JPH01185424A - 絶対圧形半導体圧力センサ - Google Patents
絶対圧形半導体圧力センサInfo
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- JPH01185424A JPH01185424A JP1038788A JP1038788A JPH01185424A JP H01185424 A JPH01185424 A JP H01185424A JP 1038788 A JP1038788 A JP 1038788A JP 1038788 A JP1038788 A JP 1038788A JP H01185424 A JPH01185424 A JP H01185424A
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- Japan
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- substrate
- pressure
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコン板のゲージ抵抗が形成されたダイヤ
フラム部の一面に基準圧力、他面に測定圧力を加える絶
対圧形半導体圧力センサに関する。
フラム部の一面に基準圧力、他面に測定圧力を加える絶
対圧形半導体圧力センサに関する。
従来の絶対圧形半導体圧力センサの一般的構造は、第２
図に示すようにゲージ抵抗を形成したダイヤフラム部を
有するシリコン感圧チップ１が、／リコンに近似した熱
膨張係数をもつ耐熱ガラ°スあるいはシリコン等からな
る台座１１を介して測定圧力が導かれる導圧管２に固定
され、その導圧管が気密に貫通する底部１２と蓋部１３
からなり、内部中°間３が圧力基準室となる容器内に収
容されている。これは、例えば−４０〜１２９℃の範囲
の温度変化において、感圧チップとそれを支持する支持
体との間の熱膨張係数の相違による応力がダイヤフラム
部に加わり、ダイヤフラムを変形させてあたかも測定圧
力が加わり変形させた場合と同様の結果となるのを防ぐ
ものである。さらに、容器内には増幅回路などの物御回
路を構成する厚膜配線回路４を形成したＡ ｆ１２０３
などのセラミック基板１４が収容され、その厚膜配線回
路はチップ１の端子と１、＾Ｕなどの細線５のボンディ
ングにより接続しかし、上記の構造では特別な材料から
なり、細孔を開ける必要がある台座１１が用いられるの
で費用がかかり、また感圧チップ１と台座１１および台
座１１と導圧管２との気密な接着が必要で、高度の技術
を必要とするなどコスト高の要因を含んでいる。
図に示すようにゲージ抵抗を形成したダイヤフラム部を
有するシリコン感圧チップ１が、／リコンに近似した熱
膨張係数をもつ耐熱ガラ°スあるいはシリコン等からな
る台座１１を介して測定圧力が導かれる導圧管２に固定
され、その導圧管が気密に貫通する底部１２と蓋部１３
からなり、内部中°間３が圧力基準室となる容器内に収
容されている。これは、例えば−４０〜１２９℃の範囲
の温度変化において、感圧チップとそれを支持する支持
体との間の熱膨張係数の相違による応力がダイヤフラム
部に加わり、ダイヤフラムを変形させてあたかも測定圧
力が加わり変形させた場合と同様の結果となるのを防ぐ
ものである。さらに、容器内には増幅回路などの物御回
路を構成する厚膜配線回路４を形成したＡ ｆ１２０３
などのセラミック基板１４が収容され、その厚膜配線回
路はチップ１の端子と１、＾Ｕなどの細線５のボンディ
ングにより接続しかし、上記の構造では特別な材料から
なり、細孔を開ける必要がある台座１１が用いられるの
で費用がかかり、また感圧チップ１と台座１１および台
座１１と導圧管２との気密な接着が必要で、高度の技術
を必要とするなどコスト高の要因を含んでいる。
本発明の目的は、上述の問題を解決して、部品点数が少
なく加工、固着等に高度の技術を必要としない絶対圧形
半導体圧力センサを提供すること上記の目的を達成する
ために、本発明は、一面側の中央に凹部を形成してなる
ダイヤフラム部にゲージ抵抗を備えたシリコン感圧チッ
プがムライ）（３１！２Ｃｈ・２５１０２）からなる基
板上に凹部を基板側にして固着され、その基板は導圧口
を有する蓋体と気密に結合されてかつ基板面上に厚膜配
線回路が形成されるものとする。
なく加工、固着等に高度の技術を必要としない絶対圧形
半導体圧力センサを提供すること上記の目的を達成する
ために、本発明は、一面側の中央に凹部を形成してなる
ダイヤフラム部にゲージ抵抗を備えたシリコン感圧チッ
プがムライ）（３１！２Ｃｈ・２５１０２）からなる基
板上に凹部を基板側にして固着され、その基板は導圧口
を有する蓋体と気密に結合されてかつ基板面上に厚膜配
線回路が形成されるものとする。
上記のような構造とすることにより、感圧チップのダイ
ヤフラム部とムライト基板との間の空間が基準圧力室と
なり、基板と蓋体との間の空間に蓋体の導圧口から測定
圧力を導くことによりダイヤフラム部が変形し、圧力を
検知することができる。ムライトは熱膨張係数がシリコ
ンに近似しているため、温度変化の際にも感圧チップに
応力が加わることがない。
ヤフラム部とムライト基板との間の空間が基準圧力室と
なり、基板と蓋体との間の空間に蓋体の導圧口から測定
圧力を導くことによりダイヤフラム部が変形し、圧力を
検知することができる。ムライトは熱膨張係数がシリコ
ンに近似しているため、温度変化の際にも感圧チップに
応力が加わることがない。
第１図は本発明の一実施例を示し、第２図と共通の部分
には同一の符号が付されている。この場合はシリコン感
圧チップ１がムライト基板６の上に固着されている。ム
ライト（３ｉ２０３・２ＳｉＯ□）は熱膨張係数が４．
４２ Ｘ １０−’ ／ Ｋで＾β２０．の７．０ＸＩ
Ｏ−’／により小さく 、３．５ Ｘｌ０−”／ Ｋ
であるＳｉＯ熱膨張係数に近似している。基板６の周
囲は、樹脂成形によって作成され、導圧管部２が一体と
なった蓋体７と気密に結合される。この結果、容器の内
部空間３の圧力は導圧管部２から導入される測定圧力に
保たれる。これに対し、感圧チップ１のダイヤフラム部
と基板６との間の空間８が圧力基準室となり、真空にさ
れるか一定圧のガスが封入される。ムライト基板６の面
上には印刷厚膜による厚膜配線回路４が形成され、増幅
回路等を構成しており、感圧チップ１の端子と細線５に
より接続されている。この厚膜配線回路４は、図示のよ
うに基板６の外面にも設けられる。例えばチップ１と制
御回路とを接続後調整される抵抗などをこの外面側に設
ければ有効であり、調整後表面保護のための樹脂層９で
被覆する。
には同一の符号が付されている。この場合はシリコン感
圧チップ１がムライト基板６の上に固着されている。ム
ライト（３ｉ２０３・２ＳｉＯ□）は熱膨張係数が４．
４２ Ｘ １０−’ ／ Ｋで＾β２０．の７．０ＸＩ
Ｏ−’／により小さく 、３．５ Ｘｌ０−”／ Ｋ
であるＳｉＯ熱膨張係数に近似している。基板６の周
囲は、樹脂成形によって作成され、導圧管部２が一体と
なった蓋体７と気密に結合される。この結果、容器の内
部空間３の圧力は導圧管部２から導入される測定圧力に
保たれる。これに対し、感圧チップ１のダイヤフラム部
と基板６との間の空間８が圧力基準室となり、真空にさ
れるか一定圧のガスが封入される。ムライト基板６の面
上には印刷厚膜による厚膜配線回路４が形成され、増幅
回路等を構成しており、感圧チップ１の端子と細線５に
より接続されている。この厚膜配線回路４は、図示のよ
うに基板６の外面にも設けられる。例えばチップ１と制
御回路とを接続後調整される抵抗などをこの外面側に設
ければ有効であり、調整後表面保護のための樹脂層９で
被覆する。
本発明によれば、感圧チップ材料のシリコンと近似的に
等しい熱膨張係数をもつムライト基板上に感圧チップを
固着し、さらにこの基板を容器の一部ならびに厚膜配線
回路の基板と兼用させることにより台座、別個の回路基
板が省略され、部品点数が減少する。さらに容器の一部
に導圧口を形成して容器内部空間を測定圧力室とし、感
圧チップのダイヤフラム部と基板との間の空間を圧力基
準室とすることにより、構造簡単で高度の製造技術を必
要とせず、信頼性の高い小形高精度の絶対圧形半導体圧
力センサを低い製造コストで得ることができる。
等しい熱膨張係数をもつムライト基板上に感圧チップを
固着し、さらにこの基板を容器の一部ならびに厚膜配線
回路の基板と兼用させることにより台座、別個の回路基
板が省略され、部品点数が減少する。さらに容器の一部
に導圧口を形成して容器内部空間を測定圧力室とし、感
圧チップのダイヤフラム部と基板との間の空間を圧力基
準室とすることにより、構造簡単で高度の製造技術を必
要とせず、信頼性の高い小形高精度の絶対圧形半導体圧
力センサを低い製造コストで得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来例の
断面図である。
断面図である。
Claims (1)
- １）一面側の中央に凹部を形成してなるダイヤフラム部
にゲージ抵抗を備えたシリコン感圧チップがムライトか
らなる基板上に凹部を基板側にして固着され、該基板は
導圧口を有する蓋体と気密に結合され、かつ該基板面上
に厚膜配線回路が形成されたことを特徴とする絶対圧形
半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038788A JPH01185424A (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | 絶対圧形半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038788A JPH01185424A (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | 絶対圧形半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01185424A true JPH01185424A (ja) | 1989-07-25 |
Family
ID=11748711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1038788A Pending JPH01185424A (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | 絶対圧形半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01185424A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0465643A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-01-20 JP JP1038788A patent/JPH01185424A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0465643A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
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