JPS645265B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体装置の静電気に対する破壊
耐量を試験する方法に関するものである。

第１図は従来の静電気破壊耐量試験の一例を示
す回路図である。図において、１は半導体装置、
２はその外部電極、３は切換スイツチ、４はコン
デンサ、５は直流電源である。従来の方法では、
直流電源５によりコンデンサ４を充電し、スイツ
チ３を切替えてコンデンサ４の充電電圧を半導体
装置１の電極２間に印加することにより、半導体
装置に加わる静電気ストレスを模擬する。しかし
この方法では、外部充電コンデンサ４を使用する
ため、半導体装置１自身に帯電した静電気による
ストレスを模擬できないという欠点があつた。

この発明は上記従来方法の欠点を除去するため
になされたもので、半導体装置の絶縁外囲部にあ
らかじめ高電位の電極を接触させることにより、
外部電極に静電誘導による電位を生ぜしめ、その
後、上記半導体装置の外部電極を別の電位を有す
る電極に接触させることにより、外部電極の電位
を変化させ、その時の充電又は放電の電荷移動に
よる半導体内部の電流となつた時のストレスを試
験することにより実用条件に近い試験ができる方
法を提供することを目的としている。

以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。第２図において、１は半導体装置、２はその
外部電極、５は直流電源、６は絶縁外囲部、７は
接触電極、８はスイツチである。このような構成
において、まずスイツチ８を開放にして、接触電
極７を絶縁外囲部６に接触させ、半導体装置１全
体の電位分布が安定になるまでの時間放置する。
その後、スイツチ８を閉じることにより、外部電
極２と半導体装置１のその他の部分との間の電位
差を変化させると、半導体装置１内部に電圧スト
レスが加わり、ついで次の瞬間に、半導体装置１
内部では電荷移動が生じ、電流ストレスが加わる
ことになる。

従つて、この方法によれば、運搬中等にある電
位に帯電した半導体装置が、別の電位の物体に接
触した時の電荷移動による電流ストレスを模擬で
きる。

なお、スイツチ８は、単なる接触用電極板等で
あつてもよい。また、外部電極２−スイツチ８−
電源５−接触電極７の回路に直列に、抵抗を挿入
しても同様な効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来方法を示す試験回路図、第２図は
本発明の一実施例を示す試験回路図である。 １……半導体装置、２……外部電極、５……直
流電源、６……絶縁外囲部、７……接触電極、８
……スイツチ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 半導体装置を基準電位電極から絶縁した状態
   で、その絶縁外囲部に直流高電圧を印加し、一定
   時間経過後に、上記半導体装置の外部電極を基準
   電位電極に接触させることを特徴とする半導体装
   置の試験方法。