JPWO2005114713A1 - 不純物導入方法及びこれを用いた電子素子 - Google Patents
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- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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Abstract
Description
考えて、望ましい。SiO2、Si3N4についても、組成を調整することにより、より高精度に光学特性を調整することが可能である、
また本発明の不純物導入方法は、上記光反射防止膜は誘電体多層膜であるものを含む。
110 不純物導入層
120 光源
130 測光器
200 真空チャンバー
210 プラズマを表す矩形
220 プラズマ源
230 真空計
240 真空ポンプ
250 電源
260 基板ホルダ
270 電源
280 ドーパント物質導入口
290 その他の物質1導入口
340 制御回路
350 制御器
400 真空チャンバー
410 基板支持台
420 基板
430 蒸発物質
440 蒸発用電源
450 マッチングボックス
460 高周波電源
470 加速用直流電源
480 RFコイル
490 真空計
500 反射防止膜
(実施の形態1)
(不純物ドーピング)
まず、本実施の形態で用いられるプラズマドーピング装置と不純物ドーピングのプロセスについて説明する。本実施の形態で用いられるドーピング装置は、図1に示すように、真空チャンバー200と、この真空チャンバー200内にプラズマを励起するプラズマ源220とを具備し、基板ホルダ260に載置された、被処理基体としての固体基体100の表面にプラズマドーピングを行うものである。
(反射防止膜の形成)
次に、反射防止膜としての酸化シリコン膜の形成方法について説明する。本実施の形態では、イオンプレーティング法を用いて酸化シリコン膜を形成する。
(反射防止膜の最適化)
次に、反射率を低減するために、最適の光反射防止膜の厚さを計算で求める方法を図3に示す模式図を使って説明する。まず不純物導入層110上に反射防止膜500を形成し、波長λの光を入射角度φ(φ=0°、垂直入射)で基板に入射させる。多層膜計算ソフトに各層の物性値を入力して、多重散乱による反射率Rと透過率Tを求める。吸収率Aは以下の式
A=1−R−T (1)
で求める。
減る。一方、吸収率は図6に示すように酸化シリコン膜を形成しない場合と、酸化シリコン膜を40nmの厚さに形成する場合とで30%から48%に上がった。なお、反射率R、透過率Tと吸収率Aは酸化シリコン膜の厚さの周期構造になっているので、酸化シリコン膜の厚さを40nm,140nm,240nm,・・・(100nmの周期)にしても同じ値の反射率R、透過率Tと吸収率Aが得られる。
(アニール)
図8に波長530nmのレーザでアニールした場合、酸化シリコン膜を形成していないプラズマドーピングサンプルと酸化シリコン膜を85nm形成したプラズマドーピングサンプルのシート抵抗に対するレーザエネルギー密度のプロットを示す。酸化シリコン膜を形成することで、同じシート抵抗720Ω/sqを得るのに必要なレーザのエネルギー密度を330mJ/cm2(23%相当)低減することが出来た。なお、酸化シリコン膜を付けることで、同じレーザエネルギー密度1300mJでシート抵抗を7710Ω/sqから583Ω/sqに低減することが出来た。
(実施の形態2)
次に、本実施の形態ではイオン注入によって不純物を導入するに先立ち、固体基体をアモルファス化してから不純物を導入する方法について説明する。
波長軸にプロットしたその結果を図9に示す。この図から明らかなように、500−1100nmの波長範囲内に、He_PA層とGe_PAI層の最適SiO2厚さの差が確認された。
【特許文献1】米国特許第6303476号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
[0007]
上記方法は、イオン注入層に対して実施したものである。酸化獏を形成して反射率を低減したが、シート抵抗を低減するためにはアニール工程で大エネルギーの照射を必要とした。特に、レーザーアニールでは一回で照射できる面積が小さくなるので、シート抵抗の低減が困難であるという問題があった。特に、不純物の導入深さをより浅くして浅い接合を形成するような場合、あるいは浅い接合へのさらに浅いコンタクトを形成するような場合、アニールによる活性化率を高め、キャリア密度を高めようとすると、大エネルギーが必要となる。これは不純物の拡散長の伸びを大きくしてしまうことにもなり、微細で浅い不純物導入領域を形成するのは困難であった。
[0008]
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、反射率を低減し、不純物の導入された層に効率良くエネルギーを導入するとともに、不純物の導入された層のシート抵抗を低減することを目的とする
【課題を解決するための手段】
[0009]
本発明者らは、ドーピング条件と反射防止膜とを最適に組合せることにより、アニール時に照射した光の反射率を従来と比較して劇的に低減し、アニール時に効率良くエネルギーを不純物導入層に導入して、不純物導入層の抵抗を低減することができることを見出した。
[0012]
また本発明の不純物導入方法は、固体基体にプラズマドーピング方法で不純物を導入する工程と、前記不純物導入領域の光学特性と厚さとを測定する工程と、前記測定された光学特性と厚さとに応じて光反射防止膜を選択する工程と、前記固体基体表面に、光反射低減機能を有する光反射防止膜を形成する工程と、光照射によりアニールする工程とを含
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考えて、望ましい。SiO2、Si3N4についても、組成を調整することにより、より高精度に光学特性を調整することが可能である、
また本発明の不純物導入方法は、上記光反射防止膜は誘電体多層膜であるものを含む。
(実施の形態1)
(不純物ドーピング)
まず、本実施の形態で用いられるプラズマドーピング装置と不純物ドーピングのプロセスについて説明する。本実施の形態で用いられるドーピング装置は、図1に示すように、真空チャンバー200と、この真空チャンバー200内にプラズマを励起するプラズマ源220とを具備し、基板ホルダ260に載置された、被処理基体としての固体基体100の表面にプラズマドーピングを行うものである。
(反射防止膜の形成)
次に、反射防止膜としての酸化シリコン膜の形成方法について説明する。本実施の形態では、イオンプレーティング法を用いて酸化シリコン膜を形成する。
(反射防止膜の最適化)
次に、反射率を低減するために、最適の光反射防止膜の厚さを計算で求める方法を図3に示す模式図を使って説明する。まず不純物導入層110上に反射防止膜500を形成し、波長λの光を入射角度φ(φ=0°、垂直入射)で基板に入射させる。多層膜計算ソフトに各層の物性値を入力して、多重散乱による反射率Rと透過率Tを求める。吸収率Aは以下の式
A=1-R-T (1)
で求める。
減る。一方、吸収率は図6に示すように酸化シリコン膜を形成しない場合と、酸化シリコン膜を40nmの厚さに形成する場合とで30%から48%に上がった。なお、反射率R、透過率Tと吸収率Aは酸化シリコン膜の厚さの周期構造になっているので、酸化シリコン膜の厚さを40nm, 140nm, 240nm, ・・・(100nmの周期)にしても同じ値の反射率R、透過率Tと吸収率Aが得られる。
(アニール)
図8に波長530nmのレーザでアニールした場合、酸化シリコン膜を形成していないプラズマドーピングサンプルと酸化シリコン膜を85nm形成したプラズマドーピングサンプルのシート抵抗に対するレーザエネルギー密度のプロットを示す。酸化シリコン膜を形成することで、同じシート抵抗720Ω/sqを得るのに必要なレーザのエネルギー密度を330mJ/cm2(23%相当)低減することが出来た。なお、酸化シリコン膜を付けることで、同じレーザエネルギー密度1300mJでシート抵抗を7710Ω/sqから583Ω/sqに低減することが出来た。
(実施の形態2)
次に、本実施の形態ではイオン注入によって不純物を導入するに先立ち、固体基体をアモルファス化してから不純物を導入する方法について説明する。
波長軸にプロットした.その結果を図9に示す。この図から明らかなように、500−1100nmの波長範囲内に、He−PA層とGe−PAI層の最適SiO2厚さの差が確認された。
110 不純物導入層
120 光源
130 測光器
200 真空チャンバー
210 プラズマを表す矩形
220 プラズマ源
230 真空計
240 真空ポンプ
250 電源
260 基板ホルダ
270 電源
280 ドーパント物質導入口
290 その他の物質1導入口
340 制御回路
350 制御器
400 真空チャンバー
410 基板支持台
420 基板
430 蒸発物質
440 蒸発用電源
450 マッチングボックス
460 高周波電源
470 加速用直流電源
480 RFコイル
490 真空計
500 反射防止膜
Claims (12)
- 固体基体にプラズマドーピング法により不純物を導入し、不純物導入領域を形成する工程と、
前記固体基体表面に、光反射低減機能を有する光反射防止膜を形成する工程と、
光照射によりアニールする工程とを含む不純物導入方法。 - 請求項1に記載の不純物導入方法であって、
前記不純物導入領域の光学特性と厚さとを測定する工程と、
前記測定された光学特性と厚さとに応じて光反射防止膜を選択する工程とを含む不純物導入方法。 - 請求項2に記載の不純物導入方法であって、
前記選択する工程は、前記アニールする工程において用いられる光の、前記不純物の導入された領域への吸収率が最大となるように、前記光反射防止膜を選択するようにした不純物導入方法。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の不純物導入方法であって、
前記不純物を導入する工程に先立ち、
前記固体基体表面をプラズマによりアモルファス化する工程を含む不純物導入方法。 - 請求項2に記載の不純物導入方法であって、
前記光学特性として、屈折率、消衰係数、吸収係数、反射率、透過率、吸収率のいずれかを含む不純物導入方法。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の不純物導入方法であって、
前記固体基体は、結晶シリコン基板である不純物導入方法。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の不純物導入方法であって、
前記光反射防止膜は前記不純物導入領域の屈折率より低い屈折率を持つ透光性膜である不純物導入方法。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の不純物導入方法であって、
前記光反射防止膜は誘電体多層膜である不純物導入方法。 - 請求項1乃至8のいずれかに記載の不純物導入方法であって、
前記アニールする工程は、波長500nm以上の波長を含む光を使うことを特徴とする活性化方法。 - 請求項2乃至9のいずれかに記載の不純物導入方法であって、
前記測定する工程の測定結果を光反射防止膜の厚さにフィードバックする工程を含む不純物導入方法。 - 請求項2乃至9のいずれかに記載の不純物導入方法であって、
前記測定する工程の測定結果をプラズマドーピングプロセスにフィードバックする工程を含む不純物導入方法。 - 請求項1乃至11の不純物導入方法を用いて形成された電子素子。
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JP2006513723A JP5054973B2 (ja) | 2004-05-21 | 2005-05-19 | 不純物導入方法 |
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