JPWO2004105113A1 - Cmp研磨用研磨体、cmp研磨装置、cmp研磨方法、及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
ウエハ外周面が過剰に研磨されることを防止できるCMP研磨方法に用いるのに好適なCMP研磨用研磨体であって、このCMP研磨用研磨体は、研磨パッド、硬質弾性部材、軟質弾性部材をこの順に張り合わせて形成され、前記軟質弾性部材の厚さが、前記研磨パッドの厚さの1/2以下とされている。
Description
本発明は、CMP研磨用研磨体、CMP研磨装置、及びSi基板表面に形成されたSiO2の表面を、CMP研磨により研磨することにより平坦化する方法、及びこの方法を用いた半導体デバイスの製造方法に関するものである。
半導体集積回路の高集積化、微細化に伴って半導体製造プロセスの工程が増加し、複雑となってきている。これに伴い、半導体デバイスの表面状態が必ずしも平坦ではなくなってきている。表面における段差の存在は配線の段切れ、局所的な抵抗値の増大などを招き、断線や電流容量の低下等をもたらす。又、絶縁膜では耐圧劣化やリークの発生にもつながる。
一方、半導体集積回路の高集積化、微細化に伴って光リソグラフィの光源波長は短くなり、開口数いわゆるNAが大きくなってきていることに伴い、半導体露光装置の焦点深度が実質的に浅くなってきている。焦点深度が浅くなることに対応するためには、今まで以上にデバイス表面の平坦化が要求される。
具体的に示すと、半導体製造プロセスにおいては、図6に示すような平坦化技術が必須になってきている。図6は、半導体製造プロセスにおける平坦化技術の概念図であり、半導体デバイスの断面図である。図6において、11はシリコンウェハ、12はSiO2からなる層間絶縁膜、13はAlからなる金属膜、14は半導体デバイスである。
図6(a)は半導体デバイスの表面の層間絶縁膜12を平坦化する例である。図6(b)は半導体デバイスの表面の金属膜13を研磨し、いわゆるダマシン(damascene)を形成する例である。このような半導体デバイスの表面を平坦化する方法としては、化学的機械的研磨(Chemical Mechanical PolishingまたはChemical Mechanical Planarization、以下ではCMPと称す)技術が広く行われている。現在、CMP技術はシリコンウェハの全面を平坦化できる唯一の方法である。
CMPはシリコンウェハの鏡面研磨法を基に発展しており、図7に示すようなCMP装置を用いて行われている。15は研磨対象物であるウエハ16を保持しながら回転を与えるヘッド部であり回転駆動機構17を有している。このヘッド部15に対面して研磨パッド18が貼り付けられた回転プラテン19及びその回転駆動機構20があり、これら研磨パッド18、回転プラテン19、回転駆動機構20は、回転式揺動アーム21により揺動を与えられると共に、上下方向に駆動される。なお、実際には、研磨パッド18と他の部材が組み合わされて、図7に示す研磨パッド18の代わりに用いられることがあり、このようなものを、本明細書及び請求の範囲では「研磨体」と称している。
このようなCMP研磨装置を使用して研磨を行う際には、ウエハ16及び研磨パッド18を高速回転させ、回転式揺動アーム21を図示されていない上下駆動機構により下降させて、研磨パッド18によりウエハ16を加圧する。そして、研磨パッド18とウエハ16間に研磨剤であるスラリーを供給する。さらに、回転式揺動アーム21を、図示されていない揺動駆動機構により破線矢印で示す如く揺動する。すると、研磨パッド18とウエハ16の相対回転及び揺動により、ウエハ16の研磨が行われ、表面が平坦化される。すなわち、研磨パッド18とウエハ16の相対運動による機械的研磨と、スラリーによる化学的研磨の相乗作用により、良好な研磨が行われる。
ところで、ブランク状態のウエハと異なり、内部に半導体集積回路が形成されたウエハの表面は、平坦ではなく、とくにチップが形成されている部分と形成されていない部分では段差があるのが普通である。よって、このようなウエハを研磨する場合には、回路形成に伴って必然的に生じる大きな周期の凹凸(うねり)に倣って、すなわち凹凸(うねり)に沿って一様に研磨(これを、「ウェハ・グローバル・リムーバル均一性」と呼んでいる)を行いながら、局所的な凹凸を無くする(これを、「ローカル・パターン平坦性」と呼んでいる)ことが求められている。
このような「ウェハ・グローバル・リムーバル均一性」と「ローカル・パターン平坦性」の両者を満足させる研磨体として、研磨パッドと、硬質弾性部材と、軟質部材をこの順に積層して構成されたものが知られている(国際公開WO03/009362号公報)。このような研磨体においては、研磨パッドと軟質部材の間に硬質弾性部材が挟み込まれているので、その作用により「ウェハ・グローバル・リムーバル均一性」と「ローカル・パターン平坦性」の両者を満足させることができる。
上述のように、研磨パッドと、硬質弾性部材と、軟質部材をこの順に積層して構成された3層構造を有する研磨体を使用すれば、ウエハの、回路パターンが形成された有効エリアを平坦に研磨することができる。この有効エリアは、ウエハの外周から3mmより内側の部分とされている。すなわち、外周から3mm以内の部分には回路パターンが形成されておらず、この部分を平坦に研磨する必要はない。
しかしながら、従来知られている研磨方法を用いた場合、この外周部分においては、その内側の部分より研磨レートが大きくなるため、SiO2部分が完全に研磨されて無くなってしまい、その下層に存在するSiがむき出しになるという問題点がある。Siがむき出しになると、ゴミ等が付着しやすくなり、付着したゴミ等が研磨面に入って研磨面を汚染したり、傷つけたりする等の問題点が発生する。
このため、従来技術においては、ウエハの外周を囲むようにリテーナリングを配置し、ウエハ外周面をリテーナリングで保護することにより、ウエハ外周面が過剰に研磨されるのを防止していた。しかしながら、このようなリテーナリングは消耗品であり、その分コストがかかるのみならず、リテーナリングの高さ調整が困難であるという問題点があった。
一方、半導体集積回路の高集積化、微細化に伴って光リソグラフィの光源波長は短くなり、開口数いわゆるNAが大きくなってきていることに伴い、半導体露光装置の焦点深度が実質的に浅くなってきている。焦点深度が浅くなることに対応するためには、今まで以上にデバイス表面の平坦化が要求される。
具体的に示すと、半導体製造プロセスにおいては、図6に示すような平坦化技術が必須になってきている。図6は、半導体製造プロセスにおける平坦化技術の概念図であり、半導体デバイスの断面図である。図6において、11はシリコンウェハ、12はSiO2からなる層間絶縁膜、13はAlからなる金属膜、14は半導体デバイスである。
図6(a)は半導体デバイスの表面の層間絶縁膜12を平坦化する例である。図6(b)は半導体デバイスの表面の金属膜13を研磨し、いわゆるダマシン(damascene)を形成する例である。このような半導体デバイスの表面を平坦化する方法としては、化学的機械的研磨(Chemical Mechanical PolishingまたはChemical Mechanical Planarization、以下ではCMPと称す)技術が広く行われている。現在、CMP技術はシリコンウェハの全面を平坦化できる唯一の方法である。
CMPはシリコンウェハの鏡面研磨法を基に発展しており、図7に示すようなCMP装置を用いて行われている。15は研磨対象物であるウエハ16を保持しながら回転を与えるヘッド部であり回転駆動機構17を有している。このヘッド部15に対面して研磨パッド18が貼り付けられた回転プラテン19及びその回転駆動機構20があり、これら研磨パッド18、回転プラテン19、回転駆動機構20は、回転式揺動アーム21により揺動を与えられると共に、上下方向に駆動される。なお、実際には、研磨パッド18と他の部材が組み合わされて、図7に示す研磨パッド18の代わりに用いられることがあり、このようなものを、本明細書及び請求の範囲では「研磨体」と称している。
このようなCMP研磨装置を使用して研磨を行う際には、ウエハ16及び研磨パッド18を高速回転させ、回転式揺動アーム21を図示されていない上下駆動機構により下降させて、研磨パッド18によりウエハ16を加圧する。そして、研磨パッド18とウエハ16間に研磨剤であるスラリーを供給する。さらに、回転式揺動アーム21を、図示されていない揺動駆動機構により破線矢印で示す如く揺動する。すると、研磨パッド18とウエハ16の相対回転及び揺動により、ウエハ16の研磨が行われ、表面が平坦化される。すなわち、研磨パッド18とウエハ16の相対運動による機械的研磨と、スラリーによる化学的研磨の相乗作用により、良好な研磨が行われる。
ところで、ブランク状態のウエハと異なり、内部に半導体集積回路が形成されたウエハの表面は、平坦ではなく、とくにチップが形成されている部分と形成されていない部分では段差があるのが普通である。よって、このようなウエハを研磨する場合には、回路形成に伴って必然的に生じる大きな周期の凹凸(うねり)に倣って、すなわち凹凸(うねり)に沿って一様に研磨(これを、「ウェハ・グローバル・リムーバル均一性」と呼んでいる)を行いながら、局所的な凹凸を無くする(これを、「ローカル・パターン平坦性」と呼んでいる)ことが求められている。
このような「ウェハ・グローバル・リムーバル均一性」と「ローカル・パターン平坦性」の両者を満足させる研磨体として、研磨パッドと、硬質弾性部材と、軟質部材をこの順に積層して構成されたものが知られている(国際公開WO03/009362号公報)。このような研磨体においては、研磨パッドと軟質部材の間に硬質弾性部材が挟み込まれているので、その作用により「ウェハ・グローバル・リムーバル均一性」と「ローカル・パターン平坦性」の両者を満足させることができる。
上述のように、研磨パッドと、硬質弾性部材と、軟質部材をこの順に積層して構成された3層構造を有する研磨体を使用すれば、ウエハの、回路パターンが形成された有効エリアを平坦に研磨することができる。この有効エリアは、ウエハの外周から3mmより内側の部分とされている。すなわち、外周から3mm以内の部分には回路パターンが形成されておらず、この部分を平坦に研磨する必要はない。
しかしながら、従来知られている研磨方法を用いた場合、この外周部分においては、その内側の部分より研磨レートが大きくなるため、SiO2部分が完全に研磨されて無くなってしまい、その下層に存在するSiがむき出しになるという問題点がある。Siがむき出しになると、ゴミ等が付着しやすくなり、付着したゴミ等が研磨面に入って研磨面を汚染したり、傷つけたりする等の問題点が発生する。
このため、従来技術においては、ウエハの外周を囲むようにリテーナリングを配置し、ウエハ外周面をリテーナリングで保護することにより、ウエハ外周面が過剰に研磨されるのを防止していた。しかしながら、このようなリテーナリングは消耗品であり、その分コストがかかるのみならず、リテーナリングの高さ調整が困難であるという問題点があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、リテーナリングを用いる等の特別な方法をとらなくても、ウエハ外周面が過剰に研磨されることを防止できるCMP研磨方法、このCMP研磨方法に用いるのに好適なCMP研磨用研磨体、CMP研磨装置、及びこのCMP研磨方法を使用した半導体デバイスの製造方法を提供することを課題とする。
前記目的を達成するための第1の発明は、研磨パッド、硬質弾性部材、軟質弾性部材をこの順に張り合わせて形成され、前記軟質弾性部材の厚さが、前記研磨パッドの厚さの1/2以下とされていることを特徴とするCMP研磨用研磨体である。
前記目的を達成するための第2の発明は、前記第1の発明であって、前記軟質弾性部材の厚さが、0.2mm≦T≦0.5mmであることを特徴とするものである。
前記目的を達成するための第3の発明は、研磨パッド、硬質弾性部材、軟質弾性部材をこの順に張り合わせて形成され、前記軟質弾性部材の厚さが、0.2mm≦T≦0.5mmであることを特徴とするCMP研磨用研磨体である。
前記目的を達成するための第4の発明は、基板を研磨体に接触させながら相対移動させることにより研磨を行うCMP研磨装置であって、前記研磨体として、前記第1の発明から第3の発明のうちいずれかのCMP研磨用研磨体を用いていることを特徴とするCMP研磨装置である。
前記目的を達成するための第5の発明は、Si基板表面に形成されたSiO2の表面を、CMP研磨により研磨することにより平坦化する方法であって、前記第1の発明から第3の発明のうちいずれかのCMP研磨用研磨体を使用して研磨を行うことを特徴とするCMP研磨方法である。
前記目的を達成するための第6の発明は、前記第5の発明であるCMP研磨方法によりウエハを研磨する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。
前記目的を達成するための第7の発明は、Si基板表面に形成されたSiO2の表面を、CMP研磨により研磨することにより平坦化する方法であって、研磨圧力を1psi以下として研磨を行うことを特徴とするCMP研磨方法である。
前記目的を達成するための第8の発明は、前記第7の発明であって、前記CMP研磨に用いられる研磨体が、研磨パッドと、硬質弾性部材と、軟質弾性部材をこの順に積層してなる3層構造を有することを特徴とするものである。
前記目的を達成するための第9の発明は、前記第7の発明又は第8の発明のCMP研磨方法によりウエハを研磨する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。
前記目的を達成するための第1の発明は、研磨パッド、硬質弾性部材、軟質弾性部材をこの順に張り合わせて形成され、前記軟質弾性部材の厚さが、前記研磨パッドの厚さの1/2以下とされていることを特徴とするCMP研磨用研磨体である。
前記目的を達成するための第2の発明は、前記第1の発明であって、前記軟質弾性部材の厚さが、0.2mm≦T≦0.5mmであることを特徴とするものである。
前記目的を達成するための第3の発明は、研磨パッド、硬質弾性部材、軟質弾性部材をこの順に張り合わせて形成され、前記軟質弾性部材の厚さが、0.2mm≦T≦0.5mmであることを特徴とするCMP研磨用研磨体である。
前記目的を達成するための第4の発明は、基板を研磨体に接触させながら相対移動させることにより研磨を行うCMP研磨装置であって、前記研磨体として、前記第1の発明から第3の発明のうちいずれかのCMP研磨用研磨体を用いていることを特徴とするCMP研磨装置である。
前記目的を達成するための第5の発明は、Si基板表面に形成されたSiO2の表面を、CMP研磨により研磨することにより平坦化する方法であって、前記第1の発明から第3の発明のうちいずれかのCMP研磨用研磨体を使用して研磨を行うことを特徴とするCMP研磨方法である。
前記目的を達成するための第6の発明は、前記第5の発明であるCMP研磨方法によりウエハを研磨する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。
前記目的を達成するための第7の発明は、Si基板表面に形成されたSiO2の表面を、CMP研磨により研磨することにより平坦化する方法であって、研磨圧力を1psi以下として研磨を行うことを特徴とするCMP研磨方法である。
前記目的を達成するための第8の発明は、前記第7の発明であって、前記CMP研磨に用いられる研磨体が、研磨パッドと、硬質弾性部材と、軟質弾性部材をこの順に積層してなる3層構造を有することを特徴とするものである。
前記目的を達成するための第9の発明は、前記第7の発明又は第8の発明のCMP研磨方法によりウエハを研磨する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。
図1は、3層構造を有する研磨体の概要を示す図である。
図2は、発泡ポリウレタンの厚さ(mm)をパラメータにした、ウエハ上の各位置における研磨レートを示す図である。
図3は、研磨圧力(研磨体をウエハに押し付ける圧力)をパラメータにした、ウエハ上の各位置における研磨レートを示す図である。
図4は、研磨圧力と定常部での研磨レートとの関係を示す図である。
図5は本発明の実施の形態の一例である半導体デバイス製造プロセスを示すフローチャートである。
図6は、半導体製造プロセスにおける平坦化技術の概念図である。
図7は、CMP研磨に使用されるCMP装置の概要を示す図である。
図2は、発泡ポリウレタンの厚さ(mm)をパラメータにした、ウエハ上の各位置における研磨レートを示す図である。
図3は、研磨圧力(研磨体をウエハに押し付ける圧力)をパラメータにした、ウエハ上の各位置における研磨レートを示す図である。
図4は、研磨圧力と定常部での研磨レートとの関係を示す図である。
図5は本発明の実施の形態の一例である半導体デバイス製造プロセスを示すフローチャートである。
図6は、半導体製造プロセスにおける平坦化技術の概念図である。
図7は、CMP研磨に使用されるCMP装置の概要を示す図である。
以下、本発明の実施例について、図を参照しながら説明する。
株式会社ニコン社製CMP研磨装置(商品名NPS3301(NPSは登録商標))を使用し、8インチウエハ上に形成されたSiO2膜を研磨する際に、ウエハのエッジ部とその内側の部分における研磨レートがどの程度違うかを調査した。研磨体としては、図1に示すように、厚さ1.25mmのローデル社製研磨パッドIC1000(商品名)に厚さ0.2mmのSUS板を貼り合わせ、さらにその上に厚さ0.20mm、0.5mm、1.25mmの発泡ポリウレタンを貼り合わせて、前記SUS板をサンドイッチ状にしたものを使用した。なお、この研磨体は、外径が170mmであり、中央部に直径60mmの穴が形成されたドーナツ状の研磨体である。
研磨体の回転数を301rpm、ウエハの回転数を−101rpm(研磨体と逆回転)とした。又、研磨体の揺動開始位置は、ウエハの回転中心から22mmの位置とし、揺動ストロークは45mm、揺動速度は40mm/secとした。スラリーは、キャボット社製のSS25(商品名)を使用し、100ml/minの割合で供給した。研磨圧力(研磨体をウエハに押し付ける圧力)は2.0psiとした。
図2に、発泡ポリウレタンの厚さをパラメータにした、ウエハ上の各位置における研磨レートを示す。図2において、横軸はウエハ上の位置(ウエハ中心からの距離[mm])であり、縦軸はSiO2の研磨レート(A(オグストローム)/min)である。
図2から分かるように、発泡ポリウレタンの厚さが研磨パッドIC1000の厚さと等しい1.25mmの場合には、ウエハの外周から3mmまでの位置における研磨レートが急激に増加している。これにより、前述のように、SiO2が完全に無くなってしまい、Siが露出するという問題が発生する。
しかし、発泡ポリウレタンの厚さが0.5mmとなると、ウエハの外周から3mmまでの位置における研磨レートが低下し始め、発泡ポリウレタンの厚さが0.2mmよりさらに薄くなると、逆にウエハエッジ部での研磨レートはその内側に比べて低下する傾向が見られる。ウエハエッジ部で研磨レートが低下しても、その部分にはパターンが形成されていないので問題がない。
図2に示される傾向から、軟質弾性部材である発泡ポリウレタンの厚さが研磨パッドの厚さの1/2以下となれば、ウエハの外周から3mmまでの位置における急激な研磨レートの増加は見られなくなると推定できる。
また、軟質弾性部材である発泡ポリウレタンの厚さが0.5mm以下となれば、ウエハの外周から3mmまでの位置における急激な研磨レートの増加は見られなくなると推定できる。
以上のことより、Si基板表面に形成されたSiO2の表面を、CMP研磨により研磨することにより平坦化する際に、研磨パッド、硬質弾性部材、軟質弾性部材をこの順に張り合わせて形成される研磨体であって、前記軟質弾性部材の厚さが、前記研磨パッドの厚さの1/2以下とされている研磨体、又は軟質弾性部材である発泡ポリウレタンの厚さが0.5mm以下である研磨体を使用して研磨を行えば、ウエハエッジ部での研磨レートの増加に起因してSiが露出するという問題を解消でき、かつ、ウエハ面内の研磨レートに影響を与えないことが分かった。
研磨体の回転数を301rpm、ウエハの回転数を−101rpm(研磨体と逆回転)とした。又、研磨体の揺動開始位置は、ウエハの回転中心から22mmの位置とし、揺動ストロークは45mm、揺動速度は40mm/secとした。スラリーは、キャボット社製のSS25(商品名)を使用し、100ml/minの割合で供給した。研磨圧力(研磨体をウエハに押し付ける圧力)は2.0psiとした。
図2に、発泡ポリウレタンの厚さをパラメータにした、ウエハ上の各位置における研磨レートを示す。図2において、横軸はウエハ上の位置(ウエハ中心からの距離[mm])であり、縦軸はSiO2の研磨レート(A(オグストローム)/min)である。
図2から分かるように、発泡ポリウレタンの厚さが研磨パッドIC1000の厚さと等しい1.25mmの場合には、ウエハの外周から3mmまでの位置における研磨レートが急激に増加している。これにより、前述のように、SiO2が完全に無くなってしまい、Siが露出するという問題が発生する。
しかし、発泡ポリウレタンの厚さが0.5mmとなると、ウエハの外周から3mmまでの位置における研磨レートが低下し始め、発泡ポリウレタンの厚さが0.2mmよりさらに薄くなると、逆にウエハエッジ部での研磨レートはその内側に比べて低下する傾向が見られる。ウエハエッジ部で研磨レートが低下しても、その部分にはパターンが形成されていないので問題がない。
図2に示される傾向から、軟質弾性部材である発泡ポリウレタンの厚さが研磨パッドの厚さの1/2以下となれば、ウエハの外周から3mmまでの位置における急激な研磨レートの増加は見られなくなると推定できる。
また、軟質弾性部材である発泡ポリウレタンの厚さが0.5mm以下となれば、ウエハの外周から3mmまでの位置における急激な研磨レートの増加は見られなくなると推定できる。
以上のことより、Si基板表面に形成されたSiO2の表面を、CMP研磨により研磨することにより平坦化する際に、研磨パッド、硬質弾性部材、軟質弾性部材をこの順に張り合わせて形成される研磨体であって、前記軟質弾性部材の厚さが、前記研磨パッドの厚さの1/2以下とされている研磨体、又は軟質弾性部材である発泡ポリウレタンの厚さが0.5mm以下である研磨体を使用して研磨を行えば、ウエハエッジ部での研磨レートの増加に起因してSiが露出するという問題を解消でき、かつ、ウエハ面内の研磨レートに影響を与えないことが分かった。
株式会社ニコン社製CMP研磨装置(商品名NPS3301(NPSは登録商標))を使用し、12インチウエハ上に形成されたSiO2膜を研磨する際に、ウエハのエッジ部とその内側の部分における研磨レートがどの程度違うかを調査した。研磨体としては、厚さ1.25mmのローデル社製研磨パッドIC1000(商品名)に厚さ0.2mmのSUS板を貼り合わせ、さらにその上に厚さ1.25mmの発泡ポリウレタンを貼り合わせて、前記SUS板をサンドイッチ状にしたものを使用した。なお、この研磨体は、外径が266mmであり、中央部に直径84mmの穴が形成されたドーナツ状の研磨体である。なお、研磨時にはリテーナリングを使用していない。
研磨体の回転数を181rpm、ウエハの回転数を−201rpm(研磨体と逆回転)とした。又、研磨体の揺動開始位置は、ウエハの回転中心から27.5mmの位置とし、揺動ストロークは85mm、揺動速度は40mm/secとした。スラリーは、キャボット社製のSS25(商品名)を使用し、150ml/minの流量で供給した。
図3に、研磨圧力(研磨体をウエハに押し付ける圧力)をパラメータにした、ウエハ上の各位置における研磨レートを示す。図3において、横軸はウエハ上の位置(ウエハ中心からの距離[mm])であり、縦軸はSiO2の研磨レート(A(オグストローム)/min)である。
図3から分かるように、研磨圧力が2psi、3psiのときには、ウエハの外周から3mmまでの位置における研磨レートが急激に増加している。これにより、前述のように、SiO2が完全に無くなってしまい、Siが露出するという問題が発生する。
しかし、研磨圧力を1psiまで低下させると、ウエハエッジ部での急激な研磨レートの増加は見られなくなり、研磨圧力が0.5psi、0.1psiとさらに低下すると、逆にウエハエッジ部での研磨レートはその内側に比べて低下する傾向が見られる。ウエハエッジ部で研磨レートが低下しても、その部分にはパターンが形成されていないので問題がない。
しかしながら、研磨圧力を低下させると、定常部での研磨レートが低下し、実用に耐えなくなる恐れがある。よって、研磨圧力と定常部での研磨レートとの関係を、前述の条件と同じ条件の下で調査した。その結果を図4に示す。図4において横軸は研磨圧力(psi)であり、縦軸はSiO2の平均研磨レート(A(オグストローム)/min)である。図2に示すように、0.1psi〜3.0psiの間では、研磨レートはほぼ直線的に低下するが、研磨レートと研磨圧力との関係は、一般にPrestonの式として知られている比例関係とは異なり、0.1psiの場合でも、ウエハと研磨体の高速回転(平均相対速度3.0[m/sec])のため、1000[A/min]を超えていることが分かる。これは十分に実用に耐える研磨レートである。
以上のことより、Si基板表面に形成されたSiO2の表面を、CMP研磨により研磨することにより平坦化する際に、研磨圧力を1psi以下として研磨を行えば、ウエハエッジ部での研磨レートの増加により、Siが露出するという問題を解消でき、かつ、十分に実用に耐える研磨レートが得られることが分かった。
(発明の実施の形態)
図5は、本発明の実施の形態の一例である半導体デバイス製造プロセスを示すフローチャートである。半導体デバイス製造プロセスをスタートして、まずステップS100で、次に挙げるステップS101〜S104の中から適切な処理工程を選択する。選択に従って、ステップS101〜S104のいずれかに進む。
ステップS101はシリコンウェハの表面を酸化させる酸化工程である。ステップS102はCVD等によりシリコンウェハ表面に絶縁膜を形成するCVD工程である。ステップS103はシリコンウェハ上に電極を蒸着等の工程で形成する電極形成工程である。ステップ104はシリコンウェハにイオンを打ち込むイオン打ち込み工程である。
CVD工程もしくは電極形成工程の後で、ステップS105に進む。ステップS105でCMP工程を実施するかどうか判断し、実施する場合はS106のCMP工程に進む。CMP工程を行わない場合は、S106をバイパスする。CMP工程では本発明に係る研磨装置により、層間絶縁膜の平坦化や、半導体デバイスの表面の金属膜の研磨によるダマシン(damascene)の形成等が行われる。
CMP工程もしくは酸化工程の後でステップS107に進む。ステップS107はフォトリソ工程である。フォトリソ工程では、シリコンウェハへのレジストの塗布、露光装置を用いた露光によるシリコンウェハへの回路パターンの焼き付け、露光したシリコンウェハの現像が行われる。さらに次のステップS108は現像したレジスト像以外の部分をエッチングにより削り、その後レジスト剥離が行われ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くエッチング工程である。
次にステップS109で必要な全工程が完了したかを判断し、完了していなければステップS100に戻り、先のステップを繰り返して、シリコンウェハ上に回路パターンが形成される。ステップS109で全工程が完了したと判断されれば工程を終了する。
本発明の実施の形態であるCMP研磨装置は、本発明の研磨体を使用している以外は、図7に示した従来のCMP研磨装置と変わるところがないので、その説明を省略する。
研磨体の回転数を181rpm、ウエハの回転数を−201rpm(研磨体と逆回転)とした。又、研磨体の揺動開始位置は、ウエハの回転中心から27.5mmの位置とし、揺動ストロークは85mm、揺動速度は40mm/secとした。スラリーは、キャボット社製のSS25(商品名)を使用し、150ml/minの流量で供給した。
図3に、研磨圧力(研磨体をウエハに押し付ける圧力)をパラメータにした、ウエハ上の各位置における研磨レートを示す。図3において、横軸はウエハ上の位置(ウエハ中心からの距離[mm])であり、縦軸はSiO2の研磨レート(A(オグストローム)/min)である。
図3から分かるように、研磨圧力が2psi、3psiのときには、ウエハの外周から3mmまでの位置における研磨レートが急激に増加している。これにより、前述のように、SiO2が完全に無くなってしまい、Siが露出するという問題が発生する。
しかし、研磨圧力を1psiまで低下させると、ウエハエッジ部での急激な研磨レートの増加は見られなくなり、研磨圧力が0.5psi、0.1psiとさらに低下すると、逆にウエハエッジ部での研磨レートはその内側に比べて低下する傾向が見られる。ウエハエッジ部で研磨レートが低下しても、その部分にはパターンが形成されていないので問題がない。
しかしながら、研磨圧力を低下させると、定常部での研磨レートが低下し、実用に耐えなくなる恐れがある。よって、研磨圧力と定常部での研磨レートとの関係を、前述の条件と同じ条件の下で調査した。その結果を図4に示す。図4において横軸は研磨圧力(psi)であり、縦軸はSiO2の平均研磨レート(A(オグストローム)/min)である。図2に示すように、0.1psi〜3.0psiの間では、研磨レートはほぼ直線的に低下するが、研磨レートと研磨圧力との関係は、一般にPrestonの式として知られている比例関係とは異なり、0.1psiの場合でも、ウエハと研磨体の高速回転(平均相対速度3.0[m/sec])のため、1000[A/min]を超えていることが分かる。これは十分に実用に耐える研磨レートである。
以上のことより、Si基板表面に形成されたSiO2の表面を、CMP研磨により研磨することにより平坦化する際に、研磨圧力を1psi以下として研磨を行えば、ウエハエッジ部での研磨レートの増加により、Siが露出するという問題を解消でき、かつ、十分に実用に耐える研磨レートが得られることが分かった。
(発明の実施の形態)
図5は、本発明の実施の形態の一例である半導体デバイス製造プロセスを示すフローチャートである。半導体デバイス製造プロセスをスタートして、まずステップS100で、次に挙げるステップS101〜S104の中から適切な処理工程を選択する。選択に従って、ステップS101〜S104のいずれかに進む。
ステップS101はシリコンウェハの表面を酸化させる酸化工程である。ステップS102はCVD等によりシリコンウェハ表面に絶縁膜を形成するCVD工程である。ステップS103はシリコンウェハ上に電極を蒸着等の工程で形成する電極形成工程である。ステップ104はシリコンウェハにイオンを打ち込むイオン打ち込み工程である。
CVD工程もしくは電極形成工程の後で、ステップS105に進む。ステップS105でCMP工程を実施するかどうか判断し、実施する場合はS106のCMP工程に進む。CMP工程を行わない場合は、S106をバイパスする。CMP工程では本発明に係る研磨装置により、層間絶縁膜の平坦化や、半導体デバイスの表面の金属膜の研磨によるダマシン(damascene)の形成等が行われる。
CMP工程もしくは酸化工程の後でステップS107に進む。ステップS107はフォトリソ工程である。フォトリソ工程では、シリコンウェハへのレジストの塗布、露光装置を用いた露光によるシリコンウェハへの回路パターンの焼き付け、露光したシリコンウェハの現像が行われる。さらに次のステップS108は現像したレジスト像以外の部分をエッチングにより削り、その後レジスト剥離が行われ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くエッチング工程である。
次にステップS109で必要な全工程が完了したかを判断し、完了していなければステップS100に戻り、先のステップを繰り返して、シリコンウェハ上に回路パターンが形成される。ステップS109で全工程が完了したと判断されれば工程を終了する。
本発明の実施の形態であるCMP研磨装置は、本発明の研磨体を使用している以外は、図7に示した従来のCMP研磨装置と変わるところがないので、その説明を省略する。
Claims (9)
- 研磨パッド、硬質弾性部材、軟質弾性部材をこの順に張り合わせて形成され、前記軟質弾性部材の厚さが、前記研磨パッドの厚さの1/2以下とされていることを特徴とするCMP研磨用研磨体。
- 前記軟質弾性部材の厚さが、0.2mm≦T≦0.5mmであることを特徴とする請求の範囲第1項に記載のCMP研磨用研磨体。
- 研磨パッド、硬質弾性部材、軟質弾性部材をこの順に張り合わせて形成され、前記軟質弾性部材の厚さが、0.2mm≦T≦0.5mmであることを特徴とするCMP研磨用研磨体。
- 基板を研磨体に接触させながら相対移動させることにより研磨を行うCMP研磨装置であって、前記研磨体として、請求の範囲第1項から第3項のうちいずれか1項に記載のCMP研磨用研磨体を用いていることを特徴とするCMP研磨装置。
- Si基板表面に形成されたSiO2の表面を、CMP研磨により研磨することにより平坦化する方法であって、請求の範囲第1項から第3項のうちいずれか1項に記載のCMP研磨用研磨体を使用して研磨を行うことを特徴とするCMP研磨方法。
- 請求の範囲第5項に記載のCMP研磨方法によりウエハを研磨する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
- Si基板表面に形成されたSiO2の表面を、CMP研磨により研磨することにより平坦化する方法であって、研磨圧力を1psi以下として研磨を行うことを特徴とするCMP研磨方法。
- 前記CMP研磨に用いられる研磨体が、研磨パッドと、硬質弾性部材と、軟質弾性部材をこの順に積層してなる3層構造を有することを特徴とする請求の範囲第7項に記載のCMP研磨方法。
- 請求の範囲第7項又は第8項に記載のCMP研磨方法によりウエハを研磨する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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