JPWO2005088697A1 - Ｉｃカード及びｉｃカードの製造方法 - Google Patents

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Abstract

アンテナ、ＩＣチップを有するＩＣモジュールがモジュール支持体上に支持されてなり、前記ＩＣモジュールを第１のシート材と第２のシート材の間に挟み込み接着剤により一体化したＩＣカードであり、前記ＩＣチップの回路面と反対側に、密着剤を介して補強板を具備し、前記ＩＣチップの回路面側と、前記モジュール支持体上に形成された前記アンテナが、２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分を含む樹脂接合剤を介して電気的に接続していることを特徴とするＩＣカード。

Description

この発明は、偽造、変造防止等の安全性（セキュリティ）が要求される個人情報等を記憶する非接触式の電子カード等に適用して好適なＩＣカード及びＩＣカードの製造方法に関するものである。
身分証明書カード（ＩＤカード）やクレジットカードなどには、従来磁気記録方式によりデータを記録する磁気カードが広く利用されてきた。しかしながら、磁気カードはデータの書き換えが比較的容易にできるため、データの改ざん防止が十分でないこと、磁気のため外的な影響を受けやすく、データの保護が十分でないこと、さらに記録できる容量が少ないなどの問題点があった。そこで、近年ＩＣチップを内蔵したＩＣカードが普及し始めている。
ＩＣカードは、表面に設けられた電気接点やカード内部のループアンテナを介して外部の機器とデータの読み書きをする。ＩＣカードは磁気カードに比べて記憶容量が大きく、セキュリティ性も大きく向上している。特に、カード内部にＩＣチップと外部との情報のやりとりをするためのアンテナを内蔵し、カード外部に電気接点を持たない非接触式ＩＣカードは、電気接点をカード表面にもつ接触式ＩＣカードに比べてセキュリティ性が優れ、ＩＤカードのようにデータの機密性と偽変造防止性を高く要求する用途に使用されつつある。
このようなＩＣカードとして、例えば第１のシート材と第２のシート材が接着剤を介して貼り合わされ、その接着剤層中にＩＣチップおよびアンテナを有するＩＣモジュールを封入するものがある。
ＩＣカードはセキュリティ性が高いために耐久性が偽造変造の観点からも重要になっている。特に、カード内部にＩＣチップと外部との情報のやりとりをするためのアンテナなどの電気部品が内蔵されているため、その耐久性を確保するためさまざまな試みが行われている。しかしながら、さまざまな用途に使用され普及しつつある中、さらに高い耐久性が必要とされてきた。カードという特性上、常に携帯しズボンのポケット等での繰返し曲げ、落下、コイン等の圧力に対して強い耐久性が要求される。例えば、圧力、曲げ等によるＩＣチップの破壊やアンテナの断線による耐久性に関し、特開平６−１９９０８３号公報、特開平８−３２４１６６号公報に開示されている。
こうした問題を解決する技術としては、従来、半導体チップに対して、金属或いは樹脂からなる補強板を積層することが知られている（例えば、特開平９−１５６２６５号公報、特開平９−２６３０８２号公報等参照）。このように、ＩＣチップに強固な補強構造物を設ける等の改良が提案されている。
特開平６―１９９０８３号公報（第１頁〜第８頁、図１〜図１４） 特開平８―３２４１６６号公報（第１頁〜第８頁、図１〜図１１） 特開平９−１５６２６５号公報（第１頁〜第４頁、図１〜図５） 特開平９−２６３０８２号公報（第１頁〜第７頁、図１〜図１２）
しかしながら、一定の耐久性の向上は見られるが、さまざまな状況に対して十分な耐久性が得られてなく、例えば急激な応力がかかる衝撃への耐久性、繰返しに応力がかかる繰返し曲げ耐久性、繰返し局所荷重等に対して、ＩＣチップが割れたり、カードが破損し引いては電気動作が不可能になるなどの問題が発生していた。また、これらの耐久性を改善するだけでなく、個人情報等を記載するためには、昇華印画、溶融印字等で濃度変動がなくカスレのないようにするよう平滑なカード表面性が必要になる。
この発明では、このような耐久性を改善し、なお且つ表面性を高い次元で改善することが可能なＩＣカード及びＩＣカードの製造方法を提供することを目的としている。
前記課題を解決し、かつ目的を達成するために、この発明は、以下のように構成した。
（１）上記目的を達成するため、本発明の一実施例は、アンテナ、ＩＣチップを有するＩＣモジュールがモジュール支持体上に支持されてなり、前記ＩＣモジュールを第１のシート材と第２のシート材の間に挟み込み接着剤により一体化したＩＣカードであり、
前記ＩＣチップの回路面と反対側に、密着剤を介して補強板を具備し、
前記ＩＣチップの回路面側と、前記モジュール支持体上に形成された前記アンテナが、２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分を含む樹脂接合剤を介して電気的に接続していることを特徴とするＩＣカードである。
（２）また、本発明において、前記樹脂接合剤は、非導電性樹脂組成物であることを特徴とする前記（１）記載のＩＤカードである。
（３）また、本発明において、前記樹脂接合剤は、異方性導電性樹脂組成物であることを特徴とする前記（１）記載のＩＤカードである。
（４）また、本発明において、前記補強板は、少なくとも第１の補強板、第２の補強板から構成され、前記ＩＣチップの回路面と反対側に前記密着剤を介して前記第１の補強板、さらに前記密着剤を介して前記第２の補強板が隣接してこの順に具備されていることを特徴とする前記（１）または（２）に記載のＩＤカードである。
（５）また、本発明において、前記第１の補強板が、前記ＩＣチップの面積及び外周より大きく、前記第２の補強板が、前記第１の補強板の面積及び外周より大きいことを特徴とする前記（４）記載のＩＤカードである。
（６）また、本発明において、前記第２の補強板より前記密着剤の面積及び外周が大きく、前記ＩＣチップが前記密着剤で封止されていることを特徴とする前記（４）に記載のＩＣカードである。
（７）また、本発明において、前記密着剤の２％弾性率が０．１以上５５ｋｇ／ｍｍ2以下であることを特徴とする前記（１）ないし（６）のいずれかに記載のＩＣカードである。
（８）また、本発明において、前記第１のシート材において前記第２のシート材と対向していない面に受像層、前記第２のシート材において前記第１のシート材と対向していない面に筆記層を有し、前記ＩＣモジュール支持体における前記ＩＣモジュールが載置された面が、前記第１のシート材に対向し、前記ＩＣモジュール支持体における前記ＩＣモジュールが載置されていない面が、前記第２のシート材に対向することを特徴とする前記（１）ないし（７）のいずれかに記載のＩＣカードである。
（９）また、本発明において、前記受像層に氏名、顔画像からなる個人識別情報が溶融熱転写、または昇華熱転写で設けられることを特徴とする前記（８）に記載のＩＣカードである。
（１０）また、本発明において前記ＩＣチップの厚みが３０μｍ以上１９０μｍ以下、前記密着剤の厚みが１μｍ以上５０μｍ以下とされていることを特徴とする前記（１）ないし（９）のいずれかに記載のＩＣカードである。
（１１）また、本発明において、前記モジュール支持体が１０μｍ以上５０μｍ以下で前記ＩＣモジュールのＩＣチップ部の最大厚みが３５０μｍ以下であることを特徴とする前記（１）ないし（１０）に記載のＩＣカードである。
（１２）また、本発明において、前記第１の補強板および第２補強板の重心位置、および前記ＩＣチップの重心位置が略同一で、前記第１の補強板が金属よりなり円形または正方形、第２の補強板が金属よりなり正方形であることを特徴とする前記（４）ないし（１１）に記載のＩＣカードである。
（１３）また、本発明において、前記ＩＣチップは、少なくともシリコン基板、半導体層、回路形成層、および保護層が順次積層されてなることを特徴する前記（１）ないし（１３）に記載のＩＣカードである。
（１４）本発明の一実施例は、モジュール支持体上に設けたアンテナにＩＣチップの回路面側と、前記モジュール支持体上に形成された前記アンテナとを、２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分を含む樹脂接合剤を介して電気的に接続し、前記ＩＣチップの回路面と反対側に密着剤をポッティングで設けて補強板を加圧加熱密着させてＩＣモジュールを作成し、対向する第１のシート材と第２のシート材間の所定の位置に前記作成したＩＣモジュールを載置し、接着剤を充填し加圧密着することを特徴とするＩＣカードの製造方法である。
（１５）また、本発明において、前記樹脂接合剤は、非導電性樹脂組成物であることを特徴とする前記（1４）に記載のＩＣカードの製造方法である。
（１６）また、本発明において、前記樹脂接合剤は、異方性導電性樹脂組成物であることを特徴とする前記（1４）に記載のＩＣカードの製造方法である。
（１７）また、本発明において、前記接着剤の２％弾性率が１〜９０ｋｇ／ｍｍ2であることを特徴とする前記（１４）ないし（１６）のいずれかに記載のＩＣカードの製造方法である。
図１は本発明の一実施例に係るＩＣカードの層構成を示す図である。 図２はＩＣモジュールの側面図である。 図３はＩＣチップ部の平面図である。 図４はＩＣモジュールの側面図である。 図５は本発明の一実施例に係るＩＣカードの層構成を示す図である。 図６はＩＣモジュールの側面図である。 図７はＩＣチップ部の平面図である。 図８はＩＣモジュールの側面図である。 図９はＩＣモジュールの側面図である。 図１０はＩＣチップ部の平面図である。 図１１はＩＣモジュールの側面図である。 図１２はＩＣチップ部の平面図である。 図１３はＩＣモジュールの側面図である。 図１４はＩＣチップ部の平面図である。 図１５は比較例のＩＣモジュールの側面図である。 図１６は比較例のＩＣモジュールの側面図である。 図１７はＩＣモジュールの保護説明する図である。 図１８はＩＣモジュールの保護説明する図である。 図１９はＩＣカード製造装置の概略構成図である。 図２０は打抜金型装置の全体概略斜視図である。 図２１は打抜金型装置の主要部の正面端面図である。
符号の説明
１ 裏カード支持体
２ 表カード支持体
３ ＩＣモジュール
３ａ１ アンテナ
３ａ２ ＩＣチップ
３ｂ 補強板
３ｂ１ 第１の補強板
３ｂ２ 第２の補強板
３ｄ モジュール支持体
３ｋ バンプ
６ 裏接着剤
７ 表接着剤
８ａ 受像層
８ｃ 保護層
９ａ 筆記層
９０ 樹脂接合剤
９１ 密着剤
以下、この発明のＩＣカード及びＩＣカード製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明するが、この発明は、この実施の形態に限定されない。また、この発明の実施の形態は、発明の最も好ましい形態を示すものであり、この発明の用語はこれに限定されない。
まず、この発明のＩＣカードを、図１乃至図３に基づいて説明する。図１はＩＣカードの層構成を示す図、図２はＩＣモジュールの側面図、図３はＩＣチップ部の平面図である。この実施の形態のＩＣカードは、身分証明書カードやクレジットカードなどに広く適用することができ、対向する２つの裏カード支持体１（以下、第１のシート材と呼ぶときもある）と表カード支持体２（以下、第２のシート材と呼ぶときもある）との間に、裏接着剤６と表接着剤７（裏接着剤６と表接着剤７は、単に接着剤と呼ぶときもある。）を介在してアンテナ３ａ１、ＩＣチップ３ａ２を有するＩＣモジュール３を含む部品が配置されてなる。
裏接着剤６と表接着剤７は、同じ組成であり、この接着剤の２％弾性率が、１以上９０ｋｇｍｍ2以下である。２％弾性率が９０ｋｇ／ｍｍ2以上になると応力を吸収できず、ＩＣモジュール３を破損し、１ｋｇ／ｍｍ2以下になると、自己支持性が低下し、カードへの衝撃や曲げなどの外部応力により、層間でズリが生じやすくなり、ＩＣモジュール３を破損するが、規定の２％弾性率の接着剤を介して固定することでＩＣモジュール３の破損を防止することができる。
一方の裏カード支持体１には筆記可能な筆記層９ａが設けられている。他方の表カード支持体２には、受像層８ａが設けられ、この受像層８ａに氏名、顔画像を含む個人識別情報である認証画像、属性情報８ｂが記録される。受像層８ａには、個人識別情報である認証画像、属性情報８ｂを保護する保護層８ｃが設けられ、この保護層８ｃを設けることで、摩耗や薬品など、また、落下、コイン等の圧力に対して耐久性が向上する。この受像層８ａに氏名、顔画像からなる個人識別情報が溶融熱転写、または昇華熱転写で設けられ、濃度変動がなくカスレのない情報記録ができる。
このアンテナ３ａ１、ＩＣチップ３ａ２はモジュール支持体３ｄ上に設けられ、モジュール支持体３ｄは、例えばフィルムで構成される。モジュール支持体３ｄには、ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１とアンテナ３ａ１とが異方性導電性接合剤９０を介して電気的に接続され、また非導電性接合剤９５を介して接続される。
異方性導電性接合剤９０および非導電性接合剤９５は、ともに２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分を含む樹脂接合剤である。
本発明においては、前記樹脂接合剤のうち、異方性導電性樹脂組成物からなるものを異方性導電性接合剤（単に導電性接合剤と呼ぶときもある）と称し、また非導電性樹脂組成物（単に非導電性接合剤と呼ぶときもある）からなるものを非導電性接合剤と称している。
このＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１と反対側３ａ２２には、密着剤９１を介して補強板３ｂが接続されている。このように、ＩＣカードは、ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１と反対側３ａ２２に、密着剤９１を介して補強板３ｂを隣接してこの順に具備している。
この密着剤９１はＩＣチップ３ａ２を囲むようにモジュール支持体３ｄ上に設けられ、ＩＣチップ３ａ２に密着剤９１を介して補強板３ｂが接続される。このように、ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１側がモジュール支持体３ｄ上に形成されたバンプ３ｋ（ここでバンプ３ｋはモジュール支持体３ｄ上に形成されているが、必要に応じてＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１側に設けられていてもよい）と導電性接合剤９０または非導電性接合剤９５を介して密着接続し、ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１側は、モジュール支持体３ｄでＩＣチップ３ａ２を保護している。ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１と反対側３ａ２２は、密着剤９１を介して補強板３ｂを具備し、１枚の補強板で強固にＩＣチップ３ａ２を保護し、かつ、応力を分散させ、これによりＩＣチップ３ａ２を破壊より守ることができる。
また、このＩＣモジュール３は、補強板３ｂがＩＣチップ３ａ２のＩＣチップのＩＣカード平面に垂直方向の投影面積及び外周より大きくなっている。このように、補強板３ｂがＩＣチップ３ａ２の面積及び外周より大きいことで、補強板３ｂによりＩＣチップ３ａ２が保護されており、ＩＣチップ３ａ２の耐久性向上を得られる。
このＩＣチップ３ａ２と、補強板３ｂは、２％弾性率が０．１以上５５．０ｋｇ／ｍｍ2以下の密着剤９１を介して固定されている。２％弾性率が５５．０ｋｇ／ｍｍ2以上になると応力を吸収できず、ＩＣチップ３ａ２を破損し、０．１ｋｇ／ｍｍ2以下になると、自己支持性が低下し、ＩＣチップ３ａ２を破損するが、０．１以上５５．０ｋｇ／ｍｍ2以下の密着剤９１を介して固定することでＩＣチップ３ａ２の破損を防止することができる。
また、表裏の少なくとも片側に受像層８ａを有し、他方に筆記層９ａを有し、受像層８ａ側にモジュール支持体３ｄのＩＣチップ３ａ２が実装されていない支持体面３ｄ１を、筆記層９ａ側に補強板３ｂが実装されている支持体面３ｄ２となるように、ＩＣモジュール３を設けている。モジュール支持体３ｄと補強板３ｂとの間にＩＣチップ３ａ２が設けられ、このモジュール支持体３ｄと補強板３ｂとによってＩＣチップ３ａ２を破壊より守ることができる。
ＩＣチップ３ａ２の厚みＤ１が３０μｍ以上１９０μｍ以下、密着剤９１の厚みが１μｍ以上５０μｍ以下である。ＩＣチップ３ａ２が厚いと曲げの応力に対してチップの回路が破壊されやすく、薄すぎると、局部応力により割れやすい。また、密着剤が厚すぎると高強度な補強板が隣接していても補強効果が低下し強度が落ち、逆に薄すぎると応力緩和機能を併せ持つ密着剤の効果が少なくなり曲げ等の応力に弱くなるといったことを、ＩＣチップ３ａ２の厚みと、密着剤９１の厚みを規定することで、耐久性を改善することができる。
なお、本発明においてＩＣチップの厚みとは、回路面側もしくは回路面の反対面側の曲率半径に沿った直線によって（湾曲していない場合は回路面もしくは回路面の反対面の法線に沿った直線によって）ＩＣチップを貫いたと想定した場合の厚みである。
またここで密着剤の厚みとは、ＩＣチップと第１の補強板とを密着剤によって隔てている間隔、または第1の補強板と第２の補強板とを密着剤によって隔てている間隔である。
例えば図２において、密着剤９１の厚みとはＤ２で示される。また例えば図６において、密着剤９１の厚みはＤ２ａで示され、密着剤９２の厚みはＤ２ｂで示される。
密着剤の厚みが、ＩＣチップと第１の補強板、または第1の補強板と第２の補強板との相互位置関係により均一でない場合には、複数箇所の厚みの平均とする。
一般にICチップは、シリコン基板としてシリコン単結晶を円盤状にスライスしたものを用いる。各種半導体層を形成、拡散した後、回路コンタクトホールを通してアルミの薄膜で配線行う。全面にアルミ膜をつけた後、部分的にエッチングをして配線部分（回路形成層）を残す方式が一般に知られている。本発明において回路面とは、アルミの薄膜等によって配線を施した面をいう。
更に、このようにして形成された電気回路を外部からの汚染、機械的強度、不正アクセスから保護するために一般に数μm程度の樹脂による保護層を設けることもある。
必要に応じて、所望の厚みにシリコン基盤における回路面と反対面を薄膜化処理し、最後にチップ形状に切断しICチップとする。
このように本発明におけるＩＣチップとは、最も厚いシリコン基板上の片面に、半導体層、回路形成層、および保護層を有する構成を含む。
また、アンテナ３ａ１が形成されるモジュール支持体３ｄの厚みＤ３が１０μｍ以上５０μｍ以下、ＩＣモジュール３のＩＣチップ部の最大厚みＤ４が３５０μｍ以下である。ＩＣモジュール３のＩＣチップ部の最大厚みＤ４とは、回路面３ａ２１側とは逆のモジュール支持体面からＩＣチップの補強板側の上面を言う。モジュール支持体３ｄが薄すぎるとアンテナ３ａ１が破壊されやすく、厚すぎるとＩＣカードが厚くなり、ＩＣモジュール３のＩＣチップ部が厚すぎると局部応力により割れやすいといったことを、アンテナ３ａ１が形成されるモジュール支持体３ｄの厚みＤ３と、ＩＣモジュール３のＩＣチップ部の最大厚みＤ４を規定することで、耐久性を改善することができる。
このＩＣカードの製造は、図１乃至図３に示すように、モジュール支持体３ｄ上に設けたアンテナ３ａ１に、ＩＣチップ回路面３ａ２１に設けた接続用バンプ３kを、導電性接合剤９０である異方導電性接合剤を介して電気接続した後に（または、非導電性接合剤９５を介して電気接続した後に）、密着剤９１をポッティングで設けて補強板３ｂを加圧加熱密着させＩＣモジュール３を作成する。
そして、対向する２つのカード支持体である裏カード支持体１と表カード支持体２間の所定の位置に作成したＩＣモジュール３を載置し、接着剤である裏接着剤６と表接着剤７を充填し加圧密着して、外力を応力分散させ、ＩＣチップ３ａ２を破壊より保護することが可能なＩＣカードを製造することができる。
次に、図１に示すＩＣカードに用いるＩＣモジュール３の他の実施の形態を、図４に示す。図４に示すＩＣモジュールの形態は、図１乃至図３に示すＩＣモジュール３と同様に構成されるが、ＩＣチップ３ａ２と補強板３ｂとの間にのみ密着剤９１を設けている。
このような形態でも、ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１側とバンプ３ｋとが、２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分からなる樹脂接合剤（異方性導電性接合剤または非導電性接合剤）で接合されることにより、外部からの応力に対して内部で応力を分散させ、接合部に負荷をかけずに断線などによる通信不良を低減することができる。
次に、ＩＣカードの他の実施形態を、図５乃至図７に示す。図５はＩＣカードの層構成を示す図、図６はＩＣモジュールの側面図、図７はＩＣモジュールの平面図である。
この実施の形態のＩＣカードは、図１乃至図３の実施の形態のＩＣカードと同様に構成されるが、ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１と反対側３ａ２２には、密着剤９１を介して第１の補強板３ｂ１が接続され、この第１の補強板３ｂ１には、密着剤９２を介して第２の補強板３ｂ２が接続されている。このように、ＩＣカードは、ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１と反対側３ａ２２に、密着剤９１，９２を介して第１の補強板３ｂ１、第２の補強板３ｂ２を隣接してこの順に具備している。
この密着剤９１と密着剤９２は、同じ組成でも、異なった組成でもよい。密着剤９１はＩＣチップ３ａ２を囲むようにモジュール支持体３ｄ上に設けられ、ＩＣチップ３ａ２に密着剤９１を介して第１の補強板３ｂ１が接続される。密着剤９２はＩＣチップ３ａ２及び第１の補強板３ｂ１を囲むようにモジュール支持体３ｄ上に設けられ、第１の補強板３ｂ１に密着剤９２を介して第２の補強板３ｂ２が接続されている。
このように、ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１側がモジュール支持体３ｄ上に形成されたアンテナ３ａ１と導電性接合剤９０を介して密着し電気的に接続し、また非導電性接合剤９５を介して接続される。ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１側は、モジュール支持体３ｄでＩＣチップ３ａ２を保護している。ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１と反対側３ａ２２は、密着剤９１，９２を介して第１の補強板３ｂ１、第２の補強板３ｂ２を具備し、２枚の補強板で強固にＩＣチップ３ａ２を保護し、かつ、応力を分散させ、これによりＩＣチップ３ａ２を破壊より守ることができる。
この実施の形態のＩＣモジュール３は、第１の補強板３ｂ１がＩＣチップ３ａ２のＩＣチップのＩＣカード平面に垂直方向の投影面積及び外周より大きく、第２の補強板３ｂ２が第１の補強板３ｂ１の面積及び外周より大きくなっている。このように、第１の補強板３ｂ１がＩＣチップ３ａ２の面積及び外周より大きく、第２の補強板３ｂ２が第１の補強板３ｂ１の面積及び外周より大きいことで、一番大きい第２補強板３ｂ２に曲げたり、押したりしたときの荷重がかかりやすく、さらに第１の補強板３ｂ１によりＩＣチップ３ａ２が保護されており、ＩＣチップ３ａ２の耐久性が向上する。
また、第２の補強板３ｂ２より密着剤９２の面積及び外周が大きく、ＩＣチップ３ａ２が密着剤９２で封止され、モジュール支持体３ｄ上になだらかにＩＣチップ部分が形成されることになり、平滑なカード表面を得ることができる。
この実施の形態のＩＣチップ３ａ２と、第１の補強板３ｂ１、および、第１の補強板３ｂ１と、第２の補強板３ｂ２は、２％弾性率が０．１以上５５．０ｋｇ／ｍｍ2以下の密着剤９１，９２を介して固定されている。２％弾性率が５５．０ｋｇ／ｍｍ2以上になると応力を吸収できず、ＩＣチップ３ａ２を破損し、０．１ｋｇ／ｍｍ2以下になると、自己支持性が低下し、第１の補強板３ｂ１と、第２の補強板３ｂ２の補強板との一体化が低下し、ＩＣチップ３ａ２を破損するが、０．１以上５５．０ｋｇ／ｍｍ2以下の密着剤９１，９２を介して固定することでＩＣチップ３ａ２の破損を防止することができる。
また、この実施の形態では、表裏の少なくとも片側に受像層８ａを有し、他方に筆記層９ａを有し、受像層８ａ側にモジュール支持体３ｄのＩＣチップ３ａ２が実装されていない支持体面３ｄ１を、筆記層９ａ側に第１の補強板３ｂ１、第２の補強板３ｂ２が実装されている支持体面３ｄ２となるように、ＩＣモジュール３を設けている。モジュール支持体３ｄと第１の補強板３ｂ１、第２の補強板３ｂ２との間にＩＣチップ３ａ２が設けられ、このモジュール支持体３ｄと補強板とによってＩＣチップ３ａ２を破壊より守ることができる。
この実施の形態では、ＩＣチップ３ａ２の厚みＤ１が３０μｍ以上１９０μｍ以下、密着剤９１，９２の厚みが１μｍ以上５０μｍ以下である。ＩＣチップ３ａ２が厚いと曲げ応力に対してチップの回路が破壊しやすく、薄すぎると、局部応力により割れやすい。また、密着剤が厚すぎると高強度な補強板が隣接していても補強効果が低下し強度が落ち、逆に薄すぎると応力緩和機能を併せ持つ密着剤の効果が少なくなり曲げ等の応力に弱くなるといったことを、ＩＣチップ３ａ２の厚みと、密着剤９１，９２の厚みを規定することで、耐久性を改善することができる。
また、アンテナ３ａ１が形成されるモジュール支持体３ｄの厚みＤ３が１０μｍ以上５０μｍ以下、ＩＣモジュール３のＩＣチップ部の最大厚みＤ４が３５０μｍ以下である。ＩＣモジュール３のＩＣチップ部の最大厚みＤ４とは、回路面３ａ２１側とは逆のモジュール支持体面からＩＣチップの補強板側の上面を言う。モジュール支持体３ｄが薄すぎるとアンテナ３ａ１が破壊しやすく、厚すぎるとＩＣカードが厚くなり、ＩＣモジュール３のＩＣチップ部が厚すぎると局部応力により割れやすいといったことを、アンテナ３ａ１が形成されるモジュール支持体３ｄの厚みＤ３と、ＩＣモジュール３のＩＣチップ部の最大厚みＤ４を規定することで、耐久性を改善することができる。
この実施の形態では、第１の補強板３ｂ１と第２の補強板３ｂ２の重心位置と、ＩＣチップ３ａ２の重心位置が略同一であり、補強板形状は、第１の補強板３ｂ１が金属よりなる正方形であり、第２の補強板３ｂ２が金属よりなる正方形である。この第１の補強板３ｂ１が円形でもよい。補強板形状が、第１の補強板３ｂ１が円形または正方形で、第２の補強板３ｂ２が正方形であることで、最外層の補強板が重心からより離れたところにあるほど、曲げ変形等の外部応力が加わったとき最外層が破壊しやすくなるため、その結果ＩＣチップ３ａ２を保護できる。
このＩＣカードの製造は、図５乃至図７に示すように、モジュール支持体３ｄ上に設けたアンテナ３ａ１にＩＣチップ回路面３ａ２１に設けた接続用バンプ３kを、導電性接合剤９０である異方導電性接合剤を介して電気接続した後に（または、非導電性接合剤９５を介して電気接続した後に）、密着剤９１をポッティングで設けて第１の補強板３ｂ１を加圧加熱密着し、さらに密着剤９２をポッティングで設けて第２の補強板３ｂ２を加圧加熱密着させＩＣモジュール３を作成する。
対向する２つのカード支持体である裏カード支持体１と表カード支持体２間の所定の位置に作成したＩＣモジュール３を載置し、接着剤である裏接着剤６と表接着剤７を充填し加圧密着して、外力を応力分散させ、ＩＣチップ３ａ２を破壊より保護することが可能なＩＣカードを製造することができる。
次に、図５に示すＩＣカードに用いるＩＣモジュール３の他の実施形態を、図８乃至図１４に示す。
図８に示す他の実施形態のＩＣモジュール３は、図５乃至図７のＩＣモジュール３と同様に構成されるが、密着剤９１は、第１の補強板３ｂ１とＩＣチップ３ａ２との間に設けられ、また密着剤９２も第１の補強板３ｂ１と第２の補強板３ｂ２との間に設けられている。
図９に示す他の実施形態のＩＣモジュール３は、密着剤９１も図５乃至図７のＩＣモジュール３と同様に構成されるが、密着剤９２は、図８の実施の形態と同様に、第１の補強板３ｂ１と第２の補強板３ｂ２との間に設けられている。
また、図８及び図９の実施形態では、図５乃至図７の実施形態と同様に、第１の補強板３ｂ１より第２の補強板３ｂ２を平面形状の大きく形成しており、この実施形態の場合、図５乃至図７の実施の形態と同様に第１の補強板３ｂ１と第２の補強板３ｂ２とを同じ正方形の相似形に形成してもよいが、図１２に示すように、第１の補強板３ｂ１が円形で、第２の補強板３ｂ２が正方形に形成してもよい。
さらに、ＩＣモジュール３の他の実施形態を、図１３及び図１４に示す。図１３はＩＣモジュールの側面図、図１４はＩＣモジュールのＩＣチップ部の平面図である。この実施の形態は、図８のＩＣモジュール３と同様に構成されるが、第１の補強板３ｂ１より第２の補強板３ｂ２が小さく形成されている。この実施の形態では、第１の補強板３ｂ１と第２の補強板３ｂ２は、図１４に示すように、同じ正方形であるが、円形でもよく、正方形と円形でもよい。
図５乃至図１４に示すように、ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１と反対側３ａ２２に、密着剤９１，９２を介し第１の補強板３ｂ１、第２の補強板３ｂ２を隣接してこの順に具備し、ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１側と、モジュール支持体３ｄ上に形成されたアンテナ３ａ１とを電気的に接続するバンプ３ｋとが、２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分からなる樹脂接合剤（異方性導電性接合剤９０または非導電性接合剤９５）で接合されている。
このＩＣカードの製造は、モジュール支持体３ｄ上に設けたアンテナ３ａ１にＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１側と、モジュール支持体３ｄ上に形成されたアンテナ３ａ１とを電気的に接続するバンプ３ｋとを、２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分を含む樹脂接合剤（異方性導電性接合剤９０または非導電性接合剤９５）で接合し、ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１と反対側３ａ２２に密着剤９１をポッティングで設けて第１の補強板３ｂ１を加圧加熱密着し、さらに密着剤９２をポッティングで設けて第２の補強板３ｂ２を加圧加熱密着させＩＣモジュール３を作成し、対向する２つのカード支持体１，２間の所定の位置に前記作成したＩＣモジュール３を載置し、接着剤６，７を充填し加圧密着する。
このように、ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１側とバンプ３ｋとが、２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分を含む樹脂接合剤（異方性導電性接合剤９０または非導電性接合剤９５）で接合されることにより、外部からの応力に対して内部で応力を分散させ、接合部に負荷をかけずに断線などによる通信不良を低減することができる。さらに補強板を１枚設けたものに比べ２枚にすることで極めて高いレベルで応力を分散させＩＣチップを破壊より守る効果を得ることができる。
上記の効果を図１７及び第１８図によって説明する。図１７に示すように、ＩＣカードに応力がかかったときに、第１の補強板３ｂ１がＩＣチップ３ａ２の面積及び外周より大きく、第２の補強板３ｂ２が第１の補強板３ｂ１の面積及び外周より大きいことで、一番大きい第２の補強板３ｂ２に曲げたり、押したりしたときの荷重がかかりやすく、第２の補強板３ｂ２から破壊が進行することで、ＩＣチップ３ａ２が保護されてＩＣチップ３ａ２の耐久性が向上する。
また、第１８図に示すように、ＩＣチップ３ａ２が密着剤９２で封止されていないで、密着剤９２の面積が小さいと空隙３ｆができやすく、耐久性、凹凸性が低下しやすいが、第２の補強板３ｂ２より密着剤９２の面積及び外周が大きく、ＩＣチップ３ａ２が密着剤９２で封止されていると、空隙３ｆがなくなり耐久性が向上し、凹凸性が低下してモジュール支持体３ｄ上になだらかにＩＣチップ部分が形成されることになり、平滑なカード表面を得ることができる。
次に、比較例のＩＣモジュールの形態を、図１５乃至図１６に示す。
図１５に示す比較例のＩＣモジュールの形態は、モジュール支持体３ｄが樹脂シートであり、例えばＰＥＴ−Ｇシートを用いている。この樹脂シートにアンテナ３ａ１が形成される。ＩＣチップ３ａ２は、リードフレーム３ｅに導電性接合剤９０とワイヤーポンディングにより固定され、このリードフレーム３ｅが密着剤９４によってモジュール支持体３ｄに固定されている。
図１６に示す比較例のＩＣモジュールの形態は、モジュール支持体３ｄが不織布である。また、ＩＣモジュール３は、ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１と反対側３ａ２２に、密着剤９１，９２を介して第１の補強板３ｂ１、第２の補強板３ｂ２を隣接してこの順に具備されるが、ＩＣチップ３ａ２の回路面３ａ２１の反対側３ａ２２がモジュール支持体３ｄに設けられている。
以下、この発明のＩＣカード及びＩＣカードの製造方法について詳細に説明する。
＜破断伸度、２％弾性率の測定方法＞
接着剤を、厚さ５００μｍの硬化後の接着剤シートを作成し、この接着剤シートを株式会社オリエンテックテンシロン万能試験機ＲＴＡ−１００を用いＡＳＴＭ Ｄ６３８に準じて、引張弾性率、引張破断点伸度、を測定した。
［カード支持体］
裏表のカード支持体（第１のシート材および第２のシート材）としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート／イソフタレート共重合体等のポリエステル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン樹脂、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ４フッ化エチレン、エチレン−４フッ化エチレン共重合体、等のポリフッ化エチレン系樹脂、ナイロン６、ナイロン６．６等のポリアミド、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、エチレン／酢酸ビニル共重合体、エチレン／ビニルアルコール共重合体、ポリビニルアルコール、ビニロン等のビニル重合体、生分解性脂肪族ポリエステル、生分解性ポリカーボネート、生分解性ポリ乳酸、生分解性ポリビニルアルコール、生分解性セルロースアセテート、生分解性ポリカプロラクトン等の生分解性樹脂、三酢酸セルロース、セロファン等のセルロース系樹脂、ポリメタアクリル酸メチル、ポリメタアクリル酸エチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、等のアクリル系樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリイミド等の合成樹脂シート、又は上質紙、薄葉紙、グラシン紙、硫酸紙等の紙、金属箔等の単層体或いはこれら２層以上の積層体が挙げられる。この発明の基材の厚みは３０〜３００μｍ望ましくは５０〜２００μｍである。５０μｍ以下であると裏表の基材の貼り合わせ時に熱収縮等を起こし問題である。
この発明においては隠蔽性を向上させるために白色の顔料を混入させたり、熱収縮率を低減させるためにアニール処理を行ったりして得られた１５０℃／３０ｍｉｎにおける熱収縮率が縦（ＭＤ）で１．２％以下、横（ＴＤ）で０．５％以下の支持体を用いることが好ましい。縦（ＭＤ）で１．２％以上、横（ＴＤ）で０．５％以上であると基材の収縮により上記した後加工が困難になることが確認された。又上記基材上に後加工上密着性向上のため易接処理を行っていても良く、チップ保護のために帯電防止処理を行っても良い。
具体的には、帝人デュポンフィルム株式会社製のＵ２シリーズ、Ｕ４シリーズ、ＵＬシリーズ、東洋紡績株式会社製クリスパーＧシリーズ、東レ株式会社製のＥ００シリーズ、Ｅ２０シリーズ、Ｅ２２シリーズ、Ｘ２０シリーズ、Ｅ４０シリーズ、Ｅ６０シリーズＱＥシリーズを好適に用いることができる。
第２のカード支持体（第２のシート材）は場合により、当該カード利用者の顔画像を形成するため受像層、クッション層を設けてもよい。個人認証カード基体表面には画像要素が設けられ、顔画像等の認証識別画像、属性情報画像、フォーマット印刷から選ばれる少なくとも一つが設けられたものが好ましい。
受像層用としては公知の樹脂を用いることができ、例えばポリ塩化ビニル樹脂、塩化ビニルと他のモノマー（例えばイソブチルエーテル、プロピオン酸ビニル等）との共重合体樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ（メタ）アクリル酸エステル、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアセタール系樹脂、ポリビニルブチラール系樹脂、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、三酢酸セルロース、ポリスチレン、スチレンと他のモノマー（例えばアクリル酸エステル、アクリロニトリル、塩化エチレン等）との共重合体、ビニルトルエンアクリレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカプロラクトン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、およびそれらの変性物などを挙げることができるが、好ましいのは、ポリ塩化ビニル樹脂、塩化ビニルと他のモノマーとの共重合体、ポリエステル樹脂、ポリビニルアセタ−ル系樹脂、ポリビニルブチラール系樹脂、スチレンと他のモノマーとの共重合体、エポキシ樹脂である。
クッション層を形成する材料としては、特開２００１−１６９３記載の光硬化型樹脂、ポリオレフィンが好ましい。例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−エチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−水素添加イソプレン−スチレンブロック共重合体、ポリブタジエンの様な柔軟性を有し、熱伝導性の低いものが適する。
クッション層とは、カード支持体と画像を受容する受像層の間に位置し、ＩＣモジュール等の電子部品による凹凸影響を緩和する役割をはたす軟質の樹脂層を意味する。
また、クッション層は、受像層と電子部品の間にクッション層を有する形態であれば特に制限はないが、カード支持体の片面もしくは両面上に塗設あるいは貼合されて、形成されることが特に好ましい。
＜筆記層＞
第１のカード支持体（第１のシート材）は場合により、筆記層を設けることができる。
筆記層は、ＩＤカードの裏面に筆記をすることができるようにした層である。このような筆記層としては、例えば炭酸カルシウム、タルク、ケイソウ土、酸化チタン、硫酸バリウム等の無機微細粉末を熱可塑性樹脂（ポリエチレン等のポリオレフィン類や、各種共重合体等）のフィルムに含有せしめて形成することができる。特開平１−２０５１５５号公報に記載の「書き込み層」をもって形成することができる。前記筆記層は基材における、複数の層が積層されていない方の面に形成される
［ＩＣモジュール］
ＩＣモジュールの電子部品とは、情報記録部材のことを示し、例えば電子カードの利用者の情報を電気的に記憶するＩＣチップ及びＩＣチップに接続されたコイル状のアンテナ体である。ＩＣチップはメモリのみやそれに加えてマイクロコンピューターなどである。場合により電子部品にコンデンサーを含んでいてもよい。ＩＣチップは、一般のＩＣ（集積回路）の形態を具備している。すなわち、シリコンウェハー上に半導体を必要な形状にリソグラフィーやドーピングなどの手法で形成し、電子回路を形成する。このあと、必要な厚みに研摩し、ダイシング工程を経てＩＣチップ形状にする。ＩＣチップの厚さは３０μｍ〜１９０μｍであることが好ましい。１９０μｍ以上であると曲げの応力に対してチップの回路が破壊しやすく、３０μｍ以下であると局部応力により割れやすくなる。ＩＣカードとして使用されるＩＣチップは、接続端子を有しているが、これは、ＩＣチップ上の接続部分にバンプと称される接続端子をメッキなどの方法により設けることができる。この発明はこれに限定されず情報記録部材に必要な電子部品であれば特に限定はない。
通常、アンテナは、ＰＥＴやポリイミドなどの厚み１０μｍ〜８００μｍの熱可塑性基材に銅材やアルミニウム材などを所定のパターンにエッチングしたもの、５０μｍφ〜３００μｍφの径を有する銅線材などを所定の形状にカード支持体に配置する巻線形式により形成したもの、銀粒子を固形分にして５０重量％〜９０重量％含有した導電性ペーストインキをカード支持体上にスクリーン印刷などの方式で所定形状配置したもの、などが使用される。
アンテナの形状は、ループアンテナ形状が多く、そのターン数は、１〜数１０ターンであり用途により適宜選択する。非接触ＩＣカードでは、その通信距離に応じて、密着型（カードとリーダーライターを密着して通信する。）、近接型（通信距離は、一般に、数ｃｍ〜数１０ｃｍ）、近傍型（通信距離：数１０ｃｍ〜数ｍ）、マイクロ波型（通信距離：１ｍ〜数ｍ）として分類されている。通信を行う電磁波の搬送波の周波数も限定されており、たとえば、近接型では、１３．５６ＭＨｚとすることが多い。アンテナの特性は、この電磁周波数に共振するようにターン数や線幅などが設計される。このような少なくともＩＣチップとアンテナを配した基材をＩＣモジュールと称している。
ＩＣチップをアンテナ端子に接続する方法としては、たとえば、ワイヤーボンディング法、フリップチップボンディング法（ＦＣＢ法）などが常用されている。ＩＣチップの端子（バンプ）とアンテナ端子を金、Ｎｉ等で接続する方法が知られている。
本発明においては、上記接続部にＡＣＦ（異方性導電性フィルム）、ＡＣＰ（異方性導電性接合剤に相当する）、ＮＣＦ（非導電性樹脂フィルム）、ＮＣＰ（非導電性接合剤に相当する）などの樹脂接合剤を接続させ、その上にＩＣチップを配置し、ＩＣチップの端子とアンテナ端子を加熱加圧することにより接続固定する。また発明では生産性からＡＣＰ、ＮＣＰを用い接合することが好ましい。
また樹脂接合剤の粘度は特に限定されないが、流動性があり適用性、塗布性、印刷性が良好であれば特に限定されるものではない。樹脂接合剤をポッティングで設ける場合、ポッティングノズル数を多くすることが好ましい。樹脂接合剤を塗布で設ける場合、平滑に設けることが好ましい。塗布後の厚みを適当なものとするためには２３℃における粘度が１０００〜８００００ｃｐｓであることが好ましく、更に好ましくは３０００〜７００００である。粘度が１０００ｃｐｓ以下であるとＩＣチップと補強構造物（例えば補強板）密着時に粘度が低すぎるため設けた液が流れてしまい膜厚制御、膜厚ムラができてしまい問題となる。また、粘度が８００００以上であると製造時に塗工スジ、気泡が発生してしまい密着性が劣化してしまう。仕上がり膜厚は、１〜８０μｍ、より好ましくは５〜８０μｍ、更に好ましくは５〜７０μｍである。
尚、樹脂接合剤の弾性率測定方法は（２％弾性率測定方法）は以下の通りである。
＜２％弾性率測定方法＞
各々の樹脂接合剤を厚さ５００μｍのシートを作成ダンベル状３号型になるよう成型し、このシートを株式会社オリンテックテンシロン万能試験機ＲＴＡ−１００を用い測定した。測定環境温度は、２３℃、５０％ＲＨ環境下。引っ張り速度は１０ｍｍ／ｍｉｎ、標線間距離２０ｍｍの時の２％値を、この発明の２％弾性率と算出した。
以下に、上記の樹脂接合剤におけるＡＣＰおよびＮＣＰについての説明をする。
＜ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ：異方性導電性ペースト）＞
異方性導電ペーストに使用される樹脂は、弾性率が５００μｍの厚さで樹脂物性が２％弾性率（ｋｇｆ／ｍｍ2）で０．１〜８０ｋｇであることが好ましく、０．１ｋｇｆ／ｍｍ2以下又は８０ｋｇｆ／ｍｍ2以上であるとチップとアンテナ接続部への応力が集中し接合部に負荷を掛け、断線などによる通信不良が発生し、問題となってしまう。
この発明には２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分を含む異方性導電性樹脂組成物を用いることができる。好ましくは０．２〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2、より好ましくは０．５〜７０ｋｇｆ／ｍｍ2である。２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分は、この発明の趣旨より反しない限り、制限なく用いることができる。
ＵＶ硬化型、ホットメルト、嫌気性、湿気硬化型樹脂、熱硬化性樹脂などの樹脂、例えばエポキシ系、ウレタン系、シリコン系、ポリエステル系、シアノアクリレート系、ニトリルゴム、熱可塑性エラストマー等の合成ゴム系、セルロース系密着剤、酢酸ビニール系密着剤等の密着剤を用いることができる。これらは単独、または、複数用いることができる。好ましくは、ＵＶ硬化型樹脂、湿気硬化型樹脂、光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂のような硬化性樹脂が好ましく、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂が用いられる。
エポキシ樹脂として、例えば、低温時の硬化性を得るために特開昭６３−６３７１６に開示されるような、エポキシ樹脂とメルカプタン系硬化剤との組み合わせからなるエポキシ樹脂組成物や、複素環状ジアミン硬化剤との組み合わせからなるエポキシ樹脂組成物が用いられてきた。また、高強度を得るためには芳香族ポリアミン硬化剤との組み合わせからなるエポキシ樹脂が用いられてきた。作業環境特性、支持体との接着性、接着安定性を得るために特開平１０−１２０７６４に開示されているような、ビスフェノール型エポキシ樹脂とアミン系硬化剤としてポリアミドアミン、芳香族変性アミン、及び脂肪族変性ポリアミンとの組み合わせによりエポキシ樹脂組成物が用いられている。また、特開２０００−２２９９２７には、エポキシ樹脂とアミンイミド化合物系硬化剤との組み合わせからなる硬化速度が早いエポキシ樹脂が得られている。特開平６−８７１９０、特開平５−２９５２７２には特殊変性シリコーンプレポリマーを硬化剤として用いた樹脂の柔軟性を改良した材料が開示されている。
この発明で用いることができるエポキシとは、一般的に弾性エポキシ樹脂といわれるもの例えば、セメダイン株式会社製、セメダインＥＰ−００１、株式会社スリーボンド社製、３９５０シリーズ、３９５０，３９５１，３９５２、コニシ株式会社製ボンドＭＯＳシリーズ、ＭＯＳ０７、ＭＯＳ１０、東邦化成工業株式会社ウルタイト１５００シリーズ、ウルタイト１５４０、３３２５Ｘ等を用いることが好ましい。
湿気硬化型としてはウレタン樹脂が一般的で、公知の材料で本発明の２％弾性率であれば特に制限はない。例えば特開２０００−０３６０２６、特開２０００−２１９８５５、特開２０００−２１１２７８、特開２００２−１７５５１０で開示されている。湿気硬化接着剤の１例として、分子末端にイソシアネート基含有ウレタンポリマーを主成分とし、このイソシアネート基が水分と反応して架橋構造を形成するものがある。湿気硬化型接着剤としては、例えば住友スリーエム社製ＴＥ０３０、ＴＥ１００、日立化成ポリマー社製ハイボン４８２０、カネボウエヌエスシー社製ボンドマスター１７０シリーズ、Ｈｅｎｋｅｌ社製Ｍａｃｒｏｐｌａｓｔ ＱＲ ３４６０等があげられる。また、湿気硬化型接着剤は素材の安全性から遊離ＭＤＩ量が１．０％以下の物を使用することが好ましい。
光硬化型樹脂としてはアクリル樹脂、エポキシ樹脂が一般的で、公知の材料で本発明の２％弾性率であれば特に制限はない。光硬化型樹脂層は、付加重合性又は開環重合性を有する素材からなるものであり、付加重合成化合物とは、ラジカル重合性化合物、例えば特開平１０−３１６９５９、特開平１１−５９６４、特開平７−１５９９８３号、特公平７−３１３９９号等の各号公報に記載されている光重合成（熱重合性も含む）組成物を用いた光硬化型材料であってもよい。付加重合成化合物とは、カチオン重合系の光硬化型材料が知られており、最近では可視光以上の長波長域に増感された光カチオン重合系の光硬化材料も例えば、特開平６−４３６３３号公報等に公開されている。ハイブリッド型重合系の光硬化材料としては特開平４−１８１９４４号等で組成物が開示されている。具体的には、上記カチオン系開始剤、カチオン重合性化合物、ラジカル系開始剤、ラジカル重合性化合物のいずれかを含む光硬化層であり、この発明の目的においてはいずれの光硬化樹脂剤量を用いても構わない。
この発明の異方性導電性接合剤には前記記載の２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分の他に導電性フィラー、溶剤、ＷＡＸ、熱可塑性樹脂、無機微粒子、レベリング剤、ゴム弾性粒子、熱可塑性エラストマー、染料、顔料、熱可塑性樹脂、粘着剤、硬化剤、硬化触媒、平板上粒子、針状粒子、重合禁止剤、増粘剤、チキソトロピー剤、沈殿防止剤、酸化防止剤、分散剤その他添加剤等を配合することも可能である。
導電粒子としては、電気的に良好な導体である限り種々のものを使用することができる。例えば、銅、銀、金、ニッケル、等の金属粉体、このような金属で被覆された樹脂あるいは粉体等を使用することができる。また、その形状についても特に制限はなく、りん片状、樹枝状、粒状、ペレット状等の任意の形状をとることができる。
また、この発明の異方性導電性接合剤には、溶剤及び硬化促進剤等の各種添加剤を必要に応じて添加することができる。この発明の２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分はＡＣＰ全体の３５質量％以下が好ましい。
この発明の異方性導電性接合剤は常法により製造できる。例えば、２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分、各種添加剤を混合し、さらに導電粒子を混合することにより製造できる。また、その使用方法も例えば常法にしたがって接続すべき端子間に適用し、作成すればよい。この発明のＡＣＰは、例えば上記の成分をホモジナイザーなどの攪拌機で均一に混合した後、３本ロールあるいはニーダーなどの混練機でさらに均一に分散することにより製造されるが、製法はこの方法に限定されるものではない。
また異方性導電性接合剤には、必要に応じてさらに公知の溶剤を添加できる。溶剤としては、硬化反応後に系内への残存を避けるため沸点は約２５０℃以下のものが好ましい。具体的には、例えば、トルエン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ペンタンなどの炭化水素溶剤、イソプロピルアルコール、ブチルアルコールなどのアルコール類、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、イソホロンなどのケトン類、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチルなどのエステル類、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、３−メトキシ−３−メチルブチルアセテートなどのグリコールモノエーテル類およびそれらのアセテート化合物、あるいはこれらの１種ないし２種以上の混合物などを挙げることができる。
＜ＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ：非導電性ペースト）＞
この発明の非導電性ペーストに用いられる樹脂は２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分を含む非導電性樹脂組成物を用いることができる。好ましくは０．２〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2、より好ましくは０．５〜７０ｋｇｆ／ｍｍ2である。２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分は、この発明の趣旨より反しない限り、制限なく用いることができる。前述のＡＣＰに用いられる樹脂と同様の樹脂を用いることができる。
この発明の非導電性樹脂ペーストには、前記記載の２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分の他に溶剤、ＷＡＸ、熱可塑性樹脂、無機微粒子、レベリング剤、ゴム弾性粒子、熱可塑性エラストマー、染料、顔料、熱可塑性樹脂、粘着剤、硬化剤、硬化触媒、平板上粒子、針状粒子、重合禁止剤、増粘剤、チキソトロピー剤、沈殿防止剤、酸化防止剤、分散剤その他添加剤等を配合することも可能である。
また、この発明の非導電性接合剤には、必要に応じて、前述の溶剤及び硬化促進剤等の各種添加剤を必要に応じて添加することができる。この発明の２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分はＮＣＰ全体の４０質量％以下が好ましい。
この発明の非導電性接合剤は常法により製造できる。例えば、２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分、各種添加剤を混合し、製造できる。また、その使用方法も例えば常法にしたがって接続すべき端子間に適用し、作成すればよい。この発明のＮＣＰは、例えば上記の成分をホモジナイザーなどの攪拌機で均一に混合した後、３本ロールあるいはニーダーなどの混練機でさらに均一に分散することにより製造されるが、製法はこの方法に限定されるものではない。
予めＩＣチップを含む部品を所定の位置に載置してから樹脂を充填するために、樹脂の流動による剪断力で接合部が外れたり、樹脂の流動や冷却に起因して表面の平滑性を損なったりと安定性に欠けることを解消するため、予め基板シートに樹脂層を形成しておいて該樹脂層内に部品を封入するために該電子部品を多孔質の樹脂フィルム、多孔質の発泡性樹脂フィルム、可撓性の樹脂シート、多孔性の樹脂シート又は不織布シート状にし使用できる。
例えば、アンテナフィルム支持体としてはポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリイミド、ＰＥＴ−Ｇ（イーストマンケミカル社）、ポリエチレンテレフタレート／イソフタレート共重合体等のポリエステル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン樹脂、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ４フッ化エチレン、エチレン−４フッ化エチレン共重合体、等のポリフッ化エチレン系樹脂、ナイロン６、ナイロン６．６等のポリアミド、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、エチレン／酢酸ビニル共重合体、エチレン／ビニルアルコール共重合体、ポリビニルアルコール、ビニロン等のビニル重合体、生分解性脂肪族ポリエステル、生分解性ポリカーボネート、生分解性ポリ乳酸、生分解性ポリビニルアルコール、生分解性セルロースアセテート、生分解性ポリカプロラクトン等の生分解性樹脂、三酢酸セルロース、セロファン等のセルロース系樹脂、ポリメタアクリル酸メチル、ポリメタアクリル酸エチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、等のアクリル系樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリイミド等の合成樹脂シート、又は上質紙、薄葉紙、グラシン紙、硫酸紙等の紙、金属箔等の単層体或いはこれら２層以上の積層体が挙げられる。この発明のモジュール支持体の厚みは１０〜５０μｍが好ましい。１０μｍ以下であると裏表の基材の貼り合わせ時に熱収縮等を起こし問題である。５０μｍ以上では、クッション効果が低下し、ＩＣチップが破損しやすくなる。
＜密着剤＞
この発明の密着剤には、この発明の趣旨より反しない限り、一般に使用されている樹脂材を制限なく用いることができる。エポキシ系、ウレタン系、シリコン系、シアノアクリレート系、ニトリルゴム等の合成ゴム系、ＵＶ硬化型、ホットメルト、嫌気性、セルロース系密着剤、酢酸ビニール系密着剤等の密着剤を用いることができる。これらの密着剤単独、または、複数用いることができる。好ましくは、弾性エポキシ密着剤が用いられる。
弾性エポキシ樹脂として、例えば、低温時の硬化性を得るために特開昭６３−６３７１６に開示されるような、エポキシ樹脂とメルカプタン系硬化剤との組み合わせからなるエポキシ樹脂組成物や、複素環状ジアミン硬化剤との組み合わせからなるエポキシ樹脂組成物が用いられてきた。また、高強度を得るためには芳香族ポリアミン硬化剤との組み合わせからなるエポキシ樹脂が用いられてきた。作業環境特性、基材との接着性、接着安定性を得るために特開平１０−１２０７６４に開示されているような、ビスフェノール型エポキシ樹脂とアミン系硬化剤としてポリアミドアミン、芳香族変性アミン、及び脂肪族変性ポリアミン等を用い、このエポキシ樹脂との組み合わせによりエポキシ樹脂組成物が用いられている。また、特開２０００−２２９９２７には、エポキシ樹脂とアミンイミド化合物系硬化剤との組み合わせからなる硬化速度が早いエポキシ樹脂が挙げられている。特開平６−８７１９０、特開平５−２９５２７２には特殊変性シリコーンプレポリマーを硬化剤と用いた記載がされており樹脂の柔軟性を改良した材料が開示されている。
弾性エポキシ密着剤とは、例えば、セメダイン株式会社製、セメダインＥＰ−００１、株式会社スリーボンド社製、３９５０シリーズ、３９５０，３９５１，３９５２、コニシ株式会社製ボンドＭＯＳシリーズ、ＭＯＳ０７、ＭＯＳ１０、東邦化成工業株式会社ウルタイト１５００シリーズ、ウルタイト１５４０灯を用いることが好ましい。
密着剤の膜厚は、電子部品と含めた場合、厚さで１００〜８００μｍが好ましく、より好ましくは２００〜８００μｍ、更に好ましくは２００μ〜７００μｍである。
この発明における密着剤（以下、密着剤樹脂とも呼ぶ）とは、２３℃における粘度が１０００〜３５０００ｃｐｓであることが好ましく、更に好ましくは３０００〜３５０００である。粘度が１０００ｃｐｓ以下であるとＩＣチップと補強構造物密着時に粘度が低すぎるため設けた液が流れてしまい膜厚制御、膜厚ムラができてしまい問題となる。また、粘度が３５０００以上であると製造時に塗工スジ、気泡が発生してしまい密着性が劣化してしまう。
この発明に使用する密着剤５００μｍ硬化後の樹脂物性が２％弾性率（ｋｇｆ／ｍｍ2）においても硬化後の物性が０．１〜５５（ｋｇｆ／ｍｍ2）で有ることが好ましく、０．１（ｋｇｆ／ｍｍ2）以下、５５（ｋｇｆ／ｍｍ2）以上であるとＩＣチップまたは補強構造物への応力、変形がＩＣチップに集中的にかかり、耐久性が低下し、問題となってしまう。
また、この発明の密着剤は、ポッティング、塗布、噴射、印刷等、特に制限なく補強構造物上、ＩＣチップ上に設けることができる。ポッティングで設ける場合、ポッティングノズル数を多くすることが好ましい。塗布で設ける場合、平滑に設けることが好ましい。いずれも、ＩＣチップに補強構造物を固定する時、均一に密着剤を設けることが好ましく、この発明においては、密着剤面積がＩＣチップ面積を上回っていることが好ましい。チップ／補強構造物間に密着剤が満たされないと耐久性が低下する。
この発明では、この発明の趣旨より反しない限り、添加剤を加えることができる。特に密着剤に弾性粒子を含有するのが好ましい。密着剤に添加可能な素材としては、ＷＡＸ、熱可塑性樹脂、無機微粒子、レベリング剤、ゴム弾性粒子、熱可塑性エラストマー、熱可塑性樹脂、粘着剤、硬化剤、硬化触媒、流展剤、平板上粒子、針状粒子、その他添加剤等を配合することも可能である。
弾性粒子を添加することで、補強構造物を固定する製造工程で、ＩＣチップにかかる応力を緩和し、歪みが残留せず、耐久性を向上する事ができ特に好ましい。カード化された後においても、ＩＣチップにかかる応力を緩和し、耐久性を向上することができる。
平板上粒子としては、例えばマイカ、タルク、層状珪酸塩、ハロゲン化銀等の平板状物質が使用できる。
平板状物質である平板状シリカ系化合物は、アルカリ、アルカリ土類金属、アルミニウムなどを含有する層状ケイ酸塩、即ち、平板状ケイ酸塩を指し、これらとしては、カオリン鉱物、雲母粘土鉱物、スメクタイトなどが挙げられる。カオリン鉱物としては、カオリナイト、デイッカイト、ナクライト、ハロイサイト、蛇文石などが挙げられる。雲母粘土鉱物としては、パイロフィライト、タルク、白雲母、膨潤性合成フッ素雲母、セリサイト、緑泥石などが挙げられる。スメクタイトとしては、スメクタイト、バーミキュライト、膨潤性合成フッ素パーミキュライトなどが挙げられる。スメクタイトには、天然物と合成物の２種類があるが、天然物の例としては、モンモリロナイトとバイデライトなどがあり、ベントナイト、酸性白土などと呼ばれる粘土として得られる。合成スメクタイトの例としては、例えば、コープケミカル（株）製のルーセンタイトＳＷＮ（以下、ＳＴＴ−１という。）、ルーセンタイトＳＷＦ（フッ素を２〜５重量％含む）（以下、ＳＴＴ−２という。）などを挙げることができる。
この発明に用いられる平板状粒子の好ましい使用量は、添加すべき層のバインダーに対して乾燥重量比で０．１０〜０．９０で、特に好ましくは０．２〜０．８である。
針状粒子としては、バリウムフェライト、ストロンチウムフェライト等の六方晶系フェライトを挙げることができる。また、アラミド繊維などの高弾性率の繊維片であってもよい。
また、必要に応じて、さらに他の微粒子を併用しても良い。他の微粒子としては、各種無機酸化物、炭化物、窒化物、硼化物が好適に用いられる。例えば、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、チタン酸バリウム、チタン酸アルミニウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸カルシウム、酸化亜鉛、酸化クロム、酸化セリウム、酸化アンチモン、酸化タグステン、酸化錫、酸化テルル、酸化マンガン、酸化硼素、炭化珪素、炭化硼素、炭化チタン、窒化珪素、窒化チタン、窒化硼素等が挙げられる。
粘着性ポリマーとしては、ポリジメチルシロキサン、ポリジフェニルシロキサンなどのシリコーンゴムと、トリメチルシリル基もしくはトリフェニルシリル基を有するポリシロキサンなどのシリコーンレジンとの混合物のようなシリコーン類；ポリエステル類；ポリウレタン類；ポリエーテル類；ポリカーボネート類；ポリビニルエーテル類；ポリ塩化ビニル類；ポリ酢酸ビニル類；ポリイソブチレン類などのアクリル系以外のポリマーや、アクリルゴム、アクリロニトリル／ブタジエンゴム（ＮＢＲ）、ランダム型スチレン／ブタジエンゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム（ＩＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、エチレン／プロピレンゴム（ＥＰＭ）、エチレン／プロピレン／ジエンゴム（ＥＰＤＭ）、ウレタンゴム、スチレン／イソプレン／スチレンブロックゴム（ＳＩＳ）、スチレン／エチレン／ブタジエン／スチレンブロックゴム（ＳＥＢＳ）、スチレン／ブタジエンブロックゴムなどの合成ゴム系ポリマーを用いてもよい。熱軟化点の低い樹脂、例えば、ガラス転移点が低いアルキルアクリレートを主成分とするアクリル系ポリマーが、該ポリマー単体で適度な感圧接着性を発揮し得るため好適に用いられる。
＜補強構造物（補強板）＞
この発明では、ＩＣチップの耐久性向上のためにＩＣチップ上に補強板を固定する。更に耐久性を向上させるためには、第１の補強板、第２の補強板の補強構造物を固定する方法なども採ることができる。
この発明の補強構造物は、機械的強度に優れることが好ましい。強度確保のため補強構造物を厚くするとカード厚みが厚くなり、表面印画性などが低下するため補強構造物は高強度の素材が好ましい。金属、セラミック、カーボンファイバー、ガラス繊維、アラミド繊維、高弾性樹脂などが上げられる。これらより選択される。１種または複数からなる複合材料でもよい。特にヤング率１００ＧＰａ以上の素材が主構造に使用されているのが好ましい。厚みとしては、１０〜３００μｍ、好ましくは、２０〜２００μｍ、さらに好ましくは、３０〜１５０μｍがよい。補強板の大きさはＩＣチップの面積に対して同等若しくはそれより大きいことが好ましい。生産時の位置精度からＩＣチップの面積に対して１．０２倍以上の大きさで有ることが本発明ではより好ましい。更に好ましくはＩＣチップの面積に対して1．1倍以上であることが好ましい。補強構造上の形状としては、この発明の要旨に反しない限り、適宜用いることができる。この発明では、補強構造物形状は、複数の部材が好ましく、特に第１の補強板、第２の補強板の構造により形成される。
＜第１のシート材と第２のシート材との間に所定の厚みのＩＣモジュールとを備える方法＞
この発明の第１のシート材と第２のシート材との間に所定の厚みのＩＣモジュールとを備えるための製造方式としては、熱貼合法、接着剤貼合法及び射出成形法が知られているが、いずれの方法で貼り合わせしてもよい。又、第１のシート材と第２のシート材は貼り合わせる前後いずれかにフォーマット印刷又は、情報記録を行ってもよく、オフセット印刷、グラビア印刷、シルク印刷、スクリーン印刷、凹版印刷、凸版印刷、インクジェット方式、昇華転写方式、電子写真方式、熱溶融方式等のいずれの方式によって形成することができる。
この発明のＩＣカードの製造方法は、少なくとも、常温状態では固形物又は粘調体であり、加熱状態では軟化する接着部材をカード用の支持体に設ける工程と、ＩＣモジュールの電子部品を、このモジュール支持体上に配置する工程と、このモジュール支持体上の電子部品を覆うように接着部材を設けた表面用の基材を配置する工程と、所定の加圧加温条件の下で支持体、電子部品及び表面用の基材とを貼り合わせる工程とを有し貼り合わせることが好ましい。
固形物又は粘調体の加熱状態で軟化する接着部材とは、接着剤自身をシート状に形成し具備する方法と接着剤自身を加熱又は常温で溶融し射出成型によって貼り合わせることが好ましい。
第１のシート材と第２のシート材との間に所定の電子部品の接着可能な温度は、８０℃以下であることが好ましく、より好ましくは０〜８０℃、更に好ましくは２０℃〜７０℃である。貼り合わせ後に基材のそり等を低減させるために冷却工程を設けることが好ましい。冷却温度は７０℃以下であることが好ましく、より好ましくは−１０〜７０℃、更に好ましくは１０〜６０℃である。
貼り合わせる時には、カード支持体の表面平滑性、第１のシート材と第２のシート材との間に所定の電子部品の密着性をあげるために加熱及び加圧を行うことが好ましく、上下プレス方式、ラミネート方式等で製造することが好ましい、更にはＩＣ部品の割れを考慮して、線接触に近く、僅かなズレでも無理な曲げ力が加わるローラを避けて平面プレス型とするのが好ましい。加熱は、１０〜１２０℃が好ましく、より好ましくは３０〜１００である。加圧は、０．１〜３００ｋｇｆ／ｃｍ2が好ましく、より好ましくは０．１〜１００ｋｇｆ／ｃｍ2である。これより圧が高いとＩＣチップが破損する。加熱及び加圧時間は好ましくは、０．１〜１８０ｓｅｃより好ましくは０．１〜１２０ｓｅｃである。
前記接着剤貼合法や樹脂射出法で連続シートとして形成された貼り合わせた枚葉シート又は連続塗工ラミロールは、接着剤の所定硬化時間に合わせた時間内放置後、認証識別画像や書誌事項を記録をしても良く、その後所定のカードサイズに成形しても良い。所定のカードサイズに形成する方法としては打ち抜く方法、断裁する方法等が主に選択される。＜画像記録体の画像形成方法＞
この発明のＩＣカードである画像記録体には画像要素が設けられ、顔画像等の認証識別画像、属性情報画像、フォーマット印刷から選ばれる少なくとも一つが設けられた基体上の該画像又は印刷面側に形成したものである。
顔画像は通常の場合、階調を有するフルカラー画像で、例えば昇華型感熱転写記録方式、ハロゲン化銀カラー写真方式等により作製される。又、文字情報画像は二値画像よりなり、例えば溶融型感熱転写記録方式、昇華型感熱転写記録方式、ハロゲン化銀カラー写真方式、電子写真方式、インクジェット方式等により作製されている。この発明においては、昇華型感熱転写記録方式により顔画像等の認証識別画像、属性情報画像を記録することが好ましい。
属性情報は氏名、住所、生年月日、資格等であり、属性情報は通常文字情報として記録され溶融型感熱転写記録方法が一般的である。フォーマット印刷又は、情報記録を行ってもよく、オフセット印刷、グラビア印刷、シルク印刷、スクリーン印刷、凹版印刷、凸版印刷、インクジェット方式、昇華転写方式、電子写真方式、熱溶融方式等のいずれの方式によって形成することができる。
さらに、偽変造防止の目的では透かし印刷、ホログラム、細紋等が採用されてもよい。偽造変造防止層としては印刷物、ホログラム、バーコード、マット調柄、細紋、地紋、凹凸パターンなどで適時選択さ、可視光吸収色材、紫外線吸収材、赤外線吸収材、蛍光増白材、金属蒸着層、ガラス蒸着層、ビーズ層、光学変化素子層、パールインキ層、隣片顔料層などからなる。
［昇華画像形成方法］
昇華型感熱転写記録用インクシートは、基材とその上に形成された昇華性色素含有インク層とで構成することができる。
−基材−
基材としては、寸法安定性がよく、感熱ヘッドでの記録の際の熱に耐えうる限り特に制限がなく、従来から公知のものを使用することができる。
−昇華性色素含有インク層−
上記昇華性色素含有インク層は、基本的に昇華性色素とバインダーとを含有する。
前記昇華性色素としてはシアン色素、マゼンタ色素およびイエロー色素を挙げることができる。
前記シアン色素としては、特開昭５９−７８８９６号公報、同５９−２２７９４８号公報、同６０−２４９６６号公報、同６０−５３５６３号公報、同６０−１３０７３５号公報、同６０−１３１２９２号公報、同６０−２３９２８９号公報、同６１−１９３９６号公報、同６１−２２９９３号公報、同６１−３１２９２号公報、同６１−３１４６７号公報、同６１−３５９９４号公報、同６１−４９８９３号公報、同６１−１４８２６９号公報、同６２−１９１１９１号公報、同６３−９１２８８号公報、同６３−９１２８７号公報、同６３−２９０７９３号公報などに記載されているナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、アゾメチン系色素等が挙げられる。
前記マゼンタ色素としては、特開昭５９−７８８９６号公報、同６０−３０３９２号公報、同６０−３０３９４号公報、同６０−２５３５９５号公報、同６１−２６２１９０号公報、同６３−５９９２号公報、同６３−２０５２８８号公報、同６４−１５９号、同６４−６３１９４号公報等の各公報に記載されているアントラキノン系色素、アゾ色素、アゾメチン系色素等が挙げられる。
イエロー色素としては、特開昭５９−７８８９６号公報、同６０−２７５９４号公報、同６０−３１５６０号公報、同６０−５３５６５号公報、同６１−１２３９４号公報、同６３−１２２５９４号公報等の各公報に記載されているメチン系色素、アゾ系色素、キノフタロン系色素およびアントライソチアゾール系色素が挙げられる。
また、昇華性色素として特に好ましいのは、開鎖型または閉鎖型の活性メチレン基を有する化合物をｐ−フェニレンジアミン誘導体の酸化体またはｐ−アミノフェノール誘導体の酸化体とのカップリング反応により得られるアゾメチン色素およびフェノールまたはナフトール誘導体またはｐ−フェニレンジアミン誘導体の酸化体またはｐ−アミノフェノール誘導体の酸化体のとのカップリング反応により得られるインドアニリン色素である。
また、受像層中に金属イオン含有化合物が配合されているときには、この金属イオン含有化合物と反応してキレートを形成する昇華性色素を、昇華性色素含有インク層中に含めておくのが良い。このようなキレート形成可能な昇華性色素としては、例えば特開昭５９−７８８９３号、同５９−１０９３４９号、同特開平４−９４９７４号、同４−９７８９４号、同４−８９２９２号に記載されている、少なくとも２座のキレートを形成することができるシアン色素、マゼンタ色素およびイエロー色素を挙げることができる。
キレートの形成可能な好ましい昇華性色素は、下記一般式で表わすことができる。
Ｘ１−Ｎ＝Ｎ−Ｘ２−Ｇ
ただし、式中Ｘ１は、少なくとも一つの環が５〜７個の原子から構成される芳香族の炭素環、または複素環を完成するのに必要な原子の集まりを表わし、アゾ結合に結合する炭素原子の隣接位の少なくとも一つが、窒素原子またはキレート化基で置換された炭素原子である。Ｘ２は、少なくとも一つの環が５〜７個の原子から構成される芳香族複素環または、芳香族炭素環を表わす。Ｇはキレート化基を表わす。
いずれの昇華性色素に関しても前記昇華性色素含有インク層に含有される昇華性色素は、形成しようとする画像が単色であるならば、イエロー色素、マゼンタ色素、およびシアン色素の何れであっても良く、形成しようとする画像の色調によっては、前記三種の色素のいずれか二種以上もしくは他の昇華性色素を含んでいても良い。前記昇華性色素の使用量は、通常、基材１ｍ2当たり０．１〜２０ｇ、好ましくは０．２〜５ｇである。
インク層のバインダーとしては特に制限がなく従来から公知のものを使用することができる。さらに前記インク層には、従来から公知の各種添加剤を適宜に添加することができる。
昇華型感熱転写記録用インクシートは、インク層を形成する前記各種の成分を溶媒に分散ないし溶解してなるインク層形成用塗工液を調製し、これを基材の表面に塗工し、乾燥することにより製造することができる。かくして形成されたインク層の膜厚は、通常、０．２〜１０μｍであり、好ましくは、０．３〜３μｍである。
＜接着剤＞
この発明のＩＣカードに用いられる接着剤は、一般に使用されている樹脂を制限なく用いることができる。好ましくは、ホットメルト接着剤を用いることがよく、ホットメルト接着剤の主成分としては、例えばエチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）系、ポリエステル系、ポリアミド系、熱可塑性エラストマー系、ポリオレフィン系などが挙げられる。但しカード基体がそりやすいとか、カード表面に感熱転写による画像形成のための受像層など高温加工に弱い層が設けられている場合に層がダメージを受け、或いは高温で貼り合わせるために基材が熱収縮等を起こし寸法及び貼り合わせ時の位置精度が劣化する等の問題点から接着剤を介して貼り合わせる場合には、８０℃以下で貼り合わせることが好ましくさらには１０〜８０℃、さらに好ましくは２０〜８０であることが好ましい。
低温接着剤の中でも具体的には反応型ホットメルト接着剤が好ましい。反応型ホットメルト接着剤（以下、反応型接着剤）は、樹脂を溶融させて接着した後、湿気を吸収して樹脂が硬化するタイプの接着剤である。その特徴として、通常のホットメルトと比較して硬化反応を有する上、それに要するだけ接着可能時間が長く、かつ接着後に軟化温度が高くなるため耐久性に富み、低温での加工に適していることが挙げられる。反応型接着剤の１例として、分子末端にイソシアネート基含有ウレタンポリマーを主成分とし、このイソシアネート基が水分と反応して架橋構造を形成するものがある。この発明に使用できる反応型接着剤としては住友スリーエム社製ＴＥ０３０、ＴＥ１００、日立化成ポリマー社製ハイボン４８２０、カネボウエヌエスシー社製ボンドマスター１７０シリーズ、Ｈｅｎｋｅｌ社製Ｍａｃｒｏｐｌａｓｔ ＱＲ ３４６０等が挙げられる。
反応型ホットメルト接着剤として湿気硬化型の材料で特開２０００−０３６０２６、特開２０００−２１９８５５、特開２０００−２１１２７８、特開２００２−１７５５１０で開示されている。光硬化型接着剤として特開平１０−３１６９５９、特開平１１−５９６４等が開示されている。
これら接着剤のいずれも使用してもよく、この発明には制限はない材料を好ましく用いることができる。
接着剤の膜厚は、この発明の範囲であれば電子部品と含めた厚さで１０〜６００μｍが好ましく、より好ましくは２００〜５００μｍ、更に好ましくは２５０μ〜５００μｍである。
２％弾性率が１〜９０ｋｇ／ｍｍ2のＩＣカード接着剤を、この発明で使用することができる。好ましくは５〜８０ｋｇ／ｍｍ2、より好ましくは１０〜６０ｋｇ／ｍｍ2である。２％弾性率が１０ｋｇｆ／ｍｍ2以下であると自己支持性が低下し、応力がチップに集中し、ＩＣチップを破損する。またカード状にしたときに柔軟すぎてしまうため断裁性の劣化、又はカード取り扱い性が悪くなる。９０ｋｇ／ｍｍ2以上であると硬すぎて応力を吸収できず、ＩＣチップを破損すると共に、仕上がりカード曲げ時接着剤の内部応力が耐えきれずにカードが破損してしまい問題となる。
接着剤は、ホットメルト接着剤や反応型ホットメルト接着剤、光硬化型接着剤若しくは湿気硬化型接着剤、弾性エポキシ接着剤等を用いることができる。ホットメルト接着剤の主成分としては、例えばエチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）系、ポリエステル系、ポリアミド系、熱可塑性エラストマー系、ポリオレフィン系などが挙げられる。ポリアミド系ホットメルト接着剤としてはＨｅｎｋｅｌ社製のマクロメルトシリーズ等がある。この発明においては、熱可塑性エラストマー系ホットメルト接着剤が好ましく、例えば、シェル化学社製カリフレックスＴＲ及びクレイトンシリーズ、旭化成社製タフプレン、Ｆｉｒｅｓｔｏｎｅ Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｒｕｂｂｅｒ ａｎｄ Ｌａｔｅｘ社製タフデン、Ｐｈｉｌｌｉｐｓ Ｐｅｔｒｏｌｅｕｍ社製ソルプレン４００シリーズなどがある。
ポリオレフィン系ホットメルト接着剤としては住友化学社製スミチック、チッソ石油化学製ビスタック、三菱油化製ユカタック、Ｈｅｎｋｅｌ社製マクロメルトシリーズ、三井石油化学社製タフマー、宇部レキセン社製ＡＰＡＯ、イーストマンケミカル社製イーストボンド、ハーキュレス社製Ａ−ＦＡＸ等がある。この発明では、好ましくは反応型ホットメルト接着剤として、ａ）湿気硬化型ホットメルト接着剤、ｂ）弾性エポキシ接着剤、ｃ）光硬化型接着剤を用いることが好ましい。
湿気硬化型の材料は特開２０００−０３６０２６、特開２０００−２１９８５５、特開２０００−２１１２７８、特開２００２−１７５５１０で開示されている。光硬化型接着剤として特開平１０−３１６９５９、特開平１１−５９６４等が開示されている。
ａ）湿気硬化型ホットメルト接着剤の１例として、分子末端にイソシアネート基含有ウレタンポリマーを主成分とし、このイソシアネート基が水分と反応して架橋構造を形成するものがある。湿気硬化型接着剤としては、例えば住友スリーエム社製ＴＥ０３０、ＴＥ１００、日立化成ポリマー社製ハイボン４８２０、カネボウエヌエスシー社製ボンドマスター１７０シリーズ、Ｈｅｎｋｅｌ社製Ｍａｃｒｏｐｌａｓｔ ＱＲ ３４６０等があげられる。また、湿気硬化型接着剤は素材の安全性から遊離ＭＤＩ量が１．０％以下の物を使用することが好ましい。
ｂ）弾性エポキシ接着剤として、例えば、低温時の硬化性を得るために特開昭６３−６３７１６に開示されるような、エポキシ樹脂とメルカプタン系硬化剤との組み合わせからなるエポキシ樹脂組成物や、複素環状ジアミン硬化剤との組み合わせからなるエポキシ樹脂組成物が用いられてきた。また、高強度を得るためには芳香族ポリアミン硬化剤との組み合わせからなるエポキシ樹脂が用いられてきた。作業環境特性、支持体との接着性、接着安定性を得るために特開平１０−１２０７６４に開示されているような、ビスフェノール型エポキシ樹脂とアミン系硬化剤としてポリアミドアミン、芳香族変性アミン、及び脂肪族変性ポリアミンとの組み合わせによりエポキシ樹脂組成物が用いられている。また、特開２０００−２２９９２７には、エポキシ樹脂とアミンイミド化合物系硬化剤との組み合わせからなる硬化速度が早いエポキシ樹脂が挙げられている。特開平６−８７１９０、特開平５−２９５２７２には特殊変性シリコーンプレポリマーを硬化剤と用いた記載がされており樹脂の柔軟性を改良した材料が開示されている。
この発明で用いることができる弾性エポキシ接着剤とは、例えば、セメダイン株式会社製、セメダインＥＰ−００１、株式会社スリーボンド社製、３９５０シリーズ、３９５０，３９５１，３９５２、コニシ株式会社製ボンドＭＯＳシリーズ、ＭＯＳ０７、ＭＯＳ１０、東邦化成工業株式会社ウルタイト１５００シリーズ、ウルタイト１５４０等を用いることが好ましい。
ｃ）光硬化型接着剤としては、光硬化型の公知の接着剤であれば特に制限はないが好ましくは、１）エポキシ基を１分子内に２個以上含んだ化合物、２）１０〜１５０℃の温度でカチオンを発生する化合物を少なくとも含む接着剤を用いることが好ましい。カチオン重合により高分子化の起こるタイプ（主にエポキシタイプ）のエポキシタイプの紫外線硬化性プレポリマー、モノマーは、１分子内にエポキシ基を２個以上含有するプレポリマーを挙げることができる。このようなプレポリマーとしては、例えば、脂環式ポリエポキシド類、多塩基酸のポリグリシジルエステル類、多価アルコールのポリグリシジルエーテル類、ポリオキシアルキレングリコールのポリグリシジルエーテル類、芳香族ポリオールのポリグリシジルエーテル類、芳香族ポリオールのポリグリシジルエーテル類の水素添加化合物類、ウレタンポリエポキシ化合物類及びエポキシ化ポリブタジエン類等を挙げることができる。これらのプレポリマーは、その一種を単独で使用することもできるし、また、その二種以上を混合して使用することもできる。エポキシ基を１分子内に２個以上有するプレポリマーの含有量は７０重量％以上であるのが好ましい。
カチオン重合性組成物中に含有されるカチオン重合性化合物としては、他に例えば下記の（１）スチレン誘導体、（２）ビニルナフタレン誘導体、（３）ビニルエーテル類及び（４）Ｎ−ビニル化合物類を挙げることができる。（１）スチレン誘導体は、例えばスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、β−メチルスチレン、ｐ−メチル−β−メチルスチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メトキシ−β−メチルスチレン等、（２）ビニルナフタレン誘導体は、例えば１−ビニルナフタレン、α−メチル−１−ビニルナフタレン、β−メチル−１−ビニルナフタレン、４−メチル−１−ビニルナフタレン、４−メトキシ−１−ビニルナフタレン等、（３）ビニルエーテル類は、例えばイソブチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、フェニルビニルエーテル、ｐ−メチルフェニルビニルエーテル、ｐ−メトキシフェニルビニルエーテル、α−メチルフェニルビニルエーテル、β−メチルイソブチルビニルエーテル、β−クロロイソブチルビニルエーテル等、（４）Ｎ−ビニル化合物類は、例えばＮ−ビニルカルバゾール、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルインドール、Ｎ−ビニルピロール、Ｎ−ビニルフェノチアジン、Ｎ−ビニルアセトアニリド、Ｎ−ビニルエチルアセトアミド、Ｎ−ビニルスクシンイミド、Ｎ−ビニルフタルイミド、Ｎ−ビニルカプロラクタム、Ｎ−ビニルイミダゾール等。
上記カチオン重合性化合物のカチオン重合性組成物中の含有量は１〜９７重量％が好ましくは、より好ましくは３０〜９５重量％である。活性光線を用いる場合、水銀灯、ＵＶランプ、キセノン等の光源により、１００ｍｊ〜５００ｍｊの露光で硬化し用いることができる。開始剤としてはカチオン系重合開始剤が好ましく、特に１０〜１５０℃の温度でカチオンを発生する化合物が好ましい。具体的には芳香族オニウム塩を挙げることができる。この芳香族オニウム塩として、周期表第Ｖａ族元素の塩たとえばホスホニウム塩（たとえばヘキサフルオロリン酸トリフェニルフェナシルホスホニウムなど）、第ＶＩａ族元素の塩たとえばスルホニウム塩（たとえばテトラフルオロホウ酸トリフェニルスルホニウム、ヘキサフルオロリン酸トリフェニルスルホニウム、ヘキサフルオロリン酸トリス（４−チオメトキシフェニル）、スルホニウムおよびヘキシサフルオロアンチモン酸トリフェニルスルホニウムなど）、及び第ＶＩＩａ族元素の塩たとえばヨードニウム塩（たとえば塩化ジフェニルヨードニウムなど）を挙げることができる。
このような芳香族オニウム塩をエポキシ化合物の重合におけるカチオン重合開始剤として使用することは、米国特許第４，０５８，４０１号、同第４，０６９，０５５号、同第４，１０１，５１３号および同第４，１６１，４７８号公報に詳述されている。又特開２０００−１０２７１、機能材料（１９９５年５月号Ｖｏｌ．１３，Ｎｏ．５ Ｐ．５〜１１）記載等の熱酸発生剤を用いることもできる。
具体的には、三新化学工業株式会社製サンエイドＳＩシリーズのサンエイドＳＩ−６０Ｌ（熱カチオン発生温度９０℃）、ＳＩ−８０Ｌ（熱カチオン発生温度１１０℃）、ＳＩ−１００Ｌ（熱カチオン発生温度１２０℃）、みどり化学株式会社製、ＮＤＩ１０５（熱カチオン発生温度１００℃）、ＮＢ−１０１（熱カチオン発生温度１１０℃）等を使用でき、接着剤の固形分中に０．１〜３０重量％添加することが好ましく、より好ましくは０．５〜２０重量％である。
以下、実施例を挙げて、この発明を詳細に説明するが、この発明の態様はこれに限定されない。尚、以下において「部」は「重量部」を示す。
（ＩＣカード用接着剤１〜接着剤４の作成）
＜接着剤１＞
Ｈｅｎｋｅｌ社製Ｍａｃｒｏｐｌａｓｔ ＱＲ３４６０（湿気硬化型ホットメルト接着剤（２％弾性率１５ｋｇ／ｍｍ2、湿気硬化型接着剤））を使用した。
＜接着剤２＞
積水化学工業社製エスダイン２０１３ＭＫ（湿気硬化型ホットメルト接着剤（２％弾性率５３ｋｇ／ｍｍ2、湿気硬化型接着剤））を使用した。
＜接着剤３＞
２液硬化型弾性エポキシ接着剤：東邦化成工業株式会社製ウルタイト１５４０セット（硬化後、２％弾性率０．４％、）を用いた主剤と硬化剤を使用した。
＜接着剤４＞
信越化学社製セミコート２２０Ｈ（２％弾性率３００ｋｇ／ｍｍ2）を使用した。
［ＩＣモジュールの作製］
（密着剤１〜４の作成）
＜密着剤１＞
２液硬化型弾性エポキシ接着剤：東邦化成工業株式会社製
ウルタイト１５４０セット（硬化後、２％弾性率０．４％、）を用いた主剤と硬化剤を使用した。
＜密着剤２＞
スリーボンド本剤２００２Ｈ／硬化剤２１０５Ｆ（硬化後２％弾性率０．０５％）を用いた主剤と硬化剤を使用した。
＜密着剤３＞
アロンアルファＧＥＬ−１０（２％弾性率６０ｋｇ／ｍｍ2、東亜合成株式会社製）を使用した。
＜密着剤４＞
セミコート２２０Ｈ（２％弾性率３００ｋｇ／ｍｍ2、信越化学社製）を使用した。
[モジュール構造体の作成]
表１に記載の組成でアンテナと回路基板の樹脂接合剤（ＡＣＰ，ＮＣＰ）を作成し、その材料を用い下記の方法で各構造体を有するＩＣモジュールを作成した。
（モジュール構造１作成（図２））
エッチングによりアンテナパターンの形成された表２記載のアンテナフィルム支持体（ＩＣモジュール支持体）に、表２記載の厚み及び形状のＩＣチップを表２記載のＡＣＰ（導電性接合剤ペースト）及びＮＣＰ（非導電性ペースト）のいずれかを２０μ厚みで接合し、表２記載の厚み及び形状の補強板（ＳＵＳ３０１からなる）を回路面と反対側に表２記載の密着剤を１０μの厚さになるようポッティングしチップを封止するよう加圧接着した。表２に記載したようなモジュール１〜１０、１９および４４〜４７を作成した。
（モジュール構造２作成（図４））
密着剤をチップを封止しない程度に密着させた以外は、モジュール構造１と同様にし作成した。表２に記載したようなモジュール１１〜１８および２０を作成した。
（モジュール構造３作成（図６））
エッチングによりアンテナパターンの形成された表２記載のアンテナフィルム支持体（ＩＣモジュール支持体）に、表２記載の厚み及び形状ＩＣチップを表２記載のＡＣＰ（導電性接合剤ペースト）及びＮＣＰ（非導電性ペースト）のいずれかを２０μ厚みで接合し、表２記載の厚み及び形状の第１の補強板（ＳＵＳ３０１からなる）を回路面と反対側に表２記載の密着剤を１０μの厚さになるようポッティングしチップを封止するよう加圧接着した。
ついで第１の補強板の上に表２記載の厚み及び形状の第２の補強板（ＳＵＳ３０１からなる）を表２記載の密着剤により第２の補強板面積より大きくなり厚み１０μになるようポッティングしチップを封止するよう加圧接着させ表２に記載したようなモジュール２１〜３０、３２〜３４、３９〜４１および４３を作成した。
（モジュール構造４作成（図８））
密着剤をチップを封止しない程度に密着させた以外は、モジュール構造３と同様にし作成した。表２に記載したようなモジュール３１を作成した。
（モジュール構造５―１作成（図１２））
第１，２の補強板を５ｍｍφの円形にし、ＩＣチップを１２０μｍにした以外は、モジュール構造３と同様にし作成した。表２に記載したようなモジュール３５を作成した。
（モジュール構造５―２作成（図１０））
第１の補強板を４ｍｍφの円形にし、ＩＣチップを１２０μｍにした以外は、モジュール構造３と同様にし作成した。表２に記載したようなモジュール３６〜３８を作成した。
（モジュール構造６作成（図１１））
第２の補強板を３ｍｍ×３ｍｍ角にした以外は、モジュール構造４と同様にし作成した。表２に記載したようなモジュール４２を作成した。
（モジュール構造７作成（図１５））
エッチングによりアンテナパターンの形成された厚み２５０μの透明ＰＥＴ支持体に、表２記載の厚み及び形状のＩＣチップを厚み１１０μｍの４×５ｍｍ角板状のリードフレーム金属板上に回路面と反対側を、表２記載の密着剤を表２記載の厚さになるようポッティングしチップ密着させ、ワイヤーボンディングにより回路とリードフレームを電気的に接続した後、封止するよう表２記載の密着剤をさらにＩＣチップ上に８０μｍとなるようポッティングしＩＣチップを封止した。ついでアンテナを形成した透明ＰＥＴにチップ封止部を嵌合しリードフレームとアンテナを表２記載のＡＣＰ（導電性接合剤ペースト）及びＮＣＰ（非導電性ペースト）のいずれかを２０μ厚みで接合し表２記載のＩＣモジュール４８〜５１を得た。
（モジュール構造８作成（図１６））
５０μｍφの銅線アンテナに厚み１８０μｍ、３×３ｍｍ表２記載の厚み及び形状のＩＣチップのバンプを電気的に直接接続し、ＳＵＳ３０１からなる表２記載の厚み及び形状の第１の補強板を回路面と反対側に表２記載の密着剤を１０μの厚さになるようポッティングしチップを加圧接着した。ついで第１の補強板の上にＳＵＳ３０１からなる表２記載の厚み及び形状の第２の補強板を表２記載の密着剤により厚み１０μになるようポッティングしチップを加圧接着した。ついで厚み５０μｍの不織布支持体上に補強板とアンテナを密着させ表２記載のＩＣモジュール５２を得た。

（表面カード支持体の作成）
表面シートとして帝人デュポンフィルム株式会社製Ｕ２Ｌ９８Ｗ−１８８低熱収縮グレードを使用した。支持体表シート１８８μｍに下記組成物からなるクッション層、受像層を順次塗工乾燥してなる第２シート部材（表面シート２）を形成した。
（光硬化型クッション層）
膜厚８．０μｍウレタンアクリレートオリゴマー（新中村化学社製：ＮＫオリゴＵＡ５１２）
５５部
ポリエステルアクリレート（東亞合成社製：アロニックスＭ６２００）
１５部
ウレタンアクリレートオリゴマー（新中村化学社製：ＮＫオリゴＵＡ４０００）
２５部
ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（チバ・スペシャリティー・ケミカルズ：イル
ガキュア１８４） ５部
メチルエチルケトン １００部
塗布後の活性光線硬化性化合物は、９０℃／３０ｓｅｃで乾燥を行い、次いで水銀灯（３００ｍＪ／ｃｍ2）で光硬化を行った。
（受像層）
上記クッション層上に下記組成の第１受像層形成用塗工液、第２受像層形成用塗工液及び第３受像層形成用塗工液をこの順に塗布乾燥して、それぞれの厚みが０．２μｍ、２．５μｍ、０．５μｍになるように積層することにより受像層を形成した。
〈第１受像層形成用塗工液〉
ポリビニルブチラール樹脂 ９部
〔積水化学工業（株）製：エスレックＢＬ−１〕
イソシアネート １部
〔日本ポリウレタン工業（株）製：コロネートＨＸ〕
メチルエチルケトン ８０部
酢酸ブチル １０部
〈第２受像層形成用塗工液〉
ポリビニルブチラール樹脂 ６部
〔積水化学工業（株）製：エスレックＢＸ−１〕
金属イオン含有化合物（化合物ＭＳ） ４部
メチルエチルケトン ８０部
酢酸ブチル １０部
〈第３受像層形成用塗工液〉
ポリエチレンワックス ２部
〔東邦化学工業（株）製：ハイテックＥ１０００〕
ウレタン変性エチレンアクリル酸共重合体 ８部
〔東邦化学工業（株）製：ハイテックＳ６２５４〕
メチルセルロース〔信越化学工業（株）製：ＳＭ１５〕 ０．１部
水 ９０部
（フォーマット印刷層からなる情報坦持体形成）
受像層上にオフセット印刷法により、フォーマット印刷（従業員証、氏名）を行った。印刷インキはＵＶ硬化型墨インキ（絶縁性インキ）を用いた。印刷時のＵＶ照射条件は、高圧水銀灯で２００ｍｊ相当であった。
（透明樹脂層形成）
透明オーバープリント用ＵＶ硬化型インキ（絶縁性インキ）印刷インキを用い、オフセット印刷法により受像層上又は上記フォーマット印刷上に印刷を行った。印刷時のＵＶ照射条件は、高圧水銀灯で２００ｍｊ相当であった。
（第１のシート部材の作成）
裏面シート基材として帝人デュポンフィルム株式会社製Ｕ２Ｌ９８Ｗ−１８８μｍ低熱収グレード上に第１筆記層形成用塗工液、第２筆記層形成用塗工液及び第３筆記層形成用塗工液をこの順に塗布乾燥して、それぞれの厚みが５μｍ、１５μｍ、０．２μｍになる様に積層することにより筆記層を形成した。
〈第１筆記層形成用塗工液〉
ポリエステル樹脂〔東洋紡績（株）製：バイロン２００〕 ８部
イソシアネート １部
〔日本ポリウレタン工業（株）製：コロネートＨＸ〕
カーボンブラック 微量
二酸化チタン粒子〔石原産業（株）製：ＣＲ８０〕 １部
メチルエチルケトン ８０部
酢酸ブチル １０部
〈第２筆記層形成用塗工液〉
ポリエステル樹脂 ４部
〔東洋紡績（株）製：バイロナールＭＤ１２００〕
シリカ ５部
二酸化チタン粒子〔石原産業（株）製：ＣＲ８０〕 １部
水 ９０部
〈第３筆記層形成用塗工液〉
ポリアミド樹脂〔三和化学工業（株）製：サンマイド５５〕 ５部
メタノール ９５部
（筆記層へのフォーマット印刷層の形成）
該筆記層上に樹脂凸印刷法により、樹脂凸印刷（罫線、緊急連絡先）を行い フォーマット印刷済第１シート部材（塗布型筆記シート１）を作成した。印刷インキはＵＶ墨インキを用いた。印刷時のＵＶ照射条件は、高圧水銀灯で２００ｍｊ相当であった。
［ＩＣカード用のシートの作成］
第１９図はＩＣカードの製造方法の一例を示す図である。ＩＣカードの製造装置１０９には、第１のシート材１０１を送り出す送出軸１１０が設けられ、この送出軸１１０から送り出される第１のシート材１０１はガイドローラ１１１、駆動ローラ１１２に掛け渡されて供給される。送出軸１１０とガイドローラ１１１間には、アプリケーターコーター１１３が配置されている。アプリケーターコーター１１３は接着剤層１０２ａを所定の厚さでシートに塗工する。
また、ＩＣカードの製造装置１０９には、第２のシート材１０４を送り出す送出軸１１４が設けられ、この送出軸１１４から送り出される第２のシート材１０４はガイドローラ１１５、駆動ローラ１１６に掛け渡されて供給される。送出軸１１４とガイドローラ１１５間には、アプリケーターコーター１１７が配置されている。アプリケーターコーター１１７は接着剤層１０２ｂを所定の厚さでシートに塗工する。
接着剤が塗工された第１のシート材と、第２のシート材とは離間して対向する状態から接触して搬送路１１８に沿って搬送される。第１のシート材と、第２のシート材の離間して対向する位置には、ＩＣモジュール１０３が挿入される。ＩＣモジュール１０３は単体あるいはシートやロール状で複数で供給される。ＩＣカードの製造装置１０９の搬送路１１８中には、第１のシート材と、第２のシート材の搬送方向に沿って、加熱ラミネート部１１９、切断部１２０が配置される。加熱ラミネートは真空加熱ラミネートであることが好ましい。又加熱ラミネート部１１９の前には保護フィルム供給部を設けても良く、搬送路１１８の上下に対向して配置されるのが好ましい。加熱ラミネート部１１９は、搬送路１１８の上下に対向して配置される平型の加熱ラミネート上型１２１と加熱ラミネート下型１２２とからなる。加熱ラミネート上型１２１と下型１２２は互いに接離する方向に移動可能に設けられている。加熱ラミネート部１１９を経た後は切断部にてシート材から所定の大きさにカットする。
（ＩＣカード用シート１の作成）
第１９図のカード製造装置を使用し、裏カード支持体及び表カード支持体として＜基材１＞を用いて作成した前記裏基材及び受像層を有する表基材を使用した。 受像層を有する表基材に接着剤１をＴダイを使用して厚みが４０μｍになるように塗工し、裏基材に接着剤１をＴダイを使用して貼り合わせ後のシート全厚が厚みが７６０μｍになるように厚み調整し塗工し表基材にＩＣモジュール１を受像層側にＩＣモジュールのＩＣチップが実装されていない支持体面となるように載置し上下のシートで挟み込み７０℃で１分間ラミネートして作製した。このように作成されたＩＣカード用シートの厚みは７６０μｍであった。作製後は２５℃５０％ＲＨの環境化で７日間保存した。
［打ち抜き］
このように作成された、ＩＣカード用のシートを、以下のＩＣカードを打ち抜き金型装置によって、打ち抜き加工を施した。
第２０図は打抜金型装置の全体概略斜視図であり、第２１図は打抜金型装置の主要部の正面端面図である。この打抜金型装置は、上刃２１０及び下刃２２０を有する打抜金型を有する。そして、上刃２１０は、外延の内側に逃げ２４１が設けられた打抜用ポンチ２１１を含み、下刃２２０は、打抜用ダイス２２１を有する。打抜用ポンチ２１１を、打抜用ダイス２２１の中央に設けられたダイス孔２２２に、下降させることにより、ダイス孔２２２と同じサイズのＩＣカードを打ち抜く。また、このために、打抜用ポンチ２１１のサイズは、ダイス孔２２２のサイズより若干小さくなっている。
［個人認証用カードへの個人情報記載方法及び表面保護方法］
打ち抜き加工を施したＩＣカードに下記により顔画像と属性情報とフォーマット印刷を設けた個人認証カードの作成を行った。
（昇華型感熱転写記録用のインクシートの作成）
裏面に融着防止加工した厚さ６μｍのポリエチレンテレフタレートシートに下記組成のイエローインク層形成用塗工液、マゼンダインク層形成用塗工液、シアンインク層形成用塗工液を各々の厚みが１μｍになる様に設け、イエロー、マゼンダ、シアンの３色のインクシートを得た。
〈イエローインク層形成用塗工液〉
イエロー染料（三井東圧染料（株）製ＭＳ Ｙｅｌｌｏｗ） ３部
ポリビニルアセタール ５．５部
〔電気化学工業（株）製：デンカブチラールＫＹ−２４〕
ポリメチルメタアクリレート変性ポリスチレン １部
〔東亜合成化学工業（株）製：レデダＧＰ−２００〕
ウレタン変性シリコンオイル ０．５部
〔大日精化工業（株）製：ダイアロマーＳＰ−２１０５〕
メチルエチルケトン ７０部
トルエン ２０部
〈マゼンタインク層形成用塗工液〉
マゼンダ染料（三井東圧染料（株）製ＭＳ Ｍａｇｅｎｔａ） ２部
ポリビニルアセタール ５．５部
〔電気化学工業（株）製：デンカブチラールＫＹ−２４〕
ポリメチルメタアクリレート変性ポリスチレン ２部
〔東亜合成化学工業（株）製：レデダＧＰ−２００〕
ウレタン変性シリコンオイル ０．５部
〔大日精化工業（株）製：ダイアロマーＳＰ−２１０５〕
メチルエチルケトン ７０部
トルエン ２０部
〈シアンインク層形成用塗工液〉
シアン染料（日本化薬（株）製カヤセットブルー１３６） ３．０部
ポリビニルアセタール ５．６部
〔電気化学工業（株）製：デンカブチラールＫＹ−２４〕
ポリメチルメタアクリレート変性ポリスチレン １部
〔東亜合成化学工業（株）製：レデダＧＰ−２００〕
ウレタン変性シリコンオイル ０．５部
〔大日精化工業（株）製：ダイアロマーＳＰ−２１０５〕
メチルエチルケトン ７０部
トルエン ２０部
（溶融型感熱転写記録用のインクシートの作成）
裏面に融着防止加工した厚さ６μｍのポリエチレンテレフタレートシートに下記組成のインク層形成用塗工液を厚みが２μｍになる様に塗布乾燥してインクシートを得た。
〈インク層形成用塗工液〉
カルナバワックス １部
エチレン酢酸ビニル共重合体 １部
〔三井デュポンケミカル社製：ＥＶ４０Ｙ〕
カーボンブラック ３部
フェノール樹脂〔荒川化学工業（株）製：タマノル５２１〕 ５部
メチルエチルケトン ９０部
（顔画像の形成）
受像層と昇華型感熱転写記録用のインクシートのインク側を重ね合わせインクシート側からサーマルヘッドを用いて出力０．２３Ｗ／ドット、パルス幅０．３〜４．５ｍ秒、ドット密度１６ドット／ｍｍの条件で加熱することにより画像に階調性のある人物画像を受像層に形成した。この画像においては上記色素と受像層のニッケルが錯体を形成している。（文字情報の形成）
ＯＰニス部と溶融型感熱転写記録用のインクシートのインク側を重ね合わせインクシート側からサーマルヘッドを用いて出力０．５Ｗ／ドット、パルス幅１．０ｍ秒、ドット密度１６ドット／ｍｍの条件で加熱することにより文字情報をＯＰニス上に形成した。
［表面保護方法］
上記のように個人認証用カードへの個人情報記載したあと、下記の表面保護材料を用い更に表面保護層を形成した
［表面保護層形成方法］
［活性光線硬化型転写箔の作成］
０．１μｍのフッ素樹脂層の離型層を設けた厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムー２の離型層上に下記組成物を積層し活性光線硬化型転写箔の作成を行った。
（活性光線硬化性化合物）
新中村化学社製 Ａ−９３００／新中村化学社製 ＥＡ−１０２０＝３５／１１．７５部反応開始剤
イルガキュア１８４日本チバガイギー社製 ５部
下記合成例（*）に基づき作成された樹脂１ ４８部
（*）窒素気流下の三ツ口フラスコに、メタアクリル酸メチル７３部、スチレン１５部、メタアクリル酸１２部とエタノール５００部、α、α´-アゾビスイソブチロニトリル３部を入れ、窒素気流中８０℃のオイルバスで６時間反応させた。その後、トリエチルアンモニウムクロライド３部、グリシジルメタクリレート１.０部を加え、３時間反応させ目的のアクリル系共重合体の合成バインダー（樹脂１）を得た。 分子量は１７０００、酸価３２であった。
その他の添加剤
大日本インキ界面活性剤Ｆ−１７９ ０．２５部
塗布後の活性光線硬化性樹脂は、９０℃／３０ｓｅｃ．で乾燥を行い、ついで水銀灯（３００ｍＪ／ｃｍ２）で光硬化を行った。
〈中間層形成塗工液〉 膜厚１．０μｍ
ポリビニルブチラール樹脂
〔積水化学（株）製：エスレックＢＸ−１〕 ３．５部
タフテックスＭ−１９１３（旭化成） ５部
硬化剤 ポリイソシアネート［コロネートＨＸ 日本ポリウレタン製］
１．５部
メチルエチルケトン ９０部
塗布後硬化剤の硬化は、５０℃、２４時間で行った。
〈接着層形成塗工液〉 膜厚０．５μｍ
ウレタン変性エチレンエチルアクリレート共重合体〔東邦化学工業（株）製：ハイテックＳ６２５４Ｂ〕 ８部
ポリアクリル酸エステル共重合体〔日本純薬（株）製：ジュリマーＡＴ５１０〕
２部
水 ４５部
エタノール ４５部
さらに画像、文字が記録された前記受像体上に前記構成からなる活性光線硬化型転写箔１を用いて表面温度２００℃に加熱した、直径５ｃｍゴム硬度８５のヒートローラーを用いて圧力１５０ｋｇ／ｃｍ2で１．２秒間熱をかけて転写を行なった。
［評価］
＜繰り返し曲げ試験＞
ＪＩＳ Ｋ６４０４−６の揉み試験装置を用い、チップ上をクランプし振幅５０ｍｍ、間隙３０ｍｍ、１２０回／分で繰り返し曲げを１００回行った。試験後動作および変形、破損を確認した。
Ａ・・・変形・剥離なく変化なし
Ｂ・・・変形・剥離なく問題ないが痕跡が残っている
Ｃ・・・剥離破損はないが変形している
Ｄ・・・変形・剥離破損あり
＜点圧強度試験＞
先端直径１ｍｍの鋼球で１ｋｇ荷重をＩＣチップの回路面、非回路面それぞれ硬度５０のゴムシート上で２００回かけた。試験後動作および変形、破損を確認した。
Ａ・・・変形・剥離なく変化なし
Ｂ・・・変形・剥離なく問題ないが痕跡が残っている
Ｃ・・・剥離破損はないが変形している
Ｄ・・・変形・破損あり
＜衝撃試験＞
ＪＩＳ Ｋ５６００‐５−３の落体式衝撃試験機を用い、内径２７ｍｍの穴の空いた受け台にＩＣチップが中心にくるようにカードを上下より挟んで強固に固定し、先端直径２０ｍｍ、重さ１００ｇ重の重り（Ｓ４５Ｃ鋼）を１０ｃｍの高さより受け台中心のＩＣチップ上に自由落下させた。試験後動作および変形、破損を確認した。
Ａ・・・変形・剥離なく変化なし
Ｂ・・・変形・剥離なく問題ないが痕跡が残っている
Ｃ・・・剥離破損はないが変形している
Ｄ・・・変形・剥離破損あり
＜印字性試験＞
作成したカードに昇華画像を印画し、かすれ具合を評価した。
Ａ・・・問題なく印画できる
Ｂ・・・一部濃度が低下する部分があるが判別できるレベルである
Ｃ・・・一部濃度が低下し判別できないレベルである
Ｄ・・・完全に色抜けする部分がある
個人認証用カードへの個人情報記載方法及び表面保護層を設けた仕上がりカードの評価結果を表３に示す。
耐久性を改善し、なお且つ表面性を高い次元で改善することが可能であり、偽造、変造防止等の安全性（セキュリティ）が要求される個人情報等を記憶する非接触式の電子カード等のＩＣカード及びＩＣカードの製造方法に適用できる。
また本発明の構成により、以下のような効果を有する。
外部からの応力に対して内部で応力を分散させ、接合部に負荷をかけずに断線などによる通信不良を低減することができる。
また補強板を１枚設けたものに比べ２枚にすることで極めて高いレベルで応力を分散させＩＣチップを破壊より守ることができる。
また、前記第１の補強板が、前記ＩＣチップの面積及び外周より大きく、前記第２の補強板が、前記第１の補強板の面積及び外周より大きいことにより、一番大きい第２補強板に曲げたり、押したりしたときの荷重がかかりやすいため、ＩＣチップの耐久性が向上する。
また、前記第２の補強板より前記密着剤の面積及び外周が大きく、前記ＩＣチップが前記密着剤で封止されていることにより、空隙がなくなり耐久性が向上し、凹凸性が低下してモジュール支持体上になだらかにＩＣチップ部分が形成されることになり、平滑なカード表面を得ることができる。
さらに、ＩＣチップと前記補強板とが、２％弾性率が０．１以上５５ｋｇ／ｍｍ2以下の密着剤樹脂を介し固定され、２％弾性率が５５．０ｋｇ／ｍｍ2以下になると応力を吸収するのに優れ、ＩＣチップをより破損から守り、０．１ｋｇ／ｍｍ2以上になると、自己支持性がより向上し、補強板との一体化が向上し、ＩＣチップ破損防止効果が高い。
また、ＩＣチップの厚みと密着剤の厚みを規定すること、アンテナが形成されるモジュール支持体の厚みとＩＣモジュールのＩＣチップ部の最大厚みを規定することで、耐久性を改善することができる。
また、補強板の重心位置とＩＣチップの重心位置が略同一で、補強板形状が、第１の補強板が金属よりなり円形または正方形、第２の補強板が金属よりなり正方形であることで、第１の補強板と第２の補強板で重心がずれていても良いが、最外層の補強板が重心よりより離れたところにあるほど、曲げ変形等の外部応力が加わったとき最外層が破壊されやすくなるため、略同一の補強板重心であることでその結果ＩＣチップを保護できる。

Claims (17)

  1. アンテナ、ＩＣチップを有するＩＣモジュールがモジュール支持体上に支持されてなり、前記ＩＣモジュールを第１のシート材と第２のシート材の間に挟み込み接着剤により一体化したＩＣカードであり、
    前記ＩＣチップの回路面と反対側に、密着剤を介して補強板を具備し、
    前記ＩＣチップの回路面側と、前記モジュール支持体上に形成された前記アンテナが、２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分を含む樹脂接合剤を介して電気的に接続していることを特徴とするＩＣカード。
  2. 前記樹脂接合剤は、非導電性樹脂組成物であることを特徴とする請求の範囲第1項に記載のＩＣカード。
  3. 前記樹脂接合剤は、異方性導電性樹脂組成物であることを特徴とする請求の範囲第1項に記載のＩＣカード。
  4. 前記補強板は、少なくとも第１の補強板、第２の補強板から構成され、
    前記ＩＣチップの回路面と反対側に前記密着剤を介して前記第１の補強板、さらに前記密着剤を介して前記第２の補強板が隣接してこの順に具備されていることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のＩＣカード。
  5. 前記第１の補強板が、前記ＩＣチップの面積及び外周より大きく、
    前記第２の補強板が、前記第１の補強板の面積及び外周より大きいことを特徴とする請求の範囲第４項に記載のＩＣカード。
  6. 前記第２の補強板より前記密着剤の面積及び外周が大きく、
    前記ＩＣチップが前記密着剤で封止されていることを特徴とする請求の範囲第４項に記載のＩＣカード。
  7. 前記密着剤の２％弾性率が０．１以上５５ｋｇ／ｍｍ2以下であることを特徴とする請求の範囲第1項に記載のＩＣカード。
  8. 前記第２のシート材において前記第１のシート材と対向していない面に受像層、前記第１のシート材において前記第２のシート材と対向していない面に筆記層を有し、
    前記ＩＣモジュール支持体における前記ＩＣモジュールが載置された面が、前記第１のシート材に対向し、前記ＩＣモジュール支持体における前記ＩＣモジュールが載置されていない面が、前記第２のシート材に対向することを特徴とする請求の範囲第１項に記載のＩＣカード。
  9. 前記受像層に氏名、顔画像からなる個人識別情報が溶融熱転写、または昇華熱転写で設けられることを特徴とする請求の範囲第８項に記載のＩＣカード。
  10. 前記ＩＣチップの厚みが３０μｍ以上１９０μｍ以下、前記密着剤の厚みが１μｍ以上５０μｍ以下とされていることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のＩＣカード。
  11. 前記モジュール支持体が１０μｍ以上５０μｍ以下で前記ＩＣモジュールのＩＣチップ部の最大厚みが３５０μｍ以下であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のＩＣカード。
  12. 前記第１の補強板および第２補強板の重心位置、および前記ＩＣチップの重心位置が略同一で、前記第１の補強板が金属よりなり円形または正方形、第２の補強板が金属よりなり正方形であることを特徴とする請求の範囲第４項に記載のＩＣカード。
  13. 前記ＩＣチップは、少なくともシリコン基板、半導体層、回路形成層、および保護層が順次積層されてなることを特徴する請求の範囲第１項に記載のＩＣカード。
  14. モジュール支持体上に設けたアンテナにＩＣチップの回路面側と、前記モジュール支持体上に形成された前記アンテナとを、２％弾性率が０．１〜８０ｋｇｆ／ｍｍ2からなる樹脂成分を含む樹脂接合剤を介して電気的に接続し、
    前記ＩＣチップの回路面と反対側に密着剤をポッティングで設けて補強板を加圧加熱密着させてＩＣモジュールを作成し、
    対向する第１のシート材と第２のシート材間の所定の位置に前記作成したＩＣモジュールを載置し、接着剤を充填し加圧密着することを特徴とするＩＣカードの製造方法。
  15. 前記樹脂接合剤は、非導電性樹脂組成物であることを特徴とする請求の範囲第1４項に記載のＩＣカードの製造方法。
  16. 前記樹脂接合剤は、異方性導電性樹脂組成物であることを特徴とする請求の範囲第1４項に記載のＩＣカードの製造方法。
  17. 前記接着剤の２％弾性率が１〜９０ｋｇ／ｍｍ2であることを特徴とする請求の範囲第１４項に記載のＩＣカードの製造方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5214871B2 (ja) * 2006-11-07 2013-06-19 コニカミノルタエムジー株式会社 非接触ｉｃカードとその製造方法
JP2010165311A (ja) 2009-01-19 2010-07-29 Jst Mfg Co Ltd Ｉｃカード
FR3135550A1 (fr) * 2022-05-10 2023-11-17 Idemia France Procédé de fabrication d’un ensemble pour carte et d’une carte comportant un film métallisé, carte à microcircuit et ensemble pour carte

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001109860A (ja) * 1999-10-05 2001-04-20 Toshiba Chem Corp データキャリアおよびその製法
JP2002366922A (ja) * 2001-06-07 2002-12-20 Sony Corp Ｉｃカード
JP2003223627A (ja) * 2002-01-31 2003-08-08 Konica Corp Ｉｃカード及びｉｃカードの製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005031721A (ja) * 2003-07-07 2005-02-03 Konica Minolta Photo Imaging Inc Ｉｃカード及びｉｃカードの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001109860A (ja) * 1999-10-05 2001-04-20 Toshiba Chem Corp データキャリアおよびその製法
JP2002366922A (ja) * 2001-06-07 2002-12-20 Sony Corp Ｉｃカード
JP2003223627A (ja) * 2002-01-31 2003-08-08 Konica Corp Ｉｃカード及びｉｃカードの製造方法

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