JPWO2005088653A1 - 希土類系酸化物超電導体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
RE−123系超電導体(特にY−123系超電導体、Y:Ba:Cu=1:2:3のモル比)の結晶系は斜方晶であり、このため、通電特性において材料の特性を発揮させるためには、結晶のCuO面を揃えるだけでなく、面内の結晶方位をも揃えることが要求される。その理由は、僅かな方位のずれが双晶粒界を発生させ、通電特性を低下させるためである。
上記のY−123系超電導体の結晶の面内配向性を高め、かつ面内の方位を揃えながら線材化する製法は、薄膜の作製法と規を同一にしている。即ち、テープ状金属基板の上に面内配向度と方位を向上させた中間層を形成し、この中間層の結晶格子をテンプレートとして用いることによって、Y−123系超電導体の結晶の面内配向度と方位を向上させることができる。
さらに、超電導体のJcは、中間層の結晶性と表面平滑性に依存しており、下地の状態に応じて敏感にその特性が大きく変化することが判明している。
上記のテープ状金属基板の上に面内配向した中間層を形成した2軸配向金属基板の製造技術として、SOE(Surface−Oxidation Epitaxy:表面酸化エピタキシー)法、ISD(Inclined substrate deposition)法、IBAD(Ion Beam Assisted Deposotion)法とRABiTS(Rolling Assisted Biaxially Textured Substrate)法が知られており、無配向又は配向金属テープ上に面内配向度と方位を向上させた中間層を形成することにより、106A/cm2を超えるJcを有するY−123系超電導線材が多く報告されている。
この内、IBADやRABiTS法における中間層の形成は、PLD(Pulse Laser Deposition)法等の気相法による真空プロセスを使用しており、IBAD法ではハステロイ/YSZ/Y2O3の組み合わせが、一方、RABiTS法ではNi/CeO2/YSZ/CeO2等の組み合わせが一般的に2軸配向金属基板として用いられており、緻密で平滑な中間層膜を得ることができるという利点を有する(例えば、非特許文献1参照。)。
上記の中間層の材料については、種々検討が行なわれており、この中でもCeO2中間層はYBCO層(Y−BaーCuーO系超電導層)との結晶格子の整合性がよく、かつYBCO層との反応性が小さいため最も優れた中間層の一つとして知られており、数多くの結果が報告されている。
上記のように、金属基板上にYBCO層を形成する場合、中間層としてCeO2は優れた性質を有するが、CeO2膜は金属基板との熱膨張の相違等によりクラックが発生し易く厚膜化できないため、上述のRABiTS法のようにYSZ(イットリウム安定化ジルコニア)等の中間層を金属基板との間に介在させ、この上にYBCO層を形成する必要があった。
本発明者等は、上記の難点を解決するために、金属基板の表面上に、セリウムに希土類元素の1種または2種以上の元素を含有したセリウム系酸化物からなる中間層、例えば、CeO2とGd2O3の間で生成する固溶体をMOD(Metal Organic Deposition Processes:有機金属塩塗布熱分解)法により形成し、この中間層上に希土類系酸化物超電導層(RE系超電導層)を形成することにより、クラックの発生を防止し、かつ結晶性及び表面平滑性に優れ、かつ低温合成可能な中間層上に超電導特性に優れたRE系超電導層を形成することに成功した(特願2003−129368、特願2003−129369参照)。
しかしながら、上記の中間層層上にMOD法で形成したYBCO層は、本来YBCO層が有する90Kの臨界温度(Tc)より10K程度低いTcを示すことが判明した。
この理由は、基板中のNi元素が超電導層中に拡散し、RE−123系超電導体を構成するCu元素と置換することに起因する。
従って、金属基板上の中間層を、セリウムに希土類元素の1種または2種以上の元素を含有したセリウム系酸化物、例えば、Ce−Gd−O中間層をMOD法により形成した場合には、格子整合性、即ち、結晶性及び表面平滑性に優れ、クラックの発生を防止した中間層を得ることができるが、基板を構成する元素の拡散抑制効果の点では改善の余地があることが判明した。
A.Goyal at el.,Physica C,357−360(2001)903.
図2は本発明の第2の態様の実施例の希土類系酸化物超電導体の断面図である。
図3は本発明の第3の態様の実施例の希土類系酸化物超電導体の断面図である。
図4は本発明の第2の態様の実施例の希土類系酸化物超電導体の断面におけるNi元素の分布を示すグラフである。
図5は本発明の第2の態様の実施例の希土類系酸化物超電導体の断面におけるCe元素及びGd元素の分布を示すグラフである。
図6は本発明の第2の態様の実施例の希土類系酸化物超電導体の断面におけるNb元素の分布を示すグラフである。
この場合の超電導体の構造は、例えば、図1に示すように、Ni基板/Ce−Gd第1中間層/Ce−Nb第2中間層/YBCO層のように示される。
また、本発明の第2の態様であるRE系超電導体は、第1の態様における第2中間層を、セリウム、上記の固溶体形成元素及び上記の電荷補償元素により形成するようにしたものである。
この場合の超電導体の構造は、例えば、図2に示すように、Ni基板/Ce−Gd第1中間層/Ce−Gd−Nb第2中間層/YBCO層のように示される。
さらに、本発明の第3の態様であるRE系超電導体は、金属基板の表面上に、セリウム、セリウムと上記固溶体形成元素及び上記電荷補償元素により形成した中間層上にRE系超電導層を形成するようにしたものである。
この場合の超電導体の構造は、例えば、図3に示すように、Ni基板/Ce−Gd−Nb中間層/YBCO層のように示される。
以上の発明において、固溶体形成元素は、Y、Nd、Sm、Gd、Eu、Yb、Ho、Tm、Dy、La又はErのいずれか1種又は2種以上の希土類元素が、一方、電荷補償元素としては、Bi、Nb、Sb、Ta又はVのいずれか1種又は2種以上の元素が用いられる。
以上のRE系超電導体は、以下の本発明の第4〜第6の態様であるRE系超電導体の製造方法により製造される。
即ち、本発明の第4の態様であるRE系超電導体の製造方法は、金属基板の表面上に、セリウムの有機金属酸塩及びセリウムと固溶体を形成する(Y、Nd、Sm、Gd、Eu、Yb、Ho、Tm、Dy、La又はEr)から選択されたいずれか1種又は2種以上の固溶体形成元素の有機金属酸塩からなる混合溶液を塗布後仮焼して第1塗布層を形成した後、この第1塗布層上にセリウムの有機金属酸塩及びセリウムと前記固溶体形成元素のそれぞれのイオンの電子価数の相違による電荷の不整合を補償する(Bi、Nb、Sb、Ta又はV)から選択されたいずれか1種又は2種以上の電荷補償元素の有機金属酸塩からなる混合溶液を塗布して第2塗布層を形成し、次いで0.1Pa〜大気圧未満の圧力範囲及び900〜1200℃の温度範囲の還元性雰囲気中で熱処理を施して中間層を形成した後、この中間層上にRE系超電導層を形成するようにしたものである。
また、本発明の第5の態様であるRE系超電導体の製造方法は、第4の態様における第2塗布層を、セリウムの有機金属酸塩、前記固溶体形成元素の1種又は2種以上の固溶体形成元素の有機金属酸塩及び前記電荷補償元素の1種又は2種以上の有機金属酸塩からなる混合溶液を塗布して形成するようにしたものである。
さらに、本発明の第6の態様であるRE系超電導体の製造方法は、金属基板の表面上の中間層を、セリウムの有機金属酸塩、セリウムと前記固溶体形成元素の1種又は2種以上の有機金属酸塩及び前記電荷補償元素の1種又は2種以上の有機金属酸塩からなる混合溶液を塗布した後、0.1Pa〜大気圧未満の圧力範囲及び900〜1200℃の温度範囲の還元性雰囲気中で熱処理を施して形成するようにしたものである。
本発明のRE系超電導体及びその製造方法によれば、金属基板の表面上に、セリウム(有機金属酸塩)、セリウムと固溶体を形成する固溶体形成元素(有機金属酸塩)及びセリウムと固溶体形成元素の電子価数の相違による電荷の不整合を補償する電荷補償元素(有機金属酸塩)を用いて、中間層を形成し、この中間層上にRE系超電導層を形成したことにより、中間層におけるクラックの発生を防止することができ、かつ面内配向度と方位性等の結晶性並びに表面平滑性に優れた中間層を金属基板上に形成することができるとともに、基板を構成する元素の拡散を抑制して中間層上にJc及びTcに優れたRE系超電導層を形成することが可能となる。
本発明のRE系超電導体及びその製造方法においては、金属基板の表面上に中間層及び希土類系酸化物超電導層が形成されるが、この中間層には、超電導体と反応性が小さく、結晶格子間隔の差の割合(ミスフィット)が小さいこと、さらに下地の全属元素の拡散を防ぐ機能が求められる。この観点から中間層に適する結晶構造としては、蛍石構造、希土類ーC構造またはパイクロア構造のいずれがの結晶構造が選択される。また、Ceと希土類元素との固溶体を形成することにより、従来のCeO2単層で生じていたクラックの発生が抑えられる。
このとき、Y−123系超電導体結晶のa軸の格子定数3.88Åと上記酸化物結晶格子の間のミスフィットは8%以下となるが、このミスフィットは組成により変動し、可能であれば1%以下であることが望ましい。
本発明の第1及び第2の態様における第1中間層中の固溶体形成元素量、第1の態様における第2中間層中の電荷補償元素量、第2の態様における第2中間層中の固溶体形成元素と電荷補償元素の総量又は第3の態様における中間層中の固溶体形成元素と電荷補償元素の総量は、それぞれ金属含有量で5〜60mol%であることが望ましい。
また、第4及び第5の態様における第1塗布層中の固溶体形成元素量、第4の態様における第2塗布層中の電荷補償元素量、第5の態様における第2塗布中の固溶体形成元素と電荷補償元素の総量又は第6の態様における中間層中の固溶体形成元素と電荷補償元素の総量も、同様に、それぞれ金属含有量で5〜60mol%であることが望ましい。
上記の態様において、単一層の中間層又は塗布層中の固溶体形成元素の含有量が5mol%未満ではクラック発生の防止効果が小さく、60mol%を超えるとYBCO層及び金属基板との反応性が高くなるため、中間層としての効果が小さくなるためである。特に、固溶体形成元素の添加量が金属含有量で5〜40mol%であることが好ましい。この固溶体形成元素は+3の電荷をもつ希土類元素であり、クラックの発生を防止する他、CeO2のCeと固溶体を形成し、結晶化の反応処理において融点あるいは結晶化温度を下げる機能を果たす。
従って、単一層の中間層又は塗布層中の電荷補償元素も金属含有量で5〜60mol%であることが望ましい。この電荷補償元素は+5の電荷を有し、結晶中のCeイオンの価数と固溶体形成元素のイオン価数の相違によって生ずる電荷の不整合を補償し、酸化物膜中のイオン拡散を抑制する。
また、単一層の中間層又は塗布層中に固溶体形成元素と電荷補償元素が共存する場合には、固溶体形成元素に対する電荷補償元素のモル比は、電荷補償元素/固溶体形成元素≦1.2であることが望ましい。
中間層を2層に形成する場合には、第1層を塗布後に仮焼する必要があるが、この仮焼後に本焼(結晶化熱処理)を施してもよい。
中間層は、0.1Pa〜大気圧未満の圧力範囲及び900〜1200℃の温度範囲の還元性雰囲気中で焼成することにより形成され、次いで、この中間層上にRE系超電導層が形成される。この場合において、中間層を、10〜500Paの圧力範囲及び950〜1150℃の温度範囲の還元性雰囲気中での焼成により形成することが、より好ましい。
上記の圧力が0.1Pa未満の焼成では膜がエピタキシヤル成長する前にランダムな結晶化を生じてしまい、中間層の配向性が著しく低下する。特に、10〜500Paの範囲で焼成することにより結晶化時の熱処理温度を低温化させることができ、1000℃以下の低温で中間層を焼成することが可能となる。
また、中間層の焼成温度が900℃未満の温度では、2軸配向膜を得ることが困難となり、また1200℃を超えると焼成時に膜が分解し目的の酸化物を得ることが困難になるためである。
中間層の形成方法としては、液相プロセスを介した種々の成膜法の使用が可能であるが、製造の容易さ及び製造速度の点からMOD法を採用することが好ましい。MOD法は、非真空プロセスで製造する方法として知られており、本発明の場合、中間層を構成するセリウム、固溶体形成元素及び/又は電荷補償元素を所定のモル比で含むトリフルオロ酢酸塩(TFA塩)を始めとするオクチル酸塩、ナフテン酸塩等の混合溶液を基板上に塗布した後、仮焼する。
MOD法による中間層の焼成は、上記の減圧下で行うことにより、結晶化温度を低下させることができ、低温で中間層を焼成することが可能となる。このことは金属テープを基板とする場合、下地金属元素が中間層内部へ拡散する速度を低下させる点で有効である。
金属基板としては、Ni、Agあるいはこれらの合金等、例えば、NiーVやNiーW合金等からなる2軸配向金属テープや無配向のNi、Agあるいはこれらの合金等やSUS、ハステロイ、インコネルなどの耐熱合金からなる金属テープを用いることができる。
また、NiまたはNi基合金等からなる金属基板に直接中間層を形成する場合、焼成時の雰囲気はAr、N2ガス中にH2を0.1〜10%加えた還元性雰囲気ガスを使用することが好ましい。H2濃度0.1%未満で成膜した場合には、Ni表面にNiOが生成して中間層膜がエピタキシヤル成長することを著しく阻害し、また、10%を超えた場合には、ガスの還元力が強くなり過ぎるため目的とする酸化物が得られなくなるためである。
上述のように、MOD法で形成した中間層と金属テープとの間に、PLD法やスパッタ法などの気相プロセスを用いて成膜した0.2μm以下の配向制御及び拡散防止層を設けることもでき、さらに、MOD法で作製した中間層の上にCAP層として0.2μm以下のCeO2、CeーREーO膜をPLDまたはスパッタ法で成膜して表面の平滑性を向上させることも有効である。
また、MOD法により中間層膜の前駆体膜を金属基板表面へ塗布する回数は、何等制限されず、所望の膜厚を得るために塗布−仮焼(乾燥)の処理を複数回実施する手法を採用することもできる。即ち、塗布回数にかかわらず、形成された中間層前駆体膜中の電荷バランスが補償されていればよい。
以上のようにして金属基板上に形成した中間層上に、超電導層を形成する方法としては、パルスレーザー堆積(PLD)法、e−beam蒸着等の物理蒸着法、化学気相堆積(CVD)法等の化学蒸着法等の気相プロセスや中間層と同様にMOD法等の液相ブロセスを介した成膜法など様々な方法でその成膜が可能である。
特に、本発明による中間層は、上記超電導層の形成方法の内、TFAを仮焼した前駆体(TFA−MOD法)やe−beamやPLDなどでFを含有した前駆体(ex−situ法)をテープ表面に成膜した後、これを本焼してYBCO膜を形成する方法に対して非常に有効である。これらのブロセスにおいては、前駆体膜にFを含んでおり、かつ焼成時に水蒸気を使用するため、仮焼および本焼成時にHFが発生し、従って、中間層の耐酸性が問題となるが、本発明による中間層はCeベースの酸化物であるため耐酸性に優れている。
また、本発明における中間層は、クラックの発生を防止することができるため厚膜化が可能であり、上述のRABiTS法のように多層構造の中間層を形成する必要がなく、セリウム系酸化物層上に希土類系酸化物超電導層を直接形成することができる。
(MOD法による中間層及びYBCO層の形成)
基板として配向Ni基板を用い、この基板上に中間層膜及びYBCO膜をMOD法により形成した。
原料として0.2mol/Lの金属濃度の各種有機金属化合物溶液を準備して、10mm×5mmの大きさの基板上にスピンコーティング法で塗膜を形成した。この時の回転数は3000r.p.m.とした。この中間層膜の前駆体膜を塗布した基板をAr−H2(2%)の雰囲気中で仮焼して乾燥し、さらに還元性雰囲気中で焼成を行い基板上に中間層膜を形成した。
このようにして基板上に中間層膜を形成した後、この中間層膜上にTFA−MOD法によりYBCO層を成膜し、次いで酸化性雰囲気中で750℃×1hrの熱処理を施して超電導体を製造した。
この中間層上に作製したYBCO膜の臨界温度(Tc)は、85〜88Kを示した。
この中間層上に作製したYBCO膜の臨界温度(Tc)は、85〜88Kを示した。
得られた中間層膜の面内配向性は仮焼条件による依存性は少なく、8〜10deg.の範囲のFWHMを示した。この中間層上に作製したYBCO膜の臨界温度(Tc)は、88Kを示した。
この中間層上に形成したYBCO膜の臨界温度(Tc)は88K、臨界電流密度(Jc)は0.3MA/cm2を示した。また、中間層のFWHMは7.6deg、YBCO層のFWHMは8.4degを示し、良好な配向度を示した。
以上のようにして形成した中間層中の添加元素の分布を第4図〜第6図に示した。ここで(A)は、中間層の表面の位置を示し、(B)はNi基板の表面の位置を示している。
これらの図から明らかなように、中間層をCe−Gd/Ce−Gd−Nbの2層構造とすることにより、基板を構成するNi元素がYBCO層へ拡散することを防止することができ、良好な配向度を有する中間層及びYBCO層を得ることが可能となり、その結果、優れた超電導特性を有する超電導体を製造することができる。
比較例1
Ce:Gd:O=60:20:20のモル比のナフテン酸塩混合溶液を調整し、基板上に塗布後、300℃で仮焼した後、20Paの圧力のAr−2%H2還元性雰囲気中で1000℃×1Hの本焼を行った。
上記中間層の上に形成したTFA−MOD法によるYBCO膜の臨界温度(Tc)は、80Kを示し、YBCO超電導体の物性値である90Kより10K低い値を示した。
比較例2
Ce:Gd:O=90:5:5のモル比のナフテン酸塩混合溶液を調整し、基板上に塗布後、300℃で仮焼した後、20Paの圧力のAr−2%H2の雰囲気中で1000℃×1Hの本焼を行った。
上記中間層の上に形成したTFA−MOD法によるYBCO膜の臨界温度(Tc)は、70Kを示し、YBCO超電導体の物性値である90Kより20K低い値を示した。
以上の実施例及び比較例から明らかなように、セリウムに電荷補償元素であるNbを添加しない場合には、Tcが70〜80Kであるのに対して、固溶体形成元素であるGdに電荷補償元素であるNbを添加した場合には、85〜88Kと全体的にTcが向上している。この結果は、固溶体形成元素の添加による電荷の不足が電荷補償元素の添加により補償され、中間層におけるイオン拡散を低下させることにより、超電導層へのNi元素の拡散が抑制されたことに基づくものと考えられる。
Claims (18)
- 金属基板の表面上に、セリウム及びセリウムと固溶体を形成する固溶体形成元素からなる第1中間層並びにセリウム及びセリウムと前記固溶体形成元素のそれぞれのイオンの電子価数の相違による電荷の不整合を補償する電荷補償元素からなる第2中間層を順次設けて形成した中間層上に希土類系酸化物超電導層を形成したことを特徴とする希土類系酸化物超電導体。
- 金属基板の表面上に、セリウム及びセリウムと固溶体を形成する固溶体形成元素からなる第1中間層並びにセリウム、前記固溶体形成元素及びセリウムと前記固溶体形成元素のそれぞれのイオンの電子価数の相違による電荷の不整合を補償する電荷補償元素からなる第2中間層を順次設けて形成した中間層上に希土類系酸化物超電導層を形成したことを特徴とする希土類系酸化物超電導体。
- 金属基板の表面上に、セリウム、セリウムと固溶体を形成する固溶体形成元素及びセリウムと前記固溶体形成元素のそれぞれのイオンの電子価数の相違による電荷の不整合を補償する電荷補償元素により形成した中間層上に希土類系酸化物超電導層を形成したことを特徴とする希土類系酸化物超電導体。
- 固溶体形成元素は、Y、Nd、Sm、Gd、Eu、Yb、Ho、Tm、Dy、La又はErのいずれか1種又は2種以上の希土類元素からなることを特徴とする請求項1乃至3いずれか1項記載の希土類系酸化物超電導体。
- 電荷補償元素は、Bi、Nb、Sb、Ta又はVのいずれか1種又は2種以上からなることを特徴とする請求項1乃至3いずれか1項記載の希土類系酸化物超電導体。
- 第1中間層中の固溶体形成元素は、金属含有量で5〜60mol%であることを特徴とする請求項1、2又は4いずれか1項記載の希土類系酸化超電導体。
- 第2中間層中の電荷補償元素は、金属含有量で5〜60mol%であることを特徴とする請求項1、4、5又は6いずれか1項記載の希土類系酸化物超電導体。
- 第2中間層中の固溶体形成元素と電荷補償元素の総和は、金属含有量で5〜60mol%であることを特徴とする請求項2、4、5又は6いずれが1項記載の希土類系酸化物超電導体。
- 中間層中の固溶体形成元素と電荷補償元素の総和は、金属含有量で5〜60mol%であることを特徴とする請求項3、4又は5いずれか1項記載の希土類系酸化物超電導体。
- 固溶体形成元素に対する電荷補償元素のモル比は、電荷補償元素/固溶体形成元素≦1.2であることを特徴とする請求項8又は9記載の希土類系酸化物超電導体。
- 金属基板は、2軸配向性の金属基板であることを特徴とする請求項1乃至10いずれか1項記載の希土類系酸化物超電導体。
- 金属基板の表面上に、セリウムの有機金属酸塩及びセリウムと固溶体を形成する(Y、Nd、Sm、Gd、Eu、Yb、Ho、Tm、Dy、La又はEr)から選択されたいずれか1種又は2種以上の固溶体形成元素の有機金属酸塩からなる混合溶液を塗布後仮焼して第1塗布層を形成した後、この第1塗布層上にセリウムの有機金属酸塩及びセリウムと前記固溶体形成元素のそれぞれのイオンの電子価数の相違による電荷の不整合を補償する(Bi、Nb、Sb、Ta又はV)から選択されたいずれか1種又は2種以上の電荷補償元素の有機金属酸塩からなる混合溶液を塗布して第2塗布層を形成し、次いで0.1Pa〜大気圧未満の圧力範囲及び900〜1200℃の温度範囲の還元性雰囲気中で熱処理を施して中間層を形成した後、この中間層上に希土類系酸化物超電導層を形成することを特徴とする希土類系酸化物超電導体の製造方法。
- 第1塗布層中の固溶体形成元素又は第2塗布層中の電荷補償元素は、それぞれ金属含有量で5〜60mol%であることを特徴とする請求項12記載の希土類系酸化物超電導体の製造方法。
- 金属基板の表面上に、セリウムの有機金属酸塩及びセリウムと固溶体を形成する(Y、Nd、Sm、Gd、Eu、Yb、Ho、Tm、Dy、La又はEr)から選択されたいずれか1種又は2種以上の固溶体形成元素の有機金属酸塩からなる混合溶液を塗布後仮焼して第1塗布層を形成した後、この第1塗布層上にセリウムの有機金属酸塩、前記固溶体形成元素の1種又は2種以上の有機金属酸塩及びセリウムと前記固溶体形成元素のそれぞれのイオンの電子価数の相違による電荷の不整合を補償する(Bi、Nb、Sb、Ta又はV)から選択されたいずれか1種又は2種以上の電荷補償元素の有機金属酸塩からなる混合溶液を塗布して第2塗布層を形成し、次いで0.1Pa〜大気圧未満の圧力範囲及び900〜1200℃の温度範囲の還元性雰囲気中で熱処理を施して中間層を形成した後、この中間層上に希土類系酸化物超電導層を形成することを特徴とする希土類系酸化物超電導体の製造方法。
- 第1中間層中の固溶体形成元素又は第2塗布層中の固溶体形成元素及び電荷補償元素の総和は、それぞれ金属含有量で5〜60mol%であることを特徴とする請求項14記載の希土類系酸化物超電導体の製造方法。
- 金属基板の表面上に、セリウムの有機金属酸塩、セリウムと固溶体を形成する(Y、Nd、Sm、Gd、Eu、Yb、Ho、Tm、Dy、La又はEr)から選択されたいずれか1種又は2種以上の固溶体形成元素の有機金属酸塩及びセリウムと前記固溶体形成元素のそれぞれのイオンの電子価数の相違による電荷の不整合を補償する(Bi、Nb、Sb、Ta又はV)から選択されたいずれか1種又は2種以上の電荷補償元素の有機金属酸塩からなる混合溶液を塗布した後、0.1Pa〜大気圧未満の圧力範囲及び900〜1200℃の温度範囲の還元性雰囲気中で熱処理を施して中間層を形成し、この中間層上に希土類系酸化物超電導層を形成することを特徴とする希土類系酸化物超電導体の製造方法。
- 中間層中の固溶体形成元素及び電荷補償元素の総和は、金属含有量で5〜60mol%であることを特徴とする請求項16記載の希土類系酸化物超電導体の製造方法。
- 中間層は、10〜500Paの圧力範囲及び950〜1150℃の温度範囲の還元性雰囲気中での焼成により形成されることを特徴とする請求項12乃至17いずれか1項記載の希土類系酸化物超電導体の製造方法。
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