JP2002203439A - テープ状酸化物超電導体 - Google Patents
テープ状酸化物超電導体Info
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- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 101
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 47
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- -1 organic acid salt Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M Trifluoroacetate Chemical compound [O-]C(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000005609 naphthenate group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 8
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 49
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 25
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 11
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000012691 Cu precursor Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-M octanoate Chemical compound CCCCCCCC([O-])=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- WROMPOXWARCANT-UHFFFAOYSA-N tfa trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F.OC(=O)C(F)(F)F WROMPOXWARCANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0324—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers from a solution
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
- H10N60/0632—Intermediate layers, e.g. for growth control
Landscapes
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Abstract
値を向上させたテープ状酸化物超電導体を提供する。 【解決手段】 非磁性もしくは弱磁性で高強度のテープ
状金属基板上に、この基板に対して斜め方向からイオン
を照射しながら、基板上にターゲットから発生したYS
Z又はZr2 Rx2 O7 粒子を堆積させた第1中間層、
CeO2 又はY2 O3 からなる第2中間層及びFを含む
金属有機酸塩を塗布後熱分解させて形成したRE1+X B
a2-X Cu3 OY 超電導層を順次形成する。
Description
係り、特に超電導マグネット、超電導ケーブル、電力機
器等に使用するテープ状酸化物超電導体に関する。
窒素温度を超えることから超電導マグネット、超電導ケ
ーブル及び電力機器等への応用が期待されており、種々
の研究が鋭意進められている。
には、臨界電流密度(Jc)が高く、かつ長尺の線材を
作成する必要がある。長尺テープを得るためには試験的
強度、可とう性の観点から金属テープ上に酸化物超電導
体を形成する必要がある。また酸化物超電導体はその結
晶学的方向により超電導特性が変化することから、面内
配向性を向上させることが必要であり、このため、酸化
物超電導体をテープ状の配向基板上に形成する必要があ
る。この場合、臨界電流密度を向上させるため、酸化物
超電導体のc軸を基板の板面に垂直に配向させ、かつそ
のa軸(又はb軸)をほぼ電流方向に平行に面内配向
(以下、c軸配向及びa軸面内配向という)させて、超
電導状態の量子的結合性を良好に保持する必要がある。
パルスレーザ蒸着法(PLD)、蒸着法又は金属有機酸
を用いた化学気相堆積法(MOCVD)等の方法により
酸化物超電導層を形成した場合、通常、基板はその結晶
配向が無秩序な多結晶粒からなるため、この基板上に形
成される酸化物超電導体も下地の基板の影響を受けて高
配向性を有することはできない。
て配向性Ni基板を用いる方法が検討されている。
中で熱処理を施して高配向させたもので、米国オークリ
ッジ国立研究所で開発され、RABiTS(商標:roll
ing-assisted biaxially textured-substrates)と称さ
れている。この配向性Ni基板の上に、高温の不活性ガ
ス雰囲気中でエレクトロンビーム蒸発によりセリウムを
堆積させ、この堆積中に水素を存在させることによりC
eO2 のエピタキシャル層の薄膜を設け、さらにその上
にスパッタリング法により高温減圧下でYSZ(イット
リウム安定化ジルコニア)の厚膜を形成したものを複合
基板として用いる方法が報告されている。
に、パルスレーザ蒸着法によりYBCO(Y−Ba−C
u−O系超電導体。以下同じ。)層が形成される(例え
ば、John E MATHIS 他、Jpn.J.Appl.Phys,Vol 37(1998)
pp.L1379-1382 )。
はNi基板とYSZとの反応抑制及びNi上での島状の
NiOの生成を抑制し、またYSZ層はNiの拡散を防
ぐバッファ層としての機能により、超電導層との反応を
抑制して超電導特性の低下を防止し、超電導層との整合
性を維持するために配置されている。即ち、配向性Ni
基板とYSZが直接接触するとその界面で基板中のNi
とYSZ中のZrとが反応してエピタキシャル成長しな
いため、Ni基板上に基板との反応を生じないCeO2
層を介し、また、YSZをNi基板上に直接配置する
と、Ni上に島状にNiOが生成し、エピタキシャル成
長しないため、還元性雰囲気で成長可能なCeO2を介
して基板を構成する元素の超電導層への拡散を防ぐため
にYSZが積層される。また、CeO2 は破断し易いた
め、CeO2 の薄膜の上にYSZの厚膜が形成されてい
る。
の良好なYSZの上にYBCOが形成されているが、Y
BCOとの結晶学的な整合性はYSZよりもCeO2 の
方が優れていることに加えて、MOD溶液との反応性の
点からもCeO2が優れているため、YSZの上にさら
にCeO2 の薄膜を設け、その上にYBCO層をMOD
法により形成して、配向性Ni基板/CeO2 /YSZ
/CeO2 /YBCOの5層構造とする方法が報告され
ている(A.P.,Malozemoff 他、Submitted to Eucas Con
ference 、Sep.14-17 )。
n)は、金属有機酸塩を塗布後熱分解させるもので、金
属成分の有機化合物を均一に溶解した溶液を基板上塗布
した後、これを加熱して熱分解させることにより基板上
に薄膜を形成する方法であり、真空プロセスを必要とせ
ず、低コストで高速製膜が可能であるため長尺のテープ
状酸化物超電導線材の製造に適している。
ため、RE(123 )超電導体、即ちRE1+X Ba2-X C
u3 OY超電導体(ここでREは、Y、Nd、Sm、G
d、Eu,Yb又はHoを示す。以下同じ。)やCeO
2 等の中間層にも適用することができる。有機酸塩を熱
分解させると通常アルカリ土類金属(Ba等)の炭酸塩
が生成されるが、この炭酸塩を経由する固相反応による
酸化物超電導体の形成には800℃以上の高温熱処理を
必要とするため、Fを含む有機酸塩(例えば、TFA
塩:トリフルオロ酢酸塩)を出発原料とし、水蒸気雰囲
気中での熱処理及び水蒸気分圧の制御により、RE(12
3 )超電導体を形成する方法が近年精力的に行われてい
る。
駆体中に核生成を生ぜず、水蒸気とフッ素を含むアモル
ファス前駆体との反応により基板からRE(123 )超電
導体をエピタキシャル成長させることができる。
2 、YSZ、CeO2 及びMOD法により形成したRE
(123 )超電導層を順に設けた5層構造のテープ状酸化
物超電導体10を図8に示す。図において、配向性Ni
基板11上に、CeO2 からなる第1中間層12、YS
Zからなる第2中間層13及びCeO2 からなる第3中
間層14が設けられ、この第3中間層14の上にMOD
法によりTFA塩を用いて形成したRE(123 )超電導
層15が成膜された構造を有する。
テープ状酸化物超電導体10においては、配向性Ni基
板上にCeO2 第1中間層、YSZ第2中間層、CeO
2 第3中間層及び超電導層がエピタキシャル成長し、か
つ配向性Ni基板と超電導層を構成する元素間の反応も
抑制されるため、超電導特性の低下を防止することが可
能であり。原理的には優れたテープ状酸化物超電導体の
製造方法であると言える。
Ni基板は、高配向させるために冷間加工したNi基板
を真空中で熱処理する必要があり、この熱処理で再結晶
化する際に粒成長が起こり、結晶粒が100μm以上と
大きく、この影響が超電導層に及ぶという難点があり、
実際上、期待されるJc値は得られていない。
の)結晶粒界においては結晶構造の整合性が乱れるた
め、この上に形成される中間層及び超電導層もこの影響
を受け、この影響は特に隣接する結晶粒の方位差が大き
くなるほど大きくなる。
で長尺テープのJcに与える粒径の効果を考えてみる。
テープ材のJcは最もJcの低い部分で決定され、仮に
方位差のばらつきが同等であっても粒径が大きい場合、
電流に垂直方向での粒の数が少なくなり大きな方位差を
もつ粒界のJc値の低下量の全体のJc値の低下に与え
る影響が大きくなることによりJc値が低くなり易い。
一方、粒径が小さい場合には、垂直方向での粒の数が多
くなり大きな方位差をもつ低いJc値の粒界の全Jc低
下量に与える影響はばらつきと同程度になり、大きな低
下につながらない。我々の研究においても、結晶粒が大
きくなるほどJc値が低下する結果が得られている。
かつその機械的強度が小さいため、テープ状に形成した
酸化物超電導体を用いて超電導マグネットや超電導ケー
ブルを構成した場合に外部磁場の影響が大きくなりJc
値が低下するという問題がある。
なされたもので、超電導層の量子的結合性を向上させ、
即ち、高いc軸配向性及びa軸面内配向性を有すること
により、Jc値を向上させることができ、また非磁性も
しくは弱磁性で、かつその機械的強度の大きい金属基板
を用いることにより、超電導特性に優れ超電導マグネッ
トや超電導ケーブルへの使用に適したテープ状酸化物超
電導体を提供することをその目的とする。
めに、本願第1の発明のテープ状酸化物超電導体は、非
磁性もしくは弱磁性で高強度のテープ状金属基板上に、
この金属基板に対して斜め方向からイオンを照射しなが
ら、金属基板上にターゲットから発生した粒子を堆積さ
せて形成した、高配向性を有し金属基板を構成する元素
の超電導層への拡散を抑制し超電導体を構成する元素と
の反応を抑制する中間層及び金属有機酸塩を塗布後熱分
解させて形成した酸化物超電導層を順次積層したことを
特徴としている。
第2の発明のテープ状酸化物超電導体によりその目的を
達成することができる。これは、テープ状酸化物超電導
体を、非磁性もしくは弱磁性で高強度のテープ状金属基
板上に、この金属基板に対して斜め方向からイオンを照
射しながら、金属基板上にターゲットから発生した粒子
を堆積させて形成した、高配向性を有し金属基板を構成
する元素の超電導層への拡散を抑制し超電導体を構成す
る元素との反応を抑制する第1中間層、酸化物超電導体
との整合性に優れた第2中間層及び金属有機酸塩を塗布
後熱分解させて形成した酸化物超電導層を順次積層した
ものである。
を照射しながら基板上にターゲットから発生した粒子を
堆積させて中間層を形成するため、基板上に直接配向性
に優れたYSZ等を成膜することができ、前述した基板
上でのNiOの生成を防ぎ、基板との反応を生じないC
eO2 層を介してYSZを成膜する必要がなくなる。
して、非磁性もしくは弱磁性で高強度のテープ状金属基
板が用いられる。この基板は、通常無配向であり、例え
ば、Ni以外にMo、W、Cr、Fe等を合金元素とし
て含む耐熱・耐塩酸合金として知られるハステロイ等の
圧延板等の10nm程度の小さな結晶粒を有する多結晶
体からなるものである。
明における中間層又は本願第2の発明における第1中間
層は、基板に対して斜め方向からイオンを照射しなが
ら、基板上にターゲットから発生した粒子を堆積させる
ことにより形成される。
ted Deposition)として知られている。
電導層を形成すると、配向性の良好な超電導層は得られ
ず、また基板と超電導体を構成する元素とが反応して超
電導体の結晶構造が崩れ超電導特性が劣化するという問
題があり、この問題を回避するために、基板と酸化物超
電導層との間に中間層を設ける必要がある。
iO3 を一般的な気相法を用いて成膜して用いることが
行われているが、この中間層は基板面に対して直角にc
軸が配向するものの、基板面内でa軸(又はb軸)がほ
ぼ同一の方向に面内配向しないため、この上に形成され
る酸化物超電導層もa軸(又はb軸)がほぼ同一の方向
に面内配向せず、Jcが向上しないという問題があつ
た。
ものであり、スパッタリング法によりターゲットから叩
き出した構成粒子を基板上に堆積させる際に、イオン銃
から発生されたアルゴンイオンと酸素イオン等を同時に
斜め方向(例えば、45度)から照射しながら堆積させ
るもので、この方法によれば、基板上の成膜面に対し
て、高いc軸配向性及びa軸面内配向性を有する中間層
が得られる(特開平4−329867号、特開平4−3
31795号)が、従来は、この中間層の上に成膜され
る酸化物超電導層がパルスレーザ蒸着法によって形成さ
れているため、コストが大きく長尺線材の製造には適さ
ないという問題がある。
eO2 、Y2 O3 、YSZ、Zr2Rx2 O7 (ここで
Rxは、Y、Nd、Sm、Gd、Eu,Yb、Ho、T
m、Dy、Ce、La又はErを示す。以下同じ。)か
ら選択されたいずれか1種以上からなるものが好適して
いる。
間層としてIBAD法で効率よく配向するYSZ又はZ
r2Rx2 O7 を用い、第2中間層としてYBCOとの
整合性に優れたCeO2 又はRE2 O3 を用いることが
好ましい。
もって、即ち、高いc軸配向性及びa軸面内配向性を有
するYBCOを形成するために、真空プロセスを必要と
せず高速製膜が可能な金属有機酸塩を塗布後熱分解させ
るMOD法が採用される。
酢酸塩、オクチル酸塩、ナフテン酸塩又は酢酸塩からな
る材料を用いることが好ましく、またYBCOとして
は、RE1+X Ba2-X Cu3 OY が好適する。
機酸塩を塗布後熱分解させることにより形成されるが、
この酸化物超電導層を多層に形成することもできる。こ
の場合、酸化物超電導体を構成する各金属元素を所定の
モル比で含む金属有機酸塩の混合溶液を塗布後、仮焼熱
処理を施して酸化物超電導前駆体を形成する工程を繰返
して、酸化物超電導前駆体を複数層設け、次いで結晶化
熱処理を施す。
は、仮焼熱処理のうち少なくとも最外層の酸化物超電導
前駆体を除く仮焼熱処理温度を400℃未満で行うこと
が好ましい。これは、例えば、3層構造の仮焼膜を結晶
化させて酸化物超電導体を形成する場合、1及び2層目
の仮焼熱処理温度400℃未満で行うことを意味してお
り、3層目の仮焼熱処理温度は400℃未満でも400
℃を越えても問題はない。
なくとも最外層の酸化物超電導前駆体を除く仮焼熱処理
温度を250〜350℃の範囲内で行うことがより好ま
しい。
層の酸化物超電導前駆体の結晶化到達前の結晶化熱処理
雰囲気中の導入ガスの水蒸気分圧を4.0vol%以下
にして行うことが好ましい。これは、例えば、3層構造
の仮焼膜を結晶化させて酸化物超電導体を形成する場
合、3層目の結晶化が開始されるまでの1及び2層目の
結晶化熱処理中の導入ガスの水蒸気分圧を4.0vol
%以下にして行うことを意味している。
中の導入ガスの水蒸気分圧又は結晶化熱処理中の少なく
とも最外層の酸化物超電導前駆体の結晶化到達前の結晶
化熱処理雰囲気中の導入ガスの水蒸気分圧を0.5〜
3.0vol%の範囲内にして行うことがより好まし
く、結晶化熱処理雰囲気中の導入ガスは、水蒸気、酸化
物超電導体と反応しないガス及び酸素からなる混合ガス
を用いることが好ましい。結晶化熱処理雰囲気中の導入
ガスの水蒸気分圧は、以上の条件が満足されれば、一定
の勾配下又は段階的に上昇させることもできる。
電導体との反応による特性の劣化を抑制するために乾燥
ガスを導入することが好ましい。
場合には、真空容器の内部に非磁性もしくは弱磁性で高
強度のテープ状金属基材の送出装置及び巻取装置を配置
し、送出装置から連続的に基材を供給しながら、加熱ホ
ルダ上で上記のIBAD法により中間層を形成し、これ
を巻取装置で巻き取る方法が採用される。
の断面構造を示したもので、中間層を2層構造とした場
合を示す。
磁性もしくは弱磁性で高強度の多結晶体からなるハステ
ロイ基板2が用いられ、この基板2に対して斜め方向か
らイオンを照射しながら、基板2上にターゲットから発
生したYSZ粒子を堆積させて第1中間層3が形成され
る。この第1中間層3は、基板2に対して、高いc軸及
びa軸面内配向性を有する。
の上に、RE(123 )との整合性に優れたCeO2 から
なる第2中間層4が成膜され、さらに、この第2中間層
4の上にFを含む金属有機酸塩を塗布後熱分解させて成
膜したRE(123 )層5が形成される。これらの第2中
間層4及びRE(123 )層5もそれぞれの下層の結晶配
向に従って高いc軸及びa軸面内配向性を有する。
m、厚さ0.1mmのハステロイテープ上に、IBAD
法を用いて室温下でYSZの第1中間層を1μmmの厚
さに成膜し、この上にスパッタリング法を用いてCeO
2 の第2中間層を厚さ0.5μmに形成して複合基板を
作成した。
酸(TFA)塩溶液を原料としてMOD法により厚さ
0.15μmのYBCO層を、以下の手順により成膜し
た。
u)をメタノール溶液中に混合し、溶液濃度0.25m
ol/リットルに調整した。この混合溶液を、ロールコ
ート法により複合基板上に塗布し、その後、水蒸気を含
んだ雰囲気中で低昇温速度で400℃まで加熱してM−
(O、F)前駆体を得た。
0-3atm)中で725〜800℃×1時間の焼成を行
った後、450℃×1時間の酸素アニール処理を施し
た。
電導体のTc値及びJc値と面内配向性を測定した。
(Tc)に及ぼす熱処理温度の影響を示したもので、同
時にYSZ単結晶又はLaAlO3 単結晶上にCeO2
層を成膜した場合と比較して示してある。
5℃では未反応のBaF2 が残存し、800℃以上では
BaCeO3 の生成が認められた。750及び775℃
で成膜したYBCO膜はX線回折により異相は認められ
ず、c軸及びa軸配向性(面内配向性)を有しているこ
とが確認された。
X線回折による半値幅(FWHM)の測定結果を示した
もので、X線回折は、YBCO(123 )層の(103 )面
に対する角度θでX線を入射させ、この入射X線に対し
て角度2θの位置にカウンタを設置し、入射及び回折X
線を含む鉛直面に対する水平角度βに対する回折強度を
測定した。
であるのに対し、CeO2 は5.6度、YBCO膜は
4.7度と配向性が向上しており、上記のテープ状酸化
物超電導体は、高いc軸配向性及びa軸面内配向性を有
することが明らかである。
c値の外部磁界依存性を示したもので、Jc値は、直流
4端子法により電圧基準1μV/cmで測定した。
導体は、後述する比較例1のハステロイテープ上に、I
BAD法によるYSZの第1中間層及びY2 O3 の第2
中間層上にレーザ蒸着法によりYBCO層を成膜した場
合に比べ特性が優れていることがわかる。これはMOD
法がPLD法に比べ、熱平衡に近いプロセスであること
より、粒界特性が改善されるためであると考えられる。
また、後述する比較例2の配向性Ni基板上にCeO2
及びYSZを成膜した複合基板上にMOD法によりYB
CO層を成膜した場合に比較して10mm長では同等
の、77.3K、0TでJc>1MA/cm2 、2Tで
Jc>105 A/cm2 と外部磁界に対して高いJc値
を有することが明らかである。図5には、10mテープ
の長さ方向のJc分布を示す。この結果より1MA/c
m2以上で均一なJc分布が得られていることが明らか
である。
m、厚さ0.1mmのハステロイテープ上に、IBAD
法を用いて室温下でYSZの第1中間層を1μmの厚さ
に成膜し、この上にレーザ蒸着法を用いてY2 O3 の第
2中間層を厚さ0.5μmに形成して複合基板を作成し
た。
により厚さ0.15μmのYBCO層を成膜した。
電導体のJc値の外部磁界依存性と面内配向性を測定し
た。
実施例と同様の方法により測定した。
のばらつきは小さいもののJc値は実施例が優れてい
る。
mm、厚さ0.1mmの配向性Ni基板(RABiT
S)上に、CeO2 のエピタキシャル層の薄膜を厚さ
0.5μmに設け、さらにその上にスパッタリング法に
より高温減圧下でYSZの厚膜を厚さ1μmに形成して
複合基板を形成した。
ち、TFA塩溶液を原料としてMOD法により厚さ0.
15μmのYBCO層を成膜した。
電導体のJc値の結果を図4および図7に示す。
実施例と同等のJc値を示すものの、長さ10mにおけ
るJcで値は数カ所Jc値の低い部位が見られ、総Jc
は値これにより決定されることより、実施例に比べ小さ
なJc値となっている。
AD複合基板を用いた。この複合基板は、約10nmの
平均結晶粒を有し、長さ10mm、幅10mm、厚さ
0.1mmのハステロイテープ上に、IBAD法を用い
て室温下でYSZの第1中間層を1μmの厚さに成膜
し、この上にスパッタリング法を用いてCeO2 の第2
中間層を厚さ0.5μmに形成して作成した。
Cuのモル数比が1:2:3となるようにメタノールに
溶解し、溶液濃度をY換算で0.25mol/リットル
に調整して原料溶液を作成した。
により塗布して塗布膜を形成した。このようにして得ら
れた基板上の塗布膜に対して、水蒸気を含んだ酸素雰囲
気下で低昇温速度で300℃まで加熱した後炉冷し、次
いで再度上記と同様の方法により原料溶液を基板上に塗
布して塗布膜を形成し、水蒸気を含んだ酸素雰囲気下で
低昇温速度で400℃まで加熱した後、炉冷して2層構
造のY−Ba−Cu前駆体を得た。
ては、上記の前駆体膜を水蒸気を含んだ10-3atmの
低酸素雰囲気下で25℃/minの昇温速度で加熱し、
基板温度を750℃維持して結晶化熱処理後、次いで炉
内雰囲気を乾燥ガスに切替えて10分間保持した後、炉
冷した。
して電極を形成し、酸素雰囲気中で450℃で1時間熱
処理を施して超電導膜を形成した。
が主成分であることが確認された。
よりTc値を測定した。またYBCO(102)極点図
により、c軸及びa軸配向率を測定した。Tc値、c軸
及びa軸配向率の測定結果を表1に示す。
て、原料溶液を基板上に塗布して塗布膜を形成した。こ
のようにして得られた基板上の塗布膜に対して、水蒸気
を含んだ酸素雰囲気下で低昇温速度で400℃まで加熱
した後炉冷してY−Ba−Cu前駆体を得た。次いでこ
の仮焼膜上に上記と同様の方法により原料溶液を塗布し
て塗布膜を形成した後、水蒸気を含んだ酸素雰囲気下で
低昇温速度で400℃まで加熱し、炉冷してY−Ba−
Cu前駆体を得た。このようにして得た2層構造のY−
Ba−Cu前駆体に対して以後実施例2と同様の方法に
より超電導体を形成した。
YBCOが主成分であることが確認された。 上記の超
電導膜について、実施例2と同様にしてTc値、c軸及
びa軸配向率を測定した。結果を表1に示した。
らかなように、仮焼膜を2層に形成した場合、1層目の
仮焼熱処理を300℃で行った場合を400℃で行った
場合と比較すると、1層目の仮焼熱処理を300℃で行
った場合にはTc値が向上するとともに、c軸配向率が
著しく向上していることが認められる。
層目の界面に不純物層の生成により、基板からのエピタ
キシャル成長を妨げることによるものと考えられる。こ
の不純物層の生成の要因としては、仮焼熱処理温度が高
い場合にアモルファス前駆体膜中の結晶化が進行し、結
晶化熱処理時に1層目と2層目の仮焼膜とその結晶粒が
優先的に反応し不純物が生成し易くなるものと考えられ
る。
5vol%)と結晶化熱処理時間を変えた他は、実施例
2と同様の方法により300℃で仮焼し、さらに400
℃で仮焼して晶基上に仮焼膜を2層に形成し、次いで結
晶化熱処理を施して超電導膜を形成した。この超電導膜
はX線回折の結果、YBCOが主成分であることが確認
された。
値及びIc値(電圧基準1μV/cm)を測定した。ま
た、X線回折(ロッキングカーブ)により、YBCO
(005)面に対応するピークの積分強度及び半値幅を
求めた。結果を表2に示す。
vol%)と熱処理時間を変えた他は、実施例3と同様
の方法により300℃で仮焼し、さらに400℃で仮焼
して基板上に仮焼膜を2層に形成し、次いで結晶化熱処
理を施して超電導膜を形成した。この超電導膜はX線回
折の結果、YBCOが主成分であることが確認された。
積分強度及び半値幅を実施例3と同様にして測定した。
結果を表2に示した。
明らかなように、仮焼膜を2層に形成し、水蒸気分圧を
1.05vol%と低下させて結晶化熱処理を施した場
合を水蒸気分圧を4.2vol%で結晶化熱処理を施し
た場合と比較すると、Jc値及びIc値は著しく向上す
る。この場合のロッキングカーブから、水蒸気分圧を
4.2vol%で結晶化熱処理を施した場合にはYBC
Oのc軸配向率の低下が確認された。
圧が増加するとYBCO膜の結晶の成長速度が大きくな
るため、結晶性及びc軸配向率が低下することによるも
のと考えられる。
ら明らかなように、本発明のテープ状酸化物超電導体
は、高配向性をもって中間層及び中間層上に酸化物超電
導層を成膜することができ、その結果、外部磁界に対し
て高いJc値を有することができる。
は、以上述べたように、高いc軸及びa軸配向性(面内
配向性)を有し、かつ結晶粒界における超電導特性の劣
化を防止することができるため、結晶粒界における量子
的結合に優れることにより超電導特性を向上させること
ができる。
械的強度の大きい金属基板を用いているため、超電導マ
グネットや超電導ケーブルへの使用に適したテープ状酸
化物超電導体を提供することが可能となり、また非真空
プロセスであるMOD法により超電導層を形成するた
め、仮焼膜を複数層形成して結晶化させることにより厚
膜化が可能となり、長尺線材の製造に適し、その製造コ
ストを著しく低減することができる。
である。
O(123 )層の臨界温度(Tc)に及ぼす熱処理温度の
影響の一実施例及び比較例を示すグラフである。
Z、CeO2 及びYBCOのX線回折による半値幅の測
定結果の一実施例を示すグラフである。
の外部磁界依存性の一実施例、比較例1及び2を示すグ
ラフである。
方向のJc値の変化を示すグラフである。
さ方向のJc値の変化を示すグラフである。
さ方向のJc値の変化を示すグラフである。
の断面図である。
Claims (8)
- 【請求項1】非磁性もしくは弱磁性で高強度のテープ状
金属基板上に、以下の層を順次積層したことを特徴とす
るテープ状酸化物超電導体。 イ)前記金属基板に対して斜め方向からイオンを照射し
ながら、前記金属基板上にターゲットから発生した粒子
を堆積させて形成した、高配向性を有し前記金属基板を
構成する元素の超電導層への拡散を抑制し超電導体を構
成する元素との反応を抑制する中間層及び ロ)金属有機酸塩を塗布後熱分解させて形成した酸化物
超電導層 - 【請求項2】非磁性もしくは弱磁性で高強度のテープ状
金属基板上に、以下の層を順次積層したことを特徴とす
るテープ状酸化物超電導体。 イ)前記金属基板に対して斜め方向からイオンを照射し
ながら、前記金属基板上にターゲットから発生した粒子
を堆積させて形成した、高配向性を有し前記金属基板を
構成する元素の超電導層への拡散を抑制し超電導体を構
成する元素との反応を抑制する第1中間層、 ロ)酸化物超電導体との整合性に優れた第2中間層及び ハ)金属有機酸塩を塗布後熱分解させて形成した酸化物
超電導層 - 【請求項3】中間層は、CeO2 、Y2 O3 、YS
Z、Zr2 Rx2 O7 (ここでRxは、Y、Nd、S
m、Gd、Eu,Yb、Ho、Tm、Dy、Ce、La
又はErを示す。以下同じ。)から選択されたいずれか
1種以上からなる請求項1記載のテープ状酸化物超電導
体。 - 【請求項4】第1中間層は、YSZ又はZr2 Rx2
O7 からなる請求項2記載のテープ状酸化物超電導体。 - 【請求項5】第2中間層は、CeO2 又はY2 O3 から
なる請求項2記載のテープ状酸化物超電導体。 - 【請求項6】金属有機酸塩は、トリフルオロ酢酸塩、オ
クチル酸塩、ナフテン酸塩又は酢酸塩からなる請求項1
乃至5いずれか1項記載のテープ状酸化物超電導体。 - 【請求項7】酸化物超電導層は、RE1+X Ba2-X Cu
3 OY (ここでREは、Y、Nd、Sm、Gd、Eu,
Yb又はHoから選択された1種以上を示す。以下同
じ。)からなる請求項1乃至6いずれか1項記載のテー
プ状酸化物超電導体。 - 【請求項8】非磁性もしくは弱磁性で高強度のテープ状
金属基板と、前記金属基板に対して斜め方向からイオン
を照射しながら、前記金属基板上にターゲットから発生
したYSZ又はZr2 Rx2 O7 粒子を堆積させて形成
した、高配向性を有し前記金属基板を構成する元素の超
電導層への拡散を抑制し超電導体を構成する元素との反
応を抑制する第1中間層、酸化物超電導体との整合性に
優れたCeO2 又はY 2 O3 からなる第2中間層及びF
を含む金属有機酸塩を塗布後熱分解させて形成したRE
1+XBa2-X Cu3 OY 超電導層を順次形成したことを
特徴とするテープ状酸化物超電導体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001145599A JP4713012B2 (ja) | 2000-10-31 | 2001-05-15 | テープ状酸化物超電導体 |
US09/974,972 US6610632B2 (en) | 2000-10-31 | 2001-10-12 | Tape-formed oxide superconductor |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000333843 | 2000-10-31 | ||
JP2000333843 | 2000-10-31 | ||
JP2000-333843 | 2000-10-31 | ||
JP2001145599A JP4713012B2 (ja) | 2000-10-31 | 2001-05-15 | テープ状酸化物超電導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002203439A true JP2002203439A (ja) | 2002-07-19 |
JP4713012B2 JP4713012B2 (ja) | 2011-06-29 |
Family
ID=26603226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001145599A Expired - Lifetime JP4713012B2 (ja) | 2000-10-31 | 2001-05-15 | テープ状酸化物超電導体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6610632B2 (ja) |
JP (1) | JP4713012B2 (ja) |
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JP2010123516A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Fujikura Ltd | 酸化物超電導導体用基材の製造方法と酸化物超電導導体の製造方法及び酸化物超電導導体用キャップ層の形成装置 |
JP2011113665A (ja) * | 2009-11-24 | 2011-06-09 | International Superconductivity Technology Center | 希土類系酸化物超電導線材の製造方法 |
JP2013089299A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導薄膜線材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4713012B2 (ja) | 2011-06-29 |
US6610632B2 (en) | 2003-08-26 |
US20020076567A1 (en) | 2002-06-20 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140401 Year of fee payment: 3 |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140401 Year of fee payment: 3 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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