JP2001109860A - データキャリアおよびその製法 - Google Patents

データキャリアおよびその製法

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JP2001109860A JP28455499A JP28455499A JP2001109860A JP 2001109860 A JP2001109860 A JP 2001109860A JP 28455499 A JP28455499 A JP 28455499A JP 28455499 A JP28455499 A JP 28455499A JP 2001109860 A JP2001109860 A JP 2001109860A
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antenna
circuit chip
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みどり 子林
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 信頼性の高い薄型非接触データキャリアおよ
びその製造方法を得ることができる。さらに、データキ
ャリアの心臓部であるＩＣチップを薄型になっても、特
別に保護したデータキャリアを安価且つ容易に得ること
ができる。 【解決手段】 絶縁体シート６２上に平面アンテナ６３
を形成する。このアンテナ６３の予め定められたＩＣチ
ップ６１実装位置に接着剤６６を塗布する。この接着剤
６６上にＩＣチップ６１を位置決めして接着する。さら
に、ＩＣチップ６１上に接着剤６７を塗布する。この接
着剤６７上に上記ＩＣチップ６１より大きい補強板６８
を接着してＩＣチップ６１を補強板６８と接着剤６６，
６７の硬化層により保護する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、データキャリアお
よびデータキャリアの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】応答装置と質問装置間で非接触に交信し
て情報を収集し処理するデータキャリアシステムは、FA
（Factory Automation）分野、流通分野、セキュリテ
イー分野、交通レジャー分野、個別情報管理分野、畜産
分野など広く実用されている。
【０００３】マルチメデイア時代の到来により、さらに
この応用は、拡大の傾向にある。用途の拡大に伴ない応
答装置の配置、設置、取着などの位置は種々様々であ
る。応答装置と質問装置間の交信に際しては、応答装置
に質問装置が交信可能領域に移動するか、または、逆に
応答装置が移動するか、双方が移動するか、何れにして
も、相対的に交信可能領域に移動して交信している。
【０００４】そして、質問装置と応答装置（データキャ
リア）間の信頼性の高いデータ（情報）の交信は、特に
移動する物体に取着されるデータキャリアにおいては、
移動、衝撃などにより破壊しないことである。このよう
な移動する物体、携帯などに用いられるデータキャリア
は、出来る限り薄型に構成し、存在感の無い様に要求さ
れる。
【０００５】このような薄型データキャリアを製造する
場合、薄いフィルム、基材のシート等に平面状印刷コイ
ルを形成し、シリコンインゴットから薄くスライシング
した一枚のシリコンウエハに多数のデータキャリア用集
積回路を形成し、スクライブラインに沿ってスクライブ
したＩＣチップをフリップチップ法により実装、さら
に、薄いフィルム、基材等で挟み込んで成形されること
が多い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記デ
ータキャリアは実用において故障する場合がある。この
故障したデータキャリアについて、検討してみると、Ｉ
Ｃチップ部の故障があった。このＩＣの故障についてさ
らに検討してみると、僅かな亀裂による故障が意外に多
かった。
【０００７】そこで、この原因について探求した。その
結果、薄くスライシングした上記ＩＣは曲げや点圧に弱
く、データキャリアとして実用した場合、フリップチッ
プ実装したチップ裏面を補強しない場合、割れ、欠け等
の不良が発生することが多いことが判った。
【０００８】この解決手段として、ＩＣチップ実装後に
樹脂保護等を行うことが考えられるが、薄く、平滑な封
止形状のデータキャリアを得るためには、特殊な封止法
を行わなければならず、加工費が嵩むことが多かった。
【０００９】本発明は、上記点に鑑みなされたもので、
薄型非接触データキャリアパッケージを製造する際、Ｉ
Ｃチップ裏面の補強を安価且つ容易に行うことを目的と
している。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために、上記ＩＣチップ裏面にデータキャリア
用ICチップより大きいサイズの補強板を接着し、さらに
このＩＣチップの側面にも接着剤層を形成したデータキ
ャリアおよびその製造方法を提供するものである。さら
に、ＩＣチップの実装および裏面への補強板による補強
を、フリップチップボンダーまたはダイマウンターを用
いて一括して行おうとするものである。即ち、この発明
のデータキャリアは、請求項１に記載されたように、例
えば非接触でデータを送受信するための電子回路、デー
タを記憶し読み出し可能な記憶回路、からなる集積回路
チップと、この集積回路チップ裏面に接着支持されたこ
の集積回路チップより大きいサイズの補強板と、前記デ
ータを送受信するコイルアンテナと、このコイルアンテ
ナおよび前記補強板付き集積回路チップを一体に包囲
（被覆）する絶縁性シートとを具備し前記集積回路チッ
プの側壁面にも接着層を設けたことを特徴としている。
【００１１】この発明のデータキャリアは、請求項２に
記載されたように、例えば非接触でデータを送受信する
ための電子回路、データを記憶し読み出し可能な記憶回
路、からなる集積回路チップと、この集積回路チップ裏
面に接着支持されたこの集積回路チップより大きいサイ
ズの補強板と、前記データを送受信するコイル状アンテ
ナと、このコイル状アンテナおよび前記補強板付き集積
回路チップを一体に包囲（被覆）する絶縁性シートとを
具備し前記補強板は金属、絶縁体、半導体のいずれか一
種であることを特徴としている。
【００１２】この発明のデータキャリアの製造方法は、
請求項３に記載されたように、例えば非接触でデータを
送受信するための電子回路、データを記憶し読み出し可
能な記憶回路、からなる集積回路チップをフリップチッ
プボンダ又はダイマウンタによりアンテナ回路にマウン
トする工程と、前記集積回路チップにこの集積回路チッ
プより大きいサイズの補強板を接着する工程とを備えて
いる。
【００１３】この発明のデータキャリアの製造方法は、
請求項４に記載されたように、例えば非接触でデータを
送受信するための電子回路、データを記憶し読み出し可
能な記憶回路、からなる集積回路チップを前記フリップ
チップボンダによりアンテナ回路に熱圧着により接続す
る工程と、前記集積回路チップ裏面に前記フリップチッ
プボンダによりこの集積回路チップより大きいサイズの
補強板を熱圧着により接着する工程とを備えている。
【００１４】この発明のデータキャリアの製造方法は、
請求項５に記載されたように、例えば非接触でデータを
送受信するための電子回路、データを記憶し読み出し可
能な記憶回路、からなる集積回路チップを前記フリップ
チップボンダによりアンテナ回路に仮圧着する工程と、
前記集積回路チップ裏面に前記フリップチップボンダに
よりこの集積回路チップより大きいサイズの補強板をマ
ウントし、熱圧着することにより集積回路チップの実装
と補強板の接着を行う工程とを備えている。
【００１５】この発明のデータキャリアの製造方法は、
請求項６に記載されたように、例えば非接触でデータを
送受信するための電子回路、データを記憶し読み出し可
能な記憶回路、からなる集積回路チップをダイマウンタ
によりアンテナ回路にペーストを介在して圧着する工程
と、この工程の後、前記集積回路チップ裏面に前記ダイ
マウンタによりこの集積回路チップより大きいサイズの
補強板を圧着する工程と、この工程の後オーブンにて前
記ペーストを熱硬化する工程とを備えている。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明のデータキャリアを
図面を参照して説明する。先ず、データキャリアシステ
ムの構成を具体的に説明する。
【００１７】図１は、データキャリアシステムを説明す
るための回路構成図である。図２乃至図５は、図１の非
接触データ交信の具体的実施の形態を説明するための図
である。
【００１８】データキャリアシステム１は、データキャ
リアと呼ばれる応答器２とホストコンピュータ３側に接
続される質問器（リーダライタ）４とで構成される。こ
の質問器４および応答器２間で、非接触に情報（デー
タ）の交信を行う。この交信手段は例えば図２乃至図５
に示す電磁結合方式（磁気）、電磁誘導方式（誘導電磁
界）、マイクロ波（電波）方式、光通信方式等である。
【００１９】これらの方式の中で、電磁結合方式、マイ
クロ波方式によるものは、質問器４からの伝送信号のエ
ネルギーを応答器２の駆動電力として用いることができ
る。即ち、電源無しで、応答器を構成できる。このた
め、電池を駆動源とする場合のように、電池の寿命が近
づいてきたことによる応答能力の劣化や使用限界に至る
心配がないという利点を有している。
【００２０】次に、各方式を説明する。
【００２１】電磁結合方式 電磁結合方式は図２に示すもので、コア入りコイル（又
は空芯コイル）２４、２５例えば断面Ｅ字状コアを対向
して設ける。この間隔は２つの閉磁路を形成する間隔例
えば数ｍｍから数十ｍｍで対向配置する。一方のコア入
りコイル２４を質問器４側アンテナ、他方のコア入りコ
イル２５を応答器２側アンテナである。それぞれのコア
の中央突起部２６、２７にコイル２８、２９が巻回され
ている。 これらのコア入りコイル２８、２９間で相互
誘導によって、質問器４と応答器２間のデータ( 情報)
の交信を行う。この方式によれば、情報伝送に必要な応
答器（データキャリア）側の電力も同時に電磁結合によ
り伝送できる効果がある。
【００２２】電磁誘導方式 電磁誘導方式は図３に示すもので、、ループコイル３１
同士または空芯コイル３２同士又はループ状コイル３１
と空芯コイル３２の組合わせにより、誘導電磁界を情報
伝達媒体として交信するものである。図では、後者のル
ープ状コイル３１と空芯コイル３２の組合わせを示して
いる。
【００２３】即ち、ループ状コイル３１は質問器４の
送、受信用アンテナとし、応答器２の送、受信用アンテ
ナは空芯コイル３２により構成した例である。これらア
ンテナ間の間隔は、数十ｃｍ程度から２ｍ程度の距離を
通信距離とするものである。この方式は、雨、氷、塵
埃、鉄粉、磁気、油などがあっても影響を受けない特徴
を有する。アンテナの指向性がゆるやかで交信範囲が広
い。さらに、アンテナの大きさは任意の大きさに設計で
きる。などの特徴を有する。
【００２４】図３には、ループ状コイル３１に対して伝
送信号３３を伝送周波数３４で変調する変調回路からな
る変調部３５が接続されている。さらに、空芯コイル３
２には、このコイル３２で受信し、電気信号に変換した
出力を復調する復調回路からなる復調部３６が接続され
ている。
【００２５】マイクロ波方式 マイクロ波方式は、図４に示すもので、マイクロ波電流
により発生する放射電磁界（電波）４１を情報伝送媒体
として交信するものである。このアンテナは、絶縁基板
例えばプリント基板４２に平面コイル４３を形成する技
術でコイル状アンテナ４４を形成したものである。
【００２６】この実施の形態は応答器２側のアンテナ
は、４個の平面コイル４４を設けたものである。他方、
質問器４側のアンテナは、１個の平面コイル４４設けた
実施形態である。
【００２７】即ち、質問器４から１個のコイル４３から
発信したマイクロ波を、４つのコイル４３からなるアン
テナ４４により広い範囲で受信する実施の形態である。
この方式による通信距離は数ｍである。マイクロ波２．
４５ＧＨｚにより伝送情報の送受信を行う。
【００２８】光通信方式 この光通信方式は図５に示すもので、光源として例えば
発光ダイオード（ＬＥＤ）５１に電流を流して発光する
近赤外光を情報伝送媒体として送信し、受光側は、ホト
ダイオード５２で受光し、電気信号に変換する。この電
気信号を増幅して処理する。この通信は、伝送するデー
タを高速で点滅するエネルギ−変調による通信する方式
である。この通信距離は、２０〜３０ｃｍである。
【００２９】上記応答器２は、用途に応じて様々な個
体、端部に１または複数設置例えば取り付ける。この端
部に関する情報を質問器４により指示された情報を適宜
メモリ１９に記録、更新して待機する。上記端部は、用
途に応じて選択されるもので、例えば流通、カード分野
では、ＩＤカードやクレジットカードなどであり、ＦＡ
分野では、組み立て品、工具、プロセスなどである。
【００３０】上記質問器（リーダ、ライタ）４は、上記
応答器２の情報（データ）の収集、蓄積、読出しなどを
遠隔的に制御する。さらに、必要に応じて遠隔的に上記
応答器２に蓄積されている情報（データ）を読み取って
ホストコンピュータ３に提供する。
【００３１】ホストコンピュータは、デーダキャリアシ
ステム１としての情報処理を実現する。例えば、各環境
内の圧力等の変化を検出しデータ（情報）として応答器
（データキャリア）２に蓄積する。この蓄積されたデー
タ（情報）を、上記ホストコンピュータ３の必要に応じ
て、呼び出す。
【００３２】この呼び出しは、質問器４からの質問で、
応答器（データキャリア）のメモリから呼び出す。上記
応答器（データキャリア）は、質問器からの伝送信号の
エネルギーを駆動電力として用いることもできるため、
この場合は専用電源が不要である。
【００３３】次に、、デーダキャリアシステムの実施の
形態について図面に基づいて説明する。図１はデータキ
ャリアシステム１の全体的な構成を示す機能ブロック図
である。データキャリアシステム１は、上記したように
質問器（リーダライタ）４と応答器（データキャリア）
２そしてホストコンピュータ３から構成される。
【００３４】一方の質問器（リーダライタ）４の構成
は、次の通りである。即ち、質問器４の全体制御を行う
主制御部（ＣＰＵ）６が設けられている。この主制御部
６とホストコンピュータ３間にインターフェイス部７が
接続されている。このインターフェイス部７は、上記主
制御部（ＣＰＵ）６の制御によりホストコンピュータ３
とのデータ（情報）の入出力を制御する。
【００３５】さらに、上記主制御部６には、記憶部８が
接続されている。この記憶部８はデータキャリア２より
受信したデータ（情報）等を蓄積する例えば読み出し／
書き込み可能なＲＡＭ（Ｒａｍｄａｍ Ａｃｃｅｓｓ
Ｍｅｍｏｒｙ）等である。
【００３６】さらにまた、上記主制御部６には、上記応
答器（データキャリア）２への送信情報をパラレル信号
からシリアル信号に変換し、且つデータキャリア２から
の受信信号をシリアル信号からパラレル信号に変換する
ための信号変換部９が接続されている。
【００３７】この信号変換部９には、送信信号を例えば
ＡＳＫ（Amp litude Shift Keying)方式、ＦＳＫ（Freq
uency Shift Keying）方式等で伝送用の信号に変調する
変調部１０が接続されている。さらに、上記信号変換部
９には、受信信号を復調する復調部１１が接続されてい
る。
【００３８】上記変調部１０の出力には、応答器２と非
接触で交信する手段例えば電磁誘導方式用送信アンテナ
１２が接続されている。他方の、上記復調部１１の入力
回路には、受信アンテナ１３出力が接続されて、質問器
４が構成されている。
【００３９】他方、応答器（データキャリア）２は、次
のように構成されている。即ち、質問器４の送信アンテ
ナ１２からの電磁波を受信し、応答器２から質問器４へ
電磁波を送信する送受信アンテナ１５が設けられてい
る。この送受信アンテナ１５回路には、上記受信信号を
制御し、質問器４への送信信号を制御する制御回路１６
が接続されている。この制御回路１６には、この回路１
６の制御によりデータを記憶し、再生するメモリ１７が
接続されている。
【００４０】上記実施形態においては、質問器４の送信
アンテナ１２および受信アンテナ１３夫々専用に設けた
例について説明したが、送信及び受信共用にしてもよ
い。
【００４１】次に、このデータキャリアシステム１によ
る交信手順について説明する。
【００４２】応答器２によるデータ（情報）のモニタ 質問器４は、ホストコンピュータ３の指示を、インター
フェース部７を介して主制御部６が受ける。上記指示
は、応答器２の指定、所望するデータなどの要求であ
る。この指示情報は、例えば応答器２への書き込みと、
応答器２からの読出し要求である。
【００４３】応答器への書き込み要求（読み取りのみの
応答器も多い。） 上記主制御部６は、指定された応答器２に「書き込み要
求」を送信する。書き込みデータは、例えば、回転機構
のデータ（気圧、圧力、風速、流速）などの情報をタグ
情報と、共に２値化してＥＥＰＲＯＭ１９に随時記憶す
る。
【００４４】この記憶されたデータは、ホストコンピュ
ータ３、質問器４からの指示により、適当なタイミング
で常に、消去、再書き込み、操作を実行する。
【００４５】応答器からのデータの収集（読出し） 質問器４は、ホストコンピュータ３の指示を、インター
フェース部７を介して主制御部６が受ける。この主制御
部６は、指定された応答器２の上記データを読み出し、
送信依頼の信号（タグ情報及びデータの質問信号）を信
号変換部９に出力する。
【００４６】この信号変換部９は、上記タグ情報及びデ
ータの質問信号をシリアル信号に変換し、変調部１０へ
出力する。この変調部１０は送信のため１００Ｈｚ〜数
百ＫＨｚ例えば送信周波数１２５ＫＨｚ、ＡＳＫ方式で
変調し、電力増幅して、送信アンテナを介して応答器２
へ送信する。
【００４７】受信領域（エリア）にいる指定された応答
器２は、この信号を受信アンテナ１５で受信する。受信
したタグ情報及びデータの質問信号を復調部１６でＡＳ
Ｋ方式により復調する。
【００４８】復調したタグ情報及びデータの質問信号を
信号変換部１７で、パラレル信号に変換し、応答器２の
主制御部１８に出力する。この主制御部１８は、タグ情
報及びデータの質問信号に基づき、記憶部（ＥＥＰＲＯ
Ｍ）１９に記憶されているデータを読み出し、出力する
制御を実行する。
【００４９】記憶部１９から出力されたデータを、信号
変換部１７でシリアル信号に変換する。この変換された
データを変調部２０へ出力する。この変調部２０は、送
信のため例えば送信周波数１２５ＫＨｚ、ＡＳＫ方式で
変調し、電力増幅する。増幅されたデータは、送信アン
テナ２１を介して質問器４へ送信する。
【００５０】この送信信号を、質問器４の受信アンテナ
１３で受信する。受信した被変調データを復調部１１へ
出力する。この復調部１１は、ＡＳＫ変調されたデータ
を復調する。復調されたデータを信号変換部９に出力す
る。
【００５１】この信号変換部９では、データをシリアル
化信号に変換する。このシリアル化データは、主制御部
６の制御により、記憶部８のＲＡＭの予め定められた位
置に記憶する。さらに、インターフェース部７を介して
ホストコンピュータ３に回答し、記憶する。
【００５２】即ち、応答器２において、アンテナ１５、
２１を除く、図１に示す総ての回路は集積回路（ＩＣ）
化が可能である。このＩＣチップ６１のチップサイズ
は、例えば２ｍｍ×２ｍｍ角程度の大きさに形成でき
る。図１において応答器２の装着手段が振動や急激な変
速などを考慮した、信頼性の高い応答器２の実装につい
て、説明する。この応答器２をカード化した構成を図６
に示す。図６は、電磁誘導方式による交信の実施形態を
説明するための平面図である。
【００５３】即ち、アンテナはコイルアンテナである。
この実施形態では、絶縁体シート６２上にプリントコイ
ル技術により形成された平面アンテナ６３が形成されて
いる。 この平面アンテナ６３の端子には、応答器２の
ＩＣ化されたＩＣチップ６１が実装されている。この実
装技術は、ＩＣチップ６１の装着部に端子が配列される
ように平面コイル６３が設計されている。
【００５４】この実施形態では、ＩＣチップ６３のアン
テナ接続用電極パッドにバンプ例えば金ボールバンプが
設けられる。
【００５５】実装する手段としては、チップマウンタ又
は、フリップチップボンダにより製造できる。即ち、例
えばチップマウンタのマウントテーブル上に平面アンテ
ナ６３を自動的に搬送し、予め定められた手順で位置決
めする。この位置決めされた平面アンテナ６３上に、ペ
ースト例えば異方性導電性ペーストなどの速硬化性樹脂
が塗布され、上記ＩＣチップ６１を搬入する。
【００５６】この搬入後、熱圧着によって、ＩＣチップ
６１の実装を行う。この実装された状態を図６は、示し
ている。即ち、図６は、データキャリアの平面図を示し
ている。
【００５７】次に、このデータキャリアのプロセスを図
７を参照して説明する。図６と同一部品は同一番号を付
与して説明する。図７、図８は、データキャリアの製造
工程を工程順に説明するための断面図である。
【００５８】先ず、コイル状アンテナ例えば平面アンテ
ナ６３を形成する。このアンテナ６３の製造工程を図７
を参照して説明する。即ち、図７（Ａ）に示す絶縁体シ
ート６２例えばポリエチレンテレフタレート製シート上
に、（Ｂ）図のように導電体被膜例えばアルミニューム
（Ａｌ）膜８０を成膜する。
【００５９】次にレジストマスク８２を除去して（Ｆ）
図の図６に平面図で示す平面アンテナ６３を形成する。
この断面図を図８（Ａ）に示す。上記絶縁体シート６２
としては、たとえば上記の他、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリエチレンナフタレート、ポリイミドなどで
ある。
【００６０】予め、次に説明するＩＣチップ６１を用意
する。即ち、図１の応答器２のアンテナ部分を除く回路
が集積回路化されたＩＣチップ６１を製造する。このＩ
Ｃチップ６１には、上記アンテナ６３に接続するための
電極パッドに例えば金ボールバンプ６４、６５を設け
る。この状態を図８（Ｂ）に示す。
【００６１】上記金ボールバンプ６４、６５は、ボール
ボンダーにより形成する。このボンダは、周知のもの
で、金線の先端に放電により金のボールを形成し、この
ボールを上記電極パッド上にワイヤボンデイングの要領
で熱圧着する。
【００６２】次に、このように形成されたＩＣチップ６
１を（Ａ）図の上記平面アンテナ６３にマウントする。
即ち、（Ａ）図に示す平面アンテナ６３をフリップチッ
プボンダーの基板供給部に搬入する。この基板供給部か
ら平面アンテナ６３を位置決めして上記ボンダーのボン
デイングテーブル上にローデイングする。ローデイング
された上記平面アンテナ６３を微細位置決めする。
【００６３】位置決めされた平面アンテナ６３の予め定
められたＩＣチップの実装位置に接着剤６６を（Ｃ）図
のように塗布する。この接着剤は例えばエポキシ樹脂を
ベースとした速硬化性樹脂である。塗布は、デイスペン
サヘッドから接着剤をデイスペンスすることにより行
う。速硬化性接着剤としては、金コート粒子、ニッケル
粒子などをエポキシ樹脂などをベースとしたバインダー
樹脂に配合した異方性導電ペーストの他、エポキシ樹脂
等をベースとした速硬化性樹脂等を用いることが出来
る。
【００６４】続いて、上記フリップチップボンダーに
て、（Ｂ）図に示すＩＣチップ６１を位置決めして、平
面アンテナ６３の予め定められた実装位置に（Ｄ）図に
示すようにハンドリングする。即ち、上記平面アンテナ
６３の端子にＩＣチップ６１の金ボールバンプ６４、６
５を位置合わせして、ＩＣチップ６１を載置する。例え
ば仮圧着する。
【００６５】しかる後、続いて（Ｅ）図に示すように、
上記ＩＣチップ６１上に速硬化性樹脂膜６７を塗布す
る。この速硬化性樹脂膜６７としては、例えば前記異方
性導電ペースト、エポキシ樹脂などの速硬化性樹脂等を
用いても良いし、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂な
どを用いてもよい。続いて、（Ｆ）図に示すように、こ
の速硬化性樹脂膜６７上に補強板例えば金属板６８を載
置する。この金属板６８は、ＩＣチップ６１を保護する
もので、これを保護する硬度を有すれば、金属に限らず
半導体、絶縁体など何れでもよい。
【００６６】この金属板６８は、ＩＣチップ６１のサイ
ズより大きいサイズで、ＩＣチップ６１と同軸的に載置
する。この金属板としては、厚さ５０〜１５０μｍが適
当である。この厚さは、重みを感じるものでなく、強度
を有する厚さが選択される。材質としては、銅合金、鉄
合金、ＳＵＳ等の金属板を用いることができる。補強板
としての硬度を有すれば半導体基板、絶縁体などでもよ
い。続いて、上記金属板６８上に圧力をかけて、熱圧着
する。この熱圧着は、例えば、重量２００ｇｆ温度１８
０℃、時間１０秒間である。必要に応じて、オーブンに
搬入して上記ペーストを熱硬化する。
【００６７】このようなプロセスにより、（Ｆ）図に示
すようなデータキャリアを製造できる。この平面図は図
６に示すとおりである。上記マウントの実施形態では、
フリップチップボンダーにより製造した例について、説
明したが、ダイマウンタ、チップマウンタにより製造し
てもよい。
【００６８】即ち、（Ｇ）図に示すように、上記圧着工
程により間にサンドイッチされたＩＣチップ６１の側壁
面上にも接着剤が被覆され、ＩＣチップ６１の側壁面が
より強固に保護される構造になる。
【００６９】次に、表裏面にデータキャリア用シート７
０、７１を設け、接着剤７２により一体に貼り合わせ薄
型非接触データキャリアを構成する。このシート７０，
７１は、例えばポリエチレンテレフタレートである。さ
らに、上記接着剤は、例えばポリエステル系接着剤であ
る。上記接着プロセスは温度例えば８０℃の熱回転ロー
ラ間を通過させて接着する。このようにして、形成され
たデータキャリアを所定の形状に打ち抜き、整形してプ
ロセスを終了する。
【００７０】このようにして製造されたデータキャリア
は、厚さ３０〜２５０μｍの薄型のものが得られてい
る。上記実施形態での速硬化性樹脂には、異方性導電ペ
ーストを用いることも出来る。また、導電性粒子を配合
していないペーストを用いてもよい。このペーストは、
コストを安価にできる効果がある。
【００７１】ダイマウンタにより、製造する場合には、
加熱しながら、圧着することができないので、図８
（Ｃ）の平面アンテナ６３へのペースト塗布工程、
（Ｄ）図のＩＣチップ６１の圧着工程、（Ｅ）図のＩＣ
チップ６１へのペースト塗布工程、（Ｆ）（Ｇ）図の金
属板６８の圧着工程までを担当する。
【００７２】その後の、上記ペーストの熱硬化プロセス
は、オーブン内に搬入して、加熱硬化処理を実行した。
非接触データキャリアは、接合数が少ない上、正確な画
像認識を必要としないので、製造設備費を抑制でき、タ
クトタイムの短縮に有効である。
【００７３】上記実施形態によれば、フリップチップボ
ンダーまたはダイマウンターによって、ＩＣチップ６１
の裏面に金属板補強板６８を組み立てできる。
【００７４】次に他の実施形態を図９を参照して説明す
る。図９は図８（Ｆ）の他のプロセスを説明するための
断面図である。この実施形態は、圧着工程２回で製造す
る場合の実施形態である。図８を参照しながら説明をす
る。
【００７５】即ち、図８（Ａ）の平面アンテナ６３上に
（Ｃ）図のように接着剤６６を塗布した後、（Ｄ）図の
ように（Ｂ）図のＩＣチップ６１を載置する。この状態
で第１の圧着工程を実行する。
【００７６】続いて、図８（Ｅ）のようにＩＣチップ６
１上に接着剤６７を塗布する。この接着剤６７上に金属
板６８を載置する。この金属板６８は、ＩＣチップ６１
のチップサイズより大きいサイズである。この状態で金
属板６８と上記シート６２間に圧力をかけ、第２の圧着
工程をする。この圧着工程によりＩＣチップ６１上に設
けた接着剤が溢れて図９に示すように、ＩＣチップ６１
の側壁面を覆い、強固な保護膜が形成される。このよう
に２回の圧着工程により図９に示すデータキャリアを得
ることができる。
【００７７】次に、次に他の実施形態を図１０を参照し
て説明する。図１０は図８（Ｆ）の他のプロセスを説明
するための断面図である。この実施形態は、圧着工程１
回で製造する場合の実施形態である。図８を参照しなが
ら説明をする。
【００７８】即ち、図８（Ａ）の平面アンテナ６３上に
（Ｃ）図のように接着剤６６を塗布した後、（Ｄ）図の
ように（Ｂ）図のＩＣチップ６１を載置する。この状態
では仮の圧着工程を実行する。続いて、図８（Ｅ）のよ
うにＩＣチップ６１上に接着剤６７を塗布する。この接
着剤６７上に金属板６８を載置する。この金属板６８
は、ＩＣチップ６１のチップサイズより大きいサイズで
ある。この状態で金属板６８と上記シート６２間に圧力
をかけ、所望する本格的な圧着工程を実行する。この圧
着工程によりＩＣチップ６１上に設けた接着剤が溢れて
図９に示すように、ＩＣチップ６１の側壁面を覆い、強
固な保護膜が形成される。このように１回の圧着工程に
より図１０に示すデータキャリアを得ることができる。
【００７９】バンプ６４，６５とアンテナ６３との接続
信頼性を重視する場合には図９の２回の圧着工程が有効
である。タクトタイムの高速化を重視する場合には、図
１０の１回の圧着工程が有効である。つまり、低圧着１
回、本圧着１回の工程となっている。図８、図９、図１
０何れのものも、補強板と硬化した接着剤により、ＩＣ
チップの表裏面および側面も保護するため信頼性の高い
データキャリアを得ることができる。
【００８０】上記実施形態のデータキャリアの製造に使
用するフリップチップボンダーについては、周知である
ので、次にプロセスの概要を説明する。ＩＣチップを反
転アームにより、ピックアップする。そして、熱圧着ツ
ールに搬送する。ローダ＆アンローダ付き搬送系により
アンテナを上記熱圧着ツールに搬送する。上記アンテナ
は位置認識用カメラにより位置認識する。他方上記ＩＣ
チップは、ＩＣチップ用位置認識カメラにより位置認識
する。
【００８１】これらの位置認識の結果に基づきＩＣチッ
プとアンテナを位置合わせして、熱圧着する。この熱圧
着時熱圧着ステージを補助的に加熱してもよい。さら
に、熱圧着は、上記ステージをＺ軸方向に移動させて行
う。
【００８２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
信頼性の高い薄型非接触データキャリアおよびその製造
方法を得ることができる。さらに、データキャリアの心
臓部であるＩＣチップを薄型になっても、特別に保護し
たデータキャリアを安価且つ容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の一実施形態を説明するためのデ
ータキャリアシステム回路構成図である。
【図２】図２は、図１の交信法の一実施形態を説明する
ための回路結線図である。
【図３】図３は、図２の他の実施形態を説明するための
回路結線図である。
【図４】図４は、図２の他の実施形態を説明するための
回路結線図である。
【図５】図５は、図２の他の実施形態を説明するための
回路結線図である。
【図６】図６は、本発明データキャリアの一実施形態を
説明するための平面図である。
【図７】図７は、図６の平面アンテナを製造工程順に説
明するための断面図である。
【図８】図８は、図６のデータキャリアを製造工程順に
説明するための断面図である。
【図９】図９は、図８の他の実施形態を説明するための
断面図である。
【図１０】図１０は、図９の他の実施形態を説明するた
めの断面図である。
【符号の説明】
１…データキャリアシステム、 ２…データキャリア、 ３…ホストコンピュータ ４…質問器（リーダライタ）、 ６、１６…制御部、 ７…インターフェース部、 ８…記憶部（ＲＡＭ）、 ９…信号変換部、 １０、３５…変調部、 １１、３６…復調部、 １２…送信アンテナ、 １３…受信アンテナ、 １５…送受信アンテナ、 １７…メモリ、 ６１…ＩＣチップ、 ６２…絶縁体シー ６２…絶縁体シート、 ６４、６５…金ボールバンプ、 ６６、７２…接着剤、 ６７…速硬化性樹脂膜、 ６８…金属板、 ７０、７１…シート、 ８０…Ａｌ膜、 ８１…レジスト層、 ８２…マスク、 ９０…フリップチップボンダ、 ９１…ローダ部、 ９２…ＩＣチップローデイング部、 ９３…アンテナローデイング部、 ９４…テーブル、 ９５、９７…ステージ、 ９６…ロボット、 ９９…アンローダ、

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 非接触でデータを送受信するための電子
    回路、 データを記憶し読み出し可能な記憶回路、 からなる集積回路チップと、 この集積回路チップ裏面に接着支持されたこの集積回路
    チップより大きいサイズの補強板と、 前記データを送受信するコイルアンテナと、 このコイルアンテナおよび前記補強板付き集積回路チッ
    プを一体に包囲（被覆）する絶縁性シートとを具備し前
    記集積回路チップの側壁面にも接着層を設けたことを特
    徴とするデータキャリア。
  2. 【請求項２】 非接触でデータを送受信するための電子
    回路、 データを記憶し読み出し可能な記憶回路、 からなる集積回路チップと、 この集積回路チップ裏面に接着支持されたこの集積回路
    チップより大きいサイズの補強板と、 前記データを送受信するコイル状アンテナと、 このコイル状アンテナおよび前記補強板付き集積回路チ
    ップを一体に包囲（被覆）する絶縁性シートとを具備し
    前記補強板は金属、絶縁体、半導体のいずれか一種であ
    ることを特徴とするデータキャリア。
  3. 【請求項３】 非接触でデータを送受信するための電子
    回路、 データを記憶し読み出し可能な記憶回路、 からなる集積回路チップをフリップチップボンダ又はダ
    イマウンタによりアンテナ回路にマウントする工程と、 前記集積回路チップにこの集積回路チップより大きいサ
    イズの補強板を接着する工程とを具備してなることを特
    徴とするデータキャリアの製造方法。
  4. 【請求項４】 非接触でデータを送受信するための電子
    回路、 データを記憶し読み出し可能な記憶回路、 からなる集積回路チップを前記フリップチップボンダに
    よりアンテナ回路に熱圧着により接続する工程と、 前記集積回路チップ裏面に前記フリップチップボンダに
    よりこの集積回路チップより大きいサイズの補強板を熱
    圧着により接着する工程とを具備してなることを特徴と
    するデータキャリアの製造方法。
  5. 【請求項５】 非接触でデータを送受信するための電子
    回路、 データを記憶し読み出し可能な記憶回路、 からなる集積回路チップを前記フリップチップボンダに
    よりアンテナ回路にマウントする工程と、 前記集積回路チップ裏面に前記フリップチップボンダに
    よりこの集積回路チップより大きいサイズの補強板をマ
    ウントし、熱圧着することにより前記集積回路チップの
    実装と補強板の接着を行う工程とを具備してなることを
    特徴とするデータキャリアの製造方法。
  6. 【請求項６】 非接触でデータを送受信するための電子
    回路、 データを記憶し読み出し可能な記憶回路、 からなる集積回路チップをダイマウンタによりアンテナ
    回路にペーストを介在して圧着する工程と、 この工程の後、前記集積回路チップ裏面に前記ダイマウ
    ンタによりこの集積回路チップより大きいサイズの補強
    板を圧着する工程と、 この工程の後オーブンにて前記ペーストを熱硬化する工
    程とを具備してなることを特徴とするデータキャリアの
    製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005088697A1 (ja) * 2004-03-17 2005-09-22 Konica Minolta Photo Imaging, Inc. Ｉｃカード及びｉｃカードの製造方法
US7135782B2 (en) 2001-12-03 2006-11-14 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor module and production method therefor and module for IC cards and the like
JP2012053670A (ja) * 2010-09-01 2012-03-15 Secure Design Solutions Inc 指紋読み取りセンサ付ｉｃカードとその製造方法

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