JPS6395105A - 炭化珪素の製造方法 - Google Patents
炭化珪素の製造方法Info
- Publication number
- JPS6395105A JPS6395105A JP61238151A JP23815186A JPS6395105A JP S6395105 A JPS6395105 A JP S6395105A JP 61238151 A JP61238151 A JP 61238151A JP 23815186 A JP23815186 A JP 23815186A JP S6395105 A JPS6395105 A JP S6395105A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elements
- carbon
- compound
- manufacturing
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 38
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000011134 resol-type phenolic resin Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 10
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 6
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 abstract description 7
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000005539 carbonized material Substances 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 11
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 10
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 9
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005261 decarburization Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 3
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- -1 and oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 2
- IWOUKMZUPDVPGQ-UHFFFAOYSA-N barium nitrate Chemical compound [Ba+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O IWOUKMZUPDVPGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N lithium nitrate Chemical compound [Li+].[O-][N+]([O-])=O IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 241000255925 Diptera Species 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000254158 Lampyridae Species 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGUAJWGNOXCYJF-UHFFFAOYSA-N cobalt dinitrate hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Co+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O QGUAJWGNOXCYJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000007849 furan resin Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003840 hydrochlorides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000017 hydrogel Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001960 metal nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 239000010680 novolac-type phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L oxygen(2-);titanium(4+);sulfate Chemical compound [O-2].[Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002688 persistence Effects 0.000 description 1
- 239000002006 petroleum coke Substances 0.000 description 1
- 239000011301 petroleum pitch Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910000348 titanium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ZTWIEIFKPFJRLV-UHFFFAOYSA-K trichlororuthenium;trihydrate Chemical compound O.O.O.Cl[Ru](Cl)Cl ZTWIEIFKPFJRLV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
−(産業上の利用分野)
本発明は、炭化珪素(以下、SiCと記載する)の製造
方法に係り、更に詳しくは、粉砕不要な微細な易焼結性
βSiC粉末の製造方法に関するものである。
方法に係り、更に詳しくは、粉砕不要な微細な易焼結性
βSiC粉末の製造方法に関するものである。
(従来の技術及び発明が解決シヨうとする問題点)Si
C焼結体は、硬度、及び強度が共に大きく耐熱性に優れ
、化学的に安定である事から耐摩耗性機械部品、構造用
材料、耐熱性材料等に広く利用されている。SiC粉末
には、α、βの2つの結晶形があり、その製造方法とし
ては。
C焼結体は、硬度、及び強度が共に大きく耐熱性に優れ
、化学的に安定である事から耐摩耗性機械部品、構造用
材料、耐熱性材料等に広く利用されている。SiC粉末
には、α、βの2つの結晶形があり、その製造方法とし
ては。
(1) 5iOzとCとの反応による方法(2) Si
とCとの反応による方法 (3) Si化合物と炭化水素とからの気相合成による
方法 等が知られている。これらの方法の内、工業的には原料
が安価であり、反応操作が容易である等の利点を有する
(1)の方法によりSiC粉末の合成が行なわれている
。この(1)の方法としてはアチソン炉による方法がよ
く知られているが、この方法により得られる生成物のS
iCは塊状であり、焼結用に供するためには微粉化を目
的として長時間の粉砕処理が必要である、この欠点を改
良するために、(2)あるいは(コ)の方法の開発が行
なわれているが、(2)の方法の場合には、金属珪素と
炭素との反応が発熱反応であるために均一の微粒を得る
ことが困難でありやはり粉砕が必要である。
とCとの反応による方法 (3) Si化合物と炭化水素とからの気相合成による
方法 等が知られている。これらの方法の内、工業的には原料
が安価であり、反応操作が容易である等の利点を有する
(1)の方法によりSiC粉末の合成が行なわれている
。この(1)の方法としてはアチソン炉による方法がよ
く知られているが、この方法により得られる生成物のS
iCは塊状であり、焼結用に供するためには微粉化を目
的として長時間の粉砕処理が必要である、この欠点を改
良するために、(2)あるいは(コ)の方法の開発が行
なわれているが、(2)の方法の場合には、金属珪素と
炭素との反応が発熱反応であるために均一の微粒を得る
ことが困難でありやはり粉砕が必要である。
(3)の方法の場合には、例えばプラズマを用いた合成
法によりサブミクロン程度の粉体の合成に成功している
が、大量合成が難しくいまだ工業的には成功していない
、そこで、経済的に有利な(1)の方法の改良も多く行
なわれ、たとえば、特開昭58−34405にみられる
ように、CとSiO□との反応モル比を化学量論比以上
用いて微分化を試みているもの、特開昭58−1619
14にみられるように装置を工夫し反応と温度の均一化
を計り、高温下での粒成長を抑制しようとしたものが知
られている。しかし、Cを化学量論比以上用いたときに
は、脱炭処理が必要であり、この脱炭処理により焼結用
粉体として好ましくない酸化不純物を含むことになり、
後工程として酸化不純物除去の工程を必要とする。また
特殊な装置による場合にも実施例には過剰の炭素が2%
以上存在しており、やはり同様の問題が存在している。
法によりサブミクロン程度の粉体の合成に成功している
が、大量合成が難しくいまだ工業的には成功していない
、そこで、経済的に有利な(1)の方法の改良も多く行
なわれ、たとえば、特開昭58−34405にみられる
ように、CとSiO□との反応モル比を化学量論比以上
用いて微分化を試みているもの、特開昭58−1619
14にみられるように装置を工夫し反応と温度の均一化
を計り、高温下での粒成長を抑制しようとしたものが知
られている。しかし、Cを化学量論比以上用いたときに
は、脱炭処理が必要であり、この脱炭処理により焼結用
粉体として好ましくない酸化不純物を含むことになり、
後工程として酸化不純物除去の工程を必要とする。また
特殊な装置による場合にも実施例には過剰の炭素が2%
以上存在しており、やはり同様の問題が存在している。
このように上記述べた従来の方法による微粉化において
は生成する炭化珪素粉末に不純物炭素が存在し、そのた
め脱炭処理が必要であり、この脱炭処理により焼結用粉
体として好ましくない酸化不純物を含むことになり、後
工程として酸化不純物除去の工程を必要としている。
は生成する炭化珪素粉末に不純物炭素が存在し、そのた
め脱炭処理が必要であり、この脱炭処理により焼結用粉
体として好ましくない酸化不純物を含むことになり、後
工程として酸化不純物除去の工程を必要としている。
[問題点を解決するための手段]
そこで本発明者らは、 SiO□とCとの反応において
、後工程として酸化不純物除去の工程を必要とする不純
¥@炭素の生成を伴なわない微粉化を鋭意検シ・tした
結果。
、後工程として酸化不純物除去の工程を必要とする不純
¥@炭素の生成を伴なわない微粉化を鋭意検シ・tした
結果。
(ア)特定の元素か存在すると炭化珪素の粒成長が抑制
され、微粒化する。
され、微粒化する。
(イ)炭化珪素粉体に含まれる不純物の中には微量であ
れば焼結に悪い影響を及ぼさない元素が存在する。
れば焼結に悪い影響を及ぼさない元素が存在する。
ことをみいだし脱炭処理を必要としない炭化珪素微粉体
の製造方法を発明した。
の製造方法を発明した。
すなわち本発明の目的は後工程として酸化不純物除去の
工程を必要とする従来の脱炭処理を伴なわない炭化珪素
の製造方法を提供することにある。
工程を必要とする従来の脱炭処理を伴なわない炭化珪素
の製造方法を提供することにある。
この目的を達成する為に、本発明の炭化珪素の製造方法
は、(a)珪素を含む物質と(b) TX素を含む物質
と(c)長周期型周期律表におけるLA。
は、(a)珪素を含む物質と(b) TX素を含む物質
と(c)長周期型周期律表におけるLA。
2A、3A、4A、5A、6A、7A、8゜1B、2B
、3B、4B、5B族の元素のうち。
、3B、4B、5B族の元素のうち。
原子番号1,4,5,6,7,14,15゜33.43
,61,87,88.アクチノイド元素を除く少なくと
も1種の元素及び/又は該元素を少なくとも1種含む化
合物との混合物を非酸化性雰囲気下で加熱焼成すること
を特徴とする炭化珪素の製造方法、を要旨とするもので
ある。
,61,87,88.アクチノイド元素を除く少なくと
も1種の元素及び/又は該元素を少なくとも1種含む化
合物との混合物を非酸化性雰囲気下で加熱焼成すること
を特徴とする炭化珪素の製造方法、を要旨とするもので
ある。
本発明に用いる(a)珪素を含む物質としては、酸化雰
囲気下1000℃以上で加熱するとSin、を生成する
化合物であればなんでもよく、たとえばケイ酸ゾル、ケ
イ酸ヒドロゲル、ケイ酸塩溶液をイオン交換処理したも
の、あるいは一般式%式% (式中、R1、R2、R3、R4は、各々メチル、エチ
ル、プロピル、ブチル、アミル、フェニル、シクロヘキ
シル等から選ばれる炭素数1−6の炭化水素基、nは1
−10の任意の整数であるが、必ずしも1つの整数でな
くても良い、)で表わされる有機珪素化合物及びその重
合体などを挙げることができる。
囲気下1000℃以上で加熱するとSin、を生成する
化合物であればなんでもよく、たとえばケイ酸ゾル、ケ
イ酸ヒドロゲル、ケイ酸塩溶液をイオン交換処理したも
の、あるいは一般式%式% (式中、R1、R2、R3、R4は、各々メチル、エチ
ル、プロピル、ブチル、アミル、フェニル、シクロヘキ
シル等から選ばれる炭素数1−6の炭化水素基、nは1
−10の任意の整数であるが、必ずしも1つの整数でな
くても良い、)で表わされる有機珪素化合物及びその重
合体などを挙げることができる。
本発明に用いる(b)炭素を含む物質としては、酸化雰
囲気下1000℃以上で加熱すると灰分が2重量%以下
である炭素質物質であればなんでもよく、石油コークス
、ピッチ、フェノール樹脂等の数多くの炭素生成源が挙
げられる。
囲気下1000℃以上で加熱すると灰分が2重量%以下
である炭素質物質であればなんでもよく、石油コークス
、ピッチ、フェノール樹脂等の数多くの炭素生成源が挙
げられる。
また、残炭率の高い有機物質としては、非酸化性雰囲気
下で加熱したときに炭素を生成するものであれば良く、
特に制限はないが、好ましくは、官悌基を有する有機化
合物を架橋及び/又は重合させて得られるもので非酸化
性雰囲気下、800℃で30分加熱した時の残炭率が2
0重量%以上の有機高分子が好適である。このような高
分子としては、例えば、フェノール樹脂、ポリイソシア
ネート、フラン樹脂、メラミン樹脂等を挙げることがで
きるが、作業性の点からは、フェノール樹脂が望ましい
、また、その形態としては、比較的低分子螢の液状物か
ら高分子量の粉体、粒状物まで、いずれの形態のものを
も用いることができる。なΣ、本発明においては、炭素
を含む物質として、これらの残炭率の高い有機物質と共
に粉末状炭素を併用することもできる。
下で加熱したときに炭素を生成するものであれば良く、
特に制限はないが、好ましくは、官悌基を有する有機化
合物を架橋及び/又は重合させて得られるもので非酸化
性雰囲気下、800℃で30分加熱した時の残炭率が2
0重量%以上の有機高分子が好適である。このような高
分子としては、例えば、フェノール樹脂、ポリイソシア
ネート、フラン樹脂、メラミン樹脂等を挙げることがで
きるが、作業性の点からは、フェノール樹脂が望ましい
、また、その形態としては、比較的低分子螢の液状物か
ら高分子量の粉体、粒状物まで、いずれの形態のものを
も用いることができる。なΣ、本発明においては、炭素
を含む物質として、これらの残炭率の高い有機物質と共
に粉末状炭素を併用することもできる。
本発明に用いる(c)長周期型周期律表における1A、
2A、3A、4A、5A、6A、7A。
2A、3A、4A、5A、6A、7A。
8.1B、2B、3B、4B、5B族の元素のうち、原
子番号1,4,5,6,7,14,15゜33.43,
61,87,88.アクチノイド元素を除く少なくとも
1種の元素及び/又は該元素を少なくとも1種含む化合
物とは1元素臼体及びその硝酸塩、塩酸塩、硫酸塩、リ
ン酸塩、酸化物等の無機化合物、また有機官衡基を有す
る配位化合物、アルコキシド等の、有機溶媒に可溶な有
機誘導体とその重合体などがあげられる。混合時の均一
分散性のために、好ましくは水溶性の化合物、もしくは
アルコール等の有機溶媒に可溶なものが望ましいが、必
ずしもこれに限定されるものではない。
子番号1,4,5,6,7,14,15゜33.43,
61,87,88.アクチノイド元素を除く少なくとも
1種の元素及び/又は該元素を少なくとも1種含む化合
物とは1元素臼体及びその硝酸塩、塩酸塩、硫酸塩、リ
ン酸塩、酸化物等の無機化合物、また有機官衡基を有す
る配位化合物、アルコキシド等の、有機溶媒に可溶な有
機誘導体とその重合体などがあげられる。混合時の均一
分散性のために、好ましくは水溶性の化合物、もしくは
アルコール等の有機溶媒に可溶なものが望ましいが、必
ずしもこれに限定されるものではない。
前記した元素及びその化合物のなかても、リチウム、バ
リウム、ロジウム、スズ、チタン、レニウム、ルテニウ
ム、コバルトを含む化合物が好ましく用いられる。
リウム、ロジウム、スズ、チタン、レニウム、ルテニウ
ム、コバルトを含む化合物が好ましく用いられる。
ここで除外した元素の一部は本発明の目的に関わる微粒
化に際し、粉体中に残存し、焼結に悪影響を及ぼすもの
である。それゆえ、気体元素、放射性同位元素、安定で
ない元素、人工核種と共にそれらは除外した。
化に際し、粉体中に残存し、焼結に悪影響を及ぼすもの
である。それゆえ、気体元素、放射性同位元素、安定で
ない元素、人工核種と共にそれらは除外した。
これらの物質(a) 、 (b) 、 (C)の組み合
せは、作業性を考慮し選ばれるが、好ましくは(a)と
しては、ケイ酸のアルコキシドなどの液状のケイ酸生成
化合物が望ましく、例えばテトラエチルシリケート(分
子量分布を有するものでも構わない)などが選ばれる。
せは、作業性を考慮し選ばれるが、好ましくは(a)と
しては、ケイ酸のアルコキシドなどの液状のケイ酸生成
化合物が望ましく、例えばテトラエチルシリケート(分
子量分布を有するものでも構わない)などが選ばれる。
(b)としては、好ましくは室温で液状の有機高分子な
どが挙げられるが、なかでも好適であるのが、フェノー
ル樹脂である。フェノール樹脂としては、レゾール型フ
ェノール樹脂あるいはノボラック型フェノール樹脂箋が
採用し得るが、これに限定されるものではない。
どが挙げられるが、なかでも好適であるのが、フェノー
ル樹脂である。フェノール樹脂としては、レゾール型フ
ェノール樹脂あるいはノボラック型フェノール樹脂箋が
採用し得るが、これに限定されるものではない。
(C)としては、水溶性の金属硝酸塩の水溶液など、液
状で金属を含有し、加熱分解時に残留するものを含まな
いものが好ましく、触媒等を用いてこれら原料を硬化さ
せた前駆体をaoo’c以上1200°C以下の非酸化
性雰囲気下で加熱した炭化物を用いることが更に好まし
い。
状で金属を含有し、加熱分解時に残留するものを含まな
いものが好ましく、触媒等を用いてこれら原料を硬化さ
せた前駆体をaoo’c以上1200°C以下の非酸化
性雰囲気下で加熱した炭化物を用いることが更に好まし
い。
ケイ素を含む物質(a)と炭素を含む物質(b)との混
合比は炭素質物質の有機物質を非酸化性雰囲気中で80
0℃、30分加熱することにより残存する炭素量とケイ
素を含む物質中のケイ素の原子比(C/Si)で決定さ
れる。この比が3を超えると炭素が残存してしまうとい
う欠点あるため、この比は1.0〜3.0の間にあるこ
とが好ましい、後工程で酸化不純物除去の工程を必要と
する不純物炭素の生成を伴なわずに即ち脱炭処理が不要
であるところの微粉体の合成という立場から、より好ま
しくは、副生成物の発生、炭素の残存を見ないC/Si
比2.0〜3.0の混合比である。
合比は炭素質物質の有機物質を非酸化性雰囲気中で80
0℃、30分加熱することにより残存する炭素量とケイ
素を含む物質中のケイ素の原子比(C/Si)で決定さ
れる。この比が3を超えると炭素が残存してしまうとい
う欠点あるため、この比は1.0〜3.0の間にあるこ
とが好ましい、後工程で酸化不純物除去の工程を必要と
する不純物炭素の生成を伴なわずに即ち脱炭処理が不要
であるところの微粉体の合成という立場から、より好ま
しくは、副生成物の発生、炭素の残存を見ないC/Si
比2.0〜3.0の混合比である。
SiCの粒成長を抑制する作用な有する元素及び/又該
元素を含む化合物を添加する際、その形態は固体、液体
いずれでも良いが、より均一に混合されることから液体
状態で添加されるのが好ましい。液体としては水あるい
は有機溶媒どちらでも用いることができる。上記抑制作
用を発現せしめるために添加される元素の割合は、焼成
後のSiC生成量に対する元素Mの重量割合で表記され
、0.01〜2重量%の範囲で添加をすることが望まし
い。生成後の炭化珪素中での残存性を考慮すればより好
ましくは0.01〜1重量%の範囲で添加することが望
ましく、更には0.O1〜0.5重量%という混合比が
特に好ましい。
元素を含む化合物を添加する際、その形態は固体、液体
いずれでも良いが、より均一に混合されることから液体
状態で添加されるのが好ましい。液体としては水あるい
は有機溶媒どちらでも用いることができる。上記抑制作
用を発現せしめるために添加される元素の割合は、焼成
後のSiC生成量に対する元素Mの重量割合で表記され
、0.01〜2重量%の範囲で添加をすることが望まし
い。生成後の炭化珪素中での残存性を考慮すればより好
ましくは0.01〜1重量%の範囲で添加することが望
ましく、更には0.O1〜0.5重量%という混合比が
特に好ましい。
(a)成分、(b)成分及び(c)成分の混合により焼
成の前駆体を得るには、これらを混合するたけてもよい
が、好ましくは極めて十分に攪拌混合し、得られた混合
物を架橋及び/又は重合し固化させることである。この
際硬化触媒を用いることが好ましく硬化触媒としては、
例えば炭素質物質かレゾール型フェノール樹脂の場合に
は、塩酸、硫酸等の無機酸又はトルエンスルフォン酸等
の有機酸等が使用てき、またノボラック型フェノール樹
脂の場合には、アルカリ型触媒、アンモニア、アミン等
が使用できる。しかし本発明においては必ずしもこの触
媒を添加することが必須ではない。
成の前駆体を得るには、これらを混合するたけてもよい
が、好ましくは極めて十分に攪拌混合し、得られた混合
物を架橋及び/又は重合し固化させることである。この
際硬化触媒を用いることが好ましく硬化触媒としては、
例えば炭素質物質かレゾール型フェノール樹脂の場合に
は、塩酸、硫酸等の無機酸又はトルエンスルフォン酸等
の有機酸等が使用てき、またノボラック型フェノール樹
脂の場合には、アルカリ型触媒、アンモニア、アミン等
が使用できる。しかし本発明においては必ずしもこの触
媒を添加することが必須ではない。
このようにして得られた前駆体固型物は、そのままある
いは適当な粒径に調製された後、非酸化性雰囲気、例え
ば真空、窒素、ヘリウム又はアルゴン中でまず約800
〜1400℃の温度で処理し、ついで得られた炭化物を
約1600〜2000 ”Cに加熱処理することにより
、SiCを得ることができる。なお、−ヒ述の非酸化性
雰囲気中800〜1400℃の温度での処理は原子比の
決定のために行なうものであり、SiC合成のためには
必ずしも必要ではない。
いは適当な粒径に調製された後、非酸化性雰囲気、例え
ば真空、窒素、ヘリウム又はアルゴン中でまず約800
〜1400℃の温度で処理し、ついで得られた炭化物を
約1600〜2000 ”Cに加熱処理することにより
、SiCを得ることができる。なお、−ヒ述の非酸化性
雰囲気中800〜1400℃の温度での処理は原子比の
決定のために行なうものであり、SiC合成のためには
必ずしも必要ではない。
[作 用]
本発明の炭化ケイ素の製造方法では、ケイ素質物質と炭
素質物質及び微粒化に効果があり、また焼結に悪影響を
及ぼさない、各種元素及び/又は該元素を含む化合物の
混合物を非酸化性雰囲気中で加熱焼成する。加熱焼成時
に、予め、添加しである金属の作用で、生成する粒子は
成長を抑制され、微粒化する。また、非酸化性雰囲気中
800〜1400℃の温度範囲での混合物中のC/Si
非を3以下となるように各成分の混合量を設定すれば、
残留X5素のない、また粗大粒子を含まない均一微粒S
rC粉体か得られる。
素質物質及び微粒化に効果があり、また焼結に悪影響を
及ぼさない、各種元素及び/又は該元素を含む化合物の
混合物を非酸化性雰囲気中で加熱焼成する。加熱焼成時
に、予め、添加しである金属の作用で、生成する粒子は
成長を抑制され、微粒化する。また、非酸化性雰囲気中
800〜1400℃の温度範囲での混合物中のC/Si
非を3以下となるように各成分の混合量を設定すれば、
残留X5素のない、また粗大粒子を含まない均一微粒S
rC粉体か得られる。
[実施例]
次に本発明を実施例を挙げて更に具体的に説明するが、
本発明はその要旨を超えない限り以下の実施例に限定さ
れるものではない。
本発明はその要旨を超えない限り以下の実施例に限定さ
れるものではない。
1嵐廻ユ
化学式
%式%
(ただし、 Et−C,H,とする、nの平均値は4で
あり、Sin、とじて41重量%を含む、)で表わされ
る液状ケイ素化合物(aji分)50gとレゾール型フ
ェノール樹脂(b成分) 17.41gを混合し、純水
5.835 g及び硬化触媒としてトルエンスルフォン
酸4.35gを加えて、激しく攪拌混合を行なった。更
に、金属化合物として、硝酸リチウムを0.0993g
加え、攪拌混合した後、硬化させた。添加濃度は、生成
するSiCに対して、リチウムの重量が0.1重量%に
なるようにした。硬化した固体を、窒素雰囲気下で8.
5℃5in−”の昇温速度で1020℃まで昇温し、上
記固体を炭化させた。得られた炭化物前駆体(C/5i
=2−4)を、アルゴン雰囲気中(流量41 win−
” ) 60℃+m1n−’で1850℃まで昇温し、
10分間保持した後。
あり、Sin、とじて41重量%を含む、)で表わされ
る液状ケイ素化合物(aji分)50gとレゾール型フ
ェノール樹脂(b成分) 17.41gを混合し、純水
5.835 g及び硬化触媒としてトルエンスルフォン
酸4.35gを加えて、激しく攪拌混合を行なった。更
に、金属化合物として、硝酸リチウムを0.0993g
加え、攪拌混合した後、硬化させた。添加濃度は、生成
するSiCに対して、リチウムの重量が0.1重量%に
なるようにした。硬化した固体を、窒素雰囲気下で8.
5℃5in−”の昇温速度で1020℃まで昇温し、上
記固体を炭化させた。得られた炭化物前駆体(C/5i
=2−4)を、アルゴン雰囲気中(流量41 win−
” ) 60℃+m1n−’で1850℃まで昇温し、
10分間保持した後。
1400℃まで20℃5in−”て降温させた。冷却後
試料を取り出し、各種分析を行なった。生成したSiC
はLogであり、第1図にこのSiC粉体の粒子構造を
示す走査型電子顕微鏡写真を示す、更に、得られた粉体
にホウ素0.3%、カーボンを2%添加しメタノールを
分散媒として12時間混合した後、溶媒を蒸発除去した
。得られた、粉体を用いて、円盤状に成形しくCI P
圧3tcm−”)、更にこれを2100℃にて15分保
持することにより焼結体を作製した。
試料を取り出し、各種分析を行なった。生成したSiC
はLogであり、第1図にこのSiC粉体の粒子構造を
示す走査型電子顕微鏡写真を示す、更に、得られた粉体
にホウ素0.3%、カーボンを2%添加しメタノールを
分散媒として12時間混合した後、溶媒を蒸発除去した
。得られた、粉体を用いて、円盤状に成形しくCI P
圧3tcm−”)、更にこれを2100℃にて15分保
持することにより焼結体を作製した。
裏ム班遣
実施例1と同じように液状ケイ素化合物(a成分)50
g、レゾール型フェノール樹脂(b成分) 17.41
g、純水5.835 g及びトルエンスルフォン酸4
.35gを加えて、激しく攪拌混合を行なった。更に、
金属化合物として、硝酸バリウムな0.0193g加え
、攪拌混合した後、硬化させた。以後実施例1と同様に
炭化、焼成をして粉体及び焼結体を得た。
g、レゾール型フェノール樹脂(b成分) 17.41
g、純水5.835 g及びトルエンスルフォン酸4
.35gを加えて、激しく攪拌混合を行なった。更に、
金属化合物として、硝酸バリウムな0.0193g加え
、攪拌混合した後、硬化させた。以後実施例1と同様に
炭化、焼成をして粉体及び焼結体を得た。
罠農隻ユ
実施例1と同じように液状ケイ素化合物(a成分)50
g、レゾール型フェノール樹脂(b成分) 17.41
g、純水5.835 g及びトルエンスルフォン酸4
.35gを加えて、激しく攪拌混合を行なった。更に、
金属化合物として、2N硝酸に溶解した金属ロジウムを
金属ロジウムとして0.01gになるように加え、攪拌
混合した後、硬化させた。以後実施例1と同様に炭化、
焼成をして粉体及び焼結体を得た。
g、レゾール型フェノール樹脂(b成分) 17.41
g、純水5.835 g及びトルエンスルフォン酸4
.35gを加えて、激しく攪拌混合を行なった。更に、
金属化合物として、2N硝酸に溶解した金属ロジウムを
金属ロジウムとして0.01gになるように加え、攪拌
混合した後、硬化させた。以後実施例1と同様に炭化、
焼成をして粉体及び焼結体を得た。
1凰■A
実施例1と同じようにして液状ケイ素化合物(a成分)
50g、レゾール型フェノール樹脂(b成分) 17.
41 g、純水5.835 g及びトルエンスルフォン
酸4.35gを加えて、激しく攪拌混合を行なった。更
に、金属化合物として、塩化スズをo、ota g加え
、攪拌混合した後、硬化させた。以後実施例1と同様に
炭化、焼成をして粉体及び焼結体を得た。
50g、レゾール型フェノール樹脂(b成分) 17.
41 g、純水5.835 g及びトルエンスルフォン
酸4.35gを加えて、激しく攪拌混合を行なった。更
に、金属化合物として、塩化スズをo、ota g加え
、攪拌混合した後、硬化させた。以後実施例1と同様に
炭化、焼成をして粉体及び焼結体を得た。
裏ム■1
実施例1と同じようにして液状ケイ素化合物(a成分)
50g、レゾール型フェノール樹脂(bm分) 17.
41 g、純水5.J135 g及びトルエンスルフォ
ン酸4.35gを加えて、激しく攪拌混合を行なった。
50g、レゾール型フェノール樹脂(bm分) 17.
41 g、純水5.J135 g及びトルエンスルフォ
ン酸4.35gを加えて、激しく攪拌混合を行なった。
更に、金属化合物として、硫酸チタンのIN溶液を金属
チタンとして0.01gになるように加え、攪拌混合し
た後、硬化させた。以後実施例1と同様に炭化、焼成を
して粉体及び焼結体を得た。
チタンとして0.01gになるように加え、攪拌混合し
た後、硬化させた。以後実施例1と同様に炭化、焼成を
して粉体及び焼結体を得た。
実m且
実施例1と同じようにして液状ケイ素化合物(a成分)
50g、レゾール型フェノール樹脂(b成分) 17.
41 g、純水5.835 g及びトルエンスルフォン
酸4.35gを加えて、激しく攪拌混合を行なった。更
に、金属化合物として、過レニウム酸アンモンを0.0
144g加え、攪拌混合した後、硬化させた。以後実施
例1と同様に炭化、焼成をして粉体及び焼結体を得た。
50g、レゾール型フェノール樹脂(b成分) 17.
41 g、純水5.835 g及びトルエンスルフォン
酸4.35gを加えて、激しく攪拌混合を行なった。更
に、金属化合物として、過レニウム酸アンモンを0.0
144g加え、攪拌混合した後、硬化させた。以後実施
例1と同様に炭化、焼成をして粉体及び焼結体を得た。
1凰[
実施例1と同じようにして液状ケイ素化合物(a成分)
50g、レゾール型フェノール樹脂(b成分) 17.
41 g、純水5.835 g及びトルエンスルフォン
酸4.35gを加えて、激しく攪拌混合を行なった。更
に、金属化合物として、塩化ルテニウム3水塩を0.0
259g加え、攪拌混合した後、硬化させた。以後実施
例1と同様に炭化、焼成をして粉体及び焼結体を得た。
50g、レゾール型フェノール樹脂(b成分) 17.
41 g、純水5.835 g及びトルエンスルフォン
酸4.35gを加えて、激しく攪拌混合を行なった。更
に、金属化合物として、塩化ルテニウム3水塩を0.0
259g加え、攪拌混合した後、硬化させた。以後実施
例1と同様に炭化、焼成をして粉体及び焼結体を得た。
1凰患1
実施例1と同じようにして液状ケイ素化合物(a成分)
50g、レゾール型フェノール樹脂(b成分) 17.
41 g、純水S、1S35 g及びトルエンスルフォ
ン酸4.35gを加えて、激しく攪拌混合を行なった。
50g、レゾール型フェノール樹脂(b成分) 17.
41 g、純水S、1S35 g及びトルエンスルフォ
ン酸4.35gを加えて、激しく攪拌混合を行なった。
更に、金属化合物として、硝酸コバルト6水塩を0.0
494g加え、攪拌混合した後、硬化させた。以後実施
例1と同様に炭化、焼成をして粉体及び焼結体を得た。
494g加え、攪拌混合した後、硬化させた。以後実施
例1と同様に炭化、焼成をして粉体及び焼結体を得た。
塩蚊漬
液状ケイ素化合物(a成分)50g、レゾール型フェノ
ール樹脂(b成分) 17.41 g、純水5.835
g及びトルエンスルフォン酸4.35gを加えて、激
しく攪拌混合を行なった。やがて硬化した固体を、窒素
雰囲気下で、8.5℃■in−’の昇温速度で1020
℃まで昇温し、炭化させた。得られた炭化物前駆体を、
アルゴン雰囲気中(流量4見諷in−亀)60℃■in
−重で1850℃まで昇温し、10分間保持した後、1
400℃まで20℃5in−’で降温させた。冷却後試
料を取り出し、各種分析を行なった。生成したSiC粉
体の粒子構造を示す走査型電子顕微鏡写真を第2図に示
す、更に、得られた粉体にホウ素0.3%、カーボンを
2%添加しメタノールを分散媒として12時間混合した
後、溶媒を蒸発除去した。得られた、粉体な用いて、円
盤状に形成しくCIP圧3 t cm−”)、更にこれ
を2100℃にて15分保持することにより焼結体を作
製した。
ール樹脂(b成分) 17.41 g、純水5.835
g及びトルエンスルフォン酸4.35gを加えて、激
しく攪拌混合を行なった。やがて硬化した固体を、窒素
雰囲気下で、8.5℃■in−’の昇温速度で1020
℃まで昇温し、炭化させた。得られた炭化物前駆体を、
アルゴン雰囲気中(流量4見諷in−亀)60℃■in
−重で1850℃まで昇温し、10分間保持した後、1
400℃まで20℃5in−’で降温させた。冷却後試
料を取り出し、各種分析を行なった。生成したSiC粉
体の粒子構造を示す走査型電子顕微鏡写真を第2図に示
す、更に、得られた粉体にホウ素0.3%、カーボンを
2%添加しメタノールを分散媒として12時間混合した
後、溶媒を蒸発除去した。得られた、粉体な用いて、円
盤状に形成しくCIP圧3 t cm−”)、更にこれ
を2100℃にて15分保持することにより焼結体を作
製した。
以上の結果を第1表にまとめて示す。
[発明の効果]
以上詳述した通り、本発明の炭化ケイ素の製造方法は、
(a)成分のケイ素を含む物質と(b)成分の炭素を含
む物質に、SiCの粒成長を抑制する効果を有する金属
化合物を予め添加し、生成した前駆体炭化物を非酸化性
雰囲気中で加熱焼成することにより、非常に微細かつ粗
大粒子を含まないSiC粉末を得る新規合成方法である
0本発明においては、添加する金属化合物を選択するこ
とにより、添加した元素は粉体の性質に悪影響を及ぼさ
ない。また粗大粒を含まないものとなることから、その
後の処理において、粉砕をする必要がなく、貨って高純
度のSiC粉体が得られる。また、合成時に炭素と珪素
の比を調整することにより。
(a)成分のケイ素を含む物質と(b)成分の炭素を含
む物質に、SiCの粒成長を抑制する効果を有する金属
化合物を予め添加し、生成した前駆体炭化物を非酸化性
雰囲気中で加熱焼成することにより、非常に微細かつ粗
大粒子を含まないSiC粉末を得る新規合成方法である
0本発明においては、添加する金属化合物を選択するこ
とにより、添加した元素は粉体の性質に悪影響を及ぼさ
ない。また粗大粒を含まないものとなることから、その
後の処理において、粉砕をする必要がなく、貨って高純
度のSiC粉体が得られる。また、合成時に炭素と珪素
の比を調整することにより。
後工程として酸化不純物除去の工程を必要とする不純物
炭素の生成を伴わない微粉体を得ることができる。
炭素の生成を伴わない微粉体を得ることができる。
第1図は実施例1、第2図は比較例で得られたSiC粉
体の粒子構造を示す顕微鏡写真である。 °第1図 手続補正書(方式) 昭和62年2月に 日
体の粒子構造を示す顕微鏡写真である。 °第1図 手続補正書(方式) 昭和62年2月に 日
Claims (8)
- (1)珪素を含む物質と炭素を含む物質と長周期型周期
律表における1A、2A、3A、4A、5A、6A、7
A、8、1B、2B、3B、4B、5B族の元素のうち
、原子番号1、4、5、6、7、14、15、33、4
3、61、87、88、アクチノイド元素を除く少なく
とも1種の元素及び/又は該元素を少なくとも1種を含
む化合物との混合物を非酸化性雰囲気下で加熱焼成する
ことを特徴とする炭化珪素の製造方法。 - (2)珪素を含む物質が酸化雰囲気下1000℃以上に
加熱するとSiO_2を生成する化合物である特許請求
の範囲第1項記載の製造方法。 - (3)炭素を含む物質が酸化雰囲気下1000℃以上に
加熱した場合に生成する灰分が2重量%以下である特許
請求の範囲第1項記載の製造方法。 - (4)炭素を含む物質が官能基を有する有機化合物を架
橋及び/又は重合させてなる有機高分子である特許請求
の範囲第1項又は第3項記載の製造方法。 - (5)有機化合物がレゾール型フェノール樹脂又はノボ
ラック型フェノール樹脂である特許請求の範囲第4項記
載の製造方法。 - (6)混合物が官能基を有し触媒により架橋硬化する有
機化合物の硬化により固化されてなるものである特許請
求の範囲第1項記載の製造方法。 - (7)混合物が該混合物を非酸化性雰囲気下800〜1
200℃に加熱して得られる生成物における炭素原子と
珪素原子の比(C/Si)が1.0〜3.0の範囲にあ
る混合比からなるものてある特許請求の範囲第1項記載
の製造方法。 - (8)長周期型周期律表における1A、2A、3A、4
A、5A、6A、7A、8、1B、2B、3B、4B、
5B族の元素のうち、原子番号1、4、5、6、7、1
4、15、33、43、61、87、88、アクチノイ
ド元素を除く少なくとも1種の元素及び/又は該元素を
少なくとも1種を含む化合物が焼成後に得られる炭化珪
素に対し元素として0.01〜2重量%の割合で用いら
れてなる特許請求の範囲第1項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61238151A JPS6395105A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 炭化珪素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61238151A JPS6395105A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 炭化珪素の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6395105A true JPS6395105A (ja) | 1988-04-26 |
Family
ID=17025949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61238151A Pending JPS6395105A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 炭化珪素の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6395105A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7166523B2 (en) * | 2000-08-10 | 2007-01-23 | Hoya Corporation | Silicon carbide and method of manufacturing the same |
WO2014132445A1 (ja) | 2013-03-01 | 2014-09-04 | 国立大学法人京都大学 | セラミックス微粒子分散液の製造方法 |
-
1986
- 1986-10-08 JP JP61238151A patent/JPS6395105A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7166523B2 (en) * | 2000-08-10 | 2007-01-23 | Hoya Corporation | Silicon carbide and method of manufacturing the same |
WO2014132445A1 (ja) | 2013-03-01 | 2014-09-04 | 国立大学法人京都大学 | セラミックス微粒子分散液の製造方法 |
US10322975B2 (en) | 2013-03-01 | 2019-06-18 | Kyoto University | Method for producing liquid dispersion of ceramic microparticles |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5589116A (en) | Process for preparing a silicon carbide sintered body for use in semiconductor equipment | |
JP2565024B2 (ja) | 半導体治具用炭化珪素粉末の製造方法 | |
JPS5891005A (ja) | 窒化ケイ素粉末の製造方法 | |
JPH02164706A (ja) | セラミツク前駆体化合物からの細かく分割されたカーバイド及びナイトライドの製造方法 | |
JPS61151006A (ja) | 窒化アルミニウム質粉末の製造方法 | |
KR101084711B1 (ko) | 고순도 베타상 탄화규소 미세 분말의 저온 제조 방법 | |
JP2021084858A (ja) | 高純度顆粒α相炭化珪素粉末の製造方法 | |
JPS6395105A (ja) | 炭化珪素の製造方法 | |
KR101549477B1 (ko) | 고순도 탄화규소 분말의 제조방법 | |
JP3442803B2 (ja) | 高純度β型炭化ケイ素粉末の製造方法 | |
JPS62241812A (ja) | 窒化珪素の製造法 | |
JP2973762B2 (ja) | 半導体製造用炭化珪素焼結体の製造方法 | |
JPS61132509A (ja) | 炭化珪素の製造方法 | |
JPS5839764B2 (ja) | 窒化アルミニウム質粉末の製造方法 | |
JPH0416502A (ja) | 窒化ほう素の製造方法 | |
JPS6197125A (ja) | 易焼結性炭化けい素粉末の製造法 | |
JPS62108719A (ja) | 窒化ケイ素の製造方法 | |
JPS61168514A (ja) | 易焼結性炭化珪素の製造方法 | |
KR101360509B1 (ko) | 질화 규소 및 이의 제조 방법 | |
JPS6227003B2 (ja) | ||
JPS61168515A (ja) | 炭化珪素の製造方法 | |
JPS5891028A (ja) | β型炭化ケイ素粉末の製造方法 | |
JPS63170207A (ja) | 高純度炭化けい素粉末の製造方法 | |
JPS6183606A (ja) | 易焼結性窒化アルミニウム質粉末の製造方法 | |
JPH066513B2 (ja) | 窒化物系セラミツクスの製造方法 |