JPWO2005092825A1 - 光学活性アルコールの製法 - Google Patents
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Abstract
下記式で表されるルテニウム錯体ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）とケトン化合物とを極性溶媒に入れ、加圧水素下で混合することによりケトン化合物を水素化して光学活性アルコールを製造する。
Description
本発明は、ルテニウム金属錯体等を触媒とする光学活性アルコールの製法に関する。
これまで、金属錯体を触媒とする光学活性アルコールの製法が様々報告されている。特に、カルボニル化合物から不斉な金属錯体を触媒として用いて光学活性アルコールを合成する方法は、極めて精力的に検討されている。
例えば、特開２００３−１０４９９３号公報には、触媒としてＢＩＮＡＰ（２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル）等のジホスフィン化合物とジアミン化合物とがルテニウムに配位した不斉ルテニウム金属錯体のテトラハイドロボレートを用いて、加圧水素下塩基を加えることなく２−プロパノール中で種々のケトン化合物を水素化して光学活性アルコールを製造した例が幾つか報告されている。具体的には、アセトフェノン、４−アセチル安息香酸エチル、３−ノネン−２−オンなどから対応する光学活性アルコールを製造している。
また、特開平１１−３２２６４９号公報には、触媒として窒素上にスルホニル基を有するジフェニルエチレンジアミンとベンゼン誘導体とがルテニウムに配位した不斉ルテニウム金属錯体を用いて、ギ酸とトリエチルアミンとの共沸混合物及びトリエチルアミンの存在下、ｍ−トリフルオロメチルアセトフェノンを水素化して対応する光学活性アルコールを製造した例が報告されている。
しかしながら、特開２００３−１０４９９３号公報に記載された触媒を用いると塩基不存在下でケトン化合物から光学活性アルコールが得られるものの、反応基質によっては収率や鏡像体過剰率が低いことがあった。また、特開平１１−３２２６４９号公報では有機塩基であるトリエチルアミンが必要なため、例えばアセチレンケトンなどのような塩基に不安定な反応基質から光学活性アルコールを製造するのは困難であった。
例えば、特開２００３−１０４９９３号公報には、触媒としてＢＩＮＡＰ（２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル）等のジホスフィン化合物とジアミン化合物とがルテニウムに配位した不斉ルテニウム金属錯体のテトラハイドロボレートを用いて、加圧水素下塩基を加えることなく２−プロパノール中で種々のケトン化合物を水素化して光学活性アルコールを製造した例が幾つか報告されている。具体的には、アセトフェノン、４−アセチル安息香酸エチル、３−ノネン−２−オンなどから対応する光学活性アルコールを製造している。
また、特開平１１−３２２６４９号公報には、触媒として窒素上にスルホニル基を有するジフェニルエチレンジアミンとベンゼン誘導体とがルテニウムに配位した不斉ルテニウム金属錯体を用いて、ギ酸とトリエチルアミンとの共沸混合物及びトリエチルアミンの存在下、ｍ−トリフルオロメチルアセトフェノンを水素化して対応する光学活性アルコールを製造した例が報告されている。
しかしながら、特開２００３−１０４９９３号公報に記載された触媒を用いると塩基不存在下でケトン化合物から光学活性アルコールが得られるものの、反応基質によっては収率や鏡像体過剰率が低いことがあった。また、特開平１１−３２２６４９号公報では有機塩基であるトリエチルアミンが必要なため、例えばアセチレンケトンなどのような塩基に不安定な反応基質から光学活性アルコールを製造するのは困難であった。
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、これまで水素化が困難であったケトン化合物から光学活性アルコールを収率よく、しかも高立体選択的に得ることができる製法を提供することを目的とする。
上記課題に鑑み、本発明の発明者らは、数多くの不斉ルテニウム、ロジウム、およびイリジウム錯体の触媒能を調査し、触媒の作用機構を解析し、鋭意研究を重ねた結果、これまで水素化が困難であったケトン化合物を水素化して光学活性アルコールを収率よく高立体選択的に得る方法を開発するに至った。
すなわち、本発明の第１の光学活性アルコールの製法は、一般式（１）で表される金属錯体とケトン化合物とを極性溶媒に入れ、加圧水素下で混合することによりケトン化合物を水素化して光学活性アルコールを製造するものである。
一般式（１）
（一般式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、同一であっても互いに異なっていてもよく、アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいナフチル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基及びＲ１とＲ２とが一緒になって形成された非置換若しくは置換基を有する脂環式環からなる群より選ばれた一種であり、
Ｒ３は、アルキル基、パーフルオロアルキル基、置換基を有していてもよいナフチル基、置換基を有していてもよいフェニル基及びカンファー基からなる群より選ばれた一種であり、
Ｒ４は、水素原子又はアルキル基であり、
Ａｒは、置換基を有していてもよいベンゼンであり、
Ｘは、アニオン性基であり、
＊は、不斉炭素を示す。）
この製法によれば、加圧水素下でケトン化合物の水素化が進行するため、これまで水素化が困難であったケトン化合物から光学活性アルコールを収率よく、しかも高立体選択的に得ることができる。
本発明の第２の光学活性アルコールの製法は、一般式（２）で表される金属錯体とケトン化合物とを極性溶媒に入れ、加圧水素下で混合することによりケトン化合物を水素化して光学活性アルコールを製造するものである。
一般式（２）
（一般式（２）中、Ｒ１及びＲ２は、同一であっても互いに異なっていてもよく、アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいナフチル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基及びＲ１とＲ２とが一緒になって形成された非置換若しくは置換基を有する脂環式環からなる群より選ばれた一種であり、
Ｒ３は、アルキル基、パーフルオロアルキル基、置換基を有していてもよいナフチル基、置換基を有していてもよいフェニル基及びカンファー基からなる群より選ばれた一種であり、
Ｒ４は、水素原子又はアルキル基であり、
Ｃｐは、置換基を有していてもよいシクロペンタジエンであり、
Ｍは、ロジウム又はイリジウムであり、
Ｘは、アニオン性基であり、
＊は、不斉炭素を示す。）
この製法によっても、加圧水素下でケトン化合物の水素化が進行するため、これまで水素化が困難であったケトン化合物から光学活性アルコールを収率よく、しかも高立体選択的に得ることができる。
一般式（１）又は（２）のＲ１及びＲ２におけるアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられる。また、置換基を有していてもよいフェニル基としては、例えば無置換のフェニル基、４−メチルフェニル基や３，５−ジメチルフェニル基等のアルキル基を有するフェニル基、４−フルオロフェニル基や４−クロロフェニル基等のハロゲン置換基を有するフェニル基、４−メトキシフェニル基等のアルコキシ基を有するフェニル基などが挙げられる。また、置換基を有していてもよいナフチル基としては、例えば無置換のナフチル基、５，６，７，８−テトラヒドロ−１−ナフチル基、５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル基などが挙げられる。また、置換基を有していてもよいシクロアルキル基としては、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。また、Ｒ１とＲ２とが一緒になって形成された非置換若しくは置換基を有する脂環式環としては、例えばＲ１とＲ２とが一緒になって形成されたシクロヘキサン環などが挙げられる。このうち、Ｒ１及びＲ２としては、共にフェニル基であるか、Ｒ１とＲ２とが一緒になって形成されたシクロヘキサン環であることが好ましい。
一般式（１）又は（２）のＲ３におけるアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられる。また、パーフルオロアルキル基としては、例えばトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基などが挙げられる。また、置換基を有していてもよいナフチル基としては、例えば無置換のナフチル基、５，６，７，８−テトラヒドロ−１−ナフチル基、５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル基などが挙げられる。また、置換基を有していてもよいフェニル基としては、例えば無置換のフェニル基、４−メチルフェニル基や３，５−ジメチルフェニル基や２，４，６−トリメチルフェニル基や２，４，６−トリイソプロピルフェニル基等のアルキル基を有するフェニル基、４−フルオロフェニル基や４−クロロフェニル基等のハロゲン置換基を有するフェニル基、４−メトキシフェニル基等のアルコキシ基を有するフェニル基などが挙げられる。
一般式（１）又は（２）のＲ４におけるアルキル基としては、例えばメチル基やエチル基などが挙げられるが、Ｒ４として好ましいのは水素である。
一般式（１）のＡｒとしては、例えば無置換のベンゼンのほか、トルエン、ｏ−，ｍ−又はｐ−キシレン、ｏ−，ｍ−又はｐ−シメン、１，２，３−，１，２，４−又は１，３，５−トリメチルベンゼン、１，２，４，５−テトラメチルベンゼン又は１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン等のアルキル基を有するベンゼンなどが挙げられる。
一般式（２）のＣｐとしては、例えば無置換のシクロペンタジエンのほか、モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−又はペンタメチルシクロペンタジエン等のアルキル基を有するシクロペンタジエンなどが挙げられる。
一般式（１）又は（２）のＸはアニオン性基であるが、例えばフッ素基、塩素基、臭素基、ヨウ素基、テトラフルオロボラート基、テトラヒドロボラート基、テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボラート基、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基、（２，６−ジヒドロキシベンゾイル）オキシ基、（２，５−ジヒドロキシベンゾイル）オキシ基、（３−アミノベンゾイル）オキシ基、（２，６−メトキシベンゾイル）オキシ基、（２，４，６−トリイソプロピルベンゾイル）オキシ基、１−ナフタレンカルボン酸基、２−ナフタレンカルボン酸基、トリフルオロアセトキシ基、トリフルオロメタンスルホキシ基、トリフルオロメタンスルホンイミド基などが挙げられる。このうち、Ｘとして好ましいのは、フッ素基、塩素基、臭素基、ヨウ素基などのハロゲン基である。
一般式（１）又は（２）において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、同一であっても互いに異なっていてもよく、フェニル基、炭素数１〜５のアルキル基を有するフェニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基を有するフェニル基又はハロゲン置換基を有するフェニル基であり、Ｒ４は水素原子であることが好ましい。一般式（１）ではルテニウムに、一般式（２）ではロジウム又はイリジウムに２座配位子であるエチレンジアミン誘導体（Ｒ３ＳＯ２ＮＨＣＨＲ１ＣＨＲ２ＮＨＲ４）が配位していることから、Ｒ１〜Ｒ４のうち好ましい具体例の説明をこのエチレンジアミン誘導体を例示することにより行う。即ち、エチレンジアミン誘導体としては、ＴｓＤＰＥＮ（Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン）、ＭｓＤＰＥＮ（Ｎ−メタンスルホニル−１，２−ジフェニルエチレンジアミン）、Ｎ−メチル−Ｎ′−（ｐ−トルエンスルホニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニルスルホニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ−（ｐ−クロロフェニルスルホニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ−トリフルオロメタンスルホニル−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ−（２，４，６−トリメチルベンゼンスルホニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ−（２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ−（４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ−（２−ナフチルスルホニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ−（３，５−ジメチルベンゼンスルホニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ−ペンタメチルベンゼンスルホニル−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、１，２−Ｎ−トシルシクロヘキサンジアミンなどが例示される。
本発明の第３の光学活性アルコールの製法は、一般式（３）で表される金属錯体とケトン化合物とを極性溶媒に入れ、加圧水素下で混合することによりケトン化合物を水素化して光学活性アルコールを製造するものである。
一般式（３）
（一般式（３）中、Ｗは、置換基を有していてもよい結合鎖であり、
Ｒ５〜Ｒ８は、同じであっても異なっていてもよく、置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Ｒ５とＲ６とが一緒になって置換基を有していてもよい炭素鎖環を形成していてもよいしＲ７とＲ８とが一緒になって置換基を有していてもよい炭素鎖環を形成していてもよく、
Ｒ９〜Ｒ１２は、同じであっても異なっていてもよく、水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、
Ｚは、置換基を有していてもよい炭化水素鎖であり、
Ｙは、ＢＨ４を除くアニオン性基であり、
ルテニウムの各配位子は、どのように配置されていてもよい。）
この製法によっても、加圧水素下でケトン化合物の水素化が進行するため、これまで水素化が困難であったケトン化合物から光学活性アルコールを収率よく、しかも高立体選択的に得ることができる。
一般式（３）におけるＲ５〜Ｒ８の置換基を有していてもよい炭化水素基としては、脂肪族、脂環族の飽和又は不胞和の炭化水素基、単環又は多環の芳香族又は芳香脂肪族の炭化水素、あるいは置換基を持つこれらの炭化水素基の各種のものであってもよい。例えば、アルキル、アルケニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、フェニル、ナフチル、フェニルアルキル等の炭化水素基と、これら炭化水素基に、さらにアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アルコキシ、エステル、アシルオキシ、ハロゲン原子、ニトロ、シアノ基等の許容される各種の置換基を有するもののうちから選択される。また、Ｒ５とＲ６、Ｒ７とＲ８が一緒になって置換基を有していてもよい炭素鎖環を形成する場合には、Ｒ５とＲ６、Ｒ７とＲ８は結合して炭素鎖を形成し、この炭素鎖上にアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アルコキシ、エステル、アシルオキシ、ハロゲン原子、ニトロ、シアノ基等の許容される各種の置換基を持つものから選択される。
一般式（３）におけるＷは、置換基を有していてもよい結合鎖であり、このうち結合鎖としては２価の炭化水素鎖（例えば−ＣＨ２−、−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）３−、−（ＣＨ２）４−等の直鎖状炭化水素鎖、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ（ＣＨ３）−などの分岐を有する炭化水素鎖、−Ｃ６Ｈ４−、−Ｃ６Ｈ１０−などの環状炭化水素など）、２価のビナフチル、２価のビフェニル、２価のパラシクロファン、２価のビピリジン、２価の環状複素環などが挙げられる。このうち、２位及び２’位にてリン原子と結合し他の位置のいずれかに置換基を有していてもよいビナフチル基が好ましい。また、これらの結合鎖は、アルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アルコキシ、エステル、アシルオキシ、ハロゲン原子、ニトロ、シアノ基等の許容される各種の置換基を有していてもよい。
一般式（３）ではルテニウムに２座配位子であるジホスフィン誘導体（Ｒ５Ｒ６Ｐ−Ｗ−ＰＲ７Ｒ８）が配位していることから、Ｒ５〜Ｒ８及びＷのうち好ましい具体例の説明をこのジホスフィン誘導体を例示することにより行う。即ち、ジホスフィン誘導体としては、ＢＩＮＡＰ（２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル）、ＴｏｌＢＩＮＡＰ（２，２’−ビス［（４−メチルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル）、ＸｙｌＢＩＮＡＰ（２，２’−ビス［（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル）、２，２’−ビス［（４−ｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル）、２，２’−ビス［（４−イソプロピルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル）、２，２’−ビス［（ナフタレン−１−イル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル）、２，２’−ビス［（ナフタレン−２−イル）ホスフィノ］−１，１’ビナフチル）、ＢＩＣＨＥＭＰ（２，２’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル）、ＢＰＰＦＡ（１−［１，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン）、ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ（２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ＣＹＣＰＨＯＳ（１−シクロヘキシル−１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン）、ＤＥＧＰＨＯＳ（１−置換−３，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ピロリジン）、ＤＩＯＰ（２，３−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ−１，４−ビス（（ジフェニルホスフィノ）ブタン）、ＳＫＥＷＰＨＯＳ（２，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタン）、ＤｕＰＨＯＳ（置換−１，２−ビス（ホスホラノ）ベンゼン）、ＤＩＰＡＭＰ（１，２−ビス［（ｏ−メトキシフェニル）フェニルホスフィノ］エタン）、ＮＯＲＰＨＯＳ（５，６−ビス（ジフェニルホスフィノ）−２−ノルボルネン）、ＰＲＯＰＨＯＳ（１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ＰＨＡＮＥＰＨＯＳ（４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−［２，２’］−パラシクロファン）、置換−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビピリジン）などが例示される。
一般式（３）のＲ９〜Ｒ１２における炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ベンジル基などの炭素数１〜１０の炭化水素基が挙げられる。また、これらの炭化水素基は、アルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アルコキシ、エステル、アシルオキシ、ハロゲン原子、ニトロ、シアノ基等の許容される各種の置換基を有していてもよい。
一般式（３）のＺにおける炭化水素鎖としては、例えば−ＣＨ２−、−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）３−、−（ＣＨ２）４−等の直鎖状炭化水素鎖、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ（ＣＨ３）−などの分岐を有する炭化水素鎖、−Ｃ６Ｈ４−、−Ｃ６Ｈ１０−などの環状炭化水素などが挙げられる。また、これらの炭化水素鎖は、アルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アルコキシ、エステル、アシルオキシ、ハロゲン原子、ニトロ、シアノ基等の許容される各種の置換基を有していてもよい。このうち、置換基としてはフェニル基が好ましい。
一般式（３）ではルテニウムに２座配位子であるジアミン誘導体（Ｒ９Ｒ１０Ｎ−Ｚ−ＮＲ１１Ｒ１２）が配位していることから、Ｒ９〜ｋ１２及びＺのうち好ましい具体例の説明をこのジアミン誘導体を例示することにより行う。即ち、ジアミン誘導体としては、ＤＰＥＮ（１，２−ジフェニルエチレンジアミン）、Ｎ−メチル−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジメチル−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン、ＤＡＩＰＥＮ（１−イソプロピル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン）、１，２−シクロヘプタンジアミン、２，３−ジメチルブタンジアミン、１−メチル−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−イソプロピル−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−メチル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−エチル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−フェニル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−ベンジル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−イソブチル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミンなどが例示され、このうちＤＰＥＮ又はＤＡＩＰＥＮが好ましい。また、これらのうち光学活性なジアミン誘導体が好ましい。更に、光学活性ジアミン誘導体は、上述したものに限られるものではなく、種々の光学活性なプロパンジアミン、ブタンジアミン、フェニレンジアミン、シクロヘキサンジアミン誘導体等を用いることができる。
一般式（３）におけるＹはテトラヒドロボラート基（ＢＨ４）を除くアニオン性基であり、例えばフッ素基、塩素基、臭素基、ヨウ素基、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基、（２，６−ジヒドロキシベンゾイル）オキシ基、（２，５−ジヒドロキシベンゾイル）オキシ基、（３−アミノベンゾイル）オキシ基、（２，６−メトキシベンゾイル）オキシ基、（２，４，６−トリイソプロピルベンゾイル）オキシ基、１−ナフタレンカルボン酸基、２−ナフタレンカルボン酸基、トリフルオロアセトキシ基、トリフルオロメタンスルホキシ基、トリフルオロメタンスルホンイミド基、テトラフルオロボラート基（ＢＦ４）などが挙げられる。このうち、Ｙとして好ましいのは、フッ素基、塩素基、臭素基、ヨウ素基などのハロゲン基である。
一般式（１）〜（３）で示される金属錯体は、配位性の有機溶媒を１ないし複数個含む場合がある。ここで、配位性の有機溶媒としては、例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、ペンタン、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒、塩化メチレンなどのハロゲン含有炭化水素溶媒、エーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、ベンジルアルコールなどのアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキシルケトンなどのケトン系溶媒、アセトニトリル、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、Ｎ−メチルピロリドン、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）、トリエチルアミンなどヘテロ原子を含む有機溶媒などが例示される。
一般式（１）及び（２）で表されるルテニウム、ロジウム及びイリジウム錯体の調製方法は、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．，Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．Ｖｏｌ．３６，ｐ２８５（１９９７）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．Ｖｏｌ．６４，ｐ２１８６（１９９９）等に記載されている。すなわち、配位子Ｘをもつルテニウム、ロジウム又はイリジウム錯体と、スルホニルジアミン配位子の反応により合成可能である。あるいは、スルホニルジアミン配位子をもつ金属アミド錯体とＨＸとの反応により合成可能である。
一般式（３）で表されるルテニウム錯体の調製方法は、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．，Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．Ｖｏｌ．３７，ｐ１７０３（１９９８）やＯｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ ｖｏｌ．２１，ｐ１０４７（２００１）等に記載されている。すなわち、配位子Ｘをもつルテニウムヒドリド錯体と、ジホスフィン配位子、次いでジアミン配位子を反応することで合成できる。あるいは、ルテニウムハロゲン化物をジホスフィン配位子、次いで、ジアミン配位子と反応し、ジホスフィン配位子及びジアミン配位子をもつルテニウムハロゲン化物錯体を調製、これを還元することで目的とするルテニウム錯体を調製できる。
一般式（１）で表されるルテニウム錯体の出発原料となるルテニウム錯体としては、例えば、塩化ルテニウム（ＩＩＩ）水和物、臭化ルテニウム（ＩＩＩ）水和物、沃化ルテニウム（ＩＩＩ）水和物等の無機ルテニウム化合物、［２塩化ルテニウム（ノルボルナジエン）］多核体、［２塩化ルテニウム（シクロオクタ−１，５−ジエン）］多核体、ビス（メチルアリル）ルテニウム（シクロオクタ−１，５−ジエン）等のジエンが配位したルテニウム化合物、［２塩化ルテニウム（ベンゼン）］多核体、［２塩化ルテニウム（ｐ−シメン）］多核体、［２塩化ルテニウム（トリメチルベンゼン）］多核体、［２塩化ルテニウム（ヘキサメチルベンゼン）］多核体等の芳香族化合物が配位したルテニウム錯体、また、ジクロロトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム等のホスフィンが配位した錯体、２塩化ルテニウム（ジメチルホルムアミド）４、クロロヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム等が用いられる。その他、光学活性ジホスフィン化合物、光学活性ジアミン化合物と置換可能な配位子を有するルテニウム錯体であれば、特に、上記に限定されるものではない。例えば、ＣＯＭＰＲＥＨＥＮＳＩＶＥ ＯＲＧＡＮＯＭＥＴＡＬＬＩＣ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ ＩＩ Ｖｏｌ．７ ｐ２９４−２９６（ＰＥＲＧＡＭＯＮ）に示された、種々のルテニウム錯体を出発原料として用いることができる。
一般式（２）で表される不斉ロジウム錯体及び不斉イリジウム錯体の出発原料となるロジウム及びイリジウム錯体としては、例えば塩化ロジウム（ＩＩＩ）水和物、臭化ロジウム（ＩＩＩ）水和物、沃化ロジウム（ＩＩＩ）水和物等の無機ルテニウム化合物、［２塩化ペンタメチルシクロペンタジエニルロジウム］多核体、［２臭化ペンタメチルシクロペンタジエニルロジウム］多核体、［２ヨウ化ペンタメチルシクロペンタジエニルロジウム］多核体が用いられる。
出発原料である、ルテニウム、ロジウム、およびイリジウム錯体と配位子との反応は、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、ペンタン、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒、塩化メチレンなどのハロゲン含有炭化水素溶媒、エーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、ベンジルアルコールなどのアルコール系溶媒、アセトニトリル、ＤＭＦ、Ｎ−メチルピロリドン及びＤＭＳＯなどヘテロ原子を含む有機溶媒からなる群より選ばれた１種又は２種以上の溶媒中で、反応温度０℃から２００℃の間で行われ、この反応により金属錯体を得ることができる。
本発明の第１〜第３では、一般式（１）〜（３）で表される金属錯体とケトン化合物とを極性溶媒中に入れ、加圧水素下で混合することによりケトン化合物の水素化を行うが、このときの水素の圧力は、経済性を考慮すると１〜２００気圧の範囲が好ましく、５〜１５０気圧の範囲がより好ましい。反応温度は、経済性を考慮すると−５０〜１００℃の範囲で行うことができるが、−３０〜５０℃の範囲で行うことが好ましく、２０〜５０℃の範囲で行うことがより好ましい。反応時間は反応基質濃度、温度、圧力等の反応条件によって異なるが、数分〜数日で反応が終了することが多く、特に５〜２４時間で反応が終了することが多い。また、反応生成物の精製は、カラムクロマトグラフィー、蒸留、再結晶等の公知の方法により行うことができる。なお、一般式（１）又は（２）で表される金属錯体を用いる場合には、一般式（１）又は（２）で表される金属錯体と対応するアミド錯体を混合してもよく（例えば金属錯体：アミド錯体＝１．０：０−１．０モル当量）、また、一般式（１）又は（２）で表される金属錯体に対してＨＸ（Ｘは前出のとおり）を添加してもよい（例えば金属錯体：ＨＸ＝１．０：０−０．５モル当量）。また、反応系内で、対応するアミド錯体とＨＸ（例えばアミド錯体：ＨＸ＝１．０：０．５−１．５モル当量）から一般式（１）又は（２）の金属錯体を調製した後、ケトン化合物の水素化反応を実施することもできる。
本発明の第１〜第３で使用される極性溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、２−プロパノール、２−メチル−２−プロパノール、２−メチル−２−ブタノールなどのアルコール系溶媒、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジエチルエーテルなどのエーテル系溶媒、ＤＭＳＯ、ＤＭＦ、アセトニトリル等のヘテロ原子含有溶媒などを単独で又は併用して用いることができる。また、これらの極性溶媒と他の溶媒との混合溶媒を用いることもできる。これらの極性溶媒のうち、アルコール系溶媒が好ましく、メタノール及びエタノールがより好ましく、メタノールが最も好ましい。
本発明の第１〜第３で使用される一般式（１）〜（３）で表される金属錯体の量は、金属錯体のモルに対するケトン化合物のモル比をＳ／Ｃ（Ｓは基質、Ｃは触媒）と表すとすると、Ｓ／Ｃが１０〜１００，０００の範囲で用いることができ、５０〜１０，０００の範囲で用いることが好ましい。
本発明の第１〜第３の反応系中には、必要に応じて、無機又は有機物の塩を添加することができる。具体的には、過塩素酸リチウム、過塩素酸ナトリウム、過塩素酸マグネシウム、過塩素酸バリウム、過塩素酸カルシウム、ヘキサフルオロリン酸リチウム、ヘキサフルオロリン酸ナトリウム、ヘキサフルオロリン酸マグネシウム、ヘキサフルオロリン酸カルシウム、テトラフルオロホウ酸リチウム、テトラフルオロホウ酸ナトリウム、テトラフルオロホウ酸マグネシウム、テトラフルオロホウ酸カルシウム、テトラフェニルホウ酸リチウム、テトラフェニルホウ酸ナトリウム、テトラフェニルホウ酸マグネシウム、およびテトラフェニルホウ酸カルシウムなどのイオン性の塩が例示される。これらの塩を、金属錯体に対して１〜１０００モル当量添加してケトンの水素化反応を実施することができる。このうち、過塩素酸塩を金属錯体に対して１０〜２００モル当量用いることが好ましい。
本発明の第１〜第３における一般式（１）〜（３）で表される金属錯体中の不斉炭素は、いずれも（Ｒ）体又は（Ｓ）体のいずれかとして得ることができるものである。これらの（Ｒ）体又は（Ｓ）体のいずれかを選択することにより、所望する（Ｒ）体又は（Ｓ）体の光学活性アルコールを高選択的に得ることができる。
本発明の第１〜第３では、反応系内に塩基を添加することは必須ではないから、塩基を添加しなくてもケトン化合物の水素化反応が速やかに進行する。ただし、塩基を添加することを排除するものではなく、例えば反応基質に応じて少量の塩基を添加したりしてもよい。
このように、本発明の第１〜第３の光学活性アルコールの製法は、塩基を必須とせずにケトン化合物の水素化を行うものであるから、塩基に不安定なケトン化合物を水素化して対応する光学活性アルコールを得ることができる。具体的には、環状ケトンを水素化して光学活性環状アルコールを製造したり、オレフィン部位又はアセチレン部位を有するケトン（特にα，β−結合がオレフィン部位又はアセチレン部位であるケトン）を水素化してオレフィン部位又はアセチレン部位を有する光学活性アルコールを製造したり、水酸基を有するケトンを水素化して水酸基を有する光学活性アルコールを製造したり、ハロゲン置換基を有するケトン（特にα位にハロゲン置換基を有するケトン）を水素化してハロゲン置換基を有する光学活性アルコールを製造したり、クロマノン誘導体を水素化して光学活性クロマノールを製造したり、ジケトンを水素化して光学活性ジオールを製造したり、ケトエステルを水素化して光学活性ヒドロキシエステルを製造したり、ケトアミドを水素化して光学活性ヒドロキシアミドを製造したりすることができる。なお、図１〜図７に本発明の第１〜第３を適用可能なケトン化合物の代表例を列挙する。
上記課題に鑑み、本発明の発明者らは、数多くの不斉ルテニウム、ロジウム、およびイリジウム錯体の触媒能を調査し、触媒の作用機構を解析し、鋭意研究を重ねた結果、これまで水素化が困難であったケトン化合物を水素化して光学活性アルコールを収率よく高立体選択的に得る方法を開発するに至った。
すなわち、本発明の第１の光学活性アルコールの製法は、一般式（１）で表される金属錯体とケトン化合物とを極性溶媒に入れ、加圧水素下で混合することによりケトン化合物を水素化して光学活性アルコールを製造するものである。
一般式（１）
Ｒ３は、アルキル基、パーフルオロアルキル基、置換基を有していてもよいナフチル基、置換基を有していてもよいフェニル基及びカンファー基からなる群より選ばれた一種であり、
Ｒ４は、水素原子又はアルキル基であり、
Ａｒは、置換基を有していてもよいベンゼンであり、
Ｘは、アニオン性基であり、
＊は、不斉炭素を示す。）
この製法によれば、加圧水素下でケトン化合物の水素化が進行するため、これまで水素化が困難であったケトン化合物から光学活性アルコールを収率よく、しかも高立体選択的に得ることができる。
本発明の第２の光学活性アルコールの製法は、一般式（２）で表される金属錯体とケトン化合物とを極性溶媒に入れ、加圧水素下で混合することによりケトン化合物を水素化して光学活性アルコールを製造するものである。
一般式（２）
Ｒ３は、アルキル基、パーフルオロアルキル基、置換基を有していてもよいナフチル基、置換基を有していてもよいフェニル基及びカンファー基からなる群より選ばれた一種であり、
Ｒ４は、水素原子又はアルキル基であり、
Ｃｐは、置換基を有していてもよいシクロペンタジエンであり、
Ｍは、ロジウム又はイリジウムであり、
Ｘは、アニオン性基であり、
＊は、不斉炭素を示す。）
この製法によっても、加圧水素下でケトン化合物の水素化が進行するため、これまで水素化が困難であったケトン化合物から光学活性アルコールを収率よく、しかも高立体選択的に得ることができる。
一般式（１）又は（２）のＲ１及びＲ２におけるアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられる。また、置換基を有していてもよいフェニル基としては、例えば無置換のフェニル基、４−メチルフェニル基や３，５−ジメチルフェニル基等のアルキル基を有するフェニル基、４−フルオロフェニル基や４−クロロフェニル基等のハロゲン置換基を有するフェニル基、４−メトキシフェニル基等のアルコキシ基を有するフェニル基などが挙げられる。また、置換基を有していてもよいナフチル基としては、例えば無置換のナフチル基、５，６，７，８−テトラヒドロ−１−ナフチル基、５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル基などが挙げられる。また、置換基を有していてもよいシクロアルキル基としては、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。また、Ｒ１とＲ２とが一緒になって形成された非置換若しくは置換基を有する脂環式環としては、例えばＲ１とＲ２とが一緒になって形成されたシクロヘキサン環などが挙げられる。このうち、Ｒ１及びＲ２としては、共にフェニル基であるか、Ｒ１とＲ２とが一緒になって形成されたシクロヘキサン環であることが好ましい。
一般式（１）又は（２）のＲ３におけるアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられる。また、パーフルオロアルキル基としては、例えばトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基などが挙げられる。また、置換基を有していてもよいナフチル基としては、例えば無置換のナフチル基、５，６，７，８−テトラヒドロ−１−ナフチル基、５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル基などが挙げられる。また、置換基を有していてもよいフェニル基としては、例えば無置換のフェニル基、４−メチルフェニル基や３，５−ジメチルフェニル基や２，４，６−トリメチルフェニル基や２，４，６−トリイソプロピルフェニル基等のアルキル基を有するフェニル基、４−フルオロフェニル基や４−クロロフェニル基等のハロゲン置換基を有するフェニル基、４−メトキシフェニル基等のアルコキシ基を有するフェニル基などが挙げられる。
一般式（１）又は（２）のＲ４におけるアルキル基としては、例えばメチル基やエチル基などが挙げられるが、Ｒ４として好ましいのは水素である。
一般式（１）のＡｒとしては、例えば無置換のベンゼンのほか、トルエン、ｏ−，ｍ−又はｐ−キシレン、ｏ−，ｍ−又はｐ−シメン、１，２，３−，１，２，４−又は１，３，５−トリメチルベンゼン、１，２，４，５−テトラメチルベンゼン又は１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン等のアルキル基を有するベンゼンなどが挙げられる。
一般式（２）のＣｐとしては、例えば無置換のシクロペンタジエンのほか、モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−又はペンタメチルシクロペンタジエン等のアルキル基を有するシクロペンタジエンなどが挙げられる。
一般式（１）又は（２）のＸはアニオン性基であるが、例えばフッ素基、塩素基、臭素基、ヨウ素基、テトラフルオロボラート基、テトラヒドロボラート基、テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボラート基、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基、（２，６−ジヒドロキシベンゾイル）オキシ基、（２，５−ジヒドロキシベンゾイル）オキシ基、（３−アミノベンゾイル）オキシ基、（２，６−メトキシベンゾイル）オキシ基、（２，４，６−トリイソプロピルベンゾイル）オキシ基、１−ナフタレンカルボン酸基、２−ナフタレンカルボン酸基、トリフルオロアセトキシ基、トリフルオロメタンスルホキシ基、トリフルオロメタンスルホンイミド基などが挙げられる。このうち、Ｘとして好ましいのは、フッ素基、塩素基、臭素基、ヨウ素基などのハロゲン基である。
一般式（１）又は（２）において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、同一であっても互いに異なっていてもよく、フェニル基、炭素数１〜５のアルキル基を有するフェニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基を有するフェニル基又はハロゲン置換基を有するフェニル基であり、Ｒ４は水素原子であることが好ましい。一般式（１）ではルテニウムに、一般式（２）ではロジウム又はイリジウムに２座配位子であるエチレンジアミン誘導体（Ｒ３ＳＯ２ＮＨＣＨＲ１ＣＨＲ２ＮＨＲ４）が配位していることから、Ｒ１〜Ｒ４のうち好ましい具体例の説明をこのエチレンジアミン誘導体を例示することにより行う。即ち、エチレンジアミン誘導体としては、ＴｓＤＰＥＮ（Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン）、ＭｓＤＰＥＮ（Ｎ−メタンスルホニル−１，２−ジフェニルエチレンジアミン）、Ｎ−メチル−Ｎ′−（ｐ−トルエンスルホニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニルスルホニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ−（ｐ−クロロフェニルスルホニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ−トリフルオロメタンスルホニル−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ−（２，４，６−トリメチルベンゼンスルホニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ−（２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ−（４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ−（２−ナフチルスルホニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ−（３，５−ジメチルベンゼンスルホニル）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ−ペンタメチルベンゼンスルホニル−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、１，２−Ｎ−トシルシクロヘキサンジアミンなどが例示される。
本発明の第３の光学活性アルコールの製法は、一般式（３）で表される金属錯体とケトン化合物とを極性溶媒に入れ、加圧水素下で混合することによりケトン化合物を水素化して光学活性アルコールを製造するものである。
一般式（３）
Ｒ５〜Ｒ８は、同じであっても異なっていてもよく、置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Ｒ５とＲ６とが一緒になって置換基を有していてもよい炭素鎖環を形成していてもよいしＲ７とＲ８とが一緒になって置換基を有していてもよい炭素鎖環を形成していてもよく、
Ｒ９〜Ｒ１２は、同じであっても異なっていてもよく、水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、
Ｚは、置換基を有していてもよい炭化水素鎖であり、
Ｙは、ＢＨ４を除くアニオン性基であり、
ルテニウムの各配位子は、どのように配置されていてもよい。）
この製法によっても、加圧水素下でケトン化合物の水素化が進行するため、これまで水素化が困難であったケトン化合物から光学活性アルコールを収率よく、しかも高立体選択的に得ることができる。
一般式（３）におけるＲ５〜Ｒ８の置換基を有していてもよい炭化水素基としては、脂肪族、脂環族の飽和又は不胞和の炭化水素基、単環又は多環の芳香族又は芳香脂肪族の炭化水素、あるいは置換基を持つこれらの炭化水素基の各種のものであってもよい。例えば、アルキル、アルケニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、フェニル、ナフチル、フェニルアルキル等の炭化水素基と、これら炭化水素基に、さらにアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アルコキシ、エステル、アシルオキシ、ハロゲン原子、ニトロ、シアノ基等の許容される各種の置換基を有するもののうちから選択される。また、Ｒ５とＲ６、Ｒ７とＲ８が一緒になって置換基を有していてもよい炭素鎖環を形成する場合には、Ｒ５とＲ６、Ｒ７とＲ８は結合して炭素鎖を形成し、この炭素鎖上にアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アルコキシ、エステル、アシルオキシ、ハロゲン原子、ニトロ、シアノ基等の許容される各種の置換基を持つものから選択される。
一般式（３）におけるＷは、置換基を有していてもよい結合鎖であり、このうち結合鎖としては２価の炭化水素鎖（例えば−ＣＨ２−、−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）３−、−（ＣＨ２）４−等の直鎖状炭化水素鎖、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ（ＣＨ３）−などの分岐を有する炭化水素鎖、−Ｃ６Ｈ４−、−Ｃ６Ｈ１０−などの環状炭化水素など）、２価のビナフチル、２価のビフェニル、２価のパラシクロファン、２価のビピリジン、２価の環状複素環などが挙げられる。このうち、２位及び２’位にてリン原子と結合し他の位置のいずれかに置換基を有していてもよいビナフチル基が好ましい。また、これらの結合鎖は、アルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アルコキシ、エステル、アシルオキシ、ハロゲン原子、ニトロ、シアノ基等の許容される各種の置換基を有していてもよい。
一般式（３）ではルテニウムに２座配位子であるジホスフィン誘導体（Ｒ５Ｒ６Ｐ−Ｗ−ＰＲ７Ｒ８）が配位していることから、Ｒ５〜Ｒ８及びＷのうち好ましい具体例の説明をこのジホスフィン誘導体を例示することにより行う。即ち、ジホスフィン誘導体としては、ＢＩＮＡＰ（２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル）、ＴｏｌＢＩＮＡＰ（２，２’−ビス［（４−メチルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル）、ＸｙｌＢＩＮＡＰ（２，２’−ビス［（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル）、２，２’−ビス［（４−ｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル）、２，２’−ビス［（４−イソプロピルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル）、２，２’−ビス［（ナフタレン−１−イル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル）、２，２’−ビス［（ナフタレン−２−イル）ホスフィノ］−１，１’ビナフチル）、ＢＩＣＨＥＭＰ（２，２’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル）、ＢＰＰＦＡ（１−［１，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン）、ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ（２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ＣＹＣＰＨＯＳ（１−シクロヘキシル−１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン）、ＤＥＧＰＨＯＳ（１−置換−３，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ピロリジン）、ＤＩＯＰ（２，３−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ−１，４−ビス（（ジフェニルホスフィノ）ブタン）、ＳＫＥＷＰＨＯＳ（２，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタン）、ＤｕＰＨＯＳ（置換−１，２−ビス（ホスホラノ）ベンゼン）、ＤＩＰＡＭＰ（１，２−ビス［（ｏ−メトキシフェニル）フェニルホスフィノ］エタン）、ＮＯＲＰＨＯＳ（５，６−ビス（ジフェニルホスフィノ）−２−ノルボルネン）、ＰＲＯＰＨＯＳ（１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ＰＨＡＮＥＰＨＯＳ（４，１２−ビス（ジフェニルホスフィノ）−［２，２’］−パラシクロファン）、置換−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビピリジン）などが例示される。
一般式（３）のＲ９〜Ｒ１２における炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ベンジル基などの炭素数１〜１０の炭化水素基が挙げられる。また、これらの炭化水素基は、アルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アルコキシ、エステル、アシルオキシ、ハロゲン原子、ニトロ、シアノ基等の許容される各種の置換基を有していてもよい。
一般式（３）のＺにおける炭化水素鎖としては、例えば−ＣＨ２−、−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）３−、−（ＣＨ２）４−等の直鎖状炭化水素鎖、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ（ＣＨ３）−などの分岐を有する炭化水素鎖、−Ｃ６Ｈ４−、−Ｃ６Ｈ１０−などの環状炭化水素などが挙げられる。また、これらの炭化水素鎖は、アルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アルコキシ、エステル、アシルオキシ、ハロゲン原子、ニトロ、シアノ基等の許容される各種の置換基を有していてもよい。このうち、置換基としてはフェニル基が好ましい。
一般式（３）ではルテニウムに２座配位子であるジアミン誘導体（Ｒ９Ｒ１０Ｎ−Ｚ−ＮＲ１１Ｒ１２）が配位していることから、Ｒ９〜ｋ１２及びＺのうち好ましい具体例の説明をこのジアミン誘導体を例示することにより行う。即ち、ジアミン誘導体としては、ＤＰＥＮ（１，２−ジフェニルエチレンジアミン）、Ｎ−メチル−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジメチル−１，２−ジフェニルエチレンジアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン、ＤＡＩＰＥＮ（１−イソプロピル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン）、１，２−シクロヘプタンジアミン、２，３−ジメチルブタンジアミン、１−メチル−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−イソプロピル−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−メチル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−エチル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−フェニル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−ベンジル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−イソブチル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミンなどが例示され、このうちＤＰＥＮ又はＤＡＩＰＥＮが好ましい。また、これらのうち光学活性なジアミン誘導体が好ましい。更に、光学活性ジアミン誘導体は、上述したものに限られるものではなく、種々の光学活性なプロパンジアミン、ブタンジアミン、フェニレンジアミン、シクロヘキサンジアミン誘導体等を用いることができる。
一般式（３）におけるＹはテトラヒドロボラート基（ＢＨ４）を除くアニオン性基であり、例えばフッ素基、塩素基、臭素基、ヨウ素基、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基、（２，６−ジヒドロキシベンゾイル）オキシ基、（２，５−ジヒドロキシベンゾイル）オキシ基、（３−アミノベンゾイル）オキシ基、（２，６−メトキシベンゾイル）オキシ基、（２，４，６−トリイソプロピルベンゾイル）オキシ基、１−ナフタレンカルボン酸基、２−ナフタレンカルボン酸基、トリフルオロアセトキシ基、トリフルオロメタンスルホキシ基、トリフルオロメタンスルホンイミド基、テトラフルオロボラート基（ＢＦ４）などが挙げられる。このうち、Ｙとして好ましいのは、フッ素基、塩素基、臭素基、ヨウ素基などのハロゲン基である。
一般式（１）〜（３）で示される金属錯体は、配位性の有機溶媒を１ないし複数個含む場合がある。ここで、配位性の有機溶媒としては、例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、ペンタン、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒、塩化メチレンなどのハロゲン含有炭化水素溶媒、エーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、ベンジルアルコールなどのアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキシルケトンなどのケトン系溶媒、アセトニトリル、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、Ｎ−メチルピロリドン、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）、トリエチルアミンなどヘテロ原子を含む有機溶媒などが例示される。
一般式（１）及び（２）で表されるルテニウム、ロジウム及びイリジウム錯体の調製方法は、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．，Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．Ｖｏｌ．３６，ｐ２８５（１９９７）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．Ｖｏｌ．６４，ｐ２１８６（１９９９）等に記載されている。すなわち、配位子Ｘをもつルテニウム、ロジウム又はイリジウム錯体と、スルホニルジアミン配位子の反応により合成可能である。あるいは、スルホニルジアミン配位子をもつ金属アミド錯体とＨＸとの反応により合成可能である。
一般式（３）で表されるルテニウム錯体の調製方法は、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．，Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．Ｖｏｌ．３７，ｐ１７０３（１９９８）やＯｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ ｖｏｌ．２１，ｐ１０４７（２００１）等に記載されている。すなわち、配位子Ｘをもつルテニウムヒドリド錯体と、ジホスフィン配位子、次いでジアミン配位子を反応することで合成できる。あるいは、ルテニウムハロゲン化物をジホスフィン配位子、次いで、ジアミン配位子と反応し、ジホスフィン配位子及びジアミン配位子をもつルテニウムハロゲン化物錯体を調製、これを還元することで目的とするルテニウム錯体を調製できる。
一般式（１）で表されるルテニウム錯体の出発原料となるルテニウム錯体としては、例えば、塩化ルテニウム（ＩＩＩ）水和物、臭化ルテニウム（ＩＩＩ）水和物、沃化ルテニウム（ＩＩＩ）水和物等の無機ルテニウム化合物、［２塩化ルテニウム（ノルボルナジエン）］多核体、［２塩化ルテニウム（シクロオクタ−１，５−ジエン）］多核体、ビス（メチルアリル）ルテニウム（シクロオクタ−１，５−ジエン）等のジエンが配位したルテニウム化合物、［２塩化ルテニウム（ベンゼン）］多核体、［２塩化ルテニウム（ｐ−シメン）］多核体、［２塩化ルテニウム（トリメチルベンゼン）］多核体、［２塩化ルテニウム（ヘキサメチルベンゼン）］多核体等の芳香族化合物が配位したルテニウム錯体、また、ジクロロトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム等のホスフィンが配位した錯体、２塩化ルテニウム（ジメチルホルムアミド）４、クロロヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム等が用いられる。その他、光学活性ジホスフィン化合物、光学活性ジアミン化合物と置換可能な配位子を有するルテニウム錯体であれば、特に、上記に限定されるものではない。例えば、ＣＯＭＰＲＥＨＥＮＳＩＶＥ ＯＲＧＡＮＯＭＥＴＡＬＬＩＣ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ ＩＩ Ｖｏｌ．７ ｐ２９４−２９６（ＰＥＲＧＡＭＯＮ）に示された、種々のルテニウム錯体を出発原料として用いることができる。
一般式（２）で表される不斉ロジウム錯体及び不斉イリジウム錯体の出発原料となるロジウム及びイリジウム錯体としては、例えば塩化ロジウム（ＩＩＩ）水和物、臭化ロジウム（ＩＩＩ）水和物、沃化ロジウム（ＩＩＩ）水和物等の無機ルテニウム化合物、［２塩化ペンタメチルシクロペンタジエニルロジウム］多核体、［２臭化ペンタメチルシクロペンタジエニルロジウム］多核体、［２ヨウ化ペンタメチルシクロペンタジエニルロジウム］多核体が用いられる。
出発原料である、ルテニウム、ロジウム、およびイリジウム錯体と配位子との反応は、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、ペンタン、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒、塩化メチレンなどのハロゲン含有炭化水素溶媒、エーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、ベンジルアルコールなどのアルコール系溶媒、アセトニトリル、ＤＭＦ、Ｎ−メチルピロリドン及びＤＭＳＯなどヘテロ原子を含む有機溶媒からなる群より選ばれた１種又は２種以上の溶媒中で、反応温度０℃から２００℃の間で行われ、この反応により金属錯体を得ることができる。
本発明の第１〜第３では、一般式（１）〜（３）で表される金属錯体とケトン化合物とを極性溶媒中に入れ、加圧水素下で混合することによりケトン化合物の水素化を行うが、このときの水素の圧力は、経済性を考慮すると１〜２００気圧の範囲が好ましく、５〜１５０気圧の範囲がより好ましい。反応温度は、経済性を考慮すると−５０〜１００℃の範囲で行うことができるが、−３０〜５０℃の範囲で行うことが好ましく、２０〜５０℃の範囲で行うことがより好ましい。反応時間は反応基質濃度、温度、圧力等の反応条件によって異なるが、数分〜数日で反応が終了することが多く、特に５〜２４時間で反応が終了することが多い。また、反応生成物の精製は、カラムクロマトグラフィー、蒸留、再結晶等の公知の方法により行うことができる。なお、一般式（１）又は（２）で表される金属錯体を用いる場合には、一般式（１）又は（２）で表される金属錯体と対応するアミド錯体を混合してもよく（例えば金属錯体：アミド錯体＝１．０：０−１．０モル当量）、また、一般式（１）又は（２）で表される金属錯体に対してＨＸ（Ｘは前出のとおり）を添加してもよい（例えば金属錯体：ＨＸ＝１．０：０−０．５モル当量）。また、反応系内で、対応するアミド錯体とＨＸ（例えばアミド錯体：ＨＸ＝１．０：０．５−１．５モル当量）から一般式（１）又は（２）の金属錯体を調製した後、ケトン化合物の水素化反応を実施することもできる。
本発明の第１〜第３で使用される極性溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、２−プロパノール、２−メチル−２−プロパノール、２−メチル−２−ブタノールなどのアルコール系溶媒、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジエチルエーテルなどのエーテル系溶媒、ＤＭＳＯ、ＤＭＦ、アセトニトリル等のヘテロ原子含有溶媒などを単独で又は併用して用いることができる。また、これらの極性溶媒と他の溶媒との混合溶媒を用いることもできる。これらの極性溶媒のうち、アルコール系溶媒が好ましく、メタノール及びエタノールがより好ましく、メタノールが最も好ましい。
本発明の第１〜第３で使用される一般式（１）〜（３）で表される金属錯体の量は、金属錯体のモルに対するケトン化合物のモル比をＳ／Ｃ（Ｓは基質、Ｃは触媒）と表すとすると、Ｓ／Ｃが１０〜１００，０００の範囲で用いることができ、５０〜１０，０００の範囲で用いることが好ましい。
本発明の第１〜第３の反応系中には、必要に応じて、無機又は有機物の塩を添加することができる。具体的には、過塩素酸リチウム、過塩素酸ナトリウム、過塩素酸マグネシウム、過塩素酸バリウム、過塩素酸カルシウム、ヘキサフルオロリン酸リチウム、ヘキサフルオロリン酸ナトリウム、ヘキサフルオロリン酸マグネシウム、ヘキサフルオロリン酸カルシウム、テトラフルオロホウ酸リチウム、テトラフルオロホウ酸ナトリウム、テトラフルオロホウ酸マグネシウム、テトラフルオロホウ酸カルシウム、テトラフェニルホウ酸リチウム、テトラフェニルホウ酸ナトリウム、テトラフェニルホウ酸マグネシウム、およびテトラフェニルホウ酸カルシウムなどのイオン性の塩が例示される。これらの塩を、金属錯体に対して１〜１０００モル当量添加してケトンの水素化反応を実施することができる。このうち、過塩素酸塩を金属錯体に対して１０〜２００モル当量用いることが好ましい。
本発明の第１〜第３における一般式（１）〜（３）で表される金属錯体中の不斉炭素は、いずれも（Ｒ）体又は（Ｓ）体のいずれかとして得ることができるものである。これらの（Ｒ）体又は（Ｓ）体のいずれかを選択することにより、所望する（Ｒ）体又は（Ｓ）体の光学活性アルコールを高選択的に得ることができる。
本発明の第１〜第３では、反応系内に塩基を添加することは必須ではないから、塩基を添加しなくてもケトン化合物の水素化反応が速やかに進行する。ただし、塩基を添加することを排除するものではなく、例えば反応基質に応じて少量の塩基を添加したりしてもよい。
このように、本発明の第１〜第３の光学活性アルコールの製法は、塩基を必須とせずにケトン化合物の水素化を行うものであるから、塩基に不安定なケトン化合物を水素化して対応する光学活性アルコールを得ることができる。具体的には、環状ケトンを水素化して光学活性環状アルコールを製造したり、オレフィン部位又はアセチレン部位を有するケトン（特にα，β−結合がオレフィン部位又はアセチレン部位であるケトン）を水素化してオレフィン部位又はアセチレン部位を有する光学活性アルコールを製造したり、水酸基を有するケトンを水素化して水酸基を有する光学活性アルコールを製造したり、ハロゲン置換基を有するケトン（特にα位にハロゲン置換基を有するケトン）を水素化してハロゲン置換基を有する光学活性アルコールを製造したり、クロマノン誘導体を水素化して光学活性クロマノールを製造したり、ジケトンを水素化して光学活性ジオールを製造したり、ケトエステルを水素化して光学活性ヒドロキシエステルを製造したり、ケトアミドを水素化して光学活性ヒドロキシアミドを製造したりすることができる。なお、図１〜図７に本発明の第１〜第３を適用可能なケトン化合物の代表例を列挙する。
図１は、本発明の光学活性アルコールの製法を適用可能なケトン化合物の構造を表す第１の説明図、図２は、同じくケトン化合物の構造を表す第２の説明図、図３は、同じくケトン化合物の構造を表す第３の説明図、図４は、同じくケトン化合物の構造を表す第４の説明図、図５は、同じくケトン化合物の構造を表す第５の説明図、図６は、同じくケトン化合物の構造を表す第６の説明図、図７は、同じくケトン化合物の構造を表す第７の説明図である。
本発明におけるカルボニル化合物の水素化反応は、反応形式が、バッチ式においても連続式においても実施することができる。以下、実施例を示し、さらに詳しく本発明について説明する。もちろん、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。
下記の実施例において、反応に使用した溶媒は、乾燥、脱気したものを用いた。また、ＮＭＲは、ＪＮＭ−ＬＡ４００（４００ＭＨｚ，日本電子社製）及びＪＮＭ−ＬＡ５００（５００ＭＨｚ，日本電子社製）を用いて測定した。１ＨＮＭＲはテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を内部標準物質に用い、３１ＰＮＭＲは８５％リン酸を外部標準物質に用い、それらの信号をδ＝０（δは化学シフト）とした。光学純度は、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）又は高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により測定した。ＧＣはＣｈｉｒａｓｉｌ−ＤＥＸ ＣＢ（０．２５ｍｍ×２５ｍ、ＤＦ＝０．２５μｍ）（ＣＨＲＯＭＰＡＣＫ社製）を用いて測定し、ＨＰＬＣはキラル化合物分離用カラム（ダイセル社製）を用いて測定した。また、上記一般式（１）の金属錯体は公知文献Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．，Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．Ｖｏｌ．３６，ｐ２８５（１９９７）、上記一般式（２）の金属錯体は公知文献Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．Ｖｏｌ．６４，ｐ２１８６（１９９９）、上記一般式（３）の金属錯体は公知文献Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．，Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．Ｖｏｌ．３７，ｐ１７０３（１９９８）やＯｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ Ｖｏｌ．２１，ｐ１０４７（２００１）に記載された手法に準じて合成した。
［実施例１］
４−フェニル−３−ブチン−２−オンの水素化反応による（Ｓ）−４−フェニル−３−ブチン−２−オールの合成例を以下に示す。ルテニウム錯体ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（１．６ｍｇ，０．００２５ｍｍｏｌ）を５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに仕込み、アルゴン置換した。４−フェニル−３−ブチン−２−オン（０．２９１ｍＬ，２ｍｍｏｌ）、メタノール（５ｍＬ）を添加し、水素で加圧後、５回置換した。水素を５０気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で１１時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻した。生成物の１ＨＮＭＲとＨＰＬＣ分析から、９０％ ｅｅの（Ｓ）−４−フェニル−３−ブチン−２−オールが６３％収率で生成していた。なお、ここでのルテニウム錯体の表記は、左から金属原子、アニオン性基、ジアミン配位子、アレーン配位子の順に並べることとした（下記式（４）参照）。
式（４）
［比較例１］
実施例１の条件で、水素圧をかけないで反応すると、目的物は全く得られなかった。
［実施例２−１０］
用いる触媒や水素圧を変更した以外は、実施例１と同じ条件で反応を実施して、（Ｓ）−４−フェニル−３−ブチン−２−オールを合成した。結果を表１にまとめて示す。
［実施例１１−１９］
基質の濃度や反応温度を変更したり、添加剤を使用した以外には、実施例１と同じ条件で反応を実施して、（Ｓ）−４−フェニル−３−ブチン−２−オールを合成した。結果を表２にまとめて示す。
［実施例２０−２６］
用いる触媒や溶媒の種類、および添加剤を使用した以外には、実施例１と同じ条件で反応を実施して、（Ｓ）−４−フェニル−３−ブチン−２−オールを合成した。結果を表３にまとめて示す。
［実施例２７］
１−インダノンの水素化反応による（Ｓ）−インダノールの合成例を以下に示す。ルテニウム錯体ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（１．６ｍｇ，０．００２５ｍｍｏｌ）と１−インダノン（３３０ｍｇ，２．５ｍｍｏｌ）を５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに仕込み、アルゴン置換した、メタノール（５ｍＬ）を添加し、水素で加圧後、５回置換した。水素を５０気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で１１時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻した。生成物の１ＨＮＭＲとＨＰＬＣ分析から、９８％ ｅｅの（Ｓ）−インダノールが４８％収率で生成していた。
［実施例２８−３１］
用いる触媒や溶媒の種類、水素圧、反応時間、および添加剤を使用した以外には、実施例２７と同じ条件で反応を実施して、光学活性インダノールを合成した。結果を表４にまとめて示す。
［実施例３２］
α−クロロアセトフェノンの水素化反応による光学活性２−クロロ−１−フェニルエタノールの合成例を以下に示す。ルテニウム錯体ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）（１ｍｇ，０．００１６ｍｍｏｌ）とα−クロロアセトフェノン（２４７ｍｇ，１．６ｍｍｏｌ）を５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに仕込み、アルゴン置換後、メタノール（３．２ｍＬ）を添加した。水素を加圧し、５回置換した。水素を５０気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で２４時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻し、生成物の１ＨＮＭＲとＧＣ分析から、９８％ ｅｅの（Ｒ）−２−クロロ−１−フェニルエタノールが１００％収率で得られていることがわかった。
［実施例３３］
α−クロロアセトフェノンの水素化反応による光学活性２−クロロ−１−フェニルエタノールの合成例を以下に示す。ルテニウム錯体ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）（１ｍｇ，０．００１６ｍｍｏｌ）とα−クロロアセトフェノン（１２３５ｍｇ，８．０ｍｍｏｌ）を５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに仕込み、アルゴン置換後、メタノール（１６．０ｍＬ）を添加した。水素を加圧し、５回置換した。水素を１００気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で２２時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻し、生成物の１ＨＮＭＲとＧＣ分析から、９７％ ｅｅの（Ｒ）−２−クロロ−１−フェニルエタノールが８５％収率で得られていることがわかった。
［実施例３４−４０］
用いる触媒の種類、水素圧、反応時間を変更した以外には、実施例３２と同じ条件で反応を実施して、（Ｒ）−２−クロロ−１−フェニルエタノールを合成した。結果を表５にまとめて示す。
［実施例４１］
α−クロロアセトフェノンの水素化反応による光学活性２−クロロ−１−フェニルエタノールの合成例を以下に示す。ルテニウム錯体Ｒｕ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）とＨＢＦ４から調製された触媒を用い、メタノール／ｔ−ブチルアルコール１：１混合物中で５０ａｔｍの水素圧をかけて反応を実施した以外には、実施例３２と同じ条件で反応を実施して、９５％ ｅｅの（Ｒ）−２−クロロ−１−フェニルエタノールを収率１００％で得た。
［実施例４２］
α−クロロアセトフェノンの水素化反応による光学活性２−クロロ−１−フェニルエタノールの合成例を以下に示す。ルテニウム錯体ＣｐＲｈＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（Ｃｐ：ペンタメチルシクロペンタジエン）を触媒として用い、１１時間反応した以外には、実施例３２と同じ条件で反応を実施して、９３％ ｅｅの（Ｒ）−２−クロロ−１−フェニルエタノールを収率４４％で得た。なお、このルテニウム錯体の表記は、左からシクロペンタジエン配位子、金属原子、アニオン性基、ジアミン配位子の順に並べてある（下記式（５）参照）。
式（５）
［実施例４３］
α−クロロ−ｐ−メトキシアセトフェノンの水素化反応による光学活性２−クロロ−１−（ｐ−メトキシフェニル）エタノールの合成例を以下に示す。ルテニウム錯体ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）（１ｍｇ，０．００１６ｍｍｏｌ）とα−クロロ−ｐ−メトキシアセトフェノン（１４７７ｍｇ，８．０ｍｍｏｌ）、ＮａＣｌＯ４（１０ｍｇ，０．０８ｍｍｏｌ）を５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに仕込み、アルゴン置換後、メタノール（１６．０ｍＬ）を添加した。水素を加圧し、５回置換した。水素を１００気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で２４時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻し、生成物の１ＨＮＭＲとＧＣ分析から、９８％ ｅｅの（Ｒ）−２−クロロ−１−（ｐ−メトキシフェニル）エタノールが９３％収率で生成していることがわかった。
［実施例４４］
α−クロロ−ｐ−メトキシアセトフェノンの水素化反応による光学活性２−クロロ−１−（ｐ−メトキシフェニル）エタノールの合成例を以下に示す。ルテニウム錯体ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）（１ｍｇ，０．００１６ｍｍｏｌ）とα−クロロ−ｐ−クロロアセトフェノン（６０５ｍｇ，３．２ｍｍｏｌ）、ＮａＣｌＯ４（１０ｍｇ，０．０８ｍｍｏｌ）を５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに仕込み、アルゴン置換後、メタノール（６．４ｍＬ）を添加した。水素を加圧し、５回置換した。水素を１００気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で２４時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻し、生成物の１ＨＮＭＲとＧＣ分析から、９５％ ｅｅの（Ｒ）−２−クロロ−１−（ｐ−クロロフェニル）エタノールが９３％収率で生成していることがわかった。
［実施例４５］
クロマノンの水素化反応による光学活性４−クロマノールの合成例を以下に示す。アルゴン下、５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに、ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）（１．０ｍｇ，０．００１６ｍｍｏｌ）を仕込んだ。これに４−クロマノン（４７４ｍｇ，３．２ｍｍｏｌ）、メタノール（６．４ｍＬ）を添加し、水素で加圧後、５回置換した。水素を５０気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で２３時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻した。生成物の１ＨＮＭＲとＨＰＬＣ分析から、９１％ ｅｅの（Ｓ）−４−クロマノールが１００％収率で生成していた。
［実施例４６］
クロマノンの水素化反応による光学活性４−クロマノールの合成例を以下に示す。アルゴン下、５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに、ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（１．０ｍｇ，０．００１６ｍｍｏｌ）を仕込んだ。これに４−クロマノン（４７４ｍｇ，３．２ｍｍｏｌ）、メタノール（６．４ｍＬ）を添加し、水素で加圧後、５回置換した。水素を５０気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で２３時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻した。生成物を１ＨＮＭＲとＨＰＬＣ分析から、９７％ ｅｅの（Ｓ）−４−クロマノールが８５％収率で生成していた。
［実施例４７］
クロマノンの水素化反応による光学活性４−クロマノールの合成例を以下に示す。アルゴン下、５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに、ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（１．０ｍｇ，０．００１６ｍｍｏｌ）、ＮａＣｌＯ４（１０ｍｇ，０．０８ｍｍｏｌ）を仕込んだ。これに４−クロマノン（１１８５ｍｇ，８．０ｍｍｏｌ）、メタノール（１６ｍＬ）を添加し、水素で加圧後、５回置換した。水素を５０気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で２３時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻した。生成物の１ＨＮＭＲとＨＰＬＣ分析から、９７％ ｅｅの（Ｓ）−４−クロマノールが９３％収率で生成していた。
［実施例４８］
３’−ヒドロキシアセトフェノンの水素化反応による光学活性（３’−ヒドロキシフェニル）エタノールの合成例を以下に示す。アルゴン下、５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに、ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）（０．９３ｍｇ，０．００１５ｍｍｏｌ）、ＮａＣｌＯ４（９．２ｍｇ，０．０７５ｍｍｏｌ）を仕込んだ。これに３’−ヒドロキシアセトフェノン（６１３ｍｇ，４．５ｍｍｏｌ）、メタノール（９ｍＬ）を添加し、水素で加圧後、５回置換した。水素を１００気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で２０時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻した。生成物の１ＨＮＭＲとＨＰＬＣ分析から、９８％ ｅｅの光学活性（３’−ヒドロキシフェニル）エタノールが９８％収率で生成していた。
［実施例４９］
５，６−ジヒドロ−４Ｈ−チエノ［２，３−ｂ］チオピラン−４−オン−７，７−ジオキシドの水素化反応による光学活性５，６−ジヒドロ−４Ｈ−チエノ［２，３−ｂ］チオピラン−４−ヒドロキシ−７，７−ジオキシドの合成例を以下に示す。アルゴン下、５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに、ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）（０．９３ｍｇ，０．００１５ｍｍｏｌ）、ＮａＣｌＯ４（９．２ｍｇ，０．０７５ｍｍｏｌ）を仕込んだ。これに５，６−ジヒドロ−４Ｈ−チエノ［２，３−ｂ］チオピラン−４−オン−７，７−ジオキシド（４５５ｍｇ，２．２５ｍｍｏｌ）、メタノール（２２．５ｍＬ）を添加し、水素で加圧後、５回置換した。水素を１００気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で２４時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻した。生成物の１ＨＮＭＲとＨＰＬＣ分析から、９８％ ｅｅの（Ｓ）−５，６−ジヒドロ−４Ｈ−チエノ［２，３−ｂ］チオピラン−４−ヒドロキシ−７，７−ジオキシドが１００％収率で生成していた。
［実施例５０］
アセトールの水素化反応による光学活性１，２−プロパンジオールの合成例を以下に示す。アルゴン下、５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに、ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）（０．９３ｍｇ，０．００１５ｍｍｏｌ）、ＮａＣｌＯ４（９．２ｍｇ，０．０７５ｍｍｏｌ）を仕込んだ。これにアセトール（１１１ｍｇ，１．５ｍｍｏｌ）、メタノール（３．０ｍＬ）を添加し、水素で加圧後、５回置換した。水素を１００気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で１７時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻した。生成物の１ＨＮＭＲとＨＰＣＬ分析から、６３％ ｅｅの（Ｒ）−１，２−プロパンジオールが９７％収率で生成していた。
［実施例５１］
２，３−ブタンジオンの水素化反応による光学活性２，３−ブタンジオールの合成例を以下に示す。アルゴン下、５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに、ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（０．９５ｍｇ，０．００１５ｍｍｏｌ）、ＮａＣｌＯ４（９．２ｍｇ，０．０７５ｍｍｏｌ）を仕込んだ。これに２，３−ブタンジオン（１２９ｍｇ，１．５ｍｍｏｌ）、メタノール（３．０ｍＬ）を添加し、水素で加圧後、５回置換した。水素を５０気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で１８時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻した。生成物の１ＨＮＭＲとＨＰＬＣ分析から、（Ｓ，Ｓ）−２，３−ブタンジオールが４７％収率で生成していた。
［実施例５２］
４−フェニル−３−ブチン−２−オンの水素化反応による（Ｒ）−４−フェニル−３−ブチン−２−オールの合成例を以下に示す。ルテニウム錯体ＲｕＨＣｌ［（Ｓ）−ｔｏｌｂｉｎａｐ］［（Ｓ，Ｓ）−ｄｐｅｎ］（１ｍｇ，０．０００９７ｍｍｏｌ）を５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに仕込み、アルゴン置換後、４−フェニル−３−ブチン−２−オン（０．２８３ｍＬ，１．９４ｍｍｏｌ）、メタノール（１．９ｍＬ）を添加し、水素を加圧し置換した（５回）。水素を９気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で１１時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻し、反応液の１ＨＮＭＲとＨＰＬＣにより生成物である４−フェニル−３−ブチン−２−オールの定量と光学純度を求めたところ、７４％ ｅｅの（Ｒ）−４−フェニル−３−ブチン−２−オールが６５％収率で生成していた。なお、このルテニウム錯体の表記は、左から金属原子、水素原子、アニオン性基、ジホスフィン配位子、ジアミン配位子の順に並べてある（下記式（６）参照）。
式（６）
［実施例５３−５４］
ルテニウム錯体ＲｕＨＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−ｔｏｌｂｉｎａｐ］［（Ｓ，Ｓ）−ｄｐｅｎ］を触媒として用い、反応温度や添加剤以外には、実施例５２と同じ条件で反応した結果を表６に示す。
［比較例２］
ルテニウム錯体ＲｕＨ（ＢＨ４）［（Ｓ，Ｓ）−ｔｏｌｂｉｎａｐ］［（Ｓ，Ｓ）−ｄｐｅｎ］を触媒として用い、反応温度や添加剤以外には、実施例５２と同じ条件で反応した結果を表６に示す。
［比較例３］
ルテニウム錯体ＲｕＣｌ２［（Ｓ）−ｔｏｌｂｉｎａｐ］［（Ｓ，Ｓ）−ｄｐｅｎ］（１ｍｇ，０．０００９７ｍｍｏｌ）とＫＯｔ−Ｂｕ（０．１ｍｇ，０．０００９７ｍｍｏｌ）を５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに仕込み、アルゴン置換後、４−フェニル−３−ブチン−２−オン（０．２８３ｍＬ，１．９４ｍｍｏｌ）、メタノール（１．９ｍＬ）を添加し、水素を加圧し置換した（５回）。水素を９気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で１１時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻し、反応液の１ＨＮＭＲより４−フェニル−３−ブチン−２−オールが極微量しか生成していなかった。
［比較例４］
２−プロパノール中で反応を実施した以外は、比較例２と同様、４−フェニル−３−ブチン−２−オンを反応したが、反応液の１ＨＮＭＲより４−フェニル−３−ブチン−２−オールは極微量しか生成していなかった。
下記の実施例において、反応に使用した溶媒は、乾燥、脱気したものを用いた。また、ＮＭＲは、ＪＮＭ−ＬＡ４００（４００ＭＨｚ，日本電子社製）及びＪＮＭ−ＬＡ５００（５００ＭＨｚ，日本電子社製）を用いて測定した。１ＨＮＭＲはテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を内部標準物質に用い、３１ＰＮＭＲは８５％リン酸を外部標準物質に用い、それらの信号をδ＝０（δは化学シフト）とした。光学純度は、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）又は高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により測定した。ＧＣはＣｈｉｒａｓｉｌ−ＤＥＸ ＣＢ（０．２５ｍｍ×２５ｍ、ＤＦ＝０．２５μｍ）（ＣＨＲＯＭＰＡＣＫ社製）を用いて測定し、ＨＰＬＣはキラル化合物分離用カラム（ダイセル社製）を用いて測定した。また、上記一般式（１）の金属錯体は公知文献Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．，Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．Ｖｏｌ．３６，ｐ２８５（１９９７）、上記一般式（２）の金属錯体は公知文献Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．Ｖｏｌ．６４，ｐ２１８６（１９９９）、上記一般式（３）の金属錯体は公知文献Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．，Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．Ｖｏｌ．３７，ｐ１７０３（１９９８）やＯｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ Ｖｏｌ．２１，ｐ１０４７（２００１）に記載された手法に準じて合成した。
［実施例１］
４−フェニル−３−ブチン−２−オンの水素化反応による（Ｓ）−４−フェニル−３−ブチン−２−オールの合成例を以下に示す。ルテニウム錯体ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（１．６ｍｇ，０．００２５ｍｍｏｌ）を５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに仕込み、アルゴン置換した。４−フェニル−３−ブチン−２−オン（０．２９１ｍＬ，２ｍｍｏｌ）、メタノール（５ｍＬ）を添加し、水素で加圧後、５回置換した。水素を５０気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で１１時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻した。生成物の１ＨＮＭＲとＨＰＬＣ分析から、９０％ ｅｅの（Ｓ）−４−フェニル−３−ブチン−２−オールが６３％収率で生成していた。なお、ここでのルテニウム錯体の表記は、左から金属原子、アニオン性基、ジアミン配位子、アレーン配位子の順に並べることとした（下記式（４）参照）。
式（４）
実施例１の条件で、水素圧をかけないで反応すると、目的物は全く得られなかった。
［実施例２−１０］
用いる触媒や水素圧を変更した以外は、実施例１と同じ条件で反応を実施して、（Ｓ）−４−フェニル−３−ブチン−２−オールを合成した。結果を表１にまとめて示す。
基質の濃度や反応温度を変更したり、添加剤を使用した以外には、実施例１と同じ条件で反応を実施して、（Ｓ）−４−フェニル−３−ブチン−２−オールを合成した。結果を表２にまとめて示す。
用いる触媒や溶媒の種類、および添加剤を使用した以外には、実施例１と同じ条件で反応を実施して、（Ｓ）−４−フェニル−３−ブチン−２−オールを合成した。結果を表３にまとめて示す。
１−インダノンの水素化反応による（Ｓ）−インダノールの合成例を以下に示す。ルテニウム錯体ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（１．６ｍｇ，０．００２５ｍｍｏｌ）と１−インダノン（３３０ｍｇ，２．５ｍｍｏｌ）を５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに仕込み、アルゴン置換した、メタノール（５ｍＬ）を添加し、水素で加圧後、５回置換した。水素を５０気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で１１時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻した。生成物の１ＨＮＭＲとＨＰＬＣ分析から、９８％ ｅｅの（Ｓ）−インダノールが４８％収率で生成していた。
［実施例２８−３１］
用いる触媒や溶媒の種類、水素圧、反応時間、および添加剤を使用した以外には、実施例２７と同じ条件で反応を実施して、光学活性インダノールを合成した。結果を表４にまとめて示す。
α−クロロアセトフェノンの水素化反応による光学活性２−クロロ−１−フェニルエタノールの合成例を以下に示す。ルテニウム錯体ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）（１ｍｇ，０．００１６ｍｍｏｌ）とα−クロロアセトフェノン（２４７ｍｇ，１．６ｍｍｏｌ）を５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに仕込み、アルゴン置換後、メタノール（３．２ｍＬ）を添加した。水素を加圧し、５回置換した。水素を５０気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で２４時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻し、生成物の１ＨＮＭＲとＧＣ分析から、９８％ ｅｅの（Ｒ）−２−クロロ−１−フェニルエタノールが１００％収率で得られていることがわかった。
［実施例３３］
α−クロロアセトフェノンの水素化反応による光学活性２−クロロ−１−フェニルエタノールの合成例を以下に示す。ルテニウム錯体ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）（１ｍｇ，０．００１６ｍｍｏｌ）とα−クロロアセトフェノン（１２３５ｍｇ，８．０ｍｍｏｌ）を５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに仕込み、アルゴン置換後、メタノール（１６．０ｍＬ）を添加した。水素を加圧し、５回置換した。水素を１００気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で２２時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻し、生成物の１ＨＮＭＲとＧＣ分析から、９７％ ｅｅの（Ｒ）−２−クロロ−１−フェニルエタノールが８５％収率で得られていることがわかった。
［実施例３４−４０］
用いる触媒の種類、水素圧、反応時間を変更した以外には、実施例３２と同じ条件で反応を実施して、（Ｒ）−２−クロロ−１−フェニルエタノールを合成した。結果を表５にまとめて示す。
α−クロロアセトフェノンの水素化反応による光学活性２−クロロ−１−フェニルエタノールの合成例を以下に示す。ルテニウム錯体Ｒｕ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）とＨＢＦ４から調製された触媒を用い、メタノール／ｔ−ブチルアルコール１：１混合物中で５０ａｔｍの水素圧をかけて反応を実施した以外には、実施例３２と同じ条件で反応を実施して、９５％ ｅｅの（Ｒ）−２−クロロ−１−フェニルエタノールを収率１００％で得た。
［実施例４２］
α−クロロアセトフェノンの水素化反応による光学活性２−クロロ−１−フェニルエタノールの合成例を以下に示す。ルテニウム錯体ＣｐＲｈＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（Ｃｐ：ペンタメチルシクロペンタジエン）を触媒として用い、１１時間反応した以外には、実施例３２と同じ条件で反応を実施して、９３％ ｅｅの（Ｒ）−２−クロロ−１−フェニルエタノールを収率４４％で得た。なお、このルテニウム錯体の表記は、左からシクロペンタジエン配位子、金属原子、アニオン性基、ジアミン配位子の順に並べてある（下記式（５）参照）。
式（５）
α−クロロ−ｐ−メトキシアセトフェノンの水素化反応による光学活性２−クロロ−１−（ｐ−メトキシフェニル）エタノールの合成例を以下に示す。ルテニウム錯体ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）（１ｍｇ，０．００１６ｍｍｏｌ）とα−クロロ−ｐ−メトキシアセトフェノン（１４７７ｍｇ，８．０ｍｍｏｌ）、ＮａＣｌＯ４（１０ｍｇ，０．０８ｍｍｏｌ）を５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに仕込み、アルゴン置換後、メタノール（１６．０ｍＬ）を添加した。水素を加圧し、５回置換した。水素を１００気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で２４時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻し、生成物の１ＨＮＭＲとＧＣ分析から、９８％ ｅｅの（Ｒ）−２−クロロ−１−（ｐ−メトキシフェニル）エタノールが９３％収率で生成していることがわかった。
［実施例４４］
α−クロロ−ｐ−メトキシアセトフェノンの水素化反応による光学活性２−クロロ−１−（ｐ−メトキシフェニル）エタノールの合成例を以下に示す。ルテニウム錯体ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）（１ｍｇ，０．００１６ｍｍｏｌ）とα−クロロ−ｐ−クロロアセトフェノン（６０５ｍｇ，３．２ｍｍｏｌ）、ＮａＣｌＯ４（１０ｍｇ，０．０８ｍｍｏｌ）を５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに仕込み、アルゴン置換後、メタノール（６．４ｍＬ）を添加した。水素を加圧し、５回置換した。水素を１００気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で２４時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻し、生成物の１ＨＮＭＲとＧＣ分析から、９５％ ｅｅの（Ｒ）−２−クロロ−１−（ｐ−クロロフェニル）エタノールが９３％収率で生成していることがわかった。
［実施例４５］
クロマノンの水素化反応による光学活性４−クロマノールの合成例を以下に示す。アルゴン下、５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに、ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）（１．０ｍｇ，０．００１６ｍｍｏｌ）を仕込んだ。これに４−クロマノン（４７４ｍｇ，３．２ｍｍｏｌ）、メタノール（６．４ｍＬ）を添加し、水素で加圧後、５回置換した。水素を５０気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で２３時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻した。生成物の１ＨＮＭＲとＨＰＬＣ分析から、９１％ ｅｅの（Ｓ）−４−クロマノールが１００％収率で生成していた。
［実施例４６］
クロマノンの水素化反応による光学活性４−クロマノールの合成例を以下に示す。アルゴン下、５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに、ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（１．０ｍｇ，０．００１６ｍｍｏｌ）を仕込んだ。これに４−クロマノン（４７４ｍｇ，３．２ｍｍｏｌ）、メタノール（６．４ｍＬ）を添加し、水素で加圧後、５回置換した。水素を５０気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で２３時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻した。生成物を１ＨＮＭＲとＨＰＬＣ分析から、９７％ ｅｅの（Ｓ）−４−クロマノールが８５％収率で生成していた。
［実施例４７］
クロマノンの水素化反応による光学活性４−クロマノールの合成例を以下に示す。アルゴン下、５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに、ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（１．０ｍｇ，０．００１６ｍｍｏｌ）、ＮａＣｌＯ４（１０ｍｇ，０．０８ｍｍｏｌ）を仕込んだ。これに４−クロマノン（１１８５ｍｇ，８．０ｍｍｏｌ）、メタノール（１６ｍＬ）を添加し、水素で加圧後、５回置換した。水素を５０気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で２３時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻した。生成物の１ＨＮＭＲとＨＰＬＣ分析から、９７％ ｅｅの（Ｓ）−４−クロマノールが９３％収率で生成していた。
［実施例４８］
３’−ヒドロキシアセトフェノンの水素化反応による光学活性（３’−ヒドロキシフェニル）エタノールの合成例を以下に示す。アルゴン下、５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに、ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）（０．９３ｍｇ，０．００１５ｍｍｏｌ）、ＮａＣｌＯ４（９．２ｍｇ，０．０７５ｍｍｏｌ）を仕込んだ。これに３’−ヒドロキシアセトフェノン（６１３ｍｇ，４．５ｍｍｏｌ）、メタノール（９ｍＬ）を添加し、水素で加圧後、５回置換した。水素を１００気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で２０時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻した。生成物の１ＨＮＭＲとＨＰＬＣ分析から、９８％ ｅｅの光学活性（３’−ヒドロキシフェニル）エタノールが９８％収率で生成していた。
［実施例４９］
５，６−ジヒドロ−４Ｈ−チエノ［２，３−ｂ］チオピラン−４−オン−７，７−ジオキシドの水素化反応による光学活性５，６−ジヒドロ−４Ｈ−チエノ［２，３−ｂ］チオピラン−４−ヒドロキシ−７，７−ジオキシドの合成例を以下に示す。アルゴン下、５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに、ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）（０．９３ｍｇ，０．００１５ｍｍｏｌ）、ＮａＣｌＯ４（９．２ｍｇ，０．０７５ｍｍｏｌ）を仕込んだ。これに５，６−ジヒドロ−４Ｈ−チエノ［２，３−ｂ］チオピラン−４−オン−７，７−ジオキシド（４５５ｍｇ，２．２５ｍｍｏｌ）、メタノール（２２．５ｍＬ）を添加し、水素で加圧後、５回置換した。水素を１００気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で２４時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻した。生成物の１ＨＮＭＲとＨＰＬＣ分析から、９８％ ｅｅの（Ｓ）−５，６−ジヒドロ−４Ｈ−チエノ［２，３−ｂ］チオピラン−４−ヒドロキシ−７，７−ジオキシドが１００％収率で生成していた。
［実施例５０］
アセトールの水素化反応による光学活性１，２−プロパンジオールの合成例を以下に示す。アルゴン下、５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに、ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）（０．９３ｍｇ，０．００１５ｍｍｏｌ）、ＮａＣｌＯ４（９．２ｍｇ，０．０７５ｍｍｏｌ）を仕込んだ。これにアセトール（１１１ｍｇ，１．５ｍｍｏｌ）、メタノール（３．０ｍＬ）を添加し、水素で加圧後、５回置換した。水素を１００気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で１７時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻した。生成物の１ＨＮＭＲとＨＰＣＬ分析から、６３％ ｅｅの（Ｒ）−１，２−プロパンジオールが９７％収率で生成していた。
［実施例５１］
２，３−ブタンジオンの水素化反応による光学活性２，３−ブタンジオールの合成例を以下に示す。アルゴン下、５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに、ＲｕＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−Ｔｓｄｐｅｎ］（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（０．９５ｍｇ，０．００１５ｍｍｏｌ）、ＮａＣｌＯ４（９．２ｍｇ，０．０７５ｍｍｏｌ）を仕込んだ。これに２，３−ブタンジオン（１２９ｍｇ，１．５ｍｍｏｌ）、メタノール（３．０ｍＬ）を添加し、水素で加圧後、５回置換した。水素を５０気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で１８時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻した。生成物の１ＨＮＭＲとＨＰＬＣ分析から、（Ｓ，Ｓ）−２，３−ブタンジオールが４７％収率で生成していた。
［実施例５２］
４−フェニル−３−ブチン−２−オンの水素化反応による（Ｒ）−４−フェニル−３−ブチン−２−オールの合成例を以下に示す。ルテニウム錯体ＲｕＨＣｌ［（Ｓ）−ｔｏｌｂｉｎａｐ］［（Ｓ，Ｓ）−ｄｐｅｎ］（１ｍｇ，０．０００９７ｍｍｏｌ）を５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに仕込み、アルゴン置換後、４−フェニル−３−ブチン−２−オン（０．２８３ｍＬ，１．９４ｍｍｏｌ）、メタノール（１．９ｍＬ）を添加し、水素を加圧し置換した（５回）。水素を９気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で１１時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻し、反応液の１ＨＮＭＲとＨＰＬＣにより生成物である４−フェニル−３−ブチン−２−オールの定量と光学純度を求めたところ、７４％ ｅｅの（Ｒ）−４−フェニル−３−ブチン−２−オールが６５％収率で生成していた。なお、このルテニウム錯体の表記は、左から金属原子、水素原子、アニオン性基、ジホスフィン配位子、ジアミン配位子の順に並べてある（下記式（６）参照）。
式（６）
ルテニウム錯体ＲｕＨＣｌ［（Ｓ，Ｓ）−ｔｏｌｂｉｎａｐ］［（Ｓ，Ｓ）−ｄｐｅｎ］を触媒として用い、反応温度や添加剤以外には、実施例５２と同じ条件で反応した結果を表６に示す。
ルテニウム錯体ＲｕＨ（ＢＨ４）［（Ｓ，Ｓ）−ｔｏｌｂｉｎａｐ］［（Ｓ，Ｓ）−ｄｐｅｎ］を触媒として用い、反応温度や添加剤以外には、実施例５２と同じ条件で反応した結果を表６に示す。
［比較例３］
ルテニウム錯体ＲｕＣｌ２［（Ｓ）−ｔｏｌｂｉｎａｐ］［（Ｓ，Ｓ）−ｄｐｅｎ］（１ｍｇ，０．０００９７ｍｍｏｌ）とＫＯｔ−Ｂｕ（０．１ｍｇ，０．０００９７ｍｍｏｌ）を５０ｍＬのステンレス製オートクレーブに仕込み、アルゴン置換後、４−フェニル−３−ブチン−２−オン（０．２８３ｍＬ，１．９４ｍｍｏｌ）、メタノール（１．９ｍＬ）を添加し、水素を加圧し置換した（５回）。水素を９気圧まで仕込み反応を開始した。３０℃で１１時間攪拌後、反応圧力を常圧に戻し、反応液の１ＨＮＭＲより４−フェニル−３−ブチン−２−オールが極微量しか生成していなかった。
［比較例４］
２−プロパノール中で反応を実施した以外は、比較例２と同様、４−フェニル−３−ブチン−２−オンを反応したが、反応液の１ＨＮＭＲより４−フェニル−３−ブチン−２−オールは極微量しか生成していなかった。
本発明は、医薬、農薬、あるいは多くの汎用化学品の合成中間体等としての光学活性アルコールを製造するのに利用される。
Claims (10)
- 一般式（１）で表される金属錯体とケトン化合物とを極性溶媒に入れ、加圧水素下で混合することによりケトン化合物を水素化して光学活性アルコールを製造する、光学活性アルコールの製法。
一般式（１）
（一般式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、同一であっても互いに異なっていてもよく、アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいナフチル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基及びＲ１とＲ２とが一緒になって形成された非置換若しくは置換基を有する脂環式環からなる群より選ばれた一種であり、
Ｒ３は、アルキル基、パーフルオロアルキル基、置換基を有していてもよいナフチル基、置換基を有していてもよいフェニル基及びカンファー基からなる群より選ばれた一種であり、
Ｒ４は、水素原子又はアルキル基であり、
Ａｒは、置換基を有していてもよいベンゼンであり、
Ｘは、アニオン性基であり、
＊は、不斉炭素を示す。） - 一般式（２）で表される金属錯体とケトン化合物とを極性溶媒に入れ、加圧水素下で混合することによりケトン化合物を水素化して光学活性アルコールを製造する、光学活性アルコールの製法。
一般式（２）
（一般式（２）中、Ｒ１及びＲ２は、同一であっても互いに異なっていてもよく、アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいナフチル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基及びＲ１とＲ２とが一緒になって形成された非置換若しくは置換基を有する脂環式環からなる群より選ばれた一種であり、
Ｒ３は、アルキル基、パーフルオロアルキル基、置換基を有していてもよいナフチル基、置換基を有していてもよいフェニル基及びカンファー基からなる群より選ばれた一種であり、
Ｒ４は、水素原子又はアルキル基であり、
Ｃｐは、置換基を有していてもよいシクロペンタジエンであり、
Ｍは、ロジウム又はイリジウムであり、
Ｘは、アニオン性基であり、
＊は、不斉炭素を示す。） - 前記一般式（１）又は（２）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、同一であっても互いに異なっていてもよく、フェニル基、炭素数１〜５のアルキル基を有するフェニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基を有するフェニル基又はハロゲン置換基を有するフェニル基である、請求項１又は２に記載の光学活性アルコールの製法。
- 一般式（３）で表される金属錯体とケトン化合物とを極性溶媒に入れ、加圧水素下で混合することによりケトン化合物を水素化して光学活性アルコールを製造する、光学活性アルコールの製法。
一般式（３）
（一般式（３）中、Ｗは、置換基を有していてもよい結合鎖であり、
Ｒ５〜Ｒ８は、同じであっても異なっていてもよく、置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Ｒ５とＲ６とが一緒になって置換基を有していてもよい炭素鎖環を形成していてもよいしＲ７とＲ８とが一緒になって置換基を有していてもよい炭素鎖環を形成していてもよく、
Ｒ９〜Ｒ１２は、同じであっても異なっていてもよく、水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、
Ｚは、置換基を有していてもよい炭化水素鎖であり、
Ｙは、ＢＨ４を除くアニオン性基であり、
ルテニウムの各配位子は、どのように配置されていてもよい。） - 前記一般式（３）中、Ｒ５Ｒ６Ｐ−Ｗ−ＰＲ７Ｒ８につき、Ｗは２位及び２’位にてリン原子と結合し他の位置のいずれかに置換基を有していてもよいビナフチル基である、請求項４に記載の光学活性アルコールの製法。
- 前記極性溶媒は、メタノール又はエタノールである、請求項１〜５のいずれかに記載の光学活性アルコールの製法。
- 塩基を添加せずに行う、請求項１〜６のいずれかに記載の光学活性アルコールの製法。
- 前記ケトン化合物は、塩基に不安定なケトン化合物である、請求項１〜７のいずれかに記載の光学活性アルコールの製法。
- 前記ケトン化合物は、環状ケトン、オレフィン部位を有するケトン、アセチレン部位を有するケトン、水酸基を有するケトン、ハロゲン置換基を有するケトン、クロマノン誘導体、ジケトン、ケトエステル又はケトアミドである、請求項１〜８のいずれかに記載の光学活性アルコール化合物の製造方法。
- 前記ケトン化合物は、α位にハロゲン置換基を有するケトン化合物又はα，β−アルキニルケトンである、請求項１〜９のいずれかに記載の光学活性アルコールの製法。
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