液に水１００ｍＬを加え、有機層を分液し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去後、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／塩化メチレン＝１０／９０）で精製し、目的とする化合物１２．８ｇ（白色結晶）を得た（収率８４％）。
（１−４）２−メチルクリセンの合成
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、２−（（２−メトキシビニル）フェニル）−６−メチルナフタレン１２．８ｇ（４６ｍｍｏｌ）、メチル酸 数滴、乾燥塩化メチレン１００ｍＬを加えた後、室温にて８時間攪拌した。反応終了後、反応液に重曹水１００ｍＬを加えた後、結晶をろ別した。得られた粗生成物を水、メタノールで洗浄後、５０℃にて８時間真空乾燥し、目的とする化合物８．２ｇ（白色結晶）を得た（収率７３％）。
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、２−（６−メチル−２−ナフチル）ベンズアルデヒド１３．７ｇ（５５ｍｍｏｌ）、（メトキシメチル）トリフェニルホスフォニウムクロリド２１ｇ（６１ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシカリウム７．５ｇ（６７ｍｍｏｌ）、乾燥テトラヒドロフラン２５０ｍＬを加え、室温にて一晩攪拌した。反応終了後、反応液に水１００ｍＬを加え、有機層を分液し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去後、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／塩化メチレン＝１０／９０）で精製し、目的とする化合物１２．８ｇ（白色結晶）を得た（収率８４％）。
（１−４）２−メチルクリセンの合成
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、２−（（２−メトキシビニル）フェニル）−６−メチルナフタレン１２．８ｇ（４６ｍｍｏｌ）、メチル酸 数滴、乾燥塩化メチレン１００ｍＬを加えた後、室温にて８時間攪拌した。反応終了後、反応液に重曹水１００ｍＬを加えた後、結晶をろ別した。得られた粗生成物を水、メタノールで洗浄後、５０℃にて８時間真空乾燥し、目的とする化合物８．２ｇ（白色結晶）を得た（収率７３％）。
（１−５）２−メチル−６，１２−ジブロモクリセンの合成
アルゴン気流下冷却管付き１リットル三口フラスコ中に、２−メチルクリセン８．２ｇ（３４ｍｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド１４．５ｇ（８１ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド４００ｍＬを加えた後、室温にて一晩攪拌した。反応終了後、反応液に水３００ｍＬを加えた後、結晶をろ別した。得られた粗生成物を水、メタノールで洗浄後、トルエン１００ｍＬにて再結晶し、目的とする化合物８．８ｇ（白色結晶）を得た（収率６５％）。
（１−６）化合物（４）の合成
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、２−メチル−６，１２−ジブロモクリセン４．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミン５．６ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン１００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末５．８ｇを得た。ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソプーションマススペクトル）の測定により、化合物（４）と同定した（収率８５％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製のＤＲＸ−５００による、重塩化メチレンを溶媒とした、得られた化合物（４）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図１に示す。また、化合物（４）のトルエン溶媒中での最大吸収波長は４００ｎｍであり、最大蛍光波長は４５６ｎｍであった。
アルゴン気流下冷却管付き１リットル三口フラスコ中に、２−メチルクリセン８．２ｇ（３４ｍｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド１４．５ｇ（８１ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド４００ｍＬを加えた後、室温にて一晩攪拌した。反応終了後、反応液に水３００ｍＬを加えた後、結晶をろ別した。得られた粗生成物を水、メタノールで洗浄後、トルエン１００ｍＬにて再結晶し、目的とする化合物８．８ｇ（白色結晶）を得た（収率６５％）。
（１−６）化合物（４）の合成
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、２−メチル−６，１２−ジブロモクリセン４．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミン５．６ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン１００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末５．８ｇを得た。ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソプーションマススペクトル）の測定により、化合物（４）と同定した（収率８５％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製のＤＲＸ−５００による、重塩化メチレンを溶媒とした、得られた化合物（４）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図１に示す。また、化合物（４）のトルエン溶媒中での最大吸収波長は４００ｎｍであり、最大蛍光波長は４５６ｎｍであった。
合成実施例２（化合物（９）の合成）
（２−１）２−イソプロピル−６，１２−ジブロモクリセンの合成
合成実施例１の（１−１）において、メチルマグネシウムブロミドの代わりにイソプロピルマグネシウムブロミドを使用した以外は（１−５）まで同様にして、目的とする化合物を得た。
（２−２）化合物（９）の合成
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、２−イソプロピル−６，１２−ジブロモクリセン４．２ｇ（１０ｍｍｏｌ）、４−イソプロピルフェニル−ｐ−トリルアミン５．６ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン１００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末６．４ｇを得た。このものはＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（９）と同定した（収率９０％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製のＤＲＸ−５００による、重塩化メチレンを溶媒とした、得られた化合物（９）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図２に示す。また、化合物（９）のトルエン溶媒中での最大吸収波長は４０７ｎｍであり、最大蛍光波長は４５３ｎｍであった。
（２−１）２−イソプロピル−６，１２−ジブロモクリセンの合成
合成実施例１の（１−１）において、メチルマグネシウムブロミドの代わりにイソプロピルマグネシウムブロミドを使用した以外は（１−５）まで同様にして、目的とする化合物を得た。
（２−２）化合物（９）の合成
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、２−イソプロピル−６，１２−ジブロモクリセン４．２ｇ（１０ｍｍｏｌ）、４−イソプロピルフェニル−ｐ−トリルアミン５．６ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン１００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末６．４ｇを得た。このものはＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（９）と同定した（収率９０％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製のＤＲＸ−５００による、重塩化メチレンを溶媒とした、得られた化合物（９）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図２に示す。また、化合物（９）のトルエン溶媒中での最大吸収波長は４０７ｎｍであり、最大蛍光波長は４５３ｎｍであった。
合成実施例３（化合物（２０）の合成）
（３−１）２−ブロモ−６−イソプロピルナフタレンの合成
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、トリフルオロメタンスルホン酸−６−ブロモ−２−ナフチルエステル３２ｇ（９０ｍｍｏｌ）、ジクロロ（ジフェニルホスフィノフェロセン）パラジウム３．６ｇ（５ｍｏｌ％）、臭化リチウム７．８ｇ（９０ｍｍｏｌ）、乾燥テトラヒドロフラン１００ｍＬを加えた後、−２０℃に冷却した。そこへ、イソプロピルマグネシウムブロミド９０ｍＬ（９０ｍｍｏｌ，１ｍｏｌ／リットル（テトラヒドロフラン））をゆっくりと滴下した後、８０℃で４時間加熱攪拌した。反応終了後、反応液に希塩酸１００ｍＬを加え、有機層を分液し、重曹水、食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去後、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／塩化メチレン＝９０／１０）で精製し、目的とする化合物９．４ｇ（白色結晶）を得た（収率３３％）。
（３−２）６−イソプロピルナフタレン−２−ボロン酸
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、２−ブロモ−６−イソプロピルナフタレン９．４ｇ（３８ｍｍｏｌ）、乾燥エーテル１００ｍＬ、乾燥トルエン５０ｍＬを加えた後、−４０℃に冷却した。そこへ、ｎ−ブチルリチウム２５ｍＬ（４０ｍｍｏｌ，１．５８Ｍ（ｎ−ヘキサン））をゆっくりと滴下した後、−２０℃で２時間攪拌した。続いて、−４０℃に冷却後、ボロン酸トリイソプロピルエステル２６ｍＬ（１１４ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下した後、室温にて一晩攪拌した。反応終了後、反応液に希塩酸１００ｍＬを加え、有機層を分液し、食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去後、得られた粗生成物をトルエン１００ｍＬで洗浄し、目的とする化合物５．０ｇ（白色結晶）を得た（収率６３％）。
（３−１）２−ブロモ−６−イソプロピルナフタレンの合成
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、トリフルオロメタンスルホン酸−６−ブロモ−２−ナフチルエステル３２ｇ（９０ｍｍｏｌ）、ジクロロ（ジフェニルホスフィノフェロセン）パラジウム３．６ｇ（５ｍｏｌ％）、臭化リチウム７．８ｇ（９０ｍｍｏｌ）、乾燥テトラヒドロフラン１００ｍＬを加えた後、−２０℃に冷却した。そこへ、イソプロピルマグネシウムブロミド９０ｍＬ（９０ｍｍｏｌ，１ｍｏｌ／リットル（テトラヒドロフラン））をゆっくりと滴下した後、８０℃で４時間加熱攪拌した。反応終了後、反応液に希塩酸１００ｍＬを加え、有機層を分液し、重曹水、食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去後、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／塩化メチレン＝９０／１０）で精製し、目的とする化合物９．４ｇ（白色結晶）を得た（収率３３％）。
（３−２）６−イソプロピルナフタレン−２−ボロン酸
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、２−ブロモ−６−イソプロピルナフタレン９．４ｇ（３８ｍｍｏｌ）、乾燥エーテル１００ｍＬ、乾燥トルエン５０ｍＬを加えた後、−４０℃に冷却した。そこへ、ｎ−ブチルリチウム２５ｍＬ（４０ｍｍｏｌ，１．５８Ｍ（ｎ−ヘキサン））をゆっくりと滴下した後、−２０℃で２時間攪拌した。続いて、−４０℃に冷却後、ボロン酸トリイソプロピルエステル２６ｍＬ（１１４ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下した後、室温にて一晩攪拌した。反応終了後、反応液に希塩酸１００ｍＬを加え、有機層を分液し、食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去後、得られた粗生成物をトルエン１００ｍＬで洗浄し、目的とする化合物５．０ｇ（白色結晶）を得た（収率６３％）。
（３−３）５−イソプロピル−２−（６−イソプロピル−２−ナフチル）ベンズアルデヒドの合成
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、２−ヒドロキシ−５−イソプロピルベンズアルデヒド４．４ｇ（２７ｍｍｏｌ）、トリフルオロメタンスルホン酸１１．２ｇ（４０ｍｍｏｌ）無水物、ピリジン６ｍＬ（８０ｍｍｏｌ）、塩化メチレン１００ｍＬを加えた後、室温にて２時間攪拌した。反応終了後、反応液をろ別し、得られた粗生成物をヘキサン、塩化メチレンで洗浄後、５０℃にて８時間真空乾燥し、２−ホルミル−４−イソプロピルフェニルトリフルオロメタンスルホン酸エステル６．０ｇ（白色結晶）を得た（収率７５％）。
続いて、アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、２−ホルミル−４−イソプロピルフェニルトリフルオロメタンスルホン酸エステル５．９ｇ（２０ｍｍｏｌ）、６−イソプロピルナフタレン−２−ボロン酸４．７ｇ（２２ｍｍｏｌ）、（テトラキストリフェニルホスフィン）パラジウム１．１ｇ（１ｍｍｏｌ）、２Ｎ炭酸ナトリウム水溶液３０ｍＬ、ジメトキシエタン４０ｍＬを加え、８時間加熱還流した。反応終了後、反応液に水１００ｍＬを加え、有機層を分液し、食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去後、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／塩化メチレン＝６０／４０）で精製し、目的とする化合物４．４ｇ（白色結晶）を得た（収率７０％）。
（３−４）２−イソプロピル−６−（４−イソプロピル−２−（２−メトキシビニル）フェニル）ナフタレンの合成
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、５−イソプロピル−２−（６−イソプロピル−２−ナフチル）ベンズアルデヒド４．４ｇ（１４ｍｍｏｌ）、（メトキシメチル）トリフェニルホスフォニウムクロリド５．１ｇ（１５ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシカリウム１．７ｇ（１５ｍｍｏｌ）、乾燥テトラヒドロフラン１００ｍＬを加え、室温にて一晩攪拌した。反応終了後、反応液に水１００ｍＬを加え、有機層を分液し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去後、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／塩化メチレン＝１０／９０）で精製し、目的とする化合物４．３ｇ（白色結晶）を得た（収率９０％）。
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、２−ヒドロキシ−５−イソプロピルベンズアルデヒド４．４ｇ（２７ｍｍｏｌ）、トリフルオロメタンスルホン酸１１．２ｇ（４０ｍｍｏｌ）無水物、ピリジン６ｍＬ（８０ｍｍｏｌ）、塩化メチレン１００ｍＬを加えた後、室温にて２時間攪拌した。反応終了後、反応液をろ別し、得られた粗生成物をヘキサン、塩化メチレンで洗浄後、５０℃にて８時間真空乾燥し、２−ホルミル−４−イソプロピルフェニルトリフルオロメタンスルホン酸エステル６．０ｇ（白色結晶）を得た（収率７５％）。
続いて、アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、２−ホルミル−４−イソプロピルフェニルトリフルオロメタンスルホン酸エステル５．９ｇ（２０ｍｍｏｌ）、６−イソプロピルナフタレン−２−ボロン酸４．７ｇ（２２ｍｍｏｌ）、（テトラキストリフェニルホスフィン）パラジウム１．１ｇ（１ｍｍｏｌ）、２Ｎ炭酸ナトリウム水溶液３０ｍＬ、ジメトキシエタン４０ｍＬを加え、８時間加熱還流した。反応終了後、反応液に水１００ｍＬを加え、有機層を分液し、食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去後、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／塩化メチレン＝６０／４０）で精製し、目的とする化合物４．４ｇ（白色結晶）を得た（収率７０％）。
（３−４）２−イソプロピル−６−（４−イソプロピル−２−（２−メトキシビニル）フェニル）ナフタレンの合成
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、５−イソプロピル−２−（６−イソプロピル−２−ナフチル）ベンズアルデヒド４．４ｇ（１４ｍｍｏｌ）、（メトキシメチル）トリフェニルホスフォニウムクロリド５．１ｇ（１５ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシカリウム１．７ｇ（１５ｍｍｏｌ）、乾燥テトラヒドロフラン１００ｍＬを加え、室温にて一晩攪拌した。反応終了後、反応液に水１００ｍＬを加え、有機層を分液し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去後、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／塩化メチレン＝１０／９０）で精製し、目的とする化合物４．３ｇ（白色結晶）を得た（収率９０％）。
（３−５）２，８−ジイソプロピルクリセン
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、２−イソプロピル−６−（４−イソプロピル−２−（２−メトキシビニル）フェニル）ナフタレン４．３ｇ（１２ｍｍｏｌ）、メチル酸数滴、乾燥塩化メチレン５０ｍＬを加えた後、室温にて８時間攪拌した。反応終了後、反応液に重曹水１００ｍＬを加えた後、結晶をろ別した。得られた粗生成物を水、メタノールで洗浄後、５０℃にて８時間真空乾燥し、目的とする化合物３．５ｇ（白色結晶）を得た（収率９０％）。
（３−６）２，８−ジイソプロピル−６，１２−ジブロモクリセンの合成
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、２，８−ジイソプロピルクリセン３．５ｇ（１２ｍｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド５．３ｇ（３０ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２０ｍＬを加えた後、室温にて一晩攪拌した。反応終了後、反応液に水３００ｍＬを加えた後、結晶をろ別した。得られた粗生成物を水、メタノールで洗浄後、トルエン１００ｍＬにて再結晶し、目的とする化合物４．７ｇ（白色結晶）を得た（収率８０％）。
（３−７）化合物（２０）の合成
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、２，８−ジイソプロピル−６，１２−ジブロモクリセン４．７ｇ（１０ｍｍｏｌ）、４−イソプロピルフェニル−ｐ−トリルアミン５．６ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン１００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末６．６ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（２０）と同定した（収率８８％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製のＤＲＸ−５００による、重塩化メチレンを溶媒とした、得られた化合物（２０）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図３に示す。また、化合物（２０）のトルエン溶媒中での最大吸収波長は４０７ｎｍであり、最大蛍光波長は４５０ｎｍであった。
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、２−イソプロピル−６−（４−イソプロピル−２−（２−メトキシビニル）フェニル）ナフタレン４．３ｇ（１２ｍｍｏｌ）、メチル酸数滴、乾燥塩化メチレン５０ｍＬを加えた後、室温にて８時間攪拌した。反応終了後、反応液に重曹水１００ｍＬを加えた後、結晶をろ別した。得られた粗生成物を水、メタノールで洗浄後、５０℃にて８時間真空乾燥し、目的とする化合物３．５ｇ（白色結晶）を得た（収率９０％）。
（３−６）２，８−ジイソプロピル−６，１２−ジブロモクリセンの合成
アルゴン気流下冷却管付き５００ｍＬ三口フラスコ中に、２，８−ジイソプロピルクリセン３．５ｇ（１２ｍｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド５．３ｇ（３０ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２０ｍＬを加えた後、室温にて一晩攪拌した。反応終了後、反応液に水３００ｍＬを加えた後、結晶をろ別した。得られた粗生成物を水、メタノールで洗浄後、トルエン１００ｍＬにて再結晶し、目的とする化合物４．７ｇ（白色結晶）を得た（収率８０％）。
（３−７）化合物（２０）の合成
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、２，８−ジイソプロピル−６，１２−ジブロモクリセン４．７ｇ（１０ｍｍｏｌ）、４−イソプロピルフェニル−ｐ−トリルアミン５．６ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン１００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末６．６ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（２０）と同定した（収率８８％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製のＤＲＸ−５００による、重塩化メチレンを溶媒とした、得られた化合物（２０）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図３に示す。また、化合物（２０）のトルエン溶媒中での最大吸収波長は４０７ｎｍであり、最大蛍光波長は４５０ｎｍであった。
合成実施例４（化合物（２３）の合成）
（４−１）２−ｔ−ブチル−８−イソプロピル−６，１２−ジブロモクリセンの合成
合成実施例３の（３−３）において、２−ヒドロキシ−５−イソプロピルベンズアルデヒドの代わりに２−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルベンズアルデヒドを使用した以外は（３−６）まで同様にして、目的とする化合物を得た。
（４−２）化合物（２３）の合成
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、２−ｔ−ブチル−８−イソプロピル−６，１２−ジブロモクリセン４．８ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミン５．６ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン１００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末６．９ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（２３）と同定した（収率９０％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製のＤＲＸ−５００による、重塩化メチレンを溶媒とした、得られた化合物（２３）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図４に示す。また、化合物（２３）のトルエン溶媒中での最大吸収波長は４０９ｎｍであり、最大蛍光波長は４５３ｎｍであった。
（４−１）２−ｔ−ブチル−８−イソプロピル−６，１２−ジブロモクリセンの合成
合成実施例３の（３−３）において、２−ヒドロキシ−５−イソプロピルベンズアルデヒドの代わりに２−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルベンズアルデヒドを使用した以外は（３−６）まで同様にして、目的とする化合物を得た。
（４−２）化合物（２３）の合成
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、２−ｔ−ブチル−８−イソプロピル−６，１２−ジブロモクリセン４．８ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミン５．６ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン１００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末６．９ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（２３）と同定した（収率９０％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製のＤＲＸ−５００による、重塩化メチレンを溶媒とした、得られた化合物（２３）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図４に示す。また、化合物（２３）のトルエン溶媒中での最大吸収波長は４０９ｎｍであり、最大蛍光波長は４５３ｎｍであった。
合成実施例５（化合物（２５）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、合成実施例２、（２−１）で得られた２−イソプロピル−６，１２−ジブロモクリセン４．２ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ビス（３，４，５−トリメチルフェニル）アミン６．３ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン１００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末６．８ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（２５）と同定した（収率８８％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製のＤＲＸ−５００による、重塩化メチレンを溶媒とした、得られた化合物（２５）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図５に示す。また、化合物（２５）のトルエン溶媒中での最大吸収波長は４１５ｎｍであり、最大蛍光波長は４５９ｎｍであった。
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、合成実施例２、（２−１）で得られた２−イソプロピル−６，１２−ジブロモクリセン４．２ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ビス（３，４，５−トリメチルフェニル）アミン６．３ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン１００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末６．８ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（２５）と同定した（収率８８％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製のＤＲＸ−５００による、重塩化メチレンを溶媒とした、得られた化合物（２５）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図５に示す。また、化合物（２５）のトルエン溶媒中での最大吸収波長は４１５ｎｍであり、最大蛍光波長は４５９ｎｍであった。
合成実施例６（化合物（３９）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、合成実施例２、（２−１）で得られた２−イソプロピル−６，１２−ジブロモクリセン４．２ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ジ（２−ナフチル）アミン６．７ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン１００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末６．８ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（３９）と同定した（収率８５％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製のＤＲＸ−５００による、重塩化メチレンを溶媒とした、得られた化合物（３９）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図６に示す。また、化合物（３９）のトルエン溶媒中での最大吸収波長は４０８ｎｍであり、最大蛍光波長は４５２ｎｍであった。
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、合成実施例２、（２−１）で得られた２−イソプロピル−６，１２−ジブロモクリセン４．２ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ジ（２−ナフチル）アミン６．７ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン１００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末６．８ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（３９）と同定した（収率８５％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製のＤＲＸ−５００による、重塩化メチレンを溶媒とした、得られた化合物（３９）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図６に示す。また、化合物（３９）のトルエン溶媒中での最大吸収波長は４０８ｎｍであり、最大蛍光波長は４５２ｎｍであった。
合成実施例７（化合物（５７）の合成）
（７−１）２−ｔ−ブチル−６，１２−ジブロモクリセンの合成
合成実施例１の（１−１）において、メチルマグネシウムブロミドの代わりにｔ−ブチルマグネシウムブロミドを使用した以外は、（１−５）まで同様にして、目的とする化合物を得た。
（７−２）化合物（５７）の合成
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、２−ｔ−ブチル−６，１２−ジブロモクリセン４．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミン５．６ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン１００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末６．５ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（５７）と同定した（収率９０％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製のＤＲＸ−５００による、重塩化メチレンを溶媒とした、得られた化合物（５７）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図７に示す。また、化合物（５７）のトルエン溶媒中での最大吸収波長は４１０ｎｍであり、最大蛍光波長は４５６ｎｍであった。
（７−１）２−ｔ−ブチル−６，１２−ジブロモクリセンの合成
合成実施例１の（１−１）において、メチルマグネシウムブロミドの代わりにｔ−ブチルマグネシウムブロミドを使用した以外は、（１−５）まで同様にして、目的とする化合物を得た。
（７−２）化合物（５７）の合成
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、２−ｔ−ブチル−６，１２−ジブロモクリセン４．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミン５．６ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン１００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末６．５ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（５７）と同定した（収率９０％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製のＤＲＸ−５００による、重塩化メチレンを溶媒とした、得られた化合物（５７）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図７に示す。また、化合物（５７）のトルエン溶媒中での最大吸収波長は４１０ｎｍであり、最大蛍光波長は４５６ｎｍであった。
合成実施例８（化合物（９５）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、合成実施例１、（１−５）で得られた２−メチル−６，１２−ジブロモクリセン４．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ジ（４−シクロヘキシルフェニル）アミン８．３ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン１００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末６．３ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（９５）と同定した（収率７０％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製のＤＲＸ−５００による、重塩化メチレンを溶媒とした、得られた化合物（９５）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図８に示す。また、化合物（９５）のトルエン溶媒中での最大吸収波長は４０６ｎｍであり、最大蛍光波長は４５４ｎｍであった。
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、合成実施例１、（１−５）で得られた２−メチル−６，１２−ジブロモクリセン４．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ジ（４−シクロヘキシルフェニル）アミン８．３ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン１００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール１００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末６．３ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（９５）と同定した（収率７０％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製のＤＲＸ−５００による、重塩化メチレンを溶媒とした、得られた化合物（９５）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図８に示す。また、化合物（９５）のトルエン溶媒中での最大吸収波長は４０６ｎｍであり、最大蛍光波長は４５４ｎｍであった。
合成実施例９（化合物（Ｄ−９７３）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、６，１２−ジブロモクリセン ３．８ｇ（１０ｍｍｏｌ）、Ｎ−メチルアニリン ２．７ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム ０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン ０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム ２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン １００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール １００ｍＬにて洗浄し、白色粉末 ２．２ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−９７３）と同定した（収率５０％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製 ＤＲＸ−５００による、重塩化メチレン溶媒とした、得られた化合物（Ｄ−９７３）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図９に示す。また、化合物（Ｄ−９７３）のトルエン溶液中で測定した最大吸収波長は３７３ｎｍであり、最大蛍光波長は４４０ｎｍであった。
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、６，１２−ジブロモクリセン ３．８ｇ（１０ｍｍｏｌ）、Ｎ−メチルアニリン ２．７ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム ０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン ０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム ２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン １００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール １００ｍＬにて洗浄し、白色粉末 ２．２ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−９７３）と同定した（収率５０％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製 ＤＲＸ−５００による、重塩化メチレン溶媒とした、得られた化合物（Ｄ−９７３）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図９に示す。また、化合物（Ｄ−９７３）のトルエン溶液中で測定した最大吸収波長は３７３ｎｍであり、最大蛍光波長は４４０ｎｍであった。
合成実施例１０（化合物（Ｄ−９７４）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、６，１２−ジブロモクリセン ３．８ｇ（１０ｍｍｏｌ）、Ｎ−イソプロピルアニリン ３．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム ０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン ０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム ２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン １００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール １００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末 ２．０ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−９７４）と同定した（収率４０％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製 ＤＲＸ−５００による、重塩化メチレン溶媒とした、得られた化合物（Ｄ−９７４）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図１０示す。また、化合物（Ｄ−９７４）のトルエン溶液中で測定した最大吸収波長は３６２ｎｍであり、最大蛍光波長は４３６ｎｍであった。
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、６，１２−ジブロモクリセン ３．８ｇ（１０ｍｍｏｌ）、Ｎ−イソプロピルアニリン ３．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム ０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン ０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム ２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン １００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール １００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末 ２．０ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−９７４）と同定した（収率４０％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製 ＤＲＸ−５００による、重塩化メチレン溶媒とした、得られた化合物（Ｄ−９７４）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図１０示す。また、化合物（Ｄ−９７４）のトルエン溶液中で測定した最大吸収波長は３６２ｎｍであり、最大蛍光波長は４３６ｎｍであった。
合成実施例１１（化合物（Ｄ−９９８）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、６，１２−ジブロモクリセン ３．８ｇ（１０ｍｍｏｌ）、Ｎ−（４−イソプロピルフェニル）ピリジン−３−アミン ５．３ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム ０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン ０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム ２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン １００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール １００ｍLにて洗浄し、淡黄色粉末 ４．２ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−９９８）と同定した（収率６５％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製 ＤＲＸ−５００による、重塩化メチレン溶媒とした、得られた化合物（Ｄ−９９８）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図１１示す。また、化合物（Ｄ−９９８）のトルエン溶液中で測定した最大吸収波長は３９３ｎｍであり、最大蛍光波長は４４４ｎｍであった。
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、６，１２−ジブロモクリセン ３．８ｇ（１０ｍｍｏｌ）、Ｎ−（４−イソプロピルフェニル）ピリジン−３−アミン ５．３ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム ０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン ０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム ２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン １００ｍＬを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール １００ｍLにて洗浄し、淡黄色粉末 ４．２ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−９９８）と同定した（収率６５％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製 ＤＲＸ−５００による、重塩化メチレン溶媒とした、得られた化合物（Ｄ−９９８）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図１１示す。また、化合物（Ｄ−９９８）のトルエン溶液中で測定した最大吸収波長は３９３ｎｍであり、最大蛍光波長は４４４ｎｍであった。
合成実施例１２（化合物（Ｄ−１０００）の合成）
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、２−メチル−６，１２−ジブロモクリセン ３．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）、Ｎ−（４−イソプロピルフェニル）ピリジン−３−アミン ５．３ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム ０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン ０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム ２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン １００ｍLを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール １００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末 ５．３ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−１０００）と同定した（収率８０％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製 ＤＲＸ−５００による、重塩化メチレン溶媒とした、得られた化合物（Ｄ−１０００）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図１２示す。また、化合物（Ｄ−１０００）のトルエン溶液中で測定した最大吸収波長は３８５ｎｍであり、最大蛍光波長は４４０ｎｍであった。
アルゴン気流下冷却管付き３００ｍＬ三口フラスコ中に、２−メチル−６，１２−ジブロモクリセン ３．９ｇ（１０ｍｍｏｌ）、Ｎ−（４−イソプロピルフェニル）ピリジン−３−アミン ５．３ｇ（２５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム ０．０３ｇ（１．５ｍｏｌ％）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン ０．０６ｇ（３ｍｏｌ％）、ｔ−ブトキシナトリウム ２．４ｇ（２５ｍｍｏｌ）、乾燥トルエン １００ｍLを加えた後、１００℃にて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン５０ｍＬ、メタノール １００ｍＬにて洗浄し、淡黄色粉末 ５．３ｇを得た。このものは、ＦＤ−ＭＳの測定により、化合物（Ｄ−１０００）と同定した（収率８０％）。
Ｂｒｕｃｋｅｒ社製 ＤＲＸ−５００による、重塩化メチレン溶媒とした、得られた化合物（Ｄ−１０００）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図１２示す。また、化合物（Ｄ−１０００）のトルエン溶液中で測定した最大吸収波長は３８５ｎｍであり、最大蛍光波長は４４０ｎｍであった。
実施例１
２５×７５×１．１ｍｍサイズのガラス基板上に、膜厚１２０ｎｍのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。このガラス基板に紫外線及びオゾンを照射して洗浄したのち、真空蒸着装置にこの基板を設置した。
まず、正孔注入層として、Ｎ’，Ｎ''−ビス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］−Ｎ’，Ｎ''−ジフェニルビフェニル−４，４’−ジアミンを６０ｎｍの厚さに蒸着したのち、その上に正孔輸送層として、Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ’−テトラキス（４−ビフェニル）−４，４’−ベンジジンを２０ｎｍの厚さに蒸着した。次いで、１０，１０’−ビス［１，１',４',１''］テルフェニル−２−イル−９，９’−ビアントラセニルと上記化合物（９）とを、重量比４０：２で同時蒸着し、厚さ４０ｎｍの発光層を形成した。
次に、電子注入層として、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウムを２０ｎｍの厚さに蒸着した。次に、弗化リチウムを１ｎｍの厚さに蒸着し、次いでアルミニウムを１５０ｎｍの厚さに蒸着した。このアルミニウム／弗化リチウムは陰極として機能する。このようにして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧６．０Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率６．０ｃｄ／Ａ、発光輝度６０２ｃｄ／ｍ2の青色発光（発光極大波長：４６４ｎｍ）が得られた。初期輝度５００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は１８９００時間であった。
２５×７５×１．１ｍｍサイズのガラス基板上に、膜厚１２０ｎｍのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。このガラス基板に紫外線及びオゾンを照射して洗浄したのち、真空蒸着装置にこの基板を設置した。
まず、正孔注入層として、Ｎ’，Ｎ''−ビス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］−Ｎ’，Ｎ''−ジフェニルビフェニル−４，４’−ジアミンを６０ｎｍの厚さに蒸着したのち、その上に正孔輸送層として、Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ’−テトラキス（４−ビフェニル）−４，４’−ベンジジンを２０ｎｍの厚さに蒸着した。次いで、１０，１０’−ビス［１，１',４',１''］テルフェニル−２−イル−９，９’−ビアントラセニルと上記化合物（９）とを、重量比４０：２で同時蒸着し、厚さ４０ｎｍの発光層を形成した。
次に、電子注入層として、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウムを２０ｎｍの厚さに蒸着した。次に、弗化リチウムを１ｎｍの厚さに蒸着し、次いでアルミニウムを１５０ｎｍの厚さに蒸着した。このアルミニウム／弗化リチウムは陰極として機能する。このようにして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧６．０Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率６．０ｃｄ／Ａ、発光輝度６０２ｃｄ／ｍ2の青色発光（発光極大波長：４６４ｎｍ）が得られた。初期輝度５００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は１８９００時間であった。
実施例２
実施例１において、化合物（９）の代わりに化合物（２３）を用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧６．５Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率６．６ｃｄ／Ａ、発光輝度６６４ｃｄ／ｍ2の青色発光（発光極大波長：４６２ｎｍ）が得られた。初期輝度５００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は１６０００時間であった。
実施例１において、化合物（９）の代わりに化合物（２３）を用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧６．５Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率６．６ｃｄ／Ａ、発光輝度６６４ｃｄ／ｍ2の青色発光（発光極大波長：４６２ｎｍ）が得られた。初期輝度５００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は１６０００時間であった。
実施例３
実施例１において、ホスト材料として１０，１０’−ビス［１，１’，４’，１’’］テルフェニル−２−イル−９，９’−ビアントラセニルの代わりに、１０−（３−（ナフタレン−１−イル）フェニル）−９−（ナフタレン−２−イル）アントラセンを用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧６．５Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率６．３ｃｄ／Ａ、発光輝度６３１ｃｄ／ｍ2の青色発光（発光極大波長：４６４ｎｍ）が得られた。初期輝度５００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は２００００時間以上であった。
実施例１において、ホスト材料として１０，１０’−ビス［１，１’，４’，１’’］テルフェニル−２−イル−９，９’−ビアントラセニルの代わりに、１０−（３−（ナフタレン−１−イル）フェニル）−９−（ナフタレン−２−イル）アントラセンを用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧６．５Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率６．３ｃｄ／Ａ、発光輝度６３１ｃｄ／ｍ2の青色発光（発光極大波長：４６４ｎｍ）が得られた。初期輝度５００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は２００００時間以上であった。
実施例４
実施例３において、ドーピング材料として化合物（９）の代わりに、化合物（２８）を用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧６．５Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率７．１ｃｄ／Ａ、発光輝度７１０ｃｄ／ｍ2の青色発光（発光極大波長：４６５ｎｍ）が得られた。初期輝度５００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は２００００時間以上であった。
実施例３において、ドーピング材料として化合物（９）の代わりに、化合物（２８）を用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧６．５Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率７．１ｃｄ／Ａ、発光輝度７１０ｃｄ／ｍ2の青色発光（発光極大波長：４６５ｎｍ）が得られた。初期輝度５００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は２００００時間以上であった。
実施例５
実施例３において、ドーピング材料として化合物（９）の代わりに、化合物（２５）を用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧６．５Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率７．９ｃｄ／Ａ、発光輝度７９３ｃｄ／ｍ2の青色発光（発光極大波長：４６９ｎｍ）が得られた。初期輝度５００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は２００００時間以上であった。
実施例３において、ドーピング材料として化合物（９）の代わりに、化合物（２５）を用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧６．５Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率７．９ｃｄ／Ａ、発光輝度７９３ｃｄ／ｍ2の青色発光（発光極大波長：４６９ｎｍ）が得られた。初期輝度５００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は２００００時間以上であった。
実施例６
実施例３において、ドーピング材料として化合物（９）の代わりに、化合物（１０）を用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧６．５Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率７．８ｃｄ／Ａ、７８２ｃｄ／ｍ2の青色発光（発光極大波長：４６８ｎｍ）が得られた。初期輝度５００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は２００００時間以上であった。
実施例３において、ドーピング材料として化合物（９）の代わりに、化合物（１０）を用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧６．５Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率７．８ｃｄ／Ａ、７８２ｃｄ／ｍ2の青色発光（発光極大波長：４６８ｎｍ）が得られた。初期輝度５００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は２００００時間以上であった。
比較例１
実施例１において、化合物（９）の代わりに６，１２−ビス（４−イソプロピルフェニル−ｐ−トリルアミノ）クリセンを用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧６．３Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率５．９ｃｄ／Ａ、発光輝度５９４ｃｄ／ｍ2の青色発光（発光極大波長：４６２ｎｍ）が得られた。初期輝度５００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は４５９０時間であった。
以上の結果から、ジアミノクリセン骨格に置換基が結合していない場合、化合物同士の会合のため、半減寿命が短くなることが分かる。
実施例１において、化合物（９）の代わりに６，１２−ビス（４−イソプロピルフェニル−ｐ−トリルアミノ）クリセンを用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧６．３Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率５．９ｃｄ／Ａ、発光輝度５９４ｃｄ／ｍ2の青色発光（発光極大波長：４６２ｎｍ）が得られた。初期輝度５００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は４５９０時間であった。
以上の結果から、ジアミノクリセン骨格に置換基が結合していない場合、化合物同士の会合のため、半減寿命が短くなることが分かる。
以上詳細に説明したように、本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は、低い印加電圧で実用上十分な発光輝度が得られ、発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。このため、壁掛テレビの平面発光体やディスプレイのバックライト等の光源として有用である。
Claims (11)
- 下記一般式（１）で表わされる芳香族アミン誘導体。
ａ〜ｄは、それぞれ独立に、０〜５の整数であり、ａ〜ｄのそれぞれが２以上の場合、Ａ1〜Ａ4は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。また、Ａ1とＡ2、Ａ3とＡ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜２０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０の複素環基、又は置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシリル基であり、Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ただし、一般式（１）において、Ｒ1〜Ｒ4の全てが水素原子である場合はない。） - 前記一般式（１）において、Ｒ1及び／又はＲ3が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基である請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
- 前記一般式（１）において、Ｒ1及びＲ3が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基である請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
- 前記一般式（１）において、Ｒ2及び／又はＲ4が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０の１級アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０の２級アルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数１〜５０のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基である請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
- 前記一般式（１）において、Ｒ1〜Ｒ4が、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数５〜２０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０の複素環基、又は置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシリル基である請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
- 下記一般式（２）で表わされる芳香族アミン誘導体。
Ｒ5〜Ｒ8は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜２０のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、又は置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０の複素環基であり、Ｒ5とＲ6、Ｒ7とＲ8は、それぞれ、連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。） - 有機エレクトロルミネッセンス素子用のドーピング材料である請求項１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
- 陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層が、請求項１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層が、請求項１〜６のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を０．１〜２０重量％含有する請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 青色系発光する請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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