JPS6393163A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPS6393163A JPS6393163A JP23861686A JP23861686A JPS6393163A JP S6393163 A JPS6393163 A JP S6393163A JP 23861686 A JP23861686 A JP 23861686A JP 23861686 A JP23861686 A JP 23861686A JP S6393163 A JPS6393163 A JP S6393163A
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
本発明は、ひずみゲージを形成したシリコン感圧ダイヤ
フラムチップとひずみゲージに接続された増幅回路など
の付帯回路を構成する厚膜配線回路とを同一容器内に収
容した半導体圧力センサに関する。
フラムチップとひずみゲージに接続された増幅回路など
の付帯回路を構成する厚膜配線回路とを同一容器内に収
容した半導体圧力センサに関する。
半導体圧力センサの一般的な基本構造として、第２図に
示すように、ダイヤフラム部にひずみゲージを形成した
シリコン感圧チップ１を、近似的に等しい熱膨張係数を
もつパイレックスガラスやシリコン等からなる台座２の
上に固着し、金属容器底部３１を貫通する導圧管４の上
に固定するものが知られている。これは温度変化、例え
ば−４０〜１２０℃の温度範囲において容器との熱膨張
係数の相違による歪が感圧ダイヤフラムチンブ１に加わ
り、ダイヤプラム部を変形させてあたかも測定圧力が導
圧管４を介してダイヤフラムに加わって変形させた場合
と同等の出力信号を生ずるのを防ぐためである。従って
、導圧管４も台座２に熱膨張係数の近い材料からなる必
要がある。増幅回路などの付帯回路は、容器底部３１に
固着されたアルミナ基板５の上の厚膜配線回路６として
構成されてひずみゲージとアルミニウム等の導線７によ
って接続され、出力は出力端子６１により容器外に取り
出される。チップ１および配線基板５は底部３１と蓋部
３２よりなる容器３の内部空間に収容されている。 しかし、このような半導体圧力センサは、台座が必要な
こと、それに伴ってシリコン感圧チップ１と台座２間９
台座２と導圧管４の間の気密な固着を確保する必要があ
ること、また容器内に付帯回路基板を挿入しなければな
らぬことなど、構造および組立が複雑化する欠点があっ
た。
示すように、ダイヤフラム部にひずみゲージを形成した
シリコン感圧チップ１を、近似的に等しい熱膨張係数を
もつパイレックスガラスやシリコン等からなる台座２の
上に固着し、金属容器底部３１を貫通する導圧管４の上
に固定するものが知られている。これは温度変化、例え
ば−４０〜１２０℃の温度範囲において容器との熱膨張
係数の相違による歪が感圧ダイヤフラムチンブ１に加わ
り、ダイヤプラム部を変形させてあたかも測定圧力が導
圧管４を介してダイヤフラムに加わって変形させた場合
と同等の出力信号を生ずるのを防ぐためである。従って
、導圧管４も台座２に熱膨張係数の近い材料からなる必
要がある。増幅回路などの付帯回路は、容器底部３１に
固着されたアルミナ基板５の上の厚膜配線回路６として
構成されてひずみゲージとアルミニウム等の導線７によ
って接続され、出力は出力端子６１により容器外に取り
出される。チップ１および配線基板５は底部３１と蓋部
３２よりなる容器３の内部空間に収容されている。 しかし、このような半導体圧力センサは、台座が必要な
こと、それに伴ってシリコン感圧チップ１と台座２間９
台座２と導圧管４の間の気密な固着を確保する必要があ
ること、また容器内に付帯回路基板を挿入しなければな
らぬことなど、構造および組立が複雑化する欠点があっ
た。
本発明は、上述の欠点を除きシリコン感圧チップを支持
するための台座を使用することのなく、単純な構造で高
精度の半導体圧力センサを提供することを目的とする。
するための台座を使用することのなく、単純な構造で高
精度の半導体圧力センサを提供することを目的とする。
本発明は、容器底部に平面的に固着された絶縁性ＳＩＣ
セラミックからなる基板上に感圧ダイヤフラムチップを
固着し、付帯回路を構成する厚膜配線回路をその基板上
に形成するもので、配線基板が台座を兼ねることにより
上記の目的が達成される。
セラミックからなる基板上に感圧ダイヤフラムチップを
固着し、付帯回路を構成する厚膜配線回路をその基板上
に形成するもので、配線基板が台座を兼ねることにより
上記の目的が達成される。
【発明の実施例】
第１図は本発明の一実施例を示し、第２図と共通の部分
には同一の符号が付されている。この場合、シリコン感
圧チップ１は、容器３内に収容されたＳＩＣセラミック
からなる基板８の上に接着され、感圧チップ１に設けら
れたダイヤフラムの裏側空間は基板８の開口部８１に通
じている。ＳＩＣセラミックは、例えば、雑誌「日経エ
レクトロニクスＪ １９８４年９月２４日号（第３５２
号）２６５〜２９４ページに記載されているように高絶
縁性で高熱伝導率を有し、単結晶ＳｉＣと異なり、熱膨
張係数がシリコンとほとんど等しい、基板８は、金属容
器底部３１の上に、熱膨張係数がＳｉＣセラミックと容
器金属との中間にある金属、例えばＮｌ −Ｆｅ合金か
らなる環状のスペーサ９を介してろう付けされる。基板
８のシリコン感圧チップ１の周囲には厚膜印刷による配
線が設けられ、増幅回路などの付帯回路が厚膜配線回路
６として構成されており、チップ１とアルミニウムα線
７によって接続されている。 導圧管４は容器底部３１に固着され、スペーサ９に囲ま
れた空間、ｓｉｃセラミック基板８の開口部８１を介し
てチップダイヤフラムの裏面に測定圧力を導く、この導
圧管４は、第２図の場合と異なり熱膨張係数を特に留意
する必要はない。
には同一の符号が付されている。この場合、シリコン感
圧チップ１は、容器３内に収容されたＳＩＣセラミック
からなる基板８の上に接着され、感圧チップ１に設けら
れたダイヤフラムの裏側空間は基板８の開口部８１に通
じている。ＳＩＣセラミックは、例えば、雑誌「日経エ
レクトロニクスＪ １９８４年９月２４日号（第３５２
号）２６５〜２９４ページに記載されているように高絶
縁性で高熱伝導率を有し、単結晶ＳｉＣと異なり、熱膨
張係数がシリコンとほとんど等しい、基板８は、金属容
器底部３１の上に、熱膨張係数がＳｉＣセラミックと容
器金属との中間にある金属、例えばＮｌ −Ｆｅ合金か
らなる環状のスペーサ９を介してろう付けされる。基板
８のシリコン感圧チップ１の周囲には厚膜印刷による配
線が設けられ、増幅回路などの付帯回路が厚膜配線回路
６として構成されており、チップ１とアルミニウムα線
７によって接続されている。 導圧管４は容器底部３１に固着され、スペーサ９に囲ま
れた空間、ｓｉｃセラミック基板８の開口部８１を介し
てチップダイヤフラムの裏面に測定圧力を導く、この導
圧管４は、第２図の場合と異なり熱膨張係数を特に留意
する必要はない。
本発明によれば、シリコンとほとんど等しい熱膨張係数
をもつＳｉＣセラミックからなるｖＡａ性基板上にシリ
コン感圧チップを固着すると共に、この基板を付帯回路
を構成する厚膜配線回路基板として用い、また容器底部
に平面的に固着することにより、台座の省略が可能とな
り、構造が単純になり、さらに導圧管の材料の制限がな
くなるなど、高精度で信鯨性の高い半導体圧力センサの
構造として極めて有効である。
をもつＳｉＣセラミックからなるｖＡａ性基板上にシリ
コン感圧チップを固着すると共に、この基板を付帯回路
を構成する厚膜配線回路基板として用い、また容器底部
に平面的に固着することにより、台座の省略が可能とな
り、構造が単純になり、さらに導圧管の材料の制限がな
くなるなど、高精度で信鯨性の高い半導体圧力センサの
構造として極めて有効である。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の半
４体圧カセンサの断面図である。 ■＝シリコン感圧チフプ、３：容器、３１：容器底部、
４・導圧管、６：１７膜配線回路、７：導線、３：Ｓｉ
Ｃセラミック基板。 第１図 第２図
４体圧カセンサの断面図である。 ■＝シリコン感圧チフプ、３：容器、３１：容器底部、
４・導圧管、６：１７膜配線回路、７：導線、３：Ｓｉ
Ｃセラミック基板。 第１図 第２図
Claims (1)
- １）ひずみゲージを形成したダイヤフラムを有するシリ
コン感圧チップとひずみゲージに接続された付帯回路を
構成する厚膜配線回路とが同一容器内に収容されるもの
において、容器底部に平面的に固着された絶縁性炭化珪
素セラミックからなる基板上に感圧チップが固着され、
厚膜配線回路が該基板上に形成されたことを特徴とする
半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238616A JPH06101568B2 (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238616A JPH06101568B2 (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6393163A true JPS6393163A (ja) | 1988-04-23 |
| JPH06101568B2 JPH06101568B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=17032813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61238616A Expired - Lifetime JPH06101568B2 (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101568B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017223643A (ja) * | 2016-06-14 | 2017-12-21 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
| WO2017217150A1 (ja) * | 2016-06-14 | 2017-12-21 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
| CN114112120A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-03-01 | 南京英锐创电子科技有限公司 | 传感器封装结构及方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55138609A (en) * | 1979-04-16 | 1980-10-29 | Hitachi Ltd | Semiconductor displacing transducer |
| JPS5934149U (ja) * | 1983-06-23 | 1984-03-02 | 杉原 年雄 | 雌ねじ体 |
| JPS6239078A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-20 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
-
1986
- 1986-10-07 JP JP61238616A patent/JPH06101568B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55138609A (en) * | 1979-04-16 | 1980-10-29 | Hitachi Ltd | Semiconductor displacing transducer |
| JPS5934149U (ja) * | 1983-06-23 | 1984-03-02 | 杉原 年雄 | 雌ねじ体 |
| JPS6239078A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-20 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017223643A (ja) * | 2016-06-14 | 2017-12-21 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
| WO2017217150A1 (ja) * | 2016-06-14 | 2017-12-21 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
| CN114112120A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-03-01 | 南京英锐创电子科技有限公司 | 传感器封装结构及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06101568B2 (ja) | 1994-12-12 |
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