JPS642545Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS642545Y2 JPS642545Y2 JP7806683U JP7806683U JPS642545Y2 JP S642545 Y2 JPS642545 Y2 JP S642545Y2 JP 7806683 U JP7806683 U JP 7806683U JP 7806683 U JP7806683 U JP 7806683U JP S642545 Y2 JPS642545 Y2 JP S642545Y2
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- JP
- Japan
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- thermistor
- resistor
- circuit
- switching
- transformer
- Prior art date
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- Expired
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 13
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 8
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はスイツチングレギユレータの突入電流
抑制回路に関する。
抑制回路に関する。
第1図は従来のスイツチングレギユレータの回
路図を示す。交流電源1の交流を電源スイツチ2
を介して整流回路3により整流し、この直流は突
入電流抑制用サイリスタ4と抵抗5の並列回路を
介して平滑用コンデンサ6で平滑したのちスイツ
チングトランス7の一次巻線71とスイツチング
トランジスタ8の直列回路の直流入力とされる。
トランジスタ8は制御回路9によつて高い周波数
でオン・オフ制御され、トランス7の二次巻線7
2に光流電流が取出され、この交流電流はダイオ
ード10とコンデンサ11によつて整流、平滑さ
れて負荷12に安定した直流電力として供給され
る。制御回路9に必要とする直流電源はコンデン
サ6などの直流主回路又はトランス7から確保さ
れる。
路図を示す。交流電源1の交流を電源スイツチ2
を介して整流回路3により整流し、この直流は突
入電流抑制用サイリスタ4と抵抗5の並列回路を
介して平滑用コンデンサ6で平滑したのちスイツ
チングトランス7の一次巻線71とスイツチング
トランジスタ8の直列回路の直流入力とされる。
トランジスタ8は制御回路9によつて高い周波数
でオン・オフ制御され、トランス7の二次巻線7
2に光流電流が取出され、この交流電流はダイオ
ード10とコンデンサ11によつて整流、平滑さ
れて負荷12に安定した直流電力として供給され
る。制御回路9に必要とする直流電源はコンデン
サ6などの直流主回路又はトランス7から確保さ
れる。
突入電流抑制用サイリスタ4と抵抗5の並列回
路は、電源スイツチ2の投入初期(始動時)には
サイリスタ4をオフにしておき、コンデンサ6へ
の突入電流を抵抗5によつて抑制し、電源1、整
流回路3等の過電流を抑制する。そして、始動後
(コンデンサ6の充電後)にはサイリスタ4をオ
ン状態に維持して抵抗5による電力損失をほとん
ど無くす。サイリスタ4のオン状態維持は、トラ
ンジスタ8のオン・オフ制御によつてトランス7
に巻線電圧が発生し始めたときに該トランス7に
設ける補助巻線73の誘導電圧をダイオード13
で整流し、抵抗14、コンデンサ15の平滑回路
とオンゲート電流制限抵抗16を介してサイリス
タ4にオンゲート電流を供給しつづけることがな
される。コンデンサ15は始動時からサイリスタ
4のターンオンまでの時間調整用である。
路は、電源スイツチ2の投入初期(始動時)には
サイリスタ4をオフにしておき、コンデンサ6へ
の突入電流を抵抗5によつて抑制し、電源1、整
流回路3等の過電流を抑制する。そして、始動後
(コンデンサ6の充電後)にはサイリスタ4をオ
ン状態に維持して抵抗5による電力損失をほとん
ど無くす。サイリスタ4のオン状態維持は、トラ
ンジスタ8のオン・オフ制御によつてトランス7
に巻線電圧が発生し始めたときに該トランス7に
設ける補助巻線73の誘導電圧をダイオード13
で整流し、抵抗14、コンデンサ15の平滑回路
とオンゲート電流制限抵抗16を介してサイリス
タ4にオンゲート電流を供給しつづけることがな
される。コンデンサ15は始動時からサイリスタ
4のターンオンまでの時間調整用である。
この従来構成では、サイリスタ4のターンオン
にはトランス7の補助巻線73から必要な電流を
供給するため、トランス7の小型化(高周波化)
に併つて補助巻線のための中間タツプ取出しなど
その構造上で小型化のネツクになるし製造上のコ
ストアツプ要因になる問題があつた。また、トラ
ンス7からの電圧波形は第2図に示すように周期
的なパルス電流になるため、オン期間TONに続く
オフ期間TOFFにもサイリスタ4に充分なゲート電
流を供給するにはコンデンサ15の容量に大きい
ものを必要とし、コストアツプになるしゲート回
路スペースが大きくなる問題があつた。また、サ
イリスタ4にはその温度上昇に対する加熱手段
(例えばヒートシンク)及びレギユレータ内での
放熱経路を十分に考慮して設計を必要とする。
にはトランス7の補助巻線73から必要な電流を
供給するため、トランス7の小型化(高周波化)
に併つて補助巻線のための中間タツプ取出しなど
その構造上で小型化のネツクになるし製造上のコ
ストアツプ要因になる問題があつた。また、トラ
ンス7からの電圧波形は第2図に示すように周期
的なパルス電流になるため、オン期間TONに続く
オフ期間TOFFにもサイリスタ4に充分なゲート電
流を供給するにはコンデンサ15の容量に大きい
ものを必要とし、コストアツプになるしゲート回
路スペースが大きくなる問題があつた。また、サ
イリスタ4にはその温度上昇に対する加熱手段
(例えばヒートシンク)及びレギユレータ内での
放熱経路を十分に考慮して設計を必要とする。
本考案は、抵抗と負特性感温素子の並列回路に
よつて突入電流を抑制することにより、従来の問
題点を解消した突入電流抑制回路を得ることを目
的とする。
よつて突入電流を抑制することにより、従来の問
題点を解消した突入電流抑制回路を得ることを目
的とする。
第3図は本考案の一実施例を示す回路図であ
り、第1図と同じものあるいは同じ機能を有する
ものは同一符号で示す。スイツチングトランス1
7はその一次巻線171にトランジスタ8が直例
接続されて直流主回路に接続され、二次巻線17
2がダイオード10側に接続され、突入電流抑制
用電源としての補助巻線は設けられない。突入電
流抑制回路としては整流回路3と平滑用コンデン
サ6の間に、抵抗18と負特性感温素子としての
パワーサーミスタ19が並列接続される。抵抗1
8とパワーサーミスタ19とは第4図に例示する
ようにプリント基板20への取付けに互いに密着
する取付構造又はバンドで共締めされ、抵抗18
及びサーミスタ19の発熱温度で互いを加温する
ようにされる。
り、第1図と同じものあるいは同じ機能を有する
ものは同一符号で示す。スイツチングトランス1
7はその一次巻線171にトランジスタ8が直例
接続されて直流主回路に接続され、二次巻線17
2がダイオード10側に接続され、突入電流抑制
用電源としての補助巻線は設けられない。突入電
流抑制回路としては整流回路3と平滑用コンデン
サ6の間に、抵抗18と負特性感温素子としての
パワーサーミスタ19が並列接続される。抵抗1
8とパワーサーミスタ19とは第4図に例示する
ようにプリント基板20への取付けに互いに密着
する取付構造又はバンドで共締めされ、抵抗18
及びサーミスタ19の発熱温度で互いを加温する
ようにされる。
こうした構成において、サーミスタ19は負特
性を持つことからその温度上昇するほど抵抗値が
減少する特性を具える。従つて、始動時にはサー
ミスタ19が常温にあつてその抵抗値が高くなつ
ており、抵抗18とサーミスタ19の比較的高い
並列抵抗を持つてコンデンサ6への突入電流を抑
制することができる。そして、始動後には直流主
回路電流によつてサーミスタ19が温度上昇して
その抵抗値が低下し、定常電流に対して比較的低
い抵抗値になつてトランス側に十分な電流供給を
可能にすると共にサーミスタ19及び抵抗18で
の電力損失を少なくする。
性を持つことからその温度上昇するほど抵抗値が
減少する特性を具える。従つて、始動時にはサー
ミスタ19が常温にあつてその抵抗値が高くなつ
ており、抵抗18とサーミスタ19の比較的高い
並列抵抗を持つてコンデンサ6への突入電流を抑
制することができる。そして、始動後には直流主
回路電流によつてサーミスタ19が温度上昇して
その抵抗値が低下し、定常電流に対して比較的低
い抵抗値になつてトランス側に十分な電流供給を
可能にすると共にサーミスタ19及び抵抗18で
の電力損失を少なくする。
ここで、突入電流抑制回路としてサーミスタ1
9に並列に抵抗18を設けて互いに密着させる構
造によつて以下に述べるような作用効果を奏す
る。
9に並列に抵抗18を設けて互いに密着させる構
造によつて以下に述べるような作用効果を奏す
る。
突入電流抑制回路としてサーミスタ19単体と
するとき、始動時の温度が低い場合にサーミスタ
19の内部抵抗が大きくなり過ぎて直流主回路電
圧が低過ぎる不具合がある。例えば、第5図に示
すように、25℃が始動時温度として定常運転時に
は自己発熱で120℃に達するようサーミスタの抵
抗特性を選んでおけば、その内部抵抗は1/10に減
少するが、−10℃で始動するときにはサーミスタ
の内部抵抗は25℃のときの5倍にも増大してお
り、始動時に必要な直流主回路電圧を得ることが
できない。
するとき、始動時の温度が低い場合にサーミスタ
19の内部抵抗が大きくなり過ぎて直流主回路電
圧が低過ぎる不具合がある。例えば、第5図に示
すように、25℃が始動時温度として定常運転時に
は自己発熱で120℃に達するようサーミスタの抵
抗特性を選んでおけば、その内部抵抗は1/10に減
少するが、−10℃で始動するときにはサーミスタ
の内部抵抗は25℃のときの5倍にも増大してお
り、始動時に必要な直流主回路電圧を得ることが
できない。
これに対して、実施例に示すように抵抗とサー
ミスタを並列構成にすれば、低温始動時に必要な
直流主回路電圧を抵抗18を通して得ることがで
きるし、定常運転中にはサーミスタ19を流れる
電流でその内部抵抗を減少させてサーミスタを流
れる電流を多くしてサーミスタと抵抗での電力損
失を少なくすることができる。さらに、抵抗とサ
ーミスタを密着配置することにより、抵抗の発熱
でサーミスタを増々加温してその内部抵抗値を速
やかに低くすることができ、抵抗とサーミスタの
分離配置では低温時にサーミスタの内部抵抗が大
きく抵抗18を流れる電流が大部分になつてサー
ミスタの自己発熱が少ない(抵抗大)まま外気温
と熱バランスしてしまうことになる。この状態は
第6図に示すようになり、周囲温度−10℃での始
動にサーミスタと抵抗を密着しないときに抵抗の
温度のみ高温になつて(特性A)、サーミスタの
温度は低いままに保たれる(特性B)になるのに
対して、密着する場合には抵抗温度(特性C)よ
りもサーミスタの温度(特性D)が高くなる現象
を呈してその合成抵抗を小さくするし電力損失も
少なくなる。この合成抵抗の実験結果としてはサ
ーミスタと抵抗を密着しないときに6.7Ωあつた
ものが密着したときには2.7Ωにまで減らすこと
ができた。
ミスタを並列構成にすれば、低温始動時に必要な
直流主回路電圧を抵抗18を通して得ることがで
きるし、定常運転中にはサーミスタ19を流れる
電流でその内部抵抗を減少させてサーミスタを流
れる電流を多くしてサーミスタと抵抗での電力損
失を少なくすることができる。さらに、抵抗とサ
ーミスタを密着配置することにより、抵抗の発熱
でサーミスタを増々加温してその内部抵抗値を速
やかに低くすることができ、抵抗とサーミスタの
分離配置では低温時にサーミスタの内部抵抗が大
きく抵抗18を流れる電流が大部分になつてサー
ミスタの自己発熱が少ない(抵抗大)まま外気温
と熱バランスしてしまうことになる。この状態は
第6図に示すようになり、周囲温度−10℃での始
動にサーミスタと抵抗を密着しないときに抵抗の
温度のみ高温になつて(特性A)、サーミスタの
温度は低いままに保たれる(特性B)になるのに
対して、密着する場合には抵抗温度(特性C)よ
りもサーミスタの温度(特性D)が高くなる現象
を呈してその合成抵抗を小さくするし電力損失も
少なくなる。この合成抵抗の実験結果としてはサ
ーミスタと抵抗を密着しないときに6.7Ωあつた
ものが密着したときには2.7Ωにまで減らすこと
ができた。
以上のとおり、本考案によれば、突入電流抑制
に負特性感温素子と抵抗とを並列でしかも互いに
密着させる構成にしたため、抵抗の発熱で感温素
子の加温を促進させてその定常時の合成抵抗を減
少させると共に始動時の直流主回路電圧を十分に
確保できる構成になるし、従来のようにスイツチ
ングトランスに補助巻線を設けること、大容量コ
ンデンサを必要とすること及び放熱を考慮する必
要性が無くなる効果がある。
に負特性感温素子と抵抗とを並列でしかも互いに
密着させる構成にしたため、抵抗の発熱で感温素
子の加温を促進させてその定常時の合成抵抗を減
少させると共に始動時の直流主回路電圧を十分に
確保できる構成になるし、従来のようにスイツチ
ングトランスに補助巻線を設けること、大容量コ
ンデンサを必要とすること及び放熱を考慮する必
要性が無くなる効果がある。
第1図は従来のスイツチングレギユレータの回
路図、第2図はスイツチングトランスの制御波形
図、第3図は本考案の一実施例を示す回路図、第
4図は第3図における抵抗とサーミスタの取付構
成を例示する図、第5図は第3図におけるサーミ
スタの温度−抵抗特性例を示す図、第6図は本考
案の動作を説明するための抵抗とサーミスタの時
間−温度特性図である。 4……突入電流抑制用サイリスタ、5,18…
…突入電流抑制用抵抗、7,17……スイツチン
グトランス、8……スイツチングトランジスタ、
9……制御回路、12……負荷、19……負特性
サーミスタ、20……プリント基板。
路図、第2図はスイツチングトランスの制御波形
図、第3図は本考案の一実施例を示す回路図、第
4図は第3図における抵抗とサーミスタの取付構
成を例示する図、第5図は第3図におけるサーミ
スタの温度−抵抗特性例を示す図、第6図は本考
案の動作を説明するための抵抗とサーミスタの時
間−温度特性図である。 4……突入電流抑制用サイリスタ、5,18…
…突入電流抑制用抵抗、7,17……スイツチン
グトランス、8……スイツチングトランジスタ、
9……制御回路、12……負荷、19……負特性
サーミスタ、20……プリント基板。
Claims (1)
- 交流電流を整流する直流主回路から平滑用コン
デンサを持つてスイツチングトランスとスイツチ
ング素子の直列回路に直流入力とし、上記スイツ
チング素子を制御回路によつて周期的にオン・オ
フ制御し、上記スイツチングトランスの出力を整
流平滑して負荷に安定化直流電力を供給するスイ
ツチングレギユレータにおいて、上記直流主回路
に上記コンデンサへの突入電流を抑制するための
抵抗と負特性感温素子を互いに密着して並列接続
で設けたことを特徴とするスイツチングレギユレ
ータの突入電流抑制回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7806683U JPS59183185U (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | スイツチングレギユレ−タの突入電流抑制回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7806683U JPS59183185U (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | スイツチングレギユレ−タの突入電流抑制回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59183185U JPS59183185U (ja) | 1984-12-06 |
JPS642545Y2 true JPS642545Y2 (ja) | 1989-01-20 |
Family
ID=30208075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7806683U Granted JPS59183185U (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | スイツチングレギユレ−タの突入電流抑制回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59183185U (ja) |
-
1983
- 1983-05-24 JP JP7806683U patent/JPS59183185U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59183185U (ja) | 1984-12-06 |
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