JPWO2005085921A1 - フォトニック結晶結合欠陥導波路及びフォトニック結晶デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
下記非特許文献1には、国内外のフォトニック結晶研究の動向をまとめたもので、様々な研究機関(企業,大学,国研等)の成果を、理論的背景に始まって設計技術,具体的な製造法と材料からデバイス等の応用に至るまで比較的詳細に紹介されている。
周期構造を構成するフォトニック結晶要素を含み、特定の波長又は周波数範囲の光又は電波を含む電磁界の伝搬を抑制するためのフォトニック結晶と、
前記フォトニック結晶の周期構造を構成するフォトニック結晶要素を局所的に除去した部分である欠陥を、前記フォトニック結晶中に線として複数連結して導波路を形成した線欠陥と、電磁界を入力及び/又は出力するための入力端又は出力端とをそれぞれ有し、モード結合して、ひとつの導波路に入力された電磁界により他の導波路に電磁界が伝搬される、少なくとも2本の導波路で構成された結合導波路と
を含み、
(1)前記フォトニック結晶の誘電率、屈折率、導電率及び透磁率のいずれか若しくは複数を含む媒質定数を実質的に変化させること、(2)フォトニック結晶要素の大きさ若しくは形状を実質的に変化させること、(3)フォトニック結晶要素の周期的間隔を示す格子定数を変化させることのいずれか又は複数により、
(a)前記結合導波路の偶モードと奇モードのバンド構造を規格化周波数に対しシフトさせ、又は、(b)前記結合導波路の偶モードと奇モードのバンド構造をそれぞれ異なった度合いで変化させ、
これによりある規格化周波数における偶モードと奇モードとの伝搬定数の差を大きくして、前記結合導波路中を伝搬するモード結合した伝搬電磁波の結合長を短くするためのフォトニック結晶結合欠陥導波路が提供される。
前記フォトニック結晶結合欠陥導波路を含み、
前記結合導波路のひとつの導波路に電磁界が入力されると前記結合導波路を構成する導波路間で結合が生じ、他の導波路にも電磁界が伝搬され、いずれか又は複数の導波路から電磁界が出力されるようにした、電磁波伝送における方向性結合器、分岐器、結合器、多重化合波器、多重分離器、共振器、フィルタ及びスイッチのいずれかとして機能するためのフォトニック結晶デバイスが提供される。
「フォトニック結晶」とは、ある媒質中に、その媒質とは誘電率や導電率の異なる媒質を周期的に並べた人工材料のことであり、フォトニックバンドギャップと呼ばれる特定の周波数範囲において電磁界の伝搬を抑制するという性質を持つ。例えば、半導体の板(スラブ)に、周期構造の「要素」(フォトニック結晶要素)として例えば決まった大きさの空気孔を、決まった間隔でその板全体に設けるなら、それはその板の面方向についてフォトニックバンドギャップを実現するフォトニック結晶となる(「2次元フォトニック結晶スラブ」)。フォトニック結晶は、その中に電磁波を浸透させないように設計された周期的構造物とみなせる。その周期的な間隔は「格子定数」と呼ばれる。上述の周期構造の方向が一つの方向のみに実現されているなら「1次元フォトニック結晶」、面方向のみなら「2次元フォトニック結晶」である。立体的な周期構造ならならば「3次元フォトニック結晶」と呼ばれる。この内一次元フォトニック結晶は、多層膜とも呼ばれる。また、一般に誘電率の平方根は屈折率を表す。
フォトニック結晶中の周期構造を一部除去する(「欠陥」)ことにより、フォトニック結晶中のフォトニックバンドギャップの範囲内の周波数で振動する電磁界はその欠陥部分に局在し、その周囲のフォトニック結晶には伝搬できなくなる。
Nf= a/λ (1)
ここで、a:格子定数[m],λ:入力信号の自由空間中の波長[m]
図11に、二次元周期構造によるフォトニック結晶結合欠陥導波路の模式図を示す。また、図12に、三次元周期構造によるフォトニック結晶結合欠陥導波路の模式図を示す。これらの図は、フォトニック結晶6内にそれぞれ2次元又は3次元の複数の点欠陥1又は線欠陥2又は曲がりを含む線欠陥3を有する結合導波路の模式図である。これは、それらの内に電磁波を局在させるための点欠陥1や、電磁波を導くための導波路としての線欠陥2、3が、様々な組み合わせで近くに配置され、結合している一つのフォトニック結晶結合欠陥導波路として用いられる。ここで、結合する一組の欠陥は3つ以上であっても良い。また、線欠陥の太さは様々であって良い。
フォトニック結晶では、複数の連続的又は断続的もしくは単一の欠陥構造を一つの範囲内に作成できることから、例えば、二つの欠陥導波路を適当な距離だけ離して配置し、片方の導波路に光を含む電磁界を入射すれば、それら導波路において結合が生じ、もう片方の導波路にも電磁界が誘起される。
(1)同じフォトニック結晶中に、既に作成された処理対象光・電磁波が伝搬する欠陥導波路とは別に、制御信号としての光・電磁波が伝搬し当該媒質に至るための欠陥導波路を設ける方法
(2)既にフォトニック結晶中に作成された処理対象光・電磁波が伝搬する欠陥導波路中をその光・電磁波とは異なる周波数の光・電磁波信号として伝搬させて、当該媒質に到達させる方法
(3)制御信号用欠陥導波路を別の二次元フォトニック結晶で実現したものを、処理対象電磁波が伝搬する導波路が設けられている二次元フォトニック結晶に、ある媒質を挟んで積層し、当該媒質の位置でのみ挟まれている媒質を除く等して両者を電磁気学的に結合し得るようにする方法(特開2001−242329号公報参照)
一般に、モード結合している複数の導波路を伝搬する電磁波の結合長は、モード結合を構成する各モードの導波路方向に沿った伝搬定数(又は波数)の大きさに依存する。二つの導波路で構成される結合導波路を考えた場合、その内を伝搬する電磁波の偶モードと奇モードが干渉する方向性結合器とみなされ、その時の結合長は偶モードと奇モードの伝搬定数の差に反比例する(例えば、文献「岡本勝就:光導波路の基礎,コロナ社」の第四章(モード結合理論)を参照)。
E(z)=Ee・exp(−jβe・z)+Eo・exp(−jβo・z) (2)
ここで、βe、βo:偶(even)、奇(odd)モードの伝搬定数、z:伝搬方向の距離、Ee、Eo:偶モード、奇モードの電界振幅である。
Lc=π/(βe−βo) (3)
上式の通り、結合長は、モード結合を構成する各モード(偶,奇)の導波路方向に沿った伝搬定数(又は波数)の関数であり(依存しており)、具体的には、偶モードと奇モードの伝搬定数の差に反比例している。
Lc=π/2√(χ2+δ2) (4)
ここで、χはモード結合定数,δは結合導波路を構成する二つの導波路がそれぞれ単独で存在した場合に、各々の導波路を伝搬するモードの伝搬定数の差を取ったものである。これは上述のような、モード結合現象を、結合導波路を伝搬する偶・奇モードの干渉として解釈するものとは異なる考え方に依るものである。また、ここでのモードは、上述の偶,奇モードの事ではなく、結合導波路を構成する二つの導波路がそれぞれ単独で存在した場合の各々の導波路における伝搬モードを指す。モード結合定数(結合の度合い)は、導波路間の距離が大きい程小さいと考えるのが妥当であるため、上式(4)より、導波路間の距離が大きいほど結合長が長くなるといえる。結合導波路を構成する導波路が、二本ではなく三本以上の場合も、基本的には、二本毎に上記と同様であり、それら導波路が互いに遠くに配置されるより、近くに配置された方が、二本毎の結合長は短くなる傾向を示す。
a)入力信号の励振周波数自体を低くする(波長を長くする)。
b)フォトニック結晶要素の周期的間隔(格子定数)を小さくする。なお、この場合、厳密には、格子定数だけでなくフォトニック結晶要素の大きさも同じ割合で、フォトニック結晶構造を相似的に小さくしなくてはならない。格子定数だけ小さくして、要素の大きさを変えないと、改変前より要素が密に存在することによる実質的な媒質定数の変化の効果(後述する)の方が支配的となり、所望の結果が得られない可能性がある。
c)実質的な媒質定数(実効屈折率)の変化(減少)を利用する。
図2上段は、規格化周波数が0.274[c/a]の時の結合長を模式的に示す。この例では、完全結合長は64a(aは格子定数)である。また、図2下段に、規格化周波数が0.270[c/a]の時の結合長を模式的に示す。この例では、完全結合長は19a(aは格子定数)であり、図2上段の規格化周波数の時よりも結合長が短くなる。
階段状の結合導波路の場合には、結合導波路を構成する導波路が互いに平行となっている一部については、図22で示した様な領域の選択が可能である(例えば図23aの範囲)。また、図3〜5に示すようなフォトニック結晶結合欠陥導波路は、フォトニック結晶構造全域に渡ってスラブ厚を薄くしたり格子定数を一様に短くしたりする場合であり、特に欠陥の種類に依らず実施できる(例えば、図23bの範囲)。また、図6、7に示すような、局所的にフォトニック結晶構造を改変する場合は、例えば導波路(又は欠陥)近傍の範囲で実施できる(例えば、図23cの範囲)。
図18に、実際のフォトニック結晶の例として、空気クラッド2次元フォトニック結晶スラブ構造中に形成した、二つの単一線欠陥導波路によりなるフォトニック結晶結合欠陥導波路の構造例を示す。ここでは、一例として、結晶構造の例として六方格子結晶を挙げてある。
なお、上述のフォトニック結晶結合欠陥導波路において、スラブ面内の一部の材料が局所的に異なること、スラブの厚み方向の材料が一部異なること、又は、これらの双方の構成有してもよい。例えば、二次元Ph−C(フォトニック結晶)スラブにおいて、「面内」の一部の材料が局所的に異なる場合のみならず、スラブの「厚み方向」についても材料が一部異なる(一例として、違う材料による板の貼り合わせをイメージ)ようにしてもよい。
なお、上述のスラブの厚さを他の部分と異なるものにしたフォトニック結晶結合欠陥導波路において、スラブ厚を変えた部分は、その媒質定数が「実質的に」変化するのと等価である。スラブが薄くなるという事は、例えば削ぎ落とされた部分が空気で置き換わるという事であり、その分だけ全体の媒質定数は薄められる(小さくなる)。また、特に、異なるスラブ厚を有する部分同士が、スラブ厚が漸次変化する又は連続的に変化する部分によって繋がっていてもよい。
例2:LiNbO3媒質に直流電界を印加すると、媒質定数が変化する。LiNbO3は、電気光学効果を有する代表的な媒質の一つである。
例3:組成を変えた複数の化合物半導体から成る構造に直流電界を印加して電流を注入すると、媒質定数が変化する。例えば、GaAsやInPなどの化合物半導体を少しずつ組成を変えて積層構造にし、その構造に、積層面に垂直に直流電界を印加すると、構造の媒質定数が変化する。これは、例えばキャリア効果によるものである。
例4:GaAs媒質に励起光を当てると、媒質定数が変化する。
例5:量子ドットを含むGaAs媒質に光パルスを流すと、平均的な媒質定数が変化する。
上述のフォトニック結晶結合欠陥導波路において、結合導波路の一部又は全部を含むフォトニック結晶の一部に、そのフォトニック結晶要素とは異なる大きさ及び/又は形状の要素を付加して他の部分と異なるものとしてもよい。
また、上述のフォトニック結晶結合欠陥導波路において、スラブの厚さを、ステップ状又は階段状に変えることができる。
Claims (29)
- 周期構造を構成するフォトニック結晶要素を含み、特定の波長又は周波数範囲の光又は電波を含む電磁界の伝搬を抑制するためのフォトニック結晶と、
前記フォトニック結晶の周期構造を構成するフォトニック結晶要素を局所的に除去した部分である欠陥を、前記フォトニック結晶中に線として複数連結して導波路を形成した線欠陥と、電磁界を入力及び/又は出力するための入力端又は出力端とをそれぞれ有し、モード結合して、ひとつの導波路に入力された電磁界により他の導波路に電磁界が伝搬される、少なくとも2本の導波路で構成された結合導波路と
を含み、
(1)前記フォトニック結晶の誘電率、屈折率、導電率及び透磁率のいずれか若しくは複数を含む媒質定数を実質的に変化させること、(2)フォトニック結晶要素の大きさ若しくは形状を実質的に変化させること、(3)フォトニック結晶要素の周期的間隔を示す格子定数を変化させることのいずれか又は複数により、
(a)前記結合導波路の偶モードと奇モードのバンド構造を規格化周波数に対しシフトさせ、又は、(b)前記結合導波路の偶モードと奇モードのバンド構造をそれぞれ異なった度合いで変化させ、
これによりある規格化周波数における偶モードと奇モードとの伝搬定数の差を大きくして、前記結合導波路中を伝搬するモード結合した伝搬電磁波の結合長を短くするためのフォトニック結晶結合欠陥導波路。 - 前記結合導波路の一部又は全部を含む前記フォトニック結晶の一部は、材料が他の部分の材料とは異なるものとした請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路。
- 前記結合導波路の一部又は全部を含む前記フォトニック結晶の一部は、格子定数、フォトニック結晶要素の大きさ、及び、フォトニック結晶要素の形状のいずれか又は複数を他の部分と異なるものとした請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路。
- 前記結合導波路の一部又は全部を含む前記フォトニック結晶の一部は、他の部分に対してフォトニック結晶要素の形状は変化させず、かつ、格子定数及びフォトニック結晶要素の大きさを他の部分に比べて相似的に同じ割合で変化させた請求項3に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路。
- 前記フォトニック結晶は、スラブの面方向にフォトニック結晶要素を含む2次元フォトニック結晶であり、
前記結合導波路の一部又は全部を含む前記2次元フォトニック結晶の一部は、スラブの厚さを他の部分と異なるものとした請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路。 - 前記結合導波路に隣接するフォトニック結晶要素及び/又は前記結合導波路の近傍若しくは導波路間のフォトニック結晶要素について、格子定数、フォトニック結晶要素の大きさ、及び、フォトニック結晶要素の形状のいずれか又は複数を局所的に他の部分と異なるものとした請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路。
- 前記結合導波路に隣接するフォトニック結晶要素及び/又は前記結合導波路の近傍若しくは導波路間のフォトニック結晶要素に、そのフォトニック結晶要素とは異なる大きさ及び/又は形状の要素を付加した請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路。
- 前記結合導波路の前記線欠陥又は導波路に隣接するフォトニック結晶要素の位置を、前記線欠陥又は導波路の幅が変化しない又は殆ど変化しないようにずらし、かつ、前記線欠陥又は導波路に隣接する又は近傍若しくは導波路間の格子定数、フォトニック結晶要素の大きさ、及び、フォトニック結晶要素の形状のいずれか又は複数を他の部分と異なるものとした請求項3又は4又は6に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路。
- 前記結合導波路を構成する導波路のいずれか又は複数は不連続な欠陥列を含み、遅延線として機能する請求項1乃至8のいずれかに記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路。
- 外部から印加される光若しくは電波を含む電磁界及び/又は電界及び/又は磁界による制御信号により、前記フォトニック結晶の実効的な誘電率、導電率及び透磁率のいずれか又は複数を可変とするための領域をさらに含み、
電磁波の伝搬定数及び/又は結合の程度を制御し得るようにした請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路。 - 前記フォトニック結晶の欠陥の周辺又は内部の一部又は全部に、量子ドットの形成又はイオンのドープにより実現された非線形媒質領域をさらに含み、
前記非線形媒質領域に光若しくは電波を含む電磁界及び/又は電界及び/又は磁界を印加する事で媒質の実効的な誘電率、導電率及び透磁率のいずれか又は複数を可変とし得るようにした請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路。 - 前記フォトニック結晶は、2次元フォトニック結晶スラブ構造を有し、
前記結合導波路は、互いに近い位置に又は所定距離離れて、かつ、平行に配置された二本の単一線欠陥で実現された請求項1乃至11のいずれかに記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路。 - 前記入力端及び/又は前記出力端には、導波管、同軸ケーブル、光ファイバ、高屈折率差導波路及びフォトニック結晶欠陥導波路のいずれかによって構成された、電磁波を入力及び/又は出力するための入力ポート及び/又は出力ポートが設けられ、外部系との結合を可能にされた請求項1乃至12のいずれかに記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路。
- 請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路において、
(1)前記フォトニック結晶の誘電率、屈折率、導電率及び透磁率のいずれか若しくは複数を含む媒質定数を実質的に変化させることにより、
(a)前記結合導波路の偶モードと奇モードのバンド構造を規格化周波数に対しシフトさせること
を特徴とするフォトニック結晶結合欠陥導波路。 - 請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路において、
(2)フォトニック結晶要素の大きさ若しくは形状を実質的に変化させることにより、
(a)前記結合導波路の偶モードと奇モードのバンド構造を規格化周波数に対しシフトさせること
を特徴とするフォトニック結晶結合欠陥導波路。 - 請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路において、
(3)フォトニック結晶要素の周期的間隔を示す格子定数を変化させることにより、
(a)前記結合導波路の偶モードと奇モードのバンド構造を規格化周波数に対しシフトさせること
を特徴とするフォトニック結晶結合欠陥導波路。 - 請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路において、
(1)前記フォトニック結晶の誘電率、屈折率、導電率及び透磁率のいずれか若しくは複数を含む媒質定数を実質的に変化させることにより、
(b)前記結合導波路の偶モードと奇モードのバンド構造をそれぞれ異なった度合いで変化させること
を特徴とするフォトニック結晶結合欠陥導波路。 - 請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路において、
(2)フォトニック結晶要素の大きさ若しくは形状を実質的に変化させることにより、
(b)前記結合導波路の偶モードと奇モードのバンド構造をそれぞれ異なった度合いで変化させること
を特徴とするフォトニック結晶結合欠陥導波路。 - 請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路において、
(3)フォトニック結晶要素の周期的間隔を示す格子定数を変化させることにより、
(b)前記結合導波路の偶モードと奇モードのバンド構造をそれぞれ異なった度合いで変化させること
を特徴とするフォトニック結晶結合欠陥導波路。 - 請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路において、
スラブ面内の一部の材料が局所的に異なること、及び、スラブの厚み方向の材料が一部異なることのいずれか又は双方を特徴とするフォトニック結晶結合欠陥導波路。 - 請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路において、
互いに異なる材料又は媒質定数である部分同士が、材料又は媒質定数が漸次変化する又は連続的に変化する部分によって繋がっていることを特徴とするフォトニック結晶結合欠陥導波路。 - 請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路において、
異なるスラブ厚を有する部分同士が、スラブ厚が漸次変化する又は連続的に変化する部分によって繋がっていることを特徴とするフォトニック結晶結合欠陥導波路。 - 請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路において、
フォトニック結晶要素の大きさと格子定数とを同じ割合で変化させることを特徴とするフォトニック結晶結合欠陥導波路。 - 前記結合導波路の一部又は全部を含む前記フォトニック結晶の一部に、そのフォトニック結晶要素とは異なる大きさ及び/又は形状の要素を付加して他の部分と異なるものとした請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路。
- 前記結合導波路の前記線欠陥又は導波路に隣接する又は近傍若しくは導波路間のフォトニック結晶において、格子定数、フォトニック結晶要素の大きさ、及び、フォトニック結晶要素の形状のいずれか又は複数を他の部分と異なるものとし、前記線欠陥又は導波路の幅を局所的に変化させた請求項3又は4又は6に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路。
- 前記結合導波路の前記線欠陥又は導波路に隣接する又は近傍若しくは導波路間のフォトニック結晶において、格子定数、フォトニック結晶要素の大きさ、及び、フォトニック結晶要素の形状のいずれか又は複数を他の部分と異なるものとし、かつ、前記線欠陥又は導波路の幅が変化しない又は殆ど変化しない様にフォトニック結晶要素の位置を局所的にずらした請求項3又は4又は6に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路。
- スラブの厚さを、ステップ状又は階段状に変えることを特徴とする請求項5に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路。
- 外部から印加される熱により、前記フォトニック結晶の実効的な誘電率、導電率及び透磁率のいずれか又は複数を可変とするための領域をさらに含み、
電磁波の伝搬定数及び/又は結合の程度を制御し得るようにした請求項1に記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路。 - 前記請求項1乃至28のいずれかに記載のフォトニック結晶結合欠陥導波路を含み、
前記結合導波路のひとつの導波路に電磁界が入力されると前記結合導波路を構成する導波路間で結合が生じ、他の導波路にも電磁界が伝搬され、いずれか又は複数の導波路から電磁界が出力されるようにした、電磁波伝送における方向性結合器、分岐器、結合器、多重化合波器、多重分離器、共振器、フィルタ及びスイッチのいずれかとして機能するためのフォトニック結晶デバイス。
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