JPS641854B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS641854B2
JPS641854B2 JP4985381A JP4985381A JPS641854B2 JP S641854 B2 JPS641854 B2 JP S641854B2 JP 4985381 A JP4985381 A JP 4985381A JP 4985381 A JP4985381 A JP 4985381A JP S641854 B2 JPS641854 B2 JP S641854B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
roller
thin film
plastic substrate
cooling
surface roughness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP4985381A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS57164438A (en
Inventor
Junichi Inaba
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP4985381A priority Critical patent/JPS57164438A/ja
Publication of JPS57164438A publication Critical patent/JPS57164438A/ja
Publication of JPS641854B2 publication Critical patent/JPS641854B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541Heating or cooling of the substrates
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/85Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、プラスチツク基体上に蒸着、スパツ
タリング等の方法を用いて、薄膜(例えば強磁性
体薄)を形成するに際して、熱の影響によるプラ
スチツク基板の変形、プラスチツク基体を案内す
るローラ表面からの形状転写等が生じない薄膜形
成装置を提供せんとするものである。 通常、プラスチツク基体上に薄膜、例えば強磁
性薄膜を形成する場合、図に示すような装置によ
り行われている。図において、1はプラスチツク
基体2を巻回した供給リールであり、軸3に対し
て回動自在に取り付けられている。4はプラスチ
ツク基体2を案内、搬送する複数個の回動ローラ
であり、それぞれ軸5に対して回動自在に取り付
けられている。6は強磁性薄膜をプラスチツク基
体2に蒸着形成するための蒸着源である。7はプ
ラスチツク基体2の冷却ローラであり軸8に対し
て回動自在に取り付けられている。冷却ローラ7
は、プラスチツク基体2を案内、搬送する役目と
ともに、蒸着源よりの蒸発分子がプラスチツク基
体2に到達した際に、プラスチツク基体2に与え
られる熱を冷却し、プラスチツク基体2が熱変形
するのを防止する役目を持つものである。9は薄
膜が形成されたプラスチツク基体2を巻取るため
の巻取リールであり、軸10に対して回動自在に
取り付けられている。供給リール1から送出され
たプラスチツク基体2は、回動ローラ4を介して
冷却ローラ7へ導びかれ、ここで、蒸着源5によ
り、プラスチツク基体2上に強磁性薄膜が形成さ
れ、さらに回動ローラ4を介して巻取リール9に
巻回される。上記の一連の動作は、すべて真空槽
11内で行なわれる。 以上の構成の薄膜形成装置によつて、プラスチ
ツク基体上に薄膜を形成する訳であるが、近年、
磁気記録再生技術分野では長時間記録再生の要請
から、記録信号の波長はますます短波長化してお
り、これに伴つて蒸着によつて形成すべき磁性層
の膜厚も例えば1000Å程度と、かなり薄くなつて
きている。このように、極度に薄い磁性層を有す
る磁気テープにおいては、プラスチツク基体のわ
ずかな変形でも出力レベル変動の原因となる。図
に示す真空蒸着装置において、プラスチツク基体
2の変形は主として冷却ローラ7上で発生する。
すなわち、蒸着源6より飛来した強磁性材料より
プラスチツク基体2に与えられた熱が冷却ローラ
7によつて十分な速度で吸収されないため、残つ
た若干の熱によつて、プラスチツク基体2が熱変
形したり、冷却ローラ表面の凹凸形状(従来は
0.3s以上)が転写され、これらが出力レベル変動
の原因となるという問題点が生ずる。 本発明は、真空内薄膜形成装置において発生す
る、上記のようなプラスチツク基体の熱変形、形
状転写を防止せんとするものである。 以下に、本発明について詳細に説明する。 本発明は、プラスチツク基体(場合によつては
プラスチツク基体上に形成された薄膜)に接触す
る冷却用ローラの表面及び途中の搬送用回転ロー
ラの一部又はすべての表面を0.05s〜0.2sの表面粗
さに仕上げ、かつビツカース硬度でHV=650〜
2000の材料で構成することを特徴とするものであ
る。 第1表にプラスチツク基体に接触するローラの
円筒面の表面粗さと熱影響による変形及び形状転
写との関係を示す。資料としては2μm〜20μmの
ポリエチレンテフタレート基体上に800〜1300Å
の膜厚を有するCo系磁性層を有する磁気テープ
を用いた。第1表で丸印は、これ等の磁気テープ
を用いて記録再生を行なつた場合、出力レベル変
動がほとんどないもの、△印は、やや出力レベル
変動があるが実用上問題ないもの、×印は出力変
動が大きく問題があるものを示す。
【表】 第1表から、0.05s〜0.2sの表面粗さに仕上げた
ローラを用いた場合、熱影響、形状転写が少ない
ということが分かる。0.05s未満の表面粗さの場
合は表面の仕上げが困難であり、またローラ表面
と磁気テープの密着度が大きくなり、図に示した
装置内での搬送がスムーズに行なわれず、テープ
に不用の歪を与える等の点で問題が生ずる。 一方、ローラ表面を0.05s〜0.5sの表面粗さに形
成した場合においても、ローラ表面の硬度が小さ
い場合には、磁気テープとの接触により摩耗が大
きく表面が荒らされて短時間で0.5s以上の表面粗
さになつてしまい、初期の目的を達成できなくな
る。第2表に、ローラ表面の硬度とローラ寿命の
関係を示す。
【表】 ローラの寿命は、表面粗さが0.5s以上になつた
時点を基準として判断している。ローラ寿命とし
ては、ローラの交換に伴う種々の手数、コスト等
を考慮に入れれば最低20日は必要であると考えら
れる。一方、ローラの加工性、特に0.05〜0.5sの
表面粗さに仕上げるための表面仕上げ加工性に着
目すれば、硬度が大きくなる程困難となり、その
硬度がビツカース硬度で2000になると多大の手間
が必要となる。以上の点を考慮すれば、第2表か
ら、ビツカース硬度で650〜2000の範囲にある材
料を用いることが望ましいことが分かる。 本発明によると、以上説明したように、ローラ
として表面粗が0.05〜0.5sで、ビツカース硬度650
〜2000のものを用いることにより、長期間にわた
つて熱変形、形状転写等を生ずることなくプラス
チツク表面に薄膜を安定に形成できるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
図は薄膜形成装置の構成例を示す図である。 1……供給リール、4……回動ローラ、6……
蒸着源、7……冷却ローラ、8……巻取リール、
11……真空槽。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 真空槽内においてプラスチツクフイルム基体
    上に薄膜形成用の素材粒子を付着させて薄膜を形
    成するのに用いるものであつて、上記素材粒子の
    付着により温度上昇する上記フイルム基体を冷却
    するための冷却ローラと、上記フイルム基体を案
    内するため案内ローラとを有する薄膜形成装置に
    おいて、上記両ローラのうち少なくとも上記冷却
    ローラのフイルム基体に接触する面が、ビツカー
    ス硬度で650〜2000の表面硬度を有しかつ0.05s〜
    0.2sの表面粗さを有することを特徴とする薄膜形
    成装置。
JP4985381A 1981-04-01 1981-04-01 Thin film forming device Granted JPS57164438A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4985381A JPS57164438A (en) 1981-04-01 1981-04-01 Thin film forming device

Applications Claiming Priority (1)

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JP4985381A JPS57164438A (en) 1981-04-01 1981-04-01 Thin film forming device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57164438A JPS57164438A (en) 1982-10-09
JPS641854B2 true JPS641854B2 (ja) 1989-01-12

Family

ID=12842608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4985381A Granted JPS57164438A (en) 1981-04-01 1981-04-01 Thin film forming device

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5972655A (ja) * 1982-10-20 1984-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気記録媒体の製造装置
EP0203582B1 (en) * 1985-05-31 1991-03-27 Hitachi Maxell Ltd. Method and apparatus for making magnetic recording medium
JP2583969B2 (ja) * 1988-05-26 1997-02-19 松下電器産業株式会社 磁気記録媒体の製造装置及び磁気記録媒体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS57164438A (en) 1982-10-09

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